WO2022019242A1 - 回路基板および回路基板の製造方法 - Google Patents

回路基板および回路基板の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2022019242A1
WO2022019242A1 PCT/JP2021/026873 JP2021026873W WO2022019242A1 WO 2022019242 A1 WO2022019242 A1 WO 2022019242A1 JP 2021026873 W JP2021026873 W JP 2021026873W WO 2022019242 A1 WO2022019242 A1 WO 2022019242A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
metal plate
circuit board
brazing material
ceramic substrate
protruding portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2021/026873
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
裕一 阿部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to EP21845635.8A priority Critical patent/EP4187587A4/en
Priority to JP2022537983A priority patent/JP7446430B2/ja
Publication of WO2022019242A1 publication Critical patent/WO2022019242A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
    • H10W40/20—Arrangements for cooling
    • H10W40/25—Arrangements for cooling characterised by their materials
    • H10W40/255—Arrangements for cooling characterised by their materials having a laminate or multilayered structure, e.g. direct bond copper [DBC] ceramic substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • C04B37/02—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles
    • C04B37/023—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles characterised by the interlayer used
    • C04B37/026—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles characterised by the interlayer used consisting of metals or metal salts
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0254—High voltage adaptations; Electrical insulation details; Overvoltage or electrostatic discharge protection ; Arrangements for regulating voltages or for using plural voltages
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/20—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
    • H05K3/202—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern using self-supporting metal foil pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
    • H10W70/62—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their interconnections
    • H10W70/65—Shapes or dispositions of interconnections
    • H10W70/658—Shapes or dispositions of interconnections for devices provided for in groups H10D8/00 - H10D48/00
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/12—Metallic interlayers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/36—Non-oxidic
    • C04B2237/368—Silicon nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/40—Metallic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/40—Metallic
    • C04B2237/407—Copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/58—Forming a gradient in composition or in properties across the laminate or the joined articles
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0271—Arrangements for reducing stress or warp in rigid printed circuit boards, e.g. caused by loads, vibrations or differences in thermal expansion
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0335—Layered conductors or foils
    • H05K2201/0355—Metal foils
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/07—Electric details
    • H05K2201/0753—Insulation
    • H05K2201/0761—Insulation resistance, e.g. of the surface of the PCB between the conductors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
    • H05K2201/09736—Varying thickness of a single conductor; Conductors in the same plane having different thicknesses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts

Definitions

  • the disclosed embodiment relates to a circuit board and a method for manufacturing the circuit board.
  • circuit board used in an electronic device on which an electronic component such as a power semiconductor element is mounted for example, a circuit board in which a metal plate having a circuit pattern is bonded to a main surface of a ceramic substrate has been used (for example,). See Patent Document 1).
  • One aspect of the embodiment is made in view of the above, and an object thereof is to provide a circuit board and a method for manufacturing a circuit board that can improve the reliability of an electronic device.
  • the circuit board includes a flat plate-shaped ceramic substrate and a metal plate joined to one of the main surfaces of the ceramic substrate and having a predetermined circuit pattern. Further, the outer peripheral surface of the metal plate has a protruding portion protruding outward and a pair of concave surfaces provided on both sides of the protruding portion.
  • FIG. 1 is a perspective view showing the overall configuration of the circuit board according to the embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA shown in FIG.
  • FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view showing the configuration of the circuit board according to the embodiment.
  • FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view showing the configuration of the circuit board according to the first modification of the embodiment.
  • FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view showing the configuration of the circuit board according to the second modification of the embodiment.
  • FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view showing the configuration of the circuit board according to the modified example 3 of the embodiment.
  • FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view showing the configuration of the circuit board according to the modified example 4 of the embodiment.
  • FIG. 1 is a perspective view showing the overall configuration of the circuit board according to the embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA shown in FIG.
  • FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view showing the
  • FIG. 8 is an enlarged cross-sectional view showing the configuration of the circuit board according to the modified example 5 of the embodiment.
  • FIG. 9 is an enlarged cross-sectional view showing the configuration of the circuit board according to the modified example 6 of the embodiment.
  • FIG. 10 is an enlarged cross-sectional view showing the configuration of the circuit board according to the modified example 7 of the embodiment.
  • FIG. 11 is an enlarged cross-sectional view showing the configuration of the circuit board according to the modified example 8 of the embodiment.
  • FIG. 12 is an enlarged cross-sectional view showing the configuration of the circuit board according to the modified example 9 of the embodiment.
  • FIG. 13 is a flowchart showing a procedure of the circuit board manufacturing process according to the embodiment.
  • FIG. 14 is a flowchart showing a procedure of the circuit board manufacturing process according to the modified example 8 of the embodiment.
  • circuit board used in an electronic device on which an electronic component such as a power semiconductor element is mounted for example, a circuit board in which a metal plate having a circuit pattern is bonded to the main surface of a ceramic substrate has been used.
  • FIG. 1 is a perspective view showing the overall configuration of the circuit board 1 according to the embodiment
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA shown in FIG.
  • the circuit board 1 includes a ceramic substrate 2, a metal plate 3, and a metal plate 4.
  • the circuit board 1 has a structure in which a metal plate 3, a ceramic substrate 2, and a metal plate 4 are laminated in this order.
  • the ceramic substrate 2 has, for example, a rectangular flat plate shape in a plan view, and has a front surface 2a which is one main surface and a back surface 2b which is the other main surface.
  • the ceramic substrate 2 is not limited to a rectangular shape in a plan view.
  • the ceramic substrate 2 preferably contains silicon nitride (Si 3 N 4 ) as a main component from the viewpoint of high thermal conductivity.
  • containing silicon nitride as a main component means that the ceramic substrate 2 contains 70% by mass or more of silicon nitride.
  • the thermal conductivity of the ceramic substrate 2 becomes high, so that the heat dissipation of the circuit board 1 can be improved.
  • the thickness of the ceramic substrate 2 is, for example, about 0.1 mm to 1 mm, and is appropriately set according to conditions such as predetermined external dimensions and mechanical strength of an electronic device (not shown) on which the circuit board 1 is mounted. To.
  • the metal plate 3 is joined to the front surface 2a of the ceramic substrate 2 and has a predetermined circuit pattern.
  • a predetermined circuit pattern is a pattern shape corresponding to an electric circuit configured in an electronic device on which the circuit board 1 is mounted.
  • the metal plate 3 has a mounting surface 3a which is one main surface, a joint surface 3b which is the other main surface, and an outer peripheral surface 3c.
  • the mounting surface 3a is a surface on which electronic components (not shown) are mounted, and the bonding surface 3b is a surface bonded to the front surface 2a of the ceramic substrate 2 via the brazing material 5.
  • the metal constituting the metal plate 3 for example, a metal containing copper, silver, aluminum or the like as a main component is suitable.
  • the metal plate 3 preferably contains copper as a main component from the viewpoint of high electrical conductivity and thermal conductivity.
  • containing copper as a main component means that the metal plate 3 contains 70% by mass or more of copper.
  • the allowable current that can be passed through the electronic components mounted on the circuit board 1 can be increased.
  • the metal plate 4 is joined to the back surface 2b of the ceramic substrate 2 via a brazing material 5.
  • the metal plate 4 has, for example, a rectangular shape slightly smaller than the ceramic substrate 2 in a plan view.
  • the same metal as the metal plate 3 can be used for the metal plate 4.
  • the shapes of the metal plate 3 and the metal plate 4 are not limited to the examples of FIGS. 1 and 2.
  • the thickness of the metal plate 3 and the metal plate 4 is, for example, about 0.3 mm to 1 mm, and is appropriately set according to conditions such as predetermined external dimensions and mechanical strength of the electronic device on which the circuit board 1 is mounted. ..
  • the brazing material 5 is composed of, for example, a silver-copper-based or copper-based brazing material. Further, the brazing material 5 may contain at least one active metal among titanium, hafnium and zirconium. As a result, the wettability to the ceramic substrate 2 is improved, so that the metal plates 3 and 4 can be firmly bonded to the ceramic substrate 2.
  • the brazing material 5 may contain at least one refractory metal among molybdenum, tungsten, tantalum and osmium. As a result, the shape retention of the brazing material 5 is improved, the spreading of the brazing material 5 on the surface of the ceramic substrate 2 can be prevented, and the insulating property can be improved.
  • the brazing material 5 may contain at least one metal material of indium and tin. As a result, the melting point of the silver-copper brazing material can be lowered, so that the residual stress due to the thermal stress generated when the circuit board 1 is manufactured can be reduced.
  • the thickness of the brazing material 5 is, for example, about 5 ⁇ m to 100 ⁇ m.
  • FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view showing the configuration of the circuit board 1 according to the embodiment, and is an enlarged cross-sectional view of the outer peripheral surface 3c of the metal plate 3 and its periphery.
  • the outer peripheral surface 3c of the metal plate 3 has a protruding portion 11 and a pair of concave surfaces 12.
  • the protruding portion 11 is arranged at the central portion in the thickness direction of the metal plate 3 and protrudes outward.
  • the height of the protrusion 11 is, for example, 50 ⁇ m to 300 ⁇ m.
  • the concave surface 12 has a shape in which the central portion of the surface is recessed more than at least a part of the peripheral portion of the surface.
  • the pair of concave surfaces 12 is a concave surface 12 on the side closer to the ceramic substrate 2 than the protrusion 11 (hereinafter, also referred to as a concave surface 12A) and a concave surface 12 on the side farther from the ceramic substrate 2 than the protrusion 11 (hereinafter, concave surface). It is also called 12B).
  • the concave surface 12A is configured so that the hem expands in a direction approaching the ceramic substrate 2 starting from the protruding portion 11.
  • the concave surface 12B is configured so that the hem expands in a direction away from the ceramic substrate 2 starting from the protruding portion 11.
  • the electric field is concentrated at the protruding portion 11 separated from the ceramic substrate 2 in the metal plate 3 to which a high voltage is applied during the operation of the electronic device. Can be caused.
  • the creepage distance can be lengthened by providing a pair of concave surfaces 12 on both sides of the protruding portion 11.
  • the embodiment even when a high voltage is applied during the operation of the electronic device, it is possible to suppress the concentration of the electric field on the ceramic substrate 2, so that the dielectric breakdown of the ceramic substrate 2 can be suppressed. Therefore, according to the embodiment, the reliability of the electronic device on which the circuit board 1 is mounted can be improved.
  • the creepage distance to the outer peripheral surface 3c of the adjacent metal plate 3 is extended by the amount of the lower concave surface 12A. Can be done. Therefore, according to the embodiment, it is possible to suppress a short circuit between the metal plates 3 due to the ion migration phenomenon.
  • the lower concave surface 12A has a concave shape, it is possible to prevent the brazing material 5 from creeping up to the mounting surface 3a when the metal plate 3 is joined by the brazing material 5. be able to.
  • the embodiment it is possible to prevent the brazing material 5 that has climbed up to the mounting surface 3a from interfering with the electronic component, so that the electronic component can be easily mounted on the circuit board 1.
  • the cross-sectional shape of the outer peripheral surface 3c as shown in FIG. 3 is such that isotropic etching such as wet etching is substantially evenly performed from both main surfaces of the metal plate 3 before the metal plate 3 is joined to the ceramic substrate 2. It can be formed by applying.
  • the circuit board 1 may be formed by joining a metal plate 3 formed in a predetermined circuit pattern by isotropic etching to the front surface 2a of the ceramic substrate 2 with a brazing material 5.
  • the outer peripheral surface 5a of the brazing material 5 is arranged at the same position as the hem portion 12Aa of the concave surface 12A in a plan view. As a result, it is possible to prevent the end portion of the metal plate 3 from becoming a free end.
  • the same pattern as the circuit pattern of the metal plate 3 is formed on the front surface 2a of the ceramic substrate 2.
  • the metal plate 3 that is printed with the brazing material 5 and has a pattern formed on the printed brazing material 5 may be aligned.
  • the carbon amount and the nitrogen amount in the outer peripheral portion may be larger than the carbon amount and the nitrogen amount in the central portion.
  • the outer peripheral portion of the brazing material 5 is, for example, a region of 1 (mm) or less from the outer peripheral surface 5a of the brazing material 5, and the central portion of the brazing material 5 is from the outer peripheral portion of the brazing material 5. Is also the area located in the center.
  • the brazing material 5 can be prevented from protruding to the concave surface 12, it is possible to prevent the brazing material 5 from creeping up to the mounting surface 3a.
  • the brazing material 5 can be uniformly dispersed. Therefore, according to the embodiment, the thermal resistance of the brazing material 5 can be reduced, so that the heat dissipation of the circuit board 1 can be improved. Further, by uniformly dispersing the brazing material 5, the adhesion strength between the brazing material 5 and the metal plate 3 and the ceramic substrate 2 can be increased, so that the reliability of the circuit board 1 can be increased.
  • the carbon content and the nitrogen content of the brazing material 5 can be determined, for example, by analyzing the cut surface of the brazing material 5 with an EPMA (electron probe microanalyzer).
  • EPMA electron probe microanalyzer
  • FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view showing the configuration of the circuit board 1 according to the modified example 1 of the embodiment.
  • the outer peripheral surface 5a of the brazing material 5 is arranged inside the outer peripheral surface 3c of the metal plate 3 (specifically, the hem portion 12Aa of the concave surface 12A).
  • the distance between the protruding portion 11 where the electric field concentration is generated and the brazing material 5 can be separated, so that the ion migration phenomenon caused by the brazing material 5 can be suppressed from occurring in the protruding portion 11. Therefore, according to the first modification, the electrical reliability of the circuit board 1 can be improved.
  • the distance between the outer peripheral surface 5a of the brazing material 5 and the outer peripheral surface 3c of the metal plate 3 is, for example, 200 ⁇ m or less.
  • FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view showing the configuration of the circuit board 1 according to the second modification of the embodiment.
  • the outer peripheral surface 5a of the brazing material 5 is arranged outside the hem portion 12Aa of the concave surface 12A on the outer peripheral surface 3c of the metal plate 3. Then, in the second modification, the brazing material 5 is arranged so as to protrude from the lower concave surface 12A.
  • the carbon amount and the nitrogen amount of the brazing material 5 arranged so as to protrude from the concave surface 12A of the metal plate 3 are the carbon amounts of the brazing material 5 arranged between the metal plate 3 and the ceramic substrate 2. And may be greater than the amount of nitrogen.
  • the brazing material 5 can be uniformly dispersed. Therefore, according to the second modification, the thermal resistance of the brazing material 5 can be reduced, so that the heat dissipation of the circuit board 1 can be improved. Further, by uniformly dispersing the brazing material 5, the adhesion strength between the brazing material 5 and the metal plate 3 and the ceramic substrate 2 can be increased, so that the reliability of the circuit board 1 can be increased.
  • FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view showing the configuration of the circuit board 1 according to the modified example 3 of the embodiment. As shown in FIG. 6, in the modified example 3, the brazing material 5 protruding from the concave surface 12A is arranged on the outer side of the protruding portion 11 side than on the ceramic substrate 2 side.
  • FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view showing the configuration of the circuit board 1 according to the modified example 4 of the embodiment.
  • the brazing material 5 is arranged so as to protrude from both the lower concave surface 12A and the upper concave surface 12B.
  • the brazing material 5 it is preferable to arrange the brazing material 5 so that the brazing material 5 does not adhere to the tip portion of the protruding portion 11. As a result, it is possible to prevent the brazing material 5 adhering to the tip portion from shortening the distance from the adjacent metal plate 3.
  • the electrical reliability of the circuit board 1 can be improved.
  • FIG. 8 is an enlarged cross-sectional view showing the configuration of the circuit board 1 according to the modified example 5 of the embodiment.
  • the protruding portion 11 is arranged on the ceramic substrate 2 side (joint surface 3b side) with respect to the central portion in the thickness direction of the metal plate 3.
  • the radius of curvature of the upper concave surface 12B is larger than the radius of curvature of the lower concave surface 12A.
  • the cross-sectional shape of the outer peripheral surface 3c as shown in FIG. 8 is such that when isotropic etching is performed from both main surfaces of the metal plate 3, the mounting surface 3a side is etched deeper than the joint surface 3b side. Can be formed with.
  • FIG. 9 is an enlarged cross-sectional view showing the configuration of the circuit board 1 according to the modified example 6 of the embodiment.
  • the protruding portion 11 is arranged on the mounting surface 3a side of the central portion in the thickness direction of the metal plate 3.
  • the radius of curvature of the lower concave surface 12A is larger than the radius of curvature of the upper concave surface 12B.
  • the brazing material 5 can be prevented from crawling up to the tip portion of the protruding portion 11, it is possible to suppress the ion migration phenomenon caused by the brazing material 5 from occurring in the protruding portion 11. Can be done.
  • the electrical reliability of the circuit board 1 can be further improved.
  • FIG. 10 is an enlarged cross-sectional view showing the configuration of the circuit board 1 according to the modified example 7 of the embodiment.
  • the outer peripheral surface 3c of the metal plate 3 is different on the side closer to the ceramic substrate 2 than the protrusion 11 and the side farther from the ceramic substrate 2 than the protrusion 11. It has protrusions 13 and 14.
  • the other protruding portion 13 is provided on the hem portion 12Aa of the concave surface 12A, and the other protruding portion 14 is provided on the hem portion 12Ba of the concave surface 12B.
  • the concave surface 12A has a concave shape having a large curvature, when the metal plate 3 is joined by the brazing material 5, the brazing material 5 crawls up to the tip of the protruding portion 11. It can be suppressed.
  • FIG. 11 is an enlarged cross-sectional view showing the configuration of the circuit board 1 according to the modified example 8 of the embodiment.
  • the metal pin 6 is erected on the metal plate 3, which is different from the embodiment. Specifically, a through hole 3d is formed at a predetermined position of the metal plate 3, and the metal pin 6 is inserted into the through hole 3d so that the metal pin 6 is erected on the metal plate 3.
  • the metal constituting the metal pin 6 for example, one containing copper, silver, aluminum, an alloy of these metals, or the like as a main component is suitable.
  • the metal pin 6 preferably contains copper, which is the same material as the metal plate, as a main component from the viewpoint of making the coefficient of linear expansion the same.
  • the metal pin 6 is fixed to the metal plate 3 by using the brazing material 5.
  • the metal pin 6 and the metal plate 3 can be electrically connected via the brazing material 5.
  • the metal pin 6 is between the metal plate 3 and the metal plate 3 as compared with the case where the metal pin 6 is electrically connected to the metal plate 3 by fitting the metal pin 6 to the metal plate 3.
  • the electrical resistance can be reduced.
  • the joint portion of the metal pin 6 is melted. It can be prevented from being damaged. This is because the brazing material 5 has a higher melting point than the solder material.
  • the metal pin 6 is fixed by using a solder material instead of the brazing material 5, a step of soldering the metal pin 6 is required separately.
  • the metal plate 3 and the metal pin 6 can be collectively fixed by the brazing material 5, the manufacturing process of the circuit board 1 can be simplified.
  • the heat resistance of the circuit board 1 can be improved and the manufacturing cost of the circuit board 1 can be reduced.
  • the metal pin 6 comes into contact with the brazing material 5 not only in the portion where the metal pin 6 protrudes downward from the metal plate 3 but also in the through hole 3d of the metal plate 3. That is, in the modified example 8, the brazing material 5 may have a crawling portion 5b that crawls up in the gap between the metal plate 3 and the metal pin 6 in the through hole 3d.
  • the contact area between the metal pin 6 and the brazing material 5 can be increased, so that the electrical resistance between the metal pin 6 and the metal plate 3 can be further reduced. Therefore, according to the modified example 8, the permissible current that can be passed through the electronic component mounted on the circuit board 1 can be further increased.
  • the crawling portion 5b presses the brazing material 5 from above when the metal pin 6 is inserted into the through hole 3d after the metal plate 3 is placed on the brazing material 5 printed on the ceramic substrate 2. It can be formed by inserting the metal pin 6 as described above.
  • the through hole 3d of the metal plate 3 is formed by performing isotropic etching substantially evenly from both main surfaces of the metal plate 3 when the metal plate 3 is formed into a predetermined circuit pattern. Can be formed.
  • FIG. 12 is an enlarged cross-sectional view showing the configuration of the circuit board 1 according to the modified example 9 of the embodiment.
  • FIG. 12 shows an example of joining the metal plate 3 to the ceramic substrate 2 by using the brazing material 5 , but as shown in FIG. 12, the metal plate 3 is directly attached to the ceramic substrate 2. It may be joined.
  • a metal plate 3 composed mainly of copper is bonded directly with the eutectic phases such as Cu-Cu 2 O. Further, the metal plate 3 containing aluminum as a main component may be directly bonded to the front surface 2a of the ceramic substrate 2 containing silicon nitride as a main component by using an Al—Si eutectic phase.
  • the ceramic substrate 2 is provided in the metal plate 3 to which a high voltage is applied during the operation of the electronic device by providing the protruding portion 11 at the center of the outer peripheral surface 3c in the thickness direction, as in the embodiment.
  • the electric field concentration can be generated by the protrusion 11 separated from the above.
  • the creepage distance can be lengthened by providing a pair of concave surfaces 12 on both sides of the protruding portion 11.
  • the modified example 9 even when a high voltage is applied during the operation of the electronic device, it is possible to suppress the concentration of the electric field on the ceramic substrate 2, so that the dielectric breakdown of the ceramic substrate 2 can be suppressed. Therefore, according to the modified example 9, the reliability of the electronic device on which the circuit board 1 is mounted can be improved.
  • FIG. 13 is a flowchart showing a procedure of the manufacturing process of the circuit board 1 according to the embodiment.
  • step S101 a flat plate-shaped ceramic substrate 2 is prepared (step S101).
  • step S101 an air-baking step of the ceramic substrate 2 is carried out, if necessary.
  • a predetermined circuit pattern is printed on the front surface 2a of the prepared ceramic substrate 2 with the brazing material 5 containing the active metal (step S102). Then, the brazing material 5 containing the active metal is printed in a substantially rectangular shape on the back surface 2b of the ceramic substrate 2 (step S103).
  • step S103 may be performed before the process of step S102, or may be performed in parallel with the process of step S102.
  • the metal plate 3 is formed by forming a metal plate as a raw material into a predetermined circuit pattern by isotropic etching from both sides.
  • the metal plate 4 is formed by forming the metal plate as a raw material into a rectangular shape (step S104).
  • the protruding portion 11 and the pair of concave surfaces 12 are formed on the outer peripheral surface 3c of the metal plate 3.
  • step S105 the metal plate 3 and the metal plate 4 are arranged on the front surface of the brazing material 5 printed on the front surface 2a and the back surface 2b of the ceramic substrate 2, respectively.
  • the metal plate 3 and the metal plate 4 are arranged on the surface of the brazing material 5 while aligning the printed shape of the brazing material 5 with the shapes of the metal plate 3 and the metal plate 4 so as to overlap each other. ..
  • step S106 by heating the brazing material 5 to a melting temperature or higher to melt it, the metal plate 3 and the metal plate 4 arranged on the surface of the brazing material 5 are formed by the brazing material 5 on the front surface of the ceramic substrate 2. It is joined to 2a and the back surface 2b (step S106).
  • the brazing material 5 may be heated in a vacuum or in an inert atmosphere such as nitrogen or argon.
  • an inert atmosphere such as nitrogen or argon.
  • the amount of carbon and the amount of nitrogen of the brazing material 5 located on the outer peripheral portion is placed between the metal plate 3 and the ceramic substrate 2 located in the central portion. It can be larger than the carbon content and the nitrogen content of the brazing material 5 (arranged).
  • FIG. 14 is a flowchart showing the procedure of the manufacturing process of the circuit board 1 according to the modified example 8 of the embodiment. As shown in FIG. 14, in this manufacturing process, first, a flat plate-shaped ceramic substrate 2 is prepared (step S201).
  • a predetermined circuit pattern is printed on the front surface 2a of the prepared ceramic substrate 2 with the brazing material 5 containing the active metal (step S202). Then, the brazing material 5 containing the active metal is printed in a substantially rectangular shape on the back surface 2b of the ceramic substrate 2 (step S203).
  • the metal plate 3 is formed by forming a metal plate as a raw material into a predetermined circuit pattern by isotropic etching from both sides.
  • the metal plate 4 is formed by forming the metal plate as a raw material into a rectangular shape (step S204).
  • step S104 in the process of step S104, the protruding portion 11 and the pair of concave surfaces 12 are formed on the outer peripheral surface 3c of the metal plate 3, and the through hole 3d through which the metal pin 6 is inserted is formed. ..
  • step S205 the metal plate 3 and the metal plate 4 are arranged on the front surface of the brazing material 5 printed on the front surface 2a and the back surface 2b of the ceramic substrate 2, respectively.
  • step S205 the metal plate 3 and the metal plate 4 are arranged on the surface of the brazing material 5 while aligning the printed shape of the brazing material 5 with the shapes of the metal plate 3 and the metal plate 4 so as to overlap each other. ..
  • step S206 the metal pin 6 is inserted into the through hole 3d formed in the metal plate 3 (step S206).
  • step S206 it is preferable to form the crawling portion 5b in the brazing material 5 by inserting the metal pin 6 so as to press the brazing material 5 from above.
  • the metal plate 3, the metal plate 4, and the metal pin 6 arranged on the surface of the brazing material 5 are formed by the brazing material 5 to form a ceramic substrate 2. It is joined to the front surface 2a and the back surface 2b (step S207).
  • the ceramic substrate 2 to which the metal plate 3, the metal plate 4, and the metal pin 6 are joined is subjected to laser processing, chemical polishing, rust prevention, etc. as necessary, and the circuit according to the modified example 8 is subjected to laser processing, chemical polishing, rust prevention, and the like.
  • the manufacturing process of the substrate 1 is completed.
  • the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made as long as the gist of the present invention is not deviated.
  • the example in which the ceramic substrate 2 and the metal plates 3 and 4 are laminated to form the circuit board 1 is shown, but the metal plate 4 on the back surface side may be omitted.
  • Circuit board 2 Ceramic board 2a Front surface (an example of one main surface) 3 Metal plate 3c Outer surface 3d Through hole 5 Row material 5a Outer surface 6 Metal pin 11 Protruding part 12, 12A, 12B Concave surface 13, 14 Another protruding part

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

回路基板（１）は、平板状のセラミック基板（２）と、セラミック基板（２）の一方の主面に接合され、所定の回路パターンを有する金属板（３）と、を備える。また、金属板（３）の外周面（３ｃ）は、外方に突出する突出部（１１）と、突出部（１１）の両側に設けられる一対の凹面（１２）とを有する。

Description

回路基板および回路基板の製造方法
　開示の実施形態は、回路基板および回路基板の製造方法に関する。
　従来、パワー半導体素子などの電子部品が搭載される電子装置に用いられる回路基板として、たとえば、セラミック基板の主面に、回路パターンを有する金属板が接合されたものが用いられている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００１－３３２８５４号公報
　しかしながら、従来技術では、電子装置の信頼性を向上させるうえで更なる改善の余地があった。
　実施形態の一態様は、上記に鑑みてなされたものであって、電子装置の信頼性を向上させることができる回路基板および回路基板の製造方法を提供することを目的とする。
　実施形態の一態様に係る回路基板は、平板状のセラミック基板と、前記セラミック基板の一方の主面に接合され、所定の回路パターンを有する金属板と、を備える。また、前記金属板の外周面は、外方に突出する突出部と、前記突出部の両側に設けられる一対の凹面とを有する。
図１は、実施形態に係る回路基板の全体構成を示す斜視図である。 図２は、図１に示すＡ－Ａ線の矢視断面図である。 図３は、実施形態に係る回路基板の構成を示す拡大断面図である。 図４は、実施形態の変形例１に係る回路基板の構成を示す拡大断面図である。 図５は、実施形態の変形例２に係る回路基板の構成を示す拡大断面図である。 図６は、実施形態の変形例３に係る回路基板の構成を示す拡大断面図である。 図７は、実施形態の変形例４に係る回路基板の構成を示す拡大断面図である。 図８は、実施形態の変形例５に係る回路基板の構成を示す拡大断面図である。 図９は、実施形態の変形例６に係る回路基板の構成を示す拡大断面図である。 図１０は、実施形態の変形例７に係る回路基板の構成を示す拡大断面図である。 図１１は、実施形態の変形例８に係る回路基板の構成を示す拡大断面図である。 図１２は、実施形態の変形例９に係る回路基板の構成を示す拡大断面図である。 図１３は、実施形態に係る回路基板の製造工程の手順を示すフローチャートである。 図１４は、実施形態の変形例８に係る回路基板の製造工程の手順を示すフローチャートである。
　以下、添付図面を参照して、本願の開示する回路基板および回路基板の製造方法の実施形態について説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
　従来、パワー半導体素子などの電子部品が搭載される電子装置に用いられる回路基板として、たとえば、セラミック基板の主面に、回路パターンを有する金属板が接合されたものが用いられている。
　しかしながら、従来技術では、電子装置の信頼性を向上させるうえで更なる改善の余地があった。たとえば、従来技術では、高電圧が印加された金属板の外周部において電界集中が発生した場合に、セラミック基板が絶縁破壊する恐れがあった。
　そこで、上述の問題点を克服し、電子装置の信頼性を向上させることができる技術の実現が期待されている。
＜回路基板の全体構成＞
　最初に、実施形態に係る回路基板１の全体構成について、図１および図２を参照しながら説明する。図１は、実施形態に係る回路基板１の全体構成を示す斜視図であり、図２は、図１に示すＡ－Ａ線の矢視断面図である。
　図１に示すように、実施形態に係る回路基板１は、セラミック基板２と、金属板３と、金属板４とを備える。かかる回路基板１は、金属板３、セラミック基板２および金属板４がこの順に積層された構造を有する。
　セラミック基板２は、たとえば、平面視で矩形状の平板形状であり、一方の主面であるおもて面２ａと、他方の主面である裏面２ｂとを有する。なお、本開示において、セラミック基板２は平面視で矩形状に限られない。
　セラミック基板２を構成するセラミックスとしては、たとえば、アルミナ、シリカ、ムライト、コージエライト、フォルステライト、窒化アルミニウム、窒化珪素、炭化珪素またはガラスセラミックスなどが適している。そして、セラミック基板２は、熱伝導率が高いという点から、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）を主成分として含んでいることが好ましい。
　ここで、「窒化珪素を主成分として含んでいる」とは、セラミック基板２が窒化珪素を７０質量％以上含んでいることをいう。セラミック基板２に含まれる窒化珪素が７０質量％以上の場合、セラミック基板２の熱伝導率が高くなることから、回路基板１の放熱性を向上させることができる。
　セラミック基板２の厚みは、たとえば、０．１ｍｍ～１ｍｍ程度であり、回路基板１が搭載される電子装置（図示せず）の所定の外形寸法および機械的強度などの条件に応じて適宜設定される。
　金属板３は、セラミック基板２のおもて面２ａに接合され、所定の回路パターンを有する。かかる「所定の回路パターン」とは、回路基板１を搭載する電子装置内に構成される電気回路に対応するパターン形状のことである。
　図２に示すように、金属板３は、一方の主面である実装面３ａと、他方の主面である接合面３ｂと、外周面３ｃとを有する。実装面３ａは、図示しない電子部品が実装される面であり、接合面３ｂは、セラミック基板２のおもて面２ａにロウ材５を介して接合される面である。
　金属板３を構成する金属としては、たとえば、銅、銀、アルミニウムなどを主成分とするものが適している。そして、金属板３は、電気伝導率および熱伝導率が高いという点から、銅を主成分として含んでいることが好ましい。
　ここで、「銅を主成分として含んでいる」とは、金属板３が銅を７０質量％以上含んでいることをいう。金属板３に含まれる銅が７０質量％以上の場合、回路基板１に搭載される電子部品に流すことができる許容電流を大きくすることができる。
　金属板４は、セラミック基板２の裏面２ｂにロウ材５を介して接合される。金属板４は、たとえば、平面視でセラミック基板２よりも若干小さい矩形状である。金属板４には、金属板３と同様の金属を用いることができる。なお、金属板３および金属板４の形状は、図１および図２の例に限られない。
　金属板３および金属板４の厚みは、たとえば、０．３ｍｍ～１ｍｍ程度であり、回路基板１が搭載される電子装置の所定の外形寸法および機械的強度などの条件に応じて適宜設定される。
　ロウ材５は、たとえば、銀－銅系もしくは銅系のロウ材で構成される。また、ロウ材５は、チタン、ハフニウムおよびジルコニウムのうち少なくとも１種の活性金属を含んでいるとよい。これにより、セラミック基板２に対する濡れ性が向上することから、金属板３、４をセラミック基板２に強固に接合することができる。
　また、ロウ材５は、モリブデン、タングステン、タンタルおよびオスミウムのうち少なくとも１種の高融点金属を含んでいるとよい。これにより、ロウ材５の形状保持性が向上し、セラミック基板２表面へのロウ材の５の広がりを防止し、絶縁性を向上させることができる。
　また、ロウ材５は、インジウムおよびスズのうち少なくとも１種の金属材料を含んでいてもよい。これにより、銀－銅系ロウ材の融点を下げることができることから、回路基板１を製造する際に発生する熱応力による残留応力を低減することができる。ロウ材５の厚みは、たとえば、５μｍ～１００μｍ程度である。
＜実施形態＞
　つづいて、実施形態に係る回路基板１の詳細な構成について、図３を参照しながら説明する。図３は、実施形態に係る回路基板１の構成を示す拡大断面図であり、金属板３の外周面３ｃおよびその周辺を拡大した断面図である。
　図３に示すように、金属板３の外周面３ｃは、突出部１１と、一対の凹面１２とを有する。突出部１１は、金属板３の厚み方向における中央部に配置され、外方に突出している。突出部１１の高さは、たとえば、５０μｍ～３００μｍである。
　凹面１２は、面の中央部が、面の周辺部の少なくとも一部よりも凹んでいるような形状を有する。一対の凹面１２は、突出部１１よりもセラミック基板２に近い側の凹面１２（以下、凹面１２Ａとも呼称する。）と、突出部１１よりもセラミック基板２から遠い側の凹面１２（以下、凹面１２Ｂとも呼称する。）とで構成される。
　凹面１２Ａは、突出部１１を起点としてセラミック基板２に近づく向きに裾が広がるように構成される。凹面１２Ｂは、突出部１１を起点としてセラミック基板２から離れる向きに裾が広がるように構成される。
　実施形態では、厚み方向における外周面３ｃの中央部に突出部１１を設けることにより、電子装置の動作時に高電圧が印加された金属板３において、セラミック基板２から離間した突出部１１で電界集中を生じさせることができる。
　また、実施形態では、突出部１１の両側に一対の凹面１２を設けることにより、沿面距離を長くすることができる。
　すなわち、実施形態では、電子装置の動作時に高電圧が印加された場合でも、セラミック基板２に電界が集中することを抑制できることから、セラミック基板２の絶縁破壊を抑制することができる。したがって、実施形態によれば、回路基板１が搭載された電子装置の信頼性を向上させることができる。
　また、実施形態では、電界集中に起因して突出部１１でイオンマイグレーション現象が発生したとしても、下側の凹面１２Ａの分だけ、隣接する金属板３の外周面３ｃまでの沿面距離を延ばすことができる。したがって、実施形態によれば、イオンマイグレーション現象による金属板３同士の短絡を抑制することができる。
　また、実施形態では、下側の凹面１２Ａが凹形状を有していることにより、金属板３をロウ材５で接合する際に、かかるロウ材５が実装面３ａまで這い上がることを抑制することができる。
　したがって、実施形態によれば、実装面３ａまで這い上がったロウ材５が電子部品と干渉することを抑制できることから、回路基板１に電子部品を容易に実装することができる。
　なお、図３に示すような外周面３ｃの断面形状は、金属板３をセラミック基板２に接合する前に、金属板３における両方の主面からウェットエッチングなどの等方性エッチングを略均等に施すことにより形成することができる。
　すなわち、実施形態に係る回路基板１は、等方性エッチングで所定の回路パターンに形成された金属板３を、セラミック基板２のおもて面２ａにロウ材５で接合して形成するとよい。
　また、実施形態では、ロウ材５の外周面５ａが、凹面１２Ａの裾部１２Ａａと平面視で同じ位置に配置されるとよい。これにより、金属板３の端部が自由端となることを抑制することができる。
　したがって、実施形態によれば、ロウ材５の外周面５ａに応力が集中することを抑制できることから、回路基板１の機械的信頼性を向上させることができる。
　なお、ロウ材５の外周面３ｃと凹面１２Ａの裾部１２Ａａとを平面視で同じ位置に配置するためには、セラミック基板２のおもて面２ａに金属板３の回路パターンと同じパターンをロウ材５で印刷し、印刷されたロウ材５の上にパターン形成された金属板３を位置合わせすればよい。
　また、実施形態では、金属板３とセラミック基板２との間に配置されるロウ材５において、外周部の炭素量および窒素量は、中央部の炭素量および窒素量よりも多くてもよい。ここで、ロウ材５の外周部とは、たとえば、ロウ材５の外周面５ａから１（ｍｍ）以下の領域のことであり、ロウ材５の中央部とは、ロウ材５の外周部よりも中央に位置する領域のことである。
　このように、ロウ材５における外周部の炭素量および窒素量を多くすることにより、金属板３をロウ材５で接合する際に、外周部に位置するロウ材５の流動性を低下させることができる。
　したがって、実施形態によれば、ロウ材５が凹面１２にはみ出すことを抑制することができることから、ロウ材５が実装面３ａまで這い上がることを抑制することができる。
　また、ロウ材５における中央部の炭素量および窒素量を少なくすることにより、ロウ材５を均一に分散させることができる。したがって、実施形態によれば、ロウ材５の熱抵抗を小さくすることができるため、回路基板１の放熱性を高めることができる。また、ロウ材５を均一に分散させることによって、ロウ材５と金属板３およびセラミック基板２との密着強度を高くすることができるため、回路基板１の信頼性を高くすることができる。
　なお、本開示において、ロウ材５の炭素量および窒素量は、たとえば、ロウ材５の切断面をＥＰＭＡ（電子プローブマイクロアナライザ）で分析することにより求めることができる。
＜変形例１＞
　つづいて、実施形態の各種変形例について、図４～図１２を参照しながら説明する。なお、以下に示す各種変形例では、実施形態と同一の部位には同一の符号を付することにより重複する説明を省略することがある。
　図４は、実施形態の変形例１に係る回路基板１の構成を示す拡大断面図である。図４に示すように、変形例１では、ロウ材５の外周面５ａが、金属板３の外周面３ｃ（具体的には、凹面１２Ａの裾部１２Ａａ）よりも内側に配置される。
　これにより、電界集中が発生する突出部１１とロウ材５との距離を離すことができることから、ロウ材５に起因するイオンマイグレーション現象が突出部１１で発生することを抑制することができる。したがって、変形例１によれば、回路基板１の電気的信頼性を向上させることができる。
　なお、ロウ材５の外周面５ａと金属板３の外周面３ｃとの距離は、たとえば、２００μｍ以下であるとよい。これにより、回路基板１の電気的信頼性と機械的信頼性とを両立させることができる。
＜変形例２＞
　図５は、実施形態の変形例２に係る回路基板１の構成を示す拡大断面図である。図４に示すように、変形例２では、ロウ材５の外周面５ａが、金属板３の外周面３ｃにおける凹面１２Ａの裾部１２Ａａよりも外側に配置される。そして、変形例２では、ロウ材５が下側の凹面１２Ａにはみ出して配置される。
　これにより、金属板３において、接合面３ｂだけでなく凹面１２Ａもロウ材５に接触することから、セラミック基板２に対する金属板３の密着力が増加する。したがって、変形例２によれば、回路基板１の機械的信頼性を向上させることができる。
　また、変形例２では、金属板３の凹面１２Ａにはみ出して配置されるロウ材５の炭素量および窒素量は、金属板３とセラミック基板２との間に配置されるロウ材５の炭素量および窒素量よりも多くてもよい。
　このように、凹面１２Ａにはみ出して配置されるロウ材５の炭素量および窒素量を多くすることにより、金属板３をロウ材５で接合する際に、凹面１２Ａにはみ出したロウ材５の流動性を低下させることができる。
　したがって、変形例２によれば、ロウ材５が凹面１２Ｂにはみ出すことを抑制することができることから、ロウ材５が実装面３ａまで這い上がることを抑制することができる。
　また、金属板３とセラミック基板２との間に配置されるロウ材５の炭素量および窒素量を少なくすることにより、ロウ材５を均一に分散させることができる。したがって、変形例２によれば、ロウ材５の熱抵抗を小さくすることができるため、回路基板１の放熱性を高めることができる。また、ロウ材５を均一に分散させることによって、ロウ材５と金属板３およびセラミック基板２との密着強度を高くすることができるため、回路基板１の信頼性を高くすることができる。
＜変形例３＞
　図６は、実施形態の変形例３に係る回路基板１の構成を示す拡大断面図である。図６に示すように、変形例３では、凹面１２Ａにはみ出して配置されるロウ材５が、セラミック基板２側よりも突出部１１側のほうが外側に配置される。
　これにより、電子装置の動作時に電界を突出部１１に集中させながら、セラミック基板２に対する金属板３の密着力を増加させることができる。したがって、変形例３によれば、回路基板１の電気的信頼性と機械的信頼性とを両立させることができる。
＜変形例４＞
　図７は、実施形態の変形例４に係る回路基板１の構成を示す拡大断面図である。図７に示すように、変形例４では、ロウ材５が、下側の凹面１２Ａと上側の凹面１２Ｂとの両方にはみ出して配置される。
　これにより、金属板３において、接合面３ｂだけでなく凹面１２Ａおよび凹面１２Ｂもロウ材５に接触することから、セラミック基板２に対する金属板３の密着力がさらに増加する。したがって、変形例４によれば、回路基板１の機械的信頼性をさらに向上させることができる。
　また、変形例４では、図７に示すように、突出部１１の先端部にはロウ材５が付着しないようにロウ材５を配置するとよい。これにより、先端部に付着したロウ材５で隣接する金属板３との距離が短くなることを抑制することができる。
　また、突出部１１の先端部にロウ材５を付着させないことにより、かかるロウ材５に起因するイオンマイグレーション現象が突出部１１で発生することを抑制できる。したがって、変形例４によれば、回路基板１の電気的信頼性を向上させることができる。
＜変形例５＞
　図８は、実施形態の変形例５に係る回路基板１の構成を示す拡大断面図である。図８に示すように、変形例５では、突出部１１が、金属板３の厚み方向における中央部よりもセラミック基板２側（接合面３ｂ側）に配置される。また、変形例５では、上側の凹面１２Ｂの曲率半径が、下側の凹面１２Ａの曲率半径よりも大きい。
　これにより、ロウ付け処理後の降温時に金属板３の端部で生じる残留応力を低減することができる。なぜなら、金属板３の端部を図８の構成にすることにより、金属板３の端部に位置する金属の体積自体を少なくすることができるとともに、鉛直上向きに生じる残留応力を斜めに配置される凹面１２Ａで分散させることができるからである。
　したがって、変形例５によれば、回路基板１の機械的信頼性を向上させることができる。なお、図８に示すような外周面３ｃの断面形状は、金属板３における両方の主面から等方性エッチングを施す際に、接合面３ｂ側よりも実装面３ａ側をより深くエッチングすることで形成することができる。
＜変形例６＞
　図９は、実施形態の変形例６に係る回路基板１の構成を示す拡大断面図である。図９に示すように、変形例６では、突出部１１が、金属板３の厚み方向における中央部よりも実装面３ａ側に配置される。また、変形例５では、下側の凹面１２Ａの曲率半径が、上側の凹面１２Ｂの曲率半径よりも大きい。
　これにより、電子装置の動作時に高電圧が印加された金属板３において、セラミック基板２からさらに離間した突出部１１で電界集中を生じさせることができるから、セラミック基板２の絶縁破壊をさらに抑制することができる。
　また、変形例６では、ロウ材５が突出部１１の先端部まで這い上がることを抑制することができることから、ロウ材５に起因するイオンマイグレーション現象が突出部１１で発生することを抑制することができる。
　したがって、変形例６によれば、回路基板１の電気的信頼性をさらに向上させることができる。
＜変形例７＞
　図１０は、実施形態の変形例７に係る回路基板１の構成を示す拡大断面図である。図１０に示すように、変形例７では、金属板３の外周面３ｃが、突出部１１よりもセラミック基板２に近い側と、突出部１１よりもセラミック基板２から遠い側とにそれぞれ別の突出部１３、１４を有する。
　かかる別の突出部１３は、凹面１２Ａの裾部１２Ａａに設けられ、別の突出部１４は、凹面１２Ｂの裾部１２Ｂａに設けられる。
　これにより、金属板３において接合面３ｂだけでなく凹面１２Ａもロウ材５に接触する際に、凹面１２Ａとロウ材５との接触面積をさらに増加させることができる。したがって、変形例７によれば、セラミック基板２に対する金属板３の密着力がさらに増加することから、回路基板１の機械的信頼性をさらに向上させることができる。
　また、変形例７では、凹面１２Ａが曲率の大きい凹形状を有することにより、金属板３をロウ材５で接合する際に、かかるロウ材５が突出部１１の先端部まで這い上がることをさらに抑制することができる。
　したがって、変形例７によれば、ロウ材５に起因するイオンマイグレーション現象が突出部１１で発生することをさらに抑制することができる。
＜変形例８＞
　図１１は、実施形態の変形例８に係る回路基板１の構成を示す拡大断面図である。図１１に示すように、変形例８では、金属板３に金属ピン６が立設されていることが実施形態と異なる。具体的には、金属板３の所定の位置に貫通孔３ｄが形成され、かかる貫通孔３ｄに金属ピン６が挿通されることにより、金属板３に金属ピン６が立設される。
　金属ピン６を構成する金属としては、たとえば、銅、銀、アルミニウム及びそれら金属の合金などを主成分とするものが適している。そして、金属ピン６は、線膨張係数を同じにする観点から、金属板と同じ材質である銅を主成分として含んでいることが好ましい。
　ここで、変形例８では、ロウ材５を用いて金属ピン６が金属板３に固定されるとよい。これにより、ロウ材５を介して金属ピン６と金属板３とを電気的に接続することができる。
　そして、変形例８では、金属ピン６を金属板３に嵌合させることで金属板３と金属ピン６とを電気的に接続する場合と比べて、金属ピン６と金属板３との間の電気抵抗を低減することができる。
　したがって、変形例８によれば、電子部品に大電流を流した際に金属ピン６周辺が破損することを抑制できることから、回路基板１に搭載される電子部品に流すことができる許容電流を大きくすることができる。
　また、ロウ材５ではなく、はんだ材を用いて金属ピン６を固定する場合と比べて、変形例８では、電子装置を高温環境下で用いた場合に、金属ピン６の接合部が溶融して破損することを抑制できる。なぜなら、ロウ材５は、はんだ材よりも融点が高いからである。
　また、ロウ材５ではなく、はんだ材を用いて金属ピン６を固定する場合には、金属ピン６をはんだ付けする工程が別途必要になる。一方で、変形例８では、ロウ材５で金属板３と金属ピン６とを一括で固定することができることから、回路基板１の製造工程を簡素化することができる。
　したがって、変形例８によれば、回路基板１の耐熱性を向上させることができるとともに、回路基板１の製造コストを低減することができる。
　また、変形例８では、図１１に示すように、金属ピン６が金属板３から下方に突出する部位のみならず、金属板３の貫通孔３ｄ内でもロウ材５に接触するとよい。すなわち、変形例８では、ロウ材５が、貫通孔３ｄ内において、金属板３と金属ピン６との隙間を這い上がる這い上がり部５ｂを有するとよい。
　これにより、金属ピン６とロウ材５との接触面積を増加させることができることから、金属ピン６と金属板３との間の電気抵抗をさらに低減することができる。したがって、変形例８によれば、回路基板１に搭載される電子部品に流すことができる許容電流をさらに大きくすることができる。
　なお、かかる這い上がり部５ｂは、セラミック基板２に印刷されたロウ材５の上に金属板３を配置した後、貫通孔３ｄに金属ピン６を挿通する際に、ロウ材５を上から押しつけるように金属ピン６を挿通させることで形成することができる。
　また、変形例８において、金属板３の貫通孔３ｄは、金属板３を所定の回路パターンに形成する際に、金属板３における両方の主面から等方性エッチングを略均等に施すことにより形成することができる。
＜変形例９＞
　図１２は、実施形態の変形例９に係る回路基板１の構成を示す拡大断面図である。ここまで説明した実施形態および各種変形例では、ロウ材５を用いて金属板３をセラミック基板２に接合する例について示したが、図１２に示すように、金属板３をセラミック基板２に直接接合してもよい。
　この変形例９では、たとえば、セラミック基板２のおもて面２ａに、銅を主成分とする金属板３がＣｕ－Ｃｕ２Ｏなどの共晶相を用いて直接接合される。また、窒化珪素を主成分とするセラミック基板２のおもて面２ａに、アルミニウムを主成分とする金属板３がＡｌ－Ｓｉ共晶相を用いて直接接合されてもよい。
　この変形例９においても、実施形態と同様に、厚み方向における外周面３ｃの中央部に突出部１１を設けることにより、電子装置の動作時に高電圧が印加された金属板３において、セラミック基板２から離間した突出部１１で電界集中を生じさせることができる。
　また、変形例９では、突出部１１の両側に一対の凹面１２を設けることにより、沿面距離を長くすることができる。
　すなわち、変形例９では、電子装置の動作時に高電圧が印加された場合でも、セラミック基板２に電界が集中することを抑制できることから、セラミック基板２の絶縁破壊を抑制することができる。したがって、変形例９によれば、回路基板１が搭載された電子装置の信頼性を向上させることができる。
＜回路基板の製造工程＞
　つづいて、実施形態および変形例８に係る回路基板１の製造工程について、図１３および図１４を参照しながら説明する。図１３は、実施形態に係る回路基板１の製造工程の手順を示すフローチャートである。
　図１３に示すように、本製造工程では、まず、平板形状のセラミック基板２が準備される（ステップＳ１０１）。なお、かかるステップＳ１０１では、必要に応じて、セラミック基板２の空焼き工程などが実施される。
　次に、準備されたセラミック基板２のおもて面２ａに、活性金属を含むロウ材５で所定の回路パターンが印刷される（ステップＳ１０２）。そして、セラミック基板２の裏面２ｂに、活性金属を含むロウ材５が略矩形状に印刷される（ステップＳ１０３）。
　なお、かかるステップＳ１０３の処理は、ステップＳ１０２の処理よりも前に実施されてもよいし、ステップＳ１０２の処理と並行して実施されてもよい。
　また、上述のステップＳ１０１～Ｓ１０３の処理と並行して、本製造工程では、原材料となる金属板を両面からの等方性エッチングで所定の回路パターンに成形することで金属板３が形成されるとともに、原材料となる金属板を矩形状に成形することで金属板４が形成される（ステップＳ１０４）。
　なお、実施形態では、かかるステップＳ１０４の処理において、金属板３の外周面３ｃに突出部１１と一対の凹面１２とが形成される。
　次に、セラミック基板２のおもて面２ａおよび裏面２ｂに印刷されたロウ材５の表面に、金属板３および金属板４がそれぞれ配置される（ステップＳ１０５）。かかるステップＳ１０５の処理では、ロウ材５の印刷形状と金属板３および金属板４の形状とが重なるように位置合わせしながら、金属板３および金属板４がロウ材５の表面に配置される。
　次に、ロウ材５を溶融温度以上に加熱して溶融させることにより、ロウ材５の表面に配置された金属板３および金属板４が、かかるロウ材５でセラミック基板２のおもて面２ａおよび裏面２ｂに接合される（ステップＳ１０６）。
　なお、本開示の製造方法では、ロウ材のエッチング処理を別途行う必要が無いので、工程を簡略化することができるとともに、エッチングされたロウ材の残渣による電気的信頼性の低下を抑制することができる。
　また、実施形態では、ステップＳ１０６の処理において、真空、または窒素もしくはアルゴン等の不活性雰囲気でロウ材５を加熱してもよい。これにより、外周部に位置する（または凹面１２Ａにはみ出した）ロウ材５を、中央部に位置する（または金属板３とセラミック基板２との間に配置される）ロウ材５よりも雰囲気中の炭素および窒素により多く晒すことができる。
　したがって、実施形態によれば、外周部に位置する（または凹面１２Ａにはみ出した）ロウ材５の炭素量および窒素量を、中央部に位置する（または金属板３とセラミック基板２との間に配置される）ロウ材５の炭素量および窒素量よりも多くすることができる。
　そして、金属板３および金属板４が接合されたセラミック基板２に対して、必要に応じてレーザ加工処理や化学研磨処理、防錆処理などが行われ、実施形態に係る回路基板１の製造工程が完了する。
　図１４は、実施形態の変形例８に係る回路基板１の製造工程の手順を示すフローチャートである。図１４に示すように、本製造工程では、まず、平板形状のセラミック基板２が準備される（ステップＳ２０１）。
　次に、準備されたセラミック基板２のおもて面２ａに、活性金属を含むロウ材５で所定の回路パターンが印刷される（ステップＳ２０２）。そして、セラミック基板２の裏面２ｂに、活性金属を含むロウ材５が略矩形状に印刷される（ステップＳ２０３）。
　また、上述のステップＳ２０１～Ｓ２０３の処理と並行して、本製造工程では、原材料となる金属板を両面からの等方性エッチングで所定の回路パターンに成形することで金属板３が形成されるとともに、原材料となる金属板を矩形状に成形することで金属板４が形成される（ステップＳ２０４）。
　なお、変形例８では、かかるステップＳ１０４の処理において、金属板３の外周面３ｃに突出部１１と一対の凹面１２とが形成されるとともに、金属ピン６を挿通する貫通孔３ｄが形成される。
　次に、セラミック基板２のおもて面２ａおよび裏面２ｂに印刷されたロウ材５の表面に、金属板３および金属板４がそれぞれ配置される（ステップＳ２０５）。かかるステップＳ２０５の処理では、ロウ材５の印刷形状と金属板３および金属板４の形状とが重なるように位置合わせしながら、金属板３および金属板４がロウ材５の表面に配置される。
　次に、金属ピン６が、金属板３に形成された貫通孔３ｄに挿通される（ステップＳ２０６）。かかるステップＳ２０６の処理では、ロウ材５を上から押しつけるように金属ピン６を挿通させることにより、ロウ材５に這い上がり部５ｂを形成するとよい。
　次に、ロウ材５を溶融温度以上に加熱して溶融させることにより、ロウ材５の表面に配置された金属板３、金属板４および金属ピン６が、かかるロウ材５でセラミック基板２のおもて面２ａおよび裏面２ｂに接合される（ステップＳ２０７）。
　そして、金属板３、金属板４および金属ピン６が接合されたセラミック基板２に対して、必要に応じてレーザ加工処理や化学研磨処理、防錆処理などが行われ、変形例８に係る回路基板１の製造工程が完了する。
　以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。たとえば、上述の実施形態では、セラミック基板２と金属板３、４が積層されて回路基板１が形成された例について示したが、裏面側の金属板４は省略されてもよい。
　さらなる効果や他の態様は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
　１　　　回路基板
　２　　　セラミック基板
　２ａ　　おもて面（一方の主面の一例）
　３　　　金属板
　３ｃ　　外周面
　３ｄ　　貫通孔
　５　　　ロウ材
　５ａ　　外周面
　６　　　金属ピン
　１１　　突出部
　１２、１２Ａ、１２Ｂ　凹面
　１３、１４　別の突出部

Claims (14)

  1. 　平板状のセラミック基板と、
    　前記セラミック基板の一方の主面に接合され、所定の回路パターンを有する金属板と、
    　を備え、
    　前記金属板の外周面は、外方に突出する突出部と、前記突出部の両側に設けられる一対の凹面とを有する
    　回路基板。
  2. 　前記突出部は、前記セラミック基板の一方の主面から離間して配置される
    　請求項１に記載の回路基板。
  3. 　前記突出部は、前記金属板の厚み方向における中央部に配置される
    　請求項２に記載の回路基板。
  4. 　前記突出部は、前記金属板の厚み方向における中央部よりも前記セラミック基板側に配置される
    　請求項２に記載の回路基板。
  5. 　前記金属板の外周面は、前記突出部よりも前記セラミック基板に近い側と、前記突出部よりも前記セラミック基板から遠い側とにそれぞれ別の突出部を有する
    　請求項１～４のいずれか一つに記載の回路基板。
  6. 　前記セラミック基板と前記金属板との間が、活性金属を含むロウ材で接合される
    　請求項１～５のいずれか一つに記載の回路基板。
  7. 　前記ロウ材の外周面は、前記金属板の前記外周面よりも内側に配置される
    　請求項６に記載の回路基板。
  8. 　前記セラミック基板と前記金属板との間に配置される前記ロウ材において、外周部の炭素量および窒素量は、中央部の炭素量および窒素量よりも多い
    　請求項６または７に記載の回路基板。
  9. 　前記ロウ材は、前記セラミック基板に近い側の前記凹面にはみ出して配置される
    　請求項６に記載の回路基板。
  10. 　前記凹面にはみ出して配置される前記ロウ材は、前記セラミック基板側よりも前記突出部側のほうが外側に配置される
    　請求項９に記載の回路基板。
  11. 　前記ロウ材は、前記セラミック基板に近い側の前記凹面と、前記セラミック基板から遠い側の前記凹面とにはみ出して配置される
    　請求項６に記載の回路基板。
  12. 　前記凹面にはみ出して配置される前記ロウ材の炭素量および窒素量は、前記セラミック基板と前記金属板との間に配置される前記ロウ材の炭素量および窒素量よりも多い
    　請求項９～１１のいずれか一つに記載の回路基板。
  13. 　前記金属板に形成される貫通孔に挿通される金属ピンをさらに備え、
    　前記金属ピンは、前記ロウ材で固定される
    　請求項６～１２のいずれか一つに記載の回路基板。
  14. 　平板状のセラミック基板の一方の主面に、活性金属を含むロウ材で所定の回路パターンを印刷する工程と、
    　所定の回路パターンにパターニングされた金属板を、印刷された前記ロウ材の表面に配置する工程と、
    　前記金属板を前記ロウ材で前記セラミック基板の一方の主面に接合する工程と、
    　を含み、
    　前記金属板の外周面は、外方に突出する突出部と、前記突出部の両側に設けられる一対の凹面とを有する
    　回路基板の製造方法。
PCT/JP2021/026873 2020-07-22 2021-07-16 回路基板および回路基板の製造方法 Ceased WO2022019242A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP21845635.8A EP4187587A4 (en) 2020-07-22 2021-07-16 Circuit board, and method for producing circuit board
JP2022537983A JP7446430B2 (ja) 2020-07-22 2021-07-16 回路基板

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020-124926 2020-07-22
JP2020124926 2020-07-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2022019242A1 true WO2022019242A1 (ja) 2022-01-27

Family

ID=79729518

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2021/026873 Ceased WO2022019242A1 (ja) 2020-07-22 2021-07-16 回路基板および回路基板の製造方法

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP4187587A4 (ja)
JP (1) JP7446430B2 (ja)
WO (1) WO2022019242A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2024057500A (ja) * 2022-10-12 2024-04-24 株式会社デンソー 半導体装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN119775054B (zh) * 2024-12-31 2025-09-23 广东昊晟陶瓷有限公司 一种高亮防滑瓷砖及其工艺

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001284749A (ja) * 2000-03-29 2001-10-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd プリント配線板
JP2001332854A (ja) 2000-05-24 2001-11-30 Toshiba Corp セラミックス回路基板
JP2006196656A (ja) * 2005-01-13 2006-07-27 Hitachi Chem Co Ltd 配線板及び配線板の製造方法
JP2007311527A (ja) * 2006-05-18 2007-11-29 Mitsubishi Materials Corp パワーモジュール用基板およびパワーモジュール用基板の製造方法並びにパワーモジュール
JP2010238753A (ja) * 2009-03-30 2010-10-21 Kyocera Corp 放熱用部材およびこれを用いたモジュール
JP2011199315A (ja) * 2011-06-17 2011-10-06 Dowa Holdings Co Ltd 金属−セラミックス接合基板
JP2015144257A (ja) * 2013-12-26 2015-08-06 京セラ株式会社 回路基板およびその製造方法
JP2017011216A (ja) * 2015-06-25 2017-01-12 京セラ株式会社 回路基板および電子装置
JP2019024063A (ja) * 2017-07-25 2019-02-14 京セラ株式会社 薄膜配線基板

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5367914B2 (ja) * 2011-08-11 2013-12-11 古河電気工業株式会社 配線基板およびその製造方法ならびに半導体装置
JP2015114257A (ja) 2013-12-13 2015-06-22 日本電気株式会社 レーザ装置
EP3358614B1 (en) * 2015-09-28 2022-12-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Circuit substrate and semiconductor device

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001284749A (ja) * 2000-03-29 2001-10-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd プリント配線板
JP2001332854A (ja) 2000-05-24 2001-11-30 Toshiba Corp セラミックス回路基板
JP2006196656A (ja) * 2005-01-13 2006-07-27 Hitachi Chem Co Ltd 配線板及び配線板の製造方法
JP2007311527A (ja) * 2006-05-18 2007-11-29 Mitsubishi Materials Corp パワーモジュール用基板およびパワーモジュール用基板の製造方法並びにパワーモジュール
JP2010238753A (ja) * 2009-03-30 2010-10-21 Kyocera Corp 放熱用部材およびこれを用いたモジュール
JP2011199315A (ja) * 2011-06-17 2011-10-06 Dowa Holdings Co Ltd 金属−セラミックス接合基板
JP2015144257A (ja) * 2013-12-26 2015-08-06 京セラ株式会社 回路基板およびその製造方法
JP2017011216A (ja) * 2015-06-25 2017-01-12 京セラ株式会社 回路基板および電子装置
JP2019024063A (ja) * 2017-07-25 2019-02-14 京セラ株式会社 薄膜配線基板

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP4187587A4

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2024057500A (ja) * 2022-10-12 2024-04-24 株式会社デンソー 半導体装置
JP7838443B2 (ja) 2022-10-12 2026-04-01 株式会社デンソー 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP4187587A4 (en) 2024-08-07
JP7446430B2 (ja) 2024-03-08
EP4187587A1 (en) 2023-05-31
JPWO2022019242A1 (ja) 2022-01-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103000559B (zh) 半导体芯片的定位夹具以及半导体装置的制造方法
JP7180570B2 (ja) 半導体モジュール
KR20240065320A (ko) 금속-세라믹 기판 및 금속-세라믹 기판의 제작 방법
KR102359146B1 (ko) 저항기 및 저항기의 제조 방법
WO2022019242A1 (ja) 回路基板および回路基板の製造方法
JP6305176B2 (ja) 半導体装置及び製造方法
JP6702800B2 (ja) 回路基板集合体、電子装置集合体、回路基板集合体の製造方法および電子装置の製造方法
JP2012212712A (ja) 半導体装置の実装構造及び半導体装置の実装方法
JP6366806B1 (ja) 電力用半導体装置
JP6317178B2 (ja) 回路基板および電子装置
JP4479531B2 (ja) セラミックス回路基板およびそれを用いた半導体モジュール
JP7310161B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
CN110100308A (zh) 底侧具有支撑结构的半导体模块
JP2006332599A (ja) 電子装置
JP5004837B2 (ja) 構造体及び電子装置
JP5905728B2 (ja) 素子収納用パッケージ、および実装構造体
EP3876272A1 (en) Package for containing electronic component, and electronic device
JP6760788B2 (ja) 半導体パッケージ、および半導体装置
JP6432712B2 (ja) 半導体装置
JP5274434B2 (ja) 電子部品収納用パッケージ
US20240347417A1 (en) Device comprising a ceramic substrate and method for producing same
JP2010199195A (ja) 金属製リード端子付きセラミックパッケージ
CN115516621B (zh) 半导体装置及其制造方法
JP5409066B2 (ja) 電子部品収納用パッケージ
JP6608728B2 (ja) 回路基板および電子装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 21845635

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2022537983

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2021845635

Country of ref document: EP

Effective date: 20230222