WO2017194845A1 - Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique comportant une pluralité de diodes au nitrure de gallium - Google Patents

Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique comportant une pluralité de diodes au nitrure de gallium Download PDF

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François Templier
Lamine BENAISSA
Marc Rabarot
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Definitions

  • the present application relates to the field of optoelectronic devices. It relates more particularly to a method of manufacturing an optoelectronic device comprising a plurality of gallium nitride diodes, and an electronic circuit for controlling these diodes.
  • an emissive display device comprising a set of light emitting diodes (LEDs) to gallium nitride, and a control circuit for individually controlling the LEDs to display images.
  • LEDs light emitting diodes
  • the control circuit may be integrated in and on a semiconductor substrate, for example a silicon substrate.
  • the control circuit is made in CMOS technology.
  • the control circuit may comprise a plurality of metal pads, each pad being intended to be connected to an electrode of an LED of the set of LEDs, to be able to control the LEDs individually.
  • the set of LEDs is for example made monolithically on a support substrate, then attached to the control circuit so that each LED has an electrode (anode or cathode) connected to one of the metal pads of the control circuit .
  • a disadvantage of this method of manufacture lies in the need to precisely align the control circuit and the set of LEDs during the assembly step of these two elements, so that each LED comes to position itself on the stud metal that corresponds to it in the control circuit.
  • This alignment is particularly difficult to achieve when the pixel pitch decreases, and is a brake to increase the resolution and / or integration density of the pixels.
  • Another approach for producing an optoelectronic device comprising a set of gallium nitride LEDs and a circuit for controlling these LEDs consists in producing the set of LEDs in a monolithic manner on a support substrate, and then in depositing TFT type transistors. (of English "Thin Film Transistor” - thin film transistor) on the set of LEDs to form the control circuit.
  • a disadvantage of this approach is the relatively low performance and relatively high manufacturing dispersions of the control circuit TFT transistors.
  • the TFT transistors are relatively bulky, which again limits the increase in the resolution and / or integration density of the pixels.
  • an embodiment provides a method of manufacturing an optoelectronic device, comprising the following successive steps: a) reporting, on one side of an integrated control circuit comprising a plurality of metallic connection pads, an active stack of diode having at least first and second doped semiconductor layers of opposite conductivity types, so that the second layer of the stack is electrically connected to the pads metal control circuit; and b) forming in the active stack trenches delimiting a plurality of diodes connected to separate metal pads of the control circuit.
  • the method further comprises, before step a), at least one of the following steps: a step of deposition of at least a first metal layer on substantially the entire surface of the control circuit side metal studs; and a step of depositing at least a second metal layer on substantially the entire surface of the second semiconductor layer opposite to the first semiconductor layer.
  • At least one of the first and second metal layers comprises a silver reflective layer.
  • At least one of the first and second metal layers comprises a barrier layer of TaN, TiN, WN, TiW, or a combination of one or more of these materials.
  • At least one of the first and second metal layers comprises a bonding layer of Ti, Ni, Pt, Sn, Au, Ag, Al, Pd, W, Pb, Cu, AuSn, TiSn, NiSn or an alloy of all or some of these materials.
  • the trenches formed in step b) extend over the entire height of the active stack and pass through the first and second metal layers.
  • the active stack is supported by a support substrate located on the side of the first semiconductor layer opposite the second semiconductor layer, the method further comprising between step a) and step b), a step of removing the support substrate.
  • the method further comprises, after step b), a step of depositing, on each diode, an electrode on and in contact with the face of the first semiconductor layer opposite to the second semiconductor layer.
  • the electrodes form a continuous metal grid arranged so that, at each diode, in a peripheral part of the diode, the face of the first semiconductor layer opposite to the second semiconductor layer is in contact with the gate, and in a central portion of the diode, the face of the first semiconductor layer is not coated by the gate.
  • the electrodes form a continuous layer of transparent conductive material, coating substantially the entire surface of the device.
  • the semiconductor diodes are electroluminescent diodes.
  • the method further comprises, after step b), a transfer step, on the face of the device opposite to the control circuit, of a multiple quantum well photoluminescent conversion stack covering substantially all the surface of the device.
  • the method further comprises, after the postponement of the conversion stack, a step of removing the conversion stack with respect to only some of the semiconductor diodes.
  • the diodes are photodiodes.
  • the first and second semiconductor layers are gallium nitride layers, the diodes being gallium nitride diodes.
  • FIGS. 1A, 1B, 1C, 1D, 1E, 1F, 1G, 1H, II are sectional views illustrating steps of an example of a mode of performing a method of manufacturing an optoelectronic device
  • Figure 2 is a sectional view illustrating an alternative embodiment of the method of Figures 1A, 1B, 1C, 1D, 1E, 1F, 1G, 1H, II; and
  • Figures 3A, 3B, 3C, 3D are sectional views illustrating another alternative embodiment of the method of Figures 1A, 1B, 1C, 1D, 1E, 1F, 1G, 1H, II.
  • an optoelectronic device comprising a plurality of gallium-nitride LEDs and an electronic control circuit for these LEDs, to:
  • control circuit in the form of an integrated circuit comprising, on one side, a plurality of metal pads intended to be connected to the LEDs so as to be able to control, for example individually, the current flowing in the LEDs;
  • An advantage of this manufacturing method is that, during the step of transferring the active stack of LED gallium nitride on the control circuit, the positions of the different LEDs of the device in the active stack are not yet defined. There is therefore no strong constraint in terms of alignment accuracy during the report.
  • the delimitation of the different LEDs in the active stack can then be achieved by methods of structuring a substrate and deposition of insulating and conductive layers on a substrate, which offer an alignment accuracy significantly greater than the accuracy that can be obtained during a transfer of a substrate to another.
  • FIGS. 1A, 1B, 1C, 1D, 1E, 1F, 1G, 1H, II are sectional views illustrating steps of an example of an embodiment of a method of manufacturing an optoelectronic device.
  • FIG. 1A schematically represents an integrated control circuit 110, previously formed in and on a semiconductor substrate 111, for example a silicon substrate.
  • the control circuit 110 comprises, on the side of its upper face, for each of the LEDs of the device, a metal connection pad 113 intended to be connected to one of the electrodes (anode or cathode) of the LED, so as to be able to control a current flowing in the LED and / or apply a voltage across the LED.
  • the control circuit comprises, for example, for each LED, connected to the metal pad 113 dedicated to the LED, an elementary control cell comprising one or more transistors, for controlling the current flowing in the LED and / or a voltage applied across the terminals. of the LED.
  • the control circuit 110 is for example made in CMOS technology.
  • the metal pads 113 may be laterally surrounded by an insulating material 114, for example silicon oxide, so that the control circuit 110 has a substantially flat upper surface comprising an alternation of metal regions 113 and insulating regions 114.
  • the contact on the electrodes of the LEDs (cathodes or anodes) not connected to the pads 113, can be taken collectively, for example in a peripheral region of the control circuit 110, by means of one or more connection pads (not visible in the figure) of the control circuit 110.
  • FIG. 1A further schematically represents an active gallium nitride LED 150 stack disposed on the upper face of a support substrate 151.
  • the support substrate 151 is, for example, a substrate made of silicon, sapphire, corundum, or any other material on which an active stack of gallium nitride LEDs can be deposited.
  • the active stack comprises, in order from the upper surface of the substrate 151, a layer of doped nitride nitride N 153, an emissive layer 155, and a layer of gallium nitride doped P-type 157.
  • the emissive layer 155 is for example constituted by a stack of one or more emitting layers each forming a quantum well, for example based on GaN, InN, InGaN, AlGaN, AlN, AlInGaN, GaP, AlGaP, AlInGaP, or a combination of one or more of these materials.
  • the emissive layer 155 may be a layer of intrinsic gallium nitride, that is to say not intend ⁇ tionally doped, e.g., concentration of residual donors between IO and IO ⁇ atoms / cm- ⁇ , for example of the order of 10 ⁇ atoms / cm- ⁇ .
  • the lower face of the emitting layer 155 is in contact with the upper face of the layer 153, and the upper face of the emitting layer 155 is in contact with the underside of the layer 157.
  • a stack of one or more buffer layers can interface between the support substrate 151 and the gallium nitride layer 153.
  • the active stack 150 is for example deposited by epitaxy on the substrate support 151.
  • FIG. 1B illustrates a step of depositing, on the upper face of the control circuit 110, a metal layer 116.
  • the metal layer 116 covers substantially the entire upper surface of the control circuit 110.
  • the metal layer 116 is in contact with the metal connection pads 113 of the control circuit 110.
  • FIG. 1B furthermore illustrates a deposition step, on the upper face of the active gallium nitride diode 150 stack, of a metal layer 159.
  • the metal layer 159 is disposed on and in contact with the upper face of the gallium nitride layer 157.
  • the metal layer 159 for example, substantially covers the entire upper surface of the active stack.
  • FIG. 1C illustrates a step during which the active stack of gallium nitride LEDs 150 is mounted on the upper face of the control circuit 110.
  • the assembly comprising the support substrate 151 and the active stack 150 can be returned, then reported on the control circuit 110, so as to put in contact the upper face (In the orientation of Figure 1B) of the metal layer 159 in contact with the upper face of the metal layer 116.
  • the active stack 150 is bonded to the control circuit 110.
  • the attachment of the active stack 150 to the control circuit 110 can be obtained by molecular bonding between the two surfaces in contact.
  • the attachment of both surfaces can be achieved by thermocompression, eutectic bonding, or any other suitable method of attachment.
  • FIG. 1D illustrates a step subsequent to the transfer step of FIG. 1C, during which the support substrate 151 of the gallium nitride active LED stack 150 is removed so as to discover the upper face of the gallium nitride layer 153.
  • the substrate 151 is for example removed by grinding and / or etching from its face opposite the active stack 150.
  • the substrate 151 can be detached from the active stack 150 by means of a laser beam projected through the substrate 151 from its face opposite to the active stack 150 (laser lift-type method). off). More generally, any other method for removing the substrate 151 may be used.
  • an additional etching step may be provided to remove any buffer layers remaining on the side of the upper face of the gallium nitride layer
  • the active stack 150 substantially covers the entire surface of the control circuit 110, without discontinuity.
  • the thickness of the active stack 150 at the end of the step of FIG. 1D is between 0.5 and 2 ⁇ m.
  • FIG. 1E illustrates a step subsequent to the step of FIG. 1D, during which trenches are formed in the active stack 150, from its upper face, for example by lithography and etching, so as to delimit a plurality of gallium nitride LEDs 172.
  • Each LED 172 corresponds to an island or mesa formed in the stack 150 and laterally surrounded by a trench 170.
  • the trenches 170 extend vertically over the entire height of the stack 150.
  • each LED 172 comprises a vertical stack comprising, in order from the upper surface of the metal layer 159, a portion of the gallium nitride layer 157, corresponding to the anode of the LED in this example, a portion of the emissive layer 155, and a portion of the gallium nitride layer 153, corresponding to the cathode of the LED in this example.
  • the trenches 170 may be aligned with marks previously formed on the control circuit 110.
  • each LED 172 is located, in vertical projection, facing a single metal pad 113 of the control circuit 110.
  • the trenches 170 are located, in vertical projection, facing the insulating regions 114 of the upper face of the control circuit 110.
  • the metal layer 159 serves as an etch stop layer during the construction of the trenches 170 in the active stack 150.
  • FIG. 1F illustrates a subsequent step of removal, for example by etching, of the portions of the metal layers 159 and 116 situated at the bottom of the trenches 170, so as to extend the trenches 170 to the insulating regions 114 of the upper face of the trench circuit. control 110.
  • the anodes (regions 157) of the various LEDs 172 are electrically insulated from one another by the trenches 170, and each LED 172 has its anode connected to the underlying metal pad 113 by the intermediate portions of metal layers 159 and 116 remaining between the LED and the pad 113. This allows individual control of the LEDs by the control circuit 110.
  • FIG. 1G illustrates a subsequent step of depositing, on the flanks of the LEDs 172, an insulating passivation layer 174, for example made of silicon oxide.
  • the layer 174 is for example deposited on the entire upper surface of the assembly by a conformal deposition technique, then removed only on the upper face of the LEDs 172 and the bottom of the trenches 170, for example by anisotropic etching.
  • FIG. 1H illustrates a step subsequent to the step of FIG. 1G, during which the trenches 170 are filled with an insulating material 176, for example silicon oxide.
  • an insulating material 176 for example silicon oxide.
  • a planarization step for example a mechano-chemical planarization (CMP)
  • CMP mechano-chemical planarization
  • the upper face of the assembly is substantially flat and comprises an alternation of insulating regions 174, 176 and regions of nitride.
  • the step of filling the trenches 170 (FIG. 1H) and the passivation step of the flanks of the LEDs can be combined.
  • FIG. 1H further illustrates a step subsequent to the filling of the trenches 170 by the insulating material 176, during which one or more metallizations 178 are formed on the upper face of the device, in contact with the cathode regions 153 of the LEDs 172.
  • the cathode regions of the LEDs 172 are all connected to the same metallization 178.
  • the metallization 178 forms a gate contacting, on each of the LEDs 172, a peripheral portion of the upper face of the cathode region 153 of the LED.
  • a central portion of the LED is not covered by the metal grid 178, so as to allow the passage of the light emitted by the LED.
  • the metal gate 178 may be connected to the control circuit 110, for example by means of one or more vias (not shown) formed in the active stack 150 or in the insulating material 176 trench 170, for example in a peripheral region of the device.
  • FIG. II illustrates a step subsequent to the deposition of the metallizations 178, during which an insulating layer 180, for example made of silicon oxide, is deposited on substantially the entire upper surface of the device, to protect the metallizations 178 and the visible portions of the gallium nitride layer 153.
  • the insulating layer 180 may be planarized so as to obtain a display device having a substantially flat upper surface.
  • the deposition of the metal layers 116 and 159 on the control circuit 110 and on the active stack 150 (step of FIG. 1B) prior to the transfer of the active stack 150 on the control circuit 110 (step of Figure 1C) has several advantages.
  • the layers 116 and 159 make it possible to improve the quality of the bonding between the two structures. Indeed, although possible, the direct bonding of the upper face (in the orientation of FIG. 1A) of the gallium nitride layer 157 to the upper surface of the control circuit 110 (comprising an alternation of insulating regions 114 and metal regions 113) is relatively difficult to achieve.
  • the layer 159 may advantageously be chosen to achieve good ohmic contact with the gallium nitride layer 157.
  • the material of the metal pads 113 of the control circuit 110 for example copper or aluminum, can indeed not be adapted to the realization of such ohmic contact.
  • the layers 116 and / or 159 may comprise a reflective metal for the light emitted by the LEDs 172, so as to increase the transmission efficiency and prevent light losses in the control circuit 110.
  • the layer 116 and / or the layer 159 may be chosen so as to prevent the metal of the connection pads 113 of the control circuit, for example copper, diffuses to the gallium nitride layer 157, which could in particular degrade the quality of the ohmic contact with the gallium nitride layer 157.
  • each of the layers 116 and 159 may be a single layer or a stack of one or more different metal layers to provide all or part of the aforementioned functions.
  • the layer 116 comprises an upper layer made of a metal of the same nature as an upper layer (in the orientation of FIG. 1B) of the layer 159, this metal being chosen to obtain a good bonding between the two structures during the step of FIG. 1C, for example a metal of the group comprising Ti, Ni, Pt, Sn, Au, Ag, Al, Pd, W, Pb , Cu, AuSn, TiSn, NiSn or an alloy of all or some of these materials.
  • the stack formed by the layers 116 and 159 may further comprise one or more layers of metals adapted to reflect the light emitted by the LEDs, for example money.
  • the stack formed by the layers 116 and 159 may comprise one or more layers adapted to barrier the diffusion of metals such as copper or silver included in the 116/159 stack and / or in the pads metal 113, for example layers of TaN, TiN, WN, TiW, or a combination of all or some of these materials.
  • the layer 116 and / or the layer 159 may however be omitted.
  • at least one of the layers 116 and 159 is provided, preferably the layer 159 formed on the active stack side of LED 150.
  • FIG. 2 is a sectional view illustrating an alternative embodiment of the method of Figures 1A, 1B, 1C, 1D, 1E, 1F, 1G, 1H, II.
  • the process of FIG. 2 differs from the previously described method essentially in that, in the step of FIG. 1H, after the trenches 170 have been filled with the insulating material 176, the contact on the cathode regions of the LEDs 172 is not realized. not by means of a metallization 178 in an opaque material, but by an electrode 182 made of a transparent conductive material, for example ITO (indium tin oxide).
  • the electrode 182 is a continuous electrode coating substantially the entire upper surface of the device.
  • the electrode 182 substantially covers the entire upper surface of the LEDs 172.
  • the electrode 182 may be connected to the control circuit 110, for example by means of one or more vias (not shown). formed in the active stack 150 or in the insulating material 176 trench 170, for example in a peripheral region of the device.
  • FIGS. 3A, 3B, 3C, 3D are sectional views illustrating steps of another variant embodiment of the method of FIGS. 1A, 1B, 1C, 1D, 1E, 1F, 1G, 1H, II, adapted to the embodiment a color image display device.
  • the LEDs 172 are all substantially identical, and emit substantially at the same wavelength.
  • the device obtained at the end of the step of FIG. II is therefore a monochromatic display device.
  • FIGS. 3A, 3B, 3C, 3D is carried out starting from the device obtained at the end of the process of FIGS. 1A, 1B, 1C, 1D, 1E, 1F, 1G, 1H, II. This structure is shown again in Figure 3A.
  • FIG. 3A further schematically illustrates a formation step, on the upper face of a support substrate 201, for example a GaAs substrate, of a multiple quantum well photoluminescent conversion stack 203.
  • Stack 203 comprises a plurality of layers each defining a quantum well.
  • the stack 203 is adapted to absorb photons at the emission wavelength of the LEDs 172, and to re-emit photons at another wavelength.
  • the stack 203 is adapted to convert blue light to red light or blue light to green light.
  • the conversion stack 203 is for example made by epitaxy on the support substrate 201.
  • a coating layer 205 for example an oxide layer (for example silicon oxide), is deposited on and in contact with the upper surface of the conversion stack 203, the layer 205 extending over substantially the entire upper surface of the conversion stack 203.
  • oxide layer for example silicon oxide
  • Fig. 3B illustrates a step in which the conversion stack 203 is attached to the upper surface of the display device.
  • the assembly comprising the support substrate 201 and the conversion stack 203 can be turned over and then attached to the display device, so as to bring the upper face into contact (in the orientation of FIG. 3A ) of the coating layer 205 in contact with the upper face of the upper layer 180 of the display device.
  • the conversion stack 203 is set (bonded) to the display device.
  • the attachment of the active stack 203 to the display device can be obtained by molecular bonding between the two surfaces brought into contact.
  • the attachment of both surfaces can be achieved by thermocompression, eutectic bonding, or any other suitable method of attachment.
  • the coating layer 205 makes it possible to promote the bonding of the two structures.
  • the layer 205 may be omitted, the upper surface (in the orientation of Figure 3A) of the conversion stack 203 then being brought into direct contact with the upper face of the display device.
  • FIG. 3C illustrates a step subsequent to the transfer step of FIG. 3B, during which the support substrate 201 of the conversion stack 203 is removed.
  • the substrate 201 is for example removed by grinding and / or chemical etching from its upper face, that is to say its opposite side to the conversion stack 203.
  • the conversion stack 203 substantially covers the entire surface of the display device, without discontinuity.
  • FIG. 3D illustrates a step subsequent to the step of FIG. 3C, during which portions of the conversion stack 203 are removed, for example by dry etching, facing certain parts of the display device. More particularly, during this step, the conversion stack 203 can be removed above some LEDs 172, and kept above the other LEDs 172. This produces a display device comprising first pixels adapted to emit light at a first wavelength, and second pixels adapted to emit light at a second wavelength.
  • the steps of FIGS. 3A, 3B, 3C, 3D can be repeated several times to deposit multiple quantum well photoluminescent conversion stacks with conversion properties. different.
  • FIGS. 3A, 3B, 3C, 3D can be implemented by taking as starting structure the monochromatic display device of FIG. 2.
  • gallium nitride layers 153 (type N in the examples described) and 157 (type P in the examples described) can be reversed.
  • gallium nitride LED display devices Although only embodiments of gallium nitride LED display devices have been described, the embodiments described can be adapted to the manufacture of a sensor comprising a a plurality of individually addressable gallium nitride photodiodes for acquiring an image.
  • the embodiments described can be adapted to the manufacture of any display device or photosensitive sensor based on semiconductor diodes, including semiconductor materials other than gallium nitride, for example diodes to base of other III-V semiconductor materials or silicon-based diodes.

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Abstract

L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique, comportant les étapes successives suivantes : a) rapporter, sur une face d'un circuit intégré de contrôle (110) comportant une pluralité de plots métalliques (113) de connexion, un empilement actif (150) de diode comportant au moins des première (153) et deuxième (157) couches semi- conductrices dopées de types de conductivité opposés, de façon que la deuxième couche (157) de l'empilement soit électriquement connectée aux plots métalliques (113) du circuit de contrôle (110); et b) former dans l'empilement actif (150) des tranchées (170) délimitant une pluralité de diodes (172) connectées à des plots métalliques (113) distincts du circuit de contrôle (110).

Description

PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE COMPORTANT UNE PLURALITE DE DIODES AU NITRURE DE GALLIUM
Domaine
La présente demande concerne le domaine des dispositifs optoélectroniques. Elle concerne plus particulièrement un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique comportant une pluralité de diodes au nitrure de gallium, et un circuit électronique de contrôle de ces diodes.
Exposé de 1 ' art antérieur
On a déjà proposé un dispositif d'affichage émissif comportant un ensemble de diodes électroluminescentes (LEDs) au nitrure de gallium, et un circuit de contrôle permettant de commander individuellement les LEDs pour afficher des images.
Pour réaliser un tel dispositif, on peut prévoir de fabriquer séparément le circuit de contrôle et l'ensemble de LEDs, puis de les connecter l'un à l'autre pour obtenir le dispositif d'affichage. Le circuit de contrôle peut être intégré dans et sur un substrat semiconducteur, par exemple un substrat de silicium. A titre d'exemple, le circuit de contrôle est réalisé en technologie CMOS. Du côté d'une de ses faces, le circuit de contrôle peut comprendre une pluralité de plots métalliques, chaque plot étant destiné à être connecté à une électrode d'une LED de l'ensemble de LEDs, pour pouvoir commander les LEDs individuellement. L'ensemble de LEDs est par exemple réalisé de façon monolithique sur un substrat de support, puis rapporté sur le circuit de contrôle de façon que chaque LED ait une électrode (anode ou cathode) connectée à l'un des plots métalliques du circuit de contrôle.
Un inconvénient de cette méthode de fabrication réside dans la nécessité d'aligner précisément le circuit de contrôle et l'ensemble de LEDs lors de l'étape d'assemblage de ces deux éléments, de façon que chaque LED vienne bien se positionner sur le plot métallique qui lui correspond dans le circuit de contrôle. Cet alignement est notamment difficile à réaliser lorsque le pas des pixels diminue, et constitue un frein à l'augmentation de la résolution et/ou de la densité d'intégration des pixels.
Une autre approche pour réaliser un dispositif optoélectronique comportant un ensemble de LEDs au nitrure de gallium et un circuit de contrôle de ces LEDs consiste à réaliser l'ensemble de LEDs de façon monolithique sur un substrat de support, puis à déposer des transistors de type TFT (de l'anglais "Thin Film Transistor" - transistor en couches minces) sur l'ensemble de LEDs pour former le circuit de contrôle.
Un inconvénient de cette approche réside dans les performances relativement faibles et dans les dispersions de fabrication relativement élevées des transistors TFT du circuit de contrôle. De plus, les transistors TFT sont relativement encombrants, ce qui, là encore, limite l'augmentation de la résolution et/ou de la densité d'intégration des pixels.
Résumé
Ainsi, un mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique, comportant les étapes successives suivantes : a) rapporter, sur une face d'un circuit intégré de contrôle comportant une pluralité de plots métalliques de connexion, un empilement actif de diode comportant au moins des première et deuxième couches semiconductrices dopées de types de conductivité opposés, de façon que la deuxième couche de l'empilement soit électriquement connectée aux plots métalliques du circuit de contrôle ; et b) former dans l'empilement actif des tranchées délimitant une pluralité de diodes connectées à des plots métalliques distincts du circuit de contrôle .
Selon un mode de réalisation, le procédé comporte en outre, avant l'étape a), au moins l'une des étapes suivantes : une étape de dépôt d'au moins une première couche métallique sur sensiblement toute la surface du circuit de contrôle côté plots métalliques ; et une étape de dépôt d'au moins une deuxième couche métallique sur sensiblement toute la surface de la deuxième couche semiconductrice opposée à la première couche semiconductrice .
Selon un mode de réalisation, au moins l'une des première et deuxième couches métalliques comprend une couche réfléchissante en argent.
Selon un mode de réalisation, au moins l'une des première et deuxième couches métalliques comprend une couche barrière en TaN, TiN, WN, TiW, ou en une combinaison d'un ou plusieurs de ces matériaux.
Selon un mode de réalisation, au moins l'une des première et deuxième couches métalliques comprend une couche de collage en Ti, Ni, Pt, Sn, Au, Ag, Al, Pd, W, Pb, Cu, AuSn, TiSn, NiSn ou en un alliage de tout ou partie de ces matériaux.
Selon un mode de réalisation, les tranchées formées à l'étape b) s'étendent sur toute la hauteur de l'empilement actif et traversent les première et deuxième couches métalliques.
Selon un mode de réalisation, lors de la mise en oeuvre de l'étape a), l'empilement actif est supporté par un substrat de support situé du côté de la première couche semiconductrice opposé à la deuxième couche semiconductrice, le procédé comprenant en outre, entre l'étape a) et l'étape b) , une étape de retrait du substrat de support.
Selon un mode de réalisation, le procédé comporte en outre, après l'étape b) , une étape de dépôt, sur chaque diode, d'une électrode sur et en contact avec la face de la première couche semiconductrice opposée à la deuxième couche semi- conductrice .
Selon un mode de réalisation, les électrodes forment une grille métallique continue agencée de façon que, au niveau de chaque diode, dans une partie périphérique de la diode, la face de la première couche semiconductrice opposée à la deuxième couche semiconductrice soit en contact avec la grille, et, dans une partie centrale de la diode, la face de la première couche semiconductrice ne soit pas revêtue par la grille.
Selon un mode de réalisation, les électrodes forment une couche continue en un matériau conducteur transparent, revêtant sensiblement toute la surface du dispositif.
Selon un mode de réalisation, les diodes semi- conductrices sont des diodes électroluminescentes.
Selon un mode de réalisation, le procédé comporte en outre, après l'étape b) , une étape de report, sur la face du dispositif opposée au circuit de contrôle, d'un empilement de conversion photoluminescent à puits quantiques multiples revêtant sensiblement toute la surface du dispositif.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre, après le report de l'empilement de conversion, une étape de retrait de l'empilement de conversion en regard de certaines seulement des diodes semiconductrices .
Selon un mode de réalisation, les diodes sont des photodiodes.
Selon un mode de réalisation, les première et deuxième couches semiconductrices sont des couches de nitrure de gallium, les diodes étant des diodes au nitrure de gallium.
Brève description des dessins
Ces caractéristiques et leurs avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles :
les figures 1A, 1B, 1C, 1D, 1E, 1F, 1G, 1H, II sont des vues en coupe illustrant des étapes d'un exemple d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique ;
la figure 2 est une vue en coupe illustrant une variante de réalisation du procédé des figures 1A, 1B, 1C, 1D, 1E, 1F, 1G, 1H, II ; et
les figures 3A, 3B, 3C, 3D sont des vues en coupe illustrant une autre variante de réalisation du procédé des figures 1A, 1B, 1C, 1D, 1E, 1F, 1G, 1H, II.
Description détaillée
De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références aux différentes figures et, de plus, les diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle. Par souci de clarté, seuls les éléments qui sont utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, la réalisation d'un circuit intégré de contrôle de diodes au nitrure de gallium n'a pas été détaillée, les modes de réalisation décrits étant compatibles avec les structures et procédés de fabrication usuels de tels circuits de contrôle. De plus, la composition et l'agencement des différentes couches d'un empilement actif de diode au nitrure de gallium n'ont pas été détaillés, les modes de réalisation décrits étant compatibles avec les empilements actifs usuels de diode au nitrure de gallium. Dans la description qui suit, sauf indication contraire, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", "latéral", etc., il est fait référence à l'orientation des figures correspondantes, étant entendu que, dans la pratique, les dispositifs et assemblages décrits peuvent être orientés différemment. Sauf précision contraire, les expressions "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. Selon un aspect d'un mode de réalisation, on prévoit, pour fabriquer un dispositif optoélectronique comportant une pluralité de LEDs au nitrure de gallium et un circuit électronique de contrôle de ces LEDs, de :
réaliser d'abord le circuit de contrôle sous la forme d'un circuit intégré comportant, sur une face, une pluralité de plots métalliques destinés à être connectés aux LEDs de façon à pouvoir contrôler, par exemple de façon individuelle, le courant circulant dans les LEDs ;
rapporter ensuite sur la face du circuit de contrôle comportant les plots métalliques un empilement actif de LED au nitrure de gallium comportant au moins des première et deuxième couches de nitrure de gallium dopées de types de conductivité opposés, de façon que l'une des première et deuxième couches de nitrure de gallium de l'empilement soit électriquement en contact avec les plots métalliques du circuit de contrôle ; puis
structurer l'empilement actif pour délimiter dans l'empilement les différentes LEDs du dispositif.
Un avantage de ce procédé de fabrication est que, lors de l'étape de report de l'empilement actif de LED au nitrure de gallium sur le circuit de contrôle, les positions des différentes LEDs du dispositif dans l'empilement actif ne sont pas encore définies. Il n'y a par conséquent pas de contrainte forte en termes de précision d'alignement lors du report. La délimitation des différentes LEDs dans l'empilement actif peut ensuite être réalisée par des procédés de structuration d'un substrat et de dépôt de couches isolantes et conductrices sur un substrat, qui offrent une précision d'alignement nettement supérieure à la précision qui peut être obtenue lors d'un report d'un substrat sur un autre.
Les figures 1A, 1B, 1C, 1D, 1E, 1F, 1G, 1H, II sont des vues en coupe illustrant des étapes d'un exemple d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique . La figure 1A représente de façon schématique un circuit intégré de contrôle 110, préalablement formé dans et sur un substrat semiconducteur 111, par exemple un substrat en silicium. Dans cet exemple, le circuit de contrôle 110 comprend, du côté de sa face supérieure, pour chacune des LEDs du dispositif, un plot métallique de connexion 113 destiné à être connecté à l'une des électrodes (anode ou cathode) de la LED, de façon à pouvoir commander un courant circulant dans la LED et/ou appliquer une tension aux bornes de la LED. Le circuit de contrôle comprend par exemple, pour chaque LED, connectée au plot métallique 113 dédié à la LED, une cellule élémentaire de contrôle comportant un ou plusieurs transistors, permettant de contrôler le courant circulant dans la LED et/ou une tension appliquée aux bornes de la LED. Le circuit de contrôle 110 est par exemple réalisé en technologie CMOS. Les plots métalliques 113 peuvent être latéralement entourés par un matériau isolant 114, par exemple de l'oxyde de silicium, de façon que le circuit de contrôle 110 présente une surface supérieure sensiblement plane comprenant une alternance de régions métalliques 113 et de régions isolantes 114. Le contact sur les électrodes des LEDs (cathodes ou anodes) non connectées aux plots 113, peut être pris de façon collective, par exemple dans une région périphérique du circuit de contrôle 110, par l'intermédiaire d'un ou plusieurs plots de connexion (non visibles sur la figure) du circuit de contrôle 110.
La figure 1A représente en outre de façon schématique un empilement actif de LED au nitrure de gallium 150, disposé sur la face supérieure d'un substrat de support 151. Le substrat de support 151 est par exemple un substrat en silicium, en saphir, en corindon, ou en tout autre matériau sur lequel un empilement actif de LED au nitrure de gallium peut être déposé. Dans l'exemple représenté, l'empilement actif comprend, dans l'ordre à partir de la surface supérieure du substrat 151, une couche de nitrure de gallium dopé de type N 153, une couche émissive 155, et une couche de nitrure de gallium dopé de type P 157. La couche émissive 155 est par exemple constituée par un empilement d'une ou plusieurs couches émissives formant chacune un puit quantique, par exemple à base de GaN, InN, InGaN, AlGaN, AIN, AlInGaN, GaP, AlGaP, AlInGaP, ou d'une combinaison d'un ou plusieurs de ces matériaux. A titre de variante, la couche émissive 155 peut être une couche de nitrure de gallium intrinsèque, c'est-à-dire non intention¬ nellement dopée, par exemple de concentration en donneurs résiduels comprise entre ÎO-^ et ÎO-^ atomes/cm-^, par exemple de l'ordre de 10^ atomes/cm-^. Dans cet exemple, la face inférieure de la couche émissive 155 est en contact avec la face supérieure de la couche 153, et la face supérieure de la couche émissive 155 est en contact avec la face inférieure de la couche 157. En pratique, selon la nature du substrat 151, un empilement d'une ou plusieurs couches tampon (non représentées) peut faire interface entre le substrat de support 151 et la couche de nitrure de gallium 153. L'empilement actif 150 est par exemple déposé par épitaxie sur le substrat de support 151.
La figure 1B illustre une étape de dépôt, sur la face supérieure du circuit de contrôle 110, d'une couche métallique 116. Dans l'exemple représenté, la couche métallique 116 revêt sensiblement toute la surface supérieure du circuit de contrôle 110. En particulier, la couche métallique 116 est en contact avec les plots métalliques de connexion 113 du circuit de contrôle 110.
La figure 1B illustre en outre une étape de dépôt, sur la face supérieure de l'empilement actif de diode au nitrure de gallium 150, d'une couche métallique 159. Dans l'exemple représenté, la couche métallique 159 est disposée sur et en contact avec la face supérieure de la couche de nitrure de gallium 157. La couche métallique 159 revêt par exemple sensiblement toute la surface supérieure de l'empilement actif.
La figure 1C illustre une étape au cours de laquelle l'empilement actif de LED au nitrure de gallium 150 est rapporté sur la face supérieure du circuit de contrôle 110. Pour cela, l'ensemble comportant le substrat de support 151 et l'empilement actif 150 peut être retourné, puis rapporté sur le circuit de contrôle 110, de façon à mettre en contact la face supérieure (dans l'orientation de la figure 1B) de la couche métallique 159 en contact avec la face supérieure de la couche métallique 116. Au cours de cette étape, l'empilement actif 150 est fixé (bonded) au circuit de contrôle 110. A titre d'exemple, la fixation de l'empilement actif 150 sur le circuit de contrôle 110 peut être obtenue par collage moléculaire entre les deux surfaces mises en contact. A titre de variante, la fixation des deux surfaces peut être réalisée par thermocompression, collage eutectique, ou par toute autre méthode de fixation adaptée.
La figure 1D illustre une étape postérieure à l'étape de report de la figure 1C, au cours de laquelle le substrat de support 151 de l'empilement actif de LED au nitrure de gallium 150 est retiré de façon à découvrir la face supérieure de la couche de nitrure de gallium 153. Le substrat 151 est par exemple retiré par meulage et/ou gravure à partir de sa face opposée à l'empilement actif 150. A titre de variante, dans le cas d'un substrat 151 transparent, par exemple un substrat en saphir ou en corindon, le substrat 151 peut être détaché de l'empilement actif 150 au moyen d'un faisceau laser projeté à travers le substrat 151 depuis sa face opposée à l'empilement actif 150 (procédé de type laser lift-off) . Plus généralement, toute autre méthode permettant de retirer le substrat 151 peut être utilisée. Après le retrait du substrat, une étape supplémentaire de gravure peut être prévue pour retirer d'éventuelles couches tampon subsistant du côté de la face supérieure de la couche de nitrure de gallium
153. En outre, une partie de l'épaisseur de la couche de nitrure de gallium 153 peut être retirée, par exemple par gravure. A l'issue de cette étape, l'empilement actif 150 revêt sensiblement toute la surface du circuit de contrôle 110, sans discontinuité. A titre d'exemple, l'épaisseur de l'empilement actif 150 à l'issue de l'étape de la figure 1D est comprise entre 0,5 et 2 ym.
La figure 1E illustre une étape postérieure à l'étape de la figure 1D, au cours de laquelle des tranchées sont formées dans l'empilement actif 150, depuis sa face supérieure, par exemple par lithographie puis gravure, de façon à délimiter une pluralité de LEDs au nitrure de gallium 172. Chaque LED 172 correspond à un îlot ou mesa formé dans l'empilement 150 et entouré latéralement par une tranchée 170. Les tranchées 170 s'étendent verticalement sur toute la hauteur de l'empilement 150. Ainsi, chaque LED 172 comprend un empilement vertical comportant, dans l'ordre à partir de la surface supérieure de la couche métallique 159, une portion de la couche de nitrure de gallium 157, correspondant à l'anode de la LED dans cet exemple, une portion de la couche émissive 155, et une portion de la couche de nitrure de gallium 153, correspondant à la cathode de la LED dans cet exemple. Les tranchées 170 peuvent être alignées sur des repères préalablement formés sur le circuit de contrôle 110. Dans l'exemple représenté, chaque LED 172 est située, en projection verticale, en regard d'un unique plot métallique 113 du circuit de contrôle 110. Dans cet exemple, les tranchées 170 sont situées, en projection verticale, en regard des régions isolantes 114 de la face supérieure du circuit de contrôle 110. Dans l'exemple représenté, la couche métallique 159 sert de couche d'arrêt de gravure lors de la réalisation des tranchées 170 dans l'empilement actif 150.
La figure 1F illustre une étape ultérieure de retrait, par exemple par gravure, des portions des couches métalliques 159 et 116 situées au fond des tranchées 170, de façon à prolonger les tranchées 170 jusqu'aux régions isolantes 114 de la face supérieure du circuit de contrôle 110. A l'issue de cette étape, les anodes (régions 157) des différentes LEDs 172 sont isolées électriquement les unes des autres par les tranchées 170, et chaque LED 172 a son anode connectée au plot métallique 113 sous- jacent par l'intermédiaire des portions de couches métalliques 159 et 116 subsistant entre la LED et le plot 113. Ceci permet un contrôle individuel des LEDs par le circuit de contrôle 110.
La figure 1G illustre une étape ultérieure de dépôt, sur les flancs des LEDs 172, d'une couche isolante de passivation 174, par exemple en oxyde de silicium. La couche 174 est par exemple déposée sur toute la surface supérieure de l'assemblage par une technique de dépôt conforme, puis retirée uniquement sur la face supérieure des LEDs 172 et au fond des tranchées 170, par exemple par gravure anisotrope.
La figure 1H illustre une étape postérieure à l'étape de la figure 1G, au cours de laquelle les tranchées 170 sont comblées par un matériau isolant 176, par exemple de l'oxyde de silicium. A titre d'exemple, une couche d'oxyde de silicium suffisamment épaisse pour combler les tranchées 170 est déposée sur toute la surface supérieure de l'assemblage, puis une étape de planarisation, par exemple une planarisation mécanochimique (CMP) , est mise en oeuvre pour retirer l'oxyde de silicium sur la surface supérieure des LEDs 172. A l'issue de cette étape, la face supérieure de l'assemblage est sensiblement plane et comprend une alternance de régions isolantes 174, 176 et de régions de nitrure de gallium 153. En variante, l'étape de remplissage des tranchées 170 (figure 1H) et l'étape de passivation des flancs des LEDs (figure 1G) peuvent être combinées.
La figure 1H illustre en outre une étape postérieure au remplissage des tranchées 170 par le matériau isolant 176, au cours de laquelle une ou plusieurs métallisations 178 sont formées sur la face supérieure du dispositif, en contact avec les régions de cathode 153 des LEDs 172. Dans cet exemple, les régions de cathode des LEDs 172 sont toutes connectées à une même métallisation 178. La métallisation 178 forme une grille venant contacter, sur chacune des LEDs 172, une partie périphérique de la face supérieure de la région de cathode 153 de la LED. Au niveau de chacune des LEDs 172, une partie centrale de la LED n'est en revanche pas recouverte par la grille métallique 178, de façon à permettre le passage de la lumière émise par la LED. En effet, dans l'exemple représenté, le dispositif d'affichage est destiné à être observé du côté de sa face supérieure. La grille métallique 178 peut être connectée au circuit de contrôle 110, par exemple par l'intermédiaire d'un ou plusieurs vias (non représentés) formés dans l'empilement actif 150 ou dans le matériau isolant 176 de remplissage des tranchées 170, par exemple dans une région périphérique du dispositif.
La figure II illustre une étape postérieure au dépôt des métallisations 178, au cours de laquelle une couche isolante 180, par exemple en oxyde de silicium, est déposée sur sensiblement toute la surface supérieure du dispositif, pour protéger les métallisations 178 et les portions apparentes de la couche de nitrure de gallium 153. La couche isolante 180 peut être planarisée de façon à obtenir un dispositif d'affichage présentant une surface supérieure sensiblement plane.
Dans l'exemple de réalisation décrit en relation avec les figures 1A à II, le dépôt des couches métalliques 116 et 159 sur le circuit de contrôle 110 et sur l'empilement actif 150 (étape de la figure 1B) préalablement au report de l'empilement actif 150 sur le circuit de contrôle 110 (étape de la figure 1C) présente plusieurs avantages.
En particulier, les couches 116 et 159 permettent d'améliorer la qualité du collage entre les deux structures. En effet, bien que possible, le collage direct de la face supérieure (dans l'orientation de la figure 1A) de la couche de nitrure de gallium 157 sur la surface supérieure du circuit de contrôle 110 (comprenant une alternance de régions isolantes 114 et de régions métalliques 113) est relativement délicate à réaliser.
En outre, la couche 159 peut avantageusement être choisie pour réaliser un bon contact ohmique avec la couche de nitrure de gallium 157. Le matériau des plots métalliques 113 du circuit de contrôle 110, par exemple du cuivre ou de l'aluminium, peut en effet ne pas être adapté à la réalisation d'un tel contact ohmique .
De plus, les couches 116 et/ou 159 peuvent comprendre un métal réfléchissant pour la lumière émise par les LEDs 172, de façon à augmenter l'efficacité d'émission et éviter des déperditions de lumière dans le circuit de contrôle 110.
Par ailleurs, la couche 116 et/ou la couche 159 peuvent être choisies de façon à éviter que du métal des plots de connexion 113 du circuit de contrôle, par exemple du cuivre, ne diffuse vers la couche de nitrure de gallium 157, ce qui pourrait notamment dégrader la qualité du contact ohmique avec la couche de nitrure de gallium 157.
En pratique, chacune des couches 116 et 159 peut être une couche unique ou un empilement d'une ou plusieurs couches de métaux différents permettant d'assurer tout ou partie des fonctions susmentionnées.
A titre d'exemple la couche 116 comprend une couche supérieure en un métal de même nature qu'une couche supérieure (dans l'orientation de la figure 1B) de la couche 159, ce métal étant choisi pour obtenir un bon collage entre les deux structures lors de l'étape de la figure 1C, par exemple un métal du groupe comprenant le Ti, le Ni, le Pt, le Sn, l'Au, l'Ag, l'Ai, le Pd, le W, le Pb, le Cu, l'AuSn, le TiSn, le NiSn ou un alliage de tout ou partie de ces matériaux. L'empilement formé par les couches 116 et 159 peut en outre comprendre une ou plusieurs couches en des métaux adaptés à réfléchir la lumière émise par les LEDs, par exemple de l'argent. De plus, l'empilement formé par les couches 116 et 159 peut comprendre une ou plusieurs couches adaptées à faire barrière à la diffusion de métaux tels que le cuivre ou l'argent compris dans l'empilement 116/159 et/ou dans les plots métalliques 113, par exemple des couches de TaN, TiN, WN, TiW, ou d'une combinaison de tout ou partie de ces matériaux.
En variante, la couche 116 et/ou la couche 159 peuvent toutefois être omises. De préférence, au moins l'une des couches 116 et 159 est prévue, de préférence la couche 159 formée côté empilement actif de LED 150.
La figure 2 est une vue en coupe illustrant une variante de réalisation du procédé des figures 1A, 1B, 1C, 1D, 1E, 1F, 1G, 1H, II. Le procédé de la figure 2 diffère du procédé décrit précédemment essentiellement en ce que, à l'étape de la figure 1H, après le remplissage des tranchées 170 par le matériau isolant 176, le contact sur les régions de cathode des LEDs 172 est réalisé non pas au moyen d'une métallisation 178 en un matériau opaque, mais par une électrode 182 en un matériau conducteur transparent, par exemple en ITO (oxyde d'indium étain) . Dans l'exemple représenté, l'électrode 182 est une électrode continue revêtant sensiblement toute la surface supérieure du dispositif. En particulier, dans cet exemple, l'électrode 182 recouvre sensiblement toute la surface supérieure des LEDs 172. L'électrode 182 peut être connectée au circuit de contrôle 110, par exemple par l'intermédiaire d'un ou plusieurs vias (non représentés) formés dans l'empilement actif 150 ou dans le matériau isolant 176 de remplissage des tranchées 170, par exemple dans une région périphérique du dispositif.
Les figures 3A, 3B, 3C, 3D sont des vues en coupe illustrant des étapes d'une autre variante de réalisation du procédé des figures 1A, 1B, 1C, 1D, 1E, 1F, 1G, 1H, II, adaptée à la réalisation d'un dispositif d'affichage d'images couleur. En effet, dans l'exemple des figures 1A, 1B, 1C, 1D, 1E, 1F, 1G, 1H, II, les LEDs 172 sont toutes sensiblement identiques, et émettent sensiblement à la même longueur d'onde. Le dispositif obtenu à l'issue de l'étape de la figure II est donc un dispositif d'affichage monochromatique.
Le procédé des figures 3A, 3B, 3C, 3D est mis en oeuvre en partant du dispositif obtenu à l'issue du procédé des figures 1A, 1B, 1C, 1D, 1E, 1F, 1G, 1H, II. Cette structure est représentée à nouveau sur la figure 3A.
La figure 3A illustre en outre de façon schématique une étape de formation, sur la face supérieure d'un substrat de support 201, par exemple un substrat de GaAs, d'un empilement 203 de conversion photoluminescent à puits quantiques multiples. L'empilement 203 comprend une pluralité de couches définissant chacune un puit quantique. L'empilement 203 est adapté à absorber des photons à la longueur d'onde d'émission des LEDs 172, et à réémettre des photons à une autre longueur d'onde. A titre d'exemple, l'empilement 203 est adapté à convertir de la lumière bleue en lumière rouge ou de la lumière bleue en lumière verte. L'empilement de conversion 203 est par exemple réalisé par épitaxie sur le substrat de support 201.
Dans l'exemple représenté, une couche de revêtement 205, par exemple une couche d'oxyde (par exemple de l'oxyde de silicium) , est déposée sur et en contact avec la surface supérieure de l'empilement de conversion 203, la couche 205 s 'étendant sur sensiblement toute la surface supérieure de l'empilement de conversion 203.
La figure 3B illustre une étape au cours de laquelle l'empilement de conversion 203 est rapporté sur la surface supérieure du dispositif d'affichage. Pour cela, l'ensemble comportant le substrat de support 201 et l'empilement de conversion 203 peut être retourné, puis rapporté sur le dispositif d'affichage, de façon à mettre en contact la face supérieure (dans l'orientation de la figure 3A) de la couche de revêtement 205 en contact avec la face supérieure de la couche supérieure 180 du dispositif d'affichage. Au cours de cette étape, l'empilement de conversion 203 est fixé (bonded) au dispositif d'affichage. A titre d'exemple, la fixation de l'empilement actif 203 sur le dispositif d'affichage peut être obtenue par collage moléculaire entre les deux surfaces mises en contact. A titre de variante, la fixation des deux surfaces peut être réalisée par thermocompression, collage eutectique, ou par toute autre méthode de fixation adaptée. La couche de revêtement 205 permet de favoriser le collage des deux structures. Toutefois, en variante, la couche 205 peut être omise, la surface supérieure (dans l'orientation de la figure 3A) de l'empilement de conversion 203 étant alors mise en contact directement avec la face supérieure du dispositif d'affichage.
La figure 3C illustre une étape postérieure à l'étape de report de la figure 3B, au cours de laquelle le substrat de support 201 de l'empilement de conversion 203 est retiré. Le substrat 201 est par exemple retiré par meulage et/ou gravure chimique à partir de sa face supérieure, c'est-à-dire sa face opposée à l'empilement de conversion 203. A l'issue de cette étape, l'empilement de conversion 203 revêt sensiblement toute la surface du dispositif d'affichage, sans discontinuité.
La figure 3D illustre une étape postérieure à l'étape de la figure 3C, au cours de laquelle des portions de l'empilement de conversion 203 sont retirées, par exemple par gravure sèche, en regard de certaines parties du dispositif d'affichage. Plus particulièrement, lors de cette étape, l'empilement de conversion 203 peut être retiré au-dessus de certaines LEDs 172, et conservé au-dessus des autres LEDs 172. On obtient ainsi un dispositif d'affichage comportant des premiers pixels adaptés à émettre de la lumière à une première longueur d'onde, et des deuxièmes pixels adaptés à émettre de la lumière à une deuxième longueur d'onde.
En variante, pour augmenter le nombre de couleurs susceptibles d'être affichées par le dispositif, les étapes des figures 3A, 3B, 3C, 3D peuvent être répétées plusieurs fois pour déposer des empilements de conversion photoluminescents à puits quantiques multiples présentant des propriétés de conversion différentes .
Par ailleurs, à titre de variante, le procédé des figures 3A, 3B, 3C, 3D peut être mis en oeuvre en prenant comme structure de départ le dispositif d'affichage monochromatique de la figure 2.
Des modes de réalisation particuliers ont été décrits. Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, les types de conductivité des couches de nitrure de gallium 153 (de type N dans les exemples décrits) et 157 (de type P dans les exemples décrits) peuvent être inversés.
En outre, des étapes supplémentaires peuvent être prévues pour réaliser, du côté de la face supérieure des dispositifs d'affichage des structures adaptées à améliorer l'extraction de la lumière émise par les LEDs.
Par ailleurs, bien que l'on ait décrit uniquement des exemples de réalisation de dispositifs d'affichage à base de LEDs au nitrure de gallium, les modes de réalisation décrits peuvent être adaptés à la fabrication d'un capteur comportant une pluralité de photodiodes au nitrure de gallium adressables individuellement pour acquérir une image.
Plus généralement, les modes de réalisation décrits peuvent être adaptés à la fabrication de tout dispositif d'affichage ou capteur photosensible à base de diodes semi- conductrices, y compris à base de matériaux semiconducteurs autres que le nitrure de gallium, par exemple des diodes à base d'autres matériaux semi-conducteurs III-V ou des diodes à base de silicium.

Claims

REVENDICATIONS
1. Procédé de fabrication d'un dispositif opto¬ électronique, comportant les étapes successives suivantes :
a) rapporter, sur une face d'un circuit intégré de contrôle (110) comportant une pluralité de plots métalliques (113) de connexion, un empilement actif (150) de diode comportant au moins des première (153) et deuxième (157) couches semi- conductrices dopées de types de conductivité opposés, de façon que la deuxième couche (157) de l'empilement soit électriquement connectée aux plots métalliques (113) du circuit de contrôle (110) ; et
b) former dans l'empilement actif (150) des tranchées (170) délimitant une pluralité de diodes (172) connectées à des plots métalliques (113) distincts du circuit de contrôle (110) .
2. Procédé selon la revendication 1, comportant en outre, avant l'étape a), au moins l'une des étapes suivantes :
une étape de dépôt d'au moins une première couche métallique (116) sur sensiblement toute la surface du circuit de contrôle (110) côté plots métalliques (113) ; et
une étape de dépôt d'au moins une deuxième couche métallique (159) sur sensiblement toute la surface de la deuxième couche (157) semiconductrice opposée à la première couche (153) semiconductrice .
3. Procédé selon la revendication 2, dans lequel au moins l'une des première (116) et deuxième (159) couches métalliques comprend une couche réfléchissante en argent.
4. Procédé selon la revendication 2 ou 3, dans lequel au moins l'une des première (116) et deuxième (159) couches métalliques comprend une couche barrière en TaN, TiN, WN, TiW, ou en une combinaison d'un ou plusieurs de ces matériaux.
5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 4, dans lequel au moins l'une des première (116) et deuxième (159) couches métalliques comprend une couche de collage en Ti, Ni, Pt, Sn, Au, Ag, Al, Pd, W, Pb, Cu, AuSn, TiSn, NiSn ou en un alliage de tout ou partie de ces matériaux.
6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 5, dans lequel les tranchées (170) formées à l'étape b) s'étendent sur toute la hauteur de l'empilement actif (150) et traversent les première (116) et deuxième (159) couches métalliques.
7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel, lors de la mise en oeuvre de l'étape a), l'empilement actif (150) est supporté par un substrat de support (201) situé du côté de la première couche (153) semiconductrice opposé à la deuxième couche (157) semiconductrice, le procédé comprenant en outre, entre l'étape a) et l'étape b) , une étape de retrait du substrat de support (201) .
8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, comportant en outre, après l'étape b) , une étape de dépôt, sur chaque diode (172), d'une électrode (178 ; 182) sur et en contact avec la face de la première couche (153) semiconductrice opposée à la deuxième couche (157) semiconductrice.
9. Procédé selon la revendication 8, dans lequel lesdites électrodes (178) forment une grille métallique continue agencée de façon que, au niveau de chaque diode (172), dans une partie périphérique de la diode (172) , la face de la première couche (153) semiconductrice opposée à la deuxième couche (157) semiconductrice soit en contact avec la grille, et, dans une partie centrale de la diode (172) , la face de la première couche (153) semiconductrice ne soit pas revêtue par la grille.
10. Procédé selon la revendication 8, dans lequel lesdites électrodes (182) forment une couche continue en un matériau conducteur transparent, revêtant sensiblement toute la surface du dispositif.
11. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel lesdites diodes (172) semiconductrices sont des diodes électroluminescentes.
12. Procédé selon la revendication 11, comportant en outre, après l'étape b) , une étape de report, sur la face du dispositif opposée au circuit de contrôle (110), d'un empilement de conversion (203) photoluminescent à puits quantiques multiples revêtant sensiblement toute la surface du dispositif.
13. Procédé selon la revendication 12, comprenant en outre, après le report de l'empilement de conversion (203), une étape de retrait de l'empilement de conversion (203) en regard de certaines seulement des diodes (172) semiconductrices.
14. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel lesdites diodes sont des photodiodes.
15. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 14, dans lequel les première (153) et deuxième (157) couches semiconductrices sont des couches de nitrure de gallium, lesdites diodes (172) étant des diodes au nitrure de gallium.
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KR1020187032475A KR102574122B1 (ko) 2016-05-13 2016-05-13 복수의 질화갈륨 다이오드를 포함하는 광전자 장치를 제조하기 위한 방법
CN201680085385.3A CN109564930B (zh) 2016-05-13 2016-05-13 用于生产包括多个氮化镓二极管的光电设备的方法
US16/095,335 US10734439B2 (en) 2016-05-13 2016-05-13 Method for producing an optoelectronic device comprising a plurality of gallium nitride diodes
JP2018560010A JP6843885B2 (ja) 2016-05-13 2016-05-13 複数の窒化ガリウムダイオードを備えた光電子デバイスを製造する方法
EP21183598.8A EP3913680B1 (fr) 2016-05-13 2016-05-13 Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique comportant une pluralité de diodes au nitrure de gallium
EP16730449.2A EP3455882B1 (fr) 2016-05-13 2016-05-13 Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique comportant une pluralité de diodes au nitrure de gallium
ES16730449T ES2896179T3 (es) 2016-05-13 2016-05-13 Procedimiento de fabricación de un dispositivo optoelectrónico que incluye una pluralidad de diodos de nitruro de galio
ES21183598T ES3044229T3 (en) 2016-05-13 2016-05-13 Method for manufacturing an optoelectronic device comprising a plurality of gallium nitride diodes
PCT/FR2016/051140 WO2017194845A1 (fr) 2016-05-13 2016-05-13 Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique comportant une pluralité de diodes au nitrure de gallium
EP25190725.9A EP4615198A3 (fr) 2016-05-13 2016-05-13 Procede de fabrication d'un dispositif optoelectronique comportant une pluralite de diodes au nitrure de gallium
TW106115721A TWI716595B (zh) 2016-05-13 2017-05-12 包括複數個氮化鎵二極體的光電元件的製造方法

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Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3624192A1 (fr) 2018-09-13 2020-03-18 Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique comprenant une pluralité de diodes
EP3627210A1 (fr) 2018-09-24 2020-03-25 Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives Système de vision en réalité virtuelle ou augmentée avec capteur d'image de l'oeil, et procédé associé
EP3671841A1 (fr) 2018-12-19 2020-06-24 Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique comportant une pluralité de diodes
FR3094568A1 (fr) * 2019-03-29 2020-10-02 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procédé de fabrication d'un écran d'affichage émissif à LED tridimensionnelles
EP3780123A1 (fr) 2019-08-16 2021-02-17 Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives Procédé de fabrication de dispositifs optoélectroniques
US10991751B2 (en) 2017-02-21 2021-04-27 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Print sensor with gallium nitride LED
EP3916788A1 (fr) 2020-05-29 2021-12-01 Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique comportant une pluralité de diodes
FR3118306A1 (fr) * 2020-12-22 2022-06-24 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procédé de réalisation d’un dispositif optoélectronique comportant des LED à base de nitrure
FR3119931A1 (fr) 2021-02-17 2022-08-19 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif optoélectronique et procédé de fabrication d'un tel dispositif
EP4383338A1 (fr) 2022-12-07 2024-06-12 Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives Procede de fabrication d'un dispositif optoelectronique comprenant une led et une photodiode
WO2024120963A1 (fr) 2022-12-07 2024-06-13 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de fabrication d'un dispositif optoelectronique comprenant une led et une photodiode
US20240274647A1 (en) * 2021-08-24 2024-08-15 Japan Display Inc. Light emitting device
EP4518618A1 (fr) 2023-09-04 2025-03-05 Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives Procede de fabrication d'un dispositif optoelectronique a conversion de couleur, comportant une etape de polarisation d'une couche electret de maniere localisee au moyen des electrodes superieures des diodes
EP4572574A1 (fr) 2023-12-14 2025-06-18 Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique à conversion de couleur par dépôt localisé de particules photoluminescentes sur des zones de conversion prédéfinies à potentiel de surface structuré
FR3160511A1 (fr) 2024-03-19 2025-09-26 Commissariat A L' Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procédé de fabrication de dispositifs opto-électroniques

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111863853A (zh) * 2019-04-24 2020-10-30 深圳第三代半导体研究院 一种垂直集成单元二极管芯片
CN111863802A (zh) * 2019-04-24 2020-10-30 深圳第三代半导体研究院 一种垂直集成单元二极管芯片
JP7432845B2 (ja) 2019-05-10 2024-02-19 日亜化学工業株式会社 画像表示装置の製造方法および画像表示装置
WO2021020393A1 (fr) * 2019-07-30 2021-02-04 日亜化学工業株式会社 Procédé de fabrication de dispositif d'affichage d'image et dispositif d'affichage d'image
CN110429097B (zh) * 2019-07-31 2022-07-12 成都辰显光电有限公司 一种显示面板、显示装置和显示面板的制备方法
EP4040511B1 (fr) 2019-10-01 2025-10-08 Nichia Corporation Procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage d'images et dispositif d'affichage d'images
WO2021075728A1 (fr) 2019-10-15 2021-04-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Module d'affichage et son procédé de fabrication
WO2021095603A1 (fr) 2019-11-11 2021-05-20 日亜化学工業株式会社 Procédé de fabrication de dispositif d'affichage d'image et dispositif d'affichage d'image
JP7091598B2 (ja) 2020-05-20 2022-06-28 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
GB2596533B (en) * 2020-06-29 2023-02-15 Plessey Semiconductors Ltd Hybrid microdisplay
FR3114685B1 (fr) * 2020-09-30 2024-12-13 Aledia Dispositif optoélectronique
FR3115158B1 (fr) 2020-10-12 2022-10-14 St Microelectronics Res & Dev Ltd Pixel à SPAD
TWI862735B (zh) * 2020-11-17 2024-11-21 晶智達光電股份有限公司 雷射元件
CN116235305B (zh) 2020-11-25 2026-03-06 日亚化学工业株式会社 图像显示装置的制造方法以及图像显示装置
KR102848509B1 (ko) * 2021-04-30 2025-08-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
US20230299228A1 (en) * 2022-02-04 2023-09-21 Meta Platforms Technologies, Llc Common anode architecture facilitated by p-doping
KR20240118985A (ko) * 2023-01-27 2024-08-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
TWI910524B (zh) * 2023-12-25 2026-01-01 美商美國量子像素公司 半導體結構
FR3159853B1 (fr) 2024-03-04 2026-01-16 Commissariat Energie Atomique Dispositif optoelectronique comportant une diode electroluminescente superposee a un photodetecteur

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130049038A1 (en) * 2011-08-22 2013-02-28 Hwan Hee Jeong Light emitting device and light emitting device package
US20130126890A1 (en) * 2011-11-23 2013-05-23 International Business Machines Corporation Integrating active matrix inorganic light emitting diodes for display devices
US20150115387A1 (en) * 2013-10-29 2015-04-30 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Ene Alt Method of manufacturing a device comprising an integrated circuit and photovoltaic cells

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003152220A (ja) * 2001-11-15 2003-05-23 Sharp Corp 半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子
US6913985B2 (en) * 2003-06-20 2005-07-05 Oki Data Corporation Method of manufacturing a semiconductor device
JP2006286981A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Kyocera Corp 発光装置および画像形成装置
KR100599012B1 (ko) * 2005-06-29 2006-07-12 서울옵토디바이스주식회사 열전도성 기판을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는방법
US7795054B2 (en) * 2006-12-08 2010-09-14 Samsung Led Co., Ltd. Vertical structure LED device and method of manufacturing the same
DE102007043877A1 (de) * 2007-06-29 2009-01-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Bauelementen und optoelektronisches Bauelement
US8183582B2 (en) * 2007-10-16 2012-05-22 LumaChip, Inc. Bare die semiconductor device configured for lamination
EP2232590A4 (fr) * 2007-12-10 2013-12-25 3M Innovative Properties Co Dispositif émettant de la lumière à semi-conducteurs et son procédé de fabrication
JP5312988B2 (ja) * 2009-03-04 2013-10-09 スタンレー電気株式会社 光半導体装置及びその製造方法
WO2011126248A2 (fr) * 2010-04-06 2011-10-13 Seoul Opto Device Co., Ltd. Diode électroluminescente et procédé de fabrication de celle-ci
US8604491B2 (en) * 2011-07-21 2013-12-10 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Wafer level photonic device die structure and method of making the same
US8581267B2 (en) * 2011-11-09 2013-11-12 Toshiba Techno Center Inc. Series connected segmented LED
DE102012204987B4 (de) * 2011-11-29 2014-04-17 Ihp Gmbh - Innovations For High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut Für Innovative Mikroelektronik Licht-emittierende Halbleiterstruktur und opto-elektronisches Bauelement daraus
DE102011056888A1 (de) * 2011-12-22 2013-06-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung
FR2992466A1 (fr) * 2012-06-22 2013-12-27 Soitec Silicon On Insulator Procede de realisation de contact pour led et structure resultante
FR2992465B1 (fr) * 2012-06-22 2015-03-20 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication collective de leds et structure pour la fabrication collective de leds
KR20140031601A (ko) * 2012-09-05 2014-03-13 에피스타 코포레이션 발광다이오드 어레이
DE102012112530A1 (de) * 2012-12-18 2014-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
JP5723497B2 (ja) * 2013-03-28 2015-05-27 東芝ホクト電子株式会社 発光装置の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130049038A1 (en) * 2011-08-22 2013-02-28 Hwan Hee Jeong Light emitting device and light emitting device package
US20130126890A1 (en) * 2011-11-23 2013-05-23 International Business Machines Corporation Integrating active matrix inorganic light emitting diodes for display devices
US20150115387A1 (en) * 2013-10-29 2015-04-30 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Ene Alt Method of manufacturing a device comprising an integrated circuit and photovoltaic cells

Cited By (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10991751B2 (en) 2017-02-21 2021-04-27 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Print sensor with gallium nitride LED
FR3086100A1 (fr) 2018-09-13 2020-03-20 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de fabrication d'un dispositif optoelectronique comprenant une pluralite de diodes
EP3624192A1 (fr) 2018-09-13 2020-03-18 Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique comprenant une pluralité de diodes
EP3627210A1 (fr) 2018-09-24 2020-03-25 Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives Système de vision en réalité virtuelle ou augmentée avec capteur d'image de l'oeil, et procédé associé
FR3086399A1 (fr) 2018-09-24 2020-03-27 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Systeme de vision en realite virtuelle ou augmentee avec capteur d'image de l'œil, et procede associe
EP3671841A1 (fr) 2018-12-19 2020-06-24 Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique comportant une pluralité de diodes
CN113678251A (zh) * 2019-03-29 2021-11-19 原子能与替代能源委员会 用于制造基于led的三维发射型显示屏的方法
JP2022526386A (ja) * 2019-03-29 2022-05-24 コミサリア ア エナジー アトミック エ オックス エナジーズ オルタネティヴ 三次元ｌｅｄベースの発光型ディスプレイスクリーンを製造する方法
US12514051B2 (en) 2019-03-29 2025-12-30 Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives Process for manufacturing a three-dimensional LED-based emissive display screen
WO2020201150A1 (fr) * 2019-03-29 2020-10-08 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de fabrication d'un ecran d'affichage emissif a led tridimensionnelles
JP7514256B2 (ja) 2019-03-29 2024-07-10 コミサリア ア エナジー アトミック エ オックス エナジーズ オルタネティヴ 三次元ｌｅｄベースの発光型ディスプレイスクリーンを製造する方法
FR3094568A1 (fr) * 2019-03-29 2020-10-02 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procédé de fabrication d'un écran d'affichage émissif à LED tridimensionnelles
EP3780123A1 (fr) 2019-08-16 2021-02-17 Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives Procédé de fabrication de dispositifs optoélectroniques
FR3099966A1 (fr) 2019-08-16 2021-02-19 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procédé de fabrication de dispositifs optoélectroniques
FR3111013A1 (fr) 2020-05-29 2021-12-03 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique comportant une pluralité de diodes
EP3916788A1 (fr) 2020-05-29 2021-12-01 Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique comportant une pluralité de diodes
US11658260B2 (en) 2020-05-29 2023-05-23 Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives Method of manufacturing an optoelectronic device comprising a plurality of diodes
FR3118306A1 (fr) * 2020-12-22 2022-06-24 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procédé de réalisation d’un dispositif optoélectronique comportant des LED à base de nitrure
EP4020604A1 (fr) 2020-12-22 2022-06-29 Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives Procédé de réalisation d'un dispositif optoélectronique comprenant des micro-leds à base de nitrure du groupe iii
US12080824B2 (en) 2020-12-22 2024-09-03 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Method for producing an optoelectronic device comprising microLEDs
FR3119931A1 (fr) 2021-02-17 2022-08-19 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif optoélectronique et procédé de fabrication d'un tel dispositif
WO2022175184A1 (fr) 2021-02-17 2022-08-25 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif optoélectronique et son procédé de fabrication
US20240274647A1 (en) * 2021-08-24 2024-08-15 Japan Display Inc. Light emitting device
FR3143197A1 (fr) 2022-12-07 2024-06-14 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique comprenant une LED et une photodiode
FR3143196A1 (fr) 2022-12-07 2024-06-14 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique comprenant une LED et une photodiode
WO2024120963A1 (fr) 2022-12-07 2024-06-13 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de fabrication d'un dispositif optoelectronique comprenant une led et une photodiode
EP4383338A1 (fr) 2022-12-07 2024-06-12 Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives Procede de fabrication d'un dispositif optoelectronique comprenant une led et une photodiode
EP4518618A1 (fr) 2023-09-04 2025-03-05 Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives Procede de fabrication d'un dispositif optoelectronique a conversion de couleur, comportant une etape de polarisation d'une couche electret de maniere localisee au moyen des electrodes superieures des diodes
FR3152644A1 (fr) 2023-09-04 2025-03-07 Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives Procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique à conversion de couleur, comportant une étape de polarisation d’une couche électret de manière localisée au moyen des électrodes supérieures des diodes
EP4572574A1 (fr) 2023-12-14 2025-06-18 Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique à conversion de couleur par dépôt localisé de particules photoluminescentes sur des zones de conversion prédéfinies à potentiel de surface structuré
FR3156998A1 (fr) 2023-12-14 2025-06-20 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de fabrication d’un dispositif optoélectronique a conversion de couleur par depôt localise de particules photoluminescentes sur des zones de conversion prédéfinies a potentiel de surface structuré
FR3160511A1 (fr) 2024-03-19 2025-09-26 Commissariat A L' Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procédé de fabrication de dispositifs opto-électroniques
EP4626186A1 (fr) 2024-03-19 2025-10-01 Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives Procédé de fabrication de dispositifs opto-électroniques

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