WO2017209379A1 - 양자 랜덤펄스 생성기 - Google Patents

양자 랜덤펄스 생성기 Download PDF

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WO2017209379A1
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pulse generator
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조성준
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors

Definitions

  • the present invention relates to a quantum random pulse generator, and more particularly, to a quantum random pulse generator for a device that generates a natural random number using a natural decay phenomenon of a radioisotope or uses a random pulse as a trigger signal or an interrupt signal.
  • the Internet of Thing a system for connecting information in everyday life through wired and wireless networks and sharing information, is becoming popular.
  • the Internet of Things is an IoT space network that forms intelligent relationships such as sensing, networking, and information processing in cooperation with human beings, things, and services.
  • the software-based random number generation technology has a problem that can identify the random number generation pattern by using not only a lot of resources but also advanced hacking techniques.
  • the problem to be solved by the present invention is to provide a quantum random pulse generator for making a small natural random number generator with enhanced security by using the natural decay of radioisotopes.
  • the quantum random pulse generator according to an embodiment of the present invention, the photodiode detector in which the photodiode is disposed in the center of the upper surface, and the radioisotope emitter in which alpha particles emitted during spontaneous collapse of the atomic nucleus are opposed to the photodiode And a plate disposed on an upper surface of the radioisotope emitter to support the radioisotope emitter, wherein the alpha particles emitted from the emitter contact the photodiode to generate random pulses.
  • a natural random number generator using a quantum random pulse generator can overcome the disadvantages of pseudo random numbers by providing an encryption key and an authentication number used in an encryption module, thereby enhancing security and authentication and increasing convenience.
  • the size of the quantum random pulse generator is smaller and may be implemented in a thinner thin film form, thereby improving the security and light weight of the IoT apparatus.
  • FIG. 1 is a view for explaining a quantum random pulse generator according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a diagram for describing a quantum random pulse generator according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a circuit diagram illustrating a random number generating device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a diagram for describing a quantum random pulse generator according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a view for explaining a method of manufacturing a quantum random pulse generator according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a view for explaining a quantum random pulse generator according to an embodiment of the present invention.
  • a quantum random pulse generator 100 includes a photodiode detector 110, a photodiode 120, a radioisotope emitter 130, and a plate 140. .
  • a photodiode 120 may be disposed at a central portion of the upper surface of the photodiode detector 110.
  • the photodiode detector 110 may be formed on a substrate, and the type of the substrate is not particularly limited, and may be, for example, a silicon, zinc oxide, or nitride semiconductor substrate.
  • the photodiode 120 may collide with the alpha particles emitted from the radioisotope emitter 130.
  • the photodiode detector 110 may detect an event from the photodiode 120 and generate a random pulse. The random pulse may occur in correspondence with the release time of the alpha particles.
  • the radioactive isotope emitter 130 may emit alpha particles that are released upon spontaneous collapse of the atomic nucleus.
  • the alpha particle may be, but is not limited to, Am 241 which decays naturally.
  • the alpha particle may be at least one of Pb 210 isotope, Cm 244, Po 210 which is a uranium emitter.
  • the radioisotope emitter 130 may be disposed to face the photodiode 120 and a predetermined distance.
  • the horizontal width W1 of the photodiode 120 and the horizontal width W2 of the radioisotope emitter 130 may be the same but are not limited thereto.
  • the horizontal width W1 of the photodiode 120 may be 0.1 mm or more and 1.0 mm or less, and the horizontal width W2 of the radioisotope emitter 130 may be 0.1 mm or more and 1.0 mm or less.
  • the plate 140 may be disposed on an upper surface of the radioisotope emitter 130 to support the radioisotope emitter 130.
  • the distance h1 between the photodiode detector 110 and the plate 140 may be 0.1 mm or more and 0.5 mm or less, but is not limited thereto.
  • the quantum random pulse generator 100 may be implemented in a thinner and thinner form than the conventional quantum random pulse generator, so that the security and light weight of the IoT apparatus may be improved. Can be.
  • FIG. 2 is a diagram for describing a quantum random pulse generator according to another embodiment of the present invention.
  • a quantum random pulse generator 100a includes a photodiode detector 110a, a photodiode 120a, a radioisotope emitter 130a, and a plate 140a. .
  • the photodiode detector 110a may have a photodiode 120a disposed on an upper surface thereof and may support the photodiode 110a.
  • the photodiode detection unit 110a may be formed on a substrate, and the type of the substrate is not particularly limited, and may be, for example, a silicon, zinc oxide, or nitride semiconductor substrate.
  • the photodiode 120a may collide with the alpha particles emitted from the radioisotope emitter 130a.
  • the photodiode detector 110a may detect an event from the photodiode 120a and generate a random pulse. The random pulse may occur in correspondence with the release time of the alpha particles.
  • the radioisotope emitter 130a may emit alpha particles that are released upon spontaneous collapse of the atomic nucleus.
  • the alpha particle may be, but is not limited to, Am 241 which decays naturally.
  • the alpha particle may be at least one of Pb 210 isotope, Cm 244, Po 210 which is a uranium emitter.
  • the radioisotope emitter 130a may be disposed to face the photodiode 120a at a predetermined interval.
  • the horizontal width W4 of the radioisotope emitter 130a may be smaller than the horizontal width W3 of the photodiode 120a.
  • the horizontal width W1 of the photodiode 120a may be 0.1 mm or more and 1.0 mm or less, and the horizontal width W2 of the radioisotope emitter 130a may be greater than 0.05 mm and less than 0.1 mm.
  • the distance h2 between the photodiode detector 110a and the plate 140a may be 0.1 mm or more and 0.5 mm or less, but is not limited thereto.
  • FIG. 3 is a circuit diagram illustrating a random number generating device according to an embodiment of the present invention.
  • the random number generator 300 includes a quantum random pulse generator 100 and a CPU 200.
  • the quantum random pulse generator 100 includes photodiodes PD, resistors R1 and R2, capacitors C1 and C2, and amplifiers that receive alpha particles from the radioisotope emitter 130.
  • the quantum random pulse generator 100 may transmit the generated random pulse to the CPU 200.
  • FIG. 4 is a diagram for describing a quantum random pulse generator according to another embodiment of the present invention.
  • the quantum random pulse generator 100b includes a photodiode detector 110b, a photodiode 120b, and a radioactive isotope emitter in a form including a liquid radioisotope ( 130b) and plate 140b.
  • the photodiode detector 110b may have a photodiode 120b disposed on an upper surface thereof and may support the photodiode 110b.
  • the photodiode detection unit 110b may be formed in a substrate, and the type of the substrate is not particularly limited, and may be, for example, a silicon, zinc oxide, or nitride semiconductor substrate.
  • the photodiode 120b may be disposed to directly contact the radioisotope emitter 130b.
  • the photodiode 120b may be in contact with the alpha particles emitted from the radioisotope emitter 130b.
  • the photodiode detector 110b may detect an event from the photodiode 120b and generate a random pulse. The random pulse may occur in correspondence with the release time of the alpha particles.
  • the radioisotope emitter 130b may emit alpha particles that are released upon spontaneous collapse of the atomic nucleus.
  • the radioisotope emitter 130b may be in liquid form, and the alpha particles may be Am 241 decaying naturally, but are not limited thereto.
  • the alpha particle may be at least one of Pb 210 isotope, Cm 244 , Po 210 which is a uranium emitter.
  • the radioisotope emitter 130b may be disposed on the photodiode 120b.
  • the horizontal width W5 of the photodiode 120b and the radioisotope emitter 130b may be the same, but is not limited thereto.
  • the horizontal width W5 of the photodiode 120b and the radioisotope emitter 130b may be 0.1 mm or more and 1.0 mm or less.
  • the plate 140b may be disposed to surround the photodiode 120b and the radioisotope emitter 130b. That is, the plate 140b may be disposed on the substrate, the photodiode detector 110b, the photodiode 120b, and the radioisotope emitter 130b to seal the radioisotope emitter 130b. This prevents radiation leakage outside the chip.
  • FIG. 5 is a view for explaining a method of manufacturing a quantum random pulse generator according to another embodiment of the present invention.
  • a photodiode detector 110b may be disposed in a substrate, and a plate 140b may be deposited on the substrate and the photodiode detector 110b. . After the central portion of the plate 140b undergoes an etching process, the photodiode 120b may be disposed on the center of the photodiode detector 110b. Thereafter, a radioisotope emitter 130b including a liquid radioisotope may be disposed on the photodiode 120b. In this case, the radioisotope emitter 130b may be in a liquid form, and the alpha particles may be Am 241 decaying naturally, but are not limited thereto.
  • the quantum random pulse generator 100b covers the radioisotope emitter 130b including the liquid radioisotope after the radioisotope emitter 130b is disposed.
  • 140b may be deposited. That is, the plate 140b may be disposed on the substrate, the photodiode detector 110b, the photodiode 120b, and the radioisotope emitter 130b to seal the radioisotope emitter 130b. This prevents radiation leakage outside the chip.

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Abstract

본 발명은 방사성 동위원소의 자연붕괴 현상을 이용하여 보안이 강화된 양자 랜덤펄스 생성기에 대한 것으로, 양자 랜덤펄스 생성기는 포토 다이오드가 상면 중앙에 배치되는 포토 다이오드 검출부와, 원자핵의 자연붕괴시 방출되는 알파입자가 상기 포토 다이오드에 대향하여 방출하는 방사성 동위 원소 방출부와, 상기 방사성 동위원소 방출부의 상면에 배치되어 상기 방사성 동위원소 방출부를 지지하는 플레이트를 포함하고, 상기 방출체로부터 방출된 알파입자가 상기 포토 다이오드에 접촉하여 랜덤펄스를 발생한다.

Description

양자 랜덤펄스 생성기
본 발명은 양자 랜덤펄스 생성기에 관한 것으로, 특히 방사성 동위원소의 자연 붕괴 현상을 이용하여 자연 난수를 생성하거나 랜덤펄스를 트리거 신호나 인터럽트 신호로 이용하는 기기를 위한 양자 랜덤펄스 생성기에 관한 것이다.
생활 속 사물들을 유무선 네트워크로 연결해 정보를 공유하는 시스템인 사물인터넷(Internet of Thing)이 보편화 되고 있다. 사물인터넷이란, 인간과 사물, 서비스 세 가지 분산된 환경 요소에 대해 인간의 명시적 개입 없이 상호 협력적으로 센싱, 네트워킹, 정보 처리 등 지능적 관계를 형성하는 사물 공간 연결망이다.
사물인터넷의 보편화에 따라 보안위협도 높아지고 있으며, 사물인터넷 보안을 위해서는 사물인터넷 기기에서부터 시스템까지 전 구간에 대한 단절 없는 보안이 필요하다. 특히 다양한 기능과 프로토콜을 가진 기기들과 통신해야 하기 때문에 개방형 표준기술을 사용해야 하므로 보안 위협에 훨씬 노출되고 있다.
한편, 소프트웨어 기반의 난수 생성 기술은 리소스를 많이 사용할 뿐 아니라 고도화된 해킹 기술을 이용하면 난수 발생 패턴을 파악할 수 있는 문제점이 있다.
따라서, 사물인터넷 기기간의 보안을 위해 자연현상의 무작위성에서 난수를 추출하는 자연 난수 또는 진정 난수가 요청되고 있으며, 이는 특정한 패턴이 없고 예측이 불가능한 장점이 있지만, 크기가 크고 매우 비싸며 추출 장치가 필요해 소형화 장치에 적용하기 어려운 문제가 있다.
관련 선행기술로는 대한민국 공개특허 10-2015-0011284호 "난수발생에 의한 이모빌라이져 장치 및 그 인증방법"과 등록특허 10-1244853 "난수발생에 의한 사용자 통합 인증방법이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 방사성 동위원소의 자연붕괴 현상을 이용하여 보안이 강화된 소형의 자연 난수 발생기를 만들기 위한 양자 랜덤펄스 생성기를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 양자 랜덤펄스 생성기는, 포토 다이오드가 상면 중앙에 배치되는 포토 다이오드 검출부와, 원자핵의 자연붕괴시 방출되는 알파입자가 상기 포토 다이오드에 대향하여 방출하는 방사성 동위 원소 방출부와, 상기 방사성 동위원소 방출부의 상면에 배치되어 상기 방사성 동위원소 방출부를 지지하는 플레이트를 포함하고, 상기 방출체로부터 방출된 알파입자가 상기 포토 다이오드에 접촉하여 랜덤펄스를 발생한다.
본 발명에 의하면, 방사성 동위원소의 자연붕괴 현상을 이용하여 자연 난수를 발생시키거나, 랜덤 신호를 원하는 기기에 적용함으로서 기기간 보안성을 강화할 수 있다.
본 발명에 의하면, 양자 랜덤펄스 생성기를 이용한 자연 난수 발생기는 암호화 모듈에 사용되는 암호화 key와 인증번호를 제공함으로써 의사 난수의 단점을 극복하여 보안 및 인증이 강화되고 편의성이 증대될 수 있다.
본 발명에 의하면, 양자 랜덤펄스 생성기의 크기가 더 작고, 더 얇은 박막형태로 구현될 수 있어 사물인터넷 기기의 보안성 및 경량성이 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 양자 랜덤펄스 생성기를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 양자 랜덤펄스 생성기를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 난수 생성 장치를 나타내는 회로도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 양자 랜덤펄스 생성기를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 양자 랜덤펄스 생성기의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
본 명세서에 개시되어 있는 본 발명의 개념에 따른 실시 예들에 대해서 특정한 구조적 또는 기능적 설명은 단지 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로서, 본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 형태들로 실시될 수 있으며 본 명세서에 설명된 실시 예들에 한정되지 않는다.
본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 변경들을 가할 수 있고 여러 가지 형태들을 가질 수 있으므로 실시 예들을 도면에 예시하고 본 명세서에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 특정한 개시 형태들에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함한다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로서, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 본 명세서에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 본 명세서에 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 양자 랜덤펄스 생성기를 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 양자 랜덤펄스 생성기(100)는 포토 다이오드 검출부(110), 포토 다이오드(120), 방사성 동위 원소 방출부(130) 및 플레이트(140)를 포함한다.
포토 다이오드 검출부(110)는 상면 중앙부에 포토 다이오드(120)가 배치될 수 있다. 포토 다이오드 검출부(110)는 기판 상에 형성될 수 있고, 상기 기판의 종류에는 특별한 제한이 없으며, 예컨대 실리콘, 산화아연 또는 질화물 반도체 기판일 수 있다.
포토 다이오드(120)는 방사성 동위 원소 방출부(130)로부터 방출된 알파 입자와 충돌할 수 있다. 포토 다이오드 검출부(110)는 포토 다이오드(120)로부터 이벤트를 검출하고 랜덤펄스를 생성할 수 있다. 상기 랜덤펄스는 상기 알파입자의 방출시간에 상응하여 발생할 수 있다.
방사성 동위 원소 방출부(130)는 원자핵의 자연 붕괴시 방출되는 알파 입자를 방출할 수 있다. 상기 알파 입자는 자연적으로 붕괴하는 Am241일 수 있으나 이에 대해 한정하는 것은 아니다. 예컨대, 상기 알파 입자는 우라늄의 방사물인 Pb210 동위원소, Cm244, Po210중 적어도 하나일 수 있다.
방사성 동위 원소 방출부(130)는 포토 다이오드(120)와 일정 간격 사이에 대향하여 배치될 수 있다. 포토 다이오드(120)의 수평폭(W1)과 방사성 동위 원소 방출부(130)의 수평폭(W2)는 동일할 수 있으나 이에 대해 한정하는 것은 아니다. 포토 다이오드(120)의 수평폭(W1)은 0.1mm 이상 1.0mm 이하일 수 있고, 방사성 동위 원소 방출부(130)의 수평폭(W2)은 0.1mm 이상 1.0mm 이하일 수 있다.
플레이트(140)는 방사성 동위원소 방출부(130)의 상면에 배치되어 방사성 동위원소 방출부(130)를 지지할 수 있다. 포토 다이오드 검출부(110)와 플레이트(140) 사이의 간격(h1)은 0.1mm 이상 0.5mm 이하일 수 있으나 이에 대해 한정하는 것은 아니다.
본 발명의 실시예에 따른 양자 랜덤펄스 생성기(100)는 종래의 양자 랜덤펄스 생성기와 비교하여 크기가 더 작고, 더 얇은 박막형태로 구현될 수 있어 사물인터넷 기기의 보안성 및 경량성이 향상될 수 있다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 양자 랜덤펄스 생성기를 설명하기 위한 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 양자 랜덤펄스 생성기(100a)는 포토 다이오드 검출부(110a), 포토 다이오드(120a), 방사성 동위 원소 출부(130a) 및 플레이트(140a)를 포함한다.
포토 다이오드 검출부(110a)는 상면에 포토 다이오드(120a)가 배치될 수 있고, 포토 다이오드(110a)를 지지할 수 있다. 포토 다이오드 검출부(110a)는 기판상에 형성될 수 있고, 상기 기판의 종류에는 특별한 제한이 없으며, 예컨대 실리콘, 산화아연 또는 질화물 반도체 기판일 수 있다.
포토 다이오드(120a)는 방사성 동위 원소 방출부(130a)로부터 방출된 알파 입자와 충돌할 수 있다. 포토 다이오드 검출부(110a)는 포토 다이오드(120a)로부터 이벤트를 검출하고 랜덤펄스를 생성할 수 있다. 상기 랜덤펄스는 상기 알파입자의 방출시간에 상응하여 발생할 수 있다.
방사성 동위 원소 방출부(130a)는 원자핵의 자연 붕괴시 방출되는 알파 입자를 방출할 수 있다. 상기 알파 입자는 자연적으로 붕괴하는 Am241일 수 있으나 이에 대해 한정하는 것은 아니다. 예컨대, 상기 알파 입자는 우라늄의 방사물인 Pb210 동위원소, Cm244, Po210중 적어도 하나일 수 있다.
방사성 동위 원소 방출부(130a)는 포토 다이오드(120a)와 일정 간격 사이에 대향하여 배치될 수 있다. 방사성 동위 원소 방출부(130a)의 수평폭(W4)은 포토 다이오드(120a)의 수평폭(W3)보다 작을 수 있다. 예컨대, 포토 다이오드(120a)의 수평폭(W1)은 0.1mm 이상 1.0mm 이하일 수 있고, 방사성 동위 원소 방출부(130a)의 수평폭(W2)은 0.05mm 초과 0.1mm 미만일 수 있다. 포토 다이오드 검출부(110a)와 플레이트(140a) 사이의 간격(h2)은 0.1mm 이상 0.5mm 이하일 수 있으나 이에 대해 한정하는 것은 아니다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 난수 생성 장치를 나타내는 회로도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 난수 생성 장치(300)는 양자 랜덤펄스 생성기(100)와 CPU(200)를 포함한다.
양자 랜덤펄스 생성기(100)는 방사성 동위 원소 방출부(130)로부터 알파 입자를 수신하는 포토다이오드(PD), 저항(R1, R2), 커패시터(C1, C2) 및 증폭기를 포함한다. 양자 랜덤펄스 생성기(100)는 발생한 랜덤펄스를 CPU(200)에 송신할 수 있다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 양자 랜덤펄스 생성기를 설명하기 위한 도면이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 양자 랜덤펄스 생성기(100b)는 포토 다이오드 검출부(110b), 포토 다이오드(120b), 액상의 방사성 동위원소를 포함하는 형태의 방사성 동위 원소 방출부(130b) 및 플레이트(140b)를 포함한다.
포토 다이오드 검출부(110b)는 상면에 포토 다이오드(120b)가 배치될 수 있고, 포토 다이오드(110b)를 지지할 수 있다. 포토 다이오드 검출부(110b)는 기판내에 형성될 수 있고, 상기 기판의 종류에는 특별한 제한이 없으며, 예컨대 실리콘, 산화아연 또는 질화물 반도체 기판일 수 있다.
포토 다이오드(120b)는 방사성 동위 원소 방출부(130b)와 직접적으로 컨택하도록 배치될 수 있다. 포토 다이오드(120b)는 방사성 동위 원소 방출부(130b)로부터 방출된 알파 입자와 접촉할 수 있다. 포토 다이오드 검출부(110b)는 포토 다이오드(120b)로부터 이벤트를 검출하고 랜덤펄스를 생성할 수 있다. 상기 랜덤펄스는 상기 알파입자의 방출시간에 상응하여 발생할 수 있다.
방사성 동위 원소 방출부(130b)는 원자핵의 자연 붕괴시 방출되는 알파 입자를 방출할 수 있다. 방사성 동위 원소 방출부(130b)는 액상 형태일 수 있고, 상기 알파 입자는 자연적으로 붕괴하는 Am241일 수 있으나 이에 대해 한정하는 것은 아니다. 예컨대, 상기 알파 입자는 우라늄의 방사물인 Pb210 동위원소, Cm244 , Po210중 적어도 하나일 수 있다.
방사성 동위 원소 방출부(130b)는 포토 다이오드(120b) 상에 배치될 수 있다. 포토 다이오드(120b)와 방사성 동위 원소 방출부(130b)의 수평폭(W5)은 동일할 수 있으나 이에 대해 한정하는 것은 아니다. 포토 다이오드(120b)와 방사성 동위 원소 방출부(130b)의 수평폭(W5)은 0.1mm 이상 1.0mm 이하일 수 있다.
플레이트(140b)는 포토 다이오드(120b)와 방사성 동위원소 방출부(130b)를 둘러 싸며 배치할 수 있다. 즉, 플레이트(140b)는 상기 기판, 포토 다이오드 검출부(110b), 포토 다이오드(120b) 및 방사성 동위 원소 방출부(130b) 상에 배치되어 방사성 동위 원소 방출부(130b)를 밀봉시킬 수 있다. 이를 통해 칩 외부로 방사능 유출을 막을 수 있다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 양자 랜덤펄스 생성기의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 5의 (a)를 참조하면, 양자 랜덤펄스 생성기(100b)는 기판 내에 포토 다이오드 검출부(110b)가 배치되고, 플레이트(140b)가 상기 기판과 포토 다이오드 검출부(110b) 상에 증착될 수 있다. 플레이트(140b)의 중앙부가 식각 공정을 거친 후 포토 다이오드 검출부(110b)의 중앙 상부에 포토 다이오드(120b)가 배치될 수 있다. 이후에 액상의 방사성 동위원소를 포함하는 방사성 동위 원소 방출부(130b)가 포토 다이오드(120b) 상에 배치될 수 있다. 이때 방사성 동위 원소 방출부(130b)는 액상 형태일 수 있고, 상기 알파 입자는 자연적으로 붕괴하는 Am241일 수 있으나 이에 대해 한정하는 것은 아니다.
도 5의 (b)를 참조하면, 양자 랜덤펄스 생성기(100b)는 방사성 동위 원소 방출부(130b)가 배치된 후에 액상의 방사성 동위원소를 포함하는 방사성 동위 원소 방출부(130b)를 덮도록 플레이트(140b)를 증착할 수 있다. 즉, 플레이트(140b)는 상기 기판, 포토 다이오드 검출부(110b), 포토 다이오드(120b) 및 방사성 동위 원소 방출부(130b) 상에 배치되어 방사성 동위 원소 방출부(130b)를 밀봉시킬 수 있다. 이를 통해 칩 외부로 방사능 유출을 막을 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.

Claims (5)

  1. 포토 다이오드가 상면 중앙에 배치되는 포토 다이오드 검출부;
    원자핵의 자연붕괴시 방출되는 알파입자가 상기 포토 다이오드에 대향하여 방출하는 방사성 동위 원소 방출부; 및
    상기 방사성 동위 원소 방출부의 상면에 배치되어 상기 방사성 동위 원소 방출부를 지지하는 플레이트;를 포함하고,
    상기 방사성 동위 원소 방출부로부터 방출된 알파입자가 상기 포토 다이오드에 접촉하면 상기 포토 다이오드 검출부는 상기 포토 다이오드로부터 이벤트를 검출하여 랜덤 펄스를 발생하고,
    상기 랜덤펄스는 상기 알파입자의 방출시간에 상응하여 발생하고,
    상기 방사성 동위 원소 방출부의 수평폭은 상기 포토 다이오드의 수평폭보다 작고, 상기 포토 다이오드 검출부와 상기 플레이트 사이의 간격은 0.1mm 이상 0.5mm 이하인 것을 특징으로 하는 양자 랜덤펄스 생성기.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 방사성 동위 원소 방출부의 수평폭은 0.05mm 초과 0.1mm 이하이고, 상기 포토 다이오드의 수평폭은 0.1mm 이상 1.0mm 이하인 양자 랜덤펄스 생성기.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 방사성 동위 원소 방출부는 Am241 방사성 동위 원소를 포함하는 양자 랜덤펄스 생성기.
  4. 기판;
    상기 기판 상에 배치되고, 포토 다이오드가 상면 중앙에 배치되는 포토 다이오드 검출부;
    상기 포토 다이오드 상에 배치되는 방사성 동위원소 방출부; 및
    상기 기판, 상기 포토 다이오드 검출부. 상기 포토 다이오드 및 상기 방사성 동위원소 방출부 상에 덮도록 배치되어 상기 방사성 동위원소 방출부를 밀봉시키는 플레이트를 포함하고,
    상기 방사성 동위원소 방출부는 액상 형태인 양자 랜덤펄스 생성기.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 방사성 동위 원소 방출부는 Am241 방사성 동위 원소를 포함하는 양자 랜덤펄스 생성기.
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