WO2016056399A1 - プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents

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祐介 平山
正章 宮川
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    • H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
    • H10P14/3408—Silicon carbide

Definitions

  • plasma processing apparatuses that perform plasma processing for the purpose of thin film deposition or etching are widely used.
  • the plasma processing apparatus include a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus that performs a thin film deposition process, a plasma etching apparatus that performs an etching process, and the like.
  • the plasma processing method includes a film forming process, a plasma processing process, and a removing process.
  • a silicon-containing film is formed on the surface of a member inside the chamber by plasma of a silicon-containing gas and a reducing gas.
  • the plasma processing step after the silicon-containing film is formed on the surface of the member, the target object carried into the chamber is subjected to plasma processing using plasma of a processing gas.
  • the silicon-containing film is removed from the surface of the member by plasma of fluorine-containing gas after the object to be processed that has been plasma-treated is carried out of the chamber.
  • a plasma processing method and a plasma processing apparatus capable of protecting members inside the chamber from plasma and preventing deterioration and wear are realized.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a plasma processing apparatus applied to the plasma processing method according to the present embodiment.
  • FIG. 2 is a flowchart showing an example of the processing flow of the plasma processing method by the plasma processing apparatus according to the present embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining an example of measurement points of the deposit amount in the chamber in the present embodiment.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating an example of the ratio of the reducing gas and the silicon-containing gas and the deposition amount.
  • FIG. 5 is a diagram showing an example of the deposition amount and the etching amount of the silicon-containing film in the present embodiment.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating an example of the deposition amount and the etching amount of the silicon-containing film in the present embodiment.
  • the plasma processing method includes a film forming step of forming a silicon-containing film on the surface of a member inside the chamber by plasma of a silicon-containing gas and a reducing gas, and a member After a silicon-containing film is formed on the surface of the substrate, a plasma processing step is performed in which the object to be processed that has been carried into the chamber is plasma-processed by plasma of the processing gas, and the object to be processed that has been plasma-treated is carried out of the chamber. And a removal step of removing the silicon-containing film from the surface of the member by plasma of fluorine-containing gas.
  • the silicon-containing gas includes at least one of SiF4, SiCl4, and SiBr4.
  • the flow rate ratio of the reducing gas to the silicon-containing gas is 0.2 or more in the film forming step.
  • the carbon-containing gas is CxHyFz (wherein x, y, and z represent integers, and (z ⁇ y) ⁇ x is 2 or less). Contains the gas represented.
  • the plasma processing method according to the present embodiment includes a first removal step of removing the silicon-containing film from the surface of the member by the fluorine-containing gas plasma, and an oxygen-containing gas plasma.
  • a plasma processing apparatus is a chamber for plasma processing an object to be processed, an exhaust unit for decompressing the inside of the chamber, and a process gas for supplying the inside of the chamber.
  • the silicon supply film, the silicon-containing gas and the plasma of the reducing gas are used to form a silicon-containing film on the surface of the member inside the chamber, and the silicon-containing film is formed on the surface of the member.
  • the plasma processing step of performing plasma processing on the target object carried into the chamber with the plasma of the processing gas, and after the target object subjected to the plasma processing is carried out of the chamber the plasma of the fluorine-containing gas is used.
  • a controller that performs a removal step of removing the silicon-containing film from the surface of the member.
  • a processing gas for plasma etching is supplied from the processing gas supply source 15 to the gas diffusion chambers 16c and 16d through the gas supply pipes 15a and 15b, and gas flow holes are provided from the gas diffusion chambers 16c and 16d. 16e and the gas introduction hole 16f are distributed and supplied into the processing chamber 1 as a shower.
  • a silicon-containing gas and a reducing gas used when a silicon-containing film is formed on the surface of a member disposed inside the processing chamber 1. Is supplied.
  • the processing gas supply source 15 supplies a processing gas containing HBr / NF 3 used when plasma processing is performed on the object to be processed.
  • a fluorine-containing gas used for removing the silicon-containing film from the surface of a member disposed inside the processing chamber 1 is supplied. Details of the gas supplied from the processing gas supply source 15 will be described later.
  • An exhaust port 71 is formed at the bottom of the processing chamber 1, and an exhaust device 73 is connected to the exhaust port 71 via an exhaust pipe 72.
  • the exhaust device 73 has a vacuum pump. By operating this vacuum pump, the inside of the processing chamber 1 can be depressurized to a predetermined degree of vacuum.
  • the exhaust device 73 is an example of an exhaust unit.
  • a loading / unloading port 74 for the semiconductor wafer W is provided on the side wall of the processing chamber 1, and a gate valve 75 for opening and closing the loading / unloading port 74 is provided at the loading / unloading port 74.
  • Numerals 76 and 77 in the figure are depot shields that are detachable.
  • the deposition shield 76 is provided along the inner wall surface of the processing chamber 1, and has a role of preventing etching by-products (deposition) from adhering to the processing chamber 1.
  • the inner wall of the processing chamber 1 and the deposition shield 76 may be collectively referred to as “the inner wall of the processing chamber 1”.
  • the deposition shield 77 is provided so as to cover the outer peripheral surfaces of the mounting table 2, the inner wall member 3 a, and the support table 4 that serve as the lower electrode.
  • the mounting table 2, the inner wall member 3a, the support table 4, and the deposition shield 77 may be collectively referred to as “lower electrode”.
  • a conductive member (GND block) 79 connected to the ground in a DC manner is provided at substantially the same height as the semiconductor wafer W of the deposition shield 76, thereby preventing abnormal discharge.
  • the user interface 62 includes a keyboard for a command input by a process manager to manage the plasma etching apparatus, a display for visualizing and displaying the operating status of the plasma etching apparatus, and the like.
  • control unit 60 controls each unit of the plasma processing apparatus so as to perform a plasma processing method to be described later.
  • the control unit 60 forms a silicon-containing film on the surface of a member inside the chamber by plasma of a silicon-containing gas and a reducing gas. Then, after the silicon-containing film is formed, the control unit 60 plasma-processes the object to be processed carried into the processing chamber 1 with the processing gas plasma. Then, the control unit 60 removes the silicon-containing film from the surface of the member by the plasma of the fluorine-containing gas after the object to be processed that has been plasma-treated is carried out of the processing chamber 1.
  • the plasma processing apparatus performs a film forming process for forming a silicon-containing film on the surface of the member in the chamber by using a plasma of a silicon-containing gas and a reducing gas (step S101).
  • the chamber inner member includes, for example, an inner wall of the processing chamber 1, a mounting table 2 that is a lower electrode disposed in the processing chamber 1, an inner wall member 3 a, and a deposition shield 77.
  • the other members include a shower head 16 that is an upper electrode facing the lower electrode inside the processing chamber 1.
  • the silicon-containing gas includes, for example, at least one of SiF4, SiCl4, and SiBr4.
  • the reducing gas includes at least one of H2, CH4, and C3H6, for example.
  • the silicon-containing gas preferably further contains a rare gas.
  • the rare gas is, for example, Ar or He.
  • the plasma processing apparatus generates a deposit that is a silicon-containing film on the surface of the member in the chamber by a film forming process.
  • the control unit 60 of the plasma processing apparatus supplies a silicon-containing gas and a reducing gas from the processing gas supply source 15 to the inside of the processing chamber 1, and high-frequency power for generating plasma from the first high-frequency power source 10 a to the inside of the processing chamber 1. Is applied to generate plasma of a silicon-containing gas and a reducing gas. At this time, the controller 60 does not apply high frequency power for ion attraction from the second high frequency power supply 10b. As a result, a deposit that is a silicon-containing film is generated on the surface of the chamber inner member.
  • 9 and 10 show the plasma resistance evaluation conditions of 20 mT and 800 W, CF4 gas for 30 seconds, H2 / N2 gas for 60 seconds, CF4 gas for 30 seconds, and O2 / Ar gas for 30 seconds.
  • the etching amount of the measurement points 90 to 94 that is, the etching amount of the silicon-containing film (depot) is shown.
  • FIGS. 11A and 11B are diagrams showing an example of a cross section and a surface after deposition of a silicon-containing film of a comparative example.
  • FIG. 11A shows an example of a cross section of the depot at the measurement point 90
  • FIG. 11B shows an example of the surface of the depot at the measurement point 90.
  • 12A and 12B are views showing an example of a cross section and a surface after the plasma treatment of the silicon-containing film of the comparative example.
  • FIG. 12A shows an example of a cross-section of the deposit after the plasma treatment at the measurement point 90
  • FIG. 12B shows an example of the surface of the deposit after the plasma treatment at the measurement point 90. Comparing FIG. 11 with FIG. 12, it can be seen that the deposit at the measurement point 90 is etched by the plasma treatment, and the surface state becomes rough.
  • the silicon-containing film in the present embodiment shown in FIGS. 5 to 8 has a smaller etching amount due to plasma treatment and a dense cross-section and surface of the deposit compared to the silicon-containing film of the comparative example shown in FIGS. is there. That is, the silicon-containing film in this embodiment is a silicon-containing film having higher plasma resistance than the silicon-containing film of the comparative example.
  • the etching amount at the measurement point 90 of the silicon-containing film in this embodiment is 18.0 nm
  • the etching amount at the measurement point 90 of the silicon-containing film of the comparative example is 45.0 nm. The amount is decreasing.
  • the control unit 60 of the plasma processing apparatus loads the object to be processed into the processing chamber 1 from the loading / unloading port 74 and the gate valve 75, and places the loaded object on the electrostatic chuck 6. Thereafter, the control unit 60 supplies a processing gas from the processing gas supply source 15 to the inside of the processing chamber 1, applies a high-frequency power for plasma generation from the first high-frequency power source 10a, and ions from the second high-frequency power source 10b. Apply high-frequency power for entrainment. As a result, the object to be processed is plasma processed.
  • FIG. 13 is a flowchart showing another example of the processing flow of the plasma processing method by the plasma processing apparatus according to the present embodiment.
  • the process flow of the plasma processing method shown in FIG. 13 is a pre-formation process in which a carbon-containing film is formed on the surface of a member in the chamber by plasma of a carbon-containing gas before the silicon-containing film forming step. Including a membrane process.
  • the control unit 60 of the plasma processing apparatus supplies a carbon-containing gas from the processing gas supply source 15 to the inside of the processing chamber 1, and applies high-frequency power for generating plasma to the inside of the processing chamber 1 from the first high-frequency power source 10 a. A plasma of a carbon-containing gas is generated. At this time, the controller 60 does not apply high frequency power for ion attraction from the second high frequency power supply 10b. As a result, a deposit that is a carbon-containing film is generated on the surface of the chamber inner member.
  • the silicon-containing film is removed from the surface of the chamber inner member by the fluorine-containing gas plasma. As a result, the surface of the chamber inner member can be cleaned.
  • the flow rate ratio of the reducing gas to the silicon-containing gas is 0.2 or more.

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Abstract

　チャンバの内部の部材をプラズマから保護し、変質及び消耗を防止すること。　プラズマ処理方法は、成膜工程と、プラズマ処理工程と、除去工程とを含む。成膜工程は、シリコン含有ガス及び還元性ガスのプラズマにより、チャンバの内部の部材の表面に対してシリコン含有膜を成膜する。プラズマ処理工程は、部材の表面にシリコン含有膜が成膜された後に、チャンバの内部に搬入された被処理体を処理ガスのプラズマによりプラズマ処理する。除去工程は、プラズマ処理された被処理体がチャンバの外部に搬出された後に、フッ素含有ガスのプラズマにより部材の表面からシリコン含有膜を除去する。

Description

プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
　本発明の種々の側面及び実施形態は、プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置に関するものである。
　半導体の製造プロセスでは、薄膜の堆積又はエッチング等を目的としたプラズマ処理を実行するプラズマ処理装置が広く用いられている。プラズマ処理装置としては、例えば薄膜の堆積処理を行うプラズマＣＶＤ（Chemical　Vapor　Deposition）装置や、エッチング処理を行うプラズマエッチング装置等が挙げられる。
　ところで、プラズマ処理装置においては、チャンバ内に配置された部材（以下適宜「チャンバ内部材」という）は、各種のプラズマ処理の際に処理ガスのプラズマに曝されるため、耐プラズマ性が求められる。この点、例えば特許文献１には、被処理体をプラズマ処理する前に、酸素とＳｉＦ４とのガス流量比を１．７以上として酸素を含むシリコン含有ガスを供給し、チャンバ内部材の表面にフッ素を含むシリコン酸化膜を保護膜として成膜することにより、チャンバ内部材の耐プラズマ性を高めることが開示されている。
米国特許第６０７１５７３号明細書
　しかしながら、チャンバ内部材の表面にフッ素を含むシリコン酸化膜を保護膜として成膜する従来技術では、処理ガスのプラズマによるシリコン酸化膜のエッチ量が多くなる。
　すなわち、従来技術では、酸素とＳｉＦ４とのガス流量比を１．７以上として酸素を含むシリコン含有ガスを供給する。また、酸素を含むシリコン含有ガスのプラズマ中の酸素ラジカルとＳｉラジカルとをチャンバ内の空間中で反応させてシリコン酸化物を生成し、生成したシリコン酸化物をチャンバ内部材にシリコン酸化膜として堆積させる。チャンバ内部材上に堆積したシリコン酸化膜は、Ｆなどの残留ハロゲンが含まれるので、処理ガスのプラズマによってシリコン酸化膜の膜厚以上にエッチングされる場合がある。このため、従来技術では、チャンバ内部材の表面が変質及び消耗してしまい、チャンバ内部材の保護が十分ではなかった。
　本発明の一側面に係るプラズマ処理方法は、成膜工程と、プラズマ処理工程と、除去工程とを含む。成膜工程は、シリコン含有ガス及び還元性ガスのプラズマにより、チャンバの内部の部材の表面に対してシリコン含有膜を成膜する。プラズマ処理工程は、前記部材の表面に前記シリコン含有膜が成膜された後に、前記チャンバの内部に搬入された被処理体を処理ガスのプラズマによりプラズマ処理する。除去工程は、プラズマ処理された前記被処理体が前記チャンバの外部に搬出された後に、フッ素含有ガスのプラズマにより前記部材の表面から前記シリコン含有膜を除去する。
　本発明の種々の側面及び実施形態によれば、チャンバの内部の部材をプラズマから保護し、変質及び消耗を防止することができるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置が実現される。
図１は、本実施形態に係るプラズマ処理方法に適用されるプラズマ処理装置を示す概略断面図である。 図２は、本実施形態に係るプラズマ処理装置によるプラズマ処理方法の処理の流れの一例を示すフローチャートである。 図３は、本実施形態におけるチャンバ内のデポ量の測定点の一例を説明するための図である。 図４は、還元性ガス及びシリコン含有ガスの比率とデポ量の一例を示す図である。 図５は、本実施形態におけるシリコン含有膜のデポ量とエッチ量の一例を示す図である。 図６は、本実施形態におけるシリコン含有膜のデポ量とエッチ量の一例を示す図である。 図７（ａ），（ｂ）は、本実施形態におけるシリコン含有膜のデポ後の断面及び表面の一例を示す図である。 図８（ａ），（ｂ）は、本実施形態におけるシリコン含有膜のプラズマ処理後の断面及び表面の一例を示す図である。 図９は、比較例のシリコン含有膜のデポ量とエッチ量の一例を示す図である。 図１０は、比較例のシリコン含有膜のデポ量とエッチ量の一例を示す図である。 図１１（ａ），（ｂ）は、比較例のシリコン含有膜のデポ後の断面及び表面の一例を示す図である。 図１２（ａ），（ｂ）は、比較例のシリコン含有膜のプラズマ処理後の断面及び表面の一例を示す図である。 図１３は、本実施形態に係るプラズマ処理装置によるプラズマ処理方法の処理の流れの他の一例を示すフローチャートである。
　以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を付すこととする。
　本実施形態に係るプラズマ処理方法は、１つの実施形態において、シリコン含有ガス及び還元性ガスのプラズマにより、チャンバの内部の部材の表面に対してシリコン含有膜を成膜する成膜工程と、部材の表面にシリコン含有膜が成膜された後に、チャンバの内部に搬入された被処理体を処理ガスのプラズマによりプラズマ処理するプラズマ処理工程と、プラズマ処理された被処理体がチャンバの外部に搬出された後に、フッ素含有ガスのプラズマにより部材の表面からシリコン含有膜を除去する除去工程とを含む。
　また、本実施形態に係るプラズマ処理方法は、１つの実施形態において、シリコン含有ガスは、ＳｉＦ４、ＳｉＣｌ４及びＳｉＢｒ４のうち少なくともいずれか一つを含む。
　また、本実施形態に係るプラズマ処理方法は、１つの実施形態において、還元性ガスは、Ｈ２、ＣＨ４及びＣ３Ｈ６のうち少なくともいずれか一つを含む。
　また、本実施形態に係るプラズマ処理方法は、１つの実施形態において、成膜工程において、シリコン含有ガスに対する還元性ガスの流量比が０．２以上である。
　また、本実施形態に係るプラズマ処理方法は、１つの実施形態において、成膜工程の前に、さらに、炭素含有ガスのプラズマにより、部材の表面に対して炭素含有膜を成膜するプレ成膜工程を含む。
　また、本実施形態に係るプラズマ処理方法は、１つの実施形態において、炭素含有ガスは、ＣｘＨｙＦｚ〔式中、ｘ、ｙ及びｚは整数を表し、（ｚ－ｙ）÷ｘは２以下〕で表されるガスを含む。
　また、本実施形態に係るプラズマ処理方法は、１つの実施形態において、炭素含有ガスは、ＣＨ４、Ｃ４Ｆ８、ＣＨＦ３、ＣＨ３Ｆ及びＣ２Ｈ４のうち少なくともいずれか一つを含む。
　また、本実施形態に係るプラズマ処理方法は、１つの実施形態において、除去工程は、フッ素含有ガスのプラズマにより部材の表面からシリコン含有膜を除去する第１除去工程と、酸素含有ガスのプラズマにより部材の表面から炭素含有膜を除去する第２除去工程とを含む。
　また、本実施形態に係るプラズマ処理方法は、１つの実施形態において、シリコン含有ガスは、さらに希ガスを含む。
　また、本実施形態に係るプラズマ処理方法は、１つの実施形態において、希ガスは、Ａｒ又はＨｅである。
　本実施形態に係るプラズマ処理装置は、１つの実施形態において、被処理体をプラズマ処理するためのチャンバと、チャンバの内部を減圧するための排気部と、チャンバの内部に処理ガスを供給するためのガス供給部と、シリコン含有ガス及び還元性ガスのプラズマにより、チャンバの内部の部材の表面に対してシリコン含有膜を成膜する成膜工程と、部材の表面にシリコン含有膜が成膜された後に、チャンバの内部に搬入された被処理体を処理ガスのプラズマによりプラズマ処理するプラズマ処理工程と、プラズマ処理された被処理体がチャンバの外部に搬出された後に、フッ素含有ガスのプラズマにより部材の表面からシリコン含有膜を除去する除去工程とを実行する制御部とを備えた。
　図１は、本実施形態に係るプラズマ処理方法に適用されるプラズマ処理装置を示す概略断面図である。図１に示すプラズマ処理装置は、気密に構成され、電気的に接地電位とされた処理チャンバ１を有している。この処理チャンバ１は、円筒状とされ、例えば表面に陽極酸化被膜を形成されたアルミニウム等から構成されている。処理チャンバ１内には、被処理体である半導体ウエハＷを水平に支持する載置台２が設けられている。
　載置台２は、その基材２ａが導電性の金属、例えばアルミニウム等で構成されており、下部電極としての機能を有する。この載置台２は、絶縁板３を介して導体の支持台４に支持されている。また、載置台２の上方の外周には、例えば単結晶シリコンで形成されたフォーカスリング５が設けられている。さらに、載置台２及び支持台４の周囲を囲むように、例えば石英等からなる円筒状の内壁部材３ａが設けられている。
　載置台２の上方には、載置台２と平行に対向するように、換言すれば、載置台２に支持された半導体ウエハＷと対向するように、上部電極としての機能を有するシャワーヘッド１６が設けられている。シャワーヘッド１６と載置台２は、一対の電極（上部電極と下部電極）として機能するようになっている。載置台２の基材２ａには、第１の整合器１１ａを介して第１の高周波電源１０ａが接続されている。また、載置台２の基材２ａには、第２の整合器１１ｂを介して第２の高周波電源１０ｂが接続されている。第１の高周波電源１０ａは、プラズマ発生用のものであり、この第１の高周波電源１０ａからは所定周波数（例えば１００ＭＨｚ）の高周波電力が載置台２の基材２ａに供給されるようになっている。また、第２の高周波電源１０ｂは、イオン引き込み用（バイアス用）のものであり、この第２の高周波電源１０ｂからは第１の高周波電源１０ａより低い所定周波数（例えば、１３ＭＨｚ）の高周波電力が載置台２の基材２ａに供給されるようになっている。
　載置台２の上面には、半導体ウエハＷを静電吸着するための静電チャック６が設けられている。この静電チャック６は絶縁体６ｂの間に電極６ａを介在させて構成されており、電極６ａには直流電源１２が接続されている。そして電極６ａに直流電源１２から直流電圧が印加されることにより、クーロン力によって半導体ウエハＷが吸着されるよう構成されている。
　載置台２の内部には、冷媒流路２ｂが形成されており、冷媒流路２ｂには、冷媒入口配管２ｃ、冷媒出口配管２ｄが接続されている。そして、冷媒流路２ｂの中にガルデンなどの冷媒を循環させることによって、支持台４及び載置台２を所定の温度に制御可能となっている。また、載置台２等を貫通するように、半導体ウエハＷの裏面側にヘリウムガス等の冷熱伝達用ガス（バックサイドガス）を供給するためのバックサイドガス供給配管３０が設けられている。このバックサイドガス供給配管３０は、図示しないバックサイドガス供給源に接続されている。これらの構成によって、載置台２の上面に静電チャック６によって吸着保持された半導体ウエハＷを、所定の温度に制御可能となっている。
　上記したシャワーヘッド１６は、処理チャンバ１の天壁部分に設けられている。シャワーヘッド１６は、本体部１６ａと電極板をなす上部天板１６ｂとを備えており、絶縁性部材４５を介して処理チャンバ１の上部に支持されている。本体部１６ａは、導電性材料、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウムからなり、その下部に上部天板１６ｂを着脱自在に支持できるように構成されている。上部天板１６ｂは、シリコン含有物質で形成され、例えば石英で形成される。
　本体部１６ａの内部には、ガス拡散室１６ｃ，１６ｄが設けられ、このガス拡散室１６ｃ，１６ｄの下部に位置するように、本体部１６ａの底部には、多数のガス通流孔１６ｅが形成されている。ガス拡散室は、中央部に設けられたガス拡散室１６ｃと、周縁部に設けられたガス拡散室１６ｄとに２分割されており、中央部と周縁部とで独立に処理ガスの供給状態を変更できるようになっている。
　また、上部天板１６ｂには、当該上部天板１６ｂを厚さ方向に貫通するようにガス導入孔１６ｆが、上記したガス通流孔１６ｅと重なるように設けられている。このような構成により、ガス拡散室１６ｃ，１６ｄに供給された処理ガスは、ガス通流孔１６ｅ及びガス導入孔１６ｆを介して処理チャンバ１内にシャワー状に分散されて供給されるようになっている。なお、本体部１６ａ等には、図示しないヒータや、冷媒を循環させるための図示しない配管等の温度調整器が設けられており、プラズマエッチング処理中にシャワーヘッド１６を所望温度に温度制御できるようになっている。
　上記した本体部１６ａには、ガス拡散室１６ｃ，１６ｄへ処理ガスを導入するための２つのガス導入口１６ｇ，１６ｈが形成されている。これらのガス導入口１６ｇ，１６ｈにはガス供給配管１５ａ，１５ｂが接続されており、このガス供給配管１５ａ，１５ｂの他端には、エッチング用の処理ガスを供給する処理ガス供給源１５が接続されている。処理ガス供給源１５は、ガス供給部の一例である。ガス供給配管１５ａには、上流側から順にマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１５ｃ、及び開閉弁Ｖ１が設けられている。また、ガス供給配管１５ｂには、上流側から順にマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１５ｄ、及び開閉弁Ｖ２が設けられている。
　そして、処理ガス供給源１５からはプラズマエッチングのための処理ガスが、ガス供給配管１５ａ，１５ｂを介してガス拡散室１６ｃ，１６ｄに供給され、このガス拡散室１６ｃ，１６ｄから、ガス通流孔１６ｅ及びガス導入孔１６ｆを介して処理チャンバ１内にシャワー状に分散されて供給される。例えば、処理ガス供給源１５からは、後述するように、処理チャンバ１の内部に配置された部材の表面に対してシリコン含有膜を成膜する際に用いられる、シリコン含有ガス及び還元性ガスなどが供給される。また、例えば、処理ガス供給源１５からは、被処理体をプラズマ処理する際に用いられるＨＢｒ／ＮＦ３を含む処理ガスなどが供給される。また、処理ガス供給源１５からは、処理チャンバ１の内部に配置された部材の表面からシリコン含有膜を除去する際に用いられるフッ素含有ガスなどが供給される。処理ガス供給源１５により供給されるガスの詳細については、後述する。
　上記した上部電極としてのシャワーヘッド１６には、ローバスフィルタ（ＬＰＦ）５１を介して可変直流電源５２が電気的に接続されている。この可変直流電源５２は、オン・オフスイッチ５３により給電のオン・オフが可能となっている。可変直流電源５２の電流・電圧ならびにオン・オフスイッチ５３のオン・オフは、後述する制御部６０によって制御されるようになっている。なお、後述のように、第１の高周波電源１０ａ、第２の高周波電源１０ｂから高周波が載置台２に印加されて処理空間にプラズマが発生する際には、必要に応じて制御部６０によりオン・オフスイッチ５３がオンとされ、上部電極としてのシャワーヘッド１６に所定の直流電圧が印加される。
　処理チャンバ１の底部には、排気口７１が形成されており、この排気口７１には、排気管７２を介して排気装置７３が接続されている。排気装置７３は、真空ポンプを有しており、この真空ポンプを作動させることにより処理チャンバ１内を所定の真空度まで減圧することができるようになっている。排気装置７３は、排気部の一例である。一方、処理チャンバ１の側壁には、半導体ウエハＷの搬入出口７４が設けられており、この搬入出口７４には、当該搬入出口７４を開閉するゲートバルブ７５が設けられている。
　図中７６，７７は、着脱自在とされたデポシールドである。デポシールド７６は、処理チャンバ１の内壁面に沿って設けられ、処理チャンバ１にエッチング副生物（デポ）が付着することを防止する役割を有している。以下では、処理チャンバ１の内壁とデポシールド７６とを併せて「処理チャンバ１の内壁」と呼ぶことがあるものとする。また、デポシールド７７は、下部電極となる載置台２、内壁部材３ａ及び支持台４の外周面を覆うように設けられている。以下では、載置台２、内壁部材３ａ、支持台４及びデポシールド７７を併せて「下部電極」と呼ぶことがあるものとする。デポシールド７６の半導体ウエハＷと略同じ高さ位置には、直流的にグランドに接続された導電性部材（ＧＮＤブロック）７９が設けられており、これにより異常放電が防止される。
　また、処理チャンバ１の周囲には、同心円状にリング磁石８０が配置されている。リング磁石８０は、シャワーヘッド１６と載置台２との間の空間に磁場を印加する。リング磁石８０は、図示しない回転機構により回転自在に構成されている。
　上記構成のプラズマエッチング装置は、制御部６０によって、その動作が統括的に制御される。この制御部６０には、ＣＰＵを備えプラズマエッチング装置の各部を制御するプロセスコントローラ６１と、ユーザインターフェース６２と、記憶部６３とが設けられている。
　ユーザインターフェース６２は、工程管理者がプラズマエッチング装置を管理するためにコマンドの入力操作を行うキーボードや、プラズマエッチング装置の稼動状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成されている。
　記憶部６３には、プラズマエッチング装置で実行される各種処理をプロセスコントローラ６１の制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウエア）や処理条件データ等が記憶されたレシピが格納されている。そして、必要に応じて、ユーザインターフェース６２からの指示等にて任意のレシピを記憶部６３から呼び出してプロセスコントローラ６１に実行させることで、プロセスコントローラ６１の制御下で、プラズマエッチング装置での所望の処理が行われる。また、制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータで読み取り可能なコンピュータ記録媒体（例えば、ハードディスク、ＣＤ、フレキシブルディスク、半導体メモリ等）などに格納された状態のものを利用したり、或いは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。
　例えば、制御部６０は、後述するプラズマ処理方法を行うようにプラズマ処理装置の各部を制御する。詳細な一例を挙げると、制御部６０は、シリコン含有ガス及び還元性ガスのプラズマにより、チャンバの内部の部材の表面に対してシリコン含有膜を成膜する。そして、制御部６０は、シリコン含有膜が成膜された後に、処理チャンバ１の内部に搬入された被処理体を処理ガスのプラズマによりプラズマ処理する。そして、制御部６０は、プラズマ処理された被処理体が処理チャンバ１の外部に搬出された後に、フッ素含有ガスのプラズマにより部材の表面からシリコン含有膜を除去する。ここで、処理チャンバ１の内部に配置された部材は、例えば、処理チャンバ１の内壁と、処理チャンバ１の内部に配置された下部電極である載置台２、内壁部材３ａ、支持台４及びデポシールド７７とを含む。処理チャンバ１の内部に配置された部材を、以下では「チャンバ内部材」と呼ぶことがあるものとする。また、他の部材は、処理チャンバ１の内部において下部電極と対向する上部電極であるシャワーヘッド１６を含む。また、被処理体は、例えば、半導体ウエハＷである。
　次に、本実施形態に係るプラズマ処理装置によるプラズマ処理方法について説明する。図２は、本実施形態に係るプラズマ処理装置によるプラズマ処理方法の処理の流れの一例を示すフローチャートである。
　図２に示すように、プラズマ処理装置は、シリコン含有ガス及び還元性ガスのプラズマにより、チャンバ内部材の表面に対してシリコン含有膜を成膜する成膜工程を行う（ステップＳ１０１）。チャンバ内部材は、例えば、処理チャンバ１の内壁と、処理チャンバ１の内部に配置された下部電極である載置台２、内壁部材３ａ及びデポシールド７７とを含む。また、他の部材は、処理チャンバ１の内部において下部電極と対向する上部電極であるシャワーヘッド１６を含む。また、シリコン含有ガスは、例えば、ＳｉＦ４、ＳｉＣｌ４及びＳｉＢｒ４のうち少なくともいずれか一つを含む。また、還元性ガスは、例えば、Ｈ２、ＣＨ４及びＣ３Ｈ６のうち少なくともいずれか一つを含む。また、シリコン含有ガスに対する還元性ガスの流量比は、例えば、０．２以上とする。すなわち、当該流量比は、例えば、Ｈ２÷ＳｉＦ４＝０．２以上とする。シリコン含有ガスは、好ましくは、さらに希ガスを含む。希ガスは、例えば、Ａｒ又はＨｅである。
　プラズマ処理装置は、成膜工程によりチャンバ内部材の表面にシリコン含有膜であるデポを生成させる。プラズマ処理装置の制御部６０は、処理ガス供給源１５から処理チャンバ１の内部にシリコン含有ガス及び還元性ガスを供給し、第１の高周波電源１０ａから処理チャンバ１内部へプラズマ生成用の高周波電力を印加してシリコン含有ガス及び還元性ガスのプラズマを生成する。この際、制御部６０は、第２の高周波電源１０ｂからイオン引き込み用の高周波電力を印加しない。この結果、チャンバ内部材の表面にシリコン含有膜であるデポが生成される。
　チャンバ内部材の表面に生成されるシリコン含有膜（デポ）は、処理チャンバ１の各部において異なる量となる。図３は、本実施形態におけるチャンバ内のデポ量の測定点の一例を説明するための図である。図３に示すように、デポ量の測定点として、例えば、上部天板１６ｂの中心（ＵＥＬ　Ｃｅｎｔ）である測定点９０、上部天板１６ｂのエッジ（ＵＥＬ　Ｅｄｇｅ）である測定点９１、排気口７１に対応する処理チャンバ１の天壁部分（ＵＥＬ　Ｅｘｈａｕｓｔ）である測定点９２、デポシールド（Ｄ／Ｓ）７６の測定点９３、及び、バッフル（Ｂｕｆｆｌｅ）の測定点９４を設ける。
　図４は、還元性ガス及びシリコン含有ガスの比率とデポ量の一例を示す図である。図４は、シリコン含有ガスとしてＳｉＦ４、及び、還元性ガスとしてＣＨ４を用いて、流量比を変化させた場合のデポの膜厚を示す。図４に示すように、ＣＨ４をＳｉＦ４に対して２割以上、好ましくは２割添加することで、ＣＶＤの効率を最大化できる。
　図５及び図６は、本実施形態におけるシリコン含有膜のデポ量とエッチ量の一例を示す図である。図５及び図６は、シリコン含有ガスとしてＳｉＦ４、及び、還元性ガスとしてＣＨ４を用いた。また、図５及び図６は、成膜条件として、２０ｍＴ、８００Ｗ、２分、及び、流量比をＳｉＦ４／ＣＨ４＝３００／１００ｓｃｃｍとした場合の測定点９０～９４のＤｅｐｏ量、つまりシリコン含有膜（デポ）の膜厚を示す。また、図５及び図６は、耐プラズマ評価条件として、２０ｍＴ及び８００Ｗとし、ＣＦ４ガスを３０秒、Ｈ２／Ｎ２ガスを６０秒、ＣＦ４ガスを３０秒、及び、Ｏ２／Ａｒガスを３０秒とした場合の測定点９０～９４のＥｔｃｈ量、つまりシリコン含有膜（デポ）のエッチング量を示す。
　図７（ａ），（ｂ）は、本実施形態におけるシリコン含有膜のデポ後の断面及び表面の一例を示す図である。図７（ａ）は、測定点９０のデポの断面の一例を示し、図７（ｂ）は、測定点９０のデポの表面の一例を示す。図８（ａ），（ｂ）は、本実施形態におけるシリコン含有膜のプラズマ処理後の断面及び表面の一例を示す図である。図８（ａ）は、測定点９０のプラズマ処理後のデポの断面の一例を示し、図８（ｂ）は、測定点９０のプラズマ処理後のデポの表面の一例を示す。図７と図８とを比較すると、測定点９０のデポは、プラズマ処理の前後でデポの状態に変化が少なく、耐プラズマ性が高いシリコン含有膜が形成されている。
　図９及び図１０は、比較例のシリコン含有膜のデポ量とエッチ量の一例を示す図である。図９及び図１０は、シリコン含有ガスとしてＳｉＦ４、酸素含有ガスとしてＯ２、及び、希ガスとしてＡｒを用いた。また、図９及び図１０は、成膜条件として、２０ｍＴ、８００Ｗ、２分、及び、流量比をＳｉＦ４／Ｏ２／Ａｒ＝３００／３００／１００ｓｃｃｍとした場合の測定点９０～９４のシリコン含有膜（デポ）の膜厚を示す。また、図９及び図１０は、耐プラズマ評価条件として、２０ｍＴ及び８００Ｗとし、ＣＦ４ガスを３０秒、Ｈ２／Ｎ２ガスを６０秒、ＣＦ４ガスを３０秒、及び、Ｏ２／Ａｒガスを３０秒とした場合の測定点９０～９４のＥｔｃｈ量、つまりシリコン含有膜（デポ）のエッチング量を示す。
　図１１（ａ），（ｂ）は、比較例のシリコン含有膜のデポ後の断面及び表面の一例を示す図である。図１１（ａ）は、測定点９０のデポの断面の一例を示し、図１１（ｂ）は、測定点９０のデポの表面の一例を示す。図１２（ａ），（ｂ）は、比較例のシリコン含有膜のプラズマ処理後の断面及び表面の一例を示す図である。図１２（ａ）は、測定点９０のプラズマ処理後のデポの断面の一例を示し、図１２（ｂ）は、測定点９０のプラズマ処理後のデポの表面の一例を示す。図１１と図１２とを比較すると、測定点９０のデポは、プラズマ処理によりデポがエッチングされ、表面の状態が荒くなっていることが判る。
　図５から図８に示す本実施形態におけるシリコン含有膜は、図９から図１２に示す比較例のシリコン含有膜と比較すると、プラズマ処理によるエッチ量が減少し、デポの断面及び表面も緻密である。すなわち、本実施形態におけるシリコン含有膜は、比較例のシリコン含有膜と比較すると、より耐プラズマ性の高いシリコン含有膜が成膜される。例えば、本実施形態におけるシリコン含有膜の測定点９０におけるエッチ量は、１８．０ｎｍであるのに対して、比較例のシリコン含有膜の測定点９０におけるエッチ量は、４５．０ｎｍであり、エッチ量が減少している。このように、シリコン含有ガス及び還元性ガスのプラズマにより、チャンバの内部の部材の表面に対してシリコン含有膜を成膜することにより、チャンバ内部材の表面に生成されるシリコン含有膜（デポ）のプラズマ耐性を向上させることが可能となる。
　図２の説明に戻る。続いて、プラズマ処理装置は、処理チャンバ１の内部に搬入された被処理体を処理ガスのプラズマによりプラズマ処理するプラズマ処理工程を行う（ステップＳ１０２）。被処理体は、例えば、シリコン酸化膜が積層された半導体ウエハＷである。また、処理ガスは、例えば、ＨＢｒ／ＮＦ３である。
　より詳細な一例を挙げて説明する。プラズマ処理装置の制御部６０は、搬入出口７４及びゲートバルブ７５から処理チャンバ１の内部に被処理体を搬入し、搬入された被処理体を静電チャック６上に載置する。その後、制御部６０は、処理ガス供給源１５から処理チャンバ１内部に処理ガスを供給し、第１の高周波電源１０ａからプラズマ生成用の高周波電力を印加するとともに、第２の高周波電源１０ｂからイオン引き込み用の高周波電力を印加する。この結果、被処理体がプラズマ処理される。
　そして、プラズマ処理装置は、被処理体が処理チャンバ１の外部に搬出された後に、フッ素含有ガスのプラズマによりチャンバ内部材の表面からシリコン含有膜を除去する除去工程を行う（ステップＳ１０３）。フッ素含有ガスは、例えば、ＮＦ３、ＳＦ６及びＣＦ４のうち少なくともいずれか一つを含む。また、フッ素含有ガスは、Ｏ２を含んでもよい。
　より詳細な一例を挙げて説明する。プラズマ処理装置の制御部６０は、搬入出口７４及びゲートバルブ７５から処理チャンバ１の外部へ被処理体を搬出する。その後、制御部６０は、処理ガス供給源１５から処理チャンバ１内部にフッ素含有ガスを供給し、第１の高周波電源１０ａからプラズマ生成用の高周波電力を印加する。この際、制御部６０は、第２の高周波電源１０ｂからイオン引き込み用の高周波電力を印加しない。この結果、処理チャンバ１内の部材の表面からシリコン含有物が除去される。
　続いて、本実施形態に係るプラズマ処理装置によるプラズマ処理方法の処理の流れの他の一例を、図１３を用いて説明する。図１３は、本実施形態に係るプラズマ処理装置によるプラズマ処理方法の処理の流れの他の一例を示すフローチャートである。図１３に示すプラズマ処理方法の処理の流れは、シリコン含有膜の成膜工程の前に、さらに、炭素含有ガスのプラズマにより、チャンバ内部材の表面に対して炭素含有膜を成膜するプレ成膜工程を含む。
　図１３に示すように、プラズマ処理装置は、炭素含有ガスのプラズマにより、チャンバ内部材の表面に対して炭素含有膜を成膜するプレ成膜工程を行う（ステップＳ１１１）。炭素含有ガスは、例えば、ＣｘＨｙＦｚ〔式中、ｘ、ｙ及びｚは整数を表し、（ｚ－ｙ）÷ｘは２以下〕で表されるガスを含む。また、炭素含有ガスは、例えば、ＣＨ４、Ｃ４Ｆ８、ＣＨＦ３、ＣＨ３Ｆ及びＣ２Ｈ４のうち少なくともいずれか一つを含む炭素含有ガスであってもよい。炭素含有ガスは、好ましくは、さらに希ガスを含む。希ガスは、例えば、Ａｒ又はＨｅである。プラズマ処理装置は、プレ成膜工程によりチャンバ内部材の表面に炭素含有膜であるデポを生成させる。
　プラズマ処理装置の制御部６０は、処理ガス供給源１５から処理チャンバ１の内部に炭素含有ガスを供給し、第１の高周波電源１０ａから処理チャンバ１内部へプラズマ生成用の高周波電力を印加して炭素含有ガスのプラズマを生成する。この際、制御部６０は、第２の高周波電源１０ｂからイオン引き込み用の高周波電力を印加しない。この結果、チャンバ内部材の表面に炭素含有膜であるデポが生成される。
　次に、プラズマ処理装置は、シリコン含有ガス及び還元性ガスのプラズマにより、チャンバの内部材の表面に対してシリコン含有膜を成膜する成膜工程を行う（ステップＳ１１２）。なお、ステップＳ１１２の詳細は、上述のステップＳ１０１と同様であるので、その説明を省略する。
　続いて、プラズマ処理装置は、処理チャンバ１の内部に搬入された被処理体を処理ガスのプラズマによりプラズマ処理するプラズマ処理工程を行う（ステップＳ１１３）。なお、ステップＳ１１３の詳細は、上述のステップＳ１０２と同様であるので、その説明を省略する。
　続いて、プラズマ処理装置は、被処理体が処理チャンバ１の外部に搬出された後に、フッ素含有ガスのプラズマによりチャンバ内部材の表面からシリコン含有膜を除去する第１除去工程を行う（ステップＳ１１４）。なお、ステップＳ１１４の詳細は、上述のステップＳ１０３と同様であるので、その説明を省略する。
　そして、プラズマ処理装置は、酸素含有ガスのプラズマによりチャンバ内部材の表面から炭素含有膜を除去する第２除去工程を行う（ステップＳ１１５）。酸素含有ガスは、少なくともＯ２を含み、好ましくは、さらに希ガスを含む。希ガスは、例えば、Ａｒ又はＨｅである。
　より詳細な一例を挙げて説明する。プラズマ処理装置の制御部６０は、シリコン含有膜を除去する第１除去工程の後に、処理ガス供給源１５から処理チャンバ１内部に酸素含有ガスを供給し、第１の高周波電源１０ａからプラズマ生成用の高周波電力を印加する。この際、制御部６０は、第２の高周波電源１０ｂからイオン引き込み用の高周波電力を印加しない。この結果、処理チャンバ１内の部材の表面から炭素含有膜が除去される。
　上述したように、本実施形態によれば、被処理体をプラズマ処理する前に、シリコン含有ガス及び還元性ガスのプラズマにより、チャンバの内部の部材の表面に対してシリコン含有膜を成膜する。このため、本実施形態によれば、チャンバ内部材の表面に生成されるシリコン含有膜（デポ）の耐プラズマ性を向上させることが可能となる。この結果、酸素含有ガスとシリコン含有ガスとのプラズマによりシリコン酸化膜を成膜する手法と比較して、シリコン含有膜中の残留ハロゲンの量が少なくなったので、より緻密で高品質なシリコン含有膜を成膜して耐プラズマ性を向上させることが可能となる。さらに、被処理体をプラズマ処理する前に成膜工程を行うことで、チャンバ内部材の耐プラズマ性を高めることが可能になり、部材の消耗や部材からの汚染物の飛散を回避することが可能となる。
　また、本実施形態によれば、プラズマ処理された被処理体が処理チャンバ１の外部に搬出された後に、フッ素含有ガスのプラズマによりチャンバ内部材の表面からシリコン含有膜を除去する。この結果、チャンバ内部材の表面を清浄化することが可能となる。
　また、本実施形態によれば、シリコン含有ガスは、ＳｉＦ４、ＳｉＣｌ４及びＳｉＢｒ４のうち少なくともいずれか一つを含む。この結果、チャンバ内部材の表面に生成されるシリコン含有膜（デポ）のプラズマ耐性を向上させることが可能となる。
　また、本実施形態によれば、還元性ガスは、Ｈ２、ＣＨ４及びＣ３Ｈ６のうち少なくともいずれか一つを含む。この結果、シリコン含有膜中の残留ハロゲンの量が少なくなったので、チャンバ内部材の表面に生成されるシリコン含有膜（デポ）のプラズマ耐性を向上させることが可能となる。
　また、本実施形態によれば、シリコン含有膜を成膜する成膜工程において、シリコン含有ガスに対する還元性ガスの流量比が０．２以上である。この結果、シリコン含有膜中の残留ハロゲンの量が少なくなったので、チャンバ内部材の表面に生成されるシリコン含有膜（デポ）のプラズマ耐性を向上させることが可能となる。
　また、本実施形態によれば、シリコン含有膜を成膜する成膜工程の前に、さらに、炭素含有ガスのプラズマにより、部材の表面に対して炭素含有膜を成膜するプレ成膜工程を含む。この結果、フッ素含有ガスのプラズマによりチャンバ内部材の表面からシリコン含有膜を除去する際に、フッ素含有ガスがチャンバ内部材の表面に触れないため、よりチャンバ内部材の表面の変質及び消耗を抑制することが可能となる。
　また、本実施形態によれば、炭素含有ガスは、ＣｘＨｙＦｚ〔式中、ｘ、ｙ及びｚは整数を表し、（ｚ－ｙ）÷ｘは２以下〕で表されるガスを含む。この結果、よりチャンバ内部材の表面の変質及び消耗を抑制することが可能となる。
　また、本実施形態によれば、炭素含有ガスは、ＣＨ４、Ｃ４Ｆ８、ＣＨＦ３、ＣＨ３Ｆ及びＣ２Ｈ４のうち少なくともいずれか一つを含む。この結果、よりチャンバ内部材の表面の変質及び消耗を抑制することが可能となる。
　また、本実施形態によれば、除去工程は、フッ素含有ガスのプラズマにより部材の表面からシリコン含有膜を除去する第１除去工程と、酸素含有ガスのプラズマにより部材の表面から炭素含有膜を除去する第２除去工程とを含む。この結果、チャンバ内部材の表面をより清浄化することが可能となる。
　また、本実施形態によれば、シリコン含有ガスは、さらに希ガスを含む。この結果、チャンバ内部材全体により均一にシリコン含有膜（デポ）を堆積させることが可能となる。
　また、本実施形態によれば、希ガスは、Ａｒ又はＨｅである。この結果、チャンバ内部材全体により均一にシリコン含有膜（デポ）を堆積させることが可能となる。
（他の実施形態）
　以上、本実施形態に係るプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置について説明したが、実施形態はこれに限定されるものではない。以下では、他の実施形態について説明する。
（バイアス電圧）
　例えば、成膜工程においてバイアス電圧を印加しても良い。すなわち、制御部６０は、成膜工程において、処理ガス供給源１５から処理チャンバ１内部にシリコン含有ガス及び還元性ガスを供給し、第１の高周波電源１０ａから処理チャンバ１内部へプラズマ生成用の高周波電力を印加してシリコン含有ガス及び還元性ガスのプラズマを生成する。この際、制御部６０は、第２の高周波電源１０ｂから載置台２へイオン引き込み用の高周波電力を印加することで、載置台２に対してバイアス電圧を印加する。すると、プラズマ中のイオンが載置台２に向けて引き込まれる。この結果、バイアス電圧を印加しない手法と比較して、部材上の膜の膜厚をより緻密に制御することが可能となる。
１　処理チャンバ
２　載置台
２ａ　基材
２ｂ　冷媒流路
２ｃ　冷媒入口配管
２ｄ　冷媒出口配管
３　絶縁板
３ａ　内壁部材
４　支持台
５　フォーカスリング
６　静電チャック
６ａ　電極
６ｂ　絶縁体
１０ａ　第１の高周波電源
１０ｂ　第２の高周波電源
１５　処理ガス供給源
１６　シャワーヘッド
１６ａ　本体部
１６ｂ　上部天板
５２　可変直流電源
６０　制御部
６１　プロセスコントローラ
６２　ユーザインターフェース
６３　記憶部
７１　排気口
７２　排気管
７３　排気装置

Claims (11)

  1. 　シリコン含有ガス及び還元性ガスのプラズマにより、チャンバの内部の部材の表面に対してシリコン含有膜を成膜する成膜工程と、
    　前記部材の表面に前記シリコン含有膜が成膜された後に、前記チャンバの内部に搬入された被処理体を処理ガスのプラズマによりプラズマ処理するプラズマ処理工程と、
    　プラズマ処理された前記被処理体が前記チャンバの外部に搬出された後に、フッ素含有ガスのプラズマにより前記部材の表面から前記シリコン含有膜を除去する除去工程と
    　を含むことを特徴とするプラズマ処理方法。
  2. 　前記シリコン含有ガスは、ＳｉＦ４、ＳｉＣｌ４及びＳｉＢｒ４のうち少なくともいずれか一つを含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理方法。
  3. 　前記還元性ガスは、Ｈ２、ＣＨ４及びＣ３Ｈ６のうち少なくともいずれか一つを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載のプラズマ処理方法。
  4. 　前記成膜工程において、前記シリコン含有ガスに対する前記還元性ガスの流量比が０．２以上であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理方法。
  5. 　前記成膜工程の前に、さらに、炭素含有ガスのプラズマにより、前記部材の表面に対して炭素含有膜を成膜するプレ成膜工程を含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理方法。
  6. 　前記炭素含有ガスは、ＣｘＨｙＦｚ〔式中、ｘ、ｙ及びｚは整数を表し、（ｚ－ｙ）÷ｘは２以下〕で表されるガスを含むことを特徴とする請求項５に記載のプラズマ処理方法。
  7. 　前記炭素含有ガスは、ＣＨ４、Ｃ４Ｆ８、ＣＨＦ３、ＣＨ３Ｆ及びＣ２Ｈ４のうち少なくともいずれか一つを含むことを特徴とする請求項５に記載のプラズマ処理方法。
  8. 　前記除去工程は、前記フッ素含有ガスのプラズマにより前記部材の表面から前記シリコン含有膜を除去する第１除去工程と、酸素含有ガスのプラズマにより前記部材の表面から前記炭素含有膜を除去する第２除去工程とを含むことを特徴とする請求項５に記載のプラズマ処理方法。
  9. 　前記シリコン含有ガスは、さらに希ガスを含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理方法。
  10. 　前記希ガスは、Ａｒ又はＨｅであることを特徴とする請求項９に記載のプラズマ処理方法。
  11. 　被処理体をプラズマ処理するためのチャンバと、
    　前記チャンバの内部を減圧するための排気部と、
    　前記チャンバの内部に処理ガスを供給するためのガス供給部と、
    　シリコン含有ガス及び還元性ガスのプラズマにより、チャンバの内部の部材の表面に対してシリコン含有膜を成膜する成膜工程と、前記部材の表面に前記シリコン含有膜が成膜された後に、前記チャンバの内部に搬入された被処理体を処理ガスのプラズマによりプラズマ処理するプラズマ処理工程と、プラズマ処理された前記被処理体が前記チャンバの外部に搬出された後に、フッ素含有ガスのプラズマにより前記部材の表面から前記シリコン含有膜を除去する除去工程とを実行する制御部と
    　を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
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