WO2022215902A1 - 비등을 이용한 열 관리 챔버를 포함하는 전자 장치 - Google Patents

비등을 이용한 열 관리 챔버를 포함하는 전자 장치 Download PDF

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WO2022215902A1
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thermal management
walls
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안요섭
구경하
문홍기
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Definitions

  • the following various embodiments relate to an electronic device, for example, to an electronic device including a thermal management chamber using boiling.
  • Boiling refers to the boiling of a liquid in a pool where it is standing still.
  • Heat transfer by boiling includes natural convection, a phase change caused by transient heat conduction of the liquid heated surface, microlayer evaporation, and transient microconvection ( transient micro convection).
  • transient micro-convection is a result of the wake of the bubble's movement away from the surface (eg, turbulent flow and convection driven by the bubble).
  • nuclear boiling is a type of boiling that occurs when the surface temperature is a certain amount higher than the saturated fluid temperature but the heat flux is less than the critical heat flux (CHF). Taking water as an example, nuclear boiling occurs when the temperature at the surface is about 10-30°C above the saturation temperature. Isolated bubbles form at the nucleation site and separate from the surface and induce significant fluid mixing near the surface, substantially increasing the convective heat transfer coefficient and heat flux.
  • CHF critical heat flux
  • the thermal management method using the boiling principle is different from the thermal management method using the evaporation principle.
  • evaporation In the case of evaporation, it operates at room temperature, uses only latent heat, and employs a wick structure using capillary force, whereas in the case of boiling, it operates at a boiling point, uses latent heat and convection, and uses a wick structure. It can have a simple structure without
  • dry-out occurs considerably, the liquid evaporates within a predetermined temperature range, and the liquid temperature decreases during evaporation because the liquid surface-oriented mechanism is used, but in the case of boiling, dry-out occurs relatively little
  • boiling occurs only at a specific temperature, and the liquid temperature is maintained during boiling because the entire liquid mechanism is used.
  • boiling principle may be more advantageous than using the evaporation principle.
  • evaporation which occurs when the space above the liquid is unsaturated
  • boiling occurs when the liquid internal pressure and external pressure are substantially equal. According to various embodiments, it is possible to provide an electronic device including a thermal management structure that effectively manages heat of the electronic device and maintains a uniform temperature distribution of the electronic device.
  • An electronic device includes a housing including a heat source and a thermal management chamber thermally coupled to the heat source, and a display positioned on the housing opposite the heat source, the thermal management chamber providing a working fluid wherein the thermal management chamber is configured to generate a bubble within the working fluid above a boiling threshold temperature of the working fluid, the thermal management chamber positioned adjacent the heat source and comprising a first hydrophilic surface a first wall having a first wall located opposite the first wall away from the heat source, a second wall having a second hydrophobic surface, and a plurality of third walls positioned between the first and second walls.
  • An electronic device may include a housing including a main body, a heat source, a thermal management chamber thermally coupled to the heat source and detachably coupled to the main body, and on the main body opposite to the heat source a display positioned; the thermal management chamber comprising: a first wall positioned adjacent to the heat source, the first wall having a first hydrophilic surface; a second wall having a surface, and a plurality of third walls positioned between the first wall and the second wall, the plurality of third walls being formed seamlessly with the main body, the housing comprising: It may further include a first joint for joining the first wall and the plurality of third walls.
  • An electronic device may include a housing including a main body, a heat source, a thermal management chamber thermally coupled to the heat source and detachably coupled to the main body, and on the main body opposite to the heat source a display positioned; the thermal management chamber comprising: a first wall positioned adjacent to the heat source, the first wall having a first hydrophilic surface; a second wall having a surface, and a plurality of third walls positioned between the first wall and the second wall, the second wall and the plurality of third walls being formed seamlessly, the housing comprising: , It may further include a first bonding portion for bonding at least a portion of the first wall and the plurality of third walls, and a second bonding portion bonding the main body and at least a portion of the plurality of third walls.
  • the thermal management structure for the electronic device Manufacture and applicability can be improved.
  • FIG. 1 is a block diagram of an electronic device in a network environment according to various embodiments of the present disclosure
  • FIG. 2A is a diagram of an electronic device in an unfolded form according to various embodiments of the present disclosure
  • 2B is a diagram of an electronic device in a folding form according to various embodiments of the present disclosure
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of a partial region (eg, a partial region viewed from C-C) of an electronic device (eg, the electronic device of FIG. 2A ) according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 4A is a perspective view of a first wall of a thermal management chamber according to one embodiment
  • FIG. 4B is a perspective view of a first wall of a thermal management chamber according to one embodiment.
  • 5A is a top view of a first wall of a thermal management chamber according to one embodiment.
  • Fig. 5b is a side view of the first wall of Fig. 5a;
  • 6A is a top view of a first wall of a thermal management chamber according to one embodiment.
  • Fig. 6b is a side view of the first wall of Fig. 6a;
  • FIG. 7A is a top view of a first wall of a thermal management chamber according to one embodiment.
  • Fig. 7b is a side view of the first wall of Fig. 7a;
  • FIG. 8A is a top view of a first wall of a thermal management chamber according to one embodiment.
  • Fig. 8b is a side view of the first wall of Fig. 8a;
  • 9A is a top view of a first wall of a thermal management chamber according to one embodiment.
  • 9B is a cross-sectional view of the first wall of FIG. 9A as viewed from 9B-9B.
  • 10A is a top view of a first wall of a thermal management chamber according to one embodiment.
  • 10B is a cross-sectional view of the first wall of FIG. 10A as viewed from 10B-10B.
  • FIG. 11 is a perspective view of a second wall of a thermal management chamber according to one embodiment
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of a partial region of an electronic device (eg, the electronic device of FIG. 3A ) according to another exemplary embodiment.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view of a partial region of an electronic device (eg, the electronic device of FIG. 3A ) according to another exemplary embodiment.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view of a partial region of an electronic device (eg, the electronic device of FIG. 3A ) according to another exemplary embodiment.
  • 15 is a cross-sectional view of a partial region of an electronic device (eg, the electronic device of FIG. 3A ) according to another exemplary embodiment.
  • 16 is a cross-sectional view of a partial region of an electronic device (eg, the electronic device of FIG. 3A ) according to another exemplary embodiment.
  • FIG. 17 and 18 are graphs illustrating heat flux and critical heat flux (CHF) performance for a first surface of a first wall of a thermal management chamber in accordance with one embodiment, wherein FIG. 17 displays critical heat flux (CHF); It is a graph, and FIG. 18 is a graph showing the nuclear boiling heat flux region in the graph of FIG. 17 .
  • CHF critical heat flux
  • an electronic device 101 communicates with an electronic device 102 through a first network 198 (eg, a short-range wireless communication network) or a second network 199 . It may communicate with at least one of the electronic device 104 and the server 108 through (eg, a long-distance wireless communication network). According to an embodiment, the electronic device 101 may communicate with the electronic device 104 through the server 108 .
  • a first network 198 eg, a short-range wireless communication network
  • a second network 199 e.g., a second network 199
  • the electronic device 101 may communicate with the electronic device 104 through the server 108 .
  • the electronic device 101 includes a processor 120 , a memory 130 , an input module 150 , a sound output module 155 , a display module 160 , an audio module 170 , and a sensor module ( 176), interface 177, connection terminal 178, haptic module 179, camera module 180, power management module 188, battery 189, communication module 190, subscriber identification module 196 , or an antenna module 197 .
  • at least one of these components eg, the connection terminal 178
  • some of these components are integrated into one component (eg, display module 160 ). can be
  • the processor 120 for example, executes software (eg, a program 140) to execute at least one other component (eg, a hardware or software component) of the electronic device 101 connected to the processor 120. It can control and perform various data processing or operations. According to an embodiment, as at least part of data processing or operation, the processor 120 stores a command or data received from another component (eg, the sensor module 176 or the communication module 190 ) into the volatile memory 132 . may be stored in , process commands or data stored in the volatile memory 132 , and store the result data in the non-volatile memory 134 .
  • software eg, a program 140
  • the processor 120 stores a command or data received from another component (eg, the sensor module 176 or the communication module 190 ) into the volatile memory 132 .
  • the processor 120 stores a command or data received from another component (eg, the sensor module 176 or the communication module 190 ) into the volatile memory 132 .
  • the processor 120 is a main processor 121 (eg, a central processing unit or an application processor) or a secondary processor 123 (eg, a graphic processing unit, a neural network processing unit) a neural processing unit (NPU), an image signal processor, a sensor hub processor, or a communication processor).
  • a main processor 121 eg, a central processing unit or an application processor
  • a secondary processor 123 eg, a graphic processing unit, a neural network processing unit
  • NPU neural processing unit
  • an image signal processor e.g., a sensor hub processor, or a communication processor.
  • the secondary processor 123 may, for example, act on behalf of the main processor 121 while the main processor 121 is in an inactive (eg, sleep) state, or when the main processor 121 is active (eg, executing an application). ), together with the main processor 121, at least one of the components of the electronic device 101 (eg, the display module 160, the sensor module 176, or the communication module 190) It is possible to control at least some of the related functions or states.
  • the auxiliary processor 123 eg, image signal processor or communication processor
  • the auxiliary processor 123 may include a hardware structure specialized for processing an artificial intelligence model.
  • Artificial intelligence models can be created through machine learning. Such learning may be performed, for example, in the electronic device 101 itself on which the artificial intelligence model is performed, or may be performed through a separate server (eg, the server 108).
  • the learning algorithm may include, for example, supervised learning, unsupervised learning, semi-supervised learning, or reinforcement learning, but in the above example not limited
  • the artificial intelligence model may include a plurality of artificial neural network layers.
  • Artificial neural networks include deep neural networks (DNNs), convolutional neural networks (CNNs), recurrent neural networks (RNNs), restricted boltzmann machines (RBMs), deep belief networks (DBNs), bidirectional recurrent deep neural networks (BRDNNs), It may be one of deep Q-networks or a combination of two or more of the above, but is not limited to the above example.
  • the artificial intelligence model may include, in addition to, or alternatively, a software structure in addition to the hardware structure.
  • the memory 130 may store various data used by at least one component of the electronic device 101 (eg, the processor 120 or the sensor module 176 ).
  • the data may include, for example, input data or output data for software (eg, the program 140 ) and instructions related thereto.
  • the memory 130 may include a volatile memory 132 or a non-volatile memory 134 .
  • the program 140 may be stored as software in the memory 130 , and may include, for example, an operating system 142 , middleware 144 , or an application 146 .
  • the input module 150 may receive a command or data to be used by a component (eg, the processor 120 ) of the electronic device 101 from the outside (eg, a user) of the electronic device 101 .
  • the input module 150 may include, for example, a microphone, a mouse, a keyboard, a key (eg, a button), or a digital pen (eg, a stylus pen).
  • the sound output module 155 may output a sound signal to the outside of the electronic device 101 .
  • the sound output module 155 may include, for example, a speaker or a receiver.
  • the speaker can be used for general purposes such as multimedia playback or recording playback.
  • the receiver can be used to receive incoming calls. According to an embodiment, the receiver may be implemented separately from or as a part of the speaker.
  • the display module 160 may visually provide information to the outside (eg, a user) of the electronic device 101 .
  • the display module 160 may include, for example, a control circuit for controlling a display, a hologram device, or a projector and a corresponding device.
  • the display module 160 may include a touch sensor configured to sense a touch or a pressure sensor configured to measure the intensity of a force generated by the touch.
  • the audio module 170 may convert a sound into an electric signal or, conversely, convert an electric signal into a sound. According to an embodiment, the audio module 170 acquires a sound through the input module 150 , or an external electronic device (eg, a sound output module 155 ) connected directly or wirelessly with the electronic device 101 .
  • the electronic device 102) eg, a speaker or headphones
  • the electronic device 102 may output a sound.
  • the sensor module 176 detects an operating state (eg, power or temperature) of the electronic device 101 or an external environmental state (eg, a user state), and generates an electrical signal or data value corresponding to the sensed state. can do.
  • the sensor module 176 may include, for example, a gesture sensor, a gyro sensor, a barometric pressure sensor, a magnetic sensor, an acceleration sensor, a grip sensor, a proximity sensor, a color sensor, an IR (infrared) sensor, a biometric sensor, It may include a temperature sensor, a humidity sensor, or an illuminance sensor.
  • the interface 177 may support one or more specified protocols that may be used by the electronic device 101 to directly or wirelessly connect with an external electronic device (eg, the electronic device 102 ).
  • the interface 177 may include, for example, a high definition multimedia interface (HDMI), a universal serial bus (USB) interface, an SD card interface, or an audio interface.
  • the connection terminal 178 may include a connector through which the electronic device 101 can be physically connected to an external electronic device (eg, the electronic device 102 ).
  • the connection terminal 178 may include, for example, an HDMI connector, a USB connector, an SD card connector, or an audio connector (eg, a headphone connector).
  • the haptic module 179 may convert an electrical signal into a mechanical stimulus (eg, vibration or movement) or an electrical stimulus that the user can perceive through tactile or kinesthetic sense.
  • the haptic module 179 may include, for example, a motor, a piezoelectric element, or an electrical stimulation device.
  • the camera module 180 may capture still images and moving images. According to an embodiment, the camera module 180 may include one or more lenses, image sensors, image signal processors, or flashes.
  • the power management module 188 may manage power supplied to the electronic device 101 .
  • the power management module 188 may be implemented as, for example, at least a part of a power management integrated circuit (PMIC).
  • PMIC power management integrated circuit
  • the battery 189 may supply power to at least one component of the electronic device 101 .
  • the battery 189 may include, for example, a non-rechargeable primary cell, a rechargeable secondary cell, or a fuel cell.
  • the communication module 190 is a direct (eg, wired) communication channel or a wireless communication channel between the electronic device 101 and an external electronic device (eg, the electronic device 102, the electronic device 104, or the server 108). It can support establishment and communication performance through the established communication channel.
  • the communication module 190 may include one or more communication processors that operate independently of the processor 120 (eg, an application processor) and support direct (eg, wired) communication or wireless communication.
  • the communication module 190 is a wireless communication module 192 (eg, a cellular communication module, a short-range wireless communication module, or a global navigation satellite system (GNSS) communication module) or a wired communication module 194 (eg, : It may include a local area network (LAN) communication module, or a power line communication module).
  • a wireless communication module 192 eg, a cellular communication module, a short-range wireless communication module, or a global navigation satellite system (GNSS) communication module
  • GNSS global navigation satellite system
  • wired communication module 194 eg, : It may include a local area network (LAN) communication module, or a power line communication module.
  • a corresponding communication module among these communication modules is a first network 198 (eg, a short-range communication network such as Bluetooth, wireless fidelity (WiFi) direct, or infrared data association (IrDA)) or a second network 199 (eg, legacy It may communicate with the external electronic device 104 through a cellular network, a 5G network, a next-generation communication network, the Internet, or a computer network (eg, a telecommunication network such as a LAN or a WAN).
  • a first network 198 eg, a short-range communication network such as Bluetooth, wireless fidelity (WiFi) direct, or infrared data association (IrDA)
  • a second network 199 eg, legacy It may communicate with the external electronic device 104 through a cellular network, a 5G network, a next-generation communication network, the Internet, or a computer network (eg, a telecommunication network such as a LAN or a WAN).
  • a telecommunication network
  • the wireless communication module 192 uses subscriber information (eg, International Mobile Subscriber Identifier (IMSI)) stored in the subscriber identification module 196 within a communication network such as the first network 198 or the second network 199 .
  • subscriber information eg, International Mobile Subscriber Identifier (IMSI)
  • IMSI International Mobile Subscriber Identifier
  • the electronic device 101 may be identified or authenticated.
  • the wireless communication module 192 may support a 5G network after a 4G network and a next-generation communication technology, for example, a new radio access technology (NR).
  • NR access technology includes high-speed transmission of high-capacity data (eMBB (enhanced mobile broadband)), minimization of terminal power and access to multiple terminals (mMTC (massive machine type communications)), or high reliability and low latency (URLLC (ultra-reliable and low-latency) -latency communications)).
  • eMBB enhanced mobile broadband
  • mMTC massive machine type communications
  • URLLC ultra-reliable and low-latency
  • the wireless communication module 192 may support a high frequency band (eg, mmWave band) to achieve a high data rate, for example.
  • a high frequency band eg, mmWave band
  • the wireless communication module 192 uses various techniques for securing performance in a high-frequency band, for example, beamforming, massive multiple-input and multiple-output (MIMO), all-dimensional multiplexing. It may support technologies such as full dimensional MIMO (FD-MIMO), an array antenna, analog beam-forming, or a large scale antenna.
  • the wireless communication module 192 may support various requirements defined in the electronic device 101 , an external electronic device (eg, the electronic device 104 ), or a network system (eg, the second network 199 ).
  • the wireless communication module 192 includes a peak data rate (eg, 20 Gbps or more) for realizing eMBB, loss coverage (eg, 164 dB or less) for realizing mMTC, or U-plane latency for realizing URLLC ( Example: Downlink (DL) and uplink (UL) each 0.5 ms or less, or round trip 1 ms or less) can be supported.
  • a peak data rate eg, 20 Gbps or more
  • loss coverage eg, 164 dB or less
  • U-plane latency for realizing URLLC
  • the antenna module 197 may transmit or receive a signal or power to the outside (eg, an external electronic device).
  • the antenna module 197 may include an antenna including a conductor formed on a substrate (eg, a PCB) or a radiator formed of a conductive pattern.
  • the antenna module 197 may include a plurality of antennas (eg, an array antenna). In this case, at least one antenna suitable for a communication method used in a communication network such as the first network 198 or the second network 199 is connected from the plurality of antennas by, for example, the communication module 190 . can be selected. A signal or power may be transmitted or received between the communication module 190 and an external electronic device through the selected at least one antenna.
  • other components eg, a radio frequency integrated circuit (RFIC)
  • RFIC radio frequency integrated circuit
  • the antenna module 197 may form a mmWave antenna module.
  • the mmWave antenna module comprises a printed circuit board, an RFIC disposed on or adjacent to a first side (eg, bottom side) of the printed circuit board and capable of supporting a designated high frequency band (eg, mmWave band); and a plurality of antennas (eg, an array antenna) disposed on or adjacent to a second side (eg, top or side) of the printed circuit board and capable of transmitting or receiving signals of the designated high frequency band. can do.
  • peripheral devices eg, a bus, general purpose input and output (GPIO), serial peripheral interface (SPI), or mobile industry processor interface (MIPI)
  • GPIO general purpose input and output
  • SPI serial peripheral interface
  • MIPI mobile industry processor interface
  • the command or data may be transmitted or received between the electronic device 101 and the external electronic device 104 through the server 108 connected to the second network 199 .
  • Each of the external electronic devices 102 or 104 may be the same as or different from the electronic device 101 .
  • all or part of the operations executed by the electronic device 101 may be executed by one or more external electronic devices 102 , 104 , or 108 .
  • the electronic device 101 may perform the function or service itself instead of executing the function or service itself.
  • one or more external electronic devices may be requested to perform at least a part of the function or the service.
  • One or more external electronic devices that have received the request may execute at least a part of the requested function or service, or an additional function or service related to the request, and transmit a result of the execution to the electronic device 101 .
  • the electronic device 101 may process the result as it is or additionally and provide it as at least a part of a response to the request.
  • cloud computing, distributed computing, mobile edge computing (MEC), or client-server computing technology may be used.
  • the electronic device 101 may provide an ultra-low latency service using, for example, distributed computing or mobile edge computing.
  • the external electronic device 104 may include an Internet of things (IoT) device.
  • the server 108 may be an intelligent server using machine learning and/or neural networks.
  • the external electronic device 104 or the server 108 may be included in the second network 199 .
  • the electronic device 101 may be applied to an intelligent service (eg, smart home, smart city, smart car, or health care) based on 5G communication technology and IoT-related technology.
  • the electronic device may be a device of various types.
  • the electronic device may include, for example, a portable communication device (eg, a smart phone), a computer device, a portable multimedia device, a portable medical device, a camera, a wearable device, or a home appliance device.
  • a portable communication device eg, a smart phone
  • a computer device e.g., a laptop, a desktop, a tablet, or a portable multimedia device
  • portable medical device e.g., a portable medical device
  • camera e.g., a camera
  • a wearable device e.g., a smart watch
  • a home appliance device e.g., a smart bracelet
  • first, second, or first or second may simply be used to distinguish an element from other elements in question, and may refer elements to other aspects (e.g., importance or order) is not limited. It is said that one (eg, first) component is “coupled” or “connected” to another (eg, second) component, with or without the terms “functionally” or “communicatively”. When referenced, it means that one component can be connected to the other component directly (eg by wire), wirelessly, or through a third component.
  • module used in various embodiments of the present document may include a unit implemented in hardware, software, or firmware, for example, and interchangeably with terms such as logic, logic block, component, or circuit.
  • a module may be an integrally formed part or a minimum unit or a part of the part that performs one or more functions.
  • the module may be implemented in the form of an application-specific integrated circuit (ASIC).
  • ASIC application-specific integrated circuit
  • one or more instructions stored in a storage medium may be implemented as software (eg, the program 140) including
  • the processor eg, the processor 120
  • the device eg, the electronic device 101
  • the one or more instructions may include code generated by a compiler or code executable by an interpreter.
  • the device-readable storage medium may be provided in the form of a non-transitory storage medium.
  • 'non-transitory' only means that the storage medium is a tangible device and does not contain a signal (eg, electromagnetic wave), and this term is used in cases where data is semi-permanently stored in the storage medium and It does not distinguish between temporary storage cases.
  • a signal eg, electromagnetic wave
  • the method according to various embodiments disclosed in this document may be provided by being included in a computer program product.
  • Computer program products may be traded between sellers and buyers as commodities.
  • the computer program product is distributed in the form of a machine-readable storage medium (eg compact disc read only memory (CD-ROM)), or through an application store (eg Play StoreTM) or on two user devices ( It can be distributed (eg downloaded or uploaded) directly, online between smartphones (eg: smartphones).
  • a portion of the computer program product may be temporarily stored or temporarily created in a machine-readable storage medium such as a memory of a server of a manufacturer, a server of an application store, or a relay server.
  • each component (eg, module or program) of the above-described components may include a singular or a plurality of entities, and some of the plurality of entities may be separately disposed in other components.
  • one or more components or operations among the above-described corresponding components may be omitted, or one or more other components or operations may be added.
  • a plurality of components eg, a module or a program
  • the integrated component may perform one or more functions of each component of the plurality of components identically or similarly to those performed by the corresponding component among the plurality of components prior to the integration. .
  • operations performed by a module, program, or other component are executed sequentially, in parallel, repeatedly, or heuristically, or one or more of the operations are executed in a different order, omitted, or , or one or more other operations may be added.
  • a foldable electronic device 201 includes a pair of housings 210 and 220 rotatably coupled to each other through a hinge structure to be folded with respect to each other, a pair of A display 261 (eg, a flexible display or a foldable display) disposed in a space formed by a hinge cover 265 covering the foldable portion of the housings 210 and 220 and the housings 210 and 220 of one body.
  • a display 261 eg, a flexible display or a foldable display
  • the surface on which the display 261 is disposed may be defined as the front surface of the foldable electronic device 201
  • the opposite surface of the front surface may be defined as the rear surface of the foldable electronic device 201
  • a surface surrounding the space between the front and rear surfaces may be defined as a side surface of the foldable electronic device 201 .
  • the pair of housings 210 , 220 includes a first housing 210 , a second housing 220 , a first rear cover 240 , and a second rear cover including a sensor region 231 . 250 may be included.
  • the pair of housings 210 , 220 of the electronic device 201 is not limited to the combination and/or combination of the shape or component shown in FIGS. 2A and 2B , and is not limited to the combination and/or combination of other shapes or components. may be implemented by
  • the first housing 210 and the second housing 220 may be disposed on both sides about the folding axis A, and may be disposed substantially symmetrically with respect to the folding axis A.
  • the angle or distance between the first housing 210 and the second housing 220 may vary depending on whether the electronic device 201 is in an unfolded state, a folded state, or an intermediate state.
  • the first housing 210 includes a sensor area 231 in which various sensor modules (eg, the sensor modules 176 of FIG. 1 ) are disposed, unlike the second housing 220 , but other In the region, the first housing 210 and the second housing 220 may have mutually symmetrical shapes.
  • the sensor region 231 may be disposed on at least a partial region of the second housing 220 .
  • the sensor area 231 may be replaced with at least a partial area of the second housing 220 .
  • the sensor area 231 may include a camera hall area, a sensor hall area, an under display camera (UDC) area, and/or an under display sensor (UDS) area.
  • the first housing 210 may be connected to the hinge structure in an unfolded state of the electronic device 201 .
  • the first housing 210 has a first surface 211 that faces the front of the electronic device 201 , a second surface 212 and a first surface 211 that face the opposite direction of the first surface 211 . and a first side portion 213 surrounding at least a portion of the space between the second surface 212 and the second surface 212 .
  • the first side portion 213 is a first side portion 213a disposed substantially parallel to the folding axis A, and extending from one end of the first side surface 213a in a direction substantially perpendicular to the folding axis A a second side surface 213b and a third side surface 213c extending in a direction substantially perpendicular to the folding axis A and substantially parallel to the second side surface 213b from the other end of the first side surface 213a may include
  • the second housing 220 may be connected to the hinge structure in an unfolded state of the electronic device 201 .
  • the second housing 220 has a third surface 221 disposed to face the front of the electronic device 201 , a fourth surface 222 and a third surface 221 facing the opposite direction of the third surface 221 . and a second side portion 223 surrounding at least a portion of the space between the fourth surface 222 and the second side portion 223 .
  • the second side portion 223 extends in a direction substantially perpendicular to the folding axis A from a fourth side surface 223a disposed substantially parallel to the folding axis A, and one end of the fourth side surface 223a.
  • a sixth side surface 223c extending in a direction substantially perpendicular to the folding axis A and substantially parallel to the fifth side surface 223b from the other end of the fifth side surface 223b and the fourth side surface 223a may include
  • the first surface 211 and the third surface 221 may face each other when the electronic device 201 is in a folded state.
  • the electronic device 201 may include a recess-shaped accommodating part 202 for accommodating the display 261 through structural coupling of the first housing 210 and the second housing 220 .
  • the receptacle 202 may have substantially the same size as the display 261 .
  • the receiving part 202 may have two or more different widths in a direction perpendicular to the folding axis A.
  • the accommodating part 202 may be parallel to the folding axis A of the first part 210a formed at the edge of the sensor area 231 of the first housing 210 and the second housing 220 .
  • the first width W1 between the second portion 220a, the third portion 210b and the second portion parallel to the folding axis A without overlapping the sensor region 231 of the first housing 210 It may have a second width W2 between the fourth parts 220b of the housing 220 .
  • the second width W2 may be greater than the first width W1 .
  • the receiving portion 202 has a first width W1 from the first portion 210a of the first housing 210 having a mutually asymmetric shape to the second portion 220a of the second housing 220 and It may be formed to have a second width W2 from the third portion 210b of the first housing 210 to the fourth portion 220b of the second housing 220 .
  • the first portion 210a and the third portion 210b of the first housing 210 may be formed at different distances from the folding axis A. Meanwhile, the width of the accommodating part 202 may not be limited to the illustrated example.
  • the receiving part 202 may have three or more different widths due to the shape of the sensor area 231 or the asymmetric shape of the first housing 210 and the second housing 220 .
  • first housing 210 and the second housing 220 may be formed of a metallic material or a non-metallic material having any rigidity suitable for supporting the display 261 .
  • the sensor area 231 may be formed adjacent to one corner of the first housing 210 .
  • the arrangement, shape, or size of the sensor area 231 may not be limited to the illustrated example.
  • the sensor area 231 may be formed in another corner of the first housing 210 or any area of the upper corner and the lower corner.
  • the sensor region 231 may be disposed on at least a partial region of the second housing 220 .
  • the sensor region 231 may be formed to extend between the first housing 210 and the second housing 220 .
  • the electronic device 201 is configured to perform various functions disposed to be exposed on the front surface of the electronic device 201 through the sensor area 231 or through at least one opening formed in the sensor area 231 . It may include at least one component.
  • the component may include at least one of a front camera module, a receiver, a proximity sensor, an illuminance sensor, an iris recognition sensor, an ultrasonic sensor, and an indicator.
  • the first back cover 240 may be disposed on the second side 212 of the first housing 210 and may have substantially rectangular edges. At least a portion of edges of the first back cover 240 may be surrounded by the first housing 210 .
  • the second back cover 250 may be disposed on the fourth side 222 of the second housing 220 and may have substantially rectangular edges. At least a portion of the edges of the second back cover 250 may be surrounded by the second housing 220 .
  • first rear cover 240 and the second rear cover 250 may have a substantially symmetrical shape with respect to the folding axis (A).
  • first back cover 240 and the second back cover 250 may have different shapes.
  • first housing 210 and the first rear cover 240 may be integrally formed, and the second housing 220 and the second rear cover 250 may be integrally formed.
  • the first housing 210 , the second housing 220 , the first rear cover 240 , and the second rear cover 250 may be coupled to each other through a structure coupled to various components of the electronic device 201 .
  • a structure coupled to various components of the electronic device 201 eg, a printed circuit board, the antenna module 197 of FIG. 1 , the sensor module 176 of FIG. 1 , or the battery 189 of FIG. 1
  • at least one component may be visually exposed on the rear surface of the electronic device 201 .
  • at least one component may be visually exposed through the first rear area 241 of the first rear cover 240 .
  • the component may include a proximity sensor, a rear camera module and/or a flash.
  • the electronic device 201 may include a sound output module (eg, the sound output module 155 of FIG. 1 ) disposed through at least a partial area of the second rear cover 250 .
  • the display 261 may be disposed in the receiving portion 202 formed by the pair of housings 210 and 220 .
  • the display 261 may be arranged to occupy substantially most of the front surface of the electronic device 201 .
  • the front surface of the electronic device 201 includes a region in which the display 261 is disposed, a partial region (eg, an edge region) of the first housing 210 adjacent to the display 261 , and a partial region (eg, an edge region) of the second housing 220 . : edge region).
  • the rear surface of the electronic device 201 includes a first rear cover 240 , a partial region (eg, an edge region) of the first housing 210 adjacent to the first rear cover 240 , a second rear cover 250 and a second 2 It may include a partial area (eg, an edge area) of the second housing 220 adjacent to the rear cover 250 .
  • the display 261 may be a display in which at least a partial area can be deformed into a flat surface or a curved surface.
  • the display 261 displays the first area 261a on the first side (eg, the right side) based on the folding area 261c and the folding area 261c and the second area 261a based on the folding area 261c.
  • the second region 261b on the side may be included.
  • the first region 261a may be positioned on the first surface 211 of the first housing 210
  • the second region 261b may be positioned on the third surface 221 of the second housing 210 .
  • the region division of the display 261 is exemplary, and the display 261 may be divided into a plurality of regions according to the structure or function of the display 261 . For example, as shown in FIG.
  • the area of the display 261 may be divided by the folding area 261c extending parallel to the Y-axis or the folding axis A, but other folding areas (eg: The area of the display 261 may be divided based on a folding area extending parallel to the X-axis) or another folding axis (eg, a folding axis parallel to the X-axis).
  • Region division of the display 261 as described above is only a physical division by a pair of housings 210 and 220 and a hinge structure, and is substantially displayed through a pair of housings 210 and 220 and a hinge structure. 261 may display one screen substantially.
  • the first region 261a may include a notch region formed along the sensor region 231 , but may have a substantially symmetrical shape to the second region 261b in other regions. .
  • the first region 261a and the second region 261b may have a substantially symmetrical shape with respect to the folding region 261c.
  • the hinge cover 265 may be disposed between the first housing 210 and the second housing 220 and configured to cover the hinge structure.
  • the hinge cover 265 may be hidden by at least a portion of the first housing 210 and the second housing 220 or exposed to the outside according to the operating state of the electronic device 201 .
  • FIG. 2A when the electronic device 201 is in an unfolded state, the hinge cover 265 is hidden by the first housing 210 and the second housing 220 and is not exposed to the outside.
  • 2B when the electronic device 201 is in a folded state, the hinge cover 265 may be exposed to the outside between the first housing 210 and the second housing 220 . .
  • the hinge cover 265 when the electronic device 201 is in an intermediate state in which the first housing 210 and the second housing 220 form an angle with each other, at least a portion of the hinge cover 265 is formed between the first housing 210 and the second housing 220 . It may be exposed to the outside between the housings 220 . In this case, an area exposed to the outside of the hinge cover 265 may be smaller than an area exposed to the hinge cover 265 when the electronic device 201 is in a folded state. In one embodiment, the hinge cover 265 may have a curved surface.
  • the first housing 210 and The second housing 220 may form a first angle (eg, about 180 degrees) with each other, and the first area 261a and the second area 261b of the display 261 may be oriented in substantially the same direction.
  • the first area 261a and the second area 261b of the folding area 261c of the display 261 may be substantially coplanar with the first area 261a and the second area 261b.
  • the first housing 210 rotates at a second angle (eg, about 360 degrees) with respect to the second housing 220 so that the second surface ( The first housing 210 and the second housing 220 may be reversely folded so that the 212 and the fourth surface 222 face each other.
  • a folded state eg, the electronic device 201 of FIG. 2B
  • the first housing 210 and the second housing 220 may face each other.
  • the first housing 210 and the second housing 220 may form an angle of about 0 degrees to about 10 degrees, and the first area 261a and the second area 261b of the display 261 may face each other.
  • At least a portion of the folding area 261c of the display 261 may be deformed into a curved surface.
  • the first housing 210 and the second housing 220 may form a specific angle with each other.
  • An angle (eg, a third angle, about 90 degrees) formed by the first region 261a and the second region 261b of the display 261 is greater than the angle when the electronic device 201 is in a folded state, The angle may be smaller than the angle when the electronic device 201 is in an unfolded state.
  • At least a portion of the folding area 261c of the display 261 may be deformed into a curved surface. In this case, the curvature of the curved surface of the folding area 261c may be smaller than the curvature of the curved surface of the folding area 261c when the electronic device 201 is in a folded state.
  • various embodiments of the electronic device described in this document are not limited to the form factor of the electronic device 201 described with reference to FIGS. 2A and 2B , and may be applied to electronic devices of various form factors.
  • the electronic device 301 (eg, the electronic device 201 ) according to an embodiment cools the electronic device 301 using the boiling principle and uniformly distributes the temperature of the electronic device 301 .
  • the electronic device 301 includes a housing 310 (eg, the first housing 210 and/or the second housing 220 ) and a display 361 positioned on one side (eg, an upper side) of the housing 310 . ) (eg, the display 261 ) and a heat source 389 (eg, the battery 189 ) located on the other side (eg, the lower side) of the housing 310 or inside the housing 310 . .
  • the housing 310 includes a main body 311 that supports the display 361 , a thermal management chamber 312 that manages heat generated by the electronic device 301 and is thermally coupled to a heat source 389 , and the main body 311 . ) and an intermediate layer 313 positioned between the display 361 .
  • the intermediate layer 313 may be in the form of a sheet.
  • the intermediate layer 313 may include graphite.
  • the thermal management chamber 312 includes a first wall 321 (eg, a lower wall), a second wall 322 (eg, an upper wall) and located between the first and second walls 321 and 322 .
  • a plurality of third walls 323 eg, side walls
  • the first wall 321 , the second wall 322 , and the plurality of third walls 323 may form an internal space S of the thermal management chamber 312 .
  • the first wall 321 may be positioned adjacent the heat source 389 .
  • the first wall 321 includes a first inner surface 321a forming at least a portion of the inner space S of the thermal management chamber 312 and a first outer surface 321b opposite the first inner surface 321a. can have The first inner surface 321a may be hydrophilic. In one embodiment, the first wall 321 may not include a capillary wick structure.
  • the first wall 321 may have a plate shape.
  • the first wall 321 may extend in a first direction (eg, X-direction) and in a second direction (eg, Y-direction) intersecting the first direction.
  • a length in the first direction and a length in the second direction of the first wall 321 are greater than a height in a third direction (eg, Z direction) intersecting the first direction and the second direction of the first wall 321 , respectively.
  • the first wall 321 may include a microporous structure 330 formed on the first inner surface 321a.
  • the microporous structure 330 increases the heat exchange area between the working fluid F and the heat source 389 with respect to the first inner surface 311a so that the working fluid F boils by heat transfer from the heat source 389 . can improve the heat conduction ability of
  • the first wall 321 may be hydrophilic in a chemical manner other than the structural modification of the first inner surface 321a.
  • the heat source 389 may be in contact with the first outer surface 321b.
  • the first wall 321 may be formed of a first material.
  • the first material may be, for example, copper, aluminum, stainless steel, titanium and/or other metallic materials or combinations thereof.
  • the thickness of the first wall 321 may vary depending on the first material. For example, the thickness of the first wall 321 when the first material is copper and/or aluminum may be greater than the thickness of the first wall 321 when the first material is steel.
  • the microporous structure 330 is deformed to increase the density of the nucleation site so that hydrophilicity is imparted to the first inner surface 321a and the microporous structure 330 is formed
  • the surface energy of the surface of the formed first inner surface 321a may be increased.
  • the first inner surface 321a may be a superhydrophilic surface having a contact angle of about 5° or less.
  • the microporous structure 330 may be formed by anodizing the first inner surface 321a.
  • a predetermined time is performed at a predetermined temperature (eg, about 200° C.) without using a chemical material.
  • heat treatment is performed for (eg, about 6 hours)
  • the first inner surface 321a becomes superhydrophobic, and then further for a predetermined time (eg, about 2) for the first inner surface 321a in boiling water.
  • hydrophilicity may be imparted to the first inner surface 321a by coating the first inner surface 321a with a predetermined material (eg, Parlen 4526).
  • alumina eg, aluminum oxide
  • a predetermined fine size eg, about 320 to 400 mesh
  • Hydrophilicity may be imparted to the first inner surface 321a by surface treatment in a sand blasting method.
  • hydrophilicity may be imparted to the first inner surface 321a by coating the first inner surface 321a with a predetermined material (eg, Paltop 3975 (SUS304)).
  • the first inner surface 321a is coated with a hydrophilic film-forming treatment solution, thereby the first inner surface Hydrophilicity may be imparted to (321a).
  • the hydrophilic film formation treatment solution may be, for example, potassium silicate, the potassium silicate being about 25.5 to 27.5% of silicon dioxide (SiO 2 ) and about 12.5 to 14.5% of potassium oxide (K 2 ) O) can be
  • the first inner surface 321a is coated with silicon dioxide (SiO 2 )/isopropanol (eg, PX-10 product). ), so that superhydrophilicity can be imparted to the first inner surface 321a.
  • imparting hydrophilicity to the first inner surface 321a is not limited to the above-described exemplary embodiments, and may be performed in various other manners.
  • the second wall 322 may be located opposite the first wall 321 away from the heat source 389 .
  • the second wall 322 includes a second inner surface 322a forming at least a portion of the inner space S of the thermal management chamber 312 and a second outer surface 322b opposite the second inner surface 322a.
  • the second inner surface 322a may be hydrophobic.
  • the second wall 322 may include a hydrophobic surface body 340 formed on the second inner surface 322a.
  • the second wall 322 may be formed of a second material.
  • the second material may be, for example, copper, aluminum, stainless steel, titanium and/or other metallic materials or combinations thereof.
  • the second material of the second wall 322 may be substantially the same as the material of the main body 311 for maintaining the rigidity of the electronic device 301 .
  • the second outer surface 322b may contact the intermediate layer 313 .
  • the second wall 322 may be integrally formed seamlessly with the main body 311 .
  • the hydrophobic surface body 340 is formed into micro/nano structures by roughening the second inner surface 322a in any suitable manner, various surface modification methods are made to the second inner surface 322a such that the second inner surface ( 322a) may have a low surface energy with hydrophobicity.
  • the second inner surface 322a may be a superhydrophobic surface having a contact angle of about 150° or greater.
  • the second wall 322 is formed of aluminum
  • chemical etching is performed on the second inner surface 322a to impart superhydrophobicity to the second inner surface 322a.
  • the second inner surface 322a is applied to the sodium hydroxide (NaOH) ) and then with hydrogen chloride (HCL) and acetic acid (CH 3 COOH), immersing the second inner surface 322a in a silane solution to increase the maximum contact angle of the second inner surface 322a.
  • treatment of a fluoroalkyl silane (FAS) solution is performed can be done in another embodiment, after the second inner surface 322a is treated with hydrogen fluoride (HF) and hydrochloric acid (HCL), perfluoroalkyl triethoxysilane (PFO), polyamide (polyamide) ) (PA), a room temperature vulcanized coating and/or treatment with hexadecyl-trimethoxy silane may be performed.
  • HCL hydrochloric acid
  • Cu(NO 3 ) 2 copper nitrate
  • FAS fluoroalkyl silane
  • anodizing treatment is performed on the second inner surface 322a before the above surface treatment is performed on the second inner surface 322a. to obtain a superhydrophilic surface, or by surface treatment with KH-832 in ethanol (KH-832 in ethanol) to obtain a superhydrophobic surface.
  • the superhydrophilic second inner surface 322a when the second inner surface 322a is anodized with a 74% concentration of pyrophosphoric acid solution at a constant cell voltage of 25 to 75 V, the superhydrophilic second inner surface 322a ) can be obtained, and then fluorinated phosphate SAM (3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-tridecafluorooctylphosphonic acid; FOPA)/293 at a concentration of about 0.5 mM Treatment with an ethanol solution at ⁇ 323 Kelvin (K) yields a superhydrophobic second inner surface 322a.
  • fluorinated phosphate SAM (3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-tridecafluorooctylphosphonic acid; FOPA)/293 at a concentration of about 0.5 mM
  • Treatment with an ethanol solution at ⁇ 323 Kelvin (K) yields a superhydrophobic second inner surface 322a.
  • the second inner surface 322a may be subjected to surface treatment other than etching.
  • a thermally conductive microporous coating may be formed with a predetermined thickness (eg, about 7 to 150 ⁇ m) on the second inner surface 322a using solder or epoxy.
  • the superhydrophobic second inner surface 322a may be obtained by electrolytically depositing aluminum particles having a predetermined size (eg, about 3 to 30 ⁇ m) on the second inner surface 322a.
  • the second wall 322 is formed of copper
  • chemical etching is performed on the second inner surface 322a to impart superhydrophobicity to the second inner surface 322a.
  • a fluoroalkyl silane (FAS) solution can be processed.
  • the second wall 322 is formed of titanium
  • etching with sulfuric acid (H 2 SO 4 ) and an alkali solution after sand blasting is performed on the second inner surface 322a, etching with sulfuric acid (H 2 SO 4 ) and an alkali solution, and annealing After performing, the superhydrophobic second inner surface 322a can be obtained using the FAS-17 solution.
  • a spray coating may be applied to the second inner surface 322a.
  • the second inner surface 322a is placed in a high-humidity neutral spray chamber containing a sodium chloride (NaCl) solution for a predetermined time (eg, about 2 hours).
  • a needle-like microstructure is formed on the inner surface 322a, and it can be surface-modified by putting it in 1 wt% of FAS-17.
  • the second inner surface in diluted aqua regia (eg, about 3.6% hydrochloric acid (HCL) and about 1.2% nitric acid (HNO 3 ) solution). Electrochemical etching may be performed on 322a.
  • diluted aqua regia eg, about 3.6% hydrochloric acid (HCL) and about 1.2% nitric acid (HNO 3 ) solution.
  • Electrochemical etching may be performed on 322a.
  • a plurality of third walls 323 may connect the first wall 321 and the second wall 322 .
  • the plurality of third walls 323 may define a height of the internal space S of the thermal management chamber 312 .
  • the plurality of third walls 323 may each have a third inner surface 323a forming at least a portion of the inner space S of the thermal management chamber 312 .
  • the third wall 323 may be formed of a third material.
  • the third material may be, for example, copper, aluminum, stainless steel, titanium and/or other metallic materials or combinations thereof.
  • a third material of the plurality of third walls 323 may be substantially the same as a material of the main body 311 for maintaining rigidity of the electronic device 301 .
  • the plurality of third walls 323 may be integrally formed seamlessly with the main body 311 .
  • the second wall 322 and the plurality of third walls 323 may be integrally formed seamlessly with each other.
  • the first material may be substantially the same as the third material. This may facilitate bonding between the first wall 321 and the plurality of third walls 323 . In other embodiments, the first material may be different from the third material. In some embodiments, the thermal resistance of the first material may be less than the thermal resistance of the third material. This may improve heat conduction from the heat source 389 to the working fluid F through the first wall 321 while maintaining the rigidity of the electronic device 301 through the plurality of third walls 323 .
  • the thermal management chamber 312 may contain a working fluid F accommodated in the internal space S.
  • the working fluid F may be in a liquid state.
  • the working fluid F may include water.
  • the thermal management chamber 312 may be configured to generate bubbles C in the working fluid F above a boiling threshold temperature of the working fluid F.
  • the internal space S of the thermal management chamber 312 may be in a substantially vacuum environment.
  • the working fluid F is water
  • the thermal management chamber 312 in order to cause the thermal management chamber 312 to operate at a desired operating control temperature (eg, about 40° C.) of the electronic device 301 , the working fluid F is In order to cause onset of nucleate boiling to a temperature substantially equal to the operation control temperature, the internal pressure of the internal space S of the thermal management chamber 312 is reduced to atmospheric pressure by reducing the saturation temperature of the working fluid F. It can be reduced to a lower pressure (eg about 0.1 bar).
  • a vacuum pump is connected to the internal space S to connect the internal space ( It is possible to reduce the internal pressure of S).
  • the working fluid F may be contained in the thermal management chamber 312 in a sufficient amount to ensure a fluid circulation structure between the first inner surface 321a and the second inner surface 322a.
  • the amount of the working fluid F contained in the interior space S of the thermal management chamber 312 may be determined by considering the position and orientation in which the thermal management chamber 312 is placed under gravity. .
  • the thermal management chamber 312 when the thermal management chamber 312 is oriented such that the first wall 321 is up and the second wall 322 is down, opposite to the orientation shown in FIG. 2 , the interior space S ), the microporous structure 330 formed on the first inner surface 321a is present in any one volume, while the other volume may be filled with the working fluid F.
  • the interior space S is One volume and working fluid F in which a hydrophobic surface body 340 or a reinforcing structure (eg, first reinforcing rib 1151 and/or second reinforcing rib 1152) formed on the second inner surface 322a is present It may be composed of the remaining volume filled with In an embodiment, the working fluid F may substantially fill 70% or more of the internal space S of the thermal management chamber 312 . In some embodiments, the working fluid F may fill 60% or more of the internal space S of the thermal management chamber 312 .
  • a hydrophobic surface body 340 or a reinforcing structure eg, first reinforcing rib 1151 and/or second reinforcing rib 1152
  • more than 1/3 of the internal space S of the thermal management chamber 312 may be filled.
  • the amount of filling of the working fluid F as described above causes bubbles C to be generated from the first inner surface 321a adjacent to the heat source 389, and the generated bubbles C to the second inner surface 322a. Collected and condensed to form a droplet D on the second inner surface 322a, and when the droplet D grows to a certain size or more, the circulating structure of the working fluid F that moves toward the first inner surface 321a can be formed
  • the thermal management chamber 312 may include a bonding portion 324 bonding the first wall 321 and the plurality of third walls 323 to each other.
  • the first wall 321 may be manufactured separately from the plurality of third walls 323 and then joined to the plurality of third walls 323 .
  • the working fluid F is filled in the internal space S of the thermal management chamber 312 , and the working fluid F is heated by the boiling principle
  • the environment of the internal space (S) can be created to operate according to the.
  • the joint 324 may be formed by laser welding, brazing bonding, diffusion bonding, or other bonding methods.
  • the thermal management chamber 312 may be detachably coupled to the main body 311 .
  • “removably coupled” may be understood to mean that the thermal management chamber 312 may be manufactured as a separate part from the main body 311 and may be coupled to the main body 311 .
  • the thermal management chamber 312 may be mounted on the main body 311 .
  • the second wall 322 and the plurality of third walls 323 may not be seamlessly connected to the main body 311 , but may form at least a portion of the thermal management chamber 312 .
  • the second wall 322 and the plurality of third walls 323 may be coupled to the main body 311 .
  • the distance between the first inner surface 321a and the second inner surface 322a is such that a separate component (eg, a circulation pump and While ensuring fluid circulation of the working fluid F without a wick structure), the working fluid F reaches its boiling saturation temperature so that heat generated from the heat source 389 is dissipated through the thermal management chamber 312 to a value suitable for dissipation through the thermal management chamber 312 .
  • a separate component eg, a circulation pump and While ensuring fluid circulation of the working fluid F without a wick structure
  • the working fluid F reaches its boiling saturation temperature so that heat generated from the heat source 389 is dissipated through the thermal management chamber 312 to a value suitable for dissipation through the thermal management chamber 312 .
  • the distance between the first inner surface 321a and the second inner surface 322a may be about 0.2 mm or greater. In another example, the distance between the first inner surface 321a and the second inner surface 322a may be about 0.4 mm or less.
  • the microporous structure 330 formed on at least a portion of the first inner surface 321a of the first wall 321 may include a plurality of pillars 331 .
  • the plurality of pillars 331 are formed from the first inner surface 321a in a first direction (eg, X direction) and a second direction (eg, Y direction) of the first inner surface 321a in a third direction that intersects each in a third direction ( For example, it may protrude in the direction normal to the first inner surface 321a or in the Z direction).
  • the plurality of pillars 331 may extend in a second direction (eg, a Y direction) crossing the first direction of the first inner surface 321a.
  • the plurality of pillars 331 may be arranged to be spaced apart from each other on the first inner surface 321a along a first direction (eg, X direction) of the first inner surface 321a.
  • a pair of adjacent pillars 331 may form a flow channel 332 between the pair of adjacent pillars 331 .
  • the flow channel 332 is generated from a first inner surface 321a heated by a heat source (eg, heat source 389 ) to collect bubbles (eg, bubbles C) separated from the first interior surface 321a. (331) can be guided in the protrusion direction.
  • the flow channel 332 may induce fluid mixing of the working fluid (eg, working fluid F) to substantially increase the convective heat transfer coefficient and heat flux of the working fluid.
  • the microporous structure 330 may include a recess 333 formed between a pair of adjacent pillars 331 .
  • at least a portion of the recess 333 may form a first inner surface 321a.
  • the recess 333 may form a curved surface between the post 331 and the first inner surface 321a.
  • the recess 333 may form at least one surface formed at a predetermined angle between the pillar 331 and the first inner surface 321a.
  • the microporous structure 330 may include a sintered metal powder coating 334 formed in the plurality of pillars 331 and/or the plurality of recesses 333 .
  • the sintered metal powder coating 334 substantially increases the contact area between the first interior surface 321a and the working fluid, improves the conductive ability of the working fluid in contact with the first interior surface 321a, and The boiling process of the working fluid may be improved by increasing the rate of formation of bubbles generated from the surface 321a. This reduces the boiling entry temperature of the working fluid compared to a surface on which the sintered metal powder coating 334 is not formed, and can bring the wall superheat of the first wall 321 to substantially zero.
  • the metal used for the sintered metal powder coating 334 may be copper.
  • FIG. 17 and 18 together, the operation of the first substantially smooth inner surface on which the sintered metal powder coating 334 is not formed and the first substantially rough inner surface 321a on which the sintered metal powder coating 334 is formed.
  • Graphs are shown comparing heat flux and critical heat flux (CHF) performance at a temperature of about 40°C. 17 is a graph illustrating a critical heat flux (CHF), and FIG. 18 is a graph illustrating a nuclear boiling heat flux region corresponding to an electronic device.
  • the substantially rough first inner surface 321a on which the sintered metal powder coating 334 is formed has a porosity of about one third (ie, sintered metal powder coating 334 relative to the area of the first inner surface 321a). ) was assumed to be coated with copper particles having a size of about 20 ⁇ m to have 1/3).
  • Equation 1 c is the nuclear boiling heat flux. , is the specific heat of the liquid (J/kg K), ⁇ T is the excess temperature (°C or K), is the enthalpy of vaporization (J/kg), Pr is the Prandtl number of the liquid, d is the experimental constant (e.g. for water, d is 1, for other liquids 1.7), is the surface fluid factor (e.g., of water and nickel is 0.006), where is the dynamic viscosity of the liquid (kg/ms), g is the acceleration due to gravity , is the force conversion factor (kg.m/ ), p1 is the density of the liquid , is the density of the vapor , is the liquid-vapor interface surface tension (N/m).
  • the calculation results for both surfaces show a significant difference in terms of the heat transfer rate, and the substantially rough first inner surface 321a Since the critical heat flux of ) is also relatively high compared to the substantially smooth first inner surface, it can be seen that the thermal stability of the first inner surface 321a is also substantially improved, thereby suppressing the boiling instability of the working fluid. Since the sintered metal powder coating 334 further extends the critical heat flux of the working fluid and the thickness of the sintered metal powder coating 334 is very thin compared to the hydraulic diameter, thermal management chambers (eg, thermal management chambers) (312)) may not have a significant effect on the liquid vapor pressure.
  • thermal management chambers eg, thermal management chambers
  • the thickness of the superheated fluid layer decreases, micro-convective heat transfer increases, and the relative This allows the working fluid to boil at lower heat fluxes and lower wall superheats.
  • the homogeneous bubble nucleation in the superheated fluid does not significantly affect the heat transfer of the working fluid, and the microporous structure 330 on the heated first inner surface 321a submerged in the working fluid. Since bubble nucleation, which is heterogeneous depending on the surface, mainly contributes to heat transfer, the boiling performance of the working fluid may be improved by modifying the interface structure for the first inner surface 321a.
  • the thickness of the thermal management chamber (eg, thermal management chamber 312 ) (eg, the distance between the first inner surface 321a and the second inner surface 322a ) Since is substantially very thin, it is possible to minimize the temperature difference due to heat conduction between the first inner surface 321a and the working fluid, so that the temperature of the heat source (eg, heat source 389 ) is at the onset of the nuclear boiling period. Upon entering the temperature, the temperature of the working fluid can also quickly reach above the saturation temperature.
  • the thermal management chamber eg, thermal management chamber 312
  • the method in which Equation 1 showing the Rohsenow correlation is applied to the electronic devices according to various embodiments disclosed in this document is a method in which the surface roughness according to the material or processing method constituting the electronic devices and the physical property value of the working fluid are taken into consideration.
  • Each of the critical heat flux (CHF) and nuclear boiling heat flux (q) values of the electronic devices according to various embodiments are predicted numerically, and the validity of the electronic device compared to the conventional electronic device can be confirmed based on the calculated values. have.
  • the microporous structure 430 (eg, the microporous structure 330 ) formed on the first inner surface 321a of the first wall 321 according to an embodiment is shown in FIGS. 3A and 3B above.
  • the sintered metal powder coating 334 formed on the first inner surface 321a without the plurality of pillars 331 and/or the plurality of recesses 333 is included. You may.
  • the area of the sintered metal powder coating 334 may be greater than or equal to about 1/3 of the area of the first inner surface 321a.
  • the surface processing method is a structure having a circular or polygonal cross-section on the first inner surface 321a, a cone-shaped structure and various types of structures having various shapes (eg, fins, pins, protrusions, recesses, lines, coated surfaces, pores, and foams).
  • Such structures may have, for example, a height of about 50 ⁇ m or less or a height of about 20 ⁇ m or less, the height and/or thickness of such structures, and the gap between adjacent structures It may be about 50 ⁇ m or less in order to minimize the space occupied by the .
  • various micro- and/or nano-scale structures eg, a surface formed of SUS 316L
  • low-power eg, about 1.5 W
  • high-frequency pulsed laser ablation By forming an array of pins, grids, dimples, holes, channels and pillars), it is possible to enhance the critical heat flux of the working fluid and create nucleation sites.
  • the laser beam size may be about 30 ⁇ m
  • the laser pulse duration may be about 50 nm
  • the scanning speed may be about 0.2 m/s.
  • the microporous structure 530 has a first direction (eg, X direction) and a second direction from the first inner surface 321a of the first wall 321 . It may include a plurality of pillars 531 having a substantially circular cross-section protruding in a third direction (eg, Z direction) intersecting each other (eg, the Y direction).
  • the plurality of pillars 531 may be formed on the first inner surface 321a in an M X N matrix shape along the first direction and the second direction.
  • the plurality of columns 531 may be arranged in a substantially linear line for each column.
  • the microporous structure 630 has a first direction (eg, X direction) and a second direction from the first inner surface 321a of the first wall 321 .
  • (eg, Y direction) may include a plurality of pillars 631 having a substantially circular cross-section each protruding in a third direction (eg, Z direction) intersecting the plurality of pillars 631 are a plurality of
  • Each of the sets 631A, 631B, and 631C may be arranged in a different form.
  • the plurality of posts 631 belonging to the first set 631A and the third set 631C among the plurality of sets 631A, 631B, and 631C are substantially most of each other when viewed along the second direction. This overlapping may be arranged in the first direction, and the plurality of pillars 631 belonging to the second set 631B are the plurality of pillars belonging to the first set 631A and the third set 631C when viewed along the second direction.
  • the pillars 631 may not substantially overlap and may be arranged in the first direction.
  • the microporous structure 730 has a first direction (eg, X direction) and a second direction from the first inner surface 321a of the first wall 321 . It may include a plurality of ribs 731 protruding in a third direction (eg, the Z direction) that cross each other (eg, the Y direction).
  • the plurality of ribs 731 may extend over at least a portion of the first inner surface 321a in a first direction or a second direction of the first inner surface 321a.
  • the plurality of ribs 731 may be spaced apart from each other in a direction (eg, X direction) crossing the extending direction (eg, Y direction) in which the plurality of ribs 731 extend, and may form a channel.
  • the microporous structure 830 has a first direction (eg, X direction) and a second direction from the first inner surface 321a of the first wall 321 . It may include a plurality of first ribs 831 and at least one second rib 832 protruding from a third direction (eg, Z direction) crossing each other (eg, the Y direction).
  • a plurality of first ribs 831 may extend over at least a portion of the first interior surface 321a in a second direction of the first interior surface 321a, and the at least one second rib 832 may extend over at least a portion of the first interior surface 321a.
  • first inner surface 321a may extend in a first direction of the first inner surface 321a over at least a portion of the surface 321a and may encounter a plurality of first ribs 831 .
  • the plurality of first ribs 831 and at least one second rib 832 may form a grid-shaped microporous structure 830 .
  • the microporous structure 930 may include a plurality of dimples 931 recessed in the first inner surface 321a of the first wall 321 . have.
  • the plurality of dimples 931 are formed along the first inner surface 321a in one direction (eg, Y direction) and/or in the other direction (eg, X direction) in the form of an M X N matrix on the first inner surface ( 321a).
  • one dimple 931 and the other dimple 931 of the plurality of dimples 931 overlap when viewed along one direction (eg, Y direction) of the first inner surface 321a. it may not be
  • the microporous structure 1030 may include a plurality of holes 1031 formed into the first inner surface 321a of the first wall 321 .
  • the plurality of holes 1031 are formed along the first inner surface 321a in one direction (eg, Y direction) and/or in the other direction (eg, X direction) in the form of an M X N matrix on the first inner surface ( 321a) may be formed into.
  • one of the plurality of holes 1031 and the other hole 1031 overlap when viewed along one direction (eg, Y direction) of the first inner surface 321a. it may not be
  • the second wall 322 may include at least one reinforcing rib 1151 , 1152 formed on the second inner surface 322a.
  • the at least one reinforcing rib 1151, 1152 is a thermal management chamber (eg, the thermal management chamber 312) of the internal pressure of the internal space (eg, the internal space (S)) is lower than atmospheric pressure, which may be caused by By delaying or preventing distortion, deformation of the thermal management chamber can be suppressed and the shape of the thermal management chamber can be maintained.
  • the second wall 322 includes a plurality of first surfaces extending in a first direction (eg, the X direction) of the second inner surface 322a and spaced apart from each other in a second direction (eg, the Y direction).
  • Reinforcing ribs 1151 and a plurality of second reinforcing ribs 1152 extending in a second direction (eg, Y direction) of the second inner surface 322a and spaced apart from each other in a first direction (eg, X direction) may include
  • the plurality of first reinforcing ribs 1151 and the plurality of second reinforcing ribs 1152 may meet each other.
  • at least some of the plurality of first reinforcing ribs 1151 and at least some of the plurality of second reinforcing ribs 1152 may not meet each other.
  • an electronic device 1201 (eg, electronic device 301 ) according to an embodiment includes a housing 1210 (eg, housing 310 ), a display 361 , and a heat source 389 .
  • the housing 1210 may include a main body 1211 (eg, the main body 311 ), a thermal management chamber 1212 (eg, the thermal management chamber 312 ), and an intermediate layer 313 .
  • the thermal management chamber 1212 may include a first wall 1221 (eg, a first wall 321 ), a second wall 322 , and a plurality of third walls 323 .
  • the first wall 1221 may include a first inner surface 1221a on which the microporous structure 330 is formed and a first outer surface 1221b in contact with the heat source 389 .
  • the second wall 322 may have a second inner surface 322a formed with a hydrophobic surface body 340 .
  • the thermal management chamber 1212 may include a bonding portion 1224 bonding the first wall 1221 to the plurality of third walls 323 and the main body 1211 .
  • the first wall 1221 is to be joined to the plurality of third walls 323 and the main body 1211 .
  • Any portion of the joint portion 1224 joins a portion of the first wall 1221 and the plurality of third walls 323, and the other portion of the joint portion 1224 joins another portion of the first wall 1221 and The main body 1211 may be bonded.
  • the junction 1224 crosses the plurality of third walls 323 and includes a part (eg, the lower part) of the main body 1211 and By bonding, a height (eg, about 0.2 mm) greater than the height (eg, the distance between the first interior surface 321a and the second interior surface 322a) of the thermal management chamber 312 of FIG. 3A (eg, about 0.2 mm). 1 the distance between the inner surface 1221a and the second inner surface 322a) (eg, about 0.3 mm) to fabricate the thermal management chamber 1212, and the internal space S of the thermal management chamber 1212 ) and reduce the thickness of the main body 1211 .
  • the thermal management chamber 1212 may be detachably coupled to the main body 1211 .
  • the second wall 322 and the plurality of third walls 323 may not be seamlessly connected to the main body 1211 , but may form at least a portion of the thermal management chamber 1212 .
  • the thermal management chamber 1212 is coupled to the main body 1211
  • the second wall 322 and the plurality of third walls 323 may be coupled to the main body 1211 .
  • an electronic device 1301 (eg, the electronic device 301 ) according to an embodiment includes a housing 1310 (eg, the housing 310 ), a display 361 , and a heat source 389 .
  • the housing 1310 may include a main body 1311 (eg, main body 311 ), a thermal management chamber 1312 (eg, thermal management chamber 312 ), and an intermediate layer 313 .
  • the thermal management chamber 1312 may include a first wall 1321 (eg, a first wall 321 ), a second wall 322 , and a plurality of third walls 323 .
  • the second wall 322 may have a second inner surface 322a formed with a hydrophobic surface body 340 .
  • the first wall 1321 comprises a first part comprising a first inner surface 1321a on which the microporous structure 330 is formed and a first outer surface 1321b in contact with the heat source 389 ( 1321-1), and a second part 1321 - 2 connected to the first part 1321-1 and joined to the plurality of third walls 323 and the main body 1311 .
  • the first part 1321-1 and the second part 1321-2 may be seamlessly integrally formed.
  • the first part 1321-1 may be positioned below the second part 1321-2 (eg, in the -Z direction).
  • a step may be formed between the first part 1321-1 and the second part 1321-2.
  • the second part 1321 - 2 may be connected to at least a portion of the first part 1321-1 . In an embodiment, at least a portion of the first part 1321-1 and at least a portion of the second part 1321 - 2 may form at least a portion of the internal space S of the thermal management chamber 1312 .
  • the thermal management chamber 1312 may include a bonding portion 1324 bonding the first wall 1321 to the plurality of third walls 323 and the main body 1311 .
  • the first wall 1321 is to be joined to the plurality of third walls 323 and the main body 1311 .
  • a portion of the joint portion 1324 joins a portion of the second part 1321 - 2 of the first wall 1321 and the plurality of third walls 323 , and includes a portion of the joint portion 1324 .
  • the other part may join the main body 1311 to another part of the second part 1321 - 2 of the first wall 1321 .
  • This junction 1324 is different from the junction 1224 of the thermal management chamber 1212 described with reference to FIG. 12 , the height of the thermal management chamber 1212 of FIG. 12 (eg, the first inner surface 1221a and A height (eg, the distance between the first interior surface 1321a and the second interior surface 322a) greater than the distance between the second interior surfaces 322a (eg, about 0.3 mm) (eg, about 0.4 mm) ) may be used to manufacture the thermal management chamber 1312 , and the internal space S of the thermal management chamber 1312 may be further expanded while reducing the thickness of the main body 1311 .
  • the height of the thermal management chamber 1212 of FIG. 12 eg, the first inner surface 1221a and A height (eg, the distance between the first interior surface 1321a and the second interior surface 322a) greater than the distance between the second interior surfaces 322a (eg, about 0.3 mm) (eg, about 0.4 mm)
  • the internal space S of the thermal management chamber 1312 may be further expanded
  • the thermal management chamber 1312 may be detachably coupled to the main body 1311 .
  • the second wall 322 and the plurality of third walls 323 may not be seamlessly connected to the main body 1311 , and may form at least a portion of the thermal management chamber 1312 .
  • the thermal management chamber 1312 is coupled to the main body 1311
  • the second wall 322 and the plurality of third walls 323 may be coupled to the main body 1311 .
  • an electronic device 1401 (eg, electronic device 301 ) according to an embodiment includes a housing 1410 (eg, housing 310 ), a display 361 , and a heat source 389 .
  • the housing 1410 may include a main body 1411 (eg, main body 311 ), a thermal management chamber 1412 (eg, thermal management chamber 312 ), and an intermediate layer 313 .
  • the thermal management chamber 1412 may include a first wall 1421 (eg, a first wall 321 ), a second wall 322 , and a plurality of third walls 323 .
  • the second wall 322 may have a second inner surface 322a formed with a hydrophobic surface body 340 .
  • the first wall 1421 comprises a first part comprising a first inner surface 1421a on which the microporous structure 330 is formed and a first outer surface 1421b in contact with the heat source 389 ( 1421-1), and a second part 1421 - 2 connected to the first part 1421-1 and joined to the plurality of third walls 323 .
  • the first part 1421-1 and the second part 1421-2 may be seamlessly integrally formed.
  • the first part 1421-1 may be positioned below the second part 1421-2 (eg, in the -Z direction).
  • the first part 1421-1 extends in one direction (eg, +X/-X direction), and the second part 1421-2 extends in the other direction ( e.g.
  • the second part 1421 - 2 may be connected to at least a portion (eg, an end portion) of the first part 1421-1. In an embodiment, at least a portion of the first part 1421-1 and at least a portion of the second part 1421 - 2 may form at least a portion of the internal space S of the thermal management chamber 1412 .
  • the thermal management chamber 1412 may include a junction 1424 that bonds the first wall 1421 to the plurality of third walls 323 .
  • the first wall 1421 may be manufactured separately from the plurality of third walls 323 and the main body 1411 and then joined to the plurality of third walls 323 .
  • the joint 1424 may join a portion of the second part 1321 - 2 of the first wall 1321 and the plurality of third walls 323 .
  • the joint 1424 may form a seal between the second part 1321 - 2 and the plurality of third walls 323 . This junction 1424 is different from the junction 1224 of the thermal management chamber 1212 described with reference to FIG. 12 , the height of the thermal management chamber 1212 of FIG.
  • the furnace may allow the thermal management chamber 1412 to be manufactured, and the internal space S of the thermal management chamber 1412 may be further expanded while reducing the thickness of the main body 1411 .
  • the thermal management chamber 1412 may be detachably coupled to the main body 1411 .
  • the second wall 322 and the plurality of third walls 323 may not be seamlessly connected to the main body 1411 , and may form at least a portion of the thermal management chamber 1412 .
  • the thermal management chamber 1412 is coupled to the main body 1411
  • the second wall 322 and the plurality of third walls 323 may be coupled to the main body 1411 .
  • an electronic device 1501 (eg, electronic device 301 ) according to an embodiment includes a housing 1510 (eg, housing 310 ), a display 361 , and a heat source 389 .
  • the housing 1510 may include a main body 1511 (eg, main body 311 ), a thermal management chamber 1512 (eg, thermal management chamber 312 ), and an intermediate layer 313 .
  • the thermal management chamber 1512 includes a first wall 1521 (eg, first wall 321 ), a second wall 1522 (eg, second wall 322 ) and a plurality of third walls 323 .
  • the first wall 1521 may have a first inner surface 1521a on which the microporous structure 330 is formed and a first outer surface 1521b in contact with the heat source 389 .
  • the second wall 1522 may have a second inner surface 1522a formed with a hydrophobic surface body 340 .
  • the thermal management chamber 1512 includes a plurality of first junctions 1524 and a second wall 1522 bonding the first wall 1521 to a portion of the plurality of third walls 323 .
  • a second bonding portion 1525 for bonding to the other portion of the third walls 323 may be included.
  • the first wall 1521 and the second wall 1522 may be manufactured separately from the plurality of third walls 323 and the main body 1511 and then joined to the plurality of third walls 323 . can
  • first material forming the first wall 1521 and the second material forming the second wall 1522 may be the same. In other embodiments, the first material and the second material may be different.
  • the thermal management chamber 1512 may be detachably coupled to the main body 1511 .
  • the plurality of third walls 323 may not be seamlessly connected to the main body 1511 , and may form at least a portion of the thermal management chamber 1512 .
  • the thermal management chamber 1512 is coupled to the main body 1511
  • the plurality of third walls 323 may be coupled to the main body 1511 .
  • an electronic device 1601 (eg, electronic device 301 ) includes a housing 1610 (eg, housing 310 ), a display 361 , and a heat source 389 .
  • the housing 1610 may include a main body 1611 (eg, main body 311 ), a thermal management chamber 1612 (eg, thermal management chamber 312 ), and an intermediate layer 313 .
  • the thermal management chamber 1612 includes a first wall 1621 (eg, a first wall 321 ), a second wall 1622 (eg, a second wall 322 ) and a plurality of third walls 1623 ( eg, third walls 323).
  • the first wall 1621 may have a first inner surface 1621a on which the microporous structure 330 is formed and a first outer surface 1621b in contact with the heat source 389 .
  • the second wall 1622 and the plurality of third walls 1623 may be seamlessly integrally formed to form one wall 1629 defining at least a portion of the thermal management chamber 1612 .
  • the second wall 1622 includes a first part 1622-1 and a second part 1622-2, and a plurality of third walls 1623 includes a third part 1623-1, a fourth part ( 1623-2) and a fifth part 1623-3 may be included, respectively.
  • the first part 1622-1 may have a second inner surface 1622a on which a hydrophobic surface body 340 is formed.
  • the second part 1622 - 2 may be seamlessly connected to the first part 1622-1 and the third part 1623 - 1 .
  • the third part 1623-1 and the fourth part 1623-2 are interposed between the second part 1622-2 and the first wall 1621 in one direction (eg, a height direction) of the thermal management chamber 1612; Z direction) and may form at least a portion of the internal space S of the thermal management chamber 1612 .
  • the fourth part 1623 - 2 may be joined to the first wall 1621 .
  • the fifth part 1623 - 3 is separated from the main body and at least a portion of the first wall 1621 from the fourth part 1623 - 2 in a direction away from the thermal management chamber 1612 (eg, +X/-X direction). It may extend between at least a portion of the 1611 and bond with at least a portion of the first wall 1621 and at least a portion of the main body 1611 .
  • the third part 1623-1, the fourth part 1623-2, and the fifth part 1623-3 may be formed seamlessly.
  • the thermal management chamber 1612 includes at least a portion of the first wall 1621 of the fourth part 1623 - 2 and the fifth part 1623 - 3 of the plurality of third walls 1623 . It may include a first bonding portion 1624 for bonding to one surface and a second bonding portion 1625 for bonding the other surface of the fifth part 1623-3 of the third wall 1623 to the main body 1611 .
  • the first wall 1621 is manufactured separately from the main body 1611
  • the second wall 1622 and the plurality of third walls 1623 are manufactured as a single component separately from the main body 1611 .
  • the first wall 1621 and the plurality of third walls 1623 may be bonded, and the plurality of third walls 1623 may be bonded to the main body 1611 .
  • the second material forming the second wall 1622 and the third material forming the plurality of third walls 1623 may be the same.
  • the first material forming the first wall 1621 may be the same as the second material and the third material. In other embodiments, the first material may be different from the second material and the third material.
  • the thermal management chamber 1612 may be detachably coupled to the main body 1611 .
  • the first wall 1621 , the second wall 1622 , and the plurality of third walls 1623 are not seamlessly connected to the main body 1611 , and form at least a portion of the thermal management chamber 1612 . can do.
  • the thermal management chamber 1612 is coupled to the main body 1611
  • the first wall 1621 , the second wall 1622 , and the plurality of third walls 1623 may be coupled to the main body 1611 . .
  • the electronic device 301 may include a housing 310 including a heat source 389 and a thermal management chamber 312 thermally coupled to the heat source 389 , and opposite to the heat source 389 .
  • a display (361) positioned over the housing (310), wherein the thermal management chamber (312) contains a working fluid (F), the thermal management chamber (312) comprising: configured to generate a bubble (C) above a boiling threshold temperature of the working fluid (F), the thermal management chamber (312) being positioned adjacent the heat source (389) and comprising a hydrophilic first inner surface ( a first wall 321 having a first wall 321 a), a second wall 322 located opposite the first wall 321 away from the heat source 389, and having a second hydrophobic surface 322a, and the It may include a plurality of third walls 323 positioned between the first wall 321 and the second wall 322 .
  • the first wall 321 may include a microporous structure 330 formed on the first inner surface 321a.
  • the microporous structures 330 and 430 may include a sintered metal powder coating 334 .
  • the area of the sintered metal powder coating 334 may be greater than 1/3 compared to the area of the first inner surface 321a.
  • the microporous structure 330 includes a plurality of pillars 331 protruding from the first inner surface 321a, and a pair of adjacent pillars 331 among the plurality of pillars 331 . ) may form a flow channel 332 of the working fluid F.
  • the plurality of pillars 531 and 631 include a first group of a plurality of pillars 531 and 631 arranged along a first direction X of the first inner surface 321a, and A second group of a plurality of pillars 531 and 631 may be arranged along a second direction Y intersecting the first direction X of the first inner surface 321a.
  • the microporous structure 730 has a plurality of first ribs spaced apart from each other along the first direction X of the first inner surface 321a and protruding from the first inner surface 321a. 731 , and the plurality of first ribs 731 may extend along a second direction Y that intersects the first direction X of the first inner surface 321a.
  • the microporous structure 830 extends along the first direction X of the first inner surface 321a and protrudes from the first inner surface 321a and the plurality of first It may include at least one second rib 832 meeting the ribs 831 .
  • the microporous structure 930 may include a plurality of dimples 931 recessed in the first inner surface 321a.
  • the microporous structure 1030 may include a plurality of holes 1031 formed in the first inner surface 321a.
  • the thermal management chamber 312 may further include reinforcing ribs 1151 and 1152 formed on the second wall 322 .
  • the working fluid F is a space of the thermal management chamber 312 formed by the first wall 321 , the second wall 322 and the plurality of third walls 323 . At least 70% of (S) can be filled.
  • the thermal management chamber 312 is positioned between the first wall 321 and the plurality of third walls 323 and includes the first wall 321 and the plurality of third walls.
  • a first junction 324 bonding the 323 may be included.
  • the thermal management chamber 1512 is positioned between the second wall 1522 and the plurality of third walls 323 and includes the second wall 1522 and the plurality of third walls.
  • a second bonding portion 1525 for bonding the 323 may be further included.
  • the second wall 1622 and the plurality of third walls 1623 may be seamlessly connected.
  • first wall 1521 or the second wall 1522 may be formed of the same material as the plurality of third walls 323 .
  • the first wall 1521 or the second wall 1522 is formed of a different material from the plurality of third walls 323 , and the first wall 1521 or the second wall 1521 .
  • the thermal resistance of the material of 1522 may be less than the thermal resistance of the material of the plurality of third walls 323 .
  • the housing 310 further includes a main body 311 supporting the display 361 , and the second wall 322 and the plurality of third walls 323 are the main body Formed seamlessly with 311 , the housing 310 may further include a first bonding portion 324 for bonding the first wall 321 and the plurality of third walls 323 to each other.
  • the electronic device 1501 includes a main body 1511 , a heat source 389 , and a thermal management chamber thermally coupled to the heat source 389 and detachably coupled to the main body 1511 .
  • the housing 1510 may further include a second bonding portion 1525 for bonding the second wall 1522 and the plurality of third walls 323 to each other.
  • the electronic device 1601 includes a main body 1611 , a heat source 389 , and a thermal management chamber thermally coupled to the heat source 389 and detachably coupled to the main body 1611 .
  • a housing (1610) including a housing (1612), and a display (361) positioned over the main body (1611) opposite the heat source (389), the thermal management chamber (1612) comprising: the heat source (389); ), a first wall 1621 having a first hydrophilic surface 1621a, located opposite the first wall 1621 away from the heat source 389, and a second hydrophobic surface ( 1622a), and a plurality of third walls (1623) positioned between the first wall (1621) and the second wall (1622), the second wall (1622) and the plurality of third walls 1623 are formed seamlessly, and the housing 1610 includes a first bonding portion ( 1624 ), and a second bonding portion 1625 bonding at least a portion of the main body 1611 and the plurality of third walls 1623 .

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Abstract

다양한 실시 예들에 따른 전자 장치는, 열원 및 상기 열원에 열적으로 결합된 열 관리 챔버를 포함하는 하우징, 및 상기 열원의 반대편에 상기 하우징 위에 위치된 디스플레이를 포함하고, 상기 열 관리 챔버는 작동 유체를 포함하고, 상기 열 관리 챔버는, 상기 작동 유체 내에서 상기 작동 유체의 비등 임계 온도 이상에서 기포를 발생시키도록 구성되고, 상기 열 관리 챔버는, 상기 열원에 인접하게 위치되고, 친수성의 제 1 표면을 갖는 제 1 벽, 상기 열원으로부터 멀리 상기 제 1 벽의 반대편에 위치되고, 소수성의 제 2 표면을 갖는 제 2 벽, 및 상기 제 1 벽 및 상기 제 2 벽 사이에 위치된 복수 개의 제 3 벽들을 포함할 수 있다. 그 외에도 다양한 실시 예들이 가능하다.

Description

비등을 이용한 열 관리 챔버를 포함하는 전자 장치
이하의 다양한 실시 예들은 전자 장치에 관한 것으로, 예를 들면, 비등을 이용한 열 관리 챔버를 포함하는 전자 장치에 관한 것이다.
전자 장치의 소형화, 박형화, 그리고 최신 기술의 적용에 따른 높은 집적도 및 고성능에 대한 요구가 증가하고 있으며, 전자 장치의 발열 밀도가 증가하고 있다. 따라서, 전자 장치의 열 전도성 및 방열 성능을 향상시키기 위한 열 확산 구조가 개발되고 있다. 예를 들면, 상온에서 작동하며 모세관 현상 및 증발 원리를 이용한 열 확산 장치가 있다.
비등(boiling)은 정지하여 체류하고 있는 풀(pool) 안에서 액체가 끓는 것을 말한다. 비등에 의한 열 전달(heat transfer)은 자연 대류(natural convection), 액체가 가열된 표면의 일시적인 열 전도(transient heat conduction)에 의해 발생하는 위상 변화(phase change), 미세 레이어 증발 및 일시적인 미세 대류(transient micro convection)가 있다. 이 중에서 일시적인 미세 대류는 표면으로부터 이탈하는 기포(bubble)의 움직임(예: 기포의 구동 난류(turbulent flow) 및 대류)의 웨이크(wake)로 인한 결과이다.
한편, 핵 비등(nucleate boiling)에서의 대류 열 전달은 자유 대류, 기포 성장에 따른 기포 움직임에 의한 핵 형성 부위 주변의 강화된 강제 대류(forced convection) 및 벌크 액체가 발열부로부터 기포 이탈로 인해 비어 있는 공간을 채움(다시 말하면, 압력에 의한 이동)으로써 강화된 대류가 있다. 핵 비등은 표면 온도가 포화 유체 온도보다 일정량 더 높지만 열 유속(heat flux)이 임계 열 유속(critical heat flux, CHF)보다 작을 때 발생하는 비등 유형이다. 물을 예로 들면, 표면에서의 온도가 포화 온도보다 약 10~30℃만큼 높을 때 핵 비등이 발생한다. 핵 형성 부위에 고립된 기포가 형성되고 표면으로부터 분리되고 표면 근처에서 상당한 유체 혼합을 유도하여 대류 열 전달 계수 및 열 유속을 실질적으로 증가시킨다. 핵 비등의 효과는 액체-벽 인터페이스 및 기포-액체 인터페이스에서 나타난다. 최대 열 유속이 임계 열 유속을 초과할 때, 가열된 표면에 형성된 증기 필름으로 인해 드라이아웃(dry-out)이 발생하여 열 전달 효율이 급격하게 감소하고 가열 표면의 국부적인 과열을 유발한다.
비등 원리를 이용하는 열 관리 방식은 증발 원리를 이용하는 열 관리 방식과 차이가 있다. 증발의 경우, 상온에서 작동하고, 잠열(latent heat)만을 이용하며, 모세관 힘을 이용한 심지(wick) 구조를 채용하는 반면, 비등의 경우, 끓는 점에서 작동하고, 잠열 및 대류를 이용하며, 심지가 없는 단순한 구조를 가질 수 있다. 또한, 증발의 경우, 드라이아웃이 상당히 발생하고, 정해진 온도 범위 내에서 액체가 증발하며, 액체 표면 위주의 메커니즘을 이용하므로 증발 시 액체 온도가 감소하지만, 비등의 경우, 드라이아웃이 상대적으로 적게 발생하고, 특정 온도에서만 비등이 발생하며, 액체 전체 메커니즘을 이용하므로 비등 시 액체 온도가 유지된다. 또한, 가공성 측면에서 볼 때, 비등 원리를 이용하는 것이 증발 원리를 이용하는 것보다 유리할 수 있다. 한편, 액체 위 공간이 불포화 상태일 때 일어나는 증발과 달리, 비등은 액체 내부 압력 및 외부 압력이 실질적으로 동일할 때 일어난다. 다양한 실시 예들에 따르면, 전자 장치의 열을 효과적으로 관리하고 전자 장치의 온도 분포를 균일하게 유지하는 열 관리 구조를 포함하는 전자 장치를 제공할 수 있다.
다양한 실시 예들에 따른 전자 장치는, 열원 및 상기 열원에 열적으로 결합된 열 관리 챔버를 포함하는 하우징, 및 상기 열원의 반대편에 상기 하우징 위에 위치된 디스플레이를 포함하고, 상기 열 관리 챔버는 작동 유체를 포함하고, 상기 열 관리 챔버는, 상기 작동 유체 내에서 상기 작동 유체의 비등 임계 온도 이상에서 기포를 발생시키도록 구성되고, 상기 열 관리 챔버는, 상기 열원에 인접하게 위치되고, 친수성의 제 1 표면을 갖는 제 1 벽, 상기 열원으로부터 멀리 상기 제 1 벽의 반대편에 위치되고, 소수성의 제 2 표면을 갖는 제 2 벽, 및 상기 제 1 벽 및 상기 제 2 벽 사이에 위치된 복수 개의 제 3 벽들을 포함할 수 있다.
다양한 실시 예들에 따른 전자 장치는, 메인 바디와, 열원과, 상기 열원에 열적으로 결합되고 상기 메인 바디에 분리 가능하게 결합된 열 관리 챔버를 포함하는 하우징, 및 상기 열원의 반대편에 상기 메인 바디 위에 위치된 디스플레이를 포함하고, 상기 열 관리 챔버는, 상기 열원에 인접하게 위치되고, 친수성의 제 1 표면을 갖는 제 1 벽, 상기 열원으로부터 멀리 상기 제 1 벽의 반대편에 위치되고, 소수성의 제 2 표면을 갖는 제 2 벽, 및 상기 제 1 벽 및 상기 제 2 벽 사이에 위치된 복수 개의 제 3 벽들을 포함하고, 상기 복수 개의 제 3 벽들은 상기 메인 바디와 심리스하게 형성되고, 상기 하우징은 상기 제 1 벽 및 상기 복수 개의 제 3 벽들을 접합시키는 제 1 접합부를 더 포함할 수 있다.
다양한 실시 예들에 따른 전자 장치는, 메인 바디와, 열원과, 상기 열원에 열적으로 결합되고 상기 메인 바디에 분리 가능하게 결합된 열 관리 챔버를 포함하는 하우징, 및 상기 열원의 반대편에 상기 메인 바디 위에 위치된 디스플레이를 포함하고, 상기 열 관리 챔버는, 상기 열원에 인접하게 위치되고, 친수성의 제 1 표면을 갖는 제 1 벽, 상기 열원으로부터 멀리 상기 제 1 벽의 반대편에 위치되고, 소수성의 제 2 표면을 갖는 제 2 벽, 및 상기 제 1 벽 및 상기 제 2 벽 사이에 위치된 복수 개의 제 3 벽들을 포함하고, 상기 제 2 벽 및 상기 복수 개의 제 3 벽들은 심리스하게 형성되고, 상기 하우징은, 상기 제 1 벽 및 상기 복수 개의 제 3 벽들의 적어도 일부를 접합시키는 제 1 접합부, 및 상기 메인 바디 및 상기 복수 개의 제 3 벽들의 적어도 일부를 접합시키는 제 2 접합부를 더 포함할 수 있다.
다양한 실시 예들에 따르면, 열 관리 구조에서 열 저항을 개선하고, 전자 장치 내에서의 열 소산을 개선하고, 전자 장치의 더 높은 발열 및/또는 소비 전력에도 적합하며, 전자 장치에 대한 열 관리 구조의 제조성 및 적용성을 개선할 수 있다.
이 외에, 본 문서를 통해 직접적 또는 간접적으로 파악되는 다양한 효과들이 제공될 수 있다.
도 1은 다양한 실시 예들에 따른 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블록도이다.
도 2a는 다양한 실시 예들에 따른 언폴딩 형태의 전자 장치의 도면이다.
도 2b는 다양한 실시 예들에 따른 폴딩 형태의 전자 장치의 도면이다.
도 3은 일 실시 예에 따른 전자 장치(예: 도 2a의 전자 장치)의 일부 영역(예: C-C에서 바라본 일부 영역)의 단면도이다.
도 4a는 일 실시 예에 따른 열 관리 챔버의 제 1 벽의 사시도이다.
도 4b는 일 실시 예에 따른 열 관리 챔버의 제 1 벽의 사시도이다.
도 5a는 일 실시 예에 따른 열 관리 챔버의 제 1 벽의 평면도이다.
도 5b는 도 5a의 제 1 벽의 측면도이다.
도 6a는 일 실시 예에 따른 열 관리 챔버의 제 1 벽의 평면도이다.
도 6b는 도 6a의 제 1 벽의 측면도이다.
도 7a는 일 실시 예에 따른 열 관리 챔버의 제 1 벽의 평면도이다.
도 7b는 도 7a의 제 1 벽의 측면도이다.
도 8a는 일 실시 예에 따른 열 관리 챔버의 제 1 벽의 평면도이다.
도 8b는 도 8a의 제 1 벽의 측면도이다.
도 9a는 일 실시 예에 따른 열 관리 챔버의 제 1 벽의 평면도이다.
도 9b는 도 9a의 제 1 벽을 9B-9B에서 바라본 단면도이다.
도 10a는 일 실시 예에 따른 열 관리 챔버의 제 1 벽의 평면도이다.
도 10b는 도 10a의 제 1 벽을 10B-10B에서 바라본 단면도이다.
도 11은 일 실시 예에 따른 열 관리 챔버의 제 2 벽의 사시도이다.
도 12는 다른 실시 예에 따른 전자 장치(예: 도 3a의 전자 장치)의 일부 영역의 단면도이다.
도 13은 다른 실시 예에 따른 전자 장치(예: 도 3a의 전자 장치)의 일부 영역의 단면도이다.
도 14는 다른 실시 예에 따른 전자 장치(예: 도 3a의 전자 장치)의 일부 영역의 단면도이다.
도 15는 다른 실시 예에 따른 전자 장치(예: 도 3a의 전자 장치)의 일부 영역의 단면도이다.
도 16은 다른 실시 예에 따른 전자 장치(예: 도 3a의 전자 장치)의 일부 영역의 단면도이다.
도 17 및 도 18은 일 실시 예에 따른 열 관리 챔버의 제 1 벽의 제 1 표면에 대한 열 유속 및 임계 열 유속(CHF) 성능을 나타낸 그래프로서, 도 17은 임계 열 유속(CHF)을 표시한 그래프이고, 도 18은 도 17의 그래프 중에서 핵 비등 열 유속 영역대를 나타낸 그래프이다.
도 1을 참조하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제 1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제 2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108) 중 적어도 하나와 통신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 모듈(150), 음향 출력 모듈(155), 디스플레이 모듈(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 연결 단자(178), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(178))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(176), 카메라 모듈(180), 또는 안테나 모듈(197))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160))로 통합될 수 있다.
프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 저장하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서) 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU: neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)가 메인 프로세서(121) 및 보조 프로세서(123)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성요소(예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능 모델이 수행되는 전자 장치(101) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(108))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다.
메모리(130)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120) 또는 센서 모듈(176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다.
프로그램(140)은 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들 웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다.
입력 모듈(150)은 전자 장치(101)의 구성요소(예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼), 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다.
음향 출력 모듈(155)은 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(155)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
디스플레이 모듈(160)은 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(160)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 디스플레이 모듈(160)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다.
오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 모듈(150)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))(예: 스피커 또는 헤드폰)를 통해 소리를 출력할 수 있다.
센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다.
인터페이스(177)는 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.
연결 단자(178)는 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 연결 단자(178)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.
햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.
카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.
전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전력 관리 모듈(188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.
배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소에 전력을 공급할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.
통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108)) 간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제 1 네트워크(198)(예: 블루투스, WiFi(wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제 2 네트워크(199)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성요소(예: 단일 칩)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 또는 인증할 수 있다.
무선 통신 모듈(192)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 전자 장치(101), 외부 전자 장치(예: 전자 장치(104)) 또는 네트워크 시스템(예: 제 2 네트워크(199))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 무선 통신 모듈(192)은 eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.
안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시 예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제 1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제 2 면(예: 윗 면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.
상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))을 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제 2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(102, 또는 104) 각각은 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(102, 104, 또는 108) 중 하나 이상의 외부의 전자 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC: mobile edge computing), 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(101)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시 예에 있어서, 외부의 전자 장치(104)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(108)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 외부의 전자 장치(104) 또는 서버(108)는 제 2 네트워크(199) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(101)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다.
본 문서에 개시된 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시 예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.
본 문서의 다양한 실시 예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시 예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시 예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제 1", "제 2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제 1) 구성요소가 다른(예: 제 2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제 3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.
본 문서의 다양한 실시 예들에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일 실시 예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다.
본 문서의 다양한 실시 예들은 기기(machine)(예: 전자 장치(101)) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(136) 또는 외장 메모리(138))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(140))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(101))의 프로세서(예: 프로세서(120))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장 매체는, 비일시적(non-transitory) 저장 매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, '비일시적'은 저장 매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장 매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.
일 실시 예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시 예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory(CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어TM)를 통해 또는 두 개의 사용자 장치들(예: 스마트 폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.
다양한 실시 예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 다양한 실시 예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시 예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 일 실시 예에 따른 폴더블 전자 장치(201)는 서로에 대해 접히도록 힌지 구조체를 통해 회동 가능하게 결합되는 한 쌍의 하우징들(210, 220), 한 쌍의 하우징들(210, 220)의 접힘 가능한 부분을 커버하는 힌지 커버(265) 및 한 상의 하우징(210, 220)에 의해 형성된 공간에 배치되는 디스플레이(261)(예: 플렉서블 디스플레이 또는 폴더블 디스플레이)를 포함할 수 있다. 본 문서에서, 디스플레이(261)가 배치된 면은 폴더블 전자 장치(201)의 전면으로 규정될 수 있고, 전면의 반대 면은 폴더블 전자 장치(201)의 후면으로 규정될 수 있다. 또한, 전면 및 후면 사이의 공간을 둘러싸는 면은 폴더블 전자 장치(201)의 측면으로 규정될 수 있다.
일 실시 예에서, 한 쌍의 하우징들(210, 220)은 센서 영역(231)을 포함하는 제 1 하우징(210), 제 2 하우징(220), 제 1 후면 커버(240) 및 제 2 후면 커버(250)를 포함할 수 있다. 전자 장치(201)의 한 쌍의 하우징들(210, 220)은 도 2a 및 도 2b에 도시된 형상이나 부품의 조합 및/또는 결합으로 제한되지 않고, 다른 형상이나 부품의 조합 및/또는 결합에 의해 구현될 수도 있다.
일 실시 예에서, 제 1 하우징(210) 및 제 2 하우징(220)은 폴딩 축(A)을 중심으로 양 측에 배치되고, 폴딩 축(A)에 대해 실질적으로 대칭으로 배치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제 1 하우징(210) 및 제 2 하우징(220)이 서로 형성하는 각도 또는 거리는 전자 장치(201)가 언폴딩 상태인지, 폴딩 상태인지 또는 중간 상태인지 여부에 따라 달라질 수 있다. 일 실시 예에서, 제 1 하우징(210)은 제 2 하우징(220)과 달리 다양한 센서 모듈(예: 도 1의 센서 모듈(176))들이 배치되는 센서 영역(231)을 포함하지만, 그 이외의 영역에 있어서 제 1 하우징(210) 및 제 2 하우징(220)은 상호 대칭적인 형상을 가질 수 있다. 어떤 실시 예에서, 센서 영역(231)은 제 2 하우징(220)의 적어도 일부 영역에 배치될 수 있다. 어떤 실시 예에서, 센서 영역(231)은 제 2 하우징(220)의 적어도 일부 영역으로 대체될 수 있다. 예를 들어, 센서 영역(231)은 카메라 홀 영역, 센서 홀 영역, UDC(under display camera) 영역 및/또는 UDS(under display sensor) 영역을 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 제 1 하우징(210)은 전자 장치(201)의 언폴딩 상태에서 힌지 구조체에 연결될 수 있다. 제 1 하우징(210)은 전자 장치(201)의 전면을 향하도록 배치된 제 1 면(211), 제 1 면(211)의 반대 방향을 향하는 제 2 면(212) 및 제 1 면(211)과 제 2 면(212) 사이의 공간의 적어도 일부를 둘러싸는 제 1 사이드 부분(213)을 포함할 수 있다. 제 1 사이드 부분(213)은 폴딩 축(A)에 실질적으로 평행하게 배치되는 제 1 측면(213a), 제 1 측면(213a)의 일 단부로부터 폴딩 축(A)에 실질적으로 수직한 방향으로 연장하는 제 2 측면(213b) 및 제 1 측면(213a)의 타 단부로부터 폴딩 축(A)에 실질적으로 수직하고 제 2 측면(213b)에 실질적으로 평행한 방향으로 연장하는 제 3 측면(213c)을 포함할 수 있다. 제 2 하우징(220)은 전자 장치(201)의 언폴딩 상태에서 힌지 구조체에 연결될 수 있다. 제 2 하우징(220)은 전자 장치(201)의 전면을 향하도록 배치된 제 3 면(221), 제 3 면(221)의 반대 방향을 향하는 제 4 면(222) 및 제 3 면(221)과 제 4 면(222) 사이의 공간의 적어도 일부를 둘러싸는 제 2 사이드 부분(223)을 포함할 수 있다. 제 2 사이드 부분(223)은 폴딩 축(A)에 실질적으로 평행하게 배치되는 제 4 측면(223a), 제 4 측면(223a)의 일 단부로부터 폴딩 축(A)에 실질적으로 수직한 방향으로 연장하는 제 5 측면(223b) 및 제 4 측면(223a)의 타 단부로부터 폴딩 축(A)에 실질적으로 수직하고 제 5 측면(223b)에 실질적으로 평행한 방향으로 연장하는 제 6 측면(223c)을 포함할 수 있다. 제 1 면(211) 및 제 3 면(221)은 전자 장치(201)가 폴딩 상태에 있을 때 서로 대면할 수 있다.
일 실시 예에서, 전자 장치(201)는 제 1 하우징(210) 및 제 2 하우징(220)의 구조적 결합을 통해 디스플레이(261)를 수용하는 리세스 형상의 수용부(202)를 포함할 수 있다. 수용부(202)는 디스플레이(261)와 실질적으로 동일한 크기를 가질 수 있다. 일 실시 예에서, 센서 영역(231)으로 인해 수용부(202)는 폴딩 축(A)에 대해 수직한 방향으로 서로 다른 2개 이상의 폭을 가질 수 있다. 예를 들어, 수용부(202)는, 제 1 하우징(210) 중 센서 영역(231)의 가장자리에 형성되는 제 1 부분(210a) 및 제 2 하우징(220) 중 폴딩 축(A)에 평행한 제 2 부분(220a) 사이의 제 1 폭(W1)과, 제 1 하우징(210) 중 센서 영역(231)과 오버랩되지 않으면서 폴딩 축(A)에 평행한 제 3 부분(210b) 및 제 2 하우징(220) 중 제 4 부분(220b) 사이의 제 2 폭(W2)을 가질 수 있다. 여기서, 제 2 폭(W2)은 제 1 폭(W1)보다 클 수 있다. 다시 말하면, 수용부(202)는 상호 비대칭 형상을 갖는 제 1 하우징(210)의 제 1 부분(210a)으로부터 제 2 하우징(220)의 제 2 부분(220a)으로의 제 1 폭(W1) 및 제 1 하우징(210)의 제 3 부분(210b)으로부터 제 2 하우징(220)의 제 4 부분(220b)으로의 제 2 폭(W2)을 갖도록 형성될 수 있다. 제 1 하우징(210)의 제 1 부분(210a) 및 제 3 부분(210b)은 폴딩 축(A)으로부터 서로 다른 거리로 형성될 수 있다. 한편, 수용부(202)의 폭은 도시된 예에 한정되지 않을 수 있다. 예를 들어, 센서 영역(231)의 형태 또는 제 1 하우징(210)과 제 2 하우징(220)의 비대칭 형상에 의해 수용부(202)는 3개 이상의 서로 다른 폭을 가질 수도 있다.
일 실시 예에서, 제 1 하우징(210) 및 제 2 하우징(220)의 적어도 일부는 디스플레이(261)를 지지하기에 적합한 임의의 강성을 갖는 금속 재질 또는 비금속 재질로 형성될 수 있다.
일 실시 예에서, 센서 영역(231)은 제 1 하우징(210)의 일 코너에 인접하게 형성될 수 있다. 다만, 센서 영역(231)의 배치, 형상 또는 크기는 도시된 예에 한정되지 않을 수 있다. 어떤 실시 예에서, 센서 영역(231)은 제 1 하우징(210)의 다른 코너 또는 상부 코너와 하부 코너의 임의의 영역에 형성될 수도 있다. 어떤 실시 예에서, 센서 영역(231)은 제 2 하우징(220)의 적어도 일부 영역에 배치될 수 있다. 어떤 실시 예에서, 센서 영역(231)은 제 1 하우징(210) 및 제 2 하우징(220) 사이에서 연장하는 형태로 형성될 수 있다.
일 실시 예에서, 전자 장치(201)는 센서 영역(231)을 통해 또는 센서 영역(231)에 형성된 적어도 하나 이상의 개구를 통해 전자 장치(201)의 전면에 노출되게 배치된 다양한 기능을 수행하기 위한 적어도 하나의 컴포넌트를 포함할 수 있다. 예를 들어, 컴포넌트는 전면 카메라 모듈, 리시버, 근접 센서, 조도 센서, 홍채 인식 센서, 초음파 센서 또는 인디케이터 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 제 1 후면 커버(240)는 제 1 하우징(210)의 제 2 면(212)에 배치될 수 있고, 실질적으로 직사각형의 가장자리들을 가질 수 있다. 제 1 후면 커버(240)의 가장자리들의 적어도 일부는 제 1 하우징(210)에 의해 둘러싸일 수 있다. 제 2 후면 커버(250)는 제 2 하우징(220)의 제 4 면(222)에 배치될 수 있고, 실질적으로 직사각형의 가장자리들을 가질 수 있다. 제 2 후면 커버(250)의 가장자리들의 적어도 일부는 제 2 하우징(220)에 의해 둘러싸일 수 있다.
일 실시 예에서, 제 1 후면 커버(240) 및 제 2 후면 커버(250)는 폴딩 축(A)을 기준으로 실질적으로 대칭적인 형상을 가질 수 있다. 다른 실시 예에서, 제 1 후면 커버(240) 및 제 2 후면 커버(250)는 서로 다른 형상을 가질 수도 있다. 또 다른 실시 예에서, 제 1 하우징(210) 및 제 1 후면 커버(240)는 일체로 형성될 수 있고, 제 2 하우징(220) 및 제 2 후면 커버(250)는 일체로 형성될 수 있다.
일 실시 예에서, 제 1 하우징(210), 제 2 하우징(220), 제 1 후면 커버(240) 및 제 2 후면 커버(250)는 서로 결합된 구조를 통해 전자 장치(201)의 다양한 컴포넌트들(예: 인쇄 회로 기판, 도 1의 안테나 모듈(197), 도 1의 센서 모듈(176) 또는 도 1 의 배터리(189))이 배치될 수 있는 공간을 제공할 수 있다. 일 실시 예에서, 전자 장치(201)의 후면에는 적어도 하나 이상의 컴포넌트가 시각적으로 노출될 수 있다. 예를 들어, 제 1 후면 커버(240)의 제 1 후면 영역(241)을 통해 적어도 하나 이상의 컴포넌트가 시각적으로 노출될 수 있다. 여기서, 컴포넌트는 근접 센서, 후면 카메라 모듈 및/또는 플래시를 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 제 2 후면 커버(250)의 제 2 후면 영역(251)을 통해 서브 디스플레이(262)의 적어도 일부가 시각적으로 노출될 수 있다. 일 실시 예에서, 전자 장치(201)는 제 2 후면 커버(250)의 적어도 일부 영역을 통해 배치되는 음향 출력 모듈(예: 도 1 의 음향 출력 모듈(155))을 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 디스플레이(261)는 한 쌍의 하우징들(210, 220)에 의해 형성된 수용부(202)에 배치될 수 있다. 예를 들어, 디스플레이(261)는 전자 장치(201)의 전면 중 실질적으로 대부분의 면을 차지하도록 배치될 수 있다. 전자 장치(201)의 전면은 디스플레이(261)가 배치되는 영역 및 디스플레이(261)에 인접한 제 1 하우징(210)의 일부 영역(예: 가장자리 영역) 및 제 2 하우징(220)의 일부 영역(예: 가장자리 영역)을 포함할 수 있다. 전자 장치(201)의 후면은 제 1 후면 커버(240), 제 1 후면 커버(240)에 인접한 제 1 하우징(210)의 일부 영역(예: 가장자리 영역), 제 2 후면 커버(250) 및 제 2 후면 커버(250)에 인접한 제 2 하우징(220)의 일부 영역(예: 가장자리 영역)을 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 디스플레이(261)는 적어도 일부 영역이 평면 또는 곡면으로 변형할 수 있는 디스플레이일 수 있다. 일 실시 예에서, 디스플레이(261)는 폴딩 영역(261c), 폴딩 영역(261c)을 기준으로 제 1 측(예: 우측)의 제 1 영역(261a) 및 폴딩 영역(261c)을 기준으로 제 2 측(예: 좌측)의 제 2 영역(261b)을 포함할 수 있다. 제 1 영역(261a)은 제 1 하우징(210)의 제 1 면(211)에 위치되고, 제 2 영역(261b)은 제 2 하우징(210)의 제 3 면(221)에 위치될 수 있다. 다만, 디스플레이(261)의 영역 구분은 예시적인 것이고, 디스플레이(261)의 구조 또는 기능에 따라 복수 개의 영역들로 디스플레이(261)가 구분될 수도 있다. 예를 들어, 도 2a에 도시된 바와 같이, Y축에 평행하게 연장하는 폴딩 영역(261c) 또는 폴딩 축(A)에 의해 디스플레이(261)의 영역이 구분될 수 있으나, 다른 폴딩 영역(예: X축에 평행하게 연장하는 폴딩 영역) 또는 다른 폴딩 축(예: X축에 평행한 폴딩 축)을 기준으로 디스플레이(261)의 영역이 구분될 수도 있다. 상기와 같은 디스플레이(261)의 영역 구분은 한 쌍의 하우징들(210, 220) 및 힌지 구조체에 의한 물리적인 구분일 뿐, 실질적으로 한 쌍의 하우징들(210, 220) 및 힌지 구조체를 통해 디스플레이(261)는 실질적으로 하나의 화면을 표시할 수 있다. 일 실시 예에서, 제 1 영역(261a)은 센서 영역(231)을 따라 형성된 노치 영역을 포함할 수 있지만, 그 이외의 영역에서 있어서 제 2 영역(261b)과 실질적으로 대칭적인 형상을 가질 수 있다. 다른 실시 예에서, 제 1 영역(261a) 및 제 2 영역(261b)은 폴딩 영역(261c)을 기준으로 실질적으로 대칭적인 형상을 가질 수 있다.
일 실시 예에서, 힌지 커버(265)는 제 1 하우징(210) 및 제 2 하우징(220) 사이에 배치되고, 힌지 구조체를 커버하도록 구성될 수 있다. 힌지 커버(265)는 전자 장치(201)의 작동 상태에 따라 제 1 하우징(210) 및 제 2 하우징(220)의 적어도 일부에 의해 숨겨지거나 외부로 노출될 수 있다. 예를 들어, 도 2a에 도시된 바와 같이, 전자 장치(201)가 언폴딩 상태인 경우, 힌지 커버(265)는 제 1 하우징(210) 및 제 2 하우징(220)에 의해 숨겨져 외부에 노출되지 않을 수 있고, 도 2b에 도시된 바와 같이, 전자 장치(201)가 폴딩 상태인 경우, 힌지 커버(265)는 제 1 하우징(210) 및 제 2 하우징(220) 사이에서 외부에 노출될 수 있다. 한편, 전자 장치(201)가 제 1 하우징(210) 및 제 2 하우징(220)이 서로 각도를 형성하는 중간 상태인 경우, 힌지 커버(265)의 적어도 일부가 제 1 하우징(210) 및 제 2 하우징(220) 사이에서 외부에 노출될 수 있다. 이 때, 힌지 커버(265)가 외부에 노출되는 영역은 전자 장치(201)가 폴딩 상태에 있는 경우의 힌지 커버(265)의 노출 영역보다 작을 수 있다. 일 실시 예에서, 힌지 커버(265)는 곡면을 가질 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치(201)의 동작을 설명하면, 전자 장치(201)가 언폴딩 상태(예: 도 2a의 전자 장치(201)의 상태)에 있는 경우, 제 1 하우징(210) 및 제 2 하우징(220)은 서로 제 1 각도(예: 약 180도)를 형성할 수 있고, 디스플레이(261)의 제 1 영역(261a) 및 제 2 영역(261b)은 실질적으로 동일한 방향으로 배향될 수 있다. 디스플레이(261)의 폴딩 영역(261c)은 제 1 영역(261a) 및 제 2 영역(261b)은 제 1 영역(261a) 및 제 2 영역(261b)과 실질적으로 동일 평면 상에 있을 수 있다. 다른 실시 예에서, 전자 장치(201)가 언폴딩 상태에 있는 경우, 제 1 하우징(210)이 제 2 하우징(220)에 대해 제 2 각도(예: 약 360도)로 회동함으로써 제 2 면(212) 및 제 4 면(222)이 서로 대면하도록 제 1 하우징(210) 및 제 2 하우징(220)은 반대로 접힐 수도 있다. 한편, 전자 장치(201)가 폴딩 상태(예: 도 2b의 전자 장치(201)의 상태)에 있는 경우, 제 1 하우징(210) 및 제 2 하우징(220)은 서로 대면할 수 있다. 제 1 하우징(210) 및 제 2 하우징(220)은 약 0도 내지 약 10도의 각도를 형성할 수 있고, 디스플레이(261)의 제 1 영역(261a) 및 제 2 영역(261b)은 서로 대면할 수 있다. 디스플레이(261)의 폴딩 영역(261c)의 적어도 일부는 곡면으로 변형될 수 있다. 한편, 전자 장치(201)가 중간 상태에 있는 경우, 제 1 하우징(210) 및 제 2 하우징(220)은 서로 특정 각도를 형성할 수 있다. 디스플레이(261)의 제 1 영역(261a) 및 제 2 영역(261b)이 서로 형성하는 각도(예: 제 3 각도, 약 90도)는 전자 장치(201)가 폴딩 상태일 때의 각도보다 크고, 전자 장치(201)가 언폴딩 상태일 때의 각도보다 작을 수 있다. 디스플레이(261)의 폴딩 영역(261c)의 적어도 일부는 곡면으로 변형될 수 있다. 이 때 폴딩 영역(261c)의 곡면의 곡률은 전자 장치(201)가 폴딩 상태일 때의 폴딩 영역(261c)의 곡면의 곡률보다 작을 수 있다.
한편, 본 문서에서 설명하는 전자 장치의 다양한 실시 예들은 도 2a 및 도 2b를 참조하며 설명하는 전자 장치(201)의 폼 팩터에 제한되지 않고, 다양한 폼 팩터의 전자 장치에도 적용될 수 있다.
도 3a를 참조하면, 일 실시 예에 따른 전자 장치(301)(예: 전자 장치(201))는, 비등 원리를 이용하여 전자 장치(301)를 냉각하고 전자 장치(301)의 온도 분포를 균일하게 유지시킬 수 있다. 전자 장치(301)는, 하우징(310)(예: 제 1 하우징(210) 및/또는 제 2 하우징(220)), 하우징(310)의 일 측(예: 상부측)에 위치된 디스플레이(361)(예: 디스플레이(261)) 및 하우징(310)의 타 측(예: 하부측) 또는 하우징(310)의 내부에 위치된 열원(389)(예: 배터리(189))을 포함할 수 있다. 하우징(310)은 디스플레이(361)를 지지하는 메인 바디(311), 전자 장치(301)에서 발생하는 열을 관리하고 열원(389)에 열적으로 결합된 열 관리 챔버(312) 및 메인 바디(311)와 디스플레이(361) 사이에 위치된 중간 레이어(313)를 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 중간 레이어(313)는 시트(sheet) 형태일 수 있다. 일 실시 예에서, 중간 레이어(313)는 그래파이트(graphite)를 포함할 수 있다.
열 관리 챔버(312)는 제 1 벽(321)(예: 하부 벽), 제 2 벽(322)(예: 상부 벽) 및 제 1 벽(321)과 제 2 벽(322) 사이에 위치된 복수 개의 제 3 벽(323)(예: 측벽)들을 포함할 수 있다. 제 1 벽(321), 제 2 벽(322) 및 복수 개의 제 3 벽(323)들은 열 관리 챔버(312)의 내부 공간(S)을 형성할 수 있다.
제 1 벽(321)은 열원(389)에 인접하게 위치될 수 있다. 제 1 벽(321)은 열 관리 챔버(312)의 내부 공간(S)의 적어도 일부를 형성하는 제 1 내부 표면(321a) 및 제 1 내부 표면(321a)의 반대편의 제 1 외부 표면(321b)을 가질 수 있다. 제 1 내부 표면(321a)은 친수성을 가질 수 있다. 일 실시 예에서, 제 1 벽(321)은 모세관 심지 구조를 포함하지 않을 수 있다.
일 실시 예에서, 제 1 벽(321)은 플레이트 형상을 가질 수 있다. 다시 말하면, 제 1 벽(321)은 제 1 방향(예: X 방향) 및 제 1 방향에 교차하는 제 2 방향(예: Y 방향)으로 연장할 수 있다. 제 1 벽(321)의 제 1 방향의 길이 및 제 2 방향의 길이는 제 1 벽(321)의 제 1 방향 및 제 2 방향에 각각 교차하는 제 3 방향(예: Z 방향)의 높이보다 클 수 있다.
일 실시 예에서, 제 1 벽(321)은 제 1 내부 표면(321a)에 형성된 미세 다공 구조체(330)를 포함할 수 있다. 미세 다공 구조체(330)는 제 1 내부 표면(311a)에 대해 작동 유체(F) 및 열원(389) 사이의 열 교환 면적을 증가시켜 열원(389)으로부터 열 전달에 의해 끓어오르는 작동 유체(F)의 열 전도 능력을 향상시킬 수 있다. 다른 실시 예에서, 제 1 벽(321)은 제 1 내부 표면(321a)의 구조적 개질이 아닌 기타 다른 화학적 방식으로도 친수성을 가질 수도 있다. 일 실시 예에서, 열원(389)은 제 1 외부 표면(321b)과 접촉할 수 있다.
일 실시 예에서, 제 1 벽(321)은 제 1 재료로 형성될 수 있다. 제 1 재료는, 예를 들면, 구리, 알루미늄, 스테인리스 스틸, 티타늄 및/또는 기타 금속 재료이거나 이들의 조합일 수 있다. 일 실시 예에서, 제 1 벽(321)의 두께는 제 1 재료에 따라 달라질 수 있다. 예를 들면, 제 1 재료가 구리 및/또는 알루미늄인 경우의 제 1 벽(321)의 두께는 제 1 재료가 스틸인 경우의 제 1 벽(321)의 두께보다 클 수 있다.
다양한 실시 예들에 따른 미세 다공 구조체(330)에 의하면, 핵 형성 부위 밀도를 증가시키기 위해 미세 다공 구조체(330)가 변형되어 제 1 내부 표면(321a)에 친수성이 부여되고 미세 다공 구조체(330)가 형성된 제 1 내부 표면(321a)의 표면의 표면 에너지가 증가될 수 있다. 일 실시 예에서, 제 1 내부 표면(321a)은 약 5°이하의 접촉각을 가지는 초친수성(superhydrophilic) 표면일 수 있다.
제 1 벽(321)이 알루미늄으로 형성된 실시 예들에 따르면, 미세 다공 구조체(330)는 제 1 내부 표면(321a)에 대해 양극 산화 처리(anodize)함으로써 형성될 수 있다. 다른 실시 예에서, 나노초 펄스 레이저(ns-pulsed laser)를 이용하여 제 1 내부 표면(321a)에 대해 표면 가공이 이루어진 후, 화학 물질을 사용하지 않고 소정 온도(예: 약 200℃)에서 소정 시간(예: 약 6시간) 동안 열 처리가 이루어지면 제 1 내부 표면(321a)이 초소수성을 가지게 되고, 그 다음 추가로 제 1 내부 표면(321a)에 대해 끓는 물에서 소정 시간(예: 약 2시간) 동안 표면 처리할 경우 제 1 내부 표면(321a)의 습윤성(wettabilility)이 변경되어 초친수성 수도베마이트(pseudoboehmite) 나노 구조체로 형성된 미세 다공 구조체(330)가 제 1 내부 표면(321a)에 형성될 수 있다. 다른 실시 예에서, 소정 물질(예: Parlen 4526)로 제 1 내부 표면(321a)을 코팅함으로써 제 1 내부 표면(321a)에 친수성이 부여될 수 있다.
제 1 벽(321)이 스틸로 형성된 실시 예들에 따르면, 소정 미세 크기(예: 약 320~400 메쉬)의 알루미나(예: 산화 알루미늄(aluminum oxide))를 사용하여 제 1 내부 표면(321a)에 대해 샌드 블라스팅(sand blasting) 방식으로 표면 처리됨으로써 제 1 내부 표면(321a)에 친수성이 부여될 수 있다. 다른 실시 예에서, 소정 물질(예: Paltop 3975(SUS304))로 제 1 내부 표면(321a)을 코팅함으로써 제 1 내부 표면(321a)에 친수성이 부여될 수 있다.
제 1 벽(321)이 구리로 형성된 실시 예들에 따르면, 제 1 내부 표면(321a)에 대해 화학적 에칭이 이루어진 후, 제 1 내부 표면(321a)에 친수성 막 형성 처리 용액으로 코팅됨으로써 제 1 내부 표면(321a)에 친수성이 부여될 수 있다. 여기서, 친수성 막 형성 처리 용액은, 예를 들면, 포타슘 실리케이트(potassium silicate)일 수 있으며, 포타슘 실리케이트는 약 25.5 내지 27.5%의 이산화규소(SiO2) 및 약 12.5~14.5%의 포타슘 옥사이드(K2O)일 수 있다. 다른 실시 예에서, 제 1 내부 표면(321a)에 대해 구리 분말 소결(sintering)이 이루어진 후, 제1 내부 표면(321a)이 이산화규소(SiO2)/이소프로판올(isopropanol)(예: PX-10 제품)로 코팅됨으로써 제 1 내부 표면(321a)에 초친수성이 부여될 수 있다.
한편, 제 1 내부 표면(321a)에 친수성을 부여하는 것은 상기와 같은 실시 예들에 제한되지 않으며, 기타 다양한 방식으로도 이루어질 수 있다. 예를 들면, 화학적 에칭(chemical etching), 용액 침지(solution immersion), 스프레이 코팅(spray coating), 레이저 전착(laser electrodeposition), 템플릿 증착(template deposition), 화학적/물리적 증기 증착(chemical/physical vapor deposition), 레이저 어블레이션(laser ablation), 코팅, 전해 전착(electrolytic deposition), 영동 증착(electrophoretic deposition), 전기화학적 증착(electrochemical deposition), 스퍼터링(sputtering), 전자 빔 증착(electron beam evaporation) 및 기타 임의의 적합한 방식 또는 이들의 하나 이상의 조합에 의해 이루어질 수 있다.
제 2 벽(322)은 열원(389)으로부터 멀리 제 1 벽(321)의 반대편에 위치될 수 있다. 제 2 벽(322)은 열 관리 챔버(312)의 내부 공간(S)의 적어도 일부를 형성하는 제 2 내부 표면(322a) 및 제 2 내부 표면(322a)의 반대편의 제 2 외부 표면(322b)을 가질 수 있다. 제 2 내부 표면(322a)은 소수성을 가질 수 있다. 일 실시 예에서, 제 2 벽(322)은 제 2 내부 표면(322a)에 형성된 소수성 표면체(340)를 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 제 2 벽(322)은 제 2 재료로 형성될 수 있다. 제 2 재료는, 예를 들면, 구리, 알루미늄, 스테인리스 스틸, 티타늄 및/또는 기타 금속 재료이거나 이들의 조합일 수 있다. 일 실시 예에서, 제 2 벽(322)의 제 2 재료는 전자 장치(301)의 강성을 유지하기 위한 메인 바디(311)의 재료와 실질적으로 동일할 수 있다. 일 실시 예에서, 제 2 외부 표면(322b)은 중간 레이어(313)와 접촉할 수 있다. 일 실시 예에서, 제 2 벽(322)은 메인 바디(311)와 심리스하게 일체로 형성될 수 있다.
소수성 표면체(340)가 임의의 적합한 방식으로 제 2 내부 표면(322a)을 거칠게 하여 마이크로/나노 구조체로 형성된 후 제 2 내부 표면(322a)에 대해 다양한 표면 개질 방식이 이루어짐으로써 제 2 내부 표면(322a)은 소수성을 갖는 낮은 표면 에너지를 가질 수 있다. 일 실시 예에서, 제 2 내부 표면(322a)은 약 150°이상의 접촉각을 가지는 초소수성(superhydrophobic) 표면일 수 있다.
제 2 벽(322)이 알루미늄으로 형성된 실시 예들에 따르면, 제 2 내부 표면(322a)에 화학 식각이 이루어짐으로써 제 2 내부 표면(322a)에 초소수성이 부여될 수 있다. 일 실시 예에서, 제 2 내부 표면(322a)을 연마하여 제 2 내부 표면(322a)을 거칠게 하고 제 2 내부 표면(322a)을 세척한 후, 제 2 내부 표면(322a)에 대해 수산화나트륨(NaOH)으로 처리하고 그 다음 염화수소(HCL) 및 아세트산(CH3COOH)으로 처리한 후, 실란(silane) 용액에 제 2 내부 표면(322a)을 담궈 제 2 내부 표면(322a)의 최대 접촉각을 증가시킬 수 있다. 다른 실시 예에서, 제 2 내부 표면(322a)에 대해 염산(HCL) 및 질산구리(Cu(NO3)2)로 처리가 이루어진 후, 플루오로알킬실란(fluoroalkyl silane)(FAS) 용액의 처리가 이루어질 수 있다. 다른 실시 예에서, 제 2 내부 표면(322a)에 대해 불화수소(HF) 및 염산(HCL)으로 처리가 이루어진 후, 퍼플루오로알킬 트리에톡시실란(perfluoroalkyl triethoxysilane)(PFO), 폴리아미드(polyamide)(PA), 실온가류 코팅(room temperature vulcanized coating) 및/또는 헥사데실-트리메톡시실란(hexadecyl-trimethoxy silane)의 처리가 이루어질 수 있다.
한편, 제 2 벽(322)이 알루미늄으로 형성된 실시 예들에서, 제 2 내부 표면(322a)에 대해 상기와 같은 표면 처리를 하기 전에, 제 2 내부 표면(322a)에 대해 양극 산화 처리(anodizing)을 하여 초친수성 표면을 얻거나, 에탄올 내 KH-832(KH-832 in ethanol)로 표면 처리를 하여 초소수성 표면을 얻을 수 있다. 일 실시 예에서, 25~75 V의 일정한 셀 전압에서 74% 농도의 피로인산(phrophosphoric acid) 용액으로 제 2 내부 표면(322a)에 대해 양극 산화 처리를 하면, 초친수성의 제 2 내부 표면(322a)을 얻을 수 있고, 그 이후 약 0.5 mM 농도의 불소화 인산 SAM(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-tridecafluorooctylphosphonic acid; FOPA)/293~323 Kelvin (K)에서의 에탄올 용액으로 처리하면 초소수성의 제 2 내부 표면(322a)을 얻을 수 있다.
제 2 벽(322)이 알루미늄으로 형성된 다른 실시 예에 따르면, 제 2 내부 표면(322a)에 대해 식각이 아닌 다른 방식으로 표면 처리가 이루어질 수 있다. 예를 들면, 솔더(solder) 또는 에폭시로 제 2 내부 표면(322a)에 대해 소정 두께(예: 약 7~150 ㎛)로 열전도성 미세 다공성 코팅(thermally conductive microporous coating)이 이루어질 수 있다. 다른 실시 예에서, 제 2 내부 표면(322a)에 대해 소정 크기(예: 약 3~30 ㎛)의 알루미늄 입자들을 전해 증착함으로써 초소수성의 제 2 내부 표면(322a)을 얻을 수 있다.
제 2 벽(322)이 구리로 형성된 실시 예들에 따르면, 제 2 내부 표면(322a)에 화학 식각이 이루어짐으로써 제 2 내부 표면(322a)에 초소수성이 부여될 수 있다. 예를 들면, 제 2 내부 표면(322a)에 대해 질산(HNO3)(nitric acid) 및 질산은(AgNO3)(silver nitrate)으로 처리가 이루어진 후, 플루오로알킬실란(fluoroalkyl silane)(FAS) 용액의 처리가 이루어질 수 있다.
제 2 벽(322)이 티타늄으로 형성된 실시 예들에 따르면, 제 2 내부 표면(322a)에 대해 샌드 블라스팅을 수행한 후, 황산(H2SO4) 및 알칼리 용액으로 식각하고, 어닐링(annealing)을 수행한 후, FAS-17 용액을 사용하여 초소수성의 제 2 내부 표면(322a)을 얻을 수 있다.
제 2 벽(322)이 스틸 및/또는 마그네슘으로 형성된 실시 예들에 따르면, 제 2 내부 표면(322a)에 대해 스프레이 코팅이 이루어질 수 있다. 예를 들면, 제 2 내부 표면(322a)에 대해 연마 공정 및 건조 공정이 이루어진 후, 염화나트륨(NaCl) 용액이 들어있는 고습 중성 스프레이 챔버에 소정 시간(예: 약 2시간) 동안 배치됨으로써, 제 2 내부 표면(322a)에 바늘과 같은 미세 구조가 형성되고, 이를 1 중량%의 FAS-17에 넣어 표면 개질시킬 수 있다.
제 2 벽(322)이 스틸로 형성된 실시 예들에 따르면, 희석된 왕수(aqua regia)(예: 약 3.6%의 염산(HCL) 및 약 1.2%의 질산(HNO3) 용액)에서 제 2 내부 표면(322a)에 대해 전기화학적 에칭을 수행할 수 있다.
복수 개의 제 3 벽(323)들은 제 1 벽(321) 및 제 2 벽(322)을 연결할 수 있다. 복수 개의 제 3 벽(323)들은 열 관리 챔버(312)의 내부 공간(S)의 높이를 규정할 수 있다. 복수 개의 제 3 벽(323)들은 열 관리 챔버(312)의 내부 공간(S)의 적어도 일부를 형성하는 제 3 내부 표면(323a)을 각각 가질 수 있다. 일 실시 예에서, 제 3 벽(323)은 제 3 재료로 형성될 수 있다. 제 3 재료는, 예를 들면, 구리, 알루미늄, 스테인리스 스틸, 티타늄 및/또는 기타 금속 재료이거나 이들의 조합일 수 있다. 일 실시 예에서, 복수 개의 제 3 벽(323)들의 제 3 재료는 전자 장치(301)의 강성을 유지하기 위한 메인 바디(311)의 재료와 실질적으로 동일할 수 있다. 일 실시 예에서, 복수 개의 제 3 벽(323)들은 메인 바디(311)와 심리스하게 일체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제 2 벽(322) 및 복수 개의 제 3 벽(323)들은 서로 심리스하게 일체로 형성될 수 있다.
일 실시 예에서, 제 1 재료는 제 3 재료와 실질적으로 동일할 수 있다. 이는 제 1 벽(321) 및 복수 개의 제 3 벽(323)들 사이의 접합을 수월하게 할 수 있다. 다른 실시 예에서, 제 1 재료는 제 3 재료와 상이할 수 있다. 어떤 실시 예에서, 제 1 재료의 열 저항은 제 3 재료의 열 저항보다 작을 수 있다. 이는 복수 개의 제 3 벽(323)들을 통해 전자 장치(301)의 강성을 유지하면서, 제 1 벽(321)을 통한 열원(389)으로부터 작동 유체(F)로의 열 전도를 개선할 수 있다.
열 관리 챔버(312)는 내부 공간(S)에 수용되는 작동 유체(F)를 포함(contain)할 수 있다. 일 실시 예에서, 작동 유체(F)는 액체 상태일 수 있다. 일 실시 예에서, 작동 유체(F)는 물을 포함할 수 있다.
열 관리 챔버(312)는 작동 유체(F) 내에서 작동 유체(F)의 비등 임계 온도 이상에서 기포(C)를 발생시키도록 구성될 수 있다. 일 실시 예에서, 열 관리 챔버(312)의 내부 공간(S)은 실질적으로 진공 환경에 있을 수 있다. 작동 유체(F)가 물인 경우를 예로 들면, 열 관리 챔버(312)가 전자 장치(301)의 원하는 작동 제어 온도(예: 약 40℃)에서 동작하게 하기 위해, 작동 유체(F)를 상기의 작동 제어 온도와 실질적으로 동일한 온도로 비등 진입(onset of nucleate boiling)하게 하려면, 작동 유체(F)의 포화 온도를 감소시키는 방법으로 열 관리 챔버(312)의 내부 공간(S)의 내부 압력을 대기압보다 낮은 압력(예: 약 0.1 bar)으로 감소시킬 수 있다. 일 예로, 열 관리 챔버(312)를 제작하는 과정에서 열 관리 챔버(312)의 내부 공간(S) 안으로 작동 유체(F)를 주입할 때 내부 공간(S)에 진공 펌프를 연결하여 내부 공간(S)의 내부 압력을 감소시킬 수 있다.
일 실시 예에서, 작동 유체(F)는 제 1 내부 표면(321a) 및 제 2 내부 표면(322a) 사이의 유체 순환 구조를 보장하는 충분한 양으로 열 관리 챔버(312)에 수용될 수 있다. 예를 들면, 열 관리 챔버(312)의 내부 공간(S)에 수용된 작동 유체(F)의 양은 열 관리 챔버(312)가 중력 하에서 놓이는 위치(position) 및 배향(orientation)을 고려하여 결정될 수 있다. 일 실시 예에서, 도 2에 도시된 배향과 정반대로 제 1 벽(321)이 위로 그리고 제 2 벽(322)이 아래로 놓이도록 열 관리 챔버(312)가 배향되는 경우에, 내부 공간(S) 중에서 어느 일 볼륨은 제 1 내부 표면(321a)에 형성된 미세 다공 구조체(330)가 존재하는 한편, 다른 나머지 볼륨은 작동 유체(F)로 충전될 수 있다. 일 실시 예에서, 도 2에 도시된 배향대로 제 1 벽(321)이 아래로 그리고 제 2 벽(322)이 위로 놓이도록 열 관리 챔버(312)가 배향되는 경우에, 내부 공간(S)은 제 2 내부 표면(322a)에 형성된 소수성 표면체(340) 또는 보강 구조(예: 제 1 보강 리브(1151) 및/또는 제 2 보강 리브(1152))가 존재하는 일 볼륨 및 작동 유체(F)로 충전되는 나머지 볼륨으로 구성될 수 있다. 일 실시 예에서, 작동 유체(F)는 실질적으로 열 관리 챔버(312)의 내부 공간(S)의 70% 이상을 충전할 수 있다. 어떤 실시 예에서, 작동 유체(F)는 열 관리 챔버(312)의 내부 공간(S)의 60% 이상을 충전할 수 있다. 어떤 실시 예에서, 열 관리 챔버(312)의 내부 공간(S)의 1/3 이상을 충전할 수 있다. 상기와 같은 작동 유체(F)의 충전량은, 열원(389)에 인접한 제 1 내부 표면(321a)으로부터 기포(C)들이 발생되고, 발생된 기포들(C)이 제 2 내부 표면(322a)에 모여 응축되어 제 2 내부 표면(322a)에 방울(D)이 형성되고, 방울(D)이 어느 크기 이상으로 성장하면 제 1 내부 표면(321a)을 향해 이동되는 작동 유체(F)의 순환 구조를 형성할 수 있다.
일 실시 예에서, 열 관리 챔버(312)는 제 1 벽(321) 및 복수 개의 제 3 벽(323)들을 접합시키는 접합부(324)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 제 1 벽(321)은 복수 개의 제 3 벽(323)들과 별도로 제작된 후 복수 개의 제 3 벽(323)들에 접합될 수 있다. 제 1 벽(321)이 복수 개의 제 3 벽(323)들에 접합되기 전에 작동 유체(F)가 열 관리 챔버(312)의 내부 공간(S)에 충전되고, 작동 유체(F)가 비등 원리에 따라 작동할 수 있도록 내부 공간(S)의 환경이 조성될 수 있다. 일 실시 예에서, 접합부(324)는 레이저 용접, 브레이징 접합, 확산 접합 및 기타 접합 방식으로 형성될 수 있다.
일 실시 예에서, 열 관리 챔버(312)는 메인 바디(311)와 분리 가능하게 결합될 수 있다. 여기서, "분리 가능하게 결합"된다는 것은 열 관리 챔버(312)가 메인 바디(311)와 별도의 부품으로 제작되어 메인 바디(311)에 결합될 수 있다는 것으로 이해될 수 있다. 일 실시 예에서, 열 관리 챔버(312)는 메인 바디(311)에 실장(mount)될 수 있다. 도시되지 않은 실시 예에서, 제 2 벽(322) 및 복수 개의 제 3 벽(323)들은 메인 바디(311)와 심리스하게 연결되지 않고, 열 관리 챔버(312)의 적어도 일부를 형성할 수 있다. 열 관리 챔버(312)가 메인 바디(311)에 결합될 때, 제 2 벽(322) 및 복수 개의 제 3 벽(323)들은 메인 바디(311)와 결합될 수 있다.
일 실시 예에서, 제 1 내부 표면(321a) 및 제 2 내부 표면(322a) 사이의 거리는, 제 1 내부 표면(321a) 및 제 2 내부 표면(322a) 사이에 별도의 컴포넌트(예: 순환 펌프 및 심지 구조) 없이 작동 유체(F)의 유체 순환을 보장하면서, 작동 유체(F)가 비등 포화 온도에 도달하여 열원(389)으로부터 발생한 열이 열 관리 챔버(312)를 통해 소산되기에 적합한 수치로 설정될 수 있다. 일 예에서, 제 1 내부 표면(321a) 및 제 2 내부 표면(322a) 사이의 거리는 약 0.2 mm 이상일 수 있다. 다른 예에서, 제 1 내부 표면(321a) 및 제 2 내부 표면(322a) 사이의 거리는 약 0.4 mm 이하일 수 있다.
도 3b를 참조하면, 일 실시 예에 따른 제 1 벽(321)의 제 1 내부 표면(321a)의 적어도 일부에 형성된 미세 다공 구조체(330)는 복수 개의 기둥(331)들을 포함할 수 있다. 복수 개의 기둥(331)들은 제 1 내부 표면(321a)으로부터 제 1 내부 표면(321a)의 제 1 방향(예: X 방향) 및 제 2 방향(예: Y 방향)에 각각 교차하는 제 3 방향(예: 제 1 내부 표면(321a)의 법선 방향 또는 Z 방향)으로 돌출할 수 있다. 복수 개의 기둥(331)들은 제 1 내부 표면(321a)의 제 1 방향에 교차하는 제 2 방향(예: Y 방향)으로 연장할 수 있다. 복수 개의 기둥(331)들은 제 1 내부 표면(321a)의 제 1 방향(예: X 방향)을 따라 제 1 내부 표면(321a) 상에 서로 이격되게 배열될 수 있다. 인접한 한 쌍의 기둥(331)들은 인접한 한 쌍의 기둥(331)들 사이에 유동 채널(332)을 형성할 수 있다. 유동 채널(332)은 열원(예: 열원(389))에 의해 가열된 제 1 내부 표면(321a)으로부터 발생되어 제 1 내부 표면(321a)으로부터 분리된 기포(예: 기포(C))들을 기둥(331)의 돌출 방향으로 안내할 수 있다. 또한, 유동 채널(332)은 작동 유체(예: 작동 유체(F))의 유체 혼합을 유도하여 작동 유체의 대류 열 전달 계수 및 열 유속을 실질적으로 증가시킬 수 있다.
일 실시 예에서, 미세 다공 구조체(330)는 인접한 한 쌍의 기둥(331)들 사이에 형성된 리세스(333)를 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 리세스(333)의 적어도 일부는 제 1 내부 표면(321a)을 형성할 수 있다. 일 실시 예에서, 리세스(333)는 기둥(331) 및 제 1 내부 표면(321a) 사이에 곡면을 형성할 수 있다. 다른 실시 예에서, 리세스(333)는 기둥(331) 및 제 1 내부 표면(321a) 사이에 소정 각도로 형성된 적어도 하나 이상의 면을 형성할 수도 있다.
일 실시 예에서, 미세 다공 구조체(330)는 복수 개의 기둥(331)들 및/또는 복수 개의 리세스(333)들에 형성된 소결 금속 분말 코팅(334)을 포함할 수 있다. 소결 금속 분말 코팅(334)은 제 1 내부 표면(321a) 및 작동 유체 사이의 접촉 면적을 실질적으로 증가시키고, 제 1 내부 표면(321a)과 접촉하는 작동 유체의 전도 능력을 향상시키고, 제 1 내부 표면(321a)으로부터 발생하는 기포의 형성 속도를 증가시켜 작동 유체의 비등 과정을 개선할 수 있다. 이는 소결 금속 분말 코팅(334)이 형성되지 않은 표면에 비해 작동 유체의 비등 진입 온도를 감소시키고, 제 1 벽(321)의 벽 과열(wall superheat)을 실질적으로 0에 가깝게 할 수 있다. 이는 작동 유체의 상대적으로 더 높은 열 유속을 생성하는 열원을 사용하는 경우에 전자 장치(예: 전자 장치(301))의 냉각 효율을 더욱 개선할 수 있다. 제 1 벽(321)의 재료가 구리인 실시 예들에서, 소결 금속 분말 코팅(334)에 사용되는 금속은 구리일 수 있다.
도 17 및 도 18을 함께 참조하면, 소결 금속 분말 코팅(334)이 형성되지 않은 실질적으로 부드러운 제 1 내부 표면 및 소결 금속 분말 코팅(334)이 형성된 실질적으로 거친 제 1 내부 표면(321a)의 작동 온도 약 40℃에서의 열 유속(heat flux) 및 임계 열 유속(CHF) 성능을 비교한 그래프들이 도시된다. 도 17은 임계 열 유속(CHF)을 나타낸 그래프이고, 도 18은 전자 장치에 해당하는 핵 비등 열 유속 영역대를 나타낸 그래프이다. 여기서 소결 금속 분말 코팅(334)이 형성된 실질적으로 거친 제 1 내부 표면(321a)은 약 1/3의 다공성(porosity)(다시 말하면, 제 1 내부 표면(321a)의 면적 대비 소결 금속 분말 코팅(334)의 면적의 비율이 1/3)을 갖도록 약 20 ㎛ 크기의 구리 입자들로 코팅된다고 가정되었다.
Figure PCTKR2022003926-appb-img-000001
수학식 1에서, ｑ는 핵 비등 열 유속
Figure PCTKR2022003926-appb-img-000002
,
Figure PCTKR2022003926-appb-img-000003
은 액체의 비열(specific heat)(J/kg K), △Ｔ는 초과 온도(℃또는 K),
Figure PCTKR2022003926-appb-img-000004
는 증기 엔탈피(enthalpy of vaporization)(J/kg), Pr은 액체의 프란틀 수(Prandtl number), ｎ은 실험 상수(예: 물의 경우 ｎ은 1이고, 다른 액체의 경우 1.7),
Figure PCTKR2022003926-appb-img-000005
는 표면 유체 팩터(예를 들면, 물 및 니켈의
Figure PCTKR2022003926-appb-img-000006
는 0.006),
Figure PCTKR2022003926-appb-img-000007
은 액체의 동적 점성(dynamic viscosity)(kg/m.s), g는 중력 가속도
Figure PCTKR2022003926-appb-img-000008
,
Figure PCTKR2022003926-appb-img-000009
는 힘 변환 팩터(force conversion factor)(kg.m/
Figure PCTKR2022003926-appb-img-000010
), ｐ1은 액체의 밀도
Figure PCTKR2022003926-appb-img-000011
,
Figure PCTKR2022003926-appb-img-000012
는 증기의 밀도
Figure PCTKR2022003926-appb-img-000013
,
Figure PCTKR2022003926-appb-img-000014
는 액체-증기 계면 표면 장력(N/m)을 의미한다.
위 수학식 1로 표현되는 Rohsenow 상관 관계를 통해 계산한 핵(풀(pool))비등에서 열 전달 속도 측면에서 양 표면들에 대한 계산 결과는 상당한 차이를 보이며, 실질적으로 거친 제 1 내부 표면(321a)의 임계 열 유속 또한 실질적으로 부드러운 제 1 내부 표면에 비해 상대적으로 높으므로, 실질적으로 제 1 내부 표면(321a)의 열 안정성 또한 향상되어 작동 유체의 끓는 불안정성이 억제됨을 알 수 있다. 소결 금속 분말 코팅(334)이 작동 유체의 임계 열 유속을 더욱 높이 연장시키고 소결 금속 분말 코팅(334)의 두께가 유압 지름(hydraulic diameter)에 비해 매우 얇으므로, 열 관리 챔버(예: 열 관리 챔버(312))의 액체 내부 압력(vapor pressure)에 큰 영향을 주지 않을 수 있다. 제 1 내부 표면(321a) 중 핵 비등이 일어나는 부분에서 기포의 생성 및 기포의 이탈 빈도가 향상됨에 따라, 과열 유체 층(superheated fluid layer)의 두께가 감소하고, 미세 대류 열 전달이 증가하고, 상대적으로 더 낮은 열 유속 및 더 낮은 벽 과열(wall superheat)에서 작동 유체가 끓을 수 있다.
상기와 같이, 과열된 유체 내의 균질한(homogeneous) 기포 핵 형성은 작동 유체의 열 전달에 큰 영향을 주지 않고, 작동 유체에 잠긴 가열된 제 1 내부 표면(321a) 상의 미세 다공 구조체(330)의 표면에 따라 이질적인(heterogeneous) 기포 핵 형성이 주로 열 전달에 기여하므로, 제 1 내부 표면(321a)에 대한 인터페이스 구조 변형을 통해 작동 유체의 비등 성능을 개선할 수 있다. 전자 장치(예: 전자 장치(301))의 경우, 열 관리 챔버(예: 열 관리 챔버(312))의 두께(예: 제 1 내부 표면(321a) 및 제 2 내부 표면(322a) 사이의 거리가 실질적으로 매우 얇기 때문에, 제 1 내부 표면(321a) 및 작동 유체 사이의 열 전도로 인한 온도 차이를 최소화할 수 있고, 이에 따라 열원(예: 열원(389))의 온도가 핵 비등 구간의 개시 온도에 진입했을 때, 작동 유체의 온도도 빠르게 포화 온도 이상으로 도달할 수 있다.
한편, 본 문서에 개시된 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치들에 Rohsenow 상관 관계를 나타낸 수학식 1이 적용되는 방식은, 전자 장치들을 구성하는 소재 또는 가공 방법에 따른 표면 조도 및 작동 유체의 물성값을 고려하여 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치들의 각각의 임계 열 유속(CHF) 및 핵 비등 열 유속(q) 값을 수치로 예측하는 것이며, 계산된 수치를 기반으로 종래 전자 장치 대비 해당 전자 장치의 유효성을 확인할 수 있다.
도 4를 참조하면, 일 실시 예에 따른 제 1 벽(321)의 제 1 내부 표면(321a)에 형성된 미세 다공 구조체(430)(예: 미세 다공 구조체(330))는 앞서 도 3a 및 도 3b를 참조하며 설명한 미세 다공 구조체(330)와 달리 복수 개의 기둥(331)들 및/또는 복수 개의 리세스(333)들 없이 제 1 내부 표면(321a) 상에 형성된 소결 금속 분말 코팅(334)을 포함할 수도 있다. 일 실시 예에서, 소결 금속 분말 코팅(334)의 면적은 제 1 내부 표면(321a)의 면적의 약 1/3 이상일 수 있다.
한편, 도 3a, 도 3b 및 도 4를 참조하며 설명한 미세 다공 구조체(330, 430)에 관한 실시 예들 외에도 다양한 제 1 내부 표면(321a)의 표면 가공 방법이 있을 수 있다. 예를 들면, 화학 식각, 레이저 가공, 와이어 커팅 및/또는 기타 표면 가공 방법이 적용될 수 있으며, 상기와 같은 표면 가공 방법은 제 1 내부 표면(321a)에 원형 또는 다각형 단면을 갖는 구조체, 뿔 형상 구조체 및 다양한 형상을 갖는 다양한 형태의 구조체(예: 핀(fin), 핀(pin), 돌기(protrusion), 리세스, 라인(line), 코팅된 표면, 다기공 및 폼(foam))를 형성할 수 있다. 상기와 같은 구조체는, 예를 들면, 약 50 ㎛ 이하의 높이 또는 약 20 ㎛ 이하의 높이를 가질 수 있고, 상기와 같은 구조체의 높이 및/또는 두께, 인접한 구조체들 사이의 간격(gap)은 구조체가 차지하는 공간을 최소화하기 위해 약 50 ㎛ 이하일 수 있다. 일 실시 예에서, 저출력(예: 약 1.5 W) 및 고주파수 펄스 레이저 어블레이션을 이용하여 제 1 내부 표면(321a)(예: SUS 316L로 형성된 표면)에 마이크로 및/또는 나노 단위의 다양한 구조체(예: 핀 어레이(array of pin), 그리드, 딤플, 홀, 채널 및 기둥)를 형성함으로써, 작동 유체의 임계 열 유속을 향상시키고 핵 형성 부위를 생성할 수 있다. 예를 들면, 레이저 빔 크기는 약 30 ㎛로 하고, 레이저 펄스 지속 시간(duration)은 약 50 nm이고, 스캐닝 속도는 약 0.2 m/s일 수 있다.
이하 다양한 실시예들에 따른 미세 다공 구조체의 형상 및 형태(configuration)를 설명한다.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 일 실시 예에 따른 미세 다공 구조체(530)는, 제 1 벽(321)의 제 1 내부 표면(321a)으로부터 제 1 방향(예: X 방향) 및 제 2 방향(예: Y 방향)에 각각 교차하는 제 3 방향(예: Z 방향)으로 돌출하는 실질적으로 원형의 단면을 갖는 복수 개의 기둥(531)들을 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 복수 개의 기둥(531)들은 제 1 방향 및 제 2 방향을 따라 M X N 매트릭스 형태로 제 1 내부 표면(321a) 상에 형성될 수 있다. 예를 들면, 복수 개의 기둥(531)들은 각 열(column)마다 실질적으로 선형적으로 일렬로 배열될 수 있다.
도 6a 및 도 6b를 참조하면, 일 실시 예에 따른 미세 다공 구조체(630)는, 제 1 벽(321)의 제 1 내부 표면(321a)으로부터 제 1 방향(예: X 방향) 및 제 2 방향(예: Y 방향)에 각각 교차하는 제 3 방향(예: Z 방향)으로 돌출하는 실질적으로 원형의 단면을 갖는 복수 개의 기둥(631)들을 포함할 수 있으며, 복수 개의 기둥(631)들은 복수 개의 세트(631A, 631B, 631C)들마다 다른 형태로 배열될 수 있다. 일 실시 예에서, 복수 개의 세트(631A, 631B, 631C)들 중에서 제 1 세트(631A) 및 제 3 세트(631C)에 속하는 복수 개의 기둥(631)들은 제 2 방향을 따라 볼 때 서로 실질적으로 대부분이 오버랩되며 제 1 방향으로 배열될 수 있고, 제 2 세트(631B)에 속하는 복수 개의 기둥(631)들은 제 2 방향을 따라 볼 때 제 1 세트(631A) 및 제 3 세트(631C)에 속하는 복수 개의 기둥(631)들과 실질적으로 오버랩되지 않으며 제 1 방향으로 배열될 수 있다.
도 7a 및 도 7b를 참조하면, 일 실시 예에 따른 미세 다공 구조체(730)는, 제 1 벽(321)의 제 1 내부 표면(321a)으로부터 제 1 방향(예: X 방향) 및 제 2 방향(예: Y 방향)에 각각 교차하는 제 3 방향(예: Z 방향)으로 돌출하는 복수 개의 리브(731)들을 포함할 수 있다. 복수 개의 리브(731)들은 제 1 내부 표면(321a)의 적어도 일부 위에서 제 1 내부 표면(321a)의 제 1 방향 또는 제 2 방향으로 연장할 수 있다. 복수 개의 리브(731)들은 복수 개의 리브(731)들이 연장하는 방향(예: Y 방향)에 교차하는 방향(예: X 방향)으로 서로 이격되며 채널을 형성할 수 있다.
도 8a 및 도 8b를 참조하면, 일 실시 예에 따른 미세 다공 구조체(830)는, 제 1 벽(321)의 제 1 내부 표면(321a)으로부터 제 1 방향(예: X 방향) 및 제 2 방향(예: Y 방향)에 각각 교차하는 제 3 방향(예: Z 방향)으로부터 돌출하는 복수 개의 제 1 리브(831)들 및 적어도 하나의 제 2 리브(832)를 포함할 수 있다. 복수 개의 제 1 리브(831)들은 제 1 내부 표면(321a)의 적어도 일부 위에서 제 1 내부 표면(321a)의 제 2 방향으로 연장할 수 있고, 적어도 하나의 제 2 리브(832)는 제 1 내부 표면(321a)의 적어도 일부 위에서 제 1 내부 표면(321a)의 제 1 방향으로 연장하며 복수 개의 제 1 리브(831)들과 만날 수 있다. 일 실시 예에서, 복수 개의 제 1 리브(831)들 및 적어도 하나의 제 2 리브(832)는 그리드 형태의 미세 다공 구조체(830)를 형성할 수 있다.
도 9a 및 도 9b를 참조하면, 일 실시 예에 따른 미세 다공 구조체(930)는, 제 1 벽(321)의 제 1 내부 표면(321a)에 리세스 된 복수 개의 딤플(931)들을 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 복수 개의 딤플(931)들은 제 1 내부 표면(321a)의 일 방향(예: Y 방향) 및/또는 타 방향(예: X 방향)을 따라 M X N 매트릭스 형태로 제 1 내부 표면(321a) 상에 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 복수 개의 딤플(931)들 중 어느 하나의 딤플(931) 및 다른 하나의 딤플(931)은 제 1 내부 표면(321a)의 일 방향(예: Y 방향)을 따라 볼 때 오버랩되지 않을 수 있다.
도 10a 및 도 10b를 참조하면, 일 실시 예에 따른 미세 다공 구조체(1030)는, 제 1 벽(321)의 제 1 내부 표면(321a) 안으로 형성된 복수 개의 홀(1031)들을 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 복수 개의 홀(1031)들은 제 1 내부 표면(321a)의 일 방향(예: Y 방향) 및/또는 타 방향(예: X 방향)을 따라 M X N 매트릭스 형태로 제 1 내부 표면(321a) 안으로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 복수 개의 홀(1031)들 중 어느 하나의 홀(1031) 및 다른 하나의 홀(1031)은 제 1 내부 표면(321a)의 일 방향(예: Y 방향)을 따라 볼 때 오버랩되지 않을 수 있다.
도 11을 참조하면, 일 실시 예에 따른 제 2 벽(322)은 제 2 내부 표면(322a)에 형성된 적어도 하나의 보강 리브(1151, 1152)를 포함할 수 있다. 적어도 하나의 보강 리브(1151, 1152)는 열 관리 챔버(예: 열 관리 챔버(312))의 내부 공간(예: 내부 공간(S))의 내부 압력이 대기압보다 낮아 발생할 수 있는 열 관리 챔버의 찌그러짐을 지연 또는 방지하여 열 관리 챔버의 변형을 억제하고 열 관리 챔버의 형태를 유지할 수 있다. 일 실시 예에서, 제 2 벽(322)은, 제 2 내부 표면(322a)의 제 1 방향(예: X 방향)으로 연장하며 제 2 방향(예: Y 방향)으로 서로 이격된 복수 개의 제 1 보강 리브(1151)들 및 제 2 내부 표면(322a)의 제 2 방향(예: Y 방향)으로 연장하며 제 1 방향(예: X 방향)으로 서로 이격된 복수 개의 제 2 보강 리브(1152)들을 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 복수 개의 제 1 보강 리브(1151)들 및 복수 개의 제 2 보강 리브(1152)들은 서로 만날 수 있다. 어떤 실시 예에서, 복수 개의 제 1 보강 리브(1151)들 중 적어도 일부 및 복수 개의 제 2 보강 리브(1152)들 중 적어도 일부는 서로 만나지 않을 수 있다.
도 12를 참조하면, 일 실시 예에 따른 전자 장치(1201)(예: 전자 장치(301))는, 하우징(1210)(예: 하우징(310)), 디스플레이(361) 및 열원(389)을 포함할 수 있다. 하우징(1210)은 메인 바디(1211)(예: 메인 바디(311)), 열 관리 챔버(1212)(예: 열 관리 챔버(312)) 및 중간 레이어(313)를 포함할 수 있다. 열 관리 챔버(1212)는 제 1 벽(1221)(예: 제 1 벽(321)), 제 2 벽(322) 및 복수 개의 제 3 벽(323)들을 포함할 수 있다. 제 1 벽(1221)은 미세 다공 구조체(330)가 형성된 제 1 내부 표면(1221a) 및 열원(389)에 접촉하는 제 1 외부 표면(1221b)을 포함할 수 있다. 제 2 벽(322)은 소수성 표면체(340)가 형성된 제 2 내부 표면(322a)을 가질 수 있다.
일 실시 예에서, 열 관리 챔버(1212)는 제 1 벽(1221)을 복수 개의 제 3 벽(323)들 및 메인 바디(1211)에 접합시키는 접합부(1224)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 제 1 벽(1221)은 복수 개의 제 3 벽(323)들 및 메인 바디(1211)와 별도로 제작된 후, 복수 개의 제 3 벽(323)들 및 메인 바디(1211)에 접합될 수 있다. 접합부(1224)의 어느 일 부분은 제 1 벽(1221)의 일 부분 및 복수 개의 제 3 벽(323)들을 접합시키고, 접합부(1224)의 나머지 다른 부분은 제 1 벽(1221)의 다른 부분 및 메인 바디(1211)를 접합시킬 수 있다. 이와 같은 접합부(1224)는 도 3a를 참조하며 설명하는 열 관리 챔버(312)의 접합부(324)와 달리 복수 개의 제 3 벽(323)들을 넘어 메인 바디(1211)의 일부(예: 하부)와 접합됨으로써 도 3a의 열 관리 챔버(312)의 높이(예: 제 1 내부 표면(321a) 및 제 2 내부 표면(322a) 사이의 거리)(예: 약 0.2 mm)보다 더 큰 높이(예: 제 1 내부 표면(1221a) 및 제 2 내부 표면(322a) 사이의 거리)(예: 약 0.3 mm)로 열 관리 챔버(1212)를 제작하게 할 수 있으며, 열 관리 챔버(1212)의 내부 공간(S)을 확장하고, 메인 바디(1211)의 두께를 감소시킬 수 있다.
일 실시 예에서, 열 관리 챔버(1212)는 메인 바디(1211)와 분리 가능하게 결합될 수 있다. 예를 들면, 제 2 벽(322) 및 복수 개의 제 3 벽(323)들은 메인 바디(1211)와 심리스하게 연결되지 않고, 열 관리 챔버(1212)의 적어도 일부를 형성할 수 있다. 열 관리 챔버(1212)가 메인 바디(1211)에 결합될 때, 제 2 벽(322) 및 복수 개의 제 3 벽(323)들은 메인 바디(1211)와 결합될 수 있다.
도 13을 참조하면, 일 실시 예에 따른 전자 장치(1301)(예: 전자 장치(301))는, 하우징(1310)(예: 하우징(310)), 디스플레이(361) 및 열원(389)을 포함할 수 있다. 하우징(1310)은 메인 바디(1311)(예: 메인 바디(311)), 열 관리 챔버(1312)(예: 열 관리 챔버(312)) 및 중간 레이어(313)를 포함할 수 있다. 열 관리 챔버(1312)는 제 1 벽(1321)(예: 제 1 벽(321)), 제 2 벽(322) 및 복수 개의 제 3 벽(323)들을 포함할 수 있다. 제 2 벽(322)은 소수성 표면체(340)가 형성된 제 2 내부 표면(322a)을 가질 수 있다.
일 실시 예에서, 제 1 벽(1321)은, 미세 다공 구조체(330)가 형성된 제 1 내부 표면(1321a) 및 열원(389)에 접촉하는 제 1 외부 표면(1321b)을 포함하는 제 1 파트(1321-1), 및 제 1 파트(1321-1)에 연결되고 복수 개의 제 3 벽(323)들 및 메인 바디(1311)에 접합되는 제 2 파트(1321-2)를 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 제 1 파트(1321-1) 및 제 2 파트(1321-2)는 심리스하게 일체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제 1 파트(1321-1)는 제 2 파트(1321-2) 아래(예: -Z 방향)에 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제 1 파트(1321-1) 및 제 2 파트(1321-2) 사이에 단차가 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제 2 파트(1321-2)는 제 1 파트(1321-1)의 적어도 일부 상에 연결될 수 있다. 일 실시 예에서, 제 1 파트(1321-1)의 적어도 일부 및 제 2 파트(1321-2)의 적어도 일부는 열 관리 챔버(1312)의 내부 공간(S)의 적어도 일부를 형성할 수 있다.
일 실시 예에서, 열 관리 챔버(1312)는 제 1 벽(1321)을 복수 개의 제 3 벽(323)들 및 메인 바디(1311)에 접합시키는 접합부(1324)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 제 1 벽(1321)은 복수 개의 제 3 벽(323)들 및 메인 바디(1311)와 별도로 제작된 후, 복수 개의 제 3 벽(323)들 및 메인 바디(1311)에 접합될 수 있다. 일 실시 예에서, 접합부(1324)의 어느 일 부분은 제 1 벽(1321)의 제 2 파트(1321-2)의 일 부분 및 복수 개의 제 3 벽(323)들을 접합시키고, 접합부(1324)의 나머지 다른 부분은 제 1 벽(1321)의 제 2 파트(1321-2)의 다른 부분 및 메인 바디(1311)를 접합시킬 수 있다. 이와 같은 접합부(1324)는 도 12를 참조하며 설명하는 열 관리 챔버(1212)의 접합부(1224)와 달리, 도 12의 열 관리 챔버(1212)의 높이(예: 제 1 내부 표면(1221a) 및 제 2 내부 표면(322a) 사이의 거리)(예: 약 0.3 mm)보다 더 큰 높이(예: 제 1 내부 표면(1321a) 및 제 2 내부 표면(322a) 사이의 거리)(예: 약 0.4 mm)로 열 관리 챔버(1312)를 제작하게 할 수 있으며, 메인 바디(1311)의 두께를 감소시키면서 열 관리 챔버(1312)의 내부 공간(S)을 더욱 확장할 수 있다.
일 실시 예에서, 열 관리 챔버(1312)는 메인 바디(1311)와 분리 가능하게 결합될 수 있다. 예를 들면, 제 2 벽(322) 및 복수 개의 제 3 벽(323)들은 메인 바디(1311)와 심리스하게 연결되지 않고, 열 관리 챔버(1312)의 적어도 일부를 형성할 수 있다. 열 관리 챔버(1312)가 메인 바디(1311)에 결합될 때, 제 2 벽(322) 및 복수 개의 제 3 벽(323)들은 메인 바디(1311)와 결합될 수 있다.
도 14를 참조하면, 일 실시 예에 따른 전자 장치(1401)(예: 전자 장치(301))는, 하우징(1410)(예: 하우징(310)), 디스플레이(361) 및 열원(389)을 포함할 수 있다. 하우징(1410)은 메인 바디(1411)(예: 메인 바디(311)), 열 관리 챔버(1412)(예: 열 관리 챔버(312)) 및 중간 레이어(313)를 포함할 수 있다. 열 관리 챔버(1412)는 제 1 벽(1421)(예: 제 1 벽(321)), 제 2 벽(322) 및 복수 개의 제 3 벽(323)들을 포함할 수 있다. 제 2 벽(322)은 소수성 표면체(340)가 형성된 제 2 내부 표면(322a)을 가질 수 있다.
일 실시 예에서, 제 1 벽(1421)은, 미세 다공 구조체(330)가 형성된 제 1 내부 표면(1421a) 및 열원(389)에 접촉하는 제 1 외부 표면(1421b)을 포함하는 제 1 파트(1421-1), 및 제 1 파트(1421-1)에 연결되고 복수 개의 제 3 벽(323)들에 접합되는 제 2 파트(1421-2)를 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 제 1 파트(1421-1) 및 제 2 파트(1421-2)는 심리스하게 일체로 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 제 1 파트(1421-1)는 제 2 파트(1421-2) 아래(예: -Z 방향)에 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제 1 파트(1421-1)는 일 방향(예: +X/-X 방향)으로 연장하고, 제 2 파트(1421-2)는 제 1 파트(1421-1)타 방향(예: Z 방향)으로 연장할 수 있다. 일 실시 예에서, 제 2 파트(1421-2)는 제 1 파트(1421-1)의 적어도 일부(예: 끝 부분) 상에 연결될 수 있다. 일 실시 예에서, 제 1 파트(1421-1)의 적어도 일부 및 제 2 파트(1421-2)의 적어도 일부는 열 관리 챔버(1412)의 내부 공간(S)의 적어도 일부를 형성할 수 있다.
일 실시 예에서, 열 관리 챔버(1412)는 제 1 벽(1421)을 복수 개의 제 3 벽(323)들에 접합시키는 접합부(1424)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 제 1 벽(1421)은 복수 개의 제 3 벽(323)들 및 메인 바디(1411)와 별도로 제작된 후 복수 개의 제 3 벽(323)들에 접합될 수 있다. 일 실시 예에서, 접합부(1424)는 제 1 벽(1321)의 제 2 파트(1321-2)의 일 부분 및 복수 개의 제 3 벽(323)들을 접합시킬 수 있다. 일 실시 예에서, 접합부(1424)는 제 2 파트(1321-2) 및 복수 개의 제 3 벽(323)들 사이에서 밀봉을 형성할 수 있다. 이와 같은 접합부(1424)는 도 12를 참조하며 설명하는 열 관리 챔버(1212)의 접합부(1224)와 달리 도 12의 열 관리 챔버(1212)의 높이(예: 제 1 내부 표면(1221a) 및 제 2 내부 표면(322a) 사이의 거리)(예: 약 0.3 mm)보다 더 큰 높이(예: 제 1 내부 표면(1421a) 및 제 2 내부 표면(322a) 사이의 거리)(예: 약 0.4 mm)로 열 관리 챔버(1412)를 제작하게 할 수 있으며, 메인 바디(1411)의 두께를 감소시키면서 열 관리 챔버(1412)의 내부 공간(S)을 더욱 확장할 수 있다.
일 실시 예에서, 열 관리 챔버(1412)는 메인 바디(1411)와 분리 가능하게 결합될 수 있다. 예를 들면, 제 2 벽(322) 및 복수 개의 제 3 벽(323)들은 메인 바디(1411)와 심리스하게 연결되지 않고, 열 관리 챔버(1412)의 적어도 일부를 형성할 수 있다. 열 관리 챔버(1412)가 메인 바디(1411)에 결합될 때, 제 2 벽(322) 및 복수 개의 제 3 벽(323)들은 메인 바디(1411)와 결합될 수 있다.
도 15를 참조하면, 일 실시 예에 따른 전자 장치(1501)(예: 전자 장치(301))는, 하우징(1510)(예: 하우징(310)), 디스플레이(361) 및 열원(389)을 포함할 수 있다. 하우징(1510)은 메인 바디(1511)(예: 메인 바디(311)), 열 관리 챔버(1512)(예: 열 관리 챔버(312)) 및 중간 레이어(313)를 포함할 수 있다. 열 관리 챔버(1512)는 제 1 벽(1521)(예: 제 1 벽(321)), 제 2 벽(1522)(예: 제 2 벽(322)) 및 복수 개의 제 3 벽(323)들을 포함할 수 있다. 제 1 벽(1521)은 미세 다공 구조체(330)가 형성된 제 1 내부 표면(1521a) 및 열원(389)에 접촉하는 제 1 외부 표면(1521b)을 가질 수 있다. 제 2 벽(1522)은 소수성 표면체(340)가 형성된 제 2 내부 표면(1522a)을 가질 수 있다.
일 실시 예에서, 열 관리 챔버(1512)는, 제 1 벽(1521)을 복수 개의 제 3 벽(323)들의 일 부분에 접합시키는 제 1 접합부(1524) 및 제 2 벽(1522)을 복수 개의 제 3 벽(323)들의 타 부분에 접합시키는 제 2 접합부(1525)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 제 1 벽(1521) 및 제 2 벽(1522)은 복수 개의 제 3 벽(323)들 및 메인 바디(1511)와 별도로 제작된 후 복수 개의 제 3 벽(323)들에 접합될 수 있다.
일 실시 예에서, 제 1 벽(1521)을 형성하는 제 1 재료 및 제 2 벽(1522)을 형성하는 제 2 재료는 동일할 수 있다. 다른 실시 예에서, 제 1 재료 및 제 2 재료는 다를 수 있다.
일 실시 예에서, 열 관리 챔버(1512)는 메인 바디(1511)와 분리 가능하게 결합될 수 있다. 예를 들면, 복수 개의 제 3 벽(323)들은 메인 바디(1511)와 심리스하게 연결되지 않고, 열 관리 챔버(1512)의 적어도 일부를 형성할 수 있다. 열 관리 챔버(1512)가 메인 바디(1511)에 결합될 때, 복수 개의 제 3 벽(323)들은 메인 바디(1511)와 결합될 수 있다.
도 16을 참조하면, 일 실시 예에 따른 전자 장치(1601)(예: 전자 장치(301))는, 하우징(1610)(예: 하우징(310)), 디스플레이(361) 및 열원(389)을 포함할 수 있다. 하우징(1610)은 메인 바디(1611)(예: 메인 바디(311)), 열 관리 챔버(1612)(예: 열 관리 챔버(312)) 및 중간 레이어(313)를 포함할 수 있다. 열 관리 챔버(1612)는 제 1 벽(1621)(예: 제 1 벽(321)), 제 2 벽(1622)(예: 제 2 벽(322)) 및 복수 개의 제 3 벽(1623)(예: 제 3 벽(323))들을 포함할 수 있다. 제 1 벽(1621)은 미세 다공 구조체(330)가 형성된 제 1 내부 표면(1621a) 및 열원(389)에 접촉하는 제 1 외부 표면(1621b)을 가질 수 있다.
일 실시 예에서, 제 2 벽(1622) 및 복수 개의 제 3 벽(1623)들은 심리스하게 일체로 형성되어 열 관리 챔버(1612)의 적어도 일부를 규정하는 하나의 벽(1629)을 형성할 수 있다. 제 2 벽(1622)은 제 1 파트(1622-1) 및 제 2 파트(1622-2)를 포함하고, 복수 개의 제 3 벽(1623)들은 제 3 파트(1623-1), 제 4 파트(1623-2) 및 제 5 파트(1623-3)를 각각 포함할 수 있다. 제 1 파트(1622-1)는 소수성 표면체(340)가 형성된 제 2 내부 표면(1622a)을 가질 수 있다. 제 2 파트(1622-2)는 제 1 파트(1622-1) 및 제 3 파트(1623-1)와 심리스하게 연결될 수 있다. 제 3 파트(1623-1) 및 제 4 파트(1623-2)는 제 2 파트(1622-2) 및 제 1 벽(1621) 사이에서 열 관리 챔버(1612)의 일 방향(예: 높이 방향, Z 방향)으로 연장하고, 열 관리 챔버(1612)의 내부 공간(S)의 적어도 일부를 형성할 수 있다. 제 4 파트(1623-2)는 제 1 벽(1621)과 접합될 수 있다. 제 5 파트(1623-3)는 열 관리 챔버(1612)로부터 멀어지는 방향(예: +X/-X 방향)으로 제 4 파트(1623-2)로부터 제 1 벽(1621)의 적어도 일부 및 메인 바디(1611)의 적어도 일부 사이에 연장하고 제 1 벽(1621)의 적어도 일부 및 메인 바디(1611)의 적어도 일부와 접합될 수 있다. 제 3 파트(1623-1), 제 4 파트(1623-2) 및 제 5 파트(1623-3)는 심리스하게 형성될 수 있다.
일 실시 예에서, 열 관리 챔버(1612)는, 제 1 벽(1621)의 적어도 일부를 복수 개의 제 3 벽(1623)들의 제 4 파트(1623-2) 및 제 5 파트(1623-3)의 일 면에 접합시키는 제 1 접합부(1624) 및 제 3 벽(1623)의 제 5 파트(1623-3)의 타 면을 메인 바디(1611)에 접합시키는 제 2 접합부(1625)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 제 1 벽(1621)은 메인 바디(1611)와 별도로 제작되고, 제 2 벽(1622) 및 복수 개의 제 3 벽(1623)들은 메인 바디(1611)와 별도로 하나의 컴포넌트로 제작된 후, 제 1 벽(1621) 및 복수 개의 제 3 벽(1623)들이 접합되고, 복수 개의 제 3 벽(1623)들이 메인 바디(1611)에 접합될 수 있다.
일 실시 예에서, 제 2 벽(1622)을 형성하는 제 2 재료 및 복수 개의 제 3 벽(1623)들을 형성하는 제 3 재료는 동일할 수 있다. 일 실시 예에서, 제 1 벽(1621)을 형성하는 제 1 재료는 제 2 재료 및 제 3 재료와 동일할 수 있다. 다른 실시 예에서, 제 1 재료는 제 2 재료 및 제 3 재료와 다를 수 있다.
일 실시 예에서, 열 관리 챔버(1612)는 메인 바디(1611)와 분리 가능하게 결합될 수 있다. 예를 들면, 제 1 벽(1621), 제 2 벽(1622) 및 복수 개의 제 3 벽(1623)들은 메인 바디(1611)와 심리스하게 연결되지 않고, 열 관리 챔버(1612)의 적어도 일부를 형성할 수 있다. 열 관리 챔버(1612)가 메인 바디(1611)에 결합될 때, 제 1 벽(1621), 제 2 벽(1622) 및 복수 개의 제 3 벽(1623)들은 메인 바디(1611)와 결합될 수 있다.
다양한 실시 예들에 따른 전자 장치(301)는, 열원(389) 및 상기 열원(389)에 열적으로 결합된 열 관리 챔버(312)를 포함하는 하우징(310), 및 상기 열원(389)의 반대편에 상기 하우징(310) 위에 위치된 디스플레이(361)를 포함하고, 상기 열 관리 챔버(312)는 작동 유체(F)를 포함하고, 상기 열 관리 챔버(312)는, 상기 작동 유체(F) 내에서 상기 작동 유체(F)의 비등 임계 온도 이상에서 기포(C)를 발생시키도록 구성되고, 상기 열 관리 챔버(312)는, 상기 열원(389)에 인접하게 위치되고, 친수성의 제 1 내부 표면(321a)을 갖는 제 1 벽(321), 상기 열원(389)으로부터 멀리 상기 제 1 벽(321)의 반대편에 위치되고, 소수성의 제 2 표면(322a)을 갖는 제 2 벽(322), 및 상기 제 1 벽(321) 및 상기 제 2 벽(322) 사이에 위치된 복수 개의 제 3 벽(323)들을 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제 1 벽(321)은 상기 제 1 내부 표면(321a) 상에 형성된 미세 다공 구조체(330)를 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 미세 다공 구조체(330, 430)는 소결 금속 분말 코팅(334)을 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제 1 내부 표면(321a)의 면적 대비 상기 소결 금속 분말 코팅(334)의 면적은 1/3 이상일 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 미세 다공 구조체(330)는 상기 제 1 내부 표면(321a)으로부터 돌출하는 복수 개의 기둥(331)들을 포함하고, 상기 복수 개의 기둥(331)들 중 인접한 한 쌍의 기둥(331)들은 상기 작동 유체(F)의 유동 채널(332)을 형성할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 복수 개의 기둥(531, 631)들은, 상기 제 1 내부 표면(321a)의 제 1 방향(X)을 따라 배열된 제 1 그룹의 복수 개의 기둥(531, 631)들, 및 상기 제 1 내부 표면(321a)의 제 1 방향(X)에 교차하는 제 2 방향(Y)을 따라 배열된 제 2 그룹의 복수 개의 기둥(531, 631)들을 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 미세 다공 구조체(730)는, 상기 제 1 내부 표면(321a)의 제 1 방향(X)을 따라 서로 이격되고 상기 제 1 내부 표면(321a)으로부터 돌출하는 복수 개의 제 1 리브(731)들을 포함하고, 상기 복수 개의 제 1 리브(731)들은 상기 제 1 내부 표면(321a)의 제 1 방향(X)에 교차하는 제 2 방향(Y)을 따라 연장할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 미세 다공 구조체(830)는, 상기 제 1 내부 표면(321a)의 상기 제 1 방향(X)을 따라 연장하고 상기 제 1 내부 표면(321a)으로부터 돌출하고 상기 복수 개의 제 1 리브(831)들과 만나는 적어도 하나의 제 2 리브(832)를 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 미세 다공 구조체(930)는 상기 제 1 내부 표면(321a)에 리세스 된 복수 개의 딤플(931)들을 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 미세 다공 구조체(1030)는 상기 제 1 내부 표면(321a)에 형성된 복수 개의 홀(1031)들을 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 열 관리 챔버(312)는 상기 제 2 벽(322)에 형성된 보강 리브(1151, 1152)를 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 작동 유체(F)는, 상기 제 1 벽(321), 상기 제 2 벽(322) 및 상기 복수 개의 제 3 벽(323)들이 형성하는 상기 열 관리 챔버(312)의 공간(S)의 적어도 70%를 충전할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 열 관리 챔버(312)는, 상기 제 1 벽(321) 및 상기 복수 개의 제 3 벽(323)들 사이에 위치되고 상기 제 1 벽(321) 및 상기 복수 개의 제 3 벽(323)들을 접합시키는 제 1 접합부(324)를 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 열 관리 챔버(1512)는, 상기 제 2 벽(1522) 및 상기 복수 개의 제 3 벽(323)들 사이에 위치되고 상기 제 2 벽(1522) 및 상기 복수 개의 제 3 벽(323)들을 접합시키는 제 2 접합부(1525)를 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제 2 벽(1622) 및 상기 복수 개의 제 3 벽(1623)들은 심리스하게 연결될 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제 1 벽(1521) 또는 상기 제 2 벽(1522)은 상기 복수 개의 제 3 벽(323)들과 동일한 재료로 형성될 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제 1 벽(1521) 또는 상기 제 2 벽(1522)은 상기 복수 개의 제 3 벽(323)들과 상이한 재료로 형성되고, 상기 제 1 벽(1521) 또는 상기 제 2 벽(1522)의 재료의 열 저항은 상기 복수 개의 제 3 벽(323)들의 재료의 열 저항보다 작을 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 하우징(310)은 상기 디스플레이(361)를 지지하는 메인 바디(311)를 더 포함하고, 상기 제 2 벽(322) 및 상기 복수 개의 제 3 벽(323)들은 상기 메인 바디(311)와 심리스하게 형성되고, 상기 하우징(310)은 상기 제 1 벽(321) 및 상기 복수 개의 제 3 벽(323)들을 접합시키는 제 1 접합부(324)를 더 포함할 수 있다.
다양한 실시 예들에 따른 전자 장치(1501)는, 메인 바디(1511)와, 열원(389)과, 상기 열원(389)에 열적으로 결합되고 상기 메인 바디(1511)에 분리 가능하게 결합된 열 관리 챔버(1512)를 포함하는 하우징(1510), 및 상기 열원(389)의 반대편에 상기 메인 바디(1511) 위에 위치된 디스플레이(361)를 포함하고, 상기 열 관리 챔버(1512)는, 상기 열원(389)에 인접하게 위치되고, 친수성의 제 1 표면(1521a)을 갖는 제 1 벽(1521), 상기 열원(389)으로부터 멀리 상기 제 1 벽(1521)의 반대편에 위치되고, 소수성의 제 2 표면(1522a)을 갖는 제 2 벽(1522), 및 상기 제 1 벽(1521) 및 상기 제 2 벽(1522) 사이에 위치된 복수 개의 제 3 벽(323)들을 포함하고, 상기 복수 개의 제 3 벽(323)들은 상기 메인 바디(1511)와 심리스하게 형성되고, 상기 하우징(1510)은 상기 제 1 벽(1521) 및 상기 복수 개의 제 3 벽(323)들을 접합시키는 제 1 접합부(1524)를 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 하우징(1510)은 상기 제 2 벽(1522) 및 상기 복수 개의 제 3 벽(323)들을 접합시키는 제 2 접합부(1525)를 더 포함할 수 있다.
다양한 실시 예들에 따른 전자 장치(1601)는, 메인 바디(1611)와, 열원(389)과, 상기 열원(389)에 열적으로 결합되고 상기 메인 바디(1611)에 분리 가능하게 결합된 열 관리 챔버(1612)를 포함하는 하우징(1610), 및 상기 열원(389)의 반대편에 상기 메인 바디(1611) 위에 위치된 디스플레이(361)를 포함하고, 상기 열 관리 챔버(1612)는, 상기 열원(389)에 인접하게 위치되고, 친수성의 제 1 표면(1621a)을 갖는 제 1 벽(1621), 상기 열원(389)으로부터 멀리 상기 제 1 벽(1621)의 반대편에 위치되고, 소수성의 제 2 표면(1622a)을 갖는 제 2 벽(1622), 및 상기 제 1 벽(1621) 및 상기 제 2 벽(1622) 사이에 위치된 복수 개의 제 3 벽(1623)들을 포함하고, 상기 제 2 벽(1622) 및 상기 복수 개의 제 3 벽(1623)들은 심리스하게 형성되고, 상기 하우징(1610)은, 상기 제 1 벽(1621) 및 상기 복수 개의 제 3 벽(1623)들의 적어도 일부를 접합시키는 제 1 접합부(1624), 및 상기 메인 바디(1611) 및 상기 복수 개의 제 3 벽(1623)들의 적어도 일부를 접합시키는 제 2 접합부(1625)를 더 포함할 수 있다.

Claims (15)

  1. 열원 및 상기 열원에 열적으로 결합된 열 관리 챔버를 포함하는 하우징; 및
    상기 열원의 반대편에 상기 하우징 위에 위치된 디스플레이;
    를 포함하고,
    상기 열 관리 챔버는 작동 유체를 포함하고, 상기 열 관리 챔버는, 상기 작동 유체 내에서 상기 작동 유체의 비등 임계 온도 이상에서 기포를 발생시키도록 구성되고,
    상기 열 관리 챔버는,
    상기 열원에 인접하게 위치되고, 친수성의 제 1 표면을 갖는 제 1 벽;
    상기 열원으로부터 멀리 상기 제 1 벽의 반대편에 위치되고, 소수성의 제 2 표면을 갖는 제 2 벽; 및
    상기 제 1 벽 및 상기 제 2 벽 사이에 위치된 복수 개의 제 3 벽들;
    을 포함하는 전자 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 벽은 상기 제 1 표면 상에 형성된 미세 다공 구조체를 포함하는 전자 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 미세 다공 구조체는 소결 금속 분말 코팅을 포함하는 전자 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 표면의 면적 대비 상기 소결 금속 분말 코팅의 면적은 1/3 이상인 전자 장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 미세 다공 구조체는 상기 제 1 표면으로부터 돌출하는 복수 개의 기둥들을 포함하고, 상기 복수 개의 기둥들 중 인접한 한 쌍의 기둥들은 상기 작동 유체의 유동 채널을 형성하는 전자 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 복수 개의 기둥들은
    상기 제 1 표면의 제 1 방향을 따라 배열된 제 1 그룹의 복수 개의 기둥들; 및
    상기 제 1 표면의 제 1 방향에 교차하는 제 2 방향을 따라 배열된 제 2 그룹의 복수 개의 기둥들;
    을 포함하는 전자 장치.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 미세 다공 구조체는, 상기 제 1 표면의 제 1 방향을 따라 서로 이격되고 상기 제 1 표면으로부터 돌출하는 복수 개의 제 1 리브들을 포함하고, 상기 복수 개의 제 1 리브들은 상기 제 1 표면의 제 1 방향에 교차하는 제 2 방향을 따라 연장하는 전자 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 미세 다공 구조체는, 상기 제 1 표면의 상기 제 1 방향을 따라 연장하고 상기 제 1 표면으로부터 돌출하고 상기 복수 개의 제 1 리브들과 만나는 적어도 하나의 제 2 리브를 포함하는 전자 장치.
  9. 제 2 항에 있어서,
    상기 미세 다공 구조체는 상기 제 1 표면에 리세스 된 복수 개의 딤플들 또는 상기 제 1 표면에 형성된 복수 개의 홀들을 포함하는 전자 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 열 관리 챔버는 상기 제 2 벽에 형성된 보강 리브를 더 포함하는 전자 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 작동 유체는, 상기 제 1 벽, 상기 제 2 벽 및 상기 복수 개의 제 3 벽들이 형성하는 상기 열 관리 챔버의 공간의 적어도 70%를 충전하는 전자 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 열 관리 챔버는, 상기 제 1 벽 및 상기 복수 개의 제 3 벽들 사이에 위치되고 상기 제 1 벽 및 상기 복수 개의 제 3 벽들을 접합시키는 제 1 접합부를 더 포함하고,
    선택적으로는, 상기 열 관리 챔버는, 상기 제 2 벽 및 상기 복수 개의 제 3 벽들 사이에 위치되고 상기 제 2 벽 및 상기 복수 개의 제 3 벽들을 접합시키는 제 2 접합부를 더 포함하는 전자 장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 벽 및 상기 복수 개의 제 3 벽들은 심리스하게 연결된 전자 장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 벽 또는 상기 제 2 벽은 상기 복수 개의 제 3 벽들과 동일한 재료로 형성되거나,
    상기 제 1 벽 또는 상기 제 2 벽은 상기 복수 개의 제 3 벽들과 상이한 재료로 형성되고, 상기 제 1 벽 또는 상기 제 2 벽의 재료의 열 저항은 상기 복수 개의 제 3 벽들의 재료의 열 저항보다 작은 전자 장치.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 하우징은 상기 디스플레이를 지지하는 메인 바디를 더 포함하고,
    상기 제 2 벽 및 상기 복수 개의 제 3 벽들은 상기 메인 바디와 심리스하게 형성되고,
    상기 하우징은 상기 제 1 벽 및 상기 복수 개의 제 3 벽들을 접합시키는 제 1 접합부를 더 포함하는 전자 장치.
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