WO2021065504A1 - 導電フィルムおよびその製造方法、ならびに温度センサフィルムおよびその製造方法 - Google Patents

導電フィルムおよびその製造方法、ならびに温度センサフィルムおよびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2021065504A1
WO2021065504A1 PCT/JP2020/035027 JP2020035027W WO2021065504A1 WO 2021065504 A1 WO2021065504 A1 WO 2021065504A1 JP 2020035027 W JP2020035027 W JP 2020035027W WO 2021065504 A1 WO2021065504 A1 WO 2021065504A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
thin film
film
metal thin
temperature sensor
resistance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2020/035027
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
智史 安井
一裕 中島
幸大 宮本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Priority to CN202080068969.6A priority Critical patent/CN114556064A/zh
Priority to KR1020227014208A priority patent/KR102954678B1/ko
Priority to US17/765,070 priority patent/US12135247B2/en
Priority to EP20870680.4A priority patent/EP4040126B1/en
Publication of WO2021065504A1 publication Critical patent/WO2021065504A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G01K7/18—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer
    • G01K7/183—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer characterised by the use of the resistive element
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C14/027—Graded interfaces
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/20—Metallic material, boron or silicon on organic substrates
    • C23C14/205—Metallic material, boron or silicon on organic substrates by cathodic sputtering
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G01K7/18—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G01K2007/163—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements provided with specially adapted connectors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K2217/00—Temperature measurement using electric or magnetic components already present in the system to be measured

Definitions

  • the present invention relates to a temperature sensor film having a metal thin film patterned on a film substrate, and a conductive film used for producing the temperature sensor film.
  • thermocouple or a chip thermistor is generally used.
  • thermocouple or chip thermistor is generally used.
  • in order to measure the in-plane temperature distribution it is necessary to arrange a large number of sensors on the substrate, which causes an increase in cost.
  • Patent Document 1 discloses a temperature sensor film in which a metal thin film is provided on a flexible film base material, the metal thin film is patterned, and the lead portion 11 and the resistance temperature measuring resistance portion 12 are patterned. (See FIG. 2). By patterning the metal thin film in this way, it is not necessary to connect the individual temperature measurement sensors with wiring, so that the productivity of the device provided with the temperature sensor can be improved. Further, since a flexible substrate is used, there is an advantage that it is easy to make the device flexible and to cope with a large area.
  • the temperature sensor film can be formed by patterning the conductive film provided with the metal thin film on the flexible substrate.
  • the film after patterning the metal thin film has undulations in and around the patterning region, which makes handling difficult, and when the protective film is bonded to the surface of the temperature sensor film, air bubbles are generated at the bonding interface. There is a concern that the film may be mixed.
  • an object of the present invention is to provide a temperature sensor film having a small waviness after patterning a metal thin film, and a conductive film for forming the temperature sensor film.
  • the conductive film for a temperature sensor includes a metal thin film on the first main surface of a flexible substrate containing a resin film.
  • the thickness of the flexible substrate is 1 mm or less.
  • the flexible substrate may have a hard coat layer on the first main surface of the resin film.
  • the flexible substrate may include a base layer in contact with the metal thin film.
  • the flexible substrate may have a hard coat layer on the first main surface of the resin film and a base layer on the hard coat layer.
  • the base layer preferably contains at least one silicon-based thin film, and the metal thin film is preferably in contact with the silicon-based thin film as the base layer.
  • the metal thin film may be a nickel-based thin film made of nickel or a nickel alloy.
  • the thickness of the metal thin film is preferably 60 to 200 nm.
  • the metal thin film is preferably formed by a sputtering method.
  • is preferably 0.10% or less.
  • the more the swell of the temperature sensor film after patterning the metal thin film tends to be suppressed.
  • a temperature sensor film can be formed by patterning a metal thin film of a conductive film.
  • the temperature sensor film includes a patterned metal thin film on one main surface of a flexible substrate, and the metal thin film is patterned on a resistance temperature measuring resistance portion and a lead portion.
  • the resistance temperature detector is provided in the part where the temperature is measured and is patterned into thin lines.
  • the lead portion is patterned with a line width larger than that of the resistance temperature detector, and one end of the lead portion is connected to the resistance temperature detector. The other end of the lead portion is connected to an external circuit or the like.
  • a connector may be connected to the lead portion and connected to an external circuit via the connector.
  • of the difference between the heating dimensional change rate H 1 of the conductive film and the heating dimensional change rate H 2 of the film from which the metal thin film is removed from the conductive film is small.
  • the waviness of the temperature sensor film tends to be suppressed. Therefore, the handleability of the temperature sensor film is improved.
  • the protective film is bonded to the surface of the temperature sensor film, it is possible to suppress the mixing of air bubbles at the bonding interface.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a laminated configuration of a conductive film used for forming a temperature sensor film.
  • the conductive film 101 includes a metal thin film 10 on one main surface of the flexible substrate 40.
  • the flexible substrate 40 includes the resin film base material 50, and the base layer 20 may be provided on the metal thin film forming surface side of the resin film base material 50.
  • the resin film base material 50 may be provided with a hard coat layer 6 on the surface of the resin film 5.
  • a temperature sensor film is formed by patterning the metal thin film 10 of the conductive film 101. As shown in FIG. 2, the metal thin film is patterned so as to have a lead portion 11 formed in a wiring shape and a resistance temperature measuring resistance portion 12 connected to one end of the lead portion 11. The other end of the lead portion 11 is connected to the connector 19.
  • the patterning method of the metal thin film is not particularly limited, and either wet etching or dry etching may be used.
  • the patterning method of the lead portion 11 and the patterning method of the resistance temperature measuring resistor portion 12 may be different.
  • the resistance temperature detector 12 is a region that acts as a temperature sensor, and the temperature is measured by applying a voltage to the resistance temperature detector 12 via the lead portion 11 and calculating the temperature from the resistance value.
  • a plurality of resistance temperature detectors in the plane of the temperature sensor film 110, it is possible to measure the temperature at a plurality of locations at the same time. For example, in the form shown in FIG. 2, temperature measuring resistance portions 12 are provided at five locations in the plane.
  • FIG. 3A is an enlarged view of the vicinity of the resistance temperature detector in the 2-wire temperature sensor.
  • the resistance temperature detector 12 is formed by sensor wirings 122 and 123 in which a metal thin film is patterned in a fine line shape.
  • the sensor wiring has a zigzag pattern in which a plurality of vertical electrodes 122 are connected at their ends via horizontal wiring 123 to form a hairpin-shaped bent portion.
  • the area of the resistance temperature detector 12 can be small and the length of the sensor wiring (the line length from one end 121a to the other end 121b) can be increased.
  • the pattern shape of the sensor wiring of the temperature measuring unit is not limited to the shape shown in FIG. 3, and may be a spiral pattern shape or the like.
  • the line width of the sensor wiring 122 (vertical wiring) and the distance (space width) between adjacent wirings may be set according to the patterning accuracy of photolithography, laser processing, or the like.
  • the line width and space width are generally about 1 to 150 ⁇ m.
  • the line width is preferably 3 ⁇ m or more, and preferably 5 ⁇ m or more.
  • the line width is preferably 100 ⁇ m or less, more preferably 70 ⁇ m or less.
  • the space width is preferably 3 to 100 ⁇ m, more preferably 5 to 70 ⁇ m.
  • Both ends 121a and 121b of the sensor wiring of the resistance temperature detector 12 are connected to one ends of the lead wirings 11a and 11b, respectively.
  • the two reed wirings 11a and 11b are formed in an elongated pattern with a slight gap between them, and the other end of the reed wiring is connected to the connector 19.
  • the lead wiring is formed wider than the sensor wiring of the resistance temperature detector 12 in order to secure a sufficient current capacity.
  • the width of the lead wirings 11a and 11b is, for example, about 0.5 to 10 mm.
  • the line width of the lead wiring is preferably 3 times or more, more preferably 5 times or more, still more preferably 10 times or more the line width of the sensor wiring 122 of the resistance temperature measuring resistor unit 12.
  • the connector 19 is provided with a plurality of terminals, and the plurality of reed wirings are connected to different terminals.
  • the connector 19 is connected to an external circuit, and by applying a voltage between the lead wiring 11a and the lead wiring 11b, a current flows through the lead wiring 11a, the resistance temperature detector 12 and the lead wiring 11b.
  • the resistance value is calculated from the current value when a predetermined voltage is applied or the applied voltage when the voltage is applied so that the current becomes a predetermined value.
  • the temperature is calculated from the resistance value based on the relational expression between the obtained resistance value and the temperature obtained in advance, or a table or the like in which the relationship between the resistance value and the temperature is recorded.
  • the pattern shape of the metal thin film is not particularly limited as long as a current can be passed through the resistance temperature detector 12 via the lead portion 11 and the resistance value in the resistance temperature detector can be read.
  • the lead portion may be a 4-wire system.
  • the pattern shape of the resistance temperature detector 12 is the same as that in FIG. 3A.
  • four lead wires 11a1, 11a2, 11b1, 11b2 are connected to one resistance temperature detector 12.
  • the lead wirings 11a1 and 11b1 are voltage measurement leads, and the lead wirings 11a2 and 11b2 are current measurement leads.
  • the voltage measurement lead 11a1 and the current measurement lead 11a2 are connected to one end 121a of the sensor wiring of the temperature measurement resistance unit 12, and the voltage measurement lead 11b1 and the current measurement lead 11b2 are the sensors of the temperature measurement resistance unit 12. It is connected to the other end 121b of the wiring.
  • the resistance value of only the resistance temperature detector 12 can be measured by excluding the resistance of the lead portion, so that the measurement with less error is possible.
  • a 3-wire system may be adopted.
  • the metal thin film 110 shown in FIG. 2 the metal thin film is removed in the region 14 other than the lead portion 11 and the temperature measurement resistance portion 12, and the flexible substrate 40 is exposed, but the measurement is performed through the lead portion 11.
  • a metal thin film may be provided in a region other than the lead portion 11 and the resistance temperature measuring resistance portion 12 as long as the resistance value in the temperature resistance portion 12 can be read. Specifically, if the pattern is made so as not to conduct with the lead portion 11 and the resistance temperature measuring resistance portion 12, the metal thin film 10 in the region other than the lead portion 11 and the resistance temperature measuring resistance portion 12 may be left without being removed. Good (see FIGS. 6 and 7 and Patent Document 1 above).
  • ⁇ Waviness of temperature sensor film> 4 and 5 are cross-sectional views of the temperature sensor film 110 in the vicinity of the lead portion 11 and the vicinity of the resistance temperature measuring resistance portion 12, respectively. As described above, in the temperature sensor film 110 shown in FIG. 2, the metal thin film 10 remains in the lead portion 11 and the resistance temperature measuring resistance portion 12, and the metal thin film 10 can be removed in the other regions 14. The flexible substrate 40 is exposed.
  • FIG. 6 and 7 are cross-sectional views of a temperature sensor film having a remaining portion of the metal thin film 10 in addition to the lead portion and the resistance temperature measuring resistance portion
  • FIG. 6 is a cross-sectional view in the vicinity of the lead portion 11
  • FIG. 7 is a temperature measuring resistance. It is sectional drawing in the vicinity of part 12.
  • the residual piece 15c of the metal thin film exists in the region sandwiched between the lead wiring 11a and the lead wiring 11b, and the lead wiring 11a and the residual piece 15c are the region 16a in which the metal film is removed in a groove shape.
  • the lead wiring 11b and the residual piece 15c are separated by a region 16b from which the metal film has been removed in a groove shape.
  • a residual portion 15 of the metal thin film is also present on the outside of the lead portion, and the metal thin film in the residual portion is separated from the lead portion by a region 16 in which the metal film is removed in a groove shape.
  • the metal thin film removing region 16 exists so as to surround the resistance temperature measuring resistance portion 12, and the metal thin film remains without being removed in the metal thin film remaining region 15 on the outer periphery thereof.
  • the regions where the metal thin film is provided on the flexible substrate 40 are provided wirings 11a and 11b, the sensor wiring (longitudinal wiring) 122 of the resistance temperature detector 12), and these are There are regions 15) where the metal thin film remains electrically separated, and regions 14 and 16 where the metal thin film is removed and the flexible substrate 40 is exposed.
  • a step is formed along the boundary between the lead wirings 11a and 11b and the flexible substrate exposed regions 14 and 16, and the lead wirings 11a and 11b (and the residual piece 15c) are convex or convex. It becomes a recess and has a wavy shape along a direction orthogonal to the extending direction of the lead wiring.
  • a step is generated along the outer circumference of the resistance temperature detector 12, and a swell is generated in which the resistance temperature detector is convex or concave (see Comparative Example 5 in FIG. 8).
  • the rate of change in heating dimensions between the region where the metal thin film is provided and the region where the metal thin film is not provided was the cause of the swell. That is, the heating dimensional change rate H 1 in the region where the metal thin film 10 is provided on the flexible substrate 40 and the heating dimensional change rate H 2 in the region where the metal thin film is removed and the flexible substrate 40 is exposed. Is one of the factors that cause waviness, and when the absolute value of the difference between H 1 and H 2
  • the heating dimension change rate (%) is defined as 100 ⁇ (LL 0 ) / L 0 using the distance L 0 between two points before heating and the distance L between two points after heating.
  • the "heating dimensional change rate” represents the dimensional change rate in a predetermined direction before and after heating when heated at 150 ° C. for 25 minutes, unless otherwise specified.
  • the sign of the heating dimension change rate is positive, it indicates expansion, and when it is negative, it indicates contraction. If it is H 2 -H 1> 0 is a region where the metal thin film is provided, it means that the size after heating as compared to a region where the metal thin film has been removed is small (likely to thermal contraction).
  • H 2 -H 1> 0 tends to swell the film occurs as recess a region where the metal thin film is provided, the metal thin film is removed regions a convex portion. If it is H 2 -H 1 ⁇ 0 tends to swell the film occurs as the convex portion area where the metal thin film is provided, a region where the metal thin film is removed becomes concave. If it is H 2 -H 1> 0, to heat shrinkage of the metal thin film is larger than the heat shrinkage of the flexible substrate is considered that the thermal shrinkage of the area where the metal thin film is provided is increased.
  • the temperature sensor film in which the metal thin film is patterned has wavy waviness so that the metal thin film side of the region where the metal thin film is provided is inside (concave).
  • the waviness of the film after patterning the metal thin film is small or no waviness occurs, it is excellent in handleability and contributes to the improvement of the productivity and yield of the temperature sensor element. Further, when the protective film is attached to the surface of the temperature sensor film, problems such as air bubbles entering the bonding interface can be suppressed.
  • is preferably 0.10% or less, more preferably 0.07% or less, still more preferably 0.05% or less. Since the smaller the
  • the difference in the heating dimensional change rate in any one direction may be within the above range.
  • the difference in the rate of change in heating dimension in the patterning direction is within the above range.
  • the difference in the rate of change in heating dimensions in all directions is within the above range.
  • the residual stress at the film formation interface when the metal thin film 10 is formed on the flexible substrate 40 is reduced, and the flexible substrate 40 and / or the metal is used.
  • Examples thereof include a method of reducing the external action that causes a change in the heating dimension of the thin film 10. Also, the larger the thickness of the metal thin film, it tends to H 2 -H 1 increases.
  • the flexible substrate 40 includes a resin film base material 50.
  • the resin film base material 50 may be transparent or opaque.
  • the resin film base material 50 may be made of only a resin film, or may have a hard coat layer (cured resin layer) 6 on the surface of the resin film 5 as shown in FIG.
  • the thickness of the resin film base material 50 may be 1 mm or less. From the viewpoint of achieving both strength and flexibility, the thickness of the resin film base material 50 is generally about 2 to 500 ⁇ m, preferably about 20 to 300 ⁇ m.
  • An easy-adhesive layer, an antistatic layer, and the like are provided on the surface of the resin film base material 50 (when the hard coat layer 6 is provided, the surface of the resin film 5 and / or the surface of the hard coat layer 6). You may be.
  • the surface of the resin film base material 50 may be subjected to treatments such as corona discharge treatment, ultraviolet irradiation treatment, plasma treatment, and sputtering etching treatment for the purpose of improving the adhesion to the base layer 20 and the like.
  • the resin material of the resin film 5 examples include polyester such as polyethylene terephthalate, polyimide, polyolefin, cyclic polyolefin such as norbornene, polycarbonate, polyether sulfone, polyarylate and the like. Polyimide or polyester is preferable from the viewpoints of heat resistance, dimensional stability, electrical properties, mechanical properties, chemical resistance properties, and the like.
  • the thickness of the resin film 5 is not particularly limited, but is generally about 2 to 500 ⁇ m, preferably about 20 to 300 ⁇ m.
  • the hard coat layer 6 By providing the hard coat layer 6 on the surface of the resin film 5, the hardness of the conductive film is improved and the scratch resistance is enhanced.
  • the hard coat layer 6 can be formed, for example, by applying a solution containing a curable resin onto the resin film 5.
  • the curable resin examples include thermosetting resins, ultraviolet curable resins, and electron beam curable resins.
  • the curable resin examples include various resins such as polyester-based, acrylic-based, urethane-based, acrylic-urethane-based, amide-based, silicone-based, silicate-based, epoxy-based, melamine-based, oxetane-based, and acrylic urethane-based.
  • acrylic resins, acrylic urethane resins, and epoxy resins are preferable because they have high hardness, can be cured by ultraviolet rays, and have excellent productivity.
  • an acrylic resin and an acrylic urethane resin are preferable because they have high adhesion to the chromium oxide thin film contained in the base layer.
  • the UV curable resin includes UV curable monomers, oligomers, polymers and the like. Examples of the ultraviolet curable resin preferably used include those having an ultraviolet polymerizable functional group, and among them, those containing an acrylic monomer or oligomer having 2 or more, particularly 3 to 6 of the functional groups as a component.
  • the hard coat layer 6 may contain fine particles.
  • the fine particles include various metal oxide fine particles such as silica, alumina, titania, zirconia, calcium oxide, tin oxide, indium oxide, cadmium oxide, and antimony oxide, glass fine particles, polymethylmethacrylate, polystyrene, polyurethane, and acrylic-styrene common weight.
  • Crosslinked or uncrosslinked organic fine particles, silicone-based fine particles, etc. made of a polymer such as coalesced, benzoguanamine, melamine, or polycarbonate can be used without particular limitation.
  • the average particle size (average primary particle size) of the fine particles is preferably about 10 nm to 10 ⁇ m.
  • fine particles having an average particle size of about 0.5 ⁇ m to 10 ⁇ m, preferably about 0.8 ⁇ m to 5 ⁇ m, or an average particle size on the order of ⁇ m (hereinafter, may be referred to as “microparticles”) in the hard coat layer.
  • microparticles an average particle size on the order of ⁇ m (hereinafter, may be referred to as “microparticles”) in the hard coat layer.
  • Submicron or ⁇ m diameter protrusions are formed on the surface of the hard coat layer 6 (the surface of the resin film base material 50) and the surface of the thin film provided on the surface, and the slipperiness and blocking resistance of the conductive film are formed. , And tends to improve scratch resistance.
  • the hard coat layer contains fine particles (nanoparticles) having an average particle size of about 10 nm to 100 nm, preferably about 20 nm to 80 nm, so that the surface of the hard coat layer 6 (the surface of the resin film base material 50) is fine. The unevenness is formed, and the adhesion between the hard coat layer 6 and the base layer 20 and the metal thin film 10 tends to be improved.
  • the solution for forming the hard coat layer contains an ultraviolet polymerization initiator.
  • the solution may contain additives such as a leveling agent, a thixotropy agent, and an antistatic agent.
  • the thickness of the hard coat layer 6 is not particularly limited, but in order to achieve high hardness, 0.5 ⁇ m or more is preferable, 0.8 ⁇ m or more is more preferable, and 1 ⁇ m or more is further preferable. Considering the ease of formation by coating, the thickness of the hard coat layer is preferably 15 ⁇ m or less, more preferably 10 ⁇ m or less.
  • the flexible substrate 40 may include a base layer 20 on the resin film base material 50.
  • the base layer 20 may be a single layer, or may be a laminated structure of two or more thin films 21 and 22 as shown in FIG.
  • the base layer 20 may be an organic layer or an inorganic layer, or may be a laminate of an organic layer and an inorganic layer, but at least one layer is preferably an inorganic thin film, and in particular, a thin film 22 provided directly under the metal thin film 10. Is preferably an inorganic thin film.
  • the inorganic thin film as the base layer 20
  • the mixing of organic gas from the resin film base material 50 into the metal thin film 10 is suppressed, and the temperature coefficient of resistance (TCR) of the metal thin film 10 is suppressed.
  • TCR temperature coefficient of resistance
  • tends to decrease.
  • One of the estimation factors that reduces the difference in the rate of change in heating dimensions by providing the base layer is the stress relaxation effect of the base layer.
  • the formation of an amorphous base layer on the resin film base material is expected to have the effect of alleviating the stress caused by the mismatch of the lattice spacing of the metal thin film.
  • the fact that the base layer on the resin film base material acts as a barrier layer is also considered to be one of the factors that reduce the difference in the rate of change in heating dimensions.
  • the base layer By acting as a barrier layer, the base layer suppresses the mixing of impurities such as water and organic substances from the resin film base material into the metal thin film. Therefore, a metal thin film having few lattice defects is likely to be formed, and the dimensional change of the metal thin film due to the rearrangement of atoms during heating is unlikely to occur. Therefore, it is considered that the difference in the heating dimensional change rate depending on the presence or absence of the metal thin film is small.
  • the base layer 20 may be conductive or insulating.
  • the thin film 22 arranged directly under the metal thin film 10 is a conductive inorganic material (inorganic conductor)
  • the thin film 21 (or the entire base layer 20) can be patterned together with the metal thin film 10 when the temperature sensor film is produced. Good.
  • the thin film 21 is an insulating inorganic material (inorganic dielectric)
  • the thin film 21 may or may not be patterned.
  • Inorganic materials include Si, Ge, Sn, Pb, Al, Ga, In, Tl, As, Sb, Bi, Se, Te, Mg, Ca, Sr, Ba, Sc, Y, Ti, Zr, Hf, V. , Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Tc, Re, Fe, Ru, Os, Ni, Co, Rh, Ir, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd and other metal elements or metalloids.
  • Examples include metal elements and alloys, nitrides, oxides, carbides, nitrogen oxides and the like thereof.
  • the underlayer As a material for the underlayer, it has excellent adhesion to both the organic material constituting the hard coat layer 6 and the metal material such as nickel constituting the metal thin film 10, and has a high effect of suppressing impurities from being mixed into the metal thin film. Silicon-based materials or chromium oxide are preferred.
  • silicon-based materials include silicon and silicon compounds such as silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, and silicon carbide. Of these, silicon or silicon oxide is preferable because it has excellent adhesion to the hard coat layer and the metal thin film and has an excellent effect of improving bending resistance. From the viewpoint of ensuring insulation between the wirings when the metal thin film 10 is patterned, the layer 22 immediately below the metal thin film 10 is preferably an inorganic dielectric thin film such as silicon oxide.
  • Silicon oxide may have a stoichiometric composition (SiO 2 ) or a non-stoichiometric composition (SiO x ; x ⁇ 2).
  • the silicon oxide (SiO x ) having a non-stoichiometric composition preferably has 1.2 ⁇ x ⁇ 2.
  • the silicon oxide thin film 22 may be formed on the silicon thin film 21. Further, a silicon oxide thin film may be formed on the inorganic thin film 21 made of various metals, conductive oxides, ceramics and the like.
  • the thickness of the base layer 20 and the thickness of the thin film constituting the base layer 20 are not particularly limited. From the viewpoint of suppressing the waviness of the film after patterning the metal thin film by the base effect on the metal thin film 10, the effect of reducing plasma damage to the resin film base material at the time of forming the metal thin film and the effect of blocking outgas from the resin film base material can be obtained. From the viewpoint of increasing, the thickness of the base layer 20 is preferably 1 nm or more, more preferably 3 nm or more, still more preferably 5 nm or more. From the viewpoint of improving productivity and reducing material cost, the thickness of the base layer is preferably 200 nm or less, more preferably 100 nm or less, still more preferably 50 nm or less.
  • the method of forming the base layer 20 is not particularly limited, and either dry coating or wet coating can be adopted depending on the material.
  • the metal thin film 10 is formed by the sputtering method, it is preferable that the base layer 20 is also formed by the sputtering method from the viewpoint of productivity.
  • the target When forming the base layer by the sputtering method, the target may be selected according to the material of the base layer. For example, when forming a silicon thin film, a silicon target is used. A silicon oxide target may be used for forming the silicon oxide thin film, or silicon oxide may be formed by reactive sputtering using the silicon target. In the reactive sputtering, it is preferable to adjust the amount of oxygen so as to be an intermediate transition region between the metal region and the oxide region.
  • the metal thin film 10 provided on the flexible substrate 40 plays a central role in temperature measurement in the temperature sensor. As described above, the temperature sensor film is formed by patterning the metal thin film 10.
  • metal materials constituting the metal thin film 10 include copper, silver, aluminum, gold, rhodium, tungsten, molybdenum, zinc, tin, cobalt, indium, nickel, iron, platinum, palladium, tin, antimony, bismuth, and magnesium. , And alloys of these.
  • nickel, copper, or an alloy containing these as a main component is preferable because of its low resistance, high TCR, and inexpensive material, and nickel or nickel is mainly used.
  • a nickel alloy as a component is preferable.
  • the thickness of the metal thin film 10 is not particularly limited, but is preferably 20 nm or more from the viewpoint of reducing resistance (particularly, from the viewpoint of reducing the resistance of the lead portion), and preferably 500 nm or less from the viewpoint of improving patterning accuracy and the like.
  • the thickness of the metal thin film 10 is small, tends to H 2 -H 1 for heat shrinkage of the metal thin film is small is reduced, H 2 -H 1 ⁇ 0, and the after patterning the metal thin film, a metal thin film There is a tendency for waviness to occur in which the provided area is convex.
  • the thickness of the metal thin film 10 is preferably 60 to 200 nm, more preferably 70 to 180 nm.
  • the specific resistance at a temperature of 25 ° C. is preferably 1.6 ⁇ 10 -5 ⁇ ⁇ cm or less, more preferably 1.5 ⁇ 10 -5 ⁇ ⁇ cm or less. ..
  • the TCR of the metal thin film 10 is preferably 3000 ppm / ° C. or higher, more preferably 3400 ppm / ° C. or higher, further preferably 3600 ppm / ° C. or higher, and particularly preferably 3800 ppm / ° C. or higher.
  • TCR is the rate of change of resistance with respect to temperature rise. Metals such as nickel and copper have the property (positive property) that the resistance linearly increases as the temperature rises.
  • the larger the TCR the larger the change in resistance to temperature changes, and the higher the temperature measurement accuracy in the temperature sensor film. Therefore, the larger the TCR of the metal thin film is, the more preferable it is, but it is difficult to make the TCR larger than that of the bulk metal, and the TCR of the metal thin film is generally 6000 ppm / ° C. or less.
  • the method for forming the metal thin film is not particularly limited, and for example, a deposition method such as a sputtering method, a vacuum vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, a chemical vapor deposition method (CVD), a chemical solution deposition method (CBD), or a plating method can be used. Can be adopted. Among these, the sputtering method is preferable because a thin film having excellent film thickness uniformity can be formed. The productivity of the conductive film is enhanced by forming a film while continuously moving a long resin film base material in the longitudinal direction using a roll-to-roll sputtering apparatus.
  • the inside of the sputtering apparatus is exhausted before the start of sputtering film formation, and the organic gas generated from the film substrate is exhausted. It is preferable to create an atmosphere in which impurities such as the above are removed. By removing the gas in the apparatus and the film base material in advance, the amount of water, organic gas, or the like mixed in the metal thin film 10 can be reduced.
  • the degree of vacuum (reached vacuum degree) in the sputtering apparatus before the start of sputtering film formation is, for example, 1 ⁇ 10 -1 Pa or less, preferably 5 ⁇ 10 -2 Pa or less, and more preferably 1 ⁇ 10 -2 Pa or less. preferable.
  • a metal target is used for sputter film formation of a metal thin film, and film formation is performed while introducing an inert gas such as argon.
  • an inert gas such as argon.
  • a metal Ni target is used when forming a nickel thin film as the metal thin film 10.
  • Sputter film formation conditions are not particularly limited.
  • the base layer 20 on the resin film base material 50 and forming the metal thin film 10 on the base layer 20 plasma damage to the resin film base material 50 at the time of forming the metal thin film 10 can be suppressed.
  • the base layer 20 it is possible to block water, organic gas, etc. generated from the resin film base material 50, and suppress mixing of water, organic gas, etc. into the metal thin film 10.
  • the substrate temperature in the sputter film formation of the metal thin film is preferably 200 ° C. or lower, more preferably 180 ° C. or lower, and even more preferably 170 ° C. or lower.
  • the substrate temperature is preferably ⁇ 30 ° C. or higher.
  • the discharge power density is preferably 1 ⁇ 15W / cm 2, more preferably 1.5 ⁇ 10W / cm 2.
  • the temperature sensor film can be produced by patterning the metal thin film 10 of the conductive film.
  • the patterning method of the metal thin film is not particularly limited. Since patterning is easy and the accuracy is high, it is preferable to perform patterning by a photolithography method or laser processing. In photolithography, an etching resist corresponding to the shapes of the lead portion and the temperature measuring resistance portion is formed on the surface of the metal thin film, and the metal thin film in the region where the etching resist is not formed is removed by wet etching and then etched. Peel off the resist.
  • the patterning of the metal thin film can also be performed by dry etching such as laser processing.
  • the conductive film of the present invention As described above, the conductive film of the present invention, the dimensional change rate upon heating H 1 of the conductive film before patterning the metal thin film, a conductive film of the difference between the dimensional change rate upon heating of H 2 film has been removed a metal thin film
  • the absolute value is small. Therefore, the temperature sensor film after patterning the metal thin film, the dimensional change rate upon heating h 1 of the region the metal thin film is provided, the difference in heat dimension change rate h 2 regions metal thin film is not provided h 2
  • the absolute value of -h 1 also becomes smaller. Therefore, even if the etchant is heated at the time of drying after washing with water, the generation of swell due to the difference in the heating dimensional change is suppressed.
  • is preferably 0.10% or less, more preferably 0.07% or less, still more preferably 0.05% or less. Since the smaller the
  • a plurality of lead portions and resistance temperature measuring resistance portions can be formed on the substrate surface.
  • a temperature sensor element can be obtained by connecting the connector 19 to the end of the lead portion 11 of the temperature sensor film.
  • lead portions are connected to a plurality of resistance temperature detectors, and the plurality of lead portions may be connected to one connector 19. Therefore, it is possible to easily form a temperature sensor element capable of measuring the temperature at a plurality of locations in the plane.
  • connection method between the lead portion of the temperature sensor film and the external circuit is not limited to the form via the connector.
  • a controller for applying a voltage to the lead portion to measure the resistance may be provided on the temperature sensor film.
  • the lead portion and the lead wiring from the external circuit may be connected by soldering or the like without using a connector.
  • the temperature sensor film has a simple structure in which a metal thin film is provided on a flexible substrate, and is excellent in productivity.
  • the handleability is excellent.
  • Example 1 ⁇ Preparation of film substrate with hard coat layer> Contains crosslinked polymethyl methacrylate particles having an average particle diameter of 1.5 ⁇ m (“Techpolymer SSX-101” manufactured by Sekisui Plastics Co., Ltd.) and an ultraviolet curable urethane acrylate resin (“Aika Aitron Z844-22HL” manufactured by Aika Kogyo Co., Ltd.). A coating composition using methyl isobutyl ketone as a solvent was prepared. The amount of particles in the composition was 0.2 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the solid content of the binder resin.
  • PET polyethylene terephthalate
  • ⁇ Formation of metal thin film> The roll of the film base material with the hard coat layer described above is set in the roll-to-roll sputtering apparatus, and after exhausting the inside of the sputtering apparatus until the ultimate vacuum reaches 5 ⁇ 10 -3 Pa, argon is introduced as a sputtering gas. Then, a nickel thin film having a thickness of 70 nm was formed on the hard coat layer forming surface by DC sputtering under the conditions of a substrate temperature of 40 ° C., a pressure of 0.25 Pa, and a power density of 5.0 W / cm 2.
  • Example 2 A conductive film having a nickel thin film on the hard coat layer was produced in the same manner as in Example 1 except that the substrate temperature at the time of forming the nickel thin film was changed to 80 ° C.
  • Example 3 A film substrate with a hard coat layer was prepared in the same manner as in Example 1, set in a roll-to-roll sputtering apparatus, and the inside of the sputtering apparatus was exhausted until the ultimate vacuum degree became 5 ⁇ 10 -3 Pa, and then the substrate temperature.
  • a silicon thin film having a thickness of 5 nm, a silicon oxide thin film having a thickness of 10 nm, and a nickel thin film having a thickness of 70 nm were sequentially formed on the hard coat layer forming surface by DC sputtering, and then formed on the hard coat layer underneath.
  • a conductive film provided with a nickel thin film was produced via a silicon thin film as a formation layer and a silicon oxide thin film.
  • a B-doped Si target was used to form the Si layer and the SiO 2 layer.
  • Argon was introduced as a sputtering gas into the Si layer, and a film was formed under the conditions of a pressure of 0.3 Pa and a power density of 1.0 W / cm 2.
  • the film was formed under the conditions.
  • the film forming conditions for the nickel thin film were the same as those in Example 1 except that the substrate temperature was changed to 150 ° C.
  • Example 4 A nickel thin film was formed on the hard coat layer via a silicon thin film as a base layer and a silicon oxide thin film in the same manner as in Example 3 except that the substrate temperature was changed to 80 ° C. and the film thickness of the nickel thin film was changed to 160 nm. A conductive film to be provided was produced.
  • Example 5 Conductivity in which a nickel thin film is provided on the hard coat layer via a chromium thin film as an underlayer and a silicon oxide thin film in the same manner as in Example 3 except that a metallic chromium thin film having a thickness of 5 nm is formed instead of the silicon thin film.
  • a film was made.
  • a metallic chromium target was used to form the chromium thin film, argon was introduced as a sputtering gas, and the film was formed under the conditions of a pressure of 0.25 Pa and a power density of 0.74 W / cm 2.
  • ITO indium tin oxide
  • Example 1 A conductive film having a nickel thin film on the hard coat layer via a silicon thin film as a base layer and a silicon oxide thin film was produced in the same manner as in Example 4 except that the thickness of the nickel thin film was changed to 50 nm.
  • Example 2 A conductive film having the nickel thin film on the hard coat layer was produced in the same manner as in Example 2 except that the thickness of the nickel thin film was changed to 220 nm.
  • Example 3 A conductive film having the nickel thin film on the hard coat layer was produced in the same manner as in Example 2 except that the thickness of the nickel thin film was changed to 260 nm.
  • a 100 mm ⁇ 100 mm square test piece was cut out from the conductive film and immersed in hydrochloric acid to remove the nickel thin film by etching. Thereafter, in the same manner as above was measured dimensional change rate upon heating of H 2 after 155 ° C. 25 minutes heating the MD and TD directions.
  • a 70 mm ⁇ 70 mm square test piece was cut out from the conductive film, and a polyimide tape having a width of 2 mm was attached to the surface of the nickel thin film in a striped manner at intervals of 2 mm.
  • This test piece was immersed in hydrochloric acid to remove the nickel thin film in the region where the polyimide tape was not attached by etching, washed with water by immersion in pure water, and then the polyimide tape was slowly peeled off. It was allowed to stand in a heating oven at 155 ° C. for 25 minutes and allowed to cool to room temperature.
  • the coherence scanning interferometer Zygo NewView 7300 was used to measure the three-dimensional surface shape under the following conditions, and the maximum value of the height difference between the peaks and valleys adjacent to the patterning direction was taken as the amount of undulation. If the part where the nickel thin film is provided is a recess (valley), the sign of the swell amount is positive, and if the part where the nickel thin film is provided is a recess (peak), the sign of the swell amount is positive. Was negative.
  • composition of the conductive films of Examples and Comparative Examples (the composition of the base layer, the thickness of the nickel thin film and the substrate temperature), the rate of change in heating dimensions in the MD direction, the amount of waviness when the MD direction is the patterning direction, and the heating in the TD direction.
  • Table 1 shows the dimensional change rate and the amount of waviness when the TD direction is the patterning direction.
  • FIG. 8 shows an observation image of a sample obtained by laser-patterning the conductive films of Example 4 and Comparative Example 2 under a fluorescent lamp.
  • the heating shrinkage in the MD direction tended to be larger than that in the TD direction. This is because the production of the resin film and the formation of the hard coat layer, the base layer and the metal thin film on the resin film are all carried out by the roll-to-roll process, and the film is stretched in the MD direction due to the tension during transportation. It is considered that the film tends to shrink in the MD direction when heated without applying tension.
  • Example 5 the reflected image of the fluorescent lamp is linear, whereas in Comparative Example 2, the reflected image of the fluorescent lamp is distorted around the patterning region, causing swelling. .. From these results, not only when the metal thin film is patterned by wet etching, but also when the metal thin film is patterned by a dry process such as laser processing , the smaller

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Surface Heating Bodies (AREA)

Abstract

導電フィルム（１０１）は、樹脂フィルム（５）を含む可撓性基板（４０）の第一主面上に金属薄膜（１０）を備える。可撓性基板の厚みは１ｍｍ以下である。導電フィルムの加熱寸法変化率Ｈ１と、導電フィルムから金属薄膜を除去したフィルムの加熱寸法変化率Ｈ２との差の絶対値｜Ｈ２－Ｈ１｜は、０．１０％以下が好ましい。｜Ｈ２－Ｈ１｜が小さいほど、金属薄膜をパターニング後の温度センサフィルムのうねりが抑制される傾向がある。

Description

導電フィルムおよびその製造方法、ならびに温度センサフィルムおよびその製造方法
　本発明は、フィルム基材上にパターニングされた金属薄膜を備える温度センサフィルム、および温度センサフィルムの作製に用いられる導電フィルムに関する。
　電子機器には多数の温度センサが用いられている。温度センサとしては、熱電対やチップサーミスタが一般的である。熱電対やチップサーミスタ等により、面内の複数箇所の温度を測定する場合は、測定点ごとに温度センサを配置し、それぞれの温度センサをプリント配線基板等に接続する必要があるため、製造プロセスが煩雑となる。また、面内の温度分布を測定するためには基板上に多数のセンサを配置する必要があり、コストアップの要因となる。
　特許文献１には、可撓性のフィルム基材上に金属薄膜を設け、金属薄膜をパターニングして、リード部１１と測温抵抗部１２を有するようにパターニングした温度センサフィルムが開示されている（図２参照）。このように金属薄膜をパターニングすれば、個々の測温センサを配線で接続する作業を必要としないため、温度センサを備えるデバイスの生産性を向上可能である。また、可撓性基板を用いるため、デバイスのフレキシブル化や大面積化への対応も容易であるとの利点を有する。
特開２００５－９１０４５号公報
　上記のように、可撓性基板上に金属薄膜を設けた導電フィルムをパターニングすることにより、温度センサフィルムを形成できる。しかし、金属薄膜をパターニング後のフィルムは、パターニング領域およびその周辺にうねりが生じており、ハンドリングが困難となることや、温度センサフィルムの表面に保護フィルムを貼り合わせた際に貼り合わせ界面に気泡が混入すること等が懸念される。
　上記に鑑み、本発明は、金属薄膜をパターニング後にうねりが小さい温度センサフィルム、および当該温度センサフィルムを形成するための導電フィルムの提供を目的とする。
　温度センサ用導電フィルムは、樹脂フィルムを含む可撓性基板の第一主面上に、金属薄膜を備える。可撓性基板の厚みは１ｍｍ以下である。
　可撓性基板は、樹脂フィルムの第一主面上にハードコート層を備えていてもよい。可撓性基板は、金属薄膜と接する下地層を含んでいてもよい。可撓性基板は、樹脂フィルムの第一主面上にハードコート層を備え、ハードコート層上に下地層を備えるものであってもよい。下地層は、少なくとも１層のシリコン系薄膜を含むものが好ましく、金属薄膜が下地層としてのシリコン系薄膜に接していることが好ましい。
　金属薄膜は、ニッケルまたはニッケル合金からなるニッケル系薄膜であってもよい。金属薄膜の厚みは、６０～２００ｎｍが好ましい。金属薄膜は、好ましくはスパッタ法により成膜される。
　導電フィルムの加熱寸法変化率Ｈ１と、導電フィルムから金属薄膜を除去したフィルムの加熱寸法変化率Ｈ２との差の絶対値｜Ｈ２－Ｈ１｜は、０．１０％以下が好ましい。｜Ｈ２－Ｈ１｜が小さいほど、金属薄膜をパターニング後の温度センサフィルムのうねりが抑制される傾向がある。
　導電フィルムの金属薄膜をパターニングすることにより、温度センサフィルムを形成できる。温度センサフィルムは、可撓性基板の一主面上に、パターニングされた金属薄膜を備え、金属薄膜が測温抵抗部とリード部とにパターニングされている。
　測温抵抗部は、温度測定を行う部分に設けられており、細線にパターニングされている。リード部は測温抵抗部よりも大きな線幅にパターニングされており、リード部の一端が測温抵抗部に接続されている。リード部の他端は、外部回路等と接続される。リード部にコネクタを接続し、コネクタを介して外部回路との接続を行ってもよい。
　導電フィルムの加熱寸法変化率Ｈ１と、導電フィルムから金属薄膜を除去したフィルムの加熱寸法変化率Ｈ２との差の絶対値｜Ｈ２－Ｈ１｜が小さいことにより、金属薄膜をパターニング後の温度センサフィルムのうねりが抑制される傾向がある。そのため、温度センサフィルムのハンドリング性が向上する。また、温度センサフィルムの表面に保護フィルムを貼り合わせた際に、貼り合わせ界面への気泡の混入を抑制できる。
導電フィルムの積層構成例を示す断面図である。 温度センサフィルムの平面図である。 温度センサにおける測温抵抗部近傍の拡大図であり、Ａは２線式、Ｂは４線式の形状を示している。 温度センサフィルムのリード部近傍の断面図である。 温度センサフィルムの測温抵抗部近傍の断面図である。 温度センサフィルムのリード部近傍の断面図である。 温度センサフィルムの測温抵抗部近傍の断面図である。 レーザにより金属薄膜をパターニングした導電フィルムの蛍光灯下での観察写真である。
［導電フィルムおよび温度センサフィルムの構成の概要］
　図１は、温度センサフィルムの形成に用いられる導電フィルムの積層構成例を示す断面図である。導電フィルム１０１は、可撓性基板４０の一方の主面上に金属薄膜１０を備える。可撓性基板４０は樹脂フィルム基材５０を含み、樹脂フィルム基材５０の金属薄膜形成面側に下地層２０を備えていてもよい。樹脂フィルム基材５０は、樹脂フィルム５の表面にハードコート層６を備えていてもよい。
　導電フィルム１０１の金属薄膜１０をパターニングすることにより、温度センサフィルムが形成される。図２に示すように、金属薄膜は、配線状に形成されたリード部１１と、リード部１１の一端に接続された測温抵抗部１２とを有するようにパターニングされる。リード部１１の他端は、コネクタ１９に接続されている。金属薄膜のパターニング方法は特に限定されず、ウェットエッチングおよびドライエッチングのいずれでもよい。リード部１１のパターニング方法と測温抵抗部１２のパターニング方法は異なっていてもよい。
　測温抵抗部１２は、温度センサとして作用する領域であり、リード部１１を介して測温抵抗部１２に電圧を印加し、その抵抗値から温度を算出することにより温度測定が行われる。温度センサフィルム１１０の面内に複数の測温抵抗部を設けることにより、複数個所の温度を同時に測定できる。例えば、図２に示す形態では、面内の５箇所に測温抵抗部１２が設けられている。
　図３Ａは、２線式の温度センサにおける測温抵抗部近傍の拡大図である。測温抵抗部１２は、金属薄膜が細線状にパターニングされたセンサ配線１２２，１２３により形成されている。センサ配線は、複数の縦電極１２２が、その端部で横配線１２３を介して連結されてヘアピン状の屈曲部を形成し、つづら折れ状のパターンを有している。
　測温抵抗部１２のパターン形状を形成する細線の線幅が小さく（断面積が小さく）、測温抵抗部１２のセンサ配線の一端１２１ａから他端１２１ｂまでの線長が大きいほど、２点間の抵抗が大きく、温度変化に伴う抵抗変化量も大きいため、温度測定精度が向上する。図３に示すようなつづら折れ状の配線パターンとすることにより、測温抵抗部１２の面積が小さく、かつセンサ配線の長さ（一端１２１ａから他端１２１ｂまでの線長）を大きくできる。なお、温度測定部のセンサ配線のパターン形状は図３に示すような形態に限定されず、らせん状等のパターン形状でもよい。
　センサ配線１２２（縦配線）の線幅、および隣接する配線間の距離（スペース幅）は、フォトリソグラフィーやレーザ加工等のパターニング精度に応じて設定すればよい。線幅およびスペース幅は、一般には１～１５０μｍ程度である。センサ配線の断線を防止する観点から、線幅は３μｍ以上が好ましく、５μｍ以上が好ましい。抵抗変化を大きくして温度測定精度を高める観点から、線幅は１００μｍ以下が好ましく、７０μｍ以下がより好ましい。同様の観点から、スペース幅は３～１００μｍが好ましく、５～７０μｍがより好ましい。
　測温抵抗部１２のセンサ配線の両端１２１ａ，１２１ｂは、それぞれ、リード配線１１ａ、１１ｂの一端に接続されている。２本のリード配線１１ａ，１１ｂは、わずかな隙間を隔てて対向する状態で、細長のパターン状に形成されており、リード配線の他端は、コネクタ１９に接続されている。リード配線は、十分な電流容量を確保するために、測温抵抗部１２のセンサ配線よりも広幅に形成されている。リード配線１１ａ，１１ｂの幅は、例えば０．５～１０ｍｍ程度である。リード配線の線幅は、測温抵抗部１２のセンサ配線１２２の線幅の３倍以上が好ましく、５倍以上がより好ましく、１０倍以上がさらに好ましい。
　コネクタ１９には複数の端子が設けられており、複数のリード配線は、それぞれ異なる端子に接続されている。コネクタ１９は外部回路と接続されており、リード配線１１ａとリード配線１１ｂの間に電圧を印加することにより、リード配線１１ａ、測温抵抗部１２およびリード配線１１ｂに電流が流れる。所定電圧を印加した際の電流値、または電流が所定値となるように電圧を印加した際の印加電圧から抵抗値が算出される。得られた抵抗値と、予め求められている温度との関係式、または抵抗値と温度の関係を記録したテーブル等に基づいて、抵抗値から温度が算出される。
　温度センサフィルムでは、リード部１１を介して測温抵抗部１２に電流を流し、測温抵抗部における抵抗値を読み取ることができれば、金属薄膜のパターン形状は特に限定されない。例えば、図３Ｂに示すように、リード部を４線式としてもよい。
　図３Ｂに示す形態において、測温抵抗部１２のパターン形状は、図３Ａと同様である。４線式では、１つの測温抵抗部１２に４本のリード配線１１ａ１，１１ａ２，１１ｂ１，１１ｂ２が接続されている。リード配線１１ａ１，１１ｂ１は電圧測定用リードであり、リード配線１１ａ２，１１ｂ２は電流測定用リードである。電圧測定用リード１１ａ１および電流測定用リード１１ａ２は、測温抵抗部１２のセンサ配線の一端１２１ａに接続されており、電圧測定用リード１１ｂ１および電流測定用リード１１ｂ２は、測温抵抗部１２のセンサ配線の他端１２１ｂに接続されている。４線式では、リード部の抵抗を除外して測温抵抗部１２のみの抵抗値を測定できるため、より誤差の少ない測定が可能となる。２線式および４線式以外に、３線式を採用してもよい。
　図２に示す温度センサフィルム１１０では、リード部１１および測温抵抗部１２以外の領域１４では、金属薄膜が除去され、可撓性基板４０が露出しているが、リード部１１を介して測温抵抗部１２における抵抗値を読み取り可能であれば、リード部１１および測温抵抗部１２以外の領域にも金属薄膜が設けられていてもよい。具体的には、リード部１１および測温抵抗部１２と導通しないようにパターニングされていれば、リード部１１および測温抵抗部１２以外の領域の金属薄膜１０を除去せずに残存させてもよい（図６および図７、ならびに前述の特許文献１参照）。
＜温度センサフィルムのうねり＞
　図４および図５は、それぞれ、温度センサフィルム１１０のリード部１１近傍および測温抵抗部１２近傍の断面図である。上記で説明したように、図２に示す温度センサフィルム１１０では、リード部１１および測温抵抗部１２には金属薄膜１０が残存しており、その他の領域１４では金属薄膜１０が除去されて可撓性基板４０が露出している。
　図６および図７は、リード部および測温抵抗部以外に金属薄膜１０の残存部を有する温度センサフィルムの断面図であり、図６はリード部１１近傍の断面図、図７は測温抵抗部１２近傍の断面図である。図６では、リード配線１１ａとリード配線１１ｂに挟まれた領域に、金属薄膜の残余片１５ｃが存在しており、リード配線１１ａと残余片１５ｃは、溝状に金属膜が除去された領域１６ａにより隔てられており、リード配線１１ｂと残余片１５ｃは、溝状に金属膜が除去された領域１６ｂにより隔てられている。リード部の外側にも金属薄膜の残余部１５が存在しており、残余部の金属薄膜は、溝状に金属膜が除去された領域１６によりリード部と隔てられている。図７では、測温抵抗部１２を囲むように金属薄膜除去領域１６が存在し、その外周の金属薄膜残存領域１５では、金属薄膜が除去されずに残存している。
　図４～７のいずれにおいても、可撓性基板４０上に金属薄膜が設けられている領域（リード配線１１ａ，１１ｂ、および測温抵抗部１２のセンサ配線（縦配線）１２２、ならびにこれらとは電気的に隔てられた金属薄膜残存領域１５）と、金属薄膜が除去されて可撓性基板４０が露出している領域１４，１６が存在する。
　このように、可撓性基板４０上の金属薄膜１０をパターニングして温度センサフィルムを形成すると、金属薄膜が設けられている領域と金属薄膜が設けられていない領域との境界に段差が存在し、うねりが生じる場合がある。例えば、リード部およびその近傍では、リード配線１１ａ，１１ｂと、可撓性基板露出領域１４，１６との境界に沿って段差が生じ、リード配線１１ａ，１１ｂ（および残余片１５ｃ）が凸部または凹部となり、リード配線の延在方向と直交する方向に沿って波打った形状となる。測温抵抗部およびその近傍では、測温抵抗部１２の外周に沿って段差が生じ、測温定航部が凸部または凹部であるうねりが生じる（図８の比較例５参照）。
　金属薄膜をパターニング後のフィルムにうねりが発生する原因について検討したところ、金属薄膜をエッチング等によりパターニングした後、フィルムを加熱した際に、うねりが生じやすいことが判明した。例えば、金属薄膜をウェットエッチングによりパターニングする場合は、エッチャントを水洗した後に、加熱乾燥が行われる。また、金属薄膜の低抵抗化や抵抗温度係数（ＴＣＲ）向上を目的として加熱が行われる場合がある。
　加熱により、うねりが生じたり、うねりが大きくなるとの現象に着目して、本発明者らが検討の結果、金属薄膜が設けられている領域と金属薄膜が設けられていない領域の加熱寸法変化率に差があることが、うねりの要因であることを見出した。すなわち、可撓性基板４０上に金属薄膜１０が設けられている領域の加熱寸法変化率Ｈ１と、金属薄膜が除去され可撓性基板４０が露出している領域の加熱寸法変化率Ｈ２が異なることが、うねりを発生させる一要因であり、Ｈ１とＨ２との差の絶対値｜Ｈ２－Ｈ１｜が小さい場合に、パターニング後のフィルムのうねりが抑制される傾向がある。
　加熱寸法変化率（％）は、加熱前の２点間距離Ｌ０、および加熱後の２点間距離Ｌを用いて、１００×（Ｌ－Ｌ０）／Ｌ０で定義される。本明細書において、「加熱寸法変化率」とは、特に断りのない限り、１５０℃で２５分加熱した際の加熱前後での所定方向の寸法の変化率を表す。加熱寸法変化率の符号が正である場合は膨張、負である場合は収縮を表す。Ｈ２－Ｈ１＞０である場合は、金属薄膜が設けられている領域は、金属薄膜が除去された領域に比べて加熱後の寸法が小さい（熱収縮し易い）ことを意味する。
　Ｈ２－Ｈ１＞０である場合は、金属薄膜が設けられている領域が凹部、金属薄膜が除去された領域が凸部となるようにフィルムにうねりが生じる傾向がある。Ｈ２－Ｈ１＜０である場合は、金属薄膜が設けられている領域が凸部、金属薄膜が除去された領域が凹部となるようにフィルムにうねりが生じる傾向がある。Ｈ２－Ｈ１＞０である場合は、金属薄膜の加熱収縮が可撓性基板の加熱収縮よりも大きいために、金属薄膜が設けられている領域の熱収縮が大きくなると考えられる。金属薄膜が設けられている領域では、可撓性基板４０と金属薄膜１０との界面に応力が生じ、金属薄膜１０形成面を内側としたカールが生じる。一方で、金属薄膜が設けられていない領域では、このような界面での応力が生じない。そのため、金属薄膜がパターニングされた温度センサフィルムは、金属薄膜が設けられた領域の金属薄膜側が内側（凹状）となるように波状のうねりが生じるものと考えられる。
　Ｈ２－Ｈ１＜０である場合は、可撓性基板の加熱収縮が金属薄膜の加熱収縮よりも大きいために、金属薄膜が設けられている領域では、可撓性基板４０と金属薄膜１０との界面の応力により、金属薄膜１０形成面が外側（凸状）となるように波状のうねりが生じるものと考えられる。
　Ｈ２－Ｈ１＞０である場合、およびＨ２－Ｈ１＜０である場合のいずれにおいても、Ｈ２－Ｈ１の絶対値｜Ｈ２－Ｈ１｜が小さいほど、可撓性基板４０と金属薄膜１０との界面における応力が小さいため、うねりが抑制されると考えられる。なお、上記では、可撓性基板および金属薄膜が加熱収縮する場合を例として説明したが、可撓性基板および／または金属薄膜が加熱により膨張する場合（加熱寸法変化率が０より大きい場合）も、｜Ｈ２－Ｈ１｜が小さいほど、うねりが抑制される傾向がある。
　金属薄膜をパターニング後のフィルムのうねりが小さい、またはうねりが生じていなければ、ハンドリング性に優れ、温度センサ素子の生産性や歩留まりの向上に寄与する。また、温度センサフィルムの表面に保護フィルムを貼り合わせた際に、貼り合わせ界面への気泡の混入等の不具合を抑制できる。
　｜Ｈ２－Ｈ１｜は、０．１０％以下が好ましく、０．０７％以下がより好ましく、０．０５％以下がさらに好ましい。｜Ｈ２－Ｈ１｜が小さいほどうねりが小さくなる傾向があるため、｜Ｈ２－Ｈ１｜は小さいほど好ましく、理想的には０である。
　寸法変化率（熱収縮率）が方向によって異なる場合は、いずれか一方向の加熱寸法変化率差が上記範囲であればよい。金属薄膜がストライプ状にパターニングされている場合は、パターニング方向（パターンが並んでいる方向）における加熱寸法変化率差が上記範囲であることが好ましい。理想的には、全方向の加熱寸法変化率差が上記範囲である。
　｜Ｈ２－Ｈ１｜を小さくするためには、可撓性基板４０上に金属薄膜１０を成膜する際の成膜界面での残留応力の低減や、可撓性基板４０および／または金属薄膜１０に加熱寸法変化を生じさせる外部作用を小さくする等の方法が挙げられる。また、金属薄膜の厚みが大きいほど、Ｈ２－Ｈ１が大きくなる傾向がある。
［導電フィルム］
　以下、図１を参照しながら、温度センサフィルムの形成に用いられる導電フィルム１０１の構成および製造方法について説明する。
＜樹脂フィルム基材＞
　可撓性基板４０は、樹脂フィルム基材５０を含む。樹脂フィルム基材５０は、透明でも不透明でもよい。樹脂フィルム基材５０は、樹脂フィルムのみからなるものでもよく、図１に示すように、樹脂フィルム５の表面にハードコート層（硬化樹脂層）６を備えるものでもよい。樹脂フィルム基材５０の厚みは１ｍｍ以下であればよい。強度と可撓性を両立する観点から、樹脂フィルム基材５０の厚みは、一般に２～５００μｍ程度であり、２０～３００μｍ程度が好ましい。
　樹脂フィルム基材５０の表面（ハードコート層６が設けられている場合には、樹脂フィルム５の表面および／またはハードコート層６の表面）には、易接着層、帯電防止層等が設けられていてもよい。樹脂フィルム基材５０の表面には、下地層２０との密着性向上等を目的として、コロナ放電処理、紫外線照射処理、プラズマ処理、スパッタエッチング処理等の処理を施してもよい。
（樹脂フィルム）
　樹脂フィルム５の樹脂材料としては、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリイミド、ポリオレフィン、ノルボルネン系等の環状ポリオレフィン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルフォン、ポリアリレート等が挙げられる。耐熱性、寸法安定性、電気的特性、機械的特性、耐薬品特性等の観点から、ポリイミドまたはポリエステルが好ましい。樹脂フィルム５の厚みは特に限定されないが、一般には、２～５００μｍ程度であり、２０～３００μｍ程度が好ましい。
（ハードコート層）
　樹脂フィルム５の表面にハードコート層６が設けられることにより、導電フィルムの硬度が向上し、耐擦傷性が高められる。ハードコート層６は、例えば、樹脂フィルム５上に、硬化性樹脂を含有する溶液を塗布することにより形成できる。
　硬化性樹脂としては、熱硬化型樹脂、紫外線硬化型樹脂、電子線硬化型樹脂等が挙げられる。硬化性樹脂の種類としてはポリエステル系、アクリル系、ウレタン系、アクリルウレタン系、アミド系、シリコーン系、シリケート系、エポキシ系、メラミン系、オキセタン系、アクリルウレタン系等の各種の樹脂が挙げられる。
　これらの中でも、硬度が高く、紫外線硬化が可能で生産性に優れることから、アクリル系樹脂、アクリルウレタン系樹脂、およびエポキシ系樹脂が好ましい。特に、下地層に含まれる酸化クロム薄膜との密着性が高いことから、アクリル系樹脂およびアクリルウレタン系樹脂が好ましい。紫外線硬化型樹脂には、紫外線硬化型のモノマー、オリゴマー、ポリマー等が含まれる。好ましく用いられる紫外線硬化型樹脂は、例えば紫外線重合性の官能基を有するもの、中でも当該官能基を２個以上、特に３～６個有するアクリル系のモノマーやオリゴマーを成分として含むものが挙げられる。
　ハードコート層６には微粒子が含まれていてもよい。ハードコート層６に微粒子を含めることにより、樹脂フィルム基材５０の金属薄膜１０形成面（下地層２０形成面）の表面形状を調整できる。微粒子としては、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、酸化カルシウム、酸化錫、酸化インジウム、酸化カドミウム、酸化アンチモン等の各種金属酸化物微粒子、ガラス微粒子、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリウレタン、アクリル－スチレン共重合体、ベンゾグアナミン、メラミン、ポリカーボネート等のポリマーからなる架橋又は未架橋の有機系微粒子、シリコーン系微粒子等を特に制限なく使用できる。
　微粒子の平均粒子径（平均一次粒子径）は、１０ｎｍ～１０μｍ程度が好ましい。ハードコート層が、０．５μｍ～１０μｍ程度、好ましくは０．８μｍ～５μｍ程度のサブミクロンまたはμｍオーダーの平均粒子径を有する微粒子（以下「マイクロ粒子」と記載する場合がある）を含むことにより、ハードコート層６の表面（樹脂フィルム基材５０の表面）、およびその上に設けられる薄膜の表面に、直径がサブミクロンまたはμｍオーダーの突起が形成され、導電フィルムの滑り性、耐ブロッキング性、および耐擦傷性が向上する傾向がある。
　ハードコート層が、１０ｎｍ～１００ｎｍ程度、好ましくは２０ｎｍ～８０ｎｍ程度の平均粒子径を有する微粒子（ナノ粒子）を含むことにより、ハードコート層６の表面（樹脂フィルム基材５０の表面）に微細な凹凸が形成され、ハードコート層６と下地層２０および金属薄膜１０との密着性が向上する傾向がある。
　ハードコート層を形成するための溶液（ハードコート組成物）には、紫外線重合開始剤が配合されていることが好ましい。溶液中には、レベリング剤、チクソトロピー剤、帯電防止剤等の添加剤が含まれていてもよい。
　ハードコート層６の厚みは特に限定されないが、高い硬度を実現するためには、０．５μｍ以上が好ましく、０．８μｍ以上がより好ましく、１μｍ以上がさらに好ましい。塗布による形成の容易性を考慮すると、ハードコート層の厚みは１５μｍ以下が好ましく、１０μｍ以下がより好ましい。
＜下地層＞
　可撓性基板４０は、樹脂フィルム基材５０上に下地層２０を備えていてもよい。下地層２０は単層でもよく、図１に示すように２層以上の薄膜２１，２２の積層構成でもよい。下地層２０は有機層でも無機層でもよく、有機層と無機層とを積層したものでもよいが、少なくとも１層は無機薄膜であることが好ましく、特に、金属薄膜１０の直下に設けられる薄膜２２が無機薄膜であることが好ましい。下地層２０として無機薄膜が設けられることにより、金属薄膜１０を形成する際に、樹脂フィルム基材５０からの金属薄膜１０への有機ガスの混入が抑制され、金属薄膜１０の抵抗温度係数（ＴＣＲ）が大きくなる傾向があり、温度センサフィルムにおける温度測定精度が向上する。
　金属薄膜１０の直下に下地層が設けられることにより、金属薄膜の有無による加熱寸法変化率差｜Ｈ２－Ｈ１｜が小さくなる傾向がある。下地層を設けることにより加熱寸法変化率差が小さくなる推定要因の１つとして、下地層による応力緩和効果が挙げられる。例えば、樹脂フィルム基材上に非晶質の下地層が形成されることにより、金属薄膜の格子間隔のミスマッチに起因する応力を緩和する効果が期待される。また、樹脂フィルム基材上の下地層がバリア層として作用することも、加熱寸法変化率差が小さくなる要因の１つとして考えられる。下地層がバリア層として作用することにより、樹脂フィルム基材からの水分や有機物等の不純物の金属薄膜への混入が抑制される。そのため、格子欠陥の少ない金属薄膜が形成されやすく、加熱時の原子の再配列等による金属薄膜の寸法変化が生じ難いため、金属薄膜の有無による加熱寸法変化率差が小さくなると考えられる。
　下地層２０は導電性でも絶縁性でもよい。金属薄膜１０の直下に配置される薄膜２２が導電性の無機材料（無機導電体）である場合は、温度センサフィルムの作製時に金属薄膜１０とともに薄膜２１（または下地層２０全体）をパターニングすればよい。薄膜２１が絶縁性の無機材料（無機誘電体）である場合、薄膜２１はパターニングしてもよく、パターニングしなくてもよい。
　無機材料としては、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｓｃ，Ｙ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｔｃ，Ｒｅ，Ｆｅ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｃｄ等の金属元素または半金属元素、およびこれらの合金、窒化物、酸化物、炭化物、窒酸化物等が挙げられる。ハードコート層６を構成する有機材料および金属薄膜１０を構成するニッケル等の金属材料の両方に対する密着性に優れ、かつ金属薄膜への不純物混入抑制効果が高いことから、下地層の材料としては、シリコン系材料または酸化クロムが好ましい。
　シリコン系材料としては、シリコン、ならびに酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンおよび炭化シリコン等のシリコン化合物が挙げられる。中でも、ハードコート層および金属薄膜に対する密着性に優れ、かつ耐屈曲性向上効果に優れることから、シリコンまたは酸化シリコンが好ましい。金属薄膜１０をパターニングした際の配線間の絶縁を確保する観点から、金属薄膜１０の直下の層２２は、酸化シリコン等の無機誘電体薄膜であることが好ましい。
　金属薄膜１０の直下に、酸化シリコン薄膜等の比抵抗の大きい薄膜２２が設けられることにより、配線（パターニングされた金属薄膜）間の漏れ電流が低減し、温度センサフィルムの温度測定精度が向上する傾向がある。酸化シリコンは化学量論組成（ＳｉＯ２）でもよく、非化学量論組成（ＳｉＯｘ；ｘ＜２）でもよい。非化学量論組成である酸化シリコン（ＳｉＯｘ）は、１．２≦ｘ＜２が好ましい。
　下地層２０として、シリコン薄膜２１上に酸化シリコン薄膜２２を形成してもよい。また、各種の金属、導電性酸化物、セラミック等からなる無機薄膜２１上に、酸化シリコン薄膜を形成してもよい。
　下地層２０の厚みおよび下地層２０を構成する薄膜の厚みは特に限定されない。金属薄膜１０への下地効果により、金属薄膜をパターニング後のフィルムのうねりを抑制する観点、および金属薄膜形成時の樹脂フィルム基材へのプラズマダメージ低減や樹脂フィルム基材からのアウトガスの遮断効果を高める観点から、下地層２０の厚みは、１ｎｍ以上が好ましく、３ｎｍ以上がより好ましく、５ｎｍ以上がさらに好ましい。生産性向上や材料コスト低減の観点から、下地層の厚みは２００ｎｍ以下が好ましく、１００ｎｍ以下がより好ましく、５０ｎｍ以下がさらに好ましい。
　下地層２０の形成方法は特に限定されず、材料に応じて、ドライコーティング、ウェットコーティングのいずれも採用し得る。スパッタ法により金属薄膜１０を形成する場合は、生産性の観点から、下地層２０もスパッタ法により形成することが好ましい。
　スパッタ法により下地層を形成する場合、下地層の材料に応じてターゲットを選択すればよい。例えば、シリコン薄膜を形成する場合は、シリコンターゲットが用いられる。酸化シリコン薄膜の成膜には、酸化シリコンターゲットを用いてもよく、シリコンターゲットを用いて反応性スパッタにより酸化シリコンを形成してもよい。反応性スパッタでは、金属領域と酸化物領域との中間の遷移領域となるように酸素量を調整することが好ましい。
＜金属薄膜＞
　可撓性基板４０上に設けられる金属薄膜１０は、温度センサにおける温度測定の中心的な役割を果たす。前述のように、金属薄膜１０をパターニングすることにより、温度センサフィルムが形成される。
　金属薄膜１０を構成する金属材料の例としては、銅、銀、アルミニウム、金、ロジウム、タングステン、モリブデン、亜鉛、スズ、コバルト、インジウム、ニッケル、鉄、白金、パラジウム、スズ、アンチモン、ビスマス、マグネシウム、およびこれらの合金等が挙げられる。これらの中でも、低抵抗であり、ＴＣＲが高く、材料が安価であることから、ニッケル、銅、またはこれらを主成分とする（５０重量％以上含む）合金が好ましく、特にニッケル、またはニッケルを主成分とするニッケル合金が好ましい。
　金属薄膜１０の厚みは特に限定されないが、低抵抗化の観点（特に、リード部の抵抗を小さくする観点）から２０ｎｍ以上が好ましく、パターニング精度向上等の観点から５００ｎｍ以下が好ましい。金属薄膜１０の膜厚が小さい場合は、金属薄膜の加熱収縮が小さいためにＨ２－Ｈ１が小さくなる傾向があり、Ｈ２－Ｈ１＜０となり、金属薄膜をパターニング後に、金属薄膜が設けられている領域が凸状となるうねりが生じる傾向がある。一方、金属薄膜１０の膜厚が大きくなるほど、金属薄膜の加熱収縮が大きくなり、Ｈ２－Ｈ１＞０となりやすく、金属薄膜をパターニング後に、金属薄膜が設けられている領域が凹状となるうねりが生じる傾向がある。｜Ｈ２－Ｈ１｜を小さくして温度センサフィルムのうねりを抑制するためには、金属薄膜１０の厚みは６０～２００ｎｍが好ましく、７０～１８０ｎｍがより好ましい。
　金属薄膜１０がニッケル薄膜またはニッケル合金薄膜である場合、温度２５℃における比抵抗は、１．６×１０－５Ω・ｃｍ以下が好ましく、１．５×１０－５Ω・ｃｍ以下がより好ましい。リード部の抵抗を小さくする観点からは、金属薄膜の比抵抗は小さいほど好ましく、１．２×１０－５Ω・ｃｍ以下、または１．０×１０－５Ω・ｃｍ以下であってもよい。金属薄膜の比抵抗は小さいほど好ましいが、バルクのニッケルよりも比抵抗を小さくすることは困難であり、一般に比抵抗は７．０×１０－６Ω・ｃｍ以上である。
　金属薄膜１０のＴＣＲは、３０００ｐｐｍ／℃以上が好ましく、３４００ｐｐｍ／℃以上がより好ましく、３６００ｐｐｍ／℃以上がさらに好ましく、３８００ｐｐｍ／℃以上が特に好ましい。ＴＣＲは、温度上昇に対する抵抗の変化率である。ニッケルや銅等の金属は、温度上昇に伴って抵抗が線形的に増加する特性（正特性）を有する。正特性を有する材料のＴＣＲは、温度Ｔ０における抵抗値Ｒ０と、温度Ｔ１における抵抗値Ｒ１から、下記式により算出される。
　　　　ＴＣＲ＝｛（Ｒ１－Ｒ０）／Ｒ０｝／（Ｔ１－Ｔ０）
　ＴＣＲが大きいほど、温度変化に対する抵抗の変化が大きく、温度センサフィルムにおける温度測定精度が向上する。そのため、金属薄膜のＴＣＲは大きいほど好ましいが、バルクの金属よりもＴＣＲを大きくすることは困難であり、金属薄膜のＴＣＲは一般に６０００ｐｐｍ／℃以下である。
　金属薄膜の形成方法は特に限定されず、例えば、スパッタ法、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、化学気相蒸着法（ＣＶＤ）、化学溶液析出法（ＣＢＤ）、めっき法等の成膜方法を採用できる。これらの中でも、膜厚均一性に優れた薄膜を成膜できることから、スパッタ法が好ましい。ロールトゥーロールスパッタ装置を用い、長尺の樹脂フィルム基材を長手方向に連続的に移動させながら成膜を行うことにより、導電フィルムの生産性が高められる。
　ロールトゥーロールスパッタによる金属薄膜の形成においては、スパッタ装置内にロール状のフィルム基材を装填後、スパッタ成膜の開始前に、スパッタ装置内を排気して、フィルム基材から発生する有機ガス等の不純物を取り除いた雰囲気とすることが好ましい。事前に装置内およびフィルム基材中のガスを除去することにより、金属薄膜１０への水分や有機ガス等の混入量を低減できる。スパッタ成膜開始前のスパッタ装置内の真空度（到達真空度）は、例えば、１×１０－１Ｐａ以下であり、５×１０－２Ｐａ以下が好ましく、１×１０－２Ｐａ以下がより好ましい。
　金属薄膜のスパッタ成膜には、金属ターゲットを用い、アルゴン等の不活性ガスを導入しながら成膜が行われる。例えば、金属薄膜１０としてニッケル薄膜を形成する場合は、金属Ｎｉターゲットが用いられる。
　スパッタ成膜条件は特に限定されない。金属薄膜への水分や有機ガス等の混入を抑制するためには、金属薄膜の成膜時の樹脂フィルム基材へのダメージを低減することが好ましい。樹脂フィルム基材５０上に下地層２０を設け、その上に金属薄膜１０を形成することにより、金属薄膜１０成膜時の樹脂フィルム基材５０へのプラズマダメージを抑制できる。また、下地層２０を設けることにより、樹脂フィルム基材５０から発生する水分や有機ガス等を遮断して、金属薄膜１０への水分や有機ガス等の混入を抑制できる。
　また、成膜時の基板温度を低くする、放電パワー密度を低くする等により、樹脂フィルム基材からの水分や有機ガスの発生を抑制できる。金属薄膜のスパッタ成膜における基板温度は２００℃以下が好ましく、１８０℃以下がより好ましく、１７０℃以下がさらに好ましい。一方、樹脂フィルム基材の脆化防止等の観点から、基板温度は－３０℃以上が好ましい。プラズマ放電を安定させつつ、樹脂フィルム基材へのダメージを抑制する観点から、放電パワー密度は、１～１５Ｗ／ｃｍ２が好ましく、１．５～１０Ｗ／ｃｍ２がより好ましい。
［温度センサフィルムの作製］
　上記のように、導電フィルムの金属薄膜１０をパターニングすることにより、温度センサフィルムを作製できる。金属薄膜のパターニング方法は特に限定されない。パターニングが容易であり、精度が高いことからフォトリソグラフィー法またはレーザ加工によりパターニングを行うことが好ましい。フォトリソグラフィーでは、金属薄膜の表面に、上記のリード部および測温抵抗部の形状に対応するエッチングレジストを形成し、エッチングレジストが形成されていない領域の金属薄膜をウェットエッチングにより除去した後、エッチングレジストを剥離する。金属薄膜のパターニングは、レーザ加工等のドライエッチングにより実施することもできる。
　上記のように、本発明の導電フィルムは、金属薄膜をパターニングする前の導電フィルムの加熱寸法変化率Ｈ１と、導電フィルムから金属薄膜を除去したフィルムの加熱寸法変化率Ｈ２との差の絶対値が小さい。そのため、金属薄膜をパターニング後の温度センサフィルムでは、金属薄膜が設けられている領域の加熱寸法変化率ｈ１と、金属薄膜が設けられていない領域の加熱寸変化率ｈ２の差のｈ２－ｈ１の絶対値も小さくなる。そのため、エッチャントを水洗後の乾燥等の際に加熱を行っても、加熱寸法変化の差に起因するうねりの発生が抑制される。
　｜ｈ２－ｈ１｜は、０．１０％以下が好ましく、０．０７％以下がより好ましく、０．０５％以下がさらに好ましい。｜ｈ２－ｈ１｜が小さいほどうねりが小さくなる傾向があるため、｜ｈ２－ｈ１｜は小さいほど好ましく、理想的には０である。
　上記の通り、可撓性基板４０上にスパッタ法等により金属薄膜１０を形成し、金属薄膜をパターニングすることにより、基板面内に、複数のリード部および測温抵抗部を形成できる。この温度センサフィルムのリード部１１の端部にコネクタ１９を接続することにより、温度センサ素子が得られる。図２に示す実施形態では、複数の測温抵抗部にリード部が接続されており、複数のリード部を１つのコネクタ１９と接続すればよい。そのため、面内の複数個所の温度を測定可能な温度センサ素子を簡便に形成できる。
　温度センサフィルムのリード部と外部回路との接続方法は、コネクタを介した形態に限定されない。例えば、温度センサフィルム上に、リード部に電圧を印加して抵抗を測定するためのコントローラを設けてもよい。また、リード部と外部回路からのリード配線とを、コネクタを介さずに半田付け等により接続してもよい。
　温度センサフィルムは、可撓性基板上に金属薄膜が設けられた簡素な構成であり、生産性に優れている。本発明の実施形態では、金属薄膜をパターニング後のうねりが抑制されるため、ハンドリング性に優れている。
　以下に、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
［実施例１］
＜ハードコート層付きフィルム基材の作製＞
　平均粒子径１．５μｍの架橋ポリメタクリル酸メチル粒子（積水化成品工業製「テクポリマー　ＳＳＸ－１０１」）と紫外線硬化型ウレタンアクリレート樹脂（アイカ工業製「アイカアイトロン　Ｚ８４４－２２ＨＬ」とを含み，メチルイソブチルケトンを溶媒とするコーティング組成物を調製した。組成物中の粒子の量は、バインダー樹脂の固形分１００重量部に対して，０．２重量部であった．この組成物を、厚み１５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（東レ製「ルミラー　１４９ＵＮＳ」）の一方の面に塗布し、１００℃で１分間乾燥した。その後，紫外線照射により硬化処理を行い，厚み０．８μｍのハードコート層を形成した。
＜金属薄膜の形成＞
　ロールトゥーロールスパッタ装置内に、上記のハードコート層付きフィルム基材のロールをセットし、スパッタ装置内を到達真空度が５×１０－３Ｐａとなるまで排気した後、スパッタガスとしてアルゴンを導入し、基板温度４０℃、圧力０．２５Ｐａ、パワー密度５．０Ｗ／ｃｍ２の条件で、ハードコート層形成面上にＤＣスパッタにより厚み７０ｎｍのニッケル薄膜を成膜した。
［実施例２］
　ニッケル薄膜成膜時の基板温度を８０℃に変更したこと以外は、実施例１と同様にして、ハードコート層上にニッケル薄膜を備える導電フィルムを作製した。
［実施例３］
　実施例１と同様にハードコート層付きフィルム基材を作成し、ロールトゥーロールスパッタ装置内にセットし、スパッタ装置内を到達真空度が５×１０－３Ｐａとなるまで排気した後、基板温度１５０℃にて、ハードコート層形成面上に、厚み５ｎｍのシリコン薄膜、厚み１０ｎｍの酸化シリコン薄膜、および厚み７０ｎｍのニッケル薄膜を、順に、ＤＣスパッタにより成膜し、ハードコート層上に、下地層としてのシリコン薄膜および酸化シリコン薄膜を介してニッケル薄膜を備える導電フィルムを作製した。Ｓｉ層およびＳｉＯ２層の形成には、ＢドープＳｉターゲットを用いた。Ｓｉ層は、スパッタガスとしてアルゴンを導入し、圧力０．３Ｐａ、パワー密度１．０Ｗ／ｃｍ２の条件で成膜した。ＳｉＯ２層は、スパッタガスとしてのアルゴンに加えて反応性ガスとして酸素を導入し（Ｏ２／Ａｒ＝０．１２／１．０）、圧力０．３Ｐａ、パワー密度１．８Ｗ／ｃｍ２の条件で成膜した。ニッケル薄膜の成膜条件は、基板温度を１５０℃に変更したこと以外は、実施例１と同様とした。
［実施例４］
　基板温度を８０℃、ニッケル薄膜の膜厚を１６０ｎｍに変更したこと以外は、実施例３と同様にして、ハードコート層上に、下地層としてのシリコン薄膜および酸化シリコン薄膜を介してニッケル薄膜を備える導電フィルムを作製した。
［実施例５］
　シリコン薄膜に代えて厚み５ｎｍの金属クロム薄膜を形成したこと以外は、実施例３と同様にして、ハードコート層上に、下地層としてのクロム薄膜および酸化シリコン薄膜を介してニッケル薄膜を備える導電フィルムを作製した。クロム薄膜の形成には金属クロムターゲットを用い、スパッタガスとしてアルゴンを導入し、圧力０．２５Ｐａ、パワー密度０．７４Ｗ／ｃｍ２の条件で成膜した。
［実施例６］
　シリコン薄膜に代えて厚み５ｎｍの酸化インジウム錫（ＩＴＯ）薄膜を形成したこと以外は、実施例３と同様にして、ハードコート層上に、下地層としてのＩＴＯ薄膜および酸化シリコン薄膜を介してニッケル薄膜を備える導電フィルムを作製した。ＩＴＯ薄膜の形成には酸化インジウム錫の焼結ターゲットを用い、スパッタガスとしてアルゴンに加えて酸素を導入し（Ｏ２／Ａｒ＝０．１２／１．０）、圧力０．１９Ｐａ、パワー密度１．８２Ｗ／ｃｍ２の条件で成膜した。
［実施例７］
　シリコン薄膜に代えて厚み１０ｎｍのアルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）薄膜を形成したこと以外は、実施例３と同様にして、ハードコート層上に、下地層としてのＡＺＯ薄膜および酸化シリコン薄膜を介してニッケル薄膜を備える導電フィルムを作製した。ＡＺＯ薄膜の形成には酸化アルミニウムドープ酸化亜鉛の焼結ターゲットを用い、スパッタガスとしてアルゴンに加えて酸素を導入し（Ｏ２／Ａｒ＝０．１２／１．０）、圧力０．１９Ｐａ、パワー密度０．７５Ｗ／ｃｍ２の条件で成膜した。
［比較例１］
　ニッケル薄膜の厚みを５０ｎｍに変更したこと以外は、実施例４と同様にして、ハードコート層上に、下地層としてのシリコン薄膜および酸化シリコン薄膜を介してニッケル薄膜を備える導電フィルムを作製した。
［比較例２］
　ニッケル薄膜の厚みを２２０ｎｍに変更したこと以外は、実施例２と同様にして、ハードコート層上にニッケル薄膜を備える導電フィルムを作製した。
［比較例３］
　ニッケル薄膜の厚みを２６０ｎｍに変更したこと以外は、実施例２と同様にして、ハードコート層上にニッケル薄膜を備える導電フィルムを作製した。
［評価］
＜加熱寸法変化率＞
　導電フィルムから１００ｍｍ×１００ｍｍの正方形の試験片を切り出し、ＭＤ方向（スパッタ成膜時の搬送方向）およびＴＤ方向（ＭＤ方向と直交する方向）に、８０ｍｍ間隔で４点の標点（傷）を形成し、標点間の距離Ｌ０を表面座標測定機（ＴＯＰＣＯＮ製「ＣＰ６００Ｓ」）により測定した。１５５℃の加熱オーブン中で２５分間静置し、室温まで放冷した後、標点間の距離Ｌを測定した。ＭＤおよびＴＤのそれぞれについて、２か所の加熱寸法変化率の平均を、導電フィルムの加熱寸法変化率Ｈ１とした。
　導電フィルムから１００ｍｍ×１００ｍｍの正方形の試験片を切り出し、塩酸に浸漬してニッケル薄膜をエッチング除去した。その後、上記と同様にして、ＭＤ方向およびＴＤ方向の１５５℃２５分加熱後の加熱寸法変化率Ｈ２を測定した。
＜うねり量＞
　導電フィルムから７０ｍｍ×７０ｍｍの正方形の試験片を切り出し、ニッケル薄膜の表面に幅２ｍｍのポリイミドテープを２ｍｍ間隔でストライプ状に貼り合わせた。この試験片を塩酸に浸漬して、ポリイミドテープが貼り合わせられていない領域のニッケル薄膜をエッチング除去し、純水への浸漬により水洗した後、ポリイミドテープをゆっくりと剥離した。１５５℃の加熱オーブン中で２５分間静置し、室温まで放冷した。ＭＤ方向をパターニング方向とした場合（ＴＤ方向に延在するようにポリイミドテープを貼り合わせた場合）およびＴＤ方向をパターニング方向とした場合（ＭＤ方向に延在するようにポリイミドテープを貼り合わせた場合）のそれぞれについて、コヒーレンス走査型干渉計（Zygo NewView 7300）により、下記の条件で三次元表面形状を測定し、パターニング方向に隣接する山と谷の高低差の最大値をうねり量とした。ニッケル薄膜が設けられている部分が凹部（谷）となっている場合はうねり量の符号を正とし、ニッケル薄膜が設けられている部分が凹部（山）となっている場合はうねり量の符号を負とした。
（測定条件）
　　対物レンズ：２．５倍、ズームレンズ１倍
　　測定視野：１０ｍｍ×５ｍｍ
　　Removed:Ｃｙｌｉｎｄｅｒ
　　Filter: ＯＦＦ 
　　Filter Type: ＡＶＥＲＡＧＥ
　　Remove spikes: ＯＦＦ
　　Spike Height (xRMS): ２．５０
＜レーザーパターニングによるうねりの評価＞
　実施例４および比較例２の導電フィルムを試料として、レーザーパターニングにより、導電フィルムのニッケル薄膜を線幅３０μｍのストライプ形状（Ｌ／Ｓ＝３０μｍ／３０μｍ）にパターニングし、蛍光灯下にて目視観察し、ニッケル薄膜表面での反射像の歪の有無を確認した。
［評価結果］
　実施例および比較例の導電フィルムの構成（下地層の構成、ニッケル薄膜の厚みおよび基板温度）、ＭＤ方向の加熱寸法変化率およびＭＤ方向をパターニング方向とした場合のうねり量、ならびにＴＤ方向の加熱寸法変化率およびＴＤ方向をパターニング方向とした場合のうねり量を、表１に示す。また、実施例４および比較例２の導電フィルムをレーザーパターニングした試料の蛍光灯下での観察像を図８に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１の加熱寸法変化率の数値に着目すると、いずれの実施例および比較例においても、ＭＤ方向の加熱収縮がＴＤ方向よりも大きくなる傾向がみられた。これは、樹脂フィルムの生産、ならびに樹脂フィルム上へのハードコート層、下地層および金属薄膜の形成がいずれもロールトゥーロールプロセスにより実施され、搬送時の張力によりフィルムがＭＤ方向に伸びているため、張力を付与しない状態で加熱するとＭＤ方向に収縮しやすいと考えられる。
　表１の加熱寸法変化率とうねりの関係に着目すると、Ｈ１およびＨ２の数値とうねり量には明確な相関はみられなかった。一方、｜Ｈ２－Ｈ１｜とうねり量には相関がみられ、｜Ｈ２－Ｈ１｜が大きいほど、うねり量の絶対値が大きくなる傾向がみられた。また、Ｈ２－Ｈ１が正の値である場合は、うねり量の符号が正（ニッケル薄膜が設けられている領域が谷となるうねり）となり、Ｈ２－Ｈ１が負の値である場合は、うねり量の符号が負（ニッケル薄膜が設けられている領域が山となるうねり）となる傾向がみられた。
　図８において、実施例５では蛍光灯の反射像が直線状であるのに対して、比較例２ではパターニング領域を中心として蛍光灯の反射像が歪んでおり、うねりが生じていることが分かる。これらの結果から、ウェットエッチングにより金属薄膜をパターニングする場合だけでなく、レーザ加工等のドライプロセスにより金属薄膜をパターニングする場合も、｜Ｈ２－Ｈ１｜が小さいほど、うねりが抑制される傾向があることが分かる。
　　４０　　　　可撓性基板
　　５０　　　　樹脂フィルム基材
　　５　　　　　樹脂フィルム
　　６　　　　　ハードコート層
　　２０　　　　下地層
　　１０　　　　金属薄膜（ニッケル薄膜）
　　１１　　　　リード部
　　１２　　　　測温抵抗部
　　１２２，１２３　　センサ配線
　　１４　　　　金属薄膜除去領域
　　１５　　　　金属薄膜残存領域
　　１９　　　　コネクタ
　　１０１　　　導電フィルム
　　１１０　　　温度センサフィルム

 

Claims (10)

  1. 　樹脂フィルムを含む可撓性基板の第一主面上に金属薄膜を有する導電フィルムであって、
    　前記可撓性基板の厚みが１ｍｍ以下であり、
    　導電フィルムの１５０℃２５分加熱後の寸法変化率Ｈ１と、導電フィルムから前記金属薄膜を除去したフィルムの１５０℃２５分加熱後の寸法変化率Ｈ２との差の絶対値｜Ｈ２－Ｈ１｜が０．１０％以下である、温度センサ用導電フィルム。
  2. 　前記可撓性基板は、前記樹脂フィルムの第一主面上にハードコート層を備える、請求項１に記載の温度センサ用導電フィルム。
  3. 　前記可撓性基板は、無機薄膜からなる下地層を備え、前記下地層が前記金属薄膜と接している、請求項１または２に記載の温度センサ用導電フィルム。
  4. 　前記下地層は、少なくとも１層のシリコン系薄膜を含む、請求項３に記載の温度センサ用導電フィルム。
  5. 　前記金属薄膜が前記シリコン系薄膜に接している、請求項４に記載の温度センサ用導電フィルム。
  6. 　前記金属薄膜の厚みが、６０～２００ｎｍである、請求項１～５のいずれか１項に記載の温度センサ用導電フィルム。
  7. 　前記金属薄膜がニッケルまたはニッケル合金からなる、請求項１～６のいずれか１項に記載の温度センサ用導電フィルム。
  8. 　請求項１～７のいずれか１項に記載の導電フィルムを製造する方法であって、
    　前記金属薄膜をスパッタ法により成膜する、導電フィルムの製造方法。
  9. 　可撓性基板の第一主面上にパターニングされた金属薄膜を備え、
    　前記金属薄膜が、細線にパターニングされ温度測定に用いられる測温抵抗部と、前記測温抵抗部に接続され、前記測温抵抗部よりも大きな線幅にパターニングされたリード部とにパターニングされており、
    　前記金属薄膜が設けられている領域の１５０℃２５分加熱後の寸法変化率ｈ１と、前記金属薄膜が設けられていない領域の１５０℃２５分加熱後の寸法変化率ｈ２との差の絶対値｜ｈ２－ｈ１｜が０．１０％以下である、温度センサフィルム。
  10. 　可撓性基板の第一主面上にパターニングされた金属薄膜を備え、前記金属薄膜が、細線にパターニングされ温度測定に用いられる測温抵抗部と、前記測温抵抗部に接続され、前記測温抵抗部よりも大きな線幅にパターニングされたリード部とにパターニングされている温度センサフィルムの製造方法であって、
    　請求項１～７のいずれか１項に記載の導電フィルムの金属薄膜を、面内の一部の領域で除去することによりパターニングして、前記測温抵抗部および前記リード部を形成する、温度センサフィルムの製造方法。

     
PCT/JP2020/035027 2019-10-01 2020-09-16 導電フィルムおよびその製造方法、ならびに温度センサフィルムおよびその製造方法 Ceased WO2021065504A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202080068969.6A CN114556064A (zh) 2019-10-01 2020-09-16 导电膜及其制造方法、以及温度传感器膜及其制造方法
KR1020227014208A KR102954678B1 (ko) 2019-10-01 2020-09-16 도전 필름 및 그 제조 방법, 그리고 온도 센서 필름 및 그 제조 방법
US17/765,070 US12135247B2 (en) 2019-10-01 2020-09-16 Electroconductive film, method for manufacturing same, temperature sensor film, and method for manufacturing same
EP20870680.4A EP4040126B1 (en) 2019-10-01 2020-09-16 Electroconductive film, method for manufacturing same, temperature sensor film, and method for manufacturing same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019181491A JP2021056161A (ja) 2019-10-01 2019-10-01 導電フィルムおよびその製造方法、ならびに温度センサフィルムおよびその製造方法
JP2019-181491 2019-10-01

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2021065504A1 true WO2021065504A1 (ja) 2021-04-08

Family

ID=75272513

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2020/035027 Ceased WO2021065504A1 (ja) 2019-10-01 2020-09-16 導電フィルムおよびその製造方法、ならびに温度センサフィルムおよびその製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US12135247B2 (ja)
EP (1) EP4040126B1 (ja)
JP (1) JP2021056161A (ja)
CN (1) CN114556064A (ja)
TW (1) TWI862690B (ja)
WO (1) WO2021065504A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2024040688A (ja) * 2022-09-13 2024-03-26 グンゼ株式会社 導電性フィルム
CN117871027B (zh) * 2024-03-11 2024-05-07 中国航空工业集团公司沈阳空气动力研究所 一种柱状热流传感器及其阵列化制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005091045A (ja) 2003-09-12 2005-04-07 Yamari Sangyo Kk 薄膜抵抗測温シート
JP2007232669A (ja) * 2006-03-03 2007-09-13 Tokyo Univ Of Agriculture & Technology 温度センサおよびその製造方法
JP2007232598A (ja) * 2006-03-01 2007-09-13 Ngk Spark Plug Co Ltd 温度センサ
US20080043811A1 (en) * 2006-08-18 2008-02-21 U.S.A. As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Flexible Thin Metal Film Thermal Sensing System
JP2012182258A (ja) * 2011-02-28 2012-09-20 Mitsubishi Materials Corp 温度センサ付き非接触給電装置
JP2013045633A (ja) * 2011-08-24 2013-03-04 Nitto Denko Corp 透明導電性フィルムの製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1992003833A2 (en) * 1990-08-15 1992-03-05 Advanced Temperature Devices, Inc. Thin-film resistance temperature device
JPH11354302A (ja) * 1998-06-09 1999-12-24 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 薄膜抵抗素子
JP4667471B2 (ja) * 2007-01-18 2011-04-13 日東電工株式会社 透明導電性フィルム、その製造方法及びそれを備えたタッチパネル
JP5928829B2 (ja) 2013-01-31 2016-06-01 三菱マテリアル株式会社 温度センサ
US10343385B2 (en) 2013-07-18 2019-07-09 Boston Scientific Scimed, Inc. Bodily implant
US9236067B2 (en) 2013-08-01 2016-01-12 Stmicroelectronics Asia Pacific Pte Ltd Method and apparatus for speed control of voice coil motor retract operation dependent upon available power
US10006717B2 (en) 2014-03-07 2018-06-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Adaptive baking system and method of using the same
US9828825B2 (en) 2015-04-10 2017-11-28 Baker Hughes, A Ge Company, Llc Positive locating feature of optiport
CN109416406B (zh) 2016-07-05 2023-06-20 深圳帧观德芯科技有限公司 具有不同热膨胀系数的接合材料
KR101830209B1 (ko) 2017-02-16 2018-02-21 주식회사 베프스 압전 센서 제조 방법 및 이를 이용한 압전 센서
JP7345341B2 (ja) * 2019-10-01 2023-09-15 日東電工株式会社 導電フィルム、導電フィルム巻回体およびその製造方法、ならびに温度センサフィルム

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005091045A (ja) 2003-09-12 2005-04-07 Yamari Sangyo Kk 薄膜抵抗測温シート
JP2007232598A (ja) * 2006-03-01 2007-09-13 Ngk Spark Plug Co Ltd 温度センサ
JP2007232669A (ja) * 2006-03-03 2007-09-13 Tokyo Univ Of Agriculture & Technology 温度センサおよびその製造方法
US20080043811A1 (en) * 2006-08-18 2008-02-21 U.S.A. As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Flexible Thin Metal Film Thermal Sensing System
JP2012182258A (ja) * 2011-02-28 2012-09-20 Mitsubishi Materials Corp 温度センサ付き非接触給電装置
JP2013045633A (ja) * 2011-08-24 2013-03-04 Nitto Denko Corp 透明導電性フィルムの製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP4040126A4

Also Published As

Publication number Publication date
TWI862690B (zh) 2024-11-21
CN114556064A (zh) 2022-05-27
EP4040126A1 (en) 2022-08-10
KR20220070286A (ko) 2022-05-30
US20220390290A1 (en) 2022-12-08
US12135247B2 (en) 2024-11-05
JP2021056161A (ja) 2021-04-08
EP4040126B1 (en) 2025-11-05
TW202118070A (zh) 2021-05-01
EP4040126A4 (en) 2023-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2021065504A1 (ja) 導電フィルムおよびその製造方法、ならびに温度センサフィルムおよびその製造方法
US12345576B2 (en) Conductive film, method for manufacturing conductive film, and temperature sensor film
KR102920966B1 (ko) 도전 필름, 도전 필름 권회체 및 그 제조 방법, 그리고 온도 센서 필름
KR102954678B1 (ko) 도전 필름 및 그 제조 방법, 그리고 온도 센서 필름 및 그 제조 방법
WO2021065502A1 (ja) 導電フィルムおよび温度センサフィルム
US12146799B2 (en) Temperature sensor film, conductive film and method for producing same
KR102954585B1 (ko) 도전 필름 및 온도 센서 필름
KR102954674B1 (ko) 온도 센서 필름, 도전 필름 및 그 제조 방법
KR102954606B1 (ko) 도전 필름, 도전 필름의 제조 방법 및 온도 센서 필름

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 20870680

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20227014208

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2020870680

Country of ref document: EP

Effective date: 20220502

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 2020870680

Country of ref document: EP