WO2022080268A1 - エッチングガス、エッチング方法、及び半導体素子の製造方法 - Google Patents

エッチングガス、エッチング方法、及び半導体素子の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2022080268A1
WO2022080268A1 PCT/JP2021/037422 JP2021037422W WO2022080268A1 WO 2022080268 A1 WO2022080268 A1 WO 2022080268A1 JP 2021037422 W JP2021037422 W JP 2021037422W WO 2022080268 A1 WO2022080268 A1 WO 2022080268A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
etching
gas
etched
fluorobutene
silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2021/037422
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
淳 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Holdings Corp
Original Assignee
Showa Denko KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Showa Denko KK filed Critical Showa Denko KK
Priority to CN202180070326.XA priority Critical patent/CN116325089A/zh
Priority to IL302057A priority patent/IL302057A/en
Priority to JP2022556926A priority patent/JP7786388B2/ja
Priority to KR1020237011836A priority patent/KR20230061542A/ko
Priority to EP21880007.6A priority patent/EP4231332A4/en
Priority to US18/031,816 priority patent/US20230386850A1/en
Publication of WO2022080268A1 publication Critical patent/WO2022080268A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/24—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of semiconductor materials
    • H10P50/242—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of semiconductor materials of Group IV materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/26—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials
    • H10P50/264—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means
    • H10P50/266—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means by vapour etching only
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/28—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials
    • H10P50/282—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials
    • H10P50/283—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/26—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials
    • H10P50/264—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means
    • H10P50/266—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means by vapour etching only
    • H10P50/267—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means by vapour etching only using plasmas

Definitions

  • the etching of the present embodiment can be achieved by either plasma etching using plasma or plasmaless etching using plasma.
  • plasma etching include reactive ion etching (RIE), inductively coupled plasma (ICP) etching, capacitively coupled plasma (CCP: Capacitive Coupled Plasma) etching, and electron etching.
  • RIE reactive ion etching
  • ICP inductively coupled plasma
  • CCP capacitively coupled plasma
  • electron etching Electron Cyclotron Resonance
  • Plasma etching microwave plasma etching can be mentioned.
  • those having a boiling point at 1 atm of 50 ° C. or lower are preferable, and those having a boiling point of 40 ° C. or lower are more preferable.
  • the boiling point at 1 atm is within the above range, when the fluorobutene gas is introduced into, for example, a plasma etching apparatus, the fluorobutene gas is difficult to liquefy inside a pipe or the like into which the fluorobutene gas is introduced. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of troubles caused by the liquefaction of the fluorobutene gas, so that the plasma etching process can be efficiently performed.
  • the etching gas is a gas containing the above-mentioned fluorobutene.
  • the etching gas may be a gas consisting only of the above-mentioned fluorobutene or a mixed gas containing the above-mentioned fluorobutene and a diluting gas. Further, it may be a mixed gas containing the above-mentioned fluorobutene, a diluting gas and an added gas.
  • the diluting gas at least one selected from nitrogen gas (N 2 ), helium (He), neon (Ne), argon (Ar), krypton (Kr), and xenon (Xe) can be used.
  • an oxidizing gas for example, an oxidizing gas, a fluorocarbon gas, or a hydrofluorocarbon gas
  • the oxidizing gas include oxygen gas (O 2 ), ozone (O 3 ), carbon monoxide (CO), carbon dioxide (CO 2 ), nitric oxide (NO), and nitrous oxide (N 2 ). O) and nitrogen dioxide (NO 2 ) can be mentioned.
  • fluorocarbons include carbon tetrafluoride (CF 4 ), hexafluoromethane (C 2 F 6 ), and octafluoropropane (C 3 F 8 ).
  • the sum of the concentrations of copper, zinc, manganese, cobalt and silicon may be 1 mass ppb or more.
  • concentration of metal impurities such as copper, zinc, manganese, cobalt and silicon in the etching gas can be quantified by an inductively coupled plasma mass spectrometer (ICP-MS).
  • the etching selectivity tends to be high.
  • the etching selection ratio which is the ratio of the etching rate of the object to be etched containing silicon to the etching rate of the non-etched object, tends to be 10 or more.
  • the bias power constituting the potential difference between the plasma generated during etching and the member to be etched may be selected from 0 to 10000 W depending on the desired etching shape, and 0 to 1000 W when selectively etching is performed. The degree is preferable. Anisotropic etching can be performed by this potential difference.
  • the non-etching target can be used as a resist or a mask for suppressing etching of the etching target by the etching gas. Therefore, in the etching method according to the present embodiment, the patterned non-etched object is used as a resist or a mask to process the etched object into a predetermined shape (for example, the film-shaped etched object of the member to be etched). Since it can be used for a method such as (processing an object to a predetermined film thickness), it can be suitably used for manufacturing a semiconductor element. Further, since the non-etched object is hardly etched, it is possible to suppress the etching of the portion of the semiconductor element that should not be etched, and it is possible to prevent the characteristics of the semiconductor element from being lost by etching. can.
  • the non-etching object remaining after patterning can be removed by a removal method generally used in the semiconductor device manufacturing process. For example, ashing with an oxidizing gas such as oxygen plasma or ozone, or dissolution using a chemical solution such as APM (mixed solution of ammonia water and hydrogen peroxide solution), SPM (mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution) or organic solvent. Removal is mentioned.
  • ashing with an oxidizing gas such as oxygen plasma or ozone
  • a chemical solution such as APM (mixed solution of ammonia water and hydrogen peroxide solution), SPM (mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution) or organic solvent. Removal is mentioned.
  • the etching apparatus of FIG. 1 is a plasma etching apparatus that performs etching using plasma. First, the etching apparatus of FIG. 1 will be described.
  • the type of plasma generation mechanism of the plasma generator is not particularly limited, and may be one in which a high frequency voltage is applied to a parallel plate or one in which a high frequency current is passed through a coil.
  • a high frequency voltage is applied to the member 12 to be etched in plasma
  • a negative voltage is applied to the member 12 to be etched, and positive ions are incident on the member 12 to be etched at high speed and vertically, so that anisotropic etching is possible.
  • the etching apparatus of FIG. 1 is provided with an etching gas supply unit that supplies the etching gas inside the chamber 10.
  • This etching gas supply unit is a fluorobutene gas supply unit 1 that connects a fluorobutene gas supply unit 1 that supplies a fluorobutene gas, a dilution gas supply unit 2 that supplies a dilution gas, a fluorobutene gas supply unit 1 and a chamber 10. It has a diluting gas supply pipe 6 for connecting a diluting gas supply unit 2 to an intermediate portion of the fluorobutene gas supply pipe 5 and a diluting gas supply pipe 5.
  • nickel-based alloys include Inconel (registered trademark), Hastelloy (registered trademark), Monel (registered trademark) and the like.
  • fluororesin include polytetrafluoroethylene (PTFE), polychlorotrifluoroethylene (PCTFE), tetrafluoroethylene / perfluoroalkoxyethylene copolymer (PFA), polyvinylidene fluoride (PVDF), and Teflon.
  • PTFE polytetrafluoroethylene
  • PCTFE polychlorotrifluoroethylene
  • PFA tetrafluoroethylene / perfluoroalkoxyethylene copolymer
  • PVDF polyvinylidene fluoride
  • Teflon Teflon
  • Preparation Example 4 Samples 4-1 to 4-5 were prepared in the same manner as in Preparation Example 1 except that 2,3,3,4,4,4-hexafluoro-1-butene was used as the fluorobutene. .. Then, the concentrations of various metal impurities in each sample were measured by an inductively coupled plasma mass spectrometer. The results are shown in Table 4.
  • the test piece was taken out from the chamber, the thicknesses of the silicon oxide film, the silicon nitride film, and the photoresist film were measured, and the amount of decrease in the thickness from each film before etching was calculated.
  • the etching rate of each film was calculated by dividing this decrease by the etching time. As a result, the etching rate of the photoresist film was less than 1 nm / min, the etching rate of the silicon oxide film was 64 nm / min, and the etching rate of the silicon nitride film was 57 nm / min. From this result, it was confirmed that the silicon oxide film and the silicon nitride film, which are the objects to be etched, are selectively etched as compared with the photoresist film, which is the object to be etched.
  • the etching target is selectively etched as compared with the non-etching target, and the etching is selected. It can be seen that the ratio is 10 or more.
  • the etching selectivity of the etching target to the non-etching target is lowered, and the etching is performed. It can be seen that the selection ratio is less than 10.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)

Abstract

ケイ素を含有するエッチング対象物を非エッチング対象物に比べて選択的にエッチングすることができるエッチングガス及びエッチング方法を提供する。エッチングガスは、一般式Ｃ4ＨxＦyで表され且つ一般式中のｘが１以上７以下、ｙが１以上７以下、ｘ＋ｙが８であるフルオロブテンを含有する。このエッチングガスは、銅、亜鉛、マンガン、コバルト、及びケイ素のうち少なくとも一種を金属不純物として含有するか又は含有せず、前記含有する場合の銅、亜鉛、マンガン、コバルト、及びケイ素の濃度の和が５０００質量ｐｐｂ以下である。エッチング方法は、エッチング対象物と非エッチング対象物とを有する被エッチング部材（１２）にエッチングガスを接触させ、非エッチング対象物に比べてエッチング対象物を選択的にエッチングするエッチング工程を備える。エッチング対象物はケイ素を含有する。

Description

エッチングガス、エッチング方法、及び半導体素子の製造方法
　本発明は、エッチングガス、エッチング方法、及び半導体素子の製造方法に関する。
　半導体の製造工程においては、酸化ケイ素、窒化ケイ素等のケイ素化合物のパターニングや除去にドライエッチングが用いられる。ドライエッチングには高いエッチング選択性が要求される。すなわち、パターニングに用いるマスクに比べてケイ素化合物を選択的にエッチング可能であることが要求される。
　この要求を満たす種々のエッチングガスが提案されており、例えば特許文献１には、ヘキサフルオロイソブテンを含有するエッチングガスが開示されている。ヘキサフルオロイソブテンはエッチング中に反応してポリマー化し、このポリマーの膜でマスクが被覆され保護されるため、高いエッチング選択性が得られやすい。
日本国特許公報　第６５２７２１４号
　しかしながら、特許文献１に開示のエッチングガスを使用してエッチングを行うと、エッチング選択性が不十分となる場合があった。
　本発明は、エッチングガスによるエッチングの対象であるエッチング対象物とエッチングガスによるエッチングの対象ではない非エッチング対象物とを有する被エッチング部材にエッチングガスを接触させてエッチングを行った場合に、非エッチング対象物に比べてエッチング対象物を選択的にエッチングすることができるエッチングガス、エッチング方法、及び半導体素子の製造方法を提供することを課題とする。
　前記課題を解決するため、本発明の一態様は以下の［１］～［９］の通りである。
［１］　一般式Ｃ4ＨxＦyで表され且つ前記一般式中のｘが１以上７以下、ｙが１以上７以下、ｘ＋ｙが８であるフルオロブテンを含有するエッチングガスであって、
　銅、亜鉛、マンガン、コバルト、及びケイ素のうち少なくとも一種を金属不純物として含有するか又は含有せず、前記含有する場合の銅、亜鉛、マンガン、コバルト、及びケイ素の濃度の和が５０００質量ｐｐｂ以下であるエッチングガス。
［２］　アルカリ金属及びアルカリ土類金属のうち少なくとも一種を前記金属不純物としてさらに含有するか又は含有せず、前記含有する場合の銅、亜鉛、マンガン、コバルト、及びケイ素、並びに、アルカリ金属及びアルカリ土類金属の濃度の総和が１００００質量ｐｐｂ以下である［１］に記載のエッチングガス。
［３］　前記アルカリ金属がリチウム、ナトリウム、及びカリウムのうち少なくとも一種であり、前記アルカリ土類金属がマグネシウム及びカルシウムの少なくとも一方である［２］に記載のエッチングガス。
［４］　前記フルオロブテンが１，１，１，４，４，４－ヘキサフルオロ－２－ブテン、１，１，１，２，４，４，４－ヘプタフルオロ－２－ブテン、３，３，４，４，４－ペンタフルオロ－１－ブテン、及び２，３，３，４，４，４－ヘキサフルオロ－１－ブテンから選ばれる少なくとも１つである［１］～［３］のいずれか一項に記載のエッチングガス。
［５］　［１］～［４］のいずれか一項に記載のエッチングガスを、前記エッチングガスによるエッチングの対象であるエッチング対象物と前記エッチングガスによるエッチングの対象ではない非エッチング対象物とを有する被エッチング部材に接触させ、前記非エッチング対象物に比べて前記エッチング対象物を選択的にエッチングするエッチング工程を備え、前記エッチング対象物がケイ素を含有するエッチング方法。
［６］　前記エッチングガスが含有する銅、亜鉛、マンガン、コバルト、及びケイ素の濃度の和を５０００質量ｐｐｂ以下とする金属不純物除去工程を、前記エッチング工程の前に備える［５］に記載のエッチング方法。
［７］　前記エッチングガスが、前記フルオロブテンのみからなるガス、又は、前記フルオロブテンと希釈ガスを含有する混合ガスである［５］又は［６］に記載のエッチング方法。
［８］　前記希釈ガスが、窒素ガス、ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトン、及びキセノンから選ばれる少なくとも一種である［７］に記載のエッチング方法。
［９］　［５］～［８］のいずれか一項に記載のエッチング方法を用いて半導体素子を製造する半導体素子の製造方法であって、
　前記被エッチング部材が、前記エッチング対象物及び前記非エッチング対象物を有する半導体基板であり、
　前記半導体基板から前記エッチング対象物の少なくとも一部を前記エッチングにより除去する処理工程を備える半導体素子の製造方法。
　本発明によれば、ケイ素を含有するエッチング対象物を非エッチング対象物に比べて選択的にエッチングすることができる。
本発明に係るエッチング方法の一実施形態を説明するエッチング装置の一例の概略図である。
　本発明の一実施形態について以下に説明する。なお、本実施形態は本発明の一例を示したものであって、本発明は本実施形態に限定されるものではない。また、本実施形態には種々の変更又は改良を加えることが可能であり、その様な変更又は改良を加えた形態も本発明に含まれ得る。
　本実施形態に係るエッチングガスは、一般式Ｃ4ＨxＦyで表され且つ一般式中のｘが１以上７以下、ｙが１以上７以下、ｘ＋ｙが８であるフルオロブテンを含有するエッチングガスであって、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、及びケイ素（Ｓｉ）のうち少なくとも一種を金属不純物として含有するか又は含有せず、前記含有する場合の銅、亜鉛、マンガン、コバルト、及びケイ素の濃度の和が５０００質量ｐｐｂ以下である。
　本実施形態に係るエッチング方法は、上記本実施形態に係るエッチングガスを、エッチングガスによるエッチングの対象であるエッチング対象物とエッチングガスによるエッチングの対象ではない非エッチング対象物とを有する被エッチング部材に接触させ、非エッチング対象物に比べてエッチング対象物を選択的にエッチングするエッチング工程を備える。そして、本実施形態に係るエッチング方法においては、エッチング対象物はケイ素（Ｓｉ）を含有する。
　エッチングガスを被エッチング部材に接触させると、ケイ素を含有するエッチング対象物とエッチングガス中の上記フルオロブテンとが反応するため、エッチング対象物のエッチングが進行する。これに対して、マスク等の非エッチング対象物は上記フルオロブテンとほとんど反応しないので、非エッチング対象物のエッチングはほとんど進行しない。よって、本実施形態に係るエッチング方法によれば、非エッチング対象物に比べてエッチング対象物を選択的にエッチングすることができる（すなわち、高いエッチング選択性が得られる）。
　さらに、上記フルオロブテンは、ドライエッチング中に反応してポリマー化し、このポリマーの膜によって非エッチング対象物が被覆されエッチングから保護される。そのため、非エッチング対象物のエッチングがさらに進行しにくくなるので、上記フルオロブテンを含有するエッチングガスを用いてエッチングを行えば、エッチング選択性がさらに高くなる。
　ところが、エッチングガスが金属不純物を含有していると、金属不純物の触媒作用によって、上記フルオロブテンの炭素－炭素二重結合の解離が生じるため、ポリマーの膜の形成が抑制される。その結果、非エッチング対象物がポリマーの膜によって保護されにくくなり、非エッチング対象物のエッチングが進行しやすくなるため、エッチング選択性が低下するおそれがある。銅、亜鉛、マンガン、コバルト、及びケイ素は、上記フルオロブテンの炭素－炭素二重結合の解離を生じさせる触媒作用が高いので、エッチング選択性を大きく低下させるおそれがある。
　本実施形態に係るエッチングガスは、銅、亜鉛、マンガン、コバルト、及びケイ素を含有していないか又は含有していてもその濃度が低いので、上記フルオロブテンの炭素－炭素二重結合の解離が生じにくい。よって、本実施形態に係るエッチングガスを用いて被エッチング部材のドライエッチングを行えば、非エッチング対象物へのポリマーの膜の形成が抑制されることが起こりにくいため、非エッチング対象物に比べてエッチング対象物を選択的にエッチングすることができる。
　例えば、非エッチング対象物のエッチング速度に対するエッチング対象物のエッチング速度の比であるエッチング選択比が、１０以上となりやすい。エッチング選択比は、１０以上であることが好ましく、３０以上であることがより好ましく、５０以上であることがさらに好ましい。
　特許文献１に開示の技術においては、エッチングガス中の銅、亜鉛、マンガン、コバルト、及びケイ素の濃度が考慮されていないため、特許文献１に開示のエッチングガスを使用してエッチングを行った場合には、銅、亜鉛、マンガン、コバルト、及びケイ素によってヘキサフルオロイソブテンの炭素－炭素二重結合の解離が生じ、ポリマーの膜の形成が抑制される場合があった。その結果、非エッチング対象物がポリマーの膜によって保護されにくくなり、非エッチング対象物のエッチングが進行しやすくなるため、エッチング選択性が低下する場合があった。
　なお、本発明におけるエッチングとは、被エッチング部材が有するエッチング対象物の一部又は全部を除去して被エッチング部材を所定の形状（例えば三次元形状）に加工すること（例えば、被エッチング部材が有する、ケイ素化合物からなる膜状のエッチング対象物を所定の膜厚に加工すること）を意味する。
　本実施形態に係るエッチング方法は、半導体素子の製造に利用することができる。すなわち、本実施形態に係る半導体素子の製造方法は、本実施形態に係るエッチング方法を用いて半導体素子を製造する半導体素子の製造方法であって、被エッチング部材が、エッチング対象物及び非エッチング対象物を有する半導体基板であり、半導体基板からエッチング対象物の少なくとも一部をエッチングにより除去する処理工程を備える。
　本実施形態に係るエッチング方法は、エッチング対象物を精度よくエッチングすることができるので、例えば、３Ｄ－ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ、ロジックデバイス等の半導体素子の製造に対して使用することができる。また、本実施形態に係るエッチング方法には、半導体素子の更なる微細化や高集積化に対する貢献が期待できる。
　以下、本実施形態に係るエッチングガス、エッチング方法、及び半導体素子の製造方法について、さらに詳細に説明する。
〔エッチング方法〕
　本実施形態のエッチングは、プラズマを用いるプラズマエッチング、プラズマを用いないプラズマレスエッチングのいずれによっても達成できる。プラズマエッチングとしては、例えば、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）エッチング、容量結合型プラズマ（ＣＣＰ：Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）エッチング、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ　Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）プラズマエッチング、マイクロ波プラズマエッチングが挙げられる。
　また、プラズマエッチングにおいては、プラズマは被エッチング部材が設置されたチャンバー内で発生させてもよいし、プラズマ発生室と被エッチング部材を設置するチャンバーとを分けてもよい（すなわち、遠隔プラズマを用いてもよい）。遠隔プラズマを用いたエッチングにより、ケイ素を含有するエッチング対象物をより高い選択性でエッチングできる場合がある。
〔フルオロブテン〕
　本実施形態に係るエッチングガスに含有されるフルオロブテンは、一般式Ｃ4ＨxＦyで表されるものであり、且つ、一般式中のｘが１以上７以下、ｙが１以上７以下、ｘ＋ｙが８との３つの条件を満たすものである。フルオロブテンの種類は、上記要件を満たしていれば特に限定されるものではなく、直鎖状のフルオロブテンでも分岐鎖状のフルオロブテン（イソブテン）でも使用可能であるが、フルオロ－１－ブテンに類するものとフルオロ－２－ブテンに類するものが好ましく使用可能である。
　フルオロ－１－ブテンの具体例としては、ＣＨＦ2－ＣＦ2－ＣＦ＝ＣＦ2、ＣＦ3－ＣＦ2－ＣＦ＝ＣＨＦ、ＣＦ3－ＣＨＦ－ＣＦ＝ＣＦ2、ＣＦ3－ＣＦ2－ＣＨ＝ＣＦ2、ＣＨＦ2－ＣＨＦ－ＣＦ＝ＣＦ2、ＣＨＦ2－ＣＦ2－ＣＦ＝ＣＨＦ、ＣＦ3－ＣＨＦ－ＣＦ＝ＣＨＦ、ＣＦ3－ＣＦ2－ＣＨ＝ＣＨＦ、ＣＦ3－ＣＨＦ－ＣＨ＝ＣＦ2、ＣＨＦ2－ＣＦ2－ＣＨ＝ＣＦ2、ＣＨ3－ＣＦ2－ＣＦ＝ＣＦ2、ＣＨ2Ｆ－ＣＨＦ－ＣＦ＝ＣＦ2、ＣＨ2Ｆ－ＣＦ2－ＣＨ＝ＣＦ2、ＣＨ2Ｆ－ＣＦ2－ＣＦ＝ＣＨＦ、ＣＨＦ2－ＣＨ2－ＣＦ＝ＣＦ2、ＣＨＦ2－ＣＨＦ－ＣＨ＝ＣＦ2、ＣＨＦ2－ＣＨＦ－ＣＦ＝ＣＨＦ、ＣＨＦ2－ＣＦ2－ＣＨ＝ＣＨＦ、ＣＨＦ2－ＣＦ2－ＣＦ＝ＣＨ2、ＣＦ3－ＣＨ2－ＣＨ＝ＣＦ2、ＣＦ3－ＣＨ2－ＣＦ＝ＣＨＦ、ＣＦ3－ＣＨＦ－ＣＨ＝ＣＨＦ、ＣＦ3－ＣＨＦ－ＣＦ＝ＣＨ2、ＣＦ3－ＣＦ2－ＣＨ＝ＣＨ2、ＣＨ3－ＣＨＦ－ＣＦ＝ＣＦ2、ＣＨ3－ＣＦ2－ＣＨ＝ＣＦ2、ＣＨ3－ＣＦ2－ＣＦ＝ＣＨＦ、ＣＨ2Ｆ－ＣＨ2－ＣＦ＝ＣＦ2、ＣＨ2Ｆ－ＣＨＦ－ＣＨ＝ＣＦ2、ＣＨ2Ｆ－ＣＨＦ－ＣＦ＝ＣＨＦ、ＣＨ2Ｆ－ＣＦ2－ＣＨ＝ＣＨＦ、ＣＨ2Ｆ－ＣＦ2－ＣＦ＝ＣＨ2、ＣＨＦ2－ＣＨ2－ＣＨ＝ＣＦ2、ＣＨＦ2－ＣＨ2－ＣＦ＝ＣＨＦ、ＣＨＦ2－ＣＨＦ－ＣＨ＝ＣＨＦ、ＣＨＦ2－ＣＨＦ－ＣＦ＝ＣＨ2、ＣＨＦ2－ＣＦ2－ＣＨ＝ＣＨ2、ＣＦ3－ＣＨ2－ＣＨ＝ＣＨＦ、ＣＦ3－ＣＨ2－ＣＦ＝ＣＨ2、ＣＦ3－ＣＨＦ－ＣＨ＝ＣＨ2、ＣＨ3－ＣＨ2－ＣＦ＝ＣＦ2、ＣＨ3－ＣＨＦ－ＣＨ＝ＣＦ2、ＣＨ3－ＣＨＦ－ＣＦ＝ＣＨＦ、ＣＨ3－ＣＦ2－ＣＨ＝ＣＨＦ、ＣＨ3－ＣＦ2－ＣＦ＝ＣＨ2、ＣＨ2Ｆ－ＣＨ2－ＣＨ＝ＣＦ2、ＣＨ2Ｆ－ＣＨ2－ＣＦ＝ＣＨＦ、ＣＨ2Ｆ－ＣＨＦ－ＣＨ＝ＣＨＦ、ＣＨ2Ｆ－ＣＨＦ－ＣＦ＝ＣＨ2、ＣＨ2Ｆ－ＣＦ2－ＣＨ＝ＣＨ2、ＣＨＦ2－ＣＨ2－ＣＨ＝ＣＨＦ、ＣＨＦ2－ＣＨ2－ＣＦ＝ＣＨ2、ＣＨＦ2－ＣＨＦ－ＣＨ＝ＣＨ2、ＣＦ3－ＣＨ2－ＣＨ＝ＣＨ2、ＣＨ3－ＣＨ2－ＣＨ＝ＣＦ2、ＣＨ3－ＣＨ2－ＣＦ＝ＣＨＦ、ＣＨ3－ＣＨＦ－ＣＨ＝ＣＨＦ、ＣＨ3－ＣＨＦ－ＣＦ＝ＣＨ2、ＣＨ3－ＣＦ2－ＣＨ＝ＣＨ2、ＣＨ2Ｆ－ＣＨ2－ＣＨ＝ＣＨＦ、ＣＨ2Ｆ－ＣＨ2－ＣＦ＝ＣＨ2、ＣＨ2Ｆ－ＣＨＦ－ＣＨ＝ＣＨ2、ＣＨＦ2－ＣＨ2－ＣＨ＝ＣＨ2、ＣＨ3－ＣＨ2－ＣＨ＝ＣＨＦ、ＣＨ3－ＣＨ2－ＣＦ＝ＣＨ2、ＣＨ3－ＣＨＦ－ＣＨ＝ＣＨ2、ＣＨ2Ｆ－ＣＨ2－ＣＨ＝ＣＨ2が挙げられる。
　フルオロ－２－ブテンの具体例としては、ＣＨＦ2－ＣＦ＝ＣＦ－ＣＦ3、ＣＦ3－ＣＨ＝ＣＦ－ＣＦ3、ＣＨ2Ｆ－ＣＦ＝ＣＦ－ＣＦ3、ＣＨＦ2－ＣＨ＝ＣＦ－ＣＦ3、ＣＨＦ2－ＣＦ＝ＣＦ－ＣＨＦ2、ＣＦ3－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＦ3、ＣＨ3－ＣＦ＝ＣＦ－ＣＦ3、ＣＨ2Ｆ－ＣＨ＝ＣＦ－ＣＦ3、ＣＨ2Ｆ－ＣＦ＝ＣＨ－ＣＦ3、ＣＨ2Ｆ－ＣＦ＝ＣＦ－ＣＨＦ2、ＣＨＦ2－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＦ3、ＣＨＦ2－ＣＦ＝ＣＨ－ＣＨＦ2、ＣＨ3－ＣＨ＝ＣＦ－ＣＦ3、ＣＨ3－ＣＦ＝ＣＨ－ＣＦ3、ＣＨ3－ＣＦ＝ＣＦ－ＣＨＦ2、ＣＨ2Ｆ－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＦ3、ＣＨ2Ｆ－ＣＨ＝ＣＦ－ＣＨＦ2、ＣＨ2Ｆ－ＣＦ＝ＣＨ－ＣＨＦ2、ＣＨ2Ｆ－ＣＦ＝ＣＦ－ＣＨ2Ｆ、ＣＨＦ2－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨＦ2、ＣＨ3－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＦ3、ＣＨ3－ＣＨ＝ＣＦ－ＣＨＦ2、ＣＨ3－ＣＦ＝ＣＨ－ＣＨＦ2、ＣＨ3－ＣＦ＝ＣＦ－ＣＨ2Ｆ、ＣＨ2Ｆ－ＣＦ＝ＣＨ－ＣＨ2Ｆ、ＣＨ2Ｆ－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨＦ2、ＣＨ3－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨＦ2、ＣＨ3－ＣＨ＝ＣＦ－ＣＨ2Ｆ、ＣＨ3－ＣＦ＝ＣＨ－ＣＨ2Ｆ、ＣＨ3－ＣＦ＝ＣＦ－ＣＨ3、ＣＨ2Ｆ－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ2Ｆ、ＣＨ3－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ2Ｆ、ＣＨ3－ＣＨ＝ＣＦ－ＣＨ3が挙げられる。
　これらのフルオロブテンは１種類を単独で用いてもよいし、２種類以上を併用してもよい。また、上記のフルオロブテンの一部には、シス－トランス異性体が存在するものがあるが、シス型、トランス型のいずれのフルオロブテンも、本実施形態に係るエッチングガスに使用することができる。
　上記のフルオロブテンの中でも、１気圧での沸点が５０℃以下であるものが好ましく、４０℃以下であるものがより好ましい。１気圧での沸点が上記範囲内であれば、フルオロブテンのガスを例えばプラズマエッチング装置に導入する際に、フルオロブテンのガスを導入する配管等の内部でフルオロブテンのガスが液化しにくい。そのため、フルオロブテンのガスの液化に起因する障害の発生を抑制することができるので、プラズマエッチング処理を効率的に行うことができる。
　上記の観点から、フルオロブテンとしては、例えば、１，１，１，４，４，４－ヘキサフルオロ－２－ブテン（沸点９℃）、１，１，１，２，４，４，４－ヘプタフルオロ－２－ブテン（沸点８℃）、３，３，４，４，４－ペンタフルオロ－１－ブテン（沸点３－６℃）、及び２，３，３，４，４，４－ヘキサフルオロ－１－ブテン（沸点３－７℃）から選ばれる少なくとも１つが好ましい。
〔エッチングガス〕
　エッチングガスは、上記のフルオロブテンを含有するガスである。エッチングガスは、上記のフルオロブテンのみからなるガスであってもよいし、上記のフルオロブテンと希釈ガスを含有する混合ガスであってもよい。また、上記のフルオロブテンと希釈ガスと添加ガスを含有する混合ガスであってもよい。
　希釈ガスとしては、窒素ガス（Ｎ2）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、及びキセノン（Ｘｅ）から選ばれる少なくとも一種を用いることができる。
　添加ガスとしては、例えば、酸化性ガス、フルオロカーボンのガス、ハイドロフルオロカーボンのガスを用いることができる。酸化性ガスの具体例としては、酸素ガス（Ｏ2）、オゾン（Ｏ3）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ2）、一酸化窒素（ＮＯ）、一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）、二酸化窒素（ＮＯ2）が挙げられる。フルオロカーボンの具体例としては、四フッ化炭素（ＣＦ4）、ヘキサフルオロメタン（Ｃ2Ｆ6）、オクタフルオロプロパン（Ｃ3Ｆ8）が挙げられる。ハイドロフルオロカーボンの具体例としては、ＣＦ3Ｈ、ＣＦ2Ｈ2、ＣＦＨ3、Ｃ2Ｆ4Ｈ2、Ｃ2Ｆ5Ｈ、Ｃ3Ｆ7Ｈ、Ｃ3Ｆ6Ｈ2、Ｃ3Ｆ5Ｈ3、Ｃ3Ｆ4Ｈ4、Ｃ3Ｆ3Ｈ5が挙げられる。これらの添加ガスは、１種類を単独で用いてもよいし、２種類以上を併用してもよい。
　希釈ガスの含有量は、エッチングガスの総量に対して９０体積％以下であることが好ましく、５０体積％以下であることがより好ましい。また、添加ガスの含有量は、エッチングガスの総量に対して５０体積％以下であることが好ましく、３０体積％以下であることがより好ましい。
　エッチングガス中のフルオロブテンの含有量は、エッチング速度を向上させる観点から、エッチングガスの総量に対して５体積％以上が好ましく、１０体積％以上がさらに好ましい。また、フルオロブテンの使用量を抑制する観点から、エッチングガスの総量に対して９０体積％以下が好ましく、８０体積％以下がさらに好ましい。
〔金属不純物〕
　本実施形態に係るエッチングガスは、銅、亜鉛、マンガン、コバルト、及びケイ素のうち少なくとも一種を金属不純物として含有するか又は含有しないが、前記含有する場合の銅、亜鉛、マンガン、コバルト、及びケイ素の濃度の和が５０００質量ｐｐｂ以下と低濃度であるため、前述したように上記フルオロブテンの炭素－炭素二重結合の解離が生じにくく、その結果、非エッチング対象物に比べてエッチング対象物を選択的にエッチングすることができる。ここで、前記含有しないとは、誘導結合プラズマ質量分析計（ＩＣＰ－ＭＳ）で定量することができない場合を意味する。
　上記のエッチング選択性の効果が十分に奏されるためには、エッチングガスが含有する銅、亜鉛、マンガン、コバルト、及びケイ素の濃度の和は、５０００質量ｐｐｂ以下である必要があるが、１０００質量ｐｐｂ以下であることが好ましく、１００質量ｐｐｂ以下であることがより好ましい。
　上記フルオロブテンの炭素－炭素二重結合の解離を生じにくくするためには、エッチングガスが含有する銅、亜鉛、マンガン、コバルト、及びケイ素の濃度は、それぞれ、１０００質量ｐｐｂ以下であることが好ましく、５００質量ｐｐｂ以下であることがより好ましい。
　なお、銅、亜鉛、マンガン、コバルト及びケイ素の濃度の和は、１質量ｐｐｂ以上であってもよい。
　エッチングガス中の銅、亜鉛、マンガン、コバルト、ケイ素等の金属不純物の濃度は、誘導結合プラズマ質量分析計（ＩＣＰ－ＭＳ）で定量することができる。
　より高いエッチング選択性を実現するためには、エッチングガス中の銅、亜鉛、マンガン、コバルト、及びケイ素の濃度とともに、アルカリ金属及びアルカリ土類金属の濃度も低濃度とすることが好ましい。すなわち、エッチングガスが、銅、亜鉛、マンガン、コバルト、及びケイ素のうち少なくとも一種を金属不純物として含有するか又は含有せず、前記含有する場合の銅、亜鉛、マンガン、コバルト、及びケイ素の濃度の和が５０００質量ｐｐｂ以下であることに加えて、アルカリ金属及びアルカリ土類金属のうち少なくとも一種を前記金属不純物としてさらに含有するか又は含有せず、前記含有する場合の銅、亜鉛、マンガン、コバルト、及びケイ素、並びに、アルカリ金属及びアルカリ土類金属の濃度の総和が１００００質量ｐｐｂ以下であることが好ましく、５０００質量ｐｐｂ以下であることがより好ましく、１０００質量ｐｐｂ以下であることがさらに好ましい。
　なお、銅、亜鉛、マンガン、コバルト及びケイ素、並びに、アルカリ金属及びアルカリ土類金属の濃度の総和は、２質量ｐｐｂ以上であってもよい。
　アルカリ金属としてはリチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｓ）、フランシウム（Ｆｒ）が挙げられ、アルカリ土類金属としてはベリリウム（Ｂｅ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）、ラジウム（Ｒａ）が挙げられる。
　さらに、より高いエッチング選択性を実現するためには、エッチングガス中の銅、亜鉛、マンガン、コバルト、及びケイ素の濃度並びにアルカリ金属及びアルカリ土類金属の濃度とともに、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、及び鉛（Ｐｂ）の濃度も低濃度とすることが好ましい。
　すなわち、エッチングガスが、銅、亜鉛、マンガン、コバルト、及びケイ素のうち少なくとも一種と、アルカリ金属及びアルカリ土類金属のうち少なくとも一種とを金属不純物として含有するとともに、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタル、タングステン、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、白金、銀、金、カドミウム、スズ、及び鉛のうち少なくとも一種を金属不純物としてさらに含有する場合には、含有するこれら全ての金属不純物の濃度の和は１５０００質量ｐｐｂ以下であることが好ましく、１００００質量ｐｐｂ以下であることがより好ましく、５０００質量ｐｐｂ以下であることがさらに好ましい。
　さらに、より高いエッチング選択性を実現するためには、エッチングガス中の銅、亜鉛、マンガン、コバルト、及びケイ素の濃度、アルカリ金属及びアルカリ土類金属の濃度、並びに、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタル、タングステン、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、白金、銀、金、カドミウム、スズ、及び鉛の濃度とともに、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、及びアンチモン（Ｓｂ）の濃度も低濃度とすることが好ましい。
　すなわち、エッチングガスが、銅、亜鉛、マンガン、コバルト、及びケイ素のうち少なくとも一種と、アルカリ金属及びアルカリ土類金属のうち少なくとも一種と、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタル、タングステン、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、白金、銀、金、カドミウム、スズ、及び鉛のうち少なくとも一種とを金属不純物として含有するとともに、クロム、モリブデン、鉄、ニッケル、アルミニウム、及びアンチモンのうち少なくとも一種を金属不純物としてさらに含有する場合には、含有するこれら全ての金属不純物の濃度の和は２００００質量ｐｐｂ以下であることが好ましく、１５０００質量ｐｐｂ以下であることがより好ましく、１００００質量ｐｐｂ以下であることがさらに好ましい。
　上記した金属不純物は、金属単体、金属化合物、金属ハロゲン化物、金属錯体としてエッチングガス中に含有されている場合がある。エッチングガス中における金属不純物の形態としては、微粒子、液滴、気体等が挙げられる。なお、銅、亜鉛、マンガン、コバルト、及びケイ素は、上記フルオロブテンを合成する際に使用する原料、触媒、反応器、精製装置等に由来してエッチングガスに混入すると考えられる。
　上記フルオロブテンから上記金属不純物を除去する方法（金属不純物除去工程において採用される不純物除去方法）としては、例えば、上記フルオロブテンをフィルターに通過させる方法、吸着剤を接触させる方法、蒸留で分離する方法等がある。そして、具体的には、例えば、ステンレス製シリンダーに上記フルオロブテンを封入し、０℃程度に保持した状態で、後述の実施例に記載の方法によって気相部を抜き出すことで、上記金属不純物の濃度が低下したフルオロブテンを得ることができる。このような金属不純物除去工程によって、エッチングガスが含有するアルカリ金属及びアルカリ土類金属の濃度の和を５０００質量ｐｐｂ以下とした後に、後述のエッチング工程を行うことが好ましい。
〔エッチング工程の圧力条件〕
　本実施形態に係るエッチング方法におけるエッチング工程の圧力条件は特に限定されるものではないが、１０Ｐａ以下とすることが好ましく、５Ｐａ以下とすることがより好ましい。圧力条件が上記の範囲内であれば、プラズマを安定して発生させやすい。一方、エッチング工程の圧力条件は０．０５Ｐａ以上であることが好ましい。圧力条件が上記の範囲内であれば、電離イオンが多く発生し十分なプラズマ密度が得られやすい。
　エッチングガスの流量は、チャンバーの大きさやチャンバー内を減圧する排気設備の能力に応じて、チャンバー内の圧力が一定に保たれるように適宜設定すればよい。
〔エッチング工程の温度条件〕
　本実施形態に係るエッチング方法におけるエッチング工程の温度条件は特に限定されるものではないが、高いエッチング選択性を得るためには２００℃以下とすることが好ましく、マスク等の非エッチング対象物がエッチングされることをより抑制するためには１５０℃以下とすることがより好ましく、異方性エッチングを行うためには１００℃以下とすることがさらに好ましい。ここで、温度条件の温度とは、被エッチング部材の温度であるが、エッチング装置のチャンバー内に設置された、被エッチング部材を支持するステージの温度を使用することもできる。
　上記のフルオロブテンは、２００℃以下の温度では、マスク等の非エッチング対象物とほとんど反応しない。そのため、本実施形態に係るエッチング方法によって被エッチング部材をエッチングすれば、非エッチング対象物をほとんどエッチングすることなくエッチング対象物を選択的にエッチングすることができる。よって、本実施形態に係るエッチング方法は、パターニングされた非エッチング対象物をレジスト又はマスクとして利用して、ケイ素を含有するエッチング対象物を所定の形状へ加工する方法などに利用可能である。
　さらに、エッチング対象物及び非エッチング対象物の温度が２００℃以下であれば、エッチング選択性が高くなりやすい。例えば、非エッチング対象物のエッチング速度に対するケイ素を含有するエッチング対象物のエッチング速度の比であるエッチング選択比が、１０以上となりやすい。
　エッチングを行う際に発生させるプラズマと被エッチング部材との間の電位差を構成するバイアスパワーについては、所望するエッチング形状により０～１００００Ｗから選択すればよく、選択的にエッチングを行う場合は０～１０００Ｗ程度が好ましい。この電位差によって、異方性エッチングを行うことができる。
〔被エッチング部材〕
　本実施形態に係るエッチング方法によりエッチングする被エッチング部材は、エッチング対象物と非エッチング対象物を有するが、エッチング対象物で形成されている部分と非エッチング対象物で形成されている部分とを有する部材でもよいし、エッチング対象物と非エッチング対象物の混合物で形成されている部材でもよい。また、被エッチング部材は、エッチング対象物、非エッチング対象物以外のものを有していてもよい。
　また、被エッチング部材の形状は特に限定されるものではなく、例えば、板状、箔状、膜状、粉末状、塊状であってもよい。被エッチング部材の例としては、前述した半導体基板が挙げられる。
〔エッチング対象物〕
　エッチング対象物は、ケイ素を含有する材料のみで形成されているものであってもよいし、ケイ素を含有する材料のみで形成されている部分と他の材質で形成されている部分とを有するものであってもよいし、ケイ素を含有する材料と他の材質の混合物で形成されているものであってもよい。ケイ素を含有する材料としては、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリシリコン、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）が挙げられる。
　酸化ケイ素の例としては、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）が挙げられる。また、窒化ケイ素とは、ケイ素及び窒素を任意の割合で有する化合物を指し、例としてはＳｉ3Ｎ4を挙げることができる。窒化ケイ素の純度は特に限定されないが、好ましくは３０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、さらに好ましくは９０質量％以上である。
　また、エッチング対象物の形状は、特に限定されるものではなく、例えば、板状、箔状、膜状、粉末状、塊状であってもよい。
〔非エッチング対象物〕
　非エッチング対象物は、上記のフルオロブテンと実質的に反応しないか、又は、上記のフルオロブテンとの反応が極めて遅いため、本実施形態に係るエッチング方法によりエッチングを行っても、エッチングがほとんど進行しないものである。非エッチング対象物は、上記のような性質を有するならば特に限定されるものではないが、例えば、フォトレジスト、アモルファスカーボン、窒化チタンや、銅、ニッケル、コバルト等の金属や、これら金属の酸化物、窒化物が挙げられる。これらの中でも、取扱性及び入手容易性の観点から、フォトレジスト、アモルファスカーボンがより好ましい。
　フォトレジストは、溶解性をはじめとする物性が光や電子線などによって変化する感光性の組成物のことを意味する。例えば、ｇ線用、ｈ線用、ｉ線用、ＫｒＦ用、ＡｒＦ用、Ｆ２用、ＥＵＶ用などのフォトレジストが挙げられる。フォトレジストの組成は、半導体製造工程で一般的に使用されるものであれば特に限定されるものではないが、例えば、鎖状オレフィン、環状オレフィン、スチレン、ビニルフェノール、アクリル酸、メタクリレート、エポキシ、メラミン、及びグリコールから選ばれる少なくとも一種のモノマーから合成されるポリマーを含有する組成物が挙げられる。
　また、非エッチング対象物は、エッチングガスによるエッチング対象物のエッチングを抑制するためのレジスト又はマスクとして使用することができる。よって、本実施形態に係るエッチング方法は、パターニングされた非エッチング対象物をレジスト又はマスクとして利用して、エッチング対象物を所定の形状に加工する（例えば、被エッチング部材が有する膜状のエッチング対象物を所定の膜厚に加工する）などの方法に利用することができるので、半導体素子の製造に対して好適に使用可能である。また、非エッチング対象物がほとんどエッチングされないので、半導体素子のうち本来エッチングされるべきでない部分がエッチングされることを抑制することができ、エッチングにより半導体素子の特性が失われることを防止することができる。
　なお、パターニング後に残った非エッチング対象物は、半導体素子製造工程で一般的に用いられる除去方法により除去可能である。例えば、酸素プラズマやオゾンなどの酸化性ガスによるアッシングや、ＡＰＭ（アンモニア水と過酸化水素水の混合液）、ＳＰＭ（硫酸と過酸化水素水の混合液）や有機溶剤などの薬液を用いる溶解除去が挙げられる。
　次に、図１を参照しながら、本実施形態に係るエッチング方法を実施可能なエッチング装置の構成の一例と、該エッチング装置を用いたエッチング方法の一例を説明する。図１のエッチング装置は、プラズマを用いてエッチングを行うプラズマエッチング装置である。まず、図１のエッチング装置について説明する。
　図１のエッチング装置は、内部でエッチングが行われるチャンバー１０と、チャンバー１０の内部にプラズマを生成するプラズマ発生装置（図示せず）と、エッチングする被エッチング部材１２をチャンバー１０の内部に支持するステージ１１と、被エッチング部材１２の温度を測定する温度計１４と、チャンバー１０の内部のガスを排出するための排気用配管１３と、排気用配管１３に設けられチャンバー１０の内部を減圧する真空ポンプ１５と、チャンバー１０の内部の圧力を測定する圧力計１６と、を備えている。
　プラズマ発生装置のプラズマ生成機構の種類は特に限定されるものではなく、平行板に高周波電圧をかけるものであってもよいし、コイルに高周波電流を流すものであってもよい。プラズマ中で被エッチング部材１２に高周波電圧をかけると被エッチング部材１２に負の電圧がかかり、プラスイオンが被エッチング部材１２に高速且つ垂直に入射するので、異方性エッチングが可能となる。
　また、図１のエッチング装置は、チャンバー１０の内部にエッチングガスを供給するエッチングガス供給部を備えている。このエッチングガス供給部は、フルオロブテンのガスを供給するフルオロブテンガス供給部１と、希釈ガスを供給する希釈ガス供給部２と、フルオロブテンガス供給部１とチャンバー１０を接続するフルオロブテンガス供給用配管５と、フルオロブテンガス供給用配管５の中間部に希釈ガス供給部２を接続する希釈ガス供給用配管６と、を有している。
　さらに、フルオロブテンガス供給用配管５には、フルオロブテンガスの圧力を制御するフルオロブテンガス圧力制御装置７と、フルオロブテンガスの流量を制御するフルオロブテンガス流量制御装置３と、が設けられている。さらに、希釈ガス供給用配管６には、希釈ガスの圧力を制御する希釈ガス圧力制御装置８と、希釈ガスの流量を制御する希釈ガス流量制御装置４と、が設けられている。なお、希釈ガス供給部２、希釈ガス流量制御装置４、希釈ガス供給用配管６、希釈ガス圧力制御装置８と同様の形態で、添加ガスを供給する設備を併設してもよい（図示せず）。
　そして、エッチングガスとしてフルオロブテンガスをチャンバー１０に供給する場合には、チャンバー１０の内部を真空ポンプ１５で減圧した上で、フルオロブテンガス供給部１からフルオロブテンガス供給用配管５にフルオロブテンガスを送り出すことにより、フルオロブテンガス供給用配管５を介してフルオロブテンガスがチャンバー１０に供給されるようになっている。
　また、エッチングガスとしてフルオロブテンガスと不活性ガス等の希釈ガスとの混合ガスを供給する場合には、チャンバー１０の内部を真空ポンプ１５で減圧した上で、フルオロブテンガス供給部１からフルオロブテンガス供給用配管５にフルオロブテンガスを送り出すとともに、希釈ガス供給部２からフルオロブテンガス供給用配管５に希釈ガス供給用配管６を介して希釈ガスを送り出す。これにより、フルオロブテンガス供給用配管５の中間部においてフルオロブテンガスと希釈ガスが混合されて混合ガスとなり、この混合ガスがフルオロブテンガス供給用配管５を介してチャンバー１０に供給されるようになっている。
　なお、フルオロブテンガス供給部１及び希釈ガス供給部２の構成は特に限定されるものではなく、例えば、ボンベやシリンダーなどであってもよい。また、フルオロブテンガス流量制御装置３及び希釈ガス流量制御装置４としては、例えば、マスフローコントローラーやフローメーターなどが利用できる。
　エッチングガスをチャンバー１０へ供給する際には、エッチングガスの供給圧力（すなわち、図１におけるフルオロブテンガス圧力制御装置７の値）を所定値に保持しつつ供給することが好ましい。すなわち、エッチングガスの供給圧力は、１Ｐａ以上０．２ＭＰａ以下とすることが好ましく、１０Ｐａ以上０．１ＭＰａ以下とすることがより好ましく、５０Ｐａ以上５０ｋＰａ以下とすることがさらに好ましい。エッチングガスの供給圧力が上記範囲内であれば、チャンバー１０へのエッチングガスの供給が円滑に行われるとともに、図１のエッチング装置が有する部品（例えば、前記各種装置や前記配管）に対する負荷が小さい。
　また、チャンバー１０内に供給されたエッチングガスの圧力は、被エッチング部材１２の表面を均一にエッチングするという観点から、１Ｐａ以上８０ｋＰａ以下であることが好ましく、１０Ｐａ以上５０ｋＰａ以下であることがより好ましく、１００Ｐａ以上２０ｋＰａ以下がさらに好ましい。チャンバー１０内のエッチングガスの圧力が上記範囲内であれば、十分なエッチング速度が得られるとともに、エッチング選択比が高くなりやすい。
　エッチングガスを供給する以前のチャンバー１０内の圧力は、エッチングガスの供給圧力以下、又は、エッチングガスの供給圧力よりも低圧であれば特に限定されるものではないが、例えば、１０-5Ｐａ以上１０ｋＰａ未満であることが好ましく、１Ｐａ以上２ｋＰａ以下であることがより好ましい。
　エッチングガスの供給圧力と、エッチングガスを供給する以前のチャンバー１０内の圧力との差圧は、０．５ＭＰａ以下であることが好ましく、０．３ＭＰａ以下であることがより好ましく、０．１ＭＰａ以下であることがさらに好ましい。差圧が上記範囲内であれば、チャンバー１０へのエッチングガスの供給が円滑に行われやすい。
　エッチングガスをチャンバー１０へ供給する際には、エッチングガスの温度を所定値に保持しつつ供給することが好ましい。すなわち、エッチングガスの供給温度は、０℃以上１５０℃以下であることが好ましい。
　エッチングの処理時間（以下、「エッチング時間」と記すこともある）は、被エッチング部材１２が有するエッチング対象物をどの程度エッチングしたいかによって任意に設定できるが、半導体素子製造プロセスの生産効率を考慮すると、６０分以内であることが好ましく、４０分以内であることがより好ましく、２０分以内であることがさらに好ましい。なお、エッチングの処理時間とは、チャンバー１０の内部において、エッチングガスを被エッチング部材１２に接触させている時間を指す。
　本実施形態に係るエッチング方法は、図１のエッチング装置のような、半導体素子製造工程に使用される一般的なプラズマエッチング装置を用いて行うことができ、使用可能なエッチング装置の構成は特に限定されない。
　例えば、フルオロブテンガス供給用配管５と被エッチング部材１２との位置関係は、エッチングガスを被エッチング部材１２に接触させることができるならば、特に限定されない。また、チャンバー１０の温度調節機構の構成についても、被エッチング部材１２の温度を任意の温度に調節できればよいので、ステージ１１上に温度調節機構を直接備える構成でもよいし、外付けの温度調節器でチャンバー１０の外側からチャンバー１０に加温又は冷却を行ってもよい。
　また、図１のエッチング装置の材質は、使用するフルオロブテンに対する耐腐食性を有し、且つ、所定の圧力に減圧できるものであれば特に限定されない。例えば、エッチングガスに接触する部分には、ニッケル、ニッケル基合金、アルミニウム、ステンレス鋼、白金、銅、コバルト等の金属や、アルミナ等のセラミックや、フッ素樹脂等を使用することができる。
　ニッケル基合金の具体例としては、インコネル（登録商標）、ハステロイ（登録商標）、モネル（登録商標）等が挙げられる。また、フッ素樹脂としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、四フッ化エチレン・パーフルオロアルコキシエチレン共重合体（ＰＦＡ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、テフロン（登録商標）、バイトン（登録商標）、カルレッツ（登録商標）等が挙げられる。
　以下に実施例及び比較例を示して、本発明をさらに具体的に説明する。金属不純物を種々の濃度で含有するフルオロブテンを調製した。フルオロブテンの調製例を以下に説明する。
（調製例１）
　マンガン鋼製の容量１Ｌのシリンダーを５個用意した。それらシリンダーを順に、シリンダーＡ、シリンダーＢ、シリンダーＣ、シリンダーＤ、シリンダーＥと呼ぶ。シリンダーＡには１，１，１，４，４，４－ヘキサフルオロ－２－ブテン（沸点：９℃）５００ｇを充填し、０℃に冷却することにより液化させ、ほぼ１００ｋＰａの状態で液相部と気相部とを形成させた。シリンダーＢ、Ｃ、Ｄ、Ｅは、真空ポンプで内部を１ｋＰａ以下に減圧した後に－７８℃に冷却した。
　シリンダーＡの気相部が存在している上側出口から１，１，１，４，４，４－ヘキサフルオロ－２－ブテンのガス４００ｇを抜き出し、減圧状態のシリンダーＢへ移送した。シリンダーＡに残った１，１，１，４，４，４－ヘキサフルオロ－２－ブテン１００ｇを、サンプル１－１とする。その後、シリンダーＡに残存している１，１，１，４，４，４－ヘキサフルオロ－２－ブテンのガスを上側出口から抜き出し、誘導結合プラズマ質量分析計で各種金属不純物の濃度を測定した。結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　次に、シリンダーＢを約０℃に昇温して液相部と気相部とを形成させ、シリンダーＢの気相部が存在している上側出口から１，１，１，４，４，４－ヘキサフルオロ－２－ブテンのガス３００ｇを抜き出し、減圧状態のシリンダーＣへ移送した。シリンダーＢに残った１，１，１，４，４，４－ヘキサフルオロ－２－ブテン１００ｇを、サンプル１－２とする。その後、シリンダーＢに残存している１，１，１，４，４，４－ヘキサフルオロ－２－ブテンのガスを上側出口から抜き出し、誘導結合プラズマ質量分析計で各種金属不純物の濃度を測定した。結果を表１に示す。
　次に、シリンダーＣを約０℃に昇温して液相部と気相部とを形成させ、シリンダーＣの気相部が存在している上側出口から１，１，１，４，４，４－ヘキサフルオロ－２－ブテンのガス２００ｇを抜き出し、減圧状態のシリンダーＤへ移送した。シリンダーＣに残った１，１，１，４，４，４－ヘキサフルオロ－２－ブテン１００ｇを、サンプル１－３とする。その後、シリンダーＣに残存している１，１，１，４，４，４－ヘキサフルオロ－２－ブテンのガスを上側出口から抜き出し、誘導結合プラズマ質量分析計で各種金属不純物の濃度を測定した。結果を表１に示す。
　次に、シリンダーＤを約０℃に昇温して液相部と気相部とを形成させ、シリンダーＤの気相部が存在している上側出口から１，１，１，４，４，４－ヘキサフルオロ－２－ブテンのガス１００ｇを抜き出し、減圧状態のシリンダーＥへ移送した。シリンダーＤに残った１，１，１，４，４，４－ヘキサフルオロ－２－ブテン１００ｇを、サンプル１－４とする。その後、シリンダーＤに残存している１，１，１，４，４，４－ヘキサフルオロ－２－ブテンのガスを上側出口から抜き出し、誘導結合プラズマ質量分析計で各種金属不純物の濃度を測定した。結果を表１に示す。
　また、シリンダーＥ内の１，１，１，４，４，４－ヘキサフルオロ－２－ブテン１００ｇを、サンプル１－５とする。シリンダーＥの気相部が存在している上側出口から１，１，１，４，４，４－ヘキサフルオロ－２－ブテンのガスを抜き出し、誘導結合プラズマ質量分析計で各種金属不純物の濃度を測定した。結果を表１に示す。
（調製例２）
　フルオロブテンとして１，１，１，２，４，４，４－ヘプタフルオロ－２－ブテンを使用した点以外は、調製例１と同様の操作を行って、サンプル２－１～２－５を調製した。そして、それぞれのサンプルの各種金属不純物の濃度を誘導結合プラズマ質量分析計で測定した。結果を表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
（調製例３）
　フルオロブテンとして３，３，４，４，４－ペンタフルオロ－１－ブテンを使用した点以外は、調製例１と同様の操作を行って、サンプル３－１～３－５を調製した。そして、それぞれのサンプルの各種金属不純物の濃度を誘導結合プラズマ質量分析計で測定した。結果を表３に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
（調製例４）
　フルオロブテンとして２，３，３，４，４，４－ヘキサフルオロ－１－ブテンを使用した点以外は、調製例１と同様の操作を行って、サンプル４－１～４－５を調製した。そして、それぞれのサンプルの各種金属不純物の濃度を誘導結合プラズマ質量分析計で測定した。結果を表４に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
（実施例１）
　半導体ウェハの表面上に、厚さ１０００ｎｍのシリコン酸化膜と、厚さ１０００ｎｍのシリコン窒化膜と、厚さ１０００ｎｍのフォトレジスト膜とを、積層せず、それぞれ表面に露出するように形成して、これを試験体とした。そして、サンプル１－５の１，１，１，４，４，４－ヘキサフルオロ－２－ブテンを用いて、試験体のエッチングを行った。
　エッチング装置としては、サムコ株式会社製のＩＣＰエッチング装置ＲＩＥ－２３０ｉＰを使用した。具体的には、サンプル１－５の１，１，１，４，４，４－ヘキサフルオロ－２－ブテンを流量１０ｍＬ／ｍｉｎで、酸素ガスを流量１０ｍＬ／ｍｉｎで、アルゴンを流量３０ｍＬ／ｍｉｎでそれぞれ独立してチャンバー内に導入して、チャンバー内でエッチングガスを調製し、高周波電圧を５００Ｗで印加して、チャンバー内でエッチングガスをプラズマ化した。そして、圧力３Ｐａ、温度２０℃、バイアスパワー１００Ｗのエッチング条件で、チャンバー内の試験体のエッチングを行った。
　エッチングが終了したら、チャンバー内から試験体を取り出して、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、及びフォトレジスト膜の厚さを測定し、エッチング前の各膜からの厚さの減少量を算出した。この減少量をエッチング時間で除することにより、それぞれの膜のエッチング速度を算出した。その結果、フォトレジスト膜のエッチング速度が１ｎｍ／ｍｉｎ未満、シリコン酸化膜のエッチング速度が６４ｎｍ／ｍｉｎ、シリコン窒化膜のエッチング速度が５７ｎｍ／ｍｉｎであった。この結果から、エッチング対象物であるシリコン酸化膜とシリコン窒化膜が、非エッチング対象物であるフォトレジスト膜に比べて選択的にエッチングされることが確認された。
（実施例２～１６及び比較例１～４）
　実施例２～１６及び比較例１～４におけるエッチング条件及びエッチング結果を、実施例１との対比で、表５に示す。すなわち、表５に示した条件以外は、実施例１と同等の条件でエッチングを行った。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
　上記の実施例の結果から、エッチングガスが含有する銅、亜鉛、マンガン、コバルト、及びケイ素の濃度の和が小さいと、非エッチング対象物に比べてエッチング対象物が選択的にエッチングされ、エッチング選択比が１０以上となることが分かる。一方、上記の比較例の結果から、エッチングガスが含有する銅、亜鉛、マンガン、コバルト、及びケイ素の濃度の和が大きいと、エッチング対象物の非エッチング対象物に対するエッチング選択性が低下し、エッチング選択比が１０未満となることが分かる。
　　　１・・・フルオロブテンガス供給部
　　　２・・・希釈ガス供給部
　　　３・・・フルオロブテンガス流量制御装置
　　　４・・・希釈ガス流量制御装置
　　　５・・・フルオロブテンガス供給用配管
　　　６・・・希釈ガス供給用配管
　　　７・・・フルオロブテンガス圧力制御装置
　　　８・・・希釈ガス圧力制御装置
　　１０・・・チャンバー
　　１１・・・ステージ
　　１２・・・被エッチング部材
　　１３・・・排気用配管
　　１４・・・温度計
　　１５・・・真空ポンプ
　　１６・・・圧力計

Claims (9)

  1. 　一般式Ｃ4ＨxＦyで表され且つ前記一般式中のｘが１以上７以下、ｙが１以上７以下、ｘ＋ｙが８であるフルオロブテンを含有するエッチングガスであって、
    　銅、亜鉛、マンガン、コバルト、及びケイ素のうち少なくとも一種を金属不純物として含有するか又は含有せず、前記含有する場合の銅、亜鉛、マンガン、コバルト、及びケイ素の濃度の和が５０００質量ｐｐｂ以下であるエッチングガス。
  2. 　アルカリ金属及びアルカリ土類金属のうち少なくとも一種を前記金属不純物としてさらに含有するか又は含有せず、前記含有する場合の銅、亜鉛、マンガン、コバルト、及びケイ素、並びに、アルカリ金属及びアルカリ土類金属の濃度の総和が１００００質量ｐｐｂ以下である請求項１に記載のエッチングガス。
  3. 　前記アルカリ金属がリチウム、ナトリウム、及びカリウムのうち少なくとも一種であり、前記アルカリ土類金属がマグネシウム及びカルシウムの少なくとも一方である請求項２に記載のエッチングガス。
  4. 　前記フルオロブテンが１，１，１，４，４，４－ヘキサフルオロ－２－ブテン、１，１，１，２，４，４，４－ヘプタフルオロ－２－ブテン、３，３，４，４，４－ペンタフルオロ－１－ブテン、及び２，３，３，４，４，４－ヘキサフルオロ－１－ブテンから選ばれる少なくとも１つである請求項１～３のいずれか一項に記載のエッチングガス。
  5. 　請求項１～４のいずれか一項に記載のエッチングガスを、前記エッチングガスによるエッチングの対象であるエッチング対象物と前記エッチングガスによるエッチングの対象ではない非エッチング対象物とを有する被エッチング部材に接触させ、前記非エッチング対象物に比べて前記エッチング対象物を選択的にエッチングするエッチング工程を備え、前記エッチング対象物がケイ素を含有するエッチング方法。
  6. 　前記エッチングガスが含有する銅、亜鉛、マンガン、コバルト、及びケイ素の濃度の和を５０００質量ｐｐｂ以下とする金属不純物除去工程を、前記エッチング工程の前に備える請求項５に記載のエッチング方法。
  7. 　前記エッチングガスが、前記フルオロブテンのみからなるガス、又は、前記フルオロブテンと希釈ガスを含有する混合ガスである請求項５又は請求項６に記載のエッチング方法。
  8. 　前記希釈ガスが、窒素ガス、ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトン、及びキセノンから選ばれる少なくとも一種である請求項７に記載のエッチング方法。
  9. 　請求項５～８のいずれか一項に記載のエッチング方法を用いて半導体素子を製造する半導体素子の製造方法であって、
    　前記被エッチング部材が、前記エッチング対象物及び前記非エッチング対象物を有する半導体基板であり、
    　前記半導体基板から前記エッチング対象物の少なくとも一部を前記エッチングにより除去する処理工程を備える半導体素子の製造方法。
PCT/JP2021/037422 2020-10-15 2021-10-08 エッチングガス、エッチング方法、及び半導体素子の製造方法 Ceased WO2022080268A1 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202180070326.XA CN116325089A (zh) 2020-10-15 2021-10-08 蚀刻气体、蚀刻方法以及半导体元件的制造方法
IL302057A IL302057A (en) 2020-10-15 2021-10-08 Etching gas, etching method, and method for producing semiconductor element
JP2022556926A JP7786388B2 (ja) 2020-10-15 2021-10-08 エッチングガス、エッチング方法、及び半導体素子の製造方法
KR1020237011836A KR20230061542A (ko) 2020-10-15 2021-10-08 에칭 가스, 에칭 방법, 및 반도체 소자의 제조 방법
EP21880007.6A EP4231332A4 (en) 2020-10-15 2021-10-08 Etching gas, etching method, and method for producing semiconductor element
US18/031,816 US20230386850A1 (en) 2020-10-15 2021-10-08 Etching gas, etching method, and method for producing semiconductor device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020173915 2020-10-15
JP2020-173915 2021-10-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2022080268A1 true WO2022080268A1 (ja) 2022-04-21

Family

ID=81208185

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2021/037422 Ceased WO2022080268A1 (ja) 2020-10-15 2021-10-08 エッチングガス、エッチング方法、及び半導体素子の製造方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20230386850A1 (ja)
EP (1) EP4231332A4 (ja)
JP (1) JP7786388B2 (ja)
KR (1) KR20230061542A (ja)
CN (1) CN116325089A (ja)
IL (1) IL302057A (ja)
TW (1) TWI798870B (ja)
WO (1) WO2022080268A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102938468B1 (ko) 2022-06-21 2026-03-11 세메스 주식회사 식각 가스 조성물, 기판 처리 장치, 및 이를 이용한 패턴 형성 방법

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102919972B1 (ko) * 2022-06-21 2026-01-28 세메스 주식회사 식각 가스 조성물, 기판 처리 장치, 및 이를 이용한 패턴 형성 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014185111A (ja) * 2013-03-25 2014-10-02 Nippon Zeon Co Ltd 高純度２，２−ジフルオロブタン
JP2015533029A (ja) * 2012-10-30 2015-11-16 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 高アスペクト比酸化物エッチング用のフルオロカーボン分子
JP2017092357A (ja) * 2015-11-16 2017-05-25 セントラル硝子株式会社 ドライエッチングガスおよびドライエッチング方法
WO2017169809A1 (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 日本ゼオン株式会社 フィルターおよびその製造方法、並びに、ドライエッチング用装置およびドライエッチング方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009041560A1 (ja) * 2007-09-28 2009-04-02 Zeon Corporation プラズマエッチング方法
JP6788176B2 (ja) * 2015-04-06 2020-11-25 セントラル硝子株式会社 ドライエッチングガスおよびドライエッチング方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015533029A (ja) * 2012-10-30 2015-11-16 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 高アスペクト比酸化物エッチング用のフルオロカーボン分子
JP2014185111A (ja) * 2013-03-25 2014-10-02 Nippon Zeon Co Ltd 高純度２，２−ジフルオロブタン
JP2017092357A (ja) * 2015-11-16 2017-05-25 セントラル硝子株式会社 ドライエッチングガスおよびドライエッチング方法
WO2017169809A1 (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 日本ゼオン株式会社 フィルターおよびその製造方法、並びに、ドライエッチング用装置およびドライエッチング方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP4231332A4 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102938468B1 (ko) 2022-06-21 2026-03-11 세메스 주식회사 식각 가스 조성물, 기판 처리 장치, 및 이를 이용한 패턴 형성 방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP4231332A1 (en) 2023-08-23
TW202231612A (zh) 2022-08-16
KR20230061542A (ko) 2023-05-08
JPWO2022080268A1 (ja) 2022-04-21
JP7786388B2 (ja) 2025-12-16
IL302057A (en) 2023-06-01
CN116325089A (zh) 2023-06-23
TWI798870B (zh) 2023-04-11
EP4231332A4 (en) 2024-11-13
US20230386850A1 (en) 2023-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI788052B (zh) 蝕刻氣體、蝕刻方法，及半導體元件之製造方法
JP7697466B2 (ja) エッチング方法及び半導体素子の製造方法
JP7786388B2 (ja) エッチングガス、エッチング方法、及び半導体素子の製造方法
WO2020230522A1 (ja) 金属除去方法、ドライエッチング方法、及び半導体素子の製造方法
WO2021171986A1 (ja) ドライエッチング方法、半導体素子の製造方法、及びクリーニング方法
JP7775835B2 (ja) エッチングガス及びその製造方法、並びに、エッチング方法、半導体素子の製造方法
CN116325090B (zh) 蚀刻气体及其制造方法、蚀刻方法以及半导体元件的制造方法
JP7677157B2 (ja) エッチング方法及び半導体素子の製造方法
TWI815331B (zh) 蝕刻氣體及其製造方法、蝕刻方法以及半導體元件之製造方法
WO2023017696A1 (ja) エッチング方法及び半導体素子の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 21880007

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2022556926

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20237011836

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 18031816

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2021880007

Country of ref document: EP

Effective date: 20230515

WWR Wipo information: refused in national office

Ref document number: 1020237011836

Country of ref document: KR

WWR Wipo information: refused in national office

Ref document number: 1020237011836

Country of ref document: KR