WO2015174797A1

WO2015174797A1 - 유기발광소자

Info

Publication number: WO2015174797A1
Application number: PCT/KR2015/004927
Authority: WO
Inventors: 이연근; 장성수; 황진하; 김영은
Original assignee: LG Chem Ltd
Current assignee: LG Chem Ltd
Priority date: 2014-05-15
Filing date: 2015-05-15
Publication date: 2015-11-19
Anticipated expiration: 2016-11-15
Also published as: JP2017516265A; EP3144970A1; CN106575662A; EP3144970B1; US20170077438A1; JP6484648B2; KR20150132032A; EP3144970A4; KR101760252B1; US10158096B2; CN106575662B

Abstract

본 명세서는 유기발광소자에 관한 것이다. 유기발광소자는 제 1 전극; 제 1 전극에 대향하여 구비된 제 2 전극; 제 1 전극 및 제 2 전극 사이에 구비된 발광층을 포함하는 1층 이상의 유기물층; 및 제 1 전극의 상면, 하면, 또는 측면 상에 구비되어 제 1 전극과 전기적으로 연력된 그물망 구조의 보조 전극을 포함하고, 보조 전극의 그물눈은 유기발광소자의 픽셀을 형성하며 제 1 전극의 면저항은 5, 000 Ω/⃞ 이상이고, 제 1 전극의 면저항과 어느 하나의 픽셀 면적의 곱은 3200 Vcm² /A 이하이다.

Description

유기발광소자

본 명세서는 2014년 5월 15일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제 10-2014-0058549호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.

본 명세서는 유기발광소자에 관한 것이다.

유기 발광 현상이란 유기물질을 이용하여 전기에너지를 빛 에너지로 전환시켜 주는 현상을 말한다. 즉, 애노드과 캐소드 사이에 적절한 유기물층을 위치시켰을 때, 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 캐소드에서는 전자가 상기 유기물층에 주입되게 된다. 이 주입된 정공과 전자가 만났을 때 여기자(exciton) 가 형성되고, 이 여기자가 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛을 생성하게 된다.

애노드와 캐소드의 간격이 작기 때문에, 유기발광소자는 단락 결함을 갖게 되기 쉽다. 핀홀, 균열, 유기발광소자의 구조에서의 단(step) 및 코팅의 조도(roughness) 등에 의하여 애노드와 캐소드가 직접 접촉할 수 있게 되거나 또는 유기층 두께가 이들 결함 구역에서 더 얇아질 수 있다. 이들 결함 구역은 전류가 흐르도록 하는 저-저항 경로를 제공하여, 유기발광소자를 통해 전류가 거의 또는 극단적인 경우에는 전혀 흐르지 않도록 한다. 이에 의해, 유기발광소자의 발광 출력이 감소되거나 없어지게 된다. 다중-화소 디스플레이 장치에서는, 단락 결함이 광을 방출하지 않거나 또는 평균 광 강도 미만의 광을 방출하는 죽은 화소를 생성시켜 디스플레이 품질을 감소시킬 수 있다. 조명 또는 다른 저해상도 용도에서는, 단락 결함으로 인해 해당 구역 중 상당 부분이 작동하지 않을 수 있다. 단락 결함에 대한 우려 때문에, 유기발광소자의 제조는 전형적으로 청정실에서 수행된다. 그러나, 아무리 청정한 환경이라 해도 단락 결함을 없애는데 효과적일 수 없다. 많은 경우에는, 두 전극 사이의 간격을 증가시켜 단락 결함의 수를 감소시키기 위하여, 유기층의 두께를 장치를 작동시키는데 실제로 필요한 것보다 더 많이 증가시키기도 한다. 이러한 방법은 유기발광소자 제조에 비용을 추가시키게 되고, 심지어 이러한 방법으로는 단락 결함을 완전히 제거할 수 없다.

[선행기술문헌]

대한민국 공개특허공보 제10-2006-0130729호 (2006.12.19 공개)

본 발명자들은 단락 결함을 발생시킬 수 있는 요인이 있는 경우, 즉 단락 결함이 발생한 경우에도 정상 범위에서 작동이 가능한 유기발광소자 및 이의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 명세서의 일 실시상태는 제1 전극; 상기 제1 전극에 대향하여 구비된 제2 전극; 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 구비된 발광층을 포함하는 1층 이상의 유기물층; 및 상기 제1 전극의 상면, 하면 또는 측면 상에 구비되어 상기 제1 전극과 전기적으로 연결된 그물망 구조의 보조 전극을 포함하고,

상기 보조 전극의 그물눈은 상기 유기발광소자의 픽셀을 형성하며,

상기 제1 전극의 면저항은 5,000 Ω/□ 이상이고, 상기 제1 전극의 면저항과 어느 하나의 상기 픽셀 면적의 곱은 3,200 V㎠/A 이하인 유기발광소자를 제공한다.

본 명세서의 일 실시상태는 상기 유기발광소자를 포함하는 디스플레이장치를 제공한다

본 명세서의 일 실시상태는 상기 유기발광소자를 포함하는 조명장치를 제공한다.

본 명세서의 유기발광소자는 기판 자체의 결함으로 인한 단락이 발생한 경우라도 유기발광소자의 기능을 정상적으로 유지할 수 있다.

또한, 본 명세서의 유기발광소자는 단락 발생 지점의 면적 크기가 증가하더라도, 누설 전류량이 증가하지 않고 안정적인 작동이 가능하다.

또한, 본 명세서의 유기발광소자는 단락이 발생한 영역 주위의 발광 강도가 낮아지는 것을 방지할 수 있다.

도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기발광소자에 있어서, 제1 전극 및 보조 전극이 구비된 상태를 나타낸 것이다.

도 2는 금속 보조 전극에서 단락 발생 지점까지의 저항값 계산하기 위한 과정을 도시한 것이다.

도 3은 제1 전극의 면저항에 따른 보조 전극으로부터 단락 지점까지의 저항 값을 나타낸 것이다.

도 4는 실시예 1-1에 따라 제조된 유기발광소자의 단락 발생 후의 이미지이다.

도 5는 실시예 1-1에 따라 제조된 유기발광소자의 단락 발생 전과 단락 발생 후의 IV sweep 을 진행한 결과를 나타낸 것이다.

도 6는 실시예 1-2에 따라 제조된 유기발광소자의 단락 발생 후의 이미지이다.

도 7는 실시예 1-2에 따라 제조된 유기발광소자의 단락 발생 전과 단락 발생 후의 IV sweep 을 진행한 결과를 나타낸 것이다.

도 8는 실시예 1-3에 따라 제조된 유기발광소자의 단락 발생 후의 이미지이다.

도 9는 실시예 1-3에 따라 제조된 유기발광소자의 단락 발생 전과 단락 발생 후의 IV sweep 을 진행한 결과를 나타낸 것이다.

도 10는 실시예 1-4에 따라 제조된 유기발광소자의 단락 발생 후의 이미지이다.

도 11는 실시예 1-4에 따라 제조된 유기발광소자의 단락 발생 전과 단락 발생 후의 IV sweep 을 진행한 결과를 나타낸 것이다.

도 12는 실시예 1-5에 따라 제조된 유기발광소자의 단락 발생 후의 이미지이다.

도 13는 실시예 1-5에 따라 제조된 유기발광소자의 단락 발생 전과 단락 발생 후의 IV sweep 을 진행한 결과를 나타낸 것이다.

도 14는 전압 강하가 가장 크게 발생하는 영역을 도출하기 위한 과정을 도시한 것이다.

도 15는 2층 내지 5층의 발광층을 포함하는 유기발광소자 각각의 전류 밀도를 측정한 그래프이다.

도 16 및 도 17은 각각 전압 강하에 따른 유기발광소자의 휘도 감소율을 나타낸 것이다.

도 18은 0.1 V의 전압 강하시, 유기발광소자의 휘도 감소율을 나타낸 것이다.

도 19는 0.2 V의 전압 강하시, 유기발광소자의 휘도 감소율을 나타낸 것이다.

이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.

본 명세서에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.

본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 전극의 면저항은 10,000 Ω/□ 이상일 수 있다.

본 명세서에서 면저항의 단위는 Ω/□ 표기한다. 다만, 면저항의 단위에서 □는 면저항을 나타내기 위한 표시일 뿐이므로, 면저항을 포함하는 계산 과정에서 면저항의 단위는 Ω으로만 계산하고, 도출된 결과에서 □는 제외하였다.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 전극은 하나의 연속적인 단위로 구비될 수 있다. 이 경우, 상기 보조 전극은 상기 제1 전극의 상면 또는 하면 상에 구비될 수 있다.

구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 전극은 면저항이 5,000 Ω/□ 이상인 단일층일 수 있다. 즉, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 전극은 고저항을 가지기 위한 추가의 층이 구비되지 않을 수 있다.

도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기발광소자에 있어서, 제1 전극 및 보조 전극이 구비된 상태를 나타낸 것이다. 구체적으로, 기판 상에 제1 전극으로서 투명 전극이 구비되고, 투명 전극 상에 그물망 구조의 금속 보조 전극이 구비되며, 상기 금속 보조 전극의 테두리 영역은 외부 전원이 인가되는 금속 테두리 전극이 구비된 것을 도시한 것이다.

또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 전극은 서로 이격된 2 이상의 전도성 유닛으로 구비될 수 있다. 이 경우, 상기 보조 전극은 각각의 전도성 유닛의 상면, 하면 또는 측면 상에 구비될 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 전극이 서로 이격된 2 이상의 전도성 유닛으로 구비되는 경우, 상기 보조 전극은 각각의 전도성 유닛의 측면 상에 구비될 수 있다.

단락 결함은 제2 전극이 직접 제1 전극에 접촉하는 경우에 발생할 수 있다. 또는, 제1 전극과 제2 전극 사이에 위치하는 유기물층의 두께 감소 또는 변성 등에 의하여 유기물층의 기능을 상실하여 제1 전극과 제2 전극이 접촉하는 경우에도 발생할 수 있다. 단락 결함이 발생하는 경우, 유기발광소자 전류에 낮은 경로를 제공하여, 유기발광소자가 정상적으로 작동할 수 없게 할 수 있다. 단락 결함에 의하여 제1 전극에서 제2 전극으로 직접 전류가 흐르게 되는 누설 전류에 의하여 유기발광소자의 전류는 무결함 구역을 피하여 흐를 수 있다. 이는 유기발광소자의 방출 출력을 감소시킬 수 있으며, 상당한 경우에 제1 전극과 제2 전극 사이의 전압이 유기물의 문턱전압보다 낮아져서 유기발광소자가 작동하지 않을 수 있다. 또한, 넓은 면적의 유기물에 분산되어 흐르던 전류가 단락 발생지점으로 집중되어 흐르게 되면 국부적으로 높은 열이 발생하게 되어, 소자가 깨지거나 화재가 발생할 위험이 있다.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기발광소자는 높은 면저항 값을 가지는 제1 전극을 포함하므로, 상기 유기발광소자의 픽셀에 단락 결함이 발생하는 경우, 모든 전류가 단락 결함 영역으로 집중되어 유기발광소자 전체가 구동하지 않는 것을 방지할 수 있다.

본 발명자들은 단락 결함이 발생한 경우, 유기발광소자가 정상 작동할 수 있도록 할 수 있는 요소를 찾기 위한 노력 결과, 제1 전극의 면저항 값을 높여 유기발광소자를 제조하는 경우, 단락 결함이 발생하는 경우에도 유기발광소자가 정상 작동할 수 있다는 점을 발견하였다.

구체적으로, 단락 결함 영역의 낮은 저항에 의한 누설 전류를 효과적으로 제어할 수 있는 제1 전극의 면저항 값을 도출하기 위하여 하기와 같이 실험을 진행하였다.

면저항이 R_surf _- _t인 제1 전극 상에 지름 2a, 저항 0 Ω의 금속 보조 전극이 원형의 픽셀을 형성하도록 구비되어 있고, 그 중앙에 지름 2b 크기의 단락이 발생했다고 가정하였다. 또한, 유기물층에서의 전류는 단락 영역의 누설전류에 비하여 극소량이므로 고려하지 않았다. 이 경우, 금속 보조 전극에서 단락 발생 지점까지의 저항값 계산하였으며, 이를 도출하기 위한 식은 하기와 같다. 또한, 도 2는 금속 보조 전극에서 단락 발생 지점까지의 저항값 계산하기 위한 과정을 도시한 것이다.

반지름 r 지점에서 반지름 r-dr 지점까지 전류가 흐를 때의 저항은 dr이 충분히 작을 경우, 도 2와 같이 폭이 2πr이고 길이가 dr인 직사각형의 저항값 R_segment#1과 동일하다. 그러므로, 각각의 segment를 적분하면 하기와 같은 식을 도출할 수 있다.

상기 보조 전극으로부터 단락 지점까지의 저항은 단락 지점의 크기에 의하여 큰 영향을 받는 다는 점을 의미할 수 있다. 또한, 상기 식의 변수 중에서 제1 전극의 면저항이 가장 중요한 변수임을 확인할 수 있다. 도 3은 제1 전극의 면저항에 따른 보조 전극으로부터 단락 지점까지의 저항 값을 나타낸 것이다. 구체적으로, 도 3은 도 2의 구성에서, a는 400 ㎛ 이며, b는 1 ㎛ 인 경우의 제1 전극의 면저항에 따른 보조 전극으로부터 단락 지점까지의 저항값을 나타내었다.

도 3에서 알 수 있듯이, 제1 전극의 면저항 값이 잔락 발생시 누설 전류를 제어할 수 있는 변수임을 확인할 수 있다.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 단락 발생 지점의 크기, 제1 전극의 면저항 값 및 픽셀의 면적이 중요한 변수이고, 픽셀의 형태는 누설 전류에 큰 영향을 미치지 않는다.

상기 픽셀의 형태에 따른 누설 전류량이 크게 차이 나지 않는 점을 확인하기 위하여 하기와 같은 실험을 진행하였다.

구체적으로, 보조 전극에 인가하는 전압이 8 V이고, 제1 전극의 면저항이 1,000 Ω/□이었으며, 원형의 단락 영역의 지름은 18.5 ㎛ 이고, 단락 발생 지점은 픽셀의 중앙인 경우, 지름 500 ㎛의 원형 픽셀에서의 누설전류 값은 0.015 A 였으며, 한변의 길이가 500 ㎛인 정사각형 픽셀에서의 누설전류는 0.0144 A 였다. 상기 실험의 결과에서, 픽셀의 형태에 따른 누설전류 값은 큰 차이를 나타내지 않는 것을 알 수 있다.

또한, 본 발명자들은 한 변의 길이가 500 ㎛ 의 정사각형의 픽셀에서, 보조 전극에 인가하는 전압을 8 V로 하고, 제1 전극의 면저항이 10,000 Ω 이고, 지름 18.5 ㎛의 원형의 단락 영역이 발생하는 경우, 효과적으로 누설 전류가 제어되는 것을 확인하였다. 구체적으로, 단락 발생 지점이 중앙에 하나 있는 경우 누설 전류는 0.0014 A로 제어되었고, 단락 발생 지점이 중앙에 두개 있는 경우 누설 전류는 0.0033 A로 제어되었으며, 단락 발생 지점이 보조 전극 부근에 있는 경우 누설 전류는 0.0027 A로 제어되었다.

유기발광소자에 있어서, 휘도의 불균일은 전압 강하(IR drop) 현상에 의하여 발생하며, 전압 강하가 가장 크게 발생하는 영역은 정상 영역에 비하여 낮은 휘도를 나타내고 전체 유기발광소자의 효율을 저하시킬 수 있다. 나아가, 상대적으로 높은 휘도로 발광하는 영역의 유기물이 다른 영역보다 수명이 짧아질 위험도 크다. 그러므로, 전압 강하가 가장 크게 발생하는 영역을 알아내고, 유기발광소자의 효율을 감소시키지 않는 범위로 전압 강하를 제어하는 것이 필요하다.

그러므로, 본 발명자들은 유기발광소자 전체 면적에서 휘도의 불균일이 발생하는 변수를 찾기 위하여, 하기와 같은 실험을 진행하였다.

캐소드의 면저항은 0으로 충분히 낮고, 정사각형 형태의 제1 전극의 금속 테두리전극에서의 IR drop은 0이고, 유기물층의 IV 특성은 전압변화에 상관없이 일정 전류값을 갖는다고 가정한 유기발광소자에서, 유기발광소자의 작동 전류를 A_org _-act, 제1 전극의 보조 전극의 면저항을 R_surf _-m 일 경우, 각 4개의 금속 테두리 전극으로 입력되는 전류가 도 14와 같이 각각의 삼각형 영역의 유기물층에 전류를 공급하게 될 것으로 가정하여, 전압 강하가 가장 크게 발생하는 영역을 도출하였다.

도 14에서 각 삼각형에 흐르는 전류량은 A_org _-act/4 이고, 보조 전극의 면저항을 R_surf _- _m 인 경우의 x 지점에서의 전압강하를 계산하였다.

구체적으로, x 지점을 흐르는 전류량(A_x)은 하기와 같다.

금속 테두리 전극에서 출발해서 제1 전극의 중심부로 흐르는 전류가 제1전극 전체 면적 대비 이동한 면적의 비만큼 유기물층을 통해 빠져나갔다고 가정하였다.

또한, dx 구간의 저항값은 하기와 같다.

나아가, 금속 테두리 전극에서 x 지점까지의 전압 강하(V_IR _-drop) 값은 하기와 같다.

상기 식에서, 전압강하가 가장 크게 발생하는 영역은 x = 1/2 지점이고, 이는 하기 식과 같다.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기발광소자의 전체 발광 면적에서의 휘도 차이는 10 % 이내일 수 있다. 구체적으로, 전체 발광 면적에서 휘도 차이가 10 % 이상 나는 경우에는 육안으로 휘도 차이가 인식될 수 있으므로, 휘도 차이를 10 % 이내로 관리하는 것이 중요하다.

상기 휘도 차이는 단락 결함이 발생하지 않은 경우, 어느 하나의 픽셀의 휘도와 다른 하나의 픽셀에서의 휘도의 차이를 의미할 수 있다. 또한, 상기 휘도 차이는 단락 결함이 발생한 경우, 단락 결함 픽셀을 제외한 어느 하나의 픽셀의 휘도와 다른 하나의 픽셀에서의 휘도의 차이를 의미할 수 있다.

구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 휘도 차이는 휘도 감소율과 동일한 의미일 수 있으며, 휘도 감소율은 하기와 같이 계산할 수 있다.

휘도 감소율 = (IR drop에 따른 단위면적당 유기물층 전류 / 정상(기준)전압에서의 단위면적당 유기물층 전류) × 100%

상기 휘도 감소율은 유기물층에서의 발광하는 빛의 휘도는 유기물층의 전류값에 비례하기 때문에 유기물에서의 전류값으로 계산하였다.

도 15의 발광층 개수에 따른 전류밀도값을 이용하여, 전압 강하에 따른 유기발광소자의 휘도 감소율을 도출하였다.

도 16 및 도 17은 각각 전압 강하에 따른 유기발광소자의 휘도 감소율을 나타낸 것이다. 구체적으로, 2층의 발광층을 포함하는 유기발광소자의 경우, 0.03 V의 전압강하에 의하여 약 10 % 의 휘도 감소가 발생하는 것을 알 수 있다. 또한, 5층의 발광층을 포함하는 유기발광소자의 경우, 0.06 V의 전압강하에 의하여 약 10 % 의 휘도 감소가 발생하는 것을 알 수 있다.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 1 ㎃/㎠ 의 전류밀도에서 상기 보조 전극으로 인한 전체 유기발광소자에서의 휘도 감소율을 10 % 이하로 유지하기 위하여는 전압강하를 0.06 V 이하로 관리하여야 한다. 구체적으로, 전압강하를 0.06 V 이하로 관리하는 경우의 발광층은 5층 이상일 수 있다.

보다 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 1 ㎃/㎠ 의 전류밀도에서 상기 보조 전극으로 인한 전체 유기발광소자에서의 휘도 감소율을 10 % 이하로 유지하기 위하여는 전압강하를 0.03 V 이하로 관리하여야 한다. 구체적으로, 전압강하를 0.03 V 이하로 관리하는 경우의 발광층은 2층 이상일 수 있다.

상기 조건을 만족하는 보조 전극의 면저항 범위는 하기의 식에서 도출이 가능하다.

나아가, 전압강하를 0.03 V로 관리하기 위한 보조 전극의 면저항 범위는 하기와 같이 도출할 수 있다.

이를 정리하면 하기와 같다. 이 때 전류밀도는 1 ㎃/㎠ 로 가정하였다.

또한, 전압강하를 0.06 V로 관리하기 위한 보조 전극의 면저항 범위는 하기와 같이 도출할 수 있다.

본 명세서에서, A_org _{_act} 는 유기발광소자의 작동 전류(A)이고, A_org _{_cell} 는 하나의 픽셀에서의 유기물층 작동 전류(A)이며, R_surf _{_} _t 는 제1 전극의 면저항(Ω/□)이고, R_surf _{_m} 는 보조 전극의 면저항(Ω/□)이며, S_act 는 유기발광소자 전체의 발광면적(cm²)이고, S_cell: 하나의 픽셀 면적(cm²)이며, J 는 유기발광소자의 작동 전류 밀도(mA/cm²) 이다.

본 발명자들은 유기발광소자의 픽셀의 크기가 충분히 작은 경우, 픽셀 내에 위치하는 제1 전극에서의 휘도 불균일은 육안상 확인할 수 없음을 발견하였다. 그러므로, 제1 전극에서 요구되는 면저항의 상한 값은 휘도 균일도 보다는 효율 저하 수준이 중요할 수 있음을 발견하였다.

이에, 본 발명자들은 제1 전극의 면저항 상한값을 도출하기 위하여 하기와 같은 시뮬레이션을 진행하였다.

제1 전극의 면적을 840 × 840 ㎛²으로 형성하고, 5 층의 발광층을 포함하는 유기발광소자를 적용하였다. 상기 유기발광소자에 1 ㎃/㎠ 의 전류를 주입했을 때의 제1 전극에서의 위치별 IR drop 및 효율 저하를 계산하였다.

시뮬레이션 방법은 다음과 같다. 상기 유기발광소자의 제1 전극 영역을 5 ×5 개의 가상의 픽셀로 나누고, 5 × 5 픽셀의 바깥쪽 테두리 영역은 보조 전극에 의해 등전위가 되는 것으로 가정하고, 보조전극에 임의의 전압값을 인가한 후 1 단계로 각 픽셀에서 형성된 전압값에 따라 유기물층 방향으로 빠져나가는 전류를 결정하고, 2 단계로 이 전류 흐름에 의해 제1전극의 가상의 각 픽셀에서 발생한 IR drop을 제1 전극의 면저항 값을 이용하여 계산하였다. 1단계와 2단계의 결과가 서로의 결과에 영향을 주기 때문에 평형 상태에 도달할 때까지 각 단계를 충분한 횟수만큼 반복 계산하였다. 각 픽셀에서 형성된 전압값(보조전극에 인가한 전압-해당 픽셀의 IR drop)에 따라 유기물층 방향으로 빠져나가는 전류값은 도 15에서 표시한 실제 제작하여 측정한 5 stack 소자의 JV data를 이용하여 결정하였다. 위 시뮬레이션을 통하여 제1전극의 면저항값의 변화에 따라 동일 작동전류로 소자를 작동하기 위해 필요한 작동전압과 그때의 제1전극의 위치별 IR drop에 대한 결과를 얻었고, IR drop data를 바탕으로 휘도 감소율등을 계산하였다. 상기 시뮬레이션에서 계산된 가상의 5 × 5개의 픽셀의 IR drop 값의 최대값과 최소값의 차이를 아래 표 1의 제1 전극 내 최대 전압차"에 정리하였다. Uniformity는 각 가상 픽셀의 최대 전류값을 A_max라고 하고 최소 전류값을 A_min이라했을 때 (1-(A_max-A_min)/(A_max+A_min))의 계산식을 사용하였다. 시뮬레이션에서의 "휘도 감소율"은 1-(A_min/A_max)로 계산하였다.

또한, 전술한 계산식으로 계산한 제1 전극 내의 최대 전압차(V)를 아래 표 1에 정리하였다.

	시뮬레이션 결과					전술한 계산방식에 따른 결과
제1 전극의 면저항(Ω/□)	작동 전압(V)	제1 전극 내 최대 전압차(V)	효율 감소	휘도 균일성(uniformity)	휘도 감소율	제1 전극 내 최대 전압차(V)
10,000	13.3	0.004	0.1%	99.7%	0.6%	0.004
50,000	13.3	0.021	0.2%	98.4%	3.1%	0.022
100,000	13.4	0.041	0.3%	96.9%	6.0%	0.044
300,000	13.4	0.117	0.7%	91.2%	16.2%	0.131
500,000	13.5	0.180	1.1%	86.1%	24.4%	0.219
1,000,000	13.6	0.320	2.0%	75.4%	39.5%	0.438

상기 시뮬레이션과 계산식 결과와의 가장 큰 차이는 전압 변화에 따라 유기물층의 전류밀도 변화를 반영하느냐 여부이다. 이에 따른 오차발생을 최소화하여 결과를 예측하기 위하여 시뮬레이션을 행하였다. 상기 시뮬레이션은 각 픽셀에서의 유기물층의 전류값이 다른 것이 적용되었다. 상기 표 1은 제1 전극 내에서의 전압강하로 인한 유기물의 전류밀도 변화도 반영한 결과를 얻을수 있는데, 이를 통해 소자의 작동전압 상승 수준을 예측할 수 있다.

상기 시뮬레이션과 동일하게 진행 결과, 제1 전극의 면저항이 10 ㏀/□ 이하일 경우에는 10 ㏀/□ 과 거의 동일한 값이 측정되었다.

상기 표 1에서, 면저항이 낮을 경우 제1 전극 내에 1㎃/㎠ 의 전류를 흐르게 하기 위해서는 약 13.3 V의 전압이 보조 전극에 인가되어야 하는데 반하여, 면저항이 1 ㏁/□ 일 경우에는 약 13.6 V의 전압이 보조 전극에 인가되어야 한다. 즉, 동일 전류를 갖기 위해 약 2 %의 높은 전압이 필요하므로 결국 제1 전극의 면저항이 1 ㏁/□ 일 경우 10 ㏀/□ 일때 보다 약 2 %의 에너지 효율 감소가 발생하는 것을 알 수 있다. 이에 반하여, 휘도감소율은 40 % 수준으로서 에너지효율에 비하여 휘도 감소에 의한 휘도 균일성(uniformity) 변화가 더욱 큰 폭으로 발생함을 확인할 수 있다.

유기발광소자에서 휘도 차이가 30 % 이상 발생할 경우 밝은 영역과 어두운 영역간의 수명에 유의미한 수준의 차이가 발생하여 유기발광소자 자체의 수명에 영향을 발생시킬 위험이 크다.

도 15에서의 2층 내지 5층의 발광층을 포함하는 유기발광소자 각각의 전류 밀도를 측정한 그래프를 이용하여, 0.1 V 및 0.2 V 각각의 전압 차이에서 발생하는 휘도 감소율 확인할 수 있다.

상기 도 18 및 19에서 알 수 있듯이, 0.2 V 전압강하시 5층의 발광층을 포함하는 유기발광소자의 경우 약 30 %의 휘도 감소가 발생함을 확인할 수 있다. 또한, 0.1 V 전압강하시 2층 이상의 발광층을 포함하는 유기발광소자의 경우 약 30 %의 휘도 감소가 발생함을 확인할 수 있다.

각 픽셀에서의 전압 강하를 0.1 V로 관리하기 위한 제1 전극의 면저항 값의 상한값은 하기와 같이 도출할 수 있다.

각 픽셀에서의 전압 강하를 0.2 V로 관리하기 위한 제1 전극의 면저항 값의 상한값은 하기와 같이 도출할 수 있다.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 1 ㎃/㎠ 의 전류밀도에서 상기 보조 전극의 면저항과 상기 유기발광소자의 전체 픽셀 면적의 곱은 960 V㎠/A 이하일 수 있다.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 보조 전극의 면저항은 3 Ω/□ 이하일 수 있다.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 보조 전극의 개구율은 70 % 이상일 수 있다.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 픽셀의 면적은 0.01 ㎟ 이상 0.64 ㎠ 이하일 수 있다.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 픽셀은 1,000 개 이상 1,000,000 개 이하일 수 있다.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 전극은 투명 전극일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 전극은 Nb계 산화물, Ti계 산화물, Zn계 산화물 및 전도성 고분자로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것일 수 있다.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Nb계 산화물은 NbO_x일 수 있다.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ti계 산화물은 TiO_x일 수 있다.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Zn계 산화물은 GAZO(Ga₁ _- _xZn_xO), AZO(Al_1-xZn _xO) 또는 GZO(Ga-doped ZnO)일 수 있다.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 고분자는 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 또는 폴리아닐린일 수 있다.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 발광층은 1 이상 10 이하의 발광층을 포함할 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 발광층은 2층 이상 6층 이하의 발광층을 포함할 수 있다.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 보조 전극과 유기물층 사이에 구비된 절연층을 더 포함하고, 상기 절연층의 직경은 상기 보조 전극의 선폭보다 10 ㎛ 이상 더 큰 것인 일 수 있다.

구체적으로, 단락 발생 영역이 보조 전극에 매우 인접하여 발생하거나, 보조 전극 상에 발생하는 경우, 단락 발생 영역이 넓은 영역으로 확대될 수 있다. 그러므로, 단락 발생 영역이 보조 전극에 지나치게 인접하여 발생하지 않도록, 절연층의 폭을 보조 전극의 선폭보다 10 ㎛ 이상 크게 형성할 수 있다.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 어느 하나의 픽셀과 다른 하나의 픽셀에서의 휘도 차이는 30 % 이내일 수 있다.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 전극의 면저항은 5,000 Ω/□ 이상이고, 상기 제1 전극의 면저항과 어느 하나의 상기 픽셀 면적의 곱은 3,200 V㎠/A 이하이며, 상기 보조 전극의 면저항과 상기 유기발광소자의 전체 픽셀 면적의 곱은 960 V㎠/A 이하일 수 있다.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 전극의 면저항은 5,000 Ω/□ 이상이고, 상기 제1 전극의 면저항과 어느 하나의 상기 픽셀 면적의 곱은 1,600 V㎠/A 이하이며, 상기 보조 전극의 면저항과 상기 유기발광소자의 전체 픽셀 면적의 곱은 480 V㎠/A 이하일 수 있다.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 전극의 면저항은 10,000 Ω/□ 이상이고, 상기 제1 전극의 면저항과 어느 하나의 상기 픽셀 면적의 곱은 3,200 V㎠/A 이하이며, 상기 보조 전극의 면저항과 상기 유기발광소자의 전체 픽셀 면적의 곱은 480 V㎠/A 이하일 수 있다.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 어느 하나의 상기 픽셀에 포함되는 제1 전극과 다른 하나의 픽셀에 포함되는 제1 전극과의 저항이 2,000 Ω 이상 800,000 Ω 이하일 수 있다.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 각각의 픽셀은 색온도 2,000 K 이상 12,000 K 이하의 백색광을 발광할 수 있다.

본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 보조 전극은 금속 재질로 이루어질 수 있다. 즉, 상기 보조 전극은 금속 전극일 수 있다.

상기 보조 전극은 일반적으로 모든 금속을 사용할 수 있다. 구체적으로 전도도가 좋은 알루미늄, 구리 및/또는 은을 포함할 수 있다. 상기 보조 전극은 투명 전극과의 부착력 및 포토공정에서 안정성을 위하여 알루미늄을 사용할 경우, 몰리브데늄/알루미늄/몰리브데늄 층을 사용할 수도 있다.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 적어도 1층 이상의 발광층을 포함하고, 정공 주입층; 정공 수송층; 정공 차단층; 전하 발생층; 전자 차단층; 전자 수송층; 및 전자 주입층으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 더 포함할 수 있다.

상기 전하 발생층(Charge Generating layer)은 전압을 걸면 정공과 전자가 발생하는 층을 말한다.

상기 기판은 투명성, 표면평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 기판을 사용할 수 있다. 구체적으로, 유리 기판, 박막유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판을 사용할 수 있다. 상기 플라스틱 기판은 PET(polyethylene terephthalate), PEN(Polyethylene naphthalate), PEEK(Polyether ether ketone) 및 PI(Polyimide) 등의 필름이 단층 또는 복층의 형태로 포함될 수 있다. 또한, 상기 기판은 기판 자체에 광산란 기능이 포함되어 있는 것일 수 있다. 다만, 상기 기판은 이에 한정되지 않으며, 유기발광소자에 통상적으로 사용되는 기판을 사용할 수 있다.

본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 전극은 애노드이고, 상기 제2 전극은 캐소드일 수 있다. 또한, 상기 제1 전극은 캐소드이고, 상기 제2 전극은 애노드일 수 있다.

상기 애노드로는 통상 유기물층으로 정공주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 애노드 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연산화물, 인듐산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO₂:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.

상기 캐소드로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 캐소드 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO₂/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.

상기 캐소드의 재료는 캐소드에만 한정되는 것은 아니며, 애노드의 재료로 사용될 수 있다.

본 명세서에 따른 상기 정공 수송층 물질로는 애노드나 정공 주입층으로부터 정공을 수송 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.

본 명세서에 따른 상기 발광층 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물 (Alq₃); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌; 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.

본 명세서에 따른 상기 전자 수송층 물질로는 캐소드로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq₃를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 보조 전극은 상기 유기발광소자의 비발광영역에 위치할 수 있다.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기발광소자는 비발광 영역에 구비된 절연층을 더 포함할 수 있다.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 절연층은 상기 보조 전극을 상기 유기물층과 절연시키는 것일 수 있다.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기발광소자는 봉지층으로 밀폐되어 있을 수 있다.

상기 봉지층은 투명한 수지층으로 형성될 수 있다. 상기 봉지층은 상기 유기발광소자를 산소 및 오염물질로부터 보호하는 역할을 하며, 상기 유기발광소자의 발광을 저해하지 않도록 투명한 재질일 수 있다. 상기 투명은 60 % 이상 빛을 투과하는 것을 의미할 수 있다. 구체적으로, 75 % 이상 빛을 투과하는 것을 의미할 수 있다.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기발광소자는 광산란층을 포함할 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기발광소자는 상기 제1 전극의 유기물층이 구비되는 면과 대향하는 면에 기판을 더 포함하고, 상기 기판과 상기 제1 전극 사이에 구비된 광산란층을 더 포함할 수 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광산란층은 평탄층을 포함할 수 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 평탄층은 상기 제1 전극과 상기 광산란층 사이에 구비될 수 있다.

또는, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기발광소자는 상기 제1 전극의 유기물층이 구비되는 면과 대향하는 면에 기판을 더 포함하고, 상기 기판의 제1 전극이 구비된 면에 대향하는 면에 광산란층을 더 포함할 수 있다.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광산란층 또는 광산란층은 광산란을 유도하여, 상기 유기발광소자의 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 구조라면 특별히 제한하지 않는다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광산란층은 바인더 내에 산란입자가 분산된 구조, 요철을 가진 필름, 및/또는 헤이즈(hazeness)를 갖는 필름일 수 있다.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광산란층은 기판 위에 스핀 코팅, 바 코팅, 슬릿 코팅 등의 방법에 의하여 직접 형성되거나, 필름 형태로 제작하여 부착하는 방식에 의하여 형성될 수 있다.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기발광소자는 플랙시블(flexible) 유기발광소자일 수 있다. 이 경우, 상기 기판은 플랙시블 재료를 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 기판은 휘어질 수 있는 박막 형태의 글래스, 플라스틱 기판 또는 필름 형태의 기판일 수 있다.

상기 플라스틱 기판의 재료는 특별히 한정하지는 않으나, 일반적으로 PET(polyethylene terephthalate), PEN(Polyethylene naphthalate), PEEK(Polyether ether ketone) 및 PI(Polyimide) 등의 필름을 단층 또는 복층의 형태로 포함하는 것일 수 있다.

본 명세서는 상기 유기발광소자를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다. 상기 디스플레이 장치에서 상기 유기발광소자는 화소 또는 백라이트 역할을 할 수 있다. 그 외, 디스플레이 장치의 구성은 당 기술분야에 알려져 있는 것들이 적용될 수 있다.

본 명세서는 상기 유기발광소자를 포함하는 조명 장치를 제공한다. 상기 조명 장치에서 상기 유기발광소자는 발광부의 역할을 수행한다. 그 외, 조명 장치에 필요한 구성들은 당 기술분야에 알려져 있는 것들이 적용될 수 있다.

이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.

[ 실시예 1-1]

발광 면적이 90 ㎜ × 90 ㎜ 이고, 발광층이 3개인 유기발광소자를 제작하였다, 구체적으로, 투명 기판 상에 Al을 400 ㎛ 증착하고, 포토레지스트 공정을 이용하여 선폭 40 ㎛, 피치 840 ㎛인 보조 전극을 형성하였다. 이때의 보조전극의 면저항값은 약 1±0.5 Ω/□ 이었다. 이후, GAZO를 이용하여 제1 전극을 100 ㎚ 두께로 형성하고, 250 ℃에서 1시간동안 베이킹하였다. 이 경우, 제1 전극의 면저항은 5.0E+03 Ω/□ 이었다. 보조전극상에 동일 패턴으로 선폭 50 ㎛의 절연층을 형성하여 보조 전극 상에서 유기물층의 발광이 일어나지 않도록 하였다.

나아가, 3층의 발광층이 구비되도록 유기물층을 형성하고, Al을 이용하여 제2 전극을 형성하여 유기발광소자를 제조하였다.

나아가, 단락 발생시 유기발광소자가 정상 작동하는지 확인하기 위하여, 인위적으로 국부적인 압력을 가하여 단락 발생을 유도하였다.

[ 실시예 1-2]

제1 전극의 면저항을 2.0E+04 Ω/□ 로 형성한 것을 제외하고, 실시예 1-1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.

[ 실시예 1-3]

제1 전극의 면저항을 2.3E+04 Ω/□ 로 형성한 것을 제외하고, 실시예 1-1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.

[ 실시예 1-4]

제1 전극의 면저항을 7.0E+04 Ω/□ 로 형성한 것을 제외하고, 실시예 1-1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.

[ 실시예 1-5]

제1 전극의 면저항을 1.2E+05 Ω/□ 로 형성한 것을 제외하고, 실시예 1-1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.

[ 비교예 1]

제1 전극을 일반적인 유기발광소자에 사용하는 면저항 20 Ω/□의 ITO로 형성한 것을 제외하고, 실시예 1-1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.

단락이 발생한 경우, 비교예 1에 따른 유기발광소자는 전체가 작동하지 않았다.

실시예 1-1 내지 1-5 및 비교예 1에 따른 유기발광소자에 있어서, 단락 발생 전과 후에 각각 역전압 8.5 V를 인가하여 누설 전류량을 확인하였으며, 이는 하기 표 2에 나타내었다. 누설 전류량 측정시, 발광을 위한 전류를 제외한 누설 전류량을 측정하기 위하여 역전압을 인가하였다.

	제1 전극의 면저항(Ω/□)	단락 발생 전 -8.5V 전류 (mA)	단락 발생 후 -8.5V 전류 (mA)
비교예 1	20	3.0E-03	> 100
실시예 1-1	5.0E+03	1.1E-03	2.1426
실시예 1-2	2.0E+04	9.0E-04	0.3238
실시예 1-3	2.3E+04	1.0E-03	0.2547
실시예 1-4	7.0E+04	2.2E-03	0.0747
실시예 1-5	1.2E+05	5.0E-04	0.0533

실시예 1-1 내지 1-5의 단락 발생 전후의 작동전압의 역전압에서의 누설전류량은 2 내지 0.5 mA로서, 정상 작동전류 160 mA 수준에 비하여 1 % 이하 수준임을 확인하였다.

구체적으로, 상기 실시예 1-1 내지 1-5는 제1 전극의 면저항이 5,000 Ω/□ 이상에서 단락방지 기능이 작동함을 확인하였다.

[ 실시예 2]

제1 전극의 면저항 값을 다양하게 조절한 것을 제외하고, 상기 실시예 1-1와 동일한 방법으로 제작한 유기발광소자들의 전류밀도에 따른 작동 전압을 측정하였다.

이의 결과는 하기 표 3에 나타내었다. 하기 표 3에서 확인할 수 있듯이, 전술한 시뮬레이션 결과에 따른 표 1과 마찬가지로, 제1 전극의 면저항값 상승에 따른 작동 전압의 상승은 경미한 것으로 확인하였다.

구체적으로, 표 1의 시뮬레이션 결과에 따르면, 동일 전류밀도 상에서 제1 전극의 면저항이 1 ㏁/□ 인 경우, 10 ㏀/□ 일 때 보다 약 2 %의 에너지 효율 감소가 발생한다. 마찬가지로, 하기 표 3의 결과에 따르면, 제1 전극의 면저항 평균이 2.0E+05 Ω/□ 인 경우, 4.7E+03 Ω/□일 때 보다 약 1 %의 에너지 효율 감소가 발생하는 것을 알 수 있다. 상기 효율 감소는 동일 전류밀도에서 작동 전압 상승률로 계산이 가능하다.

	제1 전극의 면저항 평균(Ω/□)	1 ㎃/㎠ 에서의 작동 전압(V)	2 ㎃/㎠ 에서의 작동 전압(V)
실시예 2-1	4.7E+03	8.26	8.65
실시예 2-2	6.0E+03	8.24	8.68
실시예 2-3	2.0E+04	8.23	8.66
실시예 2-4	9.0E+04	8.25	8.68
실시예 2-5	1.2E+05	8.27	8.71
실시예 2-6	1.3E+05	8.28	8.72
실시예 2-7	2.0E+05	8.31	8.76

Claims

제1 전극;

상기 제1 전극에 대향하여 구비된 제2 전극;

상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 구비된 발광층을 포함하는 1층 이상의 유기물층; 및

상기 제1 전극의 상면, 하면 또는 측면 상에 구비되어 상기 제1 전극과 전기적으로 연결된 그물망 구조의 보조 전극을 포함하고,

상기 보조 전극의 그물눈은 상기 유기발광소자의 픽셀을 형성하며,

상기 제1 전극의 면저항은 5,000 Ω/□ 이상이고,

상기 제1 전극의 면저항과 어느 하나의 상기 픽셀 면적의 곱은 3,200 V㎠/A 이하인 유기발광소자.
청구항 1에 있어서,

상기 보조 전극의 면저항과 상기 유기발광소자의 전체 픽셀 면적의 곱은 960 V㎠/A 이하인 것인 유기발광소자.
청구항 1에 있어서,

상기 보조 전극의 면저항은 3 Ω/□ 이하인 것인 유기발광소자.
청구항 1에 있어서,

상기 보조 전극의 개구율은 70 % 이상인 것인 유기발광소자.
청구항 1에 있어서,

상기 픽셀의 면적은 0.01 ㎟ 이상 0.64 ㎠ 이하인 것인 유기발광소자.
청구항 1에 있어서,

상기 픽셀은 1,000 개 이상 1,000,000 개 이하인 것인 유기발광소자.
청구항 1에 있어서,

상기 제1 전극은 Nb계 산화물, Ti계 산화물, Zn계 산화물 및 전도성 고분자로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것인 유기발광소자.
청구항 1에 있어서,

상기 발광층은 1 이상 10 이하의 발광층을 포함하는 것인 유기발광소자.
청구항 1에 있어서,

상기 보조 전극과 유기물층 사이에 구비된 절연층을 더 포함하고, 상기 절연층의 직경은 상기 보조 전극의 선폭보다 10 ㎛ 이상 더 큰 것인 유기발광소자.
청구항 1에 있어서,

어느 하나의 픽셀과 다른 하나의 픽셀에서의 휘도 차이는 30 % 이내인 것인 유기발광소자.
청구항 1에 있어서,

상기 유기발광소자의 전체 발광 면적에서의 휘도 차이는 10 % 이내인 것인 유기발광소자.
청구항 1에 있어서,

상기 제1 전극의 면저항은 5,000 Ω/□ 이상이고,

상기 제1 전극의 면저항과 어느 하나의 상기 픽셀 면적의 곱은 3,200 V㎠/A 이하이며,

상기 보조 전극의 면저항과 상기 유기발광소자의 전체 픽셀 면적의 곱은 960 V㎠/A 이하인 것인 유기발광소자.
청구항 1에 있어서,

상기 제1 전극의 면저항은 5,000 Ω/□ 이상이고,

상기 제1 전극의 면저항과 어느 하나의 상기 픽셀 면적의 곱은 1,600 V㎠/A 이하이며,

상기 보조 전극의 면저항과 상기 유기발광소자의 전체 픽셀 면적의 곱은 480 V㎠/A 이하인 것인 유기발광소자.
청구항 1에 있어서,

상기 제1 전극의 면저항은 10,000 Ω/□ 이상이고,

상기 제1 전극의 면저항과 어느 하나의 상기 픽셀 면적의 곱은 3,200 V㎠/A 이하이며,

상기 보조 전극의 면저항과 상기 유기발광소자의 전체 픽셀 면적의 곱은 480 V㎠/A 이하인 것인 유기발광소자.
청구항 1에 있어서,

어느 하나의 상기 픽셀에 포함되는 제1 전극과 다른 하나의 픽셀에 포함되는 제1 전극과의 저항이 2,000 Ω 이상 800,000 Ω 이하인 것인 유기발광소자.
청구항 1에 있어서,

상기 각각의 픽셀은 색온도 2,000 K 이상 12,000 K 이하의 백색광을 발광하는 것인 유기발광소자.
청구항 1에 있어서,

상기 제1 전극의 유기물층이 구비되는 면과 대향하는 면에 구비된 기판을 더 포함하고,

상기 기판과 상기 제1 전극 사이에 구비된 광산란층을 더 포함하는 것인 유기발광소자.
청구항 17에 있어서,

상기 광산란층은 평탄층을 포함하는 것인 유기발광소자.
청구항 1에 있어서,

상기 제1 전극의 유기물층이 구비되는 면과 대향하는 면에 구비된 기판을 더 포함하고,

상기 기판의 제1 전극이 구비되는 면과 대향하는 면에 광산란층을 더 포함하는 것인 유기발광소자.
청구항 1에 있어서,

상기 유기발광소자는 플랙시블(flexible) 유기발광소자인 것인 유기발광소자.
청구항 1 내지 20 중 어느 한 항에 따른 유기발광소자를 포함하는 디스플레이 장치.
청구항 1 내지 20 중 어느 한 항에 따른 유기발광소자를 포함하는 조명 장치.