WO2016111144A1 - 有機電子素子の製造方法 - Google Patents

有機電子素子の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2016111144A1
WO2016111144A1 PCT/JP2015/085555 JP2015085555W WO2016111144A1 WO 2016111144 A1 WO2016111144 A1 WO 2016111144A1 JP 2015085555 W JP2015085555 W JP 2015085555W WO 2016111144 A1 WO2016111144 A1 WO 2016111144A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
organic
substrate
organic electronic
layer
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2015/085555
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
松本　康男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Co Ltd filed Critical Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority to EP15877017.2A priority Critical patent/EP3244701A4/en
Priority to US15/541,599 priority patent/US10319909B2/en
Priority to KR1020177021432A priority patent/KR20170101980A/ko
Priority to CN201580072619.6A priority patent/CN107211501B/zh
Publication of WO2016111144A1 publication Critical patent/WO2016111144A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/191—Deposition of organic active material characterised by provisions for the orientation or alignment of the layer to be deposited
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/0198—Manufacture or treatment batch processes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/26—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by applying the liquid or other fluent material from an outlet device in contact with, or almost in contact with, the surface
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D2201/00—Polymeric substrate or laminate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D2252/00—Sheets
    • B05D2252/02—Sheets of indefinite length
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • an object of the present invention is to provide a method for manufacturing an organic electronic device capable of reducing non-uniformity of the coating film thickness.
  • the tensile force (tension) of the base material described above may be in a form of 20N or more and 150N or less. According to this aspect, since wrinkles and sagging in the transport direction do not occur in the film itself being transported when entering the air levitation stage, it is possible to form a stable and uniform coating film in a state where vertical vibration is suppressed. Become.
  • the conveyance speed of the film substrate 110 is, for example, 2 m / min. 6 m / min.
  • the tension set below and applied in the conveying direction of the film substrate 110 is set to, for example, 20N to 150N, preferably 30N to 100N. Note that the tension (tensile force) applied in the transport direction of the film substrate 110 may be adjusted by a tension adjusting mechanism (not shown).
  • the air levitation stage 20 is used not for conveying the film base 110 but for floating the part where the film base 110 hangs down by its own weight. Thus, a relatively large amount of air generated by relatively large holes formed by processing is too strong. According to the air levitation stage 20 of the present embodiment, the amount of the film base 110 that hangs down by its own weight can be levitated by a relatively small amount of air generated by the relatively small holes of the porous material. .
  • various conditions such as the air blowing flow rate, the number, size, and the interval of the air levitation stage, the interval between the air levitation stage and the film substrate, and the tension applied in the transport direction of the film substrate are exemplified.
  • These assume a PEN film substrate having a thickness of 125 ⁇ m and a width of 320 mm.
  • the upper and lower vibration amount of the film base material is 70 ⁇ m or less, in other words, the upper and lower displacement amount is ⁇ 35 ⁇ m or less. What is necessary is just to change these conditions suitably.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

　塗布膜の膜厚の不均一を低減することが可能な有機電子素子の製造方法が開示されている。本発明の一実施形態に係る有機電子素子の製造方法は、有機材料を含む機能層を有する有機電子素子の製造方法であって、ロールツーロール方式を用いて、可撓性を有する基材（１１０）を水平搬送し、基材（１１０）の上方に配置されたスリットコート塗布器（３０）によって、有機材料を含む塗布液を基材（１１０）に塗布して、機能層を形成する塗布工程を有し、塗布工程では、基材（１１０）の下方に配置されたエア浮上ステージ（２０）によって、基材（１１０）をエア浮上させて、塗布液を基材（１１０）に塗布する。

Description

有機電子素子の製造方法
　本発明は、有機ＥＬ素子、有機太陽電池及び有機トランジスタなどの有機電子素子の製造方法に関する。
　有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子、有機太陽電池、有機トランジスタなどの有機電子素子が知られている。この種の有機電子素子は、有機材料を含む発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、活性層、半導体層及び絶縁層などの種々の機能層を有する。この種の有機電子素子は、フィルム状の基板（可撓性を有する基板又はフレキシブル基板）上に形成されて、フィルム状をなすことがある。
　フィルム状の有機電子素子の製造方法として、ロールツーロール方式を用いて、インクジェット塗布法及びダイコータ塗布法などの塗布法によって、各種機能層を形成する方法が知られている。非特許文献１には、ダイコータ塗布法（スリットコート塗布法）が開示されている。
　このスリットコート塗布法を用いて、上記した有機電子素子における機能層を形成する場合について、図６を参照して説明する。図６に示すスリットコート塗布法では、巻き出しローラ１０と巻き取りローラ１３とからなるロールツーロール構成、及び、搬送ローラ１１，１２，１４，１５によって、基板を含むフィルム状の基材を搬送し、スリットコート塗布器３０Ｘによって、有機材料を含む塗布液を基材に塗布して、機能層薄膜を形成する。その際、下地基材を安定させるために、バックアップロール１５を用いて、基材を固定し、安定させている。
　バックアップロール１５に代えて吸着ステージを用いて、下地基材を固定し、安定させることも知られている。
（株）テクノスマート、多層ダイコーター、[online]、[平成26年11月17日検索]、インターネット<URL:http://www.ctiweb.co.jp/soran/products/410>
　非特許文献１に記載のスリットコート塗布法は、高粘度な塗布液を用いる場合に適している。ところで、より薄い薄膜を形成するために、低粘度な塗布液を用いる場合がある。しかしながら、非特許文献１に記載のスリットコート塗布法において低粘度な塗布液を用いると、液だれが生じてしまう。
　非特許文献１に記載のスリットコート塗布法のように、バックアップロールを使用する場合、バックアップロールの機械振動に起因して、膜厚が不均一となってしまう。一方、吸着ステージを使用する場合、一旦吸着させるので間欠搬送となり、生産性が低下してしまう。
　液だれに関しては、基材を水平搬送し、基材の上方に配置された塗布器によって基材の上面に塗布液を塗布することが考えられる。機械振動及び間欠搬送に関しては、バックアップロール及び吸着ステージを使用しないことが考えられる。例えば、所定距離だけ離間した２つの搬送ロールによって基板を水平搬送し、バックアップロール及び吸着ステージを使用せずに、２つの搬送ロール間において上方から基材の上面に塗布液を塗布する。
　しかしながら、フィルム状の基材の場合、水平搬送においてバックアップロール及び吸着ステージを使用しない構成では、２つの搬送ロール間において自重により基材が垂れ下がり、基材が上下振動してしまう。この振動に起因して、塗布膜の膜厚が不均一となってしまう。
　そこで、本発明は、塗布膜の膜厚の不均一を低減することが可能な有機電子素子の製造方法を提供することを目的とする。
　本発明の有機電子素子の製造方法は、有機材料を含む機能層を有する有機電子素子の製造方法であって、ロールツーロール方式を用いて、可撓性を有する基材を水平搬送し、基材の上方に配置されたスリットコート塗布器によって、有機材料を含む塗布液を基材に塗布して、機能層を形成する塗布工程を有し、塗布工程では、基材の下方に配置されたエア浮上ステージによって、基材をエア浮上させて、塗布液を基材に塗布する。この塗布工程は、有機ＥＬ素子、有機太陽電池及び有機トランジスタなどの有機電子素子における、有機材料を含む発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、活性層、半導体層及び絶縁層などの種々の機能層の形成に適用可能である。
　この有機電子素子の製造方法によれば、基材をエア浮上させるので、基材が自重により垂れ下がることを抑制することができ、基材が上下振動することを抑制することができる。したがって、基材の上下振動に起因する塗布膜の膜厚の不均一を低減することができる。
　この有機電子素子の製造方法によれば、基材を水平搬送し、上方から塗布液を基材に塗布するので、塗布液が低粘度である場合に液だれを防止することができる。
　この有機電子素子の製造方法によれば、ロールツーロール方式において連続的にかつ安定的に塗布膜（機能層）を形成することができるので、塗布膜の膜厚の不均一がない高品位の有機電子素子をハイスループットで連続して生産することができる。
　上記したエア浮上ステージは、多孔質材料からなる形態であってもよい。エア浮上ステージは、基材を搬送することではなく、基材が自重により垂れ下がる分を浮上させることを目的として用いられる。よって、加工によって形成される比較的に大きな孔によって生成される比較的に多量のエアでは強過ぎる。しかしながら、この形態によれば、多孔質材料が有する比較的に小さな孔によって生成される比較的に少量のエアによって、基材が自重により垂れ下がる分を浮上させることができる。
　上記した基材の上下の振動量（変位量）は、７０μｍ（±３５μｍ）以下である形態であってもよい。この形態によれば、基材の上下振動量が７０μｍ（変位量±３５μｍ）以下と小さいので、基材の上下振動に起因する塗布膜の膜厚の不均一を低減することができる。
　上記したエア浮上ステージと上記した基材との間隔は、３０μｍ以上１ｍｍ以下である形態であってもよい。この形態によれば、エア浮上ステージと基材との間の吹き出しエアに起因するフィルムの上下振動を適性に抑制することが可能である。当該間隔が３０μｍ未満であると、エア浮上ステージと基材との接触により基材裏面にキズを生じるおそれがあり、逆に１ｍｍより大きいと、エア浮上ステージと基材との間のエア層が不均一になり、上下振動抑制効果は小さくなってしまう。
　上記した塗布液の粘度は、１ｃｐ以上２０ｃｐ以下である形態であってもよい。この形態によれば、１ｃｐ以上２０ｃｐ以下のような低粘度の塗布液であっても、基材の上下振動に起因する塗布膜の膜厚の不均一を低減することができる。また、上記したように液だれを防止することができる。
　上記した基材の引張力（テンション）は、２０Ｎ以上１５０Ｎ以下である形態であってもよい。この形態によれば、エア浮上ステージに侵入する際の搬送中のフィルム自体に搬送方向のしわ及びたるみが発生しないため、上下振動を抑制された状態で安定かつ均一な塗布膜の形成が可能となる。
　上記したエア浮上ステージによるエアの風速は、０．００１ｍ／ｓｅｃ．以上０．３ｍ／ｓｅｃ.以下である形態であってもよい。上記したように、エア浮上ステージは、基材を搬送することではなく、基材が自重により垂れ下がる分を浮上させることを目的として用いられる。よって、加工によって形成される比較的に大きな孔によって生成される比較的に多量のエアでは強過ぎる。しかしながら、これによれば、エアの風速が０．００１ｍ／ｓｅｃ．以上０．３ｍ／ｓｅｃ.以下と小さいので、基材が自重により垂れ下がる分を浮上させることができる。
　上記した有機電子素子は有機ＥＬ素子である形態であってもよい。この形態によれば、発光輝度の不均一（発光ムラ）を低減することができる。
　上記した有機電子素子は有機太陽電池である形態であってもよい。この形態によれば、有機半導体材料又は金属ナノ粒子からなる電極材料の塗布プロセスにおいて、広範囲の粘度範囲の材料を選択可能となる。
　上記した有機電子素子は有機トランジスタである形態であってもよい。この形態によれば、有機トランジスタ用の有機半導体材料、ゲート絶縁膜用材料、及び、ソース／ドレイン電極などのための金属ナノ粒子からなる印刷用材料を使用する場合、粘度範囲を気にすることなく、広範囲な材料を選択可能となる。
　本発明によれば、有機ＥＬ素子、有機太陽電池及び有機トランジスタなどの有機電子素子における塗布膜の膜厚の不均一を低減することができる。
本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ素子（有機電子素子）の製造方法を示す図である。 図１に示す加工領域Ａを上からみた図である。 一実施形態に係る有機ＥＬ素子（有機電子素子）の断面図である。 検証結果を示す図である。 一変形例に係る有機ＥＬ素子（有機電子素子）の断面図である。 従来の有機ＥＬ素子（有機電子素子）の製造方法を示す図である。
　以下、図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
　図１は、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ素子（有機電子素子）の製造方法を示す図であり、図２は、図１に示す加工領域Ａを上からみた図である。図３は、一実施形態に係る有機ＥＬ素子（有機電子素子）の断面図である。
　図３に示すように、本実施形態の有機ＥＬ素子１００は、フィルム状の基板（可撓性を有する基板又はフレキシブル基板）１０１上に、陽極層１０２と、発光層（機能層）１０３と、陰極層１０４とが順に積層されてなる。フィルム状の基板１０１の材料としては、例えば透明性を有するプラスティック、より具体的にはＰＥＮ（Polyethylene Naphthalate）が挙げられる。フィルム状の基板１０１としては、典型的には厚さ１００μｍ程度のものが挙げられる。陽極層１０２としては、例えば光透過性を示す電極、より具体的にはＩＴＯ（Tin-doped Indium Oxide）及びＩＺＯ（indium zinc oxide）等の比較的透明な材料からなる導電性金属酸化物薄膜が挙げられる。発光層１０３は、低分子型及び高分子型などの種々の公知の有機ＥＬ材料を含む。陰極層１０４としては、例えば光反射性を示す電極、より具体的には金属材料からなる導電性金属薄膜が挙げられる。
　以下に示す有機ＥＬ素子の製造方法では、基板１０１と陽極層１０２とを含むフィルム状の基材１１０上に発光層１０３を形成する工程（塗布工程）について説明し、公知の陽極層１０２及び陰極層１０４を形成する工程については省略する。陽極層１０２及び陰極層１０４は、例えば、電極層を形成するための蒸着法及び塗布法などといった公知の方法で形成され得る。
　まず、図１及び図２に示すように、ロールツーロール方式を用いて、フィルム基材１１０を水平搬送する。具体的には、巻き出しローラ１０からフィルム基材１１０を巻き出し、加工領域Ａにおいて搬送ローラ１１，１２によってフィルム基材１１０を水平搬送し、巻き取りローラ１３によって巻き取る。
　例えば、厚さ１２５μｍ、幅Ｗｆ＝３２０ｍｍのＰＥＮフィルム基材１１０を想定した場合、フィルム基材１１０の搬送速度は、例えば、２ｍ／ｍｉｎ．以上６ｍ／ｍｉｎ．以下に設定され、フィルム基材１１０の搬送方向に加えられるテンションは、例えば、２０Ｎ以上１５０Ｎ以下、好ましくは３０Ｎ以上１００Ｎ以下に設定される。なお、フィルム基材１１０の搬送方向に加えられるテンション（引張力）は、テンション調整機構（図示せず）によって調整されてもよい。
　フィルム基材１１０が水平搬送される加工領域Ａにおいて、フィルム基材１１０の下方に配置された３つのエア浮上ステージ２０によって、フィルム基材１１０をエア浮上させる。エア浮上ステージ２０それぞれは、多孔質カーボンからなり、複数の微小な孔からエアを吹き出す。例えば、エア浮上ステージ２０におけるフィルム基材１１０と対向する上面の幅Ｗａは約１００ｍｍであり、長さＬａは約５００ｍｍである。エア浮上ステージ２０は、Ｓａ＝１００ｍｍ間隔で搬送方向に配列されている。
　例えば、上記した厚さ１２５μｍ、幅Ｗｆ＝３２０ｍｍのＰＥＮフィルム基材１１０を想定し、エア吹き出し流量は、１×１０－４Ｌ／（ｃｍ２・ｓｅｃ．）以上３×１０－２Ｌ／（ｃｍ２・ｓｅｃ．）以下（風速換算：０．００１ｍ／ｓｅｃ．以上０．３ｍ／ｓｅｃ．以下）、好ましくは１×１０－４Ｌ／（ｃｍ２・ｓｅｃ．）以上１×１０－２Ｌ／（ｃｍ２・ｓｅｃ．）以下に設定される。
　これにより、エア浮上ステージ２０とフィルム基材１１０との間隔が、３０μｍ以上１ｍｍ以下、好ましくは５０μｍ以上５００μｍ以下に設定される。その結果、フィルム基材１１０の振動量（最大位値－最少位値）が、７０μｍ以下、好ましくは４０μｍ以下となる。換言すれば、フィルム基材１１０の変位量が、±３５μｍ以下、好ましくは±２０μｍ以下となる。
　エア浮上ステージ２０は、フィルム基材１１０を搬送することではなく、フィルム基材１１０が自重により垂れ下がる分を浮上させることを目的として用いられる。よって、加工によって形成される比較的に大きな孔によって生成される比較的に多量のエアでは強過ぎる。本実施形態のエア浮上ステージ２０によれば、多孔質材料が有する比較的に微小な孔によって生成される比較的に少量のエアによって、フィルム基材１１０が自重により垂れ下がる分を浮上させることができる。
　加工によって形成される比較的に大きな孔によって生成される比較的に多量のエアでは、後述するスリットコート塗布器３０のノズルにおけるインクを乾燥させてしまうことがあるが、本実施形態の多孔質材料が有する比較的に微小な孔によって生成される比較的に少量のエアでは、そのようなことがない。
　フィルム基材１１０が水平搬送される加工領域Ａにおいて、フィルム基材１１０及びエア浮上ステージ２０の上方に配置されたスリットコート塗布器３０によって、有機ＥＬ材料を含むインク（塗布液）をフィルム基材１１０に塗布して、発光層１０３を形成する。発光層１０３としては、典型的には乾燥後厚さ２０ｎｍ～１００ｎｍ（例えば、塗布時厚さ０．４μｍ～２μｍ）のものが挙げられる。
　スリットコート塗布器３０は、フィルム基材１１０の幅Ｗｆ方向に延在するスリットを有する。
　インクとしては、粘度１ｃＰ以上２０ｃＰ以下、好ましくは２ｃＰ以上１０ｃＰ以下の比較的に低粘度のものが用いられる。例えば、インクとしては、有機ＥＬ材料と有機溶媒とを含む溶液が用いられる。有機ＥＬ材料としては、低分子系材料でも高分子材料でもよく、あるいは両者の混合系でもよい。有機溶媒としては、有機ＥＬ材料を溶解する溶媒であればよく、溶媒の蒸発速度、溶液の表面張力及び粘度等を考慮して適宜選択される。有機溶媒としては、単一の溶媒でも混合溶媒でもよい。
　本実施形態の有機ＥＬ素子（有機電子素子）の製造方法によれば、フィルム基材１１０をエア浮上させるので、フィルム基材１１０が自重により垂れ下がることを抑制することができ、フィルム基材１１０が上下振動することを抑制することができる。したがって、フィルム基材１１０の上下振動に起因する発光層（塗布膜）の膜厚の不均一を低減することができる。その結果、発光輝度の不均一（発光ムラ）を低減することができる。
　本実施形態の有機ＥＬ素子（有機電子素子）の製造方法によれば、フィルム基材１１０を水平搬送し、上方からインク（塗布液）をフィルム基材１１０に塗布するので、インクが低粘度である場合に液だれを防止することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ素子（有機電子素子）の製造方法によれば、ロールツーロール方式において連続的にかつ安定的に塗布膜（発光層）１０３を形成することができるので、塗布膜の膜厚の不均一がなく、その結果、発光輝度の不均一（発光ムラ）がない高品位の有機ＥＬ素子（有機電子素子）をハイスループットで連続して生産することができる。
　以下では、上記した効果について検証する。
［検証１］
　上記したスリットコート塗布器３０に代えてインクジェット塗布器を用いて、上記したフィルム基材１１０に代えてガラス基材上に、有機ＥＬ材料を含むインク（塗布液）を塗布して、発光層を形成した。インクとして住友化学製高分子白色発光材料ＳＣＷ１４０（固形分濃度７％、粘度５ｃｐ）を用い、乾燥後の発光層の膜厚を７０ｎｍとした。インクを塗布する際、ガラス基材に上下振動を与えた。本検証では、発光層に紫外線ランプから紫外線を照射し、発光輝度の不均一（発光ムラ）を目視確認した。
　本検証によれば、上下の振動量（最大位値－最少位値）１３０μｍ（変位量±６５μｍ）では発光輝度が不均一であり、上下の振動量７０μｍ（変位量±３５μｍ）、及び、上下の振動量４０μｍ（±２０μｍ）では発光輝度が均一であった。これより、上下の振動量７０μｍ以下、好ましくは４０μｍ以下で、換言すれば、上下の変位量±３５μｍ以下、好ましくは±２０μｍ以下で、発光輝度の不均一が低減されること、すなわち、発光層（塗布膜）の膜厚の不均一が低減されることが推察される。
［検証２］
　図１，２に示す製造方法によって、上記した厚さ１２５μｍ、幅Ｗｆ＝３２０ｍｍのＰＥＮフィルム基材１１０を水平搬送させる。その際、エア浮上ステージ２０によってエア浮上を行う場合と行わない場合とについて比較検証した。エア浮上を行う場合の検証条件は以下の通りであった。
エア吹き出し流量：３×１０－４Ｌ／（ｃｍ２・ｓｅｃ．）（風速換算：０．００３ｍ／ｓｅｃ．）
エア浮上ステージ２０とフィルム基材１１０との間隔：５０μｍ
また、その他の共通の検証条件は以下の通りであった。
フィルム基材１１０の搬送速度：６ｍ／ｍｉｎ．
フィルム基材１１０の搬送方向に加えられるテンション：３０Ｎ
　本検証では、スリットコート塗布器３０に代えてレーザ変位センサを用い、フィルム基材１１０の上下位置を１ｍｓｅｃ．間隔で２０秒間測定し、フィルム基材１１０の上下変位量を測定した。検証結果を図４に示す。
　図４によれば、エア浮上ステージ２０によってエア浮上を行わない場合、曲線５１に示すように、上下の振動量（最大位値－最少位値）が３１５μｍであった。これに対し、エア浮上ステージ２０によってエア浮上を行った場合、曲線５０に示すように、上下の振動量が１７μｍに低減した。
　これらの検証１及び検証２を総合すると、エア浮上ステージ２０によってエア浮上を行うことにより、発光輝度の不均一を低減できること、すなわち、発光層（塗布膜）の膜厚の不均一を低減できることが検証された。
　本発明は上記した本実施形態に限定されることなく種々の変形が可能である。例えば、本実施形態では、一対の電極間に発光層（機能層）を有する有機ＥＬ素子における発光層塗布工程を例示したが、本発明の特徴は、以下に示すような種々の有機ＥＬ素子における正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層などの種々の有機材料を含む機能層の塗布工程にも適用可能である。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔注入層／発光層／陰極
ｃ）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
ｄ）陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｅ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｆ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
ｇ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｈ）陽極／発光層／電子注入層／陰極
ｉ）陽極／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ここで、記号「／」は、記号「／」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。
　例えば、図５に示す正孔注入層１０５の塗布工程の場合、上記した発光層の塗布工程において、発光層用の有機ＥＬ材料を含むインク（塗布液）を、正孔注入層用の有機材料を含むインク（塗布液）に置き換えればよい。図５に示す正孔輸送層１０６の塗布工程の場合、上記した発光層の塗布工程において、発光層用の有機ＥＬ材料を含むインク（塗布液）を、正孔輸送層用の有機材料を含むインク（塗布液）に置き換え、更に、フィルム基材１１０を、基板１０１と、陽極層１０２と、正孔注入層１０５とを含むフィルム基材に置き換えればよい。図５に示す発光層１０３の塗布工程の場合、フィルム基材１１０を、基板１０１と、陽極層１０２と、正孔注入層１０５と、正孔輸送層１０６とを含むフィルム基材に置き換えればよい。図５に示す電子輸送層１０７の塗布工程の場合、上記した発光層の塗布工程において、発光層用の有機ＥＬ材料を含むインク（塗布液）を、電子輸送層の有機材料を含むインク（塗布液）に置き換え、更に、フィルム基材１１０を、基板１０１と、陽極層１０２と、正孔注入層１０５と、正孔輸送層１０６と、発光層１０３とを含むフィルム基材に置き換えればよい。図５に示す電子注入層１０８の塗布工程の場合、上記した発光層の塗布工程において、発光層用の有機ＥＬ材料を含むインク（塗布液）を、電子注入層の有機材料を含むインク（塗布液）に置き換え、更に、フィルム基材１１０を、基板１０１と、陽極層１０２と、正孔注入層１０５と、正孔輸送層１０６と、発光層１０３と、電子輸送層１０７とを含むフィルム基材に置き換えればよい。
　本実施形態では、有機ＥＬ素子として、発光層に対して基板側に陽極層が配置され、発光層に対して基板と反対側に陰極層が配置される形態の製造方法を例示したが、本発明の特徴は、発光層に対して基板側に陰極層が配置され、発光層に対して基板と反対側に陽極層が配置される形態の製造方法にも適用可能である。
　本実施形態では、有機ＥＬ素子（有機電子素子）の製造方法を例示したが、本発明の特徴は、有機太陽電池（有機電子素子）や有機トランジスタ（有機電子素子）の製造方法にも適用可能である。例えば、本発明の特徴は、有機太陽電池の製造方法における活性層（光電変換層），正孔注入層，正孔輸送層，電子輸送層及び電子注入層などの形成工程に適用可能である。本発明の特徴は、有機トランジスタの製造方法における半導体層及び絶縁層などの形成工程にも適用可能である。
　本発明の特徴は、フィルム基材のうちの何れか一方の表面、又は、両方の表面にバリア層が形成される形態の製造方法にも適用可能である。
　本実施形態では、エア浮上ステージの材料として多孔質カーボンを例示したが、エアを吹き出すことができる様々な多孔質材料が適用可能である。
　本実施形態では、エア浮上ステージのエア吹き出し流量、個数、大きさ、間隔、エア浮上ステージとフィルム基材との間隔及びフィルム基材の搬送方向に加えられるテンションなどの様々な条件を例示したが、これらは厚さ１２５μｍ、幅３２０ｍｍのＰＥＮフィルム基材を想定したものである。フィルム基材のサイズ及び材料の少なくとも一方が大きく変わる場合には、フィルム基材の上下の振動量が７０μｍ以下になるように、換言すれば、上下の変位量を±３５μｍ以下になるように、これらの条件を適宜変更すればよい。
　１０…巻き出しローラ、１１，１２，１４…搬送ローラ、１３…巻き取りローラ、１５…バックアップロール（搬送ローラ）、２０…エア浮上ステージ、３０，３０Ｘ…スリットコート塗布器、１００…有機ＥＬ素子（有機電子素子）、１０１…基板、１０２…陽極層、１０３…発光層、１０４…陰極層、１０５…正孔注入層、１０６…正孔輸送層、１０７…電子輸送層、１０８…電子注入層、１１０…フィルム基材（基材）。

Claims (10)

  1. 　有機材料を含む機能層を有する有機電子素子の製造方法であって、
    　ロールツーロール方式を用いて、可撓性を有する基材を水平搬送し、前記基材の上方に配置されたスリットコート塗布器によって、前記有機材料を含む塗布液を前記基材に塗布して、前記機能層を形成する塗布工程を有し、
    　前記塗布工程では、前記基材の下方に配置されたエア浮上ステージによって、前記基材をエア浮上させて、前記塗布液を前記基材に塗布する、
    有機電子素子の製造方法。
  2. 　前記エア浮上ステージは、多孔質材料からなる、請求項１に記載の有機電子素子の製造方法。
  3. 　前記基材の上下の振動量は、７０μｍ以下である、請求項１又は２に記載の有機電子素子の製造方法。
  4. 　前記エア浮上ステージと前記基材との間隔は、３０μｍ以上１ｍｍ以下である、請求項３に記載の有機電子素子の製造方法。
  5. 　前記塗布液の粘度は、１ｃｐ以上２０ｃｐ以下である、請求項３に記載の有機電子素子の製造方法。
  6. 　前記基材の引張力は、２０Ｎ以上１５０Ｎ以下である、請求項３に記載の有機電子素子の製造方法。
  7. 　前記エア浮上ステージによるエアの風速は、０．００１ｍ／ｓｅｃ．以上０．３ｍ／ｓｅｃ.以下である、請求項３に記載の有機電子素子の製造方法。
  8. 　前記有機電子素子は有機ＥＬ素子である、請求項１～７の何れか１項に記載の有機電子素子の製造方法。
  9. 　前記有機電子素子は有機太陽電池である、請求項１～７の何れか１項に記載の有機電子素子の製造方法。
  10. 　前記有機電子素子は有機トランジスタである、請求項１～７の何れか１項に記載の有機電子素子の製造方法。
PCT/JP2015/085555 2015-01-07 2015-12-18 有機電子素子の製造方法 Ceased WO2016111144A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP15877017.2A EP3244701A4 (en) 2015-01-07 2015-12-18 Method for manufacturing organic electronic element
US15/541,599 US10319909B2 (en) 2015-01-07 2015-12-18 Method for manufacturing organic electronic element
KR1020177021432A KR20170101980A (ko) 2015-01-07 2015-12-18 유기 전자 소자의 제조 방법
CN201580072619.6A CN107211501B (zh) 2015-01-07 2015-12-18 有机电子元件的制造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015001583A JP5799181B1 (ja) 2015-01-07 2015-01-07 有機電子素子の製造方法
JP2015-001583 2015-01-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2016111144A1 true WO2016111144A1 (ja) 2016-07-14

Family

ID=54348664

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2015/085555 Ceased WO2016111144A1 (ja) 2015-01-07 2015-12-18 有機電子素子の製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10319909B2 (ja)
EP (1) EP3244701A4 (ja)
JP (1) JP5799181B1 (ja)
KR (1) KR20170101980A (ja)
CN (1) CN107211501B (ja)
WO (1) WO2016111144A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10686162B2 (en) 2015-01-07 2020-06-16 Sumitomo Chemical Company, Limited Method for manufacturing organic EL panel

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017195115A (ja) * 2016-04-21 2017-10-26 住友化学株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法
KR102458991B1 (ko) * 2018-03-30 2022-10-25 제이에프이 스틸 가부시키가이샤 방향성 전기 강판의 제조 방법 및 연속 성막 장치
KR102611146B1 (ko) * 2021-06-28 2023-12-06 세메스 주식회사 기판 처리 장치의 예열 방법 및 이를 위한 컴퓨터 프로그램
CN120857832A (zh) * 2025-07-21 2025-10-28 浙江大学 一种有机半导体单晶薄膜及其制备方法和用途

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004131215A (ja) * 2002-10-09 2004-04-30 Ushio Inc 帯状ワークの搬送装置
JP2004335492A (ja) * 2003-03-07 2004-11-25 Junji Kido 有機電子材料の塗布装置およびそれを使用した有機電子素子の製造方法
US20090031579A1 (en) * 2007-07-31 2009-02-05 Piatt Michael J Micro-structured drying for inkjet printers
JP2010140705A (ja) * 2008-12-10 2010-06-24 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンスパネル及びその製造方法、該有機エレクトロルミネッセンスパネルを用いた照明装置、表示装置
WO2012039218A1 (ja) * 2010-09-25 2012-03-29 コニカミノルタホールディングス株式会社 塗布方法、有機エレクトロニクス素子の製造方法
WO2012172919A1 (ja) * 2011-06-14 2012-12-20 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2014180603A (ja) * 2013-03-18 2014-09-29 Toray Ind Inc 塗布装置、塗布方法およびディスプレイ用部材の製造方法
JP2015022836A (ja) * 2013-07-17 2015-02-02 セーレン株式会社 インクジェット記録装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6436077U (ja) * 1987-08-28 1989-03-06
US5136966A (en) 1988-10-28 1992-08-11 Konica Corporation Web coating apparatus
JP2724400B2 (ja) * 1989-02-13 1998-03-09 コニカ株式会社 ウエブ塗布装置
JP2724398B2 (ja) * 1989-02-13 1998-03-09 コニカ株式会社 ウエブ塗布装置
JP4129861B2 (ja) * 2002-08-02 2008-08-06 大日本印刷株式会社 塗工装置
JP4767251B2 (ja) * 2004-04-14 2011-09-07 コアフロー サイエンティフィック ソリューションズ リミテッド 光学検査装置を平坦な対象物の接面に対して焦点合わせする方法
KR101296659B1 (ko) 2008-11-14 2013-08-14 엘지디스플레이 주식회사 세정 장치
JP5418505B2 (ja) * 2009-02-03 2014-02-19 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロニクス素子及びその製造方法
JP5831228B2 (ja) * 2009-05-09 2015-12-09 コニカミノルタ株式会社 塗布方法
JP2012192332A (ja) 2011-03-16 2012-10-11 Toray Ind Inc 塗布装置、塗布方法およびディスプレイ用部材の製造方法
KR20130003560A (ko) * 2011-06-30 2013-01-09 주식회사 에스에프에이 인쇄장치
JP2013016405A (ja) * 2011-07-06 2013-01-24 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロニクスデバイスおよびその製造方法
CN106919003B (zh) 2011-11-04 2018-10-16 株式会社尼康 图案形成方法及装置、图案曝光方法、以及元件制造方法
JP5494899B2 (ja) * 2012-04-09 2014-05-21 三菱化学株式会社 有機電界発光素子用組成物及び有機電界発光素子
JP2014079708A (ja) * 2012-10-17 2014-05-08 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 両面塗布装置
JP6036249B2 (ja) * 2012-12-11 2016-11-30 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2014120350A (ja) * 2012-12-17 2014-06-30 Konica Minolta Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP6254108B2 (ja) 2015-01-07 2017-12-27 住友化学株式会社 有機ｅｌパネルの製造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004131215A (ja) * 2002-10-09 2004-04-30 Ushio Inc 帯状ワークの搬送装置
JP2004335492A (ja) * 2003-03-07 2004-11-25 Junji Kido 有機電子材料の塗布装置およびそれを使用した有機電子素子の製造方法
US20090031579A1 (en) * 2007-07-31 2009-02-05 Piatt Michael J Micro-structured drying for inkjet printers
JP2010140705A (ja) * 2008-12-10 2010-06-24 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンスパネル及びその製造方法、該有機エレクトロルミネッセンスパネルを用いた照明装置、表示装置
WO2012039218A1 (ja) * 2010-09-25 2012-03-29 コニカミノルタホールディングス株式会社 塗布方法、有機エレクトロニクス素子の製造方法
WO2012172919A1 (ja) * 2011-06-14 2012-12-20 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2014180603A (ja) * 2013-03-18 2014-09-29 Toray Ind Inc 塗布装置、塗布方法およびディスプレイ用部材の製造方法
JP2015022836A (ja) * 2013-07-17 2015-02-02 セーレン株式会社 インクジェット記録装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3244701A4 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10686162B2 (en) 2015-01-07 2020-06-16 Sumitomo Chemical Company, Limited Method for manufacturing organic EL panel

Also Published As

Publication number Publication date
US20180006222A1 (en) 2018-01-04
EP3244701A4 (en) 2018-10-03
JP5799181B1 (ja) 2015-10-21
CN107211501B (zh) 2020-01-07
JP2016126964A (ja) 2016-07-11
EP3244701A1 (en) 2017-11-15
US10319909B2 (en) 2019-06-11
KR20170101980A (ko) 2017-09-06
CN107211501A (zh) 2017-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5799181B1 (ja) 有機電子素子の製造方法
JP5522170B2 (ja) 塗布方法
JP5831228B2 (ja) 塗布方法
US11342130B2 (en) Method of making a photovoltaic device on a substrate at high speed with perovskite solution
US11108007B2 (en) Method of making a perovskite layer at high speed
US20190229287A1 (en) Organic el display device and method for manufacturing same
CN107731879A (zh) 一种阵列基板、制备方法、显示面板及显示装置
TW201448312A (zh) 有機電致發光元件、及其製造方法
Routledge et al. Ultrasonic spray coating as an approach for large-area polymer OLEDs: The influence of thin film processing and surface roughness on electrical performance
JP6254108B2 (ja) 有機ｅｌパネルの製造方法
KR20150085604A (ko) 유기 발광 다이오드 및 그의 제조방법
JP5316415B2 (ja) 薄膜形成方法及び有機エレクトロニクス素子
US10532374B2 (en) Thin film production method and organic el device production method
US20220238807A1 (en) Method of making a perovskite layer at high speed
JP5700043B2 (ja) 有機薄膜層の形成方法、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
TW201250866A (en) Patterning method
JP5677253B2 (ja) 成膜方法および成膜装置
JP5772826B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
KR102764564B1 (ko) 층상 구조의 제조 방법, 전자 장치의 제조 방법
JP6574563B2 (ja) 電子部材用フィルムの製造方法およびフィルム搬送方法
JP2017195115A (ja) 有機ｅｌ素子の製造方法
KR20220101976A (ko) 플렉시블 oled 수분차단필름의 친수코팅 제조방법
JPWO2012121238A1 (ja) 蒸着用シート、蒸着装置、及び蒸着用シートの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15877017

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 15541599

Country of ref document: US

REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2015877017

Country of ref document: EP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20177021432

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A