WO2020159158A1 - 반도체 패키지의 제조방법 - Google Patents

반도체 패키지의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
WO2020159158A1
WO2020159158A1 PCT/KR2020/001154 KR2020001154W WO2020159158A1 WO 2020159158 A1 WO2020159158 A1 WO 2020159158A1 KR 2020001154 W KR2020001154 W KR 2020001154W WO 2020159158 A1 WO2020159158 A1 WO 2020159158A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
conductive film
resin
semiconductor package
substrate
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/KR2020/001154
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
경유진
정민수
이광주
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Chem Ltd
Original Assignee
LG Chem Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020200008888A external-priority patent/KR102480379B1/ko
Application filed by LG Chem Ltd filed Critical LG Chem Ltd
Priority to CN202080002869.3A priority Critical patent/CN112154537B/zh
Priority to JP2020567090A priority patent/JP7176818B2/ja
Priority to EP20747640.9A priority patent/EP3780094A4/en
Priority to US16/972,528 priority patent/US11527503B2/en
Publication of WO2020159158A1 publication Critical patent/WO2020159158A1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
    • H10W20/40—Interconnections external to wafers or substrates, e.g. back-end-of-line [BEOL] metallisations or vias connecting to gate electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
    • H10W20/20—Interconnections within wafers or substrates, e.g. through-silicon vias [TSV]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30—Die-attach connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/01—Manufacture or treatment
    • H10W74/012—Manufacture or treatment of encapsulations on active surfaces of flip-chip devices, e.g. forming underfills
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
    • H10W74/15—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition on active surfaces of flip-chip devices, e.g. underfills
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/40—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
    • H10W74/47—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials comprising organic materials, e.g. plastics or resins
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • C09J163/04—Epoxynovolacs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/013—Manufacture or treatment of die-attach connectors
    • H10W72/01304—Manufacture or treatment of die-attach connectors using temporary auxiliary members, e.g. using sacrificial coatings or handle substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/013—Manufacture or treatment of die-attach connectors
    • H10W72/01315—Forming coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/013—Manufacture or treatment of die-attach connectors
    • H10W72/01331—Manufacture or treatment of die-attach connectors using blanket deposition
    • H10W72/01336—Manufacture or treatment of die-attach connectors using blanket deposition in solid form, e.g. by using a powder or by laminating a foil
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/0198—Manufacture or treatment batch processes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
    • H10W72/07231—Techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
    • H10W72/07231—Techniques
    • H10W72/07232—Compression bonding, e.g. thermocompression bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
    • H10W72/07231—Techniques
    • H10W72/07235—Applying EM radiation, e.g. induction heating or using a laser
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
    • H10W72/07231—Techniques
    • H10W72/07236—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H10W72/07331—Connecting techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H10W72/07331—Connecting techniques
    • H10W72/07332—Compression bonding, e.g. thermocompression bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H10W72/07331—Connecting techniques
    • H10W72/07337—Connecting techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone or epoxy
    • H10W72/07338—Connecting techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone or epoxy hardening the adhesive by curing, e.g. thermosetting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H10W72/07331—Connecting techniques
    • H10W72/07337—Connecting techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone or epoxy
    • H10W72/07339—Connecting techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone or epoxy hardening the adhesive by cooling, e.g. thermoplastics
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H10W72/07351—Connecting or disconnecting of die-attach connectors characterised by changes in properties of the die-attach connectors during connecting
    • H10W72/07353—Connecting or disconnecting of die-attach connectors characterised by changes in properties of the die-attach connectors during connecting changes in shapes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
    • H10W72/221—Structures or relative sizes
    • H10W72/222—Multilayered bumps, e.g. a coating on top and side surfaces of a bump core
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
    • H10W72/251—Materials
    • H10W72/252—Materials comprising solid metals or solid metalloids, e.g. PbSn, Ag or Cu
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30—Die-attach connectors
    • H10W72/321—Structures or relative sizes of die-attach connectors
    • H10W72/325—Die-attach connectors having a filler embedded in a matrix
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30—Die-attach connectors
    • H10W72/331—Shapes of die-attach connectors
    • H10W72/334—Cross-sectional shape, i.e. in side view
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30—Die-attach connectors
    • H10W72/351—Materials of die-attach connectors
    • H10W72/352—Materials of die-attach connectors comprising metals or metalloids, e.g. solders
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30—Die-attach connectors
    • H10W72/351—Materials of die-attach connectors
    • H10W72/353—Materials of die-attach connectors not comprising solid metals or solid metalloids, e.g. ceramics
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30—Die-attach connectors
    • H10W72/351—Materials of die-attach connectors
    • H10W72/353—Materials of die-attach connectors not comprising solid metals or solid metalloids, e.g. ceramics
    • H10W72/354—Materials of die-attach connectors not comprising solid metals or solid metalloids, e.g. ceramics comprising polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
    • H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/734—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor package with improved reliability.
  • flip-chip type semiconductor devices in which semiconductor elements such as semiconductor chips are mounted on a substrate by flip chip bonding are widely used.
  • solder bumps or the like formed on semiconductor elements are melted and electrically connected, and stack packages in which chips are stacked in multiple stages to increase integration are increasing.
  • thermocompression bonding TCB
  • TSV through silicon via
  • NCP non-conductive paste
  • NCFs non-conductive films
  • thermocompression bonding is performed within a short time of about 2 to 10 seconds while applying pressure at 200 to 300°C.
  • it is difficult to secure reliability because voids are formed in the adhesive cured by such a rapid change in temperature or pressure or resin is trapped in the middle of the solder.
  • the package was contaminated due to excessive fillet of NCF resin protruding sideways during the thermocompression bonding.
  • the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor package with improved reliability by minimizing fillet and preventing resin jamming in the middle of the solder without voids during thermocompression bonding (TCB) in a flip chip bonding process of a semiconductor device. .
  • the non-conductive film has a change rate of 1 to 30% of the melt viscosity before and after the ultraviolet irradiation,
  • the present invention by using a non-conductive film using an adhesive resin composition for a non-conductive film (NCF) as a sealing material for a semiconductor package, flip-chip bonding is possible without voids during thermocompression bonding, and resin is sandwiched in the middle of the solder. It is possible to manufacture a semiconductor package having a small fillet size while improving electrical connection reliability due to no occurrence of immorality.
  • the present invention can contribute to providing a semiconductor device capable of achieving a signal transmission speed, low power and high performance by using a through silicon via (TSV).
  • TSV through silicon via
  • FIG. 1 shows an embodiment of a semiconductor package method of the present invention.
  • the non-conductive film may be provided with a method of manufacturing a semiconductor package having a change rate of melt viscosity of 1 to 30% before and after the ultraviolet irradiation. .
  • the present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor package using a film-type sealing material when bonding a TSV-type semiconductor substrate on which bumps are formed in a bonding process of a flip chip for manufacturing a semiconductor device.
  • the present invention can prevent the breakage of the bump by performing vacuum lamination using a nonconductive film that is not a paste type as a semiconductor sealing material.
  • a sealing filling material may be used between the layers of the chips to be stacked when the substrate is bonded to the chip or the chips.
  • NCF non-conductive film
  • a manufacturing method can be provided.
  • the film-type sealing material may be used a non-conductive film including an adhesive layer having a melt viscosity change rate of 1 to 30%, or 5 to 29%, or 15 to 27% after irradiation with ultraviolet rays, and the use of such a film
  • TAB thermocompression bonding
  • the rate of change of the melting viscosity is 30% or more, it may cause poor conduction and poor connection status during thermocompression bonding.
  • the step of irradiating ultraviolet rays on the substrate on which the non-conductive film is laminated may be performed with a light amount of 0.1 to 1000 mJ/cm 2. That is, although UV having a constant wavelength band is used and varies depending on the height of the bump or the thickness of the non-conductive film, the thickness of the base film and the adhesive layer, the steps are 0.1 to 1000 mJ/cm 2 or 100 to 1000 mJ/cm 2 or 300 to 800 mJ It is preferable to irradiate ultraviolet rays using a light amount of /cm 2.
  • crosslinking may be formed between the photoinitiator and the ethylenically unsaturated functional groups contained in the photocurable resin, thereby increasing the melt viscosity, and voids are generated during the thermal compression process by partial crosslinking.
  • the fillet can be minimized.
  • the packaging process includes a wafer inspection process for inspecting semiconductor chip defects; A dicing process in which wafers are cut and separated into individual chips; A die bonding process of attaching the separated chips to a circuit film or a mounting plate of a lead frame; It may include a wire bonding process for connecting the chip pad provided on the semiconductor chip and the circuit pattern of the circuit film or lead frame with an electrical connection means such as a wire.
  • a back grinding process for thinning a substrate (wafer) to a desired thickness may be performed before the dicing process.
  • thermocompression bonding of a semiconductor substrate having a substrate on which the non-conductive film irradiated with ultraviolet rays is laminated, and a plurality of electrode pads positioned opposite to the substrate on which the non-conductive film is laminated is bonded by thermocompression bonding. It may further include a step.
  • thermo compression bonding Thermo Compression Bonding
  • the thermocompression bonding process is preferably performed within a short time by applying a constant pressure at a high temperature of 200°C or higher.
  • the step of the thermocompression bonding may be performed for 2 to 10 seconds under a pressure condition of 10N to 300N at a temperature of 200 to 300°C, and after being tacked for 1 to 10 seconds at a temperature of 50°C to 150°C It can also be folded. More preferably, the pressure condition may be 10N to 300N or 50N to 250N. In addition, when the thermocompression bonding, the time may be 2 seconds to 8 seconds.
  • thermocompression bonding When the temperature of the thermocompression bonding is 200°C or less, there is a problem in that electrical connection between the bump and the pad cannot be achieved because the melting point of the solder located on the bump is not reached, and when the temperature is 300°C or more, the non-conductive film is thermally decomposed and outgas There is a problem that occurs.
  • the step of removing the adhesive layer of the non-conductive film may be further included. Since the present invention includes an adhesive layer partially cured after ultraviolet irradiation, it is relatively easy to remove the adhesive layer after ultraviolet irradiation.
  • thermocompression bonding process a partially cured adhesive film (ie, a non-conductive film) is used, so that voids or resin jamming do not occur, and fillet is minimized to manufacture a semiconductor package with improved reliability.
  • a partially cured adhesive film ie, a non-conductive film
  • the present invention is characterized in that a non-conductive film capable of both photo-curing and heat-curing is used as a sealing material for a semiconductor device.
  • the non-conductive film used in the present invention can be provided using an adhesive composition used in a conventional non-conductive film.
  • the non-conductive film may use a structure including an adhesive layer that exhibits a film form by partially curing an adhesive resin composition containing a photo-curable resin by ultraviolet irradiation.
  • the non-conductive film may be an adhesive film including a release-treated base film, an adhesive layer, and an adhesive layer.
  • a protective film is further included on the adhesive layer, and when used as a sealing material for a semiconductor package, the protective film may be removed and used.
  • the adhesive layer formed on the non-conductive film is partially cured, so that such a film becomes hard and the viscosity becomes high. Accordingly, the adhesive force between the adhesive layer and the adhesive layer (PSA) is also lowered, and the adhesive layer is easily removed.
  • the adhesive resin composition for forming the non-conductive film has a change rate of 1 to 30%, or 5 to 29%, or 15 to 27% within 15% or 27%, compared to the increase in melt viscosity during photocuring compared to irradiation with ultraviolet light. If it is a composition, the composition is not limited.
  • the adhesive layer in the non-conductive film of the present invention may include a resin composition comprising a catalyst.
  • the non-conductive film may have a melting viscosity of 800 to 15000 Pa ⁇ s before irradiating ultraviolet rays, and a melting viscosity of 1000 to 18000 Pa ⁇ s after irradiating ultraviolet rays.
  • the melt viscosity before UV irradiation of the non-conductive film is 800 Pa ⁇ s or less, there is a problem that the film is difficult to handle due to stickiness, and when it is 15000 Pa ⁇ s or higher, the viscosity is high, and all voids cannot be filled during vacuum lamination and voids are formed. Problems may arise. Therefore, it is important to use the adhesive resin composition for forming the non-conductive film in the present invention, even if it can be used without limitation to a composition in which the rate of change before and after UV irradiation is 1 to 30%.
  • the present invention performs a vacuum lamination (vacuum lamination) when forming the non-conductive film on a substrate including TSV.
  • the step of laminating the non-conductive film in the present invention is preferably performed under vacuum conditions at 40 to 130°C or 40 to 100°C.
  • the temperature is 40° C. or less, there is a problem that the fluidity of the film is low and thus the gaps between the bumps cannot be filled, and if it is 130° C. or higher, heat curing occurs during lamination and the melt viscosity rises, so that fillability is not exhibited.
  • the substrate provided with the plurality of silicon through electrodes is formed with a plurality of silicon through vias penetrating through the inside of the semiconductor substrate and a plurality of bumps for connection.
  • the present invention uses a method of establishing an electrical connection using a through-silicon via (TSV) to achieve signal transmission speed, low power, and high performance when manufacturing a semiconductor package.
  • TSV through-silicon via
  • the method is a method of making a connection between micro bumps after filling a metal through a plurality of vias in a silicon chip used as a semiconductor substrate. Accordingly, a plurality of bumps may be formed on the semiconductor substrate, and the bumps may include a metal pillar and a solder cap on the filler.
  • the solder cap is preferably formed to lower the bonding temperature, and may be formed using Sn, SnAg, and SnAgCu series bonding layers.
  • a semiconductor substrate provided with a metal pad may be arranged on an opposite surface of the substrate provided with the silicon through electrode.
  • one or more semiconductor substrates including the TSV may be stacked, and such a semiconductor substrate may be performed by a flip chip packaging method.
  • the above-mentioned non-conductive film can be vacuum-laminated and used as a filling material in the middle of stacked chips.
  • the TSV connection may be performed according to a conventional method, but the method is not limited.
  • a micro bump bonding method may be used in which the bump electrode may include a metal pillar and a solder cap.
  • the metal filler is not particularly limited, and may be, for example, a well-known copper pillar.
  • FIG. 1 shows an embodiment of a semiconductor package method of the present invention.
  • the present invention prepares a bump substrate 10 in which a plurality of silicon through vias penetrating the inside of the semiconductor substrate and a plurality of bumps filling the silicon through vias are formed.
  • a copper pillar 11 and a solder cap having a main component of Sn are formed on the bump substrate 10.
  • a non-conductive film 20 is placed on the bump substrate, vacuum lamination is performed, and thermocompression bonding is performed.
  • the non-conductive film 20 includes a carrier film 1, an adhesive layer 2, an adhesive layer 3, and a protective film 4 as shown in FIG.
  • the non-conductive film may be applied to the bump substrate by removing the protective film during vacuum lamination.
  • thermocompression bonding After placing the semiconductor substrate 30 on which the non-conductive film irradiated with the ultraviolet rays is laminated, and the plurality of electrode pads 31 on which the non-conductive film 20 is positioned opposite the laminated substrate is formed. , It is possible to perform the step of thermocompression bonding the two substrates.
  • the photocurable resin, photoinitiator, thermosetting resin and curing agent, catalyst, etc. included in the resin composition for semiconductor adhesion of the embodiment can be applied to the components commonly known in the adhesive composition for non-conductive films for semiconductor circuit connection.
  • the type is not limited.
  • the photocurable resin has a photocurable ethylenically unsaturated functional group.
  • An acrylate-based compound can be preferably used as such a photocurable resin, and as a more specific example, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, pentaerythritol triacrylate, or dipentaerythritol pentaacrylate
  • Acrylate-based compounds such as hydroxyl groups
  • Water-soluble acrylate-based compounds such as polyethylene glycol diacrylate or polypropylene glycol diacrylate
  • Polyfunctional polyesteracrylate-based compounds of polyhydric alcohols such as trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, or dipentaerythritol hexaacrylate
  • Acrylate-based compounds of ethylene oxide adducts and/or propylene oxide adducts of polyfunctional alcohols such as trimethylolpropane or hydrogenated bis
  • a photocurable resin having a photocurable unsaturated functional group and a reactive functional group is more preferable.
  • photocurable resins include, in addition to glycidyl (meth)acrylate and 4-hydroxybutyl (meth)acrylate glycidyl ether, compounds having functional groups and ethylenically unsaturated groups that react with epoxy groups, and polyfunctional epoxy resins , A compound obtained by reacting epichlorohydrin with 2-(meth)acryloyl oxyethyl isocyanate in a phenol novolak-based resin, and styrene, ⁇ -methylstyrene, lower alkyl (meth)acrylate, and iso Compounds having reactive groups such as ethylenically unsaturated groups such as vinyl groups, allyl groups, and (meth)acryloyl groups and epoxy groups in some of the copolymers of compounds having unsaturated double bonds such as butylene, such as glycidyl ( And polymerizable compounds obtained by reacting a meth)acrylate and adding an ethylenically unsaturated
  • the photoinitiator serves to initiate radical photocuring between photocurable resins upon exposure of the resin composition.
  • benzoin such as benzoin, benzoin methyl ether and benzoin ethyl ether and alkyl ethers thereof;
  • Acetophenones such as acetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 1,1-dichloroacetophenone and 4-(1-t-butyldioxy-1-methylethyl)acetophenone;
  • Anthraquinones such as 2-methylanthraquinone, 2-amylanthraquinone, 2-t-butylanthraquinone, and 1-chloroanthraquinone;
  • Thioxanthones such as 2,4-dimethylthioxanthone, 2,4-diisopropylthioxanthone and 2-chlorothioxanthone;
  • Ketals such as acetophenone dimethyl ketal and benzyl dimethyl ketal;
  • Benzophenones such as
  • oxime esters are mentioned as a preferable photoinitiator.
  • the oxime esters include 2-(acetyloxyiminomethyl)thioxanthen-9-one, (1,2-octanedione, 1-[4-(phenylthio)phenyl]-, 2-(O-benzoyloxime )), (ethanone, 1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]-, 1-(O-acetyloxime)) and the like.
  • Examples of commercial products include GGI-325 from Chiba Specialty Chemicals, Irugacure OXE01, Irugacure OXE02, ADEKA's N-1919, and Chiba Specialty Chemicals' Darocur TPO.
  • thermosetting resin is not particularly limited, an epoxy resin can be preferably applied.
  • the epoxy resin is bisphenol-based epoxy resin, biphenyl-based epoxy resin, naphthalene-based epoxy resin, florene-based epoxy resin, phenol novolak-based epoxy resin, cresol novolak-based epoxy resin, bisphenol novolac-based epoxy resin, Group consisting of biphenyl novolac-based epoxy resin, trishydroxyphenylmethane-based epoxy resin, tetraphenylmethane-based epoxy resin, dicyclopentadiene-type epoxy resin, and dicyclopentadiene-modified phenol-type epoxy resin and alicyclic epoxy resin It may be one or more selected from.
  • examples of the bisphenol-based epoxy resin include bisphenol A-type epoxy resin, bisphenol F-type epoxy resin, bisphenol S-type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A-type epoxy resin, and bisphenol AF-type epoxy resin.
  • the present adhesive composition may further include a thermoplastic resin.
  • the type of the thermoplastic resin is also not particularly limited, for example, polyimide, polyether imide, polyester imide, polyamide, polyether sulfone, polyether ketone, polyolefin, polyvinyl chloride, phenoxy, butadiene Rubber, styrene-butadiene rubber, poly isoprene, reactive butadiene acrylonitrile copolymer rubber and one or more polymer resins selected from the group consisting of (meth)acrylate-based resins.
  • thermoplastic resin a (meth)acrylate-based copolymer resin having a glass transition temperature of -10°C to 30°C and a weight average molecular weight of 50,000 to 1,000,000 g/mol may be applied.
  • the photocurable resin may be included in 3 to 45 parts by weight based on 100 parts by weight of the total of the thermosetting resin and the curing agent. If the content of the photo-curable resin is 3 parts by weight or less, there is a problem that voids are not generated due to insufficient photo-curing property after ultraviolet irradiation, and if it is 45 parts by weight or more, the melt viscosity after ultraviolet irradiation is excessively increased, so that the bumps during thermal compression bonding There is a problem with poor access.
  • thermosetting resin may be used in an amount of 15 to 80 parts by weight based on 100 parts by weight of solid content in the total resin composition.
  • thermoplastic resin may be included in an amount of 10 to 500 parts by weight based on 100 parts by weight of the thermosetting resin in consideration of control of flowability of the composition when manufacturing the adhesive film.
  • the curing agent a compound known to act as a curing agent for the thermosetting resin can be used. More specifically, the curing agent may include at least one compound selected from the group consisting of a phenolic curing agent, an amine curing agent, and an acid anhydride curing agent.
  • a novolak-based phenol resin can be preferably applied.
  • the novolac-based phenol resin has a chemical structure in which a ring is located between reactive functional groups. Due to these structural properties, the novolac-based phenol resin can lower the hygroscopicity of the adhesive composition, and can further improve stability in a high-temperature IR reflow process, preventing peeling or reflow cracking of the adhesive film. It can play a role.
  • novolac-based phenolic resins include novolac phenolic resins, xyroc novolac phenolic resins, cresol novolac phenolic resins, biphenyl novolac phenolic resins, bisphenol A novolac phenolic resins, and bisphenol F novolac phenolic resins. And one or more selected from the group consisting of.
  • the novolak-based phenolic resin may have a softening point of 60°C or higher, or 60°C to 150°C, or 65°C to 140°C.
  • the novolac-based phenolic resin having a softening point of 60° C. or higher allows sufficient heat resistance, strength, and adhesiveness after curing of the adhesive composition.
  • the softening point of the novolak-based phenolic resin is too high, the fluidity of the adhesive composition is lowered, and voids are generated inside the adhesive in the actual semiconductor manufacturing process, thereby significantly reducing the reliability or quality of the final product.
  • the content of the curing agent may be appropriately selected in consideration of physical properties of the adhesive film to be finally produced.
  • the curing agent may be used in 10 to 700 parts by weight or 30 to 300 parts by weight based on 100 parts by weight of the thermosetting resin.
  • the resin composition for adhesion to a semiconductor may further include a curing catalyst.
  • the curing catalyst serves to accelerate the action of the curing agent or the curing of the resin composition for semiconductor adhesion, and a curing catalyst known to be used in the manufacture of semiconductor adhesive films can be used without much limitation.
  • one or more selected from the group consisting of phosphorus-based compounds, boron-based compounds, phosphorus-boron-based compounds, and imidazole-based compounds may be used as the curing catalyst.
  • the amount of the curing catalyst used may be appropriately selected in consideration of physical properties of the adhesive film to be finally produced.
  • the resin composition for semiconductor bonding of the above embodiment may further include an inorganic filler.
  • the inorganic filler is at least one selected from the group consisting of alumina, silica, barium sulfate, magnesium hydroxide, magnesium carbonate, magnesium silicate, magnesium oxide, calcium silicate, calcium carbonate, calcium oxide, aluminum hydroxide, aluminum nitride, and aluminum borate. Inorganic particles can be applied.
  • Ion adsorbents capable of adsorbing ionic impurities to improve reliability can also be used as inorganic fillers.
  • the ion adsorbent include magnesium hydroxide, magnesium carbonate, magnesium silicate, magnesium-based magnesium oxide, calcium silicate, calcium carbonate, calcium oxide, alumina, aluminum hydroxide, aluminum nitride, aluminum borate whisker, zirconium-based inorganic, and antimony bismuth-based inorganic
  • One or more inorganic particles selected from the group consisting of may be applied.
  • the inorganic filler may be preferably applied having an average particle diameter (based on the longest outer diameter) of 0.01 to 10 ⁇ m, or 0.02 to 5.0 ⁇ m, or 0.03 to 2.0 ⁇ m. If the particle size of the inorganic filler is too small, it can be easily aggregated in the adhesive composition. On the other hand, if the particle size of the inorganic filler is too large, damage to the semiconductor circuit by the inorganic filler and deterioration of adhesiveness of the adhesive film may be caused.
  • the content of the inorganic filler may be used in 10 to 300 parts by weight or 15 to 250 parts by weight based on 100 parts by weight of the total of the photo-curable resin, thermosetting resin, curing agent, and thermoplastic resin.
  • the resin composition for semiconductor adhesion of the above embodiment may additionally add an additive such as a flux, a leveling agent, an antifoaming agent for removing the oxide film of the solder.
  • an additive such as a flux, a leveling agent, an antifoaming agent for removing the oxide film of the solder.
  • the adhesive composition for semiconductor circuit connection may include 10 to 200 parts by weight of an organic solvent based on 100 parts by weight of the total of the photo-curable resin, the thermosetting resin, the curing agent and the thermoplastic resin, and the inorganic filler.
  • the content of the organic solvent may be determined in consideration of physical properties or a manufacturing process of the adhesive composition and the finally produced adhesive film.
  • the organic solvent may be one or more compounds selected from the group consisting of esters, ethers, ketones, aromatic hydrocarbons, and sulfoxides.
  • the ester solvents are ethyl acetate, n-butyl acetate, isobutyl acetate, amyl formate, isoamyl acetate, isobutyl acetate, butyl propionate, isopropyl butyrate, ethyl butyrate, butyl butyrate, methyl lactate, ethyl lactate , Gamma-butyrolactone, epsilon-caprolactone, delta-valerolactone, alkyl oxyacetate (e.g. methyl oxyacetate, ethyl oxyacetate, butyl oxyacetate (e.g.
  • 3-oxypropionic acid alkyl esters for example, methyl 3-oxypropionic acid, ethyl 3-oxypropionic acid, etc.
  • the ether solvents are diethylene glycol dimethyl ether, tetrahydrofuran, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, diethylene glycol Colmonomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene Glycol monopropyl ether acetate, and the like.
  • the ketone solvent may be methyl ethyl ketone, cyclohexanone, cyclopentanone, 2-heptanone, 3-heptanone, N-methyl-2-pyrrolidone, and the like.
  • the aromatic hydrocarbon solvent may be toluene, xylene, anisole, limonene, or the like.
  • the sulfoxide solvent may be dimethyl sulfoxide.
  • the adhesive composition for semiconductor circuit connection may include a coupling agent.
  • the type of the coupling agent is not particularly limited, but preferably 2-(3,4 epoxycyclohexyl)-ethyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyl- Diethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, N-2(aminoethyl)3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-2(aminoethyl)3-aminopropyl-trimethoxysilane, N- 2(aminoethyl)3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyl-trimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-triethoxysilyl-N-(1,3 dimethyl-butylary Den)propylamine, N-phenyl
  • the release-treated base film is a support substrate for supporting the film, a resin film excellent in heat resistance or chemical resistance; A crosslinked film obtained by crosslinking the resin constituting the resin film; Alternatively, a film or the like obtained by applying a silicone resin or the like to the surface of the resin film may be peeled off.
  • polyester polyethylene, polypropylene, polybutene, polyolefin such as polybutadiene, vinyl chloride, ethylene-methacrylic acid copolymer, ethylene vinyl acetate copolymer, polyester, polyimide, polyethylene Terephthalate, polyamide, polyurethane, and the like can be applied, and transparent polyethylene terephthalate is preferable in terms of ultraviolet irradiation.
  • the thickness of the supporting substrate is not particularly limited, but may be 3 to 400 ⁇ m, or 5 to 200 ⁇ m, or 10 to 150 ⁇ m.
  • the adhesive layer is made of the above-mentioned adhesive composition.
  • the contents of the adhesive composition are as described above.
  • an adhesive layer may be interposed on the adhesive layer.
  • the adhesive layer those known in the art can be applied without particular limitation.
  • the type of the protective film is not particularly limited, and plastic films known in the art may be applied.
  • the protective film may be polyester, polyethylene, polypropylene, polyethylene terephthalate, or the like.
  • the method of manufacturing the non-conductive film for semiconductor sealing is not limited, and can be obtained by a method well known in the art.
  • the film may be prepared by forming an adhesive layer on the support substrate and then sequentially laminating an adhesive layer and a protective film on the adhesive layer.
  • the method of forming the adhesive layer on the support substrate is coated on the support substrate or release film by known means such as comma coater, gravure coater, die coater, reverse coater by diluting the adhesive composition as it is or in an appropriate organic solvent. Thereafter, a method of drying at a temperature of 60°C to 150°C for 10 seconds to 30 minutes may be used.
  • the thickness of the adhesive layer may be appropriately adjusted in the range of 1 to 500 ⁇ m, or 5 to 100 ⁇ m, or 5 to 50 ⁇ m.
  • Example 1 Preparation of resin composition for semiconductor adhesion and non-conductive film (adhesive film)
  • a semiconductor package was manufactured according to the process of FIG. 1.
  • a film having a partially cured adhesive layer having the structure of FIG. 2 was used as a sealing material.
  • phenol resin KH-6021 (a bisphenol A novolac resin manufactured by DIC), which is a curing agent for epoxy resins
  • RE-310S Japanese Explosives, Bisphenol A Epoxy Resin
  • YDCN-500-5P National Chemical Products, Cresol Novolac Epoxy Resin
  • A-DCP Tin-Nakamura Co., Tricyclomethane Dimethanol Diacrylate
  • 10g as a photocuring agent, dipentaerythritol hexaacrylate 0.5g
  • As a photoinitiator Darocur TPO 1g thermoplastic acrylate resin KG-3015 (Mw: 900,000, glass transition temperature: 10 °C) 15g
  • 1 g of flux and 75 g of inorganic filler (SC-2050, Admatech spherical silica) were mixed with
  • a comma coater using an adhesive resin composition containing a conventional acrylic resin, coated on a polyethylene terephthalate film (38 ⁇ m thick) and dried to form an adhesive layer having a thickness of about 20 ⁇ m. Thereafter, the above-mentioned adhesive resin composition was coated using the comma coater, and dried at 110° C. for 3 minutes to obtain an adhesive film having an adhesive layer having a thickness of about 20 ⁇ m. Thereafter, a normal protective film (released polyethylene terephthalate) was formed on the adhesive layer to a thickness of about 20 ⁇ m.
  • a bump chip 4.5 mm ⁇ 4.5 mm
  • SnAgCu lead-free solder
  • the protective film was removed from the non-conductive adhesive film, and vacuum lamination was performed at 80°C so that the adhesive layer of the adhesive film was positioned on the bump surface of the wafer, and then individualized with each chip.
  • the non-conductive film was irradiated with ultraviolet light at an amount of 500 mJ/cm 2 for the individualized bump chip laminated with vacuum.
  • the individualized bump chip on which the adhesive layer is laminated is temporarily bonded at 70° C. for 3 seconds at 70° C. to 100 N on a 6 mm ⁇ 8 mm base chip having a 50 ⁇ m pitch connection pad using a thermocompression bonder, and heated to 260° C. The thermocompression bonding was performed for 4 seconds.
  • An adhesive film and a semiconductor device were manufactured in the same manner as in Example 1, except that the following adhesive composition was used.
  • phenol resin GPH-65 (a Japanese chemical product, biphenyl novolac resin), which is a curing agent for epoxy resins
  • 20 g of RE-310S Japanese Chemical Products, cresol novolac epoxy resin
  • YDCN-500-5P National Chemical Products, cresol novolac epoxy resin
  • 1 g of flux
  • 90 g of inorganic filler SC-2050, Admatech spherical silica
  • SC-2050 Admatech spherical silica
  • An adhesive film and a semiconductor device were manufactured in the same manner as in Example 1, except that the following adhesive composition was used.
  • An adhesive composition for semiconductor circuit connection was obtained in the same manner as in Example 1, except that 15 g of KG-3015 was further added as a thermoplastic resin in Example 2.
  • An adhesive film and a semiconductor device were manufactured in the same manner as in Example 1, except that the following adhesive composition was used.
  • Example 2 The same method as in Example 1, except that in Example 1, the photocuring agent A-DCP (manufactured by Shin-Nakamura Co., Ltd., tricyclomethane dimethanol diacrylate), dipentaerythritol hexaacrylate, and photoinitiator Darocur TPO were not added. As a result, an adhesive composition was obtained.
  • the photocuring agent A-DCP manufactured by Shin-Nakamura Co., Ltd., tricyclomethane dimethanol diacrylate
  • dipentaerythritol hexaacrylate dipentaerythritol hexaacrylate
  • photoinitiator Darocur TPO photoinitiator
  • Example 3 after laminating the non-conductive adhesive film, a semiconductor device was obtained in the same manner as in Example 3, except that thermocompression bonding was performed without ultraviolet irradiation.
  • An adhesive film and a semiconductor device were manufactured in the same manner as in Example 1, except that the following adhesive composition was used.
  • Example 2 GPH-65 was changed to KA-1163 (DIC product, cresol novolac resin) 40 g, RE-310S was changed to EOCN-104S, and inorganic filler SC-2050 (Admatech spherical silica, average particle size 500 nm) ) YC100C (Admatech spherical silica, average particle size 100nm) except for changing to 340g to obtain an adhesive composition in the same manner as in Example 2.
  • SC-2050 Admatech spherical silica, average particle size 500 nm
  • YC100C Admatech spherical silica, average particle size 100nm
  • An adhesive film and a semiconductor device were manufactured in the same manner as in Example 1, except that the following adhesive composition was used.
  • Example 2 70 g of the compound of Preparation Example 1 as the photocurable resin, 5 g of dipentaerythritol hexaacrylate, 0.8 g of OXE01 as a photoinitiator, and 100 g of inorganic filler (SC-2050, Admatech spherical silica) were used as an example.
  • the adhesive composition was obtained by the same method as 2.
  • An adhesive film and a semiconductor device were manufactured in the same manner as in Example 1, except that the following adhesive composition was used.
  • the adhesive films obtained in Examples and Comparative Examples were stacked by overlapping them to a thickness of 320 ⁇ m, and then laminated using a 80° C. roll laminator. Subsequently, each specimen was molded into a circular shape having a diameter of 8 mm, and then a temperature increase rate of 10° C./min was applied at a shear rate of 5 rad/s using TA's advanced rheometric expansion system (ARES). The viscosity value of the value was judged as the melt viscosity. The melt viscosity after ultraviolet irradiation was irradiated with ultraviolet light of 500 mJ/cm 2 on the carrier film side of the non-conductive adhesive film, and then laminated to measure melt viscosity in the same manner.
  • AWS advanced rheometric expansion system
  • the semiconductor devices obtained in Examples and Comparative Examples were exposed by cross-section polishing of the connection portions and observed with an optical microscope. An adhesive composition trapping was not seen at the connection portion, and solder (wet) was evaluated as pass ( ⁇ ) and the other was rejected (x).
  • Example 1 Example 2
  • Example 3 Melt viscosity (Pa.s) 3500 4300 5700 Melt viscosity after UV irradiation (Pa.s) 4100 5400 6800 Melt viscosity change rate (%) 17 26 19 Void evaluation ⁇ ⁇ ⁇ Continuity evaluation ⁇ ⁇ ⁇ Connection status ⁇ ⁇ ⁇ Fillet size ( ⁇ m) 280 250 210
  • Comparative Examples 1 to 2 did not change the melting viscosity before and after UV irradiation, and showed good conduction evaluation results, but voids were generated, the connection state was poor, and the fillet was excessive, which acted as a cause of contaminating the package.
  • Comparative Example 4 the content range of the photo-curable resin was excessive, and the rate of change in the melt viscosity before and after ultraviolet irradiation increased to 552%, indicating poor conduction and poor connection. That is, in the case of Comparative Example 4, since the content of the photocurable resin was increased, after the same amount of UV irradiation, the viscosity increase was large, so that the connection was not made properly during TCB.
  • a vacuum lamination is performed by using a non-conductive film that is not a paste type as a semiconductor sealing material, and in particular, a non-conductive film having a controlled melting point change rate before and after ultraviolet irradiation is used to minimize fillets and minimize bumps. It can prevent cracking. Accordingly, according to the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention, the conduction and connection state are excellent during thermocompression bonding, thereby improving reliability.

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

본 발명은 복수의 실리콘 관통 전극이 구비되고 범프 전극이 형성된 기판 상에 비전도성 필름을 사용하여 진공 라미네이션(vacuum lamination) 후 자외선 조사를 실시하여, 광경화 전후 용융점도 상승을 30% 이하로 조절할 수 있으며, 이에 따라 열압착 본딩시 보이드 없이 본딩 가능하며 솔더 중간에 수지가 끼이는 현상을 방지할 수 있고, 필렛이 최소화되어 신뢰성을 향상시킬 수 있는 반도체 패키지의 제조방법에 관한 것이다.

Description

반도체 패키지의 제조방법
관련 출원(들)과의 상호 인용
본 출원은 2019년 1월 29일자 한국특허출원 제 10-2019-0011317호 및 2020년 1월 22일자 한국특허출원 제 10-2020-0008888호에 기초한 우선권의 이익을 주장하며, 해당 한국 특허 출원들의 문헌에 개시된 모든 내용은 본 명세서의 일부로서 포함된다.
본 발명은 신뢰성이 향상된 반도체 패키지의 제조방법에 관한 것이다.
최근 전자기기의 박형화, 소형화, 고기능화, 대용량화 추세가 확대되고 이에 따른 반도체 패키지의 고밀도화, 고집적화에 대한 필요성이 급격히 커짐에 따라 반도체 칩 크기가 점점 커지고 있으며 집적도 측면에서도 개선하기 위하여 칩을 다단으로 라미네이션하는 스택패키지 방법이 점차로 증가하고 있다.
즉, 최근 추세에 따라, 반도체 칩 등의 반도체 소자가 기판 상에 플립칩 본딩에 의해 실장된 플립칩형의 반도체 장치가 널리 이용되고 있다. 또한, 플립칩 실장에서는, 반도체 소자에 형성된 땜납 범프 등을 용융시켜 전기적으로 접속하게 되며, 집적도를 높이기 위해 칩을 다단으로 적층하는 스택 패키지가 증가하고 있다.
또한, 최근에는 실리콘 관통 전극(TSV)을 이용한 반도체가 개발되며 범프(Bump) 접합을 통한 신호전달이 이루어지고 있다. 이러한 범프 접합을 위하여 주로 열압착 본딩 기술(Thermo Compression Bonding, TCB)이 적용되고 있으며, 이 때, 열압착 본딩 기술에서 접착제가 갖는 열에 대한 경화 특성이 패키지 제조 공정성 및 패키지 신뢰도에 영향을 미친다. 예를 들어, 3차원 IC 집적기술에서는 주로 TSV(Through Silicon Via)를 활용하여 플립 칩 본딩 공정으로 칩과 칩을 적층하며 미세 피치(pitch)를 가지고 있다.
또한 각 TSV층 사이를 충진할 접착제로서 페이스트(Paste) 형태의 비전도성 페이스트 (Non Conductive Paste, NCP)가 개발되었으나, 범프(Bump)의 피치(Pitch)가 좁아지고 칩의 두께가 얇아짐에 따라 두께 조절 등이 어려워지는 문제점이 있었다. 이를 극복하기 위해, 반도체 칩 사이에는 접속의 신뢰성을 높이고자, 필름 형태로 구현된 비전도성 필름(Non-conductive Film, NCF)가 개발되고 있다.
상기 열압착 본딩은 200 내지 300℃에서 압력을 주면서 2 내지 10초 정도 단시간 내에 이루어진다. 그러나, 이러한 급격한 온도나 압력 변화에 의해 경화되는 접착제 내에는 보이드가 생기거나 솔더(Solder) 중간에 수지의 끼임이 발생하여 신뢰성 확보가 어려운 문제가 있었다. 또한, 상기 열압착 중 NCF 수지가 옆으로 삐져 나오는 필렛이 과다하여 패키지가 오염되는 문제가 있었다.
본 발명은 반도체 소자의 플립 칩 본딩 공정의 열압착본딩(TCB)시 보이드 없이 본딩 가능하며 솔더 중간에 레진의 끼임이 발생하지 않고 필렛이 최소화되어 신뢰성이 향상된 반도체 패키지의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
본 명세서에서는,
복수의 실리콘 관통 전극이 구비된 기판에 비전도성 필름을 라미네이션하는 단계; 및
상기 비전도성 필름이 라미네이션된 기판에 자외선을 조사하는 단계;를 포함하고,
상기 비전도성 필름은 상기 자외선 조사 전후로 용융 점도의 변화율이 1 내지 30%인,
반도체 패키지의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 반도체 패키지의 밀봉재료로 비전도성 필름(NCF)용 접착제 수지 조성물을 이용한 비전도성 필름을 사용함으로써, 열압착 본딩시 보이드 없이 플립칩의 본딩이 가능하고, 솔더 중간에서 수지의 끼임이 발생하지 않아 전기 접속 신뢰성이 향상되면서도 필렛(Fillet) 크기가 최소화된 반도체 패키지를 제조할 수 있다. 또한, 본 발명은 실리콘 관통 전극(TSV, Through silicon via)를 이용하여, 신호 전달 속도, 저전력 및 고성능을 달성할 수 있는 반도체 소자를 제공하는데 기여할 수 있다.
도 1은 본 발명의 반도체 패키지 방법의 일 구현예를 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 일 구현예에 따른 비전도성 필름의 구조를 간략히 나타낸 것이다.
이하 발명의 구체적인 구현예의 반도체 패키지의 제조방법에 관하여 보다 상세하게 설명하기로 한다. 그러나 하기의 실시예들은 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 발명을 이들만으로 한정하는 것은 아니다.
발명의 일 구현예에 따르면, 복수의 실리콘 관통 전극이 구비된 기판에 비전도성 필름을 라미네이션하는 단계; 및 상기 비전도성 필름이 라미네이션된 기판에 자외선을 조사하는 단계;를 포함하고, 상기 비전도성 필름은 상기 자외선 조사 전후로 용융 점도의 변화율이 1 내지 30%인, 반도체 패키지의 제조방법이 제공될 수 있다.
본 발명은 반도체 소자를 제조하기 위한 플립칩의 본딩 공정에서, 범프가 형성된 TSV형 반도체 기판을 접합시 필름형 밀봉재료를 이용하는 반도체 패키지의 제조방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 반도체 밀봉재료로 페이스트 형이 아닌 비전도성 필름을 사용하여 진공 라미네이션을 수행함으로써, 범프의 깨짐을 방지할 수 있다.
구체적으로, 상기 플립칩 본딩 공정에서 1종 이상의 반도체 칩을 적층할 때, 기재와 칩 혹은 칩과 칩간의 접착시, 적층되는 칩의 층간에 밀봉 충진 재료가 사용될 수 있다. 이때, 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 적층 칩들의 층간 밀봉재료로 필름형인 비전도성 필름(NCF, non-conductive film)을 사용하고 또한 이를 이용시 진공 라미네이션 (vacuum lamination) 방법을 사용하는 반도체 패키지의 제조방법이 제공될 수 있다.
또, 상기 필름형 밀봉재료는 자외선이 조사된 후에 융용점도 변화율이 1 내지 30%, 또는 5 내지 29%, 또는 15 내지 27%가 되는 접착층을 포함한 비전도성 필름을 사용할 수 있으며, 이러한 필름의 사용에 의해 열압착본딩(TCB)시 보이드 없이 본딩 가능하며 솔더 중간에 수지의 끼임이 발생하지 않고 필렛(fillet)이 최소화 되어 신뢰성이 향상된 반도체 패키지를 제조할 수 있다. 상기 융융점도 변화율이 30% 이상이 되는 경우 열압착 본딩시 도통 불량 및 접속 상태 불량을 야기할 수 있다.
또, 상기 밀봉용 비전도성 필름을 이용하여 적층되는 반도체 칩들의 층간 밀봉시, 진공 라미네이션을 수행한다. 상기 진공 라미네이션은 상대적으로 낮은 온도에서 이루어지기 때문에, 이 온도 구간에서 점도가 낮아야 미세 피치(fine pitch)의 범프(bump) 사이를 모두 채울 수 있는데, 상기 비전도성 필름의 사용으로 진공 라미네이션 중 범프의 깨짐 등을 방지할 수 있다.
상기 비전도성 필름이 라미네이션된 기판에 자외선을 조사하는 단계는, 0.1 내지 1000mJ/㎠의 광량으로 수행할 수 있다. 즉, 일정한 파장대를 갖는 UV를 사용하며 범프의 높이나 비전도성 필름의 두께, 기재필름과 점착층의 두께에 따라 다르지만, 상기 단계는 0.1 내지 1000mJ/㎠ 혹은 100 내지 1000 mJ/㎠ 혹은 300 내지 800 mJ/㎠의 광량을 이용하여 자외선을 조사하는 것이 바람직하다. 노광후에는 광경화가 일어나 광개시제와 광경화성 수지에 포함된 에틸렌성 불포화 작용기들 사이에 가교 결합이 형성될 수 있고, 이에 의해 용융점도가 상승되며, 부분적인 가교결합에 의해 열압착 공정시 보이드가 발생하지 않으며, 필렛이 최소화 될 수 있다.
또한, 본 발명에서는 상술한 비전도성 필름을 이용하는 구성 외에, 통상의 패키징 공정을 수행할 수 있다.
예를 들어, 패키징 공정은 반도체 칩의 불량을 검사하는 웨이퍼 검사 공정; 웨이퍼를 절단하여 낱개의 칩으로 분리하는 다이싱 공정; 분리된 칩을 회로 필름(circuit film) 또는 리드 프레임의 탑재판에 부착시키는 다이본딩 공정; 반도체 칩 상에 구비된 칩 패드와 회로 필름 또는 리드 프레임의 회로 패턴을 와이어와 같은 전기적 접속 수단으로 연결시키는 와이어 본딩 공정 등을 포함할 수 있다. 이때, 상기 다이싱 공정 전에는, 기판(웨이퍼)을 원하는 두께까지 thinning하기 위한 백 그라인딩(Back grinding) 공정이 수행될 수 있다.
또한, 상기 자외선을 조사하는 단계 후에는, 상기 자외선이 조사된 비전도성 필름이 라미네이션된 기판과, 상기 비전도성 필름이 라미네이션된 기판에 대향하여 위치하는 복수의 전극 패드가 형성된 반도체 기판을 열압착 본딩하는 단계를 더 포함할 수 있다.
구체적으로, 상기 자외선 조사 후 열압착 본딩(Thermo Compression Bonding) 공정을 수행함으로써, 효과적으로 반도체 패키지를 제조할 수 있다. 상기 열압착 본딩 공정은 200℃ 이상의 고온에서 일정 압력을 가하여 단시간 내에 수행하는 것이 바람직하다. 상기 자외선 조사가 완료되면, 점착층(PSA-Adhesive)간의 점착력이 낮아져 PSA층을 벗겨내기 쉬워진다.
바람직하게, 상기 열압착 본딩하는 단계는, 200 내지 300 ℃의 온도에서 10N 내지 300N의 압력 조건 하에 2 내지 10초간 수행할 수 있으며, 50℃ 내지 150℃의 온도에서 1초 내지 10 초간 가접후 본접을 실시할 수도 있다. 더 바람직하게, 상기 압력 조건은 10N 내지 300N 혹은 50N 내지 250N일 수 있다. 또, 상기 열압착 본딩시, 시간은 2초 내지 8초일 수 있다.
상기 열압착 본딩시 온도가 200℃ 이하이면 범프위에 위치한 솔더의 녹는점에 미치지 못해 범프와 패드간의 전기적 접속이 이루어 지지 못하는 문제가 있고, 그 온도가 300℃ 이상이면 비전도성 필름이 열분해되어 아웃가스를 발생하는 문제가 있다.
또한, 상기 열압착 본딩시 압력이 10N 이하이면 범프와 패드간의 접속이 어려운 문제가 있고, 300N 이상이면 범프에 손상이 가거나 칩이 깨질 우려가 있다.
또한, 상기 열압착 본딩하는 단계 전에, 비전도성 필름의 점착층을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다. 본 발명은 자외선 조사 후 부분적으로 광경화된 접착층을 포함하게 되므로 자외선 조사 후 상대적으로 점착층의 제거가 용이해진다.
이러한 열압착 본딩 공정에서, 부분 경화된 접착필름(즉, 비전도성 필름)이 사용됨으로써, 보이드나 레진 끼임이 발생하지 않으며, 필렛이 최소화되어 신뢰성이 향상된 반도체 패키지를 제조할 수 있다.
한편, 본 발명은 반도체 장치의 밀봉 재료로, 필름형을 사용하되, 광경화와 열경화가 모두 가능한 비전도성 필름을 사용하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에서 사용하는 비전도성 필름은 통상의 비전도성 필름에 사용되는 접착제 조성물을 사용하여 제공할 수 있다.
구체적으로, 상기 비전도성 필름은 자외선 조사에 의해 광경화성 수지를 포함하는 접착제 수지 조성물이 부분적으로 경화하여 필름형을 나타내는 접착층을 포함한 구조를 이용할 수 있다.
이러한 비전도성 필름은 이형 처리된 기재 필름, 점착층 및 접착층을 포함하는 접착 필름일 수 있다. 또, 상기 비전도성 필름에서, 접착층 상부에 보호 필름이 더 포함되고, 반도체 패키지용 밀봉용 재료로 사용시, 보호 필름을 제거하여 사용할 수 있다.
또, 상기 자외선 조사에 의해 접착제 수지 조성물 중 광경화성 수지와 광개시제가 UV 조사에 의해 반응하여 비전도성 필름에 형성된 접착층이 부분적으로 경화하므로, 이러한 필름은 단단해지고 점도가 높아지게 된다. 이에 따라, 접착층 및 점착층(PSA) 사이 점착력도 낮아져 점착층의 제거가 쉬워진다.
상기 비전도성 필름을 형성하기 위한 접착제 수지 조성물은, 광경화시 용융점도의 상승이 자외선을 조사하기 전과 비교하여, 그 변화율이 1 내지 30%, 또는 5 내지 29%, 또는 15 내지 27% 이내가 되는 조성물이면, 그 구성이 제한되지 않는다.
바람직한 일구현예에 따르면, 본 발명의 상기 비전도성 필름에서 접착층은, (a) 광경화 가능한 불포화 작용기를 가지는 광경화성 수지, (b) 열경화성 수지 및 경화제, (c) 광개시제, (d)무기 충전재 및 (e) 촉매를 포함하는 수지 조성물을 포함할 수 있다.
또한, 상기 비전도성 필름은 자외선을 조사하기 전에 800 내지 15000 Paㆍs의 용융점도를 가지고, 자외선을 조사한 후에 1000 내지 18000Paㆍs의 용융점도를 가질 수 있다.
상기 비전도성 필름의 자외선 조사 전의 융용점도가 800 Paㆍs 이하이면 필름이 끈적임에 의해 취급이 어려운 문제가 있고, 15000 Paㆍs 이상일 경우 점도가 높아 진공 라미네이션시 범프 사이가 모두 채워지지 못하고 보이드가 생기는 문제가 발생될 수 있다. 따라서, 본 발명에서 상기 비전도성 필름을 형성하기 위한 접착제 수지 조성물을 사용하여, 자외선 조사 전후의 변화율이 1 내지 30%인 조성에 제한이 없게 사용될 수 있더라도, 상기 점도 범위 내가 되도록 하는 것이 중요하다.
한편, 본 발명은 상기 비전도성 필름을 TSV를 포함한 기판에 형성시 진공 라미네이션 (vacuum lamination)을 수행한다.
바람직하게, 본 발명에서 상기 비전도성 필름을 라미네이션하는 단계는 40 내지 130℃ 혹은 40 내지 100℃에서 진공 조건 하에 수행하는 것이 바람직하다. 이 때, 상기 진공 라미네이션시, 그 온도가 40℃ 이하이면 필름의 유동성이 낮아 범프 사이가 채워지지 못하는 문제가 있고, 130℃ 이상이면 라미네이션 중 열경화가 일어나 용융점도가 상승하여 채움성이 발현되지 못하는 문제가 있다. 즉, 반도체 밀봉용 재료를 범프 기판에 진공 라미네이션시, 비전도성 필름의 사용으로 상기 라미네이션 온도에서 미세 피치의 범프를 효과적으로 매립할 수 있다.
또한, 상기 복수의 실리콘 관통 전극이 구비된 기판은, 반도체 기판 내부를 관통하는 복수의 실리콘 관통 비아 및 접속을 위한 복수의 범프가 형성되어 있다.
구체적으로, 본 발명은 반도체 패키지 제조시, 신호 전달 속도, 저전력, 고성능을 달성하기 위해 실리콘 관통 전극(TSV, Trough silicon via)을 이용하여 전기적 연결을 이루는 방법을 사용한다.
상기 방법은 반도체 기판으로 사용하는 실리콘 칩 내부에 복수의 비아(Via(hole))을 뚫고 금속을 채운 뒤, 마이크로 범프 간의 연결을 하는 방법이다. 따라서, 상기 반도체 기판에는 복수개의 범프가 형성될 수 있고, 상기 범프는 금속 필러 (metal pillar) 및 상기 필러 위에 솔더 캡(solder cap)을 포함할 수 있다.
상기 솔더 캡은 본딩 온도를 낮추기 위해 형성되는 것이 바람직하며, 접합층인 Sn, SnAg, SnAgCu 계열을 사용하여 형성할 수 있다.
또, 후술하겠지만, 상기 실리콘 관통 전극이 구비된 기판의 대향 면에는 금속 패드가 구비된 반도체 기판이 배열될 수 있다.
본 발명에 따르면, 상기 TSV를 포함한 반도체 기판은 1이상 적층될 수 있으며, 이러한 반도체 기판은 플립 칩 형태의 패키징 방법으로 수행될 수 있다. 또한, 상술한 비전도성 필름을 진공 라미네이션하여, 적층되는 칩 중간에 충진 재료로 사용할 수 있다.
상기 TSV 연결을 위해서는 통상의 방법에 따라 수행될 수 있는 바, 그 방법이 제한되지는 않는다. 예를 들어, 상기 범프 전극은 금속 기둥 및 솔더 캡 (Solder Cap)을 포함할 수 있는 마이크로 범프 본딩 방법이 사용될 수 있다. 상기 금속 필러는 크게 제한되지 않고, 일례로 잘 알려진 구리 필러(Copper pillar)일 수 있다.
이러한 본 발명의 반도체 패키지 방법을 도면을 참고하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 반도체 패키지 방법의 일 구현예를 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 일 구현예에 따른 비전도성 필름의 구조를 간략히 나타낸 것이다.
발명의 일 구현예에 따라, 본 발명은 반도체 기판 내부를 관통하는 복수의 실리콘 관통 비아 및 상기 실리콘 관통 비아를 채우는 복수의 범프가 형성되어 있는 범프 기판 (bumped wafer) 10을 준비한다. 상기 범프 기판 10에는 구리 필러 (Cu pillar) 11 및 주성분이 Sn인 솔더 캡 (solder cap)이 형성되어 있다.
이후, 상기 범프 기판에 비전도성 필름 20을 위치시키고 진공 라미네이션을 수행하고, 열압착 본딩을 수행한다.
이때, 상기 비전도성 필름 20은 도 2에 도시된 바대로 캐리어 필름 1, 점착제층 2, 접착제층 3, 보호 필름 4을 포함한다. 이러한 비전도성 필름을 범프 기판에 진공 라미네이션시 보호 필름을 제거하여 적용할 수 있다.
또한, 상기 진공 라미네이션을 수행 후, 자외선 조사 전에 통상의 백그라인딩 및 칩을 일정크기로 잘라 개별화하는 다이싱 공정을 수행할 수 있다.
또, 상기 열압착 본딩시 상기 자외선이 조사된 비전도성 필름이 라미네이션된 기판 10과, 상기 비전도성 필름 20이 라미네이션된 기판에 대향하여 위치하는 복수의 전극 패드 31가 형성된 반도체 기판 30을 위치시킨 후, 이 두 기판을 열압착 본딩하는 단계를 수행할 수 있다.
한편, 상기 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물에 포함되는 상기 광경화성 수지, 광개시제, 열경화성 수지 및 경화제, 촉매 등은 반도체 회로 접속용 비전도성 필름용 접착제 조성물 분야에서 알려진 통상적으로 성분들이 적용될 수 있고, 그 종류가 제한되지는 않는다.
일례를 들면, 상기 광경화성 수지는 광경화 가능한 에틸렌성 불포화 작용기를 가지는 것이 바람직하다. 이런 광경화성 수지로서 아크릴레이트계 화합물이 바람직하게 사용될 수 있고, 보다 구체적인 예로서, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 또는 디펜타에리스리톨펜타아크릴레이트 등의 수산기 함유의 아크릴레이트계 화합물; 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 또는 폴리프로필렌글리콜디아크릴레이트 등의 수용성 아크릴레이트계 화합물; 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 또는 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트 등의 다가 알코올의 다관능 폴리에스테르아크릴레이트계 화합물; 트리메틸올프로판, 또는 수소 첨가 비스페놀 A 등의 다관능 알코올 또는 비스페놀 A, 비페놀 등의 다가 페놀의 에틸렌옥시드 부가물 및/또는 프로필렌옥시드 부가물의 아크릴레이트계 화합물; 상기 수산기 함유 아크릴레이트의 이소시아네이트 변성물인 다관능 또는 단관능 폴리우레탄아크릴레이트계 화합물; 비스페놀 A 디글리시딜에테르, 수소 첨가 비스페놀 A 디글리시딜에테르 또는 페놀 노볼락 에폭시 수지의 (메트)아크릴산 부가물인 에폭시아크릴레이트계 화합물; 카프로락톤 변성 디트리메틸올프로판테트라아크릴레이트, ε-카프로락톤 변성 디펜타에리스리톨의 아크릴레이트, 또는 카프로락톤 변성 히드록시피발산네오펜틸글리콜에스테르디아크릴레이트 등의 카프로락톤 변성의 아크릴레이트계 화합물, 및 상술한 아크릴레이트계 화합물에 대응하는 메타크릴레이트계 화합물 등의 감광성(메트)아크릴레이트 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 사용할 있다.
또한, 신뢰성 향상 측면에서 광경화 가능한 불포화 작용기 및 반응성 작용기 (글리시딜기, 산무수물기, 히드록시기, 카르복시기등)를 동시에 가지는 광경화수지가 더욱 바람직하다. 이런 광경화성 수지의 예로서 글리시딜(메타)아크릴레이트, 4-하이드록시부틸 (메타) 아크릴레이트글리시딜에테르 외에, 에폭시기와 반응하는 관능기 및 에틸렌성 불포화기를 가지는 화합물과, 다관능성 에폭시 수지를 반응시켜 얻어지는 화합물, 페놀 노볼락계 수지에 에피클로로히드린과 2-(메타)아크릴로일 록시에틸이소시아네이트를 반응시킨 화합물, 그리고 스티렌, α-메틸스티렌, 저급 알킬(메트)아크릴레이트, 이소부틸렌 등의 불포화 이중 결합을 갖는 화합물의 공중합체의 일부에 비닐기, 알릴기, (메트)아크릴로일기 등의 에틸렌성 불포화기와 에폭시기 등의 반응성기를 갖는 화합물, 예를 들어, 글리시딜(메트)아크릴레이트를 반응시키고, 에틸렌성 불포화기를 팬던트로서 부가시킴으로서 얻어지는 중합성 화합물등을 예로 들 수 있다.
상기의 광개시제는, 수지 조성물의 노광시 광경화성 수지간에 라디칼 광경화를 개시하는 역할을 한다.
광개시제로서는 공지의 것을 사용할 수 있고, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르 등의 벤조인과 그 알킬에테르류; 아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 1,1-디클로로아세토페논, 4-(1-t-부틸디옥시-1-메틸에틸)아세토페논 등의 아세토페논류; 2-메틸안트라퀴논, 2-아밀안트라퀴논, 2-t-부틸안트라퀴논, 1-클로로안트라퀴논 등의 안트라퀴논류; 2,4-디메틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤, 2-클로로티오크산톤 등의 티오크산톤류; 아세토페논디메틸케탈, 벤질디메틸케탈 등의 케탈류; 벤조페논, 4-(1-t-부틸디옥시-1-메틸에틸)벤조페논, 3,3',4,4'-테트라키스(t-부틸디옥시카르보닐)벤조페논 등의 벤조페논류와 같은 물질들을 사용할 수 있다.
또, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로파논-1,2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-몰포리노페닐)-부탄-1-온, 2-(디메틸아미노)-2-[(4-메틸페닐)메틸]-1-[4-(4-몰포리닐)페닐]-1-부타논, N,N-디메틸아미노아세토페논(시판품으로서는 치바스페셜리티케미컬사(현, 치바저팬사) 제품의 이루가큐어(등록상표) 907, 이루가큐어 369, 이루가큐어 379 등) 등의 α-아미노아세토페논류, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐호스핀옥사이트, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드, 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸-펜틸포스핀옥사이드(시판품으로서는, BASF사 제품 루실린(등록상표) TPO, 치바스페셜리티케미컬사 제품의 이루가큐어 819 등) 등의 아실포스핀옥사이드류가 바람직한 광개시제로서 언급될 수 있다.
또, 바람직한 광개시제로서는, 옥심에스테르류를 들 수 있다. 옥심에스테르류의 구체예로서는 2-(아세틸옥시이미노메틸)티오크산텐-9-온, (1,2-옥탄디온, 1-[4-(페닐티오)페닐]-, 2-(O-벤조일옥심)), (에탄온, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-, 1-(O-아세틸옥심)) 등을 들 수 있다. 시판품으로서는 치바스페셜리티케미컬사 제품의 GGI-325, 이루가큐어 OXE01, 이루가큐어 OXE02, ADEKA사 제품 N-1919, 치바스페셜리티케미컬사의 Darocur TPO 등을 들 수 있다.
상기 열경화성 수지의 예가 크게 한정되는 것은 아니지만, 에폭시 수지가 바람직하게 적용될 수 있다.
구체적으로, 상기 에폭시 수지는 비스페놀계 에폭시 수지, 바이페닐계 에폭시 수지, 나프탈렌계 에폭시 수지, 플로렌계 에폭시 수지, 페놀노볼락계 에폭시 수지, 크레졸노볼락계 에폭시 수지, 비스페놀 노볼락계 에폭시 수지, 비페닐 노볼락계 에폭시 수지, 트리스하이드록실페닐메탄계 에폭시 수지, 테트라페닐메탄계 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 및 디시클로펜타디엔 변성 페놀형 에폭시 수지 및 지환식 에폭시 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상일 수 있다.
여기서, 상기 비스페놀계 에폭시 수지로는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 수소첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지 등을 들 수 있다.
또한, 본 접착제 조성물은 열가소성 수지를 추가로 더 포함할 수도 있다. 이러한 열가소성 수지 또한 그 종류가 크게 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 폴리이미드, 폴리에테르 이미드, 폴리에스테르 이미드, 폴리아미드, 폴리에테르 술폰, 폴리에테르 케톤, 폴리올레핀, 폴리염화비닐, 페녹시, 부타디엔 고무, 스티렌-부타디엔 고무, 폴리 이소프렌, 반응성 부타디엔 아크릴로 니트릴 공중합 고무 및 (메타)아크릴레이트계 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 고분자 수지를 포함할 수 있다.
바람직하게는, 상기 열가소성 수지로, -10℃ 내지 30 ℃의 유리전이온도 및 50,000 내지 1,000,000 g/mol의 중량평균분자량을 갖는 (메타)아크릴레이트계 공중합 수지가 적용될 수 있다.
한편, 상기 광경화성 수지는, 열경화수지 및 경화제의 총합 100 중량부를 기준으로 3 내지 45 중량부로 포함될 수 있다. 상기 광경화성 수지의 함량이 3 중량부 이하이면 자외선 조사후의 광경화도가 충분하지 않아 보이드가 발생하는 문제가 있고, 45 중량부 이상이면 자외선 조사후의 용융점도가 과도하게 상승하여 열압착 본딩시 범프간 접속이 잘 안되는 문제가 있다.
상기 열경화성 수지는, 전체 수지 조성물 중 고형분 함량 100 중량부를 기준으로 15 내지 80 중량부로 사용될 수 있다.
상기 열가소성 수지는 접착 필름 제조시 조성물의 흐름성 제어 등을 고려하여, 상기 열경화성 수지 100 중량부를 기준으로 10 내지 500 중량부로 포함될 수 있다.
상기 경화제로는 상기 열경화성 수지의 경화제 역할을 할 수 있는 것으로 알려진 화합물을 사용할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 경화제는 페놀계 경화제, 아민계 경화제, 및 산무수물계 경화제로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 포함할 수 있다.
상기 경화제로는 노볼락계 페놀 수지가 바람직하게 적용될 수 있다.
상기 노볼락계 페놀 수지는 반응성 작용기 사이에 고리가 위치하는 화학 구조를 갖는다. 이러한 구조적 특성으로 인하여, 상기 노볼락계 페놀 수지는 상기 접착제 조성물의 흡습성을 보다 낮출 수 있으며, 고온의 IR 리플로우 공정에서 안정성을 보다 높일 수 있어서, 접착 필름의 박리 현상이나 리플로우 균열 등을 방지하는 역할을 할 수 있다.
상기 노볼락계 페놀 수지의 구체적인 예로는 노볼락 페놀 수지, 자일록 노볼락 페놀 수지, 크레졸 노볼락 페놀 수지, 바이페닐 노볼락 페놀 수지, 비스페놀A 노볼락 페놀 수지, 및 비스페놀F 노볼락 페놀 수지로 이루어진 군에서 선택된 1 종 이상을 들 수 있다.
상기 노볼락계 페놀 수지는 60℃ 이상, 또는 60℃ 내지 150℃, 또는 65℃ 내지 140℃의 연화점을 갖는 것이 바람직하게 적용될 수 있다. 60℃ 이상의 연화점을 갖는 노볼락계 페놀 수지는 접착제 조성물의 경화 후 충분한 내열성, 강도 및 접착성을 가질 수 있도록 한다. 하지만, 상기 노볼락계 페놀 수지의 연화점이 너무 높으면 상기 접착제 조성물의 유동성이 낮아져서 실제 반도체 제조 공정에서 접착제 내부에 빈 공간(void)가 생성되어 최종 제품의 신뢰성이나 품질을 크게 저하시킬 수 있다.
상기 경화제의 함량은 최종 제조되는 접착 필름의 물성 등을 고려하여 적절히 선택할 수 있다. 예를 들어, 상기 경화제는 상기 열경화성 수지 100 중량부를 기준으로 10 내지 700 중량부 또는 30 내지 300 중량부로 사용될 수 있다.
상기 반도체 접착용 수지 조성물은 경화 촉매를 더 포함할 수 있다.
상기 경화 촉매는 상기 경화제의 작용이나 상기 반도체 접착용 수지 조성물의 경화를 촉진 시키는 역할을 하며, 반도체 접착 필름 등의 제조에 사용되는 것으로 알려진 경화 촉매를 큰 제한 없이 사용할 수 있다.
예를 들어, 상기 경화 촉매로는 인계 화합물, 붕소계 화합물, 인-붕소계 화합물, 및 이미다졸계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 사용할 수 있다. 상기 경화 촉매의 사용량은 최종 제조되는 접착 필름의 물성 등을 고려하여 적절히 선택할 수 있다.
한편, 상기 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물은 무기 충전재를 더 포함할 수 있다.
상기 무기 충전재로는 알루미나, 실리카, 황산바륨, 수산화 마그네슘, 탄산 마그네슘, 규산 마그네슘, 산화 마그네슘, 규산 칼슘, 탄산 칼슘, 산화 칼슘, 수산화 알루미늄, 질화 알루미늄, 및 붕산 알루미늄으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 무기 입자가 적용될 수 있다.
이온성 불순물을 흡착하여 신뢰성을 향상시킬 수 있는 이온 흡착제를 무기 충진제로 사용할 수도 있다. 상기 이온 흡착제로는 수산화 마그네슘, 탄산마그네슘, 규산 마그네슘, 산화 마그네슘 같은 마그네슘계, 규산 칼슘, 탄산칼슘, 산화칼슘, 알루미나, 수산화 알루미늄, 질화 알루미늄, 붕산알루미늄 위스커, 지르코늄계 무기물, 및 안티몬 비스무트계 무기물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 무기 입자가 적용될 수 있다.
상기 무기 충전재는 0.01 내지 10 ㎛, 혹은 0.02 내지 5.0 ㎛, 혹은 0.03 내지 2.0 ㎛의 평균 입경(최장 외경 기준)을 갖는 것이 바람직하게 적용될 수 있다. 상기 무기 충전재의 입경이 너무 작을 경우 상기 접착제 조성물 내에서 쉽게 응집될 수 있다. 반면에, 상기 무기 충전재의 입경이 너무 클 경우 상기 무기 충전재에 의한 반도체 회로의 손상 및 접착 필름의 접착성 저하가 유발될 수 있다.
상기 무기 충전재의 함량은 상기 광경화성 수지, 열경화성 수지, 경화제, 및 열가소성 수지의 총 합 100 중량부를 기준으로 10 내지 300 중량부 또는 15 내지 250 중량부로 사용될 수 있다.
상기 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물은 솔더의 산화막 제거를 위한 플럭스, 레벨링제, 소포제등의 첨가제를 추가적으로 첨가할 수 있다.
또한, 상기 반도체 회로 접속용 접착제 조성물은 상기 광경화성 수지, 열경화성 수지, 경화제 및 열가소성 수지, 그리고 무기 충전재의 총 합 100 중량부를 기준으로 10 내지 200 중량부의 유기 용매를 포함할 수 있다. 상기 유기 용매의 함량은 상기 접착제 조성물 및 최종적으로 제조되는 접착 필름의 물성이나 제조 공정을 고려하여 결정될 수 있다.
상기 유기 용매는 에스터류, 에터류, 케톤류, 방향족 탄화수소류, 및 설폭사이드류로 이루어진 군으로부터 선택된 1 종 이상의 화합물일 수 있다.
상기 에스터류 용매는 아세트산 에틸, 아세트산-n-뷰틸, 아세트산 아이소뷰틸, 폼산 아밀, 아세트산 아이소아밀, 아세트산 아이소뷰틸, 프로피온산 뷰틸, 뷰티르산 아이소프로필, 뷰티르산 에틸, 뷰티르산 뷰틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, 감마-뷰티로락톤, 엡실론-카프로락톤, 델타-발레로락톤, 옥시아세트산 알킬(예: 옥시아세트산 메틸, 옥시아세트산 에틸, 옥시아세트산 뷰틸(예를 들면, 메톡시아세트산 메틸, 메톡시아세트산 에틸, 메톡시아세트산 뷰틸, 에톡시아세트산 메틸, 에톡시아세트산 에틸 등)), 3-옥시프로피온산 알킬에스터류(예: 3-옥시프로피온산 메틸, 3-옥시프로피온산 에틸 등(예를 들면, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸 등)), 2-옥시프로피온산 알킬에스터류(예: 2-옥시프로피온산 메틸, 2-옥시프로피온산 에틸, 2-옥시프로피온산 프로필 등(예를 들면, 2-메톡시프로피온산 메틸, 2-메톡시프로피온산 에틸, 2-메톡시프로피온산 프로필, 2-에톡시프로피온산 메틸, 2-에톡시프로피온산 에틸)), 2-옥시-2-메틸프로피온산 메틸 및 2-옥시-2-메틸프로피온산 에틸(예를 들면, 2-메톡시-2-메틸프로피온산 메틸, 2-에톡시-2-메틸프로피온산 에틸 등), 피루브산 메틸, 피루브산 에틸, 피루브산 프로필, 아세토아세트산 메틸, 아세토아세트산 에틸, 2-옥소뷰탄산 메틸, 2-옥소뷰탄산 에틸 등일 수 있다.
상기 에테르류 용매는 다이에틸렌글라이콜다이메틸에테르, 테트라하이드로퓨란, 에틸렌글라이콜모노메틸에테르, 에틸렌글라이콜모노에틸에테르, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 다이에틸렌글라이콜모노메틸에테르, 다이에틸렌글라이콜모노에틸에테르, 다이에틸렌글라이콜모노부틸에테르, 프로필렌글라이콜모노메틸에테르, 프로필렌글라이콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글라이콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글라이콜모노프로필에테르아세테이트 등일 수 있다.
상기 케톤류 용매는 메틸에틸케톤, 사이클로헥산온, 사이클로펜탄온, 2-헵탄온, 3-헵탄온, N-메틸-2-피롤리돈 등일 수 있다.
상기 방향족 탄화수소류 용매는 톨루엔, 자일렌, 아니솔, 리모넨 등일 수 있다.
상기 설폭사이드류 용매는 다이메틸설폭사이드 등일 수 있다.
이 밖에도, 상기 반도체 회로 접속용 접착제 조성물은 커플링제를 포함할 수 있다. 상기 커플링제의 종류는 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 2-(3,4 에폭시사이클로헥실)-에틸트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸-디에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, N-2(아미노에틸)3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-2(아미노에틸)3-아미노프로필-트리메톡시실란, N-2(아미노에틸)3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필-트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-트리에톡실리-N-(1,3 디메틸-부틸리덴)프로필아민, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, 머캅토가 함유된 3-머캅토프로필메틸디메톡시실란, 3-머캅토프로필트리메톡시실란 등이 바람직하게 적용될 수 있다.
또, 발명의 다른 일 구현 예에 따르면, 상술한 접착제 조성물을 포함하는 비전도성 필름에서, 이형 처리된 기재 필름은 상기 필름을 지지하기 위한 지지 기재로서, 내열성이나 내약품성이 우수한 수지 필름; 상기 수지 필름을 구성하는 수지를 가교 처리한 가교 필름; 또는 상기 수지 필름의 표면에 실리콘 수지 등을 도포하여 박리 처리한 필름 등이 이용될 수 있다.
상기 수지 필름을 구성하는 수지로는 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리부타디엔과 같은 폴리올레핀, 염화비닐, 에틸렌-메타크릴산 공중합체, 에틸렌 아세트산비닐 공중합체, 폴리에스테르, 폴리이미드, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리아미드, 폴리우레탄 등을 적용할 수 있으며, 자외선 조사 측면에서 투명한 폴리에틸렌 테레프탈레이트가 바람직하다.
상기 지지 기재의 두께는 특별히 한정되지 않지만 3 내지 400 ㎛, 혹은 5 내지 200 ㎛, 혹은 10 내지 150 ㎛일 수 있다.
상기 접착층은 상술한 접착제 조성물로 이루어진다. 상기 접착제 조성물에 관한 내용은 상술한 바와 같다.
또한, 필요에 따라, 상기 접착층 상에는 점착층이 개재될 수 있다. 상기 점착층으로는 이 분야에 공지된 것이 특별한 제한 없이 적용될 수 있다.
상기 보호 필름의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 이 분야에 공지된 플라스틱 필름이 적용될 수 있다. 예를 들어, 상기 보호 필름은 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 등을 적용할 수 있다.
상기 반도체 밀봉용 비전도성 필름의 제조방법은 제한되지 않으며, 이 분야에 잘 알려진 방법으로 얻을 수 있다. 일례로, 상기 필름은 상기 지지 기재 상에 점착층을 형성한 후 상기 점착층 상에 접착층 및 보호 필름을 순차로 적층하는 방법으로 제조될 수 있다.
상기 지지 기재 상에 접착층을 형성하는 방법은, 상기 접착제 조성물을 그대로 혹은 적절한 유기 용매에 희석하여 콤마 코터, 그라비아 코터, 다이 코터, 리버스 코터 등 공지의 수단으로 상기 지지 기재 또는 이형 필름 상에 도포한 후, 60 ℃ 내지 150 ℃의 온도에서 10 초 내지 30 분 동안 건조시키는 방법이 이용될 수 있다.
상기 접착층의 두께는 1 내지 500 ㎛, 혹은 5 내지 100 ㎛, 혹은 5 내지 50 ㎛의 범위에서 적절히 조절될 수 있다.
발명의 구체적인 구현예를 하기의 실시예에서 보다 상세하게 설명한다. 단, 하기의 실시예는 발명의 구체적인 구현예를 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
[제조예 : 광경화성 수지의 제조]
제조예 1
VH-4170(DIC 제품, 비스페놀 A 노볼락 수지)에 에피클로로 히드린과 2-아크릴로일록시 에틸 이소시아네이트를 1:9의 몰비로 촉매와 함께 반응시켜 광경화와 열경화가 동시에 가능한 화합물을 제조하였다.
실시예 1: 반도체 접착용 수지 조성물 및 비전도성 필름(접착 필름)의 제조
도 1의 공정에 따라 반도체 패키지를 제조하였다. 반도체 패키지 공정에 사용한 비전도성 필름은 도 2의 구조를 갖는 부분적으로 경화된 접착층을 갖는 필름을 밀봉재료로 사용하였다.
(1) 반도체 회로 접속용 접착제 조성물의 제조
에폭시 수지의 경화제인 페놀 수지 KH-6021 (DIC사 제품, 비스페놀A 노볼락 수지) 40g; 에폭시 수지로서 RE-310S (일본 화약 제품, 비스페놀 A 에폭시 수지) 30g; YDCN-500-5P (국도화학 제품, 크레졸 노볼락 에폭시 수지) 35g, 광경화제로서 A-DCP (신나카무라사 제품, 트리시클로메탄 디메탄올 디아크릴레이트) 10g, 디펜타에리스리톨 헥사아크릴레이트 0.5g, 광개시제로서 Darocur TPO 1g, 열가소성 아크릴레이트 수지 KG-3015 (Mw: 90만, 유리전이온도: 10℃) 15g; 촉매(2-phenyl-4,5-dihydroxymethyl imidazole) 1.5g; 플럭스 1g 및 무기 충전재 (SC-2050, 아드마텍 구상 실리카) 75g 을 메틸에틸케톤에 혼합하여, 반도체 회로 접속용 접착제 조성물(고형분 45중량％ 농도)을 얻었다.
(2) 접착 필름의 제조
콤마 코터를 이용하여, 통상의 아크릴계 수지를 포함한 점착성 수지 조성물을 이용하여, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(두께 38㎛) 상에 도포한 후 건조하여 약 20㎛ 두께의 점착층을 형성하였다. 이후, 상기 콤마 코터를 이용하여 상술한 접착제 수지 조성물을 코팅하고, 110℃에서 3분간 건조하여 약 20㎛ 두께의 접착층이 형성된 접착 필름을 얻었다. 이후, 상기 접착층 상부에 통상의 보호 필름(이형 처리된 폴리에틸렌 테레프탈레이트)을 약 20㎛ 두께로 형성하였다.
(3) 반도체 장치의 제조
복수의 실리콘 관통 전극이 구비되고, 높이 15㎛ 및 피치 50㎛인 구리 필러상에 무연 솔더(SnAgCu)가 3㎛ 높이로 형성되어 있는 반도체 소자인 범프칩(4.5mm × 4.5mm)을 포함하는 웨이퍼를 준비하였다.
상기 비전도성 접착 필름에서 보호 필름을 제거하고, 상기 웨이퍼의 범프 면에 상기 접착 필름의 접착층이 위치하도록 하여 80℃에서 진공라미네이션을 진행한 후, 각의 칩으로 개별화 하였다.
비전도성 필름이 진공 라미네이션된 개별화된 범프칩에 대하여, 500mJ/cm 2 광량으로 자외선을 조사하였다.
상기 자외선의 조사가 완료되면, 점착층의 점착력이 낮아지므로 비전도성 필름의 접착층 상부에 있는 점착층이 이형 기재필름과 함께 쉽게 제거되었다.
이후, 상기 접착층이 라미네이션되어 있는 개별화된 범프칩에 대하여, 열압착 본더를 이용하여 50㎛ 피치 접속 패드를 가지고 있는 6mm × 8mm 기재 칩에 100N으로 70℃에서 3초간 가접후, 260℃로 가열하여 4초간 열압착 본딩을 진행하였다.
실시예 2
하기 접착제 조성물을 이용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로, 접착필름 및 반도체 장치를 제조하였다.
에폭시 수지의 경화제인 페놀 수지 GPH-65(일본화약제품, 비페닐 노볼락 수지) 50g; 에폭시 수지로서 RE-310S (일본 화약 제품, 비스페놀 A 에폭시 수지, 에폭시 당량 180 g/eq) 20g; YDCN-500-5P (국도화학 제품, 크레졸 노볼락 에폭시 수지) 30g, 광경화성 수지로서 제조예 1의 화합물 15g, 광개시제로서 OXE01 0.3g; 촉매(2-phenyl-4,5-dihydroxymethyl imidazole) 1.5g; 플럭스 1g; 및 무기 충전재 (SC-2050, 아드마텍 구상 실리카) 90g 을 메틸에틸케톤에 혼합하여, 반도체 회로 접속용 접착제 조성물(고형분 45중량％ 농도)을 얻었다.
실시예 3
하기 접착제 조성물을 이용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로, 접착필름 및 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 2에 열가소성 수지로서 KG-3015 15g을 추가로 넣은 것을 제외하고는, 실시예 1과 같이 하여 반도체 회로 접속용 접착제 조성물을 얻었다.
비교예 1
하기 접착제 조성물을 이용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로, 접착필름 및 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 1에서 광경화제인 A-DCP (신나카무라사 제품, 트리시클로메탄 디메탄올 디아크릴레이트)와 디펜타에리스리톨 헥사아크릴레이트, 광개시제인 Darocur TPO를 넣지 않은 것을 제외하고는 실시예 1과 같은 방법으로 하여 접착제 조성물을 얻었다.
비교예 2
실시예 3에서 비전도성 접착필름을 라미네이션 한 후에 자외선 조사를 실시하지 않고 열압착 본딩을 실시한 것을 제외하고는 실시예 3과 같은 방법으로 반도체 장치를 얻었다.
비교예 3
하기 접착제 조성물을 이용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로, 접착필름 및 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 2에서 GPH-65를 KA-1163(DIC 제품, 크레졸 노볼락 수지) 40g으로 변경하고, RE-310S를 EOCN-104S로 변경하고, 무기 충전재 SC-2050(아드마텍 구상 실리카, 평균입경 500nm)을 YC100C(아드마텍 구상 실리카, 평균입경 100nm) 340g으로 변경한 것을 제외하고는 실시예 2와 같은 방법으로 접착제 조성물을 얻었다.
비교예 4
하기 접착제 조성물을 이용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로, 접착필름 및 반도체 장치를 제조하였다.
실시예 2에서 광경화성 수지로서 제조예 1의 화합물 70g, 디펜타에리스리톨 헥사아크릴레이트 5g, 광개시제로서 OXE01 0.8g, 무기 충전재 (SC-2050, 아드마텍 구상 실리카) 100g을 사용한 것을 제외하고는 실시예 2와 같은 방법으로 접착제 조성물을 얻었다.
비교예 5
하기 접착제 조성물을 이용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로, 접착필름 및 반도체 장치를 제조하였다.
에폭시 수지의 경화제인 페놀 수지 VH-4170(DIC제품, 비스페놀A 노볼락 수지) 50g; 에폭시 수지로서 RE-310S (일본 화약 제품, 비스페놀 A 에폭시 수지, 에폭시 당량 180 g/eq) 75g, 광경화성 수지로서 A-BPE-10 (신나카무라사 제품, 2.2 Bis[4-(아크릴록시폴리에톡시)페닐]프로판 (에틸렌 옥사이드 10몰 부가품)) 10g, 광개시제로서 Darocur TPO 0.5g; 촉매(2-phenyl-4,5-dihydroxymethyl imidazole) 1g; 플럭스 1g; 및 무기 충전재 (SC-2050, 아드마텍 구상 실리카) 40g 을 메틸에틸케톤에 혼합하여, 반도체 회로 접속용 접착제 조성물을 얻었다.
[시험예]
(1) 용융 점도 및 점도 변화율 측정
실시예 및 비교예에서 각각 얻어진 접착 필름을 두께 320㎛가 될 때까지 중첩하여 적층한 후 80℃의 롤 라미네이터를 이용하여 라미네이트하였다. 이후, 각 시편을 지름 8 ㎜의 원형으로 성형한 이후, TA사의 advanced rheometric expansion system(ARES)를 이용하여 5 rad/s의 전단속에서 10℃/분의 승온 속도를 적용하여 측정값의 가장 낮은 수치의 점도값을 용융점도로 판단하였다. 자외선 조사 후의 용융점도는 비전도성 접착 필름의 캐리어 필름면쪽에서 500mJ/㎠ 광량의 자외선을 조사한 후, 라미네이트하여 동일 방법으로 용융 점도를 측정하였다.
(2) 보이드 평가
실시예 및 비교예에서 각각 얻어진 반도체 장치에 대해 Scanning Acousitic Tomography(SAT)를 통하여 범프칩과 기재칩 사이에 보이드가 차지하는 면적이 1％ 이하가 되는 것을 합격(○)으로, 그리고 1％ 초과하는 것을 불합격(×)으로 평가하였다.
(3) 도통 평가
실시예 및 비교예에서 각각 얻어진 반도체 장치에 대해 데이지 체인 접속을 확인할 수 있었던 것을 합격(○)으로, 그리고 데이지 체인 접속을 확인할 수 없었던 것을 불합격(×)으로 평가하였다.
(4) 접속 상태 평가
실시예 및 비교예에서 각각 얻어진 반도체 장치에 대해 접속부를 단면 연마하여 노출시키고 광학 현미경으로 관찰하였다. 접속부에 접착 조성물 트랩핑이 보이지 않고 땜납이 배선에 충분히 젖어 있는 것을 합격(○)으로, 그리고 그 이외의 것을 불합격(×)으로 평가하였다.
(5) 필렛 평가 (단위: ㎛)
실시예 및 비교예에서 각각 얻어진 반도체 장치에 대해 광학 현미경을 이용하여 범프칩 위에서 관찰하여 비전도성 접착 필름이 흘러나온 필렛의 최대 길이를 측정하였다.
실시예 1 실시예2 실시예3
용융점도 (Pa.s) 3500 4300 5700
자외선 조사 후 용융점도 (Pa.s) 4100 5400 6800
용융점도 변화율(%) 17 26 19
보이드 평가 ○ ○ ○
도통평가 ○ ○ ○
접속 상태 ○ ○ ○
필렛크기(㎛) 280 250 210
비교예1 비교예2 비교예3 비교예4 비교예 5
용융점도 (Pa.s) 4100 5700 19500 4200 200
자외선 조사 후 용융점도 (Pa.s) 4100 5700 26100 23200 750
용융점도 변화율(%) 0 0 34 552 375
보이드평가 × × ○ ○ ×
도통평가 ○ ○ × × ○
접속 상태 × × × × ×
필렛크기(㎛) 650 570 280 230 900
상기 표 1 및 2의 결과를 보면, 상기 실시예 1 내지 3은 자외선 조사 전후 용융점도 변화율이 30% 이하로 낮아 열압착 본딩시 보이드가 없고, 도통 및 접속 상태가 우수함을 확인할 수 있다. 또, 상기 실시예 1 내지 3은 필렛도 줄일 수 있어서, 신뢰성을 향상시켰다.
한편, 비교예 1 내지 2는 자외선 조사 전후 융용점도 변화가 없고 양호한 도통 평가 결과를 나타내었지만, 보이드가 발생하고, 접속상태가 불량하였으며, 필렛이 과다하여 패키지를 오염시키는 원인으로 작용하였다.
또, 비교예 3은 무기 충진재를 과량 사용함에 따라 필름의 용융점도가 높아지고 융융점도 변화율도 30% 이상이 되어 TCB 후에도 범프 연결이 이루어지지 않아 도통이 되지 않고, 접속상태 불량이 일어났다.
또, 비교예 4는 광경화성 수지의 함량 범위가 과다하여, 자외선 조사 전후 융용점도 변화율이 552%로 증가하였고, 도통 불량 및 접속 상태 불량을 나타내었다. 즉, 비교예 4 경우 광경화성 수지의 함량이 늘어나서 같은 양의 UV 조사 후, 점도 증가가 크기 때문에 TCB시 접속이 제대로 되지 않았다.
또, 비교예 5는 자외선 조사 전/후의 용융점도가 낮아 TCB시 매크로 보이드가 발생하고, 접속부의 솔더 사이에 접착물의 트랩핑이 발생한 것을 확인할 수 있었다.
그러므로, 본 발명과 같이, 반도체 밀봉재료로 페이스트 형이 아닌 비전도성 필름을 사용하고, 특히 자외선 조사 전후의 융융점도 변화율이 조절된 비전도성 필름을 사용하여 진공 라미네이션을 수행해야 필렛이 최소화되어 범프의 깨짐을 방지할 수 있다. 이에, 본 발명의 반도체 패키지의 제조방법에 따르면 열압착 본딩시 도통 및 접속상태가 우수하여 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

Claims (12)

  1. 복수의 실리콘 관통 전극이 구비된 기판에 비전도성 필름을 라미네이션하는 단계; 및
    상기 비전도성 필름이 라미네이션된 기판에 자외선을 조사하는 단계;를 포함하고,
    상기 비전도성 필름은 상기 자외선 조사 전후로 용융 점도의 변화율이 1 내지 30%인,
    반도체 패키지의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 비전도성 필름은, 상기 자외선 조사 전후로 용융 점도의 변화율이 15 내지 27%인 반도체 패키지의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 비전도성 필름이 라미네이션된 기판에 자외선을 조사하는 단계는 0.1 내지 1000mJ/㎠의 광량으로 수행하는 반도체 패키지의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 비전도성 필름은 이형 처리된 기재 필름, 점착층 및 접착층을 포함하는, 반도체 패키지의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 비전도성 필름에서 접착층은,
    (a) 광경화 가능한 불포화 작용기를 가지는 광경화성 수지, (b) 열경화성 수지 및 경화제, (c) 광개시제, (d)무기 충전재 및 (e) 촉매를 포함한 수지 조성물을 포함하는
    반도체 패키지의 제조방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 광경화성 수지는 열경화성 수지 및 경화제의 총합 100 중량부를 기준으로 3 내지 45중량부로 포함되는 반도체 패키지의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 비전도성 필름은 자외선을 조사하기 전에 800 내지 15000Paㆍs의 용융점도를 가지고, 자외선을 조사한 후에 1000 내지 18000Paㆍs의 용융점도를 가지는 반도체 패키지의 제조방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 비전도성 필름을 라미네이션하는 단계는 40 내지 130℃에서 진공 조건 하에 수행하는 반도체 패키지의 제조방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 실리콘 관통 전극이 구비된 기판은,
    반도체 기판 내부를 관통하는 복수의 실리콘 관통 비아 및 상기 실리콘 관통 비아를 채우는 복수의 범프가 형성되어 있는, 반도체 패키지의 제조방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 자외선을 조사하는 단계 후에는,
    상기 자외선이 조사된 비전도성 필름이 라미네이션된 기판과,
    상기 비전도성 필름이 라미네이션된 기판에 대향하여 위치하는 복수의 전극 패드가 형성된 반도체 기판을 열압착 본딩하는 단계를 더 포함하는 반도체 패키지의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 열압착 본딩하는 단계는, 200 내지 300 ℃의 온도에서 10N 내지 300N 의 압력 조건 하에 2 내지 10초간 수행하는 반도체 패키지의 제조방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 열압착 본딩하는 단계 전에, 비전도성 필름의 점착층을 제거하는 단계를 더 포함하는 반도체 패키지의 제조방법.
PCT/KR2020/001154 2019-01-29 2020-01-23 반도체 패키지의 제조방법 Ceased WO2020159158A1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202080002869.3A CN112154537B (zh) 2019-01-29 2020-01-23 用于制造半导体封装的方法
JP2020567090A JP7176818B2 (ja) 2019-01-29 2020-01-23 半導体パッケージの製造方法
EP20747640.9A EP3780094A4 (en) 2019-01-29 2020-01-23 METHOD OF MAKING A SEMICONDUCTOR HOUSING
US16/972,528 US11527503B2 (en) 2019-01-29 2020-01-23 Method for manufacturing semiconductor package

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2019-0011317 2019-01-29
KR20190011317 2019-01-29
KR1020200008888A KR102480379B1 (ko) 2019-01-29 2020-01-22 반도체 패키지의 제조방법
KR10-2020-0008888 2020-01-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2020159158A1 true WO2020159158A1 (ko) 2020-08-06

Family

ID=71841514

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2020/001154 Ceased WO2020159158A1 (ko) 2019-01-29 2020-01-23 반도체 패키지의 제조방법

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP3780094A4 (ko)
TW (1) TWI751483B (ko)
WO (1) WO2020159158A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20240154289A (ko) * 2023-04-18 2024-10-25 주식회사 엘지화학 비전도성 필름, 반도체 장치 및 이의 제조 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000164633A (ja) * 1998-11-30 2000-06-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体実装方法および半導体実装装置
JP2002083841A (ja) * 2000-09-07 2002-03-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 実装構造及びその製造方法
JP2012238704A (ja) * 2011-05-11 2012-12-06 Hitachi Chem Co Ltd 半導体装置の製造方法、接着剤層付き半導体ウェハの製造方法、半導体素子付き半導体ウェハの製造方法、及び半導体ウェハ積層体の製造方法
KR101649055B1 (ko) * 2011-09-30 2016-08-17 인텔 코포레이션 실리콘 관통 비아 프로세싱 동안 장치 웨이퍼를 처리하기 위한 구조체 및 방법, 및 3ｄ 패키징 구조체
JP2017120800A (ja) * 2015-12-28 2017-07-06 富士通株式会社 半導体素子、半導体素子の製造方法及び電子機器

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4776188B2 (ja) * 2004-08-03 2011-09-21 古河電気工業株式会社 半導体装置製造方法およびウエハ加工用テープ
JP5476033B2 (ja) * 2009-04-24 2014-04-23 積水化学工業株式会社 半導体チップの実装方法
CN103165474A (zh) * 2011-12-16 2013-06-19 日东电工株式会社 半导体装置的制造方法
JP2013227435A (ja) * 2012-04-26 2013-11-07 Toray Ind Inc 半導体装置製造用接着剤シートおよび半導体装置の製造方法
EP2940094A4 (en) * 2012-12-27 2016-08-10 Toray Industries ADHESIVE, ADHESIVE AND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
JP2014210880A (ja) * 2013-04-19 2014-11-13 日東電工株式会社 熱硬化性樹脂組成物及び半導体装置の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000164633A (ja) * 1998-11-30 2000-06-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体実装方法および半導体実装装置
JP2002083841A (ja) * 2000-09-07 2002-03-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 実装構造及びその製造方法
JP2012238704A (ja) * 2011-05-11 2012-12-06 Hitachi Chem Co Ltd 半導体装置の製造方法、接着剤層付き半導体ウェハの製造方法、半導体素子付き半導体ウェハの製造方法、及び半導体ウェハ積層体の製造方法
KR101649055B1 (ko) * 2011-09-30 2016-08-17 인텔 코포레이션 실리콘 관통 비아 프로세싱 동안 장치 웨이퍼를 처리하기 위한 구조체 및 방법, 및 3ｄ 패키징 구조체
JP2017120800A (ja) * 2015-12-28 2017-07-06 富士通株式会社 半導体素子、半導体素子の製造方法及び電子機器

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3780094A4 *

Also Published As

Publication number Publication date
TW202043932A (zh) 2020-12-01
EP3780094A4 (en) 2022-03-30
TWI751483B (zh) 2022-01-01
EP3780094A1 (en) 2021-02-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101140512B1 (ko) 열경화형 다이본드 필름
US8071465B2 (en) Method for producing semiconductor chip with adhesive film, adhesive film for semiconductor used in the method, and method for producing semiconductor device
KR101492629B1 (ko) 점접착제 조성물, 점접착 시트 및 반도체장치의 제조방법
TWI632625B (zh) Tape for electronic device packaging
CN102399505B (zh) 切割/芯片接合薄膜
KR101017731B1 (ko) 다이싱 시트를 갖는 접착 필름 및 그 제조 방법
KR102480379B1 (ko) 반도체 패키지의 제조방법
KR101870066B1 (ko) 반도체 이면용 필름
WO2011046238A1 (ko) 다이어태치 필름
WO2009113831A2 (ko) 반도체 패키징용 복합기능 테이프 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
WO2009131405A2 (ko) 에폭시계 조성물, 접착 필름, 다이싱 다이본딩 필름 및 반도체 장치
US8247503B2 (en) Adhesive composition and adhesive sheet
WO2010137443A1 (ja) 回路部材接続用接着剤シート及び半導体装置の製造方法
CN102911617A (zh) 切割/芯片接合薄膜
TWI646616B (zh) 半導體用保護膜、半導體裝置以及複合片
CN108091604A (zh) 片材、带材和半导体装置的制造方法
JP2011174010A (ja) 粘接着剤組成物、回路部材接続用粘接着剤シート及び半導体装置の製造方法
WO2020085770A1 (ko) 반도체 회로 접속용 접착제 조성물 및 이를 포함한 접착 필름
JP5500787B2 (ja) 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法
EP3780094A1 (en) Method for manufacturing semiconductor package
WO2020251219A1 (ko) 반도체 회로 접속용 접착제 조성물 및 이를 포함한 접착 필름
WO2010074518A2 (ko) 반도체용 복층구조 접착 필름 및 이를 포함하는 다이본딩필름
WO2023195788A1 (ko) 반도체 접착용 필름 및 이를 이용한 반도체 패키지
WO2020251307A1 (ko) 비전도성 필름 및 반도체 적층체의 제조 방법
WO2013094983A1 (ko) 다이싱 다이본딩 필름 및 반도체 장치

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 20747640

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2020747640

Country of ref document: EP

Effective date: 20201113

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2020567090

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE