WO2017199510A1 - 蛍光測定装置の校正用基準体 - Google Patents

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隆之 中村
喜浩 石上
房宣 近藤
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Definitions

  • the present disclosure relates to a calibration reference body for a fluorescence measuring apparatus.
  • Immunochromatography assay (lateral flow immunoassay) is known as a method for specimen testing such as blood test, and recently, a method using a fluorescent label is used in quantitative diagnosis including a low color development region that is difficult to visually judge. Yes.
  • Patent Document 1 discloses a technique related to an immunochromatographic assay using a fluorescent label.
  • a fluorescence measuring device In the method using a fluorescent label as described above, a fluorescence measuring device is used. In order to obtain a highly reliable test result, the fluorescence measurement by the fluorescence measuring device needs to be performed with a constant measurement sensitivity. For these reasons, there is a need for a reference body for calibrating the fluorescence measuring apparatus (for example, checking machine differences, adjusting measurement sensitivity, failure diagnosis, etc.).
  • the present disclosure has been made in view of the above problems, and an object of the present disclosure is to provide a calibration reference body for a fluorescence measuring apparatus that can stably check the measurement sensitivity of the fluorescence measuring apparatus in a wide dynamic range. To do.
  • One aspect of the present disclosure includes a first light passage portion and a second light passage portion, and a first housing space that faces the first light passage portion and a second housing space that faces the second light passage portion. And a first phosphor that is accommodated in the first accommodation space and emits first fluorescence in the second wavelength region when the first excitation light in the first wavelength region is irradiated through the first light passing portion.
  • the present invention relates to a reference body for calibration of a fluorescence measuring device, comprising: a light shielding portion disposed between a housing space and a second housing space.
  • a reference body for calibration of a fluorescence measuring device, comprising: a light shielding portion disposed between a housing space and a second housing space.
  • the excitation light and the fluorescence in one phosphor affect the excitation light and the fluorescence in the other phosphor by the light shielding portion disposed between the first accommodation space and the second accommodation space.
  • the light shielding portion disposed between the first accommodation space and the second accommodation space.
  • the support includes a first holding unit that holds the first phosphor accommodated in the first accommodation space, a second holding unit that holds the second phosphor accommodated in the second accommodation space, May be included.
  • the first phosphor is held in the first housing space, and the second phosphor is held in the second housing space, thereby suppressing variations in measured values. Thereby, the precision of calibration can be improved.
  • the first holding part may be a first wall part that defines a first accommodation space
  • the second holding part may be a second wall part that defines a second accommodation space.
  • At least one of the first wall portion and the second wall portion may constitute a light shielding portion.
  • At least a first region surrounding the first light passage portion and a second region surrounding the second light passage portion of the support may have light shielding properties.
  • first fluorescence and the second fluorescence it is possible to suppress the influence of the light irradiated to the first region (first excitation light) and the light irradiated to the second region (second excitation light). For this reason, variations in measured values are suppressed. Thereby, the precision of calibration can be improved.
  • the support may include a main body portion provided with the first accommodation space and the second accommodation space, and a lid portion provided with the first light passage portion and the second light passage portion. In this case, it is easy to configure the main body portion and the lid portion with materials corresponding to the respective functions.
  • the reference body is disposed between the first light passage portion and the first phosphor, and transmits a first light transmission member that transmits the first excitation light and the first fluorescence, a second light passage portion, and a first light passage portion. And a second light transmitting member that is disposed between the two fluorescent materials and transmits the second excitation light and the second fluorescence.
  • the first light transmitting member and the second light transmitting member can prevent deterioration of the phosphors (first phosphor and second phosphor) due to physical and chemical factors. Calibration can be performed.
  • the reference body is disposed between the first optical coupling material disposed between the first phosphor and the first light transmission member, and the second phosphor and the second light transmission member.
  • a second optical coupling material disposed between the first optical coupling material disposed between the first phosphor and the first light transmission member, and the second phosphor and the second light transmission member.
  • the optical loss at the interface between the phosphor and the light transmitting member is suppressed, so that variations in measured values are suppressed. Thereby, the precision of calibration can be improved.
  • the first light transmission member may have a function of changing the characteristics of the first excitation light
  • the second light transmission member may have a function of changing the characteristics of the second excitation light.
  • the amount and wavelength of the transmitted light that is, the phosphor (the first phosphor and the second phosphor) is irradiated. It becomes possible to adjust the light quantity and wavelength of the excitation light (first excitation light and second excitation light) to be performed.
  • At least one of the first phosphor and the second phosphor may include a semiconductor layer having a light emitting layer containing a semiconductor material as a phosphor.
  • the semiconductor material may be a compound semiconductor containing Ga.
  • the measurement sensitivity in the desired fluorescence wavelength region can be confirmed.
  • the compound semiconductor may be GaAs (1-x) P x (0 ⁇ x ⁇ 1). In this case, good fluorescence is obtained particularly in the red region.
  • the semiconductor layer may further include a layer containing AlGaAsP on the side where the excitation light of the light emitting layer is incident and on the opposite side.
  • the luminous efficiency of the phosphor tends to be excellent.
  • At least one of the first phosphor and the second phosphor may further include an antioxidant layer on the side where the excitation light of the light emitting layer is incident.
  • an antioxidant layer on the side where the excitation light of the light emitting layer is incident.
  • At least one of the first phosphor and the second phosphor may be made of a fluorescent resin containing a light-transmitting resin and a fluorescent material dispersed in the light-transmitting resin.
  • At least one of the first phosphor and the second phosphor may be made of a fluorescent glass containing glass and a fluorescent material dispersed in the glass.
  • FIG. 1 is a perspective view of an optical head of a fluorescence measuring apparatus and a chromatographic test tool.
  • FIG. 2 is a plan view of a reference body according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the reference body taken along line III-III in FIG.
  • FIG. 4 is a plan view of the main body of the reference body of FIG.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of a semiconductor phosphor that constitutes the reference phosphor of FIG.
  • FIG. 6A is a perspective view of a first modification of the reference phosphor according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 6B is a perspective view of a second modification of the reference phosphor according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 1 is a perspective view of an optical head of a fluorescence measuring apparatus and a chromatographic test tool.
  • FIG. 2 is a plan view of a reference body according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 3 is
  • FIG. 7 is a diagram illustrating a fluorescence excitation spectrum of a phosphor according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 8 is a diagram illustrating a fluorescence profile obtained by fluorescence measurement of a reference body according to an embodiment of the present disclosure.
  • a fluorescence measurement device 100 shown in FIG. 1 is a fluorescence measurement device (fluorescence immunochromatography reader) used for an immunochromatography assay.
  • the fluorescence measurement apparatus 100 includes a support base 110, an optical head 120, and a scanning mechanism (not shown).
  • the support stand 110 supports the chromatographic test tool 50.
  • the chromatographic test tool 50 includes a casing 51 and a chromatographic test piece 52.
  • the casing 51 has a rectangular plate shape in which the X-axis direction is the longitudinal direction and the Z-axis direction is the thickness direction.
  • the casing 51 has an opening 51a that opens on one side in the Z-axis direction.
  • the chromatographic test piece 52 is accommodated in the casing 51.
  • a plurality of color lines CL extending along the Y-axis direction are formed in the casing 51.
  • the plurality of color lines CL are arranged along the X-axis direction and are exposed to the outside through the opening 51a. Since each color line CL includes a fluorescent substance (and a fluorescent reagent containing them) bound to an antigen or an antibody, each color line CL is fluorescent in the second wavelength region by excitation light in the first wavelength region. To emit.
  • the optical head 120 includes an irradiation optical system 130 that irradiates the chromatographic test tool 50 with excitation light in the first wavelength range, a detection optical system 140 that detects fluorescence in the second wavelength range emitted from the chromatographic test tool 50, and have.
  • the irradiation optical system 130 includes a semiconductor light emitting element 131, a collimator lens 132, a light beam shaping member 133, a short pass filter 134, and a condenser lens 135.
  • the detection optical system 140 includes a long pass filter 141 and a semiconductor light receiving element 142.
  • the fluorescence measuring apparatus 100 has a mechanism that does not allow disturbance light to enter.
  • the optical head 120 is scanned in the X-axis direction by the scanning mechanism.
  • the excitation light in the first wavelength range emitted from the semiconductor light emitting element 131 is irradiated to the chromatographic test tool 50 through the collimator lens 132, the light beam shaping member 133, the short pass filter 134, and the condenser lens 135. Is done.
  • fluorescence in the second wavelength region is emitted from each color line CL, and the fluorescence is emitted from the semiconductor light receiving element 142 via the long pass filter 141. Is incident on. Thereby, the coloration degree of each color line CL is measured.
  • the first wavelength range refers to light (excitation light) having energy necessary to excite electrons in a fluorescent material that emits fluorescence in the second wavelength range to emit fluorescence in the second wavelength range. It is a wavelength range. Therefore, normally, the first wavelength range and the second wavelength range do not overlap in the wavelength range, and the peak wavelength of the first wavelength range is shorter than the peak wavelength of the second wavelength range.
  • the first wavelength range that is the wavelength range of the excitation light is determined according to the excitation characteristics of the fluorescent substance used
  • the second wavelength range that is the wavelength range of the fluorescence emitted by the color line CL is the color line CL.
  • the first wavelength range is adjusted by the type of the semiconductor light emitting element 131 and the short pass filter 134 and the like.
  • the reference body 1 shown in FIGS. 2 and 3 is used for calibration of the fluorescence measuring apparatus 100 described above.
  • the reference body 1 has a rectangular plate shape in which the X-axis direction is a longitudinal direction and the Z-axis direction is a thickness direction.
  • the shape and size of the reference body 1 are shapes and sizes according to the chromatographic test tool 50.
  • the reference body 1 includes a support 10, a first phosphor 20, and a second phosphor 30.
  • the reference body 1 further includes a first light transmission member 2, a second light transmission member 3, a first optical coupling material 4, and a second optical coupling material 5.
  • the support 10 has a main body 11 and a lid 12.
  • Each of the main body 11 and the lid 12 has a rectangular plate shape in which the X-axis direction is the longitudinal direction and the Z-axis direction is the thickness direction.
  • the lid 12 is disposed on the surface 11 a (the surface on one side in the Z-axis direction) of the main body 11, and is fixed to the main body 11 by the bolt 6.
  • the surface 11a of the main body 11 is provided with a first accommodation space 14 and a second accommodation space 15 that open to one side in the Z-axis direction.
  • the first accommodation space 14 and the second accommodation space 15 are arranged along the X-axis direction.
  • the first accommodating space 14 includes a first recess 14a formed on the surface 11a of the main body 11 and a first widened portion 14b widened on the opening side of the first recess 14a.
  • the second housing space 15 includes a second recess 15a formed on the surface 11a of the main body 11 and a second widened portion 15b widened on the opening side of the second recess 15a.
  • the first phosphor 20 is disposed in the first recess 14a.
  • the first phosphor 20 is held by a first wall portion (first holding portion) 16 that defines a first recess 14a.
  • the first phosphor 20 emits the first fluorescence in the second wavelength region when irradiated with the first excitation light in the first wavelength region.
  • the first light transmission member 2 is disposed in the first widened portion 14b.
  • the first light transmission member 2 transmits the first excitation light irradiated on the first phosphor 20 and the first fluorescence emitted from the first phosphor 20.
  • the first light transmission member 2 has a function of changing the characteristics of the first excitation light.
  • the first light transmission member 2 has a light reduction function for reducing the amount of transmitted first excitation light, a wavelength selection function for transmitting only light having a specific wavelength range, and the like.
  • a first optical coupling material 4 is disposed between the first phosphor 20 and the first light transmission member 2.
  • the first optical coupling material 4 optically couples the first phosphor 20 and the first light transmission member 2, and optically transmits light between the first phosphor 20 and the first light transmission member 2. Changes in the physical properties (wavelength, light quantity, etc.) are suppressed.
  • the first optical binder 4 may be a resin having optical transparency and adhesiveness. In FIG. 4, the first light transmission member 2 and the first optical coupling material 4 are indicated by a two-dot chain line.
  • the second phosphor 30 is disposed in the second recess 15a.
  • the 2nd fluorescent substance 30 is hold
  • the second phosphor 30 emits the second fluorescence in the second wavelength region when irradiated with the second excitation light in the first wavelength region.
  • the second light transmission member 3 is disposed in the second widened portion 15b.
  • the second light transmission member 3 transmits the second excitation light emitted to the second phosphor 30 and the second fluorescence emitted from the second phosphor 30.
  • the second light transmission member 3 has a function of changing the characteristics of the second excitation light.
  • the second light transmission member 3 has a dimming function for reducing the amount of the second excitation light to be transmitted, a wavelength selection function for transmitting only light having a specific wavelength range, and the like.
  • the second optical coupling material 5 is disposed between the second phosphor 30 and the second light transmitting member 3, the second optical coupling material 5 is disposed.
  • the second optical coupling material 5 optically couples the second phosphor 30 and the second light transmission member 3 and optically transmits light between the second phosphor 30 and the second light transmission member 3. Changes in the physical properties (wavelength, light quantity, etc.) are suppressed.
  • the second optical binder 5 may be a resin having optical transparency and adhesiveness. In FIG. 4, the second light transmission member 3 and the second optical coupling material 5 are indicated by a two-dot chain line.
  • the main body 11 is made of a light-shielding material (light-absorbing or light-reflecting), and more preferably made of a light-absorbing material (for example, black ABS resin). That is, the first wall portion 16 and the second wall portion 17 have light shielding properties. Therefore, the first wall portion 16 and the second wall portion 17 also function as the light shielding portion 13 that shields light incident between the first accommodation space 14 and the second accommodation space 15.
  • a light-shielding material light-absorbing or light-reflecting
  • a light-absorbing material for example, black ABS resin
  • the lid portion 12 is provided with a first light passage portion 18 and a second light passage portion 19.
  • Each of the first light passage portion 18 and the second light passage portion 19 is a slit extending along the Y-axis direction, and has the same size and shape.
  • the first light passage part 18 faces the first accommodation space 14 in the Z-axis direction
  • the second light passage part 19 faces the second accommodation space 15 in the Z-axis direction.
  • the first light transmission member 2 is disposed between the first light passage portion 18 and the first phosphor 20
  • the second light transmission member 3 is composed of the second light passage portion 19 and the second phosphor. 30. Note that the shapes and sizes of the first light passage 18 and the second light passage 19 may be appropriately adjusted according to the shape and size of the color line CL of the chromatographic test tool 50.
  • the lid 12 is made of a light-shielding material, more preferably a light-absorbing material (for example, a black acrylic resin).
  • a light-absorbing material for example, a black acrylic resin.
  • the first region 18a surrounding the first light passage portion 18 and the second region 19a surrounding the second light passage portion 19 in the lid portion 12 have light shielding properties (for example, light absorption properties).
  • the first phosphor 20 is a phosphor that emits first fluorescence in the second wavelength region when irradiated with the first excitation light in the first wavelength region
  • the second phosphor 30 is the first phosphor in the first wavelength region. It is a phosphor that emits second fluorescence in the second wavelength region when irradiated with double excitation light.
  • the first phosphor 20 and the second phosphor 30 are composed of the semiconductor phosphor 40 shown in FIG. 5, and include a substrate 41, a graded layer 42 disposed on the substrate 41, A semiconductor layer 43 disposed on the graded layer 42 and an antioxidant layer 44 disposed on the semiconductor layer 43 are provided.
  • the thickness of each layer is made uniform regardless of the actual thickness.
  • the first phosphor 20 and the second phosphor 30 are housed in the first housing space 14 and the second housing space 15 so that the oxidation layer 44 side of the semiconductor layer 43 is the lid portion 12 side.
  • the semiconductor layer 43 includes a barrier layer 43a, a light emitting layer 43b, and a window layer 43c.
  • the barrier layer 43a is disposed on the substrate 41 side with respect to the light emitting layer 43b
  • the window layer 43c is disposed on the lid 12 side with respect to the light emitting layer 43b.
  • the light emitting layer 43b is a fluorescent material that emits fluorescence (first fluorescence or second fluorescence) in the second wavelength region when irradiated with excitation light (first excitation light or second excitation light) in the first wavelength region. It is made of semiconductor material.
  • the semiconductor material constituting the light emitting layer 43b is a compound semiconductor containing Ga, for example, a mixed crystal of GaAs and GaP, which is represented by GaAs (1-x) P x (0 ⁇ x ⁇ 1) ( Hereinafter, it is also simply referred to as “GaAsP”).
  • x is preferably 0.5 or less from the viewpoint that the transition type becomes a direct transition type and is excellent in luminous efficiency.
  • Such a phosphor is particularly preferable as a phosphor in the red region.
  • the emission wavelength (fluorescence wavelength) shown in Table 1 is a value calculated from the band gap energy Eg.
  • the thickness of the light emitting layer 43b is 0.01 to 5 ⁇ m.
  • the light emitting layer 43b in the first phosphor 20 and the light emitting layer 43b in the second phosphor 30 have different thicknesses. Since the amount of fluorescence (first fluorescence and second fluorescence) emitted by the semiconductor phosphor 40 increases in proportion to the thickness of the light emitting layer 43b, in the present embodiment, the first light incident on the first light passage portion 18 is used. When the amount of excitation light and the amount of second excitation light incident on the second light passage portion 19 are equal to each other, the amount of first fluorescence emitted from the first light passage portion 18 and the second light passage portion 19 are emitted from the second light passage portion 19.
  • the amount of the second fluorescent light is different from each other.
  • the thickness of the light emitting layer 43b becomes a certain value or more, the amount of fluorescent light hardly increases. Therefore, it is preferable that at least one of the first phosphor 20 and the second phosphor 30 has a light emitting layer 43b having a thickness of 3 ⁇ m or less.
  • the barrier layer 43a and the window layer 43c are formed of a semiconductor material represented by Al y Ga (1-y) As (1-z) Pz (0 ⁇ y ⁇ 1, 0 ⁇ z ⁇ 1) (hereinafter simply “AlGaAsP”). It is also a layer composed of. As an example, the barrier layer 43a has a thickness of 0.01 to 5 ⁇ m, and the window layer 43c has a thickness of 0.01 to 5 ⁇ m.
  • the antioxidant layer 44 has a function of preventing the semiconductor layer 43 from being oxidized.
  • the antioxidant layer 44 includes, for example, an antireflection layer 44a and a protective layer 44b disposed on the opposite side of the semiconductor layer 43 with respect to the antireflection layer 44a.
  • the antireflection layer 44a is a layer having a function of preventing reflection of excitation light incident on the light emitting layer 43b in addition to an antioxidation function.
  • the protective layer 44b is a layer that protects the surface exposed to the lid 12 side of the semiconductor phosphor 40 from physical and chemical factors.
  • the antireflection layer 44a has a layer containing Si 3 N 4 and the protective layer 44b has a layer containing SiO 2 .
  • the thickness of the antireflection layer 44a is 0.01 to 0.3 ⁇ m
  • the thickness of the protective layer 44b is 0.01 to 0.5 ⁇ m.
  • the substrate 41 has a function of fixing the semiconductor layer 43.
  • it is a GaAs substrate.
  • the thickness of the substrate 41 is 100 to 1200 ⁇ m.
  • the graded layer 42 is a layer having a function of relaxing lattice mismatch between the substrate 41 and the semiconductor layer 43.
  • the graded layer 42 is a layer containing Ga, As, and P (for example, a layer made of GaAsP) like the semiconductor layer 43.
  • the graded layer 42 increases as P approaches the semiconductor layer 43 side from the substrate 41 side. It is comprised so that content may increase.
  • the graded layer 42 is configured such that the P content is approximately the same as that of the semiconductor layer 43 in the vicinity of the interface with the semiconductor layer 43.
  • the graded layer 42 may be a layer further containing Al (for example, a layer made of AlGaAsP).
  • graded layer 42 When graded layer 42 further contains Al, graded layer 42 may be constituted so that content of Al may increase as it approaches the semiconductor layer 43 side from substrate 41 side, and the content is the semiconductor layer. In the vicinity of the interface with the semiconductor layer 43, the semiconductor layer 43 may have the same degree.
  • a graded layer 42, a barrier layer 43a, a light emitting layer 43b, and a window layer 43c are grown in this order on a substrate 41, and an antireflection layer 44a and a protective layer 44b are formed thereon. It is obtained by forming the film in this order.
  • the calibration of the fluorescence measuring apparatus 100 means an operation for confirming whether or not there is a deviation from a reference value such as a fluorescence intensity or a profile measured by the fluorescence measuring apparatus 100.
  • the reference body 1 according to the present embodiment is useful for, for example, shipping adjustment and periodic inspection of the fluorescence measuring apparatus 100. For example, when the fluorescence measuring apparatus 100 is shipped, first, fluorescence measurement of the reference body 1 according to the present embodiment is performed with a reference machine.
  • the fluorescence measurement apparatus 100 (actual machine) to be inspected performs fluorescence measurement of the reference body 1 according to the present embodiment, and the emission intensity and profile measured by the reference machine, and the emission intensity and profile measured by the actual machine. Check for deviation from the above. At this time, if the light emission intensity, profile, etc. of the actual machine are not within the specified values, the machine base is adjusted. Through such calibration work, the fluorescence measuring apparatus 100 capable of performing stable fluorescence measurement can be shipped. Moreover, at the time of periodic inspection of the fluorescence measuring apparatus 100, the fluorescence intensity of the reference body 1 according to this embodiment is measured, and the measured emission intensity, profile, etc. are compared with the emission intensity, profile, etc. measured by the reference machine.
  • the measurement sensitivity can be confirmed in a wide dynamic range by a single measurement.
  • the support body 10 is each provided with the main-body part 11 and the cover part 12, the main-body part 11 and the cover part 12 can be comprised with the material according to each function.
  • the cover part 12 is being fixed to the main-body part 11 with the volt
  • the first housing space 14 and the second housing space 15 have regions where the first phosphor 20 and the second phosphor 30 are not housed, the first phosphor 20 and the second phosphor 30 are not disposed. Removal can be performed easily.
  • the main body portion 11 includes the first holding portion and the second holding portion, the first phosphor 20 is held in the first accommodation space 14 and the second fluorescence is obtained in the second accommodation space 15.
  • the body 30 is held.
  • the main body 11 is made of a light-shielding material, light incident between the first accommodation space 14 and the second accommodation space 15 can be shielded. Incidence of excitation light and emission of fluorescence from regions other than the light passage portion 18 and the second light passage portion 19 can be suppressed. Therefore, it is possible to suppress the excitation light and fluorescence in one phosphor from affecting the excitation light and fluorescence in the other phosphor.
  • the main body 11 is made of a material having a light absorption property, it is possible to suppress the influence of excitation light and fluorescence scattering in fluorescence measurement.
  • the first wall portion 16 and the second wall portion 17 have light shielding properties, the first wall portion 16 and the second wall portion 17 are connected to the first accommodation space 14 and the second accommodation space 15. It also functions as a light-shielding portion 13 that shields light incident between them. Therefore, the fluorescent substance accommodated in one accommodation space is hard to receive the influence of the light (excitation light and fluorescence) leaked from the wall part of the other accommodation space. Thereby, since the dispersion
  • the lid 12 is made of a light-shielding material, and the first region 18 a surrounding the first light passage 18 and the second region 19 a surrounding the second light passage 19 are light-shielding. Therefore, it is possible to suppress the influence of the light irradiated on the first region 18a (first excitation light) and the light irradiated on the second region 19a (second excitation light) on the fluorescence measurement. Thereby, since the dispersion
  • the first region 18a and the second region 19a are made of a light-absorbing material, variations in measurement values due to noise components such as scattered light are suppressed.
  • the first light transmitting member 2 that is disposed between the first light passing portion 18 and the first phosphor 20 and transmits the first excitation light and the first fluorescence, and the second light passing portion. 19 and the second phosphor 30, and the second light transmitting member 3 that transmits the second excitation light and the second fluorescence, the first phosphor 20 due to physical and chemical factors. And degradation of the 2nd fluorescent substance 30 can be prevented. Thereby, calibration can be performed with high accuracy over a long period of time.
  • the first optical coupling material 4 and the first light transmission member 2 and the second phosphor 30 and the second light transmission member 3 are respectively connected between the first phosphor 20 and the first light transmission member 2. 2 Since it is filled with the optical binder 5, the optical loss at the interface between the phosphor and the light transmitting member is suppressed. Thereby, since the dispersion
  • the phosphors (the first phosphor 20 and the second phosphor 30) are composed of the semiconductor phosphor 40, and the semiconductor material constituting the light emitting layer 43b of the semiconductor phosphor 40 contains Ga. Since it is a compound semiconductor, as will be described later, the fluorescence characteristics can be easily changed by adjusting the type of compound material and its content. In the present embodiment, since the semiconductor material constituting the light emitting layer 43b is a compound semiconductor represented by GaAs (1-x) P x (0 ⁇ x ⁇ 1), good fluorescence is obtained particularly in the red region. It is done.
  • the barrier layer 43a made of AlGaAsP, the light emitting layer 43b made of GaAsP, and the window layer 43c made of AlGaAsP are laminated in this order, and the semiconductor layer 43 is a so-called well. Since it has a mold structure, it has excellent luminous efficiency. In the present embodiment, since the semiconductor phosphor 40 includes the oxidation preventing layer 44, the phosphor can be prevented from being deteriorated due to oxidation, and calibration can be performed with high accuracy over a long period of time.
  • the semiconductor phosphor 40 described above has a fluorescence excitation spectrum close to the fluorescence excitation spectrum of a reagent for red excitation generally used in an immunochromatography assay
  • the fluorescence measuring apparatus 100 used in an immunochromatography assay ( It can be suitably used as a calibration standard for an immunochromatography reader.
  • this indication is not limited to the above-mentioned embodiment.
  • the reference body may not include the bolt 6, and for example, the main body portion 11 and the lid portion 12 may be fixed by an adhesive resin.
  • the main-body part 11 and the cover part 12 may be shape
  • first wall portion 16 and the second wall portion 17 and portions other than the first wall portion 16 and the second wall portion 17 may be made of different materials.
  • first wall part 16 and the second wall part 17 may be made of a light-shielding material.
  • only one of the first wall portion 16 and the second wall portion 17 may be made of a light-shielding material.
  • the first wall portion 16 and the second wall portion 17 do not have a light shielding property, and a light shielding member may be separately provided between the first accommodation space 14 and the second accommodation space 15.
  • the first region 18a and the second region 19a and portions other than the first region 18a and the second region 19a may be made of different materials.
  • the cover part 12 only the 1st area
  • only one of the first region 18a and the second region 19a may be made of a light-shielding material.
  • the first region 18a and the second region 19a are not light-shielding, and a light-shielding member may be separately provided between the first region 18a and the second region 19a.
  • first light passage 18 and the second light passage 19 may be made of a light transmissive material.
  • the first light passage portion 18 and the second light passage portion 19 may be light transmissive regions formed in the lid portion 12.
  • the fluorescent property of the phosphor may be changed by changing the P content ratio x in GaAs (1-x) P x constituting the light emitting layer 43b.
  • Increasing the content ratio x (making x closer to 1) increases the band gap energy, so that the fluorescence wavelength region (second wavelength region) can be shifted to the short wavelength side. Since the direct transition occurs when the content ratio x is 0.5 or less, the fluorescence intensity tends to be excellent.
  • the fluorescent property of the phosphor may be changed by changing the content ratio z.
  • the content ratio y in the window layer 43c may be 0.05 to 1.
  • the content ratio y in the barrier layer 43a may be 0.05 to 1.
  • the light emitting layer 43b may include a material other than a semiconductor material.
  • the semiconductor material contained in the light emitting layer 43b is not limited to GaAsP.
  • the semiconductor material contained in the light emitting layer 43b is, for example, InGaAs, InGaP, InAsP, AlInAs, AlAsP, AlGaAs, AlGaP, InGaN, AlGaN, InNAs, GaNAs, InGaAsP, AlInGaAs, AlInGaP, AlInAsP, AlGaAsP, GaInNAs, AlInGaN, AlInNAs. AlGaNAs, AlInGaAsP, AlGaInNAs, etc.
  • the fluorescence characteristics of the phosphor can be changed. That is, the wavelength range (second wavelength range) of the fluorescence emitted from the phosphor can be changed by changing the semiconductor material.
  • Table 2 shows fluorescence wavelengths (emission wavelengths) assumed when each compound semiconductor is used as a phosphor.
  • the emission wavelength shown in Table 2 is a value calculated from the band gap energy Eg.
  • the window layer 43c and the barrier layer 43a may include a material other than a semiconductor material.
  • the semiconductor material contained in the window layer 43c and the barrier layer 43a is not limited to AlGaAsP.
  • the semiconductor materials contained in the window layer 43c and the barrier layer 43a are, for example, AlGaAs, AlGaP, AlGaN, InNAs, GaNAs, InGaAsP, AlInGaAs, AlInGaP, AlInAsP, GaInNAs, AlInAs, AlAsP, AlInGaN, AlGaAsP, AlInNAs, AlGaNAs, and AlInGaAsP. AlGaInNAs or the like may be used.
  • the semiconductor layer 43 may not include the window layer 43c and the barrier layer 43a.
  • the antioxidant layer 44 may be composed of only one of the antireflection layer 44a or the protective layer 44b, and may have other layers other than the antireflection layer 44a and the protective layer 44b. You may consist only of layers other than the layer 44a and the protective layer 44b.
  • Antireflective layer 44a may contain components other than Si 3 N 4, it may be constituted by components other than Si 3 N 4.
  • Protective layer 44b may contain components other than SiO 2, it may be constituted by components other than SiO 2.
  • the phosphor may not include the antioxidant layer 44.
  • the phosphor may be composed of the fluorescent resin 60.
  • the fluorescent resin 60 contains a light-transmitting resin and a fluorescent substance (and a fluorescent reagent containing the fluorescent substance) dispersed in the light-transmitting resin.
  • the fluorescent reagent may be liquid or solid.
  • Examples of the fluorescent reagent include organic dyes such as Alexa Fluor 647 (manufactured by Thermo Fisher Scientific Co., Ltd., “Fluor” is a registered trademark), semiconductor crystals such as Q-dot, metal complexes such as DTBTA-Eu 3+, and the like. Can be used.
  • the fluorescent resin 60 is used as the phosphor, for example, the amount of fluorescent light can be adjusted by adjusting the concentration of the fluorescent substance in the fluorescent resin 60.
  • the fluorescent resin 60 is used by being fixed in a fixing member 61, for example, as shown in FIG. That is, the reference member is produced by accommodating the fixing member 61 in the first accommodation space 14 and the second accommodation space 15.
  • the fixing member 61 shown in FIG. 6A is made by mixing carbon, boron, or the like into a light-transmitting substrate 63 such as glass and a resin having a light shielding property (for example, PDMS (polydimethylsiloxane)).
  • a flow path 62 made of The fluorescent resin 60 can be manufactured, for example, by the following method. First, a light transmissive ultraviolet curable resin and a fluorescent reagent are mixed to prepare a resin composition.
  • the resin composition is injected into the flow path 62 of the fixing member 61 shown in FIG. 6A using a pipette.
  • the resin composition is cured by irradiating ultraviolet rays from the light transmissive substrate 63 side of the fixing member 61.
  • the fluorescent resin 60 fixed in the fixing member 61 can be obtained.
  • the phosphor may be composed of a fluorescent glass 70 shown in FIG.
  • the fluorescent glass 70 contains glass and a fluorescent substance (and a fluorescent reagent containing the fluorescent substance) dispersed in the glass.
  • the fluorescent glass 70 is used, measurement sensitivity in a desired fluorescence wavelength region can be confirmed by appropriately selecting a fluorescent material.
  • fluorescent glass is not easily oxidized, calibration can be performed with high accuracy over a long period of time.
  • An example of the fluorescent reagent is the same as the example of the fluorescent reagent used for the fluorescent resin 60.
  • the fluorescent glass 70 for example, commercially available products such as “Lumilas-R7”, “Lumilas-G9”, and “Lumilas-B” manufactured by Sumita Optical Glass Co., Ltd. can be used.
  • the fluorescent resin 60 described above may be a phosphor having a shape as shown in FIG.
  • the same phosphor may be used as the first phosphor 20 and the second phosphor 30.
  • the amount of second fluorescence emitted from the passage unit 19 is adjusted.
  • the adjustment of the amount of light may be performed by a method of changing the shape and size of the first light passage unit 18 and the second light passage unit 19, for example.
  • the shape of the 1st light passage part 18 and the 2nd light passage part 19 may be a slit which has a mesh structure.
  • the light amount can be reduced by forming the regions with materials having different light transmissive properties. Adjustments may be made. Further, the amount of light may be adjusted by using the first light transmitting member 2 and the second light transmitting member 3 made of materials having different light transmittances. Examples of such a member include an ND filter (a neutral density filter). Moreover, you may combine the light quantity adjustment means mentioned above.
  • Example 1 A GaAs substrate (thickness: 350 ⁇ m) is prepared, and a graded layer (thickness: 10 ⁇ m), a barrier layer (thickness: 0.1 ⁇ m), a light emitting layer (thickness: 0.7 ⁇ m), a window layer on the substrate (Thickness: 0.035 ⁇ m) was grown in order.
  • the graded layer is a layer containing Ga, As, Al, and P, and the content of Al and P is increased from the substrate side toward the barrier layer side, and the configuration is the same as that of the barrier layer in the vicinity of the interface with the barrier layer. It adjusted so that it might become.
  • an antireflection layer (thickness: 0.095 ⁇ m) and a protective layer (thickness: 0.3 ⁇ m) were sequentially formed as an antioxidant layer on the window layer.
  • the antireflection layer was made of Si 3 N 4 and the protective layer was made of SiO 2 .
  • the semiconductor phosphor was obtained by the above operation.
  • the reference phosphor shown in FIGS. 2 to 4 was manufactured using the semiconductor phosphor obtained in Example 1 as the first phosphor and the second phosphor.
  • the main body portion of the reference body was made of black ABS resin so that the first wall portion and the second wall portion had light shielding properties.
  • the acrylic board comprised with the black acrylic resin was used for the cover part.
  • an ND filter (light attenuation rate: 80%) was used as the first light transmission member, and an ND filter (light attenuation rate: 90%) was used as the second light transmission member.
  • FIG. 7 is a diagram showing a fluorescence excitation spectrum of the semiconductor phosphor itself.
  • the spectrum A shows the spectrum of the excitation light irradiated on the semiconductor phosphor
  • the spectrum B shows the spectrum of the fluorescence emitted from the semiconductor phosphor by the irradiation of the excitation light.
  • the horizontal axis indicates the wavelength
  • the vertical axis indicates the intensity.
  • the left vertical axis indicates the intensity of the excitation spectrum
  • the right vertical axis indicates the intensity of the fluorescence spectrum.
  • the semiconductor phosphor of Example 1 emitted fluorescence having a peak at 730 nm by excitation light having a wavelength region of 450 nm to 700 nm.
  • FIG. 8 is a diagram showing a fluorescence profile obtained by fluorescence measurement of a reference body using the fluorescence immunochromatography reader shown in FIG.
  • the vertical axis represents the intensity of the first fluorescence (a in FIG. 8) and the second fluorescence (b in FIG. 8).
  • measurement sensitivity can be confirmed stably and in a wide dynamic range by one measurement.
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Abstract

基準体１は、第１光通過部１８及び第２光通過部１９、並びに、第１収容空間１４及び第２収容空間１５が設けられた支持体１０と、第１収容空間１４に収容され、第１波長域の第１励起光が第１光通過部１８を介して照射されたときに第２波長域の第１蛍光を発する第１蛍光体２０と、第２収容空間１５に収容され、第１波長域の第２励起光が第２光通過部１９を介して照射されたときに第２波長域の第２蛍光を発する第２蛍光体３０と、第１収容空間１４と第２収容空間１５との間に配置された遮光部１３と、を備える。第１光通過部１８に入射する第１励起光の光量と第２光通過部１９に入射する第２励起光の光量とが互いに等しい場合、第１光通過部１８から出射する第１蛍光の光量と第２光通過部１９から出射する第２蛍光の光量とは互いに異なる。

Description

蛍光測定装置の校正用基準体
　本開示は、蛍光測定装置の校正用基準体に関する。
　血液検査等の検体検査の方法として、イムノクロマトグラフィーアッセイ（ラテラルフローイムノアッセイ）が知られており、最近では、目視判定が困難な低発色領域を含む定量診断において、蛍光標識を用いる方法が用いられている。例えば、特許文献１には、蛍光標識を用いたイムノクロマトグラフィーアッセイに関する技術が開示されている。
特開２００６－２０８３８６号公報
　上述のような蛍光標識を用いる方法では蛍光測定装置が用いられるところ、信頼性の高い検査結果を得るためには、蛍光測定装置による蛍光測定が一定の測定感度で行われる必要がある。このような理由から、蛍光測定装置の校正（例えば、機台差の確認、測定感度の調整、故障診断等）を行うための基準体が必要とされている。
　本開示は上記課題に鑑みてなされたものであり、広いダイナミックレンジにおいて安定して蛍光測定装置の測定感度の確認を行うことができる、蛍光測定装置の校正用基準体を提供することを目的とする。
　本開示の一側面は、第１光通過部及び第２光通過部、並びに、第１光通過部と対向する第１収容空間及び第２光通過部と対向する第２収容空間が設けられた支持体と、第１収容空間に収容され、第１波長域の第１励起光が第１光通過部を介して照射されたときに第２波長域の第１蛍光を発する第１蛍光体と、第２収容空間に収容され、第１波長域の第２励起光が第２光通過部を介して照射されたときに第２波長域の第２蛍光を発する第２蛍光体と、第１収容空間と第２収容空間との間に配置された遮光部と、を備える、蛍光測定装置の校正用基準体に関する。この基準体において、第１光通過部に入射する第１励起光の光量と第２光通過部に入射する第２励起光の光量とが互いに等しい場合、第１光通過部から出射する第１蛍光の光量と第２光通過部から出射する第２蛍光の光量とは互いに異なる。
　この基準体では、第１収容空間と第２収容空間との間に配置された遮光部により、一方の蛍光体における励起光及び蛍光が、他方の蛍光体における励起光及び蛍光に影響を及ぼすことを抑制できること、及び、第１光通過部に入射する第１励起光の光量と第２光通過部に入射する第２励起光の光量とが互いに等しい場合において、第１光通過部から出射する第１蛍光の光量と第２光通過部から出射する第２蛍光の光量とが互いに異なることから、一回の測定により、安定して広いダイナミックレンジにおいて測定感度の確認を行うことができる。
　一態様において、支持体は、第１収容空間に収容された第１蛍光体を保持する第１保持部と、第２収容空間に収容された第２蛍光体を保持する第２保持部と、を有してよい。第１収容空間において第１蛍光体が保持され、第２収容空間において第２蛍光体が保持されることにより、測定値のばらつきが抑制される。これにより、校正の精度を高めることができる。
　一態様において、第１保持部は、第１収容空間を画定する第１壁部であってよく、第２保持部は、第２収容空間を画定する第２壁部であってよい。この第１壁部及び第２壁部の少なくとも一方は、遮光部を構成してよい。この場合、遮光部による遮光を確実に行うことができるため、測定値のばらつきが抑制される。これにより、校正の精度を高めることができる。
　一態様において、支持体のうち、少なくとも、第１光通過部を囲む第１領域及び第２光通過部を囲む第２領域は遮光性を有してよい。この場合、第１蛍光及び第２蛍光の測定において、第１領域に照射された光（第１励起光）及び第２領域に照射された光（第２励起光）による影響を抑えることができるため、測定値のばらつきが抑制される。これにより、校正の精度を高めることができる。
　一態様において、支持体は、第１収容空間及び第２収容空間が設けられた本体部と、第１光通過部及び第２光通過部が設けられた蓋部と、を有してよい。この場合、本体部及び蓋部を、それぞれの機能に応じた材料で構成することが容易となる。
　一態様において、基準体は、第１光通過部と第１蛍光体との間に配置され、第１励起光及び第１蛍光を透過させる第１光透過部材と、第２光通過部と第２蛍光体との間に配置され、第２励起光及び第２蛍光を透過させる第２光透過部材と、を更に備えてよい。この場合、第１光透過部材及び第２光透過部材によって、物理的要因及び化学的要因による蛍光体（第１蛍光体及び第２蛍光体）の劣化を防止できるため、長期にわたり、高い精度で校正を行うことができる。
　一態様において、基準体は、第１蛍光体と第１光透過部材との間に配置された第１光学的結合材と、第２蛍光体と第２光透過部材との間に配置された第２光学的結合材と、を更に備えてよい。この場合、蛍光体と光透過部材との界面での光学的ロスが抑制されるため、測定値のばらつきが抑制される。これにより、校正の精度を高めることができる。
　一態様において、第１光透過部材は、第１励起光の特性を変化させる機能を有してよく、第２光透過部材は、第２励起光の特性を変化させる機能を有してよい。この場合、光透過部材（第１光透過部材及び第２光透過部材）の選択により、例えば、透過する光の光量及び波長、すなわち、蛍光体（第１蛍光体及び第２蛍光体）に照射される励起光（第１励起光及び第２励起光）の光量及び波長を調整することが可能となる。
　一態様において、第１蛍光体及び第２蛍光体のうちの少なくとも一方は、蛍光物質として半導体材料を含有する発光層を有する半導体層を備えていてよい。半導体材料を適宜選択することにより、所望の蛍光波長域における測定感度を確認できる。
　一態様において、半導体材料は、Ｇａを含む化合物半導体であってよい。化合材料を適宜選択することにより、所望の蛍光波長域における測定感度を確認できる。
　一態様において、化合物半導体は、ＧａＡｓ（１－ｘ）Ｐｘ（０≦ｘ≦１）であってよい。この場合、特に赤色領域において、良好な蛍光が得られる。
　一態様において、半導体層は、発光層の励起光が入射する側及びその反対側に、ＡｌＧａＡｓＰを含む層を更に有してよい。この場合、蛍光体の発光効率に優れる傾向がある。
　一態様において、第１蛍光体及び第２蛍光体のうちの少なくとも一方は、発光層の励起光が入射する側に酸化防止層を更に備えてよい。この場合、酸化による蛍光体の劣化を防止できるため、長期にわたり、高い精度で校正を行うことができる。
　一態様において、第１蛍光体及び第２蛍光体のうちの少なくとも一方は、光透過性樹脂と、光透過性樹脂中に分散された蛍光物質とを含有する蛍光樹脂で構成されていてよい。蛍光物質を適宜選択することにより、所望の蛍光波長域における測定感度を確認できる。
　一態様において、第１蛍光体及び第２蛍光体のうちの少なくとも一方は、ガラスと、ガラス中に分散された蛍光物質とを含有する蛍光ガラスで構成されていてよい。蛍光物質を適宜選択することにより、所望の蛍光波長域における測定感度を確認できる。
　本開示によれば、広いダイナミックレンジにおいて安定して蛍光測定装置の測定感度の確認を行うことができる、蛍光測定装置の校正用基準体を提供することができる。
図１は、蛍光測定装置の光学ヘッド及びクロマト試験用具の斜視図である。 図２は、本開示の一実施形態に係る基準体の平面図である。 図３は、図２のIII－III線に沿っての基準体の断面図である。 図４は、図２の基準体の本体部の平面図である。 図５は、図２の基準体の蛍光体を構成する半導体蛍光体の断面図である。 図６の（ａ）は、本開示の一実施形態に係る基準体の蛍光体の第１変形例の斜視図である。図６の（ｂ）は、本開示の一実施形態に係る基準体の蛍光体の第２変形例の斜視図である。 図７は、本開示の一実施形態に係る蛍光体の蛍光励起スペクトルを示す図である。 図８は、本開示の一実施形態に係る基準体の蛍光測定により得られた蛍光プロファイルを示す図である。
　以下、本開示に係る実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、以下の説明において、同一又は相当要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する。
　まず、本実施形態に係る基準体が用いられる蛍光測定装置について説明する。図１に示される蛍光測定装置１００は、イムノクロマトグラフィーアッセイに用いられる蛍光測定装置（蛍光イムノクロマトリーダー）である。図１に示されるように、蛍光測定装置１００は、支持台１１０と、光学ヘッド１２０と、走査機構（図示省略）と、を備えている。
　支持台１１０は、クロマト試験用具５０を支持する。クロマト試験用具５０は、ケーシング５１と、クロマト試験片５２と、を有している。ケーシング５１は、Ｘ軸方向を長手方向とし且つＺ軸方向を厚さ方向とする矩形板状の形状を呈している。ケーシング５１には、Ｚ軸方向における一方の側に開口する開口部５１ａが形成されている。クロマト試験片５２は、ケーシング５１内に収容されている。クロマト試験片５２には、例えば抗原抗体反応の結果、Ｙ軸方向に沿って延在する複数の呈色ラインＣＬが形成される。複数の呈色ラインＣＬは、Ｘ軸方向に沿って並んでおり、開口部５１ａを介して外部に露出させられている。各呈色ラインＣＬには、抗原若しくは抗体に結合された蛍光物質（及びそれらを含む蛍光試薬）が含まれるため、各呈色ラインＣＬは第１波長域の励起光によって第２波長域の蛍光を発する。
　光学ヘッド１２０は、クロマト試験用具５０に対して第１波長域の励起光を照射する照射光学系１３０と、クロマト試験用具５０から発せられる第２波長域の蛍光を検出する検出光学系１４０と、を有している。照射光学系１３０は、半導体発光素子１３１と、コリメートレンズ１３２と、光束整形部材１３３と、ショートパスフィルタ１３４と、集光レンズ１３５と、を含んでいる。検出光学系１４０は、ロングパスフィルタ１４１と、半導体受光素子１４２と、を含んでいる。なお、蛍光測定装置１００は、外乱光が入らない機構を有している。
　蛍光測定装置１００では、光学ヘッド１２０が走査機構によってＸ軸方向に走査される。この際、半導体発光素子１３１から発せられた第１波長域の励起光が、コリメートレンズ１３２、光束整形部材１３３、ショートパスフィルタ１３４及び集光レンズ１３５を介して、クロマト試験用具５０に対して照射される。当該励起光が開口部５１ａを介して各呈色ラインＣＬに照射されると、各呈色ラインＣＬから第２波長域の蛍光が発せられ、当該蛍光がロングパスフィルタ１４１を介して半導体受光素子１４２に入射する。これにより、各呈色ラインＣＬの呈色度が測定される。
　ここで、第１波長域とは、第２波長域の蛍光を発する蛍光物質内の電子を励起して当該第２波長域の蛍光を発させるために必要なエネルギーを有する光（励起光）の波長域である。したがって、通常、第１波長域と第２波長域とは、その波長範囲において重複せず、第１波長域のピーク波長は第２波長域のピーク波長よりも短い。
　つまり、励起光の波長域である第１波長域は、用いられる蛍光物質の励起特性に応じて決定され、呈色ラインＣＬが発する蛍光の波長域である第２波長域は、呈色ラインＣＬの蛍光特性、すなわち、呈色ラインＣＬが含む蛍光物質の蛍光特性によって決定される。また、第１波長域は、半導体発光素子１３１及びショートパスフィルタ１３４の種類等によって調整される。
　次に、本実施形態に係る基準体について説明する。図２及び図３に示される基準体１は、上述した蛍光測定装置１００の校正に用いられる。図２及び図３に示されるように、基準体１は、Ｘ軸方向を長手方向とし且つＺ軸方向を厚さ方向とする矩形板状の形状を呈している。基準体１の形状及び大きさは、クロマト試験用具５０に準じた形状及び大きさである。
　基準体１は、支持体１０と、第１蛍光体２０と、第２蛍光体３０と、を備えている。基準体１は、更に、第１光透過部材２と、第２光透過部材３と、第１光学的結合材４と、第２光学的結合材５と、を備えている。
　支持体１０は、本体部１１と、蓋部１２と、を有している。本体部１１及び蓋部１２のそれぞれは、Ｘ軸方向を長手方向とし且つＺ軸方向を厚さ方向とする矩形板状の形状を呈している。蓋部１２は、本体部１１の表面１１ａ（Ｚ軸方向における一方の側の面）に配置されており、ボルト６によって本体部１１に固定されている。
　図３及び図４に示されるように、本体部１１の表面１１ａには、Ｚ軸方向における一方の側に開口する第１収容空間１４及び第２収容空間１５が設けられている。第１収容空間１４及び第２収容空間１５は、Ｘ軸方向に沿って並んでいる。第１収容空間１４は、本体部１１の表面１１ａに形成された第１凹部１４ａと、第１凹部１４ａの開口側において拡幅された第１拡幅部１４ｂと、を含んでいる。第２収容空間１５は、本体部１１の表面１１ａに形成された第２凹部１５ａと、第２凹部１５ａの開口側において拡幅された第２拡幅部１５ｂと、を含んでいる。
　第１凹部１４ａ内には、第１蛍光体２０が配置されている。第１蛍光体２０は、第１凹部１４ａを画定する第１壁部（第１保持部）１６によって保持されている。第１蛍光体２０は、第１波長域の第１励起光が照射されたときに第２波長域の第１蛍光を発する。第１拡幅部１４ｂ内には、第１光透過部材２が配置されている。第１光透過部材２は、第１蛍光体２０に照射される第１励起光、及び第１蛍光体２０から発せられる第１蛍光を透過させる。第１光透過部材２は、第１励起光の特性を変化させる機能を有している。一例として、第１光透過部材２は、透過する第１励起光の光量を減少させる減光機能、特定の波長域を有する光のみを透過する波長選択機能等を有している。第１蛍光体２０と第１光透過部材２との間には、第１光学的結合材４が配置されている。第１光学的結合材４は、第１蛍光体２０と第１光透過部材２とを光学的に結合し、第１蛍光体２０と第１光透過部材２との間を通過する光の光学的性質（波長、光量等）の変化を抑制している。一例として、第１光学的結合材４は、光透過性及び接着性を有する樹脂が挙げられる。なお、図４では、第１光透過部材２及び第１光学的結合材４が二点鎖線で示されている。
　第２凹部１５ａ内には、第２蛍光体３０が配置されている。第２蛍光体３０は、第２凹部１５ａを画定する第２壁部（第２保持部）１７によって保持されている。第２蛍光体３０は、第１波長域の第２励起光が照射されたときに第２波長域の第２蛍光を発する。第２拡幅部１５ｂ内には、第２光透過部材３が配置されている。第２光透過部材３は、第２蛍光体３０に照射される第２励起光、及び第２蛍光体３０から発せられる第２蛍光を透過させる。第２光透過部材３は、第２励起光の特性を変化させる機能を有している。一例として、第２光透過部材３は、透過する第２励起光の光量を減少させる減光機能、特定の波長域を有する光のみを透過する波長選択機能等を有している。第２蛍光体３０と第２光透過部材３との間には、第２光学的結合材５が配置されている。第２光学的結合材５は、第２蛍光体３０と第２光透過部材３とを光学的に結合し、第２蛍光体３０と第２光透過部材３との間を通過する光の光学的性質（波長、光量等）の変化を抑制している。一例として、第２光学的結合材５は、光透過性及び接着性を有する樹脂が挙げられる。なお、図４では、第２光透過部材３及び第２光学的結合材５が二点鎖線で示されている。
　本体部１１は、遮光性（光吸収性又は光反射性）を有する材料で構成されており、より好ましくは光吸収性を有する材料（例えば、黒色のＡＢＳ樹脂）で構成されている。すなわち、第１壁部１６及び第２壁部１７は、遮光性を有している。そのため、第１壁部１６及び第２壁部１７は、第１収容空間１４と第２収容空間１５との間に入射する光を遮光する遮光部１３としても機能する。
　図２及び図３に示されるように、蓋部１２には、第１光通過部１８及び第２光通過部１９が設けられている。第１光通過部１８及び第２光通過部１９のそれぞれは、Ｙ軸方向に沿って延在するスリットであり、互いに同一の大きさ及び形状を有している。第１光通過部１８は、Ｚ軸方向において第１収容空間１４と対向しており、第２光通過部１９は、Ｚ軸方向において第２収容空間１５と対向している。つまり、第１光透過部材２は、第１光通過部１８と第１蛍光体２０との間に配置されており、第２光透過部材３は、第２光通過部１９と第２蛍光体３０との間に配置されている。なお、第１光通過部１８及び第２光通過部１９の形状及び大きさは、クロマト試験用具５０の呈色ラインＣＬの形状及び大きさに合わせて適宜調整されてよい。
　蓋部１２は、遮光性を有する材料で構成されており、より好ましくは光吸収性を有する材料（例えば、黒色のアクリル樹脂）で構成されている。すなわち、蓋部１２において第１光通過部１８を囲む第１領域１８ａ及び第２光通過部１９を囲む第２領域１９ａは、遮光性（例えば光吸収性）を有している。
　第１蛍光体２０は、第１波長域の第１励起光が照射されたときに第２波長域の第１蛍光を発する蛍光体であり、第２蛍光体３０は、第１波長域の第２励起光が照射されたときに第２波長域の第２蛍光を発する蛍光体である。本実施形態において、第１蛍光体２０及び第２蛍光体３０は、図５に示される半導体蛍光体４０で構成されており、基板４１と、基板４１上に配置されたグレーデッド層４２と、グレーデッド層４２上に配置された半導体層４３と、半導体層４３上に配置された酸化防止層４４と、を備える。なお、図示を容易にするため、各層の厚さは実際の厚さとは関係なく、全て均一にしている。第１蛍光体２０及び第２蛍光体３０はそれぞれ、半導体層４３に対して酸化防止層４４側が蓋部１２側となるように第１収容空間１４及び第２収容空間１５に収容されている。
　半導体層４３は、障壁層４３ａと、発光層４３ｂと、窓層４３ｃと、を有する。障壁層４３ａは発光層４３ｂに対して基板４１側に配置され、窓層４３ｃは発光層４３ｂに対して蓋部１２側に配置されている。
　発光層４３ｂは、第１波長域の励起光（第１励起光又は第２励起光）が照射されることにより第２波長域の蛍光（第１蛍光又は第２蛍光）を発する蛍光物質である半導体材料で構成されている。発光層４３ｂを構成する半導体材料は、Ｇａを含む化合物半導体であり、例えばＧａＡｓとＧａＰとの混晶であって、ＧａＡｓ（１－ｘ）Ｐｘ（０≦ｘ≦１）で表される（以下、単に「ＧａＡｓＰ」ともいう。）。下記表１に示されるように、遷移型が直接遷移型となり発光効率に優れる観点では、ｘが０．５以下であることが好ましい。このような蛍光体は、特に赤色領域における蛍光体として好ましい。なお、表１に示す発光波長（蛍光の波長）はバンドギャップエネルギーＥｇから計算される値である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　一例として、発光層４３ｂの厚さは、０．０１～５μｍである。本実施形態では、第１蛍光体２０における発光層４３ｂと第２蛍光体３０における発光層４３ｂとは互いに厚さが異なる。半導体蛍光体４０が発する蛍光（第１蛍光及び第２蛍光）の光量は、発光層４３ｂの厚さに比例して増加するため、本実施形態では、第１光通過部１８に入射する第１励起光の光量と第２光通過部１９に入射する第２励起光の光量とが互いに等しい場合、第１光通過部１８から出射する第１蛍光の光量と第２光通過部１９から出射する第２蛍光の光量とは互いに異なる。なお、発光層４３ｂの厚さが一定値以上となると、蛍光の光量は増加しにくくなる。そのため、第１蛍光体２０及び第２蛍光体３０の少なくとも一方は、発光層４３ｂの厚さが３μｍ以下であることが好ましい。
　障壁層４３ａ及び窓層４３ｃは、ＡｌｙＧａ（１－ｙ）Ａｓ（１－ｚ）Ｐｚ（０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される半導体材料（以下、単に「ＡｌＧａＡｓＰ」ともいう。）で構成される層である。一例として、障壁層４３ａの厚さは、０．０１～５μｍであり、窓層４３ｃの厚さは０．０１～５μｍである。
　酸化防止層４４は、半導体層４３の酸化を防止する機能を有する。酸化防止層４４は、例えば、反射防止層４４ａと、反射防止層４４ａに対して半導体層４３とは反対側に配置された保護層４４ｂと、を有する。反射防止層４４ａは、酸化防止機能に加えて、発光層４３ｂに入射される励起光の反射を防止する機能を有する層である。保護層４４ｂは、物理的及び化学的な要因から半導体蛍光体４０の蓋部１２側に露出する面を保護する層である。本実施形態では、反射防止層４４ａとして、Ｓｉ３Ｎ４を含む層を有し、保護層４４ｂとして、ＳｉＯ２を含む層を有する。一例として、反射防止層４４ａの厚さは、０．０１～０．３μｍであり、保護層４４ｂの厚さは、０．０１～０．５μｍである。
　基板４１は半導体層４３を固定する機能を有する。本実施形態ではＧａＡｓ基板である。一例として、基板４１の厚さは、１００～１２００μｍである。
　グレーデッド層４２は、基板４１と半導体層４３との格子不整合を緩和する機能を有する層である。グレーデッド層４２は、半導体層４３と同じくＧａ、Ａｓ及びＰを含む層（例えばＧａＡｓＰからなる層）であるが、グレーデッド層４２は、基板４１側から半導体層４３側に近づくに従って、Ｐの含有量が増加するように構成されている。具体的には、グレーデッド層４２は、Ｐの含有量が半導体層４３との界面付近において半導体層４３と同程度となるように構成されている。グレーデッド層４２は、Ａｌを更に含む層（例えばＡｌＧａＡｓＰからなる層）であってもよい。グレーデッド層４２がＡｌを更に含む場合、グレーデッド層４２は、基板４１側から半導体層４３側に近づくに従って、Ａｌの含有量が増加するように構成されていてよく、その含有量が半導体層４３との界面付近において半導体層４３と同程度となるように構成されていてよい。
　上述した半導体蛍光体４０は、例えば、基板４１上に、グレーデッド層４２、障壁層４３ａ、発光層４３ｂ及び窓層４３ｃをこの順に成長させ、その上に、反射防止層４４ａ及び保護層４４ｂをこの順に成膜することにより得られる。
　次に、本実施形態に係る基準体１を用いた蛍光測定装置１００の校正について説明する。本明細書において、蛍光測定装置１００の校正とは、蛍光測定装置１００により測定される蛍光強度、プロファイル等の基準値に対するずれの有無を確認する操作を意味する。本実施形態に係る基準体１は、例えば、蛍光測定装置１００の出荷調整、定期点検等に有用である。例えば、蛍光測定装置１００の出荷時には、まず、基準機で本実施形態に係る基準体１の蛍光測定を行う。次いで、検査対象となる蛍光測定装置１００（実機）で本実施形態に係る基準体１の蛍光測定を行い、基準機で測定された発光強度、プロファイル等と、実機で測定された発光強度、プロファイル等とのずれを確認する。この際、実機の発光強度、プロファイル等が規定値に入っていない場合には、機台調整を行う。かかる校正作業により、安定した蛍光測定を行い得る蛍光測定装置１００を出荷することができる。また、蛍光測定装置１００の定期点検時には、本実施形態に係る基準体１の蛍光測定を行い、基準機で測定された発光強度、プロファイル等と対比することにより、測定した発光強度、プロファイル等が規定値に入っているか否かを確認する。これにより、当該蛍光測定装置１００の故障の診断を行うことができる。また、複数の蛍光測定装置１００で本実施形態に係る基準体１を測定し、測定した発光強度、プロファイル等を対比することにより、機台差の確認を行うこともできる。
　本実施形態に係る基準体１によれば、一回の測定により、広いダイナミックレンジにおいて測定感度の確認を行うことができる。
　また、本実施形態では、支持体１０が本体部１１と蓋部１２とをそれぞれ備えるため、本体部１１及び蓋部１２を各々の機能に応じた材料で構成することができる。また、蓋部１２がボルト６によって本体部１１に固定されているため、第１蛍光体２０及び第２蛍光体３０の交換を容易に行うことができる。また、第１収容空間１４及び第２収容空間１５には、第１蛍光体２０及び第２蛍光体３０が収容されていない領域が存在するため、第１蛍光体２０及び第２蛍光体３０の取り外しを容易に行うことができる。
　また、本実施形態では、本体部１１が、第１保持部と第２保持部とを有するため、第１収容空間１４において第１蛍光体２０が保持され、第２収容空間１５において第２蛍光体３０が保持される。これにより、測定値のばらつきが抑制されるため、校正の精度を高めることができる。
　また、本実施形態では、本体部１１が遮光性を有する材料で構成されているため、第１収容空間１４と第２収容空間１５との間に入射する光を遮光することができ、第１光通過部１８及び第２光通過部１９以外の領域からの励起光の入射及び蛍光の出射を抑制することができる。よって、一方の蛍光体における励起光及び蛍光が、他方の蛍光体における励起光及び蛍光に影響を及ぼすことを抑制することができる。特に、本実施形態では、本体部１１が光吸収性を有する材料で構成されているため、蛍光測定における、励起光及び蛍光の散乱の影響を抑えることができる。また、本実施形態では、第１壁部１６及び第２壁部１７が遮光性を有するため、第１壁部１６及び第２壁部１７が、第１収容空間１４と第２収容空間１５との間に入射する光を遮光する遮光部１３としても機能する。そのため、一方の収容空間に収容された蛍光体が、他方の収容空間の壁部から漏出した光（励起光及び蛍光）の影響を受けにくい。これにより、測定値のばらつきが抑制されるため、校正の精度を高めることができる。
　また、本実施形態では、蓋部１２が遮光性を有する材料で構成されており、第１光通過部１８を囲む第１領域１８ａ及び第２光通過部１９を囲む第２領域１９ａが遮光性を有するため、第１領域１８ａに照射された光（第１励起光）及び第２領域１９ａに照射された光（第２励起光）が蛍光測定に与える影響を抑えることができる。これにより、測定値のばらつきが抑制されるため、校正の精度を高めることができる。特に、本実施形態では、第１領域１８ａ及び第２領域１９ａが光吸収性を有する材料で構成されているため、散乱光等のノイズ成分による測定値のばらつきが抑制される。
　また、本実施形態では、第１光通過部１８と第１蛍光体２０との間に配置され、第１励起光及び第１蛍光を透過させる第１光透過部材２と、第２光通過部１９と第２蛍光体３０との間に配置され、第２励起光及び第２蛍光を透過させる第２光透過部材３と、を備えるため、物理的要因及び化学的要因による第１蛍光体２０及び第２蛍光体３０の劣化を防止できる。これにより、長期にわたり、高い精度で校正を行うことができる。
　また、本実施形態では、第１蛍光体２０と第１光透過部材２との間及び第２蛍光体３０と第２光透過部材３との間が、それぞれ第１光学的結合材４及び第２光学的結合材５によって充填されているため、蛍光体と光透過部材との界面での光学的ロスが抑制される。これにより、測定値のばらつきが抑制されるため、校正の精度を高めることができる。
　また、本実施形態では、蛍光体（第１蛍光体２０及び第２蛍光体３０）が半導体蛍光体４０で構成されており、半導体蛍光体４０の発光層４３ｂを構成する半導体材料がＧａを含む化合物半導体であるため、後述するように、化合材料の種類及びその含有割合を調整することにより、容易に蛍光特性を変化させることができる。また、本実施形態では、発光層４３ｂを構成する半導体材料がＧａＡｓ（１－ｘ）Ｐｘ（０≦ｘ≦１）で表される化合物半導体であるため、特に赤色領域において良好な蛍光が得られる。また、本実施形態では、ＡｌＧａＡｓＰで構成される障壁層４３ａと、ＧａＡｓＰで構成される発光層４３ｂと、ＡｌＧａＡｓＰで構成される窓層４３ｃとがこの順に積層されており、半導体層４３がいわゆる井戸型構造を有するため、発光効率に優れる。また、本実施形態では、半導体蛍光体４０が酸化防止層４４を備えるため、酸化による蛍光体の劣化を防止でき、長期にわたり、高い精度で校正を行うことができる。また、上述した半導体蛍光体４０は、一般的にイムノクロマトグラフィーアッセイに使用される赤色励起用試薬の蛍光励起スペクトルに近い蛍光励起スペクトルを有することから、イムノクロマトグラフィーアッセイに使用される蛍光測定装置１００（イムノクロマトリーダー）の校正用基準体に好適に用いることができる。
　以上、本開示に係る基準体の一実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に限定されるものではない。
　例えば、基準体はボルト６を備えていなくてよく、例えば、本体部１１と蓋部１２とが接着性を有する樹脂によって固定されていてもよい。また、本体部１１と蓋部１２とが一体として成形されていてもよい。
　また、例えば、本体部１１において、第１壁部１６及び第２壁部１７と、第１壁部１６及び第２壁部１７以外の部分とが、異なる材料で構成されていてもよい。例えば、本体部１１において、第１壁部１６及び第２壁部１７のみが遮光性を有する材料で構成されていてもよい。また、第１壁部１６及び第２壁部１７の一方のみが遮光性を有する材料で構成されていてもよい。また、第１壁部１６及び第２壁部１７が遮光性を有するのではなく、第１収容空間１４と第２収容空間１５との間に別途、遮光部材を設けてもよい。
　また、例えば、蓋部１２において、第１領域１８ａ及び第２領域１９ａと、第１領域１８ａ及び第２領域１９ａ以外の部分とが、異なる材料で構成されていてもよい。例えば、蓋部１２において、第１領域１８ａ及び第２領域１９ａのみが遮光性を有する材料で構成されていてもよい。また、第１領域１８ａ及び第２領域１９ａの一方のみが遮光性を有する材料で構成されていてもよい。また、第１領域１８ａ及び第２領域１９ａが遮光性を有するのではなく、第１領域１８ａ及び第２領域１９ａとの間に別途、遮光部材を設けてもよい。
　また、例えば、第１光通過部１８及び第２光通過部１９は、光透過性の材料で構成されていてもよい。第１光通過部１８及び第２光通過部１９は、蓋部１２に形成された光透過性の領域であってよい。
　また、例えば、発光層４３ｂを構成するＧａＡｓ（１－ｘ）ＰｘにおけるＰの含有比率ｘを変化させることにより、蛍光体の蛍光特性を変化させてよい。含有比率ｘを多くする（ｘを１に近づける）ことにより、バンドギャップエネルギーが増加するため、蛍光の波長域（第２波長域）を短波長側にシフトさせることができる。含有比率ｘが０．５以下では直接遷移となるため、蛍光強度に優れる傾向がある。
　また、例えば、窓層４３ｃ及び障壁層４３ａを構成するＡｌｙＧａ（１－ｙ）Ａｓ（１－ｚ）Ｐｚ（０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）におけるＡｌの含有比率ｙ及びＰの含有比率ｚを変化させることにより、蛍光体の蛍光特性を変化させてよい。発光効率を更に高める観点から、窓層４３ｃにおける含有比率ｙは０．０５～１であってよい。同様に、発光効率を更に高める観点から、障壁層４３ａにおける含有比率ｙは０．０５～１であってよい。
　また、例えば、発光層４３ｂは半導体材料以外の材料を含んでいてよい。また、発光層４３ｂに含有される半導体材料は、ＧａＡｓＰに限られない。発光層４３ｂに含有される半導体材料は、例えば、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＡｓＰ、ＡｌＩｎＡｓ、ＡｌＡｓＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＰ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＮＡｓ、ＧａＮＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＡｓ、ＡｌＩｎＧａＰ、ＡｌＩｎＡｓＰ、ＡｌＧａＡｓＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＡｌＩｎＧａＮ、ＡｌＩｎＮＡｓ、ＡｌＧａＮＡｓ、ＡｌＩｎＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＮＡｓ等であってもよい。半導体材料を変更することにより、蛍光体の蛍光特性を変化させることができる。すなわち、半導体材料の変更により蛍光体から発せられる蛍光の波長域（第２波長域）を変更することができる。なお、各化合物半導体を蛍光体に使用した場合に想定される蛍光の波長（発光波長）を表２に示す。なお、表２に示す発光波長は、バンドギャップエネルギーＥｇから計算される値である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　また、例えば、窓層４３ｃ及び障壁層４３ａは半導体材料以外の材料を含んでいてよい。また、窓層４３ｃ及び障壁層４３ａに含有される半導体材料はＡｌＧａＡｓＰに限られない。窓層４３ｃ及び障壁層４３ａに含有される半導体材料は、例えば、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＰ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＮＡｓ、ＧａＮＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＡｓ、ＡｌＩｎＧａＰ、ＡｌＩｎＡｓＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＡｌＩｎＡｓ、ＡｌＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＮＡｓ、ＡｌＧａＮＡｓ、ＡｌＩｎＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＮＡｓ等であってもよい。また、半導体層４３は、窓層４３ｃ及び障壁層４３ａを備えていなくてもよい。
　また、例えば、酸化防止層４４は、反射防止層４４ａ又は保護層４４ｂの一方のみからなっていてよく、反射防止層４４ａ及び保護層４４ｂ以外の他の層を有していてもよく、反射防止層４４ａ及び保護層４４ｂ以外の他の層のみからなっていてもよい。反射防止層４４ａは、Ｓｉ３Ｎ４以外の成分を含んでいてよく、Ｓｉ３Ｎ４以外の成分で構成されていてもよい。保護層４４ｂは、ＳｉＯ２以外の成分を含んでいてよく、ＳｉＯ２以外の成分で構成されていてもよい。蛍光体は、酸化防止層４４を備えていなくてもよい。
　また、例えば、蛍光体が蛍光樹脂６０で構成されていてもよい。蛍光樹脂６０は光透過性樹脂と、光透過性樹脂中に分散された蛍光物質（及び該蛍光物質を含む蛍光試薬）とを含有する。蛍光樹脂６０を用いる場合、蛍光物質を適宜選択することにより、所望の蛍光波長域における測定感度を確認できる。蛍光試薬は液状であってよく、固体状であってよい。蛍光試薬としては、例えば、Ａｌｅｘａ　Ｆｌｕｏｒ　６４７（サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社製、「Ｆｌｕｏｒ」は登録商標）等の有機色素、Ｑ－ｄｏｔ等の半導体結晶、ＤＴＢＴＡ－Ｅｕ３＋等の金属錯体などを用いることができる。蛍光体として蛍光樹脂６０を用いる場合、例えば、蛍光樹脂６０における蛍光物質の濃度を調整することにより蛍光の光量を調整することができる。
　蛍光樹脂６０は、例えば、図６の（ａ）に示されるように、固定部材６１中に固定して用いられる。すなわち、固定部材６１を第１収容空間１４及び第２収容空間１５に収容することにより、基準体を作製する。図６の（ａ）に示される固定部材６１は、ガラス等の光透過性基板６３と、遮光性を備えた樹脂（例えば、ＰＤＭＳ（ポリジメチルシロキサン）等の樹脂に炭素、硼素等を混入させたもの）で作製した流路６２を有している。蛍光樹脂６０は、例えば、以下の方法により製造することができる。まず、光透過性の紫外線硬化性樹脂と蛍光試薬とを混合して樹脂組成物を調製する。次いで、ピペットを用いて、図６の（ａ）に示される固定部材６１の流路６２内に樹脂組成物を注入する。次いで、固定部材６１の光透過性基板６３側から紫外線を照射することにより樹脂組成物を硬化させる。これにより、固定部材６１中に固定された蛍光樹脂６０を得ることができる。
　また、例えば、蛍光体は、図６の（ｂ）に示される蛍光ガラス７０で構成されていてもよい。蛍光ガラス７０は、ガラスと、ガラス中に分散された蛍光物質（及び該蛍光物質を含む蛍光試薬）とを含有する。蛍光ガラス７０を用いる場合、蛍光物質を適宜選択することにより、所望の蛍光波長域における測定感度を確認できる。また、蛍光ガラスは酸化されにくいため、長期にわたり、高い精度で校正を行うことができる。蛍光試薬の例は、上記蛍光樹脂６０に用いられる蛍光試薬の例と同じである。蛍光ガラス７０としては、例えば、株式会社住田光学ガラス製の商品名「ルミラス－Ｒ７」、「ルミラス－Ｇ９」及び「ルミラス－Ｂ」等の市販品を用いることができる。なお、上述した蛍光樹脂６０を、図６の（ｂ）に示されるような形状の蛍光体としてもよい。
　また、例えば、第１蛍光体２０及び第２蛍光体３０として同一の蛍光体を用いてもよい。この場合、上述した第１蛍光体２０及び第２蛍光体３０が発する蛍光の光量を調整する手段以外の光量調整手段によって、第１光通過部１８から出射する第１蛍光の光量及び第２光通過部１９から出射する第２蛍光の光量を調整する。光量の調整は、例えば、第１光通過部１８及び第２光通過部１９の形状及び大きさを変更する方法により行ってよい。この場合、第１光通過部１８及び第２光通過部１９の形状は、網目構造を有するスリットであってよい。また、第１光通過部１８及び第２光通過部１９が、蓋部１２に形成された光透過性の領域である場合、当該領域を互いに光透過性の異なる材料で形成することにより光量の調整を行ってもよい。また、互いに光透過性の異なる材料で構成された第１光透過部材２及び第２光透過部材３を用いることにより光量の調整を行ってもよい。このような部材としては、例えば、ＮＤフィルタ（減光フィルタ）が挙げられる。また、上述した光量調整手段を組み合わせてもよい。
　以下、本開示の内容を実施例を用いてより詳細に説明するが、本開示は以下の実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
　ＧａＡｓ基板（厚さ：３５０μｍ）を用意し、当該基板上にグレーデッド層（厚さ：１０μｍ）、障壁層（厚さ：０．１μｍ）、発光層（厚さ：０．７μｍ）、窓層（厚さ：０．０３５μｍ）を順に成長させた。グレーデッド層は、Ｇａ、Ａｓ、Ａｌ及びＰを含む層とし、基板側から障壁層側に近づくに従ってＡｌ及びＰの含有量を増加させ、障壁層との界面付近において障壁層と同様の構成となるように調整した。また、障壁層はＡｌｙＧａ（１－ｙ）Ａｓ（１－ｚ）Ｐｚ（ｙ＝０．６５、ｚ＝０．２３）で構成し、発光層はＧａＡｓ（１－ｘ）Ｐｘ（ｘ＝０．２３）で構成し、窓層はＡｌｙＧａ（１－ｙ）Ａｓ（１－ｚ）Ｐｚ（ｙ＝０．６５、ｚ＝０．２３）で構成した。次いで、窓層上に、酸化防止層として反射防止層（厚さ：０．０９５μｍ）及び保護層（厚さ：０．３μｍ）を順に成膜した。反射防止層は、Ｓｉ3Ｎ4で構成し、保護層はＳｉＯ２で構成した。以上の操作により半導体蛍光体を得た。
　次いで、実施例１で得られた半導体蛍光体を第１蛍光体及び第２蛍光体として用いて、図２～図４に示される基準体を製造した。基準体の本体部は、第１壁部及び第２壁部が遮光性を有するように、黒色のＡＢＳ樹脂で構成した。また、蓋部には黒色のアクリル樹脂で構成されたアクリル板を用いた。また、第１光透過部材としては、ＮＤフィルタ（減光率：８０％）を用い、第２光透過部材としては、ＮＤフィルタ（減光率：９０％）を用いた。
（蛍光測定）
　図１に示される蛍光イムノクロマトリーダーを用いて、得られた基準体の蛍光測定を行った。励起においては、半導体発光素子に６５５ｎｍ半導体レーザーを用い、ショートパスフィルタに６７０ｎｍショートパスフィルタを用いた。また、蛍光測定には、ロングパスフィルタに６９０ｎｍロングパスフィルタを用い、半導体受光素子にＳｉ－フォトダイオードを用いた。励起光の照射は１ｍＷで行った。結果を図７及び図８に示す。
　図７は半導体蛍光体そのものの蛍光励起スペクトルを示す図である。スペクトルＡは、半導体蛍光体に照射した励起光のスペクトルを示し、スペクトルＢは、当該励起光の照射により半導体蛍光体から発せられた蛍光のスペクトルを示す。図７において、横軸は波長を示し、縦軸は強度を示す。また、左側の縦軸が励起スペクトルの強度を示し、右側の縦軸が蛍光スペクトルの強度を示す。図７に示されるように、実施例１の半導体蛍光体は、４５０ｎｍ～７００ｎｍの波長域を有する励起光により、７３０ｎｍにピークを有する蛍光を発することが確認された。
　図８は、図１に示される蛍光イムノクロマトリーダーを用いた基準体の蛍光測定により得られた蛍光プロファイルを示す図である。図８において、縦軸は第１蛍光（図８中のａ）及び第２蛍光（図８中のｂ）の強度を示す。図８に示されるように、実施例１の基準体によれば、一回の測定により、安定して広いダイナミックレンジにおいて測定感度の確認を行うことができる。
　１…基準体、２…第１光透過部材、３…第２光透過部材、４…第１光学的結合材、５…第２光学的結合材、１０…支持体、１１…本体部、１２…蓋部、１３…遮光部、１４…第１収容空間、１５…第２収容空間、１６…第１壁部、１７…第２壁部、１８…第１光通過部、１８ａ…第１領域、１９…第２光通過部、１９ａ…第２領域、２０…第１蛍光体、３０…第２蛍光体、４０…半導体蛍光体、４３…半導体層、４３ｂ…発光層、４４…酸化防止層、６０…蛍光樹脂、７０…蛍光ガラス。

Claims (15)

  1. 　第１光通過部及び第２光通過部、並びに、前記第１光通過部と対向する第１収容空間及び前記第２光通過部と対向する第２収容空間が設けられた支持体と、
    　前記第１収容空間に収容され、第１波長域の第１励起光が前記第１光通過部を介して照射されたときに第２波長域の第１蛍光を発する第１蛍光体と、
    　前記第２収容空間に収容され、前記第１波長域の第２励起光が前記第２光通過部を介して照射されたときに前記第２波長域の第２蛍光を発する第２蛍光体と、
    　前記第１収容空間と前記第２収容空間との間に配置された遮光部と、を備え、
    　前記第１光通過部に入射する前記第１励起光の光量と前記第２光通過部に入射する前記第２励起光の光量とが互いに等しい場合に、前記第１光通過部から出射する前記第１蛍光の光量と前記第２光通過部から出射する前記第２蛍光の光量とは互いに異なる、蛍光測定装置の校正用基準体。
  2. 　前記支持体は、
    　前記第１収容空間に収容された前記第１蛍光体を保持する第１保持部と、
    　前記第２収容空間に収容された前記第２蛍光体を保持する第２保持部と、を有する、請求項１に記載の基準体。
  3. 　前記第１保持部は、前記第１収容空間を画定する第１壁部であり、
    　前記第２保持部は、前記第２収容空間を画定する第２壁部であり、
    　前記第１壁部及び前記第２壁部の少なくとも一方は、前記遮光部を構成する、請求項２に記載の基準体。
  4. 　前記支持体のうち、少なくとも、前記第１光通過部を囲む第１領域及び前記第２光通過部を囲む第２領域は遮光性を有する、請求項１～３のいずれか一項に記載の基準体。
  5. 　前記支持体は、
    　前記第１収容空間及び前記第２収容空間が設けられた本体部と、
    　前記第１光通過部及び前記第２光通過部が設けられた蓋部と、有する、請求項１～４のいずれか一項に記載の基準体。
  6. 　前記第１光通過部と前記第１蛍光体との間に配置され、前記第１励起光及び前記第１蛍光を透過させる第１光透過部材と、
    　前記第２光通過部と前記第２蛍光体との間に配置され、前記第２励起光及び前記第２蛍光を透過させる第２光透過部材と、を更に備える、請求項１～５のいずれか一項に記載の基準体。
  7. 　前記第１蛍光体と前記第１光透過部材との間に配置された第１光学的結合材と、
    　前記第２蛍光体と前記第２光透過部材との間に配置された第２光学的結合材と、を更に備える、請求項６に記載の基準体。
  8. 　前記第１光透過部材は、前記第１励起光の特性を変化させる機能を有し、
    　前記第２光透過部材は、前記第２励起光の特性を変化させる機能を有する、請求項６又は７に記載の基準体。
  9. 　前記第１蛍光体及び前記第２蛍光体のうちの少なくとも一方は、蛍光物質として半導体材料を含有する発光層を有する半導体層を備える、請求項１～８のいずれか一項に記載の基準体。
  10. 　前記半導体材料は、Ｇａを含む化合物半導体である、請求項９に記載の基準体。
  11. 　前記化合物半導体はＧａＡｓ（１－ｘ）Ｐｘ（０≦ｘ≦１）である、請求項１０に記載の基準体。
  12. 　前記半導体層は、前記発光層の前記励起光が入射する側及びその反対側にＡｌＧａＡｓＰを含む層を更に有する、請求項９～１１のいずれか一項に記載の基準体。
  13. 　前記第１蛍光体及び前記第２蛍光体のうちの少なくとも一方は、前記発光層の前記励起光が入射する側に酸化防止層を更に備える、請求項９～１２のいずれか一項に記載の基準体。
  14. 　前記第１蛍光体及び前記第２蛍光体のうちの少なくとも一方は、光透過性樹脂と、前記光透過性樹脂中に分散された蛍光物質とを含有する蛍光樹脂で構成されている、請求項１～８のいずれか一項に記載の基準体。
  15. 　前記第１蛍光体及び前記第２蛍光体のうちの少なくとも一方は、ガラスと、前記ガラス中に分散された蛍光物質とを含有する蛍光ガラスで構成されている、請求項１～８のいずれか一項に記載の基準体。
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