WO2015122456A1 - 研磨装置および研磨方法 - Google Patents

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polishing tape
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    • H10P90/00Preparation of wafers not covered by a single main group of this subclass, e.g. wafer reinforcement
    • H10P90/12Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H10P90/128Preparing bulk and homogeneous wafers by edge treatment, e.g. chamfering

Definitions

  • the present invention relates to a polishing apparatus and a polishing method for polishing a substrate such as a wafer, and more particularly to a polishing apparatus and a polishing method for polishing an edge portion of a wafer using a polishing tape.
  • FIG. 11 is a schematic diagram showing a polishing apparatus that polishes the edge portion of the wafer W using the polishing tape 101.
  • the polishing apparatus presses the polishing tape 101 downward against the edge portion of the wafer W by the pressing member 100 while rotating the wafer W to polish the edge portion.
  • the lower surface of the polishing tape 101 constitutes a polishing surface to which abrasive grains are fixed.
  • the pressing member 100 has a flat lower surface, and the polishing tape 101 is pressed downward against the edge portion of the wafer W by the flat lower surface, so that a step portion composed of a vertical surface and a horizontal surface as shown in FIG. Formed at the edge.
  • the polishing tape 101 may be displaced from a predetermined position on the pressing member 100 due to a frictional force generated between the polishing tape 101 and the wafer W.
  • the vertical surface to be formed on the edge portion becomes rough.
  • the edge portion of the wafer W is polished using two polishing tapes, a rough polishing tape having a rough polishing surface and a finishing polishing tape having a fine polishing surface.
  • the rough polishing tape is always in contact with the vertical surface of the edge portion, so that the vertical surface of the edge portion becomes rough due to contact with the rough polishing tape. If only the finish polishing tape is used, it is possible to form a smooth vertical surface. However, if only the finish polishing tape is used, the polishing rate decreases and the throughput of the polishing apparatus decreases.
  • the present invention provides a polishing apparatus and a polishing method capable of preventing a positional deviation of a polishing tape during polishing of a substrate such as a wafer and forming a smooth vertical surface on the edge portion of the substrate. With the goal.
  • one aspect of the present invention includes a substrate holding portion that holds and rotates a substrate, and a polishing unit that polishes an edge portion of the substrate using a polishing tape, and the polishing unit.
  • a disk head having an outer peripheral surface for supporting the polishing tape, and a head for moving the disk head in a tangential direction of the substrate and bringing the polishing tape on the outer peripheral surface of the disk head into contact with an edge portion of the substrate
  • a polishing apparatus wherein the axis of the disk head is parallel to the surface of the substrate and perpendicular to the tangential direction.
  • the polishing unit rotates the first reel and the second reel respectively holding the both ends of the polishing tape, and the first reel and the second reel in opposite directions. It further has a first motor and a second motor that generate torque to be generated.
  • the polishing unit further includes a nip roller that presses the polishing tape against the outer peripheral surface of the disk head and curves the polishing tape along the outer peripheral surface.
  • the polishing unit further includes a nip roller moving device that moves the nip roller about an axis of the disk head.
  • the polishing unit further includes a head motor that rotates the disk head around its axis.
  • a plurality of the polishing units are provided.
  • the plurality of polishing units include a first polishing unit to which a first polishing tape is attached, and a second polishing tape having a finer polishing surface than the first polishing tape. Including a second polishing unit to which is attached.
  • the first polishing tape is rotated on the outer peripheral surface of the first disk head while rotating the substrate around its axis and moving the first disk head in the tangential direction of the substrate.
  • a step is formed on the edge portion by pressing against the edge portion of the substrate, and the second polishing tape is moved on the outer peripheral surface of the second disk head while moving the second disk head in the tangential direction of the substrate.
  • the stationary tape is relatively large between the polishing tape in contact with the substrate and the outer peripheral surface of the disk head as compared with the case where the polishing tape is pressed against the substrate with the flat surface of the pressing member shown in FIG. Friction works. Therefore, it is possible to prevent the polishing tape from shifting from a predetermined position during the polishing of the substrate.
  • the polishing tape is pressed against the edge portion of the substrate by the outer peripheral surface of the disk head while the disk head moves in the tangential direction of the substrate. For this reason, the polishing of the edge portion gradually proceeds from the outside to the inside of the edge portion. Therefore, the edge portion is polished with the first polishing tape having a rough polishing surface to form a step portion, and the step portion is further polished with the second polishing tape having a fine polishing surface, thereby achieving smoothness.
  • a vertical surface can be formed at the edge portion.
  • FIG. 1 is a front view showing an embodiment of a polishing apparatus
  • FIG. 2 is a side view of the polishing apparatus.
  • the polishing apparatus includes a substrate holding unit 1 that holds and rotates a wafer W that is an example of a substrate, and a polishing unit 7 that polishes an edge portion of the wafer W using a polishing tape 5 that is a polishing tool.
  • the substrate holding unit 1 is configured to hold the lower surface of the wafer W and rotate the wafer W horizontally around its central axis.
  • a polishing liquid supply nozzle 10 for supplying a polishing liquid such as pure water to the upper surface of the wafer W is disposed above the center of the wafer W held on the substrate holding unit 1. During polishing of the edge portion of the wafer W, the polishing liquid is supplied from the polishing liquid supply nozzle 10 to the center of the wafer W. The polishing liquid spreads over the entire upper surface of the wafer W by centrifugal force and protects the wafer W from polishing debris.
  • the polishing unit 7 includes a disk head 12 having an outer peripheral surface that supports the polishing tape 5, a nip roller 14 that presses the polishing tape 5 against the outer peripheral surface of the disk head 12, and a head that rotates the disk head 12 around its axis O. And a motor 18.
  • the axis O of the disk head 12 is parallel to the surface (upper surface) of the wafer W held by the substrate holder 1 and is perpendicular to the tangential direction of the wafer W.
  • the disk head 12 is connected to the drive shaft of the head motor 18.
  • the head motor 18 is configured to rotate the disk head 12 at a predetermined speed.
  • the head motor 18 is fixed to the base 25.
  • the nip roller 14 is rotatably held by a bearing arm 26, and the bearing arm 26 is held by an air cylinder 20 as a nip roller urging device.
  • the air cylinder 20 is configured to urge the nip roller 14 toward the center of the disk head 12 via a bearing arm 26.
  • a spring may be used instead of the air cylinder 20 as the nip roller urging device.
  • the air cylinder 20 is held by the turning arm 32.
  • the turning arm 32 is connected to a rotation shaft of a turning motor 29 as a nip roller moving device.
  • the turning motor 29 is fixed to the base 25.
  • the rotation axis of the turning motor 29 is aligned with the axis O of the disk head 12. Therefore, when the turning motor 29 is driven, the nip roller 14 moves around the axis O along the outer peripheral surface of the disk head 12.
  • the axis of the nip roller 14 is parallel to the axis O of the disk head 12.
  • the base 25 is supported by a horizontal linear guide 30 extending in a direction parallel to the tangential direction of the wafer W, and the movement of the base 25 is limited to a direction parallel to the tangential direction of the wafer W by the horizontal linear guide 30.
  • the polishing unit 7 rotates the first tension reel 41 and the second tension reel 42 holding the both ends of the polishing tape 5 respectively, and the first tension reel 41 and the second tension reel 42 in opposite directions. It further has a first tension motor 43 and a second tension motor 44 that generate torque. The first tension reel 41 and the second tension reel 42 are disposed above the disk head 12.
  • the polishing tape 5 extends from the first tension reel 41 to the second tension reel 42 via the disk head 12. Since the first tension reel 41 and the second tension reel 42 are applied with torque that rotates the tension reels 41 and 42 in opposite directions, a tension is applied to the polishing tape 5. Between the first and second tension reels 41 and 42 and the disk head 12, a first guide roller 47 and a second guide roller 48 are arranged, and the first and second tension reels 41, A polishing tape 5 extending between 42 and the disk head 12 is supported.
  • the polishing tape 5 is curved along the outer peripheral surface of the disk head 12, and the curved portion is brought into contact with the wafer W. Compared to the case where the polishing tape 101 is pressed against the wafer W on the flat surface of the pressing member 100 shown in FIG. 11, a relatively large rest is provided between the polishing tape 5 in contact with the wafer W and the outer peripheral surface of the disk head 12. Friction works. Therefore, it is possible to prevent the polishing tape 5 from being displaced from a predetermined position during the polishing of the wafer W. In order to hold the polishing tape 5 on the disk head 12, a vacuum suction hole for vacuum suction of the polishing tape 5 may be formed on the outer peripheral surface of the disk head 12.
  • One surface of the polishing tape 5 constitutes a polishing surface for holding abrasive grains, and the other surface (that is, the back surface) is supported by the outer peripheral surface of the disk head 12.
  • the outer peripheral surface of the disk head 12 may have a width wider than the width of the polishing tape 5.
  • the position of the inner edge (wafer side edge or substrate side edge) of the polishing tape 5 preferably matches the position of the edge of the disk head 12.
  • the nip roller 14 curves the polishing tape 5 along the outer peripheral surface of the disk head 12 by pressing the back surface of the polishing tape 5 against the outer peripheral surface of the disk head 12, thereby increasing the contact area between the polishing tape 5 and the disk head 12. Let The polishing tape 5 is sandwiched between the nip roller 14 and the disk head 12.
  • the polishing tape 5 is curved along the outer peripheral surface of the disk head 12 and is further wound around the outer peripheral surface of the disk head 12 by the nip roller 14.
  • a large static friction acts between the back surface of the polishing tape 5 and the outer peripheral surface of the disk head 12, whereby the displacement of the polishing tape 5 can be reliably prevented.
  • the length of the polishing tape 5 that contacts the outer peripheral surface of the disk head 12, that is, the contact area between the polishing tape 5 and the disk head 12 varies according to the position of the nip roller 14.
  • the turning motor 29 functioning as a nip roller moving device can change the length of the polishing tape 5 in contact with the outer peripheral surface of the disk head 12 by moving the nip roller 14 about the axis O of the disk head 12. it can.
  • the length of the polishing tape 5 in contact with the outer peripheral surface of the disk head 12 is at least half of the entire circumference of the disk head 12.
  • the nip roller 14 is preferably arranged at a position where the polishing tape 5 extends over at least a half circumference of the disk head 12. In the example shown in FIG. 1, the nip roller 14 is disposed at a position where the polishing tape 5 extends over the 3/4 circumference of the disk head 12.
  • the first guide roller 47 is configured to be movable in parallel with the axis O of the disk head 12.
  • the relative position of the polishing tape 5 with respect to the disk head 12 in the axial direction of the disk head 12 (that is, the direction in which the axis O extends) is adjusted by the first guide roller 47.
  • the polishing tape 5 is pulled out from the first tension reel 41, proceeds in the circumferential direction of the disk head 12 in synchronization with the rotation of the disk head 12, and the second The tension reel 42 is wound up.
  • the polishing tape 5 advances from the first tension reel 41 to the second tension reel 42 through the first guide roller 47, the disk head 12, the nip roller 14, and the second guide roller 48 in this order.
  • the polishing unit 7 further includes an air cylinder 50 as a head moving device for moving the disk head 12 and the nip roller 14 in the tangential direction of the wafer W.
  • the piston rod 51 of the air cylinder 50 is connected to the base 25 (see FIG. 2).
  • the disk head 12 and the nip roller 14 are movable together with the base 25. Therefore, the air cylinder 50 moves the disk head 12 and the nip roller 14 in the tangential direction of the wafer W while the polishing tape 5 is supported on the outer peripheral surface of the disk head 12.
  • a ball screw and a servo are used instead of the air cylinder 50.
  • a combination with a motor may be used.
  • the air cylinder 50 moves the disk head 12 in the tangential direction of the wafer W to bring the polishing tape 5 on the outer peripheral surface of the disk head 12 into contact with the edge portion of the wafer W.
  • the polishing tape 5 is pressed against the edge portion of the wafer W by the lower end portion of the disk head 12.
  • the moving direction and the rotating direction of the disk head 12 are directions in which the polishing tape 5 moves in the direction opposite to the moving direction of the edge portion of the wafer W. This is to increase the polishing rate of the wafer W.
  • Polishing of the edge portion of the wafer W is performed as follows.
  • the wafer W is held horizontally by the substrate holder 1 and rotated about the axis of the wafer W.
  • a polishing liquid (for example, pure water) is supplied from the polishing liquid supply nozzle 10 to the center of the wafer W.
  • the head motor 18 rotates the disk head 12 at a predetermined speed
  • the air cylinder 50 moves the disk head 12 and the nip roller 14 together with the polishing tape 5 in the tangential direction of the wafer W, and moves the disk head 12 on the outer peripheral surface of the disk head 12.
  • the polishing tape 5 is brought into contact with the edge portion of the wafer W.
  • the lowermost end portion of the disk head 12 presses the polishing tape 5 against the edge portion of the wafer W.
  • the edge portion of the wafer W is polished by the polishing tape 5, and a step portion as shown in FIG. 12 is formed at the edge portion.
  • the polishing tape 5 is bent along the outer peripheral surface of the disk head 12 and wound around the outer peripheral surface of the disk head 12 by the nip roller 14. Accordingly, a relatively large static friction acts between the back surface of the polishing tape 5 and the outer peripheral surface of the disk head 12, thereby preventing displacement of the polishing tape 5. Therefore, the polishing tape 5 can form a smooth vertical surface (see FIG. 12) at the edge portion of the wafer W.
  • FIG. 3 is a plan view showing the relative positions of the disk head 12 and the edge portion of the wafer W when the polishing tape 5 contacts the edge portion of the wafer W.
  • FIG. 4 shows the disk head 12 shown in FIG. It is sectional drawing of the edge part grind
  • FIG. 5 is a plan view showing the relative positions of the disk head 12 and the edge portion of the wafer W when the disk head 12 is further moved in the tangential direction of the wafer W.
  • FIG. It is sectional drawing of the edge part grind
  • the polishing tape 5 polishes the inner portion of the edge portion of the wafer W and forms a larger step portion at the edge portion.
  • FIG. 7 is a plan view showing the relative positions of the disk head 12 and the edge portion of the wafer W when the axis O of the disk head 12 coincides with the radial direction of the wafer W when viewed from above the wafer W.
  • FIG. 8 is a sectional view of the edge portion polished by the polishing tape 5 when the disk head 12 is in the position shown in FIG. The polishing tape 5 polishes the innermost portion of the edge portion of the wafer W, and forms a larger step portion at the edge portion as shown in FIG.
  • the polishing of the edge portion gradually proceeds from the outside to the inside of the edge portion. Therefore, rough polishing and finish polishing of the edge portion can be performed using two types of polishing tapes. That is, the edge portion is polished with a first polishing tape having a rough polishing surface to form a stepped portion, and the stepped portion is further polished with a second polishing tape having a finer polishing surface, thereby achieving smoothness.
  • a vertical surface can be formed at the edge portion.
  • FIG. 9 is a schematic diagram showing a polishing apparatus having two polishing units 7A and 7B.
  • the first polishing unit 7A and the second polishing unit 7B shown in FIG. 9 have the same configuration as the polishing unit 7 shown in FIGS. 1 and 2, but for simplification of description, FIG. However, some of the components of the first polishing unit 7A and the second polishing unit 7B are not shown.
  • the first polishing unit 7A and the second polishing unit 7B are arranged along the edge portion of the wafer W held by the substrate holding unit 1.
  • the first polishing unit 7 ⁇ / b> A and the second polishing unit 7 ⁇ / b> B are arranged symmetrically around the wafer W held by the substrate holding unit 1.
  • a first polishing tape 5A having a rough polishing surface is attached to the first polishing unit 7A
  • a second polishing tape 5B having a fine polishing surface is attached to the second polishing unit 7B. It has been.
  • Polishing of the edge portion of the wafer W is performed as follows.
  • the wafer W is held horizontally by the substrate holder 1 and rotated about the axis of the wafer W.
  • a polishing liquid is supplied to the central portion of the wafer W from a polishing liquid supply nozzle 10 (see FIG. 2).
  • the disk head 12 of the first polishing unit 7 ⁇ / b> A moves in the tangential direction of the wafer W to bring the first polishing tape 5 ⁇ / b> A into contact with the edge portion of the wafer W.
  • the first polishing tape 5A is pressed against the edge portion of the wafer W by the outer peripheral surface of the disk head 12 of the first polishing unit 7A to form a step portion at the edge portion.
  • the disk head 12 of the second polishing unit 7B moves in the tangential direction of the wafer W, and the second polishing tape 5B is moved to the wafer. Contact the edge of W.
  • the second polishing tape 5B is pressed against the step portion by the outer peripheral surface of the disk head 12 of the second polishing unit 7B, and further polishes the step portion.
  • the first polishing tape 5A is a rough polishing tape having a rough polishing surface
  • the second polishing tape 5B is a final polishing tape having a fine polishing surface.
  • the first polishing tape 5A polishes the edge portion of the wafer W at a high polishing rate (also referred to as a removal rate), and the second polishing tape 5B is formed by the first polishing tape 5A. Finish polishing the stepped part. Therefore, the vertical surface of the stepped portion can be made smooth while improving the polishing rate of the wafer W.
  • polishing units 7 may be provided.
  • three or more polishing tapes having polishing surfaces with different surface roughness may be used.
  • FIG. 10 is a side view showing another embodiment of the polishing apparatus.
  • the polishing unit 7 of this embodiment includes a lifting mechanism 60 that raises and lowers the disk head 12, the nip roller 14, the head motor 18, and the turning motor 29.
  • the lifting mechanism 60 includes a lifting table 62 that supports the horizontal linear guide 30 and a lifting actuator 64 that raises and lowers the lifting table 62.
  • the elevating table 62 is connected to a vertical linear guide 65.
  • the vertical linear guide 65 is configured to limit the movement of the lifting table 62 in the vertical direction.
  • the lifting / lowering actuator 64 includes a ball screw 67 rotatably connected to the lifting / lowering table 62 and a servo motor 68 that rotates the ball screw 67.
  • the servo motor 68 rotates the ball screw 67
  • the lifting table 62 is raised or lowered. Since the disk head 12, the nip roller 14, the head motor 18, and the turning motor 29 are connected to the lifting table 62 via the horizontal linear guide 30 and the base 25, the lifting actuator 64 is connected to the disk head 12, the nip roller. 14, the head motor 18 and the turning motor 29 can be moved up and down integrally.
  • the polishing unit 7 configured as described above can precisely control the polishing amount of the wafer W (that is, the depth of the step portion formed in the edge portion).
  • the present invention is applicable to a polishing apparatus and a polishing method for polishing an edge portion of a wafer using a polishing tape.

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Abstract

 本発明は、ウェハなどの基板を研磨する研磨装置および研磨方法に関し、特にウェハのエッジ部を研磨テープを用いて研磨する研磨装置および研磨方法に関するものである。 研磨装置は、基板(W)を保持して回転させる基板保持部(1)と、基板(W)のエッジ部を研磨テープ(5)を用いて研磨する研磨ユニット(7)を備える。研磨ユニット(7)は、研磨テープ(5)を支持する外周面を有する円盤ヘッド(12)と、円盤ヘッド(12)を基板(W)の接線方向に移動させ、円盤ヘッド(12)の外周面上の研磨テープ(5)を基板(W)のエッジ部に接触させるヘッド移動装置(50)とを有する。

Description

研磨装置および研磨方法
 本発明は、ウェハなどの基板を研磨する研磨装置および研磨方法に関し、特にウェハのエッジ部を研磨テープを用いて研磨する研磨装置および研磨方法に関する。
 図11は、ウェハWのエッジ部を研磨テープ101を用いて研磨する研磨装置を示す模式図である。研磨装置は、ウェハWを回転させながら、研磨テープ101を押圧部材100でウェハWのエッジ部に下方に押し付けて該エッジ部を研磨する。研磨テープ101の下面は、砥粒が固定された研磨面を構成している。押圧部材100は、平坦な下面を有しており、その平坦な下面で研磨テープ101をウェハWのエッジ部に対して下方に押し付け、図12に示すような垂直面と水平面からなる段部をエッジ部に形成する。
米国公開公報2008/0293344号
 しかしながら、ウェハWの研磨中、研磨テープ101とウェハWとの間に発生する摩擦力により、研磨テープ101が押圧部材100上の所定の位置からずれることがある。このような場合、エッジ部に形成すべき垂直面が粗くなってしまう。滑らかな垂直面をエッジ部に形成するために、きめの粗い研磨面を有する粗研磨テープと、きめの細かい研磨面を有する仕上げ研磨テープの2つの研磨テープを用いてウェハWのエッジ部を研磨する場合もある。しかしながら、図11から分かるように、ウェハWの研磨中、粗研磨テープは常にエッジ部の垂直面に接触しているため、粗研磨テープとの接触によってエッジ部の垂直面が粗くなってしまう。仕上げ研磨テープのみを使用すれば、滑らかな垂直面を形成することは可能である。しかしながら、仕上げ研磨テープのみを使用すると、研磨レートが下がり、研磨装置のスループットが低下してしまう。
 そこで、本発明は、ウェハなどの基板の研磨中に研磨テープの位置ずれを防止することができ、滑らかな垂直面を基板のエッジ部に形成することができる研磨装置および研磨方法を提供することを目的とする。
 上述した目的を達成するために、本発明の一態様は、基板を保持して回転させる基板保持部と、前記基板のエッジ部を研磨テープを用いて研磨する研磨ユニットとを備え、前記研磨ユニットは、前記研磨テープを支持する外周面を有する円盤ヘッドと、前記円盤ヘッドを前記基板の接線方向に移動させ、前記円盤ヘッドの外周面上の前記研磨テープを前記基板のエッジ部に接触させるヘッド移動装置とを有し、前記円盤ヘッドの軸心は、前記基板の表面と平行であり、かつ前記接線方向に対して垂直であることを特徴とする研磨装置である。
 本発明の好ましい態様は、前記研磨ユニットは、前記研磨テープの両端部をそれぞれ保持した第1のリールおよび第2のリールと、前記第1のリールおよび前記第2のリールを互いに反対方向に回転させるトルクを発生する第1のモータおよび第2のモータをさらに有することを特徴とする。
 本発明の好ましい態様は、前記研磨ユニットは、前記研磨テープを前記円盤ヘッドの外周面に押し付けて前記研磨テープを前記外周面に沿って湾曲させるニップローラーをさらに備えたことを特徴とする。
 本発明の好ましい態様は、前記研磨ユニットは、前記ニップローラーを前記円盤ヘッドの軸心まわりに移動させるニップローラー移動装置をさらに備えたことを特徴とする。
 本発明の好ましい態様は、前記研磨ユニットは、前記円盤ヘッドをその軸心まわりに回転させるヘッドモータをさらに有することを特徴とする。
 本発明の好ましい態様は、前記研磨ユニットは、複数設けられていることを特徴とする。
 本発明の好ましい態様は、前記複数の研磨ユニットは、第1の研磨テープが取り付けられた第1の研磨ユニットと、前記第1の研磨テープよりもきめの細かい研磨面を有する第2の研磨テープが取り付けられた第2の研磨ユニットを含むことを特徴とする。
 本発明の他の態様は、基板をその軸心まわりに回転させ、第1の円盤ヘッドを前記基板の接線方向に移動させながら、前記第1の円盤ヘッドの外周面で第1の研磨テープを前記基板のエッジ部に押し付けて前記エッジ部に段部を形成し、第2の円盤ヘッドを前記基板の接線方向に移動させながら、前記第2の円盤ヘッドの外周面で第2の研磨テープを前記段部に押し付けて前記段部を研磨する工程を含み、前記第2の研磨テープは、前記第1の研磨テープの研磨面よりもきめの細かい研磨面を有していることを特徴とする研磨方法である。
 本発明によれば、図11に示す押圧部材の平坦面で研磨テープを基板に押し付ける場合に比べて、基板に接触している研磨テープと円盤ヘッドの外周面との間には比較的大きな静止摩擦が働く。したがって、基板の研磨中に研磨テープが所定の位置からずれることを防止することができる。
 また、本発明によれば、円盤ヘッドが基板の接線方向に移動しながら、円盤ヘッドの外周面によって研磨テープが基板のエッジ部に押し付けられる。このため、エッジ部の研磨は、該エッジ部の外側から内側に徐々に進行する。したがって、きめの粗い研磨面を有する第1の研磨テープでエッジ部を研磨して段部を形成し、きめの細かい研磨面を有する第2の研磨テープで段部をさらに研磨することで、滑らかな垂直面をエッジ部に形成することができる。
研磨装置の一実施形態を示す正面図である。 研磨装置の側面図である。 研磨テープがウェハのエッジ部に接触したときの円盤ヘッドとウェハのエッジ部との相対位置を示す平面図である。 円盤ヘッドが図3に示す位置にあるときに研磨テープによって研磨されたエッジ部の断面図である。 円盤ヘッドをウェハの接線方向にさらに移動させたときの円盤ヘッドとウェハのエッジ部との相対位置を示す平面図である。 円盤ヘッドが図5に示す位置にあるときに研磨テープによって研磨されたエッジ部の断面図である。 ウェハの上から見たときに円盤ヘッドの中心軸がウェハの半径方向に一致したときの、円盤ヘッドとウェハのエッジ部との相対位置を示す平面図である。 円盤ヘッドが図7に示す位置にあるときに研磨テープによって研磨されたエッジ部の断面図である。 2つの研磨ユニットを有する研磨装置を示す模式図である。 研磨装置の他の実施形態を示す側面図である。 ウェハのエッジ部を研磨テープを用いて研磨する研磨装置を示す模式図である。 エッジ部に形成された段部を示す断面図である。
 以下、実施形態について図面を参照して説明する。
 図1は、研磨装置の一実施形態を示す正面図であり、図2は、研磨装置の側面図である。研磨装置は、基板の一例であるウェハWを保持して回転させる基板保持部1と、研磨具である研磨テープ5を用いてウェハWのエッジ部を研磨する研磨ユニット7とを備えている。基板保持部1は、ウェハWの下面を保持し、ウェハWをその中心軸まわりに水平に回転させるように構成されている。
 基板保持部1に保持されたウェハWの中心部の上方には、純水などの研磨液をウェハWの上面に供給する研磨液供給ノズル10が配置されている。ウェハWのエッジ部の研磨中は、研磨液供給ノズル10から研磨液がウェハWの中心部に供給される。研磨液は、遠心力によってウェハWの上面全体に広がり、ウェハWを研磨屑から保護する。
 研磨ユニット7は、研磨テープ5を支持する外周面を有する円盤ヘッド12と、研磨テープ5を円盤ヘッド12の外周面に押し付けるニップローラー14と、円盤ヘッド12をその軸心Oまわりに回転させるヘッドモータ18とを有している。円盤ヘッド12の軸心Oは、基板保持部1に保持されたウェハWの表面(上面)と平行であり、かつウェハWの接線方向に対して垂直である。円盤ヘッド12は、ヘッドモータ18の駆動軸に連結されている。ヘッドモータ18は所定の速度で円盤ヘッド12を回転させるように構成されている。
 ヘッドモータ18は、基台25に固定されている。ニップローラー14は、軸受アーム26によって回転可能に保持されており、軸受アーム26は、ニップローラー付勢装置としてのエアシリンダ20に保持されている。このエアシリンダ20は、軸受アーム26を介してニップローラー14を円盤ヘッド12の中心に向かって付勢するように構成されている。ニップローラー付勢装置として、エアシリンダ20に代えてばねを使用してもよい。
 エアシリンダ20は、旋回アーム32に保持されている。旋回アーム32は、ニップローラー移動装置としての旋回モータ29の回転軸に連結されている。この旋回モータ29は、基台25に固定されている。旋回モータ29の回転軸は、円盤ヘッド12の軸心Oと一直線上に並んでいる。したがって、旋回モータ29を駆動すると、ニップローラー14は円盤ヘッド12の外周面に沿って軸心Oの周りを移動する。ニップローラー14の軸心は円盤ヘッド12の軸心Oと平行である。
 基台25は、ウェハWの接線方向と平行な方向に延びる水平リニアガイド30によって支持されており、この水平リニアガイド30によって基台25の移動はウェハWの接線方向と平行な方向に制限される。ヘッドモータ18および旋回モータ29は基台25に固定されているので、円盤ヘッド12、ニップローラー14、ヘッドモータ18、および旋回モータ29は基台25とともに移動可能である。ウェハWの上から見た時に、円盤ヘッド12およびニップローラー14はウェハWの接線上に位置している。
 研磨ユニット7は、研磨テープ5の両端部をそれぞれ保持した第1のテンションリール41および第2のテンションリール42と、第1のテンションリール41および第2のテンションリール42を互いに反対方向に回転させるトルクを発生する第1のテンションモータ43および第2のテンションモータ44をさらに有している。第1のテンションリール41および第2のテンションリール42は、円盤ヘッド12の上方に配置されている。
 研磨テープ5は、第1のテンションリール41から円盤ヘッド12を経由して第2のテンションリール42に延びている。第1のテンションリール41および第2のテンションリール42には、これらテンションリール41,42を互いに反対方向に回転させるトルクが加えられているので、研磨テープ5にはテンションが与えられる。第1および第2のテンションリール41,42と円盤ヘッド12との間には、第1のガイドローラー47および第2のガイドローラー48が配置されており、第1および第2のテンションリール41,42と円盤ヘッド12との間を延びる研磨テープ5を支持している。
 研磨テープ5は、円盤ヘッド12の外周面に沿って湾曲し、この湾曲した部分がウェハWに接触される。図11に示す押圧部材100の平坦面で研磨テープ101をウェハWに押し付ける場合に比べて、ウェハWに接触している研磨テープ5と円盤ヘッド12の外周面との間には比較的大きな静止摩擦が働く。したがって、ウェハWの研磨中に研磨テープ5が所定の位置からずれることを防止することができる。円盤ヘッド12に研磨テープ5を保持させるために、研磨テープ5を真空吸引するための真空吸引孔を円盤ヘッド12の外周面に形成してもよい。
 研磨テープ5の一方の面は、砥粒を保持する研磨面を構成し、他方の面(すなわち裏面)は円盤ヘッド12の外周面に支持されている。円盤ヘッド12の外周面は、研磨テープ5の幅よりも広い幅を有してもよい。研磨テープ5の内側縁部(ウェハ側端部または基板側縁部)の位置は、円盤ヘッド12の縁部の位置に一致していることが好ましい。ニップローラー14は、研磨テープ5の裏面を円盤ヘッド12の外周面に押し付けることによって研磨テープ5を円盤ヘッド12の外周面に沿って湾曲させ、研磨テープ5と円盤ヘッド12との接触面積を増加させる。研磨テープ5は、ニップローラー14と円盤ヘッド12との間に挟まれる。
 研磨テープ5は、円盤ヘッド12の外周面に沿って湾曲し、さらにニップローラー14によって円盤ヘッド12の外周面上に巻き付けられる。研磨テープ5の裏面と円盤ヘッド12の外周面との間には大きな静止摩擦が働き、これによって研磨テープ5の位置ずれを確実に防止することができる。円盤ヘッド12の外周面に接触する研磨テープ5の長さ、すなわち研磨テープ5と円盤ヘッド12との接触面積は、ニップローラー14の位置に従って変わる。ニップローラー移動装置として機能する旋回モータ29は、円盤ヘッド12の軸心Oを中心にニップローラー14を移動させることにより、円盤ヘッド12の外周面に接触する研磨テープ5の長さを変えることができる。
 静止摩擦を大きくするために、円盤ヘッド12の外周面に接触する研磨テープ5の長さは、円盤ヘッド12の全周の2分の1以上であることが好ましい。ニップローラー14は、研磨テープ5が円盤ヘッド12の少なくとも半周に亘って延びる位置に配置されていることが好ましい。図1に示す例では、ニップローラー14は、研磨テープ5が円盤ヘッド12の3/4周に亘って延びる位置に配置されている。
 第1のガイドローラー47は、円盤ヘッド12の軸心Oと平行に移動可能に構成されている。円盤ヘッド12の軸方向(すなわち軸心Oの延びる方向)における研磨テープ5の円盤ヘッド12に対する相対的な位置は、第1のガイドローラー47によって調整される。
 円盤ヘッド12がヘッドモータ18によって回転されると、研磨テープ5は、第1のテンションリール41から引き出され、円盤ヘッド12の回転と同期して円盤ヘッド12の周方向に進行し、そして第2のテンションリール42に巻き取られる。研磨テープ5は、第1のガイドローラー47、円盤ヘッド12、ニップローラー14、第2のガイドローラー48をこの順に経由して、第1のテンションリール41から第2のテンションリール42に進行する。
 図1に示すように、研磨ユニット7は、円盤ヘッド12およびニップローラー14をウェハWの接線方向に移動させるヘッド移動装置としてのエアシリンダ50をさらに有している。エアシリンダ50のピストンロッド51は、基台25(図2参照)に連結されている。上述したように、円盤ヘッド12およびニップローラー14は基台25とともに移動可能である。したがって、エアシリンダ50は、研磨テープ5が円盤ヘッド12の外周面上に支持された状態で、円盤ヘッド12およびニップローラー14をウェハWの接線方向に移動させる。円盤ヘッド12の軸心OがウェハWの接線方向と垂直な状態で円盤ヘッド12およびニップローラー14をウェハWの接線方向に移動させるヘッド移動装置として、エアシリンダ50に代えて、ボールねじとサーボモータとの組み合わせを使用してもよい。
 エアシリンダ50は、円盤ヘッド12をウェハWの接線方向に移動させることによって、円盤ヘッド12の外周面上の研磨テープ5をウェハWのエッジ部に接触させる。研磨テープ5は円盤ヘッド12の下端部分によってウェハWのエッジ部に押し付けられる。円盤ヘッド12の移動方向および回転方向は、研磨テープ5がウェハWのエッジ部の移動方向とは反対に移動する方向である。これは、ウェハWの研磨レートを上げるためである。
 ウェハWのエッジ部の研磨は、次のようにして行われる。ウェハWは基板保持部1によって水平に保持され、ウェハWの軸心まわりに回転される。ウェハWの中心部には研磨液供給ノズル10から研磨液(例えば純水)が供給される。ヘッドモータ18が円盤ヘッド12を所定の速度で回転させながら、エアシリンダ50は、研磨テープ5とともに円盤ヘッド12およびニップローラー14をウェハWの接線方向に移動させ、円盤ヘッド12の外周面上の研磨テープ5をウェハWのエッジ部に接触させる。エアシリンダ50が円盤ヘッド12を移動させるに従い、円盤ヘッド12の最下端部分は研磨テープ5をウェハWのエッジ部に押し付ける。ウェハWのエッジ部は研磨テープ5によって研磨され、図12に示すような段部がエッジ部に形成される。
 ウェハWの研磨中、研磨テープ5は円盤ヘッド12の外周面に沿って曲げられ、ニップローラー14によって円盤ヘッド12の外周面上に巻き付けられる。したがって、研磨テープ5の裏面と円盤ヘッド12の外周面との間には比較的大きな静止摩擦が働き、これによって研磨テープ5の位置ずれが防止される。したがって、研磨テープ5は、ウェハWのエッジ部に滑らかな垂直面(図12参照)を形成することができる。
 図3は、研磨テープ5がウェハWのエッジ部に接触したときの円盤ヘッド12とウェハWのエッジ部との相対位置を示す平面図であり、図4は、円盤ヘッド12が図3に示す位置にあるときに研磨テープ5によって研磨されたエッジ部の断面図である。図3に示すように、研磨テープ5は、円盤ヘッド12とともにウェハWの接線方向に移動する。したがって、図4に示すように、研磨テープ5はウェハWのエッジ部の最も外側の部分を研磨し、エッジ部に小さな段部を形成する。
 図5は、円盤ヘッド12をウェハWの接線方向にさらに移動させたときの円盤ヘッド12とウェハWのエッジ部との相対位置を示す平面図であり、図6は、円盤ヘッド12が図5に示す位置にあるときに研磨テープ5によって研磨されたエッジ部の断面図である。円盤ヘッド12がさらに移動すると、図6に示すように、研磨テープ5はウェハWのエッジ部のより内側の部分を研磨し、より大きな段部をエッジ部に形成する。
 図7は、ウェハWの上から見たときに円盤ヘッド12の軸心OがウェハWの半径方向に一致したときの、円盤ヘッド12とウェハWのエッジ部との相対位置を示す平面図であり、図8は、円盤ヘッド12が図7に示す位置にあるときに研磨テープ5によって研磨されたエッジ部の断面図である。研磨テープ5はウェハWのエッジ部の最も内側の部分を研磨し、図8に示すように、より大きな段部をエッジ部に形成する。
 図4,図6,および図8に示すように、エッジ部の研磨は、該エッジ部の外側から内側に徐々に進行する。したがって、2種類の研磨テープを使用して、エッジ部の粗研磨と仕上げ研磨を実施することができる。すなわち、きめの粗い研磨面を有する第1の研磨テープでエッジ部を研磨して段部を形成し、きめの細かい研磨面を有する第2の研磨テープで段部をさらに研磨することで、滑らかな垂直面をエッジ部に形成することができる。
 図9は、2つの研磨ユニット7A,7Bを有する研磨装置を示す模式図である。図9に示す第1の研磨ユニット7Aおよび第2の研磨ユニット7Bは、図1および図2に示す研磨ユニット7と同一の構成を有しているが、説明の簡略化のために、図9では第1の研磨ユニット7Aおよび第2の研磨ユニット7Bの構成要素の一部は図示されていない。
 第1の研磨ユニット7Aおよび第2の研磨ユニット7Bは、基板保持部1に保持されたウェハWのエッジ部に沿って配列されている。図9に示す例では、第1の研磨ユニット7Aおよび第2の研磨ユニット7Bは、基板保持部1に保持されたウェハWを中心として対称に配置されている。第1の研磨ユニット7Aにはきめの粗い研磨面を有する第1の研磨テープ5Aが取り付けられており、第2の研磨ユニット7Bにはきめの細かい研磨面を有する第2の研磨テープ5Bが取り付けられている。
 ウェハWのエッジ部の研磨は、次のようにして行われる。ウェハWは基板保持部1によって水平に保持され、ウェハWの軸心まわりに回転される。ウェハWの中心部には研磨液供給ノズル10(図2参照)から研磨液が供給される。この状態で、第1の研磨ユニット7Aの円盤ヘッド12は、ウェハWの接線方向に移動し、第1の研磨テープ5AをウェハWのエッジ部に接触させる。第1の研磨テープ5Aは、第1の研磨ユニット7Aの円盤ヘッド12の外周面によってウェハWのエッジ部に押し付けられ、エッジ部に段部を形成する。
 第1の研磨テープ5AがウェハWのエッジ部に接触している間またはその後、第2の研磨ユニット7Bの円盤ヘッド12は、ウェハWの接線方向に移動し、第2の研磨テープ5BをウェハWのエッジ部に接触させる。第2の研磨テープ5Bは、第2の研磨ユニット7Bの円盤ヘッド12の外周面によって段部に押し付けられ、段部をさらに研磨する。
 第1の研磨テープ5Aは、きめの粗い研磨面を有する粗研磨テープであり、第2の研磨テープ5Bは、きめの細かい研磨面を有する仕上げ研磨テープである。本実施形態によれば、第1の研磨テープ5Aは高い研磨レート(除去レートともいう)でウェハWのエッジ部を研磨し、第2の研磨テープ5Bは、第1の研磨テープ5Aによって形成された段部の仕上げ研磨を行う。したがって、ウェハWの研磨レートを向上しつつ、段部の垂直面を滑らかにすることができる。
 3つ以上の研磨ユニット7を設けてもよい。この場合、表面粗さの異なる研磨面を有する3つ以上の研磨テープを用いてもよい。
 図10は、研磨装置の他の実施形態を示す側面図である。特に説明しない本実施形態の構成および動作は、図1および図2に示す実施形態と同じであるので、その重複する説明を省略する。図10に示すように、本実施形態の研磨ユニット7は、円盤ヘッド12、ニップローラー14、ヘッドモータ18、および旋回モータ29を上昇および下降させる昇降機構60を備えている。この昇降機構60は、水平リニアガイド30を支持する昇降テーブル62と、この昇降テーブル62を上昇および下降させる昇降アクチュエータ64とを備えている。昇降テーブル62は鉛直リニアガイド65に連結されている。この鉛直リニアガイド65は、昇降テーブル62の移動を鉛直方向に制限するように構成されている。
 昇降アクチュエータ64は、昇降テーブル62に回転可能に連結されたボールねじ67と、このボールねじ67を回転させるサーボモータ68とを備えている。サーボモータ68がボールねじ67を回転させると、昇降テーブル62が上昇または下降する。円盤ヘッド12、ニップローラー14、ヘッドモータ18、および旋回モータ29は、水平リニアガイド30および基台25を介して昇降テーブル62に連結されているので、昇降アクチュエータ64は、円盤ヘッド12、ニップローラー14、ヘッドモータ18、および旋回モータ29を一体に昇降および下降させることができる。このように構成された研磨ユニット7は、ウェハWの研磨量(すなわち、エッジ部に形成される段部の深さ)を精密に制御することができる。
 上述した実施形態は、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を実施できることを目的として記載されたものである。上記実施形態の種々の変形例は、当業者であれば当然になしうることであり、本発明の技術的思想は他の実施形態にも適用しうる。したがって、本発明は、記載された実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲によって定義される技術的思想に従った最も広い範囲に解釈されるものである。
 本発明は、ウェハのエッジ部を研磨テープを用いて研磨する研磨装置および研磨方法に利用可能である。
 1   基板保持部
 5,5A,5B   研磨テープ
 7,7A,7B   研磨ユニット
10   研磨液供給ノズル
12   円盤ヘッド
14   ニップローラー
18   ヘッドモータ
20   エアシリンダ(ニップローラー付勢装置)
25   基台
26   軸受アーム
29   旋回モータ
30   水平リニアガイド
32   旋回アーム
41   第1のテンションリール
42   第2のテンションリール
43   第1のテンションモータ
44   第2のテンションモータ
47   第1のガイドローラー
48   第2のガイドローラー
50   エアシリンダ(ヘッド移動装置)
51   ピストンロッド
60   昇降機構
62   昇降テーブル
64   昇降アクチュエータ
65   鉛直リニアガイド
67   ボールねじ
68   サーボモータ

Claims (8)

  1.  基板を保持して回転させる基板保持部と、
     前記基板のエッジ部を研磨テープを用いて研磨する研磨ユニットとを備え、
     前記研磨ユニットは、
      前記研磨テープを支持する外周面を有する円盤ヘッドと、
      前記円盤ヘッドを前記基板の接線方向に移動させ、前記円盤ヘッドの外周面上の前記研磨テープを前記基板のエッジ部に接触させるヘッド移動装置とを有し、
     前記円盤ヘッドの軸心は、前記基板の表面と平行であり、かつ前記接線方向に対して垂直であることを特徴とする研磨装置。
  2.  前記研磨ユニットは、
      前記研磨テープの両端部をそれぞれ保持した第1のリールおよび第2のリールと、
      前記第1のリールおよび前記第2のリールを互いに反対方向に回転させるトルクを発生する第1のモータおよび第2のモータをさらに有することを特徴とする請求項1に記載の研磨装置。
  3.  前記研磨ユニットは、前記研磨テープを前記円盤ヘッドの外周面に押し付けて前記研磨テープを前記外周面に沿って湾曲させるニップローラーをさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載の研磨装置。
  4.  前記研磨ユニットは、前記ニップローラーを前記円盤ヘッドの軸心まわりに移動させるニップローラー移動装置をさらに備えたことを特徴とする請求項3に記載の研磨装置。
  5.  前記研磨ユニットは、前記円盤ヘッドをその軸心まわりに回転させるヘッドモータをさらに有することを特徴とする請求項1に記載の研磨装置。
  6.  前記研磨ユニットは、複数設けられていることを特徴とする請求項1に記載の研磨装置。
  7.  前記複数の研磨ユニットは、第1の研磨テープが取り付けられた第1の研磨ユニットと、前記第1の研磨テープよりもきめの細かい研磨面を有する第2の研磨テープが取り付けられた第2の研磨ユニットを含むことを特徴とする請求項6に記載の研磨装置。
  8.  基板をその軸心まわりに回転させ、
     第1の円盤ヘッドを前記基板の接線方向に移動させながら、前記第1の円盤ヘッドの外周面で第1の研磨テープを前記基板のエッジ部に押し付けて前記エッジ部に段部を形成し、
     第2の円盤ヘッドを前記基板の接線方向に移動させながら、前記第2の円盤ヘッドの外周面で第2の研磨テープを前記段部に押し付けて前記段部を研磨する工程を含み、
     前記第2の研磨テープは、前記第1の研磨テープの研磨面よりもきめの細かい研磨面を有していることを特徴とする研磨方法。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6672104B2 (ja) * 2016-08-02 2020-03-25 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨方法
JP6920849B2 (ja) * 2017-03-27 2021-08-18 株式会社荏原製作所 基板処理方法および装置
WO2019043796A1 (ja) * 2017-08-29 2019-03-07 株式会社 荏原製作所 研磨装置および研磨方法
TWI725225B (zh) * 2017-08-30 2021-04-21 日商荏原製作所股份有限公司 研磨裝置及研磨方法
JP7121572B2 (ja) * 2018-07-20 2022-08-18 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨方法
JP2021091033A (ja) * 2019-12-10 2021-06-17 キオクシア株式会社 研磨装置、研磨ヘッド、研磨方法、及び半導体装置の製造方法
JP2023141507A (ja) * 2022-03-24 2023-10-05 株式会社荏原製作所 研磨方法および研磨装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01115562A (ja) * 1987-10-23 1989-05-08 Kyosan Electric Mfg Co Ltd 超仕上装置
JPH0985599A (ja) * 1995-09-21 1997-03-31 Nippon Micro Coating Kk 研磨テープによる研磨装置
JPH10217077A (ja) * 1997-01-30 1998-08-18 Kuramoto Seisakusho:Kk ディスク基板の加工方法と加工装置
JP2002126981A (ja) * 2000-10-25 2002-05-08 Sanshin:Kk 円板状部材周縁部研磨装置
JP2003175449A (ja) * 2001-12-10 2003-06-24 Sumitomo Metal Ind Ltd 鋼帯の研削装置
US7115023B1 (en) * 2005-06-29 2006-10-03 Lam Research Corporation Process tape for cleaning or processing the edge of a semiconductor wafer
JP2011161625A (ja) * 2010-01-15 2011-08-25 Ebara Corp 研磨装置、研磨方法、研磨具を押圧する押圧部材
JP2012231191A (ja) * 2007-12-03 2012-11-22 Ebara Corp 研磨装置および研磨方法
JP2013188839A (ja) * 2012-03-14 2013-09-26 Nisshin Steel Co Ltd 鋼帯研磨機の異常検出装置及び異常検出方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4930259A (en) * 1988-02-19 1990-06-05 Magnetic Perpherals Inc. Magnetic disk substrate polishing assembly
US5099615A (en) * 1989-09-22 1992-03-31 Exclusive Design Company, Inc. Automated rigid-disk finishing system providing in-line process control
US5088240A (en) * 1989-09-22 1992-02-18 Exclusive Design Company, Inc. Automated rigid-disk finishing system providing in-line process control
US5443415A (en) 1993-09-24 1995-08-22 International Technology Partners, Inc. Burnishing apparatus for flexible magnetic disks and method therefor
US5433415A (en) * 1994-09-01 1995-07-18 Corsam Industries Inc. Adjustable book holder
US5643044A (en) * 1994-11-01 1997-07-01 Lund; Douglas E. Automatic chemical and mechanical polishing system for semiconductor wafers
JPH11198015A (ja) 1998-01-06 1999-07-27 Hirata Corp ハードディスクのテキスチャ加工装置
JP3510584B2 (ja) * 2000-11-07 2004-03-29 スピードファム株式会社 円板形ワークの外周研磨装置
JP4125148B2 (ja) * 2003-02-03 2008-07-30 株式会社荏原製作所 基板処理装置
JP2005305586A (ja) * 2004-04-20 2005-11-04 Nihon Micro Coating Co Ltd 研磨装置
US20080293344A1 (en) * 2007-05-21 2008-11-27 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for polishing a notch of a substrate using a polishing pad
JP2008293344A (ja) 2007-05-25 2008-12-04 Hitachi Ltd 保険契約管理方法、その管理プログラム、及びその装置
JP2008132592A (ja) * 2007-12-07 2008-06-12 Ebara Corp ポリッシング装置およびポリッシング方法
KR20090063804A (ko) * 2007-12-14 2009-06-18 주식회사 실트론 연삭 휠 트루잉 공구 및 그 제작방법, 이를 이용한 트루잉장치, 연삭 휠의 제작방법, 및 웨이퍼 에지 연삭장치
JP5464497B2 (ja) * 2010-08-19 2014-04-09 株式会社サンシン 基板研磨方法及びその装置
JP5886602B2 (ja) * 2011-03-25 2016-03-16 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨方法
US9457447B2 (en) * 2011-03-28 2016-10-04 Ebara Corporation Polishing apparatus and polishing method
JP2014027000A (ja) * 2012-07-24 2014-02-06 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置
JP6100541B2 (ja) * 2013-01-30 2017-03-22 株式会社荏原製作所 研磨方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01115562A (ja) * 1987-10-23 1989-05-08 Kyosan Electric Mfg Co Ltd 超仕上装置
JPH0985599A (ja) * 1995-09-21 1997-03-31 Nippon Micro Coating Kk 研磨テープによる研磨装置
JPH10217077A (ja) * 1997-01-30 1998-08-18 Kuramoto Seisakusho:Kk ディスク基板の加工方法と加工装置
JP2002126981A (ja) * 2000-10-25 2002-05-08 Sanshin:Kk 円板状部材周縁部研磨装置
JP2003175449A (ja) * 2001-12-10 2003-06-24 Sumitomo Metal Ind Ltd 鋼帯の研削装置
US7115023B1 (en) * 2005-06-29 2006-10-03 Lam Research Corporation Process tape for cleaning or processing the edge of a semiconductor wafer
JP2012231191A (ja) * 2007-12-03 2012-11-22 Ebara Corp 研磨装置および研磨方法
JP2011161625A (ja) * 2010-01-15 2011-08-25 Ebara Corp 研磨装置、研磨方法、研磨具を押圧する押圧部材
JP2013188839A (ja) * 2012-03-14 2013-09-26 Nisshin Steel Co Ltd 鋼帯研磨機の異常検出装置及び異常検出方法

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