WO2017122781A1 - 給電制御装置 - Google Patents

Abstract

給電制御装置は、ＰＷＭ制御によりスイッチングが行われる半導体スイッチング素子（６）と、ＰＷＭ制御に係るＰＷＭ信号を出力するＰＷＭ信号出力部（１）と、半導体スイッチング素子（６）に通流する電流に関連する電流を出力する電流回路（５）と、電流回路（５）が出力した電流を電圧に変換し、変換した電圧を濾波するフィルタ回路（１１～１３）と、フィルタ回路（１１）が濾波した電圧の電圧値に基づき、半導体スイッチング素子（６）をオフにする過電流保護回路（４）と、ＰＷＭ信号の各パルスの終端近傍のタイミングで、フィルタ回路（１１～１３）が濾波した電圧の電圧値を検出する電圧検出部（２）と、電圧検出部（２）が検出した電圧値に基づき、半導体スイッチング素子（６）を通流する電流が通流する電線の温度を推定する温度推定部（１）と、温度推定部（１）が推定した温度に基づき、半導体スイッチング素子（６）をオフにする電線保護部（１）とを備えている。

Description

給電制御装置

　本発明は、半導体スイッチング素子をオン又はオフに切替えることによって給電を制御する給電制御装置に関する。

　車両には、ＰＷＭ（Pulse Width Modulation）制御によりスイッチングが行われる半導体スイッチング素子を介して、バッテリから所定電圧値の電力を負荷に供給する給電制御装置が搭載されている。このような給電制御装置では、マイクロコンピュータ（以下、マイコンと記載する）は、バッテリの電圧値を取得し、取得した電圧値と前記所定電圧値とに基づき、ＰＷＭ制御のデューティ比を算出する。次いで、マイコンは、算出したデューティ比に基づきＰＷＭ（Pulse Width Modulation）信号を作成し、作成したＰＷＭ信号を出力する。駆動回路は、マイコンが出力したＰＷＭ信号に基づき半導体スイッチング素子をオン又はオフにする。

　このような給電制御装置では、過電流自己保護回路は、半導体スイッチング素子を通流する電流の電流値に基づき、半導体スイッチング素子をオフにして、半導体スイッチング素子を保護する。
　また、マイコンは、半導体スイッチング素子を通流する電流の電流値を取得し、取得した電流値と、電流の通流時間とに基づき、半導体スイッチング素子と共に電流が通流する電線の温度を推定する。マイコンは、推定した温度に基づき、半導体スイッチング素子をオフにして、電線を保護する。

　図１は、従来の給電制御装置の過電流保護特性及び電線の発煙特性の例を示す特性図である。この特性図では、縦軸に電線の通流電流値が示されており、横軸に時間又は通流電流の連続的な通流時間が示されている。突入電流を含む負荷電流の波形Ｆについては、横軸に時間が示されている。また、通流電流値及び通流時間を示す点が、電線発煙特性曲線Ｃより右上に有る場合、電線の被覆材が過熱により発煙する。電線発煙特性曲線Ｃは、電流が通流時間流れた場合における電線温度を示す曲線の中で、発煙が始まる電線温度を示している。

　この給電制御装置では、温度演算に係る遮断閾値を示す曲線Ｄを、電線発煙特性曲線Ｃの少し低温側（低電流側、短時間側）に定めてある。
　この場合、電線発煙特性Ｃに示すように、通流電流値が大きい程、電線が発煙に到る通流時間は短い。また、電線温度を演算するための時間が必要である。このため、温度演算による遮断閾値を示す曲線Ｄは、通流時間が例えば１０ミリ秒以下である領域では設定されていない。

　特許文献１には、ＩＰＳ（Intelligent Power Switch）内のセンスＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）が、負荷電流に比例したセンス電流を出力し、センス電流が電流／電圧変換されたセンス電圧値をマイコンが取得する電線保護装置が開示されている。マイコンは、周期的にセンス電圧値を取得し、取得したセンス電圧値に基づき、電線温度を演算する。ワイヤ・ハーネスのショート等により、通電電流が増加した場合、センス電圧が上昇するので、マイコンは、演算した電線温度が上昇して電線が発煙に到る前に、電線が過熱状態であると判定して、半導体スイッチ素子をオフにする。

特許第４６２４４００号公報

　前述したような従来の給電制御装置が給電を制御する負荷として、始動時に、例えば図１に示すような突入電流Ｆが流れる負荷がある。このような負荷への給電を制御する場合においては、突入電流Ｆが流れたときに、半導体スイッチング素子をオフにしないように、過電流自己保護回路の閾値Ｅを高くする必要がある。
　ところが、過電流自己保護回路の閾値Ｅを高い値に設定した場合、遮断閾値Ｄ（図１）が設定されていない領域で、閾値Ｅが電線発煙特性Ｃを超える領域が生じる。この領域では、通流電流値が、閾値Ｅを超えないが電線発煙特性Ｃを超える可能性がある。この場合、通流電流値が、過電流自己保護回路の閾値Ｅも温度演算による遮断閾値（不設定）も超えることなく、電線発煙特性Ｃを超えて電線が発煙し、電線を保護できないという問題がある。

　本発明は、斯かる事情に鑑みてなされたものであり、突入電流が流れた場合に半導体スイッチング素子がオフにならず、かつ、電線が発煙する通流電流値に到る前に、半導体スイッチング素子をオフにすることができる給電制御装置を提供することを目的とする。

　本発明に係る給電制御装置は、ＰＷＭ制御によりスイッチングが行われる半導体スイッチング素子と、前記ＰＷＭ制御に係るＰＷＭ信号を出力するＰＷＭ信号出力部と、前記半導体スイッチング素子に通流する電流に関連する電流を出力する電流回路と、該電流回路が出力した電流を電圧に変換し、変換した電圧を濾波するフィルタ回路と、該フィルタ回路が濾波した電圧の電圧値に基づき、前記半導体スイッチング素子をオフにする過電流保護回路と、前記ＰＷＭ信号の各パルスの終端近傍のタイミングで、前記フィルタ回路が濾波した電圧の電圧値を検出する電圧検出部と、該電圧検出部が検出した電圧値に基づき、前記半導体スイッチング素子と共に電流が通流する電線の温度を推定する温度推定部と、該温度推定部が推定した温度に基づき、前記半導体スイッチング素子をオフにする電線保護部とを備えることを特徴とする。

　この給電制御装置では、半導体スイッチング素子のスイッチングはＰＷＭ制御により行われ、ＰＷＭ信号出力部はＰＷＭ制御に係るＰＷＭ信号を出力する。電流回路は、半導体スイッチング素子に通流する電流に関連する電流を出力し、フィルタ回路は、電流回路が出力した電流を電圧に変換し、変換した電圧を濾波する。過電流保護回路は、フィルタ回路が濾波した電圧の電圧値に基づき、半導体スイッチング素子をオフにする。
　電圧検出部は、ＰＷＭ信号の各パルスの終端近傍のタイミングで、フィルタ回路が濾波した電圧の電圧値を検出する。温度推定部は、電圧検出部が検出した電圧値に基づき、半導体スイッチング素子と共に電流が通流する電線の温度を推定する。電線保護部は、温度推定部が推定した温度に基づき、半導体スイッチング素子をオフにする。

　本発明に係る給電制御装置は、前記ＰＷＭ信号出力部は、各周期の終端と各パルスの終端とが一致するＰＷＭ信号を出力するように構成してあることを特徴とする。

　本発明に係る給電制御装置は、前記各パルスの終端近傍は、該終端から、対応する周期の１％以内の時間を遡った時点から、該終端までの期間であることを特徴とする。

　この給電制御装置では、ＰＷＭ信号の各パルスの終端近傍は、該終端から対応する周期の１％以内の時間を遡った時点から、該終端までの期間である。

　本発明によれば、突入電流が流れた場合に半導体スイッチング素子がオフにならず、かつ、電線が発煙する通流電流値に到る前に、半導体スイッチング素子をオフにすることができる。

従来の給電制御装置の過電流保護特性及び電線の発煙特性の例を示す特性図である。 給電制御装置の実施の形態の概略構成を示すブロック図である。 電流検出部が出力した分流電流が、抵抗により変換された電圧の電圧波形の例を示す波形図である。 給電制御装置の過電流保護特性及び電線の発煙特性の例を示す特性図である。

　以下に、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて説明する。
　図２は、給電制御装置の実施の形態の概略構成を示すブロック図である。
　この給電制御装置は、マイコン１、駆動回路３、過電流保護部４、電流検出部５、半導体スイッチング素子６、分流抵抗８、抵抗１１，１２及びコンデンサ１３を備えている。
　半導体スイッチング素子６は、Ｎチャネル型のＦＥＴ（Field Effect Transistor）である。半導体スイッチング素子６について、ドレインに電源であるバッテリ７のプラス極が接続され、ソースに分流抵抗８を通じて負荷１０のプラス端子が接続されている。バッテリ７のマイナス端子と、負荷１０のマイナス端子とは接地されている。

　半導体スイッチング素子６のゲートには駆動回路３が接続され、駆動回路３は、マイコン１の出力端子１５から与えられたＰＷＭ信号に基づき、半導体スイッチング素子６をオン又はオフにする。ＰＷＭ信号は、ハイレベル電圧と、ハイレベル電圧よりも低いローレベル電圧とによって構成され、ＰＷＭ信号では、ハイレベル電圧及びローレベル電圧が交互に繰り返される。駆動回路３は、ＰＷＭ信号がハイレベル電圧を示す場合に半導体スイッチング素子６をオンにし、ＰＷＭ信号がローレベル電圧を示す場合に半導体スイッチング素子６をオフにする。このように、半導体スイッチング素子６のスイッチングは、ＰＷＭ制御によって行われる。ＰＷＭ制御はＰＷＭ信号に従って行われる。

　駆動回路３は、接地電位を基準とした半導体スイッチング素子６のゲートの電圧を上昇させる。これにより、半導体スイッチング素子６において、ソースの電位を基準としたゲートの電圧が一定電圧以上となり、半導体スイッチング素子６はオンとなる。半導体スイッチング素子６がオンである場合、バッテリ７のプラス端子から、電流が半導体スイッチング素子６、分流抵抗８及び負荷１０の順に流れ、バッテリ７は、半導体スイッチング素子６を介して負荷１０に電力を供給する。
　また、駆動回路３は、接地電位を基準とした半導体スイッチング素子６のゲートの電圧を低下させる。これにより、半導体スイッチング素子６において、ソースの電位を基準としたゲートの電圧が一定電圧未満となり、半導体スイッチング素子はオフとなる。半導体スイッチング素子６がオフである場合、半導体スイッチング素子６のドレイン及びソース間に電流は流れず、負荷１０への給電が停止する。

　分流抵抗（電流回路）８の両端子は、電流検出部（電流回路）５にそれぞれ接続されている。電流値が分流抵抗８を通流する電流の電流値に比例する分流電流が、電流検出部５から出力される。例えば、分流電流の電流値は、分流抵抗８を通流する電流の電流値の所定数分の１である。従って、半導体スイッチング素子６及び分流抵抗８を介して流れる電流の電流値が大きい程、分流電流の電流値は大きい。電流検出部５が出力した分流電流は、抵抗１１を通じて接地端子に流れ、分流電流の電流／電圧変換が行われる。

　抵抗１１には、抵抗１２及びコンデンサ１３が直列に接続されたローパスフィルタが並列に接続されている。抵抗１１、抵抗１２及びコンデンサ１３は、フィルタ回路を構成している。
　抵抗１１が分流電流の電流／電圧変換を行い、変換した電圧はローパスフィルタ（１２，１３）によって濾波される。ローパスフィルタ（１２，１３）が濾波した電圧は、過電流保護部４及びマイコン１に与えられる。ローパスフィルタ（１２，１３）が濾波した電圧の電圧値は、分流電流の電流値が大きい程、大きい。

　過電流保護部（過電流保護回路）４は、ローパスフィルタ（１２，１３）が濾波した電圧の電圧値が、過電流に相当する所定電圧値を超えた場合、駆動回路３を通じて半導体スイッチング素子６をオフにして保護する。このとき、駆動回路３は、マイコン１が出力しているＰＷＭ信号に無関係に半導体スイッチング素子６をオフにする。駆動回路３は、ローパスフィルタ（１２，１３）が濾波した電圧の電圧値が所定電圧値以下である場合、マイコン１の出力端子１５から与えられたＰＷＭ信号に基づき、半導体スイッチング素子６をオン又はオフにする。

　マイコン１は、アナログ値をデジタル値に変換するＡ／Ｄ（Analog／Digital）変換部１４，２と、出力端子１５とを有する。マイコン１は、ローパスフィルタ（１２，１３）が濾波した電圧の電圧値を、出力端子１５から出力するＰＷＭ信号の各パルスの終端近傍のタイミングで、Ａ／Ｄ変換部２を通じて取得する（電圧検出部）。ここで、各パルスの終端近傍とは、望ましくは、該終端から、対応する周期の１％以内の時間を遡った時点から、該終端までの期間である。例えば、ＰＷＭ信号の周期が１００ｍｓである場合、パルス終端近傍は、パルスの終端が到来する前の１ｍｓの期間である。尚、各パルスの終端近傍には、終端前後の期間が含まれていても良い。

　マイコン１は、Ａ／Ｄ変換部２で取得した電圧値に基づき、半導体スイッチング素子６と共に電流が通流する電線の電線温度を推定する（温度推定部）。電線の中途に半導体スイッチング素子６及び分流抵抗８が設けられている。尚、電線温度を推定する推定方法としては、例えば、特許文献１に記載された車両用の電線保護装置で行われる推定方法を用いることができる。

　マイコン１は、推定した電線温度が所定温度を超えた場合、出力端子１５及び駆動回路３を通じて半導体スイッチング素子６をオフにする（電線保護部）。このとき、マイコン１は、ＰＷＭ信号が示す電圧をローレベル電圧に切替えることによって、半導体スイッチング素子６をオフにする。この後、マイコン１は、ＰＷＭ信号が示す電圧をローレベル電圧に維持する。
　マイコン１は、電源であるバッテリ７の電圧値（以下、電源電圧値と記載する）を、Ａ／Ｄ変換部１４を通じて取得する。マイコン１は、取得した電源電圧値と、負荷１０に印加すべき所定電圧値とに基づき、ＰＷＭ信号のデューティ比を算出する。マイコン１は、デューティ比を、例えば、算出式、（所定電圧値／電源電圧値）×１００％により算出する。

　マイコン１は、算出したデューティ比に基づくＰＷＭ信号を出力端子１５から出力し駆動回路３へ与える。このとき、ＰＷＭ信号のデューティ比は、マイコン１によって算出されたデューティ比と一致する。デューティ比は、１周期においてＰＷＭ信号がハイレベル電圧を示している期間の割合を示す。マイコン１がデューティ比を、前述した算出式により算出した場合、電源電圧値が変動したときであっても、負荷１０に印加される電圧の平均電圧値は所定電圧値に維持される。

　尚、マイコン１は、各周期の終端と各パルスの終端とが一致するＰＷＭ信号を出力端子１５から出力する。即ち、ＰＷＭ信号では、ローレベル電圧からハイレベル電圧に切替わる時点を調整することによってデューティ比が調整され、ハイレベル電圧からローレベル電圧への切替えは周期的に行われる。
　駆動回路３は、マイコン１から与えられたＰＷＭ信号に基づき、前述したように、半導体スイッチング素子６をオン又はオフに切替える。従って、半導体スイッチング素子６のスイッチングについては、オフからオンへの切替え時点を調整することによってデューティ比が調整され、オンからオフへの切替えは周期的に行われる。

　以下に、このように構成された給電制御装置の動作を説明する。
　マイコン１は、Ａ／Ｄ変換部１４を通じて、バッテリ７の電圧値を取得する。次に、マイコン１は、取得した電源電圧値と所定電圧値とに基づき、ＰＷＭ信号のデューティ比を算出し、算出したデューティ比に基づくＰＷＭ信号を出力端子１５から出力する。
　駆動回路３は、マイコン１から与えられたＰＷＭ信号に基づき、半導体スイッチング素子６をオン又はオフにする。

　電流検出部５は、電流値が、半導体スイッチング素子６を通流して負荷１０に与えられる電流の電流値に比例する分流電流を出力し、出力した分流電流は、抵抗１１により電圧に変換される。抵抗１１により変換された電圧は、ローパスフィルタ（１２，１３）により濾波される。
　図３は、電流検出部５が出力した分流電流が、抵抗１１により変換された電圧の電圧波形の例を示す波形図である。ここで、Ａは、ローパスフィルタ（１２，１３）により濾波された電圧の電圧波形の例であり、Ｂは、ローパスフィルタ（１２，１３）が存在せず、濾波が行われなかった場合の電圧波形の例である。

　過電流保護部４は、ローパスフィルタ（１２，１３）により濾波された電圧の電圧値が、半導体スイッチング素子６の過電流に相当する所定電圧値を超えた場合、駆動回路３を通じて半導体スイッチング素子６をオフにする。このとき、駆動回路３は、ＰＷＭ信号に無関係に半導体スイッチング素子６をオフにする。

　ローパスフィルタ（１２，１３）は抵抗１１によって変換された電圧を濾波する。このため、負荷１０に突入電流が流れた場合に、抵抗１１が変換した電圧の尖頭電圧が抑制される。結果、突入電流が流れた場合に半導体スイッチング素子６がオフになることを防止することができる。

　前述したように、ローパスフィルタ（１２，１３）により濾波された電圧の電圧値は、電流検出部５から出力される分流電流の電流値と、抵抗１１の両端間の抵抗値との積によって表される。抵抗１１の両端間の抵抗値は、コンデンサ１３に蓄えられている電力が大きい程、大きい。コンデンサ１３が蓄えられている電力がゼロである場合、抵抗１１の両端間の抵抗値は、抵抗１１，１２が並列に接続された並列回路の抵抗値と略一致し、最も小さい。また、コンデンサ１３に電力が蓄えられて、コンデンサ１３の両端間の電圧が抵抗１１の両端間の電圧と一致する場合、抵抗１１の両端間の抵抗値は、抵抗１１の抵抗値と略一致し、最も大きい。

　半導体スイッチング素子６がオンである場合、コンデンサ１３は充電され、半導体スイッチング素子６がオフである場合、コンデンサ１３から電流が抵抗１２，１１の順に流れ、コンデンサ１３は放電する。負荷１０を始動するために、半導体スイッチング素子６がオフからオンになった時点では、半導体スイッチング素子６がオフである期間が長いため、コンデンサ１３に蓄えられている電力が非常に少ない。このため、抵抗１１の両端間の抵抗値は非常に小さい。結果、ローパスフィルタ（１２，１３）により濾波された電圧の電圧値が所定電圧値となるために必要な分流電流の電流値は大きい。前述したように、電流検出部５から出力される分流電流の電流値は、分流抵抗８を流れる電流の電流値に比例する。従って、負荷１０を始動するために、半導体スイッチング素子６がオフからオンになった場合において、半導体スイッチング素子６を介して流すことが可能な電流の電流値に係る上限値は大きい。

　マイコン１が出力するＰＷＭ信号の波形の形状は、図３に示すＢの波形の形状と略一致する。前述したように、マイコン１は、ローパスフィルタ（１２，１３）が濾波した電圧の電圧値を、ＰＷＭ信号の各パルスの終端近傍のタイミングで、Ａ／Ｄ変換部２を通じて取得する。各パルスの終端近傍は、例えば、該終端から周期Ｔの１％以内の時間を遡った時点から、該終端までの期間である。各パルスの終端近傍のタイミングは、図３において矢印で示されるタイミングと一致する。尚、マイコン１が出力端子１５から出力するＰＷＭ信号は、前述したように、各周期Ｔの終端と各パルスの終端とが一致している。

　半導体スイッチング素子６がオフである場合、電流検出部５から電流が出力されることはないため、コンデンサ１３は放電し、ローパスフィルタ（１２，１３）が濾波した電圧の電圧値は徐々に低下する。半導体スイッチング素子６がオンである場合、電流検出部５から分流電流が出力されるため、コンデンサ１３は充電され、ローパスフィルタ（１２，１３）が濾波した電圧の電圧値は徐々に上昇する。

　マイコン１は、前述したように、ＰＷＭ信号の各パルスの終端近傍のタイミングで、ローパスフィルタ（１２，１３）が濾波した電圧の電圧値を取得する。このため、マイコン１は、ローパスフィルタ（１２，１３）が濾波した電圧の電圧値の略最大値を取得することができる。この最大値は、電線を流れる電流の実電流値（平均電流値）よりも大きい電流値を示す。

　マイコン１は、Ａ／Ｄ変換部２で取得した電圧値に基づき、半導体スイッチング素子６と共に電流が通流する電線の電線温度を推定する。マイコン１は、推定した電線温度が所定温度を超えた場合、出力端子１５を通じて半導体スイッチング素子６をオフにする。このとき、マイコン１は、ＰＷＭ信号が示す電圧をローレベル電圧に切替えることによって、半導体スイッチング素子６をオフにする。
　ここで、前述したように、電線を流れる電流の実電流値（平均電流値）よりも大きい電流値を示す電圧値に基づき、電線温度を推定するので、電線が発煙する前に、半導体スイッチング素子６を確実にオフにすることができる。

　但し、ローパスフィルタの時定数、ＰＷＭ信号の周期Ｔ及びデューティ比の関係によっては、マイコン１が、平均電流値よりも小さい電流値を示す電圧値を取得する可能性がある。このため、予め設定されるローパスフィルタの時定数及びＰＷＭ信号の周期Ｔについて、使用できる最小デューティ比を定めておく必要がある。

　図４は、この給電制御装置の過電流保護特性及び電線の発煙特性の例を示す特性図である。この特性図では、縦軸に電線の通流電流値が示されており、横軸に時間又は通流電流の連続的な通流時間が示されている。突入電流を含む負荷電流の波形Ｆについては、横軸に時間が示されている。また、通流電流値及び通流時間を示す点が、電線発煙特性曲線Ｃより右上に有る場合、電線の被覆材が過熱により発煙する。電線発煙特性曲線Ｃは、電流が通流時間流れた場合における電線温度を示す曲線の中で、発煙が始まる電線温度を示している。

　この給電制御装置では、温度演算によるマイコン１経由の遮断閾値を示す曲線Ｄを、電線発煙特性曲線Ｃの少し低温側（低電流側、短時間側）に定めてある。この場合、電線発煙特性Ｃに示すように、通流電流値が大きい程、電線が発煙に到る通流時間は短い。
　また、この給電制御装置では、電線温度を演算するための時間が必要である。このため、温度演算による遮断閾値を示す曲線Ｄは、通流時間が例えば１０ミリ秒以下である領域では設定されていない。
　また、過電流保護部４の閾値（所定電圧値）Ｇは、通流時間が１０ミリ秒である場合におけるマイコン１の温度演算に係る遮断閾値より少し低い電流値として定めてられている。

　ここで、過電流保護部４の閾値Ｇは一定であるが、ローパスフィルタ（ＣＲフィルタ）（１２，１３）により突入電流の尖頭電圧が電線発煙特性Ｃを超えないように抑制されている。ローパスフィルタ（１２，１３）によって抑制される電圧分、実質的に過電流保護部４の閾値Ｇは高くなっている。尚、半導体スイッチング素子６には、尖頭電圧が抑制されない突入電流が通流する。
　以上により、遮断閾値Ｄが設定されていない領域で、過電流保護部４の閾値Ｇが電線発煙特性Ｃを超えることがない。従って、この領域でも、通流電流値は電線発煙特性Ｃに達する前に、通流時間に関係なく閾値Ｇを超えることができる。従って、この給電制御装置では、突入電流を含む負荷電流Ｆから漏れなく、半導体スイッチング素子６及び電線を保護することができる。

　本実施の形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えるべきである。本発明の範囲は上述の説明ではなく請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。

　１　マイクロコンピュータ（ＰＷＭ信号出力部、温度推定部、電線保護部）
　２　Ａ／Ｄ変換部（電圧検出部）
　３　駆動回路
　４　過電流保護部（過電流保護回路）
　５　電流検出部（電流回路）
　６　半導体スイッチング素子
　７　バッテリ
　８　分流抵抗（電流回路）
　１０　負荷
　１１，１２　抵抗（フィルタ回路）
　１３　コンデンサ（フィルタ回路）
　１４　Ａ／Ｄ変換部
　１５　出力端子

Claims (3)

1. 　ＰＷＭ制御によりスイッチングが行われる半導体スイッチング素子と、
   　前記ＰＷＭ制御に係るＰＷＭ信号を出力するＰＷＭ信号出力部と、
   　前記半導体スイッチング素子に通流する電流に関連する電流を出力する電流回路と、
   　該電流回路が出力した電流を電圧に変換し、変換した電圧を濾波するフィルタ回路と、
   　該フィルタ回路が濾波した電圧の電圧値に基づき、前記半導体スイッチング素子をオフにする過電流保護回路と、
   　前記ＰＷＭ信号の各パルスの終端近傍のタイミングで、前記フィルタ回路が濾波した電圧の電圧値を検出する電圧検出部と、
   　該電圧検出部が検出した電圧値に基づき、前記半導体スイッチング素子と共に電流が通流する電線の温度を推定する温度推定部と、
   　該温度推定部が推定した温度に基づき、前記半導体スイッチング素子をオフにする電線保護部と
   　を備えることを特徴とする給電制御装置。
2. 　前記ＰＷＭ信号出力部は、各周期の終端と各パルスの終端とが一致するＰＷＭ信号を出力するように構成してあること
   　を特徴とする請求項１に記載の給電制御装置。
3. 　前記各パルスの終端近傍は、該終端から、対応する周期の１％以内の時間を遡った時点から、該終端までの期間であること
   　を特徴とする請求項１又は２に記載の給電制御装置。

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