WO2015143813A1 - 一种栅极驱动电路及其驱动方法、显示装置 - Google Patents

一种栅极驱动电路及其驱动方法、显示装置 Download PDF

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赵家阳
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Definitions

  • the present invention relates to the field of display technologies, and in particular, to a gate driving circuit, a driving method thereof, and a display device.
  • In-cell touch technology has thin thickness and touch sensitivity. It is widely used for its advantages.
  • the in-cell touch technology that is, the touch component is integrated into the display panel, so that the panel itself has a touch function, and the touch effect and application can be achieved without additionally fitting and assembling with the touch panel.
  • the manufacturing technology of the touch sensing component is completed in the TFT-LCD standard process, since no additional setting is required.
  • the touch panel so there is no problem of fit and alignment, the weight and thickness are also significantly reduced, and the product will be lighter and thinner. Thanks to the embedded technology, the display device products can be designed without a bezel, and the design of the product can be more concise and the application field is wider.
  • the existing in-cell touch technology generally adopts a projected multi-point capacitive touch method, and the touch signal is collected through two layers of signal lines, one of which is a drive line (Tx lines ) and another layer of signals
  • the lines act as sensing lines (Rx lines) and the two layers are perpendicular to each other.
  • each driving line is driven in a scanning manner, and the sensing line interleaved with the driving line is capacitively coupled at a certain point. By scanning one by one, you can get the exact contact position and multi-touch.
  • V-Blank mode refers to scanning the touch signals for a period of time after charging all the pixels in one frame, that is, the pixel charging and the touch scanning are performed separately.
  • This mode can only support the same touch scan refresh rate (1 : 1 relationship) as the display screen refresh rate. If the screen refresh rate is 60HZ, the touch scan refresh rate can only be 60HZ. In order to improve the sensitivity of the touch, it is critical to increase the frequency of the touch scan.
  • the H-Blank mode can effectively improve the touch scan refresh rate.
  • a part of the touch signal is reserved for a period of time in a gap of a certain number of pixels of charging, that is, pixel charging and touch scanning.
  • this way can support the touch scan refresh rate is greater than the screen refresh rate, that is, in multiples with the screen refresh rate.
  • a conventional GOA circuit generally includes a plurality of cascaded shift register units, the structure of which can be as shown in FIG. 2, wherein each shift register unit is respectively connected to a shift register unit of an adjacent row, each shift The register units are all corresponding to one row of gate lines. Each row of shift register units outputs a gate drive signal and precharges the next row of shift register units to ensure that the next row of shift register units are outputted in the next clock cycle.
  • the shift register unit takes the simplest 4T1C structure as an example. When performing the H-Blank timing scan as shown in FIG. 1, the N/2+1 row shift register is used.
  • the cell is the first line of the second 1/2 display scan, but its pull-up control PU node has been charged high on the N/2th line output, due to the N/2 and N/2+1 lines
  • the output is separated by a long scan time, so the PU point potential will leak through the connected TFT, which seriously affects the precharge of the N/2+1 row shift register unit, making the shift register in N/2+1 rows.
  • the output of the unit is lowered, the pixel charging rate of the line is insufficient, and dark lines or bright lines are defective.
  • Embodiments of the present invention provide a gate driving circuit, a driving method thereof, and a display device, which can avoid insufficient pixel charging rate and improve dark line or bright line defect.
  • An aspect of an embodiment of the present invention provides a gate driving circuit, including:
  • pre-charging unit wherein the pre-charging unit is connected to the first-stage shift register unit of the second region
  • the gate row driving scan and the touch scan interval of the plurality of mutually cascaded shift register units are performed, and the precharge unit is configured to use the first level of the second region during the touch scan
  • the shift register unit is precharged.
  • an embodiment of the present invention further provides a driving method for driving a gate driving circuit as described above, the method comprising:
  • a gate row driving scan is performed on a shift register unit located in the second region of the gate driving circuit.
  • embodiments of the present invention also provide a display device including the gate drive circuit as described above.
  • the pre-charging unit connected to the first-stage shift register unit corresponding to the gate row driving scan after performing the touch scan again after the touch scan is performed can move the first level during the touch scan.
  • the bit register unit is pre-charged, so that the gate line drive scan is performed again after the touch scan is performed due to the long touch scan time between the two rows of shift register unit outputs.
  • the corresponding first-stage shift register unit pulls up the control node (PU point) leakage phenomenon, thereby avoiding the defect of insufficient pixel charging rate while ensuring the high-reporting rate touch scanning, and significantly improving the dark line or the bright line. Bad, improved display quality.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of a timing structure of an in-cell touch scan that achieves twice the display refresh frequency by using an H-Blank method in the prior art
  • FIG. 2 is a schematic structural view of a gate driving circuit in the prior art
  • FIG. 3 is a schematic structural diagram of a shift register unit in a gate driving circuit in the prior art
  • 4 is a schematic structural diagram of a gate driving circuit according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 5 is a schematic structural diagram of a shift register unit in a gate driving circuit according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 6 is a schematic diagram of a circuit connection structure of a shift register unit according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a waveform diagram of signal timing when a gate driving circuit is in operation according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a schematic flow chart of a driving method of a gate driving circuit according to an embodiment of the present invention.
  • the transistors used in all the embodiments of the present invention may be thin film transistors or field effect transistors or other devices having the same characteristics. Since the sources and drains of the transistors used herein are symmetrical, the source and drain slave devices are structured. There is no difference in perspective.
  • one of the poles is referred to as a first pole, and the other pole is referred to as a second pole.
  • the transistor can be divided into an N-type and a P-type. The following embodiments are all described by taking an N-type transistor as an example.
  • the first electrode can be the source of the N-type transistor.
  • the second pole can be the drain of the N-type transistor. It is conceivable that the implementation of the P-type transistor can be easily conceived by those skilled in the art without creative efforts, and is therefore within the scope of the embodiments of the present invention.
  • the gate driving circuit provided by the embodiment of the present invention includes a plurality of mutually shifted shift register units 41 and pre-charging units 42 located in the first region and the second region, respectively.
  • the signal output terminal OUTPUT of each of the shift register units 41 is connected to the reset signal terminal RESET of the adjacent one-stage shift register unit 41, except for the first-stage shift register unit of the first region.
  • the signal output terminal OUTPUT of each of the other shift register units 41 is connected to the next-stage shift register table adjacent thereto.
  • the gate row driving scanning and the touch scanning interval of the plurality of mutually shifted shift register units 41 are performed.
  • the pre-charging unit 42 is connected to the first-stage shift register unit of the second region (ie, the first-stage shift register unit corresponding to the gate row driving scan after performing the touch scan), and is used for The first stage shift register unit 41 of the second region is precharged during the touch scan.
  • the gate driving circuit provided by the embodiment of the present invention can be performed by additionally providing a pre-charging unit connected to the first-stage shift register unit corresponding to the gate row driving scanning after performing the touch scanning again.
  • the first stage shift register unit is precharged during the touch scan, thereby avoiding the touch between the output of the two rows of shift register units due to the long touch scan time.
  • the first-stage shift register unit corresponding to the pull-up control node (PU point) leakage phenomenon is performed when the gate row driving scan is performed again, thereby avoiding the row pixel charging rate while ensuring the high-rate point rate touch scanning. Insufficient defects significantly improve the dark or bright lines and improve the display quality.
  • the description is performed by equally dividing the array substrate into two regions having the same row number of gate lines, wherein the region of the front N/2 row gate lines can be Referring to the first area, the area where the back N/2 row gate line is located is referred to as the second area, and the time period after the scanning of the first area is completed and the second area starts scanning is the touch scan time.
  • the precharge unit 42 is for precharging the first stage shift register unit 41 located in the second area during the touch scan.
  • the gate lines on the array substrate can be divided into more regions for scanning, which is not limited in the present invention.
  • the shift register unit 41 may include: an input module 411, a reset module 412, a pull-up module 413, a control module 414, and a pull-down module 415.
  • the input module 411, the connection signal input terminal INPUT and the pull-up control node (PU point) are used to control the level of the pull-up control node (PU point) according to the signal input by the signal input terminal INPUT, the pull-up control node ( PU point) is the connection point between the input module 411 and the pull-up module 413.
  • the reset module 412 is connected to the reset signal terminal RESET, the voltage terminal VSS, and the pull-up control node (PU point) for controlling the level of the pull-up control node (PU point) according to the signal input by the reset signal terminal RESET.
  • the pull-up module 413 is connected to the first clock signal input terminal CLK, the pull-up control node (PU point), and the signal output terminal OUTPUT, and is configured to input a clock according to the pull-up control node (PU point) and the first clock signal input terminal CLK.
  • the signal pulls up the signal output from the signal output OUTPUT to a high level.
  • the control module 414 is connected to the second clock signal input terminal CLKB, the voltage terminal VSS, the pull-up control node (PU point), and the pull-down control node (PD point) for the clock signal input according to the second clock signal input terminal CLKB and the upper
  • the level of the pull control node (PU point) controls the level of the pull-down control node (PD point).
  • the pull-down module 415 connects the pull-up control node (PU point), the pull-down control node (PD point), the voltage terminal VSS, and the signal output terminal OUTPUT to pull the signal output from the signal output terminal OUTPUT to a low level.
  • the voltage terminal VSS can be a low level input.
  • the clock signals input by the first clock signal terminal CLK and the second clock signal terminal CLKB are both square wave clock signals and have the same period and duty ratio, but the phases of the two clock signals are opposite, that is, when the CLK input is high level. , CLKB input low level.
  • the input module 411 may include:
  • the first transistor M1 has a first pole connected to the pull-up control node (PU point), and a second pole and a gate connected to the signal input terminal INPUT.
  • the reset module 412 can include:
  • the second transistor M2 has a first pole connected to the voltage terminal VSS, a gate connected to the reset signal terminal RESET, and a second pole connected to the pull-up control node (PU point).
  • the pull-up control node refers to a circuit node that controls the pull-up module 413 to be in an on or off state.
  • the functions of the input module 411 and the reset module 412 are specifically based on the high and low levels of the signal input terminal INPUT and the reset signal terminal RESET.
  • the level of the pull-up control node (PU point) is determined differently to determine whether the shift register unit is currently in an output or reset state.
  • the input module 411 and the reset module 412 of such a structure can realize a one-way scanning of the gate row driving from the top to the bottom. Specifically, when the output terminal OUTPUT of the previous stage shift register unit outputs a signal, the output signal is input to the input terminal INPUT of the shift register unit of the current stage, thereby pre-charging the pull-up control node (PU point) of the current stage. , The output of the OUTOPUT terminal of the shift register unit of this stage is temporarily realized until the next clock cycle. The output signal of the shift register unit of this stage is simultaneously input to the shift register unit of the upper stage.
  • the RESET terminal and the INPUT terminal of the lower shift register unit realize resetting of the shift register unit of the upper stage and pre-charging of the pull-up control node (PU point) of the lower shift register unit, and so on, and finally realize The next one-way progressive scan.
  • the pull-up module 413 can include:
  • the third transistor M3 has a first pole connected to the signal output terminal OUTPUT, a gate connected to the pull-up control node (PU point), and a second pole connected to the first clock signal input terminal CLK.
  • Capacitor C which is connected in parallel between the gate of the third transistor M3 and the first pole of the third transistor M3.
  • the function of the pull-up module 413 is to perform the pre-charging, and the clock signal input to the first clock signal input terminal CLK is in a high-level clock cycle, so that the signal output terminal OUTPUT outputs the gate drive. High level signal.
  • control module 414 can include:
  • the fourth transistor M4 has a gate and a second electrode connected to the second clock signal input terminal CLKB.
  • the fifth transistor M5 has a gate connected to the first pole of the fourth transistor M4 and a second pole connected to the second clock signal input terminal CLKB.
  • the sixth transistor M6 has a first pole connected to the voltage terminal VSS, a gate connected to the pull-up control node (PU point), and a second pole connected to the first pole of the fourth transistor M4.
  • the seventh transistor M7 has a first pole connected to the voltage terminal VSS, a gate connected to the pull-up control node (PU point), and a second pole connected to the pull-down control node (PD point).
  • the function of the control module 414 is to control the level of the pull-down control node (PD point) according to the voltage of the pull-up control node (PU point), wherein the pull-down control node (PD point) refers to the control pull-down module.
  • PD point refers to the control pull-down module.
  • the pull-down module 415 may include:
  • the eighth transistor M8 has a first pole connected to the voltage terminal VSS, a gate connected to the pull-down control node (PD point), and a second pole connected to the pull-up control node (PU point).
  • the ninth transistor M9 has a first pole connected to the voltage terminal VSS, a gate connected to the pull-down control node (PD point), and a second pole connected to the signal output terminal OUTPUT.
  • the function of the pull-down module 415 is specifically when the pull-down control node
  • the pre-charging unit 42 is connected to the charging signal input terminal SW and the pull-up control node (PU point) of the first-stage shift register unit 41 located in the second region, respectively.
  • the pre-charging unit 42 may include:
  • the tenth transistor M10 has a first pole connected to the pull-up control node (PU point) of the first stage shift register unit 41 of the second region, and a gate and a second pole connected to the charging signal input terminal SW.
  • the pull-up control node (PU point) is attenuated, so Introducing an additional SW signal, which is set high during touch scanning, keeps the N/2+1 pull-up control node (PU point) high, thus ensuring normal output. It can be seen from Fig. 7 that under the action of the SW signal, the pull-up control node (PU point) and the output signal of the N/2+1-stage shift register unit can be kept normal, and no attenuation occurs. The expected effect.
  • the function of the transistor M10 is unidirectional conduction, that is, when the SW is high level, the pull-up control node (PU point) of the input N/2+1-stage shift register unit is high, and when SW is low, the input is The pull-up control node (PU point) of the N/2+1-stage shift register unit is low.
  • the transistor M10 is only one example of a precharge unit, and the precharge unit is not limited to the transistor M10.
  • the pre-charging unit can also include a plurality of transistors.
  • any circuit or electronic component that can realize the precharge function can be used.
  • the pre-charging unit may specifically pass through a thin film transistor process Implementation can also be implemented by integrated circuit IC control or by other circuit structures. Of course, the design of the transistor M10 can further simplify the circuit structure.
  • the signal input terminal INPUT of the first stage shift register unit of the first region may input the frame start signal STV; the reset of the last stage shift register unit of the second region
  • the signal terminal RESET can input the reset signal RST.
  • the embodiment of the invention further provides a driving method of the gate driving circuit, which can be applied to the gate driving circuit as described above, as shown in FIG. 8, which includes:
  • the driving method of the gate driving circuit provided by the embodiment of the present invention, by additionally setting a pre-charging unit connected to the first-stage shift register unit corresponding to the gate row driving scanning after the touch scanning is performed again,
  • the first stage shift register unit can be pre-charged during the touch scan, thereby avoiding the two-row shift register unit output being separated by a long touch scan time.
  • the first-stage shift register unit corresponding to the first-stage shift register unit pull-up control node (PU point) leakage phenomenon is performed, thereby avoiding the touch scan while ensuring the high-reporting rate.
  • the defect of insufficient pixel charging rate significantly improves the dark line or the bright line. Improved display quality.
  • the description is performed by equally dividing the array substrate into two regions having the same row number of gate lines, wherein the region of the front N/2 row gate lines can be Referring to the first area, the area where the back N/2 row gate line is located is referred to as the second area, and the time period after the scanning of the first area is completed and the second area starts scanning is the touch scan time.
  • the pre-charging unit 42 is for pre-charging the first-stage shift register unit 41 located in the second region when performing touch scanning.
  • the gate lines on the array substrate can be divided into more regions for scanning, which is not limited by the present invention.
  • pre-charging of the first stage shift register unit of the second region may be implemented by the pre-charging unit 42 as shown in FIG.
  • precharging the first stage shift register unit of the second region during the touch scan may include:
  • a high-level charging signal is input to the pull-up control node of the first-stage shift register unit of the second region; and, in the shift register unit located in the second region of the gate driving circuit During the gate row driving scan, the charging signal for the pull-up control node of the first stage shift register unit of the second region is stopped.
  • the pre-charging unit 42 may include a transistor M10 whose first pole is connected to the pull-up control node (PU point) of the first-stage shift register unit 41 of the second region, and the gate and the second pole are connected to the charging signal input terminal. .
  • the SW signal inputs a high level to the pull-up control node (PU point) of the first-stage shift register unit located in the second region by turning on the transistor M10, and when performing the gate line driving scan, SW The signal will turn off transistor M10, stopping the input of the charging signal to the pull-up control node (PU point) of the first stage shift register unit located in the second region.
  • the transistor M10 is only one example of a precharge unit, and the precharge unit is not limited to the transistor M10.
  • the pre-charging unit can also include a plurality of transistors.
  • any circuit or electronic component that can realize the precharge function can be used.
  • the pre-charging unit may be implemented by a thin film transistor process, by an integrated circuit IC, or by other circuit structures.
  • the design of the transistor M10 can further simplify the circuit structure.
  • an embodiment of the present invention further provides a display device including the gate driving circuit as described above.
  • the display device provided by the embodiment of the invention includes a gate driving circuit, and the gate driving circuit further includes a shift register unit, and an additional setting corresponding to the gate row driving scan after performing the touch scanning
  • the pre-charging unit connected to the first-stage shift register unit can pre-charge the first-stage shift register unit during the touch scan, thereby avoiding the separation between the output of the two rows of shift register units
  • the long-term touch scan time causes the first-stage shift register unit to pull up the control node (PU point) leakage phenomenon when the gate line drive scan is performed again after the touch scan is performed, thereby ensuring
  • the high-report rate touch scan avoids the defect that the pixel charging rate is insufficient, and the dark line or the bright line is significantly improved, and the display quality is improved.

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Abstract

提供了一种栅极驱动电路，所述栅极驱动电路包括多个相互级联的移位寄存器单元（41）以及预充电单元（42），所述多个相互级联的移位寄存器单元（41）的栅极行驱动扫描与触控扫描间隔进行。通过额外设置与在进行完触控扫描之后再次进行栅极行驱动扫描时所对应的第一级移位寄存器单元（41）相连接的预充电单元（42），能够在进行触控扫描期间对第一级移位寄存器单元（41）预充电，避免了第一级移位寄存器单元（41）上拉控制节点（PU）漏电现象。还提供了一种上述栅极驱动电路的驱动方法以及包括上述栅极驱动电路的显示装置。

Description

一种栅极驱动电路及其驱动方法、 显示装置 技术领域
本发明涉及显示技术领域， 尤其涉及一种栅极驱动电路及其驱动 方法、 显示装置。
背景技术
随着触控式显示装置的日益普及， 人们对于触控式显示装置的质 量要求也越来越高， 内嵌式触控 （In-cell touch ) 技术因其所具有的厚 度薄以及触控灵敏度高等优点而被广泛应用。
内嵌式触控技术即触控元件整合于显示面板之内， 使面板本身就 具有触控功能， 不需另外进行与触控面板的贴合与组装即可达到触控 的效果与应用。以典型的 TFT- LCD( Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display, 薄膜场效应晶体管液晶显示器）为例， 其特点是在 TFT- LCD 标准制程中即完成触控感测元件的制造技术， 由于无需额外设置触控 面板， 从而没有贴合及对位的问题， 重量及厚度也显著降低， 产品将 更轻薄。 由于采用内嵌技术， 使得显示装置产品无需边框， 可达全平 面设计， 产品的设计也更为简洁， 应用领域更广。
现有的内嵌式触控技术一般采用投射式多点电容触控方式， 其触 控信号的采集是通过两层信号线，其中一层信号线为驱动线（Tx lines ), 另一层信号线作为感应线 （Rx lines ) , 两层线路彼此垂直。 在实现方 式上， 采用扫描式轮流驱动每一条驱动线， 并测量与这条驱动线交错 的感应线是否有某点发生电容耦合现象。 经逐一扫描， 即可获得确切 的触点位置， 并能实现多点触控。
对于现有的触控显示装置而言， 当位于相同行或列的像素和扫描 线同时充电时会互相干扰， 所以像素充电和扫描的过程通常都是分时 进行， 具体的， 在一帧内一般有 V-Blank和 H-Blank两种时序方式。 V-Blank方式是指在一帧内， 对所有像素充电之后， 留一段时间进行触 控信号扫描， 即像素充电与触控扫描分开进行。 此种方式只能支持与 显示器画面刷新率相同的触控扫描刷新率 （ 1 : 1 关系） ， 如果画面刷 新率为 60HZ, 则触控扫描刷新率只能为 60HZ。 为了提高触控的灵敏 度， 提高触控扫描的频率是关键， 在追求高性能的触控体验效果时， 120HZ及以上的触摸刷新率是必要的。 H-Blank方式则可以有效提高触控扫描刷新率，该方式通过在一帧 内， 在一定行数像素充电的间隙中， 预留一段时间进行部分触控信号 扫描， 即像素充电与触控扫描交叉进行， 此种方式可以支持触摸扫描 刷新率大于画面刷新率， 即与画面刷新率成倍数关系。 采用 H-Blank 方式实现两倍于显示刷新频率的内嵌式触控扫描时序可以如图 1所示， 通过将显示扫描平均分成两段， 在每段结束之后， 暂停像素扫描 GOA ( Gate Drive on Array, 阵列基板行驱动） 电路工作， 对所有的触控感 应线进行一次扫描 （Tx扫描） , 因此在一次显示扫描内， 可以完成 2 次触控扫描， 实现两倍于显示刷新频率的触控扫描。
传统的 GOA电路通常包括多个级联的移位寄存器单元，其结构可 以如图 2 所示， 其中， 每一个移位寄存器单元分别与相邻行的移位寄 存器单元相连接， 每一个移位寄存器单元均对应一行栅线， 每一行移 位寄存器单元输出栅极驱动信号的同时会对下一行移位寄存器单元进 行预充电， 以保证下一行移位寄存器单元在下一个时钟周期内实现输 出。 在现有技术中， 如图 3所示， 移位寄存器单元以最简单的 4T1C结 构为例， 当进行如图 1所示的 H-Blank时序扫描时， 由于 N/2+1行移 位寄存器单元为第二个 1/2 显示扫描的最开始的一行， 但其上拉控制 PU节点在第 N/2行输出时已经被充电为高电平， 由于 N/2和 N/2+1行 输出之间相隔了较长的扫描时间， 因此 PU 点电位会通过相连的 TFT 漏电， 从而严重影响 N/2+1行移位寄存器单元的预充电， 使得在 N/2+1 行移位寄存器单元输出时电压降低， 从而导致该行像素充电率不足， 出现暗线或者亮线不良。
发明内容
本发明的实施例提供一种栅极驱动电路及其驱动方法、 显示装置， 可以避免行像素充电率不足， 改善暗线或者亮线不良。
为达到上述目的， 本发明的实施例采用如下技术方案：
本发明实施例的一方面， 提供一种栅极驱动电路， 包括：
分别位于第一区域和第二区域的多个相互级联的移位寄存器单 元， 除第一区域的第一级移位寄存器单元外， 其余每个移位寄存器单 元的信号输出端均连接与其相邻的上一级移位寄存器单元的复位信号 端， 并且除第二区域的最后一级移位寄存器单元外， 其余每个移位寄 存器单元的信号输出端均连接与其相邻的下一级移位寄存器单元的信 号输入端； 以及
预充电单元， 所述预充电单元与第二区域的第一级移位寄存器单 元相连接，
其中， 所述多个相互级联的移位寄存器单元的栅极行驱动扫描与 触控扫描间隔进行， 并且所述预充电单元用于在触控扫描期间对所述 第二区域的第一级移位寄存器单元预充电。
另一方面， 本发明实施例还提供一种用于驱动如上所述的栅极驱 动电路的驱动方法， 该方法包括：
对所述栅极驱动电路中位于第一区域的移位寄存器单元进行栅极 行马区动扫
在位于第一区域的移位寄存器单元的栅极行驱动扫描完成后， 进 行触控扫描， 在所述触控扫描期间对第二区域的第一级移位寄存器单 元进行预充电； 以及
对所述栅极驱动电路中位于第二区域的移位寄存器单元进行栅极 行驱动扫描。
此外， 本发明实施例还提供一种显示装置， 包括如上所述的栅极 驱动电路。 过额外设置与在进行完触控扫描之后再次进行栅极行驱动扫描时所对 应的第一级移位寄存器单元相连接的预充电单元， 能够在进行触控扫 描期间对所述第一级移位寄存器单元预充电， 这样一来， 避免了两行 移位寄存器单元输出之间由于相隔了较长的触控扫描时间而造成的在 进行完触控扫描之后再次进行栅极行驱动扫描时所对应的第一级移位 寄存器单元上拉控制节点 （PU点） 漏电现象， 从而在保证高报点率的 触控扫描的同时避免了行像素充电率不足的缺陷， 显著改善了暗线或 者亮线不良， 提高了显示品质。
附图说明
图 1 为现有技术中一种采用 H-Blank方式实现两倍于显示刷新频 率的内嵌式触控扫描时序结构示意图；
图 2为现有技术中一种栅极驱动电路的结构示意图；
图 3 为现有技术中一种栅极驱动电路中移位寄存器单元的结构示 意图； 图 4为本发明实施例提供的一种栅极驱动电路的结构示意图； 图 5 为本发明实施例提供的栅极驱动电路中移位寄存器单元的结 构示意图；
图 6 为本发明实施例提供的一种移位寄存器单元的电路连接结构 示意图；
图 7 为本发明实施例提供的一种栅极驱动电路工作时的信号时序 波形图；
图 8 为本发明实施例提供的一种栅极驱动电路的驱动方法的流程 示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图， 对本发明实施例中的技术方 案进行清楚、 完整地描述， 显然， 所描述的实施例仅仅是本发明一部 分实施例， 而不是全部的实施例。 基于本发明中的实施例， 本领域普 通技术人员所获得的所有其他实施例， 都属于本发明保护的范围。
本发明所有实施例中采用的晶体管均可以为薄膜晶体管或场效应 晶体管或其他特性相同的器件， 由于这里采用的晶体管的源极、 漏极 是对称的， 所以其源极、 漏极从器件结构角度来看是没有区别的。 在 本发明实施例中， 为区分晶体管除栅极之外的两极， 将其中一极称为 第一极， 将另一极称为第二极。 此外， 按照晶体管的特性区分可以将 晶体管分为 N型和 P型， 以下实施例均以 N型晶体管为例进行说明， 当采用 N型晶体管时， 第一极可以是该 N型晶体管的源极， 第二极则 可以是该 N型晶体管的漏极。 可以想到的是在采用 P型晶体管实现时 是本领域技术人员可在没有做出创造性劳动前提下轻易想到的， 因此 也是在本发明的实施例保护范围内的。
本发明实施例提供的栅极驱动电路， 如图 4 所示， 包括分别位于 第一区域和第二区域的多个相互级联的移位寄存器单元 41以及预充电 单元 42。
其中， 除第一区域的第一级移位寄存器单元外， 其余每个移位寄 存器单元 41的信号输出端 OUTPUT均连接与其相邻的上一级移位寄存 器单元 41的复位信号端 RESET。
除第二区域的最后一级移位寄存器单元外， 其余每个移位寄存器 单元 41的信号输出端 OUTPUT均连接与其相邻的下一级移位寄存器单 元 41的信号输入端 INPUT。
多个相互级联的移位寄存器单元 41的栅极行驱动扫描与触控扫描 间隔进行。 预充电单元 42与第二区域的第一级移位寄存器单元 （即， 在进行完触控扫描之后再次进行栅极行驱动扫描时所对应的第一级移 位寄存器单元） 相连接， 用于在触控扫描期间对该第二区域的第一级 移位寄存器单元 41预充电。
本发明实施例提供的栅极驱动电路， 通过额外设置与在进行完触 控扫描之后再次进行栅极行驱动扫描时所对应的第一级移位寄存器单 元相连接的预充电单元， 能够在进行触控扫描期间对所述第一级移位 寄存器单元预充电， 这样一来， 避免了两行移位寄存器单元输出之间 由于相隔了较长的触控扫描时间而造成的在进行完触控扫描之后再次 进行栅极行驱动扫描时所对应的第一级移位寄存器单元上拉控制节点 ( PU点） 漏电现象， 从而在保证高报点率的触控扫描的同时避免了行 像素充电率不足的缺陷， 显著改善了暗线或者亮线不良， 提高了显示 品质。
需要说明的是， 在对具有 N行栅线的阵列基板进行栅极行驱动扫 描加触控扫描的过程中， 为了提高触控扫描的精准度与报点率， 提高 触控扫描的频率是关键， 这就要求在一次栅极行驱动扫描的过程中加 入多次触控扫描， 可以通过在一定行数像素充电的间隙中， 预留一段 时间进行部分触控信号扫描， 即像素充电与触控扫描交叉进行， 此种 方式可以支持触摸扫描刷新率大于画面刷新率， 即与画面刷新率成倍 数关系。
具体的， 在如图 4 所示的栅极驱动电路中， 是以将阵列基板平均 分成具有相同行数栅线的两个区域进行的说明， 其中， 可以将前 N/2 行栅线所在区域称为第一区域， 将后 N/2 行栅线所在区域称为第二区 域， 在对第一区域扫描完成后且第二区域开始扫描之前的一段时间为 触控扫描时间。 预充电单元 42用于在进行触控扫描期间对位于第二区 域的第一级移位寄存器单元 41进行预充电。 当然， 以上也仅是举例说 明， 为了进一步提高触摸扫描的刷新率， 可以将阵列基板上的栅线分 成更多的区域进行扫描， 本发明对此并不做限定。
进一步地， 如图 5所示， 移位寄存器单元 41可以包括： 输入模块 411、 复位模块 412、 上拉模块 413、 控制模块 414以及下拉模块 415。 其中， 输入模块 411 , 连接信号输入端 INPUT以及上拉控制节点 ( PU点） ， 用于根据信号输入端 INPUT输入的信号控制上拉控制节 点 （PU点） 的电平， 该上拉控制节点 （PU点） 为输入模块 411 与上 拉模块 413的连接点。
复位模块 412 , 连接复位信号端 RESET、 电压端 VSS以及上拉控 制节点 （PU点） ， 用于根据复位信号端 RESET输入的信号控制上拉 控制节点 （PU点） 的电平。
上拉模块 413 ,连接第一时钟信号输入端 CLK、上拉控制节点 ( PU 点） 以及信号输出端 OUTPUT, 用于根据上拉控制节点 （PU点）和第 一时钟信号输入端 CLK输入的时钟信号将信号输出端 OUTPUT输出的 信号上拉为高电平。
控制模块 414 , 连接第二时钟信号输入端 CLKB、 电压端 VSS、 上 拉控制节点 （PU 点） 以及下拉控制节点 （PD 点） , 用于根据第二时 钟信号输入端 CLKB输入的时钟信号以及上拉控制节点（PU点）的电 平控制下拉控制节点 （PD点） 的电平。
下拉模块 415 , 连接上拉控制节点 （PU点） 、 下拉控制节点 （PD 点） 、 电压端 VSS 以及信号输出端 OUTPUT , 用于将信号输出端 OUTPUT输出的信号下拉为低电平。
其中， 电压端 VSS可以为低电平输入。 第一时钟信号端 CLK和第 二时钟信号端 CLKB所输入的时钟信号均为方波时钟信号且具有相同 的周期与占空比， 但两个时钟信号的相位相反， 即当 CLK输入高电平 时， CLKB输入低电平。
更进一步的， 本发明实施例提供的移位寄存器单元的具体结构可 以参照图 6所示， 其中， 输入模块 411可以包括：
第一晶体管 Ml , 其第一极连接上拉控制节点 （PU点） , 其第二 极和栅极均连接信号输入端 INPUT。
复位模块 412可以包括：
第二晶体管 M2 , 其第一极连接电压端 VSS , 其栅极连接复位信号 端 RESET, 其第二极连接上拉控制节点 （PU点） 。
在本发明实施例中，上拉控制节点（PU点）是指控制上拉模块 413 处于开启或关闭状态的电路节点。 输入模块 411和复位模块 412的作 用具体是根据信号输入端 INPUT与复位信号端 RESET的高低电平的 不同确定上拉控制节点 （PU点） 的电平高低， 从而确定移位寄存器单 元当前处于输出或复位状态。
这样一种结构的输入模块 411和复位模块 412可以实现从上至下 的栅极行驱动单向扫描。 具体的， 当上一级移位寄存器单元的输出端 OUTPUT 输出信号时， 该输出信号将输入本级移位寄存器单元的输入 端 INPUT, 从而实现对本级上拉控制节点 （PU点） 的预充电， 直至下 个时钟周期来临时实现本级移位寄存器单元 OUTOPUT端的输出。 本 级移位寄存器单元的输出信号又同时输入至上级移位寄存器单元的
RESET端以及下级移位寄存器单元的 INPUT端， 实现对上一级移位寄 存器单元的复位以及对下级移位寄存器单元上拉控制节点 （PU点） 的 预充电， 以此类推， 最终实现从上至下的单向逐级扫描。
进一步地， 如图 6所示， 上拉模块 413可以包括：
第三晶体管 M3 , 其第一极连接信号输出端 OUTPUT, 其栅极连接 上拉控制节点 （PU点） , 其第二极连接第一时钟信号输入端 CLK。
电容器 C, 该电容器 C并联于第三晶体管 M3 的栅极和第三晶体 管 M3的第一极之间。
在本发明实施例中， 上拉模块 413 的作用是在进行预充之后， 且 第一时钟信号输入端 CLK输入的时钟信号为高电平的时钟周期内， 使 得信号输出端 OUTPUT输出栅极驱动的高电平信号。
进一步地， 如图 6所示， 控制模块 414可以包括：
第四晶体管 M4 , 其栅极和第二极均连接第二时钟信号输入端 CLKB。
第五晶体管 M5 , 其栅极连接第四晶体管 M4的第一极， 其第二极 连接第二时钟信号输入端 CLKB。
第六晶体管 M6 , 其第一极连接电压端 VSS , 其栅极连接上拉控制 节点 （PU点） , 其第二极连接第四晶体管 M4的第一极。
第七晶体管 M7, 其第一极连接电压端 VSS , 其栅极连接上拉控制 节点 （PU点） , 其第二极连接下拉控制节点 （PD点） 。
在本发明实施例中 ,控制模块 414的作用是根据上拉控制节点（ PU 点） 的电压控制下拉控制节点 （PD点） 的电平， 其中， 下拉控制节点 ( PD点） 是指控制下拉模块处于开启或关闭状态的电路节点。
进一步地， 如图 6所示， 下拉模块 415可以包括： 第八晶体管 M8 , 其第一极连接电压端 VSS , 其栅极连接下拉控制 节点 （PD点） , 其第二极连接上拉控制节点 （PU点） 。
第九晶体管 M9 , 其第一极连接电压端 VSS , 其栅极连接下拉控制 节点 （PD点） ， 其第二极连接信号输出端 OUTPUT。
在本发明实施例中， 下拉模块 415 的作用具体是当下拉控制节点
( PD点） 电位为高时， 且在时钟信号为低电平时分别对上拉控制节点 ( PU点） 电位以及信号输出端 OUTPUT进行下拉。
在如图 6所示的移位寄存器单元中， 分别包括 9个 N型晶体管以 及 1个电容 （9T1C ) , 与目前较为常用的移位寄存器单元相比， 这种 电路结构的设计中元器件相对较少， 从而显著简化了电路设计与生产 的难度， 有效控制了电路区域与布线空间的大小， 实现了显示装置窄 边框的设计。
在本发明实施例中， 如图 4所示， 预充电单元 42分别连接充电信 号输入端 SW以及位于第二区域的第一级移位寄存器单元 41的上拉控 制节点 （PU点） 。
具体的， 如图 4所示， 预充电单元 42可以包括：
第十晶体管 M10 , 其第一极连接第二区域的第一级移位寄存器单 元 41 的上拉控制节点 （PU点） ， 其栅极和第二极连接充电信号输入 端 SW。
根据对现有技术的分析可知， 第 N/2+1 个移位寄存器单元由于是 触控扫描之后的第一个移位寄存器单元，所以其上拉控制节点（PU点） 会出现衰减， 因此引入额外的 SW信号， 在触控扫描时置为高电平， 可以使 N/2+1的上拉控制节点 （PU点）保持高电位， 从而保证输出正 常。 从图 7可看出， 在 SW信号的作用下， 第 N/2+1级移位寄存器单 元的上拉控制节点 （PU点） 和输出信号均可保持正常， 并未出现衰减 的现象， 达到了预期的效果。 其中晶体管 M10的作用是单向导通， 即 在 SW为高电平时输入第 N/2+1级移位寄存器单元的上拉控制节点（ PU 点）电平为高， SW为低电平时输入第 N/2+1级移位寄存器单元的上拉 控制节点（PU点） 电平为低。 应当理解， 晶体管 M10仅仅是预充电单 元的一个实例， 预充电单元并不限于该晶体管 M10。 例如， 预充电单 元也可包含多个晶体管。 实际上， 只要能实现预充电功能的电路或电 子元件都可以采用。 例如， 预充电单元具体可以通过薄膜晶体管工艺 实现， 也可以通过集成电路 IC控制， 或者通过其他电路结构实现。 当 然， 采用晶体管 M10的设计可以进一步简化电路结构。
在本发明实施例中， 如图 4 所示， 第一区域的第一级移位寄存器 单元的信号输入端 INPUT可以输入帧起始信号 STV; 第二区域的最后 一级移位寄存器单元的复位信号端 RESET可以输入复位信号 RST。
采用如图 4 所示的栅极驱动电路， 通过额外设置与在进行完触控 扫描之后再次进行栅极行驱动扫描时所对应的第一级移位寄存器单元 相连接的预充电单元， 能够在进行触控扫描期间对所述第一级移位寄 存器单元预充电， 这样一来， 避免了两行移位寄存器单元输出之间由 于相隔了较长的触控扫描时间而造成的在进行完触控扫描之后再次进 行栅极行驱动扫描时所对应的第一级移位寄存器单元上拉控制节点 ( PU点） 漏电现象， 从而在保证高报点率的触控扫描的同时避免了行 像素充电率不足的缺陷， 显著改善了暗线或者亮线不良， 提高了显示 品质。
与栅极驱动电路对应的， 本发明实施例还提供一种栅极驱动电路 的驱动方法， 可以应用于如上所述的栅极驱动电路， 如图 8 所示， 包 括：
S 801、 对栅极驱动电路中位于第一区域的移位寄存器单元进行栅 极行驱动扫描。
S802、 在位于第一区域的移位寄存器单元的栅极行驱动扫描完成 后， 进行触控扫描， 在触控扫描期间对第二区域的第一级移位寄存器 单元进行预充电。
S 803、 对栅极驱动电路中位于第二区域的移位寄存器单元进行栅 极行驱动扫描。
本发明实施例提供的栅极驱动电路的驱动方法， 通过额外设置与 在进行完触控扫描之后再次进行栅极行驱动扫描时所对应的第一级移 位寄存器单元相连接的预充电单元， 能够在进行触控扫描期间对所述 第一级移位寄存器单元预充电， 这样一来， 避免了两行移位寄存器单 元输出之间由于相隔了较长的触控扫描时间而造成的在进行完触控扫 描之后再次进行栅极行驱动扫描时所对应的第一级移位寄存器单元上 拉控制节点 （PU点） 漏电现象， 从而在保证高报点率的触控扫描的同 时避免了行像素充电率不足的缺陷， 显著改善了暗线或者亮线不良， 提高了显示品质。
需要说明的是， 在对具有 N行栅线的阵列基板进行栅极行驱动扫 描加触控扫描的过程中， 为了提高触控扫描的精准度与报点率， 提高 触控扫描的频率是关键， 这就要求在一次栅极行驱动扫描的过程中加 入多次触控扫描， 可以通过在一定行数像素充电的间隙中， 预留一段 时间进行部分触控信号扫描， 即像素充电与触控扫描交叉进行， 此种 方式可以支持触摸扫描刷新率大于画面刷新率， 即与画面刷新率成倍 数关系。
具体的， 在如图 4 所示的栅极驱动电路中， 是以将阵列基板平均 分成具有相同行数栅线的两个区域进行的说明， 其中， 可以将前 N/2 行栅线所在区域称为第一区域， 将后 N/2 行栅线所在区域称为第二区 域， 在对第一区域扫描完成后且第二区域开始扫描之前的一段时间为 触控扫描时间。 预充电单元 42用于在进行触控扫描时对位于第二区域 的第一级移位寄存器单元 41进行预充电。 当然， 以上也仅是举例说明， 为了进一步提高触摸扫描的刷新率， 可以将阵列基板上的栅线分成更 多的区域进行扫描， 本发明对此并不做限定。
其中， 移位寄存器单元的结构具体可以参照图 6 所示， 此处不做 赘述。 进一步地， 可以如图 4所示， 通过预充电单元 42实现对第二区 域的第一级移位寄存器单元的预充电。
具体的， 在触控扫描期间对第二区域的第一级移位寄存器单元进 行预充电可以包括：
在触控扫描期间， 对第二区域的第一级移位寄存器单元的上拉控 制节点输入高电平的充电信号； 以及， 在对栅极驱动电路中位于第二 区域的移位寄存器单元进行栅极行驱动扫描期间， 停止对第二区域的 第一级移位寄存器单元的上拉控制节点输入充电信号。
例如， 预充电单元 42可以包括晶体管 M10 , 其第一极连接第二区 域的第一级移位寄存器单元 41 的上拉控制节点 （PU点） , 其栅极和 第二极连接充电信号输入端。 在进行触控扫描时， SW信号通过开启晶 体管 M10 对位于第二区域的第一级移位寄存器单元的上拉控制节点 ( PU点） 输入高电平， 在进行栅极行驱动扫描时， SW信号将关闭晶 体管 M10 , 停止对位于第二区域的第一级移位寄存器单元的上拉控制 节点 （PU点） 输入充电信号。 应当理解， 晶体管 M10仅仅是预充电单元的一个实例， 预充电单 元并不限于该晶体管 M10。 例如， 预充电单元也可包含多个晶体管。 实际上， 只要能实现预充电功能的电路或电子元件都可以采用。 例如， 预充电单元具体可以通过薄膜晶体管工艺实现， 也可以通过集成电路 IC控制， 或者通过其他电路结构实现。 当然， 采用晶体管 M10的设计 可以进一步简化电路结构。 此外， 本发明实施例还提供一种显示装置， 包括如上所述的栅极驱动电路。
由于栅极驱动电路的结构在前述实施例中已#丈了详细的描述， 此 处不做赘述。
本发明实施例提供的显示装置， 包括栅极驱动电路， 该栅极驱动 电路又包括移位寄存器单元， 通过额外设置与在进行完触控扫描之后 再次进行栅极行驱动扫描时所对应的第一级移位寄存器单元相连接的 预充电单元， 能够在进行触控扫描期间对所述第一级移位寄存器单元 预充电， 这样一来， 避免了两行移位寄存器单元输出之间由于相隔了 较长的触控扫描时间而造成的在进行完触控扫描之后再次进行栅极行 驱动扫描时所对应的第一级移位寄存器单元上拉控制节点 （PU点） 漏 电现象， 从而在保证高报点率的触控扫描的同时避免了行像素充电率 不足的缺陷， 显著改善了暗线或者亮线不良， 提高了显示品质。
本领域普通技术人员可以理解： 实现上述方法实施例的全部或部 分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成， 前述的程序可以存储于 一计算机可读取存储介质中， 该程序在执行时， 执行包括上述方法实 施例的步骤； 而前述的存储介质包括： ROM、 RAM, 磁碟或者光盘等 各种可以存储程序代码的介质。
以上所述， 仅为本发明的具体实施方式， 但本发明的保护范围并 围内， 可轻易想到变化或替换， 都应涵盖在本发明的保护范围之内。 因此， 本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。

Claims

权 利 要 求
1、 一种栅极驱动电路， 其特征在于， 包括：
分别位于第一区域和第二区域的多个相互级联的移位寄存器单 元， 除第一区域的第一级移位寄存器单元外， 其余每个移位寄存器单 元的信号输出端均连接与其相邻的上一级移位寄存器单元的复位信号 端， 并且除第二区域的最后一级移位寄存器单元外， 其余每个移位寄 存器单元的信号输出端均连接与其相邻的下一级移位寄存器单元的信 号输入端； 以及
预充电单元， 所述预充电单元与第二区域的第一级移位寄存器单 元相连接，
其中， 所述多个相互级联的移位寄存器单元的栅极行驱动扫描与 触控扫描间隔进行， 并且所述预充电单元用于在触控扫描期间对所述 第二区域的第一级移位寄存器单元预充电。
2、 根据权利要求 1所述的栅极驱动电路， 其特征在于， 所述移位 寄存器单元包括： 输入模块、 复位模块、 上拉模块、 控制模块以及下 拉模块；
所述输入模块连接信号输入端以及上拉控制节点， 用于根据所述 信号输入端输入的信号控制所述上拉控制节点的电平， 所述上拉控制 节点为所述输入模块与所述上拉模块的连接点；
所述复位模块连接复位信号端、 电压端以及所述上拉控制节点， 用于根据所述复位信号端输入的信号控制所述上拉控制节点的电平； 所述上拉模块连接第一时钟信号输入端、 所述上拉控制节点以及 信号输出端， 用于根据所述上拉控制节点和所述第一时钟信号输入端 输入的时钟信号将所述信号输出端输出的信号上拉为高电平；
所述控制模块连接第二时钟信号输入端、 所述电压端、 所述上拉 控制节点以及下拉控制节点， 用于根据所述第二时钟信号输入端输入 的时钟信号以及所述上拉控制节点的电平控制所述下拉控制节点的电 平；
所述下拉模块连接所述上拉控制节点、 所述下拉控制节点、 所述 电压端以及所述信号输出端， 用于将所述信号输出端输出的信号下拉 为低电平。
3、 根据权利要求 2所述的栅极驱动电路， 其特征在于， 所述输入 模块包括：
第一晶体管， 其第一极连接所述上拉控制节点， 其第二极和栅极 均连接所述信号输入端。
4、 根据权利要求 2所述的栅极驱动电路， 其特征在于， 所述复位 模块包括：
第二晶体管， 其第一极连接所述电压端， 其栅极连接所述复位信 号端， 其第二极连接所述上拉控制节点。
5、 根据权利要求 2所述的栅极驱动电路， 其特征在于， 所述上拉 模块包括：
第三晶体管， 其第一极连接所述信号输出端， 其栅极连接所述上 拉控制节点， 其第二极连接所述第一时钟信号输入端； 以及
电容器， 所述电容器并联于所述第三晶体管的栅极和所述第三晶 体管的第一极之间。
6、 根据权利要求 2所述的栅极驱动电路， 其特征在于， 所述控制 模块包括：
第四晶体管， 其栅极和第二极均连接所述第二时钟信号输入端； 第五晶体管， 其栅极连接所述第四晶体管的第一极， 其第二极连 接所述第二时钟信号输入端；
第六晶体管， 其第一极连接所述电压端， 其栅极连接所述上拉控 制节点， 其第二极连接所述第四晶体管的第一极；
第七晶体管， 其第一极连接所述电压端， 其栅极连接所述上拉控 制节点， 其第二极连接所述下拉控制节点。
7、 根据权利要求 2所述的栅极驱动电路， 其特征在于， 所述下拉 模块包括：
第八晶体管， 其第一极连接所述电压端， 其栅极连接所述下拉控 制节点， 其第二极连接所述上拉控制节点；
第九晶体管， 其第一极连接所述电压端， 其栅极连接所述下拉控 制节点， 其第二极连接所述信号输出端。
8、 根据权利要求 1或 2所述的栅极驱动电路， 其特征在于， 所述 预充电单元分别连接充电信号输入端以及所述第二区域的第一级移位 寄存器单元的上拉控制节点。
9、 根据权利要求 8所述的栅极驱动电路， 其特征在于， 所述预充 电单元包括：
第十晶体管， 其第一极连接所述第二区域的第一级移位寄存器单 元的上拉控制节点， 其栅极和第二极连接所述充电信号输入端。
10、 根据权利要求 1 所述的栅极驱动电路， 其特征在于， 所述第 一区域的第一级移位寄存器单元的信号输入端输入帧起始信号； 所述 第二区域的最后一级移位寄存器单元的复位信号端输入复位信号。
11、 一种用于驱动如权利要求 1-10中任一项所述的栅极驱动电路 的驱动方法， 其特征在于， 该方法包括：
对所述栅极驱动电路中位于第一区域的移位寄存器单元进行栅极 行驱动扫描；
在位于第一区域的移位寄存器单元的栅极行驱动扫描完成后， 进 行触控扫描， 在所述触控扫描期间对第二区域的第一级移位寄存器单 元进行预充电； 以及
对所述栅极驱动电路中位于第二区域的移位寄存器单元进行栅极 行驱动扫描。
12、 根据权利要求 11所述的栅极驱动电路的驱动方法， 其特征在 于， 在所述触控扫描期间对第二区域的第一级移位寄存器单元进行预 充电包括：
在所述触控扫描期间， 对所述第二区域的第一级移位寄存器单元 的上拉控制节点输入高电平的充电信号； 以及
在对所述栅极驱动电路中位于第二区域的移位寄存器单元进行栅 极行驱动扫描期间， 停止对所述第二区域的第一级移位寄存器单元的 上拉控制节点输入所述充电信号。
13、 一种显示装置， 其特征在于， 包括如权利要求 1-10中任一项 所述的栅极驱动电路。
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