WO2022030666A1 - 디스플레이 장치 - Google Patents

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이성국
이도형
박상대
여환국
엄재광
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    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Definitions

  • the present invention relates to a display device.
  • LCD Liguid Crystal Display
  • AMOLED Active Matrix Organic Light Emitting Diodes
  • a light emitting diode (Light Emitting Diode: LED) is a well-known semiconductor light emitting device that converts electric current into light. It has been used as a light source for display images of electronic devices including communication devices. A method for solving the above problems by implementing a display using the semiconductor light emitting device may be proposed.
  • Such a light emitting diode has various advantages, such as a long lifespan, low power consumption, excellent initial driving characteristics, and high vibration resistance, compared to a filament-based light emitting device.
  • a tiling multi-display is disclosed in Republic of Korea Patent Publication No. 10-1895217 (announcement on September 07, 2018), and the tiling multi-display includes a pixel area in which pixels are formed, and a bezel formed at an edge of the pixel area.
  • a flexible panel including an area; and a support substrate to which the flexible panel is bonded, wherein the pixel region of the flexible panel is bonded to an upper surface, and the bezel region of the flexible panel is folded and bonded to the side surfaces connected to the upper surface and the lower surface; and , the radius of curvature (r) of the foldable portion of the flexible panel is less than 1/2 of the length (S) between pixels.
  • the display is a flexible display device disclosed in Korean Patent Application Laid-Open No. 10-2017-0071047 A (published on June 23, 2017), the flexible display device including a display area and a non-display area, and within the non-display area a substrate having a bending region; a link line provided in a non-display area on the substrate; and a bending connection wiring provided in a bending area on the substrate and connected to the wiring through a contact hole, wherein the bending connection wiring is located on a neutral plane, thereby reducing the size of the bezel and improving aesthetics.
  • the display device has problems in that, when a wiring electrode such as a bending connection wiring is excessively bent, the wiring electrode is damaged, resistance may increase, and a disconnection may occur.
  • the display device has a problem in that, when the wiring electrodes are gently bent so that the wiring electrodes are not disconnected, the non-display area increases and the size of the bezel is enlarged.
  • An object of the present invention is to provide a highly reliable display device by minimizing abruptly bent portions and disconnections among wiring electrodes.
  • Another object of the present invention is to provide a display device in which a bezel is minimized with a simple structure.
  • a display device includes a substrate; A display panel comprising: a display unit formed on the front surface of the substrate; It may include a support layer disposed between the side of the substrate and the flexible base part to support the flexible base part.
  • the flexible base unit includes a pair of curved portions spaced apart from the support layer; and a side cover part connecting the pair of curved parts and contacting the support layer.
  • the display panel includes a flexible substrate in contact with the substrate; a wiring electrode formed on a flexible substrate; It may include a plurality of semiconductor light emitting devices formed on the wiring electrode, and a protective layer covering the wiring electrodes and the plurality of semiconductor light emitting devices.
  • the side cover part may be spaced apart from the side surface and may be parallel to the side surface.
  • the radius of curvature of the curved portion may be less than half the thickness of the substrate.
  • the length of the support layer may be shorter than a length limited by twice the radius of curvature of the curved portion from the thickness of the substrate.
  • the support layer may be coated on the flexible substrate.
  • the display device may further include an adhesive coated on the support layer and the flexible substrate, and attached to the side of the substrate.
  • the support layer may include a first surface facing the side surface of the substrate and a second surface facing the flexible substrate, and the area of the second surface may be larger than the area of the first surface.
  • the side surfaces of the substrate may be orthogonal to the front surface of the substrate and the back surface of the substrate.
  • a plurality of display modules may be disposed at a predetermined pitch, and each of the plurality of display modules may include a substrate; It may include a display panel and a support layer, and the flexible substrate part of the display panel may be in contact with the flexible substrate part adjacent to another display panel.
  • a method of manufacturing a display device includes: forming a display panel on a front surface of a substrate; removing a portion of the plate to expose a portion of the rear surface of the display panel; coating a support layer on the exposed back surface of the display panel; Coating the support layer and the display panel with an adhesive, and bending the display panel to fix the side surface of the substrate and a portion of the rear surface of the substrate, the display panel comprising: a pair of curved portions spaced apart from the support layer; and a side cover part connecting the pair of curved parts and contacting the support layer.
  • damage or disconnection of the wiring electrode can be minimized by minimizing the sharp bending of the wiring electrode.
  • the bezel between the plurality of display panels can be minimized and high resolution can be secured.
  • a flexible base material part can be reliably hold
  • FIG. 1 is a conceptual diagram illustrating an embodiment of a display device using a semiconductor light emitting device of the present invention.
  • FIG. 2 is a partially enlarged view of part A of FIG. 1
  • FIGS. 3A and 3B are cross-sectional views taken along lines B-B and C-C of FIG. 2 .
  • FIG. 4 is a conceptual diagram illustrating the flip-chip type semiconductor light emitting device of FIG. 3 .
  • 5A to 5C are conceptual views illustrating various forms of implementing colors in relation to a flip-chip type semiconductor light emitting device.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a display device using a semiconductor light emitting device of the present invention.
  • FIG. 7 is a perspective view illustrating another embodiment of a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention.
  • Fig. 8 is a cross-sectional view taken along line D-D of Fig. 7;
  • FIG. 9 is a conceptual diagram illustrating the vertical semiconductor light emitting device of FIG. 8 .
  • FIG. 10 is a diagram illustrating a display device according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 11 is an enlarged view of part A of FIG. 10 .
  • FIG. 12 is an enlarged view illustrating a first comparative example compared with this embodiment.
  • FIG. 13 is an enlarged view showing a second comparative example compared with the present embodiment.
  • 15 is a view showing a display panel formed on the front surface of the substrate according to the present embodiment.
  • FIG. 16 is a diagram illustrating a process of removing a portion of the substrate shown in FIG. 15 .
  • FIG. 17 is a diagram illustrating a process of coating a support layer on the display panel of FIG. 16 .
  • FIG. 18 is a diagram illustrating a process of coating an adhesive on the support layer of FIG. 17 .
  • FIG. 19 is a diagram illustrating a process of bending the display panel shown in FIG. 18 .
  • 20 is a view showing a modified example of the support layer of the present embodiment.
  • the display device described in this specification includes a mobile phone, a smart phone, a laptop computer, a digital broadcasting terminal, a personal digital assistant (PDA), a portable multimedia player (PMP), a navigation system, and a slate PC. , Tablet PC, Ultra Book, digital TV, desktop computer, and the like.
  • PDA personal digital assistant
  • PMP portable multimedia player
  • slate PC slate PC
  • Tablet PC Ultra Book
  • digital TV desktop computer
  • FIG. 1 is a conceptual diagram illustrating an embodiment of a display device using a semiconductor light emitting device of the present invention.
  • information processed by the control unit of the display apparatus 100 may be displayed using a display (flexible display).
  • the display may be bendable, bendable, twistable, foldable, or rolled up by an external force.
  • the display may be a flexible display manufactured on a thin and flexible substrate that can be bent, bent, folded, or rolled like paper while maintaining the display characteristics of a conventional flat panel display.
  • the display area of the flexible display becomes a flat surface.
  • the display area may be a curved surface.
  • the information displayed in the second state may be visual information output on the curved surface.
  • the visual information of the display is implemented by independently controlling the light emission of sub-pixels arranged in a matrix form.
  • the unit pixel means a minimum unit for realizing one color.
  • the unit pixel of the display may be implemented by a semiconductor light emitting device.
  • a light emitting diode LED
  • the light emitting diode is formed to have a small size, so that it can serve as a unit pixel even in the second state.
  • FIG. 2 is a partially enlarged view of part A of FIG. 1
  • FIGS. 3A and 3B are cross-sectional views taken along lines BB and CC of FIG. 2
  • FIG. 4 is a conceptual diagram illustrating the flip-chip type semiconductor light emitting device of FIG. 3A
  • 5A to 5C are conceptual views illustrating various forms of implementing colors in relation to a flip-chip type semiconductor light emitting device.
  • the display device 100 using a passive matrix (PM) type semiconductor light emitting device is exemplified as the display device 100 using a semiconductor light emitting device.
  • PM passive matrix
  • AM active matrix
  • the display device 100 includes a substrate 110 , a first electrode 120 , a conductive adhesive layer 130 , a second electrode 140 , and a plurality of semiconductor light emitting devices 150 .
  • the substrate 110 may be a flexible substrate.
  • the substrate 110 may include glass or polyimide (PI).
  • PI polyimide
  • any material such as polyethylene naphthalate (PEN) or polyethylene terephthalate (PET) may be used as long as it has insulating properties and is flexible.
  • the substrate 110 may be made of either a transparent material or an opaque material.
  • the substrate 110 may be a wiring substrate on which the first electrode 120 is disposed, and thus the first electrode 120 may be located on the substrate 110 .
  • the insulating layer 160 may be disposed on the substrate 110 on which the first electrode 120 is positioned, and the auxiliary electrode 170 may be positioned on the insulating layer 160 .
  • a state in which the insulating layer 160 is laminated on the substrate 110 may be a single wiring board.
  • the insulating layer 160 is made of an insulating and flexible material such as polyimide (PI, Polyimide), PET, PEN, etc., and is integrally formed with the substrate 110 to form a single substrate.
  • the auxiliary electrode 170 is an electrode that electrically connects the first electrode 120 and the semiconductor light emitting device 150 , is located on the insulating layer 160 , and is disposed to correspond to the position of the first electrode 120 .
  • the auxiliary electrode 170 may have a dot shape and may be electrically connected to the first electrode 120 by an electrode hole 171 penetrating the insulating layer 160 .
  • the electrode hole 171 may be formed by filling the via hole with a conductive material.
  • the conductive adhesive layer 130 is formed on one surface of the insulating layer 160 , but the present invention is not necessarily limited thereto.
  • a layer performing a specific function is formed between the insulating layer 160 and the conductive adhesive layer 130 , or the conductive adhesive layer 130 is disposed on the substrate 110 without the insulating layer 160 .
  • the conductive adhesive layer 130 may serve as an insulating layer.
  • the conductive adhesive layer 130 may be a layer having adhesiveness and conductivity, and for this purpose, a material having conductivity and a material having adhesiveness may be mixed in the conductive adhesive layer 130 .
  • the conductive adhesive layer 130 has flexibility, thereby enabling a flexible function in the display device.
  • the conductive adhesive layer 130 may be an anisotropic conductive film (ACF), an anisotropic conductive paste, a solution containing conductive particles, or the like.
  • the conductive adhesive layer 130 may be configured as a layer that allows electrical interconnection in the Z direction passing through the thickness, but has electrical insulation in the horizontal X-Y direction. Accordingly, the conductive adhesive layer 130 may be referred to as a Z-axis conductive layer (however, hereinafter referred to as a 'conductive adhesive layer').
  • the anisotropic conductive film is a film in which an anisotropic conductive medium is mixed with an insulating base member, and when heat and pressure are applied, only a specific portion has conductivity by the anisotropic conductive medium.
  • heat and pressure are applied to the anisotropic conductive film, but other methods are also possible in order for the anisotropic conductive film to have partial conductivity. In this method, for example, only one of the heat and pressure may be applied or UV curing may be performed.
  • the anisotropic conductive medium may be, for example, conductive balls or conductive particles.
  • the anisotropic conductive film is a film in which conductive balls are mixed with an insulating base member, and when heat and pressure are applied, only a specific portion has conductivity by the conductive balls.
  • the anisotropic conductive film may be in a state in which the core of the conductive material contains a plurality of particles covered by an insulating film made of a polymer material. . At this time, the shape of the core may be deformed to form a layer in contact with each other in the thickness direction of the film.
  • heat and pressure are applied as a whole to the anisotropic conductive film, and an electrical connection in the Z-axis direction is partially formed by a height difference of a counterpart adhered by the anisotropic conductive film.
  • the anisotropic conductive film may be in a state in which an insulating core contains a plurality of particles coated with a conductive material.
  • the conductive material is deformed (compressed) in the portion to which heat and pressure are applied, so that it has conductivity in the thickness direction of the film.
  • a form in which the conductive material penetrates the insulating base member in the Z-axis direction to have conductivity in the thickness direction of the film is also possible.
  • the conductive material may have a pointed end.
  • the anisotropic conductive film may be a fixed array anisotropic conductive film (ACF) in which conductive balls are inserted into one surface of the insulating base member.
  • ACF fixed array anisotropic conductive film
  • the insulating base member is formed of a material having an adhesive property, and the conductive balls are intensively disposed on the bottom of the insulating base member, and when heat and pressure are applied from the base member, it is deformed together with the conductive balls. Accordingly, it has conductivity in the vertical direction.
  • the present invention is not necessarily limited thereto, and the anisotropic conductive film has a form in which conductive balls are randomly mixed in an insulating base member, or is composed of a plurality of layers and conductive balls are arranged on one layer (double- ACF), etc. are all possible.
  • the anisotropic conductive paste is a combination of a paste and a conductive ball, and may be a paste in which a conductive ball is mixed with an insulating and adhesive base material. Also, a solution containing conductive particles may be a solution containing conductive particles or nano particles.
  • the second electrode 140 is spaced apart from the auxiliary electrode 170 and is positioned on the insulating layer 160 . That is, the conductive adhesive layer 130 is disposed on the insulating layer 160 in which the auxiliary electrode 170 and the second electrode 140 are located.
  • the semiconductor light emitting device 150 is connected in a flip-chip form by applying heat and pressure. In this case, the semiconductor light emitting device 150 is electrically connected to the first electrode 120 and the second electrode 140 .
  • the semiconductor light emitting device may be a flip chip type light emitting device.
  • the semiconductor light emitting device includes a p-type electrode 156 , a p-type semiconductor layer 155 on which the p-type electrode 156 is formed, an active layer 154 formed on the p-type semiconductor layer 155 , an active layer ( It includes an n-type semiconductor layer 153 formed on the 154 , and an n-type electrode 152 spaced apart from the p-type electrode 156 in the horizontal direction on the n-type semiconductor layer 153 .
  • the p-type electrode 156 may be electrically connected to the auxiliary electrode 170 and the conductive adhesive layer 130
  • the n-type electrode 152 may be electrically connected to the second electrode 140 .
  • the auxiliary electrode 170 is formed to be elongated in one direction, so that one auxiliary electrode may be electrically connected to the plurality of semiconductor light emitting devices 150 .
  • one auxiliary electrode may be electrically connected to the plurality of semiconductor light emitting devices 150 .
  • p-type electrodes of left and right semiconductor light emitting devices with respect to the auxiliary electrode may be electrically connected to one auxiliary electrode.
  • the semiconductor light emitting device 150 is press-fitted into the conductive adhesive layer 130 by heat and pressure, through which the p-type electrode 156 and the auxiliary electrode 170 of the semiconductor light emitting device 150 are pressed. Only a portion and a portion between the n-type electrode 152 and the second electrode 140 of the semiconductor light emitting device 150 have conductivity, and there is no press-fitting of the semiconductor light emitting device in the remaining portion, so that the semiconductor light emitting device does not have conductivity.
  • the conductive adhesive layer 130 not only interconnects the semiconductor light emitting device 150 and the auxiliary electrode 170 and between the semiconductor light emitting device 150 and the second electrode 140 , but also forms an electrical connection.
  • the plurality of semiconductor light emitting devices 150 constitute a light emitting device array
  • the phosphor layer 180 is formed on the light emitting device array.
  • the light emitting device array may include a plurality of semiconductor light emitting devices having different luminance values.
  • Each semiconductor light emitting device 150 constitutes a unit pixel and is electrically connected to the first electrode 120 .
  • the semiconductor light emitting devices may be arranged in, for example, several columns, and the semiconductor light emitting devices in each column may be electrically connected to any one of the plurality of first electrodes.
  • the semiconductor light emitting devices are connected in a flip-chip form, semiconductor light emitting devices grown on a transparent dielectric substrate can be used.
  • the semiconductor light emitting devices may be, for example, nitride semiconductor light emitting devices. Since the semiconductor light emitting device 150 has excellent luminance, individual unit pixels can be configured even with a small size.
  • barrier ribs 190 may be formed between the semiconductor light emitting devices 150 .
  • the partition wall 190 may serve to separate individual unit pixels from each other, and may be integrally formed with the conductive adhesive layer 130 .
  • the base member of the anisotropic conductive film may form the barrier rib.
  • the barrier rib 190 may have reflective properties and increase contrast even without a separate black insulator.
  • a reflective barrier rib may be separately provided as the barrier rib 190 .
  • the barrier rib 190 may include a black or white insulator depending on the purpose of the display device. When the barrier rib of the white insulator is used, it is possible to increase reflectivity, and when the barrier rib of the black insulator is used, it is possible to have reflective properties and increase the contrast.
  • the phosphor layer 180 may be located on the outer surface of the semiconductor light emitting device 150 .
  • the semiconductor light emitting device 150 is a blue semiconductor light emitting device that emits blue (B) light
  • the phosphor layer 180 functions to convert the blue (B) light into the color of the unit pixel.
  • the phosphor layer 180 may be a red phosphor 181 or a green phosphor 182 constituting an individual pixel.
  • a red phosphor 181 capable of converting blue light into red (R) light may be stacked on the blue semiconductor light emitting device at a position constituting the unit pixel of red color, and at a position constituting the unit pixel of green color, blue light
  • a green phosphor 182 capable of converting blue light into green (G) light may be stacked on the semiconductor light emitting device.
  • only the blue semiconductor light emitting device may be used alone in the portion constituting the blue unit pixel.
  • unit pixels of red (R), green (G), and blue (B) may form one pixel.
  • a phosphor of one color may be stacked along each line of the first electrode 120 . Accordingly, one line in the first electrode 120 may be an electrode for controlling one color. That is, red (R), green (G), and blue (B) may be sequentially disposed along the second electrode 140 , thereby realizing a unit pixel.
  • the present invention is not necessarily limited thereto, and instead of the phosphor, the semiconductor light emitting device 150 and the quantum dot (QD) are combined to implement unit pixels of red (R), green (G), and blue (B). have.
  • a black matrix 191 may be disposed between each of the phosphor layers to improve contrast. That is, the black matrix 191 may improve contrast of light and dark.
  • the present invention is not necessarily limited thereto, and other structures for implementing blue, red, and green colors may be applied.
  • each of the semiconductor light emitting devices 150 mainly uses gallium nitride (GaN), and indium (In) and/or aluminum (Al) are added together to emit a variety of light including blue light. It can be implemented as a device.
  • GaN gallium nitride
  • Al aluminum
  • the semiconductor light emitting device 150 may be a red, green, and blue semiconductor light emitting device to form a sub-pixel, respectively.
  • red, green, and blue semiconductor light emitting devices R, G, and B are alternately arranged, and unit pixels of red, green, and blue colors by the red, green and blue semiconductor light emitting devices The pixels form one pixel, through which a full-color display can be realized.
  • the semiconductor light emitting device may include a white light emitting device W in which a yellow phosphor layer is provided for each device.
  • a red phosphor layer 181 , a green phosphor layer 182 , and a blue phosphor layer 183 may be provided on the white light emitting device W to form a unit pixel.
  • a unit pixel may be formed on the white light emitting device W by using a color filter in which red, green, and blue are repeated.
  • the semiconductor light emitting device can be used in the entire region not only for visible light but also for ultraviolet (UV) light, and can be extended in the form of a semiconductor light emitting device in which ultraviolet (UV) can be used as an excitation source of the upper phosphor. .
  • the semiconductor light emitting device 150 is positioned on the conductive adhesive layer 130 to constitute a unit pixel in the display device. Since the semiconductor light emitting device 150 has excellent luminance, individual unit pixels can be configured even with a small size.
  • the size of the individual semiconductor light emitting device 150 may have a side length of 80 ⁇ m or less, and may be a rectangular or square device. In the case of a rectangle, the size may be 20X80 ⁇ m or less.
  • a square semiconductor light emitting device 150 having a side length of 10 ⁇ m is used as a unit pixel, sufficient brightness to form a display device appears. Accordingly, for example, when the unit pixel is a rectangular pixel having one side of 600 ⁇ m and the other side of 300 ⁇ m, the distance between the semiconductor light emitting devices is relatively large. Accordingly, in this case, it is possible to implement a flexible display device having a high picture quality higher than or equal to HD picture quality.
  • the display device using the semiconductor light emitting device described above can be manufactured by a new type of manufacturing method. Hereinafter, the manufacturing method will be described with reference to FIG. 6 .
  • FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a display device using a semiconductor light emitting device of the present invention.
  • the conductive adhesive layer 130 is formed on the insulating layer 160 on which the auxiliary electrode 170 and the second electrode 140 are positioned.
  • An insulating layer 160 is laminated on the first substrate 110 to form one substrate (or wiring board), and the wiring substrate includes a first electrode 120 , an auxiliary electrode 170 , and a second electrode 140 .
  • the first electrode 120 and the second electrode 140 may be disposed in a mutually orthogonal direction.
  • the first substrate 110 and the insulating layer 160 may each include glass or polyimide (PI).
  • the conductive adhesive layer 130 may be implemented by, for example, an anisotropic conductive film, and for this purpose, the anisotropic conductive film may be applied to the substrate on which the insulating layer 160 is positioned.
  • the second substrate 112 corresponding to the positions of the auxiliary electrode 170 and the second electrodes 140 and on which the plurality of semiconductor light emitting devices 150 constituting individual pixels are located is formed with the semiconductor light emitting device 150 .
  • the semiconductor light emitting device 150 is disposed to face the auxiliary electrode 170 and the second electrode 140 .
  • the second substrate 112 is a growth substrate on which the semiconductor light emitting device 150 is grown, and may be a sapphire substrate or a silicon substrate.
  • the semiconductor light emitting device When the semiconductor light emitting device is formed in units of wafers, the semiconductor light emitting device can be effectively used in a display device by having an interval and a size that can form a display device.
  • the wiring board and the second board 112 are thermocompression-bonded.
  • the wiring substrate and the second substrate 112 may be thermocompression-bonded by applying an ACF press head.
  • the wiring substrate and the second substrate 112 are bonded by the thermocompression bonding. Due to the properties of the anisotropic conductive film having conductivity by thermocompression bonding, only the portion between the semiconductor light emitting device 150 and the auxiliary electrode 170 and the second electrode 140 has conductivity, and through this, the electrodes and the semiconductor light emission.
  • the device 150 may be electrically connected. At this time, the semiconductor light emitting device 150 is inserted into the anisotropic conductive film, and through this, a barrier rib may be formed between the semiconductor light emitting devices 150 .
  • the second substrate 112 is removed.
  • the second substrate 112 may be removed using a laser lift-off (LLO) method or a chemical lift-off (CLO) method.
  • LLO laser lift-off
  • CLO chemical lift-off
  • a transparent insulating layer may be formed by coating silicon oxide (SiOx) or the like on the wiring board to which the semiconductor light emitting device 150 is coupled.
  • the method may further include forming a phosphor layer on one surface of the semiconductor light emitting device 150 .
  • the semiconductor light emitting device 150 is a blue semiconductor light emitting device that emits blue (B) light, and a red or green phosphor for converting the blue (B) light into the color of a unit pixel is the blue semiconductor light emitting device.
  • a layer may be formed on one surface of the device.
  • the manufacturing method or structure of the display device using the semiconductor light emitting device described above may be modified in various forms.
  • a vertical semiconductor light emitting device may also be applied to the display device described above.
  • a vertical structure will be described with reference to FIGS. 5 and 6 .
  • FIG. 7 is a perspective view illustrating another embodiment of a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention
  • FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line DD of FIG. 7
  • FIG. 9 is a conceptual view showing the vertical semiconductor light emitting device of FIG. 8 to be.
  • the display device may be a display device using a passive matrix (PM) type vertical semiconductor light emitting device.
  • PM passive matrix
  • the display device includes a substrate 210 , a first electrode 220 , a conductive adhesive layer 230 , a second electrode 240 , and a plurality of semiconductor light emitting devices 250 .
  • the substrate 210 is a wiring substrate on which the first electrode 220 is disposed, and may include polyimide (PI) to implement a flexible display device.
  • PI polyimide
  • any material that has insulating properties and is flexible may be used.
  • the first electrode 220 is positioned on the substrate 210 and may be formed as a bar-shaped electrode long in one direction.
  • the first electrode 220 may serve as a data electrode.
  • the conductive adhesive layer 230 is formed on the substrate 210 on which the first electrode 220 is positioned.
  • the conductive adhesive layer 230 is an anisotropic conductive film (ACF), an anisotropic conductive paste, and a solution containing conductive particles. ), and so on.
  • ACF anisotropic conductive film
  • anisotropic conductive paste an anisotropic conductive paste
  • solution containing conductive particles a solution containing conductive particles.
  • the semiconductor light emitting device 250 After the anisotropic conductive film is positioned on the substrate 210 in a state where the first electrode 220 is positioned, when the semiconductor light emitting device 250 is connected by applying heat and pressure, the semiconductor light emitting device 250 becomes the first It is electrically connected to the electrode 220 .
  • the semiconductor light emitting device 250 is preferably disposed on the first electrode 220 .
  • the electrical connection is created because, as described above, when heat and pressure are applied to the anisotropic conductive film, it partially has conductivity in the thickness direction. Accordingly, the anisotropic conductive film is divided into a conductive portion and a non-conductive portion in the thickness direction.
  • the conductive adhesive layer 230 implements not only electrical connection but also mechanical bonding between the semiconductor light emitting device 250 and the first electrode 220 .
  • the semiconductor light emitting device 250 is positioned on the conductive adhesive layer 230 and constitutes individual pixels in the display device through this. Since the semiconductor light emitting device 250 has excellent luminance, individual unit pixels can be configured even with a small size.
  • the size of the individual semiconductor light emitting device 250 may have a side length of 80 ⁇ m or less, and may be a rectangular or square device. In the case of a rectangle, the size may be 20X80 ⁇ m or less.
  • the semiconductor light emitting device 250 may have a vertical structure.
  • a plurality of second electrodes 240 disposed in a direction crossing the longitudinal direction of the first electrode 220 and electrically connected to the vertical semiconductor light emitting device 250 are positioned between the vertical semiconductor light emitting devices.
  • the vertical semiconductor light emitting device includes a p-type electrode 256 , a p-type semiconductor layer 255 formed on the p-type electrode 256 , and an active layer 254 formed on the p-type semiconductor layer 255 . ), an n-type semiconductor layer 253 formed on the active layer 254 , and an n-type electrode 252 formed on the n-type semiconductor layer 253 .
  • the lower p-type electrode 256 may be electrically connected to the first electrode 220 and the conductive adhesive layer 230
  • the upper n-type electrode 252 may be a second electrode 240 to be described later.
  • the vertical semiconductor light emitting device 250 has a great advantage in that it is possible to reduce the chip size because electrodes can be arranged up and down.
  • a phosphor layer 280 may be formed on one surface of the semiconductor light emitting device 250 .
  • the semiconductor light emitting device 250 is a blue semiconductor light emitting device 251 emitting blue (B) light
  • a phosphor layer 280 for converting the blue (B) light into the color of a unit pixel is provided.
  • the phosphor layer 280 may be a red phosphor 281 and a green phosphor 282 constituting individual pixels.
  • a red phosphor 281 capable of converting blue light into red (R) light may be stacked on the blue semiconductor light emitting device at a position constituting the unit pixel of red color, and at a position constituting the unit pixel of green color, blue light
  • a green phosphor 282 capable of converting blue light into green (G) light may be stacked on the semiconductor light emitting device.
  • only the blue semiconductor light emitting device may be used alone in the portion constituting the blue unit pixel. In this case, unit pixels of red (R), green (G), and blue (B) may form one pixel.
  • the present invention is not necessarily limited thereto, and as described above in a display device to which a flip chip type light emitting device is applied, other structures for implementing blue, red, and green colors may be applied.
  • the second electrode 240 is positioned between the semiconductor light emitting devices 250 and is electrically connected to the semiconductor light emitting devices 250 .
  • the semiconductor light emitting devices 250 may be arranged in a plurality of columns, and the second electrode 240 may be positioned between the columns of the semiconductor light emitting devices 250 .
  • the second electrode 240 may be positioned between the semiconductor light emitting devices 250 .
  • the second electrode 240 may be formed as a bar-shaped electrode long in one direction, and may be disposed in a direction perpendicular to the first electrode.
  • the second electrode 240 and the semiconductor light emitting device 250 may be electrically connected to each other by a connection electrode protruding from the second electrode 240 .
  • the connection electrode may be an n-type electrode of the semiconductor light emitting device 250 .
  • the n-type electrode is formed as an ohmic electrode for ohmic contact, and the second electrode covers at least a portion of the ohmic electrode by printing or deposition. Through this, the second electrode 240 and the n-type electrode of the semiconductor light emitting device 250 may be electrically connected.
  • the second electrode 240 may be positioned on the conductive adhesive layer 230 .
  • a transparent insulating layer (not shown) including silicon oxide (SiOx) may be formed on the substrate 210 on which the semiconductor light emitting device 250 is formed.
  • SiOx silicon oxide
  • the second electrode 240 is positioned after the transparent insulating layer is formed, the second electrode 240 is positioned on the transparent insulating layer.
  • the second electrode 240 may be formed to be spaced apart from the conductive adhesive layer 230 or the transparent insulating layer.
  • the present invention has the advantage of not using a transparent electrode such as ITO by locating the second electrode 240 between the semiconductor light emitting devices 250 . Therefore, it is possible to improve light extraction efficiency by using a conductive material having good adhesion to the n-type semiconductor layer as a horizontal electrode without being limited by the selection of a transparent material.
  • a transparent electrode such as indium tin oxide (ITO)
  • a barrier rib 290 may be positioned between the semiconductor light emitting devices 250 . That is, a barrier rib 290 may be disposed between the vertical semiconductor light emitting devices 250 to isolate the semiconductor light emitting devices 250 constituting individual pixels.
  • the partition wall 290 may serve to separate individual unit pixels from each other, and may be integrally formed with the conductive adhesive layer 230 . For example, by inserting the semiconductor light emitting device 250 into the anisotropic conductive film, the base member of the anisotropic conductive film may form the partition wall.
  • the barrier rib 290 may have reflective properties and increase contrast even without a separate black insulator.
  • a reflective barrier rib may be separately provided.
  • the barrier rib 290 may include a black or white insulator depending on the purpose of the display device.
  • the barrier rib 290 is formed between the vertical semiconductor light emitting device 250 and the second electrode 240 .
  • the barrier rib 290 is formed between the vertical semiconductor light emitting device 250 and the second electrode 240 .
  • individual unit pixels can be configured even with a small size using the semiconductor light emitting device 250 , and the distance between the semiconductor light emitting devices 250 is relatively large enough to connect the second electrode 240 to the semiconductor light emitting device 250 . ), and there is an effect of realizing a flexible display device having HD picture quality.
  • a black matrix 291 may be disposed between each phosphor to improve contrast. That is, the black matrix 291 may improve contrast of light and dark.
  • the semiconductor light emitting device 250 is positioned on the conductive adhesive layer 230 and constitutes individual pixels in the display device through this. Since the semiconductor light emitting device 250 has excellent luminance, individual unit pixels can be configured even with a small size. Accordingly, a full-color display in which unit pixels of red (R), green (G), and blue (B) constitute one pixel may be implemented by the semiconductor light emitting device.
  • FIG. 10 is a diagram illustrating a display device according to the present embodiment
  • FIG. 11 is an enlarged view of part A of FIG. 10
  • FIG. 12 is an enlarged view illustrating a first comparative example compared with the present embodiment
  • 13 is an enlarged view showing a second comparative example compared with the present embodiment.
  • the display device may include a substrate 310 , a display panel D, and a support layer 400 .
  • the substrate 310 , the display panel D and the support layer 400 may constitute the display module 300 .
  • the display module 300 may be a combination of a plurality of members, and the display module 300 is, for example, a micro LED display (LDM), a passive-matrix organic light emitting diode (PMOLED), or an active matrix organic light emitting diode (PMOLED) active matrix. It may be an active-matrix OLED (AMOLED) or a quantum dot semiconductor light emitting device (QLED).
  • LDM micro LED display
  • PMOLED passive-matrix organic light emitting diode
  • PMOLED active matrix organic light emitting diode
  • AMOLED active-matrix OLED
  • QLED quantum dot semiconductor light emitting device
  • the display device may include a plurality of display modules 300 .
  • 4, 9, or 16 display modules 300 may be assembled.
  • the plurality of display modules 300 may be arranged in an array adjacent to each other.
  • the plurality of display modules 300 may be arranged in a plurality of rows in an up-down direction and in a plurality of columns in a left-right direction.
  • the plurality of display modules 300 may be unit displays 300a and 300b.
  • the plurality of display modules 300 will be described including the first unit display 300a and the second unit display 300b that are arranged adjacently.
  • a common configuration of the first unit display 300a and the second unit display 300b will be referred to as the display module 300 and will be described.
  • Each of the plurality of display modules 300 may include a substrate 310 , a display panel D, and a support layer 400 .
  • the substrate 310 may be a base substrate on which the display panel D is formed.
  • the substrate 310 may be a support substrate supporting the display panel D.
  • the substrate 310 may be made of a flexible material or a rigid material.
  • An example of the substrate 310 may include a glass substrate.
  • the substrate 310 is not limited to a glass substrate and may be made of plastic or the like.
  • the substrate 310 may have a rectangular parallelepiped shape, and the front surface 311 of the substrate 310 may face forward, and the rear surface 312 of the substrate 310 may face rearward.
  • the substrate 310 may have a plate shape having a small thickness, and the front surface 311 and the rear surface 312 may be connected by a peripheral surface 313 .
  • the peripheral surface 313 of the substrate 310 is an edge (circuit edge) of the substrate 310 , and the peripheral surface 313 of the substrate 310 is the front surface 311 and the rear surface 312 of the substrate 310 except for the front surface 311 and the rear surface 312 .
  • peripheral surface 313 of the substrate 310 will be referred to as the side surface 313 of the substrate 310 , and the peripheral surface of the substrate 310 and the side surface of the substrate 310 will be described using the same reference numerals. .
  • the side surface 313 of the substrate 310 may have a planar shape rather than a curved shape.
  • the side surface 313 of the substrate 310 may be perpendicular to the front surface 311 of the substrate 310 and the rear surface 312 of the substrate 310 .
  • the display panel (D) may be composed of a combination of a plurality of members.
  • the display panel D may include a plurality of pixels 350 .
  • Each of the plurality of pixels 350 may be a combination of red (R), green (G), and blue (B) unit pixels.
  • the pixels 350 may be arranged at a predetermined pitch.
  • the display panel D may be a flexible display in which a plurality of pixels 350 are formed and can be bent or bent.
  • the display panel D may include a flexible substrate 318 , a wiring electrode 320 , a plurality of pixels 350 , and a protective layer 390 .
  • the flexible substrate 318 may be in contact with the substrate 310 .
  • the wiring electrode 320 may be formed on the flexible substrate 318 .
  • An example of the pixel 350 may be the semiconductor light emitting device 350 .
  • the pixel 350 and the semiconductor light emitting device 350 will be described using the same reference numerals.
  • the plurality of semiconductor light emitting devices 350 may be formed on the wiring electrode 320 .
  • the protective layer 390 may cover the wiring electrode 320 and the plurality of semiconductor light emitting devices 350 .
  • the display panel (D) may include a display unit (E) and a flexible base unit (F).
  • the display unit E may be defined as a portion of the display panel D formed on the front surface 311 of the substrate 310 .
  • the display unit E may be defined as a pixel area or a display area.
  • the display unit E is a region in which the semiconductor light emitting device 350 is formed, and includes all of a flexible substrate 318 , a wiring electrode 320 , a plurality of semiconductor light emitting devices 350 , and a protective layer 390 .
  • the flexible base portion F may be defined as a portion surrounding a portion of the side surface 313 of the substrate 310 and the rear surface 312 of the substrate 310 .
  • the flexible base part (F) may be formed to extend from the display part (E).
  • the flexible base part F may be defined as a bezel area or a non-display area.
  • the flexible base unit F is a region where the semiconductor light emitting device 350 is not formed, and may include a flexible substrate 318 , a wiring electrode 320 , and a protective layer 390 .
  • the flexible base part (F) may include a pair of curved parts 410 and 420 and a side cover part 430 connecting the pair of curved parts 410 and 420 and contacting the support layer 350 . have.
  • the pair of curved portions 410 and 420 may be spaced apart from each other in the front-rear direction.
  • the pair of curved portions 410 and 420 may include a front curved portion 410 and a rear curved portion 420 spaced apart from the front curved portion 410 in the front-rear direction.
  • Each of the pair of curved portions 410 and 420 may have an arc-shaped cross-sectional shape, and in particular, may have an arc-shaped cross-section.
  • a central angle of each of the pair of curved portions 410 and 420 may be 80° to 100°.
  • the pair of curved portions 410 and 420 each have a radius of curvature r, and the curved portions 410 and 420 are preferably formed not to be sharply bent, and the radius of curvature r is not too large. It is preferable to be
  • the side cover part 430 may be spaced apart from the side surface 313 of the substrate 310 and may be parallel to the side surface 313 of the substrate 310 .
  • the side cover part 430 may be defined as a flat part formed between a pair of curved parts 410 and 420 .
  • the side cover part 430 may be defined as a part parallel to the side surface 313 of the substrate 310 among the flexible base part F.
  • the size and shape of the curved portions 410 and 420 may be determined according to the position of the side cover portion 4300 , and the radius of curvature r of the curved portions 410 and 420 may be determined.
  • the position of the side cover part 430 may be determined by the support layer 400 , and the curved parts 410 and 420 may have a radius of curvature r in an appropriate range by the support layer 400 .
  • the support layer 400 may be disposed between the side surface 313 of the substrate 310 and the flexible base unit F.
  • the support layer 400 may support the flexible base part (F).
  • the support layer 400 may be positioned between the side surface 313 of the substrate 310 and the side cover part 430 , and may support the side cover part 430 .
  • the support layer 400 may be fixed to any one of the side surface 313 and the flexible base unit F of the substrate 310 and may be attached to the other.
  • An example of the support layer 400 may be attached to the side surface 313 of the substrate 310 after being formed on the rear surface of the flexible base unit (F). Another example of the support layer 400 is formed on the side 303 of the substrate 310 and then it is possible to be attached to the flexible base portion (F).
  • the support layer 400 may be coated on the flexible base portion (F).
  • the support layer 400 may maintain the side cover part 430 so that the side cover part 430 is spaced apart from the side surface 313 of the substrate 310 .
  • the support layer 400 may support the side cover part 430 so that the side cover part 430 does not come close to the side surface 313 of the substrate 310 .
  • the pair of curved portions 410 and 420 may not directly support the support layer 400 and may be spaced apart from the support layer 400 .
  • the pair of curved portions 410 and 420 may not contact the support layer 400 .
  • the pair of curved portions 410 and 420 may be defined as portions spaced apart from the support layer 400 and bent in a curved shape.
  • the support layer 400 may hold the side cover part 430 so that the side cover part 430 does not move in a direction away from the side surface 313 of the substrate 310 .
  • the support layer 400 may be fixed to the side surface 313 of the substrate 310 .
  • the display device may further include an adhesive 440 .
  • the adhesive 440 may be coated on the support layer 400 and the flexible base unit F.
  • the adhesive 440 may be disposed to cover the support layer 400 .
  • the adhesive 440 may be attached to the side surface 313 of the substrate 310 .
  • the adhesive 440 may fix the support layer 400 to the side surface 313 of the substrate 310 .
  • the support layer 400 may include a first surface 401 facing the side surface 313 of the substrate 310 and a second surface 402 facing the flexible base unit F.
  • the support layer 400 may have a trapezoidal cross-sectional shape.
  • Each of the first surface 401 and the second surface 402 may be a flat surface rather than a curved surface.
  • the adhesive 440 may be attached to the first surface 401 and the flexible base unit F, and may be attached to the side surface of the substrate 310 .
  • the area of the second surface 402 may be larger than the area of the first surface 401 .
  • the support layer 400 and the adhesive 440 may be surrounded and protected by the side surface 313 and the flexible base unit F of the substrate 310 .
  • the display module 300 of the present embodiment does not include a separate adhesive 440, it is also possible that the support layer 400 itself has an adhesive force.
  • a portion of the flexible base unit F may be disposed on the rear surface 313 of the substrate 310 .
  • a portion of the flexible base portion F positioned on the rear surface of the substrate 310 may be defined as a connection portion 450 .
  • the connection part 450 may include a flexible substrate 318 , a wiring electrode 320 , and a protective layer 390 .
  • a driving unit 460 ( FIG. 10 ) for controlling driving of the pixel 350 may be disposed on the rear side of the substrate 310 .
  • the driving unit 460 may be connected to the flexible base part (F), and may be connected to the connection part 450 of the flexible base part (F).
  • the driving unit 460 may be connected to the wiring electrode 320 among the connection units 450 , and may be connected to a portion of the wiring electrode 320 located at the rear of the substrate 310 .
  • Each of the display modules 300 may be in contact with the flexible base unit F such that other adjacent display modules may be in contact with the flexible base unit F.
  • the outer surface of the flexible base unit F of the first unit display 300a may face the outer surface of the flexible base unit F of the second unit display 300b.
  • the part F, the flexible base part F of the second unit display 300b, the support layer 400 and the adhesive 440 may be disposed.
  • the substrate 310 of the first unit display 300a and the second unit display 300b may be a bezel area L that does not actually display a screen between the substrate 310 .
  • the plurality of display modules 300 can minimize the bezel area L and have high reliability of the display panel D.
  • the first comparative example shown in FIG. 12 is a case in which the support layer 400 of the present embodiment is not provided and the bezel area L' is smaller than that of the present embodiment.
  • the second comparative example shown in FIG. 13 is a case in which the support layer 400 of the present embodiment is not provided and the bezel area L′′ is smaller than that of the present embodiment.
  • the display panel D is abruptly bent so that the size of the bezel area L' is small, whereas the wiring resistance of the sharply bent portion C of the wiring electrodes 320 is may increase, and a disconnection defect of the wiring electrode 320 may occur. That is, when bending the wiring electrode 320, due to the thickness of each of the flexible substrate 318, the wiring electrode 320, and the protective layer 390, the curved portions 410 and 420 have a limiting radius of curvature, When bending below the radius of curvature, the wiring electrode 320 is damaged, resistance is increased, and a breakage is generated.
  • the display panel D may be gently bent to protect the wiring electrode 320 , while the size of the bezel region L may be increased.
  • the radius of curvature r of the curved portions 410 and 420 may be less than half of the thickness h of the substrate 310 .
  • the thickness h of the substrate 310 is greater than twice the radius of curvature r of the curved portions 410 and 420 (ie, 2r).
  • the length M of the support layer 400 may be formed to be shorter than the length limited by twice the radius of curvature r of the curved portions 410 and 420 from the thickness h of the substrate 310 . .(ie M ⁇ h-2r)
  • the support layer ( 400) when the thickness (h) of the substrate 310 is greater than twice the limiting radius of curvature (r, bending limit) of the flexible substrate 318, the support layer ( 400) may be formed.
  • 15 to 19 are diagrams illustrating a manufacturing process of a display device.
  • 15 is a view showing a display panel formed on the front surface of the substrate according to the present embodiment.
  • the display manufacturing method of the present embodiment may include forming the display panel D on the front surface 311 of the substrate 310 ′ (ie, forming the display panel).
  • a flexible substrate 318 is formed on the front surface 311 of the substrate 310 ′, a wiring electrode 320 may be formed on the flexible substrate 318 , and a plurality of pixels are formed on the wiring electrode 320 .
  • 350 may be formed, and a protective layer 390 may be formed to cover a portion of the plurality of pixels 350 and the wiring electrode 320 .
  • FIG. 16 is a diagram illustrating a process of removing a portion of the substrate shown in FIG. 15 .
  • the display manufacturing method of the present embodiment may further include a step (ie, a removal step) of removing a portion 310 ′′ of the substrate 310 ′, as shown in FIG. 16 , after the display panel forming step.
  • a step ie, a removal step of removing a portion 310 ′′ of the substrate 310 ′, as shown in FIG. 16 , after the display panel forming step.
  • the removing step may be a step of exposing a portion of the back surface of the display panel D by removing a portion 310 ′′ of the substrate 310 ′.
  • the removing step is a portion of the flexible substrate 318 that is adjacent to the edge of the substrate 310 . It may be a step of exposing the
  • a scribing process is performed on the portion 310" to be removed of the substrate 310', and then a cutting process of cutting the substrate 310' using a laser device (not shown) or the like.
  • a separation process of separating the cut portion 310 ′′ of the substrate 310 ′ from the display panel D may be performed.
  • FIG. 17 is a diagram illustrating a process of coating a support layer on the display panel of FIG. 16 .
  • the display manufacturing method of this embodiment may include, after the removing step, forming the support layer 400 (ie, forming the support layer) as shown in FIG. 17 .
  • the step of forming the support layer may be a step of coating the support layer 400 on the exposed rear surface of the display panel (D).
  • a polymer resin may be coated on a portion of the flexible substrate 318 close to the side surface 313 of the substrate 310 to be cured.
  • the support layer 400 may be disposed to be spaced apart from the side surface 313 of the substrate 310 next to the side surface 313 of the substrate 310 , and does not cover the front surface 311 of the substrate 310 among the flexible substrates 318 . It may be exposed along with parts that are not.
  • FIG. 18 is a diagram illustrating a process of coating an adhesive on the support layer of FIG. 17 .
  • the display manufacturing method of this embodiment may include, after the support layer forming step, coating the adhesive 440 on the support layer 400 and the display panel D (that is, the support layer coating step) as shown in FIG. 18 . have.
  • the adhesive 440 may be coated so that the adhesive 440 covers the support layer 400 and the periphery of the support layer 400 of the display panel D.
  • the adhesive 440 may be coated on the back surface of the flexible substrate 318 .
  • FIG. 19 is a diagram illustrating a process of bending the display panel shown in FIG. 18 .
  • the display manufacturing method of this embodiment includes the steps of bending the display panel (D) to fix the side surface 313 of the substrate 310 and the back surface 312 of the substrate 310 to a part (that is, the flexible substrate fixing step) ) may be included.
  • the display panel D shown in FIG. 18 may be divided into a display unit E positioned in front of the substrate 310 and a flexible base unit F not positioned in front of the substrate 310 .
  • the flexible substrate fixing step is a step of bending the flexible substrate portion (F) so that the flexible substrate portion (F) surrounds a portion of the side surface 313 of the substrate 310 and the back surface 312 of the substrate 310 (ie, bending step) ) can be
  • the adhesive 440 coated on the display panel D may be attached to the side surface 313 of the substrate 310 while being coated on the support layer 400 and the flexible base unit F.
  • the adhesive 440 may be attached to the side surface 313 of the substrate 310 and the rear surface 312 of the substrate 310 , and the support layer 400 may be attached to the side surface 313 of the substrate 310 and the flexible substrate portion F. ) may be located between the flexible base portion (F), in particular the side cover portion 430 can be maintained.
  • the display panel (D), in particular, the flexible substrate portion (F) connects the pair of curved portions 410 and 420 and the pair of curved portions 410 and 420 and contacts the support layer 400 . It may include a side cover part 430 that is
  • 20 is a view showing a modified example of the support layer of the present embodiment.
  • the flexible base unit (F) includes a pair of curved portions 410 and 420 to which the support layer 440 is in contact, and a side cover portion 430 connecting the pair of curved portions, and the support layer 400 is a front support layer. It may include a 400a and a rear support layer 400b.
  • the front support layer 400a may be in contact with the front curved portion 410 of the pair of curved portions 410 and 420 .
  • the rear support layer 400b may contact the rear curved portion 420 of the pair of curved portions 410 and 420 .
  • the front support layer 400a and the rear support layer 400b may be spaced apart from each other in the front-rear direction.
  • the front support layer 400a and the rear support layer 400b may have curved surfaces facing the flexible base part F.
  • the front support layer 400a and the rear support layer 400b may have planar surfaces facing the side surface 313 of the substrate 310 .
  • the side cover part 430 may maintain a flat surface by supporting the pair of curved parts 410 and 420 by the pair of support layers 400a and 400b.
  • the display device shown in FIG. 20 may have the same or similar configuration to the display device shown in FIG. 14 other than the position of the support layer 400 and the shape of the support layer 400, and descriptions thereof are made to avoid duplicate description. omit

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Abstract

디스플레이 장치는 기판; 기판의 전면에 형성된 디스플레이부와, 디스플레이부에서 연장되고 기판의 측면 및 기판의 후면 일부를 감싸는 유연 기재부를 포함하는 디스플레이 패널; 기판의 측면과 유연 기재부 사이에 배치되어 유연 기재부를 지지하는 지지층을 포함하고, 유연 기재부는 지지층과 이격되는 한 쌍의 곡면부; 한 쌍의 곡면부를 잇고 상기 지지층에 접촉되는 사이드 커버부를 포함할 수 있다.

Description

디스플레이 장치
본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것이다.
최근에는 디스플레이 기술분야에서 박형, 플렉서블 등의 우수한 특성을 가지는 디스플레이 장치가 개발되고 있다.
종래의 디스플레이는 LCD(Liguid Crystal Display)와 AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diodes)로 대표되고 있다.
그러나, LCD의 경우에 빠르지 않은 반응 시간과, 플렉서블의 구현이 어렵다는 문제점이 존재하고, AMOLED의 경우에 수명이 짧고, 양산 수율이 좋지 않다는 취약점이 존재한다.
한편, 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 잘 알려진 반도체 발광 소자로서, 1962년 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED가 상품화된 것을 시작으로 GaP:N 계열의 녹색 LED와 함께 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 이용되어 왔다. 상기 반도체 발광 소자를 이용하여 디스플레이를 구현하여, 상기의 문제점을 해결하는 방안이 제시될 수 있다. 이러한 발광 다이오드는 필라멘트 기반의 발광소자에 비해 긴 수명, 낮은 전력 소모, 우수한 초기 구동 특성, 및 높은 진동 저항 등의 다양한 장점을 갖는다.
디스플레이의 일 예는 대한민국 등록특허공보 10-1895217(2018년09월07 공고)에는 타일링 멀티 디스플레이가 개시되고, 타일링 멀티 디스플레이는 픽셀들이 형성되는 픽셀 영역과, 상기 픽셀 영역의 가장자리 부분에 형성되는 베젤 영역을 포함하는 플렉서블 패널; 및 상기 플렉서블 패널이 접합되는 지지기판으로, 상부면에 상기 플렉서블 패널의 픽셀 영역이 접합되고, 상기 상부면에 연결된 측면과 하부면에 상기 플렉서블 패널의 베젤 영역이 접혀져 접합되는 지지기판;을 포함하고, 상기 플렉서블 패널의 접히는 부분의 곡률반경(r)은 픽셀 사이의 길이(S)의 1/2 이하이다.
디스플레이의 다른 예는 공개특허공보 10-2017-0071047 A(2017년06월23일 공개)에 개시된 플렉서블 표시장치가 있고, 플렉서블 표시장치는 표시 영역 및 비표시영역을 포함하고, 상기 비표시영역 내에 벤딩 영역이 구비된 기판; 상기 기판 상의 비표시 영역에 구비된 링크 배선; 및 상기 기판 상의 벤딩 영역에 구비되며 콘택홀을 통해서 상기 배선과 연결된 벤딩 연결 배선을 포함하고, 상기 벤딩 연결 배선은 중립면에 위치하여, 베젤의 크기를 줄여 미감을 증진시킨다.
종래 기술에 따른 표시장치는 벤딩 연결 배선 등의 배선 전극이 과도하게 굽을 경우 배선 전극이 손상되어 저항이 증가할 수 있고 단선이 발생될 수 있는 문제점이 있다.
종래 기술에 따른 표시장치는 배선 전극이 단선되지 않도록 배선 전극을 완만하게 구부릴 경우, 비표시 영역이 증대되어 베젤의 크기가 확장되는 문제점이 있다.
본 발명은 배선 전극 중 급격하게 꺽인 부분 및 단선을 최소화하여 신뢰성이 높은 디스플레이 장치에 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명은 간단한 구조로 베젤을 최소화한 디스플레이 장치를 다른 목적이 있다.
본 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 기판; 기판의 전면에 형성된 디스플레이부와, 디스플레이부에서 연장되고 기판의 측면 및 기판의 후면 일부를 감싸는 유연 기재부를 포함하는 디스플레이 패널; 기판의 측면과 유연 기재부 사이에 배치되어 유연 기재부를 지지하는 지지층을 포함할 수 있다.
유연 기재부는 지지층과 이격되는 한 쌍의 곡면부; 및 한 쌍의 곡면부를 잇고 지지층에 접촉되는 사이드 커버부를 포함할 수 있다.
디스플레이 패널은 기판에 접하는 유연 기판; 유연 기판에 형성된 배선 전극; 배선 전극에 형성된 복수개 반도체 발광소자 및 배선 전극 및 복수개 반도체 발광소자을 덮는 보호층을 포함할 수 있다.
사이드 커버부는 측면과 이격될 수 있고, 측면과 평행할 수 있다.
곡면부의 곡률반경은 기판의 두께의 절반 보다 작을 수 있다.
지지층의 길이는 기판의 두께에서 곡면부의 곡률반경의 2배를 제한 길이 보다 짧을 수 있다.
지지층은 유연 기재부에 코팅될 수 있다.
디스플레이 장치는 지지층 및 유연 기재부에 코팅되고, 기판의 측면에 부착된 접착제를 더 포함할 수 있다.
지지층은 기판의 측면을 향하는 제1면과, 유연 기재부를 향하는 제2면을 포함하고, 제2면의 면적은 제1면의 면적 보다 클 수 있다.
기판의 측면은 기판의 전면 및 기판의 배면과 직교할 수 있다
디스플레이 장치는 복수개의 디스플레이 모듈이 소정 피치로 배치될 수 있고, 복수개의 디스플레이 모듈 각각은 기판; 디스플레이 패널 및 지지층을 포함할 수 있으며, 디스플레이 패널의 유연 기재부는 인접한 타 디스플레이 패널이 유연 기재부와 접할 수 있다.
디스플레이 장치 제조방법은 기판의 전면에 디스플레이 패널을 형성하는 단계; 판 일부를 제거하여 디스플레이 패널의 배면 일부를 노출시키는 단계; 디스플레이 패널의 노출된 배면에 지지층을 코팅하는 단계; 지지층과 디스플레이 패널에 접착재를 코팅하는 단계 및 디스플레이 패널을 구부려 기판의 측면과 기판의 배면 일부에 고정시키는 단계를 포함할 수 있고, 디스플레이 패널은 지지층과 이격된 한 쌍의 곡면부; 및 한 쌍의 곡면부를 잇고 지지층에 접촉되는 사이드 커버부를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 배선 전극의 급격한 꺽임을 최소화하여, 배선 전극의 손상이나 단선을 최소화할 수 있다.
또한, 복수개 디스플레이 패널 사이의 베젤을 최소화할 수 있고, 고해상도를 확보할 수 있다.
또한, 지지층에 의해 유연 기재부를 기판에 신뢰성 높게 유지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들이다.
도 4는 도 3의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광 소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들이다.
도 6은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 7은 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이다.
도 8은 도 7의 라인 D-D를 따라 취한 단면도이다.
도 9는 도 8의 수직형 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
도 10은 본 실시 예에 따른 디스플레이 장치가 도시된 도이다.
도 11은 도 10의 A부 확대도이다.
도 12는 본 실시 예와 비교 되는 제1비교예가 도시된 확대도이다.
도 13는 본 실시 예와 비교 되는 제2비교예가 도시된 확대도이다.
도 14은 본 실시 예의 디스플레이 패널을 비교예와 비교한 도이다.
도 15는 본 실시 예에 따른 기판의 전면에 디스플레이 패널을 형성한 도이다.
도 16은 도 15에 도시된 기판의 일부를 제거하는 공정이 도시된 도이다.
도 17은 도 16의 디스플레이 패널에 지지층을 코팅하는 공정이 도시된 도이다.
도 18은 도 17의 지지층에 접착제를 코팅하는 공정이 도시된 도이다.
도 19는 도 18에 도시된 디스플레이 패널을 구부리는 공정이 도시된 도이다.
도 20은 본 실시 예의 지지층의 변형예가 도시된 도이다.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시 예를 도면과 함께 상세히 설명하도록 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 됨을 유의해야 한다.
또한, 층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
본 명세서에서 설명되는 디스플레이 장치에는 휴대폰, 스마트 폰(smart phone), 노트북 컴퓨터(laptop computer), 디지털방송용 단말기, PDA(personal digital assistants), PMP(portable multimedia player), 네비게이션, 슬레이트 피씨(Slate PC), Tablet PC, Ultra Book, 디지털 TV, 데스크탑 컴퓨터 등이 포함될 수 있다. 그러나, 본 명세서에 기재된 실시 예에 따른 구성은 추후 개발되는 새로운 제품형태이라도, 디스플레이가 가능한 장치에는 적용될 수도 있음을 본 기술분야의 당업자라면 쉽게 알 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.
도시에 의하면, 디스플레이 장치(100)의 제어부에서 처리되는 정보는 디스플레이(flexible display)를 이용하여 표시될 수 있다.
디스플레이의 일 예는 외력에 의하여 휘어질 수 있는, 구부러질 수 있는, 비틀어질 수 있는, 접힐 수 있는, 말려질 수 있다. 예를 들어, 디스플레이는 기존의 평판 디스플레이의 디스플레이 특성을 유지하면서, 종이와 같이 휘어지거나, 구부리거나, 접을 수 있거나 말 수 있는 얇고 유연한 기판 위에 제작되는 플렉서블 디스플레이가 될 수 있다.
상기 플렉서블 디스플레이가 휘어지지 않는 상태(예를 들어, 무한대의 곡률반경을 가지는 상태, 이하 제1상태라 한다)에서는 상기 플렉서블 디스플레이의 디스플레이 영역이 평면이 된다. 상기 제1상태에서 외력에 의하여 휘어진 상태(예를 들어, 유한의 곡률반경을 가지는 상태, 이하, 제2상태라 한다)에서는 상기 디스플레이 영역이 곡면이 될 수 있다. 도시와 같이, 상기 제2상태에서 표시되는 정보는 곡면상에 출력되는 시각 정보가 될 수 있다.
디스플레이의 시각 정보는 매트릭스 형태로 배치되는 단위 화소(sub-pixel)의 발광이 독자적으로 제어됨에 의하여 구현된다. 상기 단위 화소는 하나의 색을 구현하기 위한 최소 단위를 의미한다.
상기 디스플레이의 단위 화소는 반도체 발광 소자에 의하여 구현될 수 있다. 본 발명에서는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광 소자의 일 종류로서 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)를 예시한다. 상기 발광 다이오드는 작은 크기로 형성되며, 이를 통하여 상기 제2상태에서도 단위 화소의 역할을 할 수 있게 된다.
이하, 상기 발광 다이오드를 이용하여 구현된 디스플레이에 대하여 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들이며, 도 4는 도 3a의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이고, 도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광 소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들이다.
도 2, 도 3a 및 도 3b의 도시에 의하면, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(100)로서 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(100)를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광 소자에도 적용 가능하다.
상기 디스플레이 장치(100)는 기판(110), 제1전극(120), 전도성 접착층(130), 제2전극(140) 및 복수의 반도체 발광 소자(150)를 포함한다.
기판(110)의 일 예는 플렉서블 기판일 수 있다. 예를 들어, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 기판(110)은 유리나 폴리이미드(PI, Polyimide)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면, 예를 들어 PEN(Polyethylene Naphthalate), PET(Polyethylene Terephthalate) 등 어느 것이라도 사용될 수 있다. 또한, 상기 기판(110)은 투명한 재질 또는 불투명한 재질 어느 것이나 될 수 있다.
상기 기판(110)은 제1전극(120)이 배치되는 배선기판이 될 수 있으며, 따라서 상기 제1전극(120)은 기판(110) 상에 위치할 수 있다.
도시에 의하면, 절연층(160)은 제1전극(120)이 위치한 기판(110) 상에 배치될 수 있으며, 상기 절연층(160)에는 보조전극(170)이 위치할 수 있다. 이 경우에, 상기 기판(110)에 절연층(160)이 적층된 상태가 하나의 배선기판이 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연층(160)은 폴리이미드(PI, Polyimide), PET, PEN 등과 같이 절연성이 있고, 유연성 있는 재질로, 상기 기판(110)과 일체로 이루어져 하나의 기판을 형성할 수 있다.
보조전극(170)은 제1전극(120)과 반도체 발광 소자(150)를 전기적으로 연결하는 전극으로서, 절연층(160) 상에 위치하고, 제1전극(120)의 위치에 대응하여 배치된다. 예를 들어, 보조전극(170)은 닷(dot) 형태이며, 절연층(160)을 관통하는 전극홀(171)에 의하여 제1전극(120)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전극홀(171)은 비아 홀에 도전물질이 채워짐에 의하여 형성될 수 있다.
본 도면들을 참조하면, 절연층(160)의 일면에는 전도성 접착층(130)이 형성되나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 절연층(160)과 전도성 접착층(130)의 사이에 특정 기능을 수행하는 레이어가 형성되거나, 절연층(160)이 없이 전도성 접착층(130)이 기판(110)상에 배치되는 구조도 가능하다. 전도성 접착층(130)이 기판(110)상에 배치되는 구조에서는 전도성 접착층(130)이 절연층의 역할을 할 수 있다.
상기 전도성 접착층(130)은 접착성과 전도성을 가지는 층이 될 수 있으며, 이를 위하여 상기 전도성 접착층(130)에서는 전도성을 가지는 물질과 접착성을 가지는 물질이 혼합될 수 있다. 또한 전도성 접착층(130)은 연성을 가지며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 플렉서블 기능을 가능하게 한다.
이러한 예로서, 전도성 접착층(130)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 상기 전도성 접착층(130)은 두께를 관통하는 Z 방향으로는 전기적 상호 연결을 허용하나, 수평적인 X-Y 방향으로는 전기절연성을 가지는 레이어로서 구성될 수 있다. 따라서 상기 전도성 접착층(130)은 Z축 전도층으로 명명될 수 있다(다만, 이하 '전도성 접착층'이라 한다).
상기 이방성 전도성 필름은 이방성 전도매질(anisotropic conductive medium)이 절연성 베이스부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정 부분만 이방성 전도매질에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이하, 상기 이방성 전도성 필름에는 열 및 압력이 가해지는 것으로 설명하나, 상기 이방성 전도성 필름이 부분적으로 전도성을 가지기 위하여 다른 방법도 가능하다. 이러한 방법은, 예를 들어 상기 열 및 압력 중 어느 하나만이 가해지거나 UV 경화 등이 될 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도매질은 예를 들어, 도전볼이나 전도성 입자가 될 수 있다. 도시에 의하면, 본 예시에서 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정부분만 도전볼에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이방성 전도성 필름은 전도성 물질의 코어가 폴리머 재질의 절연막에 의하여 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있으며, 이 경우에 열 및 압력이 가해진 부분이 절연막이 파괴되면서 코어에 의하여 도전성을 가지게 된다. 이때, 코어의 형태는 변형되어 필름의 두께방향으로 서로 접촉하는 층을 이룰 수 있다. 보다 구체적인 예로서, 열 및 압력은 이방성 전도성 필름에 전체적으로 가해지며, 이방성 전도성 필름에 의하여 접착되는 상대물의 높이차에 의하여 Z축 방향의 전기적 연결이 부분적으로 형성된다.
다른 예로서, 이방성 전도성 필름은 절연 코어에 전도성 물질이 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있다. 이 경우에는 열 및 압력이 가해진 부분이 전도성 물질이 변형되어(눌러 붙어서) 필름의 두께방향으로 전도성을 가지게 된다. 또 다른 예로서, 전도성 물질이 Z축 방향으로 절연성 베이스 부재를 관통하여 필름의 두께방향으로 전도성을 가지는 형태도 가능하다. 이 경우에, 전도성 물질은 뽀족한 단부를 가질 수 있다.
도시에 의하면, 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재의 일면에 삽입된 형태로 구성되는 고정배열 이방성 전도성 필름(fixed array ACF)이 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연성 베이스부재는 접착성을 가지는 물질로 형성되며, 도전볼은 상기 절연성 베이스부재의 바닥부분에 집중적으로 배치되며, 상기 베이스부재에서 열 및 압력이 가해지면 상기 도전볼과 함께 변형됨에 따라 수직방향으로 전도성을 가지게 된다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 이방성 전도성 필름은 절연성 베이스부재에 도전볼이 랜덤하게 혼입된 형태나, 복수의 층으로 구성되며 어느 한 층에 도전볼이 배치되는 형태(double-ACF) 등이 모두 가능하다.
이방성 전도 페이스트는 페이스트와 도전볼의 결합형태로서, 절연성 및 접착성의 베이스 물질에 도전볼이 혼합된 페이스트가 될 수 있다. 또한, 전도성 입자를 함유한 솔루션은 전도성 particle 혹은 nano 입자를 함유한 형태의 솔루션이 될 수 있다.
다시 도면을 참조하면, 제2전극(140)은 보조전극(170)과 이격하여 절연층(160)에 위치한다. 즉, 상기 전도성 접착층(130)은 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치하는 절연층(160) 상에 배치된다.
절연층(160)에 보조전극(170)과 제2전극(140)이 위치된 상태에서 전도성 접착층(130)을 형성한 후에, 반도체 발광 소자(150)를 열 및 압력을 가하여 플립 칩 형태로 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(150)는 제1전극(120) 및 제2전극(140)과 전기적으로 연결된다.
도 4를 참조하면, 상기 반도체 발광 소자는 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 될 수 있다.
예를 들어, 상기 반도체 발광 소자는 p형 전극(156), p형 전극(156)이 형성되는 p형 반도체층(155), p형 반도체층(155) 상에 형성된 활성층(154), 활성층(154) 상에 형성된 n형 반도체층(153) 및 n형 반도체층(153) 상에서 p형 전극(156)과 수평방향으로 이격 배치되는 n형 전극(152)을 포함한다. 이 경우, p형 전극(156)은 보조전극(170)과 전도성 접착층(130)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, n형 전극(152)은 제2전극(140)과 전기적으로 연결될 수 있다.
다시 도 2, 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 보조전극(170)은 일방향으로 길게 형성되어, 하나의 보조전극이 복수의 반도체 발광 소자(150)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 보조전극을 중심으로 좌우의 반도체 발광 소자들의 p형 전극들이 하나의 보조전극에 전기적으로 연결될 수 있다.
보다 구체적으로, 열 및 압력에 의하여 전도성 접착층(130)의 내부로 반도체 발광 소자(150)가 압입되며, 이를 통하여 반도체 발광 소자(150)의 p형 전극(156)과 보조전극(170) 사이의 부분과, 반도체 발광 소자(150)의 n형 전극(152)과 제2전극(140) 사이의 부분에서만 전도성을 가지게 되고, 나머지 부분에서는 반도체 발광 소자의 압입이 없어 전도성을 가지지 않게 된다. 이와 같이, 전도성 접착층(130)은 반도체 발광 소자(150)와 보조전극(170) 사이 및 반도체 발광 소자(150)와 제2전극(140) 사이를 상호 결합시켜줄 뿐만 아니라 전기적 연결까지 형성시킨다.
또한, 복수의 반도체 발광 소자(150)는 발광 소자 어레이(array)를 구성하며, 발광 소자 어레이에는 형광체층(180)이 형성된다.
발광 소자 어레이는 자체 휘도값이 상이한 복수의 반도체 발광 소자들을 포함할 수 있다. 각각의 반도체 발광 소자(150)는 단위 화소를 구성하며, 제1전극(120)에 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 제1전극(120)은 복수 개일 수 있고, 반도체 발광 소자들은 예컨대 수 열로 배치되며, 각 열의 반도체 발광 소자들은 상기 복수 개의 제1전극 중 어느 하나에 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 반도체 발광 소자들이 플립 칩 형태로 접속되므로, 투명 유전체 기판에 성장시킨 반도체 발광 소자들을 이용할 수 있다. 또한, 상기 반도체 발광 소자들은 예컨대 질화물 반도체 발광 소자일 수 있다. 반도체 발광 소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다.
도시에 의하면, 반도체 발광 소자(150)의 사이에 격벽(190)이 형성될 수 있다. 이 경우, 격벽(190)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 전도성 접착층(130)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광 소자(150)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(190)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.
다른 예로서, 상기 격벽(190)으로 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 이 경우에, 상기 격벽(190)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다. 화이트 절연체의 격벽을 이용할 경우 반사성을 높이는 효과가 있을 수 있고, 블랙 절연체의 격벽을 이용할 경우, 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)를 증가시킬 수 있다.
형광체층(180)은 반도체 발광 소자(150)의 외면에 위치할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자고, 형광체층(180)은 상기 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행한다. 상기 형광체층(180)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(181) 또는 녹색 형광체(182)가 될 수 있다.
즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(181)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(182)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G), 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다. 보다 구체적으로, 제1전극(120)의 각 라인을 따라 하나의 색상의 형광체가 적층될 수 있다. 따라서, 제1전극(120)에서 하나의 라인은 하나의 색상을 제어하는 전극이 될 수 있다. 즉, 제2전극(140)을 따라서, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)이 차례로 배치될 수 있으며, 이를 통하여 단위 화소가 구현될 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 형광체 대신에 반도체 발광 소자(150)와 퀀텀닷(QD)이 조합되어 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들을 구현할 수 있다.
또한, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체층들의 사이에는 블랙 매트릭스(191)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(191)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다.
도 5a를 참조하면, 각각의 반도체 발광 소자(150)는 질화 갈륨(GaN)을 주로 하여, 인듐(In) 및/또는 알루미늄(Al)이 함께 첨가되어 청색을 비롯한 다양한 빛을 발광하는 고출력의 발광 소자로 구현될 수 있다.
이 경우, 반도체 발광 소자(150)는 각각 단위 화소(sub-pixel)를 이루기 위하여 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자일 수 있다. 예컨대, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자(R, G, B)가 교대로 배치되고, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자에 의하여 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue)의 단위 화소들이 하나의 화소(pixel)를 이루며, 이를 통하여 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.
도 5b를 참조하면, 반도체 발광 소자는 황색 형광체층이 개별 소자마다 구비된 백색 발광 소자(W)를 구비할 수 있다. 이 경우에는, 단위 화소를 이루기 위하여, 백색 발광 소자(W) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비될 수 있다. 또한, 이러한 백색 발광 소자(W) 상에 적색, 녹색, 및 청색이 반복되는 컬러 필터를 이용하여 단위 화소를 이룰 수 있다.
도 5c를 참조하면, 자외선 발광 소자(UV) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비되는 구조도 가능하다. 이와 같이, 반도체 발광 소자는 가시광선뿐만 아니라 자외선(UV)까지 전영역에 사용가능하며, 자외선(UV)이 상부 형광체의 여기원(excitation source)으로 사용가능한 반도체 발광 소자의 형태로 확장될 수 있다.
본 예시를 다시 살펴보면, 반도체 발광 소자(150)는 전도성 접착층(130) 상에 위치되어, 디스플레이 장치에서 단위 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 화소를 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광 소자(150)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.
또한, 한 변의 길이가 10㎛인 정사각형의 반도체 발광 소자(150)를 단위 화소로 이용하여도 디스플레이 장치를 이루기 위한 충분한 밝기가 나타난다. 따라서, 단위 화소의 크기가 한 변이 600㎛, 나머지 한변이 300㎛인 직사각형 화소인 경우를 예로 들면, 반도체 발광 소자의 거리가 상대적으로 충분히 크게 된다. 따라서, 이러한 경우, HD화질 이상의 고화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있게 된다.
상기에서 설명된 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치는 새로운 형태의 제조방법에 의하여 제조될 수 있다. 이하, 도 6을 참조하여 상기 제조방법에 대하여 설명한다.
도 6은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
본 도면을 참조하면, 먼저, 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치된 절연층(160) 상에 전도성 접착층(130)을 형성한다. 제1기판(110)에 절연층(160)이 적층되어 하나의 기판(또는 배선기판)을 형성하며, 상기 배선기판에는 제1전극(120), 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 배치된다. 이 경우에, 제1전극(120)과 제2전극(140)은 상호 직교 방향으로 배치될 수 있다. 또한, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 제1기판(110) 및 절연층(160)은 각각 유리 또는 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다.
상기 전도성 접착층(130)은 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 의하여 구현될 수 있으며, 이를 위하여 절연층(160)이 위치된 기판에 이방성 전도성 필름이 도포될 수 있다.
다음에, 보조전극(170) 및 제2전극(140)들의 위치에 대응하고, 개별 화소를 구성하는 복수의 반도체 발광 소자(150)가 위치된 제2기판(112)을 상기 반도체 발광 소자(150)가 보조전극(170) 및 제2전극(140)와 대향하도록 배치한다.
이 경우에, 제2기판(112)은 반도체 발광 소자(150)를 성장시키는 성장 기판으로서, 사파이어(spire) 기판 또는 실리콘(silicon) 기판이 될 수 있다.
상기 반도체 발광 소자는 웨이퍼(wafer) 단위로 형성될 때, 디스플레이 장치를 이룰 수 있는 간격 및 크기를 가지도록 함으로써, 디스플레이 장치에 효과적으로 이용될 수 있다.
그 다음에, 배선기판과 제2기판(112)을 열압착한다. 예를 들어, 배선기판과 제2기판(112)은 ACF press head 를 적용하여 열압착될 수 있다. 상기 열압착에 의하여 배선기판과 제2기판(112)은 본딩(bonding)된다. 열압착에 의하여 전도성을 갖는 이방성 전도성 필름의 특성에 의해 반도체 발광 소자(150)와 보조전극(170) 및 제2전극(140)의 사이의 부분만 전도성을 가지게 되며, 이를 통하여 전극들과 반도체 발광 소자(150)는 전기적으로 연결될 수 있다. 이 때에, 반도체 발광 소자(150)가 상기 이방성 전도성 필름의 내부로 삽입되며, 이를 통하여 반도체 발광 소자(150) 사이에 격벽이 형성될 수 있다.
그 다음에, 상기 제2기판(112)을 제거한다. 예를 들어, 제2기판(112)은 레이저 리프트 오프법(Laser Lift-off, LLO) 또는 화학적 리프트 오프법(Chemical Lift-off, CLO)을 이용하여 제거할 수 있다.
마지막으로, 상기 제2기판(112)을 제거하여 반도체 발광 소자들(150)을 외부로 노출시킨다. 필요에 따라, 반도체 발광 소자(150)가 결합된 배선기판 상을 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 코팅하여 투명 절연층(미도시)을 형성할 수 있다.
또한, 상기 반도체 발광 소자(150)의 일면에 형광체층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 적색 형광체 또는 녹색 형광체가 상기 청색 반도체 발광 소자의 일면에 레이어를 형성할 수 있다.
이상에서 설명된 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법이나 구조는 여러가지 형태로 변형될 수 있다. 그 예로서, 상기에서 설명된 디스플레이 장치에는 수직형 반도체 발광 소자도 적용될 수 있다. 이하, 도 5 및 도 6을 참조하여 수직형 구조에 대하여 설명한다.
또한, 이하 설명되는 변형예 또는 실시예에서는 앞선 예와 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일, 유사한 참조번호가 부여되고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음된다.
도 7은 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이고, 도 8은 도 7의 라인 D-D를 따라 취한 단면도이며, 도 9은 도 8의 수직형 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
본 도면들을 참조하면, 디스플레이 장치는 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 수직형 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치가 될 수 있다.
상기 디스플레이 장치는 기판(210), 제1전극(220), 전도성 접착층(230), 제2전극(240) 및 복수의 반도체 발광 소자(250)를 포함한다.
기판(210)은 제1전극(220)이 배치되는 배선기판으로서, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면 어느 것이라도 사용 가능할 것이다.
제1전극(220)은 기판(210) 상에 위치하며, 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(220)은 데이터 전극의 역할을 하도록 이루어질 수 있다.
전도성 접착층(230)은 제1전극(220)이 위치하는 기판(210)상에 형성된다. 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치와 같이, 전도성 접착층(230)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 다만, 본 실시 예에서도 이방성 전도성 필름에 의하여 전도성 접착층(230)이 구현되는 경우를 예시한다.
기판(210) 상에 제1전극(220)이 위치하는 상태에서 이방성 전도성 필름을 위치시킨 후에, 반도체 발광 소자(250)를 열 및 압력을 가하여 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(250)가 제1전극(220)과 전기적으로 연결된다. 이 때, 상기 반도체 발광 소자(250)는 제1전극(220) 상에 위치되도록 배치되는 것이 바람직하다.
상기 전기적 연결은 전술한 바와 같이, 이방성 전도성 필름에서 열 및 압력이 가해지면 부분적으로 두께방향으로 전도성을 가지기 때문에 생성된다. 따라서, 이방성 전도성 필름에서는 두께방향으로 전도성을 가지는 부분과 전도성을 가지지 않는 부분으로 구획된다.
또한, 이방성 전도성 필름은 접착 성분을 함유하기 때문에, 전도성 접착층(230)은 반도체 발광 소자(250)와 제1전극(220) 사이에서 전기적 연결뿐만 아니라 기계적 결합까지 구현한다.
이와 같이, 반도체 발광 소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광 소자(250)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.
상기 반도체 발광 소자(250)는 수직형 구조가 될 수 있다.
수직형 반도체 발광 소자들의 사이에는, 제1전극(220)의 길이 방향과 교차하는 방향으로 배치되고, 수직형 반도체 발광 소자(250)와 전기적으로 연결된 복수의 제2전극(240)이 위치한다.
도 9를 참조하면, 이러한 수직형 반도체 발광 소자는 p형 전극(256), p형 전극(256) 상에 형성된 p형 반도체층(255), p형 반도체층(255) 상에 형성된 활성층(254), 활성층(254)상에 형성된 n형 반도체층(253) 및 n형 반도체층(253) 상에 형성된 n형 전극(252)을 포함한다. 이 경우, 하부에 위치한 p형 전극(256)은 제1전극(220)과 전도성 접착층(230)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, 상부에 위치한 n형 전극(252)은 후술하는 제2전극(240)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 수직형 반도체 발광 소자(250)는 전극을 상/하로 배치할 수 있으므로, 칩 사이즈를 줄일 수 있다는 큰 강점을 가지고 있다.
다시 도 8을 참조하면, 상기 반도체 발광 소자(250)의 일면에는 형광체층(280)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(250)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자(251)이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 형광체층(280)이 구비될 수 있다. 이 경우에, 형광체층(280)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(281) 및 녹색 형광체(282) 일 수 있다.
즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(281)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(282)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G), 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치에서 전술한 바와 같이, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다.
다시 본 실시예를 살펴보면, 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250) 사이에 위치하고, 반도체 발광 소자들(250)과 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 반도체 발광 소자들(250)은 복수의 열로 배치되고, 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250)의 열들 사이에 위치할 수 있다.
개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(250) 사이의 거리가 충분히 크기 때문에 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250) 사이에 위치될 수 있다.
제2전극(240)은 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있으며, 제1전극과 상호 수직한 방향으로 배치될 수 있다.
또한, 제2전극(240)과 반도체 발광 소자(250)는 제2전극(240)에서 돌출된 연결 전극에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 연결 전극이 반도체 발광 소자(250)의 n형 전극이 될 수 있다. 예를 들어, n형 전극은 오믹(ohmic) 접촉을 위한 오믹 전극으로 형성되며, 상기 제2전극은 인쇄 또는 증착에 의하여 오믹 전극의 적어도 일부를 덮게 된다. 이를 통하여 제2전극(240)과 반도체 발광 소자(250)의 n형 전극이 전기적으로 연결될 수 있다.
도시에 의하면, 상기 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 상에 위치될 수 있다. 경우에 따라, 반도체 발광 소자(250)가 형성된 기판(210) 상에 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 포함하는 투명 절연층(미도시)이 형성될 수 있다. 투명 절연층이 형성된 후에 제2전극(240)을 위치시킬 경우, 상기 제2전극(240)은 투명 절연층 상에 위치하게 된다. 또한, 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 또는 투명 절연층에 이격되어 형성될 수도 있다.
만약 반도체 발광 소자(250) 상에 제2전극(240)을 위치시키기 위하여는 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 전극을 사용한다면, ITO 물질은 n형 반도체층과는 접착성이 좋지 않은 문제가 있다. 따라서, 본 발명은 반도체 발광 소자(250) 사이에 제2전극(240)을 위치시킴으로써, ITO와 같은 투명 전극을 사용하지 않아도 되는 이점이 있다. 따라서, 투명한 재료 선택에 구속되지 않고, n형 반도체층과 접착성이 좋은 전도성 물질을 수평 전극으로 사용하여 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도시에 의하면, 반도체 발광 소자(250) 사이에는 격벽(290)이 위치할 수 있다. 즉, 개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(250)를 격리시키기 위하여 수직형 반도체 발광 소자(250) 사이에는 격벽(290)이 배치될 수 있다. 이 경우, 격벽(290)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 상기 전도성 접착층(230)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광 소자(250)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스 부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(290)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.
다른 예로서, 상기 격벽(190)으로서, 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 격벽(290)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다.
만일 제2전극(240)이 반도체 발광 소자(250) 사이의 전도성 접착층(230) 상에 바로 위치된 경우, 격벽(290)은 수직형 반도체 발광 소자(250) 및 제2전극(240)의 사이사이에 위치될 수 있다. 따라서, 반도체 발광 소자(250)를 이용하여 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있고, 반도체 발광 소자(250)의 거리가 상대적으로 충분히 크게 되어 제2전극(240)을 반도체 발광 소자(250) 사이에 위치시킬 수 있고, HD 화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있는 효과가 있게 된다.
또한, 도시에 의하면, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체 사이에는 블랙 매트릭스(291)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(291)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다.
상기 설명과 같이, 반도체 발광 소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 따라서, 반도체 발광 소자에 의하여 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이루는 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.
도 10은 본 실시 예에 따른 디스플레이 장치가 도시된 도이고, 도 11은 도 10의 A부 확대도이고, 도 12는 본 실시 예와 비교 되는 제1비교예가 도시된 확대도이다. 도 13는 본 실시 예와 비교 되는 제2비교예가 도시된 확대도이다.
디스플레이 장치는 기판(310)과, 디스플레이 패널(D), 지지층(400)을 포함할 수 있다.
기판(310)과, 디스플레이 패널(D) 및 지지층(400)는 디스플레이 모듈(300)을 구성할 수 있다.
디스플레이 모듈(300)는 복수개 부재의 결합체일 수 있고, 디스플레이 모듈(300)은 예는 마이크로 엘이디 디스플레이(Micro LED Display: LDM)나 패시브 매트릭스 유기발광 다이오드(Passive-matrix OLED; PMOLED)나 액티브 매트릭스 유기발광 다이오드(Active-matrix OLED; AMOLED)나 퀀텀 닷 반도제 발광소자(quantum　dot LED; QLED)등일 수 있다.
디스플레이 장치는 복수개의 디스플레이 모듈(300)을 포함할 수 있다. 디스플레이 장치는 4개, 9개, 16개 디스플레이 모듈(300)이 조립될 수 있다.
복수개 디스플레이 모듈(300)는 서로 근접하게 어레이 배열될 수 있다. 복수개의 디스플레이 모듈(300)는 상하 방향으로 복수 행 배치될 수 있고, 좌우 방향으로 복수 열 배치될 수 있다.
복수개 디스플레이 모듈(300)은 단위 디스플레이(300a)(300b)일 수 있다. 복수개 디스플레이 모듈(300)은 근접하게 배치된 제1단위 디스플레이(300a)와 제2단위 디스플레이(300b)를 포함하여 설명한다. 이하, 제1단위 디스플레이(300a)와 제2단위 디스플레이(300b)의 공통된 구성에 대해서는 디스플레이 모듈(300)로 칭하여 설명한다.
복수개의 디스플레이 모듈(300) 각각은 기판(310)과, 디스플레이 패널(D), 지지층(400)을 포함할 수 있다.
기판(310)은 디스플레이 패널(D)가 형성되는 베이스 기판일 수 있다. 기판(310)은 디스플레이 패널(D)을 지지하는 지지 기판일 수 있다.
기판(310)는 플렉서블한 소재나 경성의 소재로 이루어질 수 있다. 기판(310)의 일 예는 유리 기판을 포함할 수 있다. 기판(310)은 유리 기판에 한정되지 않고 플라스틱 등으로 이루어질 수 있다.
기판(310)은 직육면체일 수 있고, 기판(310)의 전면(311)는 전방을 향할 수 있고, 기판(310)의 후면(312)은 후방을 향할 수 있다.
기판(310)은 소장 두께를 갖는 판체 형상일 수 있고, 전면(311)과 배면(312)은 둘레면(313)으로 연결될 수 있다.
기판(310)의 둘레면(313)은 기판(310)의 테두리(circuit edge)로서, 기판(310)의 둘러면(313)는 기판(310) 중 전면(311)과 배면(312)을 제외한 면으로 정의될 수 있다.
이하, 기판(310)의 둘레면(313)을 기판(310)의 측면(313)으로 칭하여 설명하고, 기판(310)의 둘레면과 기판(310)의 측면에 대해서는 동일부호를 사용하여 설명한다.
기판(310)의 측면(313)는 곡형 형상이 아니고 평면 형상일 수 있다. 기판(310)의 측면(313)는 기판(310)의 전면(311) 및 기판(310)의 배면(312)와 직교할 수 있다.
디스플레이 패널(D)는 복수개 부재의 결합체로 구성될 수 있다. 디스플레이 패널(D)는 복수개 화소(350)을 포함할 수 있다. 복수개 화소(350)의 각각는 적색(R), 녹색(G), 및 청색(B)의 단위 화소들의 조합일 수 있다. 화소(350)은 소정 피치로 배치될 수 있다.
디스플레이 패널(D)는 복수개 화소(350)이 형성되고 휘거나 구부려질 수 있는 플렉서블 디스플레이일 수 있다.
디스플레이 패널(D)는 유연 기판(318)과, 배선 전극(320)와, 복수개 화소(350) 및 보호층(390)을 포함할 수 있다.
유연 기판(318)은 기판(310)에 접할 수 있다.
배선 전극(320)은 유연 기판(318)에 형성될 수 있다.
화소(350)의 일 예는 반도체 발광 소자(350)일 수 있고, 이하 화소(350)과 반도체 발광 소자(350)에 대해서는 동일부호를 사용하여 설명한다.
복수개 반도체 발광 소자(350)는 배선 전극(320)에 형성될 수 있다.
보호층(390)은 배선 전극(320) 및 복수개 반도체 발광소자(350)을 덮일 수 있다.
디스플레이 패널(D)는 디스플레이부(E)와, 유연 기재부(F)를 포함할 수 있다.
디스플레이부(E)는 디스플레이 패널(D) 중 기판(310)의 전면(311)에 형성된 부분으로 정의될 수 있다.
디스플레이부(E)는 화소영역 또는 표시영역으로 정의될 수 있다.
디스플레이부(E)는 반도체 발광 소자(350)가 형성되는 영역으로, 유연 기판(318)과, 배선 전극(320)과, 복수개 반도체 발광소자(350)와, 보호층(390)을 모두 포함할 수 있다.
유연 기재부(F)는 기판(310)의 측면(313) 및 기판(310)의 후면(312) 일부를 감싸는 부분으로 정의될 수 있다. 유연 기재부(F)는 디스플레이부(E)에서 연장되어 형성될 수 있다.
유연 기재부(F)는 베젤 영역 또는 비표시영역으로 정의될 수 있다.
유연 기재부(F)는 반도체 발광소자(350)가 형성되지 않은 영역으로, 유연 기판(318)과, 배선 전극(320)과, 보호층(390)을 모두 포함할 수 있다.
유연 기재부(F)는 한 쌍의 곡면부(410)(420)와, 한 쌍의 곡면부(410)(420)를 잇고 지지층(350)에 접촉되는 사이드 커버부(430)를 포함할 수 있다.
한 쌍의 곡면부(410)(420)는 전후 방향으로 이격될 수 있다. 한 쌍의 곡면부(410)(420)는 프론트 곡면부(410)와, 프론트 곡면부(410)와 전후 방향으로 이격되는 리어 곡면부(420)를 포함할 수 있다.
한 쌍의 곡면부(410)(420) 각각은 단면 형상이 호 형상일 수 있고, 특히 열호 형상일 수 있다. 한 쌍의 곡면부(410)(420) 각각의 중심각은 80°내지 100°일 수 있다.
한 쌍의 곡면부(410)(420)는 각각은 곡률반경(r) 갖는데, 곡면부(410)(420)은 급격하게 꺾이지 않게 형성되는 것을 바람직하고, 곡률반경(r)이 너무 크지 않게 형성되는 것으로 바람직하다.
사이드 커버부(430)는 기판(310)의 측면(313 )과 이격되고, 기판(310)의 측면(313)과 평행할 수 있다. 사이드 커버부(430)는 한 쌍의 곡면부(410)(420) 사이에 형성된 평평한 부분으로 정의될 수 있다.
사이드 커버부(430)는 유연 기재부(F) 중 기판(310)의 측면(313)과 평행한 부분으로 정의 될 수 있다. 사이드 커버부(4300)의 위치에 따라 곡면부(410)(420)의 크기와 형상이 결정될 수 있고, 곡면부(410)(420)의 곡률반경(r)를 결정될 수 있다.
사이드 커버부(430)의 위치는 지지층(400)에 의해 결정될 수 있고, 곡면부(410)(420)는 지지층(400)에 의해 적정 범위의 곡률반경(r)을 갖을 수 있다.
지지층(400)은 기판(310)의 측면(313)과 유연 기재부(F) 사이에 배치될 수 있다. 지지층(400)은 유연 기재부(F)를 지지할 수 있다. 지지층(400)은 기판(310)의 측면(313)과 사이드 커버부(430)의 사이에 위치될 수 있고, 사이드 커버부(430)를 지지할 수 있다.
지지층(400)은 기판(310)의 측면(313)과 유연 기재부(F) 중 어느 하나에 고정되고, 다른 하나에 부착될 수 있다.
지지층(400)의 일 예는 유연 기재부(F)의 후면에 형성된 후 기판(310)의 측면(313)에 부착되는 것이 가능하다. 지지층(400)의 다른 예는 기판(310)의 측면(303)에 형성된 후 유연 기재부(F)에 부착되는 것이 가능하다.
지지층(400)의 일 예는 유연 기재부(F)에 코팅될 수 있다. 지지층(400)은 사이드 커버부(430)이 기판(310)의 측면(313)과 이격되도록 사이드 커버부(430)를 유지시킬 수 있다.
지지층(400)은 사이드 커버부(430)가 기판(310)의 측면(313)을 향해 가까워지지 않도록 사이드 커버부(430)를 지탱할 수 있다.
한 쌍의 곡면부(410)(420)는 지지층(400)를 직접 지지하지 않을 수 있고, 지지층(400)과 이격될 수 있다. 한 쌍의 곡면부(410)(420)은 지지층(400)과 접촉되지 않을 수 있다.
한 쌍의 곡면부(410)(420)은 지지층(400)과 이격되고 곡면 형상으로 굽은 부분으로 정의될 수 있다.
지지층(400)은 사이드 커버부(430)가 기판(310)의 측면(313)과 멀어지는 방향으로 이동되지 않도록 사이드 커버부(430)를 홀딩할 수 있다.
지지층(400)는 유연 기재부(F)에 고정된 후, 기판(310)의 측면(313)에 고정될 수 있다.
디스플레이 장치는 접착제(440)를 더 포함할 수 있다. 접착제(440)는 지지층(400) 및 유연 기재부(F)에 코팅될 수 있다. 접착제(440)는 지지층(400)을 덮도록 배치될 수 있다. 접착제(440)는 기판(310)의 측면(313)에 부착될 수 있다.
접착제(440)는 지지층(400)을 기판(310)의 측면(313)에 고정시킬 수 있다.
지지층(400)은 기판(310)의 측면(313)을 향하는 제1면(401)과, 유연 기재부(F)를 향하는 제2면(402)을 포함할 수 있다. 지지층(400)는 단면 형상이 사다리꼴 형성일 수 있다.
제1면(401)과 제2면(402) 각각은 곡면이 아닌 평면일 수 있다.
접착제(440)는 제 1 면(401) 및 유연 기재부(F)에 부착될 수 있고, 기판(310)의 측면에 부착될 수 있다.
제2면(402)의 면적은 제1면(401)의 면적 보다 클 수 있다.
지지층(400)과 접착제(440)는 기판(310)의 측면(313)과 유연 기재부(F)에 의해 둘러싸일 수 있고, 보호될 수 있다.
한편, 본 실시예의 디스플레이 모듈(300)은 별도의 접착제(440)는 포함하지 않고, 지지층(400) 자체가 접착력을 갖는 것도 가능하다.
유연 기재부(F)의 일부는 기판(310)의 배면(313)에 배치될 수 있다. 유연 기재부(F) 중 기판(310)의 배면에 위치되는 부분은 접속부(450)로 정의될 수 있다.
접속부(450)는 유연 기판(318)과, 배선 전극(320) 및 보호층(390)을 포함할 수 있다.
기판(310)의 후방에는 화소(350)의 구동을 제어하는 구동부(460, 도 10)가 배치될 수 있다. 구동부(460)는 유연 기재부(F)에 연결될 수 있고, 유연 기재부(F) 중 접속부(450)에 연결될 수 있다.
구동부(460)는 접속부(450) 중 배선 전극(320)에 연결될 수 있고, 배선 전극(320) 중 기판(310)의 후방에 위치되는 부분에 연결될 수 있다.
디스플레이 모듈(300) 각각의 유연 기재부(F)는 인접한 타 디스플레이 모듈이 유연 기재부(F)과 접할 수 있다.
제1단위 디스플레이(300a)의 유연 기재부(F) 외면은 제2단위 디스플레이(300b)의 유연 기재부(F)의 외면을 마주볼 수 있다.
제1단위 디스플레이(300a)의 기판(310)과, 제2단위 디스플레이(300b)의 기판(310)의 사이에는 접착제(440)와, 지지층(400)과, 제1단위 디스플레이(300a) 유연 기재부(F)와, 제2단위 디스플레이(300b)의 유연 기재부(F)와, 지지층(400) 및 접착제(440)가 배치될 수 있다.
제1단위 디스플레이(300a)의 기판(310)과 제2단위 디스플레이(300b)는 기판(310) 사이는 실제로 화면을 표시하지 않는 베젤 영역(L)일 수 있다.
복수개 디스플레이 모듈(300)은 베젤 영역(L)을 최소화할 수 있고 디스플레이 패널(D)의 신뢰성이 높은 것이 바람직하다.
도 12에 도시된 제1비교예는 본 실시예의 지지층(400)이 제공되지 않고 베젤 영역(L')이 본 실시예 보다 작을 경우이다.
도 13에 도시된 제2비교예는 본 실시예의 지지층(400)이 제공되지 않고 베젤 영역(L")이 본 실시예 보다 작을 경우이다.
도 12에 도시된 제1비교예는 디스플레이 패널(D)이 급격하게 구부려져서 베젤 영역(L')의 크기가 작은 반면에, 배선 전극(320) 중 급격하게 꺽인 부분(C)의 배선 저항에 증가할 수 있고, 배선 전극(320)의 단선 불량이 발생될 수 있다. 즉, 배선 전극(320)을 구부릴 때, 유연 기판(318), 배선 전극(320) 및 보호층(390) 각각의 두께로 인해, 곡면부(410)(420)는 한계 곡률 반경을 갖고, 한계 곡률 반경 이하로 구부리면, 배선 전극(320)이 손상되고 저항이 증가되며 단선 불랑이 발생된다.
한편, 도 13에 도시된 제2비교예는 배선 전극(320)을 보호하도록 디스플레이 패널(D)을 완만하게 구부릴 수 있는 반면에, 베젤 영역(L)의 크기가 증대될 수 있다.
도 14은 본 실시 예의 디스플레이 패널을 비교예와 비교한 도이다.
곡면부(410)(420)의 곡률반경(r)은 기판(310) 두께(h)의 절반 보다 작을 수 있다.
도 14의 (a)와 도 14의 (b)는 기판(310)의 두께(h)가 곡면부(410)(420)의 곡률반경(r)의 2배보다 큰 경우이다.(즉, 2r<h) 그리고, 지지층(400)의 길이(M)는 기판(310)의 두께(h)에서 곡면부(410)420)의 곡률반경(r)이 2배를 제한 길이 보다 짧게 형성될 수 있다.(즉, M<h-2r)
도 14의 (c)는 기판(310)의 두께(h)가 곡면부(410)(420)의 2배와 같고, 지지층(400)이 제공되지 않은 경우이다.(2r=h)
도 14의 (a) 및 도 14의 (b)와 같이, 기판(310)의 두께(h)가 유연 기판(318)의 한계 곡률 반경(r, 구부림 한계)의 2배 보다 큰 경우, 지지층(400)이 형성될 수 있다.
도 15 내지 도 19는 디스플레이 장치의 제조과정이 도시된 도이다.
도 15는 본 실시 예에 따른 기판의 전면에 디스플레이 패널을 형성한 도이다.
본 실시예의 디스플레이 제조방법은 도 15에 도시된 바와 같이, 기판(310')의 전면(311)에 디스플레이 패널(D)을 형성하는 단계(즉, 디스플레이 패널 형성단계)를 포함할 수 있다.
디스플레이 패널 형성 단계는 기판(310')의 전면(311)에 유연 기판(318)이 형성되고, 유연 기판(318)에 배선 전극(320)이 형성될 수 있고, 배선 전극(320)에 복수개 화소(350)가 형성될 수 있으며, 보호층(390)이 복수개 화소(350) 및 배선 전극(320)의 일부를 덮게 형성될 수 있다.
도 16은 도 15에 도시된 기판의 일부를 제거하는 공정이 도시된 도이다.
본 실시예의 디스플레이 제조방법은 디스플레이 패널 형성단계 후, 도 16에 도시된 바와 같이, 기판(310')의 일부(310")를 제거하는 단계(즉, 제거 단계)를 더 포함할 수 있다.
제거 단계는 기판(310')의 일부(310")를 제거하여 디스플레이 패널(D)의 배면 일부를 노출시키는 단계일 수 있다. 제거 단계는 유연 기판(318) 중 기판(310)의 테두리과 근접한 부분을 노줄시키는 단계일 수 있다.
제거 단계는 기판(310') 중 제거될 부분(310")에 스크라이빙(scribing) 공정을 실시하고, 이후 레이져 기구(미도시) 등을 이용하여 기판(310')을 절단하는 절단 공정을 실시할 수 있고, 기판(310') 중 절단된 부분(310")을 디스플레이 패널(D)과 분리하는 분리 공정을 실시할 수 있다.
도 17은 도 16의 디스플레이 패널에 지지층을 코팅하는 공정이 도시된 도이다.
본 실시예의 디스플레이 제조방법은 제거 단계 후, 도 17에 도시된 바와 같이, 지지층(400)을 형성하는 단계(즉, 지지층 형성 단계)를 포함할 수 있다.
지지층 형성 단계는 디스플레이 패널(D)의 노출된 배면에 지지층(400)을 코팅하는 단계일 수 있다.
지지층 형성 단계는 유연 기판(318) 중 기판(310)의 측면(313)과 근접한 부분에 고분자 수지를 코팅하여 경화할 수 있다.
지지층(400)은 기판(310)의 측면(313) 옆에 기판(310)의 측면(313)과 이격되게 배치될 수 있고, 유연 기판(318) 중 기판(310)의 전면(311)을 덮지 않는 부분과 함께 노출될 수 있다.
도 18은 도 17의 지지층에 접착제를 코팅하는 공정이 도시된 도이다.
본 실시예의 디스플레이 제조방법은 지지층 형성 단계 후, 도 18에 도시된 바와 같이, 지지층(400)과 디스플레이 패널(D)에 접착재(440)를 코팅하는 단계(즉, 지지층 코팅 단계)를 포함할 수 있다.
지지층 코팅 단계는 접착제(440)가 지지층(400)과, 디스플레이 패널(D) 중 지지층(400)의 주변을 덮도록 접착제(440)를 코팅할 수 있다. 접착제(440)는 유연 기판(318)의 배면에 코팅될 수 있다.
도 19는 도 18에 도시된 디스플레이 패널을 구부리는 공정이 도시된 도이다.
본 실시예의 디스플레이 제조방법은 지지층 코팅 단계 후, 디스플레이 패널(D)을 구부려 기판(310)의 측면(313)과 기판(310)의 배면(312) 일부에 고정시키는 단계(즉, 유연 기판 고정 단계)를 포함할 수 있다.
도 18에 도시된 디스플레이 패널(D)은 기판(310)의 전방에 위치하는 디스플레이부(E)와, 기판(310)의 전방에 위치하지 않은 유연 기재부(F)로 구분될 수 있다.
유연 기판 고정단계는 유연 기재부(F)가 기판(310)의 측면(313)과 기판(310)의 배면(312) 일부를 감싸도록 유연 기재부(F)를 구부리는 단계(즉, 구부림 단계)일 수 있다.
디스플레이 패널(D)에 코팅된 접착제(440)은 지지층(400) 및 유연 기재부(F)에 코팅된 상태에서, 기판(310)의 측면(313)에 부착될 수 있다.
접착제(440)는 기판(310)의 측면(313)과 기판(310)의 배면(312)에 부착될 수 있고, 지지층(400)은 기판(310)의 측면(313)과 유연 기재부(F)의 사이에 위치할 수 있고, 유연 기재부(F) 특히 사이드 커버부(430)을 유지시킬 수 있다.
구부림 단계시, 디스플레이 패널(D) 특히, 유연 기재부(F)는 한 쌍의 곡면부(410)(420)와, 한 쌍의 곡면부(410)(420)를 잇고 지지층(400)에 접촉되는 사이드 커버부(430)를 포함할 수 있다.
도 20은 본 실시 예의 지지층의 변형예가 도시된 도이다.
유연 기재부(F)는 지지층(440)이 접촉되는 한 쌍의 곡면부(410)(420)와, 한 쌍의 곡면부를 잇는 사이드 커버부(430)를 포함하고, 지지층(400)은 프론트 지지층(400a)와, 리어 지지층(400b)을 포함할 수 있다.
프론트 지지층(400a)는 한 쌍의 곡면부(410)(420) 중 전방에 위치하는 프론트 곡면부(410)에 접촉될 수 있다.
리어 지지층(400b)는 한 쌍의 곡면부(410)(420) 중 후방에 위치하는 리어 곡면부(420)에 접촉될 수 있다.
프론트 지지층(400a)와, 리어 지지층(400b)은 전후 방향으로 이격될 수 있다.
프론트 지지층(400a)와, 리어 지지층(400b)은 유연 기재부(F)를 향하는 면이 곡면일 부 있다. 프론트 지지층(400a)와, 리어 지지층(400b)은 기판(310)의 측면(313)를 향하는 면이 평면일 부 있다.
사이드 커버부(430)은 한 쌍의 곡면부(410)(420)가 한 쌍의 지지층(400a)(400b)에 지지되는 것에 의해 평면을 유지할 수 있다.
도 20에 도시된 디스플레이 장치는 지지층(400)의 위치 및 지지층(400)의 형상 이외의 기타 구성이 도 14에 도시된 디스플레이 장치와 동일하거나 유사할 수 있고, 중복된 설명을 피하기 위해 그에 대한 설명을 생략한다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (20)

  1. 기판;
    상기 기판의 전면에 형성된 디스플레이부와, 상기 디스플레이부에서 연장되고 상기 기판의 측면 및 상기 기판의 후면 일부를 감싸는 유연 기재부를 포함하는 디스플레이 패널; 및
    상기 기판의 측면과 유연 기재부 사이에 배치되어 상기 유연 기재부를 지지하는 지지층을 포함하고,
    상기 유연 기재부는
    상기 지지층과 이격되는 한 쌍의 곡면부;
    상기 한 쌍의 곡면부를 잇고 상기 지지층에 접촉되는 사이드 커버부를 포함하는 디스플레이 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 디스플레이 패널은
    상기 기판에 접하는 유연 기판;
    상기 유연 기판에 형성된 배선 전극;
    상기 배선 전극에 형성된 복수개 반도체 발광소자; 및
    상기 배선 전극 및 복수개 반도체 발광소자을 덮는 보호층을 포함하는 디스플레이 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 사이드 커버부는 상기 측면과 이격되고, 상기 측면과 평행한 디스플레이 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 곡면부의 곡률반경은 상기 기판의 두께의 절반 보다 작은 디스플레이 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지층의 길이는 상기 기판의 두께에서 상기 곡면부의 곡률반경의 2배를 제한 길이 보다 짧은 디스플레이 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지층은 상기 유연 기재부에 코팅된 디스플레이 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지층 및 유연 기재부에 코팅되고, 상기 기판의 측면에 부착된 접착제를 더 포함하는 디스플레이 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지층은
    상기 기판의 측면을 향하는 제1면과, 상기 유연 기재부를 향하는 제2면을 포함하고,
    상기 제2면의 면적은 상기 제1면의 면적 보다 큰 디스플레이 장치.
  9. 복수개의 디스플레이 모듈이 소정 피치로 배치되는 디스플레이 장치에 있어서,
    상기 복수개의 디스플레이 모듈 각각은
    기판;
    상기 기판의 전면에 형성된 디스플레이부와, 상기 디스플레이부에서 연장되고 상기 기판의 측면 및 상기 기판의 후면 일부를 감싸는 유연 기재부를 포함하는 디스플레이 패널; 및
    상기 기판의 측면와 유연 기재부 사이에 배치되어 상기 유연 기재부를 지지하는 지지층을 포함하고,
    상기 유연 기재부는
    상기 지지층과 이격되고 한 쌍의 곡면부; 및
    상기 한 쌍의 곡면부를 잇고 상기 지지층에 접촉되며, 상기 측면과 평행한 사이드 커버부를 포함하며,
    상기 유연 기재부는 인접한 타 디스플레이 패널이 유연 기재부와 접하는 디스플레이 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 디스플레이 패널은
    상기 기판에 접하는 유연 기판;
    상기 유연 기판에 형성된 배선 전극;
    상기 배선 전극에 형성된 반도체 발광소자; 및
    상기 배선 전극 및 반도체 발광소자을 덮는 보호층을 포함하는 디스플레이 장치.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 곡면부의 곡률반경은 상기 기판의 두께의 절반 보다 작은 디스플레이 장치.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 지지층의 길이는 상기 기판의 두께에서 상기 곡면부의 곡률반경의 2배를 제한 길이 보다 짧은 디스플레이 장치.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 지지층은 상기 유연 기재부에 코팅된 디스플레이 장치.
  14. 제 9 항에 있어서,
    상기 지지층 및 유연 기재부에 코팅되고, 상기 기판의 측면에 부착된 접착제를 더 포함하는 디스플레이 장치.
  15. 기판의 전면에 디스플레이 패널을 형성하는 단계;
    상기 기판 일부를 제거하여 상기 디스플레이 패널의 배면 일부를 노출시키는 단계와,
    상기 디스플레이 패널의 노출된 배면에 지지층을 코팅하는 단계;
    상기 지지층과 디스플레이 패널에 접착재를 코팅하는 단계; 및
    상기 디스플레이 패널을 구부려 상기 기판의 측면과 상기 기판의 배면 일부에 고정시키는 단계를 포함하고,
    상기 디스플레이 패널은
    상기 지지층과 이격된 한 쌍의 곡면부; 및
    상기 한 쌍의 곡면부를 잇고 상기 지지층에 접촉되는 사이드 커버부를 포함하는 디스플레이 장치 제조방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 사이드 커버부는 상기 측면과 이격되고, 상기 측면과 평행한 디스플레이 장치 제조방법.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 지지층 및 유연 기재부에 코팅되고, 상기 기판의 측면에 부착된 접착제를 더 포함하는 디스플레이 장치 제조방법.
  18. 제 15 항에 있어서,
    상기 곡면부의 곡률반경은 상기 기판의 두께의 절반 보다 작은 디스플레이 장치 제조방법.
  19. 제 15 항에 있어서,
    상기 지지층의 길이는 상기 기판의 두께에서 상기 곡면부의 곡률반경의 2배를 제한 길이 보다 짧은 디스플레이 장치 제조방법.
  20. 제 15 항에 있어서,
    상기 기판의 측면은 상기 기판의 전면 및 기판의 배면과 직교한 디스플레이 장치 제조방법.
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