WO2020218757A1 - 태양전지의 제조 방법 - Google Patents

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Definitions

  • the present invention relates to a method of manufacturing a solar cell in which thermal damage is reduced when a solar cell is divided into a plurality of pieces.
  • a typical solar cell is made with a semiconductor portion forming a p-n junction by different conductivity types, such as a p-type and an n-type, and electrodes connected to the semiconductor portions of different conductivity types.
  • a solar cell of this configuration generates power and obtains power using a solar cell module made by connecting several sheets.
  • This scribing process refers to the process of making grooves on the surface of the wafer with a diamond cutter or laser to cut the wafer into multiple chips.
  • One of the scribing processes known so far involves forming a groove by irradiating a laser on one side of a solar cell along the scribing line, and physically dividing it into several solar cells along the groove. do.
  • the solar cell irradiated with the laser causes thermal damage due to the laser irradiation, and the efficiency of the solar cell decreases.
  • the present invention has been invented from such a technical background, and an object of the present invention is to reduce thermal damage that occurs in the process of irradiating a laser to a solar cell.
  • the manufacturing method includes a semiconductor substrate, and a semiconductor layer having an absorption coefficient higher than that of the semiconductor substrate, in a solar cell formed on at least one surface of the semiconductor substrate, wherein the semiconductor layer is positioned toward the laser.
  • the step may include forming a groove in the solar cell by irradiating a laser toward the semiconductor layer, and dividing the solar cell into a plurality of pieces along the groove.
  • the groove may pass through the semiconductor layer and be formed in a portion of the semiconductor substrate, and the depth of the groove may be 30 to 70 (%) of the thickness of the semiconductor substrate.
  • the grooves may be formed along a center line of the solar cell to divide the solar cell into two, or a plurality of grooves may be formed in the solar cell to divide the solar cell into three or more.
  • the thickness of the semiconductor layer may be 600 (nm) or more, and when the wavelength of the laser is 532 (nm), the thickness of the semiconductor layer may be 180 (nm) or more. .
  • the semiconductor layer may be polycrystalline silicon, and the semiconductor substrate may be single crystal silicon.
  • the semiconductor layer may be formed on the rear surface of the semiconductor substrate.
  • the semiconductor layer may include a first conductivity type region including a first conductivity type dopant opposite to a polarity of the semiconductor substrate and a second conductivity type region including a second conductivity type dopant having the same polarity as the semiconductor substrate.
  • the groove may be formed in the second conductivity type region.
  • the semiconductor layer may include a first conductivity type dopant opposite to the polarity of the semiconductor substrate, and a control passivation layer may be further formed between the semiconductor layer and the semiconductor substrate.
  • a semiconductor layer that functions as a layer absorbing part of the energy of the laser when the laser is irradiated onto the solar cell is disposed, it is possible to reduce thermal damage to the semiconductor substrate.
  • the semiconductor layer may be composed of any one of the semiconductor layers having a higher absorption coefficient than the semiconductor substrate.
  • the semiconductor layer is composed of a polycrystalline silicon layer, so that a part of the previous configuration is not required to add a new layer to the solar cell. Can be used as
  • FIG. 1 is a diagram schematically illustrating a process of forming a groove to divide a solar cell into a plurality of pieces.
  • FIG. 2 is a flowchart illustrating a manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
  • 3 is a graph showing the relationship of the absorption coefficient according to the crystallinity of silicon.
  • FIG. 4 is a graph showing a result of an experiment of processing depth of a groove according to the presence or absence of a semiconductor layer composed of polycrystalline silicon.
  • FIG. 5 is a graph showing a decrease in output of a solar cell according to accumulated pulse energy.
  • 6 is a graph showing the absorption depth according to the crystallinity of silicon.
  • FIG. 7 and 8 are diagrams for explaining a laser for forming a groove in a solar cell.
  • FIG. 9 is a view showing the configuration of a solar cell according to an embodiment to which the manufacturing method according to the present invention is applied.
  • FIG. 10 is a view showing a cross-sectional view of the solar cell shown in FIG. 9.
  • FIG. 11 is a view showing the configuration of a solar cell according to another embodiment to which the manufacturing method according to the present invention is applied.
  • the meaning that the thickness, width, or length of a particular component is the same as the thickness, width, or length of another particular component means that the thickness, width, or length of another particular component is equal to the thickness, width, or length of a particular component. It means the same in the process error range.
  • the meaning of the same thickness means the same within 10% range.
  • the process error range is 10%.
  • one surface or the opposite surface of the semiconductor substrate means a surface opposite to each other among the planes of the semiconductor substrate.
  • the opposite surface of the semiconductor substrate means the rear surface of the semiconductor substrate.
  • the opposite surface of the semiconductor substrate may mean the front surface of the semiconductor substrate.
  • one surface of the semiconductor substrate is the front surface of the semiconductor substrate and the opposite surface of the semiconductor substrate is the rear surface of the semiconductor substrate.
  • FIG. 1 is a diagram schematically illustrating forming a groove in a solar cell to divide a solar cell into a plurality of pieces according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a manufacturing method according to an embodiment of the present invention. It is a flow chart explaining the method.
  • the solar cell refers to a plurality of constituent elements for power generation on a semiconductor substrate, such as the solar cells 100 and 1000 described below, for example, a semiconductor substrate, a control passivation layer, a first and a first including impurities It refers to a finished product including a second conductivity type region, an intrinsic semiconductor portion, an insulating layer, a rear passivation layer, and first and second electrodes.
  • a groove refers to a groove made by irradiating a solar cell with a laser to divide the solar cell into a plurality of pieces.
  • a solar cell 100 includes a semiconductor substrate 10 and a semiconductor layer 20 formed on at least one surface of the semiconductor substrate 10. Can be configured to
  • the semiconductor substrate 10 may be formed of at least one of single crystal silicon and polycrystalline silicon doped with a first conductivity type or a second conductivity type dopant.
  • the semiconductor substrate may be formed by doping a single crystal silicon wafer with a dopant of a first conductivity type or a second conductivity type at a low concentration.
  • the first conductivity type dopant may be any one of a p-type or n-type dopant
  • the second conductivity type dopant may be the other one of a p-type or n-type dopant.
  • the first conductivity type dopant is a p-type one of Group III elements such as boron (B), aluminum (Al), gallium (Ga), and indium (In)
  • the second conductivity type dopant is phosphorus (P ), arsenic (As), bismuth (Bi), antimony (Sb), and the like.
  • one of the first and second conductivity type dopants may be boron (B) and the other may be phosphorus (P).
  • the semiconductor substrate 10 may have a thickness that occupies 90% or more of the total thickness of the solar cell, and in a preferred form, the thickness of the semiconductor substrate 10 may be substantially 160 (um). Here, it means that the thickness within the range of ⁇ 10% is substantially the same in consideration of the process error range.
  • the semiconductor layer 20 may be formed on an entire surface of the semiconductor substrate 10 and may be made of a semiconductor material having a higher absorption coefficient than the semiconductor substrate 10.
  • the semiconductor substrate 10 is made of single crystal silicon
  • the semiconductor layer 20 may be made of polycrystalline silicon having a higher absorption coefficient than that of single crystal silicon.
  • the semiconductor layer 20 can act as a functional layer that partially absorbs the laser light and prevents the semiconductor substrate 10 from being thermally damaged by the high energy of the laser.
  • the thickness of the semiconductor layer 20 may be set in consideration of an absorption depth in order to function as an effective absorption layer, which will be described later in detail.
  • the semiconductor layer 20 has a predetermined thickness so that it can function as a layer constituting a solar cell.
  • the semiconductor layer 20 is a layer in which a conductive region is formed.
  • the semiconductor layer 20 may have a thickness of 250 to 300 (um).
  • the semiconductor layer 20 When the semiconductor layer 20 is composed of one layer constituting the solar cell, it functions as an absorption layer in the process of dividing the solar cell, preventing the solar cell from deteriorating, and adding new components to the solar cell unnecessarily. There is no need to do so, so it can contribute to productivity improvement.
  • FIG. 1 illustrates that the semiconductor layer 20 is directly formed on any one surface of the semiconductor substrate 10, but the present invention is not intended to be limited thereto, and another layer may be intervened between the two layers.
  • one side of the semiconductor layer 20 is formed on one side of the semiconductor substrate 10 with no other layer intervening between the semiconductor layer 20 and the semiconductor substrate 10.
  • FIG. 1 illustrates that the laser 30 is irradiated on the semiconductor substrate 10.
  • the laser 30 is not directly irradiated to the semiconductor substrate 10 in time, but the semiconductor layer It is preferable that the semiconductor substrate 10 is irradiated after the first irradiation to (20).
  • the semiconductor layer 20 is disposed in a state positioned to face the laser 30 (S10), and the laser 30 may be irradiated toward the semiconductor substrate 10 from the vertical upper side of the semiconductor layer 20 (S20).
  • the laser 30 various types of lasers that are widely used in the market may be used in general.
  • the laser 30 may be classified according to the wavelength of the laser light, and a 532 (nm) laser and a 1024 (nm) laser may be used, and the thickness of the semiconductor layer 20 may be adjusted according to the laser.
  • FIG. 1 (B) shows a groove 40 formed by irradiation of the laser 30.
  • the laser is irradiated onto the semiconductor substrate 10
  • the local area irradiated with the laser is heated, causing laser ablaation to form the groove 40.
  • the laser 30 is irradiated to the semiconductor substrate 10 after passing through the semiconductor layer 20 having a higher absorption coefficient than the semiconductor substrate 10
  • a part of the laser light is As absorption occurs in the semiconductor layer 20, thermal damage to the semiconductor substrate 10 can be reduced.
  • the drawings are different and the effect thereof will be described in detail.
  • the solar cell 100 may be divided into a plurality of pieces by applying a physical impact to the solar cell 100 (S30).
  • the depth (dt) of the groove 40 formed in the solar cell 100 is preferably 30 (%) to 70 (%) compared to the thickness (ds) of the solar cell 100.
  • the thickness ds of the solar cell 100 may be substantially the same as the thickness of the semiconductor substrate because the thickness of the layer formed on the semiconductor substrate is very small compared to the thickness of the semiconductor substrate. If the depth (dt) of the groove (40) is less than 30 (%) of the thickness (ds), when the solar cell is divided into a plurality along the groove (40), the solar cell does not split along the groove (40). It may be broken, and if it is greater than 70 (%), the thermal damage applied to the solar cell 100 in the process of forming the groove 40 may be too large, and the efficiency of the solar cell may be significantly reduced.
  • FIG. 3 is a graph showing the relationship of the absorption coefficient according to the crystallinity of silicon.
  • silicon shows the absorption coefficient of light according to the wavelength of single crystal silicon
  • poly silicon shows the absorption coefficient according to the wavelength of polycrystalline silicon.
  • the graph shows that there is no difference in absorption coefficient for both monocrystalline silicon and polycrystalline silicon until the wavelength is about 400 (nm). From this fact, it can be seen that when a laser having a wavelength of 400 (nm) or less is used, it is difficult to reduce thermal damage to the semiconductor substrate 10 because the semiconductor layer 20 does not function as an absorbing layer. have.
  • the graph shows that when the wavelength is 400 (nm) or more, the absorption coefficient of polycrystalline silicon becomes larger than that of single crystal silicon as the wavelength increases.
  • the laser in polycrystalline silicon Light absorption occurs better than that of single crystal silicon, and as a result, thermal damage to the semiconductor substrate 10 can be reduced.
  • FIG. 4 is a graph showing a result of an experiment of processing depth of a groove according to the presence or absence of a semiconductor layer composed of polycrystalline silicon.
  • the accumulated pulse energy of the x-axis refers to the total energy of the laser irradiated to the solar cell.
  • the processing depth also increases linearly.
  • the groove is formed deeper when a solar cell including a semiconductor layer is irradiated with a laser than when a solar cell without a semiconductor layer is irradiated with a laser.
  • FIG. 5 is a graph showing a decrease in output of a solar cell according to accumulated pulse energy.
  • the output of the solar cell linearly decreases as the cumulative pulse energy increases, and reflecting this result in FIG. 3, the solar cell including the semiconductor layer is more thermally than the solar cell without the semiconductor layer. It can be seen that the damage is small.
  • Table 1 below shows the conditions of the laser used in the experiments of FIGS. 4 to 5 described above, and the number of laser scans is 10 times.
  • LASER wavelength [nm] Frequency [kHz] Scanspeed [m/sec] LASER power [W] Pulse energy [uJ] Total number of shots [1E3 ea] Accumulated Pulse energy [J] 532 300 2.6 11.2 37.3 224 8351
  • Absorption depth is a value defined as ⁇ 1/absorption coefficient ⁇ , and refers to the depth of penetration from the incident surface that can absorb about 36% of the irradiated light energy.
  • ⁇ 1/absorption coefficient ⁇ refers to the depth of penetration from the incident surface that can absorb about 36% of the irradiated light energy.
  • FIG. 3 shows that at a wavelength of 400 (nm) or more, the absorption coefficient of polycrystalline silicon is relatively higher than that of single crystal silicon.
  • a laser having a wavelength of 400 (nm) or more and more preferably, a laser having a wavelength of 532 (nm) (hereinafter, 532 laser) and 1024 (nm).
  • a laser (hereinafter, 1024 laser) can be used.
  • the semiconductor layer 20 on the semiconductor substrate 10 as in the exemplary embodiment of the present invention, it is possible to effectively reduce thermal damage caused by the laser.
  • the thickness of the semiconductor layer 20 must be 600 (nm) or more to effectively reduce thermal damage to the semiconductor substrate 10.
  • FIG. 7 is a diagram for explaining a laser for forming a groove in a solar cell.
  • Lasers can be divided into linear lasers and pulse type lasers according to the oscillation type.
  • the linear laser oscillates seamlessly on the time axis, and when this linear laser is used to form a groove, the solar cell is heated without a pause (cooling period), so the solar cell will accumulate thermal damage in proportion to the time axis. It is not desirable because it has no choice but to.
  • the solar cell can have a heating section and a cooling section alternately, thereby reducing thermal damage more effectively than a linear laser.
  • one shot of the laser is called a spot 60, and the laser is irradiated during the scan time.
  • the scan time means a time interval in which the laser is irradiated along the scribing line 50.
  • Pulse energy refers to the energy per shot of the laser.
  • the laser scans the solar cell according to the scan line (or scribing line) 50, and a groove in the form of one line can be formed on the surface of the solar cell through about 10 scans, and the number of scans is the scan speed and pulse. Energy etc. can be adjusted as variables.
  • the scan line 50 is formed along the center line of the solar cell so that the solar cell 100 can be divided into two.
  • the term “two-split” refers to dividing the solar cell so that the divided two solar cells have the same width (vertical length based on the drawing).
  • the solar cell 100 may be divided into n as illustrated in FIG. 8.
  • n denotes an integer
  • FIG. 8 illustrates a case where n is 3.
  • the first scan line 501 may be disposed above the solar cell so that the solar cell 100 can be divided into three
  • the second scan line 502 may be disposed below the solar cell.
  • the first width d1 between the first scan line 501 at the end of the solar cell, the first scan line 501 and the second scan line 502 so that all the solar cells after division may have the same width.
  • the second width d2 between and the third width d3 between the second scan line 502 and the end of the solar cell may be the same.
  • the laser is irradiated along the first scan line 501 and the second scan line 502, and as a result, two lines of grooves are formed on the surface of the solar cell, and the solar cell is subjected to a physical impact.
  • the battery may be divided into first to third solar cells 100n.
  • a solar cell to which the manufacturing method of the present invention can be applied will be described.
  • 9 is a view showing the configuration of a solar cell according to an embodiment to which the present invention is applied
  • FIG. 10 is a view showing a cross-sectional view thereof.
  • examples of solar cells include a semiconductor substrate 110, a control passivation layer 132, 160, a first conductivity type region 170, a second conductivity type region 120, and an intrinsic semiconductor unit 190. ), an insulating layer 130, a rear passivation layer 180, a plurality of first electrodes 140, and a plurality of second electrodes 150 may be provided.
  • the semiconductor substrate 110 may be formed of at least one of single crystal silicon and polycrystalline silicon doped with a first conductivity type or a second conductivity type dopant.
  • the semiconductor substrate 110 may be formed by doping a single crystal silicon wafer with a dopant of a first conductivity type or a second conductivity type at a low concentration.
  • the first conductivity type dopant may be any one of a p-type or n-type dopant
  • the second conductivity type dopant may be the other one of a p-type or n-type dopant.
  • the first conductivity type dopant is a p-type one of Group III elements such as boron (B), aluminum (Al), gallium (Ga), and indium (In)
  • the second conductivity type dopant is phosphorus (P ), arsenic (As), bismuth (Bi), antimony (Sb), and the like.
  • one of the first and second conductivity type dopants may be boron (B) and the other may be phosphorus (P).
  • control passivation layers 132 and 160 are disposed in direct contact with the entire rear surface of the semiconductor substrate 110 and may include a dielectric material.
  • control passivation layers 132 and 160 pass carriers generated in the semiconductor substrate 110 and may perform a passivation function for the rear surface of the semiconductor substrate 110. To this end, the thickness of the control passivation layers 132 and 160 may be formed between 0.5 nm and 2 nm.
  • the control passivation layers 132 and 160 may be formed of a dielectric material formed of SiCx or SiOx.
  • the first conductivity type region 170 may be provided on a front surface or a rear surface of the semiconductor substrate 110 and may contain the same conductivity type region as the semiconductor substrate 110.
  • a dopant that is the same as the conductivity type dopant of the semiconductor substrate 110 refers to a region doped with a higher concentration than the dopant concentration of the semiconductor substrate 110.
  • the first conductivity type region 170 may include a front electric field part 171 and a rear electric field part 172.
  • the front electric field part 171 is provided entirely on the front surface of the semiconductor substrate 110, and the same conductivity type dopant as the semiconductor substrate 110 may be doped with a high concentration.
  • the front electric field part 171 may be formed by diffusing a conductive dopant in the front surface of the semiconductor substrate 110 by a thermal diffusion method. Accordingly, the front electric field part 171 may be formed of the same silicon material as the semiconductor substrate 110.
  • the front electric field part 171 may also be formed of a single crystal silicon material.
  • the rear electric field part 172 is a polycrystalline silicon material that extends and extends in a direction parallel to the second conductivity type region 120 on the rear surface of the semiconductor substrate 110 and is doped with the same conductivity type dopant as the semiconductor substrate 110 at a high concentration. It is formed as, it can serve as the rear electric field part 172.
  • the rear electric field part 172 is formed in direct contact with the rear surface of the control passivation layers 132 and 160, and may be spaced apart from the second conductivity type region 120.
  • the second conductivity type region 120 is disposed to extend in a direction parallel to the rear electric field unit 172 on the rear surface of the semiconductor substrate 110, and is doped with a conductivity type dopant opposite to the semiconductor substrate 110, so that the control passivation layer A pn junction may be formed with the semiconductor substrate 110 with 132 interposed therebetween, thereby serving as an emitter part.
  • the intrinsic semiconductor unit 190 may be formed in a space between the rear electric field unit 172 of the first conductivity type region 170 and the second conductivity type region 120 among the regions above the rear surface of the control passivation layer 132. Unlike the first conductivity type region 170 and the second conductivity type region 120, the intrinsic semiconductor unit 190 is intrinsic polycrystalline silicon that is not doped with a first conductivity type dopant or a second conductivity type dopant. It can be formed in layers.
  • the rear electric field portion 172, the second conductivity type region 120, and the intrinsic semiconductor portion 190 of the first conductivity type region 170 positioned on the control passivation layer 132 are formed of the semiconductor substrate 110. It may be formed of a silicon material having a crystalline material different from that of the silicon material, and these may be a semiconductor layer that functions as an absorption layer during laser processing as described above. In this case, it is possible to make one of the existing components function as an absorbing layer without having to form a separate layer in the solar cell, so that it is possible to easily reduce thermal damage to the solar cell without increasing manufacturing cost and manufacturing process.
  • This semiconductor layer is, for example, when the silicon material of the semiconductor substrate 110 is formed of single crystal silicon, the rear electric field portion 172 of the first conductivity type region 170, the second conductivity type region 120 and the intrinsic semiconductor
  • the portion 190 may be formed of a material having an absorption coefficient higher than that of the semiconductor substrate 110, for example, polycrystalline silicon, or may be formed of a mixture of polycrystalline silicon and amorphous silicon.
  • the thickness of these regions depends on what wavelength of the laser is used as described above. Can be determined. If the wavelength of the laser is 532 (nm), the thickness of the semiconductor layer is preferably 180 (nm) or more, and if the wavelength of the laser is (1024 (nm), the thickness of the semiconductor layer is preferably 600 (nm) or more.
  • the insulating layer 130 may be positioned on at least one of one surface or the opposite surface of the semiconductor substrate 110. For example, as shown in FIG. 1, it may be positioned on one surface that is the front surface of the semiconductor substrate 110. However, it is not necessarily limited to FIG. 1, and in some cases, in the case of a double-sided solar cell receiving light incident on not only one side of the semiconductor substrate 110 but also the opposite side, It is also possible to be located.
  • the insulating layer 130 may be positioned on the front electric field 171 when the semiconductor substrate 110 has a conductivity type region such as the front electric field 171 as shown in FIG. 1. However, if the front electric field part 171 is not provided unlike FIG. 1, the insulating layer 130 may be positioned in direct contact with the front surface of the semiconductor substrate 110.
  • one surface of the semiconductor substrate 110 may be a front surface of a solar cell through which light is directly incident on the semiconductor substrate 110, and the opposite surface of the semiconductor substrate 110 is a surface located on the opposite side of the one surface. As a result, it may be a rear surface of a solar cell on which light is reflected and incident.
  • the insulating layer 130 minimizes the reflectivity of light incident on the semiconductor substrate 110 from the outside, blocks ultraviolet rays (UV) from the outside, and at the same time, EVA, which is one of the constituent elements of the solar cell module, is ) Prevents etching of the insulating layer 130 by acetic acid generated due to moisture penetration in a sealing material such as ), and prevents the phenomenon that carriers generated in the substrate are dissipated by ultraviolet rays (UV).
  • Voc open-circuit voltage
  • Isc short-circuit current
  • the plurality of first electrodes 140 may be formed to extend in length by connecting to the second conductivity type region 120. As such, the first electrode 140 may collect carriers that have moved toward the second conductivity type region 120.
  • the plurality of second electrodes 150 may be formed by connecting to the rear electric field part 172 of the first conductivity type region 170 and extending in a direction parallel to the first electrode 140. As such, the second electrode 150 may collect carriers that have moved toward the first conductivity type region 170.
  • the rear passivation layer 180 includes first and second electrodes 140 of the rear electric field 172 of the first conductivity type region 170, the second conductivity type region 120, and the entire rear region of the intrinsic semiconductor unit 190. , 150) may be formed in the rest of the region.
  • the rear passivation layer 180 is a dangling bond formed on the rear surface of the polycrystalline silicon layer formed in the second conductivity type region 120, the first conductivity type region 170 and the intrinsic semiconductor unit 190.
  • the carrier generated from the semiconductor substrate 110 may play a role of preventing recombination and disappearance of the carriers generated from the semiconductor substrate 110 by a dangling bond.
  • the solar cell applied to the solar cell module according to the present invention is not necessarily limited to FIG. 1, except that the first and second electrodes 140 and 150 provided in the solar cell are formed only on the rear surface of the semiconductor substrate 110. Other components can be changed anytime.
  • the front electric field part 171 of the first conductivity type region 170 may be omitted.
  • the insulating layer 130 may be positioned in direct contact with the front surface of the semiconductor substrate 110.
  • the laser is irradiated on the opposite surface (for example, the rear surface) of the light-receiving surface that receives the light in the solar cell of this configuration.
  • the groove 40 is formed while the surface of the semiconductor substrate 110 is melted and cooled by the laser.
  • the surroundings of the groove 40 are also subjected to thermal energy, and in this process, the bond between the crystals that formed the stabilized bond is broken, and the recombination site increases. Therefore, when the laser is irradiated to the solar cell, it is preferable to irradiate the opposite surface of the semiconductor substrate 110 rather than the light-receiving surface.
  • the rear surface of the solar cell is configured to include a first conductivity type region 170 and a second conductivity type region 120, and the first conductivity type region 170 forms a pn junction with the semiconductor substrate 110. Therefore, it is preferable that the laser is irradiated outside the region forming the pn junction.
  • solar cells generate electricity by a pn junction between a semiconductor substrate and an emitter. However, when a laser is irradiated on the emitter-formed region, the pn junction region is damaged by the laser, and thus the power generation efficiency of the solar cell is degraded.
  • the laser is irradiated outside the area where the emitter is formed.
  • the laser is irradiated to the rear surface opposite to the light receiving surface, but the emitter is formed. It may be irradiated to the area formed in the second conductivity type area 120 so as to escape from the area. At this time, the laser may be irradiated along the length direction of the electrode 140.
  • the length direction of the electrode 140 corresponds to the scanning direction of the laser, and the laser is Since it is not formed to cross the metal electrode, there is an advantage of forming a groove in the solar cell without interference of the electrode.
  • the solar cell of this embodiment shows another type of solar cell to which the manufacturing method of the present invention can be applied.
  • the solar cell of this embodiment if the above-described solar cell has a back contact structure incident through the rear surface of the solar cell, the solar cell of this embodiment is a double-sided light-receiving type capable of receiving both front and rear light. It can be composed of solar cells.
  • the solar cell 1000 includes a semiconductor substrate 1200, conductive regions 2000 and 3000 formed on or on the semiconductor substrate 1200, and electrodes 4200 and 4400 connected to the conductive regions 2000 and 3000. ) Can be included.
  • the conductivity-type regions 2000 and 3000 may include a first conductivity-type region 2000 and a second conductivity-type region 3000 having different conductivity types, and the electrodes 4200 and 4400 are the first A first electrode 4200 connected to the conductivity type region 2000 and a second electrode 4400 connected to the second conductivity type region 3000 may be included.
  • the semiconductor substrate 1200 includes a first or second conductivity type dopant at a relatively low doping concentration, and may be a crystalline type, for example, a single crystal silicon or a polycrystalline silicon substrate.
  • a texturing structure or an antireflection structure having irregularities in the shape of a pyramid to minimize reflection.
  • the drawings illustrate a case in which irregularities are formed on both the front and rear sides according to the double-sided light-receiving solar cell.
  • the conductivity type regions 2000 and 3000 are positioned on one side (for example, the front or rear surface) of the semiconductor substrate 1200 and have a first conductivity type region 2000 and a semiconductor substrate 1200. It may include a second conductivity type region 3000 positioned on the other side (eg, the other side) and having a second conductivity type.
  • the conductivity type regions 2000 and 3000 may have a different conductivity type than the semiconductor substrate, or may have a higher doping concentration than the semiconductor substrate 1200.
  • the first conductivity type region 2000 functioning as an emitter is constituted by a doped region constituted of a part of the semiconductor substrate 12, so that bonding properties with the semiconductor substrate 1200 may be improved.
  • the second conductivity type region 3000 functioning as a rear electric field part is formed of a semiconductor layer formed separately from the semiconductor substrate 1200 on the semiconductor substrate 1200.
  • the semiconductor layer 3000 is a material having a higher absorption coefficient than the semiconductor substrate 1200 in order to function as an absorption layer when the laser is irradiated as described above, for example, when the semiconductor substrate 1200 is made of single crystal silicon.
  • the second conductivity type region 3000 may be made of polycrystalline silicon.
  • the thickness of the second conductivity type region 3000 is based on the irradiated laser, and if the laser is 532, the thickness of the semiconductor layer 3000 is 180 (nm) or more, and if the laser is 1024, the thickness of the semiconductor 3000 is 600 ( nm) or more.
  • a first passivation layer 22 and/or an antireflection layer as a first insulating film on the front surface of the semiconductor substrate 12 (more precisely, on the first conductivity type region 20 formed on the front surface of the semiconductor substrate 12).
  • This position (for example, contact) can be.
  • a second passivation layer 32 which is a second insulating film, is positioned on the rear surface of the semiconductor substrate 12 (more precisely, on the second conductivity type region 30 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 12). , Contact).
  • the first passivation layer 22, the antireflection layer 24, and the second passivation layer 32 may be formed of various insulating materials.
  • the first passivation layer 22, the antireflection layer 24, or the second passivation layer 32 is a silicon nitride film, a silicon nitride film containing hydrogen, a silicon oxide film, a silicon oxide nitride film, an aluminum oxide film, a silicon carbide film, MgF2,
  • a single layer selected from the group consisting of ZnS, TiO2, and CeO2 or a multilayer structure in which two or more layers are combined may have a structure.
  • the present invention is not limited thereto.
  • a control passivation layer 3100 may be further formed between the semiconductor substrate 1200 and the semiconductor layer 3000 for a tunneling effect.
  • the control passivation layer 3100 passes carriers generated in the semiconductor substrate 1200 and may perform a passivation function for the rear surface of the semiconductor substrate 1200.
  • the thickness of the control passivation layer 3100 may be formed between 0.5 nm and 2 nm.
  • control passivation layer 1300 may be formed of a dielectric material formed of SiCx or SiOx.
  • the first electrode 42 is electrically connected to the first conductivity type region 20 through an opening penetrating the first insulating layer
  • the second electrode 44 is a second conductivity type region through the opening penetrating the second insulating layer. It is electrically connected to region 30.
  • the first and second electrodes 42 and 44 are made of various conductive materials (eg, metal) and may have various shapes.

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Abstract

본 발명에 따른 일 실시예의 제조 방법은, 반도체 기판과, 상기 반도체 기판보다 높은 흡수 계수를 갖는 반도체층이 상기 반도체 기판의 적어도 어느 한 면에 형성된 태양전지에서 상기 반도체층이 레이저를 향하도록 위치하는 단계, 상기 반도체층을 향해 레이저를 조사해 상기 태양전지에 그루브(groove)를 형성하는 단계, 상기 그루브를 따라 상기 태양전지를 복수 개로 분할하는 단계를 포함할 수 있다.

Description

태양전지의 제조 방법
본 발명은 태양전지를 복수 개로 분할하는 경우에 열적 손상(thermal damage)을 줄인 태양전지의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고, 이에 따라 태양 에너지로부터 전기 에너지를 생산하는 태양 전지가 주목 받고 있다.
일반적인 태양전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)에 의해 p-n 접합을 형성하는 반도체부, 그리고 서로 다른 도전성 타입의 반도체부에 각각 연결된 전극을 구비해 만들어진다. 이 같은 구성의 태양전지는 여러 장을 연결시켜 만든 태양전지 모듈을 이용해 발전하고 전력을 얻는다.
태양전지의 발전 효율을 좋게 하기 위한 하나의 방법으로 모든 구성요소가 형성된 완성품의 태양전지를 여려 개로 분할하고, 이 분할된 셀들을 연결해 태양전지 모듈을 제조하는 방법이 제안되었다.
태양전지를 여러 개로 분할 하는 경우, 태양전지 자체가 반도체이므로, 반도체의 스크라이빙(scribing) 공정이 채용된다. 이 스크라이빙 공정은 웨이퍼를 다수의 칩으로 잘라내기 위해 다이아몬드 커터, 레이저 등으로 웨이퍼의 표면에 홈을 만드는 과정을 일컫는다.
지금까지 알려진 스크라이빙 공정 중 하나는 스크라이빙 선을 따라 레이저를 태양전지의 어느 한 면에 조사해 그루브(groove)를 형성하고, 이 그루브를 따라 물리적으로 태양전지로 여러 개로 분할하는 과정을 포함한다.
그런데, 레이저는 높은 에너지를 갖고 있기 때문에 레이저가 조사된 태양전지에서는 레이저 조사에 따른 열적 손상이 발생하면서 태양전지의 효율이 떨어지는 문제가 발생한다.
본 발명은 이 같은 기술적 배경에서 창안된 것으로, 본 발명의 일 실시예에서는 태양전지에 레이저를 조사하는 과정에서 발생하는 열적 손상을 줄이는데 그 목적이 있다.
본 발명에 따른 일 실시예의 제조 방법은, 반도체 기판과, 상기 반도체 기판보다 높은 흡수 계수를 갖는 반도체층이 상기 반도체 기판의 적어도 어느 한 면에 형성된 태양전지에서 상기 반도체층이 레이저를 향하도록 위치하는 단계, 상기 반도체층을 향해 레이저를 조사해 상기 태양전지에 그루브(groove)를 형성하는 단계, 상기 그루브를 따라 상기 태양전지를 복수 개로 분할하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 그루브는 상기 반도체층을 통과해 상기 반도체 기판의 일부에까지 형성될 수 있고, 상기 그루브의 깊이는 상기 반도체 기판의 두께 대비 30 ~ 70(%)일 수 있다.
상기 그루브는 상기 태양전지를 2분할하도록 상기 태양전지의 중심 선을 따라 형성되거나, 상기 그루브는 상기 태양전지를 3분할 이상하도록 상기 태양전지에 복수 개 형성될 수 있다.
상기 레이저의 파장이 1024(nm)일 때, 상기 반도체층의 두께는 600(nm) 이상이고, 상기 레이저의 파장이 532(nm)일 때, 상기 반도체층의 두께는 180(nm) 이상일 수 있다.
상기 반도체층은 다결정 실리콘이고, 상기 반도체 기판은 단결정 실리콘일 수 있다.
상기 반도체층은 상기 반도체 기판의 후면에 형성될 수 있다.
상기 반도체층은 상기 반도체 기판의 극성과 반대인 제1 도전형 도펀트가 포함된 제1 도전형 영역과 상기 반도체 기판과 동일한 극성의 제2 도전형 도펀트가 포함된 제2 도전형 영역을 포함할 수 있고, 상기 그루브는 상기 제2 도전형 영역에 형성될 수 있다.
상기 반도체층은 상기 반도체 기판의 극성과 반대인 제1 도전형 도펀트를 포함할 수 있고, 또한 상기 반도체층과 상기 반도체 기판 사이로 제어 패시베이션층이 더 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 레이저가 태양전지에 조사될 때 레이저의 에너지 일부를 흡수하는 층으로 기능하는 반도체층이 배치되어 있기 때문에, 반도체 기판의 열적 손상을 줄일 수가 있다.
상기 반도체층은 반도체 기판보다 흡수 계수가 높은 반도체층 중 어느 하나로 구성될 수 있고, 특히 본 발명에서는 반도체층이 다결정 실리콘층으로 구성해 새로운 층을 태양전지에 추가할 필요없이 종전 구성의 일부를 흡수층으로 사용할 수 있다.
도 1은 태양전지를 복수 개로 분할하기 위해 그루브(groove)를 형성하는 과정을 모식적으로 설명하는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 제조 방법을 설명하는 흐름도이다.
도 3은 실리콘의 결정성에 따른 흡수 계수의 관계를 보여주는 그래프이다.
도 4는 다결정 실리콘으로 구성된 반도체층의 유무에 따른 그루브의 가공 깊이를 실험한 결과를 보여주는 그래프이다.
도 5는 누적 펄스 에너지에 따른 태양전지의 출력 감소를 보여주는 그래프이다.
도 6은 실리콘의 결정성에 따른 흡수 깊이(absorption depth)를 보여주는 그래프이다.
도 7 및 도 8은 태양전지에 그루브를 형성하는 레이저를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 발명에 따른 제조 방법이 적용되는 일 실시예의 태양전지 구성을 보여주는 도면이다.
도 10은 도 9에 도시한 태양전지의 단면 모습을 보여주는 도면이다.
도 11은 본 발명에 따른 제조 방법이 적용되는 다른 실시예의 태양전지 구성을 보여주는 도면이다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명이 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니며 다양한 형태로 변형될 수 있음은 물론이다.
도면에서는 본 발명을 명확하고 간략하게 설명하기 위하여 설명과 관계 없는 부분의 도시를 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 극히 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 참조부호를 사용한다. 그리고 도면에서는 설명을 좀더 명확하게 하기 위하여 두께, 넓이 등을 확대 또는 축소하여 도시하였는바, 본 발명의 두께, 넓이 등은 도면에 도시된 바에 한정되지 않는다.
그리고 명세서 전체에서 어떠한 부분이 다른 부분을 "포함"한다고 할 때, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 부분을 배제하는 것이 아니며 다른 부분을 더 포함할 수 있다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 위치하는 경우도 포함한다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 위치하지 않는 것을 의미한다.
아울러, 어떤 특정 구성 요소의 두께, 폭 또는 길이가 다른 특정 구성 요소의 두께, 폭 또는 길이와 동일하다는 의미는 다른 특정 구성 요소의 두께, 폭 또는 길이가 어떤 특정 구성 요소의 두께, 폭 또는 길이의 공정 오차 범위에서 동일하다는 것을 의미한다.
따라서, 공정 오차 범위가 10%인 경우, 두께가 동일하다는 의미는 10% 범위 내에서 동일한 것을 의미한다. 이하에서는 공정 오차 범위가 10%인 경우를 전제로 설명한다.
또한, 반도체 기판의 일면 또는 반대면이란, 반도체 기판의 평면 중 서로 반대되는 면을 의미한다. 따라서, 일례로, 반도체 기판의 일면이 빛이 입사되는 반도체 기판의 전면인 경우, 반도체 기판의 반대면이란 반도체 기판의 후면을 의미한다. 또는 이와 반대로 반도체 기판의 일면이 반도체 기판의 후면인 경우, 반도체 기판의 반대면이란 반도체 기판의 전면을 의미할 수 있다.
이하에서는 설명의 편의상 반도체 기판의 일면이 반도체 기판의 전면, 반도체 기판의 반대면이 반도체 기판의 후면인 경우를 전제로 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따라 태양전지에 태양전지를 복수 개로 분할하기 위해 그루브(groove)를 형성하는 것을 모식적으로 설명하는 도면이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 제조 방법을 설명하는 흐름도이다.
여기서, 태양전지라 함은 이하에서 설명하는 태양전지들(100, 1000)과 같이 반도체 기판 상에 발전을 위해 다수의 구성 요소들, 일 예로 반도체 기판, 제어 패시베이션층, 불순물을 포함하는 제1 및 제2 도전형 영역, 진성 반도체부, 절연층, 후면 패시베이션층, 제1 및 제2 전극을 포함하는 완성 제품을 말한다. 또한, 그루브(groove)는 태양전지를 복수 개로 분할하기 위해서 태양전지에 레이저를 조사해 만든 홈을 말한다.
도 1 및 도2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지(100)는, 반도체 기판(10)과 이 반도체 기판(10)의 적어도 어느 일 면으로 형성된 반도체층(20)을 포함하도록 구성될 수 있다.
반도체 기판(10)은 제 1 도전형 또는 제2 도전형의 도펀트가 도핑되는 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 일례로, 반도체 기판은 단결정 실리콘 웨이퍼에 제 1 도전형 또는 제2 도전형의 도펀트가 낮은 농도로 도핑되어 형성될 수 있다.
여기서, 제1 도전형 도펀트는 p형 또는 n형 도펀트 중 어느 하나일 수 잇으며, 제2 도전형 도펀트는 p형 또는 n형 도펀트 중 나머지 하나일 수 잇다. 구체적으로, 제1 도전형 도펀트가 보론(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등의 3족 원소 중 어느 하나인 p형인 경우, 제2 도전형 도펀트는 인(P), 비소(As), 비스무스(Bi), 안티몬(Sb) 등의 5족 원소 중 어느 하나인 n형일 수 있다. 따라서, 일례로, 제1 및 제2 도전형 도펀트 중 하나가 보론(B)이고 다른 하나가 인(P)일 수 있다.
이 반도체 기판(10)은 태양전지의 전체 두께 중 90% 이상을 차지하는 두께를 가질 수 있으며, 바람직한 한 형태에서, 반도체 기판(10)의 두께는 실질적으로 160(um)일 수가 있다. 여기서, 실질적으로는 공정 오차 범위를 감안해 ±10% 범위 내의 두께는 동일한 두께임을 의미한다.
그리고, 반도체층(20)은 상기 반도체 기판(10)의 어느 일 면 전체에 형성되며, 또한 상기 반도체 기판(10)보다 흡수 계수(absorption coefficient)가 높은 반도체 물질로 구성될 수 있다. 일례로, 상기 반도체 기판(10)이 단결정 실리콘인 경우에, 반도체층(20)은 단결정 실리콘보다 흡수 계수가 높은 다결정 실리콘일 수가 있다.
이 반도체층(20)은 레이저가 반도체 기판(10)으로 조사될 때, 레이저 빛을 부분적으로 흡수해 레이저의 높은 에너지에 의해 반도체 기판(10)이 열적 손상되는 것을 방지하는 기능층으로 작용할 수가 있다. 이 반도체층(20)은 효과적인 흡수층으로 기능하기 위해서 흡수 깊이(Absorption depth)를 고려해 그 두께가 설정될 수가 있는데, 이에 대해서는 자세히 후술한다.
또한 이 반도체층(20)은 태양전지를 구성하는 하나의 층(layer)으로 기능할 수 있도록 소정의 두께를 갖는 것이 바람직한데, 일 예에서 이 반도체층(20)은 도전형 영역이 형성되는 층으로 구성될 수가 있고, 이 경우에 이 반도체층(20)의 두께는 250~300(um)의 두께를 가질 수 있다. 반도체층(20)의 태양전지를 구성하는 하나의 층으로 구성되면, 태양전지를 분할하는 과정에서 흡수층으로 기능해 태양전지가 열화되는 것을 방지할 뿐만 아니라, 불필요하게 새로운 구성요소를 태양전지에 추가할 필요가 없으므로 생산성 향상에 기여할 수가 있다.
한편, 도 1은 반도체층(20)이 반도체 기판(10)의 어느 일면에 바로 형성되는 것을 예시하나, 본 발명이 이에 한정되고자 함은 아니며 이 두 층 사이에 다른 층이 개입되는 것도 가능하다. 여기서, 바로가 뜻하는 바는 반도체층(20)과 반도체 기판(10) 사이에 다른 층이 개입하지 않은 상태로 반도체층(20)의 한 면이 반도체 기판(10)의 한 면에 형성되는 것을 말한다.
도 1에서 (A)는 반도체 기판(10)에 레이저(30)가 조사되는 것을 예시하는데, 본 발명의 제조 방법에 따르면 레이저(30)는 시간적으로 반도체 기판(10)에 바로 조사되지 않고 반도체층(20)에 먼저 조사된 후에 반도체 기판(10)에 조사가 되는 것이 바람직하다. 일 예로, 반도체층(20)이 레이저(30)를 향하도록 위치한 상태로 배치되고(S10), 레이저(30)는 반도체층(20)의 수직 상방에서 반도체 기판(10)을 향해 조사될 수가 있다(S20).
레이저(30)는 범용적으로 시장에서 많이 사용되는 다양한 종류의 레이저가 사용될 수가 있다. 일 예로, 레이저(30)는 레이저 빛의 파장에 따른 분류로 532(nm) 레이저, 1024(nm) 레이저가 사용될 수가 있고, 레이저에 따라서 반도체층(20)의 두께는 조절될 수가 있다.
도 1에서 (B)는 레이저(30)의 조사에 의해 형성된 그루브(40)를 보여준다. 레이저가 반도체 기판(10)에 조사되면, 레이저가 조사된 국부 영역이 가열되면서 레이저 융발(ablaation)이 발생해 그루브(40)가 형성될 수가 있다. 그런데, 본 발명의 일 실시예에서는 레이저(30)가 반도체 기판(10)보다 흡수 계수가 높은 반도체층(20)을 먼저 투과한 후에 반도체 기판(10)에 조사가 되기 때문에, 레이저 빛의 일부가 반도체층(20)에서 흡수가 일어나 반도체 기판(10)에 가해지는 열적 손상을 줄일 수가 있다. 이에 대해서는 도면을 달리해서, 그 효과에 대해 자세히 설명한다.
그루브(40)가 태양전지(100)의 어느 일면에 형성된 후에는, 태양전지(100)에 물리적인 충격을 가해 태양전지(100)를 복수 개로 분할할 수가 있다(S30).
태양전지(100)에 형성된 그루브(40)의 깊이(dt)는 태양전지(100)의 두께(ds) 대비 30(%) ~ 70(%)인 것이 바람직하다. 여기서, 태양전지(100)의 두께(ds)는 반도체 기판 위로 형성된 층의 두께가 반도체 기판의 두께 대비해 매우 작기 때문에 실질적으로 반도체 기판의 두께와 실질적으로 동일할 수가 있다. 만약 그루브(40)의 깊이(dt)가 두께(ds)의 30(%)보다 작으면 태양전지를 그루브(40)를 따라 복수 개로 분할할 때, 태양전지가 그루브(40)를 따라 쪼개지지 않고 깨질 수가 있으며, 70(%)보다 크게 되면 그루브(40)를 형성하는 과정에서 태양전지(100)에 가해지는 열적 손상이 너무 커서 태양전지의 효율이 현격히 떨어질 수가 있다.
도 3은 실리콘의 결정성에 따른 흡수 계수의 관계를 보여주는 그래프이다. 도 2에서, silicon은 단결정 실리콘의 파장에 따른 빛의 흡수 계수를 보여주며, poly silicon은 다결정 실리콘의 파장에 따른 흡수 계수를 보여준다.
그래프는 파장이 약 400(nm)일 때까지 단결정 실리콘이나 다결정 실리콘 모두 흡수 계수에 차이가 없음 보여준다. 이 같은 사실을 통해 파장이 400(nm) 이하인 레이저를 사용하는 경우에는 반도체층(20)이 흡수층으로 기능을 하지 못하기 때문에, 반도체 기판(10)에 가해지는 열적 손상을 줄이기가 어렵다는 것을 알 수 있다.
그리고, 그래프는 파장이 400(nm) 이상인 경우에 파장이 커질수록 완연히 다결정 실리콘의 흡수 계수가 단결정 실리콘보다 커지는 것을 보여주며, 400(nm) 이상의 파장을 갖는 레이저를 사용하는 경우에 다결정 실리콘에서 레이저 빛의 흡수가 단결정 실리콘보다 잘 일어나, 그 결과 반도체 기판(10)에 가해지는 열적 손상을 줄일 수 있다.
한편, 도 4는 다결정 실리콘으로 구성된 반도체층의 유무에 따른 그루브의 가공 깊이를 실험한 결과를 보여주는 그래프이다. 여기서, x축의 누적 펄스 에너지는 태양전지에 조사된 레이저의 총 에너지를 말한다.
도 4의 그래프를 통해 알 수 있듯이, 누적 펄스 에너지가 증가함에 따라 가공 깊이 역시 선형적으로 증가함을 알 수가 있다. 그리고 동일한 누적 펄스 에너지에 대해서, 반도체층을 포함하는 태양전지에 레이저를 조사했을 때가 반도체층이 없는 태양전지에 레이저를 조사했을 때보다 그루브가 더 깊게 형성됨을 알 수 있다.
이 실험 결과는 태양전지에 그루브를 형성할 때, 반도체층을 포함하는 태양전지에 반도체층이 없는 태양전지보다 에너지가 적은 레이저를 조사해 동일한 깊이의 그루브를 형성할 수가 있고, 그 결과 반도체층을 포함하는 태양전지에 가해지는 열적 손상이 적다는 것을 보여준다.
이 같은 사실은 도 5를 통해서 보다 명확해 질 수가 있다. 도 4는 누적 펄스 에너지에 따른 태양전지의 출력 감소를 보여주는 그래프이다.
도시된 바와 같이, 누적 펄스 에너지가 증가할수록 태양전지의 출력이 선형적으로 감소함을 알 수가 있고, 이 결과를 도 3에 반영하면 반도체층을 포함하는 태양전지가 반도체층이 없는 태양전지보다 열적 손상이 적음을 알 수가 있다.
아래의 표 1은 상술한 도 4 내지 도 5의 실험에 사용된 레이저의 조건을 보여주며, 레이저의 스캔 횟수는 10회이다.
LASER 파장 [nm] Frequency [kHz] Scanspeed [m/sec] LASER power [W] Pulse energy [uJ] 총 Shot 수 [1E3 ea] 누적 Pulse energy [J]
532 300 2.6 11.2 37.3 224 8351
도 6은 실리콘의 결정성에 따른 흡수 깊이(absorption depth)를 보여주는 그래프이다. 흡수 깊이는 ˝1/흡수계수˝로 정의되는 값으로, 조사된 빛 에너지의 약 36%를 흡수할 수 있는 입사표면에서부터의 투과 깊이를 의미한다. 그래프를 통해서 알 수 있듯이, 파장이 커질수록 흡수 계수는 선형적으로 커지며, 또한 동일한 파장에 대해 단결정 실리콘보다 다결정 실리콘의 흡수 계수가 좋음을 알 수 있다.
한편, 도 3은 파장 400(nm) 이상에서, 다결정 실리콘의 흡수 계수가 단결정 실리콘보다 상대적으로 높다는 것을 보여준다. 이 점을 고려해, 본원 발명의 일 실시예에서는 파장이 400(nm) 이상인 레이저를 사용하는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게 파장이 532(nm)인 레이저(이하, 532 레이저)와 1024(nm)인 레이저(이하, 1024 레이저)를 사용할 수가 있다.
그런데, 도 6에서 보여지는 바처럼 파장이 532(nm)인 빛은 다결정 실리콘인 경우에 두께가 180(nm)에서 빛의 36%가 흡수가 된다. 따라서, 도 1과 같은 구성을 갖는 태양전지에서, 반도체층(20)의 두께가 180(nm) 이상이 되면, 레이저의 약 36%가 반도체층(20)에서 흡수가 되고, 나머지가 반도체 기판(10)에 조사되므로, 반도체 기판(10)의 열적 손상을 줄일 수가 있다.
비교해서, 만약 532 레이저가 바로 단결정 실리콘에 조사된다면, 두게가 1280(nm)가 되어야만 동일한 효과를 얻을 수 있다.
즉, 본원 발명의 일 실시예처럼 반도체층(20)을 반도체 기판(10) 위에 형성함으로써 효과적으로 레이저에 의한 열적 손상을 효과적으로 줄일 수가 있다.
그리고, 1024 레이저를 사용한다면, 다결정 실리콘인 경우에 두께가 600(nm) 에서 빛의 36%가 흡수가 된다. 따라서, 도 1과 같은 구성을 갖는 태양전지에서, 반도체층(20)의 두께가 600(nm) 이상이 되어야 효과적으로 반도체 기판(10)의 열적 손상을 줄일 수 있다.
도 7은 태양전지에 그루브를 형성하는 레이저를 설명하기 위한 도면이다.
레이저는 발진 형태에 따라 선형 레이저와 펄스 타입 레이저로 나눌 수 있다. 먼저 선형 레이저는 시간 축을 기준으로 끊김 없이 발진하는 형태로, 이 선형 레이저를 그루브를 형성하는데 사용하게 되면 태양전지는 휴지기(냉각기간)없이 가열되므로, 시간축에 비례해 태양전지는 열적 손상이 누적될 수 밖에 없어 바람직하지 못하다.
이와 비교해, 펄스 타입 레이저는 펄스를 갖는 발진 주파수에 싱크(sync)되어 레이저가 간헐적으로 조사되는 방식이므로, 태양전지는 가열 구간과 냉각 구간을 교차로 가질 수 있어 열적 손상을 선형 레이저보다 효과적으로 줄일 수가 있다.
펄스 타입 레이저에서 레이저의 1샷(shot)을 스팟(spot)(60)이라고 하며, 같이 스캔 타임 동안 레이저가 조사된다. 여기서 스캔 타임은 레이저가 스크라이빙 선(50)을 따라 조사되는 시간 구간을 의미한다.
그루브를 형성할 때, 태양전지에 가해지는 열적 손상을 줄이기 위해서는 한번의 스캔을 통해 그루브를 형성하기 보다는 여러 번 스캔을 통해 그루브를 형성하는 것이 열적 손상을 줄이는 것이 효과적이다.
스캔 횟수는 펄스 에너지에 의해 조절될 수 있다. 펄스 에너지는 레이저의 1샷당 에너지를 의미한다. 펄스 에너지(uJ)에 총 샷 수를 곱하면 그루브를 형성할 때 사용한 총 누적 펄스 에너지를 구할 수 있으며, 이 총 누적 펄스 에너지에 따라 그루브의 깊이, 레이저의 최대 파워(Pmax)가 결정된다.
레이저는 스캔 라인(또는 스크라이빙 라인)(50)에 맞춰 태양전지를 스캔하는데, 약 10회 스캔을 통해 1라인 형태의 그루브가 태양전지 표면에 형성될 수가 있으며, 스캔 횟수는 스캔 스피드, 펄스 에너지 등을 변수로 조정될 수가 있다.
도 8에서는 스캔 라인(50)이 태양전지(100)를 2분할 할 수 있도록 태양전지의 중심 선을 따라 형성되는 것을 예시하고 있다. 여기서, 2분할이라 함은 태양전지를 2장으로 분할했을 때, 분할된 2장의 태양전지의 너비(도면을 기준으로 세로 길이)가 동일하도록 태양전지를 분할하는 것을 말한다.
본 발명의 일 실시예에서, 또한 태양전지(100)는 도 8에서 예시하는 바와 같이 n개로 분할되는 것도 가능하다. 여기서 n개는 정수를 말하며, 도 8에서는 n이 3인 경우를 예시한다. 도 8을 참조하면, 제1 스캔라인(501)은 태양전지(100)를 3분할할 수 있도록 태양전지의 상방에 배치되고, 제2 스캔라인(502)은 태양전지의 하방에 배치될 수가 있다. 여기서, 분할 후 태양전지는 모두 동일한 너비를 가질 수 있도록 태양전지의 끝에서 제1 스캔라인(501) 사이의 제1 너비(d1), 제1 스캔라인(501)과 제2 스캔라인(502) 사이의 제2 너비(d2), 제2 스캔라인(502)과 태양전지의 끝 사이의 제3 너비(d3)는 모두 동일할 수가 있다.
제1 스캔라인(501)과 제2 스캔라인(502)를 따라 상술한 바와 같이 레이저는 조사되고, 그 결과 태양전지의 표면에 2라인의 그루브가 형성되고, 태양전지에 물리적 충격을 가함으로써 태양전지는 제1 내지 제3 태양전지(100n)로 분할될 수가 있다.이하, 상술한 본 발명의 제조 방법이 적용될 수 있는 태양전지에 대해 설명한다. 도 9는 본 발명이 적용되는 일 실시예의 태양전지 구성을 보여주는 도면이며, 도 10은 이의 단면 모습을 보여주는 도면이다.
이 도면들을 참조하면, 태양 전지의 일례는 반도체 기판(110), 제어 패시베이션층(132)(160), 제1 도전형 영역(170), 제2 도전형 영역(120), 진성 반도체부(190), 절연층(130), 후면 패시베이션층(180), 복수의 제1 전극(140) 및 복수의 제2 전극(150)을 구비할 수 있다.
반도체 기판(110)은 제 1 도전형 또는 제2 도전형의 도펀트가 도핑되는 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 일례로, 반도체 기판(110)은 단결정 실리콘 웨이퍼에 제 1 도전형 또는 제2 도전형의 도펀트가 낮은 농도로 도핑되어 형성될 수 있다.
여기서, 제1 도전형 도펀트는 p형 또는 n형 도펀트 중 어느 하나일 수 잇으며, 제2 도전형 도펀트는 p형 또는 n형 도펀트 중 나머지 하나일 수 잇다.
구체적으로, 제1 도전형 도펀트가 보론(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등의 3족 원소 중 어느 하나인 p형인 경우, 제2 도전형 도펀트는 인(P), 비소(As), 비스무스(Bi), 안티몬(Sb) 등의 5족 원소 중 어느 하나인 n형일 수 있다.
따라서, 일례로, 제1 및 제2 도전형 도펀트 중 하나가 보론(B)이고 다른 하나가 인(P)일 수 있다.
제어 패시베이션층(132)(160)은 반도체 기판(110)의 후면 전면(全面)에 직접 접촉하여 배치되며, 유전체 재질을 포함할 수 있다.
이와 같은 제어 패시베이션층(132)(160)은 반도체 기판(110)에서 생성된 캐리어를 통과시키며, 반도체 기판(110)의 후면에 대한 패시베이션 기능을 수행할 수 있다. 이를 위해, 제어 패시베이션층(132)(160)의 두께는 0.5nm ~ 2nm 사이로 형성될 수 있다.
이와 같은, 제어 패시베이션층(132)(160)은 SiCx 또는 SiOx로 형성되는 유전체 재질로 형성될 수 있다.
제1 도전형 영역(170)는 반도체 기판(110)의 전면(front surface) 또는 후면에 구비될 수 있으며, 반도체 기판(110)과 동일한 도전형 영역을 함유할 수 있다.
일례로, 반도체 기판(110)의 도전형 도펀트와 동일한 도펀트가 반도체 기판(110)의 도펀트 농도보다 고농도로 도핑된 영역을 의미한다.
일례로, 제1 도전형 영역(170)은 전면 전계부(171) 및 후면 전계부(172)를 구비할 수 있다.
전면 전계부(171)는 반도체 기판(110)의 전면(前面)에 전체적으로 구비되며, 반도체 기판(110)과 동일한 도전형 도펀트가 고농도로 도핑될 수 있다.
일례로, 전면 전계부(171)는 반도체 기판(110)의 전면 내에 도전형 도펀트가 열확산 방법으로 확산되어 형성될 수 있다. 따라서, 전면 전계부(171)는 반도체 기판(110)과 동일한 실리콘 재질로 형성될 수 있다.
일례로, 반도체 기판(110)이 단결정 실리콘 재질로 형성된 경우, 전면 전계부(171)도 단결정 실리콘 재질로 형성될 수 있다.
후면 전계부(172)는 반도체 기판(110)의 후면에 제2 도전형 영역(120)과 나란한 방향으로 길게 뻗어 배치되어, 반도체 기판(110)과 동일한 도전형 도펀트가 고농도로 도핑되는 다결정 실리콘 재질로 형성되어, 후면 전계부(172)로서 역할을 수행할 수 있다.
일례로, 후면 전계부(172)는 제어 패시베이션층(132)(160)의 후면 위에 직접 접촉하여 형성되되, 제2 도전형 영역(120)과 이격될 수 있다.
제2 도전형 영역(120)은 반도체 기판(110)의 후면에 후면 전계부(172)와 나란한 방향으로 길게 뻗어 배치되어, 반도체 기판(110)과 반대되는 도전형 도펀트가 도핑되어, 제어 패시베이션층(132)을 사이에 두고, 반도체 기판(110)과 p-n 접합을 형성하여, 에미터부로서 역할을 수행할 수 있다.
진성 반도체부(190)는 제어 패시베이션층(132)의 후면 위의 영역 중에서 제1 도전형 영역(170)의 후면 전계부(172)와 제2 도전형 영역(120) 사이의 공간에 형성될 수 있고, 이와 같은 진성 반도체부(190)은 제1 도전형 영역(170) 및 제2 도전형 영역(120)과 다르게 제1 도전형의 도펀트 또는 제2 도전형의 도펀트가 도핑되지 않은 진성 다결정 실리콘층으로 형성될 수 있다.
이와 같이, 제어 패시베이션층(132) 위에 위치하는 제1 도전형 영역(170)의 후면 전계부(172), 제2 도전형 영역(120) 및 진성 반도체부(190) 는 반도체 기판(110)의 실리콘 재질과 다른 결정질을 갖는 실리콘 재질로 형성될 수 있으며, 이들은 상술한 바와 같이 레이저 가공시 흡수층으로 기능하는 반도체층이 될 수 있다. 이 같은 경우에, 태양전지에 별도로 층을 구성하지 않아도, 있는 구성 중 하나를 흡수층으로 기능하도록 할 수가 있어, 제조 비용 및 제조 프로세스를 늘리지 않으면서도 효과적으로 태양전지의 열적 손상을 손쉽게 줄일 수 있다.
이 반도체층은 일례로, 반도체 기판(110)의 실리콘 재질이 단결정 실리콘으로 형성되는 경우, 제1 도전형 영역(170)의 후면 전계부(172), 제2 도전형 영역(120) 및 진성 반도체부(190)는 반도체 기판(110)보다 흡수 계수가 높은 물질, 일 예로 다결정 실리콘으로 형성되거나 다결정 실리콘과 비정질 실리콘이 혼합된 재질로 형성될 수 있다. 이 제1 도전형 영역(170)의 후면 전계부(172), 제2 도전형 영역(120)이 다결정 실리콘으로 구성되는 경우에, 이들의 두께는 상술한 바와 같이 어떤 파장의 레이저를 사용하느냐에 따라서 결정될 수가 있다. 레이저의 파장이 532(nm)이라면, 반도체층의 두께는 180(nm) 이상인 것이 바람직하며, 레이저의 파장이(1024(nm)이라면, 반도체층은 두께가 600(nm) 이상인 것이 바람직하다.
절연층(130)은 반도체 기판(110)의 일면 또는 반대면 중 적어도 하나 위에 위치할 수 있다. 일례로, 도 1에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 전면인 일면 위에 위치할 수 있다. 그러나, 도 1에 반드시 한정되는 것은 아니고, 경우에 따라, 반도체 기판(110)의 일면뿐만 아니라, 반대면으로 빛을 입사받는 양면형 태양 전지의 경우, 반도체 기판(110)의 반대면인 후면 위에 위치하는 것도 가능하다.
아울러, 절연층(130)은 반도체 기판(110)에 도 1과 같이, 전면 전계부(171)와 같은 도전형 영역이 구비된 경우, 전면 전계부(171) 위에 위치할 수 있다. 그러나, 만약 도 1과 다르게 전면 전계부(171)가 구비되지 않은 경우, 절연층(130)은 반도체 기판(110)의 전면에 직접 접촉하여 위치하는 것도 얼마든지 가능하다.
여기서, 반도체 기판(110)의 일면은 반도체 기판(110)에서 빛이 직접적으로 입사되는 태양 전지의 전면(front surface)일 수 있으며, 반도체 기판(110)의 반대면은 일면의 반대측에 위치하는 면으로, 빛이 반사되어 입사되는 태양 전지의 후면일 수 있다.
이와 같은 절연층(130)은 외부로부터 반도체 기판(110)으로 입사되는 빛의 반사도를 최소화하며, 외부로부터의 자외선(UV)을 차단함과 동시에, 태양 전지 모듈의 구성 요소 중 하나인 에바(EVA)와 같은 밀봉재에서 수분 침투로 인해 생성되는 아세트산(Acetic acid)에 의한 절연층(130)의 에칭을 방지하고, 기판에서 생성된 캐리어가 자외선(UV)에 의해 소실되는 현상을 방지하여, 태양 전지 모듈의 개방 전압(Voc) 및 단락 전류(Isc)를 보다 향상시켜, 태양 전지 모듈의 효율을 전반적으로 향상시킬 수 있다.
복수의 제1 전극(140)은 제2 도전형 영역(120)에 접속하여, 길게 뻗어 형성될 수 있다. 이와 같은, 제1 전극(140)은 제2 도전형 영역(120) 쪽으로 이동한 캐리어를 수집할 수 있다.
복수의 제2 전극(150)은 제1 도전형 영역(170)의 후면 전계부(172)에 접속하고, 제1 전극(140)과 나란한 방향으로 길게 뻗어 형성될 수 있다. 이와 같은, 제2 전극(150)은 제1 도전형 영역(170) 쪽으로 이동한 캐리어를 수집할 수 있다.
후면 패시베이션층(180)은 제1 도전형 영역(170)의 후면 전계부(172), 제2 도전형 영역(120) 및 진성 반도체부(190)의 후면 전체 영역 중 제1, 2 전극(140, 150)이 형성된 영역을 제외한 나머지 영역에 형성될 수 있다.
후면 패시베이션층(180)은 제2 도전형 영역(120), 제1 도전형 영역(170) 및 진성 반도체부(190)에 형성되는 다결정 실리콘 재질의 층의 후면에 형성된 뎅글링 본드(dangling bond)에 의한 결함을 제거하여, 반도체 기판(110)으로부터 생성된 캐리어가 뎅글링 본드(dangling bond)에 의해 재결합되어 소멸되는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.
본 발명에 따른 태양 전지 모듈에 적용된 태양 전지는 반드시 도 1에만 한정하지 않으며, 태양 전지에 구비되는 제1, 2 전극(140, 150)이 반도체 기판(110)의 후면에만 형성되는 점을 제외하고 다른 구성 요소는 얼마든지 변경이 가능하다.
예를 들어, 제1 도전형 영역(170)의 전면 전계부(171)는 생략될 수 있다. 이와 같은 경우, 절연층(130)이 반도체 기판(110)의 전면에 직접 접촉하여 위치할 수 있다.
한편, 이 같은 구성의 태양전지에 레이저는 빛을 받는 수광면의 반대면(일 례로, 후면)에 레이저가 조사되는 것이 바람직하다. 레이저를 반도체 기판(110)에 조사하는 경우, 레이저에 의해 반도체 기판(110)의 표면이 용융되었다 식으면서 그루브(40)을 형성한다. 그런데, 이때 레이저의 높은 열로 인해 그루브(40) 형성 주변이 같이 열에너지를 받게 되고, 이 과정에서 안정화된 결합을 이루고 있던 결정들 사이의 결합이 깨지면서 재결합 사이트(recombination site)가 늘어나게 된다. 때문에, 레이저가 태양전지에 조사될 때, 반도체 기판(110)의 수광면보다는 반대면에 조사되는 것이 바람직하다.
이때, 이 태양전지의 후면은 제1 도전형 영역(170)과 제2 도전형 영역(120)을 포함하도록 구성되며, 제1 도전형 영역(170)은 반도체 기판(110)과 pn 접합을 형성하므로, 레이저는 바람직하게 pn 접합을 이루는 영역을 벗어나 조사되는 것이 바람직하다. 주지하는 바처럼, 태양전지는 반도체 기판과 에미터 사이의 pn 접합에 의해 전기를 생산한다. 그런데, 에미터가 형성된 영역에 레이저가 조사되면, 레이저에 의해 pn 접합 영역이 손상되므로 태양 전지의 발전 효율이 떨어질 수 밖에 없다.
본 발명에서는 이러한 점들을 고려해서, 레이저는 에미터가 형성된 영역을 벗어나 조사되는 것이 바람직하다. 일 례로, 제1 도전형 영역(170)이 에미터를 이루고, 제2 도전형 영역(120)이 후면 전계부를 형성한다면, 레이저는 수광면의 반대면인 후면으로 조사되나, 에미터가 형성된 영역을 벗어나도록 제2 도전형 영역(120)에 형성된 영역으로 조사될 수 있다. 이때, 레이저는 전극(140)의 길이 방향을 따라 조사될 수가 있는데, 이처럼 제2 도전형 영역(120)에 조사되는 경우에 전극(140)의 길이 방향이 레이저의 스캔 방향에 해당해, 레이저는 금속의 전극을 가로지르도록 형성되지 않아, 전극의 간섭없이 태양전지에 그루브를 형성하는 이점이 있다.
도 11은 본 발명의 제조 방법이 적용될 수 있는 다른 형태의 태양전지를 보여준다. 이 실시예의 태양전지는 상술한 태양전지가 태양전지의 후면을 통해 입사되는 백컨택(back contact) 구조라면, 이 실시예의 태양전지는 전면과 후면으로 입사되는 빛을 모두 수광할 수 있는 양면 수광형 태양전지로 구성될 수 있다.
태양 전지(1000)는, 반도체 기판(1200)과, 반도체 기판(1200)에 또는 위에 형성되는 도전형 영역(2000, 3000)과, 도전형 영역(2000, 3000)에 연결되는 전극(4200, 4400)을 포함해 구성될 수 있다.
일 예로, 도전형 영역(2000, 3000)은 서로 다른 도전형을 가지는 제1 도전형 영역(2000)과 제2 도전형 영역(3000)을 포함할 수 있고, 전극(4200, 4400)은 제1 도전형 영역(2000)에 연결되는 제1 전극(4200)과 제2 도전형 영역(3000)에 연결되는 제2 전극(4400)을 포함할 수 있다.
반도체 기판(1200)은 제1 또는 제2 도전형 도펀트를 상대적으로 낮은 도핑 농도로 포함하며, 결정형, 일 예로 단결정 실리콘 또는 다결정 실리콘 기판 중 어느 하나일 수 있다. 이때, 반도체 기판(1200)의 전면 및 후면 중 적어도 하나에는 반사를 최소화할 수 있도록 피라미드 등의 형태의 요철을 가지는 텍스쳐링(texturing) 구조 또는 반사 방지 구조가 구비될 수 있다. 도면에서는 양면 수광형 태양전지에 맞춰 전면 및 후면에 모두 요철이 형성된 경우를 예시한다.
도전형 영역(2000, 3000)은, 반도체 기판(1200)의 일면(일 예로, 전면 또는 후면) 쪽에 위치하며 제1 도전형을 가지는 제1 도전형 영역(2000)과, 반도체 기판(1200)의 다른 일면(일 예로, 타면) 쪽에 위치하며 제2 도전형을 가지는 제2 도전형 영역(3000)을 포함할 수 있다. 도전형 영역(2000, 3000)은 반도체 기판과 다른 도전형을 가지거나, 반도체 기판(1200)보다 높은 도핑 농도를 가질 수 있다.
바람직한 한 형태에서, 에미터로 기능하는 제1 도전형 영역(2000)은 반도체 기판(12)의 일부로 구성되는 도핑 영역으로 구성되어, 반도체 기판(1200)과의 접합 특성을 향상할 수 있다.
그리고, 후면전계부로 기능하는 제2 도전형 영역(3000)은 반도체 기판(1200)의 위에서 반도체 기판(1200)과 별개로 형성되는 반도체층으로 구성되는 것이 바람직하다. 여기서, 이 반도체층(3000)은 상술한 바와 같이 레이저가 조사될 때 흡수층으로 기능하기 위해 반도체 기판(1200)보다는 흡수 계수가 높은 물질, 일 례로, 반도체 기판(1200)이 단결정 실리콘으로 구성될 때, 제2 도전형 영역(3000)은 다결정 실리콘으로 구성될 수가 있다.
또한, 이 제2 도전형 영역(3000)의 두께는 조사되는 레이저에 기반해 532 레이저라면 반도체층(3000)의 두께는 180(nm) 이상이고, 1024 레이저라면 반도체(3000)의 두께는 600(nm)이상일 수가 있다.
그리고 반도체 기판(12)의 전면 위(좀더 정확하게는, 반도체 기판(12)의 전면에 형성된 제1 도전형 영역(20) 위)에 제1 절연막인 제1 패시베이션층(22) 및/또는 반사 방지층(24)이 위치(일 예로, 접촉)할 수 있다. 그리고 반도체 기판(12)의 후면 위(좀더 정확하게는, 반도체 기판(12)의 후면에 형성된 제2 도전형 영역(30) 위)에 제2 절연막인 제2 패시베이션층(32)이 위치(일 예로, 접촉)할 수 있다. 제1 패시베이션층(22), 반사 방지층(24) 및 제2 패시베이션층(32)은 다양한 절연 물질로 형성될 수 있다. 일례로, 제1 패시베이션층(22), 반사 방지층(24) 또는 제2 패시베이션층(32)은 실리콘 질화막, 수소를 포함한 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 산화 질화막, 알루미늄 산화막, 실리콘 탄화막, MgF2, ZnS, TiO2 및 CeO2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 단일막 또는 2개 이상의 막이 조합된 다층막 구조를 가질 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 반도체 기판(1200)과 반도체층(3000) 사이로는 터널링 효과를 위해 제어 패시베이션층(3100)이 더 형성될 수 있다. 제어 패시베이션층(3100)은 반도체 기판(1200)에서 생성된 캐리어를 통과시키며, 반도체 기판(1200)의 후면에 대한 패시베이션 기능을 수행할 수 있다. 이를 위해, 제어 패시베이션층(3100)의 두께는 0.5nm ~ 2nm 사이로 형성될 수 있다.
이와 같은, 제어 패시베이션층(1300)은 SiCx 또는 SiOx로 형성되는 유전체 재질로 형성될 수 있다.
제1 전극(42)은 제1 절연막을 관통하는 개구부를 통하여 제1 도전형 영역(20)에 전기적으로 연결되고, 제2 전극(44)은 제2 절연막을 관통하는 개구부를 통하여 제2 도전형 영역(30)에 전기적으로 연결된다. 제1 및 제2 전극(42, 44)은 다양한 전도성 물질(일 예로, 금속)으로 구성되며 다양한 형상을 가질 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

Claims (13)

  1. 반도체 기판과, 상기 반도체 기판보다 높은 흡수 계수를 갖는 반도체층이 상기 반도체 기판의 적어도 어느 한 면에 형성된 태양전지에서 상기 반도체층이 레이저를 향하도록 위치하는 단계;
    상기 반도체층을 향해 레이저를 조사해 상기 태양전지에 그루브(groove)를 형성하는 단계; 그리고,
    상기 그루브를 따라 상기 태양전지를 복수 개로 분할하는 단계;
    를 포함하는 태양전지의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 그루브는 상기 반도체층을 통과해 상기 반도체 기판의 일부에까지 형성되는 태양전지의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 그루브의 깊이는 상기 반도체 기판의 두께 대비 30 ~ 70(%)인 태양전지의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 그루브는 상기 태양전지를 2분할하도록 상기 태양전지의 중심 선을 따라 형성된 태양전지의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 그루브는 상기 태양전지를 3분할 이상하도록 상기 태양전지에 복수 개 형성된 태양전지의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 레이저의 파장이 1024(nm)일 때, 상기 반도체층의 두께는 600(nm) 이상인 태양전지의 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 레이저의 파장이 532(nm)일 때, 상기 반도체층의 두께는 180(nm) 이상인 태양전지의 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 반도체층은 다결정 실리콘이고, 상기 반도체 기판은 단결정 실리콘인 태양전지의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 반도체층은 상기 반도체 기판의 후면에 형성된 태양전지의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 반도체층은 상기 반도체 기판의 극성과 반대인 제1 도전형 도펀트가 포함된 제1 도전형 영역과 상기 반도체 기판과 동일한 극성의 제2 도전형 도펀트가 포함된 제2 도전형 영역을 포함하는 태양전지의 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 그루브는 상기 제2 도전형 영역에 형성된 태양전지의 제조 방법.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 반도체층은 상기 반도체 기판의 극성과 반대인 제1 도전형 도펀트를 포함하는 태양전지의 제조 방법.
  13. 제10항 또는 제12항에 있어서,
    상기 반도체층과 상기 반도체 기판 사이로 제어 패시베이션층이 더 형성된 태양전지의 제조 방법.
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