WO2021112100A1 - 金属化フィルムおよびこれを用いたフィルムコンデンサ - Google Patents

金属化フィルムおよびこれを用いたフィルムコンデンサ Download PDF

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Definitions

  • the present disclosure relates to a metallized film and a film capacitor using the metallized film.
  • Patent Document 1 An example of the prior art is described in Patent Document 1.
  • the metallized film of the present disclosure has a first surface and a second surface opposite to the first surface, and has a film thickness of 1 ⁇ m to 3 ⁇ m, and a metal provided on the second surface.
  • the arithmetic mean height Sa1 of the first surface and the arithmetic mean height Sa2 of the second surface are different, and the maximum height Sz1 of the first surface satisfies the formula 100 nm ⁇ Sz1 ⁇ 350 nm.
  • the maximum height Sz2 of the second surface satisfies the equation 10 nm ⁇ Sz2 ⁇ 100 nm.
  • the film capacitor having the basic structure of the film capacitor of the present disclosure is formed by winding or laminating a plurality of metallized films formed by depositing a metal film on the surface of a dielectric film made of polypropylene resin or the like. It is formed.
  • the film capacitor When a short circuit occurs in the insulation defect part of the dielectric film, the film capacitor has a self-healing property that restores the insulation of the insulation defect part by scattering the metal film around the insulation defect part by the energy of the short circuit.
  • HEV hybrid electric vehicle
  • EV electric vehicle
  • the film capacitor since the film capacitor is hard to break down, its application has been expanded in recent years to the motor drive of a hybrid electric vehicle (HEV) or an electric vehicle (EV), an inverter system of a solar cell device, and the like.
  • HEV hybrid electric vehicle
  • EV electric vehicle
  • the withstand voltage resistance and element processability of a film capacitor when manufacturing a film capacitor using a metallized film depends on the surface properties of the dielectric film constituting the metallized film.
  • the withstand voltage resistance of the film capacitor may be lowered, or the yield when manufacturing the film capacitor may be lowered.
  • the metallized film 10 of the present embodiment has a dielectric film 1 and a metal film 2.
  • the dielectric film 1 has a first surface 1a and a second surface 1b opposite to the first surface 1a.
  • the film thickness of the dielectric film 1 is 1 to 3 ⁇ m.
  • the dielectric film 1 is made of an insulating resin.
  • the resin material used for the dielectric film 1 include polypropylene (PP), polyethylene terephthalate (PET), polyphenylene sulfide (PPS), polyethylene naphthalate (PEN), polyarylate (PAR), polyphenylene ether (PPE), and the like.
  • PP polypropylene
  • PET polyethylene terephthalate
  • PPS polyphenylene sulfide
  • PEN polyethylene naphthalate
  • PAR polyarylate
  • PPE polyphenylene ether
  • PEI polyetherimide
  • cycloolefin polymers cycloolefin polymers.
  • the arithmetic mean height Sa1 of the first surface 1a and the arithmetic mean height Sa2 of the second surface 1b are different.
  • the arithmetic mean height Sa1 and the arithmetic mean height Sa2 may be the arithmetic mean height represented by a 10-point average.
  • the maximum height Sz1 of the first surface 1a satisfies the formula 100 nm ⁇ Sz1 ⁇ 350 nm
  • the maximum height Sz2 of the second surface 1b satisfies the formula 10 nm ⁇ Sz2 ⁇ 100 nm. That is, in the dielectric film 1, the maximum height Sz1 and the maximum height Sz2 are different, and the maximum height Sz1 and the maximum height Sz2 satisfy the formula 110 nm ⁇ Sz1 + Sz2 ⁇ 450 nm.
  • the maximum height Sz1 and the maximum height Sz2 may be a maximum height of 10 points.
  • the metal film 2 is made of a metal material and is formed on the second surface 1b of the dielectric film 1.
  • the metal material used for the metal film 2 include aluminum and an alloy containing aluminum as a main component.
  • the film thickness of the metal film 2 is, for example, 10 nm to 30 nm.
  • the metallized film 10 is a portion where the metal film 2 is not deposited on one end side in the width direction of the dielectric film 1 (the direction perpendicular to the paper surface in FIG. 1) and the second surface 1b of the dielectric film 1 is exposed. It may have a certain metal film non-forming portion 10a.
  • the metal film non-forming portion 10a may extend continuously in the length direction (left-right direction in FIG. 1) of the dielectric film.
  • the metallized film 10 can be produced, for example, as follows.
  • Solvents include, for example, methanol, isopropanol, n-butanol, ethylene glycol, ethylene glycol monopropyl ether, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, xylene, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, dimethyl acetamide, cyclohexane, toluene, or A mixture of two or more selected from these can be used.
  • a base material made of PET is prepared, and one main surface (also referred to as the third surface) of the base material is blasted with alumina particles or the like.
  • the third surface may have a maximum height Sz3 in a range satisfying 100 nm ⁇ Sz3 ⁇ 350 nm.
  • the molding method can be appropriately selected from known methods such as a doctor blade method, a die coater method, and a knife coater method.
  • the dielectric film 1 can be formed on the third surface of the base material by drying the resin solution formed on the third surface and volatilizing the solvent.
  • the dielectric film 1 is peeled off from the base material, wound around a core made of resin or metal, and recovered.
  • the metallized film 10 can be manufactured by depositing the metal film 2 on the second surface 1b of the recovered dielectric film 1.
  • the dielectric film 1 formed on the third surface of the base material is not wound around the winding core together with the base material and recovered, but is peeled off from the base material to form a base. Separately from the material, it is wound around the core and collected. Therefore, it is possible to suppress the formation of indentations on the other main surface of the base material on the first surface 1a of the dielectric film 1.
  • the first surface 1a of the dielectric film 1 on which the metal film 2 is not vapor-deposited has fine irregularities satisfying the formula 100 nm ⁇ Sz1 ⁇ 350 nm.
  • the occurrence of wrinkles due to the high smoothness of the first surface 1a can be suppressed.
  • the metallized film 10 is wound or laminated to produce a film capacitor, it is possible to suppress sticking of the metallized films 10 to each other and reduce the possibility that the metallized film 10 is broken. As a result, the reliability of the film capacitor provided with the metallized film 10 can be improved.
  • the second surface 1b of the dielectric film 1 on which the metal film 2 is vapor-deposited satisfies the formula 10 ⁇ Sz1 ⁇ 100 nm and is smoother than the first surface 1a. That is, in the dielectric film 1, it is reduced that the film thickness is excessively lowered even in the portion where the valley of the first surface 1a and the valley of the second surface 1b overlap in a plan view. Therefore, in a film capacitor formed by laminating or winding a metallized film 10, dielectric breakdown is unlikely to occur even when a high voltage is applied.
  • the maximum mountain height Sp1 of the first surface 2a may be larger than the maximum valley depth Sv1.
  • the slipperiness of the first surface 1a is improved, so that it is possible to suppress the occurrence of wrinkles on the metallized film 10 when manufacturing a film capacitor.
  • FIG. 2 is an external perspective view showing a film capacitor according to an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 3 is a developed perspective view showing a film capacitor according to an embodiment of the present disclosure.
  • the film capacitor 20 of the present embodiment includes a main body portion 3 formed by laminating a plurality of metallized films 10 and an external electrode 4 provided on the main body portion 3.
  • the film capacitor 20 may have a lead wire 5 that electrically connects the external electrode 4 and an external device (not shown).
  • the film capacitor 20 may have an exterior member 6 that covers the main body 3, the external electrode 4, and a part of the lead wire 5.
  • the main body 3, the external electrode 4, and a part of the lead wire 5 can be electrically insulated from the external environment and protected from the external environment.
  • the film capacitor 20 includes a metal film non-forming portion 10a of one metallized film 10 and a metal film non-forming portion 10a of a metallized film 10 adjacent to the one metallized film 10. May be configured to be located at different ends of the dielectric film 1 in the width direction (left-right direction in FIG. 2).
  • the metallized film 10 in the film capacitor 20 it is possible to improve the yield when manufacturing the film capacitor and the withstand voltage resistance of the film capacitor. Further, according to the film capacitor 20, it is possible to prevent the adjacent metallized films 10 from coming into close contact with each other, and to secure the gas release property when a short circuit occurs in the insulation defect portion, thus improving the self-healing property. be able to.
  • the film capacitor 20 may be a winding type film capacitor, for example, as shown in FIG. Even if the film capacitor 20 is a winding type film capacitor, by providing the metallized film 10, it is possible to secure the gas release property when a short circuit occurs in the insulation defect portion, so that the film capacitor 20 can be self-healing. Can be improved.
  • the metallized film 10 will be described in detail based on examples.
  • Example 2 A resin solution was obtained using a polyarylate resin as an organic resin and toluene as a solvent. This resin solution was applied to the blasted surface of the base material, and then dried at 80 ° C. for 1 hour to remove the solvent to obtain a dielectric film 1. The obtained dielectric film 1 was peeled off from the base material, wound around the core separately from the base material, and recovered. Next, aluminum was vapor-deposited on the second surface 1b of the recovered dielectric film 1 by a vacuum deposition method to obtain a metallized film 10 of the example.
  • the metallized films of Examples 1 to 6 having different surface properties of the dielectric films are obtained by changing the combination of the organic resin and the solvent, the blasting conditions, the drying conditions of the resin solution, and the like. It was.
  • Comparative Example 1 A metallized film of Comparative Example 1 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the dielectric film and the base material were wound around the core at the same time and recovered. Further, a metallized film of Comparative Example 2 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the surface of the base material was not blasted.
  • a wide range dielectric breakdown electric field test (also referred to as a wide range BDE test) was performed for each of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 and 2, and the failure frequency was calculated.
  • a wide range BDE test an electric field of 300 V / ⁇ m is applied between the first surface and the second surface of the dielectric film, and the number of dielectric breakdown points per 1 m 2 is measured.
  • the breakdown frequency is the number of dielectric breakdown points measured by a wide range BDE test as a percentage of the number of dielectric breakdown points at the upper limit of the standard.
  • the number of dielectric breakdown points at the upper limit of the standard is the upper limit of the number of dielectric breakdown points that do not cause dielectric breakdown failure in a burn-in test in which an electric field of 210 V / ⁇ m is applied for 24 hours in an environment of 125 ° C. is there.
  • the degree of wrinkling in the main body was measured when the metallized films were laminated to form the main body.
  • the width dimension and the length dimension in a plan view were measured for a plurality of metallized films contained in the main body, and the ratio of the deviation between these dimensions and the predetermined dimensions of the metallized film was calculated. If the maximum value of this ratio is 2% or less, it is evaluated as ⁇ , and if it exceeds 2%, it is evaluated as x.
  • the maximum height Sz1 and the maximum height Sz2 are larger than those in Examples 1 to 6, and the frequency of destruction is high. It is considered that this is because the base material and the dielectric film were wound at the same time, so that indentations on the base material were generated on the dielectric film.
  • the maximum height Sz2 of the second surface 1b is smaller than that in Examples 1 to 6. Further, in Comparative Example 2, the degree of wrinkling is large when the metallized film is laminated to form the main body portion. It is considered that this is because the base material was not blasted, so that the slipperiness of the second surface of the dielectric film was reduced.
  • the metallized film of the present disclosure has a first surface and a second surface opposite to the first surface, and has a film thickness of 1 ⁇ m to 3 ⁇ m, and a metal provided on the second surface.
  • the arithmetic mean height Sa1 of the first surface and the arithmetic mean height Sa2 of the second surface are different, and the maximum height Sz1 of the first surface satisfies the formula 100 nm ⁇ Sz1 ⁇ 350 nm.
  • the maximum height Sz2 of the second surface satisfies the equation 10 nm ⁇ Sz2 ⁇ 100 nm.
  • the withstand voltage resistance of the film capacitor can be improved, and the yield at the time of manufacturing the film capacitor can be improved.

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Abstract

本開示の金属化フィルムは、第１面および第１面とは反対側の第２面を有し、膜厚が１～３μｍである誘電体フィルムであって、第１面の算術平均高さと第２面の算術平均高さとが異なり、第１面の最大高さＳｚ１が式１００ｎｍ＜Ｓｚ１≦３５０ｎｍを満たし、第２面の最大高さＳｚ２が式１０ｎｍ≦Ｓｚ２≦１００ｎｍを満たす誘電体フィルムと、前記第２面に設けられた金属膜とを備える。

Description

金属化フィルムおよびこれを用いたフィルムコンデンサ
　本開示は、金属化フィルムおよび該金属化フィルムを用いたフィルムコンデンサに関する。
　従来技術の一例は、特許文献１に記載されている。
特許第６１２０１８０号公報
　本開示の金属化フィルムは、第１面および前記第１面とは反対側の第２面を有し、膜厚が１μｍ～３μｍである誘電体フィルムと、前記第２面に設けられた金属膜と、を備える。前記誘電体フィルムは、前記第１面の算術平均高さＳａ１と前記第２面の算術平均高さＳａ２とが異なり、前記第１面の最大高さＳｚ１が式１００ｎｍ＜Ｓｚ１≦３５０ｎｍを満たし、前記第２面の最大高さＳｚ２が式１０ｎｍ≦Ｓｚ２≦１００ｎｍを満たす。
　本開示の目的、特色、および利点は、下記の詳細な説明と図面とからより明確になるであろう。
本開示の一実施形態に係る金属化フィルムを模式的に示す断面図である。 本開示の一実施形態に係るフィルムコンデンサを模式的に示す外観斜視図である。 本開示の一実施形態に係るフィルムコンデンサを模式的に示す展開斜視図である。
　本開示のフィルムコンデンサの基礎となる構成のフィルムコンデンサは、ポリプロピレン樹脂等から成る誘電体フィルムの表面に金属膜を蒸着して成る金属化フィルムを、巻回または所定方向に複数枚積層することによって形成される。
　フィルムコンデンサは、誘電体フィルムの絶縁欠陥部で短絡が生じた場合、短絡のエネルギによって絶縁欠陥部周辺の金属膜を飛散させることで、絶縁欠陥部の絶縁を回復する自己回復性を有する。このように、フィルムコンデンサは、絶縁破壊しにくいため、近年、ハイブリッド自動車（ＨＥＶ）または電気自動車（ＥＶ）のモータ駆動、太陽電池装置のインバータシステム等に用途が拡大している。
　金属化フィルムを用いてフィルムコンデンサを製造する際のフィルムコンデンサの耐電圧性、および素子加工性は、金属化フィルムを構成する誘電体フィルムの表面性状に依存する。従来の金属化フィルムでは、フィルムコンデンサの耐電圧性が低下する、またはフィルムコンデンサを製造する際の歩留りが低下することがあった。
　以下、本開示の金属化フィルムの実施形態について説明する。
　本実施形態の金属化フィルム１０は、誘電体フィルム１および金属膜２を有する。誘電体フィルム１は、第１面１ａおよび第１面１ａとは反対側の第２面１ｂを有している。誘電体フィルム１の膜厚は、１～３μｍである。
　誘電体フィルム１は、絶縁性の樹脂から成る。誘電体フィルム１に用いられる樹脂材料としては、例えば、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、シクロオレフィンポリマー等が挙げられる。
　誘電体フィルム１は、第１面１ａの算術平均高さＳａ１と第２面１ｂの算術平均高さＳａ２とが異なっている。算術平均高さＳａ１および算術平均高さＳａ２は、１０点平均で表された算術平均高さであってもよい。
　また、誘電体フィルム１は、第１面１ａの最大高さＳｚ１が式１００ｎｍ＜Ｓｚ１≦３５０ｎｍを満たし、第２面１ｂの最大高さＳｚ２が式１０ｎｍ≦Ｓｚ２≦１００ｎｍを満たしている。すなわち、誘電体フィルム１は、最大高さＳｚ１と最大高さＳｚ２とが異なっており、最大高さＳｚ１および最大高さＳｚ２は式１１０ｎｍ＜Ｓｚ１＋Ｓｚ２≦４５０ｎｍを満たしている。最大高さＳｚ１および最大高さＳｚ２は、１０点の最大高さであってもよい。
　金属膜２は、金属材料から成り、誘電体フィルム１の第２面１ｂに形成されている。金属膜２に用いられる金属材料としては、例えば、アルミニウム、アルミニウムを主成分とする合金等が挙げられる。金属膜２の膜厚は、例えば、１０ｎｍ～３０ｎｍである。
　金属化フィルム１０は、誘電体フィルム１の幅方向（図１における紙面に垂直な方向）の一端側に、金属膜２が蒸着されず、誘電体フィルム１の第２面１ｂが露出する部分である金属膜非形成部１０ａを有していてもよい。金属膜非形成部１０ａは、誘電体フィルムの長さ方向（図１における左右方向）に連続して延びていてもよい。
　金属化フィルム１０は、例えば、以下のようにして作製することができる。
　先ず、上記絶縁性の樹脂を溶媒に溶解した樹脂溶液を準備する。溶媒としては、例えば、メタノール、イソプロパノール、ｎ－ブタノール、エチレングリコール、エチレングリコールモノプロピルエーテル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、キシレン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジメチルアセトアミド、シクロヘキサン、トルエン、またはこれらから選択された２種以上の混合物を用いることができる。
　また、例えばＰＥＴ製の基材を準備し、基材の一方主面（第３面ともいう）にアルミナ粒子等を用いたブラスト処理を施す。第３面は、最大高さＳｚ３を、１００ｎｍ＜Ｓｚ３≦３５０ｎｍを満たす範囲としてもよい。
　次に、基材の第３面に樹脂溶液をシート状に成形する。成形方法としては、ドクターブレード法、ダイコータ法、ナイフコータ法等の公知の方法から適宜選択することができる。第３面に成形された樹脂溶液を乾燥して溶媒を揮発させることによって、基材の第３面上に誘電体フィルム１を形成することができる。
　次に、誘電体フィルム１を、基材から剥離し、樹脂または金属から成る巻芯に巻回して回収する。回収された誘電体フィルム１の第２面１ｂに金属膜２を蒸着することによって、金属化フィルム１０を製造することができる。
　金属化フィルム１０の製造方法では、基材の第３面上に形成された誘電体フィルム１を、基材と一緒に巻芯に巻回して回収するのではなく、基材から剥離し、基材とは別個に巻芯に巻回して回収する。このため、誘電体フィルム１の第１面１ａに、基材の他方主面の圧痕が生じることを抑制できる。
　金属化フィルム１０では、誘電体フィルム１の、金属膜２が蒸着されない第１面１ａが、式１００ｎｍ＜Ｓｚ１≦３５０ｎｍを満たす微細な凹凸を有している。これにより、第１面１ａの平滑性が高いことに起因する皺の発生を抑制できる。また、金属化フィルム１０を巻回または積層してフィルムコンデンサを作製する際に、金属化フィルム１０同士の貼り付きを抑制し、金属化フィルム１０が破断する虞を低減することができる。ひいては、金属化フィルム１０を備えるフィルムコンデンサの信頼性を向上させることができる。
　また、金属化フィルム１０では、誘電体フィルム１の、金属膜２が蒸着される第２面１ｂが、式１０≦Ｓｚ１≦１００ｎｍを満たし、第１面１ａよりも平滑にされている。すなわち、誘電体フィルム１では、平面視で第１面１ａの谷と第２面１ｂの谷とが重なる部位においても、膜厚が過度に低下することが低減されている。このため、金属化フィルム１０を積層または巻回して成るフィルムコンデンサでは、高電圧を印加した場合であっても絶縁破壊が起こりにくい。
　第１面２ａの最大高さＳｚ１は、最大山高さＳｐ１が最大谷深さＳｖ１よりも大きくてもよい。これにより、第１面１ａの滑り性が向上するので、フィルムコンデンサを製造する際に、金属化フィルム１０に皺が発生することを抑制できる。
　次に、本開示のフィルムコンデンサについて、図面を参照しつつ説明する。
　図２は、本開示の一実施形態に係るフィルムコンデンサを示す外観斜視図であり、図３は、本開示の一実施形態に係るフィルムコンデンサを示す展開斜視図である。
　本実施形態のフィルムコンデンサ２０は、金属化フィルム１０を複数枚積層して成る本体部３と、本体部３に設けられた外部電極４とを備えている。
　フィルムコンデンサ２０は、外部電極４と外部装置（図示せず）とを電気的に接続するリード線５を有していてもよい。
　フィルムコンデンサ２０は、本体部３と、外部電極４と、リード線５の一部とを覆う外装部材６を有していてもよい。これにより、本体部３と、外部電極４と、リード線５の一部とを、外部環境から電気的に絶縁し、外部環境から保護することが可能になる。
　フィルムコンデンサ２０は、例えば図２に示すように、１つの金属化フィルム１０の金属膜非形成部１０ａと、該１つの金属化フィルム１０に隣り合う金属化フィルム１０の金属膜非形成部１０ａとが、誘電体フィルム１の幅方向（図２における左右方向）における異なる端部に位置するように構成されていてもよい。
　フィルムコンデンサ２０は、金属化フィルム１０を備えることにより、フィルムコンデンサを製造する際の歩留り、フィルムコンデンサの耐電圧性を向上させることができる。また、フィルムコンデンサ２０によれば、隣り合う金属化フィルム１０が密着することを抑制し、絶縁欠陥部で短絡が生じた際のガス抜け性を確保することができるため、自己回復性を向上させることができる。
　フィルムコンデンサ２０は、例えば図３に示すように、巻回型のフィルムコンデンサであってもよい。フィルムコンデンサ２０は、巻回型のフィルムコンデンサである場合でも、金属化フィルム１０を備えることによって、絶縁欠陥部で短絡が生じた際のガス抜け性を確保することができるため、自己回復性を向上させることができる。
　以下、金属化フィルム１０について、実施例に基づき詳細に説明する。
　（実施例）　有機樹脂としてポリアリレート樹脂を用い、溶媒としてトルエンを用いて樹脂溶液を得た。この樹脂溶液を、基材の、ブラスト処理が施された表面に塗布し、その後、８０℃で１時間乾燥して溶媒を除去し、誘電体フィルム１を得た。得られた誘電体フィルム１を基材から剥離し、巻芯に基材とは別個に巻回して回収した。次に、回収された誘電体フィルム１の第２面１ｂに、アルミニウムを真空蒸着法により蒸着し、実施例の金属化フィルム１０を得た。本実施例では、有機樹脂と溶媒との組み合わせ、ブラスト処理の条件、樹脂溶液の乾燥条件等を変更することによって、誘電体フィルムの表面性状が互いに異なる実施例１～６の金属化フィルムを得た。
　（比較例）　誘電体フィルムと基材とを同時に巻芯に巻回して回収したこと以外は、実施例１と同様にして比較例１の金属化フィルムを得た。また、基材の表面にブラスト処理を施さなかったこと以外は、実施例１と同様にして比較例２の金属化フィルムを得た。
　（特性評価）
　実施例１～実施例６および比較例１，２のそれぞれについて、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて、視野１００μｍ×１００μｍの表面を観察し、第１面１ａの算術平均高さＳａ１、最大高さＳｚ１、最大山高さＳｐ１および最大谷深さＳｖ１、ならびに第２面１ｂの算術平均高さＳａ２および最大高さを測定した。
　また、実施例１～６および比較例１，２のそれぞれについて、広範囲絶縁破壊電界試験（広範囲ＢＤＥ試験ともいう）を行って、破壊頻度を算出した。広範囲ＢＤＥ試験は、誘電体フィルムの第１面と第２面との間に３００Ｖ／μｍの電界を印加し、１ｍ２あたりの絶縁破壊箇所の数を計測するものである。破壊頻度は、規格上限の絶縁破壊箇所の数に対する、広範囲ＢＤＥ試験によって計測された絶縁破壊箇所の数を百分率で表したものである。ここで、規格上限の絶縁破壊箇所の数とは、１２５℃の環境下で２４時間にわたり２１０Ｖ／μｍの電界を印加するバーンイン試験において、絶縁抵抗不良を起こさない絶縁破壊箇所の数の上限値である。
　また、実施例１～６および比較例１，２のそれぞれについて、多数の金属化フィルムを作製し、上記のバーンイン試験を行い、絶縁抵抗不良を起こさなかった金属化フィルムの割合（すなわち、歩留り）を測定した。
　また、実施例１～６および比較例１，２のそれぞれについて、金属化フィルムを積層し、本体部を形成した場合の、本体部における皺の発生の程度を測定した。本測定では、本体部に含まれる複数の金属化フィルムについて、平面視における幅寸法および長さ寸法を測定し、それらの寸法と金属化フィルムの所定寸法とのずれの割合を算出した。この割合の最大値が２％以下であれば○とし、２％を超えた場合は×とした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　特性評価の結果を表１および表２に示す。実施例１～実施例６については、最大高さＳｚ１と最大高さＳｚ２との和が４５０ｎｍ以下であり、破壊頻度も１００％未満であることが確認できた。また、最大高さＳｚ１と最大高さＳｚ２との和が小さくなるにつれて、破壊頻度が減少し、比Ｓｐ１／Ｓｖ１が大きくなるにつれて、破壊頻度が減少することがわかった。
　比較例１は、実施例１～実施例６と比較して、最大高さＳｚ１および最大高さＳｚ２が大きく、破壊頻度が高い。これは、基材と誘電体フィルムとを同時に巻回したので、誘電体フィルムに基材の圧痕が生じたことが原因と考えられる。
　比較例２は、実施例１～実施例６と比較して、第２面１ｂの最大高さＳｚ２が小さい。また、比較例２は、金属化フィルムを積層し、本体部を形成した際の、皺の発生の程度が大きい。これは、基材にブラスト処理を施さなかったため、誘電体フィルムの第２面の滑り性が低下したことが原因と考えられる。
　本開示は次の実施の形態が可能である。
　本開示の金属化フィルムは、第１面および前記第１面とは反対側の第２面を有し、膜厚が１μｍ～３μｍである誘電体フィルムと、前記第２面に設けられた金属膜と、を備える。前記誘電体フィルムは、前記第１面の算術平均高さＳａ１と前記第２面の算術平均高さＳａ２とが異なり、前記第１面の最大高さＳｚ１が式１００ｎｍ＜Ｓｚ１≦３５０ｎｍを満たし、前記第２面の最大高さＳｚ２が式１０ｎｍ≦Ｓｚ２≦１００ｎｍを満たす。
　本開示の金属化フィルムによれば、フィルムコンデンサの耐電圧性を向上させることができるとともに、フィルムコンデンサを製造する際の歩留りを向上させることができる。
　以上、本開示の実施形態について詳細に説明したが、本開示は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲内において、種々の変更、改良等が可能である。
　１　　　誘電体フィルム
　１ａ　　第１面
　１ｂ　　第２面
　２　　　金属膜
　２ａ　　第１面
　３　　　本体部
　４　　　外部電極
　５　　　リード線
　６　　　外装部材
　１０　　金属化フィルム
　１０ａ　金属膜非形成部
　２０　　フィルムコンデンサ

Claims (3)

  1. 　第１面および前記第１面とは反対側の第２面を有し、膜厚が１～３μｍである誘電体フィルムであって、前記第１面の算術平均高さＳａ１と前記第２面の算術平均高さＳａ２とが異なり、前記第１面の最大高さＳｚ１が下記式（１）を満たし、前記第２面の最大高さＳｚ２が下記式（２）を満たす誘電体フィルムと、
    　前記第２面に設けられた金属膜と、を備える金属化フィルム。
    　１００ｎｍ＜Ｓｚ１≦３５０ｎｍ　　　（１）
    　１０ｎｍ≦Ｓｚ２≦１００ｎｍ　　　　（２）
  2. 　前記最大高さＳｚ１は、最大山高さＳｐ１が最大谷深さＳｖ１よりも大きい、請求項１に記載の金属化フィルム。
  3. 　請求項１または請求項２に記載の金属化フィルムが積層または巻回されてなる本体部と、該本体部に設けられた外部電極と、を備えるフィルムコンデンサ。
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