WO2019208378A1 - 粘着性フィルムおよび電子装置の製造方法 - Google Patents

粘着性フィルムおよび電子装置の製造方法 Download PDF

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浩登 安井
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Definitions

  • the present invention relates to an adhesive film and a method for manufacturing an electronic device.
  • an adhesive film is attached to the circuit forming surface of the electronic components in order to fix the electronic components and prevent damage to the electronic components. It is done.
  • an adhesive film a film in which an adhesive resin layer is laminated on a base film is generally used.
  • an adhesive having an uneven absorbent resin layer provided between the base film and the adhesive resin layer in order to impart uneven absorbency to the adhesive film. Film is being considered.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 2014-11273
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 2010-258426.
  • Patent Document 1 has at least one low elastic modulus layer on one surface of a high elastic substrate film, a radiation curable pressure-sensitive adhesive layer on the low elastic modulus layer, and the high elastic substrate.
  • the Young's modulus of the material film is 5.0 ⁇ 10 8 Pa to 1.1 ⁇ 10 10 Pa
  • the storage elastic modulus G ′ (25 ° C.) at 25 ° C. of the low elastic modulus layer is 2.5 ⁇ 10 5.
  • the ratio tan ⁇ (60 ° C.) / Tan ⁇ (25 ° C.) with respect to the tangent tan ⁇ (60 ° C.) is 4.0 or more, and the thickness of the radiation curable pressure-sensitive adhesive layer is 5 to 100 ⁇ m.
  • the ratio of the thickness of the low elastic modulus layer to the radiation curable pressure-sensitive adhesive layer, the thickness of the radiation curable pressure-sensitive adhesive layer / the thickness of the low elastic modulus layer is 1/2 or less.
  • Patent Document 2 discloses a method for laminating a semiconductor wafer protective adhesive sheet obtained by laminating a base material, at least one intermediate layer and an adhesive layer in this order on the surface of the semiconductor wafer, For semiconductor wafer protection, characterized in that the bonding temperature of the semiconductor wafer is 50 ° C. to 100 ° C., and the loss tangent (tan ⁇ ) at the bonding temperature of the intermediate layer in contact with the adhesive layer is 0.5 or more. A method for bonding an adhesive sheet is described.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and provides an adhesive film for processing an electronic component capable of suppressing warpage of the electronic component after grinding.
  • the inventors of the present invention have made extensive studies in order to achieve the above problems.
  • the uneven absorbent resin layer having a specific melting point (Tm) is used.
  • the present invention has been completed by finding that it is possible to suppress warping of the electronic component after grinding.
  • the following adhesive film is provided.
  • An adhesive film used for processing electronic components A base material layer, a concavo-convex absorbent resin layer, and an adhesive resin layer are provided in this order,
  • the uneven absorbent resin layer includes a thermoplastic resin,
  • the melting point (Tm) of the uneven absorbent resin layer measured by a differential scanning calorimeter (DSC) is in the range of 10 ° C. or more and 50 ° C. or less,
  • the said electronic component has a circuit formation surface,
  • the storage elastic modulus G ′ of the uneven absorbent resin layer at 70 ° C. measured by a dynamic viscoelasticity measuring apparatus (twisting mode) is 1.0 ⁇ 10 4 Pa or more and 1.0 ⁇ 10 6 Pa or less.
  • the adhesive film whose heat shrinkage rate of the said base material layer when heat-processing for 30 minutes at 150 degreeC is 0.05% or more and 1.2% or less.
  • the thermoplastic resin is an adhesive film containing an ethylene / ⁇ -olefin copolymer.
  • thermoplastic resin is an adhesive film further comprising an ethylene / polar monomer copolymer.
  • a structure comprising: an electronic component having a circuit forming surface; and the adhesive film according to any one of [1] to [8], which is bonded to the circuit forming surface side of the electronic component.
  • a method of manufacturing an electronic device comprising at least [10] In the method for manufacturing an electronic device according to the above [9], In the grinding step, a method of manufacturing an electronic device, wherein the surface of the electronic component opposite to the circuit forming surface is ground until the thickness of the electronic component becomes 250 ⁇ m or less.
  • an adhesive film for processing an electronic component that can suppress warping of the electronic component after grinding.
  • an adhesive film 100 is an adhesive film used for processing an electronic component, and includes a base material layer 10, an uneven absorbent resin layer 20, and an adhesive property.
  • the resin layer 30 is provided in this order, and the uneven absorbent resin layer 20 contains a thermoplastic resin, and the uneven absorbent resin layer 20 has a melting point (Tm) of 10 as measured by a differential scanning calorimeter (DSC).
  • Tm melting point
  • DSC differential scanning calorimeter
  • the electronic component has a circuit-forming surface within a range of from 50 ° C. to 50 ° C., and the surface of the electronic component opposite to the circuit-forming surface is arranged so that the thickness of the electronic component is 250 ⁇ m or less. Used for grinding.
  • an uneven absorbent resin layer is provided between the base film and the adhesive resin layer in order to impart uneven absorbency to the adhesive film.
  • Adhesive films are being studied.
  • SiP System in Package
  • thin finish grinding technology that realizes electronic parts such as semiconductor wafers with a thickness of 100 ⁇ m or less.
  • the demand is growing.
  • warpage may occur in an electronic component subjected to thin grinding. If the electronic component is warped, there is a concern that a defect may occur in the transport process or the electronic component may be cracked.
  • the inventors of the present invention have made extensive studies in order to achieve the above problems.
  • the uneven absorbent resin having a melting point (Tm) in the range of 10 ° C. or higher and 50 ° C. or lower. It has been found for the first time that warpage of an electronic component after grinding can be suppressed by using a layer. That is, according to the present embodiment, the uneven absorption having a melting point (Tm) measured by a differential scanning calorimeter (DSC) between 10 ° C. and 50 ° C. between the base material layer 10 and the adhesive resin layer 30.
  • DSC differential scanning calorimeter
  • the conductive resin layer 20 By providing the conductive resin layer 20, it is possible to obtain an adhesive film 100 for processing an electronic component that can suppress warping of the electronic component after grinding.
  • the reason why the warp of the electronic component after grinding can be suppressed by using the adhesive film 100 according to the present embodiment is not clear, but the following reasons are conceivable.
  • the temperature of the electronic component and the adhesive film rises due to wear of the electronic component, and as a result, the thermal expansion and adhesiveness of the electronic component are increased. It has been found that stress is generated in the electronic component due to the difference from the thermal expansion of the film, and as a result, the electronic component is warped.
  • the present inventors have further studied based on the above findings.
  • the uneven absorbent resin layer 20 having a melting point (Tm) measured by a differential scanning calorimeter (DSC) in the range of 10 ° C. or more and 50 ° C. or less, the thermal expansion of the electronic component and the adhesive film It is considered that the stress on the electronic component due to the difference from the thermal expansion can be relieved, and as a result, the warp of the electronic component after grinding can be effectively suppressed.
  • Tm melting point measured by a differential scanning calorimeter
  • uneven absorption at 70 ° C. is measured by a dynamic viscoelasticity measuring device (twist mode) from the viewpoint of further effectively suppressing warpage of the electronic component after grinding.
  • the storage elastic modulus G ′ of the conductive resin layer 20 is preferably 1.0 ⁇ 10 4 Pa or more, more preferably 5.0 ⁇ 10 4 Pa or more, further preferably 1.0 ⁇ 10 5 Pa or more, and preferably Is 1.0 ⁇ 10 6 Pa or less, more preferably 5.0 ⁇ 10 5 Pa or less, and still more preferably 2.0 ⁇ 10 5 Pa or less.
  • the storage elastic modulus G ′ of the uneven absorbent resin layer 20 at 70 ° C. can be controlled within the above range, for example, by controlling the type and blending ratio of each component constituting the uneven absorbent resin layer 20. .
  • the total thickness of the pressure-sensitive adhesive film 100 according to this embodiment is preferably 25 ⁇ m or more and 1000 ⁇ m or less, more preferably 100 ⁇ m or more and 800 ⁇ m or less, and further preferably 150 ⁇ m or more and 600 ⁇ m, from the balance between mechanical properties and handleability. It is as follows.
  • the adhesive film 100 according to the present embodiment may be provided with other layers such as an adhesive layer and an antistatic layer (not shown) between the respective layers as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • the adhesive layer the adhesiveness between the layers can be improved.
  • the antistatic layer the antistatic property of the adhesive film 100 can be improved.
  • the adhesive film 100 according to the present embodiment is used for protecting the surface of an electronic component or fixing the electronic component in a manufacturing process of an electronic device, and more specifically, in the manufacturing process of an electronic device. It is suitably used as a back grind tape used for protecting a circuit forming surface (that is, a circuit surface including a circuit pattern) of an electronic component in a process of grinding one electronic component (also referred to as a back grind process). Specifically, the adhesive film 100 is attached and protected on the circuit forming surface of the electronic component, and used for the step of grinding the surface opposite to the circuit forming surface. When having a bump electrode on the circuit forming surface, the adhesive film 100 according to this embodiment including the uneven absorbent resin layer 20 can be suitably applied.
  • the adhesive film 100 which concerns on this embodiment can be used also for processes other than a grinding process.
  • it can be used as a so-called dicing tape for dicing a semiconductor wafer or an epoxy mold wafer to obtain a plurality of individual semiconductor chips or packages.
  • the adhesive film 100 according to the present embodiment has an electronic component thickness of 250 ⁇ m or less. It is particularly preferably used for thinly grinding an electronic component.
  • the base material layer 10 is a layer provided for the purpose of improving the handling properties, mechanical properties, heat resistance, and other properties of the adhesive film 100.
  • the base material layer 10 is not particularly limited as long as it has a mechanical strength capable of withstanding an external force applied when processing an electronic component, and examples thereof include a resin film.
  • the resin constituting the substrate layer 10 include polyolefins such as polyethylene, polypropylene, poly (4-methyl-1-pentene), and poly (1-butene); polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate, and the like.
  • Polyester Nylon-6, Nylon-66, Polyamide such as Polymethylene xylene adipamide; Polyacrylate; Polymethacrylate; Polyvinyl chloride; Polyimide; Polyetherimide; Polyamideimide; Ethylene / vinyl acetate copolymer; Polyacrylonitrile Polycarbonate, polystyrene, ionomer, polysulfone, polyethersulfone, polyetheretherketone, polyphenylene sulfide, polyphenylene ether, polyester elastomer Mention may be made of one or more selected from the like; de elastomer, elastomers such as polyimide-based elastomer.
  • polypropylene polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyamide, polyimide, ethylene / vinyl acetate copolymer, polyester elastomer, polyamide elastomer, polyimide elastomer, and
  • polybutylene terephthalate is preferred, and one or more selected from polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are more preferred.
  • the thermal contraction rate of the base material layer 10 when heat-treated at 150 ° C. for 30 minutes is preferably 0.05% or more and 1.2% or less from the viewpoint of further suppressing warpage of the electronic component after grinding, It is more preferably 0.05% or more and 1.0% or less, and particularly preferably 0.1% or more and 0.6% or less.
  • the heat shrinkage rate of the base material layer 10 is equal to or less than the above upper limit, the base material can be used even when the adhesive film 100 is attached to an electronic component under heating or when the temperature of the adhesive film 100 is increased during grinding.
  • the dimensional change of the layer 10 can be suppressed. As a result, the stress applied to the electronic component is reduced, and the warpage of the electronic component can be further suppressed.
  • the heat shrinkage rate of the base material layer 10 is determined by setting the length in the flow direction (MD direction) of the base material layer 10 before heat treatment to L 0, and performing heat treatment at 150 ° C. for 30 minutes, and then room temperature (23 ° C.). after cooling, the MD direction of the base layer 10 a length when the L 1, can be calculated by 100 ⁇ (L 0 -L 1) / L 0 in.
  • the base material layer 10 may be a single layer or two or more layers.
  • the form of the resin film used to form the base material layer 10 may be a stretched film or a film stretched in a uniaxial direction or a biaxial direction. From the viewpoint of improving the mechanical strength of the film, a film stretched in a uniaxial direction or a biaxial direction is preferable.
  • the base material layer 10 is preferably annealed in advance from the viewpoint of suppressing warpage of the electronic component after grinding.
  • the base material layer 10 may be subjected to a surface treatment in order to improve adhesion with other layers. Specifically, corona treatment, plasma treatment, undercoat treatment, primer coat treatment, or the like may be performed.
  • the thickness of the base material layer 10 is preferably 25 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less from the viewpoint of obtaining good film characteristics.
  • the pressure-sensitive adhesive film 100 includes the uneven absorbent resin layer 20 between the base material layer 10 and the pressure-sensitive resin layer 30.
  • the uneven absorbent resin layer 20 is a layer provided for the purpose of improving the followability of the adhesive film 100 to the circuit forming surface and improving the adhesion between the circuit forming surface and the adhesive film 100.
  • the uneven absorbent resin layer 20 contains a thermoplastic resin, and has a melting point (Tm) measured by a differential scanning calorimeter (DSC) of 10 ° C. or more and 50 ° C. or less, preferably 15 ° C. or more and 40 ° C. or less. More preferably, it is 15 degreeC or more and 35 degrees C or less.
  • the heat of fusion of the uneven absorbent resin layer 20 measured by a differential scanning calorimeter (DSC) is preferably 10 J / g or more and 100 J / g or less, more preferably 15 J / g or more and 80 J / g or less, and still more preferably 20 J / g. g to 60 J / g.
  • thermoplastic resins When two or more thermoplastic resins are included, two or more melting points may be observed, but at least one melting point (Tm) may be in the above range.
  • the two or more melting points are preferably 10 ° C. or more and 50 ° C. or less.
  • the temperature giving the peak top of the endothermic peak is the melting point
  • the endothermic peak area is the heat of fusion.
  • 1st heating Temperature is raised from 30 ° C to 230 ° C at 10 ° C / min and held at 230 ° C for 5 minutes. Cooling: Temperature is lowered from 230 ° C to -100 at 10 ° C / min and held at -100 ° C for 5 minutes.
  • 2nd heating Again, heat up to 230 ° C at 10 ° C / min
  • the uneven absorbent resin layer 20 preferably includes an ethylene / ⁇ -olefin copolymer (A), and includes an ethylene / ⁇ -olefin copolymer (A) and an ethylene / polar monomer copolymer (B). Is more preferable. Thereby, it becomes possible to suppress the curvature of the electronic component after grinding more effectively.
  • the total amount of the ethylene / ⁇ -olefin copolymer (A) and the ethylene / polar monomer copolymer (B) contained in the uneven absorbent resin layer 20 is 100 parts by mass.
  • the content of the ethylene / polar monomer copolymer (B) in the uneven absorbent resin layer 20 is preferably 10 parts by mass or more, and more preferably 15 parts by mass or more.
  • the content of the ethylene / polar monomer copolymer (B) in the uneven absorbent resin layer 20 is preferably 70 parts by mass or less from the viewpoint of more effectively suppressing warpage of the electronic component after grinding. Or less, more preferably 50 parts by mass or less, still more preferably 40 parts by mass or less, and particularly preferably 30 parts by mass or less.
  • the ethylene / ⁇ -olefin copolymer (A) is, for example, a copolymer obtained by copolymerizing ethylene and an ⁇ -olefin having 3 to 20 carbon atoms.
  • ⁇ -olefin for example, an ⁇ -olefin having 3 to 20 carbon atoms can be used alone or in combination of two or more. Among these, ⁇ -olefins having 10 or less carbon atoms are preferable, and ⁇ -olefins having 3 to 8 carbon atoms are particularly preferable.
  • ⁇ -olefins include propylene, 1-butene, 1-pentene, 1-hexene, 3-methyl-1-butene, 3,3-dimethyl-1-butene, 4-methyl-1- Examples include pentene, 1-octene, 1-decene, and 1-dodecene. Of these, propylene, 1-butene, 1-pentene, 1-hexene, 4-methyl-1-pentene and 1-octene are preferable because of their availability.
  • the ethylene / ⁇ -olefin copolymer (A) may be a random copolymer or a block copolymer, but a random copolymer is preferred from the viewpoint of flexibility.
  • ethylene / ⁇ -olefin copolymer (A) for example, Tafmer (registered trademark) manufactured by Mitsui Chemicals, ENGAGE (registered trademark) manufactured by DOW, EXACT (registered trademark) manufactured by ExxonMobil, Inc. And Kernel (trademark registered) manufactured by Japan Polyethylene Corporation.
  • the density of the ethylene ⁇ alpha-olefin copolymer (A) is preferably 850 ⁇ 900kg / m 3, more preferably 850 ⁇ 880kg / m 3, more preferably 850 ⁇ 870 kg / m is 3.
  • the density is equal to or higher than the lower limit, handling troubles such as blocking can be avoided.
  • corrugated absorbent resin layer 20 which is excellent in uneven
  • ethylene / polar monomer copolymer (B) examples include an ethylene / (meth) ethyl acrylate copolymer, an ethylene / (meth) methyl acrylate copolymer, and an ethylene / (meth) acryl.
  • the ethylene / polar monomer copolymer (B) is selected from an ethylene / vinyl ester copolymer and an ethylene / unsaturated carboxylic acid ester copolymer from the balance between availability and performance. It is preferable to include one or two or more, and it is particularly preferable to include an ethylene / vinyl acetate copolymer.
  • the ethylene / vinyl acetate copolymer is a copolymer of ethylene and vinyl acetate, for example, a random copolymer.
  • the content ratio of the structural unit derived from vinyl acetate in the ethylene / vinyl acetate copolymer is preferably 5% by mass to 50% by mass, more preferably 10% by mass to 45% by mass, and still more preferably 15% by mass. % To 40% by mass.
  • the adhesive film 100 is more excellent in the balance of flexibility, heat resistance, transparency, and mechanical properties.
  • the uneven absorbent resin layer 20 is formed, the film formability is good.
  • the vinyl acetate content can be measured according to JIS K7192: 1999.
  • the ethylene / vinyl acetate copolymer is preferably a binary copolymer consisting only of ethylene and vinyl acetate.
  • ethylene and vinyl acetate for example, vinyl formate, vinyl glycolate, vinyl propionate, vinyl benzoate.
  • vinyl ester monomer such as acrylic acid, methacrylic acid, ethacrylic acid, or an acrylic monomer such as a salt or alkyl ester thereof may be included as a copolymerization component. .
  • the amount of the copolymer component other than ethylene and vinyl acetate in the ethylene / vinyl acetate copolymer may be 0.5 mass% or more and 5 mass% or less. preferable.
  • the melt flow rate (MFR) of the ethylene / polar monomer copolymer (B) measured under the conditions of 190 ° C. and 2.16 kg load according to JIS K7210: 1999 is preferably 0.1 to 50 g / 10 minutes, more preferably 0.2 to 45 g / 10 minutes, still more preferably 0.5 to 40 g / 10 minutes.
  • MFR melt flow rate
  • the MFR is not less than the above lower limit, the fluidity of the ethylene / polar monomer copolymer (B) is improved, and the moldability of the uneven absorbent resin layer 20 can be further improved.
  • the MFR is not more than the above upper limit value, the molecular weight becomes high, so that adhesion to a roll surface such as a chill roll hardly occurs, and the uneven absorbent resin layer 20 having a more uniform thickness can be obtained.
  • the uneven absorbent resin layer 20 can be obtained, for example, by dry blending or melt-kneading each component and then extrusion molding. Moreover, antioxidant can be added as needed.
  • the thickness of the uneven absorbent resin layer 20 is not particularly limited as long as the unevenness of the circuit forming surface of the electronic component can be embedded, but is preferably 10 ⁇ m or more and 800 ⁇ m or less, for example, 50 ⁇ m or more and 600 ⁇ m. Or less, more preferably 100 ⁇ m or more and 500 ⁇ m or less.
  • the adhesive film 100 includes an adhesive resin layer 30.
  • the adhesive resin layer 30 is a layer provided on one surface side of the uneven absorbent resin layer 20, and contacts the circuit forming surface of the electronic component when the adhesive film 100 is attached to the circuit forming surface of the electronic component. It is a layer that adheres.
  • Examples of the adhesive constituting the adhesive resin layer 30 include (meth) acrylic adhesives, silicone adhesives, urethane adhesives, olefin adhesives, and styrene adhesives.
  • a (meth) acrylic pressure-sensitive adhesive having a (meth) acrylic resin as a base polymer is preferable from the viewpoint that the adhesive force can be easily adjusted.
  • the adhesive constituting the adhesive resin layer 30 it is preferable to use a radiation cross-linking adhesive that reduces the adhesive strength by radiation.
  • the pressure-sensitive adhesive resin layer 30 composed of the radiation-crosslinking-type pressure-sensitive adhesive is cross-linked by irradiation with radiation, and the adhesive force is remarkably reduced. Therefore, it is easy to peel the electronic component from the pressure-sensitive adhesive film 100.
  • radiation include ultraviolet rays, electron beams, and infrared rays.
  • an ultraviolet crosslinking adhesive is preferable.
  • Examples of the (meth) acrylic resin contained in the (meth) acrylic pressure-sensitive adhesive include a homopolymer of a (meth) acrylic acid ester compound, a copolymer of a (meth) acrylic acid ester compound and a comonomer, and the like. It is done.
  • Examples of (meth) acrylic acid ester compounds include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, hydroxyethyl (meth) acrylate, and hydroxypropyl (meth).
  • Examples include acrylate, dimethylaminoethyl (meth) acrylate, and glycidyl (meth) acrylate.
  • These (meth) acrylic acid ester compounds may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.
  • Examples of the comonomer constituting the (meth) acrylic copolymer include vinyl acetate, (meth) acrylonitrile, styrene, (meth) acrylic acid, itaconic acid, (meth) acrylamide, and methylol (meth) acrylic. Amide, maleic anhydride, etc. are mentioned. These comonomers may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.
  • Radiation-crosslinking (meth) acrylic adhesives include (meth) acrylic resins having a polymerizable carbon-carbon double bond in the molecule, and two or more polymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule. Examples thereof include a pressure-sensitive adhesive obtained by crosslinking the (meth) acrylic resin with a crosslinking agent as necessary, which contains a low molecular weight compound and a photoinitiator.
  • the (meth) acrylic resin having a polymerizable carbon-carbon double bond in the molecule is specifically obtained as follows. First, a monomer having an ethylenic double bond and a copolymerizable monomer having a functional group (P) are copolymerized. Next, a functional group (P) contained in the copolymer and a monomer having a functional group (Q) capable of causing an addition reaction, a condensation reaction or the like with the functional group (P) are combined into a double bond in the monomer. The reaction is carried out while leaving a polymerizable carbon-carbon double bond in the copolymer molecule.
  • Examples of the monomer having an ethylenic double bond include alkyl alkyl esters such as methyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, and ethyl (meth) acrylate.
  • alkyl alkyl esters such as methyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, and ethyl (meth) acrylate.
  • monomers having an ethylenic double bond such as methacrylic acid alkyl ester monomers, vinyl esters such as vinyl acetate, (meth) acrylonitrile, (meth) acrylamide and styrene are used.
  • Examples of the copolymerizable monomer having the functional group (P) include (meth) acrylic acid, maleic acid, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, N-methylol (meth) acrylamide, (meth) And acryloyloxyethyl isocyanate. These may be used alone or in combination of two or more.
  • the proportion of the monomer having an ethylenic double bond and the copolymerizable monomer having a functional group (P) is such that the monomer having the ethylenic double bond is 70 to 99% by mass and has a functional group (P).
  • the amount of the copolymerizable monomer is preferably 1 to 30% by mass.
  • the monomer having an ethylenic double bond is 80 to 95% by mass, and the copolymerizable monomer having a functional group (P) is 5 to 20% by mass.
  • the monomer which has the said functional group (Q) the monomer similar to the copolymerizable monomer which has the said functional group (P) can be mentioned, for example.
  • a combination that easily undergoes an addition reaction such as a carboxyl group and an epoxy group, a carboxyl group and an aziridyl group, and a hydroxyl group and an isocyanate group is desirable.
  • any reaction may be used as long as it is a reaction in which a polymerizable carbon-carbon double bond can be easily introduced, such as a condensation reaction between a carboxylic acid group and a hydroxyl group.
  • Examples of low molecular weight compounds having two or more polymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule include tripropylene glycol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, and pentaerythritol. Examples include tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta (meth) acrylate, and dipentaerythritol hexa (meth) acrylate. These may use 1 type (s) or 2 or more types.
  • the amount of the low molecular weight compound having two or more polymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule is preferably 0.1 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the (meth) acrylic resin. More preferably, it is 5 to 18 parts by mass.
  • photoinitiator examples include benzoin, isopropyl benzoin ether, isobutyl benzoin ether, benzophenone, Michler ketone, chlorothioxanthone, dodecylthioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone, acetophenone diethyl ketal, benzyl dimethyl ketal, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2 -Hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
  • the addition amount of the photoinitiator is preferably 0.1 to 15 parts by mass, more preferably 5 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the (meth) acrylic resin.
  • a crosslinking agent may be added to the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive.
  • the cross-linking agent include epoxy compounds such as sorbitol polyglycidyl ether, polyglycerol polyglycidyl ether, pentaerythritol polyglycidyl ether, diglycerol polyglycidyl ether, tetramethylolmethane-tri- ⁇ -aziridinyl propionate, Trimethylolpropane-tri- ⁇ -aziridinylpropionate, N, N′-diphenylmethane-4,4′-bis (1-aziridinecarboxamide), N, N′-hexamethylene-1,6-bis ( 1-aziridinecarboxamide) and the like, and isocyanate compounds such as tetramethylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, and polyisocyanate.
  • the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive may be any of a solvent type, an emul
  • the content of the cross-linking agent is usually preferably in a range where the number of functional groups in the cross-linking agent does not exceed the number of functional groups in the (meth) acrylic resin. However, when a functional group is newly generated by the crosslinking reaction, or when the crosslinking reaction is slow, it may be contained excessively as necessary.
  • the content of the cross-linking agent in the (meth) acrylic pressure-sensitive adhesive is 0.100 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the (meth) acrylic resin from the viewpoint of improving the balance between the heat resistance and adhesion of the pressure-sensitive resin layer 30. It is preferable that they are 1 mass part or more and 15 mass parts or less.
  • the adhesive resin layer 30 can be formed by, for example, applying an adhesive coating liquid on the uneven absorbent resin layer 20.
  • a method for applying the adhesive coating solution for example, a conventionally known coating method such as a roll coater method, a reverse roll coater method, a gravure roll method, a bar coat method, a comma coater method, or a die coater method can be employed.
  • the drying conditions of the applied pressure-sensitive adhesive are not particularly limited, but in general, drying is preferably performed for 10 seconds to 10 minutes in a temperature range of 80 to 200 ° C. More preferably, it is dried at 80 to 170 ° C. for 15 seconds to 5 minutes.
  • it may be heated at 40 to 80 ° C. for about 5 to 300 hours.
  • the thickness of the adhesive resin layer 30 is not particularly limited, but is preferably 1 ⁇ m to 100 ⁇ m, more preferably 3 ⁇ m to 80 ⁇ m, and more preferably 5 ⁇ m to 60 ⁇ m. The following is more preferable.
  • the uneven absorbent resin layer 20 is formed on one surface of the base material layer 10 by extrusion lamination.
  • the pressure-sensitive adhesive resin layer 30 is formed by applying a pressure-sensitive adhesive coating solution on the uneven absorbent resin layer 20 and drying it, whereby the pressure-sensitive adhesive film 100 can be obtained.
  • the base material layer 10 and the uneven absorbent resin layer 20 may be formed by coextrusion molding, or the film-like base material layer 10 and the film-like uneven absorbent resin layer 20 are laminated (laminated). May be formed.
  • the electronic device manufacturing method includes at least the following two steps.
  • the adhesive film 100 the adhesive film 100 according to the present embodiment is used.
  • the method for manufacturing an electronic device according to the present embodiment is characterized in that the adhesive film 100 according to the present embodiment is used as a so-called back grind tape when the back surface of the electronic component is ground.
  • a structure including an electronic component having a circuit forming surface and an adhesive film 100 bonded to the circuit forming surface side of the electronic component is prepared.
  • a structure peels the release film from the adhesive resin layer 30 of the adhesive film 100, exposes the surface of the adhesive resin layer 30, and on the adhesive resin layer 30, the electronic component It can be manufactured by attaching a circuit forming surface.
  • conditions for attaching the circuit forming surface of the electronic component to the adhesive film 100 are not particularly limited.
  • the temperature is 30 to 80 ° C.
  • the pressure is 0.05 to 0.5 MPa
  • the attaching speed is 0. .5 to 20 mm / sec.
  • the step (A) preferably further includes a step (A2) of producing a structure by heating and sticking the adhesive film 100 to the circuit forming surface of the electronic component.
  • the heating temperature is not particularly limited, but is, for example, 60 to 80 ° C.
  • the operation of adhering the adhesive film 100 to an electronic component may be performed manually, but can be generally performed by an apparatus called an automatic applicator equipped with a roll-shaped adhesive film.
  • an electronic component stuck on the adhesive film 100 It is preferable that it is an electronic component which has a circuit formation surface.
  • a semiconductor wafer, an epoxy mold wafer, a mold panel, a mold array package, a semiconductor substrate and the like can be mentioned, and a semiconductor wafer and an epoxy mold wafer are preferable.
  • semiconductor wafers include silicon wafers, sapphire wafers, germanium wafers, germanium-arsenic wafers, gallium-phosphorus wafers, gallium-arsenic-aluminum wafers, gallium-arsenic wafers, lithium tantalate wafers, and the like. Is preferably used.
  • the epoxy mold wafer examples include a wafer produced by an eWLB (Embedded Wafer Level Ball Grid Array) process, which is one of the methods for producing a fan-out type WLP. Although it does not specifically limit as a semiconductor wafer which has a circuit formation surface, and an epoxy mold wafer, For example, it is used for the thing by which circuits, such as wiring, a capacitor, a diode, or a transistor, were formed in the surface. Further, plasma treatment may be performed on the circuit formation surface.
  • eWLB embedded Wafer Level Ball Grid Array
  • the circuit formation surface of the electronic component is an uneven surface by having electrodes, for example.
  • the electrode is bonded to the electrode formed on the mounting surface, and electricity between the electronic device and the mounting surface (mounting surface such as a printed board) is provided.
  • the electrode include bump electrodes such as a ball bump, a printed bump, a stud bump, a plating bump, and a pillar bump. That is, the electrode is usually a convex electrode.
  • These bump electrodes may be used alone or in combination of two or more.
  • the height and diameter of the bump electrode are not particularly limited, but each is preferably 10 to 400 ⁇ m, more preferably 50 to 300 ⁇ m.
  • the bump pitch at that time is not particularly limited, but is preferably 20 to 600 ⁇ m, more preferably 100 to 500 ⁇ m.
  • the metal species constituting the bump electrode is not particularly limited, and examples thereof include solder, silver, gold, copper, tin, lead, bismuth, and alloys thereof. In the case of, it is used suitably. These metal species may be used alone or in combination of two or more.
  • a surface (hereinafter also referred to as a back surface) opposite to the circuit forming surface side of the electronic component is ground (also referred to as a back grind).
  • grinding means that the electronic component is thinned to a predetermined thickness without breaking or breaking the electronic component.
  • the structure is fixed to a chuck table or the like of a grinding machine, and the back surface (circuit non-formed surface) of the electronic component is ground.
  • the electronic component is ground until the thickness becomes 250 ⁇ m or less. If necessary, it may be cut thinner than 100 ⁇ m.
  • the thickness of the electronic component before grinding is appropriately determined depending on the diameter and type of the electronic component, and the thickness of the electronic component after grinding is appropriately determined depending on the size of the chip to be obtained, the type of circuit, and the like.
  • the adhesive film 100 according to the present embodiment is used, the warp of the electronic component is suppressed. It becomes possible.
  • the thickness of the electronic component is 250 ⁇ m or less, preferably 200 ⁇ m or less, more preferably 150 ⁇ m or less, while suppressing warpage of the electronic component. It is possible to grind the surface opposite to the circuit forming surface side of the electronic component until it becomes 100 ⁇ m or less.
  • the thickness of the electronic component according to the present embodiment does not include the height of irregularities such as electrodes. That is, the thickness of the electronic component according to the present embodiment refers to the thickness of the wafer or substrate.
  • the backside grinding method is not particularly limited, but a known grinding method can be adopted. Grinding can be performed while cooling water by applying water to an electronic component and a grindstone. If necessary, a dry polishing process, which is a grinding method that does not use grinding water, can be performed at the end of the grinding process. After the back grinding, chemical etching is performed as necessary. Chemical etching adheres to an etching solution selected from the group consisting of acidic aqueous solutions made of hydrofluoric acid, nitric acid, sulfuric acid, acetic acid and the like alone or in a mixed solution, alkaline aqueous solutions such as potassium hydroxide aqueous solution and sodium hydroxide aqueous solution.
  • the etching is performed for the purpose of removing distortion generated on the back surface of the electronic component, further thinning the electronic component, removing an oxide film, etc., pretreatment when forming the electrode on the back surface, and the like.
  • the etching solution is appropriately selected according to the above purpose.
  • a peeling step (C) for peeling the adhesive film 100 from the surface of the electronic component may be performed after the grinding step or chemical etching is completed. This series of operations may be performed manually, but can generally be performed by an apparatus called an automatic peeling machine. You may wash
  • the electronic component may be diced into individual pieces to obtain a semiconductor chip, or the step of mounting the obtained semiconductor chip on a circuit board may be further performed. . These steps can be performed based on known information.
  • Resin 1 Ethylene / propylene copolymer (Mitsui Chemicals, trade name: Toughmer P0275, density: 861 kg / m 3 , melt flow rate (190 ° C.): 2.9 g / 10 min)
  • Resin 2 Ethylene / vinyl acetate copolymer (manufactured by Mitsui DuPont Polychemical Co., Ltd., trade name: Everflex EV170, vinyl acetate content: 33% by mass, density: 960 kg / m 3 , melt flow rate (190 ° C.): 1 g / 10 minutes)
  • Resin 3 Ethylene / vinyl acetate copolymer (manufactured by Mitsui DuPont Polychemical Co., Ltd., trade name: Evaflex EV150, vinyl acetate content: 33% by mass, density: 960 kg / m 3 , melt flow rate (
  • the obtained solution was cooled, and 25 parts by mass of xylene, 5 parts by mass of acrylic acid, and 0.5 parts by mass of tetradecyldimethylbenzylammonium chloride were added to the cooled solution, and the air was blown at 32 ° C at 85 ° C. It was made to react for time, and the adhesive polymer solution was obtained.
  • ⁇ Adhesive coating solution for adhesive resin layer For 100 parts by mass of the pressure-sensitive adhesive polymer (solid content), 7 parts by mass of benzyldimethyl ketal (manufactured by BASF, trade name: Irgacure 651) as a photoinitiator, isocyanate-based crosslinking agent (manufactured by Mitsui Chemicals, trade name: ole 1 part by mass of Star P49-75S) and 12 parts by mass of dipentaerythritol hexaacrylate (manufactured by Toagosei Co., Ltd., trade name: Aronix M-400) were added to obtain an adhesive coating solution for the adhesive resin layer.
  • benzyldimethyl ketal manufactured by BASF, trade name: Irgacure 651
  • isocyanate-based crosslinking agent manufactured by Mitsui Chemicals, trade name: ole 1 part by mass of Star P49-75S
  • Tuffmer P0275 80 parts by mass
  • Evaflex EV170 20 parts by mass
  • the polyethylene terephthalate film 50 ⁇ m serving as a base material layer is extruded and laminated using a single screw extruder so that the dry blend of the above-described uneven absorbent resin has a thickness of 350 ⁇ m.
  • a laminated film of the uneven absorbent resin layer was obtained.
  • an adhesive coating solution for the adhesive resin layer was applied to a polyethylene terephthalate film (38 ⁇ m) subjected to silicone release treatment, and then dried to form an adhesive resin layer having a thickness of 40 ⁇ m. Subsequently, the obtained adhesive resin layer was bonded to the uneven absorbent resin layer side of the above-mentioned laminated film, thereby obtaining an adhesive film. The following evaluation was performed about the obtained adhesive film. The obtained results are shown in Table 1.
  • Tm Melting point
  • DSC differential scanning calorimeter
  • the melting point (Tm) and heat of fusion were determined from the endothermic peak in a graph of 2nd heating when the horizontal axis represents temperature and the vertical axis represents DSC.
  • the melting point was determined from the temperature giving the peak top of the endothermic peak, and the heat of fusion was determined from the area of the endothermic peak.
  • FIG. 2 is a schematic diagram for explaining the bump absorption diameter.
  • a background protective tape affixing device (DR3000II, manufactured by Nitto Seiki Co., Ltd.)
  • the adhesive film 100 is formed into an 8-inch bump wafer 200 (solder bump 250, bump height: 200 ⁇ m, bump diameter: 270 ⁇ m, bump pitch: 400 ⁇ m).
  • the obtained adhesive film-attached wafer was observed with an optical microscope (manufactured by Olympus Corporation, MX61L), and the bump absorption diameter D of the adhesive film was measured from the site where floating was observed in the image measurement mode.
  • a smaller bump absorption diameter D means that the surrounding float is smaller and the bump absorption is superior.
  • Example 2 A pressure-sensitive adhesive film was produced in the same manner as in Example 1 except that the composition of Toughmer P0275 and Evaflex EV170 serving as the uneven absorbent resin layer was changed to the values shown in Table 1. Each evaluation was performed in the same manner as in Example 1. The obtained results are shown in Table 1.
  • Example 3 A pressure-sensitive adhesive film was produced in the same manner as in Example 1 except that the composition of Toughmer P0275 and Evaflex EV170 serving as the uneven absorbent resin layer was changed to the values shown in Table 1. Each evaluation was performed in the same manner as in Example 1. The obtained results are shown in Table 1.
  • Example 1 A pressure-sensitive adhesive film was produced in the same manner as in Example 1 except that EVAFLEX EV150 was used as the thermoplastic resin constituting the uneven absorbent resin layer. Moreover, each evaluation was performed similarly to Example 1 except the storage elastic modulus G 'at 70 degreeC of the following (2) uneven
  • the adhesive films of Examples 1 to 3 using the uneven absorbent resin layer having a melting point (Tm) measured by a differential scanning calorimeter (DSC) in the range of 10 ° C. or more and 50 ° C. or less are used.
  • the amount of warping of the semiconductor wafer after grinding was small, which was a good result.
  • the bump absorption diameter of the adhesive film of the example was close to the bump diameter of 270 ⁇ m of the bump wafer. That is, the pressure-sensitive adhesive films of the examples were excellent in unevenness absorbability.
  • the base layer, the uneven absorbent resin layer, and the adhesive resin layer are provided in this order, and the melting point (Tm) of the uneven absorbent resin layer is in the range of 10 ° C.
  • the adhesive film 100 according to the embodiment can suppress warpage of the semiconductor wafer after grinding and is excellent in unevenness absorbability.
  • the adhesive film of Comparative Example 1 in which the melting point (Tm) of the uneven absorbent resin layer exceeds 50 ° C. has a large amount of warpage of the semiconductor wafer after grinding, and the warpage of the semiconductor wafer after grinding cannot be suppressed. Understandable. Further, a bump absorption diameter 70 ⁇ m larger than the bump diameter of the wafer was observed. That is, it can be understood that the adhesive film of the comparative example is inferior in unevenness absorbability than the adhesive film of the example.

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Abstract

本発明の粘着性フィルム（１００）は、電子部品を加工するために用いられる粘着性フィルムであって、基材層（１０）と、凹凸吸収性樹脂層（２０）と、粘着性樹脂層（３０）と、をこの順番に備え、凹凸吸収性樹脂層（２０）は、熱可塑性樹脂を含み、示差走査熱量計（ＤＳＣ）により測定される、凹凸吸収性樹脂層（２０）の融点（Ｔｍ）が１０℃以上５０℃以下の範囲内にあり、上記電子部品は回路形成面を有し、上記電子部品の厚みが２５０μｍ以下になるように、上記電子部品の当該回路形成面とは反対側の面を研削するために用いられる。

Description

粘着性フィルムおよび電子装置の製造方法
　本発明は、粘着性フィルムおよび電子装置の製造方法に関する。
　電子装置の製造工程の中で、電子部品を研削する工程においては、電子部品を固定したり、電子部品の損傷を防止したりするために、電子部品の回路形成面に粘着性フィルムが貼り付けられる。
　このような粘着性フィルムには、一般的に、基材フィルムに粘着性樹脂層を積層させたフィルムが用いられている。
　一方で、回路形成面の凹凸が大きい電子部品に関しては、粘着性フィルムに凹凸吸収性を付与するために、基材フィルムと粘着性樹脂層との間に凹凸吸収性樹脂層を設けた粘着性フィルムが検討されている。
　このような凹凸吸収性を有する粘着性フィルムに関する技術としては、例えば、特許文献１（特開２０１４－１１２７３号公報）および特許文献２（特開２０１０－２５８４２６号公報）に記載のものが挙げられる。
　特許文献１には、高弾性基材フィルムの片側の面に少なくとも１層以上の低弾性率層を有し、該低弾性率層上に放射線硬化型粘着剤層を有し、該高弾性基材フィルムのヤング率が５．０×１０８Ｐａ～１．１×１０１０Ｐａであり、該低弾性率層の２５℃での貯蔵弾性率Ｇ’（２５℃）が２．５×１０５Ｐａ～４．０×１０５Ｐａで、６０℃での貯蔵弾性率Ｇ’（６０℃）が０．２×１０５Ｐａ～１．５×１０５Ｐａであって、その比Ｇ’（６０℃）／Ｇ’（２５℃）が０．５以下であり、該低弾性率層の２５℃での損失正接ｔａｎδ（２５℃）が０．０８～０．１５であり、６０℃での損失正接ｔａｎδ（６０℃）との比ｔａｎδ（６０℃）／ｔａｎδ（２５℃）が４．０以上であり、かつ、該放射線硬化型粘着剤層の厚みが５～１００μｍであって、該低弾性率層と該放射線硬化型粘着剤層の厚みの比、放射線硬化型粘着剤層厚み／低弾性率層厚み、が１／２以下であることを特徴とする半導体ウエハ加工用粘着テープが記載されている。
　特許文献２には、基材と少なくとも一層以上の中間層と粘着剤層をこの順番で積層してなる半導体ウエハ保護用粘着シートを半導体ウエハの表面に貼り合わせる方法であって、該粘着シートと半導体ウエハの貼り合わせ温度が５０℃～１００℃であり、粘着剤層と接する側の中間層の貼り合わせ温度における損失正接（ｔａｎδ）が０．５以上であることを特徴とする半導体ウエハ保護用粘着シートの貼り合わせ方法が記載されている。
特開２０１４－１１２７３号公報 特開２０１０－２５８４２６号公報
　近年、携帯電話等のデジタル・モバイル機器に使用されるＳｉＰ（Ｓｙｓｔｅｍ　ｉｎ　Ｐａｃｋａｇｅ）等の普及に伴い、例えば厚さ１００μｍ以下の半導体ウエハ等の電子部品を実現する薄仕上げ研削技術への要求が高まっている。
　本発明者らの検討によれば、薄研削をおこなった電子部品に反りが発生する場合があることが明らかになった。電子部品に反りがあると、搬送工程で不具合が生じたり、電子部品に割れが生じたりする懸念がある。
　本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、研削後の電子部品の反りを抑制することが可能な電子部品加工用の粘着性フィルムを提供するものである。
　本発明者らは、上記課題を達成するために鋭意検討を重ねた。その結果、基材層と、凹凸吸収性樹脂層と、粘着性樹脂層と、をこの順番に備える粘着性フィルムにおいて、融点（Ｔｍ）が特定の範囲にある凹凸吸収性樹脂層を用いることにより、研削後の電子部品の反りを抑制することができることを見出して、本発明を完成させた。
　本発明によれば、以下に示す粘着性フィルムが提供される。
［１］
　電子部品を加工するために用いられる粘着性フィルムであって、
　基材層と、凹凸吸収性樹脂層と、粘着性樹脂層と、をこの順番に備え、
　上記凹凸吸収性樹脂層は、熱可塑性樹脂を含み、
　示差走査熱量計（ＤＳＣ）により測定される、上記凹凸吸収性樹脂層の融点（Ｔｍ）が１０℃以上５０℃以下の範囲内にあり、
　上記電子部品は回路形成面を有し、上記電子部品の厚みが２５０μｍ以下になるように、上記電子部品の当該回路形成面とは反対側の面を研削するために用いられる粘着性フィルム。
［２］
　上記［１］に記載の粘着性フィルムにおいて、
　動的粘弾性測定装置（ねじりモード）により測定される、７０℃での上記凹凸吸収性樹脂層の貯蔵弾性率Ｇ’が１．０×１０４Ｐa以上１．０×１０６Ｐa以下である粘着性フィルム。
［３］
　上記［１］または［２］に記載の粘着性フィルムにおいて、
　１５０℃で３０分間熱処理したときの上記基材層の熱収縮率が０．０５％以上１．２％以下である粘着性フィルム。
［４］
　上記［１］乃至［３］のいずれか一つに記載の粘着性フィルムにおいて、
　上記熱可塑性樹脂はエチレン・α－オレフィン共重合体を含む粘着性フィルム。
［５］
　上記［４］に記載の粘着性フィルムにおいて、
　上記熱可塑性樹脂はエチレン・極性モノマー共重合体をさらに含む粘着性フィルム。
［６］
　上記［５］に記載の粘着性フィルムにおいて、
　上記エチレン・極性モノマー共重合体がエチレン・酢酸ビニル共重合体を含む粘着性フィルム。
［７］
　上記［５］または［６］に記載の粘着性フィルムにおいて、
　上記凹凸吸収性樹脂層に含まれる上記エチレン・α－オレフィン共重合体および上記エチレン・極性モノマー共重合体の合計量を１００質量部としたとき、
　上記凹凸吸収性樹脂層中の上記エチレン・極性モノマー共重合体の含有量が１０質量部以上７０質量部以下である粘着性フィルム。
［８］
　上記［１］乃至［７］のいずれか一つに記載の粘着性フィルムにおいて、
　上記電子部品は上記回路形成面にバンプ電極を有する粘着性フィルム。
［９］
　回路形成面を有する電子部品と、上記電子部品の前記回路形成面側に貼り合わされ、かつ、上記［１］乃至［８］のいずれか一つに記載の粘着性フィルムと、を備える構造体を準備する準備工程と、
　上記電子部品の上記回路形成面側とは反対側の面を研削する研削工程と、
を少なくとも備える電子装置の製造方法。
［１０］
　上記［９］に記載の電子装置の製造方法において、
　上記研削工程では、上記電子部品の厚みが２５０μｍ以下になるまで上記電子部品の上記回路形成面側とは反対側の面の研削をおこなう電子装置の製造方法。
　本発明によれば、研削後の電子部品の反りを抑制することが可能な電子部品加工用の粘着性フィルムを提供することができる。
　上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
本発明に係る実施形態の粘着性フィルムの構造の一例を模式的に示した断面図である。 バンプ吸収径を説明するための模式図である。
　以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には共通の符号を付し、適宜説明を省略する。また、図は概略図であり、実際の寸法比率とは一致していない。なお、数値範囲の「Ａ～Ｂ」は特に断りがなければ、Ａ以上Ｂ以下を表す。また、本実施形態において、「（メタ）アクリル」とは、アクリル、メタクリルまたはアクリルおよびメタクリルの両方を意味する。
１．粘着性フィルム
　図１は、本発明に係る実施形態の粘着性フィルム１００の構造の一例を模式的に示した断面図である。
　図１に示すように、本実施形態に係る粘着性フィルム１００は、電子部品を加工するために用いられる粘着性フィルムであって、基材層１０と、凹凸吸収性樹脂層２０と、粘着性樹脂層３０と、をこの順番に備え、凹凸吸収性樹脂層２０は、熱可塑性樹脂を含み、示差走査熱量計（ＤＳＣ）により測定される、凹凸吸収性樹脂層２０の融点（Ｔｍ）が１０℃以上５０℃以下の範囲内にあり、上記電子部品は回路形成面を有し、上記電子部品の厚みが２５０μｍ以下になるように、上記電子部品の当該回路形成面とは反対側の面を研削するために用いられる。
　上述したように、回路形成面の凹凸が大きい電子部品に関しては、粘着性フィルムに凹凸吸収性を付与するために、基材フィルムと粘着性樹脂層との間に凹凸吸収性樹脂層を設けた粘着性フィルムが検討されている。
　ここで、近年、携帯電話等のデジタル・モバイル機器に使用されるＳｉＰ（Ｓｙｓｔｅｍ　ｉｎ　Ｐａｃｋａｇｅ）等の普及に伴い、例えば厚さ１００μｍ以下の半導体ウエハ等の電子部品を実現する薄仕上げ研削技術への要求が高まっている。
　しかし、本発明者らの検討によれば、薄研削をおこなった電子部品に反りが発生する場合があることが明らかになった。電子部品に反りがあると、搬送工程で不具合が生じたり、電子部品に割れが生じたりする懸念がある。
　本発明者らは、上記課題を達成するために鋭意検討を重ねた。その結果、基材層と、凹凸吸収性樹脂層と、粘着性樹脂層と、をこの順番に備える粘着性フィルムにおいて、融点（Ｔｍ）が１０℃以上５０℃以下の範囲にある凹凸吸収性樹脂層を用いることにより、研削後の電子部品の反りを抑制することができることを初めて見出した。
　すなわち、本実施形態によれば、基材層１０と粘着性樹脂層３０との間に、示差走査熱量計（ＤＳＣ）により測定される融点（Ｔｍ）が１０℃以上５０℃以下である凹凸吸収性樹脂層２０を設けることによって、研削後の電子部品の反りを抑制することが可能な電子部品加工用の粘着性フィルム１００を得ることができる。
　本実施形態に係る粘着性フィルム１００を用いることにより、研削後の電子部品の反りを抑制することが可能である理由は明らかでないが、以下の理由が考えられる。
　まず、本発明者らの検討によれば、電子部品を研削する工程において、電子部品が摩耗することによって、電子部品および粘着性フィルムの温度が上がり、その結果、電子部品の熱膨張と粘着性フィルムの熱膨張との差によって、電子部品に応力が生じ、その結果、電子部品に反りが生じてしまうことを知見した。本発明者らは、上記知見をもとにさらに検討を重ねた。その結果、示差走査熱量計（ＤＳＣ）により測定される融点（Ｔｍ）が１０℃以上５０℃以下の範囲にある凹凸吸収性樹脂層２０を設けることによって、電子部品の熱膨張と粘着性フィルムの熱膨張との差による電子部品への応力が緩和でき、その結果、研削後の電子部品の反りを効果的に抑制することができると考えられる。
　本実施形態に係る粘着性フィルム１００において、研削後の電子部品の反りをより一層効果的に抑制する観点から、動的粘弾性測定装置（ねじりモード）により測定される、７０℃での凹凸吸収性樹脂層２０の貯蔵弾性率Ｇ’は、好ましくは１．０×１０４Ｐa以上、より好ましくは５．０×１０４Ｐa以上、さらに好ましくは１．０×１０５Ｐa以上、そして、好ましくは１．０×１０６Ｐa以下、より好ましくは５．０×１０５Ｐa以下、さらに好ましくは２．０×１０５Ｐa以下である。
　７０℃での凹凸吸収性樹脂層２０の貯蔵弾性率Ｇ’は、例えば、凹凸吸収性樹脂層２０を構成する各成分の種類や配合割合を制御することにより上記範囲内に制御することができる。
　本実施形態に係る粘着性フィルム１００全体の厚さは、機械的特性と取扱い性のバランスから、好ましくは２５μｍ以上１０００μｍ以下であり、より好ましくは１００μｍ以上８００μｍ以下であり、さらに好ましくは１５０μｍ以上６００μｍ以下である。
　本実施形態に係る粘着性フィルム１００は、本発明の効果を損なわない範囲で、各層の間に接着層や帯電防止層（図示せず）等の他の層を設けてもよい。接着層によれば、各層の間の接着性を向上させることができる。また、帯電防止層によれば、粘着性フィルム１００の帯電防止性を向上させることができる。
　本実施形態に係る粘着性フィルム１００は、電子装置の製造工程において、電子部品の表面を保護したり、電子部品を固定したりするために用いられ、より具体的には電子装置の製造工程の一つである電子部品を研削する工程（バックグラインド工程とも呼ぶ）において電子部品の回路形成面（すなわち回路パターンを含む回路面）を保護するために使用するバックグラインドテープとして好適に用いられる。具体的には電子部品の回路形成面に粘着性フィルム１００を貼付けて保護し、当該回路形成面とは反対側の面を研削する工程に用いられる。回路形成面にバンプ電極を有する場合、凹凸吸収性樹脂層２０を備える本実施形態に係る粘着性フィルム１００を好適に適用することができる。
　なお、本実施形態に係る粘着性フィルム１００は、研削工程以外の加工にも用いることができる。例えば、半導体ウエハやエポキシモールドウエハをダイシングして複数の個片化された半導体チップやパッケージを得るための、いわゆるダイシングテープとして用いることができる。
　また、厚みが２５０μｍ以下になるまで電子部品を薄く研削する場合に電子部品の反りが発生しやすくなるため、本実施形態に係る粘着性フィルム１００は電子部品の厚みが２５０μｍ以下になるように、電子部品を薄く研削するために特に好適に用いられる。
　次に、本実施形態に係る粘着性フィルム１００を構成する各層について説明する。
＜基材層＞
　基材層１０は、粘着性フィルム１００の取り扱い性や機械的特性、耐熱性等の特性をより良好にすることを目的として設けられる層である。
　基材層１０は、電子部品を加工する際に加わる外力に耐えうる機械的強度があれば特に限定されないが、例えば、樹脂フィルムが挙げられる。
　基材層１０を構成する樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ（４－メチル－１－ペンテン）、ポリ（１－ブテン）等のポリオレフィン；ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル；ナイロン－６、ナイロン－６６、ポリメタキシレンアジパミド等のポリアミド；ポリアクリレート；ポリメタアクリレート；ポリ塩化ビニル；ポリイミド；ポリエーテルイミド；ポリアミドイミド；エチレン・酢酸ビニル共重合体；ポリアクリロニトリル；ポリカーボネート；ポリスチレン；アイオノマー；ポリスルホン；ポリエーテルスルホン；ポリエーテルエーテルケトン；ポリフェニレンスルフィド；ポリフェニレンエーテル；ポリエステル系エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリイミド系エラストマー等のエラストマー；等から選択される一種または二種以上を挙げることができる。
　これらの中でも、機械物性および透明性を良好にする観点から、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、ポリイミド、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポリエステル系エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリイミド系エラストマー、およびポリブチレンテレフタレートから選択される一種または二種以上が好ましく、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートから選択される一種または二種以上がより好ましい。
　１５０℃で３０分間熱処理したときの基材層１０の熱収縮率は、研削後の電子部品の反りをより一層抑制する観点から、０．０５％以上１．２％以下であることが好ましく、０．０５％以上１．０％以下であることがより好ましく、０．１％以上０．６％以下であることが特に好ましい。基材層１０の熱収縮率が上記上限値以下であると、加熱下で電子部品に粘着性フィルム１００を貼り付ける場合や、研削時に粘着性フィルム１００の温度が上がった場合においても、基材層１０の寸法変化を抑制でき、その結果、電子部品にかかる応力が低減され、電子部品の反りをより一層抑制することができる。また、熱収収縮率が上記下限値以上であると生産性良く、製造することができ、コストパフォーマンスの観点で好ましい。
　ここで、基材層１０の熱収縮率は、熱処理前の基材層１０の流れ方向（ＭＤ方向）の長さをＬ０とし、１５０℃で３０分間熱処理した上で、室温（２３℃）に冷却した後の、基材層１０のＭＤ方向の長さをＬ１としたとき、１００×（Ｌ０－Ｌ１）／Ｌ０により算出することができる。
　基材層１０は、単層であっても、二種以上の層であってもよい。
　また、基材層１０を形成するために使用する樹脂フィルムの形態としては、延伸フィルムであってもよいし、一軸方向または二軸方向に延伸したフィルムであってもよいが、基材層１０の機械的強度を向上させる観点から、一軸方向または二軸方向に延伸したフィルムであることが好ましい。基材層１０は研削後の電子部品の反りを抑制する観点から、予めアニール処理されているものが好ましい。基材層１０は他の層との接着性を改良するために、表面処理を行ってもよい。具体的には、コロナ処理、プラズマ処理、アンダーコート処理、プライマーコート処理等を行ってもよい。
　基材層１０の厚さは、良好なフィルム特性を得る観点から、２５μｍ以上１００μｍ以下が好ましい。
＜凹凸吸収性樹脂層＞
　本実施形態に係る粘着性フィルム１００は、基材層１０と粘着性樹脂層３０との間に凹凸吸収性樹脂層２０を備える。
　凹凸吸収性樹脂層２０は、粘着性フィルム１００の回路形成面への追従性を良好にし、回路形成面と粘着性フィルム１００との密着性を良好にすることを目的として設けられる層である。
　凹凸吸収性樹脂層２０は、熱可塑性樹脂を含み、示差走査熱量計（ＤＳＣ）により測定される融点（Ｔｍ）が１０℃以上５０℃以下であり、好ましくは１５℃以上４０℃以下であり、さらに好ましくは１５℃以上３５℃以下である。示差走査熱量計（ＤＳＣ）により測定される凹凸吸収性樹脂層２０の融解熱は、好ましくは１０Ｊ／ｇ以上１００Ｊ／ｇ以下、より好ましくは１５Ｊ／ｇ以上８０Ｊ／ｇ以下、さらに好ましくは２０Ｊ／ｇ以上６０Ｊ／ｇ以下である。
　熱可塑性樹脂を２成分以上含むと、２つ以上の融点が観測されることもあるが、少なくとも一つの融点（Ｔｍ）が上記範囲にあればよい。当該２つ以上の融点がいずれも１０℃以上５０℃以下であることが好ましい。
　融点および融解熱は、次に示す測定条件でＤＳＣ測定を行った際の２ｎｄ加熱時のグラフにおいて、吸熱ピークのピークトップを与える温度を融点、吸熱ピークの面積を融解熱とする。
　＜測定条件＞
　１ｓｔ加熱：３０℃から２３０℃まで１０℃／分で昇温し、２３０℃で５分間保持
　冷却：２３０℃から－１００まで１０℃／分で降温し、－１００℃で５分間保持
　２ｎｄ加熱：再度、２３０℃まで１０℃／分で昇温
　凹凸吸収性樹脂層２０は、エチレン・α－オレフィン共重合体（Ａ）を含むことが好ましく、エチレン・α－オレフィン共重合体（Ａ）およびエチレン・極性モノマー共重合体（Ｂ）を含むことがより好ましい。これにより、研削後の電子部品の反りをより一層効果的に抑制することが可能となる。
　本実施形態に係る粘着性フィルム１００において、凹凸吸収性樹脂層２０に含まれるエチレン・α－オレフィン共重合体（Ａ）およびエチレン・極性モノマー共重合体（Ｂ）の合計量を１００質量部としたとき、凹凸吸収性樹脂層２０中のエチレン・極性モノマー共重合体（Ｂ）の含有量は、１０質量部以上が好ましく、１５質量部以上がより好ましい。また、凹凸吸収性樹脂層２０中のエチレン・極性モノマー共重合体（Ｂ）の含有量は、研削後の電子部品の反りをより効果的に抑制する観点から、７０質量部以下が好ましく、６０質部以下がより好ましく、５０質量部以下がさらに好ましく、４０質量部以下がさらにより好ましく、３０質量部以下が特に好ましい。
（エチレン・α－オレフィン共重合体（Ａ））
　本実施形態に係るエチレン・α－オレフィン共重合体（Ａ）は、例えば、エチレンと、炭素数３～２０のα－オレフィンとを共重合することによって得られる共重合体である。
　α－オレフィンとしては、例えば、炭素数３～２０のα－オレフィンを１種類単独でまたは２種類以上を組み合わせて用いることができる。中でも好ましいのは、炭素数が１０以下であるα－オレフィンであり、特に好ましいのは炭素数が３～８のα－オレフィンである。このようなα－オレフィンの具体例としては、プロピレン、１－ブテン、１－ペンテン、１－ヘキセン、３－メチル－１－ブテン、３，３－ジメチル－１－ブテン、４－メチル－１－ペンテン、１－オクテン、１－デセン、１－ドデセン等を挙げることができる。中でも、入手の容易さからプロピレン、１－ブテン、１－ペンテン、１－ヘキセン、４－メチル－１－ペンテンおよび１－オクテンが好ましい。エチレン・α－オレフィン共重合体（Ａ）はランダム共重合体であっても、ブロック共重合体であってもよいが、柔軟性の観点からランダム共重合体が好ましい。
　ここで、エチレン・α－オレフィン共重合体（Ａ）としては、例えば、三井化学社製のタフマー（商標登録）、ＤＯＷ社製のＥＮＧＡＧＥ（商標登録）、エクソンモービル社製のＥＸＡＣＴ（商標登録）、日本ポリエチレン社製のカーネル（商標登録）等が挙げられる。
　ＡＳＴＭ　Ｄ１５０５に準拠し測定される、エチレン・α－オレフィン共重合体（Ａ）の密度は、好ましくは８５０～９００ｋｇ/ｍ３、より好ましくは８５０～８８０ｋｇ/ｍ３、さらに好ましくは８５０～８７０ｋｇ/ｍ３である。
　密度が上記下限値以上であると、ブロッキングなどのハンドリングトラブルを回避できる。また、密度が上記上限値以下であると、凹凸吸収性に優れる凹凸吸収性樹脂層２０を得ることができる。
　ＡＳＴＭ　Ｄ１２３８に準拠し、１９０℃、２．１６ｋｇ荷重の条件で測定される、エチレン・α－オレフィン共重合体（Ａ）のメルトフローレ－ト（ＭＦＲ）は、好ましくは０．１～５０ｇ／１０分であり、より好ましくは０．２～３０ｇ／１０分、さらに好ましくは０．５～２０ｇ／１０分、特に好ましくは１．０～１０ｇ／１０分である。
　ＭＦＲが上記下限値以上であると、エチレン・α－オレフィン共重合体（Ａ）の流動性が向上し、凹凸吸収性樹脂層２０の加工性をより良好にすることができる。
　また、ＭＦＲが上記上限値以下であると、より一層均一な厚みの凹凸吸収性樹脂層２０を得ることができる。
（エチレン・極性モノマー共重合体（Ｂ））
　本実施形態に係るエチレン・極性モノマー共重合体（Ｂ）としては、例えば、エチレン・（メタ）アクリル酸エチル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸メチル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸プロピル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸ブチル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸ヘキシル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸－２－ヒドロキシエチル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸－２－ヒドロキシプロピル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸グリシジル共重合体、エチレン・マレイン酸ジメチル共重合体、エチレン・マレイン酸ジエチル共重合体、エチレン・フマル酸ジメチル共重合体、エチレン・フマル酸ジエチル共重合体等のエチレン・不飽和カルボン酸エステル共重合体；エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン・マレイン酸共重合体、エチレン・フマル酸共重合体、エチレン・クロトン酸共重合体等のエチレン・不飽和カルボン酸共重合体およびそれらの塩；エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・プロピオン酸ビニル共重合体、エチレン・酪酸ビニル共重合体、エチレン・ステアリン酸ビニル共重合体等のエチレン・ビニルエステル共重合体：エチレン・スチレン共重合体等から選択される一種または二種以上を挙げることができる。
　これらの中でも、上記エチレン・極性モノマー共重合体（Ｂ）としては、その入手容易性と性能とのバランスからエチレン・ビニルエステル共重合体およびエチレン・不飽和カルボン酸エステル共重合体から選択される一種または二種以上を含むことが好ましく、エチレン・酢酸ビニル共重合体を含むことが特に好ましい。
　上記エチレン・酢酸ビニル共重合体は、エチレンと酢酸ビニルとの共重合体であり、例えばランダム共重合体である。
　上記エチレン・酢酸ビニル共重合体中の酢酸ビニルに由来する構成単位の含有割合は、好ましくは５質量％以上５０質量％以下、より好ましくは１０質量％以上４５質量％以下、さらに好ましくは１５質量％以上４０質量％以下である。酢酸ビニルの含有量がこの範囲にあると、粘着性フィルム１００の柔軟性、耐熱性、透明性、機械的性質のバランスにより一層優れる。また、凹凸吸収性樹脂層２０を成膜する際にも、成膜性が良好となる。
　酢酸ビニル含有量は、ＪＩＳ　Ｋ７１９２：１９９９に準拠して測定可能である。
　また、エチレン・酢酸ビニル共重合体は、エチレンおよび酢酸ビニルのみからなる二元共重合体が好ましいが、エチレンおよび酢酸ビニルの他に、例えばギ酸ビニル、グリコール酸ビニル、プロピオン酸ビニル、安息香酸ビニル等のビニルエステル系単量体；アクリル酸、メタクリル酸、エタクリル酸、或いはこれらの塩もしくはアルキルエステル等のアクリル系単重体；等から選択される一種または二種以上を共重合成分として含んでもよい。上記エチレンおよび酢酸ビニル以外の共重合成分を含む場合、エチレン・酢酸ビニル共重合体中の上記エチレンおよび酢酸ビニル以外の共重合成分の量を０．５質量％以上５質量％以下とすることが好ましい。
　ＪＩＳ　Ｋ７２１０：１９９９に準拠し、１９０℃、２．１６ｋｇ荷重の条件で測定される、エチレン・極性モノマー共重合体（Ｂ）のメルトフローレ－ト（ＭＦＲ）は、好ましくは０．１～５０ｇ／１０分であり、より好ましくは０．２～４５ｇ／１０分、さらに好ましくは０．５～４０ｇ／１０分である。
　ＭＦＲが上記下限値以上であると、エチレン・極性モノマー共重合体（Ｂ）の流動性が向上し、凹凸吸収性樹脂層２０の成形加工性をより良好にすることができる。
　また、ＭＦＲが上記上限値以下であると、分子量が高くなるためチルロール等のロール面への付着が起こり難くなり、より一層均一な厚みの凹凸吸収性樹脂層２０を得ることができる。
　凹凸吸収性樹脂層２０は、例えば、各成分をドライブレンドまたは溶融混練した後、押出成形することにより得ることができる。また、必要に応じて、酸化防止剤を添加することができる。
　凹凸吸収性樹脂層２０の厚さは、電子部品の回路形成面の凹凸を埋め込むことができる厚さであれば、特に制限されないが、例えば、１０μｍ以上８００μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以上６００μｍ以下であることがより好ましく、１００μｍ以上５００μｍ以下であることがさらに好ましい。
＜粘着性樹脂層＞
　本実施形態に係る粘着性フィルム１００は粘着性樹脂層３０を備える。
　粘着性樹脂層３０は、凹凸吸収性樹脂層２０の一方の面側に設けられる層であり、粘着性フィルム１００を電子部品の回路形成面に貼り付ける際に、電子部品の回路形成面に接触して粘着する層である。
　粘着性樹脂層３０を構成する粘着剤は、（メタ）アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、オレフィン系粘着剤、スチレン系粘着剤等が挙げられる。これらの中でも、接着力の調整を容易にできる点等から、（メタ）アクリル系樹脂をベースポリマーとする（メタ）アクリル系粘着剤が好ましい。
　また、粘着性樹脂層３０を構成する粘着剤としては、放射線により粘着力を低下させる放射線架橋型粘着剤を用いることが好ましい。
　放射線架橋型粘着剤により構成された粘着性樹脂層３０は、放射線の照射により架橋して粘着力が著しく減少するため、粘着性フィルム１００から電子部品を剥離し易くなる。放射線としては、紫外線、電子線、赤外線等が挙げられる。
　放射線架橋型粘着剤としては、紫外線架橋型粘着剤が好ましい。
　（メタ）アクリル系粘着剤に含まれる（メタ）アクリル系樹脂としては、例えば、（メタ）アクリル酸エステル化合物の単独重合体、（メタ）アクリル酸エステル化合物とコモノマーとの共重合体等が挙げられる。（メタ）アクリル酸エステル化合物としては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの（メタ）アクリル酸エステル化合物は一種単独で用いてもよく、二種以上を併用して用いてもよい。
　また、（メタ）アクリル系共重合体を構成するコモノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、（メタ）アクリルニトリル、スチレン、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、（メタ）アクリルアマイド、メチロール（メタ）アクリルアマイド、無水マレイン酸等が挙げられる。これらのコモノマーは一種単独で用いてもよく、二種以上を併用して用いてもよい。
　放射線架橋型の（メタ）アクリル系粘着剤としては、分子中に重合性炭素－炭素二重結合を有する（メタ）アクリル系樹脂と、分子内に重合性炭素－炭素二重結合を２個以上有する低分子量化合物と、光開始剤を含み、必要に応じて架橋剤により上記（メタ）アクリル系樹脂を架橋させて得られる粘着剤を例示することができる。
　分子中に重合性炭素－炭素二重結合を有する（メタ）アクリル系樹脂は、具体的には次のようにして得られる。まず、エチレン性二重結合を有するモノマーと官能基（Ｐ）を有する共重合性モノマーを共重合させる。次いで、この共重合体に含まれる官能基（Ｐ）と、該官能基（Ｐ）と付加反応、縮合反応等を起こしうる官能基（Ｑ）を有するモノマーとを、該モノマー中の二重結合を残したまま反応させ、共重合体分子中に重合性炭素－炭素二重結合を導入する。
　上記エチレン性二重結合を有するモノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸－２－エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸エチル等のアクリル酸アルキルエステル及びメタクリル酸アルキルエステルモノマー、酢酸ビニルの如きビニルエステル、（メタ）アクリロニトリル、（メタ）アクリルアミド、スチレン等のエチレン性二重結合を有するモノマーの中から、１種又は２種以上が用いられる。
　上記官能基（Ｐ）を有する共重合性モノマーとしては、（メタ）アクリル酸、マレイン酸、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸グリシジル、Ｎーメチロール（メタ）アクリルアミド、（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート等が挙げられる。これらは１種でもよく、２種以上組み合わせて使用してもよい。
　上記エチレン性二重結合を有するモノマーと官能基（Ｐ）を有する共重合性モノマーの割合は、上記エチレン性二重結合を有するモノマーが７０～９９質量％であり、官能基（Ｐ）を有する共重合性モノマーが１～３０質量％であることが好ましい。さらに好ましくは、上記エチレン性二重結合を有するモノマーが８０～９５質量％であり、官能基（Ｐ）を有する共重合性モノマーが５～２０質量％である。
　上記官能基（Ｑ）を有するモノマーとしては、例えば、上記官能基（Ｐ）を有する共重合性モノマーと同様のモノマーを挙げることができる。
　エチレン性二重結合を有するモノマーと官能基（Ｐ）を有する共重合性モノマーとの共重合体に、重合性炭素－炭素二重結合を導入する際に反応させる官能基（Ｐ）と官能基（Ｑ）の組み合わせとして、カルボキシル基とエポキシ基、カルボキシル基とアジリジル基、水酸基とイソシアネート基等、容易に付加反応が起こる組み合わせが望ましい。又、付加反応に限らずカルボン酸基と水酸基との縮合反応等、重合性炭素－炭素二重結合が容易に導入できる反応であれば如何なる反応を用いてもよい。
　分子中に重合性炭素－炭素二重結合を２個以上有する低分子量化合物としては、例えば、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらは１種又は２種以上を用いてもよい。分子中に重合性炭素－炭素二重結合を２個以上有する低分子量化合物の添加量は、上記（メタ）アクリル系樹脂１００質量部に対して、好ましくは０．１～２０質量部であり、より好ましくは５～１８質量部である。
　光開始剤としては、例えば、ベンゾイン、イソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、アセトフェノンジエチルケタール、ベンジルジメチルケタール、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニルプロパン－１－オン等が挙げられる。これらは１種又は２種以上用いてもよい。光開始剤の添加量は、上記（メタ）アクリル系樹脂１００質量部に対して、好ましくは０．１～１５質量部であり、より好ましくは５～１０質量部である。
　上記紫外線硬化型粘着剤には架橋剤を添加してもよい。架橋剤としては、例えば、ソルビトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ジグリセロールポリグリシジルエーテル等のエポキシ系化合物、テトラメチロールメタン－トリ－β－アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン－トリ－β－アジリジニルプロピオネート、Ｎ，Ｎ'－ジフェニルメタン－４，４'－ビス（１－アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ'－ヘキサメチレン－１，６－ビス（１－アジリジンカルボキシアミド）等のアジリジン系化合物、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、ポリイソシアネート等のイソシアネート系化合物等が挙げられる。上記紫外線硬化型粘着剤は、溶剤タイプ、エマルションタイプ、ホットメルトタイプ等の何れでもよい。
　架橋剤の含有量は、通常、架橋剤中の官能基数が（メタ）アクリル系樹脂中の官能基数よりも多くならない程度の範囲が好ましい。しかし、架橋反応で新たに官能基が生じる場合や、架橋反応が遅い場合等、必要に応じて過剰に含有してもよい。
　（メタ）アクリル系粘着剤中の架橋剤の含有量は、粘着性樹脂層３０の耐熱性や密着力とのバランスを向上させる観点から、（メタ）アクリル系樹脂１００質量部に対し、０．１質量部以上１５質量部以下であることが好ましい。
　粘着性樹脂層３０は、例えば、凹凸吸収性樹脂層２０上に粘着剤塗布液を塗布することにより形成することができる。
　粘着剤塗布液を塗布する方法としては、例えば、ロールコーター法、リバースロールコーター法、グラビアロール法、バーコート法、コンマコーター法、ダイコーター法等の従来公知の塗布方法を採用することができる。塗布された粘着剤の乾燥条件は特に制限はないが、一般的には、８０～２００℃の温度範囲において、１０秒～１０分間乾燥することが好ましい。更に好ましくは、８０～１７０℃において、１５秒～５分間乾燥する。架橋剤と（メタ）アクリル系樹脂との架橋反応を十分に促進させるために、粘着剤塗布液の乾燥が終了した後、４０～８０℃において５～３００時間程度加熱してもよい。
　本実施形態に係る粘着性フィルム１００において、粘着性樹脂層３０の厚みは特に制限されないが、例えば、１μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上８０μｍ以下であることがより好ましく、５μｍ以上６０μｍ以下がさらに好ましい。
　次に、本実施形態に係る粘着性フィルム１００の製造方法の一例を説明する。
　まず、基材層１０の一方の面に凹凸吸収性樹脂層２０を押出しラミネート法によって形成する。次いで、凹凸吸収性樹脂層２０上に粘着剤塗布液を塗布し乾燥させることによって粘着性樹脂層３０を形成し、粘着性フィルム１００を得ることができる。
　また、基材層１０と凹凸吸収性樹脂層２０とは共押出成形によって形成してもよいし、フィルム状の基材層１０とフィルム状の凹凸吸収性樹脂層２０とをラミネート（積層）して形成してもよい。
２．電子装置の製造方法
　本実施形態に係る電子装置の製造方法は、以下の２つの工程を少なくとも備えている。
　（Ａ）回路形成面を有する電子部品と、上記電子部品の上記回路形成面側に貼り合わされた粘着性フィルム１００と、を備える構造体を準備する準備工程
　（Ｂ）上記電子部品の上記回路形成面側とは反対側の面を研削する研削工程
　そして、粘着性フィルム１００として、本実施形態に係る粘着性フィルム１００を使用する。本実施形態に係る電子装置の製造方法は、電子部品の裏面を研削する際に、本実施形態に係る粘着性フィルム１００を、いわゆるバックグラインドテープとして用いることに特徴がある。
　以下、本実施形態に係る電子装置の製造方法の各工程について説明する。
（工程（Ａ））
　はじめに、回路形成面を有する電子部品と、電子部品の回路形成面側に貼り合わされた粘着性フィルム１００と、を備える構造体を準備する。
　このような構造体は、例えば、粘着性フィルム１００の粘着性樹脂層３０から離型フィルムを剥離し、粘着性樹脂層３０の表面を露出させ、その粘着性樹脂層３０上に、電子部品の回路形成面を貼り付けることにより作製することができる。
　ここで、粘着性フィルム１００に電子部品の回路形成面を貼り付ける際の条件は特に限定されないが、例えば、温度は３０～８０℃、圧力は０．０５～０．５ＭＰａ、貼り付け速度は０．５～２０ｍｍ／秒とすることができる。
　工程（Ａ）は、電子部品の回路形成面に粘着性フィルム１００を加温して貼り付けることにより構造体を作製する工程（Ａ２）をさらに含むことが好ましい。これにより、粘着性樹脂層３０と電子部品との接着状態を長時間にわたって良好にすることができる。加温温度としては特に限定されないが、例えば、６０～８０℃である。
　粘着性フィルム１００を電子部品に貼り付ける操作は、人手により行われる場合もあるが、一般に、ロール状の粘着フィルムを取り付けた自動貼り機と称される装置によって行うことができる。
　粘着性フィルム１００に貼り付ける電子部品としては特に限定されないが、回路形成面を有する電子部品であることが好ましい。例えば、半導体ウエハ、エポキシモールドウエハ、モールドパネル、モールドアレイパッケージ、半導体基板等が挙げられ、好ましくは半導体ウエハおよびエポキシモールドウエハである。
　また、半導体ウエハは、例えば、シリコンウエハ、サファイアウエハ、ゲルマニウムウエハ、ゲルマニウム－ヒ素ウエハ、ガリウム－リンウエハ、ガリウム－ヒ素－アルミニウムウエハ、ガリウム－ヒ素ウエハ、タンタル酸リチウムウエハ等が挙げられるが、シリコンウエハに好適に用いられる。エポキシモールドウエハは、ファンアウト型ＷＬＰの作製方法のひとつであるｅＷＬＢ（Ｅｍｂｅｄｄｅｄ Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）プロセスによって作製されたウエハが挙げられる。
　回路形成面を有する半導体ウエハおよびエポキシモールドウエハとしては特に限定されないが、例えば、表面に配線、キャパシタ、ダイオードまたはトランジスタ等の回路が形成されたものに用いられる。また、回路形成面にプラズマ処理がされていてもよい。
　電子部品の回路形成面は、例えば、電極を有することにより、凹凸面となっている。
　また、電極は、例えば、電子装置を実装面に実装する際に、実装面に形成された電極に対して接合されて、電子装置と実装面（プリント基板等の実装面）との間の電気的接続を形成するものである。
　電極としては、例えば、ボールバンプ、印刷バンプ、スタッドバンプ、めっきバンプ、ピラーバンプ等のバンプ電極が挙げられる。すなわち、電極は、通常凸電極である。これらのバンプ電極は１種単独で用いてもよく２種以上を併用してもよい。
　バンプ電極の高さおよび径は特に限定されないが、それぞれ、好ましくは１０～４００μｍ、より好ましくは５０～３００μｍである。その際のバンプピッチにおいても特に限定されないが、好ましくは２０～６００μｍ、より好ましくは１００～５００μｍである。
　また、バンプ電極を構成する金属種は特に限定されず、例えば、はんだ、銀、金、銅、錫、鉛、ビスマス及びこれらの合金等が挙げられるが、粘着性フィルム１００はバンプ電極がはんだバンプの場合に好適に用いられる。これらの金属種は１種単独で用いてもよく２種以上を併用してもよい。
（工程（Ｂ））
　次に、上記電子部品の上記回路形成面側とは反対側の面（以下、裏面とも呼ぶ。）を研削（バックグラインドとも呼ぶ。）する。
　ここで、研削するとは、電子部品を割ったり、破損したりすることなく、所定の厚みまで薄化加工することを意味する。
　例えば、研削機のチャックテーブル等に上記構造体を固定し、電子部品の裏面（回路非形成面）を研削する。
　このような裏面研削操作において、電子部品は、厚みが２５０μｍ以下になるまで研削される。必要に応じて、１００μｍより薄く削ることもある。研削する前の電子部品の厚みは、電子部品の直径、種類等により適宜決められ、研削後の電子部品の厚みは、得られるチップのサイズ、回路の種類等により適宜決められる。
　ここで、厚みが２５０μｍ以下になるまで電子部品を薄く研削する場合に電子部品の反りが発生しやすくなるが、本実施形態に係る粘着性フィルム１００を用いれば、この電子部品の反りを抑制することが可能となる。
　したがって、本実施形態に係る電子装置の製造方法において、研削工程（Ｂ）では、電子部品の反りを抑制しながら、電子部品の厚みが２５０μｍ以下、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１５０μｍ以下、さらに好ましくは１００μｍ以下になるまで電子部品の回路形成面側とは反対側の面の研削をおこなうことが可能である。
　本実施形態に係る電子部品の厚みには、電極等の凹凸の高さは含まれない。すなわち、本実施形態に係る電子部品の厚みは、ウエハや基板の厚みをいう。
　裏面研削方式としては特に限定されないが、公知の研削方式を採用することができる。それぞれ研削は、水を電子部品と砥石にかけて冷却しながら行うことができる。必要に応じて、研削工程の最後に研削水を用いない研削方式であるドライポリッシュ工程を行うことができる。裏面研削終了後、必要に応じてケミカルエッチングが行われる。ケミカルエッチングは、弗化水素酸、硝酸、硫酸、酢酸等の単独若しくは混合液からなる酸性水溶液、水酸化カリウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ性水溶液からなる群から選ばれたエッチング液に、粘着性フィルム１００を貼着した状態で電子部品を浸漬する等の方法により行われる。該エッチングは、電子部品の裏面に生じた歪みの除去、電子部品のさらなる薄層化、酸化膜等の除去、電極を裏面に形成する際の前処理等を目的として行われる。エッチング液は、上記の目的に応じて適宜選択される。
（工程（Ｃ））
　本実施形態に係る電子装置の製造方法において、研削工程やケミカルエッチング終了後、粘着性フィルム１００を電子部品表面から剥離する剥離工程（Ｃ）をおこなってもよい。この一連の操作は、人手により行われる場合もあるが、一般には自動剥がし機と称される装置により行うことができる。
　粘着性フィルム１００を剥離した後の電子部品の表面は、必要に応じて洗浄してもよい。洗浄方法としては、水洗浄、溶剤洗浄等の湿式洗浄、プラズマ洗浄等の乾式洗浄等が挙げられる。湿式洗浄の場合、超音波洗浄を併用してもよい。これらの洗浄方法は、電子部品の表面の汚染状況により適宜選択することができる。
（その他の工程）
　工程（Ａ）～工程（Ｃ）を行った後、電子部品をダイシングして個片化し、半導体チップを得る工程や、得られた半導体チップを回路基板に実装する工程等をさらに行ってもよい。これらの工程は、公知の情報に基づいておこなうことができる。
　以上、本発明の好ましい実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
　以下、実施例および比較例により本発明を具体的に説明するが本発明はこれに限定されるものではない。
　粘着性フィルムの作製に関する詳細は以下の通りである。
＜凹凸吸収性樹脂層形成用の樹脂＞
　樹脂１：エチレン・プロピレン共重合体（三井化学社製、商品名：タフマーＰ０２７５、密度：８６１ｋｇ/ｍ３、メルトフローレート（１９０℃）：２．９ｇ/１０分）
　樹脂２：エチレン・酢酸ビニル共重合体（三井デュポンポリケミカル社製、商品名：エバフレックスＥＶ１７０、酢酸ビニル含量：３３質量％、密度：９６０ｋｇ／ｍ３、メルトフローレート（１９０℃）：１ｇ/１０分）
　樹脂３：エチレン・酢酸ビニル共重合体（三井デュポンポリケミカル社製、商品名：エバフレックスＥＶ１５０、酢酸ビニル含量：３３質量％、密度：９６０ｋｇ／ｍ３、メルトフローレート（１９０℃）：３０ｇ/１０分）
＜粘着剤ポリマー（アクリル系樹脂）＞
　アクリル酸エチル４９質量部、アクリル酸－２－エチルヘキシル２０質量部、アクリル酸メチル２１質量部、メタクリル酸グリシジル１０質量部、および重合開始剤としてベンゾイルパーオキサイド０．５質量部を混合した。得られた混合物を、トルエン６５質量部および酢酸エチル５０質量部が入った窒素置換フラスコ中に、撹拌しながら８０℃で５時間かけて滴下し、さらに５時間撹拌して反応させた。反応終了後、得られた溶液を冷却し、冷却した溶液にキシレン２５質量部、アクリル酸５質量部、およびテトラデシルジメチルベンジルアンモニウムクロライド０．５質量部を加え、空気を吹き込みながら８５℃で３２時間反応させ、粘着剤ポリマー溶液を得た。
＜粘着性樹脂層用の粘着剤塗布液＞
　粘着剤ポリマー（固形分）１００質量部に対して、光開始剤としてベンジルジメチルケタール（ＢＡＳＦ社製、商品名：イルガキュア６５１）７質量部、イソシアネート系架橋剤（三井化学社製、商品名：オレスターＰ４９－７５Ｓ）１質量部、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（東亞合成社製、商品名：アロニックスＭ－４００）１２質量部を添加し、粘着性樹脂層用の粘着剤塗布液を得た。
［実施例１］
　凹凸吸収性樹脂層となるタフマーＰ０２７５（８０質量部）およびエバフレックスＥＶ１７０（２０質量部）をドライブレンドした。次いで、基材層となるポリエチレンテレフタレートフィルム（５０μｍ）上に、単軸押出機を用いて、上述の凹凸吸収性樹脂のドライブレンド物を厚さ３５０μｍとなるように、押出しラミネートし、基材層と凹凸吸収性樹脂層の積層フィルムを得た。
　次いで、粘着性樹脂層用の粘着剤塗布液をシリコーン離型処理されたポリエチレンテレフタレートフィルム（３８μｍ）に塗布し、次いで、乾燥させて、厚み４０μｍの粘着性樹脂層を形成した。次いで、得られた粘着性樹脂層を上述の積層フィルムの凹凸吸収性樹脂層側に貼り合わせることで、粘着性フィルムを得た。得られた粘着性フィルムについて、以下の各評価を行った。得られた結果を表１に示す。
＜評価＞
（１）基材層の熱収縮率
　ＪＩＳ　Ｃ２１５１に準拠し、基材層を１５０℃で３０分間熱処理し、１００×（Ｌ０－Ｌ１）／Ｌ０により基材層の熱収縮率を算出した。ここで、熱処理前の基材層１０のＭＤ方向の長さをＬ０とし、１５０℃で３０分間熱処理した上で、室温に冷却した基材層１０のＭＤ方向の長さをＬ１とした。
（２）凹凸吸収性樹脂層の７０℃における貯蔵弾性率Ｇ’
　凹凸吸収性樹脂層を厚さ２ｍｍになるように重ね合わせ、次のような条件でプレス成形を行った。得られたプレスシートをφ２５ｍｍの円形に切り出し、試験片とした。
　＜プレス条件＞
　加熱温度：２００℃、予熱時間：２分
　本加圧荷重：１５ＭＰａ、本加圧時間：２分
　冷却温度：２０℃、冷却時間：３分
　次いで、動的粘弾性測定装置（ティーエーインスツルメンツ社製、製品名：ＡＲＥＳ-Ｇ２）を用いて、得られた試験片を直径２５ｍｍのパラレルプレートに挟み、昇温速度５℃／分、温度範囲４０℃～１５０℃、角周波数６．３ｒａｄ／ｓ、ねじりモードの条件での動的粘弾性の温度依存性を測定した。
　得られたグラフから、７０℃での凹凸吸収性樹脂層の貯蔵弾性率Ｇ’をそれぞれ求めた。
（３）凹凸吸収性樹脂層の融点（Ｔｍ）および融解熱
　凹凸吸収性樹脂層の融点（Ｔｍ）および融解熱は、示差走査型熱量測定法（ＤＳＣ）に従い、示差走査型熱量計（ＳＩＩ社製、製品名：Ｘ-ＤＳＣ７０００）によって測定した。試料約１０ｍｇをアルミパンの中に入れ、３０℃から２３０℃まで１０℃／分で昇温した後（１ｓｔ加熱）、５分間保持した。次いで、－１００℃まで１０℃／分で冷却し、５分間保持した後、再度２３０℃まで１０℃／分で昇温した（２ｎｄ加熱）。横軸に温度、縦軸にＤＳＣをとった際の２ｎｄ加熱時のグラフにおいて、吸熱ピークから融点（Ｔｍ）および融解熱を求めた。融点は吸熱ピークのピークトップを与える温度から、融解熱は吸熱ピークの面積からそれぞれ求めた。
（４）バンプ吸収径評価
　図２はバンプ吸収径を説明するための模式図である。バックグラウンド用保護テープ貼り付け装置（日東精機社製、ＤＲ３０００II）を用いて、粘着性フィルム１００を８インチのバンプウエハ２００（はんだバンプ２５０、バンプ高さ：２００μｍ、バンプ径：２７０μｍ、バンプピッチ：４００μｍ）に貼り付けた（テーブル温度：７０℃、ラミネート荷重：９０％、ラミネート速度：２ｍｍ/ｓ）。得られた粘着性フィルム貼付ウエハを光学顕微鏡（オリンパス社製、ＭＸ６１Ｌ）で観察し、画像計測モードによって浮きが観測される部位から粘着性フィルムのバンプ吸収径Ｄを測定した。
　バンプ吸収径Ｄは小さいほうが周囲の浮きが小さく、バンプ吸収性に優れることを意味する。
（５）研削後の半導体ウエハの反り量
　バックグラウンド用保護テープ貼り付け装置（日東精機製、ＤＲ３０００II）を用いて、上記粘着性フィルムを１２インチのミラーシリコンウエハに貼り付けた（テーブル温度：７０℃、ラミネート荷重：９０％、ラミネート速度：２ｍｍ/ｓ）。得られた粘着性フィルム貼付ウエハをグラインダ／ポリッシャ装置（ディスコ社製、ＤＧＰ８７６０）を用いて、シリコンウエハを厚さ５０μｍまで研削した。得られた研削後の粘着性フィルム貼付ウエハを粘着性フィルムが上側になるように平坦な場所に置き、反り上がった距離を測定した。
［実施例２］
　凹凸吸収性樹脂層となるタフマーＰ０２７５およびエバフレックスＥＶ１７０の配合を表１に示す値とした以外は実施例１と同様にして、粘着性フィルムを作製した。また、実施例１と同様に各評価を行った。得られた結果を表１に示す。
［実施例３］
　凹凸吸収性樹脂層となるタフマーＰ０２７５およびエバフレックスＥＶ１７０の配合を表１に示す値とした以外は実施例１と同様にして、粘着性フィルムを作製した。また、実施例１と同様に各評価を行った。得られた結果を表１に示す。
［比較例１］
　凹凸吸収性樹脂層を構成する熱可塑性樹脂としてエバフレックスＥＶ１５０を用いた以外は実施例１と同様にして、粘着性フィルムを作製した。また、次に示す（２）凹凸吸収性樹脂層の７０℃における貯蔵弾性率Ｇ’を除いて、実施例１と同様に各評価を行った。得られた結果を表１に示す。
（２）凹凸吸収性樹脂層の７０℃における貯蔵弾性率Ｇ’
　エバフレックスＥＶ１５０のペレットを厚さ２ｍｍになるように、次のような条件でプレス成形を行った。得られたプレスシートをφ２５ｍｍの円形に切り出し、試験片とした。
　＜プレス条件＞
　加熱温度：１８０℃、予熱時間：２分
　本加圧荷重：１５ＭＰａ、本加圧時間：２分
　冷却温度：２０℃、冷却時間：３分
　次いで、動的粘弾性測定装置（ティーエーインスツルメンツ社製、製品名：ＡＲＥＳ-Ｇ２）を用いて、得られた試験片を直径２５ｍｍのパラレルプレートに挟み、昇温速度５℃／分、温度範囲４０℃～１５０℃、角周波数６．３ｒａｄ／ｓ、ねじりモードの条件での動的粘弾性の温度依存性を測定した。
　得られたグラフから、７０℃での凹凸吸収性樹脂層の貯蔵弾性率Ｇ’を求めた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　ここで、示差走査熱量計（ＤＳＣ）により測定される融点（Ｔｍ）が１０℃以上５０℃以下の範囲にある凹凸吸収性樹脂層を用いた実施例１～３の粘着性フィルムを用いた場合、研削後の半導体ウエハの反り量が小さく、良好な結果であった。また、実施例の粘着性フィルムのバンプ吸収径はバンプウエハのバンプ径２７０μｍに近かった。すなわち、実施例の粘着性フィルムは凹凸吸収性にも優れていた。
　以上から、基材層と、凹凸吸収性樹脂層と、粘着性樹脂層と、をこの順番に備え、凹凸吸収性樹脂層の融点（Ｔｍ）が１０℃以上５０℃以下の範囲にある本実施形態に係る粘着性フィルム１００は、研削後の半導体ウエハの反りを抑制することが可能であるとともに凹凸吸収性にも優れていることが理解できる。
　これに対し、凹凸吸収性樹脂層の融点（Ｔｍ）が５０℃を超える比較例１の粘着性フィルムは研削後の半導体ウエハの反り量が大きく、研削後の半導体ウエハの反りを抑制できないことが理解できる。また、ウエハのバンプ径よりも７０μｍ大きなバンプ吸収径が観察された。すなわち、比較例の粘着性フィルムは、実施例の粘着性フィルムよりも凹凸吸収性に劣っていることが理解できる。
　この出願は、２０１８年４月２４日に出願された日本出願特願２０１８－０８３４１９号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。

Claims (10)

  1. 　電子部品を加工するために用いられる粘着性フィルムであって、
    　基材層と、凹凸吸収性樹脂層と、粘着性樹脂層と、をこの順番に備え、
    　前記凹凸吸収性樹脂層は、熱可塑性樹脂を含み、
    　示差走査熱量計（ＤＳＣ）により測定される、前記凹凸吸収性樹脂層の融点（Ｔｍ）が１０℃以上５０℃以下の範囲内にあり、
    　前記電子部品は回路形成面を有し、前記電子部品の厚みが２５０μｍ以下になるように、前記電子部品の当該回路形成面とは反対側の面を研削するために用いられる粘着性フィルム。
  2. 　請求項１に記載の粘着性フィルムにおいて、
    　動的粘弾性測定装置（ねじりモード）により測定される、７０℃での前記凹凸吸収性樹脂層の貯蔵弾性率Ｇ’が１．０×１０４Ｐa以上１．０×１０６Ｐa以下である粘着性フィルム。
  3. 　請求項１または２に記載の粘着性フィルムにおいて、
    　１５０℃で３０分間熱処理したときの前記基材層の熱収縮率が０．０５％以上１．２％以下である粘着性フィルム。
  4. 　請求項１乃至３のいずれか一項に記載の粘着性フィルムにおいて、
    　前記熱可塑性樹脂はエチレン・α－オレフィン共重合体を含む粘着性フィルム。
  5. 　請求項４に記載の粘着性フィルムにおいて、
    　前記熱可塑性樹脂はエチレン・極性モノマー共重合体をさらに含む粘着性フィルム。
  6. 　請求項５に記載の粘着性フィルムにおいて、
    　前記エチレン・極性モノマー共重合体がエチレン・酢酸ビニル共重合体を含む粘着性フィルム。
  7. 　請求項５または６に記載の粘着性フィルムにおいて、
    　前記凹凸吸収性樹脂層に含まれる前記エチレン・α－オレフィン共重合体および前記エチレン・極性モノマー共重合体の合計量を１００質量部としたとき、
    　前記凹凸吸収性樹脂層中の前記エチレン・極性モノマー共重合体の含有量が１０質量部以上７０質量部以下である粘着性フィルム。
  8. 　請求項１乃至７のいずれか一項に記載の粘着性フィルムにおいて、
    　前記電子部品は前記回路形成面にバンプ電極を有する粘着性フィルム。
  9. 　回路形成面を有する電子部品と、前記電子部品の前記回路形成面側に貼り合わされ、かつ、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の粘着性フィルムと、を備える構造体を準備する準備工程と、
    　前記電子部品の前記回路形成面側とは反対側の面を研削する研削工程と、
    を少なくとも備える電子装置の製造方法。
  10. 　請求項９に記載の電子装置の製造方法において、
    　前記研削工程では、前記電子部品の厚みが２５０μｍ以下になるまで前記電子部品の前記回路形成面側とは反対側の面の研削をおこなう電子装置の製造方法。
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