WO2016143366A1 - 透明導電膜付ガラス基板及びその製造方法 - Google Patents

透明導電膜付ガラス基板及びその製造方法 Download PDF

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和田　正紀
健 柏谷
平尾　徹
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Nippon Electric Glass Co Ltd
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Nippon Electric Glass Co Ltd
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Definitions

  • the present invention relates to a glass substrate with a transparent conductive film and a method for producing the same.
  • a transparent conductive film used as an electrode is formed on a transparent substrate such as a glass substrate in a plasma display or an electroluminescent element, and the transparent conductive film is patterned with a laser (Patent Document 1 and Patent Document). 2).
  • a base glass layer having a refractive index higher than that of the glass substrate may be provided between the glass substrate and the transparent conductive film in order to increase light extraction efficiency.
  • the present inventors have found that when a base glass layer is provided, when the transparent conductive film is patterned with a laser, the transparent conductive film or the base glass layer is likely to be discolored or damaged.
  • An object of the present invention is to provide a glass with a transparent conductive film that can suppress discoloration or damage to the transparent conductive film or the base glass layer when the transparent conductive film formed on the base glass layer is patterned with a laser. It is providing a board
  • the glass substrate with a transparent conductive film of the present invention has a glass substrate, a base glass layer provided on the glass substrate, and a transparent conductive film provided on the base glass layer and patterned with a laser.
  • the glass substrate is an underlying glass layer having an absorptance smaller than that of the transparent conductive film and greater than that of the glass substrate at the wavelength of the laser, and is patterned by the laser to form the transparent conductive film.
  • the patterning region from which a part has been removed has a first linear portion, a second linear portion, and a connection portion that connects the first linear portion and the second linear portion, The angle formed by the first linear portion and the second linear portion is 120 ° or less, and the radius of curvature of the connection portion is 0.5 mm or more.
  • Examples of the base glass layer include those containing bismuth-based glass.
  • Examples of the base glass layer include those having a refractive index higher than that of the glass substrate.
  • the laser for example, a femtosecond laser can be used.
  • irregularities are formed on the surface of the glass substrate on which the base glass layer is provided.
  • the glass substrate with a transparent conductive film of the present invention is used, for example, as a glass substrate for an organic electroluminescence element.
  • the production method of the present invention is a method capable of producing the glass substrate with a transparent conductive film of the present invention, wherein a transparent conductive film before patterning is formed on a base glass layer.
  • the transparent conductive film formed on the base glass layer is patterned with a laser, it is possible to suppress discoloration or damage to the transparent conductive film or the base glass layer.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a glass substrate with a transparent conductive film according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic plan view showing a glass substrate with a transparent conductive film according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic plan view showing the first linear portion, the second linear portion, and the connecting portion shown in FIG. 2 in an enlarged manner.
  • FIG. 4 is a schematic plan view showing an enlarged view of the first linear portion, the second linear portion, and the connection portion in the comparative example.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a glass substrate with a transparent conductive film according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic plan view showing a glass substrate with a transparent conductive film according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view taken along the line II shown in FIG.
  • the glass substrate 6 with a transparent conductive film of the present embodiment includes a glass substrate 1, a base glass layer 2 provided on the main surface 1 a of the glass substrate 1, and a main surface 2 a of the base glass layer 2. And a transparent conductive film 3 provided thereon. Concavities and convexities are formed on the main surface 1 a of the glass substrate 1. Therefore, the base glass layer 2 is provided on the main surface 1a on which irregularities are formed.
  • the transparent conductive film 3 is formed with a patterning region 10 which is patterned by a laser and a part of the transparent conductive film 3 is removed.
  • the transparent conductive film 3 is divided into a first electrode 4 and a second electrode 5 by a patterning region 10.
  • the glass substrate 6 with a transparent conductive film of the present embodiment can be used as, for example, a glass substrate for an organic electroluminescence element.
  • an organic electroluminescent layer is provided on the glass substrate 6 with a transparent conductive film.
  • the light emitted from the organic electroluminescent layer and emitted from the organic electroluminescent layer passes through the transparent conductive film 3 and the glass substrate 1 and is extracted outside.
  • the base glass layer 2 is provided between the transparent conductive film 3 and the glass substrate 1 in order to increase the extraction efficiency of light emitted from the organic electroluminescence layer.
  • the refractive index nd of the organic electroluminescence layer is about 1.8 to 1.9
  • the refractive index nd of the transparent conductive film 3 is about 1.9 to 2.0
  • the rate nd is usually about 1.5.
  • the base glass layer 2 is provided between the glass substrate 1 and the transparent conductive film 3, and the refractive index nd of the base glass layer 2 is made close to the refractive index nd of the transparent conductive film 3, thereby Light reflection can be suppressed, and light can be efficiently extracted outside. Therefore, the base glass layer 2 is generally formed of glass having a higher refractive index nd than the glass substrate 1, for example, 1.8 to 2.2. Examples of such glass include bismuth glass. Examples of the bismuth glass include glass containing 10 mol% or more of Bi 2 O 3 as a glass composition.
  • the specific composition of the bismuth-based glass is Bi 2 O 3 10 to 35%, B 2 O 3 20 to 35%, SiO 2 over 5 to 35%, Al 2 O 3 0 to 10% in terms of mol%. , ZnO 0 to 10%, ZrO 2 1 to 8% glass, and in terms of mol%, Bi 2 O 3 10 to 35%, B 2 O 3 20 to 35%, SiO 2 + Al 2 O 3 21 to Examples thereof include glass containing 45%, ZnO 0 to 10%, and ZrO 2 0.1 to 10%.
  • SiO 2 + Al 2 O 3 means the total content of SiO 2 and Al 2 O 3 .
  • the glass substrate 1 with the irregularities formed on the main surface 1a can be produced, for example, by subjecting a glass plate having a flat surface to a method such as sandblasting, sol-gel spraying, or etching. Or it can also produce by press-molding a glass plate with the metal mold
  • the surface roughness Ra of the main surface 1a is preferably in the range of 0.05 to 2 ⁇ m, for example, and more preferably in the range of 0.05 to 1.5 ⁇ m. If the surface roughness Ra of the main surface 1a is too small, sufficient light extraction efficiency may not be obtained. Moreover, when the surface roughness Ra of the main surface 1a is too large, sufficient light extraction efficiency cannot be obtained, and the thickness of the underlying glass layer 2 may have to be increased more than necessary.
  • the transparent conductive film 3 for example, indium tin oxide (ITO), aluminum zinc oxide (AZO), indium zinc oxide (IZO), a composite having conductivity such as fluorine-doped tin oxide (FTO) is used.
  • ITO indium tin oxide
  • AZO aluminum zinc oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • FTO fluorine-doped tin oxide
  • An oxide thin film can be used.
  • indium tin oxide is preferably used.
  • the glass substrate 1 is not particularly limited as long as the light extraction efficiency is not reduced.
  • the transparent conductive film 3 by patterning the transparent conductive film 3 with a laser, a part of the transparent conductive film 3 is removed and the patterning region 10 is formed.
  • a laser a laser having a large absorption rate of the transparent conductive film 3 at the wavelength is used.
  • the absorptance increases at a wavelength of 1000 nm or more.
  • the ITO film can be removed by laser irradiation to form the patterning region 10.
  • the present inventors pattern the transparent conductive film 3 with a laser, and when the transparent conductive film 3 is partially removed by laser irradiation, the transparent conductive film 3 or the underlying glass layer 2 is discolored or damaged. It has been found that may occur. In particular, it has been found that such discoloration and damage are likely to occur at the corner where the laser scanning direction changes in the vertical direction. When this cause was examined, when the laser scanning direction changes to the vertical direction, the scanning speed decreases and the laser irradiation time becomes relatively long, so heat is accumulated in that part, causing discoloration and damage. I found out. Further, it has been found that such a phenomenon occurs because the underlying glass layer 2 also has a large absorption rate at the wavelength of the laser.
  • the underlying glass layer 2 has an absorptance smaller than that of the transparent conductive film 3 and larger than that of the glass substrate 1 at the wavelength of the laser.
  • the absorptivity of the underlying glass layer 2 at the wavelength of the laser is preferably in the range of 10 to 60%, more preferably in the range of 10 to 30% of the absorptivity of the transparent conductive film 3.
  • the wavelength of the laser is not particularly limited as long as the transparent conductive film 3 has a large absorption rate at the wavelength.
  • the wavelength of the laser is, for example, preferably 1000 nm or more, more preferably 1300 nm or more, and further preferably 1500 nm or more.
  • the upper limit of the laser wavelength is not particularly limited, but the laser wavelength is generally 2000 nm or less.
  • the laser is preferably a pulse laser of 10 picoseconds or less, more preferably an ultrashort pulse laser of 1 picosecond or less, and particularly preferably a femtosecond laser.
  • a pulse laser of 10 picoseconds or less, more preferably an ultrashort pulse laser of 1 picosecond or less, and particularly preferably a femtosecond laser.
  • the laser spot diameter is preferably within the range of 20% to 100% of the width of the patterning region, and more preferably within the range of 50% to 100%.
  • a laser is irradiated from the transparent conductive film 3 side in the thickness direction (z direction) of the transparent conductive film 3.
  • FIG. 2 is a schematic plan view showing a glass substrate with a transparent conductive film according to an embodiment of the present invention.
  • a glass substrate 6 with a transparent conductive film shown in FIG. 2 shows a patterning circuit for the transparent conductive film 3 for one organic electroluminescence element.
  • a glass substrate 6 with a transparent conductive film shown in FIG. 2 is one glass substrate among mother glass substrates on which other organic electroluminescence elements are formed adjacent to each other.
  • linear patterning regions 30 and 40 are formed so as to extend in the x direction, and the linear patterning regions 50 and 40 extend so as to extend in the y direction orthogonal to these patterning regions 30 and 40. 60 is formed.
  • the transparent conductive film 3 is divided from the transparent conductive film of the adjacent element.
  • a patterning region 10 shown in FIG. 1 is formed in the transparent conductive film 3.
  • the transparent conductive film 3 is divided by the patterning region 10, and the first electrode 4 and the second electrode 5 are formed.
  • the first electrode 4 can be used as an anode and the second electrode 5 can be used as a cathode.
  • the second electrode can be connected to an electron injection electrode provided on the organic electroluminescence layer.
  • the patterning region 10 has a first linear portion 11 extending in the x direction and a second linear portion 12 extending in the y direction.
  • the first linear portion 11 and the second linear portion 12 are connected by a connection portion 13.
  • the patterning region 10 has a second linear portion 14 extending in the y direction, and the second linear portion 14 and the first linear portion 11 are connected by a connection portion 15.
  • the patterning region 10 has a first linear portion 16 extending in the x direction, and the first linear portion 16 and the second linear portion 12 are connected by a connecting portion 17. Further, the patterning region 10 has a first linear portion 18 extending in the x direction, and the first linear portion 18 and the second linear portion 14 are connected by a connection portion 19.
  • the patterning region 10 has a second linear portion 21 extending in the y direction, and the second linear portion 21 and the first linear portion 16 are connected by a connection portion 22. Further, the patterning region 10 has a second linear portion 23 extending in the y direction, and the second linear portion 23 and the first linear portion 18 are connected by a connection portion 24.
  • FIG. 3 is an enlarged schematic plan view showing the first linear portion 11, the second linear portion 12, and the connecting portion 13 shown in FIG.
  • the first linear portion 11 and the second linear portion 12 are formed such that the angle formed by them is ⁇ .
  • the angle ⁇ is 90 °.
  • the present invention is not limited to this, and the angle ⁇ formed by the first linear portion 11 and the second linear portion 12 may be 120 ° or less.
  • the angle ⁇ formed by the first linear portion 11 and the second linear portion 12 is preferably in the range of 80 ° to 100 °.
  • the connecting portion 13 that connects the first linear portion 11 and the second linear portion 12 is formed in an arc shape.
  • the radius of curvature of the connecting portion 13 is 0.5 mm or more.
  • the radius of curvature of the connecting portion 13 is preferably 1.0 mm or more.
  • FIG. 4 is a schematic plan view showing an enlarged view of the first linear portion 11, the second linear portion 12, and the connecting portion 34 in the comparative example.
  • the connection portion 34 that connects the first linear portion 11 and the second linear portion 12 is not formed in an arc shape having a curvature radius of 0.5 mm or more.
  • the first linear portion 11, the connecting portion 34 and the second linear portion 12 are arranged in this order, or the second linear portion 12, the connecting portion 34 and the first linear portion 11 are arranged in this order.
  • the connecting portion 13 when the connecting portion 13 is formed in an arc shape having a curvature radius of 0.5 mm or more, the laser always moves in at least one of the x direction and the y direction. Since the laser beam passes through the connecting portion 13, there is no place where the laser stagnates for a long time. For this reason, discoloration or damage to the transparent conductive film 3 or the underlying glass layer 2 can be suppressed.
  • connection portion 13 has been described with reference to FIGS. 3 and 4, and the connection portions 15, 17, 19, 22, and 24 shown in FIG.
  • the connection portions 15, 17, 19, 22, and 24 shown in FIG.
  • the linear portion extending in the x direction is described as the first linear portion, and the linear portion extending in the y direction is described as the second linear portion.
  • the linear portion extending in the y direction may be the first linear portion, and the linear portion extending in the x direction may be the second linear portion.
  • SYMBOLS 1 Glass substrate 1a ... Main surface 2 ... Base glass layer 2a ... Main surface 3 ... Transparent conductive film 4 ... 1st electrode 5 ... 2nd electrode 6 ... Glass substrate with a transparent conductive film 10, 30, 40, 50, 60 ... patterning regions 11, 16, 18 ... first linear portions 12, 14, 21, 23 ... second linear portions 13, 15, 17, 19, 22 , 24, 34 ... Connection part

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Abstract

　下地ガラス層の上に形成された透明導電膜をレーザーでパターニングする際、透明導電膜または下地ガラス層に変色や損傷が生じるのを抑制することができる透明導電膜付ガラス基板及びその製造方法を提供する。　ガラス基板と、ガラス基板上に設けられる下地ガラス層と、下地ガラス層の上に設けられ、レーザーによりパターニングされた透明導電膜３とを備える透明導電膜付ガラス基板６であって、下地ガラス層は、レーザーの波長において、透明導電膜３の吸収率より小さく、かつガラス基板の吸収率より大きい吸収率を有しており、レーザーによりパターニングされて透明導電膜３の一部が除去されたパターニング領域１０は、第１の線状部分１１と、第２の線状部分１２と、第１の線状部分１１と第２の線状部分１２とを接続する接続部分１３とを有し、第１の線状部分１１と第２の線状部分１２のなす角度が１２０°以下であり、接続部分１３の曲率半径が０．５ｍｍ以上であることを特徴としている。

Description

透明導電膜付ガラス基板及びその製造方法
　本発明は、透明導電膜付ガラス基板及びその製造方法に関する。
　プラズマディスプレイやエレクトロルミネセンス素子などにおいて、電極として用いる透明導電膜を、ガラス基板などの透明基板上に形成し、透明導電膜をレーザーでパターニングすることが知られている（特許文献１及び特許文献２）。
　有機エレクトロルミネセンス素子などにおいては、光の取り出し効率を高めるため、ガラス基板と透明導電膜の間に、ガラス基板よりも屈折率の高い下地ガラス層が設けられる場合がある。
特開２００７－２０７５５４号公報 特開２００６－２６７８３４号公報
　本発明者らは、下地ガラス層を設けた場合、レーザーで透明導電膜をパターニングする際、透明導電膜または下地ガラス層に変色や損傷が生じやすいという課題を見出した。
　本発明の目的は、下地ガラス層の上に形成された透明導電膜をレーザーでパターニングする際、透明導電膜または下地ガラス層に変色や損傷が生じるのを抑制することができる透明導電膜付ガラス基板及びその製造方法を提供することにある。
　本発明の透明導電膜付ガラス基板は、ガラス基板と、ガラス基板上に設けられる下地ガラス層と、下地ガラス層の上に設けられ、レーザーによりパターニングされた透明導電膜とを備える透明導電膜付ガラス基板であって、下地ガラス層は、レーザーの波長において、透明導電膜の吸収率より小さく、かつガラス基板の吸収率より大きい吸収率を有しており、レーザーによりパターニングされて透明導電膜の一部が除去されたパターニング領域は、第１の線状部分と、第２の線状部分と、第１の線状部分と第２の線状部分とを接続する接続部分とを有し、第１の線状部分と第２の線状部分のなす角度が１２０°以下であり、接続部分の曲率半径が０．５ｍｍ以上であることを特徴としている。
　下地ガラス層としては、ビスマス系ガラスを含むものが挙げられる。
　下地ガラス層としては、ガラス基板の屈折率より高い屈折率を有するものが挙げられる。
　レーザーとしては、例えば、フェムト秒レーザーを用いることができる。
　下地ガラス層が設けられているガラス基板の表面には、凹凸が形成されていることが好ましい。
　本発明の透明導電膜付ガラス基板は、例えば、有機エレクトロルミネセンス素子用ガラス基板として用いられる。
　本発明の製造方法は、上記本発明の透明導電膜付ガラス基板を製造することができる方法であって、パターニングがなされる前の透明導電膜が下地ガラス層の上に形成されたガラス基板を作製する工程と、第１の線状部分、接続部分、及び第２の線状部分の順またはこの逆の順にレーザーを走査して、透明導電膜にレーザーを照射し、パターニング領域を形成する工程とを備えることを特徴としている。
　本発明によれば、下地ガラス層の上に形成された透明導電膜をレーザーでパターニングする際、透明導電膜または下地ガラス層に変色や損傷が生じるのを抑制することができる。
図１は、本発明の一実施形態の透明導電膜付ガラス基板を示す模式的断面図である。 図２は、本発明の一実施形態の透明導電膜付ガラス基板を示す模式的平面図である。 図３は、図２に示す第１の線状部分、第２の線状部分、及び接続部分を拡大して示す模式的平面図である。 図４は、比較例における第１の線状部分、第２の線状部分、及び接続部分を拡大して示す模式的平面図である。
　以下、好ましい実施形態について説明する。但し、以下の実施形態は単なる例示であり、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。また、各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照する場合がある。
　図１は、本発明の一実施形態の透明導電膜付ガラス基板を示す模式的断面図である。図２は、本発明の一実施形態の透明導電膜付ガラス基板を示す模式的平面図である。図１は、図２に示すＩ－Ｉ線に沿う模式的断面図である。図１に示すように、本実施形態の透明導電膜付ガラス基板６は、ガラス基板１と、ガラス基板１の主面１ａ上に設けられる下地ガラス層２と、下地ガラス層２の主面２ａの上に設けられる透明導電膜３とを備えている。ガラス基板１の主面１ａには、凹凸が形成されている。したがって、下地ガラス層２は、凹凸が形成された主面１ａの上に設けられている。
　透明導電膜３には、レーザーによりパターニングされて透明導電膜３の一部が除去されたパターニング領域１０が形成されている。透明導電膜３は、パターニング領域１０により第１の電極４と第２の電極５に分割されている。
　本実施形態の透明導電膜付ガラス基板６は、例えば、有機エレクトロルミネセンス素子用ガラス基板として用いることができる。有機エレクトロルミネセンス素子用ガラス基板として用いる場合、透明導電膜付ガラス基板６の上には有機エレクトロルミネセンス層が設けられる。有機エレクトロルミネセンス層が発光して、有機エレクトロルミネセンス層から出射された光は、透明導電膜３及びガラス基板１を通り、外部に取り出される。下地ガラス層２は、有機エレクトロルミネセンス層から出射された光の取り出し効率を高めるため、透明導電膜３とガラス基板１の間に設けられている。
　すなわち、一般に、有機エレクトロルミネセンス層の屈折率ｎｄは１．８～１．９程度であり、透明導電膜３の屈折率ｎｄは１．９～２．０程度であり、ガラス基板１の屈折率ｎｄは、通常、１．５程度である。このため、下地ガラス層２が設けられていない場合、ガラス基板１と透明導電膜３の屈折率差が大きいので、ガラス基板１と透明導電膜３の界面で、有機エレクトロルミネセンス層からの光が反射されてしまい、光を効率良く外部に取り出すことができない。
　本実施形態のように、ガラス基板１と透明導電膜３の間に下地ガラス層２を設け、下地ガラス層２の屈折率ｎｄを、透明導電膜３の屈折率ｎｄに近づけることにより、上記の光反射を抑制することができ、光を効率良く外部に取り出すことができる。したがって、下地ガラス層２は、一般に、ガラス基板１より高い屈折率ｎｄ、例えば、１．８～２．２を有するガラスから形成される。このようなガラスとしては、ビスマス系ガラスが挙げられる。ビスマス系ガラスとしては、ガラス組成としてＢｉ２Ｏ３を１０モル％以上含有するガラスが挙げられる。
　ビスマス系ガラスの具体的な組成としては、モル％表示で、Ｂｉ２Ｏ３　１０～３５％、Ｂ２Ｏ３　２０～３５％、ＳｉＯ２　５超～３５％、Ａｌ２Ｏ３　０～１０％、ＺｎＯ　０～１０％、ＺｒＯ２　１～８％を含有するガラス、及びモル％表示で、Ｂｉ２Ｏ３　１０～３５％、Ｂ２Ｏ３　２０～３５％、ＳｉＯ２＋Ａｌ２Ｏ３　２１～４５％、ＺｎＯ　０～１０％、ＺｒＯ２　０．１～１０％を含有するガラスなどが挙げられる。ここで「ＳｉＯ２＋Ａｌ２Ｏ３」とは、ＳｉＯ２とＡｌ２Ｏ３の含有量の合計を意味する。
　また、本実施形態のように、ガラス基板１の主面１ａに凹凸を形成することによって、下地ガラス層２とガラス基板１の界面での光の反射を低減でき、さらに効率良く光を外部に取り出すことができる。主面１ａに凹凸が形成されたガラス基板１は、例えば、平坦な表面を有するガラス板に対して、サンドブラスト法、ゾルゲルスプレー法、エッチング法などの方法を施すことにより作製することができる。或いは表面に凹凸が形成された金型でガラス板をプレス成形したり、表面に凹凸が形成されたロールで溶融ガラスをロール成板したりすることにより作製することもできる。
　主面１ａの表面粗さＲａは、例えば、０．０５～２μｍの範囲とすることが好ましく、さらに好ましくは、０．０５～１．５μｍの範囲である。主面１ａの表面粗さＲａが小さすぎると、十分な光取り出し効率が得られない場合がある。また、主面１ａの表面粗さＲａが大きすぎると、十分な光取り出し効率が得られないとともに、下地ガラス層２の厚みを必要以上に厚くしなければならない場合がある。
　透明導電膜３としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、アルミニウム亜鉛酸化物（ＡＺＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、フッ素をドープした錫酸化物（ＦＴＯ）などの導電性を有する複合酸化物薄膜を用いることができる。特に、インジウム錫酸化物が好ましく用いられる。
　ガラス基板１としては、特に限定されるものではなく、光の取り出し効率が低減されないものであればよい。
　本発明においては、透明導電膜３をレーザーでパターニングすることにより、透明導電膜３の一部を除去して、パターニング領域１０を形成する。レーザーとしては、その波長における透明導電膜３の吸収率が大きいレーザーが用いられる。例えば、ＩＴＯ膜の場合、１０００ｎｍ以上の波長において、吸収率が大きくなる。このため、１０００ｎｍ以上の波長のレーザーを用いてパターニングすることにより、ＩＴＯ膜をレーザー照射で除去してパターニング領域１０を形成することができる。
　上述のように、本発明者らは、透明導電膜３をレーザーでパターニングして、透明導電膜３の一部をレーザー照射で除去する際、透明導電膜３または下地ガラス層２に変色や損傷を生じる場合があることを見出した。特に、レーザーの走査方向が垂直方向に変化するコーナー部において、このような変色や損傷が生じやすいことを見出した。この原因について検討したところ、レーザーの走査方向が垂直方向に変化する際、走査速度が減少し、レーザーの照射時間が相対的に長くなるため、その部分において熱が蓄積され、変色や損傷が生じていることがわかった。また、レーザーの波長において、下地ガラス層２も大きな吸収率を有するため、このような現象が生じていることがわかった。
　したがって、本発明において、下地ガラス層２は、レーザーの波長において、透明導電膜３の吸収率より小さく、かつガラス基板１の吸収率より大きい吸収率を有している。レーザーの波長における下地ガラス層２の吸収率は、透明導電膜３の吸収率の１０～６０％の範囲であることが好ましく、さらに好ましくは１０～３０％の範囲内である。
　レーザーの波長は、透明導電膜３がその波長において大きな吸収率を有するものであれば、特に限定されない。レーザーの波長は、例えば、１０００ｎｍ以上であることが好ましく、１３００ｎｍ以上であることがより好ましく、１５００ｎｍ以上であることがさらに好ましい。レーザーの波長の上限値は、特に限定されるものではないが、レーザーの波長は、２０００ｎｍ以下であることが一般的である。
　レーザーは、１０ピコ秒以下のパルスレーザーであることが好ましく、より好ましくは、１ピコ秒以下の超短パルスレーザーであり、特に好ましくは、フェムト秒レーザーである。このようなパルス幅の小さいレーザーを用いることにより、多光子吸収現象を生じさせ、周辺部分に熱を拡散させることなくパターニングすることができる。
　レーザーのスポット径は、パターニング領域の幅の２０％～１００％の範囲内であることが好ましく、５０％～１００％の範囲内であることがさらに好ましい。
　なお、レーザーは、一般に透明導電膜３の厚み方向（ｚ方向）に、透明導電膜３側から照射される。
　図２は、本発明の一実施形態の透明導電膜付ガラス基板を示す模式的平面図である。図２に示す透明導電膜付ガラス基板６は、有機エレクトロルミネセンス素子１個分の透明導電膜３のパターニング回路を示している。図２に示す透明導電膜付ガラス基板６は、隣接して他の有機エレクトロルミネセンス素子が形成されているマザーガラス基板の中の１つのガラス基板である。
　図２に示すように、直線状のパターニング領域３０及び４０がｘ方向に延びるように形成されており、これらのパターニング領域３０及び４０と直交するｙ方向に延びるように直線状のパターニング領域５０及び６０が形成されている。これらのパターニング領域３０、４０、５０及び６０により、透明導電膜３は、隣接する素子の透明導電膜と分割されている。
　透明導電膜３には、図１に示すパターニング領域１０が形成されている。パターニング領域１０により、透明導電膜３が分割され、第１の電極４及び第２の電極５が形成されている。例えば、第１の電極４を陽極、第２の電極５を陰極として用いることができる。第２の電極は、有機エレクトロルミネセンス層の上に設けられる電子注入電極と接続することができる。
　図２に示すように、パターニング領域１０は、ｘ方向に延びる第１の線状部分１１とｙ方向に延びる第２の線状部分１２を有する。第１の線状部分１１と第２の線状部分１２とは、接続部分１３により接続されている。また、パターニング領域１０は、ｙ方向に延びる第２の線状部分１４を有し、第２の線状部分１４と第１の線状部分１１とは、接続部分１５により接続されている。
　また、パターニング領域１０は、ｘ方向に延びる第１の線状部分１６を有し、第１の線状部分１６と第２の線状部分１２とは、接続部分１７により接続されている。また、パターニング領域１０は、ｘ方向に延びる第１の線状部分１８を有し、第１の線状部分１８と第２の線状部分１４とは、接続部分１９により接続されている。
　また、パターニング領域１０は、ｙ方向に延びる第２の線状部分２１を有し、第２の線状部分２１と第１の線状部分１６とは、接続部分２２により接続されている。また、パターニング領域１０は、ｙ方向に延びる第２の線状部分２３を有し、第２の線状部分２３と第１の線状部分１８とは、接続部分２４により接続されている。
　図３は、図２に示す第１の線状部分１１、第２の線状部分１２、及び接続部分１３を拡大して示す模式的平面図である。図３に示すように、第１の線状部分１１と第２の線状部分１２は、それらのなす角度がθとなるように形成されている。本実施形態において、角度θは、９０°である。本発明はこれに限定されるものではなく、第１の線状部分１１と第２の線状部分１２のなす角度θは、１２０°以下であればよい。第１の線状部分１１と第２の線状部分１２のなす角度θは、好ましくは、８０°～１００°の範囲内である。
　第１の線状部分１１と第２の線状部分１２とを接続する接続部分１３は、本実施形態において、円弧状に形成されている。本発明において、接続部分１３の曲率半径は、０．５ｍｍ以上である。接続部分１３の曲率半径は、好ましくは、１．０ｍｍ以上である。接続部分１３の曲率半径をこのような範囲にすることにより、透明導電膜３または下地ガラス層２に変色や損傷を生じるのをより効果的に抑制することができる。接続部分１３の曲率半径が大きくなりすぎると、パターニング領域の形成が困難になる場合がある。したがって、接続部分１３の曲率半径は、５．０ｍｍ以下であることが好ましく、３．０ｍｍ以下であることがさらに好ましい。
　図４は、比較例における第１の線状部分１１、第２の線状部分１２、及び接続部分３４を拡大して示す模式的平面図である。図４に示す比較例では、第１の線状部分１１と第２の線状部分１２とを接続する接続部分３４が、曲率半径０．５ｍｍ以上の円弧状に形成されていない。このような場合、第１の線状部分１１、接続部分３４及び第２の線状部分１２の順、あるいは第２の線状部分１２、接続部分３４及び第１の線状部分１１の順で、レーザーが走査された際、接続部分３４でレーザーがｘ方向及びｙ方向のいずれにも移動しない瞬間が生じる。このため、レーザーが長い時間停滞する箇所が生じ、その部分において熱が蓄積され、透明導電膜３または下地ガラス層２に変色や損傷が生じる。
　これに対し、図３に示すように、接続部分１３が、曲率半径０．５ｍｍ以上の円弧状に形成されている場合、常にｘ方向及びｙ方向の少なくともいずれかの方向にレーザーが移動しながら接続部分１３を通過するので、レーザーが長い時間停滞する箇所を生じない。このため、透明導電膜３または下地ガラス層２に変色や損傷を生じるのを抑制することができる。
　図３及び図４を参照して、接続部分１３について説明したが、図２に示す接続部分１５、１７、１９、２２、及び２４についても、接続部分１３と同様に、曲率半径０．５ｍｍ以上の円弧状に形成することにより、これらの部分において、透明導電膜３または下地ガラス層２に変色や損傷を生じるのを抑制することができる。
　図２においては、ｘ方向に延びる線状部分を第１の線状部分、ｙ方向に延びる線状部分を第２の線状部分として説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。ｙ方向に延びる線状部分を第１の線状部分、ｘ方向に延びる線状部分を第２の線状部分としてもよい。
１……ガラス基板
１ａ……主面
２……下地ガラス層
２ａ……主面
３……透明導電膜
４……第１の電極
５……第２の電極
６……透明導電膜付ガラス基板
１０，３０，４０，５０，６０……パターニング領域
１１，１６，１８……第１の線状部分
１２，１４，２１，２３……第２の線状部分
１３，１５，１７，１９，２２，２４，３４……接続部分

Claims (7)

  1. 　ガラス基板と、前記ガラス基板上に設けられる下地ガラス層と、前記下地ガラス層の上に設けられ、レーザーによりパターニングされた透明導電膜とを備える透明導電膜付ガラス基板であって、
    　前記下地ガラス層は、前記レーザーの波長において、前記透明導電膜の吸収率より小さく、かつ前記ガラス基板の吸収率より大きい吸収率を有しており、
    　前記レーザーによりパターニングされて前記透明導電膜の一部が除去されたパターニング領域は、第１の線状部分と、第２の線状部分と、前記第１の線状部分と前記第２の線状部分とを接続する接続部分とを有し、前記第１の線状部分と前記第２の線状部分のなす角度が１２０°以下であり、前記接続部分の曲率半径が０．５ｍｍ以上である、透明導電膜付ガラス基板。
  2. 　前記下地ガラス層は、ビスマス系ガラスを含む、請求項１に記載の透明導電膜付ガラス基板。
  3. 　前記下地ガラス層は、前記ガラス基板の屈折率より高い屈折率を有する、請求項１または２に記載の透明導電膜付ガラス基板。
  4. 　前記レーザーが、フェムト秒レーザーである、請求項１～３のいずれか一項に記載の透明導電膜付ガラス基板。
  5. 　前記下地ガラス層が設けられている前記ガラス基板の表面に、凹凸が形成されている、請求項１～４のいずれか一項に記載の透明導電膜付ガラス基板。
  6. 　有機エレクトロルミネセンス素子用ガラス基板である、請求項１～５のいずれか一項に記載の透明導電膜付ガラス基板。
  7. 　請求項１～６のいずれか一項に記載の透明導電膜付ガラス基板を製造する方法であって、
    　前記パターニングがなされる前の前記透明導電膜が前記下地ガラス層の上に形成された前記ガラス基板を作製する工程と、
    　前記第１の線状部分、前記接続部分、及び前記第２の線状部分の順またはこの逆の順に前記レーザーを走査して、前記透明導電膜に前記レーザーを照射し、前記パターニング領域を形成する工程とを備える、透明導電膜付ガラス基板の製造方法。
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