WO2016167184A1 - ウェハを再生するための炭素含有シリコン酸化物を含む材料の洗浄液および洗浄方法 - Google Patents

ウェハを再生するための炭素含有シリコン酸化物を含む材料の洗浄液および洗浄方法 Download PDF

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俊行 尾家
憲司 島田
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Definitions

  • the present invention relates to a cleaning liquid for etching SiOC on the surface of a wafer in a manufacturing process of a wafer having a material containing a carbon-containing silicon oxide (hereinafter referred to as “SiOC”), and a cleaning method using the same. is there.
  • SiOC a material containing a carbon-containing silicon oxide
  • the conductive wiring material has shifted from aluminum to copper having a lower electrical resistance
  • the interlayer insulating film has shifted from a silicon oxide film to a low dielectric constant film (a film having a relative dielectric constant smaller than 3).
  • a method for reducing the dielectric constant of an interlayer insulating film a method of introducing fluorine atoms or carbon atoms having a small atomic radius into the interlayer insulating film is known.
  • carbon-containing silicon oxide (SiOC) is widely used as an interlayer insulating film whose dielectric constant is reduced by introducing carbon atoms into the silicon oxide film.
  • test wafer a dummy silicon wafer (hereinafter referred to as a “test wafer”) is cleaned between cleaning the target semiconductor elements. There is. This is in order to inspect whether or not unacceptable changes have occurred in the characteristics of the cleaning liquid due to repeated use of the cleaning liquid.
  • SiOC SiOC is used as one of the materials of the semiconductor element to be cleaned
  • a test wafer in which SiOC is formed on a single crystal silicon wafer may be used.
  • a test wafer in which SiOC is formed on a silicon wafer is used repeatedly, but the number of uses is limited due to corrosion by a cleaning liquid. It is desired to regenerate the test wafer by removing the SiOC film and forming the SiOC film again from the test wafer that has become difficult to use due to repeated use.
  • Patent Document 1 International Publication No. 2009/031270 mentions that when the thickness of the silicon wafer after the regeneration process is 600 ⁇ m or more, it can be used as a dummy wafer.
  • Patent Document 2 JP-A-10-177998 proposes a cleaning solution containing hydrofluoric acid and ammonium fluoride and having a pH of 1.8 to 6. However, since this cleaning solution cannot remove SiOC to a satisfactory degree, it cannot be used for industrial production activities (see Comparative Examples 9 and 10).
  • Patent Document 3 International Publication No. 2004/019134 proposes a cleaning liquid containing at least one selected from the group consisting of an organic acid and an organic solvent, and hydrofluoric acid. However, since this cleaning solution cannot remove SiOC, it cannot be used for industrial production activities (see Comparative Example 11).
  • Patent Document 4 Japanese Patent Laid-Open No. 2006-203181 proposes a cleaning liquid containing hydrofluoric acid and nitric acid, and further containing at least one of ammonium fluoride and ammonium chloride.
  • this cleaning solution cannot remove SiOC, it cannot be used for the purpose of regenerating a test wafer in which SiOC is formed on a silicon wafer (see Comparative Examples 12 and 13).
  • the present invention provides a method for solving the above problems.
  • the present invention is as follows. [1] A cleaning liquid for removing carbon-containing silicon oxide on a wafer surface, characterized in that it has only one alkyl group having 2 to 30% by mass of a fluorine compound and 10 or more carbon atoms in the molecule. A cleaning solution comprising 0.0001% by mass to 20% by mass of a cationic surfactant which is an ammonium salt or amine, and water having a pH value of 0 to 4.
  • the cationic surfactant which is an ammonium salt having only one alkyl group having 10 or more carbon atoms in the molecule is alkyl ammonium chloride, alkyl ammonium bromide, alkyl It is preferably at least one selected from the group consisting of ammonium alkyl sulfate, alkylaminoacetic acid betaine, and alkylamine acetate.
  • the cationic surfactant which is an amine having only one alkyl group having 10 or more carbon atoms in the molecule, is polyoxyethylene alkylamine, polyoxyethylene It is preferably at least one selected from the group consisting of polyoxypropylene alkylamines and alkylamine oxides.
  • the fluorine compound is at least one selected from hydrofluoric acid, ammonium fluoride, and tetramethylammonium fluoride.
  • a cationic surfactant which is an ammonium salt or amine having only one alkyl group having 10 or more carbon atoms in the molecule is decyltrimethylammonium chloride, dodecyltrimethylammonium chloride, undecyl Trimethylammonium chloride, tridecyltrimethylammonium chloride, tetradecyltrimethylammonium chloride, pentadecyltrimethylammonium chloride, hexadecyltrimethylammonium chloride, heptadecyltrimethylammonium chloride, octadecyltrimethylammonium chloride, nonadecyltrimethylammonium chloride, decyltriethylammonium chloride, Dodecyltriethylammonium chloride, undecyltriethylammonium Chloride, tridecyltriethylammonium chloride, tetradecyltrie
  • the cleaning liquid according to any one of items 1 to 4 wherein a carbon atom content in the carbon-containing silicon oxide is 5 to 60 atom%.
  • the cleaning liquid of the present invention By using the cleaning liquid of the present invention and the cleaning method using the same, it becomes possible to remove SiOC on the surface of the object to be processed, and a high-precision and high-quality wafer can be manufactured with a high yield.
  • the cleaning liquid of the present invention is preferably used in a process of reclaiming a wafer, and at that time, SiOC can be removed at a sufficiently satisfactory rate.
  • the SiOC that can be used in the present invention is a material that usually contains 5 to 60 atom% of carbon atoms, and the atomic composition percentage of the carbon atoms is preferably 5 atom% or more, more preferably 10 atom% or more, and even more preferably 15 atoms. % Or more, particularly preferably 20 atom% or more, and 55 atom% or less, more preferably 50 atom% or less, still more preferably 45 atom% or less, particularly preferably 40 atom% or less.
  • the atomic composition percentage of carbon atoms is preferably 5 to 55 atomic%, more preferably 10 to 50 atomic%, still more preferably 15 to 45 atomic%, and particularly preferably 20 to 40 atomic%.
  • the concentration range of the fluorine compound used in the present invention is 2% by mass or more, preferably 2.5% by mass or more, more preferably 3% by mass or more, particularly preferably 3.5% by mass or more, It is 30 mass% or less, Preferably it is 25 mass% or less, More preferably, it is 20 mass% or less.
  • the concentration range of the fluorine compound used in the present invention is 2 to 30% by mass, preferably 2.5 to 25% by mass, more preferably 3 to 20% by mass, and particularly preferably 3.5 to 20% by mass. It is. If it is 2% by mass or less, SiOC may not be removed. Further, since the fluorine compound requires attention in handling, it is preferably 30% by mass or less, particularly preferably 20% by mass or less from the viewpoint of safe handling.
  • fluorine compound used in the present invention may include hydrofluoric acid, ammonium fluoride, tetramethylammonium fluoride and the like, but are not limited thereto. These fluorine compounds can be blended alone or in combination of two or more.
  • the concentration range of the cationic surfactant used in the present invention is 0.0001% by mass or more, preferably 0.0005% by mass or more, more preferably 0.001% by mass or more, and particularly preferably 0.005% by mass. % Or more, and 20% by mass or less, preferably 15% by mass or less, more preferably 10% by mass or less, and particularly preferably 5% by mass or less.
  • the concentration range of the cationic surfactant used in the present invention is 0.0001 to 20% by mass, preferably 0.0005 to 15% by mass, more preferably 0.001 to 10% by mass, particularly preferably. 0.005 to 5% by mass. If it is 0.0001 mass% or less, SiOC may not be removed.
  • the cationic surfactant used in the present invention is an ammonium salt or amine characterized by having only one alkyl group having 10 or more carbon atoms in the molecule.
  • the alkyl group preferably has 11 or more carbon atoms, more preferably 12 or more.
  • the number of carbon atoms of the alkyl group is preferably 25 or less, more preferably 20 or less, and still more preferably 18 or less.
  • the cationic surfactant which is an ammonium salt having only one alkyl group having 10 or more carbon atoms in the molecule is alkyl ammonium chloride, alkyl ammonium bromide, alkyl It is preferably at least one selected from the group consisting of ammonium alkyl sulfate, alkylaminoacetic acid betaine, and alkylamine acetate.
  • the cationic surfactant which is an amine having only one alkyl group having 10 or more carbon atoms in the molecule, is polyoxyethylene alkylamine, polyoxyethylene It is preferably at least one selected from the group consisting of ethylene polyoxypropylene alkylamine and alkylamine oxide.
  • decyltrimethylammonium chloride dodecyltrimethylammonium chloride, undecyltrimethylammonium chloride, tridecyltrimethylammonium chloride, tetradecyltrimethylammonium chloride, pentadecyltrimethylammonium chloride, hexadecyltrimethylammonium chloride, heptadecyltrimethylammonium chloride.
  • Octadecyltrimethylammonium chloride nonadecyltrimethylammonium chloride, decyltriethylammonium chloride, dodecyltriethylammonium chloride, undecyltriethylammonium chloride, tridecyltriethylammonium chloride, tetradecyltriethylammonium chloride, pentadecyltriethyl Ammonium chloride, hexadecyltriethylammonium chloride, heptadecyltriethylammonium chloride, octadecyltriethylammonium chloride, nonadecyltriethylammonium chloride, decyltrimethylammonium bromide, dodecyltrimethylammonium bromide, undecyltrimethylammonium bromide, tridecyltrimethylammonium bromid
  • cationic surfactants which are ammonium salts or amines characterized by having only one alkyl group having 10 or more carbon atoms in the molecule, can be used alone or in combination of two or more.
  • the water used in the present invention is preferably water from which metal ions, organic impurities, particle particles, and the like have been removed by distillation, ion exchange treatment, filter treatment, various adsorption treatments, and the like, and particularly pure water and ultrapure water are preferred.
  • the concentration of water in the cleaning liquid is preferably 50% by mass or more, more preferably 60% by mass or more, and further preferably 70% by mass or more. In that case, the concentration of water is the remainder excluding various drugs.
  • the pH value of the cleaning liquid of the present invention can be arbitrarily used within the range of 0-4.
  • the pH value of the cleaning liquid of the present invention is preferably 0.1 or more, more preferably 0.2 or more, and preferably 3.5 or less, more preferably 3.1 or less, further preferably 2.5 or less. It is.
  • the preferred pH value of the cleaning liquid of the present invention is 0 to 3.5, more preferably 0.1 to 3.1, and still more preferably 0.2 to 2.5. When the pH value is within this range, SiOC on the surface of the object to be treated can be removed.
  • any inorganic acid or organic acid can be used. Specifically, sulfuric acid, nitric acid, phosphoric acid, hydrochloric acid, acetic acid, citric acid, formic acid, malonic acid, lactic acid, oxalic acid, and the like can be used, but are not limited thereto. These pH adjusters can be used alone or in combination of two or more.
  • additives that have been conventionally used in semiconductor cleaning liquids may be blended if desired so long as the object of the present invention is not impaired.
  • arbitrary alkalis, oxidizing agents, metal anticorrosives, water-soluble organic solvents, reducing agents, chelating agents, antifoaming agents, and the like can be added.
  • the present invention also provides a cleaning method for etching or removing the SiOC or SiOC film on the wafer surface using the cleaning liquid of the present invention.
  • the SiOC or SiOC film on the wafer surface can be etched or removed by bringing the cleaning liquid of the present invention into contact with a wafer having a material containing SiOC.
  • a method for bringing the cleaning liquid of the present invention into contact with a wafer having a material containing SiOC is not particularly limited. For example, a method of immersing the wafer in the cleaning liquid of the present invention or a method of bringing the wafer into contact with the cleaning liquid by dropping or spraying can be employed.
  • the temperature at which the cleaning liquid of the present invention is used is usually 20 to 85 ° C., preferably 30 to 70 ° C., and may be appropriately selected depending on the etching conditions and the wafer to be used.
  • the fluorine compound contained in the cleaning liquid of the present invention requires attention in handling, it is preferably used at 70 ° C. or less from the viewpoint of safe handling.
  • ultrasonic waves can be used in combination as necessary.
  • the time for using the cleaning liquid of the present invention depends on the film thickness of SiOC, and the processing time can be arbitrarily changed if there is no practical problem.
  • an organic solvent such as alcohol can be used, but rinsing with water is sufficient.
  • SiOC-A containing 50 atomic% of carbon; film thickness 6500 ⁇ (0.65 ⁇ m)
  • SiOC-B containing 10 atomic% of carbon; film thickness 10500 ⁇ (1.05 ⁇ m)
  • the film thicknesses of SiOC-A and SiOC-B were measured using an optical film thickness meter n & k 1280 manufactured by n & k Technology.
  • the etching rates of SiOC-A and SiOC-B were calculated by defining the value obtained by dividing the difference in film thickness before and after the cleaning liquid treatment of these film-coated wafers by the processing time as the etching rate.
  • An etching rate of 250 kg / min (0.025 ⁇ m / min) or higher was regarded as acceptable.
  • the single crystal silicon is not corroded by the processing of the wafer.
  • the single crystal silicon wafer is immersed under predetermined conditions using various cleaning liquids, and from the Si concentration in the cleaning liquid after the processing The etching rate of single crystal silicon was calculated.
  • the Si concentration was measured using ICP-AES (iCAP6300) manufactured by Thermo Scientific. The Si concentration in each cleaning solution was substituted into the following formula to calculate the etching rate of single crystal silicon.
  • Etching rate of single crystal silicon Si concentration in cleaning solution (g / ml) ⁇ treatment chemical amount (g) ⁇ single crystal silicon density (2.329 g / cm 3 ) ⁇ single crystal silicon wafer surface area (cm 2 ) ⁇ Processing time (40 min) x 10 8
  • the thickness of the silicon wafer after the regeneration process is 600 ⁇ m or more, it can be used as a dummy wafer. Since the thickness of the single crystal silicon wafer is 750 ⁇ m, the thickness variation before and after the processing of the single crystal silicon wafer is preferably within 150 ⁇ m. Since the time for using the cleaning liquid of the present invention is recommended to be within 60 minutes, it can be said that the etching rate of single crystal silicon by the cleaning liquid is preferably 2.5 ⁇ m / min (25000 ⁇ / min) or less.
  • Examples 1 to 10 Using a wafer having a SiOC-A film and a wafer having a SiOC-B film, the cleaning effect of removing SiOC-A and SiOC-B was examined.
  • the etching rates of SiOC-A and SiOC-B were calculated by measuring the film thickness of SiOC-A and SiOC-B on the wafer after cleaning. From the results, the removal performance of SiOC-A and SiOC-B of each cleaning solution was judged.
  • a single crystal silicon wafer (manufactured by KN Platz) was used to examine the damage of the single crystal silicon. It was immersed in the cleaning liquid shown in Table 1 for 40 minutes at the temperature shown in Table 2, and then rinsed with ultrapure water and dried by dry nitrogen gas injection. The Si concentration in the cleaning liquid after immersion was measured, and the etching rate
  • the etching rate of SiOC-A and SiOC-B was 250 ⁇ / min (0.025 ⁇ m / min) or more, and SiOC was etched. I understand that. In Examples 1 to 10, since the etching rate of single crystal silicon is 25000 liters / min (2.5 ⁇ m / min) or less, the cleaning liquid of the present invention is preferable because the corrosion given to single crystal silicon is sufficiently small. .
  • the wafer having the SiOC-A film and the wafer having the SiOC-B film were cleaned with the cleaning liquid (Table 3, cleaning liquid 2C) replaced with (Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.).
  • Table 4 shows cleaning conditions and cleaning results.
  • Comparative Example 4 A cleaning solution in which Cathiogen ES-L-9, which is a component of the cleaning solution used in Example 10 (Table 1, Cleaning Solution 1I), was replaced with Amogen LB-C [amidopropyl betaine laurate] (Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.)
  • Amogen LB-C amidopropyl betaine laurate
  • Table 4 shows cleaning conditions and cleaning results.
  • the cleaning rate of SiOC-A and SiOC-B of the cleaning solution 2D shown in Comparative Example 4 was lower than that of the cleaning solution of Example 10 (Table 1, cleaning solution 1I). Therefore, the cleaning method using the 2D cleaning liquid cannot be used for the purpose of the present invention because the SiOC film on the surface of the object to be processed cannot be etched in the wafer manufacturing process which is the subject of the present invention (Table 4).
  • Comparative Example 6 Cleaning solution (Table 3) in which Catiogen ES-L-9, which is a component of the cleaning solution used in Example 10 (Table 1, Cleaning Solution 1I), was replaced with Monogen Y-100 [Sodium Lauryl Sulfate] (Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.)
  • Monogen Y-100 Sodium Lauryl Sulfate] (Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.)
  • the wafer having the SiOC-A film and the wafer having the SiOC-B film were cleaned with the cleaning liquid 2F).
  • Table 4 shows cleaning conditions and cleaning results. As compared with the cleaning liquid of Example 10 (Table 1, cleaning liquid 1I), the etching rate of SiOC-A and SiOC-B for the cleaning liquid 2F containing Monogen Y-100 shown in Comparative Example 6 was lowered. Therefore, the cleaning method using the 2F cleaning liquid cannot be used for the purpose of the present invention because the SiOC film on the surface of the object to be processed cannot be
  • Comparative Example 8 An aqueous solution containing 10% by mass of ammonium fluoride, 1% by mass of Cathogen ES-L-9 and 89% by mass of water (Table 3, cleaning solution 2H) has a pH value of 6.9. The wafer having the SiOC-A film and the wafer having the SiOC-B film were cleaned with this cleaning liquid (2H). Table 4 shows cleaning conditions and evaluation results. This cleaning solution had a low etching rate for SiOC-A and SiOC-B. Therefore, the cleaning method using the 2H cleaning liquid cannot be used for the purpose of the present invention because the SiOC film on the surface of the object to be processed cannot be etched in the wafer manufacturing process which is the subject of the present invention (Table 4).
  • Comparative Example 9 The wafer having the SiOC-A film and the wafer having the SiOC-B film were cleaned with an aqueous solution (Table 3, cleaning liquid 2I) containing 8% by mass of hydrofluoric acid, 5% by mass of ammonium fluoride, and 87% by mass of water. Table 4 shows cleaning conditions and evaluation results. This cleaning solution had a low etching rate for SiOC-A and SiOC-B. Therefore, the cleaning method using the 2I cleaning solution cannot be used for the purpose of the present invention because the SiOC film on the surface of the object to be processed cannot be etched in the wafer manufacturing process which is the subject of the present invention (Table 4).
  • Comparative Example 10 The wafer having the SiOC-A film and the wafer having the SiOC-B film were cleaned with an aqueous solution (Table 3, cleaning liquid 2J) containing 15% by mass of hydrofluoric acid, 5% by mass of ammonium fluoride, and 80% by mass of water. Table 4 shows cleaning conditions and evaluation results. This cleaning solution had a low etching rate for SiOC-A and SiOC-B. Therefore, the cleaning method using the 2J cleaning liquid cannot be used for the purpose of the present invention because the SiOC film on the surface of the object to be processed cannot be etched in the wafer manufacturing process which is the subject of the present invention (Table 4).
  • Comparative Example 11 The wafer having the SiOC-A film and the wafer having the SiOC-B film were cleaned with a solution containing 0.05% by mass hydrofluoric acid and 99.95% by mass acetic acid (Table 3, cleaning solution 2K). Table 4 shows cleaning conditions and evaluation results. This cleaning solution had a low etching rate for SiOC-A and SiOC-B. Therefore, the cleaning method using the 2K cleaning liquid cannot be used for the purpose of the present invention because the SiOC film on the surface of the object to be processed cannot be etched in the wafer manufacturing process which is the subject of the present invention (Table 4).
  • Comparative Example 12 The wafer having the SiOC-A film and the wafer having the SiOC-B film were cleaned with an aqueous solution containing 12 mass% hydrofluoric acid, 12.6 mass% nitric acid, and 10.7 mass% ammonium chloride (Table 3, cleaning solution 2 L). Table 4 shows cleaning conditions and evaluation results. This cleaning solution had a low etching rate for SiOC-A and SiOC-B. Therefore, the cleaning method using the 2 L cleaning liquid cannot be used for the purpose of the present application because the SiOC film on the surface of the object to be processed cannot be etched in the wafer manufacturing process which is the subject of the present invention (Table 4).
  • Comparative Example 13 The wafer having the SiOC-A film and the wafer having the SiOC-B film were cleaned with an aqueous solution (Table 3, cleaning solution 2M) containing 20% by mass of hydrofluoric acid, 12.6% by mass of nitric acid and 10.7% by mass of ammonium chloride. Table 4 shows cleaning conditions and evaluation results. This cleaning solution had a low etching rate for SiOC-A and SiOC-B. Therefore, the cleaning method using the 2M cleaning liquid cannot be used for the purpose of the present invention because the SiOC film on the surface of the object to be processed cannot be etched in the wafer manufacturing process which is the subject of the present invention (Table 4).
  • Comparative Example 14 The wafer having the SiOC-A film and the wafer having the SiOC-B film were cleaned with an aqueous solution containing 10% by mass of hydrofluoric acid and 10.7% by mass of ammonium fluoride (Table 3, cleaning solution 2N). Table 4 shows cleaning conditions and evaluation results. This cleaning solution had a low etching rate for SiOC-A and SiOC-B. Therefore, the cleaning method using the 2N cleaning liquid cannot be used for the purpose of the present invention because the SiOC film on the surface of the object to be processed cannot be etched in the wafer manufacturing process which is the subject of the present invention (Table 4).
  • Comparative Example 15 A wafer having a SiOC-A film and a wafer having a SiOC-B film are cleaned with an aqueous solution (Table 3, cleaning solution 2O) containing 12% by mass of hydrofluoric acid, 12.6% by mass of nitric acid and 7.4% by mass of ammonium fluoride. did. Table 4 shows cleaning conditions and evaluation results. This cleaning solution had a low etching rate for SiOC-A and SiOC-B. Therefore, the cleaning method using the 2O cleaning liquid cannot be used for the purpose of the present invention because the SiOC film on the surface of the object to be processed cannot be etched in the wafer manufacturing process which is the subject of the present invention (Table 4).
  • the cleaning liquid of the present invention By using the cleaning liquid of the present invention and the cleaning method using the same, it is possible to selectively remove SiOC on the surface of the object to be processed, which is industrially useful.

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Abstract

本発明は、炭素含有シリコン酸化物（ＳｉＯＣ）を含む材料を有するウェハの製造工程において、ウェハ表面上のＳｉＯＣを除去するための洗浄液、およびそれを用いた洗浄方法を提供することを目的とする。本発明の洗浄液は、フッ素化合物２質量％～３０質量％、アンモニウム塩またはアミンである特定のカチオン性界面活性剤０．０００１質量％～２０質量％および水を含み、且つｐＨ値が０～４であることを特徴とする。

Description

ウェハを再生するための炭素含有シリコン酸化物を含む材料の洗浄液および洗浄方法
　本発明は炭素含有シリコン酸化物（以後「ＳｉＯＣ」と記す）を含む材料を有するウェハの製造工程において、ウェハの表面上のＳｉＯＣをエッチングするための洗浄液、およびそれを用いた洗浄方法に関するものである。
　近年、デザインルールの微細化が進み、信号伝送遅延が高速度演算処理の限界を支配するようになってきた。そのため、導電用配線素材がアルミニウムから電気抵抗のより低い銅へと移行し、層間絶縁膜はシリコン酸化膜から低誘電率膜（比誘電率が３より小さい膜）へと移行が進んでいる。層間絶縁膜の誘電率を下げる方法の一つとして、原子半径の小さいフッ素原子や炭素原子を層間絶縁膜に導入する方法が知られている。特に、シリコン酸化膜に炭素原子を導入することで誘電率を低減した層間絶縁膜として、炭素含有シリコン酸化物（ＳｉＯＣ）が広く用いられている。
　半導体素子の洗浄工程において、枚葉洗浄により洗浄液を繰り返し用いて半導体素子を洗浄する場合、目的の半導体素子を洗浄する合間にダミーとなるシリコンウェハ（以下「テストウェハ」と称する）を洗浄することがある。これは洗浄液の繰り返しの使用により、洗浄液の特性に許容できない変化が生じていないか検査するためである。洗浄対象の半導体素子の材質の一つとしてＳｉＯＣが使用される場合、特に単結晶のシリコンウェハ上にＳｉＯＣが製膜されたテストウェハが用いられることがある。
　シリコンウェハ上にＳｉＯＣが製膜されたテストウェハは繰り返し使用されるが、洗浄液による腐食などのため使用回数は限られている。繰り返しの使用により使用が困難となったテストウェハは、ＳｉＯＣ膜を取り除き、再度ＳｉＯＣを製膜することによって、テストウェハを再生することが望まれる。ここで、ＳｉＯＣ膜を取り除く工程では、ＳｉＯＣ膜を速やかに取り除くことが必要となる。そのため、短時間でＳｉＯＣ膜を取り除き、Ｓｉを腐食しない洗浄液が強く求められている。
　特許文献１（国際公開第２００９／０３１２７０号）では、再生処理後のシリコンウェハの厚みが６００μｍ以上であると、ダミーウェハとして使用できると言及されている。
　特許文献２（特開平１０－１７７９９８号公報）には、フッ酸とフッ化アンモニウムを含み、ｐＨが１．８～６の洗浄液が提案されている。しかし、この洗浄液ではＳｉＯＣを満足できる程度に取り除くことができないため、工業的生産活動には使えない（比較例９、１０を参照）。
　特許文献３（国際公開第２００４／０１９１３４号）には、有機酸および有機溶媒からなる群から選ばれる少なくとも１種、ならびにフッ酸を含む洗浄液が提案されている。しかし、この洗浄液ではＳｉＯＣを取り除くことができないため、工業的生産活動には使えない（比較例１１を参照）。
　特許文献４（特開２００６－２０３１８１号公報）には、フッ酸と硝酸とを含み、さらにフッ化アンモニウムおよび塩化アンモニウムの少なくとも一方を含む洗浄液が提案されている。しかし、この洗浄液ではＳｉＯＣを取り除くことができないため、シリコンウェハ上にＳｉＯＣが製膜されたテストウェハを再生するという目的には使用できない（比較例１２、１３を参照）。
国際公開第２００９／０３１２７０号 特開平１０－１７７９９８号公報 国際公開第２００４／０１９１３４号 特開２００６－２０３１８１号公報
　本発明はＳｉＯＣを含む材料を含むウェハの製造工程において、ウェハの表面上のＳｉＯＣを除去する洗浄液、およびそれを用いた洗浄方法を提供することを目的とする。
　本発明は、上記課題を解決する方法を提供する。本発明は以下のとおりである。
［１］ウェハ表面上の炭素含有シリコン酸化物を除去する洗浄液であって、フッ素化合物２質量％～３０質量％、炭素数が１０以上のアルキル基を分子中に１つだけ有することを特徴としたアンモニウム塩またはアミンであるカチオン性界面活性剤０．０００１質量％～２０質量％および水を含み、且つｐＨ値が０～４であることを特徴とした洗浄液。本発明の一実施形態において、前記炭素数が１０以上のアルキル基を分子中に１つだけ有することを特徴としたアンモニウム塩であるカチオン性界面活性剤は、アルキルアンモニウムクロリド、アルキルアンモニウムブロミド、アルキルアンモニウムアルキルサルフェート、アルキルアミノ酢酸ベタインおよびアルキルアミン酢酸塩からなる群から選ばれる１種以上であることが好ましい。また、本発明の一実施形態において、炭素数が１０以上のアルキル基を分子中に１つだけ有することを特徴としたアミンであるカチオン性界面活性剤は、ポリオキシエチレンアルキルアミン、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルアミン及びアルキルアミンオキサイドからなる群から選ばれる１種以上であることが好ましい。
［２］前記フッ素化合物がフッ酸、フッ化アンモニウムおよびフッ化テトラメチルアンモニウムから選ばれる１種以上である第１項に記載の洗浄液。
［３］前記炭素数が１０以上のアルキル基を分子中に１つだけ有することを特徴としたアンモニウム塩またはアミンであるカチオン性界面活性剤が、デシルトリメチルアンモニウムクロリド、ドデシルトリメチルアンモニウムクロリド、ウンデシルトリメチルアンモニウムクロリド、トリデシルトリメチルアンモニウムクロリド、テトラデシルトリメチルアンモニウムクロリド、ペンタデシルトリメチルアンモニウムクロリド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロリド、ヘプタデシルトリメチルアンモニウムクロリド、オクタデシルトリメチルアンモニウムクロリド、ノナデシルトリメチルアンモニウムクロリド、デシルトリエチルアンモニウムクロリド、ドデシルトリエチルアンモニウムクロリド、ウンデシルトリエチルアンモニウムクロリド、トリデシルトリエチルアンモニウムクロリド、テトラデシルトリエチルアンモニウムクロリド、ペンタデシルトリエチルアンモニウムクロリド、ヘキサデシルトリエチルアンモニウムクロリド、ヘプタデシルトリエチルアンモニウムクロリド、オクタデシルトリエチルアンモニウムクロリド、ノナデシルトリエチルアンモニウムクロリド、デシルトリメチルアンモニウムブロミド、ドデシルトリメチルアンモニウムブロミド、ウンデシルトリメチルアンモニウムブロミド、トリデシルトリメチルアンモニウムブロミド、テトラデシルトリメチルアンモニウムブロミド、ペンタデシルトリメチルアンモニウムブロミド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムブロミド、ヘプタデシルトリメチルアンモニウムブロミド、オクタデシルトリメチルアンモニウムブロミド、ノナデシルトリメチルアンモニウムブロミド、デシルトリエチルアンモニウムブロミド、ドデシルトリエチルアンモニウムブロミド、ウンデシルトリエチルアンモニウムブロミド、トリデシルトリエチルアンモニウムブロミド、テトラデシルトリエチルアンモニウムブロミド、ペンタデシルトリエチルアンモニウムブロミド、ヘキサデシルトリエチルアンモニウムブロミド、ヘプタデシルトリエチルアンモニウムブロミド、オクタデシルトリエチルアンモニウムブロミド、ノナデシルトリエチルアンモニウムブロミド、ラウリルジメチルエチルアンモニウムエチルサルフェート、オクタデシルジメチルエチルアンモニウムエチルサルフェート、パルミチルジメチルエチルアンモニウムエチルサルフェート、ラウリルジメチルベンジルアンモニウムクロリド、ステアリルジメチルヒドロキシエチルアンモニウムパラトルエンスルホネート、ラウリルジメチルアミノ酢酸ベタイン、ラウリルジメチルアミンオキサイド、テトラデシルアミン酢酸塩、ベヘニルトリメチルアンモニウムクロリド、デシルジメチルベンジルアンモニムクロリド、テトラデシルジメチルベンジルアンモニムクロリド、ヘキサデシルジメチルベンジルアンモニムクロリド、オクタデシルジメチルベンジルアンモニムクロリド、ベヘニルトリメチルアンモニウムクロリド、Ｎ－ヒドロキシエチルラウリルアミン、ポリオキシエチレンラウリルアミン、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンラウリルアミン、ポリオキシエチレンデシルアミン、ポリオキシエチレンステアリルアミン、ポリオキシエチレンオレイルアミンおよびポリオキシエチレンテトラデシルアミンから選択される１種以上である第１項または第２項に記載の洗浄液。
［４］さらに、酸を含む第１項～第３項のいずれか１項に記載の洗浄液。
［５］前記炭素含有シリコン酸化物中の炭素原子含有量が５～６０原子％である第１項～第４項のいずれか１項に記載の洗浄液。
［６］第１項～第５項のいずれか１項に記載の洗浄液を用いることを特徴としたウェハ表面上の炭素含有シリコン酸化物を除去する洗浄方法。
　本発明の洗浄液およびそれを用いた洗浄方法を使用することにより、被処理物表面のＳｉＯＣを除去することが可能となり、高精度、高品質のウェハを歩留まりよく製造することができる。
　本発明の洗浄液は、好ましくはウェハを再生する工程で使用され、その際、ＳｉＯＣを十分満足できる速度で除去できる。
　本発明で使用できるＳｉＯＣは炭素原子を通常５～６０原子％含む材料であり、その炭素原子の原子組成百分率は、好ましくは５原子％以上、より好ましくは１０原子％以上、さらに好ましくは１５原子％以上、特に好ましくは２０原子％以上であり、また、５５原子％以下、より好ましくは５０原子％以下、さらに好ましくは４５原子％以下、特に好ましくは４０原子％以下である。特に、炭素原子の原子組成百分率は、好ましくは５～５５原子％、より好ましくは１０～５０原子％、さらに好ましくは１５～４５原子％、特に好ましくは２０～４０原子％である。
　本発明に使用されるフッ素化合物の濃度範囲は２質量％以上であり、好ましくは２．５質量％以上、さらに好ましくは３質量％以上、特に好ましくは３．５質量％以上であり、また、３０質量％以下であり、好ましくは２５質量％以下であり、さらに好ましくは２０質量％以下である。特に、本発明に使用されるフッ素化合物の濃度範囲は２～３０質量％、好ましくは２．５～２５質量％で、さらに好ましくは３～２０質量％、特に好ましくは３．５～２０質量％である。２質量％以下であると、ＳｉＯＣを除去できなくなる場合がある。また、フッ素化合物は取扱いに注意を要するため、安全に取り扱う観点から３０質量％以下、特に２０質量％以下であることが好ましい。
　本発明に使用されるフッ素化合物の具体例は、フッ酸、フッ化アンモニウム、フッ化テトラメチルアンモニウムなどを例示することができるが、これらに限定されるものではない。これらフッ素化合物は単独または２種類以上を組み合わせて配合できる。
　本発明に使用されるカチオン性界面活性剤の濃度範囲は０．０００１質量％以上であり、好ましくは０．０００５質量％以上、さらに好ましくは０．００１質量％以上、特に好ましくは０．００５質量％以上であり、また、２０質量％以下であり、好ましくは１５質量％以下、さらに好ましくは１０質量％以下、特に好ましくは５質量％以下である。特に、本発明に使用されるカチオン性界面活性剤の濃度範囲は０．０００１～２０質量％、好ましくは０．０００５～１５質量％で、さらに好ましくは０．００１～１０質量％、特に好ましくは０．００５～５質量％である。０．０００１質量％以下であると、ＳｉＯＣを除去できなくなる場合がある。
　本発明に使用されるカチオン性界面活性剤は炭素数が１０以上のアルキル基を分子中に１つだけ有することを特徴としたアンモニウム塩またはアミンである。前記アルキル基の炭素数は１１以上が好ましく、より好ましくは１２以上である。また、前記アルキル基の炭素数は、２５以下が好ましく、より好ましくは２０以下、さらに好ましくは１８以下である。
　本発明の一実施形態において、前記炭素数が１０以上のアルキル基を分子中に１つだけ有することを特徴としたアンモニウム塩であるカチオン性界面活性剤は、アルキルアンモニウムクロリド、アルキルアンモニウムブロミド、アルキルアンモニウムアルキルサルフェート、アルキルアミノ酢酸ベタインおよびアルキルアミン酢酸塩からなる群から選ばれる１種以上であることが好ましい。
　また、本発明の一実施形態において、前記炭素数が１０以上のアルキル基を分子中に１つだけ有することを特徴としたアミンであるカチオン性界面活性剤は、ポリオキシエチレンアルキルアミン、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルアミン及びアルキルアミンオキサイドからなる群から選ばれる１種以上であることが好ましい。
　具体例としては、デシルトリメチルアンモニウムクロリド、ドデシルトリメチルアンモニウムクロリド、ウンデシルトリメチルアンモニウムクロリド、トリデシルトリメチルアンモニウムクロリド、テトラデシルトリメチルアンモニウムクロリド、ペンタデシルトリメチルアンモニウムクロリド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロリド、ヘプタデシルトリメチルアンモニウムクロリド、オクタデシルトリメチルアンモニウムクロリド、ノナデシルトリメチルアンモニウムクロリド、デシルトリエチルアンモニウムクロリド、ドデシルトリエチルアンモニウムクロリド、ウンデシルトリエチルアンモニウムクロリド、トリデシルトリエチルアンモニウムクロリド、テトラデシルトリエチルアンモニウムクロリド、ペンタデシルトリエチルアンモニウムクロリド、ヘキサデシルトリエチルアンモニウムクロリド、ヘプタデシルトリエチルアンモニウムクロリド、オクタデシルトリエチルアンモニウムクロリド、ノナデシルトリエチルアンモニウムクロリド、デシルトリメチルアンモニウムブロミド、ドデシルトリメチルアンモニウムブロミド、ウンデシルトリメチルアンモニウムブロミド、トリデシルトリメチルアンモニウムブロミド、テトラデシルトリメチルアンモニウムブロミド、ペンタデシルトリメチルアンモニウムブロミド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムブロミド、ヘプタデシルトリメチルアンモニウムブロミド、オクタデシルトリメチルアンモニウムブロミド、ノナデシルトリメチルアンモニウムブロミド、デシルトリエチルアンモニウムブロミド、ドデシルトリエチルアンモニウムブロミド、ウンデシルトリエチルアンモニウムブロミド、トリデシルトリエチルアンモニウムブロミド、テトラデシルトリエチルアンモニウムブロミド、ペンタデシルトリエチルアンモニウムブロミド、ヘキサデシルトリエチルアンモニウムブロミド、ヘプタデシルトリエチルアンモニウムブロミド、オクタデシルトリエチルアンモニウムブロミド、ノナデシルトリエチルアンモニウムブロミド、ラウリルジメチルエチルアンモニウムエチルサルフェート、オクタデシルジメチルエチルアンモニウムエチルサルフェート、パルミチルジメチルエチルアンモニウムエチルサルフェート、ラウリルジメチルベンジルアンモニウムクロリド、ステアリルジメチルヒドロキシエチルアンモニウムパラトルエンスルホネート、ラウリルジメチルアミノ酢酸ベタイン、ラウリルジメチルアミンオキサイド、テトラデシルアミン酢酸塩、ベヘニルトリメチルアンモニウムクロリド、デシルジメチルベンジルアンモニムクロリド、テトラデシルジメチルベンジルアンモニムクロリド、ヘキサデシルジメチルベンジルアンモニムクロリド、オクタデシルジメチルベンジルアンモニムクロリド、ベヘニルトリメチルアンモニウムクロリド、Ｎ－ヒドロキシエチルラウリルアミン、ポリオキシエチレンラウリルアミン、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンラウリルアミン、ポリオキシエチレンデシルアミン、ポリオキシエチレンステアリルアミン、ポリオキシエチレンオレイルアミン、ポリオキシエチレンテトラデシルアミン、などを例示することができるが、これらに限定されるものではない。これら炭素数が１０以上のアルキル基を分子中に１つだけ有することを特徴としたアンモニウム塩またはアミンであるカチオン性界面活性剤は単独または２種類以上を組み合わせて配合できる。
　本発明で使用される水は、蒸留、イオン交換処理、フィルター処理、各種吸着処理などによって、金属イオンや有機不純物、パーティクル粒子などが除去された水が好ましく、特に純水、超純水が好ましい。また、洗浄液中の水の濃度は、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、さらに好ましくは７０質量％以上である。その場合、水の濃度は各種薬剤を除いた残部である。
　本発明の洗浄液のｐＨ値は０～４の範囲で任意に使用することができる。本発明の洗浄液のｐＨ値は、好ましくは０．１以上、さらに好ましくは０．２以上であり、また、好ましくは３．５以下、より好ましくは３．１以下、さらに好ましくは２．５以下である。特に、本発明の洗浄液の好ましいｐＨ値は０～３．５であり、より好ましくは０．１～３．１であり、さらに好ましくは０．２～２．５である。この範囲のｐＨ値であるとき被処理物表面のＳｉＯＣを除去することができる。
　ｐＨ調整剤としては任意の無機酸、有機酸を使用できる。具体的には、硫酸、硝酸、リン酸、塩酸、酢酸、クエン酸、ギ酸、マロン酸、乳酸およびシュウ酸などが使用できるが、これらに限定されるものではない。これらｐＨ調整剤は単独または２種類以上を組み合わせて配合できる。
　本発明の洗浄液には、所望により本発明の目的を損なわない範囲で従来から半導体用洗浄液に使用されている添加剤を配合してもよい。例えば、任意のアルカリ、酸化剤、金属防食剤、水溶性有機溶剤、還元剤、キレート剤、消泡剤などを加えることができる。
　本発明は、本発明の洗浄液を用いたウェハ表面上のＳｉＯＣまたはＳｉＯＣ膜をエッチングまたは除去するための洗浄方法をも提供するものである。本発明の洗浄方法においては、本発明の洗浄液をＳｉＯＣを含む材料を有するウェハと接触させることにより、ウェハ表面上のＳｉＯＣまたはＳｉＯＣ膜をエッチングまたは除去することができる。本発明の洗浄液をＳｉＯＣを含む材料を有するウェハと接触させる方法は特に制限されない。例えば、該ウェハを本発明の洗浄液に浸漬させる方法や、滴下やスプレーなどにより洗浄液と接触させる方法などを採用することができる。
　本発明の洗浄液を使用する温度は通常２０～８５℃、好ましくは３０～７０℃の範囲であり、エッチングの条件や使用されるウェハにより適宜選択すればよい。また、本発明の洗浄液に含まれるフッ素化合物は取扱いに注意を要するため、安全に取り扱う観点から７０℃以下で使用することが好ましい。
　本発明の洗浄方法は、必要に応じて超音波を併用することができる。
　本発明の洗浄液を使用する時間はＳｉＯＣの膜厚に依存し、実用上問題なければ処理時間を任意に変更することができる。
　本発明の洗浄液を使用した後のリンス液としては、アルコールのような有機溶剤を使用することもできるが、水でリンスするだけでも十分である。
　次に実施例および比較例により本発明をさらに具体的に説明する。ただし、本発明はこれらの実施例により何ら制限されるものではない。
ＳｉＯＣ膜の膜厚測定；
　ＳｉＯＣ膜として、ＳｉＯＣ―Ａ（炭素を５０原子％含む；膜厚６５００Å（０．６５μｍ））とＳｉＯＣ―Ｂ（炭素を１０原子％含む；膜厚１０５００Å（１．０５μｍ））を用いた。ＳｉＯＣ―ＡとＳｉＯＣ―Ｂの膜厚は、ｎ＆ｋテクノロジー社製光学式膜厚計ｎ＆ｋ１２８０を用いて測定した。
ＳｉＯＣ膜のエッチングレートの測定と判定；
　ＳｉＯＣ―ＡとＳｉＯＣ―Ｂのエッチングレートの評価は、これらの膜付きウェハの洗浄液処理前後の膜厚の差を処理時間で除した値をエッチングレートと定義し算出した。
　エッチングレート２５０Å／ｍｉｎ（０．０２５μｍ／ｍｉｎ）以上を合格とした。
単結晶シリコンのエッチングレートの測定と判定；
　前述のように単結晶シリコンはウェハの処理によって腐食しない方が好ましい。本発明の洗浄液によるウェハの処理で単結晶シリコンがどの程度腐食するかを評価するため、各種洗浄液を用いて所定の条件で単結晶シリコンウェハを浸漬処理し、処理後の洗浄液中のＳｉ濃度から単結晶シリコンのエッチングレートを算出した。Ｓｉ濃度はＴｈｅｒｍｏ　Ｓｃｉｅｎｔｉｃ社製ＩＣＰ－ＡＥＳ（ｉＣＡＰ６３００）を用いて測定した。各洗浄液中のＳｉ濃度を以下の式に代入し、単結晶シリコンのエッチングレートを算出した。
　単結晶シリコンのエッチングレート（ＥＲ）＝洗浄液中のＳｉ濃度（ｇ／ｍｌ）×処理薬液量（ｇ）÷単結晶シリコンの密度（２．３２９ｇ／ｃｍ３）÷単結晶シリコンウェハの表面積（ｃｍ２）÷処理時間（４０ｍｉｎ）×１０８
　背景技術欄に記載のとおり、再生処理後のシリコンウェハの厚みが６００μｍ以上であるとダミーウェハとして使用できる。単結晶シリコンウェハの厚みは７５０μｍであるので、単結晶シリコンウェハの処理前後の厚み変動は１５０μｍ以内が好ましい。本発明の洗浄液を使用する時間は６０分以内が推奨されるため、洗浄液による単結晶シリコンのエッチングレートは２．５μｍ／ｍｉｎ（２５０００Å／ｍｉｎ）以下が好ましいと言える。
　実施例１～１０
　ＳｉＯＣ―Ａ膜を有するウェハと、ＳｉＯＣ―Ｂ膜を有するウェハをそれぞれ使用し、ＳｉＯＣ－ＡとＳｉＯＣ－Ｂを除去する洗浄効果を調べた。表１に記した洗浄液を使用し、表２に示した温度でＳｉＯＣ－Ａを２５分間、ＳｉＯＣ－Ｂを４０分間浸漬し、その後、超純水によりリンスし、乾燥窒素ガス噴射による乾燥を行った。洗浄後のウェハのＳｉＯＣ－ＡとＳｉＯＣ－Ｂの膜厚を計測することで、ＳｉＯＣ－ＡとＳｉＯＣ－Ｂのエッチングレートを算出した。その結果よりそれぞれの洗浄液のＳｉＯＣ－ＡとＳｉＯＣ－Ｂの除去性能を判断した。
　単結晶シリコンウェハ（ＫＮプラッツ社製）を使用し、単結晶シリコンのダメージを調べた。表１に記した洗浄液に表２に示した温度で４０分間浸漬し、その後、超純水によるリンス、乾燥窒素ガス噴射による乾燥を行った。浸漬後の洗浄液中のＳｉ濃度を測定し、エッチングレート（ＥＲ）を算出した。
　表２に示した本発明の洗浄液を適用した実施例１～１０においては、ＳｉＯＣ―ＡとＳｉＯＣ―Ｂのエッチングレートが２５０Å／ｍｉｎ（０．０２５μｍ／ｍｉｎ）以上であり、ＳｉＯＣをエッチングしていることがわかる。また、実施例１～１０においては、単結晶シリコンのエッチングレートがいずれも２５０００Å／ｍｉｎ（２．５μｍ／ｍｉｎ）以下であることから、本発明の洗浄液は単結晶シリコンに与える腐食も十分小さく好ましい。
　比較例１、２
　実施例１０で用いた洗浄液（表１、洗浄液１Ｉ）の成分であるフッ酸またはカチオーゲンＥＳ－Ｌ－９［ラウリルジメチルエチルアンモニウムエチルサルフェート／イソプロピルアルコール＝９０／１０（質量％／質量％）］（第一工業製薬株式会社製）を水に置き換えた洗浄液（表３、洗浄液２Ａ、２Ｂ）でＳｉＯＣ―Ａ膜を有するウェハと、ＳｉＯＣ―Ｂ膜を有するウェハを洗浄した。表４に洗浄条件と洗浄結果を示した。比較例１、２に示す洗浄液２Ａにフッ酸を、２ＢにカチオーゲンＥＳ－Ｌ－９を加えた洗浄液（表１、洗浄液１Ｉ）と比べ、ＳｉＯＣ－ＡとＳｉＯＣ－Ｂのエッチングレートは低下した。よって、２Ａ、２Ｂの洗浄液を用いる洗浄方法は、本発明の対象であるウェハの製造工程において、被処理物表面のＳｉＯＣ膜をエッチングすることができないため本願目的には使用できない（表４）。
　比較例３
　実施例１０で用いた洗浄液（表１、洗浄液１Ｉ）の成分であるカチオーゲンＥＳ－Ｌ－９をカチオーゲンＥＳ－Ｏ［オクチルジメチルエチルアンモニウムエチルサルフェート／イソプロピルアルコール＝８８／１２（質量％／質量％）］(第一工業製薬株式会社製)に置き換えた洗浄液（表３、洗浄液２Ｃ）でＳｉＯＣ―Ａ膜を有するウェハと、ＳｉＯＣ―Ｂ膜を有するウェハを洗浄した。表４に洗浄条件と洗浄結果を示した。比較例３に示す洗浄液２Ｃは実施例１０の洗浄液（表１、洗浄液１Ｉ）と比べ、ＳｉＯＣ－ＡとＳｉＯＣ－Ｂのエッチングレートは低下した。よって、２Ｃの洗浄液を用いる洗浄方法は、本発明の対象であるウェハの製造工程において、被処理物表面のＳｉＯＣ膜をエッチングすることができないため本願目的には使用できない（表４）。
　比較例４
　実施例１０で用いた洗浄液（表１、洗浄液１Ｉ）の成分であるカチオーゲンＥＳ－Ｌ－９をアモーゲンＬＢ－Ｃ［ラウリル酸アミドプロピルベタイン］(第一工業製薬株式会社製)に置き換えた洗浄液（表３、洗浄液２Ｄ）でＳｉＯＣ―Ａ膜を有するウェハと、ＳｉＯＣ―Ｂ膜を有するウェハを洗浄した。表４に洗浄条件と洗浄結果を示した。比較例４に示す洗浄液２Ｄは実施例１０の洗浄液（表１、洗浄液１Ｉ）と比べ、ＳｉＯＣ－ＡとＳｉＯＣ－Ｂのエッチングレートは低下した。よって、２Ｄの洗浄液を用いる洗浄方法は、本発明の対象であるウェハの製造工程において、被処理物表面のＳｉＯＣ膜をエッチングすることができないため本願目的には使用できない（表４）。
　比較例５
　実施例１０で用いた洗浄液（表１、洗浄液１Ｉ）の成分であるカチオーゲンＥＳ－Ｌ－９をアーカード２ＨＴ（Ｆ）［塩化ジ硬化牛脂アルキルジメチルアンモニウム／イソプロピルアルコール／水＝９５／３／２（質量％／質量％／質量％）］（ライオン・スペシャリティ・ケミカルズ株式会社製）に置き換えた洗浄液（表３、洗浄液２Ｅ）でＳｉＯＣ―Ａ膜を有するウェハと、ＳｉＯＣ―Ｂ膜を有するウェハを洗浄した。表４に洗浄条件と洗浄結果を示した。比較例５に示すアーカード２ＨＴ（Ｆ）を含む洗浄液２Ｅは実施例１０の洗浄液（表１、洗浄液１Ｉ）と比べ、ＳｉＯＣ－ＡとＳｉＯＣ－Ｂのエッチングレートは低下した。よって、２Ｅの洗浄液を用いる洗浄方法は、本発明の対象であるウェハの製造工程において、被処理物表面のＳｉＯＣ膜をエッチングすることができないため本願目的には使用できない（表４）。
　比較例６
　実施例１０で用いた洗浄液（表１、洗浄液１Ｉ）の成分であるカチオーゲンＥＳ－Ｌ－９をモノゲンＹ－１００［ラウリル硫酸ナトリウム］（第一工業製薬株式会社製） に置き換えた洗浄液（表３、洗浄液２Ｆ）でＳｉＯＣ―Ａ膜を有するウェハと、ＳｉＯＣ―Ｂ膜を有するウェハを洗浄した。表４に洗浄条件と洗浄結果を示した。比較例６に示すモノゲンＹ－１００を含む洗浄液２Ｆは実施例１０の洗浄液（表１、洗浄液１Ｉ）と比べ、ＳｉＯＣ－ＡとＳｉＯＣ－Ｂのエッチングレートは低下した。よって、２Ｆの洗浄液を用いる洗浄方法は、本発明の対象であるウェハの製造工程において、被処理物表面のＳｉＯＣ膜をエッチングすることができないため本願目的には使用できない（表４）。
　比較例７
　実施例１０で用いた洗浄液（表１、洗浄液１Ｉ）の成分であるカチオーゲンＥＳ－Ｌ－９をエパン４１０［組成式；Ｈ（ＯＣＨ２ＣＨ２）１～２－（ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２）２１－（ＯＣＨ２ＣＨ２）１～２Ｈ］（第一工業製薬株式会社製）に置き換えた洗浄液（表３、洗浄液２Ｇ）でＳｉＯＣ―Ａ膜を有するウェハと、ＳｉＯＣ―Ｂ膜を有するウェハを洗浄した。表４に洗浄条件と洗浄結果を示した。比較例７に示すエパン４１０を含む洗浄液２Ｇは実施例１０の洗浄液（表１、洗浄液１Ｉ）と比べ、ＳｉＯＣ－ＡとＳｉＯＣ－Ｂのエッチングレートは低下した。よって、２Ｇの洗浄液を用いる洗浄方法は、本発明の対象であるウェハの製造工程において、被処理物表面のＳｉＯＣ膜をエッチングすることができないため本願目的には使用できない（表４）。
　比較例８
　フッ化アンモニウム１０質量％、カチオーゲンＥＳ－Ｌ－９　１質量％および水８９質量％を含む水溶液（表３、洗浄液２Ｈ）はｐＨ値が６．９である。この洗浄液（２Ｈ）でＳｉＯＣ―Ａ膜を有するウェハと、ＳｉＯＣ―Ｂ膜を有するウェハを洗浄した。表４に洗浄条件と評価結果を示した。この洗浄液は、ＳｉＯＣ－ＡとＳｉＯＣ－Ｂのエッチングレートが低かった。よって、２Ｈの洗浄液を用いる洗浄方法は、本発明の対象であるウェハの製造工程において、被処理物表面のＳｉＯＣ膜をエッチングすることができないため本願目的には使用できない（表４）。
　比較例９
　フッ酸８質量％、フッ化アンモニウム５質量％および水８７質量％を含む水溶液（表３、洗浄液２Ｉ）でＳｉＯＣ―Ａ膜を有するウェハとＳｉＯＣ―Ｂ膜を有するウェハを洗浄した。表４に洗浄条件と評価結果を示した。この洗浄液は、ＳｉＯＣ－ＡとＳｉＯＣ－Ｂのエッチングレートが低かった。よって、２Ｉの洗浄液を用いる洗浄方法は、本発明の対象であるウェハの製造工程において、被処理物表面のＳｉＯＣ膜をエッチングすることができないため本願目的には使用できない（表４）。
　比較例１０
　フッ酸１５質量％、フッ化アンモニウム５質量％および水８０質量％を含む水溶液（表３、洗浄液２Ｊ）でＳｉＯＣ―Ａ膜を有するウェハとＳｉＯＣ―Ｂ膜を有するウェハを洗浄した。表４に洗浄条件と評価結果を示した。この洗浄液は、ＳｉＯＣ－ＡとＳｉＯＣ－Ｂのエッチングレートが低かった。よって、２Ｊの洗浄液を用いる洗浄方法は、本発明の対象であるウェハの製造工程において、被処理物表面のＳｉＯＣ膜をエッチングすることができないため本願目的には使用できない（表４）。
　比較例１１
　フッ酸０．０５質量％および酢酸９９．９５質量％を含む溶液（表３、洗浄液２Ｋ）でＳｉＯＣ―Ａ膜を有するウェハとＳｉＯＣ―Ｂ膜を有するウェハを洗浄した。表４に洗浄条件と評価結果を示した。この洗浄液は、ＳｉＯＣ－ＡとＳｉＯＣ－Ｂのエッチングレートが低かった。よって、２Ｋの洗浄液を用いる洗浄方法は、本発明の対象であるウェハの製造工程において、被処理物表面のＳｉＯＣ膜をエッチングすることができないため本願目的には使用できない（表４）。
　比較例１２
　フッ酸１２質量％、硝酸１２．６質量％および塩化アンモニウム１０．７質量％を含む水溶液（表３、洗浄液２Ｌ）でＳｉＯＣ―Ａ膜を有するウェハとＳｉＯＣ―Ｂ膜を有するウェハを洗浄した。表４に洗浄条件と評価結果を示した。この洗浄液は、ＳｉＯＣ－ＡとＳｉＯＣ－Ｂのエッチングレートが低かった。よって、２Ｌの洗浄液を用いる洗浄方法は、本発明の対象であるウェハの製造工程において、被処理物表面のＳｉＯＣ膜をエッチングすることができないため本願目的には使用できない（表４）。
　比較例１３
　フッ酸２０質量％、硝酸１２．６質量％および塩化アンモニウム１０．７質量％を含む水溶液（表３、洗浄液２Ｍ）でＳｉＯＣ―Ａ膜を有するウェハとＳｉＯＣ―Ｂ膜を有するウェハを洗浄した。表４に洗浄条件と評価結果を示した。この洗浄液は、ＳｉＯＣ－ＡとＳｉＯＣ－Ｂのエッチングレートが低かった。よって、２Ｍの洗浄液を用いる洗浄方法は、本発明の対象であるウェハの製造工程において、被処理物表面のＳｉＯＣ膜をエッチングすることができないため本願目的には使用できない（表４）。
　比較例１４
　フッ酸１０質量％およびフッ化アンモニウム１０．７質量％を含む水溶液（表３、洗浄液２Ｎ）でＳｉＯＣ―Ａ膜を有するウェハと、ＳｉＯＣ―Ｂ膜を有するウェハを洗浄した。表４に洗浄条件と評価結果を示した。この洗浄液は、ＳｉＯＣ－ＡとＳｉＯＣ－Ｂのエッチングレートが低かった。よって、２Ｎの洗浄液を用いる洗浄方法は、本発明の対象であるウェハの製造工程において、被処理物表面のＳｉＯＣ膜をエッチングすることができないため本願目的には使用できない（表４）。
　比較例１５
　フッ酸１２質量％、硝酸１２．６質量％およびフッ化アンモニウム７．４質量％を含む水溶液（表３、洗浄液２Ｏ）でＳｉＯＣ―Ａ膜を有するウェハと、ＳｉＯＣ―Ｂ膜を有するウェハを洗浄した。表４に洗浄条件と評価結果を示した。この洗浄液は、ＳｉＯＣ－ＡとＳｉＯＣ－Ｂのエッチングレートが低かった。よって、２Ｏの洗浄液を用いる洗浄方法は、本発明の対象であるウェハの製造工程において、被処理物表面のＳｉＯＣ膜をエッチングすることができないため本願目的には使用できない（表４）。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　本発明の洗浄液およびそれを用いた洗浄方法を使用することにより、被処理物表面のＳｉＯＣを選択的に除去することが可能となり、産業上有用である。
 

Claims (7)

  1. 　ウェハ表面上の炭素含有シリコン酸化物を除去する洗浄液であって、フッ素化合物２質量％～３０質量％、炭素数が１０以上のアルキル基を分子中に１つだけ有することを特徴としたアンモニウム塩またはアミンであるカチオン性界面活性剤０．０００１質量％～２０質量％および水を含み、且つｐＨ値が０～４であることを特徴とした洗浄液。
  2. 　前記炭素数が１０以上のアルキル基を分子中に１つだけ有することを特徴としたアミンであるカチオン性界面活性剤が、ポリオキシエチレンアルキルアミン、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルアミン、アルキルアミンオキサイド、アルキルアミノ酢酸ベタインおよびアルキルアミン酢酸塩からなる群から選ばれる１種以上である、請求項１に記載の洗浄液。
  3. 　前記フッ素化合物がフッ酸、フッ化アンモニウムおよびフッ化テトラメチルアンモニウムから選ばれる１種以上である請求項１または２に記載の洗浄液。
  4. 　前記炭素数が１０以上のアルキル基を分子中に１つだけ有することを特徴としたアンモニウム塩またはアミンであるカチオン性界面活性剤が、デシルトリメチルアンモニウムクロリド、ドデシルトリメチルアンモニウムクロリド、ウンデシルトリメチルアンモニウムクロリド、トリデシルトリメチルアンモニウムクロリド、テトラデシルトリメチルアンモニウムクロリド、ペンタデシルトリメチルアンモニウムクロリド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロリド、ヘプタデシルトリメチルアンモニウムクロリド、オクタデシルトリメチルアンモニウムクロリド、ノナデシルトリメチルアンモニウムクロリド、デシルトリエチルアンモニウムクロリド、ドデシルトリエチルアンモニウムクロリド、ウンデシルトリエチルアンモニウムクロリド、トリデシルトリエチルアンモニウムクロリド、テトラデシルトリエチルアンモニウムクロリド、ペンタデシルトリエチルアンモニウムクロリド、ヘキサデシルトリエチルアンモニウムクロリド、ヘプタデシルトリエチルアンモニウムクロリド、オクタデシルトリエチルアンモニウムクロリド、ノナデシルトリエチルアンモニウムクロリド、デシルトリメチルアンモニウムブロミド、ドデシルトリメチルアンモニウムブロミド、ウンデシルトリメチルアンモニウムブロミド、トリデシルトリメチルアンモニウムブロミド、テトラデシルトリメチルアンモニウムブロミド、ペンタデシルトリメチルアンモニウムブロミド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムブロミド、ヘプタデシルトリメチルアンモニウムブロミド、オクタデシルトリメチルアンモニウムブロミド、ノナデシルトリメチルアンモニウムブロミド、デシルトリエチルアンモニウムブロミド、ドデシルトリエチルアンモニウムブロミド、ウンデシルトリエチルアンモニウムブロミド、トリデシルトリエチルアンモニウムブロミド、テトラデシルトリエチルアンモニウムブロミド、ペンタデシルトリエチルアンモニウムブロミド、ヘキサデシルトリエチルアンモニウムブロミド、ヘプタデシルトリエチルアンモニウムブロミド、オクタデシルトリエチルアンモニウムブロミド、ノナデシルトリエチルアンモニウムブロミド、ラウリルジメチルエチルアンモニウムエチルサルフェート、オクタデシルジメチルエチルアンモニウムエチルサルフェート、パルミチルジメチルエチルアンモニウムエチルサルフェート、ラウリルジメチルベンジルアンモニウムクロリド、ステアリルジメチルヒドロキシエチルアンモニウムパラトルエンスルホネート、ラウリルジメチルアミノ酢酸ベタイン、ラウリルジメチルアミンオキサイド、テトラデシルアミン酢酸塩、ベヘニルトリメチルアンモニウムクロリド、デシルジメチルベンジルアンモニムクロリド、テトラデシルジメチルベンジルアンモニムクロリド、ヘキサデシルジメチルベンジルアンモニムクロリド、オクタデシルジメチルベンジルアンモニムクロリド、ベヘニルトリメチルアンモニウムクロリド、Ｎ－ヒドロキシエチルラウリルアミン、ポリオキシエチレンラウリルアミン、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンラウリルアミン、ポリオキシエチレンデシルアミン、ポリオキシエチレンステアリルアミン、ポリオキシエチレンオレイルアミンおよびポリオキシエチレンテトラデシルアミンから選択される１種以上である請求項１～３のいずれか１項に記載の洗浄液。
  5. 　さらに酸を含む、請求項１～４のいずれか１項に記載の洗浄液。
  6. 　前記炭素含有シリコン酸化物中の炭素原子含有量が５～６０原子％である、請求項１～５のいずれか１項に記載の洗浄液。
  7. 　請求項１～６のいずれか１項に記載の洗浄液を用いることを特徴としたウェハ表面上の炭素含有シリコン酸化物を除去する洗浄方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020166677A1 (ja) * 2019-02-13 2020-08-20 株式会社トクヤマ オニウム塩を含む半導体ウェハの処理液
JP2022002291A (ja) * 2019-02-13 2022-01-06 株式会社トクヤマ オニウム塩を含む半導体ウェハの処理液

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11060051B2 (en) * 2018-10-12 2021-07-13 Fujimi Incorporated Composition for rinsing or cleaning a surface with ceria particles adhered
SG11202101497RA (en) * 2018-10-16 2021-03-30 Showa Denko Kk Composition, method for cleaning adhesive polymer, method for producing device wafer, and method for regenerating support wafer
CN109825380A (zh) * 2019-01-21 2019-05-31 安徽华顺半导体发展有限公司 一种高效率太阳能硅片清洗液及其使用方法
TWI768329B (zh) * 2020-04-23 2022-06-21 煇特有限公司 半導體晶圓之物理乾式表面處理方法及其表面處理用組成物
JP7375032B2 (ja) * 2020-08-07 2023-11-07 株式会社トクヤマ 半導体ウエハ用処理液
CN113046191A (zh) * 2021-03-26 2021-06-29 常州时创能源股份有限公司 硅片清洗剂及制备方法和硅片清洗工艺
CN119570492A (zh) * 2024-11-26 2025-03-07 湖北兴福电子材料股份有限公司 一种at切石英单晶水系腐蚀液

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010509777A (ja) * 2006-11-07 2010-03-25 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド メモリデバイス構造の洗浄製剤
WO2010102013A2 (en) * 2009-03-03 2010-09-10 Akrion Systems Llc Method for selective under-etching of porous silicon
US20110223767A1 (en) * 2008-03-11 2011-09-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Control wafer reclamation process

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3408090B2 (ja) 1996-12-18 2003-05-19 ステラケミファ株式会社 エッチング剤
US6828289B2 (en) * 1999-01-27 2004-12-07 Air Products And Chemicals, Inc. Low surface tension, low viscosity, aqueous, acidic compositions containing fluoride and organic, polar solvents for removal of photoresist and organic and inorganic etch residues at room temperature
KR100649418B1 (ko) 2002-08-22 2006-11-27 다이킨 고교 가부시키가이샤 박리액
JP4464125B2 (ja) * 2003-12-22 2010-05-19 ソニー株式会社 構造体の作製方法及びシリコン酸化膜エッチング剤
JP4838578B2 (ja) 2004-12-20 2011-12-14 ステラケミファ株式会社 微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法
KR20080072905A (ko) * 2005-11-09 2008-08-07 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 표면에 저유전 물질이 있는 반도체 웨이퍼를 재생하기 위한조성물 및 방법
JP4964484B2 (ja) * 2006-03-31 2012-06-27 ステラケミファ株式会社 微細加工処理方法
JP2008124135A (ja) * 2006-11-09 2008-05-29 Stella Chemifa Corp 微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法
JP4922019B2 (ja) * 2007-03-06 2012-04-25 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US8563332B2 (en) 2007-09-03 2013-10-22 Panasonic Corporation Wafer reclamation method and wafer reclamation apparatus
KR102102792B1 (ko) * 2011-12-28 2020-05-29 엔테그리스, 아이엔씨. 티타늄 나이트라이드의 선택적인 에칭을 위한 조성물 및 방법
JP2014029942A (ja) * 2012-07-31 2014-02-13 Advanced Technology Materials Inc 酸化ハフニウム用エッチング組成物
WO2014092756A1 (en) * 2012-12-13 2014-06-19 Parker-Hannifin Corporation Cleaning composition for metal articles
US10138117B2 (en) * 2013-07-31 2018-11-27 Entegris, Inc. Aqueous formulations for removing metal hard mask and post-etch residue with Cu/W compatibility

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010509777A (ja) * 2006-11-07 2010-03-25 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド メモリデバイス構造の洗浄製剤
US20110223767A1 (en) * 2008-03-11 2011-09-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Control wafer reclamation process
WO2010102013A2 (en) * 2009-03-03 2010-09-10 Akrion Systems Llc Method for selective under-etching of porous silicon

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3285285A4 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020166677A1 (ja) * 2019-02-13 2020-08-20 株式会社トクヤマ オニウム塩を含む半導体ウェハの処理液
JP2022002291A (ja) * 2019-02-13 2022-01-06 株式会社トクヤマ オニウム塩を含む半導体ウェハの処理液
JP7081010B2 (ja) 2019-02-13 2022-06-06 株式会社トクヤマ オニウム塩を含む半導体ウェハの処理液
US12024663B2 (en) 2019-02-13 2024-07-02 Tokuyama Corporation Onium salt-containing treatment liquid for semiconductor wafers

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