WO2023053503A1

WO2023053503A1 - 撮像装置、電子機器および撮像装置の製造方法

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Abstract

撮像装置において、撮像素子の撮像性能を損なうことなく、装置の小型・低背化を図る。　撮像装置は、表面側に、多数の画素が形成された画素領域、および前記画素領域の周囲の領域である周辺領域を有する撮像素子と、前記撮像素子の表面側に設けられ、前記画素領域を含む領域に貫通状に形成された開口部を有する再配線層と、封止樹脂材料により形成され、前記撮像素子の周囲および前記再配線層の裏面側を被覆するように設けられた封止樹脂部と、前記撮像素子の前記周辺領域上に設けられ、前記撮像素子と前記再配線層とを電気的に接続する接続部と、を備える。

Description

撮像装置、電子機器および撮像装置の製造方法

　本開示は、撮像装置、電子機器および撮像装置の製造方法に関する。

　従来、例えばスマートフォン等の電子機器に搭載されているＣＭＯＳイメージセンサ等の撮像素子を含む撮像装置として、次のような構成のものがある。すなわち、例えばセラミック基板やプリント基板等の回路基板（以下単に「基板」という。）を撮像素子の実装の対象とするとともに、ワイヤボンディングにより撮像素子と基板とを電気的に接続させた構成である。

　近年、撮像装置において、撮像素子の接続ピンの数が増加する一方、撮像装置としてのパッケージ構造の小型化の要求から、接続ピンの配置に関して狭ピッチ化が進んでおり、ワイヤボンディングによる接続が困難となっている。また、撮像装置のパッケージ構造においては、低背化（高さ方向の縮小化）の要求があるが、上記のようにワイヤボンディングによる接続を用いた構成によれば、基板の厚みもあることから、低背化に限界がある。

　そこで、基板にキャビティを形成し、キャビティ内に撮像素子を入れた状態で撮像素子を実装する構成が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。このような構成によれば、撮像素子が基板のキャビティ内に位置する分、低背化を図ることができると考えられるが、次のような問題がある。

　まず、基板のキャビティ内に実装される撮像素子については、基板に対する傾きが生じやすいという懸念がある。また、撮像素子を実装した基板の裏面側に外部接続端子を有し、外部接続端子により、撮像装置が実装されるベース基板との電気的な接続をはんだバンプにより行う構成においては、はんだを溶融させるためのリフロー処理により、ベース基板に対して撮像装置に傾きが生じる可能性がある。また、キャビティが形成された基板を用いることは、キャビティが形成されていない通常の基板との比較においてコストの増大を招く原因となる。

　そこで、例えば特許文献２に開示されているように、撮像素子を封止樹脂材料により形成された封止樹脂部内に埋め込み、撮像素子の受光面側（センサ面側）に再配線層を設けたパッケージ構造が提案されている。特許文献２には、撮像素子の画素形成面を除いた撮像素子の周辺に封止樹脂部としてのモールド部を形成し、撮像素子の周辺領域およびモールド部の上に再配線層を設けた構成が開示されている。

特開２００８－２３５８６９号公報特開２０１９－２１６１８７号公報

　特許文献２に開示された構成においては、撮像素子の周辺領域に設けられたパッドに対して直接的に接続されるように再配線層が形成されている。このような構成によれば、撮像装置の製造プロセスにおいて、撮像素子の周囲に封止樹脂部を形成した構成に対して、再配線層が形成されることになる。したがって、再配線層を形成する工程において、撮像素子の画素形成面を、再配線層の形成に用いられる薬液等から保護する必要がある。　

　撮像素子の画素形成面を保護するためには、例えば画素形成面上に保護膜を形成することが考えられる。しかし、このような方法を採用した場合、一旦形成した保護膜の除去が不十分であったり、保護膜を残存させる方法を採用したりした場合、画素形成面に存在する保護膜は、光透過性や光の屈折率等に影響を与え、撮像素子の機能を妨げる原因となり得る。

　本技術は、撮像素子の撮像性能を損なうことなく、装置の小型・低背化を図ることができる撮像装置、電子機器および撮像装置の製造方法を提供することを目的とする。

　本技術に係る撮像装置は、表面側に、多数の画素が形成された画素領域、および前記画素領域の周囲の領域である周辺領域を有する撮像素子と、前記撮像素子の表面側に設けられ、前記画素領域を含む領域に貫通状に形成された開口部を有する再配線層と、封止樹脂材料により形成され、前記撮像素子の周囲および前記再配線層の裏面側を被覆するように設けられた封止樹脂部と、前記撮像素子の前記周辺領域上に設けられ、前記撮像素子と前記再配線層とを電気的に接続する接続部と、を備えたものである。

　本技術に係る撮像装置の他の態様は、前記撮像装置において、前記再配線層は、平面視で前記撮像素子の前記周辺領域の少なくとも一部を覆う周辺領域被覆部を有し、前記接続部は、前記撮像素子と前記周辺領域被覆部との間に設けられているものである。

　本技術に係る撮像装置の他の態様は、前記撮像装置において、前記撮像素子は、前記封止樹脂部に形成された凹部内に位置し、前記封止樹脂部の層厚の範囲内に設けられているものである。

　本技術に係る撮像装置の他の態様は、前記撮像装置において、前記封止樹脂材料とは異なる材料により形成され、前記接続部を覆うアンダーフィル部をさらに備えたものである。

　本技術に係る撮像装置の他の態様は、前記撮像装置において、前記撮像素子は、前記周辺領域に、前記画素領域に対して低い側に段差をなす段差面を有し、前記接続部は、前記段差面上に設けられているものである。

　本技術に係る撮像装置の他の態様は、前記撮像装置において、前記再配線層は、前記開口部をなす壁面を、前記再配線層の表面側から裏面側にかけて前記開口部の開口面積を徐々に広げるように傾斜した傾斜面としているものである。

　本技術に係る撮像装置の他の態様は、前記撮像装置において、前記接続部に対して前記画素領域側に、前記再配線層と前記撮像素子との間で、前記接続部の配置空間と前記画素領域側の空間とを仕切る仕切部が設けられているものである。

　本技術に係る撮像装置の他の態様は、前記撮像装置において、前記撮像素子および前記封止樹脂部に対して前記撮像素子の裏面側に設けられ、前記再配線層と電気的に接続された第２の再配線層をさらに備えたものである。

　本技術に係る電子機器は、表面側に、多数の画素が形成された画素領域、および前記画素領域の周囲の領域である周辺領域を有する撮像素子と、前記撮像素子の表面側に設けられ、前記画素領域を含む領域に貫通状に形成された開口部を有する再配線層と、封止樹脂材料により形成され、前記撮像素子の周囲および前記再配線層の裏面側を被覆するように設けられた封止樹脂部と、前記撮像素子の前記周辺領域上に設けられ、前記撮像素子と前記再配線層とを電気的に接続する接続部と、を備えた撮像装置を有するものである。

　本技術に係る撮像装置の製造方法は、支持基板の一方の板面に剥離層を有する支持部材を準備する工程と、前記剥離層の上に、前記剥離層を露出させる開口部を有する再配線層を形成する工程と、前記再配線層の上に、撮像素子を、前記撮像素子の表面側を前記剥離層側とする向きで前記開口部を覆うとともに、前記再配線層と電気的に接続させた状態で設ける工程と、封止樹脂材料により、前記再配線層の前記剥離層側と反対側および前記撮像素子の周囲を被覆するように封止樹脂部を形成する工程と、前記剥離層により前記支持基板を前記再配線層から剥離する工程と、を含むものである。

　本技術に係る撮像装置の製造方法の他の態様は、前記撮像装置の製造方法において、前記封止樹脂部を形成する工程の後に、前記封止樹脂部を、前記再配線層側と反対側から薄くする工程を有するものである。

　本技術に係る撮像装置の製造方法の他の態様は、前記撮像装置の製造方法において、前記撮像素子を設ける工程の後、かつ前記封止樹脂部を形成する工程の前に、前記封止樹脂材料とは異なる材料により、前記接続部を覆うアンダーフィル部を形成する工程を有するものである。

　本技術に係る撮像装置の製造方法の他の態様は、前記撮像装置の製造方法において、前記再配線層を形成する工程では、前記開口部をなす壁面が、前記剥離層側から前記剥離層側と反対側にかけて前記開口部の開口面積を徐々に広げるように傾斜した傾斜面となるように、前記再配線層を形成するものである。

　本技術に係る撮像装置の製造方法の他の態様は、前記撮像装置の製造方法において、前記封止樹脂部を形成する工程の後に、前記撮像素子および前記封止樹脂部に対して前記撮像素子の裏面側に、前記再配線層と電気的に接続された第２の再配線層を形成する工程を有するものである。

本技術の第１実施形態に係る固体撮像装置の構成を示す斜視図である。本技術の第１実施形態に係る固体撮像装置の適用例を示す側面断面図である。本技術の第１実施形態に係る固体撮像装置の構成を示す側面断面図である。本技術の第１実施形態に係る固体撮像装置におけるイメージセンサと再配線層との接続部の構成を示す側面断面図である。本技術の第１実施形態に係る固体撮像装置の製造方法についての説明図である。本技術の第１実施形態に係る固体撮像装置の製造方法についての説明図である。本技術の第１実施形態に係る固体撮像装置の変形例の構成を示す側面断面図である。本技術の第１実施形態に係る固体撮像装置の変形例の構成についての説明図である。本技術の第２実施形態に係る固体撮像装置におけるイメージセンサと再配線層との接続部の構成を示す側面断面図である。本技術の第２実施形態に係る固体撮像装置の製造方法についての説明図である。本技術の第２実施形態に係る固体撮像装置の第１の変形例の構成を示す側面断面図である。本技術の第２実施形態に係る固体撮像装置の第２の変形例の構成を示す側面断面図である。本技術の第２実施形態に係る固体撮像装置の第３の変形例の構成を示す側面断面図である。本技術の第３実施形態に係る固体撮像装置の構成を示す側面断面図である。本技術の第３実施形態に係る固体撮像装置の製造方法についての説明図である。本技術の第３実施形態に係る固体撮像装置の製造方法についての説明図である。本技術の実施形態に係る固体撮像装置を備えた電子機器の構成例を示すブロック図である。

　本技術は、撮像素子と再配線層とを封止樹脂材料からなる封止樹脂部により一体化した構成において、撮像素子と再配線層との電気的な接続構成等を工夫することにより、撮像素子の撮像性能を確保しながら、装置の小型化および低背化を図ろうとするものである。

　以下、図面を参照して、本技術を実施するための形態（以下「実施形態」と称する。）を説明する。以下に説明する実施形態では、撮像装置として、撮像素子の一例である固体撮像素子を含む固体撮像装置を例にとって説明する。なお、実施形態の説明は以下の順序で行う。
　１．第１実施形態に係る固体撮像装置の構成例
　２．第１実施形態に係る固体撮像装置の製造方法
　３．第１実施形態に係る固体撮像装置の変形例
　４．第２実施形態に係る固体撮像装置の構成例
　５．第２実施形態に係る固体撮像装置の製造方法
　６．第２実施形態に係る固体撮像装置の変形例
　７．第３実施形態に係る固体撮像装置の構成例
　８．第３実施形態に係る固体撮像装置の製造方法
　９．電子機器の構成例

　＜１．第１実施形態に係る固体撮像装置の構成例＞
　本技術の第１実施形態に係る固体撮像装置１の構成例について、図１から図４を参照して説明する。なお、図１における上下方向を固体撮像装置１における上下方向とする。

　図１および図３に示すように、固体撮像装置１は、固体撮像素子としてのイメージセンサ２と、再配線層３と、封止樹脂部４と、接続部としての金属バンプ５とを備える。固体撮像装置１は、略矩形板状の外形を有し、いずれも水平状の面部である表面部１ａおよび裏面部１ｂ、並びに四方の側面部を有する。

　固体撮像装置１は、下側の層部分を主に封止樹脂部４により構成するとともに、上側の層部分を再配線層３により構成しており、イメージセンサ２を封止樹脂部４内に埋め込んだ態様で設けている。イメージセンサ２は、上側を受光面側とし、再配線層３には、イメージセンサ２に受光される光の通路を確保するための開口部である配線層開口部６が形成されている。固体撮像装置１は、パッケージ構造として、イメージセンサ２および再配線層３をモールド樹脂部である封止樹脂部４により一体化するとともに、再配線層３をイメージセンサ２の外形よりも外側に拡張させたいわゆるＦＯＷＬＰ（Fan Out Wafer Level Package）の構造を有する。　

　固体撮像装置１においては、表面部１ａの縁部に、複数の外部接続端子７が形成されている。外部接続端子７は、再配線層３を構成する再配線の一部として表面部１ａに露出した状態で形成された電極部である。図１および図２に示す例では、イメージセンサ２は、固体撮像装置１の平面視形状の長手方向（図２における左右方向）の一側（図２における右側）に偏った位置に設けられている。そして、複数の外部接続端子７は、固体撮像装置１の長手方向の他側（図２における左側）の端部に設けられている。

　図２に示すように、外部接続端子７に対しては、例えば、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）等と称されるフレキシブル基板８の一端側が、はんだメッキ等により形成された接続部９により電気的に接続される。フレキシブル基板８の他端側にはコネクタが設けられており、フレキシブル基板８の他端側は、所定の外部装置に接続される。

　図２に示すように、固体撮像装置１は、表面部１ａ側において、レンズユニット１０の搭載を受ける。レンズユニット１０は、複数のレンズ１１により、被写体からの光をイメージセンサ２に結像する。レンズユニット１０は、筒状に構成された支持筒１２を有し、支持筒１２内に、複数のレンズ１１を支持している。図２に示す例では、支持筒１２は、筒軸方向をレンズユニット１０の光軸の方向に沿わせ、３枚のレンズ１１を、スペーサ等を介して上下方向に積層させた状態で支持している。レンズユニット１０の光軸は、３枚のレンズ１１の中心を通る上下方向の直線である。なお、レンズ１１の枚数は特に限定されない。

　レンズユニット１０は、支持筒１２の下側の取付面１３を固体撮像装置１の表面部１ａ上に接着剤等により固定させた状態で、固体撮像装置１上にマウントされる。固体撮像装置１上にレンズユニット１０を設けた構成においては、複数のレンズ１１により集光された光が、イメージセンサ２の受光面に入射する。以下、固体撮像装置１が備える各構成について説明する。

　イメージセンサ２は、再配線層３に電気的に接続されている。イメージセンサ２は、半導体の一例であるシリコン（Ｓｉ）により構成された半導体基板を含む半導体素子である。図２に示すように、イメージセンサ２は、矩形板状のチップであり、上側の板面である表面２ａ側を受光面側とし、その反対側の板面を裏面２ｂとする。また、イメージセンサ２は、その板面に対して垂直状に形成された四方の側面部２ｃを有する。

　イメージセンサ２は、封止樹脂部４の層厚よりも薄い板厚を有し、表面２ａ側を露出させながら封止樹脂部４内に埋まった状態で設けられている。イメージセンサ２は、平面視の外形寸法を配線層開口部６の開口寸法よりも大きくし、周縁部を再配線層３の配線層開口部６の開口縁部の下方に位置させている。

　イメージセンサ２の表面２ａ側には、複数の受光素子（光電変換素子）が形成されている。本実施形態に係るイメージセンサ２は、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）型のイメージセンサである。ただし、イメージセンサ２はＣＣＤ（Charge Coupled Device）型のイメージセンサ等の他の撮像素子であってもよい。

　図３および図４に示すように、イメージセンサ２は、表面２ａ側に、多数の画素２３が形成された受光領域である画素領域２１、および画素領域２１の周囲の領域である周辺領域２２を有する。画素領域２１において、多数の画素２３は、例えばベイヤ（Ｂａｙｅｒ）配列等の所定の配列で形成されており、イメージセンサ２における受光部を構成する。周辺領域２２には、所定の周辺回路が形成されている。画素領域２１は、各画素２３における光電変換により信号電荷の生成、増幅、および読み出しを行う有効画素領域を含む。画素領域２１の画素２３は、光電変換機能を有する光電変換部としてのフォトダイオードと、複数の画素トランジスタとを有する。フォトダイオードは、半導体基板２０に形成されている。

　イメージセンサ２においては、表面２ａにおける周辺領域２２に、外部接続用の電極端子であるパッド電極２７が複数形成されている。パッド電極２７は、金属バンプ５によって再配線層３に対して電気的に接続される部分となる。複数のパッド電極２７は、例えば、イメージセンサ２において、固体撮像装置１の長手方向に対向する両側の縁部に設けられる。

　イメージセンサ２の構成としては、例えば、半導体基板２０の表面側に画素領域２１を形成した表面照射型（Front Side Illumination）のものや、光の透過率を向上させるためにフォトダイオード等を逆に配置し半導体基板２０の裏面側を受光面側とした裏面照射型（Back Side Illumination）のものや、画素群の周辺回路を積層した１つのチップとしたもの等がある。ただし、本技術に係るイメージセンサ２は、これらの構成のものに限定されない。

　本実施形態において、イメージセンサ２は、周辺領域２２に、画素領域２１に対して低い側に段差をなす段差面２４を有する。つまり、周辺領域２２は、画素領域２１に対して低い側に段差をなし、周辺領域２２の上面として、画素領域２１の上面部分に対して一段低い平坦な段差面２４を有する。これにより、画素領域２１と周辺領域２２との間に段差部が形成されている。

　段差面２４を有するイメージセンサ２の構成例について説明する。半導体基板２０の一方の板面である上面上には、反射防止膜として機能するシリコン酸化膜等の絶縁膜を介して、光透過性を有する平坦化膜２５が設けられている。平坦化膜２５は、例えば、絶縁性を有する樹脂などの有機材料で形成されている。平坦化膜２５上には、各画素２３に対応して設けられた複数のカラーフィルタに区分されたカラーフィルタ層２６が設けられている。

　カラーフィルタ層２６上には、各画素２３のフォトダイオードに対応して形成された複数のマイクロレンズ２８ａを有するレンズ層２８が形成されている。レンズ層２８は、例えば樹脂などの有機材料により形成されている。マイクロレンズ２８ａに入射した光が、カラーフィルタ層２６や平坦化膜２５等を介してフォトダイオードで受光される。

　このように、画素領域２１において、半導体基板２０の上面上には、平坦化膜２５、カラーフィルタ層２６およびレンズ層２８を含む積層構造２９が設けられている。なお、イメージセンサ２の構成によっては、半導体基板２０の下面側に、シリコン酸化膜等により形成された層間絶縁膜を介して積層された複数の配線を有する配線層が設けられる。

　このような構成を有するイメージセンサ２の表面２ａ側において、半導体基板２０の上面２０ａ側に形成される積層構造２９の形成領域を画素領域２１のみとし、周辺領域２２においては半導体基板２０の上面を段差面２４として露出させた状態とすることで、画素領域２１と周辺領域２２との間に段差Ｇ１が形成されている。すなわち、図４に示すように、積層構造２９を画素領域２１に対して選択的に形成することで、半導体基板２０の上面を露出させた周辺領域２２に対して、積層構造２９の層厚分、画素領域２１の層厚が上側に厚くなり、段差Ｇ１が形成されている。したがって、段差Ｇ１の寸法は、イメージセンサ２の厚さ方向（上下方向）について、段差面２４の高さ位置Ｈ１とレンズ層２８の上端の高さ位置Ｈ２と間の寸法となる。

　このように、イメージセンサ２において、画素領域２１に対して表面２ａ側に段差をなすように厚さが薄い周辺領域２２が設けられている。周辺領域２２は、イメージセンサ２の矩形状の外形に沿ってイメージセンサ２の外縁部に全体的に設けられている。

　封止樹脂部４は、所定の封止樹脂材料により形成され、イメージセンサ２の周囲および再配線層３の裏面３ｂ側を被覆するように設けられている。封止樹脂部４は、固体撮像装置１において、再配線層３の下側の下層部を構成しており、固体撮像装置１の下部の外形をなしている。

　封止樹脂部４においては、再配線層３に対する接触面が上面４ａとなる。また、封止樹脂部４の下面部が、固体撮像装置１の裏面部１ｂとなる。したがって、封止樹脂部４は、イメージセンサ２の裏面２ｂ側に形成されたチップ裏層部４ｆを有する。また、封止樹脂部４の四方の側面４ｃにより、固体撮像装置１の四方の側面部の下部が形成されている。

　封止樹脂部４は、モールド部として、イメージセンサ２の裏面２ｂおよび四方の側面部２ｃ、並びに再配線層３の裏面３ｂを全体的に被覆するとともに、金属バンプ５によるイメージセンサ２と再配線層３の接続部分の外側を封止している。封止樹脂部４は、イメージセンサ２の表面２ａにおける少なくとも画素領域２１の部分を露出させた状態で、イメージセンサ２の周縁部分から下側にかけてイメージセンサ２の周囲を被覆している。

　封止樹脂部４は、例えばモールド金型を用いた成形等によって所定の形状に形成される。封止樹脂部４を形成する封止樹脂材料は、例えば、ケイ素酸化物を主成分とするフィラーを含有した熱硬化性樹脂である。

　イメージセンサ２は、封止樹脂部４に形成された凹部４ｄ内に位置し、封止樹脂部４の層厚の範囲内に設けられている。再配線層３および再配線層３よりも下側に位置するイメージセンサ２を下側から全体的に覆う封止樹脂部４においては、配線層開口部６の下側に、イメージセンサ２および金属バンプ５による接続部分の形状に対応した転写形状を有する凹部４ｄが形成されている。

　したがって、凹部４ｄは、イメージセンサ２の裏面２ｂおよび四方の側面部２ｃ、並びに再配線層３の裏面３ｂの各に対して全体的に接触する面と、金属バンプ５によるイメージセンサ２と再配線層３の接続部分を外側から被覆する面とを含んで形成されている。後者の面には、例えば、イメージセンサ２の表面２ａの周縁部や、金属バンプ５の外側、つまりイメージセンサ２の画素領域２１側を内周側とした場合の外周側の表面等が含まれる。

　イメージセンサ２は、表面２ａの周縁部以外の部分を露出させた状態で封止樹脂部４の凹部４ｄに嵌合した態様で、封止樹脂部４に埋設されている。そして、イメージセンサ２は、その表面２ａの高さ位置が、封止樹脂部４の上面４ａの高さ位置以下の高さ位置となるように設けられている。具体的には、イメージセンサ２におけるレンズ層２８の上端の高さ位置Ｈ２（図４参照）が、封止樹脂部４の上面４ａの高さ位置以下となっている。

　ただし、イメージセンサ２は、表面２ａの高さ位置を、封止樹脂部４の上面４ａよりも高い位置に位置させ、上側の一部を配線層開口部６内に位置させるように設けられてもよい。つまり、イメージセンサ２は、上側の一部を再配線層３の層厚の範囲内に位置させるように設けられてもよい。

　再配線層３は、イメージセンサ２の表面２ａ側に設けられ、画素領域２１を含む領域に貫通状に形成された配線層開口部６を有する。再配線層３は、層間絶縁膜３１を介して積層された複数の配線層３２を有する積層配線層として形成されている。

　再配線層３においては、封止樹脂部４に対する接触面が裏面３ｂとなる。また、再配線層３の表面部となる上面部が、固体撮像装置１の表面部１ａとなる。また、再配線層３の四方の側面３ｃにより、固体撮像装置１の四方の側面部の上部が形成されている。再配線層３の上下両側それぞれの面の略全体は層間絶縁膜３１により形成されている。

　層間絶縁膜３１は、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド等の樹脂材料、あるいはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等により形成される。配線層３２は、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、タングステン（Ｗ）等の金属材料からなる金属膜として形成される。なお、積層された層間絶縁膜３１および配線層３２は、それぞれすべての層で同じ材料により形成されてもよく、層により異なる材料により形成されてもよい。

　再配線層３を構成する配線層３２のうち、最上層の層部分により、外部接続端子７が形成されている。また、配線層３２のうち、最下層の層部分により、金属バンプ５の接続を受ける下層電極３２ａが形成されている。下層電極３２ａは、再配線層３の裏面３ｂに露出した状態で形成された電極部である。下層電極３２ａは、金属バンプ５の配置に対応して複数箇所に設けられている。

　このように、再配線層３に設けられた各配線層３２は、一端側に形成された外部接続端子７と、他端側に形成された下層電極３２ａと、これらをつなぐ配線部３２ｂとを有する。配線部３２ｂは、配線層として層状に形成された層状部分と、上下の層状部分同士をつなぐ接続部分とを含んで形成されている。この接続部分は、配線部３２ｂのうち、層間絶縁膜３１において層厚方向に形成された接続ビア孔３１ａ内に形成された部分である。なお、再配線層３は、単層構造の配線層であってもよい。

　再配線層３において、配線層開口部６は、裏面３ｂに対して垂直状に形成された四方の内側面６ａにより、イメージセンサ２の平面視形状に対応して矩形状の開口形状をなすように貫通形成されている。四方の内側面６ａは、再配線層３を構成する層間絶縁膜３１の形成材料により形成されている。ただし、内側面６ａにおいて配線層３２の一部が露出していてもよい。

　配線層開口部６は、平面視でその開口領域にイメージセンサ２の画素領域２１の全体を含むとともに、イメージセンサ２の周縁部を開口領域の外側に位置させるように形成されている。つまり、配線層開口部６は、四方の内側面６ａを、画素領域２１よりも外側、かつイメージセンサ２の側面部２ｃよりも内側に位置させるように形成されている。

　再配線層３は、平面視でイメージセンサ２の周辺領域２２の少なくとも一部を覆う周辺領域被覆部３３を有する。再配線層３は、配線層開口部６の開口縁部を、周辺領域被覆部３３としている。つまり、周辺領域被覆部３３は、再配線層３における面方向の領域的な部分であり、配線層開口部６を形成する開口縁部として形成されている。

　周辺領域被覆部３３は、封止樹脂部４の凹部４ｄの上側において封止樹脂部４に対して画素領域２１側に庇状に突出した部分である。周辺領域被覆部３３は、イメージセンサ２の外形に沿って枠状に形成されている。つまり、周辺領域被覆部３３は、イメージセンサ２において平面視で枠状に形成された周辺領域２２を上側から被覆するように設けられている。

　周辺領域被覆部３３は、イメージセンサ２の段差面２４の上方において裏面３ｂを段差面２４に対向させている。周辺領域被覆部３３に、下層電極３２ａが形成されている。下層電極３２ａは、周辺領域被覆部３３において、イメージセンサ２側のパッド電極２７に対向するように形成されている。

　金属バンプ５は、イメージセンサ２の周辺領域２２上に設けられ、イメージセンサ２と再配線層３とを電気的に接続する接続バンプである。金属バンプ５は、イメージセンサ２と再配線層３の周辺領域被覆部３３との間に設けられている。本実施形態では、金属バンプ５は、イメージセンサ２の表面２ａのうちの段差面２４上に設けられており、段差面２４と、再配線層３の裏面３ｂのうちの周辺領域被覆部３３の部分との間に介在している。

　金属バンプ５は、導電性材料からなる突起状の端子であり、イメージセンサ２側のパッド電極２７と、再配線層３側の下層電極３２ａとを電気的に接続している。イメージセンサ２と再配線層３との間に金属バンプ５が存在することにより、イメージセンサ２の表面２ａ（段差面２４）と再配線層３の裏面３ｂとの間に隙間が形成されている。この隙間の寸法、つまり金属バンプ５の高さは、例えば数十マイクロメートル程度である。

　金属バンプ５は、イメージセンサ２の表面２ａに形成されたパッド電極２７の数に応じて隙間をあけて複数アレイ状に設けられている。複数の金属バンプ５は、イメージセンサ２と再配線層３との間の接続部分を構成し、イメージセンサ２と再配線層３との間を外側から封止する封止樹脂部４により部分的に被覆されるとともに、バンプ間の隙間に封止樹脂部４の材料を介在させている。金属バンプ５は、例えば、Ａｕスタッドバンプ、はんだボールバンプ、Ａｕ－Ａｇ合金バンプ等である。

　金属バンプ５の接続を受ける下層電極３２ａには、メッキ層３５が形成されている。メッキ層３５は、例えば、金属バンプ５がＡｕスタッドバンプの場合、Ａｕ置換メッキにより形成された層となる。

　本実施形態では、イメージセンサ２と再配線層３との間の接続部として金属バンプ５が設けられているが、この接続部は、例えばＣｕピラー等の金属ポストであってもよい。

　＜２．第１実施形態に係る固体撮像装置の製造方法＞
　第１実施形態に係る固体撮像装置１の製造方法の一例について、図５および図６を参照して説明する。

　固体撮像装置１の製造方法は、所定の支持基板上に、固体撮像装置１における再配線層３となる部分を複数含む再配線層を形成し、その再配線層に対して複数のイメージセンサ２のチップを実装し、複数のチップを樹脂で封止することで所定の形状を有する疑似的なウェハを作成した後、個片化することで固体撮像装置１を得るものである。本製法は、イメージセンサ２と再配線層３とを封止材で一体化するまでの工程を、一時キャリアである支持基板上で行い、その後、支持基板を装置側から分離し、個片化により固体撮像装置１を得るものである。このため、支持基板上には剥離層が形成される。

　固体撮像装置１の製造方法においては、まず、図５Ａに示すように、支持基板４０を準備する工程が行われる。支持基板４０は、製造過程で一時的に用いられる一時キャリアであり、最終的には剥離され除去される部材となる。支持基板４０は、平板状の部材であり、一方の板面として平らな上面４０ａを有する。

　支持基板４０は、所定の支持強度を有するものであれば特に限定されない。支持基板４０は、例えば、ガラスやセラミックスや金属やシリコン等の無機材料あるいはプラスチックからなる板材が用いられる。　

　次に、図５Ａに示すように、支持基板４０の上面４０ａに剥離層４１を形成する工程が行われる。剥離層４１は、支持基板４０とその表面（上面４０ａ）に形成されるデバイス構造物との間に設置される層であり、デバイス構造物が形成された後に、支持基板４０とデバイス構造物とを分離する目的で設置されるものである。デバイス構造物は、例えば、半導体素子や、配線材料、絶縁材料、封止材料などから構成される。本実施形態では、支持基板４０上に形成されるデバイス構造物は、再配線層４３となる。

　剥離層４１は、支持基板４０の上面４０ａ上に、剥離層４１を形成する材料である剥離材を塗布することにより形成される。なお、剥離層４１は、支持基板４０の上面４０ａに剥離テープ等のシート状の部材を貼ることにより形成されてもよい。本工程により、支持基板４０の上面４０ａ側に剥離層４１が形成された支持部材４２が得られる。すなわち、本工程が、支持基板４０の一方の板面に剥離層４１を有する支持部材４２を準備する工程となる。

　剥離層４１の要件としては以下が挙げられる。
　（１）デバイス構造形成時には、支持基板４０とデバイス構造物が剥離することがない。
　（２）デバイス構造物を支持基板４０から剥離する際には、デバイス構造物側にダメージを与えない

　上記（２）に関し、剥離層４１の剥離方法としては以下が挙げられる。
　（Ａ）機械的剥離：ブレード等で剥離
　（Ｂ）化学的反応：光、熱など
　（Ｃ）物理的反応：レーザアブレーションなど
　上記（Ｂ）、（Ｃ）による剥離層４１の場合、外部からエネルギーを与えられることにより剥離層４１を構成する材料の状態が変化し、支持基板４０とデバイス構造物が分離可能な状態となる。剥離材としては、例えば、ＵＶ（紫外線）光やレーザ光等の光を照射することや加熱すること等により易剥離の状態（粘着力が低下した状態）となる材料が用いられる。ＵＶ易剥離タイプの剥離材は、例えばＵＶを照射することにより粘着力が低下する粘着剤となる。また、剥離材としては、例えば、ＵＶ硬化性樹脂等の光硬化性の材料を用いることができる。

　剥離材として、光の照射を受けることにより易剥離の状態となる材料が用いられる場合、支持基板４０としては、例えばガラスや透明なプラスチック板等の、光を透過させる材料により形成されたものが用いられる。具体的には、例えば、剥離層４１の剥離に際してＵＶ光が用いられる場合、支持基板４０としては、ＵＶ光の波長に対して高い透過性を有するガラスウェハが用いられる。

　次に、図５Ｂに示すように、剥離層４１の上に、キャビティを有する再配線層４３を形成する工程が行われる。再配線層４３は、キャビティとして、剥離層４１を露出させる開口部４６を有する。再配線層４３は、個片化により得られる固体撮像装置１において再配線層３をなす部分である。開口部４６は、固体撮像装置１において再配線層３の配線層開口部６となる部分であり、四方の内側面４６ａにより形成されている。

　再配線層４３を形成する工程では、開口部４６に対応する部分を除き、固体撮像装置１において層間絶縁膜３１および配線層３２の各層をなす絶縁膜および配線層が、所定の数だけ積層されて形成される。再配線層４３の形成には、例えば、セミアディティブ法、アディティブ法（フルアディティブ法）、ダマシン法等の公知の方法が用いられる。

　再配線層４３を形成の形成に際しては、図５Ａに示すように、剥離層４１上にマスク層４４が成膜される。マスク層４４は、再配線層４３を形成する工程でフォトリソグラフィプロセスが用いられる場合に、剥離層４１に作用する光を遮るための層となる。

　マスク層４４は、例えば、Ａｌ等の金属からなる金属層である。ただし、マスク層４４は、金属等の無機材料のほか、ＵＶ光等の光を透過しない樹脂材料により形成された層であってもよい。また、剥離層４１が再配線層４３の形成に用いられる薬液の影響を受けるものである場合は、その薬液から剥離層４１を保護するための薬液用のマスク層が設けられる。遮光用のマスク層４４と薬液用のマスク層については、１つの層が共用されてもよく、各層が個別に設けられてもよい。

　再配線層４３の形成においては、まず、１層目の配線層３２ｘが形成される。具体的には、マスク層４４上に、例えばＣｕ等の金属材料からなるシード層が成膜され、シード層上に、フォトリソグラフィ技術を用いたパターニングによりレジストマスクが形成される。レジストのパターニング後、シード層上に、電気メッキ等のメッキ処理により、金属材料が所望の厚さまで積み上げられ、配線層３２ｘとなる金属層が形成される。その後、レジストマスクおよび不要なシード層部分が除去され、配線層３２ｘが形成される。

　次に、絶縁膜３１ｘが形成される。絶縁膜３１ｘの材料としては、例えば、感光性ポリイミド等の感光性樹脂材料が用いられる。この場合、フォトリソグラフィプロセスにより、開口部４６を形成する孔部および接続ビア孔３１ａの孔開けが行われる。なお、絶縁膜３１ｘの材料としては、例えばエポキシ樹脂等の非感光性の材料であってもよい。この場合、開口部４６および接続ビア孔３１ａの形成には、例えばレーザ等が用いられる。

　以上のような配線層３２ｘの形成工程と絶縁膜３１ｘの形成工程を繰り返し、所望の層数の積層配線層である再配線層４３が形成される。なお、再配線層４３を構成する配線層および絶縁膜それぞれの層厚（膜厚）は、例えば、１層あたり数～十数マイクロメートル程度である。再配線層４３は、支持基板４０側と反対側の面部として表面部４３ａを有する。

　また、マスク層４４に用いる金属材料としては、再配線層４３の配線層の金属材料とは異なる材料が用いられるが、プロセスによっては、シード層をそのままマスク層として用いることも可能である。具体的には、例えば、マスク層４４を、再配線層４３の絶縁膜３１ｘの材料に対する密着層として設ける場合、シード層がマスク層として用いられる。また、剥離層４１の剥離材として、所定の温度で加熱することで易剥離の状態となる材料が用いられる場合は、再配線層４３を形成する工程から後述の封止工程までの間、その所定の温度を下回る温度を保持する必要がある。

　図５Ｂに示すように、再配線層４３においては、開口部４６の周囲に、最表層（図５Ｂにおいては最上層）の配線層として、金属バンプ５の接続を受ける下層電極３２ａが形成される。下層電極３２ａ上には、Ａｕ置換メッキ等により形成されたメッキ層３５が形成される。なお、下層電極３２ａおよび金属バンプ５の材料の組合せによっては、メッキ層３５は形成しないこともできる。

　続いて、図５Ｃに示すように、イメージセンサ２を実装する工程が行われる。ここでは、再配線層４３の上に、イメージセンサ２を、イメージセンサ２の表面２ａ側を剥離層４１側とする向きで開口部４６を覆うとともに、再配線層４３と電気的に接続させた状態で設ける工程が行われる。

　この工程において、イメージセンサ２は、再配線層４３に対して、画素形成面である表面２ａを再配線層４３側に向けた、いわゆるＦａｃｅ－ｄｏｗｎの状態で、平面視で開口部４６を塞ぐ態様で設けられる。イメージセンサ２は、イメージセンサ２と再配線層４３との間に介在する金属バンプ５により、再配線層４３に電気的に接続される。

　金属バンプ５は、イメージセンサ２の実装に際し、事前にイメージセンサ２においてパッド電極２７上に形成される。金属バンプ５を形成する工程では、パッド電極２７上に、例えば、ワイヤボンディング装置が用いられ、金属バンプ５としてのＡｕスタッドバンプが形成される。ここで、金属バンプ５の代わりにＣｕピラー等の金属ポストが用いられる場合、パッド電極２７上に、金属ポストとして、例えばＣｕやＣｕ合金等を材料としたメッキ、スパッタリング、蒸着等により、円柱状の突起部分が形成される。

　そして、イメージセンサ２は、金属バンプ５の先端側を再配線層４３の下層電極３２ａ上のメッキ層３５上に位置させるようにマウントされ、金属バンプ５がメッキ層３５を介して下層電極３２ａに接合される。下層電極３２ａに対する金属バンプ５の接合工程において加熱作用が用いられる場合、その加熱温度については、イメージセンサ２や剥離層４１の耐熱温度が考慮され、所定の温度を上回らないように調整される。

　金属バンプ５や金属ポストの高さは、固体撮像装置１の低背化の観点やコスト低減の観点から、できるだけ低いことが望ましく、例えば、数十マイクロメートル程度の高さであることが望ましい。また、後述する封止樹脂材料の画素領域２１側への浸入防止の観点からも、金属バンプ５や金属ポストの高さは低い方が望ましい。

　以上のようにイメージセンサ２が金属バンプ５によって再配線層４３に接合された構成においては、開口部４６によりイメージセンサ２と支持基板４０との間にキャビティ４８が形成されるとともに、キャビティ４８の周囲に位置する複数の金属バンプ５のバンプ同士の間は空隙となっている。なお、再配線層４３にイメージセンサ２を接合する工程において、金属バンプ５は、あらかじめ再配線層４３側に形成されてもよい。

　次に、図５Ｄに示すように、封止樹脂材料により、再配線層４３の剥離層４１側と反対側およびイメージセンサ２の周囲を被覆するように封止樹脂部５４を形成する工程が行われる。この工程は、封止樹脂材料により、金属バンプ５による接続部の外側からイメージセンサ２の裏面２ｂ側にかけてのイメージセンサ２の周囲、および再配線層４３の表層側の表面部４３ａの略全体を被覆する封止樹脂部５４を形成する封止工程である。封止樹脂部５４は、個片化により得られる固体撮像装置１において封止樹脂部４となる部分である。

　封止樹脂部５４は、例えば、フィラーを含有した熱硬化性樹脂により、モールド金型を用いた成形やスピンコート等によって所定の形状に形成される。封止樹脂部５４により、複数のイメージセンサ２と再配線層４３とが封止されて一体化され、例えば円板状や矩形板状等の所定の形状を有するウェハ状の構造体が形成される。

　次に、図６Ａに示すように、封止樹脂部５４を形成する工程の後に、封止樹脂部５４を、再配線層４３側と反対側から薄くする工程が行われる。この工程では、封止樹脂部５４をその表面５４ａ側からグラインディングにより所望の厚さまで研削することで、封止樹脂部５４の薄化が行われる。

　封止樹脂部５４の薄化は、例えば、所定の研削ホイルを有する研削装置により行われる。封止樹脂部５４の薄化の工程によれば、封止樹脂部５４の層厚が、元の厚さＴ１（図５Ｄ参照）からそれよりも薄い所望の厚さＴ２（図６Ａ参照）となる。

　封止樹脂部５４の薄化の工程においては、イメージセンサ２の裏側に封止樹脂部５４が残るように、つまり封止樹脂部５４におけるイメージセンサ２の裏側の部分であるチップ裏層部５４ｆが形成されるように、封止樹脂部５４が研削される。ただし、チップ裏層部５４ｆは形成されなくてもよい。チップ裏層部５４ｆが形成されない場合、イメージセンサ２の裏面２ｂが、表面５４ａと面一状に露出した状態となる。

　また、封止樹脂部５４の薄化の工程において、イメージセンサ２に対するバックグラインドが行われてもよい。この場合、封止樹脂部５４の研削とともに、イメージセンサ２が裏面２ｂ側から研削されて薄化される。封止樹脂部５４の研削と同時にイメージセンサ２の研削が行われる場合、研削ホイルとして、例えばダイヤモンドホイルが用いられる。イメージセンサ２の研削が行われた場合、ウェハ状の構造体における研削面においては、封止樹脂部５４の表面５４ａと面一となる面として、例えば、半導体基板２０により形成されたイメージセンサ２の裏面２ｂが露出した状態となる。

　次に、図６Ｂに示すように、剥離層４１により支持基板４０を再配線層４３から剥離する工程が行われる。この工程では、剥離層４１に対して例えばＵＶ光等の所定の波長の光を照射したり加熱したりすることで、剥離層４１の剥離に適した方法で剥離層４１が易剥離の状態とされ、再配線層４３から支持基板４０が剥離される。剥離層４１に光を照射する場合、透明なあるいは透光性を有する支持基板４０側から照射された光が、支持基板４０を透過して剥離層４１に照射される。

　支持基板４０の剥離後、マスク層４４を除去する工程が行われる。マスク層４４は、例えばエッチング等により除去される。ここで、エッチング液がイメージセンサ２の画素領域２１等に影響することを防ぐため、予め再配線層４３の開口部４６をガラス板等のカバーにより覆うことができる。

　そして、図６Ｃに示すように、ダイシングの工程が行われ、ウェハ状の構造体が複数のチップに個片化される。すなわち、ダイサーにより、再配線層４３および封止樹脂部５４が、ウェハ状の構造体をイメージセンサ２毎の所定の領域に区画する所定のダイシングラインに沿って切断され、複数の固体撮像装置１としてのパッケージ構造が得られる。ダイシングにより分断された再配線層４３および封止樹脂部５４は、それぞれ固体撮像装置１を構成する再配線層３および封止樹脂部４となる。

　以上のような本実施形態に係る固体撮像装置１によれば、固体撮像装置１の実装面がイメージセンサ２の画素形成面側となり、イメージセンサ２の撮像性能を損なうことなく、装置の小型・低背化および高速化を図ることができる。

　固体撮像装置１は、金属バンプ５により電気的に互いに接続された再配線層３およびイメージセンサ２を封止樹脂部４により封止して一体化させた構成を備える。このような構成によれば、再配線層３に対してイメージセンサ２を設けることができる。このため、例えば、イメージセンサ２の画素形成面を、再配線層の形成に用いられる薬液等から保護する必要がないため、画素形成面の保護に用いられる保護膜の形成にともなう画素形成面への影響を無くすことができ、イメージセンサ２の撮像性能を確保することができる。

　また、固体撮像装置１は、イメージセンサ２の実装の対象を再配線層３としている。このため、例えばイメージセンサの実装の対象として基板を備えた構成に対して、装置の小型・低背化および高速化を図ることができるとともに、イメージセンサ２の傾きや、固体撮像装置１が実装される構成に対する固体撮像装置１の傾きを抑制することができる。また、基板を用いないことにより、低背化を実現するに際してのコスト増大を抑制することができる。　

　また、固体撮像装置１によれば、イメージセンサ２を画素形成面側から金属バンプ５により再配線層３に接続した構成であるため、イメージセンサ２の接続にワイヤボンディングを用いた構成と比べて低背化を図ることができる。これにより、イメージセンサ２における接続ピンの増加・狭ピッチ化やパッケージ構造の小型化の要求等に対して容易に対応することができる。

　また、固体撮像装置１によれば、再配線層３の形成プロセスにより微細パターンを形成することにより、容易に薄くすることができる。また、再配線層３とイメージセンサ２を金属バンプ５あるいは金属ポストで接続することで、接続長を短くすることができる。

　また、固体撮像装置１において、再配線層３は、周辺領域被覆部３３を有し、金属バンプ５は、イメージセンサ２と周辺領域被覆部３３との間に設けられている。このような構成によれば、再配線層３の一部をイメージセンサ２に対して金属バンプ５を介して重ねることができるので、装置の平面方向（積層方向に垂直な方向）についての小型化を図ることができる。

　また、固体撮像装置１において、イメージセンサ２は、封止樹脂部４の凹部４ｄ内に位置し、封止樹脂部４の層厚の範囲内に設けられている。このような構成によれば、効果的に固体撮像装置１の低背化を図ることができる。

　また、固体撮像装置１において、イメージセンサ２は、周辺領域２２において段差面２４を有し、金属バンプ５は、段差面２４上に設けられている。このような構成によれば、金属バンプ５を、画素領域２１に対して一段低い位置から形成することができるので、イメージセンサ２の全体の厚さを変えることなく、再配線層３に対してイメージセンサ２を実装した構成の厚さ方向の寸法を小さくすることができる。これにより、効果的に固体撮像装置１の低背化を図ることができる。

　なお、上述した構成例では、画素領域２１と周辺領域２２との間の段差（領域間段差）に関し、積層構造２９を画素領域２１のみに形成することで、積層構造２９の層厚が段差の大きさとなっているが、領域間段差には、半導体基板２０の厚さを上面２０ａ側から薄くする（削る）ことによる層厚の差が含まれていてもよい。つまり、積層構造２９の画素領域２１に対する選択的な形成に加え、周辺領域２２における半導体基板２０の厚さを画素領域２１における半導体基板２０の厚さに対して薄くすることで、領域間段差を確保した構成であってもよい。

　また、固体撮像装置１の製造方法によれば、支持基板４０上に形成された再配線層４３に対してイメージセンサ２を実装するいわゆるチップラストの方法であることから、イメージセンサ２の画素形成面への影響を少なくすることができ、イメージセンサ２の撮像性能を損なうことなく、装置の小型・低背化および高速化を図ることができる。

　例えば、固体撮像装置１の製造方法として、先の工程でイメージセンサ２を封止樹脂材料に埋め込み、その後の工程でイメージセンサ２の表面２ａ側に再配線層３を形成するプロセス、いわゆるチップファーストによる方法が提案されている。この方法では、イメージセンサ２の画素形成面を、再配線層４３の形成に用いられる薬液等から保護するために剥離可能な保護膜により被覆し、封止樹脂材料によりイメージセンサ２を封止して保護膜を露出させた状態で、封止樹脂部５４上に再配線層４３が形成される。

　しかし、このような方法の場合、再配線層４３を形成する工程で加熱処理が行われることから、保護膜の熱収縮による画素形成面への影響や、保護膜の剥離不良等が懸念される。また、再配線層４３を形成する工程で用いられる薬液に保護膜が晒されることも、保護膜の剥離不良の原因となり得る。保護膜の除去が不十分である場合、残渣により画素形成面が汚染されることが考えられる。また、保護膜を除去せずに残存させることも考えられるが、その場合も、再配線層４３を形成する工程で保護膜が影響を受けることにより、保護膜が光透過性や光の屈折率等に影響を与え、イメージセンサ２の機能を妨げる原因となり得る。

　これに対し、固体撮像装置１の製造方法は、加熱処理や様々な溶剤を使用する工程を必要とする再配線層４３をはじめに形成し、再配線層４３に対してイメージセンサ２を接合した後に、これらを封止材で一体化するものである。このため、再配線層４３を形成する工程においてイメージセンサ２の保護を考慮する必要がない。これにより、イメージセンサ２に対して保護膜を設けることに起因する上述のような不具合を解消することができ、イメージセンサ２の撮像性能への影響を最小限にすることができるとともに、装置の小型・低背化および高速化を図ることができる。

　また、固体撮像装置１の製造方法において、封止樹脂部５４を表面５４ａ側から薄くする工程を行うことにより、固体撮像装置１を効果的に低背化（薄化）することができる。つまり、再配線層３とイメージセンサ２を封止樹脂材料により一体化してリジッドな形態とし、封止樹脂部５４を研削等によって薄化することにより、固体撮像装置１を所望の厚さまで低背化することが可能となる。また、封止樹脂部５４の薄化の工程において、封止樹脂部５４とともにイメージセンサ２のバックグラインドを行いイメージセンサ２も薄化することにより、固体撮像装置１をさらに低背化することができる。

　＜３．第１実施形態に係る固体撮像装置の変形例＞
　第１実施形態に係る固体撮像装置１の変形例について説明する。

　（第１の変形例）
　第１の変形例は、再配線層３の構成についての変形例である。図７に示すように、第１の変形例では、再配線層３は、配線層開口部６をなす壁面である内側面６ａを、再配線層３の表面側（表面部１ａ側）から裏面側（裏面部１ｂ側）にかけて配線層開口部６の開口面積を徐々に広げるように傾斜した傾斜面としている。配線層開口部６の四方の内側面６ａは、再配線層３の層厚方向について、イメージセンサ２側（図７における下側）からその反対側（図７における上側）にかけて外側から内側に向かう方向、つまり配線層開口部６の開口幅を狭める方向に傾斜している。

　したがって、四方の内側面６ａは、上側を仮想の頂点側とする四角推台の側面外形に沿うように傾斜している。内側面６ａは、図７に示すような側面断面視において、再配線層３の裏面３ｂ側から表面側（表面部１ａ側）にかけて、再配線層３の側面３ｃ側である外側から配線層開口部６側である内側に向かうように傾斜した直線をなす。このように、配線層開口部６は、その開口形状として、下側から上側にかけて徐々に開口面積を狭くしたテーパ状の孔形状を有する。図７に示すような側面断面視において、上下方向に沿う鉛直線Ｌ１に対してなす角度θ１は、例えば３０～５０°程度である。

　第１の変形例の構成の製造方法について説明する。第１の変形例の構成の製造方法においては、図８Ｂに示すように、再配線層４３を形成する工程では、開口部４６をなす壁面である内側面４６ａが、剥離層４１側から剥離層４１側と反対側にかけて開口部４６の開口面積を徐々に広げるように傾斜した傾斜面となるように、再配線層４３が形成される。

　すなわち、再配線層４３を形成する工程において、開口部４６の四方の内側面４６ａは、再配線層４３の層厚方向について、支持基板４０側（図８Ｂにおいて下側）からその反対側（図８Ｂにおいて上側）にかけて内側から外側に向かう方向、つまり開口部４６の開口幅を広げる方向に傾斜している。したがって、四方の内側面４６ａは、支持基板４０側を仮想の頂点側とする四角推台の側面外形に沿うように傾斜する傾斜面として形成される。

　開口部４６の開口形状をテーパ状の孔形状とすることは、例えば、再配線層４３において層間絶縁膜３１を形成する絶縁材料として感光性樹脂材料を用いることにより、容易に実現される。再配線層４３を形成する工程において、絶縁材料として感光性樹脂材料が用いられる場合、開口部４６を形成する過程で絶縁膜３１ｘに形成される孔部４６ｂや接続ビア孔３１ａ等の孔の形状にテーパがつくことになる（図８Ａ参照）。孔部４６ｂの四方の側面は、最終的な開口部４６の内側面４６ａと同様の向きに傾斜した傾斜面となっている。

　再配線層４３をなす絶縁材料が、光の照射を受けることで溶解するいわゆるポジ型の感光性樹脂材料である場合、図８Ａおよび図８Ｂに示すように、絶縁膜３１ｘに形成される孔の深さが深いところほど、つまり孔の底面をなすマスク層４４側に近付くほど、光の強度が減衰することから、孔の径が小さくなる。すなわち、光の照射方向（図８Ａ、図８Ｂにおける下方向）について手前側（図における上側）から奥側（図における下側）にかけて絶縁材料の溶解量が徐々に少なくなり、孔の開口幅が徐々に小さくなる

　図８Ｂに示すように、開口部４６については、再配線層４３の表面部４３ａ側の開口寸法Ｍ１に対して、底側（マスク層４４側）の開口寸法Ｍ２が小さくなる。開口部４６の形状は、光の照射方向についてテーパ形状となる。図８Ａは、再配線層４３のうち、１層目の配線層３２ｘおよび絶縁膜３１ｘが形成された状態を示している。図８Ｂは、再配線層４３の形成が完了した状態を示している。

　配線層開口部６における内側面６ａ、および開口部４６における内側面４６ａの傾斜角度、つまり開口部のテーパ角度（以下単に「テーパ角度」ともいう。）は、主に、絶縁膜３１ｘを形成するときの露光条件により変えることが可能である。

　テーパ角度を調整するための露光条件の一つに、露光量（Ｊ／ｃｍ^２）がある。露光量を大きくすることで、テーパ角度は減少する。このため、露光量を小さくすることにより、テーパ角度を大きくすることができる。したがって、図３に示すように再配線層３の裏面３ｂに対して垂直状の内側面６ａにより形成された配線層開口部６を有する構成を得る場合と比べて、再配線層４３を形成する工程において、絶縁膜３１ｘに開口部４６を形成する際の露光量を小さくすることで、本変形例の構成を得ることができる。

　具体的に、再配線層４３をなす絶縁材料を感光性ポリイミドとし、再配線層４３の硬化後の厚さを１０μｍとした場合を例にとって説明する。この場合において、露光条件を、ブロードバンド露光で、露光量を４００ｍＪ／ｃｍ^２としたときには、テーパ角度（図７、角度θ１参照）の大きさは３０°前後となる。同様の条件下において、露光量を半分の２００ｍＪ／ｃｍ^２としたときには、テーパ角度（角度θ１）の大きさは８０～９０°となる。このように、露光量を小さくすることで、テーパ角度を大きくすることができる。

　また、テーパ角度を調整するための露光条件のもう一つは、露光に用いられるマスクと露光対象との間のギャップ（ｍｍ）である。絶縁膜を形成するときの露光方法が等倍マスクによるコンタクト露光の場合、マスクと絶縁膜との間のギャップの大きさを変えることにより、テーパ角度を調整することが可能となる。一般的に、マスクと絶縁膜との間のギャップを大きくすることで、テーパ角度を大きくすることができる。

　そして、図８Ｂに示す状態から、再配線層４３に対するイメージセンサ２の接合工程（図５Ｃ参照）、封止樹脂部５４の形成工程（図５Ｄ）、封止樹脂部５４の薄化の工程（図６Ａ）、支持基板４０の剥離工程（図６Ｂ）、およびダイシングによる個片化の工程（図６Ｃ）が行われる。これにより、図８Ｃに示すように、本変形例に係る固体撮像装置１が得られる。

　図８Ｃに示すように、固体撮像装置１においては、配線層開口部６の下端および上端それぞれの開口幅の大きさは、図８Ｂに示す開口寸法Ｍ１および開口寸法Ｍ２となる。このように、配線層開口部６の形状は、イメージセンサ２に対する光の入射方向（図８Ｃにおける下方向）について逆テーパの形状となる

　第１の変形例の構成によれば、配線層開口部６が逆テーパの形状を有することにより、配線層開口部６を通過してイメージセンサ２の画素形成面に入射する光について、イメージセンサ２の表面２ａからの反射光の発生を抑制することができる。すなわち、逆テーパの形状を有する配線層開口部６においては、開口の縁端部がイメージセンサ２の表面２ａに対して庇状の部分となり、イメージセンサ２からの反射光が配線層開口部６の開口縁部によって遮られ、反射光を抑制することができる。したがって、上述したような露光条件の調整によって配線層開口部６のテーパ角度を大きくすることにより、より大きな反射抑制効果を得ることができる。

　（第２の変形例）
　第２の変形例は、固体撮像装置１の製造方法において用いる支持基板４０の剥離方法についての変形例である。第２の変形例では、支持基板４０を機械的に剥離させる方法が用いられる。

　この変形例では、支持基板４０上に設けられる剥離層４１として、有機材料や無機材料からなる易剥離層を金属層で挟んだ構造のものが用いられる。具体的には、支持基板４０上に剥離層４１を設けた構成の支持部材４２の代わりに、例えば、ガラスキャリアである三井金属鉱業株式会社製のＨＲＤＰ（登録商標）（High Resolution De-bondable Panel）を用いることができる。このガラスキャリアは、支持基板であるガラス基板上に、銅やチタニウム等からなる接着層、剥離層である易剥離層、および銅やチタニウム等からなるシード層による積層構造を有する。

　ガラスキャリアであるＨＲＤＰ（登録商標）を用いる場合の製造方法は次のとおりである。すなわち、支持基板４０上に剥離層４１を形成する工程（図５Ａ参照）が不要となり、まず、支持基板の一方の板面に剥離層を有する支持部材としてのガラスキャリアを準備する工程が行われ、ガラスキャリアのシード層上に、再配線層４３を形成する工程が行われる（図５Ｂ参照）。その後、上述した製造方法と同様に、イメージセンサ２を実装する工程（図５Ｃ参照）、封止樹脂部５４を形成する工程（図５Ｄ参照）、封止樹脂部５４を薄化する工程（図６Ａ参照）が行われる。

　その後、再配線層４３からガラスキャリアを剥離する工程が行われる。この工程では、まず、ダイサーにより、封止樹脂部５４側からガラスキャリアの易剥離層に達する深さまでブレードを入れた状態での切削が行われる。そして、再配線層４３から、ガラスキャリアの積層構造のうちガラス基板が機械的な力により剥離される。その後、再配線層４３側に残存するガラスキャリアのシード層がエッチングにより除去され、個片化により、複数の固体撮像装置１としてのパッケージ構造が得られる。なお、ガラスキャリアとしては、ガラス基板（ガラスウェハ）の代わりにシリコンからなるシリコンウェハを有するものであってもよい。

　＜４．第２実施形態に係る固体撮像装置の構成例＞
　本技術の第２実施形態に係る固体撮像装置５１の構成例について、図９を参照して説明する。以下に説明する各実施形態では、第１実施形態と共通の構成については同一の符号を付し、重複する内容についての説明を適宜省略する。

　本実施形態に係る固体撮像装置５１は、第１実施形態との対比において、金属バンプ５の周囲をアンダーフィル部５５により被覆している点で異なる。図９に示すように、固体撮像装置５１は、金属バンプ５を覆うアンダーフィル部５５を備えている。アンダーフィル部５５は、封止樹脂部４をなす封止樹脂材料とは異なる材料により形成されている。

　アンダーフィル部５５は、樹脂材料により形成されており、隣り合う金属バンプ５間の隙間を埋めながら、金属バンプ５の少なくとも一部を覆うように設けられている。アンダーフィル部５５は、イメージセンサ２と再配線層３との隙間を封止する樹脂封止部である。

　図９に示す例では、アンダーフィル部５５は、イメージセンサ２の外縁部と、再配線層３の周辺領域被覆部３３との間において、複数の金属バンプ５を内包するように形成されている。つまり、アンダーフィル部５５は、金属バンプ５の内側（図９における右側）に位置する内側部５５ａと、金属バンプ５の外側（図９における左側）に位置する外側部５５ｂとを有する。ただし、アンダーフィル部５５は、金属バンプ５に対しては、金属バンプ５の外側の表面部分のみを覆うように設けられてもよい。

　アンダーフィル部５５は、ペースト状または液状の樹脂がベーキング等によって硬化することで形成された液状硬化性樹脂部分である。アンダーフィル部５５は、例えば、比較的粘度が低い液状の樹脂を、毛細管現象を用いて流動させて形成されたキャピラリーフロータイプのもの（キャピラリーアンダーフィル）である。

　アンダーフィル部５５の材料としては、例えばモールド材として用いられる樹脂材料が用いられる。具体的には、アンダーフィル部５５の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂や、熱硬化性樹脂にケイ素酸化物を主成分としたフィラーを分散させたもの等が用いられる。アンダーフィル部５５の材料としては、隣り合う金属バンプ５間の隙間を埋める観点から、例えば、封止樹脂部４の材料よりも粘度が低い材料が用いられる。ただし、アンダーフィル部５５の材料は、封止樹脂部４の材料と異なる材料であれば特に限定されない。

　アンダーフィル部５５となる液状の樹脂材料（例えば、熱硬化性樹脂、以下「アンダーフィル材料」という。）は、例えば、ディスペンサのノズルから吐出されながら、毛細管現象により流動し、アレイ状に設けられた複数の金属バンプ５の全体または一部を被覆するとともに、イメージセンサ２と再配線層３との間の隙間を埋めるように塗布される。これにより、平面視において、イメージセンサ２と再配線層３とが互いに重なる部分の形状に対応して、つまり配線層開口部６の開口形状に沿って、アンダーフィル部５５が矩形枠状の領域に形成される。

　＜５．第２実施形態に係る固体撮像装置の製造方法＞
　第２実施形態に係る固体撮像装置５１の製造方法の一例について、図１０を参照して説明する。

　固体撮像装置５１の製造方法においては、再配線層４３に対してイメージセンサ２を設ける工程の後、かつ封止樹脂部５４を形成する工程の前に、封止樹脂部５４の封止樹脂材料とは異なる材料により、金属バンプ５を覆うアンダーフィル部５５を形成する工程を有する。

　図１０Ａに示すように、支持基板４０上に剥離層４１およびマスク層４４を介して再配線層４３を形成し、再配線層４３上にイメージセンサ２を設ける工程までは、第１実施形態と共通である（図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃ参照）。再配線層４３上にイメージセンサ２を設けた後、図１０Ｂに示すように、アンダーフィル部５５を形成する工程が行われる。

　この工程では、アンダーフィル材料が、図示せぬディスペンサのノズルから吐出されながら、各イメージセンサ２と再配線層４３との間の隙間（以下「センサ－配線層間ギャップ」という。）に供給される。ここでは、例えば、センサ－配線層間ギャップに対し、イメージセンサ２の外周側から、アンダーフィル材料が供給される。

　センサ－配線層間ギャップに供給されたアンダーフィル材料は、毛細管現象によりセンサ－配線層間ギャップ内に浸透する態様で流入し、複数の金属バンプ５の全体を被覆するとともに、イメージセンサ２と再配線層４３との間の隙間を埋めるように拡散する。アンダーフィル材料としては、例えば、常温時の粘度が１０Ｐａ・ｓ程度のものが使用される。

　センサ－配線層間ギャップにアンダーフィル材料が供給された後、アンダーフィル材料に含まれる溶剤を気化させてアンダーフィル材料を固化させるために、所定の温度条件でベーキングが行われる。ベーキングの温度は、アンダーフィル材料やそれに含まれる溶剤等に合わせて適宜設定される。ベーキングの設備としては、ホットプレートやオーブン等が必要に応じて適宜選択・使用される。ベーキングを行うことにより、アンダーフィル材料が固化し、アンダーフィル部５５が形成される。

　アンダーフィル部５５が形成された後、図１０Ｃに示すように、封止樹脂部５４を形成する工程が行われる。その後、第１実施形態の場合と同様に、封止樹脂部５４の薄化の工程（図６Ａ参照）、支持基板４０を剥離する工程（図６Ｂ参照）、ダイシングによる個片化の工程（図６Ｃ参照）が行われる。これにより、固体撮像装置５１が得られる。

　以上のような本実施形態に係る固体撮像装置５１およびその製造方法によれば、第１実施形態の固体撮像装置１およびその製造方法により得られる作用効果に加えて、次のような作用効果が得られる。すなわち、イメージセンサ２の周辺領域２２と再配線層３の周辺領域被覆部３３との間にアンダーフィル部５５が設けられていることにより、封止樹脂部５４を形成する際、封止樹脂材料がイメージセンサ２と再配線層４３との間を通過してイメージセンサ２の画素領域２１へと浸入することを防止することができる。これにより、イメージセンサ２の機能を確保することができる。

　また、アンダーフィル部５５を設けた構成によれば、アンダーフィル部５５により、イメージセンサ２と再配線層３との間に設けられた金属バンプ５および金属バンプ５による接続部分の保護および補強を図ることができる。これにより、再配線層３に対するイメージセンサ２の接合強度を向上させることができる。

　＜６．第２実施形態に係る固体撮像装置の変形例＞
　第２実施形態に係る固体撮像装置５１の変形例について説明する。以下に説明する変形例は、封止樹脂部５４を形成する際に封止樹脂材料がイメージセンサ２と再配線層４３との間を通過して画素領域２１へと浸入することを防止するための構成に関する変形例である。

　（第１の変形例）　図１１に示すように、第１の変形例では、イメージセンサ２の周辺領域２２と再配線層３の周辺領域被覆部３３との間に設けられるアンダーフィル部５５が、イメージセンサ２の縁部を覆うとともに、金属バンプ５の外側を覆うように設けられている。

　アンダーフィル部５５は、イメージセンサ２に対し、裏面２ｂの縁部から回り込んで側面部２ｃおよび表面２ａ（段差面２４）の縁部を被覆する外側下部５５ｃを有する。また、アンダーフィル部５５は、金属バンプ５に対しては、内側部５５ａ（図９参照）を有することなく、金属バンプ５の外側に位置する外側部５５ｂを有している。

　アンダーフィル部５５の形成態様は、本変形例のような態様であってもよい。アンダーフィル部５５の形状は、アンダーフィル材料のノズルからの吐出圧、アンダーフィル材料の塗布領域、アンダーフィル材料の粘度等の調整により適宜変更することができる。本変形例のような構成によっても、アンダーフィル部５５により、封止樹脂部５４の形成工程において封止樹脂材料がイメージセンサ２の画素領域２１側に浸入することを防止することができる。

　（第２の変形例）
　第２の変形例では、金属バンプ５に対して画素領域２１側に、再配線層３の周辺領域被覆部３３とイメージセンサ２の周辺領域２２との間で、金属バンプ５の配置空間と画素領域２１側の空間とを仕切る仕切部が設けられている。

　図１２に示すように、本変形例では、再配線層３の層間絶縁膜３１の一部により仕切部が形成されている。つまり、本変形例において、再配線層３は、層間絶縁膜３１の一部として、配線層開口部６の開口縁部に、金属バンプ５の配置空間と画素領域２１側の空間とを仕切る仕切部としての仕切壁部５６を有する。

　仕切壁部５６は、金属バンプ５の内側（図１２における右側）に位置しており、配線層開口部６の開口縁部において下側に突出するように形成されている。仕切壁部５６は、内側の壁面により配線層開口部６の内側面６ａの下部を形成するとともに、所定の厚さを有する突条部分として、配線層開口部６の外形に沿って直線状または矩形枠状に形成されている。

　仕切壁部５６は、上下方向について、金属バンプ５の高さの全体または略全体の範囲にわたるように形成されている。仕切壁部５６は、下端面５６ａを、イメージセンサ２の表面２ａの一部である段差面２４に対してわずかな隙間をあけるように近接させている。下端面５６ａと段差面２４との隙間は、封止樹脂部４の封止樹脂材料の粘度等との関係で、封止樹脂材料が外側（図１２における左側）から画素領域２１側へと浸入しない程度の隙間とされる。

　仕切壁部５６は、再配線層３を構成する層間絶縁膜３１のうち、再配線層３の製造過程における再配線層４３の表層側の部分となる下層部分により形成されている。仕切壁部５６は、層間絶縁膜３１の下層部分において、金属バンプ５の配置空間となる凹部５７とともに形成されている。凹部５７は、下側を開放側とし、上側の面である底面、内側の壁面、および外側の壁面を有する。凹部５７の内側の壁面は、仕切壁部５６の外側の壁面５６ｂとなる。凹部５７の外側には、仕切壁部５６と同じ層部分である下層部５８が形成されている。

　凹部５７は、例えば仕切壁部５６の外形に沿って直線状または矩形枠状の溝部をなすように形成されている。凹部５７は、再配線層３において、メッキ層３５を介して金属バンプ５の上側の接続を受ける下層電極３２ａを露出させる部分となる。また、凹部５７は、平面視で金属バンプ５の下側の接続を受けるパッド電極２７の形成領域を含むように形成されている。

　凹部５７の開口側は、イメージセンサ２の縁部により部分的に塞がれ、イメージセンサ２とともに、金属バンプ５の周囲の空間部５９を形成している。凹部５７は、イメージセンサ２の縁部との関係で、空間部５９の外側が開放されるように形成されており、再配線層３の層間絶縁膜３１とイメージセンサ２の縁部との間に隙間６０が形成されている。

　凹部５７内には、封止樹脂部４の封止樹脂材料が充填されており、凹部５７内に位置する金属バンプ５は、封止樹脂部４に埋設された状態となっている。すなわち、本変形例において、封止樹脂部４は、凹部５７内を充填して金属バンプ５の接続部を全体的に被覆する凹部内充填部４ｅを有する。

　本変形例の構成は、例えば次のような製造方法によって得られる。すなわち、再配線層４３の形成工程において、下層電極３２ａよりも表層側に絶縁膜３１ｘの層部分を形成するとともに、下層電極３２ａを露出させる凹部５７を形成することにより、相対的な突出部分としての仕切壁部５６が形成される。絶縁膜の材料が感光性樹脂材料の場合は、例えば、フォトリソグラフィプロセスによって凹部５７が形成される。また、絶縁膜の材料が非感光性材料である場合は、例えば、レーザ等を用いて凹部５７が形成される。

　そして、封止樹脂部５４の形成工程において、封止樹脂材料が、隙間６０を介して凹部５７内に充填される。ここで、仕切壁部５６により、封止樹脂材料がせき止められる。

　このように、再配線層３の絶縁材料を利用して金属バンプ５の内側に仕切壁部５６を形成することにより、封止樹脂材料がイメージセンサ２の画素領域２１側に浸入することを防止することができる。

　（第３の変形例）
　第３の変形例では、第２の変形例と同様に、金属バンプ５の配置空間と画素領域２１側の空間とを仕切る仕切部が設けられている。図１３に示すように、本変形例では、再配線層３の配線層開口部６の開口縁部の下側において、再配線層３およびイメージセンサ２とは別の部材により仕切部が形成されている。つまり、本変形例において、固体撮像装置５１は、配線層開口部６の開口縁部の下側に、金属バンプ５の配置空間と画素領域２１側の空間とを仕切る仕切部としての仕切壁６１を有する。

　仕切壁６１は、金属バンプ５の内側（図１３における右側）に位置しており、配線層開口部６の開口縁部において下側に突出するように設けられている。仕切壁６１は、内側の壁面６１ｂにより配線層開口部６の内側面６ａの下部を形成するとともに、所定の厚さを有する突条部分として、配線層開口部６の外形に沿って直線状または矩形枠状に設けられている。

　仕切壁６１は、上下方向について、金属バンプ５の高さの全体または略全体の範囲にわたるように設けられている。仕切壁６１は、下端面６１ａを、イメージセンサ２の表面２ａの一部である段差面２４に対してわずかな隙間をあけるように近接させている。下端面６１ａと段差面２４との隙間は、封止樹脂部４の封止樹脂材料の粘度等との関係で、封止樹脂材料が外側（図１３における左側）から画素領域２１側へと浸入しない程度の隙間とされる。

　本変形例の構成の製造方法においては、支持基板４０上に再配線層４３を形成した後、再配線層４３の各開口部４６の開口縁部に沿うように、仕切壁６１が設けられる。仕切壁６１の材料は、例えば、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂や、アクリル系樹脂であるＵＶ（紫外線）硬化性樹脂等の感光性接着剤、あるいはこれらの混合剤である。ただし、再配線層３の層間絶縁膜３１の材料が感光性材料の場合は、仕切壁６１の材料として、非感光性材料が用いられる。

　仕切壁６１は、例えば、再配線層４３の表面部４３ａ（図５Ｂ参照）に対して、ディスペンサによる材料の塗布や、フォトリソグラフィ技術を用いたパターニング等により形成される。ただし、仕切壁６１は、例えばガラス等のセラミックスや金属やシリコン等の無機材料や樹脂材料等からなり例えば枠状の形状を有する構造体を接着剤等で再配線層４３に貼り付けることで設けられてもよい。

　そして、封止樹脂部５４の形成工程において、仕切壁６１により、封止樹脂材料がせき止められるとともに、金属バンプ５による接続部が封止樹脂材料により覆われた状態となる。

　このように、再配線層３の絶縁材料とは別材料を使用して金属バンプ５の内側に仕切壁６１を設けることにより、封止樹脂材料がイメージセンサ２の画素領域２１側に浸入することを防止することができる。

　以上のような変形例のほか、画素領域２１への封止樹脂材料の浸入を防止するための構成としては、例えば、金属バンプ５と同様の金属材料により、金属バンプ５の内側にダミーバンプを設ける構成が挙げられる。この場合、ダミーバンプは、隣り合う金属バンプ５の間の隙間に対応して隙間を塞ぐような位置に設けられる。

　以上のような第１実施形態および第２実施形態の構成を踏まえると、イメージセンサ２の周辺領域２２と再配線層３の周辺領域被覆部３３との間における金属バンプ５の周囲には、封止樹脂部４の封止樹脂材料またはアンダーフィル材が介在している。また、封止樹脂部４の形成態様によっては、金属バンプ５の周囲に空隙が存在する。

　＜７．第３実施形態に係る固体撮像装置の構成例＞
　本技術の第３実施形態に係る固体撮像装置７１の構成例について、図１４を参照して説明する。

　本実施形態に係る固体撮像装置７１は、第１実施形態との対比において、再配線層３に加え、封止樹脂部４面側にも第２の再配線層７３を備えている。つまり、固体撮像装置７１は、イメージセンサ２および封止樹脂部４に対してイメージセンサ２の裏面２ｂ側に設けられ、第１の再配線層である再配線層３と電気的に接続された第２の再配線層７３をさらに備えている。固体撮像装置７１において、再配線層３を表面側再配線層とした場合、第２の再配線層７３は裏面側再配線層となる。

　固体撮像装置７１においては、イメージセンサ２の裏面２ｂと封止樹脂部４の下面４ｂとが面一状の下側面を形成しており、この下側面に対して、第２の再配線層７３が設けられている。第２の再配線層７３において、イメージセンサ２および封止樹脂部４に対する接触面が上面７３ａとなる。第２の再配線層７３は、再配線層３と同様に、層間絶縁膜８１を介して積層された複数の配線層８２を有する積層配線層として形成されている。

　第２の再配線層７３を構成する配線層８２のうち、最上層の層部分により、再配線層３に対する電気的な接続を受けるための上層電極部８２ａが形成されている。上層電極部８２ａは、第２の再配線層７３の上面７３ａに露出した状態で形成された電極部である。図１４に示す例では、上層電極部８２ａは、固体撮像装置７１の両端部に形成されている。なお、上層電極部８２ａの数や配置位置は特に限定されない。

　第２の再配線層７３に設けられた各配線層８２は、上層電極部８２ａを含む層状部分と、上下の層状部分同士をつなぐ接続部分とを含んで形成されている。この接続部分は、層間絶縁膜８１において層厚方向に形成された接続ビア孔８１ａ内に形成された部分である。なお、第２の再配線層７３は、単層構造の配線層であってもよい。

　配線層８２の上層電極部８２ａは、封止樹脂部４の層内に設けられた接続部としての金属バンプ８５により、再配線層３に対して電気的に接続されている。再配線層３は、金属バンプ８５の接続を受ける部分として、第２下層電極３２ｃを有する。第２下層電極３２ｃは、金属バンプ５の接続を受ける下層電極３２ａと同層の電極部分として形成されている。第２下層電極３２ｃは、金属バンプ８５の配置に対応して複数箇所に設けられている。

　金属バンプ８５は、例えば、Ａｕスタッドバンプ、はんだボールバンプ、Ａｕ－Ａｇ合金バンプ等である。また、再配線層３と第２の再配線層７３との間の接続部は、例えばＣｕピラー等の金属ポストであってもよい。

　＜８．第３実施形態に係る固体撮像装置の製造方法＞
　第３実施形態に係る固体撮像装置７１の製造方法の一例について、図１５および図１６を参照して説明する。

　固体撮像装置７１の製造方法は、封止樹脂部５４を形成する工程の後に、イメージセンサ２および封止樹脂部５４に対してイメージセンサ２の裏面２ｂ側に、再配線層３と電気的に接続された第２の再配線層７３を形成する工程を有する。

　支持基板４０上に剥離層４１およびマスク層４４を介して再配線層４３を形成する工程までは、第１実施形態と共通である（図５Ａ、図５Ｂ参照）。ただし、図１５Ａに示すように、再配線層４３においては、最表層（図１５Ａにおいては最上層）の配線層として、金属バンプ５の接続を受ける下層電極３２ａとともに、金属バンプ８５の接続を受ける第２下層電極３２ｃが形成される。なお、第２下層電極３２ｃ上には、第２下層電極３２ｃおよび金属バンプ８５の材料の組合せ等により、Ａｕ置換メッキ等により形成されたメッキ層（図示略）が形成される。

　次に、図１５Ｂに示すように、第２下層電極３２ｃ上に金属バンプ８５を形成する工程が行われる。金属バンプ８５を形成する工程では、第２下層電極３２ｃ上に、例えば、ワイヤボンディング装置が用いられ、金属バンプ８５としてのはんだバンプが形成される。ここで、金属バンプ８５の代わりにＣｕピラー等の金属ポストが用いられる場合、第２下層電極３２ｃ上に、金属ポストとして、例えばＣｕやＣｕ合金等を材料としたメッキ、スパッタリング、蒸着等により、円柱状の突起部分が形成される。

　金属バンプ８５の代わりにＣｕポストを形成する場合は、例えば次のような工程が行われる。まず、再配線層４３の配線層３２を形成するためのレジストが剥離された後、シード層の形成、およびＣｕポスト形成用のレジストのパターニングが行われる。その後、メッキ処理によりシード層上に所望の高さのＣｕポストの形成が行われ、その後、レジストが剥離され、シード層がエッチング等により除去される。

　続いて、第１実施形態と同様に、図１５Ｃに示すように、再配線層４３上にイメージセンサ２を実装する工程が行われた後、図１６Ａに示すように、封止樹脂材料により、封止樹脂部５４を形成する工程が行われる。封止樹脂部５４を形成する工程では、金属バンプ８５が封止樹脂材料内に埋まるように封止樹脂部５４が形成される。

　封止樹脂部５４によりイメージセンサ２および再配線層４３を封止した後、図１６Ｂに示すように、グラインディングにより封止樹脂部５４を表面５４ａ側から所望の厚さまで薄化する工程が行われる。この工程では、少なくとも封止樹脂部５４の表面５４ａに金属バンプ８５が露出した状態となるまで、封止樹脂部５４の研削が行われる。図１６Ｂに示す例では、イメージセンサ２の裏面２ｂも露出した状態となっている。ただし、イメージセンサ２の裏面２ｂは露出することなく、封止樹脂部５４においてチップ裏層部５４ｆ（図６Ａ参照）が形成されてもよい。

　封止樹脂部５４の研削では、金属バンプ８５は、第２の再配線層７３に対する電気的な接続を確保するために十分な面積が露出した状態となるように、封止樹脂部５４とともに研削を受ける。したがって、金属バンプ８５において、第２下層電極３２ｃに対する接続側と反対側（図１６Ｂにおいて上側）に、封止樹脂部５４の表面５４ａとともに面一の平坦面８６を形成する端面８５ａが形成される。平坦面８６が、第２の再配線層７３の形成を受ける面となる。図１６Ｂに示す例では、平坦面８６は、封止樹脂部５４の表面５４ａ、金属バンプ８５の端面８５ａおよびイメージセンサ２の裏面２ｂにより形成されている。

　そして、図１６Ｃに示すように、平坦面８６上に第２の再配線層９３が形成される。第２の再配線層９３は、個片化により得られる固体撮像装置７１において第２の再配線層７３をなす部分である。第２の再配線層９３を形成する工程では、第１実施形態に係る再配線層４３を形成する工程と同様に、例えばセミアディティブ法等の公知の方法が用いられて、層間絶縁膜８１および配線層８２となる積層構造を有する第２の再配線層９３が形成される。

　その後、第１実施形態の場合と同様に、支持基板４０を剥離する工程（図６Ｂ参照）、ダイシングによる個片化の工程（図６Ｃ参照）が行われる。これにより、図１４に示すように、表面側再配線層としての再配線層３と、裏面側再配線層としての第２の再配線層７３を備えた固体撮像装置７１が得られる。

　以上のような本実施形態に係る固体撮像装置７１およびその製造方法によれば、第１実施形態の固体撮像装置１およびその製造方法により得られる作用効果に加えて、次のような作用効果が得られる。すなわち、本実施形態に係る構成によれば、再配線層３に加えて、再配線層３に対して封止樹脂部５４を介して設けられた第２の再配線層７３を備えることから、再配線層の多層化に対応することができる。例えば、第２の再配線層７３の表層側（図１４において下側）に外部接続端子を設けることにより、第２の再配線層７３に対して例えばフレキシブル基板等の電子部品を接続することが可能となる。

　また、第２の再配線層７３により配線層の層数を補うことができるため、再配線層４３を形成する工程において、例えばガラス板等である支持基板４０に対して剥離層４１等を介して形成する配線層の層数を少なくすることができる。これにより、製造過程における再配線層４３の反りを低減することができ、さらには完成後の固体撮像装置７１におけるパッケージ全体としての反りを低減することが可能となる。

　＜９．電子機器の構成例＞
　上述した実施形態に係る固体撮像装置の電子機器への適用例について、図１７を用いて説明する。

　本技術に係る固体撮像装置は、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等のカメラ装置や、撮像機能を有する携帯端末装置や、画像読取部に固体撮像素子を用いる複写機など、画像取込部（光電変換部）に固体撮像素子を用いる電子機器全般に対して適用可能である。固体撮像装置は、ワンチップとして形成された形態のものであってもよいし、撮像部と信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態のものであってもよい。

　図１７に示すように、電子機器としてのカメラ装置２００は、光学部２０２と、固体撮像装置２０１と、カメラ信号処理回路であるＤＳＰ(Digital Signal Processor)回路２０３と、フレームメモリ２０４と、表示部２０５と、記録部２０６と、操作部２０７と、電源部２０８とを備える。ＤＳＰ回路２０３、フレームメモリ２０４、表示部２０５、記録部２０６、操作部２０７および電源部２０８は、バスライン等の接続線２０９を介して適宜接続されている。固体撮像装置２０１は、例えば上述した第１実施形態に係る固体撮像装置１である。

　光学部２０２は、複数のレンズを含み、被写体からの入射光（像光）を取り込んで固体撮像装置２０１の撮像面上に結像する。固体撮像装置２０１は、光学部２０２によって撮像面上に結像された入射光の光量を画素単位で電気信号に変換して画素信号として出力する。

　表示部２０５は、例えば、液晶パネルや有機ＥＬ(Electro Luminescence)パネル等のパネル型表示装置からなり、固体撮像装置２０１で撮像された動画または静止画を表示する。記録部２０６は、固体撮像装置２０１で撮像された動画または静止画を、ハードディスクや半導体メモリ等の記録媒体に記録する。

　操作部２０７は、ユーザによる操作の下に、カメラ装置２００が持つ様々な機能について操作指令を発する。電源部２０８は、ＤＳＰ回路２０３、フレームメモリ２０４、表示部２０５、記録部２０６および操作部２０７の動作電源となる各種の電源を、これら供給対象に対して適宜供給する。

　以上のようなカメラ装置２００によれば、固体撮像装置２０１に関し、イメージセンサ２の撮像性能を損なうことなく、装置の小型・低背化および高速化を図ることができる。これにより、カメラ装置２００において良好な動作状態を保持することができ所望の特性を得ることができるとともに、装置のコンパクト化を図ることができる。

　上述した実施形態の説明は本技術の一例であり、本技術は上述の実施形態に限定されることはない。このため、上述した実施形態以外であっても、本開示に係る技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に応じて種々の変更が可能であることは勿論である。また、本開示に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、また他の効果があってもよい。また、上述した各実施形態の構成および変形例の構成は適宜組み合せることができる。

　上述した実施形態では、イメージセンサ２は、画素形成面側である表面２ａ側において、画素領域２１と周辺領域２２との間に段差を有するものであるが、本技術に係る撮像素子はこのような構成のものに限定されない。本技術に係る撮像素子は、画素形成面側において段差を有することなく表面を平坦面とした構成のものであってもよい。

　なお、本技術は、以下のような構成を取ることができる。
　（１）
　表面側に、多数の画素が形成された画素領域、および前記画素領域の周囲の領域である周辺領域を有する撮像素子と、　前記撮像素子の表面側に設けられ、前記画素領域を含む領域に貫通状に形成された開口部を有する再配線層と、
　封止樹脂材料により形成され、前記撮像素子の周囲および前記再配線層の裏面側を被覆するように設けられた封止樹脂部と、
　前記撮像素子の前記周辺領域上に設けられ、前記撮像素子と前記再配線層とを電気的に接続する接続部と、を備えた
　撮像装置。
　（２）
　前記再配線層は、平面視で前記撮像素子の前記周辺領域の少なくとも一部を覆う周辺領域被覆部を有し、
　前記接続部は、前記撮像素子と前記周辺領域被覆部との間に設けられている
　前記（１）に記載の撮像装置。
　（３）
　前記撮像素子は、前記封止樹脂部に形成された凹部内に位置し、前記封止樹脂部の層厚の範囲内に設けられている
　前記（１）または前記（２）に記載の撮像装置。
　（４）
　前記封止樹脂材料とは異なる材料により形成され、前記接続部を覆うアンダーフィル部をさらに備えた
　前記（１）～（３）のいずれか１つに記載の撮像装置。
　（５）
　前記撮像素子は、前記周辺領域に、前記画素領域に対して低い側に段差をなす段差面を有し、
　前記接続部は、前記段差面上に設けられている
　前記（１）～（４）のいずれか１つに記載の撮像装置。
　（６）
　前記再配線層は、前記開口部をなす壁面を、前記再配線層の表面側から裏面側にかけて前記開口部の開口面積を徐々に広げるように傾斜した傾斜面としている
　前記（１）～（５）のいずれか１つに記載の撮像装置。
　（７）
　前記接続部に対して前記画素領域側に、前記再配線層と前記撮像素子との間で、前記接続部の配置空間と前記画素領域側の空間とを仕切る仕切部が設けられている
　前記（１）～（５）のいずれか１つに記載の撮像装置。
　（８）
　前記撮像素子および前記封止樹脂部に対して前記撮像素子の裏面側に設けられ、前記再配線層と電気的に接続された第２の再配線層をさらに備えた
　前記（１）～（７）のいずれか１つに記載の撮像装置。
　（９）
　表面側に、多数の画素が形成された画素領域、および前記画素領域の周囲の領域である周辺領域を有する撮像素子と、
　前記撮像素子の表面側に設けられ、前記画素領域を含む領域に貫通状に形成された開口部を有する再配線層と、
　封止樹脂材料により形成され、前記撮像素子の周囲および前記再配線層の裏面側を被覆するように設けられた封止樹脂部と、
　前記撮像素子の前記周辺領域上に設けられ、前記撮像素子と前記再配線層とを電気的に接続する接続部と、を備えた
　撮像装置を有する
　電子機器。
　（１０）
　支持基板の一方の板面に剥離層を有する支持部材を準備する工程と、　前記剥離層の上に、前記剥離層を露出させる開口部を有する再配線層を形成する工程と、
　前記再配線層の上に、撮像素子を、前記撮像素子の表面側を前記剥離層側とする向きで前記開口部を覆うとともに、前記再配線層と電気的に接続させた状態で設ける工程と、
　封止樹脂材料により、前記再配線層の前記剥離層側と反対側および前記撮像素子の周囲を被覆するように封止樹脂部を形成する工程と、
　前記剥離層により前記支持基板を前記再配線層から剥離する工程と、を含む
　撮像装置の製造方法。
　（１１）
　前記封止樹脂部を形成する工程の後に、前記封止樹脂部を、前記再配線層側と反対側から薄くする工程を有する
　前記（１０）に記載の撮像装置の製造方法。
　（１２）
　前記撮像素子を設ける工程の後、かつ前記封止樹脂部を形成する工程の前に、前記封止樹脂材料とは異なる材料により、前記接続部を覆うアンダーフィル部を形成する工程を有する
　前記（１０）または前記（１１）に記載の撮像装置の製造方法。
　（１３）
　前記再配線層を形成する工程では、前記開口部をなす壁面が、前記剥離層側から前記剥離層側と反対側にかけて前記開口部の開口面積を徐々に広げるように傾斜した傾斜面となるように、前記再配線層を形成する
　前記（１０）～（１２）のいずれか１つに記載の撮像装置の製造方法。
　（１４）
　前記封止樹脂部を形成する工程の後に、前記撮像素子および前記封止樹脂部に対して前記撮像素子の裏面側に、前記再配線層と電気的に接続された第２の再配線層を形成する工程を有する
　前記（１０）～（１３）のいずれか１つに記載の撮像装置の製造方法。

　１　　　固体撮像装置（撮像装置）
　１ａ　　表面部
　１ｂ　　裏面部
　２　　　イメージセンサ（撮像素子）
　２ａ　　表面
　３　　　再配線層
　３ｂ　　裏面
　４　　　封止樹脂部
　４ｄ　　凹部
　５　　　金属バンプ（接続部）
　６　　　配線層開口部
　６ａ　　内側面（壁面）
　７　　　外部接続端子
　２０　　半導体基板
　２１　　画素領域
　２２　　周辺領域
　２３　　画素
　２４　　段差面
　３１　　層間絶縁膜
　３２　　配線層
　３２ａ　下層電極　
　３２ｃ　第２下層電極
　３３　　周辺領域被覆部
　４０　　支持基板
　４０ａ　上面
　４１　　剥離層
　４２　　支持部材
　４３　　再配線層
　４６　　開口部
　４６ａ　内側面（壁面）
　５１　　固体撮像装置（撮像装置）
　５４　　封止樹脂部
　５４ａ　表面
　５５　　アンダーフィル部
　５６　　仕切壁部（仕切部）
　６１　　仕切壁（仕切部）
　７１　　固体撮像装置（撮像装置）
　７３　　第２の再配線層
　８５　　金属バンプ
　９３　　第２の再配線層
　２００　カメラ装置（電子機器）
　２０１　固体撮像装置（撮像装置）

Claims

　表面側に、多数の画素が形成された画素領域、および前記画素領域の周囲の領域である周辺領域を有する撮像素子と、
　前記撮像素子の表面側に設けられ、前記画素領域を含む領域に貫通状に形成された開口部を有する再配線層と、
　封止樹脂材料により形成され、前記撮像素子の周囲および前記再配線層の裏面側を被覆するように設けられた封止樹脂部と、
　前記撮像素子の前記周辺領域上に設けられ、前記撮像素子と前記再配線層とを電気的に接続する接続部と、を備えた
　撮像装置。
　前記再配線層は、平面視で前記撮像素子の前記周辺領域の少なくとも一部を覆う周辺領域被覆部を有し、
　前記接続部は、前記撮像素子と前記周辺領域被覆部との間に設けられている
　請求項１に記載の撮像装置。
　前記撮像素子は、前記封止樹脂部に形成された凹部内に位置し、前記封止樹脂部の層厚の範囲内に設けられている
　請求項１に記載の撮像装置。
　前記封止樹脂材料とは異なる材料により形成され、前記接続部を覆うアンダーフィル部をさらに備えた
　請求項１に記載の撮像装置。
　前記撮像素子は、前記周辺領域に、前記画素領域に対して低い側に段差をなす段差面を有し、
　前記接続部は、前記段差面上に設けられている
　請求項１に記載の撮像装置。
　前記再配線層は、前記開口部をなす壁面を、前記再配線層の表面側から裏面側にかけて前記開口部の開口面積を徐々に広げるように傾斜した傾斜面としている
　請求項１に記載の撮像装置。
　前記接続部に対して前記画素領域側に、前記再配線層と前記撮像素子との間で、前記接続部の配置空間と前記画素領域側の空間とを仕切る仕切部が設けられている
　請求項１に記載の撮像装置。
　前記撮像素子および前記封止樹脂部に対して前記撮像素子の裏面側に設けられ、前記再配線層と電気的に接続された第２の再配線層をさらに備えた
　請求項１に記載の撮像装置。
　表面側に、多数の画素が形成された画素領域、および前記画素領域の周囲の領域である周辺領域を有する撮像素子と、
　前記撮像素子の表面側に設けられ、前記画素領域を含む領域に貫通状に形成された開口部を有する再配線層と、
　封止樹脂材料により形成され、前記撮像素子の周囲および前記再配線層の裏面側を被覆するように設けられた封止樹脂部と、
　前記撮像素子の前記周辺領域上に設けられ、前記撮像素子と前記再配線層とを電気的に接続する接続部と、を備えた　撮像装置を有する
　電子機器。
　支持基板の一方の板面に剥離層を有する支持部材を準備する工程と、
　前記剥離層の上に、前記剥離層を露出させる開口部を有する再配線層を形成する工程と、
　前記再配線層の上に、撮像素子を、前記撮像素子の表面側を前記剥離層側とする向きで前記開口部を覆うとともに、前記再配線層と電気的に接続させた状態で設ける工程と、
　封止樹脂材料により、前記再配線層の前記剥離層側と反対側および前記撮像素子の周囲を被覆するように封止樹脂部を形成する工程と、
　前記剥離層により前記支持基板を前記再配線層から剥離する工程と、を含む
　撮像装置の製造方法。
　前記封止樹脂部を形成する工程の後に、前記封止樹脂部を、前記再配線層側と反対側から薄くする工程を有する
　請求項１０に記載の撮像装置の製造方法。
　前記撮像素子を設ける工程の後、かつ前記封止樹脂部を形成する工程の前に、前記封止樹脂材料とは異なる材料により、前記接続部を覆うアンダーフィル部を形成する工程を有する
　請求項１０に記載の撮像装置の製造方法。
　前記再配線層を形成する工程では、前記開口部をなす壁面が、前記剥離層側から前記剥離層側と反対側にかけて前記開口部の開口面積を徐々に広げるように傾斜した傾斜面となるように、前記再配線層を形成する
　請求項１０に記載の撮像装置の製造方法。
　前記封止樹脂部を形成する工程の後に、前記撮像素子および前記封止樹脂部に対して前記撮像素子の裏面側に、前記再配線層と電気的に接続された第２の再配線層を形成する工程を有する
　請求項１０に記載の撮像装置の製造方法。