WO2016013533A1 - 電荷輸送性材料 - Google Patents

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直樹 中家
太一 中澤
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    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating

Definitions

  • the present invention relates to a charge transporting material.
  • organic electroluminescence element In an organic electroluminescence (hereinafter referred to as organic EL) element, a charge transporting thin film made of an organic compound is used as a light emitting layer or a charge injection layer.
  • the hole injection layer is responsible for charge transfer between the anode and the hole transport layer or the light emitting layer, and plays an important function to achieve low voltage driving and high luminance of the organic EL element.
  • the method of forming the hole injection layer is roughly divided into a dry process typified by vapor deposition and a wet process typified by spin coating. Compared with these processes, the wet process is flatter in a larger area. A highly efficient thin film can be produced efficiently.
  • a hole injection layer that can be formed by a wet process is desired.
  • the present inventors are applicable to various wet processes and have a charge transport property that provides a thin film that can realize excellent EL element characteristics when applied to a hole injection layer of an organic EL element.
  • Compounds having good solubility in materials and organic solvents used therefor have been developed (see, for example, Patent Documents 1 to 4).
  • Patent Documents 1 to 4 there is a constant demand for improvements in wet process materials for hole injection layers, and in particular, there is a need for wet process materials that provide thin films with excellent charge transport properties.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and exhibits good solubility in an organic solvent, and is excellent in charge transportability, flatness, and uniformity by being dissolved in an organic solvent and preparing a varnish.
  • An object of the present invention is to provide a charge transporting material capable of preparing a charge transporting varnish which gives a charge transporting thin film with good reproducibility.
  • a charge transporting material comprising a charge transporting material comprising hexacarbonitrile and a charge transporting material comprising a charge transporting compound having a molecular weight of 200 to 9,000 exhibits good solubility in an organic solvent.
  • a charge transporting thin film excellent in charge transporting property, flatness and uniformity can be obtained with good reproducibility from a varnish obtained by dissolving a transporting material in an organic solvent, and by using the thin film as a hole injection layer.
  • the present inventors have found that an organic EL device having excellent luminance characteristics can be obtained, and completed the present invention.
  • Patent Document 5 discloses a coating for organic EL in which dipyrazino [2,3-f: 2 ′, 3′-h] quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile is dissolved.
  • a liquid is disclosed, a charge transporting substance comprising dipyrazino [2,3-f: 2 ′, 3′-h] quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile and a molecular weight of 200
  • a charge transporting material comprising a charge transporting substance composed of ⁇ 9,000 charge transporting compounds.
  • the same document teaches that a charge transporting thin film having excellent charge transporting property, flatness and uniformity can be obtained with good reproducibility from a varnish obtained by dissolving such a charge transporting material in an organic solvent. There is no description to suggest or suggest this.
  • the present invention 1. a charge transport material comprising a compound represented by the formula (1) and a charge transport compound having a molecular weight of 200 to 9,000 (excluding the compound represented by the formula (1)).
  • a charge-transporting material characterized by containing an active substance, 2. 1 charge transporting material, wherein the charge transporting compound is at least one selected from arylamine derivatives, thiophene derivatives and pyrrole derivatives; 3. 1 or 2 charge transporting materials further comprising a dopant substance, 4).
  • a charge transporting varnish comprising any one of the charge transporting materials of 1 to 3 and an organic solvent, wherein the charge transporting material is dissolved in the organic solvent; 5. 4 charge transporting varnishes further containing an organosilane compound, 6).
  • a charge transporting material comprising a compound represented by 1) and a charge transporting material comprising a charge transporting compound having a molecular weight of 200 to 9,000 (excluding the compound represented by the formula (1)).
  • a method for reducing the driving voltage of an organic electroluminescent element comprising: a charge transporting material comprising: an organic solvent; and a charge transporting varnish in which the charge transporting material is dissolved in the organic solvent. I will provide a.
  • the charge transporting material of the present invention exhibits not only good solubility in an organic solvent but also excellent charge transporting property, the charge transporting property, flatness can be obtained by dissolving the charge transporting material in an organic solvent.
  • a charge transporting varnish that gives a charge transporting thin film having excellent uniformity can be easily prepared.
  • the thin film obtained from the charge transporting varnish prepared in this way is excellent in charge transporting property, flatness and uniformity, it can be suitably used as a thin film for electronic devices including organic EL elements. In particular, by applying this thin film to a hole injection layer of an organic EL element, an organic EL element with a low driving voltage can be obtained.
  • the charge transporting varnish prepared in this way can produce a thin film with excellent charge transportability with good reproducibility even when using various wet processes capable of forming a film over a large area, such as a spin coating method and a slit coating method. Therefore, it can sufficiently cope with the recent progress in the field of organic EL elements.
  • the thin film obtained from the charge transportable varnish of this invention is excellent in charge transportability, it can also be expected to be used as an anode buffer layer, an antistatic film or the like of an organic thin film solar cell.
  • a relatively low crystallinity substance is relatively crystalline.
  • FIG. 6 is an observation view of the thin film produced in Example 2-1 using a confocal laser microscope. It is an observation figure by the confocal laser microscope of the thin film produced in Example 2-2. It is an observation figure by the confocal laser microscope of the thin film produced in Comparative Example 2-1.
  • the charge transporting material according to the present invention includes a charge transporting material comprising a compound represented by the formula (1) and a charge transporting compound having a molecular weight of 200 to 9,000 (excluding the compound represented by the formula (1)).
  • charge transporting compound The compound represented by the formula (1) is dipyrazino [2,3-f: 2 ′, 3′-h] quinoxaline-2,3,6,7,10,11 having a CAS number of 105598-27-4. -Hexacarbonitrile.
  • the charge transportability is synonymous with conductivity, and is also synonymous with hole transportability.
  • the charge transporting varnish of the present invention may itself have charge transporting properties, or the solid film obtained using the varnish may have charge transporting properties.
  • the molecular weight of the charge transporting compound is 200 to 9,000 from the viewpoint of preparing a uniform varnish that gives a thin film having high flatness, but from the viewpoint of obtaining a charge transporting thin film having high solvent resistance. 300 or more, preferably 400 or more, and preferably 8,000 or less, more preferably 7,000 or less, and 6,000 from the viewpoint of preparing a uniform varnish that gives a highly flat thin film with good reproducibility. The following is more preferable, and 5,000 or less is more preferable.
  • the charge transporting compound preferably has no molecular weight distribution (dispersity is 1) (that is, preferably has a single molecular weight). ).
  • charge transporting compound those conventionally used in the field of organic EL and the like can be used.
  • specific examples thereof include oligoamine derivatives, N, N′-diarylbenzidine derivatives, arylamine derivatives such as N, N, N ′, N′-tetraarylbenzidine derivatives, oligothiophene derivatives, thienothiophene derivatives, thienobenzothiophenes.
  • Examples include various hole transport materials such as thiophene derivatives such as derivatives and pyrrole derivatives such as oligopyrrole, among which arylamine derivatives and thiophene derivatives are preferable, arylamine derivatives are more preferable, and formula (2) or (3 An aniline derivative represented by
  • R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a nitro group, a cyano group, or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom, It represents an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms or a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms.
  • halogen atom examples include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.
  • the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms may be linear, branched, or cyclic.
  • alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms include ethenyl group, n-1-propenyl group, n-2-propenyl group, 1-methylethenyl group, n-1-butenyl group, n-2-butenyl group, n-3-butenyl group, 2-methyl-1-propenyl group, 2-methyl-2-propenyl group, 1-ethylethenyl group, 1-methyl-1-propenyl group, 1-methyl-2-propenyl group, n- Examples thereof include a 1-pentenyl group, an n-1-decenyl group, and an n-1-eicosenyl group.
  • alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms examples include ethynyl group, n-1-propynyl group, n-2-propynyl group, n-1-butynyl group, n-2-butynyl group, and n-3-butynyl.
  • aryl group having 6 to 20 carbon atoms include phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 1-anthryl group, 2-anthryl group, 9-anthryl group, 1-phenanthryl group, 2-phenanthryl group. Group, 3-phenanthryl group, 4-phenanthryl group, 9-phenanthryl group and the like.
  • heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms include 2-thienyl group, 3-thienyl group, 2-furanyl group, 3-furanyl group, 2-oxazolyl group, 4-oxazolyl group, 5-oxazolyl group, Oxygen-containing heteroaryl groups such as 3-isoxazolyl group, 4-isoxazolyl group, 5-isoxazolyl group, 2-thiazolyl group, 4-thiazolyl group, 5-thiazolyl group, 3-isothiazolyl group, 4-isothiazolyl group, 5-isothiazolyl group Sulfur-containing heteroaryl groups such as 2-imidazolyl group, 4-imidazolyl group, 2-pyridyl group, 3-pyridyl group, 4-pyridyl group, 2-pyrazyl group, 3-pyrazyl group, 5-pyrazyl group, 6 -Pyrazyl group, 2-pyrimidyl group, 4-pyrimidyl group, 5-pyrimidyl group,
  • R 1 and R 2 are a hydrogen atom, a fluorine atom, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms that may be substituted with a halogen atom, or a carbon number that may be substituted with a halogen atom.
  • An aryl group of ⁇ 20 and a heteroaryl group of 2 to 20 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom are preferred, and a carbon number of 1 to 10 which may be substituted with a hydrogen atom, a fluorine atom, a cyano group or a halogen atom
  • a phenyl group which may be substituted with an alkyl group or a halogen atom is more preferred
  • a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group or a trifluoromethyl group is even more preferred, and a hydrogen atom is most preferred.
  • Ph 1 in the above formulas (2) and (3) represents a group represented by the formula (P1).
  • R 3 to R 6 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a nitro group, a cyano group, or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom, or 2 carbon atoms
  • Specific examples thereof include the above R 1 and R 2 The same thing as what was explained is mentioned.
  • a hydrogen atom, a fluorine atom, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom, or a carbon atom having 6 to 6 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom 20 aryl groups and heteroaryl groups having 2 to 20 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom are preferred, and those having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with a hydrogen atom, a fluorine atom, a cyano group or a halogen atom
  • An alkyl group and a phenyl group which may be substituted with a halogen atom are more preferable, a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group and a trifluoromethyl group are more preferable, and a hydrogen atom is most preferable.
  • Ar 1 in the above formula (2) independently of each other represents a group represented by any one of the formulas (B1) to (B11).
  • R 7 to R 27 , R 30 to R 51 and R 53 to R 154 may each independently be substituted with a hydrogen atom, a halogen atom, a nitro group, a cyano group, or a halogen atom.
  • R 28 and R 29 independently of each other represent an aryl group having 6 to 20 carbon atoms or a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms which may be substituted with Z 1
  • R 52 represents hydrogen atom may be substituted with Z 4, alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, which may be substituted with alkenyl or alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms having 2 to 20 carbon atoms, or Z 1,, carbon atoms 6-20 aryl groups or Represents a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms
  • Z 1 is a halogen atom, a nitro group, a cyano group, or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms which may be substituted with Z 2
  • Z 2 is an aryl group or carbon atom having 6 to 20 carbon atoms which may be substituted with a halogen
  • Alkyl group Represents an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms or an alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, and these halogen atoms, alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms, alkenyl groups having 2 to 20 carbon atoms, and alkynyl groups having 2 to 20 carbon atoms
  • Specific examples of the aryl group having 6 to 20 carbon atoms and the heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms are the same as those described for R 1 and R 2 above.
  • R 7 to R 27 , R 30 to R 51 and R 53 to R 154 are each substituted with a hydrogen atom, a fluorine atom, a cyano group, a diphenylamino group which may be substituted with a halogen atom, or a halogen atom.
  • Preferred are an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom, and a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom.
  • a hydrogen atom, a fluorine atom, a cyano group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom, or a phenyl group which may be substituted with a halogen atom is more preferable. And a trifluoromethyl group is more preferable, and a hydrogen atom is most preferable.
  • R 28 and R 29 are preferably an aryl group having 6 to 14 carbon atoms which may be substituted with Z 1 , or a heteroaryl group having 2 to 14 carbon atoms which may be substituted with Z 1.
  • an aryl group which may having 6 to 14 carbon atoms optionally substituted with 1 a phenyl group which may be substituted with Z 1, which may be substituted with Z 1 1-naphthyl group, substituted with Z 1
  • An optionally substituted 2-naphthyl group is even more preferred.
  • an aryl group of Z 1 is carbon atoms 6 also be ⁇ 20 substituted with a heteroaryl group which have 2-20 carbon atoms substituted with Z 1, with Z 4 alkyl group substituted-1 carbon atoms which may be 20, more preferably a hydrogen atom, Z 1 substituted by optionally 6 carbon atoms which may be ⁇ 14 aryl group, Z 1 carbon atoms which may be substituted with 2 A heteroaryl group having ⁇ 14, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with Z 4 , more preferably a hydrogen atom, an aryl group having 6 to 14 carbon atoms which may be substituted with Z 1 , Z even more preferably an alkyl group having a nitrogen-containing heteroaryl group, Z 4 carbon atoms which may be substituted with 1 to 10 also 1-2 carbon atoms 14 substituted with 1, hydrogen atom is substituted with Z 1 Optionally substituted with a phenyl group, Z 1 Good
  • Ar 4 represents, independently of each other, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms which may be substituted with a di (aryl group having 6 to 20 carbon atoms) amino group.
  • aryl group having 6 to 20 carbon atoms include the same as those described for R 1 and R 2.
  • di (aryl group having 6 to 20 carbon atoms) amino group include Examples thereof include a diphenylamino group, a 1-naphthylphenylamino group, a di (1-naphthyl) amino group, a 1-naphthyl-2-naphthylamino group, and a di (2-naphthyl) amino group.
  • Ar 4 includes phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 1-anthryl group, 2-anthryl group, 9-anthryl group, 1-phenanthryl group, 2-phenanthryl group, 3-phenanthryl group, 4- Phenanthryl group, 9-phenanthryl group, p- (diphenylamino) phenyl group, p- (1-naphthylphenylamino) phenyl group, p- (di (1-naphthyl) amino) phenyl group, p- (1-naphthyl-) A 2-naphthylamino) phenyl group and a p- (di (2-naphthyl) amino) phenyl group are preferred, and a p- (diphenylamino) phenyl group is more preferred.
  • DPA represents a diphenylamino group.
  • R 52 represents the same meaning as described above.
  • Ar 2 in the above formula (2) independently represents a group represented by any one of the formulas (A1) to (A18).
  • R 155 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, or an alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, which may be substituted with Z 4 , Or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms or a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms which may be substituted with Z 1 , and R 156 and R 157 are each independently substituted with Z 1 Represents an aryl group having 6 to 20 carbon atoms or a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms, DPA represents a diphenylamino group, and Ar 4 , Z 1 , Z 3 to Z 5 have the same meaning as described above.
  • an aryl group of Z 1 it is carbon atoms 6 also be ⁇ 20 substituted with a heteroaryl group which have 2-20 carbon atoms substituted with Z 1, with Z 4 alkyl group substituted-1 carbon atoms which may be 20, more preferably a hydrogen atom, Z 1 substituted by optionally 6 carbon atoms which may be ⁇ 14 aryl group, Z 1 carbon atoms which may be substituted with 2 A heteroaryl group having ⁇ 14, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with Z 4 , more preferably a hydrogen atom, an aryl group having 6 to 14 carbon atoms which may be substituted with Z 1 , Z even more preferably an alkyl group having a nitrogen-containing heteroaryl group, Z 4 carbon atoms which may be substituted with 1 to 10 also 1-2 carbon atoms 14 substituted with 1, hydrogen atom is substituted with Z 1 which may be a phenyl group, optionally
  • R 156 and R 157 are preferably an aryl group having 6 to 14 carbon atoms which may be substituted with Z 1 , or a heteroaryl group having 2 to 14 carbon atoms which may be substituted with Z 1. More preferably an aryl group which may having 6 to 14 carbon atoms optionally substituted with 1, a phenyl group which may be substituted with Z 1, which may be substituted with Z 1 1-naphthyl group, substituted with Z 1 An optionally substituted 2-naphthyl group is even more preferred.
  • the aniline derivative represented by the formula (2-1) is more preferably the aniline derivative represented by the formula (2). Further, as described later, it can be synthesized relatively easily using a relatively inexpensive bis (4-aminophenyl) amine as a raw material compound, and also has excellent solubility in an organic solvent.
  • the represented aniline derivative is preferably an aniline derivative represented by the formula (2-1).
  • Ph 1 and k have the same meaning as described above, and Ar 5 simultaneously represents a group represented by any one of the formulas (D1) to (D13).
  • a group represented by any one of D1 ′) to (D13 ′) is preferred.
  • Specific examples of Ar 5 include the same groups as those described above as specific examples of groups suitable as Ar 1 .
  • the aniline derivative represented by formula (2) is preferably an aniline derivative represented by formula (2-2).
  • Ar 6 represents a group represented by any one of formulas (E1) to (E14).
  • R 52 represents the same meaning as described above.
  • Ar 3 in the above formula (3) represents a group represented by any one of the formulas (C1) to (C8), and a group represented by any one of (C1 ′) to (C8 ′) is particularly preferable. .
  • k represents an integer of 1 to 10, and is preferably 1 to 5, more preferably 1 to 3, more preferably 1 or 2, from the viewpoint of increasing the solubility of the compound in an organic solvent.
  • 1 is optimal.
  • 1 represents 1 or 2.
  • Z 1 represents a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with Z 2
  • Z is an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms which may have, alkynyl group which 2 carbon atoms which may be ⁇ 10 substituted with Z 2 preferably substituted by 2
  • halogen atom, nitro group, cyano group, substituted with Z 2 is 1 carbon atoms which may be 1-3 alkyl group
  • Z 4 is preferably a halogen atom, a nitro group, a cyano group, or an aryl group having 6 to 14 carbon atoms which may be substituted with Z 5.
  • An atom, a nitro group, a cyano group, or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms which may be substituted with Z 5 is more preferable, and a fluorine atom or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms which may be substituted with Z 5 is Even more preferred are a fluorine atom and a phenyl group optionally substituted with Z 5 .
  • Z 2 is preferably a halogen atom, a nitro group, a cyano group, or an aryl group having 6 to 14 carbon atoms which may be substituted with Z 3.
  • Even more preferred are a fluorine atom and a phenyl group optionally substituted with Z 3 .
  • Z 5 is a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an alkyl group which 1 carbon atoms which may be ⁇ 10 substituted by Z 3, with Z 3
  • Z 3 is preferably a halogen atom, more preferably a fluorine atom.
  • Z 1 is a halogen atom, a nitro group, a cyano group, or an alkyl having 1 to 3 carbon atoms that may be substituted with Z 2.
  • group an alkenyl group of Z 2 ⁇ 2 carbon atoms which may be substituted with 1-3, an alkynyl group having 2 to 3 carbon atoms are preferable optionally substituted by Z 2, a halogen atom, optionally substituted by Z 2
  • More preferred are alkyl groups having 1 to 3 carbon atoms, and even more preferred are a fluorine atom and a methyl group optionally substituted with Z 2 .
  • Z 4 represents a halogen atom, a nitro group, a cyano group, or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms that may be substituted with Z 5.
  • a halogen atom more preferably an aryl group which may having 6 to 10 carbon atoms optionally substituted by Z 5, a fluorine atom, a phenyl group optionally substituted by Z 5 is more preferable.
  • Z 2 represents a halogen atom, a nitro group, a cyano group, or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms which may be substituted with Z 3. preferably, a halogen atom, more preferably an aryl group which may having 6 to 10 carbon atoms substituted with Z 3, fluorine atoms, the phenyl group which may be substituted with Z 3 more preferred.
  • Z 5 is a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms that may be substituted with Z 3 , Z 3-substituted 2 carbon atoms which may be 1-3 alkenyl group is preferably an alkynyl group which may having 2 or 3 carbon atoms optionally substituted by Z 3, halogen atom, optionally substituted by Z 3 An alkyl group having 1 to 3 carbon atoms is more preferable, and a fluorine atom and a methyl group which may be substituted with Z 3 are even more preferable.
  • Z 3 is preferably a halogen atom, more preferably a fluorine atom.
  • R 52 and R 155 include the following groups, but are not limited thereto.
  • Carbon number of the said alkyl group, alkenyl group, and alkynyl group becomes like this.
  • it is 10 or less, More preferably, it is 6 or less, More preferably, it is 4 or less.
  • carbon number of the said aryl group and heteroaryl group becomes like this.
  • it is 14 or less, More preferably, it is 10 or less, More preferably, it is 6 or less.
  • the aniline derivative represented by the above formula (2) can be produced by reacting an amine compound represented by the formula (4) and an aryl compound represented by the formula (5) in the presence of a catalyst.
  • X represents a halogen atom or a pseudohalogen group
  • Ar 1 , Ar 2 , Ph 1 and k have the same meaning as described above.
  • the aniline derivative represented by the formula (2-1) can be produced by reacting an amine compound represented by the formula (6) and an aryl compound represented by the formula (7) in the presence of a catalyst. .
  • the aniline derivative represented by the formula (2-2) can be produced by reacting bis (4-aminophenyl) amine with an aryl compound represented by the formula (8) in the presence of a catalyst.
  • the aniline derivative represented by the above formula (3) can be produced by reacting the amine compound represented by the formula (9) and the aryl compound represented by the formula (10) in the presence of a catalyst.
  • Examples of the halogen atom are the same as described above.
  • Examples of pseudohalogen groups include (fluoro) alkylsulfonyloxy groups such as methanesulfonyloxy group, trifluoromethanesulfonyloxy group, and nonafluorobutanesulfonyloxy group; aromatic sulfonyloxy groups such as benzenesulfonyloxy group and toluenesulfonyloxy group Is mentioned.
  • the charge ratio with respect to the compound can be equal to or greater than the equivalent amount of the aryl compound relative to the amount of all NH groups in the amine compound or bis (4-aminophenyl) amine, but is preferably about 1 to 1.2 equivalents. is there.
  • Examples of the catalyst used in the above reaction include copper catalysts such as copper chloride, copper bromide, copper iodide; Pd (PPh 3 ) 4 (tetrakis (triphenylphosphine) palladium), Pd (PPh 3 ) 2 Cl 2 (bis (triphenylphosphine) dichloropalladium), Pd (dba) 2 (bis (dibenzylideneacetone) palladium), Pd 2 (dba) 3 (tris (dibenzylideneacetone) dipalladium), Pd (Pt Examples thereof include palladium catalysts such as —Bu 3 ) 2 (bis (tri (t-butylphosphine)) palladium) and Pd (OAc) 2 (palladium acetate).
  • copper catalysts such as copper chloride, copper bromide, copper iodide
  • Pd (PPh 3 ) 4 tetrakis (triphenylphosphine) palladium
  • These catalysts may be used alone or in combination of two or more. These catalysts may be used together with a known appropriate ligand.
  • ligands include triphenylphosphine, tri-o-tolylphosphine, diphenylmethylphosphine, phenyldimethylphosphine, trimethylphosphine, triethylphosphine, tributylphosphine, tri-tert-butylphosphine.
  • the amount of the catalyst used can be about 0.2 mol with respect to 1 mol of the aryl compound represented by the formula (5), (7), (8) or (10), but about 0.15 mol is preferable. It is. When a ligand is used, the amount used can be 0.1 to 5 equivalents relative to the metal complex to be used, but 1 to 2 equivalents is preferred.
  • the above reactions are preferably performed in a solvent.
  • a solvent the type is not particularly limited as long as it does not adversely affect the reaction.
  • Specific examples include aliphatic hydrocarbons (pentane, n-hexane, n-octane, n-decane, decalin, etc.), halogenated aliphatic hydrocarbons (chloroform, dichloromethane, dichloroethane, carbon tetrachloride, etc.), aromatic Group hydrocarbons (benzene, nitrobenzene, toluene, o-xylene, m-xylene, p-xylene, mesitylene, etc.), halogenated aromatic hydrocarbons (chlorobenzene, bromobenzene, o-dichlorobenzene, m-dichlorobenzene, p-dichlorobenzene,
  • the reaction temperature may be appropriately set within the range from the melting point to the boiling point of the solvent to be used, but is preferably about 0 to 200 ° C, more preferably 20 to 150 ° C.
  • the desired aniline derivative can be obtained by post-treatment according to a conventional method.
  • the amine compound represented by the formula (4 ′) that can be used as a raw material is an amine compound represented by the formula (11) and the formula (12). Can be efficiently produced by reacting in the presence of a catalyst.
  • the above-described production method of the amine compound represented by the formula (4 ′) is a reaction in which the amine compound represented by the formula (11) and the aryl compound represented by the formula (12) are coupled.
  • the preparation of the amine compound represented by the formula (11) and the aryl compound represented by the formula (12) is preferably about 2 to 2.4 aryl compounds with respect to the amine compound 1 in terms of the substance amount ratio. is there.
  • the conditions regarding the catalyst, ligand, solvent, reaction temperature, etc. in the coupling reaction are the same as the above-described conditions described for the method for producing the aniline derivative represented by the formula (2).
  • Ar 1 is a group represented by Formula (B4) or a group represented by Formula (B10) in which R 52 is a hydrogen atom, or Ar 2 is represented by Formula (B).
  • R 52 is a hydrogen atom
  • Ar 2 is represented by Formula (B).
  • an aniline derivative in which the group represented by A12) or R 155 (including R 52 in formula (2-1)) is a group represented by formula (A16) in which hydrogen atom is used In, aryl compounds having a known protecting group on the amino group may be used.
  • the aniline derivative represented by the formula (2) or (3) can also be synthesized by the method described in International Publication No. 2015/050253.
  • the charge transport material of the present invention may contain a dopant substance from the viewpoint of improving the charge transport property. Although it does not specifically limit as a dopant substance, Both an inorganic type dopant substance and an organic type dopant substance can be used. In addition, inorganic and organic dopant materials may be used alone or in combination of two or more.
  • heteropolyacid is preferable as the inorganic dopant substance.
  • Heteropolyacids typically have a structure in which a heteroatom is located at the center of the molecule, represented by a Keggin type represented by formula (H1) or a Dawson type chemical structure represented by formula (H2), and vanadium ( V), molybdenum (Mo), tungsten (W), and other polyacids such as isopolyacids that are oxygen acids and oxygenates of different elements are condensed.
  • the oxygen acid of such a different element mainly include silicon (Si), phosphorus (P), and arsenic (As) oxygen acids.
  • heteropolyacid examples include phosphomolybdic acid, silicomolybdic acid, phosphotungstic acid, silicotungstic acid, and lintongue molybdic acid. These may be used alone or in combination of two or more. Good.
  • the heteropolyacid used by this invention is available as a commercial item, and can also be synthesize
  • the one kind of heteropolyacid is preferably phosphotungstic acid or phosphomolybdic acid, and phosphotungstic acid is most suitable.
  • one of the two or more types of heteropolyacids is preferably phosphotungstic acid or phosphomolybdic acid, and more preferably phosphotungstic acid.
  • Heteropolyacids are those obtained as commercially available products or known syntheses even if the number of elements in the quantitative analysis such as elemental analysis is large or small from the structure represented by the general formula As long as it is appropriately synthesized according to the method, it can be used in the present invention.
  • phosphotungstic acid is represented by the chemical formula H 3 (PW 12 O 40 ) ⁇ nH 2 O
  • phosphomolybdic acid is represented by the chemical formula H 3 (PMo 12 O 40 ) ⁇ nH 2 O, respectively.
  • P (phosphorus), O (oxygen), W (tungsten) or Mo (molybdenum) in this formula is large or small, it is obtained as a commercial product.
  • W (tungsten) or Mo (molybdenum) in this formula is large or small, it is obtained as a commercial product.
  • it can be used in the present invention.
  • the mass of the heteropolyacid defined in the present invention is not the mass of pure phosphotungstic acid (phosphotungstic acid content) in the synthesized product or commercially available product, but a commercially available form and a known synthesis. In a form that can be isolated by the method, it means the total mass in a state containing hydration water and other impurities.
  • the content varies depending on the type and amount of the charge transporting compound, the desired charge transporting property, etc. , With respect to the charge transporting substance 1, it is in the range of heteropolyacid 0.1 to 10.
  • examples of the organic dopant substance include tetracyanoquinodimethane derivatives, benzoquinone derivatives, arylsulfonic acid compounds, and the like, and tetracyanoquinodimethane derivatives and benzoquinone derivatives are particularly preferable.
  • Specific examples of the tetracyanoquinodimethane derivative include 7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (TCNQ) and halotetracyanoquinodimethane represented by the formula (H3).
  • benzoquinone derivative examples include tetrafluoro-1,4-benzoquinone (F4BQ), tetrachloro-1,4-benzoquinone (chloranil), tetrabromo-1,4-benzoquinone, 2,3-dichloro-5, And 6-dicyano-1,4-benzoquinone (DDQ).
  • F4BQ tetrafluoro-1,4-benzoquinone
  • chloranil tetrachloro-1,4-benzoquinone
  • DDQ 6-dicyano-1,4-benzoquinone
  • R 500 ⁇ R 503 are independently of each other, represent a hydrogen atom or a halogen atom, at least one is a halogen atom, it is preferable that at least two of a halogen atom, at least three of a halogen atom More preferably, all are most preferably halogen atoms.
  • a halogen atom A fluorine atom or a chlorine atom is preferable and a fluorine atom is more preferable.
  • halotetracyanoquinodimethane examples include 2-fluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane, 2-chloro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane. 2,5-difluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane, 2,5-dichloro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane, 2,3,5,6-tetra And chloro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane, 2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (F4TCNQ).
  • the content varies depending on the type and amount of the charge transporting compound, the desired charge transporting property, etc., and thus cannot be unconditionally specified. However, it is usually in the range of 0.0001 to 100 equivalents, preferably in the range of 0.01 to 50 equivalents, more preferably 1 to 20 with respect to the charge transporting substance 1 in terms of the substance amount ratio. Within the equivalent range.
  • arylsulfonic acid compound examples include benzenesulfonic acid, tosylic acid, p-styrenesulfonic acid, 2-naphthalenesulfonic acid, 4-hydroxybenzenesulfonic acid, 5-sulfosalicylic acid, p-dodecylbenzenesulfonic acid, dihexylbenzene.
  • Examples of preferred aryl sulfonic acid compounds as dopant substances in the present invention include aryl sulfonic acid compounds represented by formula (H4) or (H5).
  • a 1 represents O or S, and O is preferable.
  • a 2 represents a naphthalene ring or an anthracene ring, and a naphthalene ring is preferable.
  • a 3 represents a divalent to tetravalent perfluorobiphenyl group, and p represents the number of bonds between A 1 and A 3, and is an integer satisfying 2 ⁇ p ⁇ 4, and A 3 is perfluorobiphenyldiyl Group, preferably a perfluorobiphenyl-4,4′-diyl group, and p is preferably 2.
  • q represents the number of sulfonic acid groups bonded to A 2 and is an integer satisfying 1 ⁇ q ⁇ 4, but 2 is optimal.
  • a 4 to A 8 are independently of each other a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or a halogenated group having 2 to 20 carbon atoms.
  • An alkenyl group is represented, and at least three of A 4 to A 8 are halogen atoms.
  • halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms examples include trifluoromethyl group, 2,2,2-trifluoroethyl group, 1,1,2,2,2-pentafluoroethyl group, 3,3,3- Trifluoropropyl group, 2,2,3,3,3-pentafluoropropyl group, 1,1,2,2,3,3,3-heptafluoropropyl group, 4,4,4-trifluorobutyl group, 3,3,4,4,4-pentafluorobutyl group, 2,2,3,3,4,4,4-heptafluorobutyl group, 1,1,2,2,3,3,4,4, Examples include 4-nonafluorobutyl group.
  • alkenyl halide having 2 to 20 carbon atoms examples include a perfluorovinyl group, a perfluoropropenyl group (allyl group), a perfluorobutenyl group, and the like.
  • Other examples of the halogen atom and the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms are the same as those described above, and the halogen atom is preferably a fluorine atom.
  • a 4 to A 8 are a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or an alkenyl halide having 2 to 10 carbon atoms.
  • at least three of A 4 to A 8 are preferably fluorine atoms, hydrogen atom, fluorine atom, cyano group, alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and 1 to 5 carbon atoms.
  • the perfluoroalkyl group is a group in which all hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with fluorine atoms
  • the perfluoroalkenyl group is a group in which all hydrogen atoms of the alkenyl group are substituted with fluorine atoms.
  • R represents the number of sulfonic acid groups bonded to the naphthalene ring, and is an integer satisfying 1 ⁇ r ⁇ 4, preferably 2 to 4, and 2 is optimal.
  • the molecular weight of the aryl sulfonic acid compound used as the dopant substance is not particularly limited, but in consideration of increasing the solubility of the charge transporting material of the present invention in an organic solvent, it is preferably 2,000 or less, more Preferably it is 1,500 or less.
  • the content varies depending on the type and amount of the charge transporting compound, the desired charge transporting property, etc.
  • the charge transporting material 1 is usually within a range of 0.1 to 10 equivalents, preferably within a range of 0.5 to 5 equivalents, more preferably within a range of 0.8 to 3 equivalents. It is.
  • a commercially available product may be used as the aryl sulfonic acid compound, but it can also be synthesized by a known method described in International Publication No. 2006/025342, International Publication No. 2009/096352, or the like.
  • the charge transporting varnish of the present invention includes the above-described charge transporting material of the present invention and an organic solvent, and the charge transporting material is dissolved in the organic solvent.
  • a highly soluble solvent that can dissolve the charge transporting substance and the dopant substance satisfactorily can be used.
  • highly soluble solvents include cyclohexanone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, and diethylene glycol monomethyl ether.
  • organic solvents include, but are not limited to, organic solvents. These solvents can be used alone or in combination of two or more, and the amount used can be 5 to 100% by mass with respect to the total solvent used in the varnish.
  • the varnish has a viscosity of 10 to 200 mPa ⁇ s, particularly 35 to 150 mPa ⁇ s at 25 ° C., and a boiling point of 50 to 300 ° C., particularly 150 to 250 ° C. at normal pressure (atmospheric pressure).
  • a viscosity 10 to 200 mPa ⁇ s, particularly 35 to 150 mPa ⁇ s at 25 ° C., and a boiling point of 50 to 300 ° C., particularly 150 to 250 ° C. at normal pressure (atmospheric pressure).
  • the high viscosity organic solvent examples include cyclohexanol, ethylene glycol, ethylene glycol diglycidyl ether, 1,3-octylene glycol, diethylene glycol, dipropylene glycol, triethylene glycol, tripropylene glycol, 1,3-butanediol, Examples include, but are not limited to, 2,3-butanediol, 1,4-butanediol, propylene glycol, hexylene glycol, and the like. These solvents may be used alone or in combination of two or more.
  • the addition ratio of the high-viscosity organic solvent to the entire solvent used in the varnish of the present invention is preferably within a range where no solid precipitates, and the addition ratio is preferably 5 to 90% by mass as long as no solid precipitates.
  • solvents are used in an amount of 1 to 90% by mass, preferably It is also possible to mix at a ratio of 1 to 50% by mass.
  • solvents include propylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, dipropylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, and diethylene glycol.
  • Examples include, but are not limited to, monoethyl ether, diacetone alcohol, ⁇ -butyrolactone, ethyl lactate, and n-hexyl acetate. These solvents can be used alone or in combination of two or more.
  • the charge transport varnish of the present invention may contain an organosilane compound.
  • the hole injection layer is in contact with the hole injection layer on the side opposite to the anode, such as the hole transport layer and the light emitting layer.
  • the hole injecting ability to the layer stacked on the substrate can be increased.
  • the organosilane compound include dialkoxysilane compounds, trialkoxysilane compounds, and tetraalkoxysilane compounds, which may be used alone or in combination of two or more.
  • the organic silane compound preferably includes one selected from dialkoxysilane compounds and trialkoxysilane compounds, more preferably includes trialkoxysilane compounds, and includes fluorine atom-containing trialkoxysilane compounds. It is even more preferable.
  • alkoxysilane compounds include those represented by the formulas (S1) to (S3). Si (OR) 4 (S1) SiR ′ (OR) 3 (S2) Si (R ′) 2 (OR) 2 (S3)
  • R independently of one another, an alkyl group which have ⁇ 1 carbon atoms which may 20 substituted with Z 6, an alkenyl group is 2 carbon atoms which may be ⁇ 20 substituted with Z 6, with Z 6 substituted 1-2 carbon atoms which may be 20 alkynyl group, hetero Z 7 substituted by carbon atoms and optionally 6-20 aryl group or a carbon atoms which may be substituted with Z 7 2 - 20, It represents an aryl group, R 'independently of one another, Z 8 substituted by 1 carbon atoms which may be 1-20 alkyl group, an alkenyl group which 1-2 carbon atoms which may be 20 substituted with Z 8, alkynyl group which have 2-20 carbon atoms substituted with Z 8, Z 9 aryl group which have 6 to carbon atoms which may be 20 substituted or Z 9 2 carbon atoms which may be substituted with ⁇ Represents 20 heteroaryl groups.
  • Z 6 represents a heteroaryl group halogen atom, Z 10-substituted carbon atoms and optionally 6-20 aryl group or a Z 10 is 1-2 carbon atoms which may be 20 substituted with,
  • Z 7 is a halogen atom, may be substituted with an alkyl group, an alkenyl group carbon atoms which may be optionally 2-20 substituted by Z 10 or Z 10, a is 1 carbon atoms which may be ⁇ 20 substituted by Z 10
  • An alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms is represented.
  • Z 8 is a halogen atom, an aryl group which may 6 carbon atoms also be ⁇ 20 substituted by Z 10, heteroaryl group which optionally 2-20 carbon atoms substituted with Z 10, epoxycyclohexyl group, a glycidoxy group Methacryloxy group, acryloxy group, ureido group (—NHCONH 2 ), thiol group, isocyanate group (—NCO), amino group, —NHY 1 group, or —NY 2 Y 3 group, and Z 9 represents a halogen atom, Z 10 substituted by 1 carbon atoms which may be 1-20 alkyl group, Z 10-substituted 2 carbon atoms which may be 1-20 alkenyl group, Z 10 - 2 carbon atoms which may be substituted with 20 alkynyl group, an epoxycyclohexyl group, a glycidoxy group, a methacryloxy group, an acryloxy group, a ureido group (-NHCONH 2)
  • a halogen atom an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and Examples of the heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms are the same as those described above.
  • the alkyl group, alkenyl group and alkynyl group preferably have 10 or less carbon atoms, more preferably 6 or less, and still more preferably 4 or less.
  • the carbon number of the aryl group and heteroaryl group is preferably 14 or less, more preferably 10 or less, and even more preferably 6 or less.
  • R represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms which may be substituted with Z 6 , or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms which may be substituted with Z 7. are preferred, it may be substituted with Z 6, alkyl group or alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms having 1 to 6 carbon atoms, or more preferably a phenyl group which may be substituted with Z 7, with Z 6
  • An optionally substituted alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a phenyl group optionally substituted with Z 7 is more preferred, and a methyl group or ethyl group optionally substituted with Z 6 is more preferred.
  • R ' is preferably an aryl group which may having 6 to 20 carbon atoms substituted with an alkyl group or Z 9 of are 1 carbon atoms which may be ⁇ 20 substituted by Z 8, it is substituted with Z 8 More preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or an aryl group having 6 to 14 carbon atoms which may be substituted with Z 9 , and an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may be substituted with Z 8 ; Alternatively, an aryl group having 6 to 10 carbon atoms which may be substituted with Z 9 is more preferable, and may be substituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms which may be substituted with Z 8 or Z 9. More preferred is a phenyl group. A plurality of R may be all the same or different, and a plurality of R ′ may all be the same or different.
  • Z 6 is preferably a halogen atom or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms which may be substituted with Z 10 , more preferably a fluorine atom or a phenyl group which may be substituted with Z 10 , and not present ( That is, it is optimal to be unsubstituted.
  • Z 7 is preferably a halogen atom or an alkyl group having 6 to 20 carbon atoms which may be substituted with Z 10 , more preferably a fluorine atom or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with Z 10.
  • the Z 8, a halogen atom, Z a phenyl group optionally substituted with 10 good furanyl group optionally substituted by Z 10, epoxycyclohexyl group, a glycidoxy group, a methacryloxy group, an acryloxy group, a ureido group, thiol group, isocyanate group, an amino group, an optionally substituted phenylamino group Z 10 or better diphenylamino group optionally substituted by Z 10 is preferably, more preferably a halogen atom, a fluorine atom or absent, (That is, unsubstituted) is even more preferred.
  • Z 10 is preferably a halogen atom, more preferably a fluorine atom or not (ie, unsubstituted).
  • dialkoxysilane compounds include dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, methylethyldimethoxysilane, diethyldimethoxysilane, diethyldiethoxysilane, methylpropyldimethoxysilane, methylpropyldiethoxysilane, diisopropyldimethoxysilane, and phenylmethyl.
  • Dimethoxysilane vinylmethyldimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, 3- (3,4-epoxycyclohexyl) ethylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxy Propylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, ⁇ -aminopropyl Chill diethoxy silane, N- (2- aminoethyl) aminopropyl methyl dimethoxy silane, 3,3,3-trifluoropropyl methyl dimethoxy silane, and the like.
  • trialkoxysilane compounds include methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, propyltrimethoxysilane, propyltriethoxysilane, butyltrimethoxysilane, butyltriethoxysilane, Pentyltrimethoxysilane, pentyltriethoxysilane, heptyltrimethoxysilane, heptyltriethoxysilane, octyltrimethoxysilane, octyltriethoxysilane, dodecyltrimethoxysilane, dodecyltriethoxysilane, hexadecyltrimethoxysilane, hexadecyltriethoxy Silane, octadecyltrimethoxysilane, o
  • tetraalkoxysilane compound examples include tetraethoxysilane, tetramethoxysilane, tetrapropoxysilane and the like.
  • organic silane compound the organic silane compound which consists of a polymer is also mentioned.
  • a preferred example of such a polymer is an organic silane compound composed of a polymer having a weight average molecular weight of 500 to 10,000 prepared by hydrolysis and condensation of an alkoxysilane compound in advance, wherein the alkoxysilane compound has the formula What contains at least 1 sort (s) chosen from the alkoxysilane compound represented by (S4) and (S5) is mentioned.
  • a trialkoxysilane compound represented by the formula (S4) is preferably included.
  • R ′′ represents, independently of each other, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms substituted with Z 11 or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms substituted with Z 12
  • R ′′ ′ Each independently represent an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms which may be substituted with Z 13
  • Z 11 represents a halogen atom, a cyano group, a nitro group or 1 to 3 carbon atoms substituted with Z 13.
  • Z 12 is a halogen atom, a cyano group, a nitro Group or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms substituted with Z 13
  • Z 13 represents a halogen atom, a cyano group, or a nitro group.
  • alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms include methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, isopropoxy group, n-butyloxy group, isobutyloxy group, s-butyloxy group, t-butyloxy group, n- A linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms such as pentyloxy group, n-hexyloxy group, n-heptyloxy group, n-octyloxy group, n-nonyloxy group, n-decyloxy group, etc .; cyclopropyl Examples thereof include cyclic alkyl groups having 3 to 20 carbon atoms such as oxy group, cyclobutyloxy group, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group, cycloheptyloxy group, cyclooctyloxy group, cyclononyloxy group, and cyclodec
  • halogen atom examples include those similar to the above.
  • the alkyl group preferably has 10 or less carbon atoms, more preferably 6 or less, and even more preferably 4 or less.
  • the carbon number of the aryl group and heteroaryl group is preferably 14 or less, more preferably 10 or less, and even more preferably 6 or less.
  • Z 11 and Z 12 a halogen atom is preferable, and a fluorine atom is optimal, and Z 13 is preferably absent (that is, unsubstituted) in R ′ ′′, and Z 11 and Z 12
  • a halogen atom is preferable, and a fluorine atom is most preferable.
  • the alkyl group of Z 13 carbon number of 1 to 20 substituted with the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, at least one hydrogen atom include those substituted with Z 13, and specific examples thereof are Chloromethyl, dichloromethyl, trichloromethyl, bromomethyl, dibromomethyl, tribromomethyl, fluoromethyl, difluoromethyl, trifluoromethyl, 2,2,2-trichloroethyl, pentachloroethyl Group, 2,2,2-tribromoethyl group, pentabromoethyl group, 2,2,2-trifluoroethyl group, pentafluoroethyl group, 3,3,3-trichloropropyl group, 2,2,3, 3-tetrachloropropyl group, 2,2,3,3,3-pentachloropropyl group, heptachloropropyl group, heptachloroisopropyl Group, 3,3,3-tribromopropyl group, 2,2,
  • the alkyl group of Z 11 carbon number of 1 to 20 substituted with the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, at least one hydrogen atom include those substituted with Z 11, and specific examples thereof are
  • 3- (heptafluoroisopropoxy) propyl group, 4-trifluoromethylphenylmethyl group and the like can be mentioned.
  • An alkyl group substituted with an alkoxy group having a halogen atom, an aryl group or a heteroaryl group is preferred, and an alkyl group substituted with an alkoxy group having a fluorine atom, an aryl group or a heteroaryl group is more preferred.
  • alkoxy group of Z 13 carbon number of 1 to 20 substituted by may exclude hydrogen atoms on hydroxyl groups from an alcohol having an alkyl group of carbon number of 1 to 20 substituted by Z 13 as described above Groups such as chloromethoxy group, dichloromethoxy group, trichloromethoxy group, bromomethoxy group, dibromomethoxy group, tribromomethoxy group, fluoromethoxy group, difluoromethoxy group, trifluoromethoxy group, 2,2,2 -Trichloroethoxy group, pentachloroethoxy group, 2,2,2-tribromoethoxy group, pentabromoethoxy group, 2,2,2-trifluoroethoxy group, pentafluoroethoxy group, 3,3,3-trichloropropoxy Group, 2,2,3,3-tetrachloropropoxy group, 2,2,3,3,3-pentachloropropyl Poxy group, heptachloropropoxy group, heptachlor
  • Examples of the aryl group Z 13 carbon number of 6 to 20 substituted with, in the aryl group for 6 to 20 carbon atoms, at least one hydrogen atom include those substituted with Z 13, and specific examples thereof are 4-chlorophenyl group, 4-bromophenyl group, 4-fluorophenyl group, 2,4-dichlorophenyl group, 2,4-dibromophenyl group, 2,4-difluorophenyl group, pentachlorophenyl group, pentabromophenyl group, penta Halogenated aryl groups such as fluorophenyl group; Cyanoaryl groups such as 4-cyanophenyl, 2,4-dicyanophenyl group, 2,4,6-tricyanophenyl group; 4-nitrophenyl group, 2,4-dinitro And nitroaryl groups such as a phenyl group and 2,4,6-trinitrophenyl group.
  • fluoroaryl group is more preferable.
  • the aryl group having 6 to 20 carbon atoms substituted with Z 12 include the groups exemplified above for the aryl group having 6 to 20 carbon atoms substituted with Z 13 , 4-trichloromethylphenyl group, 4-tribromo Examples include an aryl group having a halogenated alkyl group such as a methylphenyl group and a 4-trifluoromethylphenyl group, and an aryl group having a fluorinated alkyl group is preferred.
  • the heteroaryl groups of Z 13 carbon number of 2-20 substituted with at heteroaryl groups of 2 to 20 carbon atoms include those with at least one hydrogen atom substituted with Z 13, and specific examples thereof Are 5-chloro-thiophen-2-yl group, 5-bromo-thiophen-2-yl group, 5-fluoro-thiophen-2-yl group, 5-chloro-thiophen-3-yl group, 5-bromo- Halogenated thienyl groups such as thiophen-3-yl group and 5-fluoro-thiophen-3-yl group; cyanothienyl groups such as 5-cyano-thiophen-2-yl group and 5-cyano-thiophen-3-yl group Nitrothienyl groups such as 5-nitro-thiophen-2-yl group and 5-nitro-thiophen-3-yl group; 5-chloro-furan-2-yl group, 5-bromo-furan-2-y Group, 5-fluoro-furan-2-yl group, 5-chloro-
  • cyanofuranyl groups such as 5-cyano-furan-2-yl group and 5-cyano-furan-3-yl group; 5-nitro-furan-2-yl group, 5-nitro-furan-3-yl group and the like
  • trialkoxysilane represented by the above formula (S4) include triethoxy (4- (trifluoromethyl) phenyl) silane, 3,3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane, perfluorooctyltriethoxysilane.
  • dialkoxysilane represented by the above formula (S5) include 3,3,3-trifluoropropylmethyldimethoxysilane.
  • the alkoxysilane compound represented by the above formula (S4) and / or the formula (S5) is used together with the alkoxy represented by the formulas (S6) to (S8).
  • At least one selected from silane compounds may be used in combination, and it is preferable to use a tetraalkoxysilane compound represented by the formula (S6) in combination in consideration of increasing the molecular weight of the obtained polymer.
  • R ′ ′′ ′′ each independently represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms which may be substituted with Z 13
  • R ′ ′′ ′′ ′ independently represents a carbon number 1-20 alkyl group
  • Z 14 alkenyl group which have 2-20 carbon atoms substituted with an alkynyl group of Z 14 are optionally 2-20 carbon atoms substituted with an aryl having 6 to 20 carbon atoms Or a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms which may be substituted with Z 15
  • Z 14 is substituted with a halogen atom, a nitro group, a cyano group, a hydroxyl group, a thiol group
  • Z 16 Represents an aryl group having 6 to 20 carbon atoms or a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms which may be substituted with Z 16
  • Z 15 represents a halogen atom, a nitro group, a cyano group, a hydroxyl group
  • alkyl group having 1 to 20 carbon atoms alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, aryl group having 6 to 20 carbon atoms, heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms
  • alkyl group having 1 to 20 carbon atoms alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms
  • alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms
  • aryl group having 6 to 20 carbon atoms aryl group having 6 to 20 carbon atoms
  • heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms Specific examples include the same ones as described above.
  • the alkyl group, alkenyl group and alkynyl group preferably have 10 or less carbon atoms, more preferably 6 or less, and even more preferably 4 or less.
  • the carbon number of the aryl group and heteroaryl group is preferably 14 or less, more preferably 10 or less, and even more preferably 6 or less.
  • R ′ ′′ ′′ is preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and even more preferably a methyl group or an ethyl group.
  • R ′ ′′ ′′ ′ is preferably an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, An alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms is still more preferable, and an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a phenyl group is more preferable.
  • a plurality of R ′ ′′ ′′ may be all the same or different, and a plurality of R ′ ′′ ′′ ′ may all be the same or different.
  • Z 13 is preferably a halogen atom, more preferably a fluorine atom, and most preferably not present (that is, unsubstituted).
  • the Z 14, a halogen atom, a phenyl group optionally substituted by Z 16, may furanyl preferably substituted by Z 16, and more preferably a halogen atom, a fluorine atom or the absence, (i.e., More preferably, it is unsubstituted.
  • Z 16 is preferably a halogen atom, more preferably a fluorine atom or not (ie, unsubstituted).
  • tetraalkoxysilane compound represented by the above formula (S6) include tetraethoxysilane, tetramethoxysilane, and tetrapropoxysilane.
  • dialkoxysilane compound represented by the above formula (S7) include dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, methylethyldimethoxysilane, diethyldimethoxysilane, diethyldiethoxysilane, methylpropyldimethoxysilane, and methylpropyldioxysilane.
  • Examples include ethoxysilane, diisopropyldimethoxysilane, phenylmethyldimethoxysilane, and vinylmethyldimethoxysilane.
  • Specific examples of the trialkoxysilane compound represented by the formula (S8) include methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, propyltrimethoxysilane, propyltriethoxysilane, and butyl.
  • the organosilane compound which consists of the said polymer can be obtained, for example by hydrolyzing and condensing the above-mentioned alkoxysilane compound single substance or 2 or more types of mixtures in presence of water.
  • the method for hydrolysis is not particularly limited, and a general method may be used.
  • an acid or a base can be used as a catalyst.
  • the content is usually relative to the mass of the charge transporting material (when the dopant material is included, the total mass of the charge transporting material and the dopant material). Although it is about 0.1 to 50% by mass, it suppresses a decrease in charge transportability of the obtained thin film, and is in contact with the hole injection layer made of the thin film obtained from the varnish on the cathode side described above. In consideration of increasing the hole injecting ability to the layer to be laminated, it is preferably about 0.5 to 40% by mass, more preferably about 0.8 to 30% by mass, and still more preferably about 1 to 20% by mass. It is.
  • the viscosity of the varnish of the present invention is appropriately set according to the thickness of the thin film to be produced and the solid content concentration, but is usually 1 to 50 mPa ⁇ s at 25 ° C., and its surface tension is usually 20 to 50 mN / m.
  • the solid content concentration of the charge transporting varnish is appropriately set in consideration of the viscosity and surface tension of the varnish, the thickness of the thin film to be produced, etc., but is usually 0.1 to 10.0 mass. In consideration of improving the coatability of the varnish, it is preferably about 0.5 to 5.0% by mass, more preferably about 1.0 to 3.0% by mass.
  • the method for preparing the varnish is not particularly limited. For example, a method in which the compound represented by the formula (1) is first dissolved in a solvent and a charge transporting compound is sequentially added thereto, or a formula (1 ) And a method of dissolving a mixture of a charge transporting compound in a solvent.
  • a method of dissolving a mixture of a charge transporting compound in a solvent when there are a plurality of organic solvents, for example, in a solvent that dissolves the compound represented by the formula (1) and the charge transporting compound well, first, these may be dissolved, and another solvent may be added thereto, The compound represented by the formula (1) and the charge transporting compound may be dissolved sequentially or simultaneously in a mixed solvent of a plurality of organic solvents.
  • the charge transporting varnish is obtained by dissolving the compound represented by the formula (1), the charge transporting compound and the like in an organic solvent, and then sub-micro order. It is desirable to filter using a filter or the like.
  • the charge transporting thin film of the present invention can be formed on a substrate by applying the above-described charge transporting varnish on the substrate and baking it.
  • the coating method of the varnish is not particularly limited, and examples thereof include a dipping method, a spin coating method, a transfer printing method, a roll coating method, a brush coating, an ink jet method, a spray method, and a slit coating method. Accordingly, it is preferable to adjust the viscosity and surface tension of the varnish.
  • the firing atmosphere is not particularly limited, and a thin film having a uniform film formation surface and a high charge transport property not only in the air atmosphere but also in an inert gas such as nitrogen or in a vacuum.
  • an inert gas such as nitrogen or in a vacuum.
  • the firing temperature is appropriately set within a range of about 100 to 260 ° C. in consideration of the intended use of the obtained thin film, the degree of charge transportability imparted to the obtained thin film, the type and boiling point of the solvent, and the like.
  • the obtained thin film is used as a hole injection layer of an organic EL device, it is preferably about 140 to 250 ° C., more preferably about 145 to 240 ° C.
  • a temperature change of two or more steps may be applied for the purpose of developing a higher uniform film forming property or causing the reaction to proceed on the substrate. What is necessary is just to perform using suitable apparatuses, such as oven.
  • the film thickness of the charge transporting thin film is not particularly limited, but is preferably 5 to 200 nm when used as a hole injection layer, a hole transport layer or a hole injection transport layer of an organic EL device.
  • a method of changing the film thickness there are methods such as changing the solid content concentration in the varnish and changing the amount of the solution on the substrate during coating.
  • the organic EL device of the present invention has a pair of electrodes, and has the above-described charge transporting thin film of the present invention between these electrodes.
  • Typical examples of the organic EL element include (a) to (f) below, but are not limited thereto.
  • an electron blocking layer or the like can be provided between the light emitting layer and the anode, and a hole (hole) blocking layer or the like can be provided between the light emitting layer and the cathode.
  • the hole injection layer, the hole transport layer, or the hole injection transport layer may have a function as an electron block layer or the like, and the electron injection layer, the electron transport layer, or the electron injection transport layer is a hole.
  • Anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode (b) Anode / hole injection layer / hole transport layer / light emission layer / electron injection transport layer / Cathode (c) anode / hole injection transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode (d) anode / hole injection transport layer / light emitting layer / electron injection transport layer / cathode (e) anode / positive Hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / cathode (f) anode / hole injection transport layer / light emitting layer / cathode
  • “Hole injection layer”, “hole transport layer” and “hole injection transport layer” are layers formed between a light emitting layer and an anode, and transport holes from the anode to the light emitting layer.
  • a hole injection transport layer In the case where only one layer of a hole transporting material is provided between the light emitting layer and the anode, it is a “hole injection transport layer”, and between the light emitting layer and the anode,
  • the layer close to the anode is a “hole injection layer”, and the other layers are “hole transport layers”.
  • the hole injection (transport) layer a thin film that is excellent not only in accepting holes from the anode but also injecting holes into the hole transport (light emitting) layer is used.
  • Electrode injection layer “Electron injection layer”, “electron transport layer” and “electron injection transport layer” are layers formed between a light emitting layer and a cathode, and have a function of transporting electrons from the cathode to the light emitting layer.
  • the layer of the electron transporting material is disposed between the light emitting layer and the cathode.
  • the layer close to the cathode is an “electron injection layer” and the other layers are “electron transport layers”.
  • the “light emitting layer” is an organic layer having a light emitting function, and includes a host material and a dopant material when a doping system is employed.
  • the host material mainly has a function of encouraging recombination of electrons and holes and confining excitons in the light emitting layer, and the dopant material efficiently emits excitons obtained by recombination. It has a function.
  • the host material mainly has a function of confining excitons generated by the dopant in the light emitting layer.
  • the charge transporting thin film of the present invention can be suitably used as a hole injection layer, a hole transport layer, and a hole injection transport layer in an organic EL device, and can be more suitably used as a hole injection layer.
  • Examples of materials used and methods for producing an organic EL device using the charge transporting varnish of the present invention include the following, but are not limited thereto.
  • the electrode substrate to be used is preferably cleaned in advance by liquid cleaning with a detergent, alcohol, pure water or the like.
  • the anode substrate is subjected to surface treatment such as UV ozone treatment or oxygen-plasma treatment immediately before use. It is preferable.
  • the surface treatment may not be performed.
  • the example of the manufacturing method of the organic EL element which has a positive hole injection layer which consists of a thin film obtained from the charge transportable varnish of this invention is as follows.
  • the charge transporting varnish of the present invention is applied onto the anode substrate and baked to produce a hole injection layer on the electrode.
  • a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a cathode are provided in this order.
  • the hole transport layer, the light-emitting layer, the electron transport layer, and the electron injection layer may be formed by either a vapor deposition method or a coating method (wet process) depending on the characteristics of the material used.
  • anode material examples include transparent electrodes typified by indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO), metal anodes typified by aluminum, alloys thereof, and the like. What performed the chemical conversion process is preferable. Polythiophene derivatives and polyaniline derivatives having high charge transporting properties can also be used. Other metals constituting the metal anode include scandium, titanium, vanadium, chromium, manganese, iron, cobalt, nickel, copper, zinc, gallium, yttrium, zirconium, niobium, molybdenum, ruthenium, rhodium, palladium, cadmium.
  • Materials for forming the hole transport layer include (triphenylamine) dimer derivative, [(triphenylamine) dimer] spirodimer, N, N′-bis (naphthalen-1-yl) -N, N′-bis (Phenyl) -benzidine ( ⁇ -NPD), N, N′-bis (naphthalen-2-yl) -N, N′-bis (phenyl) -benzidine, N, N′-bis (3-methylphenyl)- N, N′-bis (phenyl) -benzidine, N, N′-bis (3-methylphenyl) -N, N′-bis (phenyl) -9,9-spirobifluorene, N, N′-bis ( Naphthalen-1-yl) -N, N′-bis (phenyl) -9,9-spirobifluorene, N, N′-bis (3-methylphenyl) -N, N′-bis (phenyl) -9,9-spir
  • Materials for forming the light emitting layer include tris (8-quinolinolato) aluminum (III) (Alq 3 ), bis (8-quinolinolato) zinc (II) (Znq 2 ), bis (2-methyl-8-quinolinolato)- 4- (p-phenylphenolate) aluminum (III) (BAlq), 4,4′-bis (2,2-diphenylvinyl) biphenyl, 9,10-di (naphthalen-2-yl) anthracene, 2-t -Butyl-9,10-di (naphthalen-2-yl) anthracene, 2,7-bis [9,9-di (4-methylphenyl) -fluoren-2-yl] -9,9-di (4- Methylphenyl) fluorene, 2-methyl-9,10-bis (naphthalen-2-yl) anthracene, 2- (9,9-spirobifluoren-2-yl) -9,9-spir
  • luminescent dopants examples include 3- (2-benzothiazolyl) -7- (diethylamino) coumarin, 2,3,6,7-tetrahydro-1,1,7,7-tetramethyl-1H, 5H, 11H-10-.
  • Materials for forming the electron transport layer include 8-hydroxyquinolinolate-lithium, 2,2 ′, 2 ′′-(1,3,5-benztolyl) -tris (1-phenyl-1-H-benzimidazole) ), 2- (4-biphenyl) 5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline, 4, 7-diphenyl-1,10-phenanthroline, bis (2-methyl-8-quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminum, 1,3-bis [2- (2,2′-bipyridin-6-yl) -1,3,4-oxadiazo-5-yl] benzene, 6,6′-bis [5- (biphenyl-4-yl) -1,3,4-oxadiazo-2-yl] -2,2′- Bipyridine, 3- ( -Biphenyl
  • Materials for forming the electron injection layer include lithium oxide (Li 2 O), magnesium oxide (MgO), alumina (Al 2 O 3 ), lithium fluoride (LiF), sodium fluoride (NaF), magnesium fluoride ( MgF 2 ), cesium fluoride (CsF), strontium fluoride (SrF 2 ), molybdenum trioxide (MoO 3 ), aluminum, Li (acac), lithium acetate, lithium benzoate and the like.
  • Examples of the cathode material include aluminum, magnesium-silver alloy, aluminum-lithium alloy, lithium, sodium, potassium, cesium and the like.
  • the other example of the preparation methods of the organic EL element which has a positive hole injection layer which consists of a thin film obtained from the charge transportable varnish of this invention is as follows.
  • a hole transport layer hereinafter referred to as a hole transporting polymer layer
  • a light emitting layer hereinafter referred to as a “light emitting layer”.
  • the organic EL device having a charge transporting thin film formed by the charge transporting varnish of the present invention can be produced by sequentially forming the light emitting polymer layer.
  • the charge transporting varnish of the present invention is applied on the anode substrate to prepare a hole injection layer by the above method, and a hole transporting polymer layer and a light emitting polymer layer are sequentially formed thereon. Then, a cathode electrode is vapor-deposited to obtain an organic EL element.
  • the hole transporting polymer layer and the light emitting polymer layer can be formed by adding a solvent to a hole transporting polymer material or a light emitting polymer material, or a material obtained by adding a dopant substance to the hole transporting polymer material. And a method of forming a film by uniformly dispersing and coating the film on a hole injection layer or a hole transporting polymer layer and then firing the respective layers.
  • Examples of the light-emitting polymer material include polyfluorene derivatives such as poly (9,9-dialkylfluorene) (PDAF), poly (2-methoxy-5- (2′-ethylhexoxy) -1,4-phenylenevinylene) (MEH). And polyphenylene vinylene derivatives such as -PPV), polythiophene derivatives such as poly (3-alkylthiophene) (PAT), and polyvinylcarbazole (PVCz).
  • polyfluorene derivatives such as poly (9,9-dialkylfluorene) (PDAF), poly (2-methoxy-5- (2′-ethylhexoxy) -1,4-phenylenevinylene) (MEH).
  • polyphenylene vinylene derivatives such as -PPV
  • polythiophene derivatives such as poly (3-alkylthiophene) (PAT)
  • PVCz polyvinylcarbazole
  • Examples of the solvent include toluene, xylene, chloroform, and the like.
  • Examples of the dissolution or uniform dispersion method include methods such as stirring, heating and stirring, and ultrasonic dispersion.
  • the application method is not particularly limited, and examples thereof include an inkjet method, a spray method, a dipping method, a spin coating method, a transfer printing method, a roll coating method, and a brush coating method.
  • the application is preferably performed under an inert gas such as nitrogen or argon.
  • Examples of the firing method include a method of heating in an oven or a hot plate under an inert gas or in a vacuum.
  • the example of the manufacturing method of the EL element which has a positive hole transport layer which consists of a thin film obtained from the charge transportable varnish of this invention is as follows.
  • a hole injection layer is formed on the anode substrate.
  • the charge transporting varnish of the present invention is applied and baked by the above-described method to produce a hole transporting layer.
  • a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a cathode are provided in this order. Examples of the formation method and specific examples of the light emitting layer, the electron transport layer, and the electron injection layer are the same as described above.
  • the hole injection layer may be formed by either a vapor deposition method or a coating method (wet process) depending on the characteristics of the material used.
  • Materials for forming the hole injection layer include copper phthalocyanine, titanium oxide phthalocyanine, platinum phthalocyanine, pyrazino [2,3-f] [1,10] phenanthroline-2,3-dicarbonitrile, N, N, N ′.
  • N′-tetrakis (4-methoxyphenyl) benzidine 2,7-bis [N, N-bis (4-methoxy-phenyl) amino] -9,9-spirobifluorene, 2,2′-bis [N , N-bis (4-methoxy-phenyl) amino] -9,9-spirobifluorene, N, N′-diphenyl-N, N′-di [4- (N, N-ditolylamino) phenyl] benzidine, N , N′-diphenyl-N, N′-di [4- (N, N-diphenylamino) phenyl] benzidine, N 4 , N 4 ′ -(biphenyl-4,4′-diyl) bis (N 4 , N 4 ', N 4' - birds E sulfonyl-biphenyl-4,4'-diamine) N 1, N 1 '- ( biphenyl
  • 2010/058777 International Publication No. 2010/058776, International Publication No. 2013/042623, International Publication No. Examples include the charge transport materials described in 2013/129249, International Publication No. 2014/115865, International Publication No. 2014/12917, International Publication No. 2014/141998, and International Publication No. 2014/132934.
  • Examples of the anode material, the light emitting layer, the light emitting dopant, the material for forming the electron transport layer and the electron block layer, and the cathode material include the same materials as described above.
  • the example of the manufacturing method of the organic EL element which has a positive hole injection transport layer which consists of a thin film obtained from the charge transportable varnish of this invention is as follows.
  • a hole injection transport layer is formed on the anode substrate, and a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a cathode are provided in this order on the hole injection transport layer.
  • Examples of the formation method and specific examples of the light emitting layer, the electron transport layer, and the electron injection layer are the same as described above.
  • Examples of the anode material, the light emitting layer, the light emitting dopant, the material for forming the electron transport layer and the electron block layer, and the cathode material include the same materials as described above.
  • a hole block layer, an electron block layer, or the like may be provided between the electrode and any of the above layers as necessary.
  • a hole block layer, an electron block layer, or the like may be provided between the electrode and any of the above layers as necessary.
  • tris (phenylpyrazole) iridium etc. are mentioned as a material which forms an electronic block layer.
  • the materials constituting the anode and the cathode and the layer formed between them differ depending on whether a device having a bottom mission structure or a top emission structure is manufactured, and accordingly, the material is appropriately selected in consideration of this point.
  • a transparent anode is used on the substrate side, and light is extracted from the substrate side
  • a reflective anode made of metal is used in the opposite direction to the substrate. Because light is extracted from a certain transparent electrode (cathode) side, for example, regarding the anode material, a transparent anode such as ITO is used when manufacturing a device with a bottom emission structure, and Al is used when manufacturing a device with a top emission structure.
  • a reflective anode such as / Nd is used.
  • the organic EL device of the present invention may be sealed together with a water catching agent or the like according to a standard method in order to prevent deterioration of characteristics.
  • TP1 thiophene derivative represented by the formula (TP1) (hereinafter referred to as “TP1”) was synthesized by the following method.
  • the reaction mixture was cooled to room temperature, and the cooled reaction mixture, toluene, and ion-exchanged water were mixed to perform a liquid separation treatment.
  • the obtained organic layer was dried over sodium sulfate and concentrated.
  • the concentrated solution was filtered through silica gel, and 0.2 g of activated carbon was added to the obtained filtrate, followed by stirring at room temperature for 30 minutes. Thereafter, the activated carbon was removed by filtration, and the filtrate was concentrated.
  • the concentrated solution was added dropwise to a mixed solvent of methanol and ethyl acetate (500 mL / 500 mL), and the resulting slurry was stirred overnight at room temperature, and then the slurry was filtered to collect the residue.
  • Synthesis Example 3 Synthesis of Organosilane Compound In a 200 mL four-necked reaction flask equipped with a thermometer and a reflux tube, 18.4 g of hexylene glycol, 6.1 g of butyl cellosolve S, 23.3 g of tetraethoxysilane, and 3, A solution of alkoxysilane monomer was prepared by mixing 10.5 g of 3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane.
  • 2,3-butanediol hereinafter referred to as “2,3-BD”
  • DPM dipropylene glycol monomethyl ether
  • 0.003 g of 3,3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
  • 0.007 g of phenyltrimethoxysilane manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
  • Example 1-2 0.024 g of TP1 and 0.078 g of HAT-CN were dissolved in 3.5 g of DMI under a nitrogen atmosphere. To the resulting solution, 1.0 g of 2,3-BD and 0.5 g of DPM were added and stirred to prepare a charge transporting varnish.
  • Example 1-3 0.088 g of PCZ5 and 0.120 g of HAT-CN were dissolved in 7.0 g of DMI under a nitrogen atmosphere. To the resulting solution, 2.0 g of 2,3-BD and 1.0 g of DPM were added and stirred to prepare a charge transporting varnish.
  • PCZ5 0.055 g and HAT-CN 0.149 g were dissolved in 7.0 g of DMI under a nitrogen atmosphere. To the resulting solution, 2.0 g of 2,3-BD and 1.0 g of DPM were added and stirred to prepare a charge transporting varnish.
  • Example 1-5 0.088 g of PCZ5 and 0.120 g of HAT-CN were dissolved in 7.0 g of DMI under a nitrogen atmosphere. To the resulting solution, 2.0 g of 2,3-BD and 1.0 g of DPM were added and stirred, and further 0.104 g of the polysiloxane solution prepared in Synthesis Example 3 was added thereto and stirred to obtain a charge transporting varnish. Prepared.
  • Example 1-6 A charge transporting varnish was prepared in the same manner as in Example 1-5, except that the amount of the polysiloxane solution used was 0.208 g.
  • Example 1-7 0.087 g of PCZ5, 0.119 g of HAT-CN and 0.103 g of PTA were dissolved in 7.0 g of DMI under a nitrogen atmosphere. To the resulting solution, 2.0 g of 2,3-BD and 1.0 g of DPM were added and stirred, and further 0.007 g of 3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane and 0.014 g of phenyltrimethoxysilane were added thereto. Stir to prepare a charge transporting varnish.
  • Example 1-8 0.176 g of PCZ5 and 0.240 g of HAT-CN were dissolved in 7.0 g of DMI under a nitrogen atmosphere. To the resulting solution, 2.0 g of 2,3-BD and 1.0 g of DPM were added and stirred, and 0.417 g of the polysiloxane solution prepared in Synthesis Example 3 was further added thereto and stirred to obtain a charge transporting varnish. Prepared.
  • PCZ5 0.180 g, HAT-CN 0.245 g, and PTA 0.213 g were dissolved in 7.0 g of DMI under a nitrogen atmosphere.
  • 2.0 g of 2,3-BD and 1.0 g of DPM were added and stirred, and 0.014 g of 3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane and 0.028 g of phenyltrimethoxysilane were further added thereto.
  • Example 1-10 0.074 g of PCZ5, 0.101 g of HAT-CN, and 0.088 g of PTA were dissolved in 3.0 g of DMI under a nitrogen atmosphere. To the obtained solution, 1.5 g of 2,3-BD and 0.5 g of DPM were added and stirred, and further 0.006 g of 3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane and 0.012 g of phenyltrimethoxysilane were added thereto. Stir to prepare a charge transporting varnish.
  • Example 1-11 A charge transporting varnish was prepared in the same manner as in Example 1-10 except that the amounts of DMI, 2,3-BD and DPM used were 2.5 g, 2.0 g and 0.5 g, respectively.
  • Example 1-12 A charge transporting varnish was prepared in the same manner as in Example 1-10 except that the amounts of DMI, 2,3-BD and DPM were 2.5 g, 1.5 g and 1.0 g, respectively.
  • Example 2-1 Preparation of charge transporting thin film and surface observation
  • the varnish obtained in Example 1-1 was applied to an ITO substrate using a spin coater, and then pre-baked at 50 ° C. for 5 minutes in the air, followed by main baking at 230 ° C. for 15 minutes, A 30 nm thin film was formed on the substrate.
  • a glass substrate of 25 mm ⁇ 25 mm ⁇ 0.7 t on which ITO is patterned with a film thickness of 150 nm is used, and on the surface by an O 2 plasma cleaning apparatus (150 W, 30 seconds) before use. Impurities were removed (hereinafter the same).
  • Example 2-2 A thin film was formed in the same manner as in Example 2-1, except that the varnish obtained in Example 1-2 was used instead of the varnish obtained in Example 1-1.
  • Example 2 except that the varnish obtained in Comparative Example 1-1 was used instead of the varnish obtained in Example 1-1 and baked at 150 ° C. for 10 minutes instead of baked at 230 ° C. for 15 minutes.
  • a thin film was formed in the same manner as in -1.
  • membrane surface was large and it was not able to measure an exact film thickness. Therefore, the film thickness 30 nm of the thin film is an estimated value.
  • Example 2-1 The surfaces of the thin films obtained in Example 2-1, Example 2-2, and Comparative Example 2-1 were observed using a confocal laser microscope. The results are shown in FIGS. As is apparent from FIGS. 1 to 3, when the varnish of the comparative example was used, unevenness was observed on the surface of the obtained thin film, and a highly flat thin film was not obtained. When used, almost no surface unevenness was observed.
  • Example 3-1 Manufacture and evaluation of single layer element
  • a uniform thin film of 30 nm was formed on the ITO substrate by the same method as in Example 2-1.
  • an aluminum thin film was formed on the ITO substrate on which the thin film was formed using a vapor deposition apparatus to obtain a single layer element.
  • the film thickness of the aluminum thin film was 120 nm, and the vapor deposition was performed under the conditions of a degree of vacuum of 1.3 ⁇ 10 ⁇ 3 Pa and a vapor deposition rate of 0.2 nm / second.
  • the element was sealed with a sealing substrate, and then the characteristic was evaluated.
  • Sealing was performed according to the following procedure. In a nitrogen atmosphere with an oxygen concentration of 2 ppm or less and a dew point of ⁇ 85 ° C. or less, the device is placed between the sealing substrates, and the sealing substrate is attached with an adhesive (MORESCO Corp., Mores Moisture Cut WB90US (P)). Combined. At this time, a water-absorbing agent (manufactured by Dynic Co., Ltd., HD-071010W-40) was placed in the sealing substrate together with the element. The bonded sealing substrate was irradiated with UV light (wavelength: 365 nm, irradiation amount: 6,000 mJ / cm 2 ), and then annealed at 80 ° C. for 1 hour to cure the adhesive.
  • UV light wavelength: 365 nm, irradiation amount: 6,000 mJ / cm 2
  • Example 3-1 A uniform thin film of 30 nm was formed on the ITO substrate by the same method as in Comparative Example 2-1. Then, a single layer element was produced in the same manner as in Example 3-1.
  • Comparative Example 3-2 A single layer device was produced in the same manner as in Comparative Example 3-1, except that the varnish obtained in Comparative Example 1-2 was used instead of the varnish obtained in Comparative Example 1-1.
  • Example 4-1 Production and evaluation of organic EL device [Example 4-1] A uniform thin film of 30 nm was formed on the ITO substrate by the same method as in Example 2-1. Next, ⁇ -NPD (N, N′-di (1-naphthyl) -N, N′-diphenyl) is applied to the ITO substrate on which the thin film has been formed using a vapor deposition apparatus (degree of vacuum 1.0 ⁇ 10 ⁇ 5 Pa). Benzidine) was deposited to a thickness of 30 nm at 0.2 nm / second. Next, CBP and Ir (PPy) 3 were co-evaporated.
  • ⁇ -NPD N, N′-di (1-naphthyl) -N, N′-diphenyl
  • the deposition rate was controlled so that the concentration of Ir (PPy) 3 was 6%, and the layers were laminated to 40 nm.
  • an organic EL element was obtained by sequentially laminating thin films of BAlq, lithium fluoride, and aluminum.
  • the deposition rate was 0.2 nm / second for BAlq and aluminum and 0.02 nm / second for lithium fluoride, and the film thicknesses were 20 nm, 0.5 nm, and 100 nm, respectively.
  • the element was sealed in the same manner as in Example 3-1.
  • Example 4-2 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 4-1, except that the varnish obtained in Example 1-2 was used instead of the varnish obtained in Example 1-1.
  • Example 4-3 Example 4 except that the varnish obtained in Example 1-1 was used instead of the varnish obtained in Example 1-1, and baked at 150 ° C. for 10 minutes instead of baked at 230 ° C. for 15 minutes. An organic EL device was produced in the same manner as in -1.
  • Example 4-4 Example 4 except that the varnish obtained in Example 1-4 was used instead of the varnish obtained in Example 1-1, and baked at 150 ° C. for 10 minutes instead of baking at 230 ° C. for 15 minutes. An organic EL device was produced in the same manner as in -1.
  • Example 4-5 Example 4 except that the varnish obtained in Example 1-5 was used instead of the varnish obtained in Example 1-1 and baked at 150 ° C. for 10 minutes instead of baked at 230 ° C. for 15 minutes. An organic EL device was produced in the same manner as in -1.
  • Example 4 was used except that the varnish obtained in Example 1-6 was used instead of the varnish obtained in Example 1-1 and baked at 150 ° C. for 10 minutes instead of baking at 230 ° C. for 15 minutes.
  • An organic EL device was produced in the same manner as in -1.
  • Example 4-7 Example 4 except that the varnish obtained in Example 1-7 was used instead of the varnish obtained in Example 1-1 and baked at 150 ° C. for 10 minutes instead of baked at 230 ° C. for 15 minutes. An organic EL device was produced in the same manner as in -1.
  • Example 4-8 Using the varnish obtained in Example 1-1 instead of the varnish obtained in Example 1-1, instead of firing at 230 ° C. for 15 minutes, firing at 150 ° C. for 10 minutes to form on the ITO substrate An organic EL device was produced in the same manner as in Example 4-1, except that the thickness of the thin film was 90 nm.
  • Example 4-9 Using the varnish obtained in Example 1-1 instead of the varnish obtained in Example 1-1, instead of baking at 230 ° C. for 15 minutes, baking at 150 ° C. for 10 minutes to form on the ITO substrate An organic EL device was produced in the same manner as in Example 4-1, except that the thickness of the thin film was 90 nm.
  • Example 4-10 Using the varnish obtained in Example 1-1 instead of the varnish obtained in Example 1-1, instead of firing at 230 ° C. for 15 minutes, firing at 150 ° C. for 10 minutes to form on the ITO substrate An organic EL element was produced in the same manner as in Example 4-1, except that the thickness of the thin film to be formed was 100 nm.
  • Example 4-11 Using the varnish obtained in Example 1-1 instead of the varnish obtained in Example 1-1, instead of firing at 230 ° C. for 15 minutes, firing at 150 ° C. for 10 minutes to form on the ITO substrate An organic EL element was produced in the same manner as in Example 4-1, except that the thickness of the thin film to be formed was 100 nm.
  • Example 4-12 Using the varnish obtained in Example 1-1 instead of the varnish obtained in Example 1-1, instead of firing at 230 ° C. for 15 minutes, firing at 150 ° C. for 10 minutes to form on the ITO substrate An organic EL element was produced in the same manner as in Example 4-1, except that the thickness of the thin film to be formed was 100 nm.
  • Example 4-13 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 4-8 except that the thickness of the thin film formed on the ITO substrate was 150 nm.
  • Comparative Example 4-1 A uniform thin film of 30 nm was formed on the ITO substrate by the same method as in Comparative Example 2-1. Then, an organic EL element was produced by the same method as in Example 4-1.
  • the driving voltage of the organic EL element of the example is low and its current efficiency is also high.
  • the driving voltage of the organic EL element can be reduced.
  • Example 4-1 the luminance half-life (initial luminance 5,000 cd / m 2 ) of the elements of Example 4-1 and Examples 4-3 to 4-13 was measured. The results are shown in Table 21.

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Abstract

　式（１）で表される化合物からなる電荷輸送性物質と、分子量２００～９，０００の電荷輸送性化合物からなる電荷輸送性物質とを含む電荷輸送性材料は、有機溶媒への良好な溶解性を示し、これを有機溶媒に溶解させることで、電荷輸送性、平坦性および均一性に優れる電荷輸送性薄膜を再現性よく与える電荷輸送性ワニスを調製できる。

Description

電荷輸送性材料
　本発明は、電荷輸送性材料に関する。
　有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬという）素子には、発光層や電荷注入層として、有機化合物からなる電荷輸送性薄膜が用いられる。特に、正孔注入層は、陽極と、正孔輸送層あるいは発光層との電荷の授受を担い、有機ＥＬ素子の低電圧駆動および高輝度を達成するために重要な機能を果たす。
　正孔注入層の形成方法は、蒸着法に代表されるドライプロセスと、スピンコート法に代表されるウェットプロセスとに大別され、これら各プロセスを比べると、ウェットプロセスの方が大面積に平坦性の高い薄膜を効率的に製造できる。それゆえ、有機ＥＬディスプレイの大面積化が進められている現在、ウェットプロセスで形成可能な正孔注入層が望まれている。
　このような事情に鑑み、本発明者らは、各種ウェットプロセスに適用可能であるとともに、有機ＥＬ素子の正孔注入層に適用した場合に優れたＥＬ素子特性を実現できる薄膜を与える電荷輸送性材料や、それに用いる有機溶媒に対する溶解性の良好な化合物を開発してきている（例えば特許文献１～４参照）。
　しかし、正孔注入層用のウェットプロセス材料に関しては常に改善が求められており、特に、電荷輸送性に優れた薄膜を与えるウェットプロセス材料が求められている。
国際公開第２００８／０６７２７６号 国際公開第２００８／１２９９４７号 国際公開第２００６／０２５３４２号 国際公開第２０１０／０５８７７７号 特開２０１４－３３００８号公報
　本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、有機溶媒への良好な溶解性を示し、有機溶媒に溶解させてワニスを調製することで、電荷輸送性、平坦性および均一性に優れる電荷輸送性薄膜を再現性よく与える電荷輸送性ワニスを調製できる電荷輸送性材料を提供することを目的とする。
　本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、ジピラジノ［２，３－ｆ：２’，３’－ｈ］キノキサリン－２，３，６，７，１０，１１－ヘキサカルボニトリルからなる電荷輸送性物質と、分子量２００～９，０００の電荷輸送性化合物からなる電荷輸送性物質とを含む電荷輸送性材料が、有機溶媒への良好な溶解性を示し、当該電荷輸送性材料を有機溶媒に溶解させて得られるワニスから、電荷輸送性、平坦性および均一性に優れる電荷輸送性薄膜が再現性よく得られること、並びに当該薄膜を正孔注入層として用いることで、優れた輝度特性の有機ＥＬ素子が得られることを見出し、本発明を完成させた。
　なお、特許文献５には、ジピラジノ［２，３－ｆ：２’，３’－ｈ］キノキサリン－２，３，６，７，１０，１１－ヘキサカルボニトリルを溶解させた有機ＥＬ用の塗布液が開示されているが、ジピラジノ［２，３－ｆ：２’，３’－ｈ］キノキサリン－２，３，６，７，１０，１１－ヘキサカルボニトリルからなる電荷輸送性物質と分子量２００～９，０００の電荷輸送性化合物からなる電荷輸送性物質とを含む電荷輸送性材料は具体的に開示されていない。
　また、同文献には、そのような電荷輸送性材料を有機溶媒に溶解させて得られるワニスから、電荷輸送性、平坦性および均一性に優れる電荷輸送性薄膜が再現性よく得られることを教示する記載も、これを示唆する記載もない。
　すなわち、本発明は、
１.　式（１）で表される化合物からなる電荷輸送性物質と、分子量２００～９，０００の電荷輸送性化合物（ただし、前記式（１）で表される化合物を除く）からなる電荷輸送性物質とを含むことを特徴とする電荷輸送性材料、
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 ２．　前記電荷輸送性化合物が、アリールアミン誘導体、チオフェン誘導体およびピロール誘導体から選ばれる少なくとも１種である１の電荷輸送性材料、
３．　さらにドーパント物質を含む１または２の電荷輸送性材料、
４．　１～３のいずれかの電荷輸送性材料、および有機溶媒を含み、前記電荷輸送性材料が、前記有機溶媒に溶解している電荷輸送性ワニス、
５．　さらに有機シラン化合物を含む４の電荷輸送性ワニス、
６．　４または５の電荷輸送性ワニスを用いて作製される電荷輸送性薄膜、
７．　６の電荷輸送性薄膜を有する有機エレクトロルミネッセンス素子、
８．　４または５の電荷輸送性ワニスを基材上に塗布し、乾燥させることを特徴とする電荷輸送性薄膜の製造方法、
９．　式（１）で表される化合物を用いて形成される電荷輸送性薄膜の平坦化方法であって、式（１）で表される化合物からなる電荷輸送性物質と、分子量２００～９，０００の電荷輸送性化合物（ただし、前記式（１）で表される化合物を除く）からなる電荷輸送性物質とを含む電荷輸送性材料、および有機溶媒を含み、前記電荷輸送性材料が前記有機溶媒に溶解している電荷輸送性ワニスを用いることを特徴とする電荷輸送性薄膜の平坦化方法、
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
 １０．　陽極および陰極と、これら各極間に介在する発光層、正孔注入層および正孔輸送層を含む複数の機能層と、を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動電圧の低減方法であって、式（１）で表される化合物からなる電荷輸送性物質と、分子量２００～９，０００の電荷輸送性化合物（ただし、前記式（１）で表される化合物を除く）からなる電荷輸送性物質とを含む電荷輸送性材料、および有機溶媒を含み、前記電荷輸送性材料が前記有機溶媒に溶解している電荷輸送性ワニスを用いることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動電圧の低減方法
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
 を提供する。
　本発明の電荷輸送性材料は、有機溶媒への良好な溶解性だけでなく優れた電荷輸送性を示すことから、当該電荷輸送性材料を有機溶媒に溶解させることで、電荷輸送性、平坦性および均一性に優れる電荷輸送性薄膜を与える電荷輸送性ワニスを容易に調製できる。
　また、このように調製した電荷輸送性ワニスから得られる薄膜は、電荷輸送性、平坦性および均一性に優れることから、有機ＥＬ素子をはじめとした電子デバイス用薄膜として好適に用いることができる。特に、この薄膜を有機ＥＬ素子の正孔注入層に適用することで、低駆動電圧の有機ＥＬ素子を得ることができる。
　さらに、このように調製した電荷輸送性ワニスは、スピンコート法やスリットコート法等、大面積に成膜可能な各種ウェットプロセスを用いた場合でも電荷輸送性に優れた薄膜を再現性よく製造できるため、近年の有機ＥＬ素子の分野における進展にも十分対応できる。
　そして、本発明の電荷輸送性ワニスから得られる薄膜は、電荷輸送性に優れることから、有機薄膜太陽電池の陽極バッファ層、帯電防止膜等として使用されることも期待できる。
　なお、本発明の電荷輸送性ワニスによって、電荷輸送性、平坦性および均一性に優れる薄膜が再現性よく得られる理由は定かではないが、比較的結晶性の低い物質を、比較的結晶性の高いジピラジノ［２，３－ｆ：２’，３’－ｈ］キノキサリン－２，３，６，７，１０，１１－ヘキサカルボニトリルとともに有機溶媒に溶解させてワニスを調製することで、当該ワニスから溶媒を除去して得られる固体膜の結晶性が低減され、その結果、ジピラジノ［２，３－ｆ：２’，３’－ｈ］キノキサリン－２，３，６，７，１０，１１－ヘキサカルボニトリルのみを溶解させたワニスによっては実現不可能であった、優れた電荷輸送性、平坦性および均一性が実現可能となったものと推測される。
実施例２－１で作製した薄膜の共焦点レーザー顕微鏡による観察図である。 実施例２－２で作製した薄膜の共焦点レーザー顕微鏡による観察図である。 比較例２－１で作製した薄膜の共焦点レーザー顕微鏡による観察図である。
　以下、本発明についてさらに詳しく説明する。
　本発明に係る電荷輸送性材料は、式（１）で表される化合物からなる電荷輸送性物質と、分子量２００～９，０００の電荷輸送性化合物（式（１）で表される化合物を除く。）（以下、単に「電荷輸送性化合物」ということがある。）とを含む。
　式（１）で表される化合物は、ＣＡＳ番号が１０５５９８－２７－４であるジピラジノ［２，３－ｆ：２’，３’－ｈ］キノキサリン－２，３，６，７，１０，１１－ヘキサカルボニトリルである。
　なお、電荷輸送性とは、導電性と同義であり、正孔輸送性とも同義である。また、本発明の電荷輸送性ワニスは、それ自体に電荷輸送性があるものでもよく、ワニスを使用して得られる固体膜に電荷輸送性があるものでもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
　本発明において、電荷輸送性化合物の分子量は、平坦性の高い薄膜を与える均一なワニスを調製する観点から、２００～９，０００であるが、耐溶剤性の高い電荷輸送性薄膜を得る観点から、３００以上が好ましく、４００以上がより好ましく、平坦性の高い薄膜をより再現性よく与える均一なワニスを調製する観点から、８，０００以下が好ましく、７，０００以下がより好ましく、６，０００以下がより一層好ましく、５，０００以下がさらに好ましい。
　なお、薄膜化した場合に電荷輸送性物質が分離することを防ぐ観点から、電荷輸送性化合物は分子量分布のない（分散度が１）ことが好ましい（すなわち、単一の分子量であることが好ましい）。
　電荷輸送性化合物としては、従来有機ＥＬの分野等で用いられるものを用いることができる。
　その具体例としては、オリゴアニリン誘導体、Ｎ，Ｎ'－ジアリールベンジジン誘導体、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'－テトラアリールベンジジン誘導体等のアリールアミン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、チエノチオフェン誘導体、チエノベンゾチオフェン誘導体等のチオフェン誘導体、オリゴピロール等のピロール誘導体などの各種正孔輸送性物質が挙げられるが、中でも、アリールアミン誘導体、チオフェン誘導体が好ましく、アリールアミン誘導体がより好ましく、式（２）または（３）で示されるアニリン誘導体がより一層好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
　式（３）中、Ｒ1およびＲ2は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはハロゲン原子で置換されていてもよい、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基、炭素数２～２０のアルキニル基、炭素数６～２０のアリール基もしくは炭素数２～２０のヘテロアリール基を表す。
　ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられるが、フッ素原子が好ましい。
　炭素数１～２０のアルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよく、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基等の炭素数１～２０の直鎖または分岐鎖状アルキル基；シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ビシクロブチル基、ビシクロペンチル基、ビシクロヘキシル基、ビシクロヘプチル基、ビシクロオクチル基、ビシクロノニル基、ビシクロデシル基等の炭素数３～２０の環状アルキル基などが挙げられる。
　炭素数２～２０のアルケニル基の具体例としては、エテニル基、ｎ－１－プロペニル基、ｎ－２－プロペニル基、１－メチルエテニル基、ｎ－１－ブテニル基、ｎ－２－ブテニル基、ｎ－３－ブテニル基、２－メチル－１－プロペニル基、２－メチル－２－プロペニル基、１－エチルエテニル基、１－メチル－１－プロペニル基、１－メチル－２－プロペニル基、ｎ－１－ペンテニル基、ｎ－１－デセニル基、ｎ－１－エイコセニル基等が挙げられる。
　炭素数２～２０のアルキニル基の具体例としては、エチニル基、ｎ－１－プロピニル基、ｎ－２－プロピニル基、ｎ－１－ブチニル基、ｎ－２－ブチニル基、ｎ－３－ブチニル基、１－メチル－２－プロピニル基、ｎ－１－ペンチニル基、ｎ－２－ペンチニル基、ｎ－３－ペンチニル基、ｎ－４－ペンチニル基、１－メチル－ｎ－ブチニル基、２－メチル－ｎ－ブチニル基、３－メチル－ｎ－ブチニル基、１，１－ジメチル－ｎ－プロピニル基、ｎ－１－ヘキシニル基、ｎ－１－デシニル基、ｎ－１－ペンタデシニル基、ｎ－１－エイコシニル基等が挙げられる。
　炭素数６～２０のアリール基の具体例としては、フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、１－アントリル基、２－アントリル基、９－アントリル基、１－フェナントリル基、２－フェナントリル基、３－フェナントリル基、４－フェナントリル基、９－フェナントリル基等が挙げられる。
　炭素数２～２０のヘテロアリール基の具体例としては、２－チエニル基、３－チエニル基、２－フラニル基、３－フラニル基、２－オキサゾリル基、４－オキサゾリル基、５－オキサゾリル基、３－イソオキサゾリル基、４－イソオキサゾリル基、５－イソオキサゾリル基等の含酸素ヘテロアリール基、２－チアゾリル基、４－チアゾリル基、５－チアゾリル基、３－イソチアゾリル基、４－イソチアゾリル基、５－イソチアゾリル基等の含硫黄ヘテロアリール基、２－イミダゾリル基、４－イミダゾリル基、２－ピリジル基、３－ピリジル基、４－ピリジル基、２－ピラジル基、３－ピラジル基、５－ピラジル基、６－ピラジル基、２－ピリミジル基、４－ピリミジル基、５－ピリミジル基、６－ピリミジル基、３－ピリダジル基、４－ピリダジル基、５－ピリダジル基、６－ピリダジル基、１，２，３－トリアジン－４－イル基、１，２，３－トリアジン－５－イル基、１，２，４－トリアジン－３－イル基、１，２，４－トリアジン－５－イル基、１，２，４－トリアジン－６－イル基、１，３，５－トリアジン－２－イル基、１，２，４，５－テトラジン－３－イル基、１，２，３，４－テトラジン－５－イル基、２－キノリニル基、３－キノリニル基、４－キノリニル基、５－キノリニル基、６－キノリニル基、７－キノリニル基、８－キノリニル基、１－イソキノリニル基、３－イソキノリニル基、４－イソキノリニル基、５－イソキノリニル基、６－イソキノリニル基、７－イソキノリニル基、８－イソキノリニル基、２－キノキサニル基、５－キノキサニル基、６－キノキサニル基、２－キナゾリニル基、４－キナゾリニル基、５－キナゾリニル基、６－キナゾリニル基、７－キナゾリニル基、８－キナゾリニル基、３－シンノリニル基、４－シンノリニル基、５－シンノリニル基、６－シンノリニル基、７－シンノリニル基、８－シンノリニル基等の含窒素ヘテロアリール基などが挙げられる。
　これらの中でも、Ｒ1およびＲ2は、水素原子、フッ素原子、シアノ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～２０のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数６～２０のアリール基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２～２０のヘテロアリール基が好ましく、水素原子、フッ素原子、シアノ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～１０のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいフェニル基がより好ましく、水素原子、フッ素原子、メチル基、トリフルオロメチル基がより一層好ましく、水素原子が最適である。
　上記式（２）および（３）におけるＰｈ1は、式（Ｐ１）で表される基を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
　ここで、Ｒ3～Ｒ6は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはハロゲン原子で置換されていてもよい、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基、炭素数２～２０のアルキニル基、炭素数６～２０のアリール基もしくは炭素数２～２０のヘテロアリール基を表し、これらの具体例としては、上記Ｒ1およびＲ2で説明したものと同様のものが挙げられる。
　特に、Ｒ3～Ｒ6としては、水素原子、フッ素原子、シアノ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～２０のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数６～２０のアリール基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２～２０のヘテロアリール基が好ましく、水素原子、フッ素原子、シアノ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～１０のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいフェニル基がより好ましく、水素原子、フッ素原子、メチル基、トリフルオロメチル基がより一層好ましく、水素原子が最適である。
　以下、Ｐｈ1として好適な基の具体例を挙げるが、これに限定されるわけではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
　上記式（２）におけるＡｒ1は、互いに独立して、式（Ｂ１）～（Ｂ１１）のいずれかで表される基を表すが、特に、式（Ｂ１′）～（Ｂ１１′）のいずれかで表される基が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
　ここで、Ｒ7～Ｒ27、Ｒ30～Ｒ51およびＲ53～Ｒ154は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはハロゲン原子で置換されていてもよい、ジフェニルアミノ基、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基、炭素数２～２０のアルキニル基、炭素数６～２０のアリール基もしくは炭素数２～２０のヘテロアリール基を表し、Ｒ28およびＲ29は、互いに独立して、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数６～２０のアリール基または炭素数２～２０のヘテロアリール基を表し、Ｒ52は、水素原子、Ｚ4で置換されてもよい、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基もしくは炭素数２～２０のアルキニル基、またはＺ1で置換されてもよい、炭素数６～２０のアリール基もしくは炭素数２～２０のヘテロアリール基を表し、Ｚ1は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはＺ2で置換されていてもよい、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基もしくは炭素数２～２０のアルキニル基を表し、Ｚ2は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはＺ3で置換されていてもよい、炭素数６～２０のアリール基もしくは炭素数２～２０のヘテロアリール基を表し、Ｚ3は、ハロゲン原子、ニトロ基またはシアノ基を表し、Ｚ4は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはＺ5で置換されていてもよい、炭素数６～２０のアリール基もしくは炭素数２～２０のヘテロアリール基を表し、Ｚ5は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはＺ3で置換されていてもよい、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基もしくは炭素数２～２０のアルキニル基を表し、これらハロゲン原子、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基、炭素数２～２０のアルキニル基、炭素数６～２０のアリール基および炭素数２～２０のヘテロアリール基の具体例としては、上記Ｒ1およびＲ2で説明したものと同様のものが挙げられる。
　特に、Ｒ7～Ｒ27、Ｒ30～Ｒ51およびＲ53～Ｒ154としては、水素原子、フッ素原子、シアノ基、ハロゲン原子で置換されていてもよいジフェニルアミノ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～２０のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数６～２０のアリール基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２～２０のヘテロアリール基が好ましく、水素原子、フッ素原子、シアノ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～１０のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいフェニル基がより好ましく、水素原子、フッ素原子、メチル基、トリフルオロメチル基がより一層好ましく、水素原子が最適である。
　また、Ｒ28およびＲ29としては、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数６～１４のアリール基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２～１４のヘテロアリール基が好ましく、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数６～１４のアリール基がより好ましく、Ｚ1で置換されていてもよいフェニル基、Ｚ1で置換されていてもよい１－ナフチル基、Ｚ1で置換されていてもよい２－ナフチル基がより一層好ましい。
　そして、Ｒ52としては、水素原子、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数６～２０のアリール基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２～２０のヘテロアリール基、Ｚ4で置換されていてもよい炭素数１～２０のアルキル基が好ましく、水素原子、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数６～１４のアリール基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２～１４のヘテロアリール基、Ｚ4で置換されていてもよい炭素数１～１０のアルキル基がより好ましく、水素原子、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数６～１４のアリール基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２～１４の含窒素ヘテロアリール基、Ｚ4で置換されていてもよい炭素数１～１０のアルキル基がより一層好ましく、水素原子、Ｚ1で置換されていてもよいフェニル基、Ｚ1で置換されていてもよい１－ナフチル基、Ｚ1で置換されていてもよい２－ナフチル基、Ｚ1で置換されていてもよい２－ピリジル基、Ｚ1で置換されていてもよい３－ピリジル基、Ｚ1で置換されていてもよい４－ピリジル基、Ｚ4で置換されていてもよいメチル基がさらに好ましい。
　また、Ａｒ4は、互いに独立して、ジ（炭素数６～２０のアリール基）アミノ基で置換されていてもよい炭素数６～２０のアリール基を表す。
　炭素数６～２０のアリール基の具体例としては、Ｒ1およびＲ2で説明したものと同様のものが挙げられ、ジ（炭素数６～２０のアリール基）アミノ基の具体例としては、ジフェニルアミノ基、１－ナフチルフェニルアミノ基、ジ（１－ナフチル）アミノ基、１－ナフチル－２－ナフチルアミノ基、ジ（２－ナフチル）アミノ基等が挙げられる。
　Ａｒ4としては、フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、１－アントリル基、２－アントリル基、９－アントリル基、１－フェナントリル基、２－フェナントリル基、３－フェナントリル基、４－フェナントリル基、９－フェナントリル基、ｐ－（ジフェニルアミノ）フェニル基、ｐ－（１－ナフチルフェニルアミノ）フェニル基、ｐ－（ジ（１－ナフチル）アミノ）フェニル基、ｐ－（１－ナフチル－２－ナフチルアミノ）フェニル基、ｐ－（ジ（２－ナフチル）アミノ）フェニル基が好ましく、ｐ－（ジフェニルアミノ）フェニル基がより好ましい。
　以下、Ａｒ1として好適な基の具体例を挙げるが、これらに限定されるわけではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
 （式中、ＤＰＡは、ジフェニルアミノ基を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
 （式中、Ｒ52は、上記と同じ意味を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
　上記式（２）におけるＡｒ2は、互いに独立して、式（Ａ１）～（Ａ１８）のいずれかで表される基を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
　ここで、式中、Ｒ155は、水素原子、Ｚ4で置換されていてもよい、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基もしくは炭素数２～２０のアルキニル基、またはＺ1で置換されていてもよい、炭素数６～２０のアリール基もしくは炭素数２～２０のヘテロアリール基を表し、Ｒ156およびＲ157は、互いに独立して、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数６～２０のアリール基または炭素数２～２０のヘテロアリール基を表し、ＤＰＡは、ジフェニルアミノ基を表し、Ａｒ4、Ｚ1，Ｚ3～Ｚ5は上記と同じ意味を表す。これらハロゲン原子、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基、炭素数２～２０のアルキニル基、炭素数６～２０のアリール基および炭素数２～２０のヘテロアリール基の具体例としては、上記Ｒ1およびＲ2で説明したものと同様のものが挙げられる。
　特に、Ｒ155としては、水素原子、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数６～２０のアリール基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２～２０のヘテロアリール基、Ｚ4で置換されていてもよい炭素数１～２０のアルキル基が好ましく、水素原子、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数６～１４のアリール基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２～１４のヘテロアリール基、Ｚ4で置換されていてもよい炭素数１～１０のアルキル基がより好ましく、水素原子、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数６～１４のアリール基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２～１４の含窒素ヘテロアリール基、Ｚ4で置換されていてもよい炭素数１～１０のアルキル基がより一層好ましく、水素原子、Ｚ1で置換されていてもよいフェニル基、Ｚ1で置換されていてもよい１－ナフチル基、Ｚ1で置換されていてもよい２－ナフチル基、Ｚ1で置換されていてもよい２－ピリジル基、Ｚ1で置換されていてもよい３－ピリジル基、Ｚ1で置換されていてもよい４－ピリジル基、Ｚ4で置換されていてもよいメチル基がさらに好ましい。
　また、Ｒ156およびＲ157としては、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数６～１４のアリール基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２～１４のヘテロアリール基が好ましく、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数６～１４のアリール基がより好ましく、Ｚ1で置換されていてもよいフェニル基、Ｚ1で置換されていてもよい１－ナフチル基、Ｚ1で置換されていてもよい２－ナフチル基がより一層好ましい。
　以下、Ａｒ2として好適な基の具体例を挙げるが、これらに限定されるわけではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
 （式中、ＤＰＡは、上記と同じ意味を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000026
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000027
 （式中、Ｒ155は、上記と同じ意味を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000028
　なお、式（２）においては、得られるアニリン誘導体の合成の容易性を考慮すると、Ａｒ1が全て同一の基であり、Ａｒ2が全て同一の基であることが好ましく、Ａｒ1およびＡｒ2が全て同一の基であることがより好ましい。すなわち、式（２）で表されるアニリン誘導体は、式（２－１）で表されるアニリン誘導体がより好ましい。
　また、後述するように原料化合物として比較的安価なビス（４－アミノフェニル）アミンを用いて比較的簡便に合成できるとともに、有機溶媒に対する溶解性に優れていることからも、式（２）で表されるアニリン誘導体は、式（２－１）で表されるアニリン誘導体が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000029
　式（２－１）中、Ｐｈ1およびｋは上記と同じ意味を表し、Ａｒ5は、同時に、式（Ｄ１）～（Ｄ１３）のいずれかで表される基を表すが、特に、式（Ｄ１′）～（Ｄ１３′）のいずれかで表される基であることが好ましい。
　なお、Ａｒ5の具体例としては、Ａｒ1として好適な基の具体例として上述したものと同様のものが挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
 （式中、Ｒ28、Ｒ29、Ｒ52、Ａｒ4およびＤＰＡは、上記と同じ意味を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000031
 （式中、Ｒ28、Ｒ29、Ｒ52、Ａｒ4およびＤＰＡは、上記と同じ意味を表す。）
　また、後述するように原料化合物として比較的安価なビス（４－アミノフェニル）アミンを用いて比較的簡便に合成できるとともに、得られるアニリン誘導体の有機溶媒に対する溶解性に優れていることから、式（２）で表されるアニリン誘導体は、式（２－２）で表されるアニリン誘導体が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000032
　上記Ａｒ6は、同時に、式（Ｅ１）～（Ｅ１４）のいずれかで表される基を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000033
 （式中、Ｒ52は、上記と同じ意味を表す。）
　上記式（３）におけるＡｒ3は、式（Ｃ１）～（Ｃ８）のいずれかで表される基を表すが、特に（Ｃ１′）～（Ｃ８′）のいずれかで表される基が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000034
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000035
　上記式（２）におけるｋは、１～１０の整数を表すが、化合物の有機溶媒への溶解性を高める観点から、１～５が好ましく、１～３がより好ましく、１または２がより一層好ましく、１が最適である。
　上記式（３）におけるｌは、１または２を表す。
　なお、Ｒ28、Ｒ29、Ｒ52およびＲ155～Ｒ157において、Ｚ1は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数１～１０のアルキル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数２～１０のアルケニル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数２～１０のアルキニル基が好ましく、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数１～３のアルキル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数２～３のアルケニル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数２～３のアルキニル基がより好ましく、フッ素原子、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数１～３のアルキル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数２～３のアルケニル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数２～３のアルキニル基がより一層好ましい。
　Ｒ28、Ｒ29、Ｒ52およびＲ155～Ｒ157において、Ｚ4は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ5で置換されていてもよい炭素数６～１４のアリール基が好ましく、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ5で置換されていてもよい炭素数６～１０のアリール基がより好ましく、フッ素原子、Ｚ5で置換されていてもよい炭素数６～１０のアリール基がより一層好ましく、フッ素原子、Ｚ5で置換されていてもよいフェニル基がさらに好ましい。
　Ｒ28、Ｒ29、Ｒ52およびＲ155～Ｒ157において、Ｚ2は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数６～１４のアリール基が好ましく、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数６～１０のアリール基がより好ましく、フッ素原子、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数６～１０のアリール基がより一層好ましく、フッ素原子、Ｚ3で置換されていてもよいフェニル基がさらに好ましい。
　Ｒ28、Ｒ29、Ｒ52およびＲ155～Ｒ157において、Ｚ5は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数１～１０のアルキル基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数２～１０のアルケニル基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数２～１０のアルキニル基が好ましく、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数１～３のアルキル基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数２～３のアルケニル基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数２～３のアルキニル基がより好ましく、フッ素原子、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数１～３のアルキル基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数２～３のアルケニル基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数２～３のアルキニル基がより一層好ましい。
　Ｒ28、Ｒ29、Ｒ52およびＲ155～Ｒ157において、Ｚ3は、ハロゲン原子が好ましく、フッ素原子がより好ましい。
　一方、Ｒ7～Ｒ27、Ｒ30～Ｒ51およびＲ53～Ｒ154において、Ｚ1は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数１～３のアルキル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数２～３のアルケニル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数２～３のアルキニル基が好ましく、ハロゲン原子、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数１～３のアルキル基がより好ましく、フッ素原子、Ｚ2で置換されていてもよいメチル基がより一層好ましい。
　Ｒ7～Ｒ27、Ｒ30～Ｒ51およびＲ53～Ｒ154において、Ｚ4は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ5で置換されていてもよい炭素数６～１０のアリール基が好ましく、ハロゲン原子、Ｚ5で置換されていてもよい炭素数６～１０のアリール基がより好ましく、フッ素原子、Ｚ5で置換されていてもよいフェニル基がより一層好ましい。
　Ｒ7～Ｒ27、Ｒ30～Ｒ51およびＲ53～Ｒ154において、Ｚ2は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数６～１０のアリール基が好ましく、ハロゲン原子、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数６～１０のアリール基がより好ましく、フッ素原子、Ｚ3で置換されていてもよいフェニル基がより一層好ましい。
　Ｒ7～Ｒ27、Ｒ30～Ｒ51およびＲ53～Ｒ154において、Ｚ5は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数１～３のアルキル基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数２～３のアルケニル基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数２～３のアルキニル基が好ましく、ハロゲン原子、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数１～３のアルキル基がより好ましく、フッ素原子、Ｚ3で置換されていてもよいメチル基がより一層好ましい。
　Ｒ7～Ｒ27、Ｒ30～Ｒ51およびＲ53～Ｒ154において、Ｚ3は、ハロゲン原子が好ましく、フッ素原子がより好ましい。
　上記Ｒ52およびＲ155として好適な基の具体例としては、以下の基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000036
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000037
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000038
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000039
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000040
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000041
　上記アルキル基、アルケニル基およびアルキニル基の炭素数は、好ましくは１０以下であり、より好ましくは６以下であり、より一層好ましくは４以下である。
　また、上記アリール基およびヘテロアリール基の炭素数は、好ましくは１４以下であり、より好ましくは１０以下であり、より一層好ましくは６以下である。
　上記式（２）で表されるアニリン誘導体は、式（４）で表されるアミン化合物と、式（５）で表されるアリール化合物とを、触媒存在下で反応させて製造できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000042
 （式中、Ｘは、ハロゲン原子または擬ハロゲン基を表し、Ａｒ1、Ａｒ2、Ｐｈ1およびｋは、上記と同じ意味を表す。）
　特に、式（２－１）で表されるアニリン誘導体は、式（６）で表されるアミン化合物と、式（７）で表されるアリール化合物とを、触媒存在下で反応させて製造できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000043
 （式中、Ｘ、Ａｒ5、Ｐｈ1およびｋは、上記と同じ意味を表す。）
　また、式（２－２）で表されるアニリン誘導体は、ビス（４－アミノフェニル）アミンと、式（８）で表されるアリール化合物とを、触媒存在下で反応させて製造できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000044
 （式中、ＸおよびＡｒ6は、上記と同じ意味を表す。）
　一方、上記式（３）で表されるアニリン誘導体は、式（９）で表されるアミン化合物と、式（１０）で表されるアリール化合物とを、触媒存在下で反応させて製造できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000045
 （式中、Ｘ、Ｒ1、Ｒ2、Ａｒ3、Ｐｈ1およびｌは、上記と同じ意味を表す。）
　ハロゲン原子としては、上記と同様のものが挙げられる。
　擬ハロゲン基としては、メタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、ノナフルオロブタンスルホニルオキシ基等の（フルオロ）アルキルスルホニルオキシ基；ベンゼンスルホニルオキシ基、トルエンスルホニルオキシ基等の芳香族スルホニルオキシ基などが挙げられる。
　式（４）、（６）もしくは（９）で表されるアミン化合物またはビス（４－アミノフェニル）アミンと、式（５）、（７）、（８）または（１０）で表されるアリール化合物との仕込み比は、アミン化合物またはビス（４－アミノフェニル）アミンの全ＮＨ基の物質量に対し、アリール化合物を当量以上とすることができるが、１～１．２当量程度が好適である。
　上記反応に用いられる触媒としては、例えば、塩化銅、臭化銅、ヨウ化銅等の銅触媒；Ｐｄ（ＰＰｈ3）4（テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム）、Ｐｄ（ＰＰｈ3）2Ｃｌ2（ビス（トリフェニルフォスフィン）ジクロロパラジウム）、Ｐｄ（ｄｂａ）2（ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム）、Ｐｄ2（ｄｂａ）3（トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム）、Ｐｄ（Ｐ－ｔ－Ｂｕ3）2（ビス（トリ（ｔ－ブチルフォスフィン））パラジウム）、Ｐｄ（ＯＡｃ）2（酢酸パラジウム）等のパラジウム触媒などが挙げられる。これらの触媒は、単独で用いてもよく、２種以上組み合わせて用いてもよい。また、これらの触媒は、公知の適切な配位子とともに使用してもよい。
　このような配位子としては、トリフェニルフォスフィン、トリ－ｏ－トリルフォスフィン、ジフェニルメチルフォスフィン、フェニルジメチルフォスフィン、トリメチルフォスフィン、トリエチルフォスフィン、トリブチルフォスフィン、トリ－ｔｅｒｔ－ブチルフォスフィン、ジ－ｔ－ブチル（フェニル）フォスフィン、ジ－ｔｅｒｔ－ブチル（４－ジメチルアミノフェニル）フォスフィン、１，２－ビス（ジフェニルフォスフィノ）エタン、１，３－ビス（ジフェニルフォスフィノ）プロパン、１，４－ビス（ジフェニルフォスフィノ）ブタン、１，１’－ビス（ジフェニルフォスフィノ）フェロセン等の３級フォスフィン、トリメチルフォスファイト、トリエチルフォスファイト、トリフェニルフォスファイト等の３級フォスファイトなどが挙げられる。
　触媒の使用量は、式（５）、（７）、（８）または（１０）で表されるアリール化合物１ｍｏｌに対して、０．２ｍｏｌ程度とすることができるが、０．１５ｍｏｌ程度が好適である。
　また、配位子を用いる場合、その使用量は、使用する金属錯体に対し０．１～５当量とすることができるが、１～２当量が好適である。
　原料化合物が全て固体である場合あるいは目的とするアニリン誘導体を効率よく得る観点から、上記各反応は溶媒中で行うことが好ましい。溶媒を使用する場合、その種類は、反応に悪影響を及ぼさないものであれば特に制限はない。具体例としては、脂肪族炭化水素類（ペンタン、ｎ－ヘキサン、ｎ－オクタン、ｎ－デカン、デカリン等）、ハロゲン化脂肪族炭化水素類（クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素等）、芳香族炭化水素類（ベンゼン、ニトロベンゼン、トルエン、ｏ－キシレン、ｍ－キシレン、ｐ－キシレン、メシチレン等）、ハロゲン化芳香族炭化水素類（クロロベンゼン、ブロモベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン、ｍ－ジクロロベンゼン、ｐ－ジクロロベンゼン等）、エーテル類（ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ｔ－ブチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、１，２－ジメトキシエタン、１，２－ジエトキシエタン等）、ケトン類（アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジ－ｎ－ブチルケトン、シクロヘキサノン等）、アミド類（Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド等）、ラクタムおよびラクトン類（Ｎ－メチルピロリドン、γ－ブチロラクトン等）、尿素類（Ｎ，Ｎ－ジメチルイミダゾリジノン、テトラメチルウレア等）、スルホキシド類（ジメチルスルホキシド、スルホラン等）、ニトリル類（アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル等）などが挙げられ、これらの溶媒は単独で用いても、２種以上混合して用いてもよい。
　反応温度は、用いる溶媒の融点から沸点までの範囲で適宜設定すればよいが、特に、０～２００℃程度が好ましく、２０～１５０℃がより好ましい。
　反応終了後は、常法にしたがって後処理をし、目的とするアニリン誘導体を得ることができる。
　上述の式（２）で表されるアニリン誘導体の製造方法において、原料として用い得る式（４’）で表されるアミン化合物は、式（１１）で表されるアミン化合物と、式（１２）で表されるアリール化合物とを、触媒存在下で反応させて効率よく製造することができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000046
 （式中、Ｘ、Ａｒ1、Ｐｈ1およびｋは、上記と同じ意味を表す。ただし、２つのＡｒ1が同時に式（Ｂ１）で表される基となることはない。）
　式（４’）で表されるアミン化合物の上記製造方法は、式（１１）で表されるアミン化合物と、式（１２）で表されるアリール化合物とをカップリング反応させるものであるが、式（１１）で表されるアミン化合物と、式（１２）で表されるアリール化合物との仕込みは、物質量比で、アミン化合物１に対して、アリール化合物２～２．４程度が好適である。
　その他、当該カップリング反応における触媒、配位子、溶媒、反応温度等に関する諸条件は、式（２）で表されるアニリン誘導体の製造方法について説明した上記条件と同じである。
　なお、式（２）において、Ａｒ1が、Ｒ52が水素原子である式（Ｂ４）で表される基または式（Ｂ１０）で表される基であるか、あるいは、Ａｒ2が、式（Ａ１２）で表される基またはＲ155（式（２－１）におけるＲ52を含む。）が水素原子である式（Ａ１６）で表される基であるアニリン誘導体を製造する場合、上述の反応においては、アミノ基上に公知の保護基を有するアリール化合物を用いてもよい。
　なお、式（２）または（３）で表されるアニリン誘導体は、国際公開第２０１５／０５０２５３号に記載の方法で合成することもできる。
　以下、式（２）または（３）で表されるアニリン誘導体の具体例を挙げるが、これらに限定されるわけではない。なお、式および表中、「Ｍｅ」はメチル基を、「Ｅｔ」はエチル基を、「Ｐｒn」はｎ－プロピル基を、「Ｐｒi」はｉ－プロピル基を、「Ｂｕn」はｎ－ブチル基を、「Ｂｕi」はｉ－ブチル基を、「Ｂｕs」はｓ－ブチル基を、「Ｂｕt」はｔ－ブチル基を、「ＤＰＡ」はジフェニルアミノ基を、「ＳＢＦ」は９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－イル基を、それぞれ示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000047
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000048
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000049
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000050
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000051
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000052
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000053
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000054
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000055
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000056
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000057
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000058
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000059
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000060
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000061
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000062
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000063
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000064
　本発明において、式（１）で表される化合物と、電荷輸送性化合物との比率は、物質量（モル）比で、式（１）で表される化合物：電荷輸送性化合物＝１：０．１～１０程度とすることができる。
　本発明の電荷輸送性材料は、電荷輸送性を向上させる観点から、ドーパント物質を含んでもよい。
　ドーパント物質としては、特に限定されるものではないが、無機系のドーパント物質、有機系のドーパント物質のいずれも使用できる。
　また、無機系および有機系のドーパント物質は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上組み合わせて用いてもよい。
　特に、本発明においては、無機系のドーパント物質としては、ヘテロポリ酸が好ましい。
　ヘテロポリ酸とは、代表的に式（Ｈ１）で示されるＫｅｇｇｉｎ型あるいは式（Ｈ２）で示されるＤａｗｓｏｎ型の化学構造で示される、ヘテロ原子が分子の中心に位置する構造を有し、バナジウム（Ｖ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等の酸素酸であるイソポリ酸と、異種元素の酸素酸とが縮合してなるポリ酸である。このような異種元素の酸素酸としては、主にケイ素（Ｓｉ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）の酸素酸が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000065
　ヘテロポリ酸の具体例としては、リンモリブデン酸、ケイモリブデン酸、リンタングステン酸、ケイタングステン酸、リンタングストモリブデン酸等が挙げられ、これらは単独で用いてもよく、２種以上組み合わせて用いてもよい。なお、本発明で用いるヘテロポリ酸は、市販品として入手可能であり、また、公知の方法により合成することもできる。
　特に、１種類のヘテロポリ酸を用いる場合、その１種類のヘテロポリ酸は、リンタングステン酸またはリンモリブデン酸が好ましく、リンタングステン酸が最適である。また、２種類以上のヘテロポリ酸を用いる場合、その２種類以上のヘテロポリ酸の１つは、リンタングステン酸またはリンモリブデン酸が好ましく、リンタングステン酸がより好ましい。
　なお、ヘテロポリ酸は、元素分析等の定量分析において、一般式で示される構造から元素の数が多いもの、または少ないものであっても、それが市販品として入手したもの、あるいは、公知の合成方法にしたがって適切に合成したものである限り、本発明において用いることができる。
　すなわち、例えば、一般的には、リンタングステン酸は化学式Ｈ3（ＰＷ12Ｏ40）・ｎＨ2Ｏで、リンモリブデン酸は化学式Ｈ3（ＰＭｏ12Ｏ40）・ｎＨ2Ｏでそれぞれ示されるが、定量分析において、この式中のＰ（リン）、Ｏ（酸素）またはＷ（タングステン）もしくはＭｏ（モリブデン）の数が多いもの、または少ないものであっても、それが市販品として入手したもの、あるいは、公知の合成方法にしたがって適切に合成したものである限り、本発明において用いることができる。この場合、本発明に規定されるヘテロポリ酸の質量とは、合成物や市販品中における純粋なリンタングステン酸の質量（リンタングステン酸含量）ではなく、市販品として入手可能な形態および公知の合成法にて単離可能な形態において、水和水やその他の不純物等を含んだ状態での全質量を意味する。
　本発明の電荷輸送性材料にヘテロポリ酸を含める場合、その含有量は、電荷輸送性化合物の種類や量、所望の電荷輸送性等に応じて異なるため一概に規定できないが、通常、質量比で、電荷輸送性物質１に対して、ヘテロポリ酸０．１～１０の範囲内となる。
　一方、有機系のドーパント物質としては、テトラシアノキノジメタン誘導体、ベンゾキノン誘導体、アリールスルホン酸化合物等が挙げられるが、特にテトラシアノキノジメタン誘導体やベンゾキノン誘導体が好ましい。
　テトラシアノキノジメタン誘導体の具体例としては、７，７，８，８－テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）や、式（Ｈ３）で表されるハロテトラシアノキノジメタンなどが挙げられる。
　また、ベンゾキノン誘導体の具体例としては、テトラフルオロ－１，４－ベンゾキノン（Ｆ４ＢＱ）、テトラクロロ－１，４－ベンゾキノン（クロラニル）、テトラブロモ－１，４－ベンゾキノン、２，３－ジクロロ－５，６－ジシアノ－１，４－ベンゾキノン（ＤＤＱ）などが挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000066
　式中、Ｒ500～Ｒ503は、互いに独立して、水素原子またはハロゲン原子を表すが、少なくとも１つはハロゲン原子であり、少なくとも２つがハロゲン原子であることが好ましく、少なくとも３つがハロゲン原子であることがより好ましく、全てがハロゲン原子であることが最も好ましい。
　ハロゲン原子としては上記と同じものが挙げられるが、フッ素原子または塩素原子が好ましく、フッ素原子がより好ましい。
　このようなハロテトラシアノキノジメタンの具体例としては、２－フルオロ－７，７，８，８－テトラシアノキノジメタン、２－クロロ－７，７，８，８－テトラシアノキノジメタン、２，５－ジフルオロ－７，７，８，８－テトラシアノキノジメタン、２，５－ジクロロ－７，７，８，８－テトラシアノキノジメタン、２，３，５，６－テトラクロロ－７，７，８，８－テトラシアノキノジメタン、２，３，５，６－テトラフルオロ－７，７，８，８－テトラシアノキノジメタン（Ｆ４ＴＣＮＱ）等が挙げられる。
　本発明の電荷輸送性材料にテトラシアノキノジメタン誘導体やベンゾキノン誘導体を含める場合、その含有量は、電荷輸送性化合物の種類や量、所望の電荷輸送性等に応じて異なるため一概に規定できないが、通常、物質量比で、電荷輸送性物質１に対して、好ましくは０．０００１～１００当量の範囲内であり、好ましくは０．０１～５０当量の範囲内、より好ましくは１～２０当量の範囲内である。
　アリールスルホン酸化合物の具体例としては、ベンゼンスルホン酸、トシル酸、ｐ－スチレンスルホン酸、２－ナフタレンスルホン酸、４－ヒドロキシベンゼンスルホン酸、５－スルホサリチル酸、ｐ－ドデシルベンゼンスルホン酸、ジヘキシルベンゼンスルホン酸、２，５－ジヘキシルベンゼンスルホン酸、ジブチルナフタレンスルホン酸、６，７－ジブチル－２－ナフタレンスルホン酸、ドデシルナフタレンスルホン酸、３－ドデシル－２－ナフタレンスルホン酸、ヘキシルナフタレンスルホン酸、４－ヘキシル－１－ナフタレンスルホン酸、オクチルナフタレンスルホン酸、２－オクチル－１－ナフタレンスルホン酸、ヘキシルナフタレンスルホン酸、７－へキシル－１－ナフタレンスルホン酸、６－ヘキシル－２－ナフタレンスルホン酸、ジノニルナフタレンスルホン酸、２，７－ジノニル－４－ナフタレンスルホン酸、ジノニルナフタレンジスルホン酸、２，７－ジノニル－４，５－ナフタレンジスルホン酸、国際公開第２００５／０００８３２号記載の１，４－ベンゾジオキサンジスルホン酸化合物、国際公開第２００６／０２５３４２号記載のアリールスルホン酸化合物、国際公開第２００９／０９６３５２号記載のアリールスルホン酸化合物等が挙げられる。
　本発明におけるドーパント物質として好ましいアリールスルホン酸化合物の例としては、式（Ｈ４）または（Ｈ５）で表されるアリールスルホン酸化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000067
　Ａ1は、ＯまたはＳを表すが、Ｏが好ましい。
　Ａ2は、ナフタレン環またはアントラセン環を表すが、ナフタレン環が好ましい。
　Ａ3は、２～４価のパーフルオロビフェニル基を表し、ｐは、Ａ1とＡ3との結合数を示し、２≦ｐ≦４を満たす整数であるが、Ａ3がパーフルオロビフェニルジイル基、好ましくはパーフルオロビフェニル－４，４’－ジイル基であり、かつ、ｐが２であることが好ましい。
　ｑは、Ａ2に結合するスルホン酸基数を表し、１≦ｑ≦４を満たす整数であるが、２が最適である。
　Ａ4～Ａ8は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数１～２０のハロゲン化アルキル基、または炭素数２～２０のハロゲン化アルケニル基を表すが、Ａ4～Ａ8のうち少なくとも３つは、ハロゲン原子である。
　炭素数１～２０のハロゲン化アルキル基としては、トリフルオロメチル基、２，２，２－トリフルオロエチル基、１，１，２，２，２－ペンタフルオロエチル基、３，３，３－トリフルオロプロピル基、２，２，３，３，３－ペンタフルオロプロピル基、１，１，２，２，３，３，３－ヘプタフルオロプロピル基、４，４，４－トリフルオロブチル基、３，３，４，４，４－ペンタフルオロブチル基、２，２，３，３，４，４，４－ヘプタフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３，４，４，４－ノナフルオロブチル基等が挙げられる。
　炭素数２～２０のハロゲン化アルケニル基としては、パーフルオロビニル基、パーフルオロプロペニル基（アリル基）、パーフルオロブテニル基等が挙げられる。
　その他、ハロゲン原子、炭素数１～２０のアルキル基の例としては上記と同様のものが挙げられるが、ハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。
　これらの中でも、Ａ4～Ａ8は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～１０のハロゲン化アルキル基、または炭素数２～１０のハロゲン化アルケニル基であり、かつ、Ａ4～Ａ8のうち少なくとも３つは、フッ素原子であることが好ましく、水素原子、フッ素原子、シアノ基、炭素数１～５のアルキル基、炭素数１～５のフッ化アルキル基、または炭素数２～５のフッ化アルケニル基であり、かつ、Ａ4～Ａ8のうち少なくとも３つはフッ素原子であることがより好ましく、水素原子、フッ素原子、シアノ基、炭素数１～５のパーフルオロアルキル基、または炭素数１～５のパーフルオロアルケニル基であり、かつ、Ａ4、Ａ5およびＡ8がフッ素原子であることがより一層好ましい。
　なお、パーフルオロアルキル基とは、アルキル基の水素原子全てがフッ素原子に置換された基であり、パーフルオロアルケニル基とは、アルケニル基の水素原子全てがフッ素原子に置換された基である。
　ｒは、ナフタレン環に結合するスルホン酸基数を表し、１≦ｒ≦４を満たす整数であるが、２～４が好ましく、２が最適である。
　ドーパント物質として用いるアリールスルホン酸化合物の分子量は、特に限定されるものではないが、本発明の電荷輸送性材料の有機溶媒への溶解性を高めることを考慮すると、好ましくは２，０００以下、より好ましくは１，５００以下である。
　以下、好適なアリールスルホン酸化合物の具体例を挙げるが、これらに限定されるわけではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000068
　本発明の電荷輸送性材料にアリールスルホン酸化合物を含める場合、その含有量は、電荷輸送性化合物の種類や量、所望の電荷輸送性等に応じて異なるため一概に規定できないが、通常、物質量比で、電荷輸送性物質１に対して、通常０．１～１０当量の範囲内であり、好ましくは０．５～５当量の範囲内、より好ましくは０．８～３当量の範囲内である。
　アリールスルホン酸化合物は市販品を用いてもよいが、国際公開第２００６／０２５３４２号、国際公開第２００９／０９６３５２号等に記載の公知の方法で合成することもできる。
　本発明の電荷輸送性ワニスは、上述した本発明の電荷輸送性材料、および有機溶媒を含み、電荷輸送性材料が有機溶媒に溶解しているものである。
　電荷輸送性ワニスを調製する際に用いられる有機溶媒としては、電荷輸送性物質およびドーパント物質を良好に溶解し得る高溶解性溶媒を用いることができる。
　このような高溶解性溶媒としては、例えば、シクロヘキサノン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルピロリドン、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン、ジエチレングリコールモノメチルエーテル等の有機溶媒が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの溶媒は１種単独で、または２種以上混合して用いることができ、その使用量は、ワニスに使用する溶媒全体に対して５～１００質量％とすることができる。
　また、本発明においては、ワニスに、２５℃で１０～２００ｍＰａ・ｓ、特に３５～１５０ｍＰａ・ｓの粘度を有し、常圧（大気圧）で沸点５０～３００℃、特に１５０～２５０℃の高粘度有機溶媒を少なくとも１種類含有させることで、ワニスの粘度の調整が容易になり、その結果、平坦性の高い薄膜を再現性よく与える、塗布方法に応じたワニス調製が可能となる。
　高粘度有機溶媒としては、例えば、シクロヘキサノール、エチレングリコール、エチレングリコールジグリシジルエーテル、１，３－オクチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、１，３－ブタンジオール、２，３－ブタンジオール、１，４－ブタンジオール、プロピレングリコール、へキシレングリコール等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの溶媒は単独で用いてもよく、２種以上混合して用いてもよい。
　本発明のワニスに用いられる溶媒全体に対する高粘度有機溶媒の添加割合は、固体が析出しない範囲内であることが好ましく、固体が析出しない限りにおいて、添加割合は、５～９０質量％が好ましい。
　さらに、基板に対する濡れ性の向上、溶媒の表面張力の調整、極性の調整、沸点の調整等の目的で、その他の溶媒を、ワニスに使用する溶媒全体に対して１～９０質量％、好ましくは１～５０質量％の割合で混合することもできる。
　このような溶媒としては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジアセトンアルコール、γ－ブチロラクトン、エチルラクテート、ｎ－ヘキシルアセテート等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの溶媒は１種単独で、または２種以上混合して用いることができる。
　また、本発明の電荷輸送性ワニスは、有機シラン化合物を含んでいてもよい。有機シラン化合物が含まれることで、ワニスから得られる薄膜を有機ＥＬ素子の正孔注入層として用いた場合において、正孔輸送層や発光層といった陽極とは反対側に正孔注入層に接するように積層される層への正孔注入能を高めることができる。
　この有機シラン化合物としては、ジアルコキシシラン化合物、トリアルコキシシラン化合物またはテトラアルコキシシラン化合物が挙げられ、これらは単独で用いてもよく、２種以上組み合わせて用いてもよい。
　本発明においては、有機シラン化合物は、ジアルコキシシラン化合物およびトリアルコキシシラン化合物から選ばれる１種を含むことが好ましく、トリアルコキシシラン化合物を含むことがより好ましく、フッ素原子含有トリアルコキシシラン化合物を含むことがより一層好ましい。
　これらのアルコキシシラン化合物としては、例えば、式（Ｓ１）～（Ｓ３）で示されるものが挙げられる。
　　　Ｓｉ（ＯＲ）4　　　　　　　　　（Ｓ１）
　　　ＳｉＲ′（ＯＲ）3　　　　　　　（Ｓ２）
　　　Ｓｉ（Ｒ′）2（ＯＲ）2　　　　 （Ｓ３）
　式中、Ｒは、互いに独立して、Ｚ6で置換されていてもよい炭素数１～２０のアルキル基、Ｚ6で置換されていてもよい炭素数２～２０のアルケニル基、Ｚ6で置換されていてもよい炭素数２～２０のアルキニル基、Ｚ7で置換されていてもよい炭素数６～２０のアリール基、またはＺ7で置換されていてもよい炭素数２～２０のヘテロアリール基を表し、Ｒ′は、互いに独立して、Ｚ8で置換されていてもよい炭素数１～２０のアルキル基、Ｚ8で置換されていてもよい炭素数２～２０のアルケニル基、Ｚ8で置換されていてもよい炭素数２～２０のアルキニル基、Ｚ9で置換されていてもよい炭素数６～２０のアリール基、またはＺ9で置換されていてもよい炭素数２～２０のヘテロアリール基を表す。
　Ｚ6は、ハロゲン原子、Ｚ10で置換されていてもよい炭素数６～２０のアリール基、またはＺ10で置換されていてもよい炭素数２～２０のヘテロアリール基を表し、Ｚ7は、ハロゲン原子、Ｚ10で置換されていてもよい炭素数１～２０のアルキル基、Ｚ10で置換されていてもよい炭素数２～２０のアルケニル基、またはＺ10で置換されていてもよい炭素数２～２０のアルキニル基を表す。
　Ｚ8は、ハロゲン原子、Ｚ10で置換されていてもよい炭素数６～２０のアリール基、Ｚ10で置換されていてもよい炭素数２～２０のヘテロアリール基、エポキシシクロヘキシル基、グリシドキシ基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、ウレイド基（－ＮＨＣＯＮＨ2）、チオール基、イソシアネート基（－ＮＣＯ）、アミノ基、－ＮＨＹ1基、または－ＮＹ2Ｙ3基を表し、Ｚ9は、ハロゲン原子、Ｚ10で置換されていてもよい炭素数１～２０のアルキル基、Ｚ10で置換されていてもよい炭素数２～２０のアルケニル基、Ｚ10で置換されていてもよい炭素数２～２０のアルキニル基、エポキシシクロヘキシル基、グリシドキシ基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、ウレイド基（－ＮＨＣＯＮＨ2）、チオール基、イソシアネート基（－ＮＣＯ）、アミノ基、－ＮＨＹ1基、または－ＮＹ2Ｙ3基を表し、Ｙ1～Ｙ3は、互いに独立して、Ｚ10で置換されていてもよい炭素数１～２０のアルキル基、Ｚ10で置換されていてもよい炭素数２～２０のアルケニル基、Ｚ10で置換されていてもよい炭素数２～２０のアルキニル基、Ｚ10で置換されていてもよい炭素数６～２０のアリール基、またはＺ10で置換されていてもよい炭素数２～２０のヘテロアリール基を表す。
　Ｚ10は、ハロゲン原子、アミノ基、ニトロ基、シアノ基またはチオール基を表す。
　式（Ｓ１）～（Ｓ３）における、ハロゲン原子、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基、炭素数２～２０のアルキニル基、炭素数６～２０のアリール基、および炭素数２～２０のヘテロアリール基としては、上記と同様のものが挙げられる。
　ＲおよびＲ′において、アルキル基、アルケニル基およびアルキニル基の炭素数は、好ましくは１０以下であり、より好ましくは６以下であり、より一層好ましくは４以下である。
　また、アリール基およびヘテロアリール基の炭素数は、好ましくは１４以下であり、より好ましくは１０以下であり、より一層好ましくは６以下である。
　Ｒとしては、Ｚ6で置換されていてもよい、炭素数１～２０のアルキル基もしくは炭素数２～２０のアルケニル基、またはＺ7で置換されていてもよい炭素数６～２０のアリール基が好ましく、Ｚ6で置換されていてもよい、炭素数１～６のアルキル基もしくは炭素数２～６のアルケニル基、またはＺ7で置換されていてもよいフェニル基がより好ましく、Ｚ6で置換されていてもよい炭素数１～４のアルキル基またはＺ7で置換されていてもよいフェニル基がより一層好ましく、Ｚ6で置換されていてもよい、メチル基またはエチル基がさらに好ましい。
　Ｒ′としては、Ｚ8で置換されていてもよい炭素数１～２０のアルキル基またはＺ9で置換されていてもよい炭素数６～２０のアリール基が好ましく、Ｚ8で置換されていてもよい炭素数１～１０のアルキル基またはＺ9で置換されていてもよい炭素数６～１４のアリール基がより好ましく、Ｚ8で置換されていてもよい炭素数１～６のアルキル基、またはＺ9で置換されていてもよい炭素数６～１０のアリール基がより一層好ましく、Ｚ8で置換されていてもよい炭素数１～４のアルキル基またはＺ9で置換されていてもよいフェニル基がさらに好ましい。
　なお、複数のＲは、すべて同一でも異なっていてもよく、複数のＲ′も、すべて同一でも異なっていてもよい。
　Ｚ6としては、ハロゲン原子またはＺ10で置換されていてもよい炭素数６～２０のアリール基が好ましく、フッ素原子またはＺ10で置換されていてもよいフェニル基がより好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換であること）が最適である。
　Ｚ7としては、ハロゲン原子またはＺ10で置換されていてもよい炭素数６～２０のアルキル基が好ましく、フッ素原子またはＺ10で置換されていてもよい炭素数１～１０のアルキル基がより好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換であること）が最適である。
　一方、Ｚ8としては、ハロゲン原子、Ｚ10で置換されていてもよいフェニル基、Ｚ10で置換されていてもよいフラニル基、エポキシシクロヘキシル基、グリシドキシ基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、ウレイド基、チオール基、イソシアネート基、アミノ基、Ｚ10で置換されていてもよいフェニルアミノ基、またはＺ10で置換されていてもよいジフェニルアミノ基が好ましく、ハロゲン原子がより好ましく、フッ素原子、または存在しないこと（すなわち、非置換であること）がより一層好ましい。
　Ｚ9としては、ハロゲン原子、Ｚ10で置換されていてもよい炭素数１～２０のアルキル基、Ｚ10で置換されていてもよいフラニル基、エポキシシクロヘキシル基、グリシドキシ基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、ウレイド基、チオール基、イソシアネート基、アミノ基、Ｚ10で置換されていてもよいフェニルアミノ基、またはＺ10で置換されていてもよいジフェニルアミノ基が好ましく、ハロゲン原子がより好ましく、フッ素原子、または存在しないこと（すなわち、非置換であること）がより一層好ましい。
　Ｚ10としては、ハロゲン原子が好ましく、フッ素原子または存在しないこと（すなわち、非置換であること）がより好ましい。
　以下、本発明で使用可能な有機シラン化合物の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
　ジアルコキシシラン化合物の具体例としては、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルエチルジメトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、メチルプロピルジメトキシシラン、メチルプロピルジエトキシシラン、ジイソプロピルジメトキシシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシシラン、３－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルメチルジメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、γ－アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ－（２－アミノエチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３，３，３－トリフルオロプロピルメチルジメトキシシラン等が挙げられる。
　トリアルコキシシラン化合物の具体例としては、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、ブチルトリエトキシシラン、ペンチルトリメトキシシラン、ペンチルトリエトキシシラン、ヘプチルトリメトキシシラン、ヘプチルトリエトキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン、ヘキサデシルトリエトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ－メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、トリエトキシ（４－（トリフルオロメチル）フェニル）シラン、ドデシルトリエトキシシラン、３，３，３－トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、（トリエトキシシリル）シクロヘキサン、パーフルオロオクチルエチルトリエトキシシラン、トリエトキシフルオロシラン、トリデカフルオロ－１，１，２，２－テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリメトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリエトキシシラン、３－（ヘプタフルオロイソプロポキシ）プロピルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロ－１，１，２，２－テトラヒドロデシルトリエトキシシラン、トリエトキシ－２－チエニルシラン、３－（トリエトキシシリル）フラン等が挙げられる。
　テトラアルコキシシラン化合物の具体例としては、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラプロポキシシラン等が挙げられる。
　これらの中でも、３，３，３－トリフルオロプロピルメチルジメトキシシラン、トリエトキシ（４－（トリフルオロメチル）フェニル）シラン、３，３，３－トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、パーフルオロオクチルエチルトリエトキシシランまたはペンタフルオロフェニルトリメトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリエトキシシランが好ましい。
　また、有機シラン化合物としては、重合体からなる有機シラン化合物も挙げられる。
　このような重合体の好ましい一例としては、予めアルコキシシラン化合物を加水分解縮合して調製された重量平均分子量５００～１０，０００の重合体からなる有機シラン化合物であって、アルコキシシラン化合物が、式（Ｓ４）および（Ｓ５）で表されるアルコキシシラン化合物から選ばれる少なくとも１種を含むものが挙げられる。
　とりわけ、重合体の分子量をより高める観点から、式（Ｓ４）で表されるトリアルコキシシラン化合物が含まれることが好ましい。
　ＳｉＲ′′（ＯＲ′′′）3　　　　　（Ｓ４）
　Ｓｉ（Ｒ′′）2（ＯＲ′′′）2　　 （Ｓ５）
　ここで、Ｒ′′は、互いに独立して、Ｚ11で置換された炭素数１～２０のアルキル基、またはＺ12で置換された炭素数６～２０のアリール基を表し、Ｒ′′′は、互いに独立して、Ｚ13で置換されていてもよい炭素数１～２０のアルキル基を表し、Ｚ11は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、Ｚ13で置換された炭素数１～２０のアルコキシ基、Ｚ13で置換された炭素数６～２０のアリール基、またはＺ13で置換された炭素数２～２０のヘテロアリール基を表し、Ｚ12は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、またはＺ13で置換された炭素数１～２０のアルキル基を表し、Ｚ13は、ハロゲン原子、シアノ基、またはニトロ基を表す。
　炭素数１～２０のアルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ－ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｓ－ブチルオキシ基、ｔ－ブチルオキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基、ｎ－ヘプチルオキシ基、ｎ－オクチルオキシ基、ｎ－ノニルオキシ基、ｎ－デシルオキシ基等の炭素数１～２０の直鎖または分岐鎖状アルキル基；シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロデシルオキシ基等の炭素数３～２０の環状アルキル基などが挙げられる。
　その他、ハロゲン原子、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、炭素数２～２０のヘテロアリール基の具体例としては、上記と同様のものが挙げられる。
　Ｒ′′およびＲ′′′において、アルキル基の炭素数は、好ましくは１０以下であり、より好ましくは６以下であり、より一層好ましくは４以下である。
　また、アリール基およびヘテロアリール基の炭素数は、好ましくは１４以下であり、より好ましくは１０以下であり、より一層好ましくは６以下である。
　Ｚ11およびＺ12としては、ハロゲン原子が好ましく、フッ素原子が最適であり、Ｚ13としては、Ｒ′′′においては存在しない（すなわち、非置換である）ことが好ましく、Ｚ11およびＺ12においてはハロゲン原子が好ましく、フッ素原子が最適である。
　Ｚ13で置換された炭素数１～２０のアルキル基としては、上記炭素数１～２０のアルキル基において、少なくとも１つの水素原子をＺ13で置換したものが挙げられ、その具体例としては、クロロメチル基、ジクロロメチル基、トリクロロメチル基、ブロモメチル基、ジブロモメチル基、トリブロモメチル基、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、２，２，２－トリクロロエチル基、ペンタクロロエチル基、２，２，２－トリブロモエチル基、ペンタブロモエチル基、２，２，２－トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基、３，３，３－トリクロロプロピル基、２，２，３，３－テトラクロロプロピル基、２，２，３，３，３－ペンタクロロプロピル基、ヘプタクロロプロピル基、ヘプタクロロイソプロピル基、３，３，３－トリブロモプロピル基、２，２，３，３－テトラブロモプロピル基、２，２，３，３，３－ペンタブロモプロピル基、ヘプタブロモプロピル基、ヘプタブロモイソプロピル基、３，３，３－トリフルオロプロピル基、２，２，３，３－テトラフルオロプロピル基、２，２，３，３，３－ペンタフルオロプロピル基、ヘプタフルオロプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、２，２，２－トリクロロ－１－（トリクロロメチル）エチル基、２，２，２－トリブロモ－１－（トリブロモメチル）エチル基、２，２，２－トリフルオロ－１－（トリフルオロメチル）エチル基、４，４，４－トリクロロブチル基、ノナクロロブチル基、４，４，４－トリブロモブチル基、ノナブロモブチル基、４，４，４－トリフルオロブチル基、ノナフルオロブチル基、２，２，３，３，４，４，５，５－オクタクロロペンチル基、２，２，３，３，４，４，５，５，５－ノナクロロペンチル基、ウンデカクロロペンチル基、２，２，３，３，４，４，５，５－オクタブロモペンチル基、２，２，３，３，４，４，５，５，５－ノナブロモペンチル基、ウンデカブロモペンチル基、２，２，３，３，４，４，５，５－オクタフルオロペンチル基、２，２，３，３，４，４，５，５，５－ノナフルオロペンチル基、ウンデカフルオロペンチル基、３，３，４，４，５，５，６，６，６－ノナクロロヘキシル基、２，２，３，３，４，４，５，５，６，６－デカクロロヘキシル基、２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，６－ウンデカクロロヘキシル基、トリデカクロロヘキシル基、３，３，４，４，５，５，６，６，６－ノナブロモヘキシル基、２，２，３，３，４，４，５，５，６，６－デカブロモヘキシル基、２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，６－ウンデカブロモヘキシル基、トリデカブロモヘキシル基、３，３，４，４，５，５，６，６，６－ノナフルオロヘキシル基、２，２，３，３，４，４，５，５，６，６－デカフルオロヘキシル基、２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，６－ウンデカフロオロヘキシル基、トリデカフルオロヘキシル基、トリデカクロロ－１，１，２，２－テトラヒドロオクチル基、パークロロオクチル基、トリデカブロモ－１，１，２，２－テトラヒドロオクチル基、パーブロモオクチル基、トリデカフルオロ－１，１，２，２－テトラヒドロオクチル基、パーフルオロオクチル基、ヘプタデカクロロ－１，１，２，２－テトラヒドロデシル基、ヘプタデカブロモ－１，１，２，２－テトラヒドロデシル基、ヘプタデカフルオロ－１，１，２，２－テトラヒドロデシル基等のハロゲン化アルキル基；シアノメチル基、２－シアノエチル基、３－シアノプロピル基、４－シアノブチル基等のシアノアルキル基；ニトロメチル基、２－ニトロエチル基、３－ニトロプロピル基、４－ニトロブチル基等のニトロアルキル基などが挙げられるが、ハロゲン化アルキル基が好ましく、フッ化アルキル基がより好ましい。
　Ｚ11で置換された炭素数１～２０のアルキル基としては、上記炭素数１～２０のアルキル基において、少なくとも１つの水素原子をＺ11で置換したものが挙げられ、その具体例としては、上記Ｚ13で置換された炭素数１～２０のアルキル基で例示した基に加え、３－（ヘプタフルオロイソプロポキシ）プロピル基、４－トリフルオロメチルフェニルメチル基等が挙げられ、この場合も、ハロゲン原子を有するアルコキシ基、アリール基、またはヘテロアリール基で置換されたアルキル基が好ましく、フッ素原子を有するアルコキシ基、アリール基、またはヘテロアリール基で置換されたアルキル基がより好ましい。
　Ｚ13で置換された炭素数１～２０のアルコキシ基の具体例としては、上述したＺ13で置換された炭素数１～２０のアルキル基を有するアルコールから水酸基上の水素原子を除外してできる基が挙げられ、例えば、クロロメトキシ基、ジクロロメトキシ基、トリクロロメトキシ基、ブロモメトキシ基、ジブロモメトキシ基、トリブロモメトキシ基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基、２，２，２－トリクロロエトキシ基、ペンタクロロエトキシ基、２，２，２－トリブロモエトキシ基、ペンタブロモエトキシ基、２，２，２－トリフルオロエトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、３，３，３－トリクロロプロポキシ基、２，２，３，３－テトラクロロプロポキシ基、２，２，３，３，３－ペンタクロロプロポキシ基、ヘプタクロロプロポキシ基、ヘプタクロロイソプロポキシ基、３，３，３－トリブロモプロポキシ基、２，２，３，３－テトラブロモプロポキシ基、２，２，３，３，３－ペンタブロモプロポキシ基、ヘプタブロモプロポキシ基、ヘプタブロモイソプロポキシ基、３，３，３－トリフルオロプロポキシ基、２，２，３，３－テトラフルオロプロポキシ基、２，２，３，３，３－ペンタフルオロプロポキシ基、ヘプタフルオロプロポキシ基、ヘプタフルオロイソプロポキシ基等が挙げられるが、ハロゲン化アルコキシ基が好ましく、フッ化アルコキシ基がより好ましい。
　Ｚ13で置換された炭素数６～２０のアリール基としては、上記炭素数６～２０のアリール基において、少なくとも１つの水素原子をＺ13で置換したものが挙げられ、その具体例としては、４－クロロフェニル基、４－ブロモフェニル基、４－フルオロフェニル基、２，４－ジクロロフェニル基、２，４－ジブロモフェニル基、２，４－ジフルオロフェニル基、ペンタクロロフェニル基、ペンタブロモフェニル基、ペンタフルオロフェニル基等のハロゲン化アリール基；４－シアノフェニル、２，４－ジシアノフェニル基、２，４，６－トリシアノフェニル基等のシアノアリール基；４－ニトロフェニル基、２，４－ジニトロフェニル基、２，４，６－トリニトロフェニル基等のニトロアリール基などが挙げられるが、ハロゲン化アリール基が好ましく、フッ化アリール基がより好ましい。
　Ｚ12で置換された炭素数６～２０のアリール基としては、上記Ｚ13で置換された炭素数６～２０のアリール基で例示した基に加え、４－トリクロロメチルフェニル基、４－トリブロモメチルフェニル基、４－トリフルオロメチルフェニル基等のハロゲン化アルキル基を有するアリール基等が挙げられるが、フッ化アルキル基を有するアリール基が好ましい。
　Ｚ13で置換された炭素数２～２０のヘテロアリール基としては、上記炭素数２～２０のヘテロアリール基において、少なくとも１つの水素原子をＺ13で置換したものが挙げられ、その具体例としては、５－クロロ－チオフェン－２－イル基、５－ブロモ－チオフェン－２－イル基、５－フルオロ－チオフェン－２－イル基、５－クロロ－チオフェン－３－イル基、５－ブロモ－チオフェン－３－イル基、５－フルオロ－チオフェン－３－イル基等のハロゲン化チエニル基；５－シアノ－チオフェン－２－イル基、５－シアノ－チオフェン－３－イル基等のシアノチエニル基；５－ニトロ－チオフェン－２－イル基、５－ニトロ－チオフェン－３－イル基等のニトロチエニル基；５－クロロ－フラン－２－イル基、５－ブロモ－フラン－２－イル基、５－フルオロ－フラン－２－イル基、５－クロロ－フラン－３－イル基、５－ブロモ－フラン－３－イル基、５－フルオロ－フラン－３－イル基等のハロゲン化フラニル基；５－シアノ－フラン－２－イル基、５－シアノ－フラン－３－イル基等のシアノフラニル基；５－ニトロ－フラン－２－イル基、５－ニトロ－フラン－３－イル基等のニトロフラニル基；６－クロロ－ピリジン－２－イル基、６－ブロモ－ピリジン－２－イル基、６－フルオロ－ピリジン－２－イル基、６－クロロ－ピリジン－３－イル基、６－ブロモ－ピリジン－３－イル基、６－フルオロ－ピリジン－３－イル基、６－クロロ－ピリジン－４－イル基、６－ブロモ－ピリジン－４－イル基、６－フルオロ－ピリジン－４－イル基等のハロゲン化ピリジル基；６－シアノ－ピリジン－２－イル基、６－シアノ－ピリジン－３－イル基、６－シアノ－ピリジン－４－イル基等のシアノピリジル基、６－ニトロ－ピリジン－２－イル基、６－ニトロ－ピリジン－３－イル基、６－ニトロ－ピリジン－４－イル基等のニトロピリジル基などが挙げられる。
　上記式（Ｓ４）で表されるトリアルコキシシランの具体例としては、トリエトキシ（４－（トリフルオロメチル）フェニル）シラン、３，３，３－トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、パーフルオロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ－１，１，２，２－テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリメトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリエトキシシラン、３－（ヘプタフルオロイソプロポキシ）プロピルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロ－１，１，２，２－テトラヒドロデシルトリエトキシシラン等が挙げられる。
　上記式（Ｓ５）で表されるジアルコキシシランの具体例としては、３，３，３－トリフルオロプロピルメチルジメトキシシラン等が挙げられる。
　本発明で用いる有機シラン化合物（重合体）を合成するにあたって、上記式（Ｓ４）および／または式（Ｓ５）で表されるアルコキシラン化合物とともに、式（Ｓ６）～（Ｓ８）で表されるアルコキシシラン化合物から選ばれる少なくとも１種を併用してもよく、特に、得られる重合体の分子量をより高めることを考慮すると、式（Ｓ６）で表されるテトラアルコキシシラン化合物を併用することが好ましい。
　Ｓｉ（ＯＲ′′′′）4　　　　　　　　　　 （Ｓ６）
　Ｓｉ（Ｒ′′′′′）2（ＯＲ′′′′）2　　（Ｓ７）
　ＳｉＲ′′′′′（ＯＲ′′′′）3　　　　 （Ｓ８）
　ここで、Ｒ′′′′は、互いに独立して、Ｚ13で置換されていてもよい炭素数１～２０のアルキル基を表し、Ｒ′′′′′は、互いに独立して、炭素数１～２０のアルキル基、Ｚ14で置換されていてもよい炭素数２～２０のアルケニル基、Ｚ14で置換されていてもよい炭素数２～２０のアルキニル基、炭素数６～２０のアリール基、またはＺ15で置換されていてもよい炭素数２～２０のヘテロアリール基を表し、Ｚ14は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、チオール基、Ｚ16で置換されていてもよい炭素数６～２０のアリール基、またはＺ16で置換されていてもよい炭素数２～２０のヘテロアリール基を表し、Ｚ15は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、チオール基、Ｚ16で置換されていてもよい炭素数１～２０のアルキル基、Ｚ16で置換されていてもよい炭素数１～２０のアルケニル基、またはＺ16で置換されていてもよい炭素数１～２０のアルキニル基を表し、Ｚ16は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、またはチオール基を表す。なお、Ｚ13は上記と同じ意味を表す。
　上記ハロゲン原子、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基、炭素数２～２０のアルキニル基、炭素数６～２０のアリール基、炭素数２～２０のヘテロアリール基の具体例としては、上記と同様のものが挙げられる。
　Ｒ′′′′およびＲ′′′′′において、アルキル基、アルケニル基およびアルキニル基の炭素数は、好ましくは１０以下であり、より好ましくは６以下であり、より一層好ましくは４以下である。
　また、アリール基およびヘテロアリール基の炭素数は、好ましくは１４以下であり、より好ましくは１０以下であり、より一層好ましくは６以下である。
　Ｒ′′′′としては、炭素数１～６のアルキル基が好ましく、炭素数１～４のアルキル基がより好ましく、メチル基またはエチル基がより一層好ましい。
　Ｒ′′′′′としては、炭素数１～２０のアルキル基または炭素数６～２０のアリール基が好ましく、炭素数１～１０のアルキル基または炭素数６～１４のアリール基がより好ましく、炭素数１～６のアルキル基または炭素数６～１０のアリール基がより一層好ましく、炭素数１～４のアルキル基またはフェニル基がさらに好ましい。
　なお、複数のＲ′′′′は、すべて同一でも異なっていてもよく、複数のＲ′′′′′も、すべて同一でも異なっていてもよい。
　Ｚ13としては、ハロゲン原子が好ましく、フッ素原子がより好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換であること）が最適である。
　Ｚ14としては、ハロゲン原子、Ｚ16で置換されていてもよいフェニル基、Ｚ16で置換されていてもよいフラニル基が好ましく、ハロゲン原子がより好ましく、フッ素原子、または存在しないこと（すなわち、非置換であること）がより一層好ましい。
　Ｚ15としては、ハロゲン原子、Ｚ16で置換されていてもよい炭素数１～２０のアルキル基、Ｚ16で置換されていてもよいフラニル基が好ましく、ハロゲン原子がより好ましく、フッ素原子、または存在しないこと（すなわち、非置換であること）がより一層好ましい。
　Ｚ16としては、ハロゲン原子が好ましく、フッ素原子または存在しないこと（すなわち、非置換であること）がより好ましい。
　上記式（Ｓ６）で表されるテトラアルコキシシラン化合物の具体例としては、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラプロポキシシラン等が挙げられる。
　上記式（Ｓ７）で表されるジアルコキシシラン化合物の具体例としては、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルエチルジメトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、メチルプロピルジメトキシシラン、メチルプロピルジエトキシシラン、ジイソプロピルジメトキシシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン等が挙げられる。
　上記式（Ｓ８）で表されるトリアルコキシシラン化合物の具体例としては、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、ブチルトリエトキシシラン、ペンチルトリメトキシシラン、ペンチルトリエトキシシラン、ヘプチルトリメトキシシラン、ヘプチルトリエトキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン、ヘキサデシルトリエトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、トリエトキシ－２－チエニルシラン、３－（トリエトキシシリル）フラン等が挙げられる。
　なお、上記重合体からなる有機シラン化合物は、例えば、上述したアルコキシシラン化合物の単一物または２種以上の混合物を、水の存在下で（部分）加水分解縮合させて得ることができる。
　加水分解の手法としては、特に限定されるものではなく一般的な手法を用いればよい。一例を挙げると、アルコキシシラン化合物を、水系溶媒中で２０～１００℃程度で１～２４時間処理する手法が挙げられる。この際、酸または塩基を触媒として用いることもできる。
　本発明の電荷輸送性ワニスが有機シラン化合物を含有する場合、その含有量は、電荷輸送性物質の質量（ドーパント物質を含む場合は電荷輸送性物質およびドーパント物質の合計質量）に対して、通常０．１～５０質量％程度であるが、得られる薄膜の電荷輸送性の低下を抑制し、かつ、上述した陰極側に、当該ワニスから得られる薄膜からなる正孔注入層等に接するように積層される層への正孔注入能を高めることを考慮すると、好ましくは０．５～４０質量％程度、より好ましくは０．８～３０質量％程度、より一層好ましくは１～２０質量％程度である。
　本発明のワニスの粘度は、作製する薄膜の厚み等や固形分濃度に応じて適宜設定されるものではあるが、通常、２５℃で１～５０ｍＰａ・ｓであり、その表面張力は、通常、２０～５０ｍＮ／ｍである。
　また、電荷輸送性ワニスの固形分濃度は、ワニスの粘度および表面張力等や、作製する薄膜の厚み等を勘案して適宜設定されるものではあるが、通常、０．１～１０．０質量％程度であり、ワニスの塗布性を向上させることを考慮すると、好ましくは０．５～５．０質量％程度、より好ましくは１．０～３．０質量％程度である。
　ワニスの調製法としては、特に限定されるものではないが、例えば、式（１）で表される化合物を先に溶媒に溶解させ、そこへ電荷輸送性化合物を順次加える手法や、式（１）で表される化合物と電荷輸送性化合物の混合物を溶媒に溶解させる手法が挙げられる。
　また、有機溶媒が複数ある場合は、例えば、式（１）で表される化合物と電荷輸送性化合物をよく溶解する溶媒に、まずこれらを溶解させ、そこへその他の溶媒を加えてもよく、複数の有機溶媒の混合溶媒に、式（１）で表される化合物、電荷輸送性化合物を順次、あるいはこれらを同時に溶解させてもよい。
　本発明においては、電荷輸送性ワニスは、高平坦性薄膜を再現性よく得る観点から、式（１）で表される化合物、電荷輸送性化合物等を有機溶媒に溶解させた後、サブマイクロオーダーのフィルター等を用いて濾過することが望ましい。
　本発明の電荷輸送性薄膜は、上記説明した電荷輸送性ワニスを基材上に塗布して焼成することで、基材上に形成させることができる。
　ワニスの塗布方法としては、特に限定されるものではなく、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り、インクジェット法、スプレー法、スリットコート法等が挙げられ、塗布方法に応じてワニスの粘度および表面張力を調節することが好ましい。
　また、本発明のワニスを用いる場合、焼成雰囲気も特に限定されるものではなく、大気雰囲気だけでなく、窒素等の不活性ガスや真空中でも均一な成膜面および高い電荷輸送性を有する薄膜を得ることができるが、式（１）で表される化合物とともに用いる電荷輸送性化合物等の種類によっては、ワニスを大気雰囲気下で焼成した方が、より高い電荷輸送性を有する薄膜を再現性よく得られる場合がある。
　焼成温度は、得られる薄膜の用途、得られる薄膜に付与する電荷輸送性の程度、溶媒の種類や沸点等を勘案して、１００～２６０℃程度の範囲内で適宜設定されるものではあるが、得られる薄膜を有機ＥＬ素子の正孔注入層として用いる場合、１４０～２５０℃程度が好ましく、１４５～２４０℃程度がより好ましい。
　なお、焼成の際、より高い均一成膜性を発現させたり、基材上で反応を進行させたりする目的で、２段階以上の温度変化をつけてもよく、加熱は、例えば、ホットプレートやオーブン等、適当な機器を用いて行えばよい。
　電荷輸送性薄膜の膜厚は、特に限定されないが、有機ＥＬ素子の正孔注入層、正孔輸送層あるいは正孔注入輸送層として用いる場合、５～２００ｎｍが好ましい。膜厚を変化させる方法としては、ワニス中の固形分濃度を変化させたり、塗布時の基板上の溶液量を変化させたりする等の方法がある。
　本発明の有機ＥＬ素子は、一対の電極を有し、これら電極の間に、上述の本発明の電荷輸送性薄膜を有するものである。
　有機ＥＬ素子の代表的な構成としては、以下（ａ）～（ｆ）が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。なお、下記構成において、必要に応じて、発光層と陽極の間に電子ブロック層等を、発光層と陰極の間にホール（正孔）ブロック層等を設けることもできる。また、正孔注入層、正孔輸送層あるいは正孔注入輸送層が電子ブロック層等としての機能を兼ね備えていてもよく、電子注入層、電子輸送層あるいは電子注入輸送層がホール（正孔）ブロック層等としての機能を兼ね備えていてもよい。
（ａ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（ｂ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入輸送層／陰極
（ｃ）陽極／正孔注入輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（ｄ）陽極／正孔注入輸送層／発光層／電子注入輸送層／陰極
（ｅ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
（ｆ）陽極／正孔注入輸送層／発光層／陰極
　「正孔注入層」、「正孔輸送層」および「正孔注入輸送層」とは、発光層と陽極との間に形成される層であって、正孔を陽極から発光層へ輸送する機能を有するものであり、発光層と陽極の間に、正孔輸送性材料の層が１層のみ設けられる場合、それが「正孔注入輸送層」であり、発光層と陽極の間に、正孔輸送性材料の層が２層以上設けられる場合、陽極に近い層が「正孔注入層」であり、それ以外の層が「正孔輸送層」である。特に、正孔注入（輸送）層は、陽極からの正孔受容性だけでなく、正孔輸送（発光）層への正孔注入性にも優れる薄膜が用いられる。
　「電子注入層」、「電子輸送層」および「電子注入輸送層」とは、発光層と陰極との間に形成される層であって、電子を陰極から発光層へ輸送する機能を有するものであり、発光層と陰極の間に、電子輸送性材料の層が１層のみ設けられる場合、それが「電子注入輸送層」であり、発光層と陰極の間に、電子輸送性材料の層が２層以上設けられる場合、陰極に近い層が「電子注入層」であり、それ以外の層が「電子輸送層」である。
　「発光層」とは、発光機能を有する有機層であって、ドーピングシステムを採用する場合、ホスト材料とドーパント材料を含んでいる。このとき、ホスト材料は、主に電子と正孔の再結合を促し、励起子を発光層内に閉じ込める機能を有し、ドーパント材料は、再結合で得られた励起子を効率的に発光させる機能を有する。燐光素子の場合、ホスト材料は主にドーパントで生成された励起子を発光層内に閉じ込める機能を有する。
　本発明の電荷輸送性薄膜は、有機ＥＬ素子において、正孔注入層、正孔輸送層、正孔注入輸送層として好適に用いることができ、正孔注入層としてより好適に用いることができる。
　本発明の電荷輸送性ワニスを用いて有機ＥＬ素子を作製する場合の使用材料や、作製方法としては、下記のようなものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
　使用する電極基板は、洗剤、アルコール、純水等による液体洗浄を予め行って浄化しておくことが好ましく、例えば、陽極基板では使用直前にＵＶオゾン処理、酸素－プラズマ処理等の表面処理を行うことが好ましい。ただし陽極材料が有機物を主成分とする場合、表面処理を行わなくともよい。
　本発明の電荷輸送性ワニスから得られる薄膜からなる正孔注入層を有する有機ＥＬ素子の作製方法の例は、以下のとおりである。
　上記の方法により、陽極基板上に本発明の電荷輸送性ワニスを塗布して焼成し、電極上に正孔注入層を作製する。
　この正孔注入層の上に、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極をこの順で設ける。正孔輸送層、発光層、電子輸送層および電子注入層は、用いる材料の特性等に応じて、蒸着法、塗布法（ウェットプロセス）のいずれかで形成すればよい。
　陽極材料としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）に代表される透明電極や、アルミニウムに代表される金属やこれらの合金等から構成される金属陽極が挙げられ、平坦化処理を行ったものが好ましい。高電荷輸送性を有するポリチオフェン誘導体やポリアニリン誘導体を用いることもできる。
　なお、金属陽極を構成するその他の金属としては、スカンジウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ガリウム、イットリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、カドミウム、インジウム、スカンジウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ハフニウム、タリウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、プラチナ、金、チタン、鉛、ビスマスやこれらの合金等が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
　正孔輸送層を形成する材料としては、（トリフェニルアミン）ダイマー誘導体、［（トリフェニルアミン）ダイマー］スピロダイマー、Ｎ，Ｎ’－ビス（ナフタレン－１－イル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）－ベンジジン（α－ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（ナフタレン－２－イル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）－ベンジジン、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）－ベンジジン、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）－９，９－スピロビフルオレン、Ｎ，Ｎ’－ビス（ナフタレン－１－イル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）－９，９－スピロビフルオレン、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）－９，９－ジメチル－フルオレン、Ｎ，Ｎ’－ビス（ナフタレン－１－イル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）－９，９－ジメチル－フルオレン、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）－９，９－ジフェニル－フルオレン、Ｎ，Ｎ’－ビス（ナフタレン－１－イル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）－９，９－ジフェニル－フルオレン、Ｎ，Ｎ’－ビス（ナフタレン－１－イル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）－２，２’－ジメチルベンジジン、２，２’，７，７’－テトラキス（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）－９，９－スピロビフルオレン、９，９－ビス［４－（Ｎ，Ｎ－ビス－ビフェニル－４－イル－アミノ）フェニル］－９Ｈ－フルオレン、９，９－ビス［４－（Ｎ，Ｎ－ビス－ナフタレン－２－イル－アミノ）フェニル］－９Ｈ－フルオレン、９，９－ビス［４－（Ｎ－ナフタレン－１－イル－Ｎ－フェニルアミノ）－フェニル］－９Ｈ－フルオレン、２，２’，７，７’－テトラキス［Ｎ－ナフタレニル（フェニル）－アミノ］－９，９－スピロビフルオレン、Ｎ，Ｎ’－ビス（フェナントレン－９－イル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）－ベンジジン、２，２’－ビス［Ｎ，Ｎ－ビス（ビフェニル－４－イル）アミノ］－９，９－スピロビフルオレン、２，２’－ビス（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）－９，９－スピロビフルオレン、ジ－［４－（Ｎ，Ｎ－ジ（ｐ－トリル）アミノ）－フェニル］シクロヘキサン、２，２’，７，７’－テトラ（Ｎ，Ｎ－ジ（ｐ－トリル））アミノ－９，９－スピロビフルオレン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラ－ナフタレン－２－イル－ベンジジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラ－（３－メチルフェニル）－３，３’－ジメチルベンジジン、Ｎ，Ｎ’－ジ（ナフタレニル）－Ｎ，Ｎ’－ジ（ナフタレン－２－イル）－ベンジジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラ（ナフタレニル）－ベンジジン、Ｎ，Ｎ’－ジ（ナフタレン－２－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルベンジジン－１，４－ジアミン、Ｎ1，Ｎ4－ジフェニル－Ｎ1，Ｎ4－ジ（ｍ－トリル）ベンゼン－１，４－ジアミン、Ｎ2，Ｎ2，Ｎ6，Ｎ6－テトラフェニルナフタレン－２，６－ジアミン、トリス（４－（キノリン－８－イル）フェニル）アミン、２，２’－ビス（３－（Ｎ，Ｎ－ジ（ｐ－トリル）アミノ）フェニル）ビフェニル、４，４’，４”－トリス［３－メチルフェニル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（ｍ－ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’，４”－トリス［１－ナフチル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（１－ＴＮＡＴＡ）等のトリアリールアミン類、５，５”－ビス－｛４－［ビス（４－メチルフェニル）アミノ］フェニル｝－２，２’：５’，２”－ターチオフェン（ＢＭＡ－３Ｔ）等のオリゴチオフェン類等の正孔輸送性低分子材料などが挙げられる。
　発光層を形成する材料としては、トリス（８－キノリノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）（Ａｌｑ3）、ビス（８－キノリノラート）亜鉛（ＩＩ）（Ｚｎｑ2）、ビス（２－メチル－８－キノリノラート）－４－（ｐ－フェニルフェノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）（ＢＡｌｑ）、４，４’－ビス（２，２－ジフェニルビニル）ビフェニル、９，１０－ジ（ナフタレン－２－イル）アントラセン、２－ｔ－ブチル－９，１０－ジ（ナフタレン－２－イル）アントラセン、２，７－ビス［９，９－ジ（４－メチルフェニル）－フルオレン－２－イル］－９，９－ジ（４－メチルフェニル）フルオレン、２－メチル－９，１０－ビス（ナフタレン－２－イル）アントラセン、２－（９，９－スピロビフルオレン－２－イル）－９，９－スピロビフルオレン、２，７－ビス（９，９－スピロビフルオレン－２－イル）－９，９－スピロビフルオレン、２－［９，９－ジ（４－メチルフェニル）－フルオレン－２－イル］－９，９－ジ（４－メチルフェニル）フルオレン、２，２’－ジピレニル－９，９－スピロビフルオレン、１，３，５－トリス（ピレン－１－イル）ベンゼン、９，９－ビス［４－（ピレニル）フェニル］－９Ｈ－フルオレン、２，２’－ビ（９，１０－ジフェニルアントラセン）、２，７－ジピレニル－９，９－スピロビフルオレン、１，４－ジ（ピレン－１－イル）ベンゼン、１，３－ジ（ピレン－１－イル）ベンゼン、６，１３－ジ（ビフェニル－４－イル）ペンタセン、３，９－ジ（ナフタレン－２－イル）ペリレン、３，１０－ジ（ナフタレン－２－イル）ペリレン、トリス［４－（ピレニル）－フェニル］アミン、１０，１０’－ジ（ビフェニル－４－イル）－９，９’－ビアントラセン、Ｎ，Ｎ’－ジ（ナフタレン－１－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－［１，１’：４’，１’’：４’’，１’’’－クウォーターフェニル］－４，４’’’－ジアミン、４，４’－ジ［１０－（ナフタレン－１－イル）アントラセン－９－イル］ビフェニル、ジベンゾ｛［ｆ，ｆ’］－４，４’，７，７’－テトラフェニル｝ジインデノ［１，２，３－ｃｄ：１’，２’，３’－ｌｍ］ペリレン、１－（７－（９，９’－ビアントラセン－１０－イル）－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）ピレン、１－（７－（９，９’－ビアントラセン－１０－イル）－９，９－ジヘキシル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）ピレン、１，３－ビス（カルバゾール－９－イル）ベンゼン、１，３，５－トリス（カルバゾール－９－イル）ベンゼン、４，４’，４”－トリス（カルバゾール－９－イル）トリフェニルアミン、４，４’－ビス（カルバゾール－９－イル）ビフェニル（ＣＢＰ）、４，４’－ビス（カルバゾール－９－イル）－２，２’－ジメチルビフェニル、２，７－ビス（カルバゾール－９－イル）－９，９－ジメチルフルオレン、２，２’，７，７’－テトラキス（カルバゾール－９－イル）－９，９－スピロビフルオレン、２，７－ビス（カルバゾール－９－イル）－９，９－ジ（ｐ－トリル）フルオレン、９，９－ビス［４－（カルバゾール－９－イル）－フェニル］フルオレン、２，７－ビス（カルバゾール－９－イル）－９，９－スピロビフルオレン、１，４－ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン、１，３－ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン、ビス（４－Ｎ，Ｎ－ジエチルアミノ－２－メチルフェニル）－４－メチルフェニルメタン、２，７－ビス（カルバゾール－９－イル）－９，９－ジオクチルフルオレン、４，４”－ジ（トリフェニルシリル）－ｐ－ターフェニル、４，４’－ジ（トリフェニルシリル）ビフェニル、９－（４－ｔ－ブチルフェニル）－３，６－ビス（トリフェニルシリル）－９Ｈ－カルバゾール、９－（４－ｔ－ブチルフェニル）－３，６－ジトリチル－９Ｈ－カルバゾール、９－（４－ｔ－ブチルフェニル）－３，６－ビス（９－（４－メトキシフェニル）－９Ｈ－フルオレン－９－イル）－９Ｈ－カルバゾール、２，６－ビス（３－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル）ピリジン、トリフェニル（４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル）シラン、９，９－ジメチル－Ｎ，Ｎ－ジフェニル－７－（４－（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾ［ｄ］イミダゾール－２－イル）フェニル）－９Ｈ－フルオレン－２－アミン、３，５－ビス（３－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル）ピリジン、９，９－スピロビフルオレン－２－イル－ジフェニル－フォスフィン　オキサイド、９，９’－（５－（トリフェニルシリル）－１，３－フェニレン）ビス（９Ｈ－カルバゾール）、３－（２，７－ビス（ジフェニルフォスフォリル）－９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール、４，４，８，８，１２，１２－ヘキサ（ｐ－トリル）－４Ｈ－８Ｈ－１２Ｈ－１２Ｃ－アザジベンゾ［ｃｄ，ｍｎ］ピレン、４，７－ジ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－１，１０－フェナントロリン、２，２’－ビス（４－（カルバゾール－９－イル）フェニル）ビフェニル、２，８－ビス（ジフェニルフォスフォリル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン、ビス（２－メチルフェニル）ジフェニルシラン、ビス［３，５－ジ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ジフェニルシラン、３，６－ビス（カルバゾール－９－イル）－９－（２－エチル－ヘキシル）－９Ｈ－カルバゾール、３－（ジフェニルフォスフォリル）－９－（４－（ジフェニルフォスフォリル）フェニル）－９Ｈ－カルバゾール、３，６－ビス［（３，５－ジフェニル）フェニル］－９－フェニルカルバゾール等が挙げられ、発光性ドーパントと共蒸着することによって、発光層を形成してもよい。
　発光性ドーパントとしては、３－（２－ベンゾチアゾリル）－７－（ジエチルアミノ）クマリン、２，３，６，７－テトラヒドロ－１，１，７，７－テトラメチル－１Ｈ，５Ｈ，１１Ｈ－１０－（２－ベンゾチアゾリル）キノリジノ［９，９ａ，１ｇｈ］クマリン、キナクリドン、Ｎ，Ｎ’－ジメチル－キナクリドン、トリス（２－フェニルピリジン）イリジウム（III）（Ｉｒ（ｐｐｙ）3）、ビス（２－フェニルピリジン）（アセチルアセトネート）イリジウム（III）（Ｉｒ（ｐｐｙ）2（ａｃａｃ））、トリス［２－（ｐ－トリル）ピリジン］イリジウム（III）（Ｉｒ（ｍｐｐｙ）3）、９，１０－ビス［Ｎ，Ｎ－ジ（ｐ－トリル）アミノ］アントラセン、９，１０－ビス［フェニル（ｍ－トリル）アミノ］アントラセン、ビス［２－（２－ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（II）、Ｎ10，Ｎ10，Ｎ10’，Ｎ10’－テトラ（ｐ－トリル）－９，９’－ビアントラセン－１０，１０’－ジアミン、Ｎ10，Ｎ10，Ｎ10’，Ｎ10’－テトラフェニル－９，９’－ビアントラセン－１０，１０’－ジアミン、Ｎ10，Ｎ10’－ジフェニル－Ｎ10，Ｎ10’－ジナフタレニル－９，９’－ビアントラセン－１０，１０’－ジアミン、４，４’－ビス（９－エチル－３－カルバゾビニレン）－１，１’－ビフェニル、ペリレン、２，５，８，１１－テトラ－ｔ－ブチルペリレン、１，４－ビス［２－（３－Ｎ－エチルカルバゾリル）ビニル］ベンゼン、４，４’－ビス［４－（ジ－ｐ－トリルアミノ）スチリル］ビフェニル、４－（ジ－ｐ－トリルアミノ）－４’－［（ジ－ｐ－トリルアミノ）スチリル］スチルベン、ビス［３，５－ジフルオロ－２－（２－ピリジル）フェニル－（２－カルボキシピリジル）］イリジウム（III）、４，４’－ビス［４－（ジフェニルアミノ）スチリル］ビフェニル、ビス（２，４－ジフルオロフェニルピリジナト）テトラキス（１－ピラゾリル）ボレートイリジウム（III）、Ｎ，Ｎ’－ビス（ナフタレン－２－イル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）－トリス（９，９－ジメチルフルオレニレン）、２，７－ビス｛２－［フェニル（ｍ－トリル）アミノ］－９，９－ジメチル－フルオレン－７－イル｝－９，９－ジメチル－フルオレン、Ｎ－（４－（（Ｅ）－２－（６（（Ｅ）－４－（ジフェニルアミノ）スチリル）ナフタレン－２－イル）ビニル）フェニル）－Ｎ－フェニルベンゼンアミン、ｆａｃ－イリジウム（III）トリス（１－フェニル－３－メチルベンズイミダゾリン－２－イリデン－Ｃ，Ｃ2’）、ｍｅｒ－イリジウム（III）トリス（１－フェニル－３－メチルベンズイミダゾリン－２－イリデン－Ｃ，Ｃ2’）、２，７－ビス［４－（ジフェニルアミノ）スチリル］－９，９－スピロビフルオレン、６－メチル－２－（４－（９－（４－（６－メチルベンゾ［ｄ］チアゾール－２－イル）フェニル）アントラセン－１０－イル）フェニル）ベンゾ［ｄ］チアゾール、１，４－ジ［４－（Ｎ，Ｎ－ジフェニル）アミノ］スチリルベンゼン、１，４－ビス（４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）スチリル）ベンゼン、（Ｅ）－６－（４－（ジフェニルアミノ）スチリル）－Ｎ，Ｎ－ジフェニルナフタレン－２－アミン、ビス（２，４－ジフルオロフェニルピリジナト）（５－（ピリジン－２－イル）－１Ｈ－テトラゾレート）イリジウム（III）、ビス（３－トリフルオロメチル－５－（２－ピリジル）ピラゾール）（（２，４－ジフルオロベンジル）ジフェニルフォスフィネート）イリジウム（III）、ビス（３－トリフルオロメチル－５－（２－ピリジル）ピラゾレート）（ベンジルジフェニルフォスフィネート）イリジウム（III）、ビス（１－（２，４－ジフルオロベンジル）－３－メチルベンズイミダゾリウム）（３－（トリフルオロメチル）－５－（２－ピリジル）－１，２，４－トリアゾレート）イリジウム（III）、ビス（３－トリフルオロメチル－５－（２－ピリジル）ピラゾレート）（４’，６’－ジフルオロフェニルピリジネート）イリジウム（III）、ビス（４’，６’－ジフルオロフェニルピリジナト）（３，５－ビス（トリフルオロメチル）－２－（２’－ピリジル）ピロレート）イリジウム（III）、ビス（４’，６’－ジフルオロフェニルピリジナト）（３－（トリフルオロメチル）－５－（２－ピリジル）－１，２，４－トリアゾレート）イリジウム（III）、（Ｚ）－６－メシチル－Ｎ－（６－メシチルキノリン－２（１Ｈ）－イリデン）キノリン－２－アミン－ＢＦ2、（Ｅ）－２－（２－（４－（ジメチルアミノ）スチリル）－６－メチル－４Ｈ－ピラン－４－イリデン）マロノニトリル、４－（ジシアノメチレン）－２－メチル－６－ジュロリジル－９－エニル－４Ｈ－ピラン、４－（ジシアノメチレン）－２－メチル－６－（１，１，７，７－テトラメチルジュロリジル－９－エニル）－４Ｈ－ピラン、４－（ジシアノメチレン）－２－ｔ－ブチル－６－（１，１，７，７－テトラメチルジュロリジン－４－イル－ビニル）－４Ｈ－ピラン、トリス（ジベンゾイルメタン）フェナントロリンユーロピウム（III）、５，６，１１，１２－テトラフェニルナフタセン、ビス（２－ベンゾ［ｂ］チオフェン－２－イル－ピリジン）（アセチルアセトネート）イリジウム（III）、トリス（１－フェニルイソキノリン）イリジウム（III）、ビス（１－フェニルイソキノリン）（アセチルアセトネート）イリジウム（III）、ビス［１－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－イソキノリン］（アセチルアセトネート）イリジウム（III）、ビス［２－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）キノリン］（アセチルアセトネート）イリジウム（III）、トリス［４，４’－ジ－ｔ－ブチル－（２，２’）－ビピリジン］ルテニウム（III）・ビス（ヘキサフルオロフォスフェート）、トリス（２－フェニルキノリン）イリジウム（III）、ビス（２－フェニルキノリン）（アセチルアセトネート）イリジウム（III）、２，８－ジ－ｔ－ブチル－５，１１－ビス（４－ｔ－ブチルフェニル）－６，１２－ジフェニルテトラセン、ビス（２－フェニルベンゾチアゾラト）（アセチルアセトネート）イリジウム（III）、５，１０，１５，２０－テトラフェニルテトラベンゾポルフィリン白金、オスミウム（II）ビス（３－トリフルオロメチル－５－（２－ピリジン）－ピラゾレート）ジメチルフェニルフォスフィン、オスミウム（II）ビス（３－（トリフルオロメチル）－５－（４－ｔ－ブチルピリジル）－１，２，４－トリアゾレート）ジフェニルメチルフォスフィン、オスミウム（II）ビス（３－（トリフルオロメチル）－５－（２－ピリジル）－１，２，４－トリアゾール）ジメチルフェニルフォスフィン、オスミウム（II）ビス（３－（トリフルオロメチル）－５－（４－ｔ－ブチルピリジル）－１，２，４－トリアゾレート）ジメチルフェニルフォスフィン、ビス［２－（４－ｎ－ヘキシルフェニル）キノリン］（アセチルアセトネート）イリジウム（III）、トリス［２－（４－ｎ－ヘキシルフェニル）キノリン］イリジウム（III）、トリス［２－フェニル－４－メチルキノリン］イリジウム（III）、ビス（２－フェニルキノリン）（２－（３－メチルフェニル）ピリジネート）イリジウム（III）、ビス（２－（９，９－ジエチル－フルオレン－２－イル）－１－フェニル－１Ｈ－ベンゾ［ｄ］イミダゾラト）（アセチルアセトネート）イリジウム（III）、ビス（２－フェニルピリジン）（３－（ピリジン－２－イル）－２Ｈ－クロメン－２－オネート）イリジウム（III）、ビス（２－フェニルキノリン）（２，２，６，６－テトラメチルヘプタン－３，５－ジオネート）イリジウム（III）、ビス（フェニルイソキノリン）（２，２，６，６－テトラメチルヘプタン－３，５－ジオネート）イリジウム（III）、イリジウム（III）ビス（４－フェニルチエノ［３，２－ｃ］ピリジナト－Ｎ，Ｃ2’）アセチルアセトネート、（Ｅ）－２－（２－ｔ－ブチル－６－（２－（２，６，６－トリメチル－２，４，５，６－テトラヒドロ－１Ｈ－ピローロ［３，２，１－ｉｊ］キノリン－８－イル）ビニル）－４Ｈ－ピラン－４－イリデン）マロノニトリル、ビス（３－トリフルオロメチル－５－（１－イソキノリル）ピラゾレート）（メチルジフェニルフォスフィン）ルテニウム、ビス［（４－ｎ－ヘキシルフェニル）イソキノリン］（アセチルアセトネート）イリジウム（III）、白金（II）オクタエチルポルフィン、ビス（２－メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン）（アセチルアセトネート）イリジウム（III）、トリス［（４－ｎ－ヘキシルフェニル）キソキノリン］イリジウム（III）等が挙げられる。
　電子輸送層を形成する材料としては、８－ヒドロキシキノリノレート－リチウム、２，２’，２”－（１，３，５－ベンジントリル）－トリス（１－フェニル－１－Ｈ－ベンズイミダゾール）、２－（４－ビフェニル）５－（４－ｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール、２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン、４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン、ビス（２－メチル－８－キノリノレート）－４－（フェニルフェノラト）アルミニウム、１，３－ビス［２－（２，２’－ビピリジン－６－イル）－１，３，４－オキサジアゾ－５－イル］ベンゼン、６，６’－ビス［５－（ビフェニル－４－イル）－１，３，４－オキサジアゾ－２－イル］－２，２’－ビピリジン、３－（４－ビフェニル）－４－フェニル－５－ｔ－ブチルフェニル－１，２，４－トリアゾール、４－（ナフタレン－１－イル）－３，５－ジフェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール、２，９－ビス（ナフタレン－２－イル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン、２，７－ビス［２－（２，２’－ビピリジン－６－イル）－１，３，４－オキサジアゾ－５－イル］－９，９－ジメチルフルオレン、１，３－ビス［２－（４－ｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾ－５－イル］ベンゼン、トリス（２，４，６－トリメチル－３－（ピリジン－３－イル）フェニル）ボラン、１－メチル－２－（４－（ナフタレン－２－イル）フェニル）－１Ｈ－イミダゾ［４，５ｆ］［１，１０］フェナントロリン、２－（ナフタレン－２－イル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン、フェニル－ジピレニルフォスフィンオキサイド、３，３’，５，５’－テトラ［（ｍ－ピリジル）－フェン－３－イル］ビフェニル、１，３，５－トリス［（３－ピリジル）－フェン－３－イル］ベンゼン、４，４’－ビス（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）ビフェニル、１，３－ビス［３，５－ジ（ピリジン－３－イル）フェニル］ベンゼン、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム、ジフェニルビス（４－（ピリジン－３－イル）フェニル）シラン、３，５－ジ（ピレン－１－イル）ピリジン等が挙げられる。
　電子注入層を形成する材料としては、酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ2）、三酸化モリブデン（ＭｏＯ3）、アルミニウム、Ｌｉ（ａｃａｃ）、酢酸リチウム、安息香酸リチウム等が挙げられる。
　陰極材料としては、アルミニウム、マグネシウム－銀合金、アルミニウム－リチウム合金、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム等が挙げられる。
　また、本発明の電荷輸送性ワニスから得られる薄膜からなる正孔注入層を有する有機ＥＬ素子の作製方法のその他の例は、以下のとおりである。
　上記ＥＬ素子作製において、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の真空蒸着操作を行う代わりに、正孔輸送層（以下、正孔輸送性高分子層）、発光層（以下、発光性高分子層）を順次形成することによって本発明の電荷輸送性ワニスによって形成される電荷輸送性薄膜を有する有機ＥＬ素子を作製することができる。
　具体的には、陽極基板上に本発明の電荷輸送性ワニスを塗布して上記の方法により正孔注入層を作製し、その上に正孔輸送性高分子層、発光性高分子層を順次形成し、さらに陰極電極を蒸着して有機ＥＬ素子とする。
　使用する陰極および陽極材料としては、上述のものと同様のものが使用でき、同様の洗浄処理、表面処理を行うことができる。
　正孔輸送性高分子層および発光性高分子層の形成法としては、正孔輸送性高分子材料もしくは発光性高分子材料、またはこれらにドーパント物質を加えた材料に溶媒を加えて溶解するか、均一に分散し、正孔注入層または正孔輸送性高分子層の上に塗布した後、それぞれ焼成することで成膜する方法が挙げられる。
　正孔輸送性高分子材料としては、ポリ［（９，９－ジヘキシルフルオレニル－２，７－ジイル）－ｃｏ－（Ｎ，Ｎ’－ビス｛ｐ－ブチルフェニル｝－１，４－ジアミノフェニレン）］、ポリ［（９，９－ジオクチルフルオレニル－２，７－ジイル）－ｃｏ－（Ｎ，Ｎ’－ビス｛ｐ－ブチルフェニル｝－１，１’－ビフェニレン－４，４－ジアミン）］、ポリ［（９，９－ビス｛１’－ペンテン－５’－イル｝フルオレニル－２，７－ジイル）－ｃｏ－（Ｎ，Ｎ’－ビス｛ｐ－ブチルフェニル｝－１，４－ジアミノフェニレン）］、ポリ［Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）－ベンジジン］－エンドキャップド　ウィズ　ポリシルシスキノキサン、ポリ［（９，９－ジジオクチルフルオレニル－２，７－ジイル）－ｃｏ－（４，４’－（Ｎ－（ｐ－ブチルフェニル））ジフェニルアミン）］等が挙げられる。
　発光性高分子材料としては、ポリ（９，９－ジアルキルフルオレン）（ＰＤＡＦ）等のポリフルオレン誘導体、ポリ（２－メトキシ－５－（２’－エチルヘキソキシ）－１，４－フェニレンビニレン）（ＭＥＨ－ＰＰＶ）等のポリフェニレンビニレン誘導体、ポリ（３－アルキルチオフェン）（ＰＡＴ）等のポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）等が挙げられる。
　溶媒としては、トルエン、キシレン、クロロホルム等を挙げることができ、溶解または均一分散法としては撹拌、加熱撹拌、超音波分散等の方法が挙げられる。
　塗布方法としては、特に限定されるものではなく、インクジェット法、スプレー法、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り等が挙げられる。なお、塗布は、窒素、アルゴン等の不活性ガス下で行うことが好ましい。
　焼成する方法としては、不活性ガス下または真空中、オーブンまたはホットプレートで加熱する方法が挙げられる。
　本発明の電荷輸送性ワニスから得られる薄膜からなる正孔輸送層を有するＥＬ素子の作製方法の例は、以下のとおりである。
　陽極基板上に正孔注入層を形成する。その層の上に、上記の方法により本発明の電荷輸送性ワニスを塗布して焼成し、正孔輸送層を作製する。
　この正孔輸送層の上に、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極をこの順で設ける。発光層、電子輸送層および電子注入層の形成方法および具体例は上述と同様のものが挙げられる。また、正孔注入層は、用いる材料の特性等に応じて、蒸着法、塗布法（ウェットプロセス）のいずれかで形成すればよい。
　正孔注入層を形成する材料としては、銅フタロシアニン、酸化チタンフタロシアニン、白金フタロシアニン、ピラジノ［２，３－ｆ］［１，１０］フェナントロリン－２，３－ジカルボニトリル、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（４－メトキシフェニル）ベンジジン、２，７－ビス［Ｎ，Ｎ－ビス（４－メトキシ－フェニル）アミノ］－９，９－スピロビフルオレン、２，２’－ビス［Ｎ，Ｎ－ビス（４－メトキシ－フェニル）アミノ］－９，９－スピロビフルオレン、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ジ［４－（Ｎ，Ｎ－ジトリルアミノ）フェニル］ベンジジン、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ジ［４－（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）フェニル］ベンジジン、Ｎ4，Ｎ4’－（ビフェニル－４，４’－ジイル）ビス（Ｎ4，Ｎ4’，Ｎ4’－トリフェニルビフェニル－４，４’－ジアミン）Ｎ1，Ｎ1’－（ビフェニル－４，４’－ジイル）ビス（Ｎ1－フェニル－Ｎ4，Ｎ4’－ジ－ｍ－トリルベンゼン－１，４－ジアミン）、国際公開第２００４／０４３１１７号、国際公開第２００４／１０５４４６号、国際公開第２００５／０００８３２号、国際公開第２００５／０４３９６２号、国際公開第２００５／０４２６２１号、国際公開第２００５／１０７３３５号、国際公開第２００６／００６４５９号、国際公開第２００６／０２５３４２号、国際公開第２００６／１３７４７３号、国際公開第２００７／０４９６３１号、国際公開第２００７／０９９８０８号、国際公開第２００８／０１０４７４号、国際公開第２００８／０３２６１７号、国際公開第２００８／０３２６１６号、国際公開第２００８／１２９９４７号、国際公開第２００９／０９６３５２号、国際公開第２０１０／０４１７０１号、国際公開第２０１０／０５８７７７号、国際公開第２０１０／０５８７７６号、国際公開第２０１３／０４２６２３号、国際公開第２０１３／１２９２４９号、国際公開第２０１４／１１５８６５号、国際公開第２０１４／１３２９１７号、国際公開第２０１４／１４１９９８号および国際公開第２０１４／１３２８３４号に記載の電荷輸送材料等が挙げられる。
　陽極材料、発光層、発光性ドーパント、電子輸送層および電子ブロック層を形成する材料、陰極材料としては、上述と同じものが挙げられる。
　本発明の電荷輸送性ワニスから得られる薄膜からなる正孔注入輸送層を有する有機ＥＬ素子の作製方法の例は、以下のとおりである。
　陽極基板上に正孔注入輸送層を形成し、この正孔注入輸送層の上に、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極をこの順で設ける。発光層、電子輸送層および電子注入層の形成方法および具体例は上述と同様のものが挙げられる。
　陽極材料、発光層、発光性ドーパント、電子輸送層および電子ブロック層を形成する材料、陰極材料としては、上述と同じものが挙げられる。
　なお、電極および上記各層の間の任意の間に、必要に応じてホールブロック層、電子ブロック層等を設けてもよい。例えば、電子ブロック層を形成する材料としては、トリス（フェニルピラゾール）イリジウム等が挙げられる。
　陽極と陰極およびこれらの間に形成される層を構成する材料は、ボトムミッション構造、トップエミッション構造のいずれを備える素子を製造するかで異なるため、その点を考慮して、適宜材料選択する。
　通常、ボトムエミッション構造の素子では、基板側に透明陽極が用いられ、基板側から光が取り出されるのに対し、トップエミッション構造の素子では、金属からなる反射陽極が用いられ、基板と反対方向にある透明電極（陰極）側から光が取り出されることから、例えば陽極材料について言えば、ボトムエミッション構造の素子を製造する際はＩＴＯ等の透明陽極を、トップエミッション構造の素子を製造する際はＡｌ／Ｎｄ等の反射陽極を、それぞれ用いる。
　本発明の有機ＥＬ素子は、特性悪化を防ぐため、定法に従い、必要に応じて捕水剤などとともに、封止してもよい。
　以下、合成例、実施例および比較例を挙げて、本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。なお、使用した装置は以下のとおりである。
（１）分子量測定：昭和電工（株）製、常温ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）装置（ＧＰＣ－１０１）およびＳｈｏｄｅｘ製カラム（ＫＤ－８０３Ｌ）
（測定条件）
・カラム温度：４０℃
・溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ），１０ｍｌ／Ｌ
・流速：１．０ｍｌ／分
・検量線作成用標準サンプル：昭和電工（株）製、ＳＬ－１０５，標準ポリスチレン（分子量約５８０，２９７０，７２００，１９９００，５２４００）
（２）基板洗浄：長州産業（株）製　基板洗浄装置（減圧プラズマ方式）
（３）ワニスの塗布：ミカサ（株）製　スピンコーターＭＳ－Ａ１００
（４）膜厚測定：（株）小坂研究所製　微細形状測定機サーフコーダＥＴ－４０００
（５）膜の表面観察：レーザーテック社製　共焦点レーザー顕微鏡　リアルタイム走査型レーザー顕微鏡　１ＬＭ２１Ｄ
（６）ＥＬ素子の作製：長州産業（株）製　多機能蒸着装置システムＣ－Ｅ２Ｌ１Ｇ１－Ｎ
（７）ＥＬ素子の輝度等の測定：（有）テック・ワールド製　Ｉ－Ｖ－Ｌ測定システム
（８）ＥＬ素子の寿命測定（輝度半減期測定）：（株）イーエッチシー製　有機ＥＬ輝度寿命評価システムＰＥＬ－１０５Ｓ
［１］化合物の合成
［合成例１］
　式（ＴＰ１）で表されるチオフェン誘導体（以下「ＴＰ１」という。）を以下の方法により合成した
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000069
　窒素雰囲気下、フラスコ内に、ターチオフェン２．０１ｇおよびテトラヒドロフラン５０ｍＬを入れて－７８℃に冷却した。そこへｎ－ブチルリチウムのノルマルへキサン溶液（１．６４Ｍ）１９．６ｍＬを滴下し、－７８℃のまま３０分間撹拌し、次いで０℃まで昇温してさらに１時間撹拌した。
　その後、再び－７８℃に冷却して３０分間撹拌した後、トリブチルクロロスタナン８．８ｍＬを滴下して１０分撹拌し、次いで０℃に昇温してさらに３０分間撹拌した。
　撹拌後、反応混合物から減圧下で溶媒を留去し、得られた残渣をトルエンに加え、ろ過によって不溶物を除去し、得られたろ液から減圧下で溶媒を留去し、ターチオフェンのビススタニル体を含むオイル状物１２．８８ｇ（当該ビススタニル体の純度５１．９１％）得た。
　次いで、窒素雰囲気下で、別のフラスコ内に、このターチオフェンビススタニル体を含むオイル状物６．４４ｇ、２－ブロモ－３－ノルマルヘキシルチオフェン２．４１ｇ、トルエン２４ｍＬおよびテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．２３ｇを順次入れて、還流条件下４．５時間撹拌した。
　室温まで放冷し、溶媒を減圧留去した後、ろ過にて不溶物を除去した。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、ＴＰ１を得た（収量：１．２９ｇ、収率：５５％、２段階通算収率）。
1Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：７．１７（ｄ，Ｊ＝５．１Ｈｚ，２Ｈ），７．１２（ｄ，Ｊ＝３．９Ｈｚ，２Ｈ），７．０９（ｓ，２Ｈ），７．０１（ｄ，Ｊ＝３．９Ｈｚ，２Ｈ），６．９３（ｄ，Ｊ＝５．１Ｈｚ，２Ｈ），２．７８（ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，４Ｈ），１．５４－１．７０（ｍ，４Ｈ），１．２８－１．４１（ｍ，１２Ｈ），０．８９（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，６Ｈ）．
［合成例２］
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000070
　フラスコ内に、Ｎ１－（４－アミノフェニル）ベンゼン－１，４－ジアミン１．００ｇ、３－ブロモ－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール８．８９ｇ、酢酸パラジウム１１２ｍｇ、およびｔ－ブトキシナトリウム３．４７ｇを入れた後、フラスコ内を窒素置換した。そこへ、トルエン３０ｍＬ、および予め調製しておいたジ－ｔ－ブチル（フェニル）フォスフィンのトルエン溶液２．７５ｍＬ（濃度８１．０ｇ／Ｌ）を入れ、９０℃で６時間撹拌した。
　撹拌終了後、反応混合物を室温まで冷却し、冷却した反応混合物と、トルエンと、イオン交換水とを混合して分液処理をした。得られた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、濃縮した。濃縮液をシリカゲルにてろ過を行い、得られたろ液に活性炭０．２ｇを加え、室温で３０分撹拌した。
　その後、ろ過にて活性炭を取り除き、ろ液を濃縮した。濃縮液をメタノールおよび酢酸エチルの混合溶媒（５００ｍＬ／５００ｍＬ）に滴下し、得られたスラリーを室温で一晩撹拌し、次いでスラリーをろ過してろ物を回収した。得られたろ物を乾燥し、目的とするアニリン誘導体（ＰＣＺ５）を得た（収量５．８８ｇ，収率８３％）。
1Ｈ－ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＴＨＦ－ｄ８）δ［ｐｐｍ］：８．０８（ｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，２Ｈ），７．９９（ｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，８Ｈ），７．６０－７．６４（ｍ，１９Ｈ），７．４２－７．４７（ｍ，６Ｈ），７．２８－７．３６（ｍ，１９Ｈ），７．０９－７．２１（ｍ，６Ｈ），７．００（ｍ，８Ｈ）．
ＭＡＬＤＩ－ＴＯＦ－ＭＳ ｍ／Ｚ　ｆｏｕｎｄ：１４０４．６８（［Ｍ］+ｃａｌｃｄ：１４０４．５６）．
［合成例３］有機シラン化合物の合成
　温度計および還流管を備え付けた２００ｍＬの四つ口反応フラスコ中で、ヘキシレングリコール１８．４ｇ、ブチルセロソルブＳ６．１ｇ、テトラエトキシシラン２３．３ｇ、および３，３，３－トリフルオロプロピルトリメトキシシラン１０．５ｇを混合し、アルコキシシランモノマーの溶液を調製した。
　この溶液に、予めヘキシレングリコール９．２ｇ、ブチルセロソルブ３．１ｇ、水８．６ｇおよび触媒として蓚酸０．７ｇを混合した溶液を、室温下で３０分かけて滴下し、さらに室温で３０分撹拌した。その後、オイルバスを用いて加熱して１時間還流させた後、放冷して、ＳｉＯ2換算濃度が１２質量％のポリシロキサン溶液を得た。
　得られたポリシロキサンの数平均分子量は２，５００であり、重量平均分子量は３，５００であった。
　なお、得られたポリシロキサン溶液１０．０ｇ、ヘキシレングリコール４２．０ｇ、およびブチルセロソルブ１４．０ｇを混合し、ＳｉＯ2換算濃度が５質量％のポリシロキサン溶液を調製し、このポリシロキサン溶液を電荷輸送性ワニスの調製に用いた。
［２］電荷輸送性ワニスの調製
［実施例１－１］
　ＴＰ１　０．０２４ｇと、ジピラジノ［２，３－ｆ：２’，３’－ｈ］キノキサリン－２，３，６，７，１０，１１－ヘキサカルボニトリル（ｅ－Ｒａｙ社製、以下「ＨＡＴ－ＣＮ」という。）０．０８０ｇと、リンタングステン酸（日本新金属（株）製、以下「ＰＴＡ」という。）０．１０４ｇとを、窒素雰囲気下で１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン（以下「ＤＭＩ」という。）３．５ｇに溶解させた。得られた溶液に、２，３－ブタンジオール（以下「２，３－ＢＤ」という。）１．０ｇおよびジプロピレングリコールモノメチルエーテル（以下「ＤＰＭ」という。）０．５ｇを加えて撹拌し、更にそこへ３，３，３－トリフルオロプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製）０．００３ｇおよびフェニルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製）０．００７ｇを加えて撹拌し、電荷輸送性ワニスを調製した。
［実施例１－２］
　ＴＰ１　０．０２４ｇと、ＨＡＴ－ＣＮ０．０７８ｇとを、窒素雰囲気下でＤＭＩ３．５ｇに溶解させた。得られた溶液に、２，３－ＢＤ１．０ｇおよびＤＰＭ０．５ｇを加えて撹拌し、電荷輸送性ワニスを調製した。
［実施例１－３］
　ＰＣＺ５　０．０８８ｇと、ＨＡＴ－ＣＮ０．１２０ｇとを、窒素雰囲気下でＤＭＩ７．０ｇに溶解させた。得られた溶液に、２，３－ＢＤ２．０ｇおよびＤＰＭ１．０ｇを加えて撹拌し、電荷輸送性ワニスを調製した。
［実施例１－４］
　ＰＣＺ５　０．０５５ｇと、ＨＡＴ－ＣＮ０．１４９ｇとを、窒素雰囲気下でＤＭＩ７．０ｇに溶解させた。得られた溶液に、２，３－ＢＤ２．０ｇおよびＤＰＭ１．０ｇを加えて撹拌し、電荷輸送性ワニスを調製した。
［実施例１－５］
　ＰＣＺ５　０．０８８ｇと、ＨＡＴ－ＣＮ０．１２０ｇとを、窒素雰囲気下でＤＭＩ７．０ｇに溶解させた。得られた溶液に、２，３－ＢＤ２．０ｇおよびＤＰＭ１．０ｇを加えて撹拌し、更にそこへ合成例３にて調製したポリシロキサン溶液０．１０４ｇを加えて撹拌し、電荷輸送性ワニスを調製した。
［実施例１－６］
　ポリシロキサン溶液の使用量を０．２０８ｇとした以外は、実施例１－５と同様にして電荷輸送性ワニスを調製した。
［実施例１－７］
　ＰＣＺ５　０．０８７ｇと、ＨＡＴ－ＣＮ０．１１９ｇと、ＰＴＡ０．１０３ｇとを、窒素雰囲気下でＤＭＩ７．０ｇに溶解させた。得られた溶液に、２，３－ＢＤ２．０ｇおよびＤＰＭ１．０ｇを加えて撹拌し、更にそこへ３，３－トリフルオロプロピルトリメトキシシラン０．００７ｇおよびフェニルトリメトキシシラン０．０１４ｇを加えて撹拌し、電荷輸送性ワニスを調製した。
［実施例１－８］
　ＰＣＺ５　０．１７６ｇと、ＨＡＴ－ＣＮ０．２４０ｇとを、窒素雰囲気下でＤＭＩ７．０ｇに溶解させた。得られた溶液に、２，３－ＢＤ２．０ｇおよびＤＰＭ１．０ｇを加えて撹拌し、更にそこへ合成例３にて調製したポリシロキサン溶液０．４１７ｇを加えて撹拌し、電荷輸送性ワニスを調製した。
［実施例１－９］
　ＰＣＺ５　０．１８０ｇと、ＨＡＴ－ＣＮ０．２４５ｇと、ＰＴＡ０．２１３ｇとを、窒素雰囲気下でＤＭＩ７．０ｇに溶解させた。得られた溶液に、２，３－ＢＤ２．０ｇおよびＤＰＭ１．０ｇを加えて撹拌し、更にそこへ３，３－トリフルオロプロピルトリメトキシシラン０．０１４ｇおよびフェニルトリメトキシシラン０．０２８ｇを加えて撹拌し、電荷輸送性ワニスを調製した。
［実施例１－１０］
　ＰＣＺ５　０．０７４ｇと、ＨＡＴ－ＣＮ０．１０１ｇと、ＰＴＡ０．０８８ｇとを、窒素雰囲気下でＤＭＩ３．０ｇに溶解させた。得られた溶液に、２，３－ＢＤ１．５ｇおよびＤＰＭ０．５ｇを加えて撹拌し、更にそこへ３，３－トリフルオロプロピルトリメトキシシラン０．００６ｇおよびフェニルトリメトキシシラン０．０１２ｇを加えて撹拌し、電荷輸送性ワニスを調製した。
［実施例１－１１］
　ＤＭＩ、２，３－ＢＤおよびＤＰＭの使用量を、それぞれ２．５ｇ、２．０ｇおよび０．５ｇとした以外は、実施例１－１０と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した。
［実施例１－１２］
　ＤＭＩ、２，３－ＢＤおよびＤＰＭの使用量を、それぞれ２．５ｇ、１．５ｇおよび１．０ｇとした以外は、実施例１－１０と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した。
［比較例１－１］
　ＨＡＴ－ＣＮ０．１０４ｇを、窒素雰囲気下でＤＭＩ３．５ｇに溶解させた。得られた溶液に、２，３－ＢＤ１．０ｇおよびＤＰＭ０．５ｇを加えて撹拌し、電荷輸送性ワニスを調製した。
［比較例１－２］
　ＨＡＴ－ＣＮ０．１０４ｇと、ＰＴＡ０．１０４ｇとを、ＤＭＩ３．５ｇに溶解させた。得られた溶液に、２，３－ＢＤ１．０ｇおよびＤＰＭ０．５ｇを加えて撹拌し、電荷輸送性ワニスを調製した。
［３］電荷輸送性薄膜の作製およびその表面観察
［実施例２－１］
　実施例１－１で得られたワニスを、スピンコーターを用いてＩＴＯ基板に塗布した後、大気下で、５０℃で５分間仮焼成をし、次いで２３０℃で１５分間本焼成をし、ＩＴＯ基板上に３０ｎｍの薄膜を形成した。なお、ＩＴＯ基板としては、ＩＴＯが表面上に膜厚１５０ｎｍでパターニングされた２５ｍｍ×２５ｍｍ×０．７ｔのガラス基板を用い、使用前にＯ2プラズマ洗浄装置（１５０Ｗ、３０秒間）によって表面上の不純物を除去した（以下、同様）。
［実施例２－２］
　実施例１－１で得られたワニスの代わりに、実施例１－２で得られたワニスを用いた以外は、実施例２－１と同様の方法で薄膜を形成した。
［比較例２－１］
　実施例１－１で得られたワニスの代わりに、比較例１－１で得られたワニスを用い、２３０℃で１５分間焼成する代わりに、１５０℃で１０分間焼成した以外は、実施例２－１と同様の方法で薄膜を形成した。なお、形成した薄膜の膜厚測定を行ったところ、膜表面の凹凸が大きく正確な膜厚を測定することができなかった。それゆえ、当該薄膜の膜厚３０ｎｍは、推定値である。
　実施例２－１、実施例２－２および比較例２－１で得られた薄膜の表面を、共焦点レーザー顕微鏡を用いて観察した。結果を図１～３に示す。
　図１～３から明らかなように、比較例のワニスを用いた場合、得られた薄膜の表面にムラが観察され、高平坦性の薄膜が得られなかったのに対し、本発明のワニスを用いた場合、表面ムラはほぼ観測されなかった。
［４］単層素子の製造およびその評価
［実施例３－１］
　実施例２－１と同様の方法で、ＩＴＯ基板上に３０ｎｍの均一な薄膜を形成した。
　次いで、薄膜を形成したＩＴＯ基板に対し、蒸着装置を用いてアルミニウム薄膜を形成して単層素子を得た。アルミニウム薄膜の膜厚は１２０ｎｍとし、蒸着は、真空度１．３×１０-3Ｐａ、蒸着レート０．２ｎｍ／秒の条件で行った。
　なお、空気中の酸素、水等の影響による特性劣化を防止するため、素子は封止基板により封止した後、その特性を評価した。封止は、以下の手順で行った。酸素濃度２ｐｐｍ以下、露点－８５℃以下の窒素雰囲気中で、素子を封止基板の間に収め、封止基板を接着材（（株）ＭＯＲＥＳＣＯ製、モレスコモイスチャーカット　ＷＢ９０ＵＳ（Ｐ））により貼り合わせた。この際、捕水剤（ダイニック（株）製、ＨＤ－０７１０１０Ｗ－４０）を素子と共に封止基板内に収めた。貼り合わせた封止基板に対し、ＵＶ光を照射（波長：３６５ｎｍ、照射量：６，０００ｍＪ／ｃｍ2）した後、８０℃で１時間、アニーリング処理して接着材を硬化させた。
［比較例３－１］
　比較例２－１と同様の方法で、ＩＴＯ基板上に３０ｎｍの均一な薄膜を形成した。そして、実施例３－１と同様の方法で、単層素子を作製した。
［比較例３－２］
　比較例１－１で得られたワニスの代わりに比較例１－２で得られたワニスを用いた以外は、比較例３－１と同様の方法で単層素子を作製した。
　作製した単層素子について、駆動電圧３Ｖにおける電流密度を測定した。結果を表１９に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000071
　表１９に示されるように、実施例のワニスから作製した薄膜は、優れた電荷輸送性を有していることがわかる。
［５］有機ＥＬ素子の製造およびその評価
［実施例４－１］
　実施例２－１と同様の方法で、ＩＴＯ基板上に３０ｎｍの均一な薄膜を形成した。
　次いで、薄膜を形成したＩＴＯ基板に対し、蒸着装置（真空度１．０×１０-5Ｐａ）を用いてα－ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’－ジ（１－ナフチル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルベンジジン）を０．２ｎｍ／秒にて３０ｎｍ成膜した。次に、ＣＢＰとＩｒ（ＰＰｙ）3を共蒸着した。共蒸着はＩｒ（ＰＰｙ）3の濃度が６％になるように蒸着レートをコントロールし、４０ｎｍ積層させた。次いで、ＢＡｌｑ、フッ化リチウムおよびアルミニウムの薄膜を順次積層して有機ＥＬ素子を得た。この際、蒸着レートは、ＢＡｌｑおよびアルミニウムについては０．２ｎｍ／秒、フッ化リチウムについては０．０２ｎｍ／秒の条件でそれぞれ行い、膜厚は、それぞれ２０ｎｍ、０．５ｎｍおよび１００ｎｍとした。
　そして、実施例３－１と同様の方法で、素子を封止した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000072
［実施例４－２］
　実施例１－１で得られたワニスの代わりに、実施例１－２で得られたワニスを用いた以外は、実施例４－１と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。
［実施例４－３］
　実施例１－１で得られたワニスの代わりに、実施例１－３で得られたワニスを用い、２３０℃で１５分間焼成する代わりに、１５０℃で１０分間焼成した以外は、実施例４－１と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。
［実施例４－４］
　実施例１－１で得られたワニスの代わりに、実施例１－４で得られたワニスを用い、２３０℃で１５分間焼成する代わりに、１５０℃で１０分間焼成した以外は、実施例４－１と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。
［実施例４－５］
　実施例１－１で得られたワニスの代わりに、実施例１－５で得られたワニスを用い、２３０℃で１５分間焼成する代わりに、１５０℃で１０分間焼成した以外は、実施例４－１と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。
［実施例４－６］
　実施例１－１で得られたワニスの代わりに、実施例１－６で得られたワニスを用い、２３０℃で１５分間焼成する代わりに、１５０℃で１０分間焼成した以外は、実施例４－１と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。
［実施例４－７］
　実施例１－１で得られたワニスの代わりに、実施例１－７で得られたワニスを用い、２３０℃で１５分間焼成する代わりに、１５０℃で１０分間焼成した以外は、実施例４－１と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。
［実施例４－８］
　実施例１－１で得られたワニスの代わりに、実施例１－８で得られたワニスを用い、２３０℃で１５分間焼成する代わりに、１５０℃で１０分間焼成し、ＩＴＯ基板上に形成する薄膜の膜厚を９０ｎｍとした以外は、実施例４－１と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。
［実施例４－９］
　実施例１－１で得られたワニスの代わりに、実施例１－９で得られたワニスを用い、２３０℃で１５分間焼成する代わりに、１５０℃で１０分間焼成し、ＩＴＯ基板上に形成する薄膜の膜厚を９０ｎｍとした以外は、実施例４－１と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。
［実施例４－１０］
　実施例１－１で得られたワニスの代わりに、実施例１－１０で得られたワニスを用い、２３０℃で１５分間焼成する代わりに、１５０℃で１０分間焼成し、ＩＴＯ基板上に形成する薄膜の膜厚を１００ｎｍとした以外は、実施例４－１と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。
［実施例４－１１］
　実施例１－１で得られたワニスの代わりに、実施例１－１１で得られたワニスを用い、２３０℃で１５分間焼成する代わりに、１５０℃で１０分間焼成し、ＩＴＯ基板上に形成する薄膜の膜厚を１００ｎｍとした以外は、実施例４－１と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。
［実施例４－１２］
　実施例１－１で得られたワニスの代わりに、実施例１－１２で得られたワニスを用い、２３０℃で１５分間焼成する代わりに、１５０℃で１０分間焼成し、ＩＴＯ基板上に形成する薄膜の膜厚を１００ｎｍとした以外は、実施例４－１と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。
［実施例４－１３］
　ＩＴＯ基板上に形成する薄膜の膜厚を１５０ｎｍとした以外は、実施例４－８と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。
［比較例４－１］
　比較例２－１と同様の方法で、ＩＴＯ基板上に３０ｎｍの均一な薄膜を形成した。そして、実施例４－１と同様の方法で、有機ＥＬ素子を作製した。
［比較例４－２］
　比較例１－１で得られたワニスの代わりに比較例１－２で得られたワニスを用いた以外は、比較例４－１と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。
　作製したＥＬ素子について、輝度５，０００ｃｄ／ｍ2で発光させた場合における駆動電圧、電流密度および電流効率を測定した。結果を表２０に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000073
　表２０に示されるように、実施例の有機ＥＬ素子の駆動電圧は低く、その電流効率も高いことがわかる。
　以上のとおり、本発明の電荷輸送性ワニスから得られる薄膜を有機ＥＬ素子の正孔注入層として用いることで、有機ＥＬ素子の低駆動電圧化が可能となる
　次に、実施例４－１、実施例４－３～４－１３の素子の輝度の半減期（初期輝度５，０００ｃｄ／ｍ2）を測定した。結果を表２１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000074
　表２１に示されるように、実施例の有機ＥＬ素子は、耐久性に優れることがわかる。

Claims (10)

  1. 　式（１）で表される化合物からなる電荷輸送性物質と、分子量２００～９，０００の電荷輸送性化合物（ただし、前記式（１）で表される化合物を除く）からなる電荷輸送性物質とを含むことを特徴とする電荷輸送性材料。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
  2. 　前記電荷輸送性化合物が、アリールアミン誘導体、チオフェン誘導体およびピロール誘導体から選ばれる少なくとも１種である請求項１記載の電荷輸送性材料。
  3. 　さらにドーパント物質を含む請求項１または２記載の電荷輸送性材料。
  4. 　請求項１～３のいずれか１項記載の電荷輸送性材料、および有機溶媒を含み、
    　前記電荷輸送性材料が、前記有機溶媒に溶解している電荷輸送性ワニス。
  5. 　さらに有機シラン化合物を含む請求項４記載の電荷輸送性ワニス。
  6. 　請求項４または５記載の電荷輸送性ワニスを用いて作製される電荷輸送性薄膜。
  7. 　請求項６記載の電荷輸送性薄膜を有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
  8. 　請求項４または５記載の電荷輸送性ワニスを基材上に塗布し、乾燥させることを特徴とする電荷輸送性薄膜の製造方法。
  9. 　式（１）で表される化合物を用いて形成される電荷輸送性薄膜の平坦化方法であって、
    　式（１）で表される化合物からなる電荷輸送性物質と、分子量２００～９，０００の電荷輸送性化合物（ただし、前記式（１）で表される化合物を除く）からなる電荷輸送性物質とを含む電荷輸送性材料、および有機溶媒を含み、
    　前記電荷輸送性材料が前記有機溶媒に溶解している電荷輸送性ワニスを用いることを特徴とする電荷輸送性薄膜の平坦化方法。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
  10. 　陽極および陰極と、これら各極間に介在する発光層、正孔注入層および正孔輸送層を含む複数の機能層と、を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動電圧の低減方法であって、
    　式（１）で表される化合物からなる電荷輸送性物質と、分子量２００～９，０００の電荷輸送性化合物（ただし、前記式（１）で表される化合物を除く）からなる電荷輸送性物質とを含む電荷輸送性材料、および有機溶媒を含み、
    　前記電荷輸送性材料が前記有機溶媒に溶解している電荷輸送性ワニスを用いることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動電圧の低減方法。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
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