WO2023238319A1

WO2023238319A1 - 加工システム及び加工方法

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Abstract

加工システムは、物体にエネルギビームを照射することで物体に溶融池を形成すると共に、溶融池に造形材料を供給することで物体を加工する加工装置と、溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成し、溶融池画像情報に基づいて溶融池領域のサイズが目標サイズとなるように加工装置を制御する制御装置とを備え、溶融池画像情報は、複数の溶融池画像に基づいて生成され、制御装置は、物体の加工条件に基づいて、撮像装置が溶融池を撮像するための撮像条件を変更する。

Description

加工システム及び加工方法

　本発明は、例えば、物体を加工可能な加工システム及び加工方法の技術分野に関する。

　物体を加工する加工システムの一例が、特許文献１に記載されている。このような加工システムの技術的課題の一つとして、物体を適切に加工することがあげられる。

米国特許出願公開第２０１６／０３１１０５９号明細書

　第１の態様によれば、物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工する加工装置と、前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成し、前記溶融池画像情報に基づいて溶融池領域のサイズが目標サイズとなるように前記加工装置を制御する制御装置とを備え、前記溶融池画像情報は、前記撮像装置によって撮像された複数の前記溶融池画像に基づいて生成され、前記制御装置は、前記加工装置による前記物体の加工条件に基づいて、前記撮像装置が前記溶融池を撮像するための撮像条件を変更する加工システムが提供される。

　第２の態様によれば、物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工する加工ヘッドと、前記加工ヘッドに対する前記エネルギビームの照射位置を変更可能な位置変更装置とを備えた加工装置と、前記加工ヘッドに備え付けられ、前記加工装置によって形成された前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成し、前記溶融池画像情報に基づいて前記溶融池領域のサイズが目標サイズとなるように前記加工装置を制御する制御装置とを備え、前記溶融池画像情報は、前記撮像装置によって撮像された複数の前記溶融池画像に基づいて生成される加工システムが提供される。

　第３の態様によれば、物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工する加工装置と、前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、前記溶融池画像の信号値と所定の閾値との比較結果に基づいて前記溶融池画像内の溶融池領域のサイズを算出し、前記溶融池領域のサイズが目標サイズとなるように前記加工装置を制御する制御装置とを備え、前記制御装置は、前記加工装置による前記物体の加工条件に基づいて、前記所定の閾値を変更する加工システムが提供される。

　第４の態様によれば、物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工する加工装置と、前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成し、前記溶融池画像情報に基づいて前記溶融池領域のサイズが目標サイズとなるように前記加工装置を制御する制御装置とを備え、前記制御装置は、前記加工装置による前記物体の加工条件に基づいて、前記目標サイズを変更する加工システムが提供される。

　第５の態様によれば、物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工する加工装置と、前記溶融池を含む領域を複数回撮像することで、複数の画像を生成可能な撮像装置と、前記複数の画像の画素ごとの信号値を加算し、前記画素ごとの加算結果と所定の閾値との比較結果に基づいて、前記画像内の溶融池領域と、前記溶融池以外の発光及び反射光の少なくとも一方が写り込んでいる非溶融池領域との少なくとも一方を検出する制御装置とを備える加工システムが提供される。

　第６の態様によれば、物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工する加工装置と、前記溶融池を含む領域の多重露光が可能な撮像装置と、前記撮像装置による多重露光の結果と所定の閾値とを比較することで、前記多重露光によって生成された画像内の溶融池領域と、前記溶融池以外の発光及び反射光の少なくとも一方が写り込んでいる非溶融池領域との少なくとも一方を検出する制御装置とを備える加工システムが提供される。

　第７の態様によれば、物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工する加工装置と、前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成し、前記溶融池画像情報に基づいて溶融池領域のサイズが目標サイズとなるように前記加工装置を制御する制御装置と、前記エネルギビームのウォブル条件に関連付けて、前記溶融池の目標サイズに関する情報を記録する記録装置とを備え、前記制御装置は、前記記録装置から取得した溶融池の目標サイズに基づいて、前記加工装置を制御する加工システムが提供される。

　第８の態様によれば、物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工する加工装置と、前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、制御装置とを備え、前記制御装置は、前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて、前記エネルギビームによって異なる位置に連続的に形成された溶融池に関する形状情報を取得可能であり、前記形状情報に基づいて前記加工装置を制御する加工システムが提供される。

　第９の態様によれば、物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工する加工装置と、前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、制御装置とを備え、前記制御装置は、前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて、前記エネルギビームによって異なる位置に連続的に形成された溶融池の中心位置情報を取得可能であり、前記中心位置情報に基づいて前記加工装置を制御する加工システムが提供される。

　第１０の態様によれば、物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工する加工装置と、前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成し、前記溶融池画像情報に基づいて前記溶融池領域のサイズが目標サイズとなるように前記加工装置を制御する制御装置とを備え、前記溶融池画像情報は、前記撮像装置による多重露光によって生成された前記溶融池画像に基づいて生成され、前記制御装置は、前記加工装置による前記物体の加工条件に基づいて、前記撮像装置による前記多重露光の条件を変更する加工システムが提供される。

　第１１の態様によれば、物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工する加工ヘッドと、前記加工ヘッドに対する前記エネルギビームの照射位置を変更可能な位置変更装置とを備えた加工装置と、前記加工ヘッドに備え付けられ、前記加工装置によって形成された前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成し、前記溶融池画像情報に基づいて前記溶融池領域のサイズが目標サイズとなるように前記加工装置を制御する制御装置とを備え、前記溶融池画像情報は、前記撮像装置による多重露光に基づいて生成される加工システムが提供される。

　第１２の態様によれば、物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成する加工装置と、前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成し、前記溶融池画像情報に基づいて前記加工装置を制御する制御装置とを備え、前記溶融池画像情報は、前記撮像装置によって撮像された複数の前記溶融池画像に基づいて生成され、前記制御装置は、前記加工装置による前記物体の加工条件に基づいて、前記撮像装置が前記溶融池を撮像するための撮像条件を変更する加工システムが提供される。

　第１３の態様によれば、物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成することで前記物体を加工する加工ヘッドと、前記加工ヘッドに対する前記エネルギビームの照射位置を変更可能な位置変更装置とを備えた加工装置と、前記加工ヘッドに備え付けられ、前記加工装置によって形成された前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成し、前記溶融池画像情報に基づいて前記加工装置を制御する制御装置とを備える加工システムが提供される。

　第１４の態様によれば、物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成することで前記物体を加工する加工装置と、前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、前記溶融池画像の信号値と所定の閾値との比較結果に基づいて前記加工装置を制御する制御装置とを備え、前記制御装置は、前記加工装置による前記物体の加工条件に基づいて、前記所定の閾値を変更する加工システムが提供される。

　第１５の態様によれば、物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成することで前記物体を加工する加工装置と、前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成し、前記溶融池画像情報に基づいて前記溶融池領域のサイズが目標サイズとなるように前記加工装置を制御する制御装置とを備え、前記制御装置は、前記加工装置による前記物体の加工条件に基づいて、前記目標サイズを変更する加工システムが提供される。

　第１６の態様によれば、物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成することで前記物体を加工する加工装置と、前記溶融池を含む領域を複数回撮像することで、複数の画像を生成可能な撮像装置と、前記複数の画像の画素ごとの信号値の加算結果に基づいて、前記画像内の溶融池領域と、前記溶融池以外の発光及び反射光の少なくとも一方を含む非溶融池領域との少なくとも一方を検出する制御装置とを備える加工システムが提供される。

　第１７の態様によれば、物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成することで前記物体を加工する加工装置と、前記溶融池を含む領域を多重露光可能な撮像装置と、前記撮像装置による多重露光の結果と所定の閾値との比較結果に基づいて、前記多重露光によって生成された画像内の溶融池領域と、前記溶融池以外の発光及び反射光の少なくとも一方が写り込む非溶融池領域との少なくとも一方を検出する制御装置とを備える加工システムが提供される。

　第１８の態様によれば、物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成することで前記物体を加工する加工装置と、前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成し、前記溶融池画像情報に基づいて前記加工装置を制御する制御装置と、前記エネルギビームのウォブル条件に関連付けて、前記溶融池の目標サイズに関する情報を記録する記録装置とを備え、前記制御装置は、前記記録装置から取得した溶融池の目標サイズに基づいて、前記加工装置を制御する加工システムが提供される。

　第１９の態様によれば、物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成することで前記物体を加工する加工装置と、前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、制御装置とを備え、前記制御装置は、前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて、前記エネルギビームによって異なる位置に連続的に形成された溶融池に関する形状情報を取得可能であり、前記形状情報に基づいて前記加工装置を制御する加工システムが提供される。

　第２０の態様によれば、物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成することで前記物体を加工する加工装置と、前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、制御装置とを備え、前記制御装置は、前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて、前記エネルギビームによって異なる位置に連続的に形成された溶融池の中心位置情報を取得可能であり、前記中心位置情報に基づいて前記加工装置を制御する加工システムが提供される。

　第２１の態様によれば、物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成することで前記物体を加工する加工装置と、前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成し、前記溶融池画像情報に基づいて前記加工装置を制御する制御装置とを備え、前記溶融池画像情報は、前記撮像装置による多重露光によって生成された前記溶融池画像に基づいて生成され、前記制御装置は、前記加工装置による前記物体の加工条件に基づいて、前記撮像装置による前記多重露光の条件を変更する加工システムが提供される。

　第２２の態様によれば、物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成することで前記物体を加工する加工ヘッドと、前記加工ヘッドに対する前記エネルギビームの照射位置を変更可能な位置変更装置とを備えた加工装置と、前記加工ヘッドに備え付けられ、前記加工装置によって形成された前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成し、前記溶融池画像情報に基づいて前記加工装置を制御する制御装置とを備え、前記溶融池画像情報は、前記撮像装置による多重露光に基づいて生成される加工システムが提供される。

　第２３の態様によれば、物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成し、目標軌跡に沿って前記物体上に造形物を形成する加工装置と、前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて前記加工装置を制御する制御装置とを備え、前記目標軌跡に沿って前記物体上に造形物を形成することは、前記エネルギビームの照射位置を前記物体の表面上で、前記目標軌跡と交差する走査方向に沿って移動させることを含み、前記制御装置は、前記撮像装置によって撮像された複数の前記溶融池画像に基づいて前記加工装置を制御する加工システムが提供される。

　第２４の態様によれば、物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成する加工装置と、前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、を備え、前記撮像装置は第１時刻に第１位置に出現する溶融池及び前記第１時刻とは異なる第２時刻に前記第１位置とは異なる第２位置に出現する溶融池を撮像可能である加工システムが提供される。

　本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための形態から明らかにされる。

図１は、本実施形態の加工システムの構成を示す断面図である。図２は、本実施形態の加工システムの構成を示すブロック図である。図３は、照射光学系の構造を示す斜視図である。図４（ａ）は、加工単位領域内での目標照射領域の移動軌跡を示す平面図であり、図４（ｂ）は、造形面上での目標照射領域の移動軌跡を示す平面図である。図５（ａ）及び図５（ｂ）のそれぞれは、加工単位領域内での目標照射領域の移動軌跡を示す平面図であり、図５（ｃ）は、造形面上での目標照射領域の移動軌跡を示す平面図である。図６（ａ）から図６（ｅ）のそれぞれは、ワーク上のある領域に加工光を照射し且つ造形材料を供給した場合の様子を示す断面図である。図７（ａ）は、加工単位領域の目標移動軌跡を示す平面図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）に示す目標移動軌跡に沿って加工単位領域が移動した場合に造形面に造形される線状の造形物を示す平面図である。図８（ａ）から図８（ｃ）のそれぞれは、三次元構造物を造形する過程を示す断面図である。図９は、溶融池画像に基づく溶融池フィードバック制御動作の流れを示すフローチャートである。図１０は、溶融池画像を示す。図１１は、複数の溶融池画像を加算する（つまり、合成する）ことで生成される加算画像を示す。図１２は、溶融池領域のサイズと目標サイズとの関係を示すタイミングチャートである。図１３は、溶融池領域と非溶融池領域とが写り込んだ溶融池画像を示す。図１４は、複数の溶融池画像を示す。図１５は、図１４に示す複数の溶融池画像を加算する（つまり、合成する）ことで生成される加算画像を示す。図１６（ａ）は、撮像ユニットの撮像タイミングを示すタイミングチャートであり、図１６（ｂ）は、撮像ユニットの露光時間を示すタイミングチャートであり、図１６（ｃ）は、撮像ユニットの撮像周期及び撮像レートを示すタイミングチャートである。図１７は、加工光の強度が第１強度である場合の溶融池画像における輝度値のヒストグラムと、加工光の強度が第２強度である場合の溶融池画像における輝度値のヒストグラムを示している。図１８は、加工光の強度が第１強度である場合の溶融池画像における輝度値のヒストグラムと、加工光の強度が第２強度である場合の溶融池画像における輝度値のヒストグラムを示している。図１９は、目標照射領域の移動の速度が第１速度である場合の溶融池画像における輝度値のヒストグラムと、目標照射領域の移動の速度が第２速度である場合の溶融池画像における輝度値のヒストグラムを示している。図２０は、目標照射領域の移動の速度が第１速度である場合の溶融池画像における輝度値のヒストグラムと、目標照射領域の移動の速度が第２速度である場合の溶融池画像における輝度値のヒストグラムを示している。図２１（ａ）は、加工光の強度が第１強度である場合の溶融池画像における輝度値のヒストグラムを示し、図２１（ｂ）は、加工光の強度が第２強度であり且つ加算フレーム数が変更されない場合の溶融池画像における輝度値のヒストグラムを示し、図２１（ｃ）は、加工光の強度が第２強度であり且つ加算フレーム数が変更された場合の溶融池画像における輝度値のヒストグラムを示す。図２２（ａ）は、加工光の強度が第１強度である場合の溶融池画像における輝度値のヒストグラムを示し、図２２（ｂ）は、加工光の強度が第２強度であり且つ加算フレーム数が変更されない場合の溶融池画像における輝度値のヒストグラムを示し、図２２（ｃ）は、加工光の強度が第２強度であり且つ加算フレーム数が変更された場合の溶融池画像における輝度値のヒストグラムを示す。図２３（ａ）は、目標照射領域の移動の速度が第１速度である場合の溶融池画像における輝度値のヒストグラムを示し、図２３（ｂ）は、目標照射領域の移動の速度が第２速度であり且つ加算フレーム数が変更されない場合の溶融池画像における輝度値のヒストグラムを示し、図２３（ｃ）は、目標照射領域の移動の速度が第２速度であり且つ加算フレーム数が変更された場合の溶融池画像における輝度値のヒストグラムを示す。図２４（ａ）は、目標照射領域の移動の速度が第１速度である場合の溶融池画像における輝度値のヒストグラムを示し、図２４（ｂ）は、目標照射領域の移動の速度が第２速度であり且つ加算フレーム数が変更されない場合の溶融池画像における輝度値のヒストグラムを示し、図２４（ｃ）は、目標照射領域の移動の速度が第２速度であり且つ加算フレーム数が変更された場合の溶融池画像における輝度値のヒストグラムを示す。図２５は、溶融池領域のサイズと目標サイズとの関係を示すタイミングチャートである。図２６（ａ）及び図２６（ｂ）のそれぞれは、溶融池領域の形状を示す。図２７（ａ）から図２７（ｂ）のそれぞれは、図２６（ａ）に示す溶融池領域が検出される場合に造形される線状の造形物を示す断面図であり、図２７（ｃ）から図２７（ｄ）のそれぞれは、図２６（ｂ）に示す溶融池領域が検出される場合に造形される線状の造形物を示す断面図である。図２８（ａ）は、溶融池領域の移動軌跡を示し、図２８（ｂ）は、図２８（ａ）に示す溶融池領域が検出される場合に造形される線状の造形物を示す断面図であり、図２８（ｃ）は、溶融池領域の移動軌跡を示し、図２８（ｄ）は、図２８（ｃ）に示す溶融池領域が検出される場合に造形される線状の造形物を示す断面図であり、図２８（ｅ）は、溶融池領域の移動軌跡を示す。図２９は、複数の線状の造形物を積層する過程で溶融池領域の中心位置を示す断面図である。

　以下、図面を参照しながら、加工システム及び加工方法の実施形態について説明する。以下では、物体の一例であるワークＷを加工可能な加工システムＳＹＳを用いて、加工装置及び加工方法の実施形態を説明する。特に、以下では、レーザ肉盛溶接法（ＬＭＤ：Ｌａｓｅｒ　Ｍｅｔａｌ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）に基づく付加加工を行う加工システムＳＹＳを用いて、加工装置及び加工方法の実施形態を説明する。レーザ肉盛溶接法に基づく付加加工は、ワークＷに供給した造形材料Ｍを加工光ＥＬ（つまり、光の形態を有するエネルギビーム）で溶融することで、ワークＷと一体化された又はワークＷから分離可能な造形物を造形する付加加工である。

　また、以下の説明では、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸から定義されるＸＹＺ直交座標系を用いて、加工システムＳＹＳを構成する各種構成要素の位置関係について説明する。尚、以下の説明では、説明の便宜上、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれが水平方向（つまり、水平面内の所定方向）であり、Ｚ軸方向が鉛直方向（つまり、水平面に直交する方向であり、実質的には上下方向）であるものとする。また、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸周りの回転方向（言い換えれば、傾斜方向）を、それぞれ、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向と称する。ここで、Ｚ軸方向を重力方向としてもよい。また、ＸＹ平面を水平方向としてもよい。

　（１）加工システムＳＹＳの構成
　（１－１）加工システムＳＹＳの全体構成
　初めに、図１から図２を参照しながら、本実施形態の加工システムＳＹＳの構成について説明する。図１は、本実施形態の加工システムＳＹＳの構成を模式的に示す断面図である。図２は、本実施形態の加工システムＳＹＳの構成を示すブロック図である。

　加工システムＳＹＳは、ワークＷに対して付加加工を行うことが可能である。加工システムＳＹＳは、ワークＷに対して付加加工を行うことで、ワークＷと一体化された（或いは、分離可能な）造形物を造形可能である。この場合、ワークＷに対して行われる付加加工は、ワークＷと一体化された（或いは、分離可能な）造形物をワークＷに付加する加工に相当する。尚、本実施形態における造形物は、加工システムＳＹＳが造形する任意の物体を意味していてもよい。例えば、加工システムＳＹＳは、造形物の一例として、三次元構造物（つまり、三次元方向のいずれの方向においても大きさを持つ三次元の構造物であり、立体物、言い換えると、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向において大きさを持つ構造物）ＳＴを造形可能である。

　ワークＷが後述するステージ３１である場合には、加工システムＳＹＳは、ステージ３１に対して付加加工を行うことが可能である。ワークＷがステージ３１に載置されている物体である載置物である場合には、加工システムＳＹＳは、載置物に対して付加加工を行うことが可能である。ステージ３１に載置される載置物は、加工システムＳＹＳが造形した別の三次元構造物ＳＴ（つまり、既存構造物）であってもよい。尚、図１は、ワークＷが、ステージ３１に載置されている既存構造物である例を示している。また、以下でも、ワークＷがステージ３１に載置されている既存構造物である例を用いて説明を進める。

　ワークＷは、欠損箇所がある要修理品であってもよい。この場合、加工システムＳＹＳは、欠損個所を補填するための造形物を造形する付加加工を行うことで、要修理品を補修する補修加工を行ってもよい。つまり、加工システムＳＹＳが行う付加加工は、欠損箇所を補填するための造形物をワークＷに付加する付加加工を含んでいてもよい。

　上述したように、加工システムＳＹＳは、レーザ肉盛溶接法に基づく付加加工を行うことが可能である。つまり、加工システムＳＹＳは、積層加工技術を用いて物体を加工する３Ｄプリンタであるとも言える。尚、積層加工技術は、ラピッドプロトタイピング（Ｒａｐｉｄ　Ｐｒｏｔｏｔｙｐｉｎｇ）、ラピッドマニュファクチャリング（Ｒａｐｉｄ　Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ）、又は、アディティブマニュファクチャリング（Ａｄｄｉｔｉｖｅ　Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ）とも称されてもよい。尚、レーザ肉盛溶接法（ＬＭＤ）は、ＤＥＤ（Ｄｉｒｅｃｔｅｄ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）と称されてもよい。

　積層加工技術を用いる加工システムＳＹＳは、複数の構造層ＳＬ（後述する図７参照）を順に形成することで、複数の構造層ＳＬが積層された三次元構造物ＳＴを造形する。この場合、加工システムＳＹＳは、まず、ワークＷの表面を、造形物を実際に造形する造形面ＭＳに設定し、当該造形面ＭＳ上に、１層目の構造層ＳＬを造形する。その後、加工システムＳＹＳは、１層目の構造層ＳＬの表面を新たな造形面ＭＳに設定し、当該造形面ＭＳ上に、２層目の構造層ＳＬを造形する。以降、加工システムＳＹＳは、同様の動作を繰り返すことで、複数の構造層ＳＬが積層された三次元構造物ＳＴを造形する。

　加工システムＳＹＳは、エネルギビームである加工光ＥＬを用いて造形材料Ｍを加工することで付加加工を行う。造形材料Ｍは、所定強度以上の加工光ＥＬの照射によって溶融可能な材料である。このような造形材料Ｍとして、例えば、金属性の材料及び樹脂性の材料の少なくとも一方が使用可能である。金属性の材料の一例として、銅を含む材料、タングステンを含む材料、及び、ステンレスを含む材料の少なくとも一つがあげられる。但し、造形材料Ｍとして、金属性の材料及び樹脂性の材料とは異なるその他の材料が用いられてもよい。造形材料Ｍは、粉状の材料である。つまり、造形材料Ｍは、粉体である。但し、造形材料Ｍは、粉体でなくてもよい。例えば、造形材料Ｍとして、ワイヤ状の造形材料及びガス状の造形材料の少なくとも一方が用いられてもよい。

　ワークＷもまた、造形材料Ｍと同様に、所定強度以上の加工光ＥＬの照射によって溶融可能な材料を含む物体であってもよい。ワークＷの材料は、造形材料Ｍと同一であってもよいし、異なっていてもよい。ワークＷの材料として、例えば、金属性の材料及び樹脂性の材料の少なくとも一方が使用可能である。金属性の材料の一例として、銅を含む材料、タングステンを含む材料、及び、ステンレスを含む材料の少なくとも一つがあげられる。但し、ワークＷの材料として、金属性の材料及び樹脂性の材料とは異なるその他の材料が用いられてもよい。

　付加加工を行うために、加工システムＳＹＳは、図１から図２に示すように、材料供給源１と、加工ユニット２と、ステージユニット３と、光源４と、気体供給源５と、制御ユニット７と、撮像ユニット８とを備える。加工ユニット２と、ステージユニット３とは、筐体６の内部のチャンバ空間６３ＩＮに収容されていてもよい。この場合、加工システムＳＹＳは、チャンバ空間６３ＩＮにおいて付加加工を行ってもよい。尚、加工ユニット２と、ステージユニット３との少なくとも一方は、筐体６の内部のチャンバ空間６３ＩＮに収容されていなくてもよい。

　尚、加工ユニット２は、加工装置と称されてもよい。材料供給源１、ステージユニット３、光源４及び気体供給源５の少なくとも一つと加工ユニット２とを含む装置が、加工装置と称されてもよい。制御ユニット７は、制御装置と称されてもよい。撮像ユニット８は、撮像装置と称されてもよい。

　材料供給源１は、加工ユニット２に造形材料Ｍを供給する。材料供給源１は、付加加工を行うために単位時間あたりに必要とする分量の造形材料Ｍが加工ユニット２に供給されるように、当該必要な分量に応じた所望量の造形材料Ｍを供給する。

　加工ユニット２は、材料供給源１から供給される造形材料Ｍを加工して造形物を造形する。造形物を造形するために、加工ユニット２は、加工ヘッド２１と、ヘッド駆動系２２とを備える。更に、加工ヘッド２１は、照射光学系２１１と、複数の材料ノズル２１２とを備えている。但し、加工ヘッド２１は、複数の照射光学系２１１を備えていてもよい。加工ヘッド２１は、単一の材料ノズル２１２を備えていてもよい。

　照射光学系２１１は、加工光ＥＬを射出するための光学系である。具体的には、照射光学系２１１は、加工光ＥＬを射出する（生成する）光源４と、光伝送部材４１を介して光学的に接続されている。光伝送部材４１の一例として、光ファイバ及びライトパイプの少なくとも一つがあげられる。

　図１から図２に示す例では、加工システムＳＹＳが二つの光源４（具体的には、光源４＃１及び４＃２）を備えており、照射光学系２１１は、光伝送部材４１＃１及び４１＃２を介して、それぞれ、光源４＃１及び４＃２と光学的に接続されている。照射光学系２１１は、光伝送部材４１＃１を介して光源４＃１から伝搬してくる加工光ＥＬと、光伝送部材４１＃２を介して光源４＃２から伝搬してくる加工光ＥＬとの双方を射出する。尚、以下の説明では、照射光学系２１１が射出する二つの加工光ＥＬを区別する必要がある場合には、必要に応じて、光源４＃１が生成した加工光ＥＬを、“加工光ＥＬ＃１”と称し、且つ、光源４＃２が生成した加工光ＥＬを、“加工光ＥＬ＃２”と称する。

　但し、加工システムＳＹＳは、複数の光源４に代えて、単一の光源４を備えていてもよい。照射光学系２１１は、複数の加工光ＥＬを射出することに代えて、単一の加工光ＥＬを射出してもよい。

　照射光学系２１１は、照射光学系２１１から下方（つまり、－Ｚ側）に向けて加工光ＥＬを射出する。照射光学系２１１の下方には、ステージ３１が配置されている。ステージ３１にワークＷが載置されている場合には、照射光学系２１１は、射出した加工光ＥＬを造形面ＭＳに照射する。具体的には、照射光学系２１１は、加工光ＥＬが照射される（典型的には、集光される）領域として造形面ＭＳに設定される目標照射領域（目標照射位置）ＥＡに加工光ＥＬを照射可能である。尚、以下の説明では、照射光学系２１１が二つの加工光ＥＬをそれぞれ照射する二つの目標照射領域ＥＡを区別する必要がある場合には、必要に応じて、照射光学系２１１が加工光ＥＬ＃１を照射する目標照射領域ＥＡを、“目標照射領域ＥＡ＃１”と称し、且つ、照射光学系２１１が加工光ＥＬ＃２を照射する目標照射領域ＥＡを、“目標照射領域ＥＡ＃２”と称する。更に、照射光学系２１１の状態は、制御ユニット７の制御下で、目標照射領域ＥＡに加工光ＥＬを照射する状態と、目標照射領域ＥＡに加工光ＥＬを照射しない状態との間で切替可能である。尚、照射光学系２１１から射出される加工光ＥＬの方向は真下（つまり、－Ｚ軸方向と一致）には限定されず、例えば、Ｚ軸に対して所定の角度だけ傾いた方向であってもよい。つまり、後述する第３光学系２１６（或いは後述するｆθレンズ２１６２）は、物体側にテレセントリックな光学系には限定されず、物体側が非テレセントリックな光学系であってもよい。

　照射光学系２１１は、造形面ＭＳに加工光ＥＬを照射することで、造形面ＭＳに溶融池ＭＰを形成してもよい。例えば、照射光学系２１１は、造形面ＭＳに加工光ＥＬ＃１を照射することで、造形面ＭＳに溶融池ＭＰ＃１を形成してもよい。例えば、照射光学系２１１は、造形面ＭＳに加工光ＥＬ＃２を照射することで、造形面ＭＳに溶融池ＭＰ＃２を形成してもよい。溶融池ＭＰ＃１と溶融池ＭＰ＃２とは、一体化されていてもよい。或いは、溶融池ＭＰ＃１と溶融池ＭＰ＃２とは、互いに離れていてもよい。但し、加工光ＥＬ＃１の照射によって造形面ＭＳに溶融池ＭＰ＃１が形成されなくてもよい。加工光ＥＬ＃２の照射によって造形面ＭＳに溶融池ＭＰ＃２が形成されなくてもよい。

　材料ノズル２１２は、造形材料Ｍを供給する（例えば、射出する、噴射する、噴出する、又は、吹き付ける）。材料ノズル２１２は、供給管１１及び混合装置１２を介して造形材料Ｍの供給源である材料供給源１と物理的に接続されている。材料ノズル２１２は、供給管１１及び混合装置１２を介して材料供給源１から供給される造形材料Ｍを供給する。材料ノズル２１２は、供給管１１を介して材料供給源１から供給される造形材料Ｍを圧送してもよい。即ち、材料供給源１からの造形材料Ｍと搬送用の気体（つまり、圧送ガスであり、例えば、窒素やアルゴン等の不活性ガス）とは、混合装置１２で混合された後に供給管１１を介して材料ノズル２１２に圧送されてもよい。その結果、材料ノズル２１２は、搬送用の気体と共に造形材料Ｍを供給する。搬送用の気体として、例えば、気体供給源５から供給されるパージガスが用いられる。但し、搬送用の気体として、気体供給源５とは異なる気体供給源から供給される気体が用いられてもよい。尚、図１において材料ノズル２１２は、チューブ状に描かれているが、材料ノズル２１２の形状は、この形状に限定されない。材料ノズル２１２は、材料ノズル２１２から下方（つまり、－Ｚ側）に向けて造形材料Ｍを供給する。材料ノズル２１２の下方には、ステージ３１が配置されている。ステージ３１にワークＷが搭載されている場合には、材料ノズル２１２は、造形面ＭＳに向けて造形材料Ｍを供給する。尚、材料ノズル２１２から供給される造形材料Ｍの進行方向はＺ軸方向に対して所定の角度（一例として鋭角）だけ傾いた方向であるが、－Ｚ側（つまり、真下）であってもよい。

　本実施形態では、材料ノズル２１２は、加工光ＥＬ＃１及びＥＬ＃２の少なくとも一つが照射される位置（つまり、目標照射領域ＥＡ＃１及びＥＡ＃２の少なくとも一つ）に造形材料Ｍを供給する。このため、材料ノズル２１２が造形材料Ｍを供給する領域として造形面ＭＳに設定される目標供給領域ＭＡが、目標照射領域ＥＡ＃１及びＥＡ＃２の少なくとも一つと少なくとも部分的に重複するように、材料ノズル２１２と照射光学系２１１＃１及び２１１＃２とが位置合わせされている。目標供給領域ＭＡのサイズは、目標照射領域ＥＡ＃１及びＥＡ＃２の少なくとも一つのサイズよりも大きくてもよいし、小さくてもよいし、同じであってもよい。

　材料ノズル２１２は、溶融池ＭＰに造形材料Ｍを供給してもよい。具体的には、材料ノズル２１２は、溶融池ＭＰ＃１及び溶融池ＭＰ＃２の少なくとも一つに造形材料Ｍを供給してもよい。但し、材料ノズル２１２は、溶融池ＭＰに造形材料Ｍを供給しなくてもよい。例えば、加工システムＳＹＳは、材料ノズル２１２からの造形材料ＭがワークＷに到達する前に当該造形材料Ｍを照射光学系２１１から射出される加工光ＥＬによって溶融させ、溶融した造形材料ＭをワークＷに付着させてもよい。

　照射光学系２１１及び材料ノズル２１２は、加工ヘッド２１が備えるヘッド筐体２１３に収容されていてもよい。ヘッド筐体２１３は、内部に照射光学系２１１及び材料ノズル２１２を収容するための収容空間が形成された筐体である。この場合、照射光学系２１１及び材料ノズル２１２は、ヘッド筐体２１３の内部の収容空間に収容されていてもよい。

　ヘッド駆動系２２は、制御ユニット７の制御下で、加工ヘッド２１を移動させる。つまり、ヘッド駆動系２２は、制御ユニット７の制御下で、照射光学系２１１及び材料ノズル２１２を移動させる。ヘッド駆動系２２は、例えば、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向の少なくとも一つに沿って加工ヘッド２１を移動させる。尚、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向の少なくとも一つに沿って加工ヘッド２１を移動させる動作は、Ｘ軸に沿った回転軸、Ｙ軸に沿った回転軸及びＺ軸に沿った回転軸の少なくとも一つの周りに加工ヘッド２１を回転させる動作と等価であるとみなしてもよい。

　ヘッド駆動系２２が加工ヘッド２１を移動させると、加工ヘッド２１とステージ３１及びステージ３１に載置されたワークＷのそれぞれとの間の相対的な位置関係が変わる。その結果、ステージ３１及びワークＷのそれぞれと加工ヘッド２１が備える照射光学系２１１との間の相対的な位置関係が変わる。このため、ヘッド駆動系２２は、ステージ３１及びワークＷのそれぞれと照射光学系２１１との間の相対的な位置関係を変更可能な位置変更装置として機能しているとみなしてもよい。更に、ステージ３１及びワークＷのそれぞれと加工ヘッド２１との間の相対的な位置関係が変わると、目標照射領域ＥＡ＃１及びＥＡ＃２並びに目標供給領域ＭＡのそれぞれとワークＷとの間の相対的な位置関係もまた変わる。つまり、目標照射領域ＥＡ＃１及びＥＡ＃２並びに目標供給領域ＭＡのそれぞれが、ワークＷの表面（より具体的には、付加加工が行われる造形面ＭＳ）上において、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向の少なくとも一つに沿って移動する。この場合、ヘッド駆動系２２は、目標照射領域ＥＡ＃１及びＥＡ＃２並びに目標供給領域ＭＡのそれぞれが造形面ＭＳ上において移動するように、加工ヘッド２１を移動させているとみなしてもよい。

　ステージユニット３は、ステージ３１と、ステージ駆動系３２とを備えている。

　ステージ３１には、ワークＷが載置される。具体的には、ステージ３１の一の表面（例えば、＋Ｚ側を向いた上面）であるステージ載置面３１１には、ワークＷが載置される。ステージ３１は、ステージ３１に載置されたワークＷを支持可能である。ステージ３１は、ステージ３１に載置されたワークＷを保持可能であってもよい。この場合、ステージ３１は、ワークＷを保持するために、機械的なチャック、静電チャック及び真空吸着チャック等の少なくとも一つを備えていてもよい。或いは、ステージ３１は、ステージ３１に載置されたワークＷを保持可能でなくてもよい。この場合、ワークＷは、クランプレスでステージ３１に載置されていてもよい。また、ワークＷは、保持具に取り付けられていてもよく、ワークＷが取り付けられた保持具がステージ３１に載置されていてもよい。上述した照射光学系２１１は、ステージ３１にワークＷが載置されている期間の少なくとも一部において加工光ＥＬ＃１及びＥＬ＃２のそれぞれを射出する。更に、上述した材料ノズル２１２は、ステージ３１にワークＷが載置されている期間の少なくとも一部において造形材料Ｍを供給する。

　ステージ駆動系３２は、ステージ３１を移動させる。ステージ駆動系３２は、例えば、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向の少なくとも一つに沿ってステージ３１を移動させる。尚、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向の少なくとも一つに沿ってステージ３１を移動させる動作は、Ｘ軸に沿った回転軸（つまり、Ａ軸）、Ｙ軸に沿った回転軸（つまり、Ｂ軸）及びＺ軸に沿った回転軸（つまり、Ｃ軸）の少なくとも一つの周りにステージ３１を回転させる動作と等価であるとみなしてもよい。

　ステージ駆動系３２がステージ３１を移動させると、加工ヘッド２１とステージ３１及びワークＷのそれぞれとの間の相対的な位置関係が変わる。その結果、ステージ３１及びワークＷのそれぞれと加工ヘッド２１が備える照射光学系２１１との間の相対的な位置関係が変わる。このため、ステージ駆動系３２は、ヘッド駆動系２２と同様に、ステージ３１及びワークＷのそれぞれと照射光学系２１１との間の相対的な位置関係を変更可能な位置変更装置として機能しているとみなしてもよい。更に、ステージ３１及びワークＷのそれぞれと加工ヘッド２１との間の相対的な位置関係が変わると、目標照射領域ＥＡ＃１及びＥＡ＃２並びに目標供給領域ＭＡのそれぞれとワークＷとの間の相対的な位置関係もまた変わる。つまり、目標照射領域ＥＡ＃１及びＥＡ＃２並びに目標供給領域ＭＡのそれぞれが、ワークＷの表面（より具体的には、造形面ＭＳ）上において、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向の少なくとも一つに沿って移動する。この場合、ステージ駆動系３２は、目標照射領域ＥＡ＃１及びＥＡ＃２並びに目標供給領域ＭＡのそれぞれが造形面ＭＳ上において移動するように、ステージ３１を移動させているとみなしてもよい。

　光源４は、例えば、赤外光、可視光及び紫外光のうちの少なくとも一つを、加工光ＥＬとして射出する。但し、加工光ＥＬとして、その他の種類の光が用いられてもよい。加工光ＥＬは、複数のパルス光（つまり、複数のパルスビーム）を含んでいてもよい。加工光ＥＬは、レーザ光であってもよい。この場合、光源４は、レーザ光源（例えば、レーザダイオード（ＬＤ：Ｌａｓｅｒ　Ｄｉｏｄｅ）等の半導体レーザを含んでいてもよい。レーザ光源としては、ファイバ・レーザ、ＣＯ_２レーザ、ＹＡＧレーザ及びエキシマレーザ等の少なくとも一つが用いられてもよい。但し、加工光ＥＬはレーザ光でなくてもよい。光源４は、任意の光源（例えば、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）及び放電ランプ等の少なくとも一つ）を含んでいてもよい。

　上述したように、加工システムＳＹＳは、複数の光源４（具体的には、光源４＃１及び４＃２）を備えている。この場合、光源４＃１が射出する加工光ＥＬ＃１の特性と、光源４＃２が射出する加工光ＥＬ＃２の特性とは、同一であってもよい。例えば、加工光ＥＬ＃１の波長（典型的には、加工光ＥＬ＃１の波長帯域において強度が最大となる波長であるピーク波長）と、加工光ＥＬ＃２の波長（典型的には、ピーク波長）とは、同一であってもよい。例えば、加工光ＥＬ＃１の波長帯域（典型的には、強度が一定値以上となる波長の範囲）と、加工光ＥＬ＃２の波長帯域とは、同一であってもよい。例えば、加工光ＥＬ＃１の強度と、加工光ＥＬ＃２の強度とは、同一であってもよい。例えば、加工光ＥＬ＃１に対するワークＷの吸収率（或いは、造形面ＭＳが表面となる物体、以下同じ）と、加工光ＥＬ＃２に対するワークＷの吸収率とは、同一であってもよい。特に、加工光ＥＬ＃１のピーク波長に対するワークＷの吸収率と、加工光ＥＬ＃２のピーク波長に対するワークＷの吸収率とは、同一であってもよい。或いは、光源４＃１が射出する加工光ＥＬ＃１の特性と、光源４＃２が射出する加工光ＥＬ＃２の特性とは、異なっていてもよい。例えば、加工光ＥＬ＃１の波長（典型的には、ピーク波長）と、加工光ＥＬ＃２の波長（典型的には、ピーク波長）とは、異なっていてもよい。例えば、加工光ＥＬ＃１の波長帯域と、加工光ＥＬ＃２の波長帯域とは、異なっていてもよい。例えば、加工光ＥＬ＃１の強度と、加工光ＥＬ＃２の強度とは、異なっていてもよい。例えば、加工光ＥＬ＃１に対するワークＷの吸収率と、加工光ＥＬ＃２に対するワークＷの吸収率とは、異なっていてもよい。特に、加工光ＥＬ＃１のピーク波長に対するワークＷの吸収率と、加工光ＥＬ＃２のピーク波長に対するワークＷの吸収率とは、異なっていてもよい。

　尚、本実施形態では、加工システムＳＹＳが複数の光源４を備えている例について説明されている。しかしながら、加工システムＳＹＳは、複数の光源４を備えていなくてもよい。加工システムＳＹＳは、単一の光源４を備えていなくてもよい。一例として、加工システムは、単一の光源４として、広波長帯域又は複数波長の光を射出（供給）する光源を備えていてもよい。この場合には、加工システムＳＹＳは、この光源から射出される光を波長分割することで、互いに異なる波長の加工光ＥＬ＃１と加工光ＥＬ＃２とを生成してもよい。

　気体供給源５は、筐体６の内部のチャンバ空間６３ＩＮをパージするためのパージガスの供給源である。パージガスは、不活性ガスを含む。不活性ガスの一例として、窒素ガス又はアルゴンガスがあげられる。気体供給源５は、筐体６の隔壁部材６１に形成された供給口６２及び気体供給源５と供給口６２とを接続する供給管５１を介して、チャンバ空間６３ＩＮに接続されている。気体供給源５は、供給管５１及び供給口６２を介して、チャンバ空間６３ＩＮにパージガスを供給する。その結果、チャンバ空間６３ＩＮは、パージガスによってパージされた空間となる。チャンバ空間６３ＩＮに供給されたパージガスは、隔壁部材６１に形成された不図示の排出口から排出されてもよい。尚、気体供給源５は、不活性ガスが格納されたボンベであってもよい。不活性ガスが窒素ガスである場合には、気体供給源５は、大気を原料として窒素ガスを発生する窒素ガス発生装置であってもよい。

　上述したように、材料ノズル２１２がパージガスと共に造形材料Ｍを供給する場合には、気体供給源５は、材料供給源１からの造形材料Ｍが供給される混合装置１２にパージガスを供給してもよい。具体的には、気体供給源５は、気体供給源５と混合装置１２とを接続する供給管５２を介して混合装置１２と接続されていてもよい。その結果、気体供給源５は、供給管５２を介して、混合装置１２にパージガスを供給する。この場合、材料供給源１からの造形材料Ｍは、供給管５２を介して気体供給源５から供給されたパージガスによって、供給管１１内を通って材料ノズル２１２に向けて供給（具体的には、圧送）されてもよい。つまり、気体供給源５は、供給管５２、混合装置１２及び供給管１１を介して、材料ノズル２１２に接続されていてもよい。その場合、材料ノズル２１２は、造形材料Ｍを圧送するためのパージガスと共に造形材料Ｍを供給することになる。

　制御ユニット７は、加工システムＳＹＳの動作を制御する。例えば、制御ユニット７は、ワークＷに対して付加加工を行うように、加工システムＳＹＳが備える加工ユニット２（例えば、加工ヘッド２１及びヘッド駆動系２２の少なくとも一方）を制御してもよい。例えば、制御ユニット７は、ワークＷに対して付加加工を行うように、加工システムＳＹＳが備えるステージユニット３（例えば、ステージ駆動系３２）を制御してもよい。例えば、制御ユニット７は、ワークＷに対して付加加工を行うように、加工システムＳＹＳが備える材料供給源１を制御してもよい。例えば、制御ユニット７は、ワークＷに対して付加加工を行うように、加工システムＳＹＳが備える光源４を制御してもよい。例えば、制御ユニット７は、ワークＷに対して付加加工を行うように、加工システムＳＹＳが備える気体供給源５を制御してもよい。

　制御ユニット７は、例えば、演算装置７１と、記憶装置７２とを備えていてもよい。演算装置７１は、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）及びＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）の少なくとも一方を含んでいてもよい。記憶装置７２は、例えば、メモリを含んでいてもよい。制御ユニット７は、演算装置７１がコンピュータプログラムを実行することで、加工システムＳＹＳの動作を制御する装置として機能する。このコンピュータプログラムは、制御ユニット７が行うべき後述する動作を演算装置７１に行わせる（つまり、実行させる）ためのコンピュータプログラムである。つまり、このコンピュータプログラムは、加工システムＳＹＳに後述する動作を行わせるように制御ユニット７を機能させるためのコンピュータプログラムである。演算装置７１が実行するコンピュータプログラムは、制御ユニット７が備える記憶装置７２（つまり、記録媒体）に記録されていてもよいし、制御ユニット７に内蔵された又は制御ユニット７に外付け可能な任意の記憶媒体（例えば、ハードディスクや半導体メモリ）に記録されていてもよい。或いは、演算装置７１は、実行するべきコンピュータプログラムを、ネットワークインタフェースを介して、制御ユニット７の外部の装置からダウンロードしてもよい。尚、記憶装置７２は、記録装置と称されてもよい。

　制御ユニット７は、照射光学系２１１による加工光ＥＬの射出態様を制御してもよい。射出態様は、例えば、加工光ＥＬの強度及び加工光ＥＬの射出タイミングの少なくとも一方を含んでいてもよい。加工光ＥＬが複数のパルス光を含む場合には、射出態様は、例えば、パルス光の発光時間、パルス光の発光周期、及び、パルス光の発光時間の長さとパルス光の発光周期との比（いわゆる、デューティ比）の少なくとも一つを含んでいてもよい。更に、制御ユニット７は、ヘッド駆動系２２による加工ヘッド２１の移動態様を制御してもよい。制御ユニット７は、ステージ駆動系３２によるステージ３１の移動態様を制御してもよい。移動態様は、例えば、移動量、移動速度、移動方向及び移動タイミング（移動時期）の少なくとも一つを含んでいてもよい。更に、制御ユニット７は、材料ノズル２１２による造形材料Ｍの供給態様を制御してもよい。供給態様は、例えば、供給量（特に、単位時間あたりの供給量）及び供給タイミング（供給時期）の少なくとも一方を含んでいてもよい。

　制御ユニット７は、加工システムＳＹＳの内部に設けられていなくてもよい。例えば、制御ユニット７は、加工システムＳＹＳ外にサーバ等として設けられていてもよい。この場合、制御ユニット７と加工システムＳＹＳとは、有線及び／又は無線のネットワーク（或いは、データバス及び／又は通信回線）で接続されていてもよい。有線のネットワークとして、例えばＩＥＥＥ１３９４、ＲＳ－２３２ｘ、ＲＳ－４２２、ＲＳ－４２３、ＲＳ－４８５及びＵＳＢの少なくとも一つに代表されるシリアルバス方式のインタフェースを用いるネットワークが用いられてもよい。有線のネットワークとして、パラレルバス方式のインタフェースを用いるネットワークが用いられてもよい。有線のネットワークとして、１０ＢＡＳＥ－Ｔ、１００ＢＡＳＥ－ＴＸ及び１０００ＢＡＳＥ－Ｔの少なくとも一つに代表されるイーサネット（登録商標）に準拠したインタフェースを用いるネットワークが用いられてもよい。無線のネットワークとして、電波を用いたネットワークが用いられてもよい。電波を用いたネットワークの一例として、ＩＥＥＥ８０２．１ｘに準拠したネットワーク（例えば、無線ＬＡＮ及びＢｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）の少なくとも一方）があげられる。無線のネットワークとして、赤外線を用いたネットワークが用いられてもよい。無線のネットワークとして、光通信を用いたネットワークが用いられてもよい。この場合、制御ユニット７と加工システムＳＹＳとはネットワークを介して各種の情報の送受信が可能となるように構成されていてもよい。また、制御ユニット７は、ネットワークを介して加工システムＳＹＳにコマンドや制御パラメータ等の情報を送信可能であってもよい。加工システムＳＹＳは、制御ユニット７からのコマンドや制御パラメータ等の情報を、上記ネットワークを介して受信する受信装置を備えていてもよい。加工システムＳＹＳは、制御ユニット７に対してコマンドや制御パラメータ等の情報を、上記ネットワークを介して送信する送信装置（つまり、制御ユニット７に対して情報を出力する出力装置）を備えていてもよい。或いは、制御ユニット７が行う処理のうちの一部を行う第１制御装置が加工システムＳＹＳの内部に設けられている一方で、制御ユニット７が行う処理のうちの他の一部を行う第２制御装置が加工システムＳＹＳの外部に設けられていてもよい。

　制御ユニット７内には、演算装置７１がコンピュータプログラムを実行することで、機械学習によって構築可能な演算モデルが実装されてもよい。機械学習によって構築可能な演算モデルの一例として、例えば、ニューラルネットワークを含む演算モデル（いわゆる、人工知能（ＡＩ：Ａｒｔｉｆｉｃｉａｌ　Ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｃｅ））があげられる。この場合、演算モデルの学習は、ニューラルネットワークのパラメータ（例えば、重み及びバイアスの少なくとも一つ）の学習を含んでいてもよい。制御ユニット７は、演算モデルを用いて、加工システムＳＹＳの動作を制御してもよい。つまり、加工システムＳＹＳの動作を制御する動作は、演算モデルを用いて加工システムＳＹＳの動作を制御する動作を含んでいてもよい。尚、制御ユニット７には、教師データを用いたオフラインでの機械学習により構築済みの演算モデルが実装されてもよい。また、制御ユニット７に実装された演算モデルは、制御ユニット７上においてオンラインでの機械学習によって更新されてもよい。或いは、制御ユニット７は、制御ユニット７に実装されている演算モデルに加えて又は代えて、制御ユニット７の外部の装置（つまり、加工システムＳＹＳの外部に設けられる装置に実装された演算モデルを用いて、加工システムＳＹＳの動作を制御してもよい。

　尚、制御ユニット７が実行するコンピュータプログラムを記録する記録媒体としては、ＣＤ－ＲＯＭ、ＣＤ－Ｒ、ＣＤ－ＲＷやフレキシブルディスク、ＭＯ、ＤＶＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ－ＲＡＭ、ＤＶＤ－Ｒ、ＤＶＤ＋Ｒ、ＤＶＤ－ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ及びＢｌｕ－ｒａｙ（登録商標）等の光ディスク、磁気テープ等の磁気媒体、光磁気ディスク、ＵＳＢメモリ等の半導体メモリ、及び、その他プログラムを格納可能な任意の媒体の少なくとも一つが用いられてもよい。記録媒体には、コンピュータプログラムを記録可能な機器（例えば、コンピュータプログラムがソフトウェア及びファームウェア等の少なくとも一方の形態で実行可能な状態に実装された汎用機器又は専用機器）が含まれていてもよい。更に、コンピュータプログラムに含まれる各処理や機能は、制御ユニット７（つまり、コンピュータ）がコンピュータプログラムを実行することで制御ユニット７内に実現される論理的な処理ブロックによって実現されてもよいし、制御ユニット７が備える所定のゲートアレイ（ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ　Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ　Ｇａｔｅ　Ａｒｒａｙ）、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　Ｓｐｅｃｉｆｉｃ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）等のハードウェアによって実現されてもよいし、論理的な処理ブロックとハードウェアの一部の要素を実現する部分的ハードウェアモジュールとが混在する形式で実現してもよい。

　撮像ユニット８は、制御ユニット７の制御下で、撮像対象物を撮像可能な撮像装置である。このため、撮像ユニット８は、撮像対象物を撮像可能なカメラを含んでいてもよい。カメラは、撮像素子を含んでいてもよい。撮像素子は、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅｄ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｄｅｖｉｃｅ）センサを含んでいてもよい。撮像素子は、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ　Ｍｅｔａｌ　Ｏｘｉｄｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）センサを含んでいてもよい。この場合、撮像ユニット８は、撮像対象物からの光を撮像素子で受光することで、撮像対象物を撮像してもよい。つまり、撮像ユニット８は、撮像対象物からの光で撮像素子を露光することで、撮像対象物を撮像してもよい。尚、「撮像対象物からの光を用いた撮像素子の露光」を、「撮像素子による（つまり、撮像ユニット８による）露光（撮像対象物の露光）」と称してもよい。

　撮像対象物は、ワークＷの少なくとも一部を含んでいてもよい。撮像対象物は、加工システムＳＹＳが造形した造形物の少なくとも一部を含んでいてもよい。特に、撮像対象物は、造形面ＭＳが設定されている物体の少なくとも一部を含んでいてもよい。上述したように、造形面ＭＳは、ワークＷ又は構造層ＳＬの表面に設定される。このため、撮像対象物は、ワークＷの少なくとも一部又は構造層ＳＬの少なくとも一部を含んでいてもよい。

　上述したように、造形面ＭＳには、加工光ＥＬによって溶融池ＭＰが形成される。この場合、撮像ユニット８は、溶融池ＭＰを撮像可能であってもよい。つまり、撮像ユニット８は、溶融池ＭＰを含む領域（つまり、溶融池ＭＰを含む造形面ＭＳ上の領域）を撮像可能であってもよい。以下の説明では、撮像ユニット８が溶融池ＭＰを撮像する例について説明する。つまり、以下の説明では、撮像ユニット８が溶融池ＭＰを含む領域（つまり、溶融池ＭＰを含む造形面ＭＳ上の領域）を撮像する例について説明する。

　撮像ユニット８は、加工ヘッド２１に備え付けられていてもよい。例えば、図１に示すように、撮像ユニット８は、加工ヘッド２１のヘッド筐体２１３に備え付けられていてもよい。この場合、ヘッド駆動系２２によって加工ヘッド２１が移動すると、加工ヘッド２１に備え付けられた撮像ユニット８もまた、加工ヘッド２１と共に移動する。この場合、加工ヘッド２１と撮像ユニット８との間の相対的な位置関係が固定される。但し、撮像ユニット８は、加工ヘッド２１に備え付けられていなくてもよい。撮像ユニット８は、加工ヘッド２１とは異なる物体に備え付けられていてもよい。

　撮像ユニット８は、撮像対象物を撮像することで、撮像対象物が写り込んだ画像を生成する。本実施形態では、上述したように撮像ユニット８が溶融池ＭＰを撮像するがゆえに、撮像ユニット８は、溶融池ＭＰが写り込んだ画像を生成する。以下の説明では、撮像ユニット８が生成する画像（つまり、溶融池ＭＰが写り込んだ画像）を、“溶融池画像ＩＭＧ”と称する。

　撮像ユニット８は、生成した溶融池画像ＩＭＧを制御ユニット７に出力してもよい。制御ユニット７は、溶融池画像ＩＭＧに基づいて、加工システムＳＹＳを制御してもよい。例えば、制御ユニット７は、溶融池画像ＩＭＧに基づいて、ワークＷに対して付加加工を行うように、加工ユニット２（例えば、加工ヘッド２１及びヘッド駆動系２２の少なくとも一方）を制御してもよい。例えば、制御ユニット７は、溶融池画像ＩＭＧに基づいて、ワークＷに対して付加加工を行うように、ステージユニット３（例えば、ステージ駆動系３２）を制御してもよい。例えば、制御ユニット７は、溶融池画像ＩＭＧに基づいて、ワークＷに対して付加加工を行うように、材料供給源１を制御してもよい。例えば、制御ユニット７は、溶融池画像ＩＭＧに基づいて、ワークＷに対して付加加工を行うように、光源４を制御してもよい。例えば、制御ユニット７は、溶融池画像ＩＭＧに基づいて、ワークＷに対して付加加工を行うように、気体供給源５を制御してもよい。

　（１－２）照射光学系２１１の構造
　続いて、図３を参照しながら、照射光学系２１１の構造について説明する。図３は、照射光学系２１１の構造を示す断面図である。

　図３に示すように、照射光学系２１１は、第１光学系２１４と、第２光学系２１５と、第３光学系２１６とを備える。第１光学系２１４は、光源４＃１から射出される加工光ＥＬ＃１が入射する光学系である。第１光学系２１４は、光源４＃１から射出される加工光ＥＬ＃１を、第３光学系２１６に向けて射出する光学系である。第２光学系２１５は、光源４＃２から射出される加工光ＥＬ＃２が入射する光学系である。第２光学系２１５は、光源４＃２から射出される加工光ＥＬ＃２を、第３光学系２１６に向けて射出する光学系である。第３光学系２１６は、第１光学系２１４から射出される加工光ＥＬ＃１と、第２光学系２１５から射出される加工光ＥＬ＃２とが入射する光学系である。第３光学系２１６は、第１光学系２１４から射出される加工光ＥＬ＃１及び第２光学系２１５から射出される加工光ＥＬ＃２を、造形面ＭＳに向けて射出する光学系である。以下、第１光学系２１４、第２光学系２１５及び第３光学系２１６について、順に説明する。

　第１光学系２１４は、コリメータレンズ２１４１と、平行平板２１４２と、パワーメータ２１４３と、ガルバノスキャナ２１４４とを備える。ガルバノスキャナ２１４４は、フォーカス制御光学系２１４５と、ガルバノミラー２１４６とを備える。但し、第１光学系２１４は、コリメータレンズ２１４１、平行平板２１４２、パワーメータ２１４３及びガルバノスキャナ２１４４の少なくとも一つを備えていなくてもよい。ガルバノスキャナ２１４４は、フォーカス制御光学系２１４５及びガルバノミラー２１４６の少なくとも一つを備えていなくてもよい。

　光源４＃１から射出される加工光ＥＬ＃１は、コリメータレンズ２１４１に入射する。コリメータレンズ２１４１は、コリメータレンズ２１４１に入射した加工光ＥＬ＃１を平行光に変換する。尚、光源４＃１から射出される加工光ＥＬ＃１が平行光である（つまり、平行光である加工光ＥＬ＃１が第１光学系２１４に入射する）場合には、第１光学系２１４は、コリメータレンズ２１４１を備えていなくてもよい。コリメータレンズ２１４１が平行光に変換した加工光ＥＬ＃１は、平行平板２１４２に入射する。平行平板２１４２に入射した加工光ＥＬ＃１の一部は、平行平板２１４２を通過する。平行平板２１４２に入射した加工光ＥＬ＃１の他の一部は、平行平板２１４２によって反射される。

　平行平板２１４２を通過した加工光ＥＬ＃１は、ガルバノスキャナ２１４４に入射する。具体的には、平行平板２１４２を通過した加工光ＥＬ＃１は、ガルバノスキャナ２１４４のフォーカス制御光学系２１４５に入射する。

　フォーカス制御光学系２１４５は、加工光ＥＬ＃１の集光位置ＣＰ（以降、“集光位置ＣＰ＃１”と称する）を変更可能な光学部材である。具体的には、フォーカス制御光学系２１４５は、加工光ＥＬ＃１の集光位置ＣＰ＃１を、造形面ＭＳに照射される加工光ＥＬ＃１の照射方向に沿って変更可能である。図３に示す例では、造形面ＭＳに照射される加工光ＥＬ＃１の照射方向は、Ｚ軸方向が主成分となる方向である。この場合、フォーカス制御光学系２１４５は、加工光ＥＬ＃１の集光位置ＣＰ＃１をＺ軸方向に沿って変更可能である。また、照射光学系２１１がワークＷの上方から加工光ＥＬを造形面ＭＳに照射するがゆえに、加工光ＥＬ＃１の照射方向は、造形面ＭＳ（例えば、ワークＷ又は構造層ＳＬの表面）に交差する方向である。このため、フォーカス制御光学系２１４５は、加工光ＥＬ＃１の集光位置ＣＰ＃１を、造形面ＭＳ（例えば、ワークＷ又は構造層ＳＬの表面）に交差する方向に沿って変更可能であるとみなしてもよい。フォーカス光学系２１４５は、加工光ＥＬ＃１の集光位置ＣＰ＃１を、照射光学系２１１（典型的には第３光学系２１６）の光軸ＡＸの方向に沿って変更可能であるとみなしてもよい。

　尚、加工光ＥＬ＃１の照射方向は、第３光学系２１６から射出される加工光ＥＬ＃１の照射方向を意味していてもよい。この場合、加工光ＥＬ＃１の照射方向は、第３光学系２１６の光軸に沿った方向と同一であってもよい。加工光ＥＬ＃１の照射方向は、第３光学系２１６を構成する光学部材のうち最も造形面ＭＳ側に配置される最終光学部材の光軸に沿った方向と同一であってもよい。最終光学部材は、後述するｆθレンズ２１６２であってもよい。また、後述するｆθレンズ２１６２が複数の光学部材で構成される場合、最終光学部材は、ｆθレンズ２１６２を構成する複数の光学部材のうち最も造形面ＭＳ側に配置される光学部材であってもよい。

　フォーカス制御光学系２１４５は、例えば、加工光ＥＬ＃１の照射方向に沿って並ぶ複数枚のレンズを含んでいてもよい。この場合、フォーカス制御光学系２１４５は、複数枚のレンズのうちの少なくとも一つをその光軸方向に沿って移動させることで、加工光ＥＬ＃１の集光位置ＣＰ＃１を変更してもよい。

　フォーカス制御光学系２１４５が加工光ＥＬ＃１の集光位置ＣＰ＃１を変更すると、加工光ＥＬ＃１の集光位置ＣＰ＃１と造形面ＭＳとの間の位置関係が変わる。特に、加工光ＥＬ＃１の照射方向における加工光ＥＬ＃１の集光位置ＣＰ＃１と造形面ＭＳとの間の位置関係が変わる。このため、フォーカス制御光学系２１４５は、フォーカス制御光学系２１４５が加工光ＥＬ＃１の集光位置ＣＰ＃１を変更することで、加工光ＥＬ＃１の集光位置ＣＰ＃１と造形面ＭＳとの間の位置関係を変更しているとみなしてもよい。

　尚、上述したように、ガルバノスキャナ２１４４は、フォーカス制御光学系２１４５を備えていなくてもよい。この場合であっても、加工光ＥＬ＃１の照射方向における照射光学系２１１と造形面ＭＳとの位置関係が変わると、加工光ＥＬ＃１の照射方向における加工光ＥＬ＃１の集光位置ＣＰ＃１と造形面ＭＳとの間の位置関係が変わる。このため、ガルバノスキャナ２１４４がフォーカス制御光学系２１４５を備えていない場合であっても、加工システムＳＹＳは、加工光ＥＬ＃１の照射方向における加工光ＥＬ＃１の集光位置ＣＰ＃１と造形面ＭＳとの間の位置関係を変更することができる。例えば、加工システムＳＹＳは、ヘッド駆動系２２を用いて、加工光ＥＬ＃１の照射方向に沿って加工ヘッド２１を移動させることで、加工光ＥＬ＃１の照射方向における加工光ＥＬ＃１の集光位置ＣＰ＃１と造形面ＭＳとの間の位置関係を変更してもよい。例えば、加工システムＳＹＳは、ステージ駆動系３２を用いて、加工光ＥＬ＃１の照射方向に沿ってステージ３１を移動させることで、加工光ＥＬ＃１の照射方向における加工光ＥＬ＃１の集光位置ＣＰ＃１と造形面ＭＳとの間の位置関係を変更してもよい。

　フォーカス制御光学系２１４５から射出された加工光ＥＬ＃１は、ガルバノミラー２１４６に入射する。ガルバノミラー２１４６は、加工光ＥＬ＃１を偏向することで、ガルバノミラー２１４６から射出される加工光ＥＬ＃１の射出方向を変更する。このため、ガルバノミラー２１４６は、偏向光学系と称されてもよい。ガルバノミラー２１４６から射出される加工光ＥＬ＃１の射出方向が変更されると、加工ヘッド２１から加工光ＥＬ＃１が射出される位置が変更される。加工ヘッド２１から加工光ＥＬ＃１が射出される位置が変更されると、造形面ＭＳ上において加工光ＥＬ＃１が照射される目標照射領域ＥＡ＃１が移動する。つまり、造形面ＭＳ上において加工光ＥＬ＃１が照射される照射位置が移動する。このため、ガルバノミラー２１４６は、造形面ＭＳ上での加工光ＥＬ＃１の照射位置を造形面ＭＳ上で移動させることが可能な照射位置移動装置として機能しているとみなしてもよい。

　特に、ガルバノミラー２１４６から射出される加工光ＥＬ＃１の射出方向が変更されると、ガルバノミラー２１４６を備える加工ヘッド２１に対する加工光ＥＬ＃１の照射位置が変更される。このため、ガルバノミラー２１４６は、加工ヘッド２１に対する加工光ＥＬ＃１の照射位置を変更可能な位置変更装置として機能しているとみなしてもよい。

　ガルバノミラー２１４６は、例えば、Ｘ走査ミラー２１４６ＭＸと、Ｘ走査モータ２１４６ＡＸと、Ｙ走査ミラー２１４６ＭＹと、Ｙ走査モータ２１４６ＡＹとを含む。フォーカス制御光学系２１４５から射出された加工光ＥＬ＃１は、Ｘ走査ミラー２１４６ＭＸに入射する。Ｘ走査ミラー２１４６ＭＸは、Ｘ走査ミラー２１４６ＭＸに入射した加工光ＥＬ＃１を、Ｙ走査ミラー２１４６ＭＹに向けて反射する。Ｙ走査ミラー２１４６ＭＹは、Ｙ走査ミラー２１４６ＭＹに入射した加工光ＥＬ＃１を、第３光学系２１６に向けて反射する。尚、Ｘ走査ミラー２１４６ＭＸ及びＹ走査ミラー２１４６ＭＹのそれぞれが、ガルバノミラーと称されてもよい。

　Ｘ走査モータ２１４６ＡＸは、Ｘ走査ミラー２１４６ＭＸを、Ｙ軸に沿った回転軸周りに揺動又は回転させる。その結果、Ｘ走査ミラー２１４６ＭＸに入射する加工光ＥＬ＃１の光路に対するＸ走査ミラー２１４６ＭＸの角度が変更される。この場合、Ｘ走査ミラー２１４６ＭＸの揺動又は回転により、加工光ＥＬ＃１は、造形面ＭＳをＸ軸方向に沿って走査する。つまり、目標照射領域ＥＡ＃１（つまり、加工光ＥＬ＃１の照射位置）は、造形面ＭＳ上をＸ軸方向に沿って移動する。

　Ｙ走査モータ２１４６ＡＹは、Ｙ走査ミラー２１４６ＭＹを、Ｘ軸に沿った回転軸周りに揺動又は回転させる。その結果、Ｙ走査ミラー２１４６ＭＹに入射する加工光ＥＬ＃１の光路に対するＹ走査ミラー２１４６ＭＹの角度が変更される。この場合、Ｙ走査ミラー２１４６ＭＹの揺動又は回転により、加工光ＥＬ＃１は、造形面ＭＳをＹ軸方向に沿って走査する。つまり、目標照射領域ＥＡ＃１（つまり、加工光ＥＬ＃１の照射位置）は、造形面ＭＳ上をＹ軸方向に沿って移動する。

　本実施形態では、ガルバノミラー２１４６が造形面ＭＳ上で目標照射領域ＥＡ＃１を移動させる仮想的な領域を、加工単位領域ＢＳＡ（特に、加工単位領域ＢＳＡ＃１）と称する。この場合、目標照射領域ＥＡ＃１は、造形面ＭＳのうち加工単位領域ＢＳＡ＃１と重複する面上を移動するとみなしてもよい。具体的には、照射光学系２１１と造形面ＭＳとの位置関係を固定した状態で（つまり、変更することなく）ガルバノミラー２１４６が造形面ＭＳ上で目標照射領域ＥＡ＃１を移動させる仮想的な領域を、加工単位領域ＢＳＡ（特に、加工単位領域ＢＳＡ＃１）と称する。加工単位領域ＢＳＡ＃１は、照射光学系２１１と造形面ＭＳとの位置関係を固定した状態で加工ヘッド２１が加工光ＥＬ＃１を用いて実際に付加加工を行う仮想的な領域（言い換えれば、範囲）を示す。加工単位領域ＢＳＡ＃１は、照射光学系２１１と造形面ＭＳとの位置関係を固定した状態で加工ヘッド２１が加工光ＥＬ＃１で実際に走査する仮想的な領域（言い換えれば、範囲）を示す。加工単位領域ＢＳＡ＃１は、照射光学系２１１と造形面ＭＳとの位置関係を固定した状態で目標照射領域ＥＡ＃１が実際に移動する領域（言い換えれば、範囲）を示す。このため、加工単位領域ＢＳＡ＃１は、加工ヘッド２１（特に、照射光学系２１１）を基準に定まる仮想的な領域であるとみなしてもよい。つまり、加工単位領域ＢＳＡ＃１は、造形面ＭＳ上において、加工ヘッド２１（特に、照射光学系２１１）を基準に定まる位置に位置する仮想的な領域であるとみなしてもよい。尚、照射光学系２１１と造形面ＭＳとの位置関係を固定した状態でガルバノミラー２１４６が造形面ＭＳ上で目標照射領域ＥＡ＃１を移動することが可能な最大領域を、加工単位領域ＢＳＡ＃１と称してもよい。

　この場合、加工システムＳＹＳは、ガルバノミラー２１４６を用いて、加工単位領域ＢＳＡ＃１内において目標照射領域ＥＡ＃１を移動させることができる。このため、ガルバノミラー２１４６を用いて加工光ＥＬ＃１を偏向する動作は、加工単位領域ＢＳＡ＃１内において目標照射領域ＥＡ＃１を移動させる動作と等価であるとみなしてもよい。更に、目標照射領域ＥＡ＃１に加工光ＥＬ＃１が照射されることで、溶融池ＭＰ＃１が形成されることは、上述したとおりである。この場合、加工システムＳＹＳは、ガルバノミラー２１４６を用いて、加工単位領域ＢＳＡ＃１内において溶融池ＭＰ＃１を移動させているとみなしてもよい。このため、ガルバノミラー２１４６を用いて加工光ＥＬ＃１を偏向する動作は、加工単位領域ＢＳＡ＃１内において溶融池ＭＰ＃１を移動させる動作と等価であるとみなしてもよい。つまり、加工単位領域ＢＳＡ＃１内において目標照射領域ＥＡ＃１を移動させる動作は、加工単位領域ＢＳＡ＃１内において溶融池ＭＰ＃１を移動させる動作と等価であるとみなしてもよい。

　尚、上述したように、加工ヘッド２１及びステージ３１の少なくとも一方が移動しても、目標照射領域ＥＡ＃１が造形面ＭＳ上において移動する。しかしながら、加工ヘッド２１及びステージ３１の少なくとも一方が移動する場合には、ガルバノミラー２１４６と造形面ＭＳとの相対的な位置関係が変わる。その結果、加工ヘッド２１を基準に定まる加工単位領域ＢＳＡ＃１（つまり、ガルバノミラー２１４６が造形面ＭＳ上で目標照射領域ＥＡ＃１を移動させる加工単位領域ＢＳＡ＃１）が造形面ＭＳ上で移動する。このため、本実施形態では、加工ヘッド２１及びステージ３１の少なくとも一方を移動させる動作は、造形面ＭＳに対して加工単位領域ＢＳＡ＃１を移動させる動作と等価であるとみなしてもよい。

　加工単位領域ＢＳＡ＃１内において目標照射領域ＥＡ＃１を移動させる動作の一例として、図４（ａ）に示すように、ガルバノミラー２１４６は、加工単位領域ＢＳＡ＃１が造形面ＭＳ上で静止している（つまり、移動していない）と仮定した状況下において、加工単位領域ＢＳＡ＃１内において、目標照射領域ＥＡ＃１が、造形面ＭＳに沿った単一の走査方向に沿って移動するように、加工光ＥＬ＃１を偏向してもよい。つまり、ガルバノミラー２１４６は、加工単位領域ＢＳＡ＃１を基準に定まる座標系内において、目標照射領域ＥＡ＃１が単一の走査方向に沿って移動するように、加工光ＥＬ＃１を偏向してもよい。特に、ガルバノミラー２１４６は、加工単位領域ＢＳＡ＃１内において目標照射領域ＥＡ＃１が単一の走査方向に沿って周期的に往復移動するように、加工光ＥＬ＃１を偏向してもよい。つまり、ガルバノミラー２１４６は、加工単位領域ＢＳＡ＃１内において目標照射領域ＥＡ＃１が単一の走査方向に沿った軸上で周期的に往復移動するように、加工光ＥＬ＃１を偏向してもよい。この場合、目標照射領域ＥＡ＃１が移動する加工単位領域ＢＳＡ＃１の形状は、目標照射領域ＥＡ＃１の移動方向が長手方向となる矩形の形状となっていてもよい。

　加工単位領域ＢＳＡ＃１内において溶融池ＭＰ＃１を移動させる動作の他の一例として、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、ガルバノミラー２１４６は、加工単位領域ＢＳＡ＃１が造形面ＭＳ上で静止している（つまり、移動していない）と仮定した状況下において、加工単位領域ＢＳＡ＃１内において、目標照射領域ＥＡ＃１が、造形面ＭＳに沿った複数の走査方向に沿って移動するように、加工光ＥＬ＃１を偏向してもよい。つまり、ガルバノミラー２１４６は、加工単位領域ＢＳＡ＃１を基準に定まる座標系内において、目標照射領域ＥＡ＃１が複数の走査方向に沿って移動するように、加工光ＥＬ＃１を偏向してもよい。特に、ガルバノミラー２１４６は、加工単位領域ＢＳＡ＃１内において目標照射領域ＥＡ＃１が複数の走査方向のそれぞれに沿って周期的に往復移動するように、加工光ＥＬ＃１を偏向してもよい。つまり、ガルバノミラー２１４６は、加工単位領域ＢＳＡ＃１内において目標照射領域ＥＡ＃１が複数の走査方向のそれぞれに沿った軸上で周期的に往復移動するように、加工光ＥＬ＃１を偏向してもよい。図５（ａ）は、加工単位領域ＢＳＡ＃１内における目標照射領域ＥＡ＃１の移動軌跡が円形となるように、加工単位領域ＢＳＡ＃１内において目標照射領域ＥＡ＃１がＸ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに沿って往復移動する例を示している。この場合、目標照射領域ＥＡ＃１が移動する加工単位領域ＢＳＡ＃１の形状は、円形となっていてもよい。図５（ｂ）は、加工単位領域ＢＳＡ＃１内における目標照射領域ＥＡ＃１の移動軌跡が網目状の形状となるように、加工単位領域ＢＳＡ＃１内において目標照射領域ＥＡ＃１がＸ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに沿って往復移動する例を示している。この場合、目標照射領域ＥＡ＃１が移動する加工単位領域ＢＳＡ＃１の形状は、矩形となっていてもよい。

　尚、図４（ａ）、図５（ａ）及び図５（ｂ）のそれぞれに示すように造形面ＭＳ上で目標照射領域ＥＡ＃１を周期的に移動させる動作を、ウォブリング動作と称してもよい。言い換えれば、造形面ＭＳ上で目標照射領域ＥＡ＃１が周期的に移動するように加工光ＥＬ＃１を周期的に移動させる（言い換えれば、偏向する）動作を、ウォブリング動作と称してもよい。

　制御ユニット７は、ガルバノミラー２１４６を用いて加工単位領域ＢＳＡ＃１内において目標照射領域ＥＡ＃１を移動させている期間中に、造形面ＭＳ上を加工単位領域ＢＳＡ＃１が移動するように、加工ヘッド２１及びステージ３１の少なくとも一方を移動させてもよい。つまり、制御ユニット７は、ガルバノミラー２１４６を用いて加工単位領域ＢＳＡ＃１内において目標照射領域ＥＡ＃１を移動させている期間中に、造形面ＭＳ上を加工単位領域ＢＳＡ＃１が移動するように、ヘッド駆動系２２及びステージ駆動系３２の少なくとも一方を制御してもよい。

　例えば、図４（ａ）に示す例において、制御ユニット７は、加工単位領域ＢＳＡ＃１内での目標照射領域ＥＡ＃１の移動方向（つまり、走査方向）と交差する（場合によっては、直交する）目標移動軌跡ＭＴ０に沿って、加工単位領域ＢＳＡ＃１が移動するように、ヘッド駆動系２２及びステージ駆動系３２の少なくとも一方を制御してもよい。逆に言えば、制御ユニット７は、造形面ＭＳ上での加工単位領域ＢＳＡ＃１の目標移動軌跡ＭＴ０と交差する（場合によっては、直交する）走査方向に沿って、目標照射領域ＥＡ＃１が周期的に移動するように、ガルバノミラー２１４６を制御してもよい。その結果、造形面ＭＳ上において、目標照射領域ＥＡ＃１は、図４（ｂ）に示す移動軌跡ＭＴ＃１に沿って移動してもよい。具体的には、目標照射領域ＥＡ＃１は、加工単位領域ＢＳＡ＃１の目標移動軌跡ＭＴ０に沿って移動しながら、目標移動軌跡ＭＴ０に交差する走査方向に沿って移動してもよい。つまり、目標照射領域ＥＡ＃１は、目標移動軌跡ＭＴ０を中心に振動する波形状（例えば、正弦波形状）の移動軌跡ＭＴ＃１に沿って移動してもよい。

　例えば、図５（ａ）又は図５（ｂ）に示す例において、制御ユニット７は、加工単位領域ＢＳＡ＃１内での目標照射領域ＥＡ＃１の移動方向（つまり、走査方向）に沿った方向及び加工単位領域ＢＳＡ＃１内での目標照射領域ＥＡ＃１の移動方向に交差する（場合によっては、直交する）方向の少なくとも一つに沿って延びる目標移動軌跡ＭＴ０に沿って、加工単位領域ＢＳＡ＃１が移動するように、ヘッド駆動系２２及びステージ駆動系３２の少なくとも一方を制御してもよい。逆に言えば、制御ユニット７は、造形面ＭＳ上での加工単位領域ＢＳＡ＃１の目標移動軌跡ＭＴ０に沿った走査方向及び目標移動軌跡ＭＴ０に交差する（場合によっては、直交する）走査方向のそれぞれに沿って、目標照射領域ＥＡ＃１が周期的に移動するように、ガルバノミラー２１４６を制御してもよい。尚、図５（ｃ）は、図５（ａ）に示す加工単位領域ＢＳＡ＃１が造形面ＭＳ上を目標移動軌跡ＭＴ０に沿って移動した場合の、造形面ＭＳ上での目標照射領域ＥＡ＃１の移動軌跡ＭＴ＃１を示している。

　加工単位領域ＢＳＡ＃１の単位で加工光ＥＬ＃１が造形面ＭＳに照射される場合には、加工単位領域ＢＳＡ＃１の少なくとも一部に溶融池ＭＰ＃１が形成される。その結果、加工単位領域ＢＳＡ＃１内に造形物が造形される。ここで、上述したように、加工単位領域ＢＳＡ＃１は、造形面ＭＳ上での加工単位領域ＢＳＡ＃１の移動方向（具体的には、目標移動軌跡ＭＴ０が延びる方向）と交差する方向に幅を有する領域である。この場合、加工単位領域ＢＳＡ＃１の目標移動軌跡ＭＴ０に交差する方向に沿って幅を有する造形物が造形面ＭＳ上に造形される。例えば、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示す例では、Ｘ軸方向に沿って幅を有すると共にＹ軸方向に沿って延びる造形物が造形される。例えば、図５（ａ）及び図５（ｃ）に示す例では、Ｘ軸方向に沿って幅を有すると共にＹ軸方向に沿って延びる造形物が造形される。

　加工単位領域ＢＳＡ＃１の単位で加工光ＥＬ＃１が造形面ＭＳに照射される場合には、ガルバノミラー２１４６によって加工単位領域ＢＳＡ＃１が加工光ＥＬ＃１で走査される。このため、ガルバノミラー２１４６を用いることなく加工光ＥＬ＃１が造形面ＭＳに照射される場合と比較して、加工光ＥＬ＃１から加工単位領域ＢＳＡ＃１に伝達されるエネルギ量の大きさが、加工単位領域ＢＳＡ＃１内においてばらつく可能性が低くなる。つまり、加工光ＥＬ＃１から加工単位領域ＢＳＡ＃１に伝達されるエネルギ量の分布の均一化を図ることができる。その結果、加工システムＳＹＳは、造形面ＭＳに造形物を相対的に高い造形精度で造形することができる。

　但し、加工システムＳＹＳは、加工単位領域ＢＳＡ＃１の単位で加工光ＥＬ＃１を造形面ＭＳに照射しなくてもよい。加工システムＳＹＳは、ガルバノミラー２１４６を用いることなく、加工光ＥＬ＃１を造形面ＭＳに照射してもよい。この場合、目標照射領域ＥＡ＃１は、加工ヘッド２１及びステージ３１の少なくとも一方の移動に伴って、造形面ＭＳ上を移動してもよい。

　再び図３において、平行平板２１４２によって反射された加工光ＥＬ＃１は、パワーメータ２１４３に入射する。パワーメータ２１４３は、パワーメータ２１４３に入射した加工光ＥＬ＃１の強度を検出可能である。例えば、パワーメータ２１４３は、加工光ＥＬ＃１を光として検出する受光素子を含んでいてもよい。或いは、加工光ＥＬ＃１の強度が高くなるほど、加工光ＥＬ＃１が生成するエネルギ量が多くなる。その結果、加工光ＥＬ＃１が発生する熱量が多くなる。このため、パワーメータ２１４３は、加工光ＥＬ＃１を熱として検出することで、加工光ＥＬ＃１の強度を検出してもよい。この場合、パワーメータ２１４３は、加工光ＥＬ＃１の熱を検出する熱検出素子を含んでいてもよい。

　上述したように、パワーメータ２１４３には、平行平板２１４２によって反射された加工光ＥＬ＃１が入射する。このため、パワーメータ２１４３は、平行平板２１４２によって反射された加工光ＥＬ＃１の強度を検出する。平行平板２１４２が光源４＃１とガルバノミラー２１４６との間における加工光ＥＬ＃１の光路上に配置されているがゆえに、パワーメータ２１４３は、光源４＃１とガルバノミラー２１４６との間における光路を進行する加工光ＥＬ＃１の強度を検出しているとみなしてもよい。この場合、パワーメータ２１４３は、ガルバノミラー２１４６による加工光ＥＬ＃１の偏向の影響を受けることなく、加工光ＥＬ＃１の強度を安定的に検出することができる。但し、パワーメータ２１４３の配置位置が、図３に示す例に限定されることはない。例えば、パワーメータ２１４３は、ガルバノミラー２１４６と造形面ＭＳとの間における光路を進行する加工光ＥＬ＃１の強度を検出してもよい。パワーメータ２１４３は、ガルバノミラー２１４６内における光路を進行する加工光ＥＬ＃１の強度を検出してもよい。

　パワーメータ２１４３の検出結果は、制御ユニット７に出力される。制御ユニット７は、パワーメータ２１４３の検出結果（つまり、加工光ＥＬ＃１の強度の検出結果）に基づいて、加工光ＥＬ＃１の強度を制御（言い換えれば、変更）してもよい。例えば、制御ユニット７は、造形面ＭＳにおける加工光ＥＬ＃１の強度が所望強度となるように、加工光ＥＬ＃１の強度を制御してもよい。加工光ＥＬ＃１の強度を制御するために、例えば、制御ユニット７は、パワーメータ２１４３の検出結果に基づいて、光源４＃１から射出される加工光ＥＬ＃１の強度を変更するように、光源４＃１を制御してもよい。その結果、加工システムＳＹＳは、適切な強度を有する加工光ＥＬ＃１を造形面ＭＳに照射することで、造形面ＭＳに造形物を適切に造形することができる。

　上述したように、加工光ＥＬ＃１は、造形材料Ｍを溶融させることが可能な強度を有している。このため、パワーメータ２１４３に入射する加工光ＥＬ＃１が、造形材料Ｍを溶融させることが可能な強度を有する可能性がある。しかしながら、造形材料Ｍを溶融させることが可能な強度を有する加工光ＥＬ＃１がパワーメータ２１４３に入射すると、パワーメータ２１４３が加工光ＥＬ＃１によって損傷する可能性がある。このため、パワーメータ２１４３には、パワーメータ２１４３を損傷させるほどには高くない強度を有する加工光ＥＬ＃１が入射してもよい。言い換えれば、第１光学系２１４は、パワーメータ２１４３を損傷させるほどには高くない強度を有する加工光ＥＬ＃１がパワーメータ２１４３に入射するように、パワーメータ２１４３に入射する加工光ＥＬ＃１の強度を弱めてもよい。

　例えば、パワーメータ２１４３に入射する加工光ＥＬ＃１の強度を弱めるために、加工光ＥＬ＃１に対する平行平板２１４２の反射率が適切な値に設定されていてもよい。具体的には、加工光ＥＬ＃１に対する平行平板２１４２の反射率が低くなればなるほど、パワーメータ２１４３に入射する加工光ＥＬ＃１の強度が低くなる。このため、平行平板２１４２の反射率は、パワーメータ２１４３を損傷させるほどには高くない強度を有する加工光ＥＬ＃１がパワーメータ２１４３に入射する状態を実現することが可能な程度に低い値に設定されていてもよい。例えば、平行平板２１４２の反射率は、１０％未満であってもよい。例えば、平行平板２１４２の反射率は、数％未満であってもよい。このような反射率が低い平行平板２１４２として、素ガラスが用いられてもよい。

　例えば、パワーメータ２１４３に入射する加工光ＥＬ＃１の強度を弱めるために、第１光学系２１４は、複数の平行平板２１４２を介して、加工光ＥＬ＃１をパワーメータ２１４３に入射させてもよい。具体的には、複数の平行平板２１４２によってそれぞれ複数回反射された加工光ＥＬ＃１が、パワーメータ２１４３に入射してもよい。この場合、複数の平行平板２１４２によってそれぞれ複数回反射された加工光ＥＬ＃１の強度は、一枚の平行平板２１４２によって一回反射された加工光ＥＬ＃１の強度よりも弱くなる。このため、パワーメータ２１４３を損傷させるほどには高くない強度を有する加工光ＥＬ＃１がパワーメータ２１４３に入射する可能性が高くなる。

　平行平板２１４２の表面（特に、加工光ＥＬ＃１が入射する入射面及び加工光ＥＬ＃１が反射される反射面の少なくとも一つ）には、所望のコーティング処理が施されていてもよい。例えば、平行平板２１４２の表面には、反射防止コーティング処理（ＡＲ：Ａｎｔｉ　Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ　Ｃｏａｔｉｎｇ）が施されていてもよい。

　第２光学系２１５は、コリメータレンズ２１５１と、平行平板２１５２と、パワーメータ２１５３と、ガルバノスキャナ２１５４とを備える。ガルバノスキャナ２１５４は、フォーカス制御光学系２１５５と、ガルバノミラー２１５６とを備える。但し、第２光学系２１５は、コリメータレンズ２１５１、平行平板２１５２、パワーメータ２１５３及びガルバノスキャナ２１５４の少なくとも一つを備えていなくてもよい。ガルバノスキャナ２１５４は、フォーカス制御光学系２１５５及びガルバノミラー２１５６の少なくとも一つを備えていなくてもよい。

　光源４＃２から射出される加工光ＥＬ＃２は、コリメータレンズ２１５１に入射する。コリメータレンズ２１５１は、コリメータレンズ２１５１に入射した加工光ＥＬ＃２を平行光に変換する。尚、光源４＃２から射出される加工光ＥＬ＃２が平行光である（つまり、平行光である加工光ＥＬ＃２が第２光学系２１５に入射する）場合には、第２光学系２１５は、コリメータレンズ２１５１を備えていなくてもよい。コリメータレンズ２１５１が平行光に変換した加工光ＥＬ＃２は、平行平板２１５２に入射する。平行平板２１５２に入射した加工光ＥＬ＃２の一部は、平行平板２１５２を通過する。平行平板２１５２に入射した加工光ＥＬ＃２の他の一部は、平行平板２１５２によって反射される。

　平行平板２１５２を通過した加工光ＥＬ＃２は、ガルバノスキャナ２１５４に入射する。具体的には、平行平板２１５２を通過した加工光ＥＬ＃２は、ガルバノスキャナ２１５４のフォーカス制御光学系２１５５に入射する。

　フォーカス制御光学系２１５５は、加工光ＥＬ＃２の集光位置ＣＰ（以降、“集光位置ＣＰ＃２”と称する）を変更可能な光学部材である。具体的には、フォーカス制御光学系２１５５は、加工光ＥＬ＃２の集光位置ＣＰ＃２を、造形面ＭＳに照射される加工光ＥＬ＃２の照射方向に沿って変更可能である。図３に示す例では、造形面ＭＳに照射される加工光ＥＬ＃２の照射方向は、Ｚ軸方向が主成分となる方向である。この場合、フォーカス制御光学系２１５５は、加工光ＥＬ＃２の集光位置ＣＰ＃２をＺ軸方向に沿って変更可能である。また、照射光学系２１１がワークＷの上方から加工光ＥＬを造形面ＭＳに照射するがゆえに、加工光ＥＬ＃２の照射方向は、造形面ＭＳ（例えば、ワークＷ又は構造層ＳＬの表面）に交差する方向である。このため、フォーカス制御光学系２１５５は、加工光ＥＬ＃２の集光位置ＣＰ＃２を、造形面ＭＳ（例えば、ワークＷ又は構造層ＳＬの表面）に交差する方向に沿って変更可能であるとみなしてもよい。フォーカス光学系２１５５は、加工光ＥＬ＃２の集光位置ＣＰ＃２を、照射光学系２１１（典型的には第３光学系２１６）の光軸ＡＸの方向に沿って変更可能であるとみなしてもよい。

　尚、加工光ＥＬ＃２の照射方向は、第３光学系２１６から射出される加工光ＥＬ＃２の照射方向を意味していてもよい。この場合、加工光ＥＬ＃２の照射方向は、第３光学系２１６の光軸に沿った方向と同一であってもよい。加工光ＥＬ＃２の照射方向は、第３光学系２１６を構成する光学部材のうち最も造形面ＭＳ側に配置される最終光学部材の光軸に沿った方向と同一であってもよい。最終光学部材は、後述するｆθレンズ２１６２であってもよい。また、後述するｆθレンズ２１６２が複数の光学部材で構成される場合、最終光学部材は、ｆθレンズ２１６２を構成する複数の光学部材のうち最も造形面ＭＳ側に配置される光学部材であってもよい。

　フォーカス制御光学系２１５５は、例えば、加工光ＥＬ＃２の照射方向に沿って並ぶ複数枚のレンズを含んでいてもよい。この場合、フォーカス制御光学系２１５５は、複数枚のレンズのうちの少なくとも一つをその光軸方向に沿って移動させることで、加工光ＥＬ＃２の集光位置ＣＰを変更してもよい。

　フォーカス制御光学系２１５５が加工光ＥＬ＃２の集光位置ＣＰ＃２を変更すると、加工光ＥＬ＃２の集光位置ＣＰ＃２と造形面ＭＳとの間の位置関係が変わる。特に、加工光ＥＬ＃２の照射方向における加工光ＥＬ＃２の集光位置ＣＰ＃２と造形面ＭＳとの間の位置関係が変わる。このため、フォーカス制御光学系２１５５は、フォーカス制御光学系２１５５が加工光ＥＬ＃２の集光位置ＣＰ＃２を変更することで、加工光ＥＬ＃２の集光位置ＣＰ＃２と造形面ＭＳとの間の位置関係を変更しているとみなしてもよい。

　尚、上述したように、ガルバノスキャナ２１５４は、フォーカス制御光学系２１５５を備えていなくてもよい。この場合であっても、加工光ＥＬ＃２の照射方向における照射光学系２１１と造形面ＭＳとの位置関係が変わると、加工光ＥＬ＃２の照射方向における加工光ＥＬ＃２の集光位置ＣＰ＃２と造形面ＭＳとの間の位置関係が変わる。このため、ガルバノスキャナ２１５４がフォーカス制御光学系２１５５を備えていない場合であっても、加工システムＳＹＳは、加工光ＥＬ＃２の照射方向における加工光ＥＬ＃２の集光位置ＣＰ＃２と造形面ＭＳとの間の位置関係を変更することができる。例えば、加工システムＳＹＳは、ヘッド駆動系２２を用いて、加工光ＥＬ＃２の照射方向に沿って加工ヘッド２１を移動させることで、加工光ＥＬ＃２の照射方向における加工光ＥＬ＃２の集光位置ＣＰ＃２と造形面ＭＳとの間の位置関係を変更してもよい。例えば、加工システムＳＹＳは、ステージ駆動系３２を用いて、加工光ＥＬ＃２の照射方向に沿ってステージ３１を移動させることで、加工光ＥＬ＃２の照射方向における加工光ＥＬ＃２の集光位置ＣＰ＃２と造形面ＭＳとの間の位置関係を変更してもよい。

　フォーカス制御光学系２１５５から射出された加工光ＥＬ＃２は、ガルバノミラー２１５６に入射する。ガルバノミラー２１５６は、加工光ＥＬ＃２を偏向することで、ガルバノミラー２１５６から射出される加工光ＥＬ＃２の射出方向を変更する。このため、ガルバノミラー２１５６は、偏向光学系と称されてもよい。ガルバノミラー２１５６から射出される加工光ＥＬ＃２の射出方向が変更されると、加工ヘッド２１から加工光ＥＬ＃２が射出される位置が変更される。加工ヘッド２１から加工光ＥＬ＃２が射出される位置が変更されると、造形面ＭＳ上において加工光ＥＬ＃２が照射される目標照射領域ＥＡ＃２が移動する。つまり、造形面ＭＳ上において加工光ＥＬ＃２が照射される照射位置が移動する。このため、ガルバノミラー２１５６は、造形面ＭＳ上での加工光ＥＬ＃２の照射位置を造形面ＭＳ上で移動させることが可能な照射位置移動装置として機能しているとみなしてもよい。

　特に、ガルバノミラー２１５６から射出される加工光ＥＬ＃２の射出方向が変更されると、ガルバノミラー２１５６を備える加工ヘッド２１に対する加工光ＥＬ＃２の照射位置が変更される。このため、ガルバノミラー２１５６は、加工ヘッド２１に対する加工光ＥＬ＃２の照射位置が変更可能な位置変更装置として機能しているとみなしてもよい。

　ガルバノミラー２１５６は、例えば、Ｘ走査ミラー２１５６ＭＸと、Ｘ走査モータ２１５６ＡＸと、Ｙ走査ミラー２１５６ＭＹと、Ｙ走査モータ２１５６ＡＹとを含む。フォーカス制御光学系２１５５から射出された加工光ＥＬ＃２は、Ｘ走査ミラー２１５６ＭＸに入射する。Ｘ走査ミラー２１５６ＭＸは、Ｘ走査ミラー２１５６ＭＸに入射した加工光ＥＬ＃２を、Ｙ走査ミラー２１５６ＭＹに向けて反射する。Ｙ走査ミラー２１５６ＭＹは、Ｙ走査ミラー２１５６ＭＹに入射した加工光ＥＬ＃２を、第３光学系２１６に向けて反射する。尚、Ｘ走査ミラー２１５６ＭＸ及びＹ走査ミラー２１５６ＭＹのそれぞれが、ガルバノミラーと称されてもよい。

　Ｘ走査モータ２１５６ＡＸは、Ｘ走査ミラー２１５６ＭＸを、Ｙ軸に沿った回転軸周りに揺動又は回転させる。その結果、Ｘ走査ミラー２１５６ＭＸに入射する加工光ＥＬ＃２の光路に対するＸ走査ミラー２１５６ＭＸの角度が変更される。この場合、Ｘ走査ミラー２１５６ＭＸの揺動又は回転により、加工光ＥＬ＃２は、造形面ＭＳをＸ軸方向に沿って走査する。つまり、目標照射領域ＥＡ＃２（つまり、加工光ＥＬ＃２の照射位置）は、造形面ＭＳ上をＸ軸方向に沿って移動する。

　Ｙ走査モータ２１５６ＡＹは、Ｙ走査ミラー２１５６ＭＹを、Ｘ軸に沿った回転軸周りに揺動又は回転させる。その結果、Ｙ走査ミラー２１５６ＭＹに入射する加工光ＥＬ＃２の光路に対するＹ走査ミラー２１５６ＭＹの角度が変更される。この場合、Ｙ走査ミラー２１５６ＭＹの揺動又は回転により、加工光ＥＬ＃２は、造形面ＭＳをＹ軸方向に沿って走査する。つまり、目標照射領域ＥＡ＃２（つまり、加工光ＥＬ＃２の照射位置）は、造形面ＭＳ上をＹ軸方向に沿って移動する。

　本実施形態では、ガルバノミラー２１５６が造形面ＭＳ上で目標照射領域ＥＡ＃２を移動させる仮想的な領域を、加工単位領域ＢＳＡ（特に、加工単位領域ＢＳＡ＃２）と称する。この場合、目標照射領域ＥＡ＃２は、造形面ＭＳのうち加工単位領域ＢＳＡ＃２と重複する面（第１面）上を移動するとみなしてもよい。具体的には、照射光学系２１１と造形面ＭＳとの位置関係を固定した状態で（つまり、変更することなく）ガルバノミラー２１５６が造形面ＭＳ上で目標照射領域ＥＡ＃２を移動させる仮想的な領域を、加工単位領域ＢＳＡ（特に、加工単位領域ＢＳＡ＃２）と称する。加工単位領域ＢＳＡ＃２は、照射光学系２１１と造形面ＭＳとの位置関係を固定した状態で加工ヘッド２１が加工光ＥＬ＃２を用いて実際に付加加工を行う仮想的な領域（言い換えれば、範囲）を示す。加工単位領域ＢＳＡ＃２は、照射光学系２１１と造形面ＭＳとの位置関係を固定した状態で加工ヘッド２１が加工光ＥＬ＃２で実際に走査する仮想的な領域（言い換えれば、範囲）を示す。加工単位領域ＢＳＡ＃２は、照射光学系２１１と造形面ＭＳとの位置関係を固定した状態で目標照射領域ＥＡ＃２が実際に移動する領域（言い換えれば、範囲）を示す。このため、加工単位領域ＢＳＡ＃２は、加工ヘッド２１（特に、照射光学系２１１）を基準に定まる仮想的な領域であるとみなしてもよい。つまり、加工単位領域ＢＳＡ＃２は、造形面ＭＳ上において、加工ヘッド２１（特に、照射光学系２１１）を基準に定まる位置に位置する仮想的な領域であるとみなしてもよい。尚、照射光学系２１１と造形面ＭＳとの位置関係を固定した状態でガルバノミラー２１４６が造形面ＭＳ上で目標照射領域ＥＡ＃２を移動することが可能な最大領域を、加工単位領域ＢＳＡ＃２と称してもよい。

　この場合、加工システムＳＹＳは、ガルバノミラー２１５６を用いて、加工単位領域ＢＳＡ＃２内において目標照射領域ＥＡ＃２を移動させることができる。このため、ガルバノミラー２１５６を用いて加工光ＥＬ＃２を偏向する動作は、加工単位領域ＢＳＡ＃２内において目標照射領域ＥＡ＃２を移動させる動作と等価であるとみなしてもよい。更に、目標照射領域ＥＡ＃２に加工光ＥＬ＃２が照射されることで、溶融池ＭＰ＃２が形成されることは、上述したとおりである。この場合、加工システムＳＹＳは、ガルバノミラー２１５６を用いて、加工単位領域ＢＳＡ＃２内において溶融池ＭＰ＃２を移動させているとみなしてもよい。このため、ガルバノミラー２１５６を用いて加工光ＥＬ＃２を偏向する動作は、加工単位領域ＢＳＡ＃２内において溶融池ＭＰ＃２を移動させる動作と等価であるとみなしてもよい。つまり、加工単位領域ＢＳＡ＃２内において目標照射領域ＥＡ＃２を移動させる動作は、加工単位領域ＢＳＡ＃２内において溶融池ＭＰ＃２を移動させる動作と等価であるとみなしてもよい。

　尚、上述したように、加工ヘッド２１及びステージ３１の少なくとも一方が移動すると、目標照射領域ＥＡ＃２が造形面ＭＳ上において移動する。しかしながら、加工ヘッド２１及びステージ３１の少なくとも一方が移動する場合には、ガルバノミラー２１４６と造形面ＭＳとの相対的な位置関係が変わる。その結果、加工ヘッド２１を基準に定まる加工単位領域ＢＳＡ＃２（つまり、ガルバノミラー２１５６が造形面ＭＳ上で目標照射領域ＥＡ＃２を移動させる加工単位領域ＢＳＡ＃２）が造形面ＭＳ上で移動する。このため、本実施形態では、加工ヘッド２１及びステージ３１の少なくとも一方を移動させる動作は、造形面ＭＳに対して加工単位領域ＢＳＡ＃２を移動させる動作と等価であるとみなしてもよい。

　加工単位領域ＢＳＡ＃２の特徴（例えば、形状及び移動態様等）は、上述した加工単位領域ＢＳＡ＃１の特徴と同一であってもよい。加工単位領域ＢＳＡ＃２内での目標照射領域ＥＡ＃２の移動態様（例えば、移動軌跡等）は、上述した加工単位領域ＢＳＡ＃１内での目標照射領域ＥＡ＃１の移動態様と同一であってもよい。このため、加工単位領域ＢＳＡ＃２の特徴及び加工単位領域ＢＳＡ＃２内での目標照射領域ＥＡ＃２の移動態様（例えば、移動軌跡等）の詳細な説明は省略するが、以下のその一例について簡単に説明する。図４（ａ）に示すように、ガルバノミラー２１５６は、加工単位領域ＢＳＡ＃２が造形面ＭＳ上で静止している（つまり、移動していない）と仮定した状況下において、加工単位領域ＢＳＡ＃２内において、目標照射領域ＥＡ＃２が、造形面ＭＳに沿った単一の走査方向に沿って移動するように、加工光ＥＬ＃２を偏向してもよい。図４（ａ）に示す加工単位領域ＢＳＡ＃２が造形面ＭＳ上で目標移動軌跡ＭＴ０に沿って移動することで、造形面ＭＳ上において、目標照射領域ＥＡ＃２は、図４（ｂ）に示す移動軌跡ＭＴ＃２（例えば、目標移動軌跡ＭＴ０を中心に振動する波形状の移動軌跡ＭＴ＃２）に沿って移動してもよい。図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、ガルバノミラー２１５６は、加工単位領域ＢＳＡ＃２が造形面ＭＳ上で静止している（つまり、移動していない）と仮定した状況下において、加工単位領域ＢＳＡ＃２内において目標照射領域ＥＡ＃２が複数の走査方向に沿って移動するように、加工光ＥＬ＃２を偏向してもよい。

　尚、図４（ａ）、図５（ａ）及び図５（ｂ）のそれぞれに示すように造形面ＭＳ上で目標照射領域ＥＡ＃２を周期的に移動させる動作を、ウォブリング動作と称してもよい。言い換えれば、造形面ＭＳ上で目標照射領域ＥＡ＃２を周期的に移動させるように加工光ＥＬ＃２を周期的に移動させる（言い換えれば、偏向する）動作を、ウォブリング動作と称してもよい。

　典型的には、加工単位領域ＢＳＡ＃１と加工単位領域ＢＳＡ＃２とは一致している。つまり、加工単位領域ＢＳＡ＃１は、加工単位領域ＢＳＡ＃２と同一である。このため、ガルバノミラー２１５６は、加工単位領域ＢＳＡ＃１内で目標照射領域ＥＡ＃２が移動するように加工光ＥＬ＃２を偏向しているとみなしてもよい。ガルバノミラー２１４６は、加工単位領域ＢＳＡ＃２内で目標照射領域ＥＡ＃１が移動するように加工光ＥＬ＃１を偏向しているとみなしてもよい。但し、加工単位領域ＢＳＡ＃１と加工単位領域ＢＳＡ＃２とは、部分的に異なっていてもよい。

　加工単位領域ＢＳＡ＃２の単位で加工光ＥＬ＃２が造形面ＭＳに照射される場合には、加工単位領域ＢＳＡ＃２の少なくとも一部に溶融池ＭＰ＃２が形成される。その結果、加工単位領域ＢＳＡ＃２内に造形物が造形される。ここで、上述したように、加工単位領域ＢＳＡ＃２は、造形面ＭＳ上での加工単位領域ＢＳＡ＃２の移動方向（具体的には、目標移動軌跡ＭＴ０が延びる方向）と交差する方向に幅を有する領域である。この場合、加工単位領域ＢＳＡ＃２の目標移動軌跡ＭＴ０に交差する方向に沿って幅を有する造形物が造形面ＭＳ上に造形される。例えば、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示す例では、Ｘ軸方向に沿って幅を有すると共にＹ軸方向に沿って延びる造形物が造形される。例えば、図５（ａ）及び図５（ｃ）に示す例では、Ｘ軸方向に沿って幅を有すると共にＹ軸方向に沿って延びる造形物が造形される。

　加工単位領域ＢＳＡ＃２の単位で加工光ＥＬ＃２が造形面ＭＳに照射される場合には、ガルバノミラー２１５６によって加工単位領域ＢＳＡ＃２が加工光ＥＬ＃２で走査される。このため、ガルバノミラー２１５６を用いることなく加工光ＥＬ＃２が造形面ＭＳに照射される場合と比較して、加工光ＥＬ＃２から加工単位領域ＢＳＡ＃２に伝達されるエネルギ量の大きさが、加工単位領域ＢＳＡ＃２内においてばらつく可能性が低くなる。つまり、加工光ＥＬ＃２から加工単位領域ＢＳＡ＃２に伝達されるエネルギ量の均一化を図ることができる。その結果、加工システムＳＹＳは、造形面ＭＳに造形物を相対的に高い造形精度で造形することができる。

　但し、加工システムＳＹＳは、加工単位領域ＢＳＡ＃２の単位で加工光ＥＬ＃２を造形面ＭＳに照射しなくてもよい。加工システムＳＹＳは、ガルバノミラー２１５６を用いることなく、加工光ＥＬ＃２を造形面ＭＳに照射してもよい。この場合、目標照射領域ＥＡ＃２は、加工ヘッド２１及びステージ３１の少なくとも一方の移動に伴って、造形面ＭＳ上を移動してもよい。

　再び図３において、平行平板２１５２によって反射された加工光ＥＬ＃２は、パワーメータ２１５３に入射する。パワーメータ２１５３は、加工光ＥＬ＃２を制御するために用いられる電気部品の一具体例である。具体的には、パワーメータ２１５３は、パワーメータ２１５３に入射した加工光ＥＬ＃２の強度を検出可能である。例えば、パワーメータ２１５３は、加工光ＥＬ＃２を光として検出する受光素子を含んでいてもよい。或いは、加工光ＥＬ＃２の強度が高くなるほど、加工光ＥＬ＃２が生成するエネルギ量が多くなる。その結果、加工光ＥＬ＃２が発生する熱量が多くなる。このため、パワーメータ２１５３は、加工光ＥＬ＃２を熱として検出することで、加工光ＥＬ＃２の強度を検出してもよい。この場合、パワーメータ２１５３は、加工光ＥＬ＃２の熱を検出する熱検出素子を含んでいてもよい。

　上述したように、パワーメータ２１５３には、平行平板２１５２によって反射された加工光ＥＬ＃２が入射する。このため、パワーメータ２１５３は、平行平板２１５２によって反射された加工光ＥＬ＃２の強度を検出する。平行平板２１５２が光源４＃２とガルバノミラー２１５６との間における加工光ＥＬ＃２の光路上に配置されているがゆえに、パワーメータ２１５３は、光源４＃２とガルバノミラー２１５６との間における光路を進行する加工光ＥＬ＃２の強度を検出しているとみなしてもよい。この場合、パワーメータ２１５３は、ガルバノミラー２１５６による加工光ＥＬ＃２の偏向の影響を受けることなく、加工光ＥＬ＃２の強度を安定的に検出することができる。但し、パワーメータ２１５３の配置位置が、図３に示す例に限定されることはない。例えば、パワーメータ２１５３は、ガルバノミラー２１５６と造形面ＭＳとの間における光路を進行する加工光ＥＬ＃２の強度を検出してもよい。パワーメータ２１５３は、ガルバノミラー２１５６内における光路を進行する加工光ＥＬ＃２の強度を検出してもよい。

　パワーメータ２１５３の検出結果は、制御ユニット７に出力される。制御ユニット７は、パワーメータ２１５３の検出結果（つまり、加工光ＥＬ＃２の強度の検出結果）に基づいて、加工光ＥＬ＃２の強度を制御（言い換えれば、変更）してもよい。例えば、制御ユニット７は、造形面ＭＳにおける加工光ＥＬ＃２の強度が所望強度となるように、加工光ＥＬ＃２の強度を制御してもよい。加工光ＥＬ＃２の強度を制御するために、例えば、制御ユニット７は、パワーメータ２１５３の検出結果に基づいて、光源４＃２から射出される加工光ＥＬ＃２の強度を変更するように、光源４＃２を制御してもよい。その結果、加工システムＳＹＳは、適切な強度を有する加工光ＥＬ＃２を造形面ＭＳに照射することで、造形面ＭＳに造形物を適切に造形することができる。

　上述したように、加工光ＥＬ＃２は、造形材料Ｍを溶融させることが可能な強度を有している。このため、パワーメータ２１５３に入射する加工光ＥＬ＃２が、造形材料Ｍを溶融させることが可能な強度を有する可能性がある。しかしながら、造形材料Ｍを溶融させることが可能な強度を有する加工光ＥＬ＃２がパワーメータ２１５３に入射すると、パワーメータ２１５３が加工光ＥＬ＃２によって損傷する可能性がある。このため、パワーメータ２１５３には、パワーメータ２１５３を損傷させるほどには高くない強度を有する加工光ＥＬ＃２が入射してもよい。言い換えれば、第２光学系２１５は、パワーメータ２１５３を損傷させるほどには高くない強度を有する加工光ＥＬ＃２がパワーメータ２１５３に入射するように、パワーメータ２１５３に入射する加工光ＥＬ＃２の強度を弱めてもよい。

　例えば、パワーメータ２１５３に入射する加工光ＥＬ＃２の強度を弱めるために、加工光ＥＬ＃２に対する平行平板２１５２の反射率が適切な値に設定されていてもよい。具体的には、加工光ＥＬ＃２に対する平行平板２１５２の反射率が低くなればなるほど、パワーメータ２１５３に入射する加工光ＥＬ＃２の強度が低くなる。このため、平行平板２１５２の反射率は、パワーメータ２１５３を損傷させるほどには高くない強度を有する加工光ＥＬ＃２がパワーメータ２１５３に入射する状態を実現することが可能な程度に低い値に設定されていてもよい。例えば、平行平板２１５２の反射率は、１０％未満であってもよい。例えば、平行平板２１５２の反射率は、数％未満であってもよい。このような反射率が低い平行平板２１５２として、素ガラスが用いられてもよい。

　例えば、パワーメータ２１５３に入射する加工光ＥＬ＃２の強度を弱めるために、第２光学系２１５は、複数の平行平板２１５２を介して、加工光ＥＬ＃２をパワーメータ２１５３に入射させてもよい。具体的には、複数の平行平板２１５２によってそれぞれ複数回反射された加工光ＥＬ＃２が、パワーメータ２１５３に入射してもよい。この場合、複数の平行平板２１５２によってそれぞれ複数回反射された加工光ＥＬ＃２の強度は、一枚の平行平板２１５２によって一回反射された加工光ＥＬ＃２の強度よりも弱くなる。このため、パワーメータ２１５３を損傷させるほどには高くない強度を有する加工光ＥＬ＃２がパワーメータ２１５３に入射する可能性が高くなる。

　平行平板２１５２の表面（特に、加工光ＥＬ＃２が入射する入射面及び加工光ＥＬ＃２が反射される反射面の少なくとも一つ）には、所望のコーティング処理が施されていてもよい。例えば、平行平板２１５２の表面には、反射防止コーティング処理（ＡＲ：Ａｎｔｉ　Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ　Ｃｏａｔｉｎｇ）が施されていてもよい。

　第３光学系２１６は、プリズムミラー２１６１と、ｆθレンズ２１６２とを備える。

　第１光学系２１４から射出された加工光ＥＬ＃１及び第２光学系２１５から射出された加工光ＥＬ＃２のそれぞれは、プリズムミラー２１６１に入射する。プリズムミラー２１６１は、加工光ＥＬ＃１及びＥＬ＃２のそれぞれを、ｆθレンズ２１６２に向けて反射する。プリズムミラー２１６１は、それぞれ異なる方向からプリズムミラー２１６１に入射してくる加工光ＥＬ＃１及びＥＬ＃２を、同じ方向に向けて（具体的には、ｆθレンズ２１６２に向けて）反射する。

　尚、第１光学系２１４から射出された加工光ＥＬ＃１及び第２光学系２１５から射出された加工光ＥＬ＃２のそれぞれが直接的にｆθレンズ２１６２に入射可能である場合には、第３光学系２１６は、プリズムミラー２１６１を備えていなくてもよい。

　ｆθレンズ２１６２は、プリズムミラー２１６１が反射した加工光ＥＬ＃１及びＥＬ＃２のそれぞれを造形面ＭＳに向けて射出するための光学系である。つまり、ｆθレンズ２１６２は、プリズムミラー２１６１が反射した加工光ＥＬ＃１及びＥＬ＃２のそれぞれを造形面ＭＳに照射するための光学系である。その結果、ｆθレンズ２１６２を通過した加工光ＥＬ＃１及びＥＬ＃２が、造形面ＭＳに照射される。

　ｆθレンズ２１６２は、加工光ＥＬ＃１及びＥＬ＃２のそれぞれを、集光面に集光可能な光学素子であってもよい。この場合、ｆθレンズ２１６２は、集光光学系と称されてもよい。ｆθレンズ２１６２の集光面は、例えば、造形面ＭＳに設定されてもよい。この場合、第３光学系２１６は、射影特性がｆθとなる集光光学系を備えているとみなしてもよい。但し、第３光学系２１６は、射影特性がｆθとは異なる特性となる集光光学系を備えていてもよい。例えば、第３光学系２１６は、射影特性がｆ・ｔａｎθとなる集光光学系を備えていてもよい。例えば、第３光学系２１６は、射影特性がｆ・ｓｉｎθとなる集光光学系を備えていてもよい。

　ｆθレンズ２１６２の光軸ＡＸは、Ｚ軸に沿った軸である。このため、ｆθレンズ２１６２は、加工光ＥＬ＃１及びＥＬ＃２のそれぞれを、Ｚ軸方向に沿って射出する。この場合、加工光ＥＬ＃１の照射方向と、加工光ＥＬ＃２の照射方向とは、同一の方向であってもよい。加工光ＥＬ＃１の照射方向と、加工光ＥＬ＃２の照射方向とは、共にＺ軸方向であってもよい。加工光ＥＬ＃１の照射方向と、加工光ＥＬ＃２の照射方向とは、共にｆθレンズ２１６２の光軸ＡＸに沿った方向であってもよい。但し、加工光ＥＬ＃１の照射方向と、加工光ＥＬ＃２の照射方向とは、同一の方向でなくてもよい。加工光ＥＬ＃１の照射方向と、加工光ＥＬ＃２の照射方向とは、互いに異なる方向であってもよい。

　（２）加工システムＳＹＳの動作
　続いて、加工システムＳＹＳの動作について説明する。

　（２－１）加工システムＳＹＳが行う付加加工動作
　初めに、加工システムＳＹＳがワークＷに対して行う付加加工（付加加工動作）について説明する。ワークＷに対して行われる付加加工は、ワークＷと一体化された（或いは、分離可能な）造形物をワークＷに付加するように造形物を造形する動作に相当する。以下では、説明の便宜上、所望形状を有する造形物である三次元構造物ＳＴを造形する付加加工について説明する。上述したように、加工システムＳＹＳは、レーザ肉盛溶接法に基づく付加加工を行うことで、三次元構造物ＳＴを造形する。このため、加工システムＳＹＳは、レーザ肉盛溶接法に準拠した既存の付加加工を行うことで、三次元構造物ＳＴを造形してもよい。以下、レーザ肉盛溶接法を用いて三次元構造物ＳＴを造形する動作の一例について簡単に説明する。

　加工システムＳＹＳは、造形するべき三次元構造物ＳＴの三次元モデルデータ（言い換えれば、三次元モデル情報）等に基づいて、ワークＷ上に三次元構造物ＳＴを造形する。三次元モデルデータとして、加工システムＳＹＳ内に設けられた計測装置及び加工システムＳＹＳとは別に設けられた三次元形状計測機の少なくとも一方で計測された立体物の計測データが用いられてもよい。加工システムＳＹＳは、三次元構造物ＳＴを造形するために、例えば、Ｚ軸方向に沿って並ぶ複数の層状の部分構造物（以下、“構造層”と称する）ＳＬを順に造形していく。例えば、加工システムＳＹＳは、三次元構造物ＳＴの三次元モデルをＺ軸方向に沿って輪切りにすることで得られる複数の層のデータに基づいて複数の構造層ＳＬを１層ずつ順に造形していく。その結果、複数の構造層ＳＬが積層された積層構造体である三次元構造物ＳＴが造形される。尚、構造層ＳＬは、必ずしも層状の形状を有する造形物でなくてもよい。以下、複数の構造層ＳＬを１層ずつ順に造形していくことで三次元構造物ＳＴを造形する動作の流れについて説明する。

　まず、各構造層ＳＬを造形する動作について図６（ａ）から図６（ｅ）を参照して説明する。加工システムＳＹＳは、制御ユニット７の制御下で、ワークＷの表面又は造形済みの構造層ＳＬの表面に相当する造形面ＭＳ上の所望領域に加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２が設定されるように、加工ヘッド２１及びステージ３１の少なくとも一方を移動させる。その後、照射光学系２１１は、加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２に加工光ＥＬ＃１及びＥＬ＃２をそれぞれ照射する。この際、Ｚ軸方向において加工光ＥＬ＃１＃１及びＥＬ＃２がそれぞれ集光される集光位置ＣＰ＃１及びＣＰ＃２は、造形面ＭＳに一致していてもよい。或いは、Ｚ軸方向において加工光ＥＬ＃１＃１及びＥＬ＃２がそれぞれ集光される集光位置ＣＰ＃１及びＣＰ＃２は、造形面ＭＳから外れていてもよい。その結果、図６（ａ）に示すように、加工光ＥＬ＃１及びＥＬ＃２が照射された造形面ＭＳ上に溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２がそれぞれ形成される。更に、図６（ｂ）に示すように、加工システムＳＹＳは、制御ユニット７の制御下で、材料ノズル２１２から造形材料Ｍを供給する。その結果、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２のそれぞれに造形材料Ｍが供給される。溶融池ＭＰ＃１に供給された造形材料Ｍは、溶融池ＭＰ＃１に照射されている加工光ＥＬ＃１によって溶融する。同様に、溶融池ＭＰ＃２に供給された造形材料Ｍは、溶融池ＭＰ＃２に照射されている加工光ＥＬ＃２によって溶融する。

　更に、照射光学系２１１は、ガルバノミラー２１４６及び２１５６を用いて、それぞれ、加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２内で目標照射領域ＥＡ＃１及びＥＡ＃２を移動させる。つまり、照射光学系２１１は、それぞれ、ガルバノミラー２１４６及び２１５６を用いて、それぞれ、加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２を加工光ＥＬ＃１及びＥＬ＃２で走査する。目標照射領域ＥＡ＃１の移動に伴って溶融池ＭＰ＃１に加工光ＥＬ＃１が照射されなくなると、溶融池ＭＰ＃１において溶融した造形材料Ｍは、冷却されて固化（つまり、凝固）する。同様に、目標照射領域ＥＡ＃２の移動に伴って溶融池ＭＰ＃２に加工光ＥＬ＃２が照射されなくなると、溶融池ＭＰ＃２において溶融した造形材料Ｍは、冷却されて固化（つまり、凝固）する。更に、目標照射領域ＥＡ＃１及びＥＡ＃２の移動に伴って、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２もまた移動する。その結果、図６（ｃ）に示すように、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２が移動する加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２内において、固化した造形材料Ｍから構成される造形物が造形面ＭＳ上に堆積される。

　尚、図６（ｃ）では、説明の便宜上、加工単位領域ＢＳＡ＃１内において固化した造形材料Ｍから構成される造形物と、加工単位領域ＢＳＡ＃２内において固化した造形材料Ｍから構成される造形物とが物理的に分離している。しかしながら、加工単位領域ＢＳＡ＃１内において固化した造形材料Ｍから構成される造形物と、加工単位領域ＢＳＡ＃２内において固化した造形材料Ｍから構成される造形物とが一体化していてもよい。特に、加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２が一致している（或いは、部分的に重複している）場合には、加工単位領域ＢＳＡ＃１内において固化した造形材料Ｍから構成される造形物と、加工単位領域ＢＳＡ＃２内において固化した造形材料Ｍから構成される造形物とが一体化していてもよい。物理的に分離している
　加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２内で目標照射領域ＥＡ＃１及びＥＡ＃２がそれぞれ移動している期間中において、加工システムＳＹＳは、造形面ＭＳ上を加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２が移動するように、加工ヘッド２１及びステージ３１の少なくとも一方を移動させてもよい。つまり、加工システムＳＹＳは、加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２内での目標照射領域ＥＡ＃１及びＥＡ＃２のそれぞれの移動と、造形面ＭＳ上での加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２の移動とを並行して行ってもよい。

　或いは、加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２内で目標照射領域ＥＡ＃１及びＥＡ＃２がそれぞれ移動している期間中において、加工システムＳＹＳは、造形面ＭＳ上を加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２が移動しないように、加工ヘッド２１及びステージ３１を移動させなくてもよい。この場合、加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２内での付加加工（つまり、造形）が完了した後には、加工システムＳＹＳは、造形面ＭＳ上の別の領域に加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２が設定されるように、加工ヘッド２１及びステージ３１の少なくとも一方を移動させてもよい。つまり、加工システムＳＹＳは、加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２内での付加加工（つまり、造形）が完了した後に、造形面ＭＳ上において加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２が移動するように、加工ヘッド２１及びステージ３１の少なくとも一方を移動させてもよい。この場合、加工システムＳＹＳは、造形面ＭＳ上で既に加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２が設定された領域（つまり、付加加工が既に行われた領域）と、造形面ＭＳ上で加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２が新たに設定された領域（つまり、付加加工が今から行われる領域）とが隣接するように、加工ヘッド２１及びステージ３１の少なくとも一方を移動させてもよい。特に、加工システムＳＹＳは、造形面ＭＳ上で既に加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２が設定された領域と、造形面ＭＳ上で加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２が新たに設定された領域とが重複しないように、加工ヘッド２１及びステージ３１の少なくとも一方を移動させてもよい。但し、加工システムＳＹＳは、造形面ＭＳ上で既に加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２が設定された領域と、造形面ＭＳ上で加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２が新たに設定された領域とが部分的に重複するように、加工ヘッド２１及びステージ３１の少なくとも一方を移動させてもよい。

　加工システムＳＹＳは、加工単位領域ＢＳＡ＃１内での加工光ＥＬ＃１の照射による溶融池ＭＰ＃１の形成、加工単位領域ＢＳＡ＃２内での加工光ＥＬ＃２の照射による溶融池ＭＰ＃２の形成、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２への造形材料Ｍの供給、供給された造形材料Ｍの溶融及び溶融した造形材料Ｍの固化を含む一連の造形処理を、図６（ｄ）に示すように、造形面ＭＳ上で加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２を目標移動軌跡ＭＴ０に沿って移動させながら繰り返す。この場合、加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２のそれぞれの移動に伴い、目標移動軌跡ＭＴ０に交差する方向に沿って幅を有する造形物が造形面ＭＳ上に造形される。例えば、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２のそれぞれが移動する場合には、Ｘ軸方向に沿って幅を有すると共にＹ軸方向に沿って延びる造形物が造形される。例えば、図５（ａ）及び図５（ｃ）に示すように加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２のそれぞれが移動する場合にはは、Ｘ軸方向に沿って幅を有すると共にＹ軸方向に沿って延びる造形物が造形される。

　その結果、図６（ｅ）に示すように、造形面ＭＳ上に、溶融した後に固化した造形材料Ｍの集合体である造形物に相当する構造層ＳＬが造形される。つまり、加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２の目標移動軌跡ＭＴ０に応じたパターンで造形面ＭＳ上に造形された造形物の集合体に相当する構造層ＳＬが造形される。つまり、平面視において、加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２の目標移動軌跡ＭＴ０に応じた形状を有する構造層ＳＬが造形される。

　尚、造形物を造形したくない領域に目標照射領域ＥＡ＃１が設定されている場合、加工システムＳＹＳは、目標照射領域ＥＡ＃１に、加工光ＥＬ＃１を照射しなくてもよい。或いは、加工システムＳＹＳは、加工光ＥＬ＃１を目標照射領域ＥＡ＃１に照射すると共に、造形材料Ｍの供給を停止してもよい。或いは、加工システムＳＹＳは、造形材料Ｍを目標照射領域ＥＡ＃１に供給すると共に、溶融池ＭＰができない強度の加工光ＥＬ＃１を目標照射領域ＥＡ＃１に照射してもよい。造形物を造形したくない領域に目標照射領域ＥＡ＃２が設定されている場合も同様である。

　加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２のそれぞれの目標移動軌跡ＭＴ０は、加工パス（言い換えれば、ツールパス）と称されてもよい。この場合、制御ユニット７は、目標移動軌跡ＭＴ０を示すパス情報（つまり、加工パスを示すパス情報）に基づいて、造形面ＭＳ上において加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２のそれぞれが目標移動軌跡ＭＴ０に沿って移動するように、加工ヘッド２１及びステージ３１の少なくとも一方を移動させてもよい。

　パス情報は、目標移動軌跡ＭＴ０を示すことに加えて、造形物の幅の目標値（以降、“目標幅”と称する）に関する情報を含んでいてもよい。尚、目標幅は、線幅又はビード幅と称されてもよい。具体的には、上述したように、目標移動軌跡ＭＴ０に沿った加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２のそれぞれの移動に伴い、造形面ＭＳ上には、目標移動軌跡ＭＴ０に交差する方向に沿って幅を有する造形物が造形面ＭＳ上に造形される。例えば、図７（ａ）に示すように、加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２のそれぞれがＹ軸方向に沿って移動する場合には、図７（ｂ）に示すように、造形面ＭＳ上には、Ｘ軸方向に沿って幅を有すると共にＹ軸方向に沿って延びる線状の造形物が造形される。尚、上述した構造層ＳＬは、図７（ｂ）に示す線状の造形物の集合体に相当する。この場合、パス情報は、図７（ｂ）に示すように、線状の造形物の幅Ｄの目標値（つまり、目標幅）に関する情報を含んでいてもよい。つまり、パス情報は、造形面ＭＳに造形されるべき線状の造形物（つまり、ライン）の幅に関する情報を含んでいてもよい。尚、線状の造形物の目標幅に関する情報（つまり、造形されるべきラインの幅に関する情報）は、ライン幅情報と称されてもよい。

　この場合、制御ユニット７は、ライン幅情報に基づいて、加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２内で目標照射領域ＥＡ＃１及びＥＡ＃２がそれぞれ移動するように、ガルバノミラー２１４６及び２１５６をそれぞれ制御してもよい。例えば、制御ユニット７は、ライン幅情報が示すラインの幅の内側において目標照射領域ＥＡ＃１及びＥＡ＃２が周期的に移動するように、ガルバノミラー２１４６及び２１５６をそれぞれ制御してもよい。つまり、制御ユニット７は、ライン幅情報が示すラインの幅の外側に目標照射領域ＥＡ＃１及びＥＡ＃２が逸脱しないように、ガルバノミラー２１４６及び２１５６をそれぞれ制御してもよい。言い換えれば、制御ユニット７は、ライン幅情報が示す造形物の目標幅の内側において目標照射領域ＥＡ＃１及びＥＡ＃２が周期的に移動するように、ガルバノミラー２１４６及び２１５６をそれぞれ制御してもよい。つまり、制御ユニット７は、ライン幅情報が示す造形物の目標幅の外側に目標照射領域ＥＡ＃１及びＥＡ＃２が逸脱しないように、ガルバノミラー２１４６及び２１５６をそれぞれ制御してもよい。

　その結果、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２もまた、ライン幅情報が示すラインの幅の内側において周期的に移動する。つまり、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２は、ライン幅情報が示すラインの幅の外側に逸脱しなくなる。言い換えれば、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２は、ライン幅情報が示す造形物の目標幅の内側において周期的に移動する。つまり、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２は、ライン幅情報が示す造形物の目標幅の外側に逸脱しなくなる。このため、加工システムＳＹＳは、ライン幅情報が示す目標幅を有する線状の造形物を適切に造形することができる。

　ライン幅情報が示すラインの幅（つまり、造形物の目標幅）は、加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２のそれぞれの幅と同一であってもよい。或いは、ライン幅情報が示すラインの幅（つまり、造形物の目標幅）は、加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２のそれぞれの幅よりも小さくてもよい。尚、加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２のそれぞれのＸ軸方向のサイズ及びＹ軸方向のサイズのそれぞれは、数ミリメートルであってもよい。但し、加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２のそれぞれのサイズが数ミリメートルに限定されることはない。

　加工システムＳＹＳは、このような構造層ＳＬを造形するための動作を、制御ユニット７の制御下で、三次元モデルデータに基づいて繰り返し行う。具体的には、まず、制御ユニット７は、構造層ＳＬを造形するための動作を行う前に、三次元モデルデータを積層ピッチでスライス処理してスライスデータを作成する。加工システムＳＹＳは、ワークＷの表面に相当する造形面ＭＳ上に１層目の構造層ＳＬ＃１を造形するための動作を、構造層ＳＬ＃１に対応するスライスデータに基づいて行う。具体的には、制御ユニット７は、構造層ＳＬ＃１に対応するスライスデータに基づいて生成された、１層目の構造層ＳＬ＃１を造形するためのパス情報を取得する。尚、加工システムＳＹＳが付加加工を開始した後に又は開始する前に、制御ユニット７がパス情報を生成してもよい。その後、制御ユニット７は、パス情報に基づいて、１層目の構造層ＳＬ＃１を造形するように加工ユニット２及びステージユニット３を制御する。その結果、造形面ＭＳ上には、図８（ａ）に示すように、構造層ＳＬ＃１が造形される。その後、加工システムＳＹＳは、構造層ＳＬ＃１の表面（つまり、上面）を新たな造形面ＭＳに設定した上で、当該新たな造形面ＭＳ上に２層目の構造層ＳＬ＃２を造形する。構造層ＳＬ＃２を造形するために、制御ユニット７は、まず、ステージ３１に対して加工ヘッド２１がＺ軸に沿って移動するように、ヘッド駆動系２２及びステージ駆動系３２の少なくとも一方を制御する。具体的には、制御ユニット７は、ヘッド駆動系２２及びステージ駆動系３２の少なくとも一方を制御して、加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２が構造層ＳＬ＃１の表面（つまり、新たな造形面ＭＳ）に設定されるように、＋Ｚ側に向かって加工ヘッド２１を移動させる及び／又は－Ｚ側に向かってステージ３１を移動させる。その後、加工システムＳＹＳは、制御ユニット７の制御下で、構造層ＳＬ＃１を造形する動作と同様の動作で、構造層ＳＬ＃２に対応するスライスデータに基づいて、構造層ＳＬ＃１上に構造層ＳＬ＃２を造形する。その結果、図８（ｂ）に示すように、構造層ＳＬ＃２が造形される。以降、同様の動作が、ワークＷ上に造形するべき三次元構造物ＳＴを構成する全ての構造層ＳＬが造形されるまで繰り返される。その結果、図８（ｃ）に示すように、複数の構造層ＳＬが積層された積層構造物によって、三次元構造物ＳＴが造形される。

　（２－２）溶融池画像ＩＭＧに基づく溶融池フィードバック制御動作
　加工システムＳＹＳは、上述した付加加工動作と並行して、撮像ユニット８が生成した溶融池画像ＩＭＧに基づく溶融池フィードバック制御動作を行ってもよい。つまり、加工システムＳＹＳは、上述した付加加工動作が行われている期間の少なくとも一部において、溶融池フィードバック制御動作を行ってもよい。溶融池フィードバック制御動作は、溶融池画像ＩＭＧ内の溶融池領域ＭＰＡのサイズが目標サイズＴＳとなるように、溶融池画像ＩＭＧに基づいて加工ユニット２を制御する動作である。尚、溶融池領域ＭＰＡについては、後に詳述する。

　以下、図９を参照しながら、溶融池フィードバック制御動作の流れについて説明する。図９は、溶融池フィードバック制御動作の流れを示すフローチャートである。

　図９に示すように、制御ユニット７は、撮像ユニット８から溶融池画像ＩＭＧを取得する（ステップＳ１１）。具体的には、撮像ユニット８は、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２が形成されているワークＷ又は構造層ＳＬを撮像する。つまり、撮像ユニット８は、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２を撮像する。その結果、撮像ユニット８は、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２が写り込んだ溶融池画像ＩＭＧを生成する。撮像ユニット８は、生成した溶融池画像ＩＭＧを、制御ユニット７に出力する。その結果、制御ユニット７は、溶融池画像ＩＭＧを取得する。

　撮像ユニット８は、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２が撮像ユニット８の撮像範囲に収まるように、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２を撮像する。具体的には、撮像ユニット８は、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２が撮像ユニット８の撮像範囲に収まるように、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２が形成されているワークＷ又は構造層ＳＬに対して位置合わせされていてもよい。撮像ユニット８は、加工ヘッド２１によって造形面ＭＳに形成された溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２が撮像ユニット８の撮像範囲に収まるように、加工ヘッド２１に対して位置合わせされていてもよい。その結果、撮像ユニット８は、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２を適切に撮像することができる。

　上述したように、ガルバノミラー２１４６及び２１５６によって、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２は、加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２内をそれぞれ移動する。この場合、撮像ユニット８は、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２の移動範囲が撮像ユニット８の撮像範囲に収まるように、溶融池ＭＰを撮像してもよい。つまり、撮像ユニット８は、加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２が撮像ユニット８の撮像範囲に収まるように、溶融池ＭＰを撮像してもよい。具体的には、撮像ユニット８は、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２の移動範囲（つまり、加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２）が撮像ユニット８の撮像範囲に収まるように、溶融池ＭＰが形成されているワークＷ又は構造層ＳＬに対して位置合わせされていてもよい。撮像ユニット８は、加工ヘッド２１によって造形面ＭＳに形成された溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２の移動範囲（つまり、加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２）が撮像ユニット８の撮像範囲に収まるように、加工ヘッド２１に対して位置合わせされていてもよい。その結果、撮像ユニット８は、加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２内をそれぞれ移動する溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２を適切に撮像することができる。

　撮像ユニット８は、溶融池ＭＰが形成されているワークＷ又は構造層ＳＬを、所定の撮像レートで繰り返し撮像してもよい。つまり、撮像ユニット８は、溶融池ＭＰが形成されているワークＷ又は構造層ＳＬを、所定の撮像レートで複数回連続して撮像してもよい。尚、撮像レートは、単位時間あたりに（例えば、１秒間あたりに）撮像ユニット８がワークＷ又は構造層ＳＬを撮像する回数を示す指標値であってもよい。言い換えれば、撮像ユニット８は、所定の撮像周期が経過する都度、ワークＷ又は構造層ＳＬを繰り返し撮像してもよい。例えば、撮像ユニット８は、第１時刻にワークＷ又は構造層ＳＬを撮像し、その後、第１時刻から所定の撮像周期が経過した第２時刻にワークＷ又は構造層ＳＬを撮像してもよい。尚、撮像周期は、撮像レートの逆数であってもよい。この場合、撮像ユニット８は、時系列データとしての複数の溶融池画像ＩＭＧを生成してもよい。制御ユニット７は、時系列データとしての複数の溶融池画像ＩＭＧを取得してもよい。

　撮像ユニット８がワークＷ又は構造層ＳＬを繰り返し撮像する期間中においても、ガルバノミラー２１４６は、加工単位領域ＢＳＡ＃１内で溶融池ＭＰ＃１を移動させる。この場合、撮像ユニット８は、第１時刻に造形面ＭＳ上の第１位置に形成された溶融池ＭＰ＃１を撮像し、その後、第１時刻とは異なる第２時刻に第１位置とは異なる造形面ＭＳ上の第２位置に形成された溶融池ＭＰ＃１を撮像してもよい。つまり、撮像ユニット８は、第１時刻に造形面ＭＳ上の第１位置に出現した溶融池ＭＰ＃１を撮像し、その後、第２時刻に造形面ＭＳ上の第２位置に出現した溶融池ＭＰ＃１を撮像してもよい。その結果、撮像ユニット８が生成した複数の溶融池画像ＩＭＧは、造形面ＭＳ上の第１位置に形成された溶融池ＭＰ＃１が写り込んだ溶融池画像ＩＭＧと、造形面ＭＳ上の第２位置に形成された溶融池ＭＰ＃１が写り込んだ溶融池画像ＩＭＧとを含んでいてもよい。つまり、複数の溶融池画像ＩＭＧは、造形面ＭＳ上の第１位置に形成された溶融池ＭＰ＃１を示す溶融池画像ＩＭＧと、造形面ＭＳ上の第２位置に形成された溶融池ＭＰ＃１を示す溶融池画像ＩＭＧとを含んでいてもよい。複数の溶融池画像ＩＭＧは、造形面ＭＳ上の第１位置に形成された溶融池ＭＰ＃１を撮像することで生成される溶融池画像ＩＭＧと、造形面ＭＳ上の第２位置に形成された溶融池ＭＰ＃１を撮像することで生成される溶融池画像ＩＭＧとを含んでいてもよい。

　同様に、撮像ユニット８がワークＷ又は構造層ＳＬを繰り返し撮像する間においても、ガルバノミラー２１５６は、加工単位領域ＢＳＡ＃２内で溶融池ＭＰ＃２を移動させる。この場合、撮像ユニット８は、第１時刻に造形面ＭＳ上の第３位置に形成された溶融池ＭＰ＃２を撮像し、その後、第１時刻とは異なる第２時刻に第３位置とは異なる造形面ＭＳ上の第４位置に形成された溶融池ＭＰ＃２を撮像してもよい。つまり、撮像ユニット８は、第１時刻に造形面ＭＳ上の第３位置に出現した溶融池ＭＰ＃２を撮像し、その後、第２時刻に造形面ＭＳ上の第４位置に出現した溶融池ＭＰ＃２を撮像してもよい。その結果、撮像ユニット８が生成した複数の溶融池画像ＩＭＧは、造形面ＭＳ上の第３位置に形成された溶融池ＭＰ＃２が写り込んだ溶融池画像ＩＭＧと、造形面ＭＳ上の第４位置に形成された溶融池ＭＰ＃２が写り込んだ溶融池画像ＩＭＧとを含んでいてもよい。つまり、複数の溶融池画像ＩＭＧは、造形面ＭＳ上の第３位置に形成された溶融池ＭＰ＃２を示す溶融池画像ＩＭＧと、造形面ＭＳ上の第４位置に形成された溶融池ＭＰ＃２を示す溶融池画像ＩＭＧとを含んでいてもよい。複数の溶融池画像ＩＭＧは、造形面ＭＳ上の第３位置に形成された溶融池ＭＰ＃２を撮像することで生成される溶融池画像ＩＭＧと、造形面ＭＳ上の第４位置に形成された溶融池ＭＰ＃２を撮像することで生成される溶融池画像ＩＭＧとを含んでいてもよい。

　尚、撮像ユニット８がワークＷ又は構造層ＳＬを繰り返し撮像する場合には、撮像ユニット８は、ワークＷ又は構造層ＳＬからの光で撮像素子を複数回露光しているとみなしてもよい。この場合、撮像素子の複数回の露光を、多重露光と称してもよい。つまり、撮像ユニット８は、撮像素子の多重露光を行うことで、時系列データとしての複数の溶融池画像ＩＭＧを生成してもよい。言い換えれば、撮像ユニット８は、撮像素子による溶融池ＭＰの多重露光を行うことで、時系列データとしての複数の溶融池画像ＩＭＧを生成してもよい。つまり、撮像ユニット８は、撮像素子による溶融池ＭＰの多重露光を行うことで、多重露光の結果としての複数の溶融池画像ＩＭＧを生成してもよい。

　或いは、撮像ユニット８がワークＷ又は構造層ＳＬを繰り返し撮像する場合には、撮像ユニット８は、一枚の溶融池画像ＩＭＧを撮像するための一回の撮像動作において、ワークＷ又は構造層ＳＬからの光で撮像素子を複数回露光してもよい。この場合、撮像素子の一枚の溶融池画像ＩＭＧを撮像するための一回の撮像における複数回の露光を、多重露光と称してもよい。つまり、撮像ユニット８は、撮像素子の多重露光を行うことで、一枚の溶融池画像ＩＭＧを生成してもよい。更に、撮像ユニット８は、一枚の溶融池画像ＩＭＧを生成するための撮像素子の多重露光を繰り返し行うことで、時系列データとしての複数の溶融池画像ＩＭＧを生成してもよい。つまり、撮像ユニット８は、撮像素子による溶融池ＭＰの多重露光を行うことで、多重露光の結果としての複数の溶融池画像ＩＭＧを生成してもよい。

　その後、制御ユニット７は、ステップＳ１１において取得された少なくとも一つの溶融池画像ＩＭＧに基づいて、溶融池画像情報ＭＰＩを生成する（ステップＳ１２）。溶融池画像情報ＭＰＩは、溶融池画像ＩＭＧに写り込んでいる溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２に関する情報である。

　制御ユニット７は、溶融池画像情報ＭＰＩの一例として、溶融池領域ＭＰＡに関する情報を生成してもよい。溶融池領域ＭＰＡは、溶融池画像ＩＭＧを示す図１０に示すように、溶融池画像ＩＭＧ内において溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２が写り込んでいる領域を含んでいてもよい。

　溶融池領域ＭＰＡに関する情報を生成するために、制御ユニット７は、ステップＳ１０において時系列データとして取得された複数の溶融池画像ＩＭＧのうちの少なくとも二つを用いてもよい。つまり、制御ユニット７は、ステップＳ１０において時系列データとして取得された複数の溶融池画像ＩＭＧのうちの少なくとも一部に相当する複数の溶融池画像ＩＭＧを用いて、溶融池領域ＭＰＡに関する情報を生成してもよい。

　具体的には、図１１の左側は、時系列データとして取得される複数の溶融池画像ＩＭＧを示している。図１１の左側に示すように、ガルバノミラー２１４６によって溶融池ＭＰ＃１が移動している場合には、複数の溶融池画像ＩＭＧの間で、溶融池ＭＰ＃１が写り込む位置が変わる可能性がある。なぜならば、ガルバノミラー２１４６によって溶融池ＭＰ＃１が移動している場合には、上述したように、撮像ユニット８は、第１時刻に造形面ＭＳ上の第１位置に形成された溶融池ＭＰ＃１を撮像し、その後、第１時刻とは異なる第２時刻に第１位置とは異なる造形面ＭＳ上の第２位置に形成された溶融池ＭＰ＃１を撮像する可能性があるからである。特に、撮像ユニット８の露光時間が一定時間よりも短い場合に、複数の溶融池画像ＩＭＧの間で、溶融池ＭＰ＃１が写り込む位置が変わる可能性がある。同様の理由から、ガルバノミラー２１５６によって溶融池ＭＰ＃２が移動している場合には、複数の溶融池画像ＩＭＧの間で、溶融池ＭＰ＃２が写り込む位置が変わる可能性がある。

　この場合、制御ユニット７は、図１１に示すように、溶融池領域ＭＰＡに関する情報を生成するために、ステップＳ１０において取得された複数の溶融池画像ＩＭＧのうちの連続する少なくとも二つの溶融池画像ＩＭＧを加算することで、加算画像ＩＭＧ＿Ｃを生成してもよい。つまり、制御ユニット７は、連続する少なくとも二つの溶融池画像ＩＭＧを合成することで、加算画像ＩＭＧ＿Ｃを生成してもよい。尚、加算画像ＩＭＧ＿Ｃは、合成画像と称されてもよい。

　具体的には、制御ユニット７は、連続する少なくとも二つの溶融池画像ＩＭＧを、画素の単位で加算してもよい。例えば、制御ユニット７は、連続する少なくとも二つの溶融池画像ＩＭＧの信号値を、画素の単位で加算してもよい。溶融池画像ＩＭＧの信号値の一例として、輝度に関する値（つまり、輝度値）があげられる。加算される溶融池画像ＩＭＧの枚数は、予め設定されていてもよい。加算される溶融池画像ＩＭＧの枚数は、制御ユニット７によって適宜設定されていてもよい。加算される溶融池画像ＩＭＧの枚数である加算フレーム数は、加工システムＳＹＳのユーザによって適宜設定されていてもよい。

　この場合、加算画像ＩＭＧ＿Ｃは、加算画像ＩＭＧ＿Ｃの各画素の信号値が、加算された少なくとも二つの溶融池画像ＩＭＧの各画素の信号値の総和となる画像であってもよい。具体的には、加算画像ＩＭＧ＿Ｃは、加算画像ＩＭＧ＿Ｃの第ｘ行第ｙ列の画素の信号値が、加算された少なくとも二つの溶融池画像ＩＭＧの第ｘ行第ｙ列の画素の信号値の総和となる画像であってもよい。尚、ｘは、１以上であって、且つ、加算画像ＩＭＧ＿Ｃ及び溶融池画像ＩＭＧのそれぞれの水平方向の画素の総数以下の整数を示す変数である。ｙは、１以上であって、且つ、加算画像ＩＭＧ＿Ｃ及び溶融池画像ＩＭＧのそれぞれの垂直方向の画素の総数以下の整数を示す変数である。

　或いは、加算画像ＩＭＧ＿Ｃは、加算画像ＩＭＧ＿Ｃの各画素の信号値が、加算された少なくとも二つの溶融池画像ＩＭＧの各画素の信号値の平均値となる画像であってもよい。例えば、加算画像ＩＭＧ＿Ｃは、加算画像ＩＭＧ＿Ｃの第ｘ行第ｙ列の画素の信号値が、加算された少なくとも二つの溶融池画像ＩＭＧの第ｘ行第ｙ列の画素の信号値の平均値（つまり、信号値の総和を加算フレーム数で割ることで得られる値）となる画像であってもよい。この場合、制御ユニット７は、少なくとも二つの溶融池画像ＩＭＧの各画素の信号値の総和を算出し、その後、算出した総和を加算フレーム数で割ることで、加算画像ＩＭＧ＿Ｃを生成してもよい。或いは、制御ユニット７は、少なくとも二つの溶融池画像ＩＭＧのそれぞれの各画素の信号値を加算フレーム数で割り、その後、各画素の信号値の総和を算出することで、加算画像ＩＭＧ＿Ｃを生成してもよい。

　或いは、加算画像ＩＭＧ＿Ｃは、加算画像ＩＭＧ＿Ｃの各画素の信号値が、加算された少なくとも二つの溶融池画像ＩＭＧの各画素の信号値の移動平均値となる画像であってもよい。例えば、制御ユニット７は、直近に取得した少なくとも二つの溶融池画像ＩＭＧの各画素の信号値の移動平均値を算出することで、加算画像ＩＭＧ＿Ｃを生成してもよい。一例として、制御ユニット７は、第１フレームから第１０フレームがインデックスとして割り当てられた十枚の溶融池画像ＩＭＧの各画素の信号値の移動平均値を算出することで、一枚目の加算画像ＩＭＧ＿Ｃを生成し、その後、第２フレームから第１１フレームがインデックスとして割り当てられた十枚の溶融池画像ＩＭＧの各画素の信号値の移動平均値を算出することで、二枚目の加算画像ＩＭＧ＿Ｃを生成し、その後、第３フレームから第１２フレームがインデックスとして割り当てられた十枚の溶融池画像ＩＭＧの各画素の信号値の移動平均値を算出することで、三枚目の加算画像ＩＭＧ＿Ｃを生成してもよい。以降、制御ユニット７は、同様の方法で加算画像ＩＭＧ＿Ｃを生成してもよい。

　制御ユニット７は、典型的には、撮像ユニット８から、デジタル信号によって示される溶融池画像ＩＭＧを取得する。この場合、制御ユニット７は、複数の溶融池画像ＩＭＧをそれぞれ示す複数のデジタル信号を加算することで、複数の溶融池画像ＩＭＧを加算してもよい。例えば、制御ユニット７は、入力されたデジタル信号を加算する加算器（つまり、ハードウェアとしての加算器）を用いて複数のデジタル信号を加算することで、複数の溶融池画像ＩＭＧを加算してもよい。例えば、制御ユニット７は、デジタル信号をバッファに展開した後に、バッファに展開されたデジタル信号を加算する（つまり、ソフトウェアの処理としてデジタル信号を加算する）ことで、複数の溶融池画像ＩＭＧを加算してもよい。或いは、制御ユニット７は、複数の溶融池画像ＩＭＧに対して所定の画像処理を行い、その後、所定の画像処理が行われた複数の溶融池画像ＩＭＧをそれぞれ示す複数のデジタル信号を加算することで、複数の溶融池画像ＩＭＧを加算してもよい。所定の信号処理の一例として、ガンマ処理、ノイズ除去処理、及び、ＨＤＲ（Ｈｉｇｈ　Ｄｙｎａｍｉｃ　Ｒａｎｇｅ）処理の少なくとも一つがあげられる。

　或いは、制御ユニット７は、撮像ユニット８から、アナログ信号によって示される溶融池画像ＩＭＧを取得してもよい。この場合、制御ユニット７は、複数の溶融池画像ＩＭＧをそれぞれ示す複数のアナログ信号を加算することで、複数の溶融池画像ＩＭＧを加算してもよい。或いは、制御ユニット７は、アナログ信号をデジタル信号に変換してもよい。その後、制御ユニット７は、撮像ユニット８からデジタル信号によって示される溶融池画像ＩＭＧを取得する場合と同様に、複数の溶融池画像ＩＭＧをそれぞれ示す複数のデジタル信号を加算することで、複数の溶融池画像ＩＭＧを加算してもよい。

　その後、制御ユニット７は、加算画像ＩＭＧ＿Ｃ内において、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２が写り込んでいる溶融池領域ＭＰＡを検出してもよい。具体的には、図１１の左側に示すように、溶融池画像ＩＭＧ内において、溶融池ＭＰが写り込んでいる領域の信号値は、溶融池ＭＰが写り込んでいない領域の信号値とは異なる。なぜならば、溶融池ＭＰは、強く発光しているからである。このため、溶融池画像ＩＭＧ内において、溶融池ＭＰが写り込んでいる領域の輝度値は、溶融池ＭＰが写り込んでいない領域の輝度値とは異なる。典型的には、溶融池画像ＩＭＧ内において、溶融池ＭＰが写り込んでいる領域の輝度値は、溶融池ＭＰが写り込んでいない領域の輝度値よりも高くなる。このため、図１１の右側に示すように、加算画像ＩＭＧ＿Ｃ内においても、溶融池ＭＰが写り込んでいる領域の信号値は、溶融池ＭＰが写り込んでいない領域の信号値とは異なる。つまり、加算画像ＩＭＧ＿Ｃ内において、溶融池領域ＭＰＡの信号値は、溶融池領域ＭＰＡとは異なる領域の信号値とは異なる。典型的には、溶融池領域ＭＰＡの輝度値は、溶融池領域ＭＰＡとは異なる領域の輝度値よりも高くなる。このため、制御ユニット７は、加算画像ＩＭＧ＿Ｃの各画素の信号値（例えば、輝度値）と所定の信号閾値とを比較することで、加算画像ＩＭＧ＿Ｃ内で溶融池領域ＭＰＡを検出してもよい。

　例えば、制御ユニット７は、加算画像ＩＭＧ＿Ｃ内において、所定の信号閾値よりも大きくなる信号値（例えば、輝度値）を有する画素を検出してもよい。つまり、制御ユニット７は、加算画像ＩＭＧ＿Ｃ内において、加算された信号値（例えば、輝度値）が所定の信号閾値よりも大きくなる画素を検出してもよい。この場合、制御ユニット７は、検出した画素を含む領域を、溶融池領域ＭＰＡとして検出してもよい。

　例えば、制御ユニット７は、加算画像ＩＭＧ＿Ｃ内において、所定の信号閾値よりも大きくなる信号値（例えば、輝度値）を有する画素の信号値を第１の信号値に設定してもよい。一方で、制御ユニット７は、加算画像ＩＭＧ＿Ｃ内において、所定の信号閾値よりも小さくなる信号値（例えば、輝度値）を有する画素の信号値を第１の信号値とは異なる第２の信号値（例えば、０）に設定してもよい。その後、制御ユニット７は、信号値が第１の信号値となる画素を含む領域を、溶融池領域ＭＰＡとして検出してもよい。

　この場合、第１の信号値として、「１」という信号値が用いられ、第２の信号値として、「０」という信号値が用いられてもよい。つまり、制御ユニット７は、加算画像ＩＭＧ＿Ｃ内において、所定の信号閾値よりも大きくなる信号値を有する画素の信号値を１に設定してもよい。一方で、制御ユニット７は、加算画像ＩＭＧ＿Ｃ内において、所定の信号閾値よりも小さくなる信号値を有する画素の信号値を０に設定してもよい。その後、制御ユニット７は、信号値が１となる画素を含む領域を、溶融池領域ＭＰＡとして検出してもよい。

　信号閾値は、溶融池領域ＭＰＡと溶融池領域ＭＰＡとは異なる領域とを、信号値（例えば、輝度値）から区別可能な適切な値に設定されていてもよい。信号閾値は、予め設定されていてもよい。信号閾値は、制御ユニット７によって適宜設定されていてもよい。信号閾値は、加工システムＳＹＳのユーザによって適宜設定されていてもよい。

　加算画像ＩＭＧ＿Ｃ内で検出される溶融池領域ＭＰＡは、実質的には、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２が移動した領域と等価であるとみなしてもよい。特に、加算画像ＩＭＧ＿Ｃ内で検出される溶融池領域ＭＰＡは、実質的には、加算画像ＩＭＧ＿Ｃを生成するために用いた少なくとも二つの溶融池画像ＩＭＧが撮像された期間中に溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２が移動した領域と等価であるとみなしてもよい。このため、溶融池領域ＭＰＡは、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２が移動した領域を意味していてもよい。

　加算画像ＩＭＧ＿Ｃ内で検出される溶融池領域ＭＰＡは、実質的には、加工システムＳＹＳが溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２を異なる位置に連続的に形成する領域と等価であるとみなしてもよい。このため、溶融池領域ＭＰＡは、加工システムＳＹＳが溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２を異なる位置に連続的に形成する領域を意味していてもよい。

　その後、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡの検出結果に基づいて、溶融池領域ＭＰＡに関する情報を、溶融池画像情報ＭＰＩとして生成してもよい。例えば、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡに関する情報の一例として、溶融池領域ＭＰＡのサイズに関する情報を生成してもよい。一例として、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡの面積を算出し、算出した溶融池領域ＭＰＡの面積に関する情報を、溶融池領域ＭＰＡのサイズに関する情報として生成してもよい。この場合、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡの面積として、溶融池領域ＭＰＡを構成する画素の数を算出してもよい。つまり、制御ユニット７は、加算画像ＩＭＧ＿Ｃに基づいて、所定の信号閾値よりも大きくなる信号値（例えば、輝度値）を有する画素の数を算出することで、溶融池領域ＭＰＡのサイズに関する情報を生成してもよい。

　但し、制御ユニット７は、複数の溶融池画像ＩＭＧを用いることに代えて、単一の溶融池画像ＩＭＧを用いて、溶融池領域ＭＰＡに関する情報を生成してもよい。具体的には、制御ユニット７は、溶融池画像ＩＭＧの各画素の信号値（例えば、輝度値）と所定の信号閾値とを比較することで、溶融池画像ＩＭＧ内で溶融池領域ＭＰＡを検出してもよい。例えば、制御ユニット７は、溶融池画像ＩＭＧ内において、所定の信号閾値よりも大きくなる信号値（例えば、輝度値）を有する画素を検出してもよい。この場合、制御ユニット７は、検出した画素を含む領域を、溶融池領域ＭＰＡとして検出してもよい。その後、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡの検出結果に基づいて、溶融池領域ＭＰＡに関する情報を、溶融池画像情報ＭＰＩとして生成してもよい。

　或いは、撮像ユニット８の露光時間が一定時間よりも長くなると、一枚の溶融池画像ＩＭＧに、加算画像ＩＭＧ＿Ｃに写り込んでいる溶融池領域ＭＰＡと同様の溶融池領域ＭＰＡが写り込む可能性が高くなる。例えば、撮像ユニット８の露光時間が、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２の周期的な移動の周期に応じて定まる一定時間よりも長くなると、一枚の溶融池画像ＩＭＧに、加算画像ＩＭＧ＿Ｃに写り込んでいる溶融池領域ＭＰＡと同様の溶融池領域ＭＰＡが写り込む可能性が高くなる。一例として、撮像ユニット８の露光時間が、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２の周期的な移動の一周期よりも長くなると、一枚の溶融池画像ＩＭＧに、加算画像ＩＭＧ＿Ｃに写り込んでいる溶融池領域ＭＰＡと同様の溶融池領域ＭＰＡが写り込む可能性が高くなる。このため、撮像ユニット８の露光時間が一定時間よりも長い場合には、制御ユニット７は、複数の溶融池画像ＩＭＧを用いることなく、溶融池画像情報ＭＰＩを生成してもよい。尚、この一定時間は、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２の周期的な移動の一周期に要する期間であってもよい。この一定時間は、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２の周期的な移動の一周期に要する期間の半分であってもよい。この一定時間は、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２の周期的な移動の一周期に要する期間の１／３であってもよい。制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡが写り込んでいる単一の溶融池画像ＩＭＧを用いて、溶融池画像情報ＭＰＩを生成してもよい。

　尚、撮像ユニット８の露光時間は、撮像ユニット８の撮像素子が光で露光される時間を意味していてもよい。例えば、撮像ユニット８がメカニカルシャッタを備えている場合には、撮像ユニット８の露光時間は、メカニカルシャッタの状態が開状態となっている時間を意味していてもよい。つまり、撮像ユニット８の露光時間は、メカニカルシャッタの状態が開状態に切り替えられるタイミングから、メカニカルシャッタの状態が閉状態に切り替えられるタイミングまでの時間を意味していてもよい。開状態は、メカニカルシャッタが開いている状態を意味していてもよい。閉状態は、メカニカルシャッタが閉じている状態を意味していてもよい。或いは、撮像ユニット８が電子シャッタを備えている場合には、撮像ユニット８の露光時間は、電子シャッタの状態がオン状態となっている時間を意味していてもよい。つまり、撮像ユニット８の露光時間は、電子シャッタの状態がオン状態に切り替えられるタイミングから、電子シャッタの状態がオフ状態に切り替えられるタイミングまでの時間を意味していてもよい。オン状態は、電子シャッタがオンになっている状態を意味していてもよい。電子シャッタがオンになっている状態は、撮像素子の各画素が一回の撮像において露光され且つ撮像素子の各画素に光量に基づいた電荷を蓄積可能な状態を意味してもよい。

　或いは、撮像ユニット８がメカニカルシャッタを備えている場合には、撮像ユニット８は、上述した撮像レートに同期するタイミングでメカニカルシャッタを複数回開閉してもよい。この場合においても、撮像ユニット８は、多重露光を行っているとみなしてもよい。その後、撮像ユニット８は、撮像素子の各画素に蓄積された電荷を読み出してもよい。この場合においても、撮像ユニット８が生成した一枚の溶融池画像ＩＭＧに、加算画像ＩＭＧ＿Ｃに写り込んでいる溶融池領域ＭＰＡと同様の溶融池領域ＭＰＡが写り込む可能性が高い。このため、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡが写り込んでいる単一の溶融池画像ＩＭＧを用いて、溶融池画像情報ＭＰＩを生成してもよい。

　撮像ユニット８が電子シャッタを備えている場合においても、撮像ユニット８は、上述した撮像レートに同期するタイミングで電子シャッタを複数回オンオフしてもよい。この場合においても、撮像ユニット８は、多重露光を行っているとみなしてもよい。その後、撮像ユニット８は、撮像素子の各画素に蓄積された電荷を読み出してもよい。この場合においても、撮像ユニット８が生成した一枚の溶融池画像ＩＭＧに、加算画像ＩＭＧ＿Ｃに写り込んでいる溶融池領域ＭＰＡと同様の溶融池領域ＭＰＡが写り込む可能性が高い。このため、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡが写り込んでいる単一の溶融池画像ＩＭＧを用いて、溶融池画像情報ＭＰＩを生成してもよい。但し、撮像ユニット８は、電子シャッタをオンオフする都度、撮像素子の各画素に蓄積された電荷を読み出してもよい。この場合、撮像ユニット８は、実質的には、時系列データとしての複数の溶融池画像ＩＭＧを生成しているとみなしてもよい。

　再び図９において、その後、制御ユニット７は、ステップＳ１２において生成された溶融池画像情報ＭＰＩに基づいて、加工システムＳＹＳを制御する（ステップＳ１３）。例えば、図１２に示すように、制御ユニット７は、溶融池画像情報ＭＰＩに基づいて、溶融池領域ＭＰＡのサイズが所定の目標サイズＴＳとなるように、加工システムＳＹＳを制御する。

　一例として、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡのサイズが所定の目標サイズＴＳとなるように、光源４＃１が射出する加工光ＥＬ＃１及び光源４＃２が射出する加工光ＥＬ＃２の少なくとも一方の強度を制御してもよい。つまり、制御ユニット７は、加工光ＥＬ＃１及びＥＬ＃２の少なくとも一方の強度のＤＣ成分を制御するＤＣ変調制御を行ってもよい。つまり、加工光ＥＬ＃１の強度が変わると、溶融池ＭＰ＃１のサイズが変わる。例えば、加工光ＥＬ＃１の強度が高くなるほど、加工光ＥＬ＃１によって溶融する造形材料Ｍ（或いは、造形面ＭＳを構成する材料）の分量が増える。このため、加工光ＥＬ＃１の強度が高くなるほど、溶融池ＭＰ＃１のサイズが大きくなる。同様に、加工光ＥＬ＃２の強度が高くなるほど、溶融池ＭＰ＃２のサイズが大きくなる。溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２のサイズが変わると、溶融池画像ＩＭＧ又は加算画像ＩＭＧ＿Ｃに写り込む溶融池領域ＭＰＡのサイズが変わる。このため、制御ユニット７は、加工光ＥＬ＃１及びＥＬ＃２の少なくとも一方の強度を制御することで、溶融池領域ＭＰＡのサイズを制御することができる。

　他の一例として、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡのサイズが所定の目標サイズＴＳとなるように、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２をそれぞれ移動させるガルバノミラー２１４６及び２１５６の少なくとも一方を制御してもよい。ガルバノミラー２１４６が溶融池ＭＰ＃１を移動させる範囲が変わると、溶融池画像ＩＭＧ又は加算画像ＩＭＧ＿Ｃに写り込む溶融池領域ＭＰＡのサイズが変わる。同様に、ガルバノミラー２１５６が溶融池ＭＰ＃２を移動させる範囲が変わると、溶融池画像ＩＭＧ又は加算画像ＩＭＧ＿Ｃに写り込む溶融池領域ＭＰＡのサイズが変わる。このため、制御ユニット７は、ガルバノミラー２１４６及び２１５６の少なくとも一方を制御することで、溶融池領域ＭＰＡのサイズを制御することができる。

　溶融池領域ＭＰＡのサイズが目標サイズＴＳとなるように加工システムＳＹＳを制御する動作は、溶融池領域ＭＰＡのサイズと目標サイズＴＳとの差分が小さくなるように加工システムＳＹＳを制御する動作を含んでいてもよい。つまり、溶融池領域ＭＰＡのサイズが目標サイズＴＳとなるように加工システムＳＹＳを制御する動作は、溶融池領域ＭＰＡのサイズを目標サイズＴＳに近づけるように加工システムＳＹＳを制御する動作を含んでいてもよい。また、溶融池領域ＭＰＡのサイズが目標サイズＴＳとなるように加工システムＳＹＳを制御する動作は、溶融池領域ＭＰＡのサイズと目標サイズＴＳとの差分をゼロにするように加工システムＳＹＳを制御する動作を含んでいてもよい。つまり、溶融池領域ＭＰＡのサイズが目標サイズＴＳとなるように加工システムＳＹＳを制御する動作は、溶融池領域ＭＰＡのサイズを目標サイズＴＳに一致させるように加工システムＳＹＳを制御する動作を含んでいてもよい。いずれの場合においても、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡのサイズに基づいて加工システムＳＹＳのフィードバック制御を行っているとみなしてもよい。

　その結果、溶融池領域ＭＰＡのサイズが目標サイズＴＳに維持される。ここで、上述したように、溶融池領域ＭＰＡは、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２が移動する領域に相当する。このため、溶融池領域ＭＰＡのサイズは、実質的には、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２がそれぞれ移動する加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２のサイズと相関を有する。このため、溶融池領域ＭＰＡのサイズが目標サイズＴＳに維持されると、加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２のそれぞれのサイズもまた、目標サイズＴＳに応じたサイズに維持される。その結果、造形面ＭＳ上で加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２を移動させることで造形される線状の造形物のサイズ（典型的には、幅）もまた、目標サイズＴＳに応じたサイズに維持される。なぜならば、線状の造形物のサイズは、加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２のサイズと相関を有するからである。このため、加工システムＳＹＳは、溶融池フィードバック制御動作を行うことで、所望のサイズ（典型的には、所望の幅）を有する線状の造形物を造形することができる。つまり、加工システムＳＹＳは、溶融池フィードバック制御動作を行うことで、所望のサイズとは異なるサイズを有する線状の造形物を誤って造形する可能性が低くなる。このため、加工システムＳＹＳは、高い造形精度で造形物を造形することができる。

　尚、上述した説明では、制御ユニット７は、少なくとも二つの溶融池画像ＩＭＧを加算することで、加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２のサイズと相関を有する溶融池画像情報ＭＰＩを生成している。しかしながら、制御ユニット７は、少なくとも二つの溶融池画像ＩＭＧを加算することなく、少なくとも二つの溶融池画像ＩＭＧから、加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２のサイズ（つまり、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２が移動する領域のサイズ）と相関を有する指標値を算出してもよい。この場合、制御ユニット７は、図９のステップＳ１３において、算出した指標値が上述した目標サイズＴＳ（或いは、目標サイズＴＳに応じた値）となるように、加工システムＳＹＳを制御してもよい。

　一例として、制御ユニット７は、少なくとも二つの溶融池画像ＩＭＧにそれぞれ写り込んでいる少なくとも二つの溶融池ＭＰのサイズを算出してもよい。例えば、制御ユニット７は、第１の溶融池画像ＩＭＧに写り込んでいる溶融池ＭＰのサイズを算出し、且つ、第１の溶融池画像ＩＭＧとは異なる第２の溶融池画像ＩＭＧに写り込んでいる溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２のサイズを算出してもよい。その後、制御ユニット７は、算出した少なくとも二つの溶融池ＭＰのサイズを加算してもよい。例えば、制御ユニット７は、第１の溶融池画像ＩＭＧに写り込んでいる溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２のサイズと、第２の溶融池画像ＩＭＧに写り込んでいる溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２のサイズとを加算してもよい。この場合、少なくとも二つの溶融池ＭＰのサイズを加算することで得られる値が、加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２のサイズ（つまり、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２が移動する領域のサイズ）と相関を有する指標値として用いられてもよい。

　他の一例として、制御ユニット７は、少なくとも二つの溶融池画像ＩＭＧにそれぞれ写り込んでいる少なくとも二つの溶融池ＭＰの位置を算出してもよい。例えば、制御ユニット７は、第１の溶融池画像ＩＭＧに写り込んでいる溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２の位置を算出し、且つ、第１の溶融池画像ＩＭＧとは異なる第２の溶融池画像ＩＭＧに写り込んでいる溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２の位置を算出してもよい。その後、制御ユニット７は、算出した少なくとも二つの溶融池ＭＰの位置に基づいて、加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２のサイズ（つまり、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２が移動する領域のサイズ）を算出してもよい。例えば、上述したように、目標照射領域ＥＡ＃１が加工単位領域ＢＳＡ＃１内で一の方向に沿って周期的に移動するがゆえに、溶融池ＭＰ＃１もまた一の方向に沿って周期的に移動する。この場合、制御ユニット７は、算出した溶融池ＭＰ＃１の位置に基づいて、溶融池ＭＰ＃１が移動する領域の一の方向における両端部の位置を算出してもよい。例えば、制御ユニット７は、溶融池ＭＰ＃１の位置を示す座標が最大となる位置と、溶融池ＭＰ＃１の位置を示す座標が最小となる位置とを、溶融池ＭＰ＃１が移動する領域の一の方向における両端部の位置として算出してもよい。その後、制御ユニット７は、算出した両端部の位置の間の距離を、加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２のサイズ（つまり、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２が移動する領域のサイズ）と相関を有する指標値として算出してもよい。この場合、制御ユニット７は、図９のステップＳ１３において、算出した指標値が上述した目標サイズＴＳに応じた距離となるように、加工システムＳＹＳを制御してもよい。

　（２－３）領域検出動作
　上述したように、溶融池フィードバック制御動作において（特に、図９のステップＳ１２において）、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡを検出している。この際、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡを精度よく検出するために、領域検出動作を行ってもよい。つまり、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡを精度よく検出するための動作の一例である領域検出動作を含む溶融池フィードバック制御動作を行ってもよい。

　領域検出動作は、溶融池画像ＩＭＧ（或いは、加算画像ＩＭＧ＿Ｃ）内において、溶融池領域ＭＰＡと、非溶融池領域ＮＰＡとの少なくとも一方を検出する動作である。言い換えれば、領域検出動作は、溶融池画像ＩＭＧ（或いは、加算画像ＩＭＧ＿Ｃ）内の各領域が、溶融池領域ＭＰＡであるか否かを判断（言い換えれば、判別する）動作であってもよい。領域検出動作は、溶融池画像ＩＭＧ（或いは、加算画像ＩＭＧ＿Ｃ）内の各領域が、非溶融池領域ＮＰＡであるか否かを判断（言い換えれば、判別する）動作であってもよい。

　非溶融池領域ＮＰＡは、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２が写り込んでいない領域である。非溶融池領域ＮＰＡは、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２が写り込んでいないものの、光が写り込んでいる領域であってもよい。具体的には、非溶融池領域ＮＰＡは、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２以外の発光及び反射光の少なくとも一方が写り込んでいる領域であってもよい。例えば、非溶融池領域ＮＰＡは、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２とは異なる物体の発光が写り込んでいる領域を含んでいてもよい。非溶融池領域ＮＰＡは、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２とは異なる物体からの反射光が写り込んでいる領域を含んでいてもよい。つまり、非溶融池領域ＮＰＡは、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２に起因して発生する光とは異なる光であるノイズ光が写り込んでいる領域であってもよい。

　ノイズ光は、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２の少なくとも一方において溶融している溶融物が飛散することで生成されるスパッタに起因した光を含んでいてもよい。例えば、ノイズ光は、スパッタが発する光及びスパッタで反射された光の少なくとも一方を含んでいてもよい。この場合、非溶融池領域ＮＰＡは、スパッタが写り込んだ領域を含んでいてもよい。

　ノイズ光は、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２の少なくとも一方において溶融している溶融物が蒸発することで生成されるヒュームに起因した光を含んでいてもよい。例えば、ノイズ光は、ヒュームが発する光及びヒュームで反射された光の少なくとも一方を含んでいてもよい。この場合、非溶融池領域ＮＰＡは、ヒュームが写り込んだ領域を含んでいてもよい。

　ノイズ光は、造形面ＭＳが形成されているワークＷ又は構造層ＳＬの表面の膜に加工光ＥＬが照射されることに起因して発生する光を含んでいてもよい。この場合、非溶融池領域ＮＰＡは、ワークＷ又は構造層ＳＬの表面の膜に加工光ＥＬが照射されることに起因して発生する光が写り込んだ領域を含んでいてもよい。

　ノイズ光は、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２に到達していない造形材料Ｍに起因した光を含んでいてもよい。特に、ノイズ光は、加工光ＥＬ＃１及びＥＬ＃２の少なくとも一方によって溶融したものの溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２に到達していない造形材料Ｍに起因した光を含んでいてもよい。例えば、ノイズ光は、造形材料Ｍが発する光及び造形材料Ｍで反射された光の少なくとも一方を含んでいてもよい。特に、ノイズ光は、溶融した造形材料Ｍが発する光及び溶融した造形材料Ｍで反射された光の少なくとも一方を含んでいてもよい。この場合、非溶融池領域ＮＰＡは、造形材料Ｍ（特に、溶融した造形材料Ｍ）が写り込んだ領域を含んでいてもよい。

　制御ユニット７は、少なくとも二つの溶融池画像ＩＭＧを加算して加算画像ＩＭＧ＿Ｃを生成すると共に、生成した加算画像ＩＭＧ＿Ｃに基づいて、領域検出動作を行ってもよい。つまり、制御ユニット７は、加算画像ＩＭＧ＿Ｃに基づいて、溶融池領域ＭＰＡと、非溶融池領域ＮＰＡとの少なくとも一方を検出してもよい。

　ここで、図１３及び図１４を参照しながら、加算画像ＩＭＧ＿Ｃに基づいて溶融池領域ＭＰＡと非溶融池領域ＮＰＡとの少なくとも一方を検出可能な技術的理由について説明する。

　図１３は、溶融池領域ＭＰＡと非溶融池領域ＮＰＡとが写り込んだ溶融池画像ＩＭＧを示している。つまり、図１３は、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２が写り込んだ領域に相当する溶融池領域ＭＰＡと、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２に起因して発生する光とは異なるノイズ光が写り込んだ領域に相当する非溶融池領域ＮＰＡとが写り込んだ溶融池画像ＩＭＧを示している。ここで、溶融池領域ＭＰＡには溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２で発生した光が写り込み、非溶融池領域ＮＰＡにはノイズ光が写り込んでいる。つまり、溶融池領域ＭＰＡ及び非溶融池領域ＮＰＡのいずれにおいても、光が写り込んでいる。このため、溶融池領域ＭＰＡに含まれる画素の信号値と非溶融池領域ＮＰＡに含まれる画素の信号値との差分は、それほど大きくない可能性がある。例えば、溶融池領域ＭＰＡに含まれる画素の輝度値と非溶融池領域ＮＰＡに含まれる画素の輝度値との差分は、それほど大きくない可能性がある。このため、一枚の溶融池画像ＩＭＧ内において、上述した信号閾値を用いて溶融池領域ＭＰＡと非溶融池領域ＮＰＡと区別することは、必ずしも容易ではない可能性がある。つまり、一枚の溶融池画像ＩＭＧを用いて溶融池領域ＭＰＡと非溶融池領域ＮＰＡと区別することは、必ずしも容易ではない可能性がある。その結果、制御ユニット７は、非溶融池領域ＮＰＡを溶融池領域ＭＰＡとして誤って検出してしまう可能性がある。

　一方で、上述したように、ガルバノミラー２１４６及び２１５６は、加工ヘッド２１を基準に定まる加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２内において、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２を周期的に移動させている。更に、撮像ユニット８が加工ヘッド２１に取り付けられているがゆえに、撮像ユニット８と加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２のそれぞれとの相対的な位置関係は固定されている。このため、溶融池画像ＩＭＧ内において溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２が移動する領域の位置は、時間の経過に変わらず同じになる可能性が高い。その結果、溶融池画像ＩＭＧ内において溶融池領域ＭＰＡが写り込む位置は、時間の経過に変わらず同じになる可能性が高い。つまり、複数の溶融池画像ＩＭＧの間で、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２が移動する領域の位置が大きく変わる可能性は低い。このため、時系列データとしての複数の溶融池画像ＩＭＧを示す図１４に示すように、複数の溶融池画像ＩＭＧの間で、溶融池領域ＭＰＡが写り込む位置が大きく変わる可能性は低い。

　他方で、非溶融池領域ＮＰＡを発生させるノイズ光が発生する位置は、必ずしも決まっていない。このため、非溶融池領域ＮＰＡを発生させるノイズ光が発生する位置は、時間の経過と共に変動する可能性が高い。更には、非溶融池領域ＮＰＡを発生させるノイズ光が発生する位置の変動は、ランダムな確率で生ずる可能性が高い。非溶融池領域ＮＰＡを発生させるノイズ光が発生する位置は、ランダムに変動する可能性が高い。このため、溶融池画像ＩＭＧ内において非溶融池領域ＮＰＡが写り込む位置は、時間の経過と共にランダムに変動する可能性が高い。つまり、時系列データとしての複数の溶融池画像ＩＭＧを示す図１４に示すように、複数の溶融池画像ＩＭＧの間で、非溶融池領域ＮＰＡが写り込む位置が大きく変わる可能性がある。

　或いは、ノイズ光が常に発生しているとは限らない。このため、そもそも、溶融池画像ＩＭＧ内に非溶融池領域ＮＰＡが写り込まない可能性がある。つまり、時系列データとしての複数の溶融池画像ＩＭＧを示す図１４に示すように、複数の溶融池画像ＩＭＧは、非溶融池領域ＮＰＡが写り込んでいる溶融池画像ＩＭＧと、非溶融池領域ＮＰＡが写り込んでいない溶融池画像ＩＭＧとの双方を含む可能性がある。

　この場合、図１４に示す複数の溶融池画像ＩＭＧを加算することで生成される加算画像ＩＭＧ＿Ｃを示す図１５に示すように、加算画像ＩＭＧ＿Ｃでは、溶融池領域ＭＰＡに含まれる画素の信号値と非溶融池領域ＮＰＡに含まれる画素の信号値との差分が、両者を区別可能なほどに十分に大きくなる可能性が高い。具体的には、加算画像ＩＭＧ＿Ｃでは、溶融池領域ＭＰＡに含まれる画素の輝度値は、非溶融池領域ＮＰＡに含まれる画素の輝度値と比較して、両者を区別可能なほどに十分に高くなる可能性が高い。

　このため、制御ユニット７は、加算画像ＩＭＧ＿Ｃの信号値（例えば、輝度値）に基づいて、溶融池領域ＭＰＡと非溶融池領域ＮＰＡとの少なくとも一方を検出することができる。具体的には、制御ユニット７は、加算画像ＩＭＧ＿Ｃの各画素の信号値（例えば、輝度値）と所定の信号閾値とを比較することで、溶融池領域ＭＰＡと非溶融池領域ＮＰＡとの少なくとも一方を検出することができる。

　例えば、制御ユニット７は、加算画像ＩＭＧ＿Ｃ内において、所定の信号閾値よりも大きくなる信号値（例えば、輝度値）を有する画素を含む領域を、溶融池領域ＭＰＡとして検出してもよい。つまり、制御ユニット７は、加算画像ＩＭＧ＿Ｃ内において、所定の信号閾値よりも大きくなる信号値（例えば、輝度値）の加算結果に対応する画素を含む領域を、溶融池領域ＭＰＡとして検出してもよい。制御ユニット７は、検出された溶融池領域ＭＰＡに基づいて、溶融池領域ＭＰＡに関する情報を含む溶融池画像情報ＭＰＩを生成してもよい。

　例えば、制御ユニット７は、加算画像ＩＭＧ＿Ｃ内において、所定の信号閾値よりも小さくなる信号値（例えば、輝度値）を有する画素を含む領域を、非溶融池領域ＮＰＡとして検出してもよい。つまり、制御ユニット７は、加算画像ＩＭＧ＿Ｃ内において、所定の信号閾値よりも小さくなる信号値（例えば、輝度値）の加算結果に対応する画素を含む領域を、非溶融池領域ＮＰＡとして検出してもよい。この場合、制御ユニット７は、検出された非溶融池領域ＮＰＡを用いることなく、溶融池領域ＭＰＡに関する情報を含む溶融池画像情報ＭＰＩを生成してもよい。

　但し、信号値（例えば、輝度値）が小さすぎる画素には、ノイズ光が写り込んでいる可能性は低い。このため、制御ユニット７は、加算画像ＩＭＧ＿Ｃ内において、上述した所定の信号閾値である第１の信号閾値よりも小さくなり且つ第１の信号閾値よりも小さい第２の信号閾値よりも大きい信号値（例えば、輝度値）を有する画素を含む領域を、非溶融池領域ＮＰＡとして検出してもよい。尚、第２の信号閾値は、典型的には、０よりも大きい。

　尚、領域検出動作を含む溶融池フィードバック制御動作が行われる場合には、信号閾値は、溶融池領域ＭＰＡと非溶融池領域ＮＰＡとを、信号値（例えば、輝度値）から区別可能な適切な値に設定されていてもよい。

　以上説明したように、加工システムＳＹＳは、領域検出動作を行うことで、溶融池領域ＭＰＡと非溶融池領域ＮＰＡとの少なくとも一方を検出することができる。このため、領域検出動作を行わない比較例の加工システムと比較して、加工システムＳＹＳは、非溶融池領域ＮＰＡを、溶融池領域ＭＰＡとして誤って検出する可能性は低くなる。このため、溶融池領域ＭＰＡのサイズが目標サイズＴＳに維持される。その結果、加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２のそれぞれのサイズもまた、目標サイズＴＳに応じたサイズに維持される。このため、加工システムＳＹＳは、溶融池フィードバック制御動作を行うことで、所望のサイズ（典型的には、所望の幅）を有する線状の造形物を造形することができる。つまり、加工システムＳＹＳは、高い造形精度で造形物を造形することができる。

　尚、ガルバノミラー２１４６及び２１５６の駆動条件から、ガルバノミラー２１４６及び２１５６が溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２をそれぞれ移動させる範囲は、ある程度の精度で推定可能である。このため、制御ユニット７は、ガルバノミラー２１４６及び２１５６が溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２をそれぞれ移動させる範囲を推定し、推定結果から溶融池領域ＭＰＡが分布する範囲の境界を推定し、推定した境界の外側の領域を、非溶融池領域ＮＰＡとして検出してもよい。

　（２－４）撮像条件変更動作
　（２－４－１）撮像条件変更動作の概要
　加工システムＳＹＳは、制御ユニット７の制御下で、上述した溶融池フィードバック制御動作と並行して又は相前後して、撮像条件変更動作を行ってもよい。つまり、加工システムＳＹＳは、上述した溶融池フィードバック制御動作が行われている期間の少なくとも一部において、撮像条件変更動作を行ってもよい。加工システムＳＹＳは、上述した溶融池フィードバック制御動作が行われる前に、撮像条件変更動作を行ってもよい。加工システムＳＹＳは、上述した溶融池フィードバック制御動作が行われた後に、撮像条件変更動作を行ってもよい。典型的には、制御ユニット７が撮像条件変更動作を行ってもよい。

　撮像条件変更動作は、撮像ユニット８が溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２を撮像するための撮像条件を変更する（言い換えれば、制御する、調整する又は設定する）動作である。つまり、撮像条件変更動作は、撮像ユニット８が溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２を撮像するために用いる撮像条件を変更する動作である。撮像条件変更動作は、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２を撮像するために撮像ユニット８に設定される撮像条件を変更する動作である。

　制御ユニット７は、撮像ユニット８が溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２を適切に撮像することができるように、撮像条件を変更してもよい。例えば、制御ユニット７は、上述した溶融池フィードバック制御動作を適切に行うことが可能な溶融池画像ＩＭＧを撮像ユニット８が生成することができるように、撮像条件を変更してもよい。例えば、制御ユニット７は、上述した溶融池フィードバック制御動作によって加工システムＳＹＳが所望のサイズ（典型的には、所望の幅）を有する線状の造形物を造形することができる状態を実現可能な溶融池画像ＩＭＧを撮像ユニット８が生成することができるように、撮像条件を変更してもよい。

　この場合、撮像ユニット８は、制御ユニット７が変更した撮像条件に基づいて、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２を撮像する。つまり、制御ユニット７は、制御ユニット７が変更した撮像条件に基づいて、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２を撮像するように、撮像ユニット８を制御する。

　撮像条件は、撮像ユニット８が溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２を撮像する撮像タイミングに関する条件を含んでいてもよい。この場合、制御ユニット７は、撮像タイミングを変更してもよい。例えば、制御ユニット７は、図１６（ａ）に示すように、変更前の撮像タイミングと比較して撮像タイミングが早くなるように、撮像タイミングを変更してもよい。例えば、制御ユニット７は、図１６（ａ）に示すように、変更前の撮像タイミングと比較して撮像タイミングが遅くなるように、撮像タイミングを変更してもよい。

　撮像タイミングに関する条件は、図１６（ａ）に示すように、撮像ユニット８が溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２の撮像を開始するタイミングを含んでいてもよい。撮像タイミングに関する条件は、図１６（ａ）に示すように、撮像ユニット８が溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２の撮像を終了するタイミングを含んでいてもよい。撮像ユニット８が溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２の撮像を開始するタイミングは、撮像ユニット８がメカニカルシャッタの状態を閉状態から開状態に切り替えるタイミングを意味していてもよい。撮像ユニット８が溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２の撮像を開始するタイミングは、撮像ユニット８が電子シャッタの状態をオフ状態からオン状態に切り替えるタイミングを意味していてもよい。撮像ユニット８が溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２の撮像を終了するタイミングは、撮像ユニット８がメカニカルシャッタの状態を開状態から閉状態に切り替えるタイミングを意味していてもよい。撮像ユニット８が溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２の撮像を開始するタイミングは、撮像ユニット８が電子シャッタの状態をオン状態からオフ状態に切り替えるタイミングを意味していてもよい。

　尚、上述したように撮像ユニット８が多重露光を行っているとみなすことができる場合には、図１６（ａ）に示す撮像タイミングは、多重露光における複数回の露光のそれぞれを行うタイミングであるとみなしてもよい。つまり、図１６（ａ）に示す一つのパルス状の波形は、多重露光における一回の露光が行われるタイミングを示しているとみなしてもよい。

　撮像条件は、撮像ユニット８が溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２を撮像するための露光時間に関する条件を含んでいてもよい。この場合、制御ユニット７は、露光時間を変更してもよい。例えば、制御ユニット７は、図１６（ｂ）に示すように、変更前の露光時間と比較して露光時間が短くなるように、露光時間を変更してもよい。例えば、制御ユニット７は、図１６（ｂ）に示すように、変更前の露光時間と比較して露光時間が長くなるように、露光時間を変更してもよい。

　尚、露光時間の定義については、既に説明済みであるため、その詳細な説明を省略する。図１６（ｂ）に示す例では、露光時間は、撮像ユニット８が溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２の撮像を開始してから、撮像ユニット８が溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２の撮像を終了するまでの時間を意味していてもよい。

　また、上述したように撮像ユニット８が多重露光を行っているとみなすことができる場合には、図１６（ｂ）に示す露光時間は、多重露光における複数回の露光のそれぞれを行う時間であるとみなしてもよい。つまり、図１６（ｂ）に示す一つのパルス状の波形は、多重露光における一回の露光が行われる期間を示しているとみなしてもよい。

　撮像条件は、撮像ユニット８が溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２を撮像する撮像周期又は撮像レートに関する条件を含んでいてもよい。この場合、制御ユニット７は、撮像周期又は撮像レートを変更してもよい。例えば、制御ユニット７は、図１６（ｃ）に示すように、変更前の撮像周期と比較して撮像周期が長くなるように、撮像周期を変更してもよい。例えば、制御ユニット７は、図１６（ｃ）に示すように、変更前の撮像周期と比較して撮像周期が短くなるように、撮像周期を変更してもよい。例えば、制御ユニット７は、図１６（ｃ）に示すように、変更前の撮像レートと比較して撮像レートが低くなるように、撮像レートを変更してもよい。例えば、制御ユニット７は、図１６（ｃ）に示すように、変更前の撮像レートと比較して撮像レートが高くなるように、撮像レートを変更してもよい。

　尚、撮像周期及び撮像レートの定義については、既に説明済みであるため、その詳細な説明を省略する。図１６（ｃ）に示す例では、撮像周期は、撮像ユニット８が溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２の撮像を開始してから、撮像ユニット８が溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２の撮像を次に開始するまでの時間を意味していてもよい。撮像レートは、単位時間あたりに（例えば、１秒間あたりに）撮像ユニット８が溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２の撮像を開始する回数を意味していてもよい。

　上述したように、撮像レートは、撮像周期の逆数であってもよい。つまり、撮像周期は、撮像レートの逆数であってもよい。この場合、撮像レートが低くなるように撮像レートを変更する動作は、撮像周期が長くなるように撮像周期を変更する動作と等価であるとみなしてもよい。撮像レートが高くなるように撮像レートを変更する動作は、撮像周期が短くなるように撮像周期を変更する動作と等価であるとみなしてもよい。

　尚、上述したように撮像ユニット８が多重露光を行っているとみなすことができる場合には、図１６（ｃ）に示す撮像周期は、多重露光における複数回の露光のそれぞれが行われる周期であるとみなしてもよい。つまり、図１６（ｂ）に示す隣り合う二つのパルス状の波形の間の間隔は、多重露光における一回の露光が行われる周期を示しているとみなしてもよい。また、上述したように撮像ユニット８が多重露光を行っているとみなすことができる場合には、図１６（ｃ）に示す撮像レートは、多重露光において単位時間あたりに露光が行われる回数を示す指標値（尚、この指標値を、露光レートと称してもよい）であるとみなしてもよい。

　尚、撮像条件が変更されると、時系列データとしての複数の溶融池画像ＩＭＧを生成するための撮像ユニット８の動作が変わる。上述したように撮像ユニット８が多重露光を行うことで時系列データとしての複数の溶融池画像ＩＭＧを生成しているとみなしてもよいことを考慮すれば、撮像条件を変更する動作は、多重露光の条件を変更する動作と等価であるとみなしてもよい。

　（２－４－２）加工条件に基づく撮像条件の変更
　制御ユニット７は、加工システムＳＹＳによるワークＷの加工条件に基づいて、撮像条件を変更してもよい。例えば、制御ユニット７は、加工システムＳＹＳが第１の加工条件に基づいてワークＷを加工する場合には、撮像ユニット８が第１の撮像条件に基づいて溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２を撮像するように、撮像条件を変更してもよい。例えば、制御ユニット７は、加工システムＳＹＳが第１の加工条件とは異なる第２の加工条件に基づいてワークＷを加工する場合には、撮像ユニット８が第１の撮像条件とは異なる第２の撮像条件に基づいて溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２を撮像するように、撮像条件を変更してもよい。

　制御ユニット７は、加工条件が変更された場合においても、撮像ユニット８が溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２を適切に撮像することができるように、撮像条件を変更してもよい。例えば、制御ユニット７は、加工システムＳＹＳが第１の加工条件に基づいてワークＷを加工する場合には、第１の加工条件に基づいて加工システムＳＹＳが形成する溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２を撮像ユニット８が適切に撮像することができるように、撮像条件を第１の撮像条件に変更してもよい。例えば、制御ユニット７は、加工システムＳＹＳが第２の加工条件に基づいてワークＷを加工する場合には、第２の加工条件に基づいて加工システムＳＹＳが形成する溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２を撮像ユニット８が適切に撮像することができるように、撮像条件を第２の撮像条件に変更してもよい。

　制御ユニット７は、加工条件と撮像条件との対応関係を規定する撮像条件テーブルを用いて、加工条件に基づいて、撮像条件を変更してもよい。撮像条件テーブルは、ワークＷの加工条件が一の加工条件である場合に撮像ユニット８が用いるべき撮像条件を指定するテーブルであってもよい。撮像条件テーブルは、ワークＷの加工条件に関連付けて撮像ユニット８が用いるべき撮像条件に関する情報を記録するテーブルであってもよい。撮影条件テーブルは、記憶装置７２に記憶（言い換えれば、記録）されていてもよい。撮像条件テーブルは、加工条件及び撮像条件の少なくとも一方を変更しながら上述した溶融池フィードバック制御動作を繰り返し行うと共に、溶融池フィードバック制御動作の結果として造形された線状の造形物の造形精度が所望精度になる状態を実現可能な加工条件と撮像条件との対応関係を特定することで、予め生成されていてもよい。

　（２－４－２－１）加工条件の第１具体例
　加工条件は、加工光ＥＬ＃１及びＥＬ＃２の少なくとも一方に関する光条件を含んでいてもよい。尚、加工光ＥＬ＃１及びＥＬ＃２のそれぞれがエネルギビームの一例であるがゆえに、光条件は、ビーム条件と称されてもよい。光条件は、加工光ＥＬ＃１及びＥＬ＃２の少なくとも一方の強度に関する強度条件を含んでいてもよい。この場合、制御ユニット７は、ワークＷを加工するためにワークＷに照射される加工光ＥＬ＃１及びＥＬ＃２の少なくとも一方の強度に基づいて、撮像条件を変更してもよい。

　ここで、撮像条件を変更する動作の第１具体例として、加工光ＥＬ＃ｋ（尚、ｋは、１及び２のそれぞれを示す変数）の強度が第１強度から第１強度よりも高い第２強度に変更された場合に撮像条件を変更する動作の一例について説明する。この場合、加工光ＥＬ＃ｋの強度が変わるがゆえに、溶融池画像ＩＭＧにおいて溶融池ＭＰ＃ｋが写り込んでいる画素の輝度値（或いは、任意の信号値）もまた変わる。この場合、制御ユニット７は、加工光ＥＬ＃ｋの強度が第１強度から第２強度に変更された場合であっても、溶融池画像ＩＭＧにおいて溶融池ＭＰ＃ｋが写り込んでいる画素の輝度値の変化量が第１許容量以下に抑えられるように、撮像条件を変更してもよい。つまり、制御ユニット７は、加工光ＥＬ＃ｋの強度が第１強度である場合に生成される溶融池画像ＩＭＧにおいて溶融池ＭＰ＃ｋが写り込んでいる画素の輝度値と、加工光ＥＬ＃ｋの強度が第２強度である場合に生成される溶融池画像ＩＭＧにおいて溶融池ＭＰ＃ｋが写り込んでいる画素の輝度値との差分が第１許容量以下となるように、撮像条件を変更してもよい。典型的には、制御ユニット７は、加工光ＥＬ＃ｋの強度が第１強度から第２強度に変更された場合であっても、溶融池画像ＩＭＧにおいて溶融池ＭＰ＃ｋが写り込んでいる画素の輝度値が一定に維持されるように、撮像条件を変更してもよい。つまり、制御ユニット７は、加工光ＥＬ＃ｋの強度が第１強度である場合に生成される溶融池画像ＩＭＧにおいて溶融池ＭＰ＃ｋが写り込んでいる画素の輝度値と、加工光ＥＬ＃ｋの強度が第２強度である場合に生成される溶融池画像ＩＭＧにおいて溶融池ＭＰ＃ｋが写り込んでいる画素の輝度値とが同じになるように、撮像条件を変更してもよい。

　より具体的には、加工光ＥＬ＃ｋの強度が高くなると、溶融池画像ＩＭＧにおいて溶融池ＭＰ＃ｋが写り込んでいる画素の輝度値が高くなる。この場合、制御ユニット７は、撮像条件を変更しない場合と比較して、溶融池画像ＩＭＧにおいて溶融池ＭＰ＃ｋが写り込んでいる画素の輝度値が低くなるように、撮像条件を変更してもよい。例えば、撮像条件の一例である露光時間が短くなるほど、溶融池画像ＩＭＧの画素の輝度値が低くなる。このため、制御ユニット７は、露光時間が短くなるように、露光時間を変更してもよい。つまり、制御ユニット７は、加工光ＥＬ＃ｋの強度が第１強度である場合の露光時間よりも、加工光ＥＬ＃ｋの強度が第２強度である場合の露光時間が短くなるように、露光時間を変更してもよい。その結果、溶融池画像ＩＭＧにおいて溶融池ＭＰ＃ｋが写り込んでいる画素の輝度値の変化量が第１許容量以下に抑えられる。場合によっては、溶融池画像ＩＭＧにおいて溶融池ＭＰ＃ｋが写り込んでいる画素の輝度値が一定に維持される。

　このような撮像条件を変更する動作の第１具体例を考慮すると、制御ユニット７は、加工光ＥＬ＃ｋの強度が高くなるほど、露光時間が短くなるように、露光時間を変更してもよい。制御ユニット７は、加工光ＥＬ＃ｋの強度が低くなるほど、露光時間が長くなるように、露光時間を変更してもよい。

　尚、加工光ＥＬ＃ｋの強度が高くなるほど、加工光ＥＬ＃ｋの密度（例えば、パワー密度であり、実質的にはフルエンス）が高くなる。このため、光条件は、加工光ＥＬ＃ｋの密度に関する条件を含んでいてもよい。加工光ＥＬ＃ｋの強度に基づいて撮像条件を変更する動作は、加工光ＥＬ＃ｋの密度に基づいて撮像条件を変更する動作と等価であるとみなしてもよい。制御ユニット７は、加工光ＥＬ＃ｋの強度に基づいて撮像条件を変更する場合と同様に、加工光ＥＬ＃ｋの密度に基づいて撮像条件を変更してもよい。例えば、制御ユニット７は、加工光ＥＬ＃ｋの密度が高くなるほど、露光時間が短くなるように、露光時間を変更してもよい。制御ユニット７は、加工光ＥＬ＃ｋの密度が低くなるほど、露光時間が長くなるように、露光時間を変更してもよい。

　（２－４－２－２）加工条件の第２具体例
　加工条件は、目標照射領域ＥＡ＃１及びＥＡ＃２の少なくとも一方の移動態様に関する移動態様条件を含んでいてもよい。この場合、制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃１及びＥＡ＃２の少なくとも一方の移動態様に基づいて、撮像条件を変更してもよい。尚、目標照射領域ＥＡ＃１及びＥＡ＃２のそれぞれを移動させる動作を、ウォブリング動作と称してもよいことは、上述したとおりである。このため、目標照射領域ＥＡ＃１及びＥＡ＃２の少なくとも一方の移動態様に関する移動態様条件は、ウォブル条件と称されてもよい。

　尚、目標照射領域ＥＡ＃１及びＥＡ＃２に加工光ＥＬ＃１及びＥＬ＃２がそれぞれ照射されるがゆえに、移動態様条件は、加工光ＥＬ＃１及びＥＬ＃２の少なくとも一方の照射位置の移動態様に関する条件と等価であるとみなしてもよい。目標照射領域ＥＡ＃１及びＥＡ＃２に加工光ＥＬ＃１及びＥＬ＃２がそれぞれ照射されることで溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２がそれぞれ形成されるがゆえに、移動態様条件は、溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２の少なくとも一方の照射位置の移動態様に関する条件と等価であるとみなしてもよい。加工光ＥＬ＃１及びＥＬ＃２が偏向されることで目標照射領域ＥＡ＃１及びＥＡ＃２がそれぞれ移動するがゆえに、移動態様条件は、加工光ＥＬ＃１及びＥＬ＃２の少なくとも一方の偏向態様に関する条件と等価であるとみなしてもよい。

　目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動態様は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度を含んでいてもよい。特に、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動態様は、造形面ＭＳ上での目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度を含んでいてもよい。尚、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度は、加工光ＥＬ＃ｋの照射位置の移動の速度と等価であるとみなしてもよい。特に、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度は、造形面ＭＳ上での加工光ＥＬ＃ｋの照射位置の移動の速度と等価であるとみなしてもよい。目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度は、加工光ＥＬ＃ｋの偏向の速度と等価であるとみなしてもよい。加工光ＥＬ＃１の偏向の速度は、加工光ＥＬ＃１を偏向するガルバノミラー２１４６が備えるＸ走査ミラー２１４６ＭＸ及びＹ走査ミラー２１４６ＭＹの少なくとも一方の回転速度（揺動速度）と等価であるとみなしてもよい。加工光ＥＬ＃２の偏向の速度は、加工光ＥＬ＃２を偏向するガルバノミラー２１５６が備えるＸ走査ミラー２１５６ＭＸ及びＹ走査ミラー２１５６ＭＹの少なくとも一方の回転速度（揺動速度）と等価であるとみなしてもよい。

　目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動態様は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の周期を含んでいてもよい。特に、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動態様は、造形面ＭＳ上での目標照射領域ＥＡ＃ｋの周期的な移動の周期を含んでいてもよい。尚、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の周期は、加工光ＥＬ＃ｋの照射位置の移動の周期と等価であるとみなしてもよい。特に、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の周期は、造形面ＭＳ上での加工光ＥＬ＃ｋの照射位置の周期的な移動の周期と等価であるとみなしてもよい。目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の周期は、加工光ＥＬ＃ｋの偏向の周期と等価であるとみなしてもよい。加工光ＥＬ＃１の偏向の周期は、加工光ＥＬ＃１を偏向するガルバノミラー２１４６が備えるＸ走査ミラー２１４６ＭＸ及びＹ走査ミラー２１４６ＭＹの少なくとも一方の回転周期（揺動周期）と等価であるとみなしてもよい。加工光ＥＬ＃２の偏向の周期は、加工光ＥＬ＃１を偏向するガルバノミラー２１５６が備えるＸ走査ミラー２１５６ＭＸ及びＹ走査ミラー２１５６ＭＹの少なくとも一方の回転周期（揺動周期）と等価であるとみなしてもよい。

　目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動態様は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動のストローク（つまり、ストローク量又はストローク幅）を含んでいてもよい。移動のストロークは、往復移動の振幅を意味していてもよい。特に、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動態様は、造形面ＭＳ上での目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動のストロークを含んでいてもよい。尚、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動のストロークは、加工光ＥＬ＃ｋの照射位置の移動のストロークと等価であるとみなしてもよい。特に、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動のストロークは、造形面ＭＳ上での加工光ＥＬ＃ｋの照射位置の移動のストロークと等価であるとみなしてもよい。

　目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動態様は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動軌跡のパターンを含んでいてもよい。特に、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動態様は、造形面ＭＳ上での目標照射領域ＥＡ＃ｋの周期的な移動軌跡のパターンを含んでいてもよい。目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動軌跡のパターンの一例として、図４（ｂ）に示す波形状（例えば、正弦波形状）のパターンがあげられる。目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動軌跡のパターンの一例として、図５（ｃ）に示すらせん形状（例えば、中心位置が徐々にずれる円形状）のパターンがあげられる。尚、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動軌跡のパターンは、加工光ＥＬ＃ｋの照射位置の移動軌跡のパターンと等価であるとみなしてもよい。特に、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動軌跡のパターンは、造形面ＭＳ上での加工光ＥＬ＃ｋの照射位置の周期的な移動軌跡のパターンと等価であるとみなしてもよい。

　尚、目標照射領域ＥＡ＃１の移動態様が偏向光学系としてのＸ走査ミラー２１４６ＭＸ及びＹ走査ミラー２１４６ＭＹの動作態様を制御する制御信号によって決まることから、制御ユニット７は、偏向光学系としてのＸ走査ミラー２１４６ＭＸ及びＹ走査ミラー２１４６ＭＹを制御する制御信号に基づいて、撮像条件を変更してもよい。同様に、目標照射領域ＥＡ＃２の移動態様が偏向光学系としてのＸ走査ミラー２１５６ＭＸ及びＹ走査ミラー２１５６ＭＹの動作態様を制御する制御信号によって決まることから、制御ユニット７は、偏向光学系としてのＸ走査ミラー２１５６ＭＸ及びＹ走査ミラー２１５６ＭＹを制御する制御信号に基づいて、撮像条件を変更してもよい。

　ここで、撮像条件を変更する動作の第２具体例として、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第１速度から第１速度よりも速い第２速度に変更された場合に撮像条件を変更する動作の一例について説明する。この場合、制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第１速度から第２速度に変更された場合であっても、目標照射領域ＥＡ＃ｋが単位移動量だけ移動する単位移動期間中に撮像ユニット８が溶融池ＭＰ＃ｋを撮像する回数の変化量が第２許容量以下に抑えられるように、撮像条件を変更してもよい。つまり、制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第１速度である状況下で単位移動期間中に撮像ユニット８が溶融池ＭＰ＃ｋを撮像する回数と、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第２速度である状況下で単位移動期間中に撮像ユニット８が溶融池ＭＰ＃ｋを撮像する回数との差分が第２許容量以下となるように、撮像条件を変更してもよい。典型的には、制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第１速度から第２速度に変更された場合であっても、目標照射領域ＥＡ＃ｋが単位移動量だけ移動する単位移動期間中に撮像ユニット８が溶融池ＭＰ＃ｋを撮像する回数が一定に維持されるように、撮像条件を変更してもよい。つまり、制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第１速度である状況下で単位移動期間中に撮像ユニット８が溶融池ＭＰ＃ｋを撮像する回数と、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第２速度である状況下で単位移動期間中に撮像ユニット８が溶融池ＭＰ＃ｋを撮像する回数とが同じになるように、撮像条件を変更してもよい。

　尚、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の周期が変更されると、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が変わる。典型的には、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の周期が短くなるほど、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が速くなる。このため、制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の周期が第１周期から第１周期よりも短い第２周期に変更された場合においても、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第１速度から第１速度よりも速い第２速度に変更された場合と同様に、撮像条件を変更してもよい。つまり、制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の周期が第１周期から第２周期に変更された場合であっても、単位移動期間中に撮像ユニット８が溶融池ＭＰ＃ｋを撮像する回数の変化量が第２許容量以下に抑えられるように、撮像条件を変更してもよい。典型的には、制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の周期が第１周期から第２周期に変更された場合であっても、単位移動期間中に撮像ユニット８が溶融池ＭＰ＃ｋを撮像する回数が一定に維持されるように、撮像条件を変更してもよい。

　撮像ユニット８の撮像周期が固定されている場合には、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が速くなるほど、単位移動期間が短くなる。このため、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が速くなるほど、単位移動期間中に撮像ユニット８が溶融池ＭＰ＃ｋを撮像する回数が少なくなる。このため、制御ユニット７は、撮像周期が短くなるように、撮像周期を変更してもよい。つまり、制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第１速度である場合の撮像周期よりも、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第２速度である場合の撮像周期が短くなるように、撮像周期を変更してもよい。制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の周期が第１周期である場合の撮像周期よりも、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の周期が第２周期である場合の撮像周期が短くなるように、撮像周期を変更してもよい。その結果、単位移動期間中に撮像ユニット８が溶融池ＭＰ＃ｋを撮像する回数の変化量が第２許容量以下に抑えられる。場合によっては、単位移動期間中に撮像ユニット８が溶融池ＭＰ＃ｋを撮像する回数が一定に維持される。

　尚、上述したように、撮像周期は、撮像レートの逆数である。このため、制御ユニット７は、撮像レートが高くなるように、撮像レートを変更してもよい。つまり、制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第１速度である場合の撮像レートよりも、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第２速度である場合の撮像レートが高くなるように、撮像レートを変更してもよい。制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の周期が第１周期である場合の撮像レートよりも、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の周期が第２周期である場合の撮像レートが高くなるように、撮像レートを変更してもよい。

　このような撮像条件を変更する動作の第２具体例を考慮すると、制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が速くなるほど、撮像周期が短くなるように、撮像周期を変更してもよい。制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が遅くなるほど、撮像周期が長くなるように、撮像周期を変更してもよい。制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の周期が短くなるほど、撮像周期が短くなるように、撮像周期を変更してもよい。制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の周期が長くなるほど、撮像周期が長くなるように、撮像周期を変更してもよい。制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が速くなるほど、撮像レートが高くなるように、撮像レートを変更してもよい。制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が遅くなるほど、撮像レートが低くなるように、撮像レートを変更してもよい。制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の周期が短くなるほど、撮像レートが高くなるように、撮像レートを変更してもよい。制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の周期が長くなるほど、撮像レートが低くなるように、撮像レートを変更してもよい。

　制御ユニット７は、撮像周期及び撮像レートの少なくとも一方を変更することに加えて又は代えて、撮像タイミングを変更してもよい。例えば、制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第１速度から第２速度に変更された場合であっても、撮像ユニット８が適切なタイミングで溶融池ＭＰ＃ｋを撮像することができるように、撮像タイミングを変更してもよい。具体的には、制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第１速度から第２速度に変更された場合であっても、撮像ユニット８が溶融池ＭＰ＃ｋを撮像するタイミングでの加工単位領域ＢＳＡ＃ｋ内での溶融池ＭＰ＃ｋの位置の変化量が第３許容量以下に抑えられるように、撮像タイミングを変更してもよい。つまり、制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第１速度である場合に撮像ユニット８が撮像する溶融池ＭＰ＃ｋの加工単位領域ＢＳＡ＃ｋ内での位置と、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第２速度である場合に撮像ユニット８が撮像する溶融池ＭＰ＃ｋの加工単位領域ＢＳＡ＃ｋ内での位置との差分が第３許容量以下となるように、撮像タイミングを変更してもよい。典型的には、制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第１速度から第２速度に変更された場合であっても、撮像ユニット８が溶融池ＭＰ＃ｋを撮像するタイミングでの加工単位領域ＢＳＡ＃ｋ内での溶融池ＭＰ＃ｋの位置が変わらないように、撮像タイミングを変更してもよい。つまり、制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第１速度である場合に撮像ユニット８が撮像する溶融池ＭＰ＃ｋの加工単位領域ＢＳＡ＃ｋ内での位置と、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第２速度である場合に撮像ユニット８が撮像する溶融池ＭＰ＃ｋの加工単位領域ＢＳＡ＃ｋ内での位置とが同じになるように、撮像タイミングを変更してもよい。

　以上説明したように、加工システムＳＹＳは、撮像条件変更動作を行うことで、撮像ユニット８を用いて溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２を適切に撮像することができる。加工システムＳＹＳは、撮像条件変更動作を行うことで、加工条件が変更された場合であっても、撮像ユニット８を用いて溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２を適切に撮像することができる。このため、加工システムＳＹＳは、撮像ユニット８が生成した溶融池画像ＩＭＧを用いて、上述した溶融池フィードバック制御動作を適切に行うことができる。

　（２－５）信号閾値変更動作
　（２－５－１）信号閾値変更動作の概要
　加工システムＳＹＳは、制御ユニット７の制御下で、上述した溶融池フィードバック制御動作と並行して又は相前後して、信号閾値変更動作を行ってもよい。つまり、加工システムＳＹＳは、上述した溶融池フィードバック制御動作が行われている期間の少なくとも一部において、信号閾値変更動作を行ってもよい。加工システムＳＹＳは、上述した溶融池フィードバック制御動作が行われる前に、信号閾値変更動作を行ってもよい。加工システムＳＹＳは、上述した溶融池フィードバック制御動作が行われた後に、信号閾値変更動作を行ってもよい。典型的には、制御ユニット７が信号閾値変更動作を行ってもよい。

　信号閾値変更動作は、溶融池領域ＭＰＡを検出するために用いられる信号閾値を変更する（言い換えれば、制御する、調整する又は設定する）動作である。つまり、信号閾値変更動作は、制御ユニット７が溶融池領域ＭＰＡを検出するために用いる信号閾値を変更する動作である。

　制御ユニット７は、制御ユニット７が溶融池領域ＭＰＡを適切に検出することができるように、信号閾値を変更してもよい。例えば、制御ユニット７は、適切な溶融池画像情報ＭＰＩを生成することが可能な溶融池領域ＭＰＡを制御ユニット７が検出することができるように、信号閾値を変更してもよい。例えば、制御ユニット７は、加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２のサイズと相関を有するサイズを有する溶融池領域ＭＰＡを制御ユニット７が適切に検出することができるように、信号閾値を変更してもよい。例えば、制御ユニット７は、造形面ＭＳに造形される線状の造形物のサイズと相関を有するサイズを有する溶融池領域ＭＰＡを制御ユニット７が適切に検出することができるように、信号閾値を変更してもよい。例えば、制御ユニット７は、上述した溶融池フィードバック制御動作を適切に行うことが可能な溶融池領域ＭＰＡを制御ユニット７が検出することができるように、信号閾値を変更してもよい。例えば、制御ユニット７は、上述した溶融池フィードバック制御動作によって加工システムＳＹＳが所望のサイズ（典型的には、所望の幅）を有する線状の造形物を造形することができる状態を実現可能な溶融池領域ＭＰＡを制御ユニット７が検出することができるように、信号閾値を変更してもよい。

　この場合、制御ユニット７は、制御ユニット７が変更した信号閾値を用いて、溶融池領域ＭＰＡを検出する。つまり、制御ユニット７は、制御ユニット７が変更した信号閾値を用いて、溶融池フィードバック制御動作を行う。

　（２－５－２）加工条件に基づく信号閾値の変更
　制御ユニット７は、加工システムＳＹＳによるワークＷの加工条件に基づいて、信号閾値を変更してもよい。例えば、制御ユニット７は、加工システムＳＹＳが第１の加工条件に基づいてワークＷを加工する場合には、制御ユニット７が第１の信号閾値を用いて溶融池領域ＭＰＡを検出するように、信号閾値を変更してもよい。例えば、制御ユニット７は、加工システムＳＹＳが第１の加工条件とは異なる第２の加工条件に基づいてワークＷを加工する場合には、制御ユニット７が第１の信号閾値とは異なる第２の信号閾値を用いて溶融池領域ＭＰＡを検出するように、信号閾値を変更してもよい。

　制御ユニット７は、加工条件が変更された場合においても、制御ユニット７が溶融池領域ＭＰＡを適切に検出することができるように、信号閾値を変更してもよい。例えば、制御ユニット７は、加工システムＳＹＳが第１の加工条件に基づいてワークＷを加工する場合には、第１の加工条件に基づいて加工システムＳＹＳがワークＷを加工している状況下で制御ユニット７が溶融池領域ＭＰＡを適切に検出することができるように、信号閾値を第１の信号閾値に変更してもよい。例えば、制御ユニット７は、加工システムＳＹＳが第２の加工条件に基づいてワークＷを加工する場合には、第２の加工条件に基づいて加工システムＳＹＳがワークＷを加工している状況下で制御ユニット７が溶融池領域ＭＰＡを適切に検出することができるように、信号閾値を第２の信号閾値に変更してもよい。

　制御ユニット７は、加工条件と信号閾値との対応関係を規定する信号閾値テーブルを用いて、加工条件に基づいて、信号閾値を変更してもよい。信号閾値テーブルは、ワークＷの加工条件が一の加工条件である場合に制御ユニット７が用いるべき信号閾値を指定するテーブルであってもよい。信号閾値テーブルは、ワークＷの加工条件に関連付けて制御ユニット７が用いるべき信号閾値に関する情報を記録するテーブルであってもよい。信号閾値テーブルは、記憶装置７２に記憶（言い換えれば、記録）されていてもよい。信号閾値テーブルは、加工条件及び信号閾値の少なくとも一方を変更しながら上述した溶融池フィードバック制御動作を繰り返し行うと共に、溶融池フィードバック制御動作の結果として造形された線状の造形物の造形精度が所望精度になる状態を実現可能な加工条件と信号閾値との対応関係を特定することで、予め生成されていてもよい。

　（２－５－２－１）加工条件の第１具体例
　加工条件が、加工光ＥＬ＃１及びＥＬ＃２の少なくとも一方の強度に関する強度条件を含んでいてもよいことは、上述したとおりである。制御ユニット７は、ワークＷを加工するためにワークＷに照射される加工光ＥＬ＃１及びＥＬ＃２の少なくとも一方の強度に基づいて、信号閾値を変更してもよい。

　ここで、信号閾値を変更する動作の第１具体例として、加工光ＥＬ＃ｋの強度が第１強度から第１強度よりも高い第２強度に変更された場合に信号閾値を変更する動作の一例について説明する。この場合、加工光ＥＬ＃ｋの強度が高くなるがゆえに、溶融池画像ＩＭＧにおいて溶融池ＭＰ＃ｋが写り込んでいる画素の輝度値（或いは、任意の信号値）もまた高くなる。この場合、制御ユニット７は、信号閾値が大きくなるように、信号閾値を変更してもよい。つまり、制御ユニット７は、加工光ＥＬ＃ｋの強度が高くなるほど、信号閾値が大きくなるように、信号閾値を変更してもよい。制御ユニット７は、加工光ＥＬ＃ｋの強度が低くなるほど、信号閾値が小さくなるように、信号閾値を変更してもよい。

　この場合、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡとして検出するべき領域を、溶融池領域ＭＰＡとして適切に検出することができる。具体的には、図１７は、加工光ＥＬ＃ｋの強度が第１強度である場合の溶融池画像ＩＭＧにおける輝度値のヒストグラムと、加工光ＥＬ＃ｋの強度が第２強度である場合の溶融池画像ＩＭＧにおける輝度値のヒストグラムを示している。図１７に示すように、加工光ＥＬ＃ｋの強度が第１強度から第１強度よりも高い第２強度に変更された状況下で信号閾値が変更されない場合には、本来は溶融池領域ＭＰＡとして検出するべきでない領域の輝度値が、変更されていない信号閾値よりも高くなる可能性がある。このため、制御ユニット７は、本来は溶融池領域ＭＰＡとして検出するべきでない領域を、溶融池領域ＭＰＡとして誤って検出する可能性がある。一方で、図１７に示すように、加工光ＥＬ＃ｋの強度が第１強度から第２強度に変更された状況下で信号閾値が変更されると、本来は溶融池領域ＭＰＡとして検出するべきでない領域の輝度値が、変更された信号閾値よりも低くなる。このため、制御ユニット７は、本来は溶融池領域ＭＰＡとして検出するべきでない領域を、溶融池領域ＭＰＡとして誤って検出する可能性は低くなる。その結果、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡとして検出するべき領域を、溶融池領域ＭＰＡとして適切に検出することができる。つまり、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡを精度よく検出することができる。

　図１８もまた、加工光ＥＬ＃ｋの強度が第１強度である場合の溶融池画像ＩＭＧにおける輝度値のヒストグラムと、加工光ＥＬ＃ｋの強度が第２強度である場合の溶融池画像ＩＭＧにおける輝度値のヒストグラムを示している。図１８に示すように、変更されていない信号閾値は、加工光ＥＬ＃ｋの強度が第１強度である場合に溶融池画像ＩＭＧ内で溶融池領域ＭＰＡと非溶融池領域ＮＰＡとを区別可能な値に設定されている。この場合、加工光ＥＬ＃ｋの強度が第１強度から第２強度に変更されると、非溶融池領域ＮＰＡとして検出するべき領域の輝度が高くなる可能性がある。なぜならば、非溶融池領域ＮＰＡは、加工光ＥＬの照射に起因して発生するノイズ光が写り込んだ領域を含むところ、加工光ＥＬの強度が高くなるとノイズ光の強度もまた高くなる可能性があるからである。その結果、図１８に示すように、加工光ＥＬ＃ｋの強度が第１強度から第２強度に変更された状況下で信号閾値が変更されない場合には、非溶融池領域ＮＰＡとして検出するべき領域の輝度値が、変更されていない信号閾値よりも高くなる可能性がある。このため、制御ユニット７は、非溶融池領域ＮＰＡとして検出するべき領域を溶融池領域ＭＰＡとして誤って検出する可能性がある。一方で、図１８に示すように、加工光ＥＬ＃ｋの強度が第１強度から第２強度に変更された状況下で信号閾値が変更されると、非溶融池領域ＮＰＡとして検出するべき領域の輝度値が、変更された信号閾値よりも低くなる。このため、制御ユニット７は、非溶融池領域ＮＰＡとして検出するべき領域を、溶融池領域ＭＰＡとして誤って検出する可能性は低くなる。その結果、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡとして検出するべき領域を、溶融池領域ＭＰＡとして適切に検出することができる。つまり、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡを精度よく検出することができる。

　尚、加工条件が加工光ＥＬ＃ｋの密度に関する条件を含んでいてもよいことは上述したとおりである。この場合、加工光ＥＬ＃ｋの強度に基づいて信号閾値を変更する動作は、加工光ＥＬ＃ｋの密度に基づいて信号閾値を変更する動作と等価であるとみなしてもよい。制御ユニット７は、加工光ＥＬ＃ｋの強度に基づいて信号閾値を変更する場合と同様に、加工光ＥＬ＃ｋの密度に基づいて信号閾値を変更してもよい。例えば、制御ユニット７は、加工光ＥＬ＃ｋの密度が高くなるほど、信号閾値が大きくなるように、信号閾値を変更してもよい。制御ユニット７は、加工光ＥＬ＃ｋの密度が低くなるほど、信号閾値が小さくなるように、信号閾値を変更してもよい。

　（２－５－２－２）加工条件の第２具体例
　加工条件が、目標照射領域ＥＡ＃１及びＥＡ＃２の少なくとも一方の移動態様に関する移動態様条件を含んでいてもよいことは、上述したとおりである。制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃１及びＥＡ＃２の少なくとも一方の移動態様に基づいて、信号閾値を変更してもよい。

　ここで、信号閾値を変更する動作の第２具体例として、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第１速度から第１速度よりも速い第２速度に変更された場合に信号閾値を変更する動作の一例について説明する。この場合、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動速度が速くなるがゆえに、単位時間あたりに加工光ＥＬ＃ｋから造形面ＭＳに伝達されるエネルギ量が少なくなる。このため、溶融池画像ＩＭＧにおいて溶融池ＭＰ＃ｋが写り込んでいる画素の輝度値（或いは、任意の信号値）が低くなる。この場合、制御ユニット７は、信号閾値が小さくなるように、信号閾値を変更してもよい。つまり、制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が速くなるほど、信号閾値が小さくなるように、信号閾値を変更してもよい。制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が遅くなるほど、信号閾値が大きくなるように、信号閾値を変更してもよい。

　この場合、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡとして検出するべき領域を、溶融池領域ＭＰＡとして適切に検出することができる。具体的には、図１９は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第１速度である場合の溶融池画像ＩＭＧにおける輝度値のヒストグラムと、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第２速度である場合の溶融池画像ＩＭＧにおける輝度値のヒストグラムを示している。図１９に示すように、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第１速度から第１速度よりも速い第２速度に変更された状況下で信号閾値が変更されない場合には、溶融池領域ＭＰＡとして検出するべき領域の輝度値が、変更されていない信号閾値よりも低くなる可能性がある。このため、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡとして検出するべき領域を、溶融池領域ＭＰＡとして検出しない可能性がある。一方で、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第１速度から第２速度に変更された状況下で信号閾値が変更されると、溶融池領域ＭＰＡとして検出するべき領域の輝度値が、変更された信号閾値よりも高くなる。このため、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡとして検出するべき領域を、溶融池領域ＭＰＡとして適切に検出することができる。つまり、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡを精度よく検出することができる。

　図２０もまた、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第１速度である場合の溶融池画像ＩＭＧにおける輝度値のヒストグラムと、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第２速度である場合の溶融池画像ＩＭＧにおける輝度値のヒストグラムを示している。図２０に示すように、変更されていない信号閾値は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第１速度である場合に溶融池画像ＩＭＧ内で溶融池領域ＭＰＡと非溶融池領域ＮＰＡとを区別可能な値に設定されている。この場合、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第１速度から第２速度に変更されると、溶融池領域ＭＰＡとして検出するべき領域の輝度が低くなる。その結果、溶融池領域ＭＰＡとして検出するべき領域の輝度値が、変更されていない信号閾値よりも低くなる可能性がある。このため、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第１速度から第２速度に変更された状況下で信号閾値が変更されない場合には、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡとして検出するべき領域を非溶融池領域ＮＰＡとして誤って検出する可能性がある。一方で、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第１速度から第２速度に変更された状況下で信号閾値が変更されると、溶融池領域ＭＰＡとして検出するべき領域の輝度値が、変更された信号閾値よりも高くなる。このため、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡとして検出するべき領域を、溶融池領域ＭＰＡとして適切に検出することができる。つまり、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡを精度よく検出することができる。

　尚、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の周期が変更されると、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が変わることは、上述したとおりである。このため、制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の周期が第１周期から第１周期よりも短い第２周期に変更された場合においても、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第１速度から第１速度よりも速い第２速度に変更された場合と同様に、信号閾値を変更してもよい。つまり、制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の周期が短くなるほど、信号閾値が小さくなるように、信号閾値を変更してもよい。制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の周期が長くなるほど、信号閾値が大きくなるように、信号閾値を変更してもよい。

　以上説明したように、加工システムＳＹＳは、信号閾値変更動作を行うことで、溶融池領域ＭＰＡを適切に検出することができる。加工システムＳＹＳは、信号閾値変更動作を行うことで、加工条件が変更された場合であっても、制御ユニット７を用いて溶融池領域ＭＰＡを適切に（例えば、精度よく）検出することができる。このため、加工システムＳＹＳは、制御ユニット７が検出した溶融池領域ＭＰＡを用いて、上述した溶融池フィードバック制御動作を適切に行うことができる。

　（２－６）加算フレーム数変更動作
　（２－６－１）加算フレーム数変更動作の概要
　上述したように、溶融池フィードバック制御動作では、加工システムＳＹＳは、溶融池領域ＭＰＡを検出するために、複数の溶融池画像ＩＭＧを加算して加算画像ＩＭＧ＿Ｃを生成している。この場合、加工システムＳＹＳは、制御ユニット７の制御下で、上述した溶融池フィードバック制御動作と並行して又は相前後して、加算フレーム数変更動作を行ってもよい。つまり、加工システムＳＹＳは、上述した溶融池フィードバック制御動作が行われている期間の少なくとも一部において、加算フレーム数変更動作を行ってもよい。加工システムＳＹＳは、上述した溶融池フィードバック制御動作が行われる前に、加算フレーム数変更動作を行ってもよい。加工システムＳＹＳは、上述した溶融池フィードバック制御動作が行われた後に、加算フレーム数変更動作を行ってもよい。典型的には、制御ユニット７が加算フレーム数変更動作を行ってもよい。

　加算フレーム数変更動作は、加算画像ＩＭＧ＿Ｃを生成するために加算するべき溶融池画像ＩＭＧの数を変更する（言い換えれば、制御する、調整する又は設定する）動作である。つまり、加算フレーム数変更動作は、制御ユニット７が加算画像ＩＭＧ＿Ｃを生成するために加算するべき溶融池画像ＩＭＧの数を変更する動作である。尚、以下の説明では、加算画像ＩＭＧ＿Ｃを生成するために加算するべき溶融池画像ＩＭＧの数を、“加算フレーム数”と称する。

　制御ユニット７は、制御ユニット７が溶融池領域ＭＰＡを適切に検出することができるように、加算フレーム数を変更してもよい。例えば、制御ユニット７は、適切な溶融池画像情報ＭＰＩを生成することが可能な溶融池領域ＭＰＡを制御ユニット７が検出することができるように、加算フレーム数を変更してもよい。例えば、制御ユニット７は、加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２のサイズと相関を有するサイズを有する溶融池領域ＭＰＡを制御ユニット７が適切に検出することができるように、加算フレーム数を変更してもよい。例えば、制御ユニット７は、造形面ＭＳに造形される線状の造形物のサイズと相関を有するサイズを有する溶融池領域ＭＰＡを制御ユニット７が適切に検出することができるように、加算フレーム数を変更してもよい。例えば、制御ユニット７は、上述した溶融池フィードバック制御動作を適切に行うことが可能な溶融池領域ＭＰＡを制御ユニット７が検出することができるように、加算フレーム数を変更してもよい。例えば、制御ユニット７は、上述した溶融池フィードバック制御動作によって加工システムＳＹＳが所望のサイズ（典型的には、所望の幅）を有する線状の造形物を造形することができる状態を実現可能な溶融池領域ＭＰＡを制御ユニット７が検出することができるように、加算フレーム数を変更してもよい。

　この場合、制御ユニット７は、制御ユニット７が変更した加算フレーム数を用いて、加算画像ＩＭＧ＿Ｃを生成する。つまり、制御ユニット７は、制御ユニット７が変更した加算フレーム数と同じ数の溶融池画像ＩＭＧを加算することで、加算画像ＩＭＧ＿Ｃを生成する。

　尚、加算フレーム数が変更されると、時系列データとしての複数の溶融池画像ＩＭＧを生成するための撮像ユニット８の動作が変わる。上述したように撮像ユニット８が多重露光を行うことで時系列データとしての複数の溶融池画像ＩＭＧを生成しているとみなしてもよいことを考慮すれば、加算フレーム数を変更する動作は、多重露光の条件を変更する動作と等価であるとみなしてもよい。具体的には、加算フレーム数は、多重露光によって生成する一枚の溶融池画像ＩＭＧを生成するために行うべき露光の回数と等価であるとみなしてもよい。この場合、加算フレーム数を変更する動作は、多重露光によって生成する一枚の溶融池画像ＩＭＧを生成するために行うべき露光の回数を変更する動作と等価であるとみなしてもよい。

　（２－６－２）加工条件に基づく加算フレーム数の変更
　制御ユニット７は、加工システムＳＹＳによるワークＷの加工条件に基づいて、加算フレーム数を変更してもよい。例えば、制御ユニット７は、加工システムＳＹＳが第１の加工条件に基づいてワークＷを加工する場合には、制御ユニット７が第１のフレーム数と同じ数の溶融池画像ＩＭＧを加算することで加算画像ＩＭＧ＿Ｃを生成するように、加算フレーム数を変更してもよい。例えば、制御ユニット７は、加工システムＳＹＳが第１の加工条件とは異なる第２の加工条件に基づいてワークＷを加工する場合には、制御ユニット７が第１のフレーム数とは異なる第２のフレーム数と同じ数の溶融池画像ＩＭＧを加算することで加算画像ＩＭＧ＿Ｃを生成するように、加算フレーム数を変更してもよい。

　制御ユニット７は、加工条件が変更された場合においても、制御ユニット７が溶融池領域ＭＰＡを適切に検出することができるように、加算フレーム数を変更してもよい。例えば、制御ユニット７は、加工システムＳＹＳが第１の加工条件に基づいてワークＷを加工する場合には、第１の加工条件に基づいて加工システムＳＹＳがワークＷを加工している状況下で制御ユニット７が溶融池領域ＭＰＡを適切に検出することができるように、加算フレーム数を第１のフレーム数に変更してもよい。例えば、制御ユニット７は、加工システムＳＹＳが第２の加工条件に基づいてワークＷを加工する場合には、第２の加工条件に基づいて加工システムＳＹＳがワークＷを加工している状況下で制御ユニット７が溶融池領域ＭＰＡを適切に検出することができるように、加算フレーム数を第２のフレームに変更してもよい。

　制御ユニット７は、加工条件と加算フレーム数との対応関係を規定する加算フレーム数テーブルを用いて、加工条件に基づいて、加算フレーム数を変更してもよい。加算フレーム数テーブルは、ワークＷの加工条件が一の加工条件である場合に制御ユニット７が用いるべき加算フレーム数を指定するテーブルであってもよい。加算フレーム数テーブルは、ワークＷの加工条件に関連付けて制御ユニット７が用いるべき加算フレーム数に関する情報を記録するテーブルであってもよい。加算フレーム数テーブルは、記憶装置７２に記憶（言い換えれば、記録）されていてもよい。加算フレーム数テーブルは、加工条件及び加算フレーム数の少なくとも一方を変更しながら上述した溶融池フィードバック制御動作を繰り返し行うと共に、溶融池フィードバック制御動作の結果として造形された線状の造形物の造形精度が所望精度になる状態を実現可能な加工条件と加算フレーム数との対応関係を特定することで、予め生成されていてもよい。

　（２－６－２－１）加工条件の第１具体例
　加工条件が、加工光ＥＬ＃１及びＥＬ＃２の少なくとも一方の強度に関する強度条件を含んでいてもよいことは、上述したとおりである。制御ユニット７は、ワークＷを加工するためにワークＷに照射される加工光ＥＬ＃１及びＥＬ＃２の少なくとも一方の強度に基づいて、加算フレーム数を変更してもよい。

　ここで、加算フレーム数を変更する動作の第１具体例として、加工光ＥＬ＃ｋの強度が第１強度から第１強度よりも高い第２強度に変更された場合に加算フレーム数を変更する動作の一例について説明する。この場合、加工光ＥＬ＃ｋの強度が高くなるがゆえに、溶融池画像ＩＭＧにおいて溶融池ＭＰ＃ｋが写り込んでいる画素の輝度値（或いは、任意の信号値）もまた高くなる。この場合、制御ユニット７は、加算フレーム数が小さくなるように、加算フレーム数を変更してもよい。つまり、制御ユニット７は、加工光ＥＬ＃ｋの強度が高くなるほど、加算フレーム数が小さくなるように、加算フレーム数を変更してもよい。制御ユニット７は、加工光ＥＬ＃ｋの強度が低くなるほど、加算フレーム数が大きくなるように、加算フレーム数を変更してもよい。

　この場合、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡとして検出するべき領域を、溶融池領域ＭＰＡとして適切に検出することができる。具体的には、図２１（ａ）は、加工光ＥＬ＃ｋの強度が第１強度であり且つ加算フレーム数が第１のフレーム数ＦＮ１１である場合の溶融池画像ＩＭＧにおける輝度値のヒストグラムを示している。図２１（ｂ）は、加工光ＥＬ＃ｋの強度が第２強度であり且つ加算フレーム数が第１のフレーム数ＦＮ１１のまま変更されない場合の溶融池画像ＩＭＧにおける輝度値のヒストグラムを示している。図２１（ｃ）は、加工光ＥＬ＃ｋの強度が第２強度であり且つ加算フレーム数が第１のフレーム数ＦＮ１１から第１のフレーム数ＦＮ１１よりも小さい第２のフレーム数ＦＮ１２に変更された場合の溶融池画像ＩＭＧにおける輝度値のヒストグラムを示している。図２１（ｂ）に示すように、加工光ＥＬ＃ｋの強度が第１強度から第１強度よりも高い第２強度に変更された状況下で加算フレーム数が変更されない場合には、本来は溶融池領域ＭＰＡとして検出するべきでない領域の輝度値が、信号閾値よりも高くなる可能性がある。このため、制御ユニット７は、本来は溶融池領域ＭＰＡとして検出するべきでない領域を、溶融池領域ＭＰＡとして誤って検出する可能性がある。一方で、加工光ＥＬ＃ｋの強度が第１強度から第２強度に変更された状況下で加算フレーム数が小さくなるように変更されると、加算画像ＩＭＧ＿Ｃの各画素の輝度値が低くなる。その結果、図２１（ｃ）に示すように、本来は溶融池領域ＭＰＡとして検出するべきでない領域の輝度値が、信号閾値よりも低くなる。このため、制御ユニット７は、本来は溶融池領域ＭＰＡとして検出するべきでない領域を、溶融池領域ＭＰＡとして誤って検出する可能性は低くなる。その結果、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡとして検出するべき領域を、溶融池領域ＭＰＡとして適切に検出することができる。つまり、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡを精度よく検出することができる。

　同様に、図２２（ａ）は、加工光ＥＬ＃ｋの強度が第１強度であり且つ加算フレーム数が第１のフレーム数ＦＮ２１である場合の溶融池画像ＩＭＧにおける輝度値のヒストグラムを示している。図２２（ｂ）は、加工光ＥＬ＃ｋの強度が第２強度であり且つ加算フレーム数が第１のフレーム数ＦＮ２１のまま変更されない場合の溶融池画像ＩＭＧにおける輝度値のヒストグラムを示している。図２２（ｃ）は、加工光ＥＬ＃ｋの強度が第２強度であり且つ加算フレーム数が第１のフレーム数ＦＮ２１から第１のフレーム数ＦＮ２１よりも小さい第２のフレーム数ＦＮ２２に変更された場合の溶融池画像ＩＭＧにおける輝度値のヒストグラムを示している。図２２（ａ）に示すように、信号閾値は、加工光ＥＬ＃ｋの強度が第１強度である場合に溶融池画像ＩＭＧ内で溶融池領域ＭＰＡと非溶融池領域ＮＰＡとを区別可能な値に設定されている。この場合、加工光ＥＬ＃ｋの強度が第１強度から第２強度に変更されると、非溶融池領域ＮＰＡとして検出するべき領域の輝度が高くなる可能性があることは、上述したとおりである。その結果、図２２（ｂ）に示すように、加工光ＥＬ＃ｋの強度が第１強度から第２強度に変更された状況下で加算フレーム数が変更されない場合には、非溶融池領域ＮＰＡとして検出するべき領域の輝度値が、信号閾値よりも高くなる可能性がある。このため、制御ユニット７は、非溶融池領域ＮＰＡとして検出するべき領域を、溶融池領域ＭＰＡとして誤って検出する可能性がある。一方で、加工光ＥＬ＃ｋの強度が第１強度から第２強度に変更された状況下で加算フレーム数が小さくなるように変更されると、加算画像ＩＭＧ＿Ｃの各画素の輝度値が低くなる。その結果、図２２（ｃ）に示すように、非溶融池領域ＮＰＡとして検出するべき領域の輝度値が、信号閾値よりも低くなる。このため、制御ユニット７は、非溶融池領域ＮＰＡとして検出するべき領域を、溶融池領域ＭＰＡとして誤って検出する可能性は低くなる。その結果、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡとして検出するべき領域を、溶融池領域ＭＰＡとして適切に検出することができる。つまり、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡを精度よく検出することができる。

　尚、加工条件が加工光ＥＬ＃ｋの密度に関する条件を含んでいてもよいことは上述したとおりである。この場合、加工光ＥＬ＃ｋの強度に基づいて加算フレーム数を変更する動作は、加工光ＥＬ＃ｋの密度に基づいて加算フレーム数を変更する動作と等価であるとみなしてもよい。制御ユニット７は、加工光ＥＬ＃ｋの強度に基づいて加算フレーム数を変更する場合と同様に、加工光ＥＬ＃ｋの密度に基づいて加算フレーム数を変更してもよい。例えば、制御ユニット７は、加工光ＥＬ＃ｋの密度が高くなるほど、加算フレーム数が小さくなるように、加算フレーム数を変更してもよい。制御ユニット７は、加工光ＥＬ＃ｋの密度が低くなるほど、加算フレーム数が大きくなるように、加算フレーム数を変更してもよい。

　（２－６－２－２）加工条件の第２具体例
　加工条件が、目標照射領域ＥＡ＃１及びＥＡ＃２の少なくとも一方の移動態様に関する移動態様条件を含んでいてもよいことは、上述したとおりである。制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃１及びＥＡ＃２の少なくとも一方の移動態様に基づいて、加算フレーム数を変更してもよい。

　ここで、加算フレーム数を変更する動作の第２具体例として、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第１速度から第１速度よりも速い第２速度に変更された場合に加算フレーム数を変更する動作の一例について説明する。この場合、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動速度が速くなるがゆえに、単位時間あたりに加工光ＥＬ＃ｋから造形面ＭＳに伝達されるエネルギ量が少なくなる。このため、溶融池画像ＩＭＧにおいて溶融池ＭＰ＃ｋが写り込んでいる画素の輝度値（或いは、任意の信号値）が低くなる。この場合、制御ユニット７は、加算フレーム数が大きくなるように、加算フレーム数を変更してもよい。つまり、制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が速くなるほど、加算フレーム数が大きくなるように、加算フレーム数を変更してもよい。制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が遅くなるほど、加算フレーム数が小さくなるように、加算フレーム数を変更してもよい。

　この場合、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡとして検出するべき領域を、溶融池領域ＭＰＡとして適切に検出することができる。具体的には、図２３（ａ）は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第１速度であり且つ加算フレーム数が第１のフレーム数ＦＮ３１である場合の溶融池画像ＩＭＧにおける輝度値のヒストグラムを示している。図２３（ｂ）は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第２速度であり且つ加算フレーム数が第１のフレーム数ＦＮ３１のまま変更されない場合の溶融池画像ＩＭＧにおける輝度値のヒストグラムを示している。図２３（ｃ）は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第２速度であり且つ加算フレーム数が第１のフレーム数ＦＮ３１から第１のフレーム数ＦＮ３１よりも大きい第２のフレーム数ＦＮ３２に変更された場合の溶融池画像ＩＭＧにおける輝度値のヒストグラムを示している。図２３（ｂ）に示すように、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第１速度から第１速度よりも速い第２速度に変更された状況下で加算フレーム数が変更されない場合には、溶融池領域ＭＰＡとして検出するべき領域の輝度値が、信号閾値よりも低くなる可能性がある。このため、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡとして検出するべき領域を、溶融池領域ＭＰＡとして検出しない可能性がある。一方で、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第１速度から第２速度に変更された状況下で加算フレーム数が大きくなるように変更されると、加算画像ＩＭＧ＿Ｃの各画素の輝度値が高くなる。その結果、図２３（ｃ）に示すように、溶融池領域ＭＰＡとして検出するべき領域の輝度値が、信号閾値よりも高くなる。このため、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡとして検出するべき領域を、溶融池領域ＭＰＡとして適切に検出することができる。つまり、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡを精度よく検出することができる。

　同様に、図２４（ａ）は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第１速度であり且つ加算フレーム数が第１のフレーム数ＦＮ４１である場合の溶融池画像ＩＭＧにおける輝度値のヒストグラムを示している。図２４（ｂ）は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第２速度であり且つ加算フレーム数が第１のフレーム数ＦＮ４１のまま変更されない場合の溶融池画像ＩＭＧにおける輝度値のヒストグラムを示している。図２４（ｃ）は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第２速度であり且つ加算フレーム数が第１のフレーム数ＦＮ４１から第１のフレーム数ＦＮ４１よりも大きい第２のフレーム数ＦＮ４２に変更された場合の溶融池画像ＩＭＧにおける輝度値のヒストグラムを示している。図２４（ａ）に示すように、信号閾値は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第１速度である場合に溶融池画像ＩＭＧ内で溶融池領域ＭＰＡと非溶融池領域ＮＰＡとを区別可能な値に設定されている。この場合、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第１速度から第２速度に変更されると、溶融池領域ＭＰＡとして検出するべき領域の輝度が低くなる。その結果、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第１速度から第２速度に変更された状況下で加算フレーム数が変更されない場合には、図２４（ｂ）に示すように、溶融池領域ＭＰＡとして検出するべき領域の輝度値が、信号閾値よりも低くなる可能性がある。このため、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡとして検出するべき領域を、非溶融池領域ＮＰＡとして誤って検出する可能性がある。一方で、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第１速度から第２速度に変更された状況下で加算フレーム数が大きくなるように変更されると、加算画像ＩＭＧ＿Ｃの各画素の輝度値が高くなる。その結果、図２４（ｃ）に示すように、溶融池領域ＭＰＡとして検出するべき領域の輝度値が、信号閾値よりも高くなる。このため、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡとして検出するべき領域を、溶融池領域ＭＰＡとして適切に検出することができる。つまり、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡを精度よく検出することができる。

　尚、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の周期が変更されると、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が変わることは、上述したとおりである。制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の周期が第１周期から第１周期よりも短い第２周期に変更された場合においても、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が第１速度から第１速度よりも速い第２速度に変更された場合と同様に、加算フレーム数を変更してもよい。つまり、制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の周期が短くなるほど、加算フレーム数が大きくなるように、加算フレーム数を変更してもよい。制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の周期が長くなるほど、加算フレーム数が小さくなるように、加算フレーム数を変更してもよい。

　以上説明したように、加工システムＳＹＳは、加算フレーム数変更動作を行うことで、溶融池領域ＭＰＡを適切に検出することができる。加工システムＳＹＳは、加算フレーム数変更動作を行うことで、加工条件が変更された場合であっても、制御ユニット７を用いて溶融池領域ＭＰＡを適切に（例えば、精度よく）検出することができる。このため、加工システムＳＹＳは、制御ユニット７が検出した溶融池領域ＭＰＡを用いて、上述した溶融池フィードバック制御動作を適切に行うことができる。

　尚、制御ユニット７は、撮像ユニット８の露光時間に基づいて、加算フレーム数を変更してもよい。例えば、露光時間が第１時間から第１時間よりも短い第２時間に変更されると、溶融池画像ＩＭＧにおいて溶融池ＭＰ＃ｋが写り込んでいる画素の輝度値（或いは、任意の信号値）が低くなる。つまり、露光時間が短くなると、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度が速くなる場合と同様に、溶融池画像ＩＭＧにおいて溶融池ＭＰ＃ｋが写り込んでいる画素の輝度値（或いは、任意の信号値）が低くなる。このため、制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動の速度に基づいて加算フレーム数を変更する場合と同様に、露光時間に基づいて加算フレーム数を変更してもよい。つまり、制御ユニット７は、露光時間が短くなるほど、加算フレーム数が大きくなるように、加算フレーム数を変更してもよい。制御ユニット７は、露光時間が長くなるほど、加算フレーム数が小さくなるように、加算フレーム数を変更してもよい。

　（２－７）目標サイズ変更動作
　（２－７－１）目標サイズ変更動作の概要
　上述したように、制御ユニット７は、図９のステップＳ１３において、溶融池領域ＭＰＡのサイズが目標サイズＴＳとなるように、加工システムＳＹＳを制御している。この場合、加工システムＳＹＳは、制御ユニット７の制御下で、上述した溶融池フィードバック制御動作と並行して又は相前後して、目標サイズ変更動作を行ってもよい。つまり、加工システムＳＹＳは、上述した溶融池フィードバック制御動作が行われている期間の少なくとも一部において、目標サイズ変更動作を行ってもよい。加工システムＳＹＳは、上述した溶融池フィードバック制御動作が行われる前に、目標サイズ変更動作を行ってもよい。加工システムＳＹＳは、上述した溶融池フィードバック制御動作が行われた後に、目標サイズ変更動作を行ってもよい。典型的には、制御ユニット７が目標サイズ変更動作を行ってもよい。

　目標サイズ変更動作は、目標サイズＴＳを変更する（言い換えれば、制御する、調整する又は設定する）動作である。つまり、目標サイズ変更動作は、制御ユニット７が加工システムＳＹＳを制御するために用いる目標サイズＴＳを変更する動作である。

　この場合、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡのサイズが、制御ユニット７が変更した目標サイズＴＳとなるように、加工システムＳＹＳを制御する。具体的には、溶融池領域のサイズと目標サイズＴＳとの関係を示すタイミングチャートである図２５に示すように、制御ユニット７は、目標サイズＴＳが変更される前は、溶融池領域ＭＰＡのサイズが、変更前の目標サイズＴＳとなるように、加工システムＳＹＳを制御する。一方で、目標サイズＴＳが変更された後は、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡのサイズが、変更後の目標サイズＴＳとなるように、加工システムＳＹＳを制御する。

　制御ユニット７は、上述した溶融池フィードバック制御動作によって加工システムＳＹＳが所望のサイズ（典型的には、所望の幅）を有する線状の造形物を造形することができるように、目標サイズＴＳを変更してもよい。その結果、加工システムＳＹＳは、所望のサイズ（典型的には、所望の幅）を有する線状の造形物を造形することができる。つまり、加工システムＳＹＳは、高い造形精度で造形物を造形することができる。

　（２－７－２）加工条件に基づく目標サイズＴＳの変更
　制御ユニット７は、加工システムＳＹＳによるワークＷの加工条件に基づいて、目標サイズＴＳを変更してもよい。例えば、制御ユニット７は、加工システムＳＹＳが第１の加工条件に基づいてワークＷを加工する場合には、制御ユニット７が第１のサイズを目標サイズＴＳとして用いるように、目標サイズＴＳを変更してもよい。例えば、制御ユニット７は、加工システムＳＹＳが第１の加工条件とは異なる第２の加工条件に基づいてワークＷを加工する場合には、制御ユニット７が第１のサイズとは異なる第２のサイズを目標サイズＴＳとして用いるように、目標サイズＴＳを変更してもよい。

　制御ユニット７は、加工条件が変更された場合においても、加工システムＳＹＳが所望のサイズ（典型的には、所望の幅）を有する線状の造形物を造形することができるように、目標サイズＴＳを変更してもよい。例えば、制御ユニット７は、加工システムＳＹＳが第１の加工条件に基づいてワークＷを加工する場合には、加工システムＳＹＳが第１の加工条件に応じた所望のサイズを有する線状の造形物を造形することができるように、目標サイズＴＳを第１のサイズに変更してもよい。例えば、制御ユニット７は、加工システムＳＹＳが第２の加工条件に基づいてワークＷを加工する場合においても、加工システムＳＹＳが第２の加工条件に応じた所望のサイズを有する線状の造形物を造形することができるように、目標サイズＴＳを第２のサイズに変更してもよい。

　制御ユニット７は、加工システムＳＹＳが第１の加工条件に基づいてワークＷを加工する場合に造形される線状の造形物のサイズ（例えば、幅）と、加工システムＳＹＳが第２の加工条件に基づいてワークＷを加工する場合に造形される線状の造形物のサイズ（例えば、幅）との差分が所定の第４許容量以下に抑えられるように、目標サイズＴＳを変更してもよい。典型的には、制御ユニット７は、加工システムＳＹＳが第１の加工条件に基づいてワークＷを加工する場合に造形される線状の造形物のサイズ（例えば、幅）と、加工システムＳＹＳが第２の加工条件に基づいてワークＷを加工する場合に造形される線状の造形物のサイズ（例えば、幅）とが同一となるように、目標サイズＴＳを変更してもよい。或いは、制御ユニット７は、加工システムＳＹＳが第１の加工条件に基づいてワークＷを加工する場合に造形される線状の造形物のサイズ（例えば、幅）と、加工システムＳＹＳが第２の加工条件に基づいてワークＷを加工する場合に造形される線状の造形物のサイズ（例えば、幅）との差分が、所定の目標差分量となるように、目標サイズＴＳを変更してもよい。

　制御ユニット７は、加工条件と目標サイズＴＳとの対応関係を規定する目標サイズテーブルを用いて、加工条件に基づいて、目標サイズＴＳを変更してもよい。目標サイズテーブルは、ワークＷの加工条件が一の加工条件である場合に制御ユニット７が用いるべき目標サイズＴＳを指定するテーブルであってもよい。目標サイズテーブルは、ワークＷの加工条件に関連付けて制御ユニット７が用いるべき目標サイズＴＳに関する情報を記録するテーブルであってもよい。目標サイズテーブルは、記憶装置７２に記憶（言い換えれば、記録）されていてもよい。目標サイズテーブルは、加工条件及び目標サイズＴＳの少なくとも一方を変更しながら上述した溶融池フィードバック制御動作を繰り返し行うと共に、溶融池フィードバック制御動作の結果として造形された線状の造形物の造形精度が所望精度になる状態を実現可能な加工条件と目標サイズＴＳとの対応関係を特定することで、予め生成されていてもよい。

　（２－７－２－１）加工条件の第１具体例
　加工条件が、加工光ＥＬ＃１及びＥＬ＃２の少なくとも一方の強度に関する強度条件を含んでいてもよいことは、上述したとおりである。制御ユニット７は、ワークＷを加工するためにワークＷに照射される加工光ＥＬ＃１及びＥＬ＃２の少なくとも一方の強度に基づいて、目標サイズＴＳを変更してもよい。

　ここで、目標サイズＴＳを変更する動作の第１具体例として、加工光ＥＬ＃ｋの強度が第１強度から第１強度よりも高い第２強度に変更された場合に目標サイズＴＳを変更する動作の一例について説明する。この場合、加工光ＥＬ＃ｋの強度が高くなるがゆえに、溶融池画像ＩＭＧにおいて溶融池ＭＰ＃ｋが写り込んでいる画素の輝度値（或いは、任意の信号値）もまた高くなる。更には、加工光ＥＬ＃ｋの強度が高くなることに起因して、造形面ＭＳ上に形成されている溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２の移動する領域が変わっていないにも関わらず、信号閾値よりも大きくなる信号値（例えば、輝度値）を有する画素の数が増える可能性がある。その結果、造形面ＭＳ上に形成されている溶融池ＭＰ＃１及びＭＰ＃２の移動する領域が変わっていないにも関わらず、溶融池フィードバック制御動作において算出される溶融池領域ＭＰＡのサイズが大きくなる可能性がある。つまり、加工光ＥＬの強度が第１強度である場合に算出される溶融池領域ＭＰＡのサイズよりも、加工光ＥＬの強度が第２強度である場合に算出される溶融池領域ＭＰＡのサイズが大きくなる可能性がある。

　このような状況下で目標サイズＴＳが変更されることなく加工光ＥＬ＃ｋの強度が第１強度から第２強度に変更されると、加工光ＥＬ＃ｋの強度が第１強度である場合には目標サイズＴＳに一致していた溶融池領域ＭＰＡのサイズが、目標サイズＴＳよりも大きくなってしまう。つまり、加工光ＥＬ＃ｋの強度の変更に伴って溶融池ＭＰ＃ｋが造形面ＭＳ上で実際に移動する領域のサイズが変わらないにも関わらず、溶融池フィードバック制御動作において算出される溶融池領域ＭＰＡのサイズが大きくなってしまう。このため、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡのサイズが小さくなるように、加工システムＳＹＳを制御してしまう。その結果、加工光ＥＬ＃ｋの強度が第２強度である場合に造形面ＭＳ上で実際に溶融池ＭＰ＃ｋが移動する領域が、加工光ＥＬ＃ｋの強度が第１強度である場合に造形面ＭＳ上で実際に溶融池ＭＰ＃ｋが移動する領域よりも小さくなってしまう可能性がある。つまり、加工光ＥＬ＃ｋの強度が第２強度である場合に溶融池ＭＰ＃ｋが形成される加工単位領域ＢＳＡ＃ｋのサイズが、加工光ＥＬ＃ｋの強度が第１強度である場合に溶融池ＭＰ＃ｋが形成される加工単位領域ＢＳＡ＃ｋのサイズよりも小さくなってしまう可能性がある。その結果、加工光ＥＬ＃ｋの強度が第２強度である場合に造形される線状の造形物のサイズが、加工光ＥＬ＃ｋの強度が第１強度である場合に造形される線状の造形物のサイズよりも小さくなってしまう可能性がある。

　そこで、制御ユニット７は、加工光ＥＬ＃ｋの強度が第１強度から第１強度よりも高い第２強度に変更された場合には、目標サイズＴＳが大きくなるように、目標サイズＴＳを変更してもよい。つまり、制御ユニット７は、加工光ＥＬ＃ｋの強度が高くなるほど、目標サイズＴＳが大きくなるように、目標サイズＴＳを変更してもよい。制御ユニット７は、加工光ＥＬ＃ｋの強度が低くなるほど、目標サイズＴＳが小さくなるように、目標サイズＴＳを変更してもよい。

　その結果、加工光ＥＬ＃ｋの強度が変わった場合であっても、溶融池ＭＰ＃ｋが形成される加工単位領域ＢＳＡ＃ｋのサイズが意図せずに変わってしまうことはない。その結果、造形面ＭＳ上で加工単位領域ＢＳＡ＃１及びＢＳＡ＃２を移動させることで造形される線状の造形物のサイズ（典型的には、幅）が意図せずに変わってしまうことはない。このため、加工システムＳＹＳは、加工光ＥＬ＃ｋの強度が変わった場合であっても、所望のサイズ（典型的には、所望の幅）を有する線状の造形物を造形することができる。このため、加工システムＳＹＳは、高い造形精度で造形物を造形することができる。

　尚、加工条件が加工光ＥＬ＃ｋの密度に関する条件を含んでいてもよいことは上述したとおりである。この場合、加工光ＥＬ＃ｋの強度に基づいて目標サイズＴＳを変更する動作は、加工光ＥＬ＃ｋの密度に基づいて目標サイズＴＳを変更する動作と等価であるとみなしてもよい。制御ユニット７は、加工光ＥＬ＃ｋの強度に基づいて目標サイズＴＳを変更する場合と同様に、加工光ＥＬ＃ｋの密度に基づいて目標サイズＴＳを変更してもよい。例えば、制御ユニット７は、加工光ＥＬ＃ｋの密度が高くなるほど、目標サイズＴＳが小さくなるように、目標サイズＴＳを変更してもよい。制御ユニット７は、加工光ＥＬ＃ｋの密度が低くなるほど、目標サイズＴＳが大きくなるように、目標サイズＴＳを変更してもよい。

　（２－７－２－２）加工条件の第２具体例
　加工条件が、目標照射領域ＥＡ＃１及びＥＡ＃２の少なくとも一方の移動態様に関する移動態様条件を含んでいてもよいことは、上述したとおりである。制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃１及びＥＡ＃２の少なくとも一方の移動態様に基づいて、目標サイズＴＳを変更してもよい。

　例えば、制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃ｋが第１の移動態様で移動する場合に造形される線状の造形物のサイズ（例えば、幅）と、目標照射領域ＥＡ＃ｋが第１の移動態様とは異なる第２の移動態様で移動する場合に造形される線状の造形物のサイズ（例えば、幅）との差分が所定の第４許容量以下に抑えられるように、目標サイズＴＳを変更してもよい。典型的には、制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃ｋが第１の移動態様で移動する場合に造形される線状の造形物のサイズ（例えば、幅）と、目標照射領域ＥＡ＃ｋが第２の移動態様で移動する場合に造形される線状の造形物のサイズ（例えば、幅）とが同一となるように、目標サイズＴＳを変更してもよい。或いは、制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃ｋが第１の移動態様で移動する場合に造形される線状の造形物のサイズ（例えば、幅）と、目標照射領域ＥＡ＃ｋが第２の移動態様で移動する場合に造形される線状の造形物のサイズ（例えば、幅）との差分が、所定の目標差分量となるように、目標サイズＴＳを変更してもよい。

　一例として、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動態様が、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動のストロークを含んでいてもよいことは、上述したとおりである。目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動のストロークが大きくなるほど、線状の造形物のサイズ（例えば、幅）が大きくなる。この場合、制御ユニット７は、ストロークが大きくなるほど、目標サイズＴＳが大きくなるように、目標サイズＴＳを変更してもよい。制御ユニット７は、ストロークが小さくなるほど、目標サイズＴＳが小さくなるように、目標サイズＴＳを変更してもよい。その結果、加工システムＳＹＳは、ストロークに応じたサイズを有する線状の造形物を造形することができる。

　他の一例として、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動態様が、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動軌跡のパターンを含んでいてもよいことは、上述したとおりである。この場合、制御ユニット７は、目標サイズテーブルから、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動軌跡のパターンに対応する目標サイズＴＳを取得してもよい。例えば、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動軌跡のパターンが、図４（ｂ）に示す波形状（例えば、正弦波形状）のパターンである場合には、制御ユニット７は、目標サイズテーブルから、波形状（例えば、正弦波形状）の移動軌跡のパターンに対応する目標サイズＴＳを取得してもよい。例えば、目標照射領域ＥＡ＃ｋの移動軌跡のパターンが、図５（ｃ）に示すらせん形状（例えば、中心位置が徐々にずれる円形状）のパターンである場合には、制御ユニット７は、目標サイズテーブルから、らせん形状（例えば、中心位置が徐々にずれる円形状）の移動軌跡のパターンに対応する目標サイズＴＳを取得してもよい。その後、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡのサイズが、取得した目標サイズＴＳになるように、加工システムＳＹＳを制御してもよい。

　以上説明したように、加工システムＳＹＳは、目標サイズ変更動作を行うことで、目標サイズＴＳを適切に変更することができる。特に、加工システムＳＹＳは、目標サイズ変更動作を行うことで、加工条件が変更された場合であっても、所望のサイズを有する線状の造形物を適切に造形することができる。このため、加工システムＳＹＳは、高い造形精度で造形物を造形することができる。

　（３）変形例
　（３－１）第１変形例
　制御ユニット７は、溶融池画像ＩＭＧに基づいて、加工光ＥＬ＃ｋによって異なる位置に連続的に形成された溶融池ＭＰ＃ｋに関する形状情報を取得可能であってもよい。制御ユニット７は、形状情報に基づいて加工システムＳＹＳを制御してもよい。

　形状情報は、上述した溶融池領域ＭＰＡの形状を示す情報であってもよい。上述したように、溶融池領域ＭＰＡは、溶融池ＭＰ＃ｋが移動する領域に相当する。この場合、形状情報は、溶融池ＭＰ＃ｋが移動する領域の形状を示す情報であってもよい。言い換えれば、形状情報は、溶融池ＭＰ＃ｋの移動軌跡の形状を示す情報であってもよい。

　制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡの形状が所望の形状となるように、加工システムＳＹＳを制御してもよい。例えば、溶融池領域ＭＰＡの形状が所望形状とは異なる形状となっている場合には、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡの形状が所望形状に戻るように、加工システムＳＹＳを制御してもよい。一例として、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡの形状が所望形状に戻るように、光源４＃１が射出する加工光ＥＬ＃１及び光源４＃２が射出する加工光ＥＬ＃２の少なくとも一方の強度を制御してもよい。つまり、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡの形状が所望形状に戻るように、加工光ＥＬ＃１及びＥＬ＃２の少なくとも一方の強度のＤＣ成分を制御するＤＣ変調制御を行ってもよい。

　所望の形状の一例として、加工単位領域ＢＳＡ＃ｋの移動方向に沿った対称軸に対して線対称となる形状があげられる。一例として、図２６（ａ）は、溶融池領域ＭＰＡの形状が対称軸（例えば、Ｘ軸に沿った対称軸）に対して線対称となっていない形状となっている例を示している。この場合、図２６（ａ）に示す溶融池領域ＭＰＡが検出される場合に造形される線状の造形物を示す断面図である図２７（ａ）に示すように、線状の造形物の左半分の高さと線状の造形物の右半分の高さとが同一にならない可能性がある。更には、図２６（ａ）に示す溶融池領域ＭＰＡが検出される場合に造形される線状の造形物を示す断面図である図２７（ｂ）に示すように、線状の造形物の左半分の角部の曲率と線状の造形物の右半分の角部の曲率とが同一にならない可能性がある。つまり、造形物の造形精度が悪化する可能性がある。

　この場合、制御ユニット７は、図２６（ｂ）に示すように、溶融池領域ＭＰＡの形状が対称軸（例えば、Ｘ軸に沿った対称軸）に対して線対称となるように、加工システムＳＹＳを制御してもよい。その結果、図２６（ｂ）に示す溶融池領域ＭＰＡが検出される場合に造形される線状の造形物を示す断面図である図２７（ｃ）に示すように、線状の造形物の左半分の高さと線状の造形物の右半分の高さとが同一になる。更には、図２６（ｂ）に示す溶融池領域ＭＰＡが検出される場合に造形される線状の造形物を示す断面図である図２７（ｄ）に示すように、線状の造形物の左半分の角部の曲率と線状の造形物の右半分の角部の曲率とが同一になる。つまり、造形物の造形精度が向上する。

　（３－２）第２変形例
　制御ユニット７は、溶融池画像ＩＭＧに基づいて、加工光ＥＬ＃ｋによって異なる位置に連続的に形成された溶融池ＭＰ＃ｋに関する中心位置情報を取得可能であってもよい。制御ユニット７は、中心情報に基づいて加工システムＳＹＳを制御してもよい。

　中心位置情報は、上述した溶融池領域ＭＰＡの中心位置を示す情報であってもよい。上述したように、溶融池領域ＭＰＡは、溶融池ＭＰ＃ｋが移動する領域に相当する。この場合、中心位置情報は、溶融池ＭＰ＃ｋが移動する領域の中心位置を示す情報であってもよい。尚、溶融池領域ＭＰＡの中心位置の一例として、溶融池領域ＭＰＡの重心位置があげられる。

　制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡの中心位置が所望軌跡に沿って移動するように、加工システムＳＹＳを制御してもよい。例えば、溶融池領域ＭＰＡの中心位置が所望軌跡から離れた位置に位置する場合には、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡの中心位置が所望軌跡に沿って移動するように、加工システムＳＹＳを制御してもよい。一例として、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡの中心位置が所望軌跡に沿って移動するように、目標照射領域ＥＡ＃１及びＥＡ＃２の少なくとも一方のストロークを制御してもよい。つまり、制御ユニット７は、目標照射領域ＥＡ＃１及びＥＡ＃２の少なくとも一方のストロークを制御可能なガルバノミラー２１４６及び２１５６の少なくとも一方を制御してもよい。

　所望軌跡の一例として、加工単位領域ＢＳＡ＃ｋの目標移動軌跡ＭＴ０があげられる。この場合、制御ユニット７は、図２８（ａ）に示すように、溶融池領域ＭＰＡの中心位置が加工単位領域ＢＳＡ＃ｋの目標移動軌跡ＭＴ０に沿って移動するように、加工システムＳＹＳを制御してもよい。その結果、図２８（ａ）に示す溶融池領域ＭＰＡが検出される場合に造形される線状の造形物を示す断面図である図２８（ｂ）に示すように、制御ユニット７は、加工単位領域ＢＳＡ＃ｋの目標移動軌跡ＭＴ０に沿って延びる線状の造形物を適切に造形することができる。仮に、図２８（ｃ）に示すように、溶融池領域ＭＰＡの中心位置が加工単位領域ＢＳＡ＃ｋの目標移動軌跡ＭＴ０とは異なる移動軌跡に沿って移動している場合には、図２８（ｃ）に示す溶融池領域ＭＰＡが検出される場合に造形される線状の造形物を示す断面図である図２８（ｄ）に示すように、制御ユニット７は、加工単位領域ＢＳＡ＃ｋの目標移動軌跡ＭＴ０に交差する方向に沿って延びる線状の造形物を像異形してしまう。この場合、図２８（ｅ）に示すように、制御ユニット７は、溶融池領域ＭＰＡの中心位置が加工単位領域ＢＳＡ＃ｋの目標移動軌跡ＭＴ０とは異なる移動軌跡に沿って移動するように、溶融池領域ＭＰＡの中心位置を補正してもよい。

　制御ユニット７は、複数の線状の造形物を積層する過程で溶融池領域ＭＰＡの中心位置の左右方向の位置ずれ量が第５許容量以下になるように、加工システムＳＹＳを制御してもよい。典型的には、複数の線状の造形物を積層する過程で溶融池領域ＭＰＡの中心位置が左右方向において同じ位置に位置するように、加工システムＳＹＳを制御してもよい。例えば、制御ユニット７は、図２９に示すように、第１の線状の造形物を造形する場合に検出される溶融池領域ＭＰＡ－１の中心位置と、第１の線状の造形物上に第２の線状の造形物を造形する場合に検出される溶融池領域ＭＰＡ－２の中心位置と、・・・第Ｎ－１の線状の造形物上に第Ｎの線状の造形物を造形する場合に検出される溶融池領域ＭＰＡ－Ｎの中心位置とが、左右方向において同じ位置に位置するように、加工システムＳＹＳを制御してもよい。

　（３－３）変形例
　加工システムＳＹＳが備える光源４は、交換可能であってもよい。例えば、加工システムＳＹＳが第１の波長を有する加工光ＥＬを射出する第１の光源４を備えている場合には、第１の光源４が、第１の波長とは異なる第２の波長を有する加工光ＥＬを射出する第２の光源４に交換されてもよい。例えば、加工システムＳＹＳが第１の強度を有する加工光ＥＬを射出する第３の光源４を備えている場合には、第３の光源４が、第１の強度とは異なる第４の波長を有する加工光ＥＬを射出する第４の光源４に交換されてもよい。加工システムＳＹＳが経年劣化した光源４を備えている場合には、当該光源４は、新たな光源４に交換されてもよい。

　制御ユニット７は、上述したように加工システムＳＹＳが備える撮像ユニット８が溶融池ＭＰを撮像することで得られた溶融池画像ＩＭＧ又は加算画像ＩＭＧ＿Ｃにおける溶融池領域ＭＰＡの輝度値に基づいて、加工光ＥＬ＃１及びＥＬ＃２の強度を算出してもよい。制御ユニット７は、撮像ユニット８の撮像結果から推測された加工光ＥＬ＃１及びＥＬ＃２の強度と、パワーメータ２１４３及び２１５３で検出された加工光ＥＬ＃１及びＥＬ＃２の強度とから、照射光学系２１１内の光学部材の劣化を推定してもよい。

　上述した説明では、加工ユニット２は、造形材料Ｍに加工光ＥＬを照射することで、造形材料Ｍを溶融させている。しかしながら、加工ユニット２は、任意のエネルギビームを造形材料Ｍに照射することで、造形材料Ｍを溶融させてもよい。任意のエネルギビームの一例として、荷電粒子ビーム及び電磁波等の少なくとも一つがあげられる。荷電粒子ビームの一例として、電子ビーム及びイオンビーム等の少なくとも一つがあげられる。

　上述した説明では、加工ユニット２は、レーザ肉盛溶接法に基づく付加加工を行うことで、三次元構造物ＳＴを造形している。しかしながら、加工ユニット２は、三次元構造物ＳＴを造形可能なその他の方式に準拠した付加加工を行うことで、三次元構造物ＳＴを造形してもよい。三次元構造物ＳＴを造形可能なその他の方式の一例として、粉末焼結積層造形法（ＳＬＳ：Ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ　Ｌａｓｅｒ　Ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ）等の粉末床溶融結合法（Ｐｏｗｄｅｒ　Ｂｅｄ　Ｆｕｓｉｏｎ）、結合材噴射法（バインダージェッティング方式：Ｂｉｎｄｅｒ　Ｊｅｔｔｉｎｇ）、材料噴射法（マテリアルジェッティング方式：Ｍａｔｅｒｉａｌ　Ｊｅｔｔｉｎｇ）、光造形法及びレーザメタルフュージョン法（ＬＭＦ：Ｌａｓｅｒ　Ｍｅｔａｌ　Ｆｕｓｉｏｎ）のうちの少なくとも一つがあげられる。

　加工システムＳＹＳは、付加加工と除去加工との双方を行ってもよい。例えば、加工システムＳＹＳは、加工光ＥＬ＃１及びＥＬ＃２のいずれか一方を用いて付加加工を行うと共に、加工光ＥＬ＃１及びＥＬ＃２のいずれか他方を用いて除去加工を行ってもよい。この場合、加工システムＳＹＳは、付加加工と除去加工とを同時に行うことができる。尚、加工システムＳＹＳが付加加工と除去加工とを同時に行わなくてもよい場合には、加工システムＳＹＳは、同じ加工光ＥＬを用いて、付加加工と除去加工とを行ってもよい。

　加工システムＳＹＳは、付加加工及び除去加工の少なくとも一方に加えて、付加加工又は除去加工によって加工されたワークＷ（或いは、ワークＷに造形された造形物）の表面の平面度を小さくする（つまり、表面粗さを小さくする、表面を平面に近づける）ためのリメルト加工を行ってもよい。例えば、加工システムＳＹＳは、加工光ＥＬ＃１及びＥＬ＃２のいずれか一方を用いて付加加工及び除去加工の少なくとも一方を行うと共に、加工光ＥＬ＃１及びＥＬ＃２のいずれか他方を用いてリメルト加工を行ってもよい。この場合、加工システムＳＹＳは、付加加工及び除去加工の少なくとも一方とリメルト加工とを同時に行うことができる。尚、加工システムＳＹＳが付加加工及び除去加工の少なくとも一方とリメルト加工とを同時に行わなくてもよい場合には、加工システムＳＹＳは、同じ加工光ＥＬを用いて、付加加工及び除去加工の少なくとも一方とリメルト加工とを行ってもよい。

　上述した加工ユニット２（特に、加工ヘッド２１）は、ロボット（典型的には多関節ロボット）に取り付けられてもよい。例えば、加工ユニット２（特に、加工ヘッド２１）は、溶接を行うための溶接ロボットに取り付けられてもよい。例えば、加工ユニット２（特に、加工ヘッド２１）は、自走可能なモバイルロボットに取り付けられてもよい。

　（４）付記
　以上説明した実施形態に関して、更に以下の付記を開示する。
［付記１］
　物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工する加工装置と、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、
　前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成し、前記溶融池画像情報に基づいて溶融池領域のサイズが目標サイズとなるように前記加工装置を制御する制御装置と
　を備え、
　前記溶融池画像情報は、前記撮像装置によって撮像された複数の前記溶融池画像に基づいて生成され、
　前記制御装置は、前記加工装置による前記物体の加工条件に基づいて、前記撮像装置が前記溶融池を撮像するための撮像条件を変更する
　加工システム。
［付記２］
　前記加工装置は、前記エネルギビームを照射するための照射光学系と、前記物体と前記照射光学系との位置関係を変更可能な位置変更装置とを含み、
　前記照射光学系は、前記エネルギビームを偏向することで、前記物体の表面上での前記エネルギビームの照射位置を、前記物体の表面上で移動させることが可能な偏向光学系を含む
　付記１に記載の加工システム。
［付記３］
　前記制御装置は、パス情報に基づいて、目標軌跡に沿って前記物体上に造形物が形成されるように前記位置変更装置を制御し、且つ、前記エネルギビームの照射位置が前記物体の表面上で、前記目標軌跡と交差する走査方向に沿って周期的に移動するように、前記偏向光学系を制御する
　付記２に記載の加工システム。
［付記４］
　前記複数の溶融池画像は、第１位置に形成された溶融池を示す画像及び前記偏向光学系によって前記第１位置とは異なる第２位置に形成された溶融池を示す画像を含む
　付記２又は３に記載の加工システム。
［付記５］
　前記制御装置は、前記偏向光学系を制御する制御信号に基づいて、前記撮像条件を変更する
　付記２から４のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記６］
　前記制御装置は、前記照射位置の移動の速度に基づいて、前記溶融池を撮像する撮像周期を変更する動作、前記エネルギビームの偏向の周期に基づいて、前記溶融池を撮像する撮像周期を変更する動作、前記エネルギビームの偏向の速度に基づいて、前記溶融池を撮像する撮像周期を変更する動作、前記照射位置の移動の速度に基づいて、前記溶融池を撮像する撮像レートを変更する動作、前記エネルギビームの偏向の周期に基づいて、前記溶融池を撮像する撮像レートを変更する動作、及び、前記エネルギビームの偏向の速度に基づいて、前記溶融池を撮像する撮像レートを変更する動作の少なくとも一つを行う
　付記２から５のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記７］
　前記制御装置は、前記照射位置の移動の速度が速くなるほど、前記溶融池を撮像する撮像周期を短くする動作、前記エネルギビームの偏向の周期が短くなるほど、前記溶融池を撮像する撮像周期を短くする動作、前記エネルギビームの偏向の速度が速くなるほど、前記溶融池を撮像する撮像周期を短くする動作、前記照射位置の移動の速度が速くなるほど、前記溶融池を撮像する撮像レートを高くする動作、前記エネルギビームの偏向の周期が短くなるほど、前記溶融池を撮像する撮像レートを高くする動作、及び、前記エネルギビームの偏向の速度が速くなるほど、前記溶融池を撮像する撮像レートを高くする動作の少なくとも一つを行う
　付記２から６のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記８］
　前記溶融池画像情報は、前記撮像装置によって撮像された前記複数の溶融池画像を加算することによって生成され、
　前記制御装置は、前記照射位置の移動の速度に基づいて、加算する前記溶融池画像の数を変更する動作、前記エネルギビームの偏向の周期に基づいて、加算する前記溶融池画像の数を変更する動作、及び、前記エネルギビームの偏向の速度に基づいて、加算する前記溶融池画像の数を変更する動作の少なくとも一つを行う
　付記２から６のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記９］
　前記溶融池画像情報は、前記撮像装置によって撮像された前記複数の溶融池画像を加算することによって生成され、
　前記制御装置は、前記照射位置の移動の速度が速くなるほど、加算する前記溶融池画像の数を大きくする動作、前記エネルギビームの偏向の周期が短くなるほど、加算する前記溶融池画像の数を大きくする動作、及び、前記エネルギビームの偏向の速度が速くなるほど、加算する前記溶融池画像の数を大きくする動作の少なくとも一つを行う
　付記２から８のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記１０］
　前記撮像条件は、前記撮像装置が前記溶融池を撮像するタイミングに関する条件を含む
　付記１から９のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記１１］
　前記撮像条件は、前記撮像装置が前記溶融池を撮像するための露光時間に関する条件を含む
　付記１から１０のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記１２］
　前記撮像条件は、前記撮像装置が前記溶融池を撮像する撮像周期又は撮像レートに関する条件を含む
　付記１から１１のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記１３］
　前記制御装置は、前記エネルギビームの強度又は密度が高いほど、前記溶融池を撮像する露光時間が短くなるように前記撮像装置を制御する
　付記１から１２のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記１４］
　前記溶融池画像情報は、前記撮像装置によって撮像された前記複数の溶融池画像を加算することによって生成され、
　前記制御装置は、前記露光時間が短いほど加算する前記溶融池画像の数を大きくする
　付記１３に記載の加工システム。
［付記１５］
　前記エネルギビームは、第１エネルギビームであり、
　前記偏向光学系は、第１偏向光学系であり、
　前記第１エネルギビームとは異なる第２エネルギビームを偏向することで、前記物体の表面上での前記第２エネルギビームの照射位置を、前記物体の表面上で移動させることが可能な第２偏向光学系を更に備える
　付記２から９のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記１６］
　前記加工条件は、前記第１エネルギビームの照射位置の移動の速度、周期、及び、ストロークの少なくとも一つと、前記第２エネルギビームの照射位置の移動の速度、周期、及び、ストロークの少なくとも一つとを含む
　付記１５に記載の加工システム。
［付記１７］
　前記加工条件は、前記エネルギビームに関するビーム条件を含む
　付記１から１６のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記１８］
　前記加工装置は、前記物体上での前記エネルギビームの照射位置を移動可能な照射位置移動装置を備え、
　前記加工条件は、前記照射位置の移動態様に関する移動態様条件を含む
　付記１から１７のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記１９］
　前記制御装置は、前記加工装置が第１の加工条件に基づいて前記物体を加工する場合には、前記撮像装置が第１の撮像条件に基づいて前記溶融池を撮像し、前記加工装置が前記第１の加工条件とは異なる第２の加工条件に基づいて前記物体を加工する場合には、前記撮像装置が前記第１の撮像条件とは異なる第２の撮像条件に基づいて前記溶融池を撮像するように、前記撮像条件を変更する
　付記１から１８のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記２０］
　物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工する加工ヘッドと、前記加工ヘッドに対する前記エネルギビームの照射位置を変更可能な位置変更装置とを備えた加工装置と、
　前記加工ヘッドに備え付けられ、前記加工装置によって形成された前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、
　前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成し、前記溶融池画像情報に基づいて前記溶融池領域のサイズが目標サイズとなるように前記加工装置を制御する制御装置と
　を備え、
　前記溶融池画像情報は、前記撮像装置によって撮像された複数の前記溶融池画像に基づいて生成される
　加工システム。
［付記２１］
　前記位置変更装置は第１位置変更装置であって、
　前記加工装置は、前記物体と前記加工ヘッドとの位置関係を変更可能な第２位置変更装置を更に備え、
　前記第１位置変更装置は、前記エネルギビームを偏向することで、前記物体の表面上での前記エネルギビームの照射位置を、前記物体の表面上で移動させることが可能な偏向光学系を含む
　付記２０に記載の加工システム。
［付記２２］
　前記制御装置は、パス情報に基づいて、目標軌跡に沿って前記物体上に造形物が形成されるように前記第２位置変更装置を制御し、且つ、前記エネルギビームの照射位置が前記物体の表面上で、前記目標軌跡と交差する走査方向に沿って周期的に移動するように、前記偏向光学系を制御する
　付記２１に記載の加工システム。
［付記２３］
　前記複数の溶融池画像は、第１位置に形成された溶融池を示す画像及び前記偏向光学系によって前記第１位置とは異なる第２位置に形成された溶融池を示す画像を含む
　付記２１又は２２に記載の加工システム。
［付記２４］
　前記制御装置は、前記照射位置の移動の速度が速くなるほど、前記溶融池を撮像する撮像周期を短くする動作、前記エネルギビームの偏向の周期が短くなるほど、前記溶融池を撮像する撮像周期を短くする動作、前記エネルギビームの偏向の速度が速くなるほど、前記溶融池を撮像する撮像周期を短くする動作、前記照射位置の移動の速度が速くなるほど、前記溶融池を撮像する撮像レートを高くする動作、前記エネルギビームの偏向の周期が短くなるほど、前記溶融池を撮像する撮像レートを高くする動作、及び、前記エネルギビームの偏向の速度が速くなるほど、前記溶融池を撮像する撮像レートを高くする動作の少なくとも一つを行う
　付記２１から２３のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記２５］
　前記溶融池画像情報は、前記撮像装置によって撮像された複数の前記溶融池画像を加算することによって生成され、
　前記制御装置は、前記照射位置の移動の速度が速くなるほど、加算する前記溶融池画像の数を大きくする動作、前記エネルギビームの偏向の周期が短くなるほど、加算する前記溶融池画像の数を大きくする動作、及び、前記エネルギビームの偏向の速度が速くなるほど、加算する前記溶融池画像の数を大きくする動作の少なくとも一つを行う
　付記２１から２４のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記２６］
　前記制御装置は、前記撮像装置が前記溶融池を撮像するための撮像条件を変更し、
　前記撮像条件は、前記撮像装置が前記溶融池を撮像するタイミングに関する条件を含む
　付記２０から２５のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記２７］
　前記制御装置は、前記撮像装置が前記溶融池を撮像するための撮像条件を変更し、
　前記撮像条件は、前記撮像装置が前記溶融池を撮像するための露光時間に関する条件を含む
　付記２０から２６のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記２８］
　前記制御装置は、前記撮像装置が前記溶融池を撮像するための撮像条件を変更し、
　前記撮像条件は、前記撮像装置が前記溶融池を撮像する撮像周期又は撮像レートに関する条件を含む
　付記２０から２７のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記２９］
　前記制御装置は、前記エネルギビームの強度又は密度が高いほど、前記溶融池を撮像する露光時間が短くなるように前記撮像装置を制御する
　付記２０から２８のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記３０］
　前記溶融池画像情報は、前記撮像装置によって撮像された前記複数の溶融池画像を加算することによって生成され、
　前記制御装置は、前記露光時間が短いほど加算する前記溶融池画像の数を大きくする
　付記２９に記載の加工システム。
［付記３１］
　前記制御装置は、前記加工装置が第１の加工条件に基づいて前記物体を加工する場合には、前記撮像装置が第１の撮像条件に基づいて前記溶融池を撮像し、前記加工装置が前記第１の加工条件とは異なる第２の加工条件に基づいて前記物体を加工する場合には、前記撮像装置が前記第１の撮像条件とは異なる第２の撮像条件に基づいて前記溶融池を撮像するように、前記撮像装置が前記溶融池を撮像するための撮像条件を変更する
　付記２０から３０のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記３２］
　物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工する加工装置と、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、
　前記溶融池画像の信号値と所定の閾値との比較結果に基づいて前記溶融池画像内の溶融池領域のサイズを算出し、前記溶融池領域のサイズが目標サイズとなるように前記加工装置を制御する制御装置と
　を備え、
　前記制御装置は、前記加工装置による前記物体の加工条件に基づいて、前記所定の閾値を変更する
　加工システム。
［付記３３］
　前記加工装置は、前記エネルギビームを照射するための照射光学系と、前記物体と前記照射光学系との位置関係を変更可能な位置変更装置とを含み、
　前記照射光学系は、前記エネルギビームを偏向することで、前記物体の表面上での前記エネルギビームの照射位置を、前記物体の表面上で移動させることが可能な偏向光学系を含む
　付記３２に記載の加工システム。
［付記３４］
　前記制御装置は、パス情報に基づいて、目標軌跡に沿って前記物体上に造形物が形成されるように前記位置変更装置を制御し、且つ、前記エネルギビームの照射位置が前記物体の表面上で、前記目標軌跡と交差する走査方向に沿って周期的に移動するように、前記偏向光学系を制御する
　付記３３に記載の加工システム。
［付記３５］
　前記撮像装置は、複数の前記溶融池画像を生成し、
　前記制御装置は、複数の前記溶融池画像を加算した加算結果と所定の閾値との比較結果に基づいて、前記溶融池画像内の溶融池領域のサイズを算出し、
　前記複数の前記溶融池画像は、第１位置に形成された溶融池を示す画像及び前記偏向光学系によって前記第１位置とは異なる第２位置に形成された溶融池を示す画像を含む
　付記３３又は３４に記載の加工システム。
［付記３６］
　前記制御装置は、前記照射位置の移動の速度が速くなるほど、前記閾値を小さくする動作、前記エネルギビームの偏向の周期が短くなるほど、前記閾値を小さくする動作、及び、前記エネルギビームの偏向の速度が速くなるほど、前記閾値を小さくする動作の少なくとも一つを行う
　付記３３から３５のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記３７］
　前記制御装置は、前記エネルギビームの強度及び密度の少なくとも一方が高いほど、前記閾値を大きくする
　付記３２から３６のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記３８］
　前記信号値は、前記溶融池画像の輝度に関する値である
　付記３２から３７のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記３９］
　前記溶融池領域のサイズは、前記信号値が前記所定の閾値よりも大きい画素数に基づいて算出される
　付記３２から３８のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記４０］
　前記加工条件は、前記エネルギビームに関するビーム条件を含む
　付記３２から３９のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記４１］
　前記加工条件は、前記偏向光学系による前記エネルギビームの照射位置の移動態様に関する移動態様条件を含む
　付記３３から３６のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記４２］
　前記制御装置は、前記加工装置が第１の加工条件に基づいて前記物体を加工する場合には、前記制御装置が、前記信号値と前記所定の閾値としての第１の閾値とを比較することで、前記溶融池領域のサイズを算出し、前記加工装置が前記第１の加工条件とは異なる第２の加工条件に基づいて前記物体を加工する場合には、前記制御装置が、前記信号値と前記第１の輝度閾値とは異なり且つ前記所定の閾値としての第２の閾値とを比較することで、前記溶融池領域のサイズを算出するように、前記所定の閾値を変更する
　付記３２から４１のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記４３］
　前記撮像装置は、前記溶融池を複数回連続して撮像することで、時系列データとしての複数の前記溶融池画像を生成し、
　前記制御装置は、前記複数の溶融池画像のうちの連続する所定の枚数の前記溶融池画像の前記信号値を画素の単位で加算し、前記信号値の加算結果と前記所定の閾値とを比較することで、前記溶融池領域のサイズを算出する
　付記３２から４２のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記４４］
　前記制御装置は、前記加工条件に基づいて、前記所定の枚数を変更する
　付記４３に記載の加工システム。
［付記４５］
　前記制御装置は、前記加工装置が第１の加工条件に基づいて前記物体を加工する場合には、前記制御装置が、第１の枚数の前記溶融池画像の信号値を画素の単位で加算し、前記加工装置が前記第１の加工条件とは異なる第２の加工条件に基づいて前記物体を加工する場合には、前記制御装置が、前記第１の枚数とは異なる第２の枚数の前記溶融池画像の信号値を画素の単位で加算するように、前記所定の枚数を変更する
　付記４４に記載の加工システム。
［付記４６］
　物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工する加工装置と、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、
　前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成し、前記溶融池画像情報に基づいて前記溶融池領域のサイズが目標サイズとなるように前記加工装置を制御する制御装置と
　を備え、
　前記制御装置は、前記加工装置による前記物体の加工条件に基づいて、前記目標サイズを変更する
　加工システム。
［付記４７］
　前記加工装置は、前記エネルギビームを照射するための照射光学系と、前記物体と前記照射光学系との位置関係を変更可能な位置変更装置とを含み、
　前記照射光学系は、前記エネルギビームを偏向することで、前記物体の表面上での前記エネルギビームの照射位置を、前記物体の表面上で移動させることが可能な偏向光学系を含む
　付記４６に記載の加工システム。
［付記４８］
　前記制御装置は、パス情報に基づいて、目標軌跡に沿って前記物体上に造形物が形成されるように前記位置変更装置を制御し、且つ、前記エネルギビームの照射位置が前記物体の表面上で、前記目標軌跡と交差する走査方向に沿って周期的に移動するように、前記偏向光学系を制御する
　付記４７に記載の加工システム。
［付記４９］
　前記加工条件は、前記エネルギビームに関するビーム条件を含む
　付記４６から４８のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記５０］
　前記制御装置は、前記エネルギビームの強度又は密度が高いほど、前記目標サイズを大きくする
　付記４９に記載の加工システム。
［付記５１］
　前記加工装置は、前記物体上での前記エネルギビームの照射位置を移動可能な照射位置移動装置を備え、
　前記加工条件は、前記偏向光学系による前記エネルギビームの照射位置の移動態様に関する移動態様条件を含む
　付記４６から５０のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記５２］
　前記加工条件は、前記エネルギビームの照射位置の移動のストロークを含み、
　前記制御装置は、前記ストロークが大きいほど、前記目標サイズを大きくする
　付記４６から５１のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記５３］
　前記制御装置は、前記加工装置が第１の加工条件に基づいて前記物体を加工する場合には、前記制御装置が、前記溶融池領域のサイズが前記目標サイズとしての第１のサイズとなるように前記加工装置を制御し、前記加工装置が前記第１の加工条件とは異なる第２の加工条件に基づいて前記物体を加工する場合には、前記溶融池領域のサイズが前記第１のサイズとは異なり且つ前記目標サイズとしての第２のサイズとなるように、前記目標サイズを変更する
　付記４６から５２のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記５４］
　前記制御装置は、前記溶融池領域のサイズが前記目標サイズとなるように前記加工装置を制御することで、前記物体上に所望サイズの造形物を造形するように、前記目標サイズを変更する
　付記４６から５３のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記５５］
　物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工する加工装置と、
　前記溶融池を含む領域を複数回撮像することで、複数の画像を生成可能な撮像装置と、
　前記複数の画像の画素ごとの信号値を加算し、前記画素ごとの加算結果と所定の閾値との比較結果に基づいて、前記画像内の溶融池領域と、前記溶融池以外の発光及び反射光の少なくとも一方が写り込んでいる非溶融池領域との少なくとも一方を検出する制御装置と
　を備える加工システム。
［付記５６］
　前記非溶融池領域には、前記溶融池において溶融している溶融物が飛散することで生成されるスパッタ、前記溶融池において溶融している溶融物が蒸発することで生成されるヒューム、前記物体の表面の膜に前記エネルギビームが照射されることによる発光、及び、前記溶融池に供給される前に前記エネルギビームによって溶融した前記造形材料のうちの少なくとも一つが写り込んでいる
　付記５５のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記５７］
　前記加工装置は、前記エネルギビームを照射するための照射光学系と、前記物体と前記照射光学系との位置関係を変更可能な位置変更装置とを含み、
　前記照射光学系は、前記エネルギビームを偏向することで、前記物体の表面上での前記エネルギビームの照射位置を、前記物体の表面上で移動させることが可能な偏向光学系を含む
　付記５５又は５６に記載の加工システム。
［付記５８］
　前記制御装置は、パス情報に基づいて、目標軌跡に沿って前記物体上に造形物が形成されるように前記位置変更装置を制御し、且つ、前記エネルギビームの照射位置が前記物体の表面上で、前記目標軌跡と交差する走査方向に沿って周期的に移動するように、前記偏向光学系を制御する
　付記５７に記載の加工システム。
［付記５９］
　前記信号値は、前記画像の輝度値である
　付記５４から５８のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記６０］
　前記制御装置は、前記閾値よりも高い信号値の加算結果に対応する画素を含む領域を、前記溶融池領域として検出し、前記輝度閾値よりも低い輝度値の加算結果に対応する画素を含む領域を、前記非溶融池領域として検出する
　付記５４から５９のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記６１］
　前記撮像装置は、時系列データとして前記複数の画像を生成可能である、
　付記５５から６０のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記６２］
　前記撮像装置は、前記溶融池を連続して撮像することで、前記複数の画像を生成する
　付記５５から６１のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記６３］
　物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工する加工装置と、
　前記溶融池を含む領域の多重露光が可能な撮像装置と、
　前記撮像装置による多重露光の結果と所定の閾値とを比較することで、前記多重露光によって生成された画像内の溶融池領域と、前記溶融池以外の発光及び反射光の少なくとも一方が写り込んでいる非溶融池領域との少なくとも一方を検出する制御装置と
　を備える加工システム。
［付記６４］
　前記非溶融池領域には、前記溶融池において溶融している溶融物が飛散することで生成されるスパッタ、前記溶融池において溶融している溶融物が蒸発することで生成されるヒューム、前記物体の表面の膜に前記エネルギビームが照射されることによる発光、及び、前記溶融池に供給される前に前記エネルギビームによって溶融した前記造形材料のうちの少なくとも一つが写り込んでいる
　付記６３のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記６５］
　前記加工装置は、前記エネルギビームを照射するための照射光学系と、前記物体と前記照射光学系との位置関係を変更可能な位置変更装置とを含み、
　前記照射光学系は、前記エネルギビームを偏向することで、前記物体の表面上での前記エネルギビームの照射位置を、前記物体の表面上で移動させることが可能な偏向光学系を含む
　付記６３又は６４に記載の加工システム。
［付記６６］
　前記制御装置は、パス情報に基づいて、目標軌跡に沿って前記物体上に造形物が形成されるように前記位置変更装置を制御し、且つ、前記エネルギビームの照射位置が前記物体の表面上で、前記目標軌跡と交差する走査方向に沿って周期的に移動するように、前記偏向光学系を制御する
　付記６５に記載の加工システム。
［付記６７］
　前記多重露光の結果は、前記画像の輝度値を含む
　付記６３から６６のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記６８］
　前記制御装置は、前記閾値よりも高い多重露光の結果に対応する画素を含む領域を、前記溶融池領域として検出し、前記閾値よりも低い多重露光の結果に対応する画素を含む領域を、前記非溶融池領域として検出する
　付記６３から６７のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記６９］
　物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工する加工装置と、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、
　前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成し、前記溶融池画像情報に基づいて溶融池領域のサイズが目標サイズとなるように前記加工装置を制御する制御装置と、
　前記エネルギビームのウォブル条件に関連付けて、前記溶融池の目標サイズに関する情報を記録する記録装置と
　を備え、
　前記制御装置は、前記記録装置から取得した溶融池の目標サイズに基づいて、前記加工装置を制御する
　加工システム。
［付記７０］
　前記加工装置は、前記エネルギビームを照射するための照射光学系と、前記物体と前記照射光学系との位置関係を変更可能な位置変更装置とを含み、
　前記照射光学系は、前記エネルギビームを偏向することで、前記物体の表面上での前記エネルギビームの照射位置を、前記物体の表面上で移動させることが可能な偏向光学系を含む
　付記６９に記載の加工システム。
［付記７１］
　前記制御装置は、パス情報に基づいて、目標軌跡に沿って前記物体上に造形物が形成されるように前記位置変更装置を制御し、且つ、前記エネルギビームの照射位置が前記物体の表面上で、前記目標軌跡と交差する走査方向に沿って周期的に移動するように、前記偏向光学系を制御する
　付記７０に記載の加工システム。
［付記７２］
　物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工する加工装置と、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、
　制御装置と
　を備え、
　前記制御装置は、前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて、前記エネルギビームによって異なる位置に連続的に形成された溶融池に関する形状情報を取得可能であり、前記形状情報に基づいて前記加工装置を制御する
　加工システム。
［付記７３］
　前記加工装置は、前記エネルギビームを照射するための照射光学系と、前記物体と前記照射光学系との位置関係を変更可能な位置変更装置とを含み、
　前記照射光学系は、前記エネルギビームを偏向することで、前記物体の表面上での前記エネルギビームの照射位置を、前記物体の表面上で移動させることが可能な偏向光学系を含む
　付記７２に記載の加工システム。
［付記７４］
　前記制御装置は、パス情報に基づいて、目標軌跡に沿って前記物体上に造形物が形成されるように前記位置変更装置を制御し、且つ、前記エネルギビームの照射位置が前記物体の表面上で、前記目標軌跡と交差する走査方向に沿って周期的に移動するように、前記偏向光学系を制御する
　付記７３に記載の加工システム。
［付記７５］
　物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工する加工装置と、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、
　制御装置と
　を備え、
　前記制御装置は、前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて、前記エネルギビームによって異なる位置に連続的に形成された溶融池の中心位置情報を取得可能であり、前記中心位置情報に基づいて前記加工装置を制御する
　加工システム。
［付記７６］
　前記加工装置は、前記エネルギビームを照射するための照射光学系と、前記物体と前記照射光学系との位置関係を変更可能な位置変更装置とを含み、
　前記照射光学系は、前記エネルギビームを偏向することで、前記物体の表面上での前記エネルギビームの照射位置を、前記物体の表面上で移動させることが可能な偏向光学系を含む
　付記７５に記載の加工システム。
［付記７７］
　前記制御装置は、パス情報に基づいて、目標軌跡に沿って前記物体上に造形物が形成されるように前記位置変更装置を制御し、且つ、前記エネルギビームの照射位置が前記物体の表面上で、前記目標軌跡と交差する走査方向に沿って周期的に移動するように、前記偏向光学系を制御する
　付記７６に記載の加工システム。
［付記７８］
　前記パス情報は、ライン幅情報を含み、
　前記制御装置は、前記ライン幅情報に基づいて造形されるラインの幅の内側において前記エネルギビームの照射位置が周期的に移動するように、前記偏向光学系を制御する
　付記３、２２、３４、４８、５８、６４、７０、７３又は７６に記載の加工システム。
［付記７９］
　前記制御装置は、前記偏向光学系が、前記目標軌跡と交差する方向の造形物の幅を示す目標幅の内側で前記エネルギビームの照射位置を周期的に移動させるように、前記偏向光学系を制御する
　付記２から４、２１から２３、３３から３５、４７から４８、５７から５８、６５から６６、７０から７１、７３から７４及び７６から７８のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記８０］
　前記撮像装置は、前記ラインの幅の内側で周期的に移動する前記エネルギビームによって形成された溶融池が撮像範囲に収まるように、前記溶融池を撮像可能である
　付記７８に記載の加工システム。
［付記８１］
　前記撮像装置は、前記目標幅の内側で周期的に移動する前記エネルギビームによって形成された溶融池が撮像範囲に収まるように、前記溶融池を撮像可能である
　付記７９に記載の加工システム。
［付記８２］
　前記溶融池画像情報は、前記撮像装置の撮像範囲内で異なる位置に形成された溶融池を撮像した複数の前記溶融池画像に基づいて生成される
　付記１から３１、４６から５４及び６９から７１のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記８３］
　前記制御装置は、前記エネルギビームを周期的に移動させるウォブリング動作を実行させるよう前記偏向光学系を制御する
　付記２１から２３、３３から３５、４７から４８、５７から５８、６５から６６、７０から７１、７３から７４及び７６から８１のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記８４］
　前記偏向光学系は、ガルバノミラーを含む
　付記２１から２３、３３から３５、４７から４８、５７から５８、６５から６６、７０から７１、７３から７４、７６から８１及び８３のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記８５］
　前記溶融池画像情報は、前記溶融池を示す画像の画素数に関する情報を含む
　付記１から３１、４５から５４、６９から７１及び８２のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記８６］
　前記複数の溶融池画像は、溶融池の位置がそれぞれ異なる複数の溶融池を撮像した画像である
　付記１から３１及び４３のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記８７］
　前記複数の画像は、溶融池の位置がそれぞれ異なる複数の溶融池を撮像した画像である
　付記５５から６２のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記８８］
　前記溶融池は、前記エネルギビームの照射方向と交差する面内で移動可能である
　付記１から８７のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記８９］
　前記溶融池は、前記エネルギビームの照射方向と交差する軸上で往復移動可能である
　付記１から８８のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記９０］
　前記加工条件は、前記エネルギビームの照射位置の移動に関する条件である
　付記１から１９及び３２から５４のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記９１］
　前記加工条件は、前記エネルギビームの照射位置の移動の速度、周期、及び、ストロークの少なくとも一つを含む
　付記１から１９、３２から５４及び９０のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記９２］
　物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工する加工装置と、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、
　前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成し、前記溶融池画像情報に基づいて前記溶融池領域のサイズが目標サイズとなるように前記加工装置を制御する制御装置と
　を備え、
　前記溶融池画像情報は、前記撮像装置による多重露光によって生成された前記溶融池画像に基づいて生成され、
　前記制御装置は、前記加工装置による前記物体の加工条件に基づいて、前記撮像装置による前記多重露光の条件を変更する
　加工システム。
［付記９３］
　物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工する加工ヘッドと、前記加工ヘッドに対する前記エネルギビームの照射位置を変更可能な位置変更装置とを備えた加工装置と、
　前記加工ヘッドに備え付けられ、前記加工装置によって形成された前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、
　前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成し、前記溶融池画像情報に基づいて前記溶融池領域のサイズが目標サイズとなるように前記加工装置を制御する制御装置と
　を備え、
　前記溶融池画像情報は、前記撮像装置による多重露光に基づいて生成される
　加工システム。
［付記９４］
　物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成する加工装置と、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、
　前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成し、前記溶融池画像情報に基づいて前記加工装置を制御する制御装置と
　を備え、
　前記溶融池画像情報は、前記撮像装置によって撮像された複数の前記溶融池画像に基づいて生成され、
　前記制御装置は、前記加工装置による前記物体の加工条件に基づいて、前記撮像装置が前記溶融池を撮像するための撮像条件を変更する
　加工システム。
［付記９５］
　物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成することで前記物体を加工する加工ヘッドと、前記加工ヘッドに対する前記エネルギビームの照射位置を変更可能な位置変更装置とを備えた加工装置と、
　前記加工ヘッドに備え付けられ、前記加工装置によって形成された前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、
　前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成し、前記溶融池画像情報に基づいて前記加工装置を制御する制御装置と
　を備える加工システム。
［付記９６］
　物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成することで前記物体を加工する加工装置と、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、
　前記溶融池画像の信号値と所定の閾値との比較結果に基づいて前記加工装置を制御する制御装置と
　を備え、
　前記制御装置は、前記加工装置による前記物体の加工条件に基づいて、前記所定の閾値を変更する
　加工システム。
［付記９７］
　物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成することで前記物体を加工する加工装置と、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、
　前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成し、前記溶融池画像情報に基づいて前記溶融池領域のサイズが目標サイズとなるように前記加工装置を制御する制御装置と
　を備え、
　前記制御装置は、前記加工装置による前記物体の加工条件に基づいて、前記目標サイズを変更する
　加工システム。
［付記９８］
　物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成することで前記物体を加工する加工装置と、
　前記溶融池を含む領域を複数回撮像することで、複数の画像を生成可能な撮像装置と、
　前記複数の画像の画素ごとの信号値の加算結果に基づいて、前記画像内の溶融池領域と、前記溶融池以外の発光及び反射光の少なくとも一方を含む非溶融池領域との少なくとも一方を検出する制御装置と
　を備える加工システム。
［付記９９］
　物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成することで前記物体を加工する加工装置と、
　前記溶融池を含む領域を多重露光可能な撮像装置と、
　前記撮像装置による多重露光の結果と所定の閾値との比較結果に基づいて、前記多重露光によって生成された画像内の溶融池領域と、前記溶融池以外の発光及び反射光の少なくとも一方が写り込む非溶融池領域との少なくとも一方を検出する制御装置と
　を備える加工システム。
［付記１００］
　物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成することで前記物体を加工する加工装置と、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、
　前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成し、前記溶融池画像情報に基づいて前記加工装置を制御する制御装置と、
　前記エネルギビームのウォブル条件に関連付けて、前記溶融池の目標サイズに関する情報を記録する記録装置と
　を備え、
　前記制御装置は、前記記録装置から取得した溶融池の目標サイズに基づいて、前記加工装置を制御する
　加工システム。
［付記１０１］
　物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成することで前記物体を加工する加工装置と、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、
　制御装置と
　を備え、
　前記制御装置は、前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて、前記エネルギビームによって異なる位置に連続的に形成された溶融池に関する形状情報を取得可能であり、前記形状情報に基づいて前記加工装置を制御する
　加工システム。
［付記１０２］
　物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成することで前記物体を加工する加工装置と、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、
　制御装置と
　を備え、
　前記制御装置は、前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて、前記エネルギビームによって異なる位置に連続的に形成された溶融池の中心位置情報を取得可能であり、前記中心位置情報に基づいて前記加工装置を制御する
　加工システム。
［付記１０３］
　物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成することで前記物体を加工する加工装置と、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、
　前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成し、前記溶融池画像情報に基づいて前記加工装置を制御する制御装置と
　を備え、
　前記溶融池画像情報は、前記撮像装置による多重露光によって生成された前記溶融池画像に基づいて生成され、
　前記制御装置は、前記加工装置による前記物体の加工条件に基づいて、前記撮像装置による前記多重露光の条件を変更する
　加工システム。
［付記１０４］
　物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成することで前記物体を加工する加工ヘッドと、前記加工ヘッドに対する前記エネルギビームの照射位置を変更可能な位置変更装置とを備えた加工装置と、
　前記加工ヘッドに備え付けられ、前記加工装置によって形成された前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、
　前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成し、前記溶融池画像情報に基づいて前記加工装置を制御する制御装置と
　を備え、
　前記溶融池画像情報は、前記撮像装置による多重露光に基づいて生成される
　加工システム。
［付記１０５］
　物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成し、目標軌跡に沿って前記物体上に造形物を形成する加工装置と、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、
　前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて前記加工装置を制御する制御装置と
　を備え、
　前記目標軌跡に沿って前記物体上に造形物を形成することは、前記エネルギビームの照射位置を前記物体の表面上で、前記目標軌跡と交差する走査方向に沿って移動させることを含み、
　前記制御装置は、前記撮像装置によって撮像された複数の前記溶融池画像に基づいて前記加工装置を制御する
　加工システム。
［付記１０６］
　前記照射位置の前記走査方向に沿った移動は、周期的な移動を含む
　付記１０５に記載の加工システム。
［付記１０７］
　前記目標軌跡に沿って前記物体上に造形物を形成することは、前記エネルギビームの照射位置を前記物体の表面上で、前記目標軌跡に沿った方向に周期的に移動させることを含む
　付記１０５又は１０６に記載の加工システム。
［付記１０８］
　物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成する加工装置と、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、
　を備え、
　前記撮像装置は第１時刻に第１位置に出現する溶融池及び前記第１時刻とは異なる第２時刻に前記第１位置とは異なる第２位置に出現する溶融池を撮像可能である
　加工システム。
［付記１０９］
　加工装置を用いて、物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工することと、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成することと、
　前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成することと、
　前記溶融池画像情報に基づいて溶融池領域のサイズが目標サイズとなるように前記加工装置を制御することと、
　前記物体の加工条件に基づいて、前記溶融池を撮像するための撮像条件を変更することと
　を含み、
　前記溶融池画像情報を生成することは、複数の前記溶融池画像に基づいて前記溶融池画像情報を生成することを含む
　加工方法。
［付記１１０］
　加工ヘッドを備える加工装置を用いて、物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工することと、
　前記加工ヘッドに対する前記エネルギビームの照射位置を変更することと、
　前記加工ヘッドに備え付けられた撮像装置を用いて前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成することと、
　前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成することと、
　前記溶融池画像情報に基づいて前記溶融池領域のサイズが目標サイズとなるように前記加工装置を制御することと
　を含み、
　前記溶融池画像情報を生成することは、前記撮像装置によって撮像された複数の前記溶融池画像に基づいて前記溶融池画像情報を生成することを含む
　加工方法。
［付記１１１］
　加工装置を用いて、物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工することと、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成することと、
　前記溶融池画像の信号値と所定の閾値との比較結果に基づいて前記溶融池画像内の溶融池領域のサイズを算出することと、
　前記溶融池領域のサイズが目標サイズとなるように前記加工装置を制御することと
　前記物体の加工条件に基づいて、前記所定の閾値を変更することと
　を含む加工方法。
［付記１１２］
　加工装置を用いて、物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工することと、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成することと、
　前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成することと、
　前記溶融池画像情報に基づいて前記溶融池領域のサイズが目標サイズとなるように前記加工装置を制御することと、
　前記物体の加工条件に基づいて、前記目標サイズを変更することと
　を含む加工方法。
［付記１１３］
　物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工することと、
　前記溶融池を含む領域を複数回撮像することで、複数の画像を生成することと、
　前記複数の画像の画素ごとの信号値を加算し、前記画素ごとの加算結果と所定の閾値との比較結果に基づいて、前記画像内の溶融池領域と、前記溶融池以外の発光及び反射光の少なくとも一方が写り込んでいる非溶融池領域との少なくとも一方を検出することと
　を含む加工方法。
［付記１１４］
　物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工することと、
　前記溶融池を含む領域を多重露光することと、
　多重露光の結果と所定の閾値とを比較することで、前記多重露光によって生成された画像内の溶融池領域と、前記溶融池以外の発光及び反射光の少なくとも一方が写り込んでいる非溶融池領域との少なくとも一方を検出することと
　を含む加工方法。
［付記１１５］
　加工装置を用いて、物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工することと、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成することと、
　前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成することと、
　前記溶融池画像情報に基づいて溶融池領域のサイズが目標サイズとなるように前記加工装置を制御することと、
　前記エネルギビームのウォブル条件に関連付けて、前記溶融池の目標サイズに関する情報を記録する記録装置から、前記溶融池の目標サイズに関する情報を取得することと
　を含み、
　前記加工装置を制御することは、前記記録装置から取得した溶融池の目標サイズに基づいて、前記加工装置を制御することを含む
　加工方法。
［付記１１６］
　物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工すること、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成することと、
　前記溶融池画像に基づいて、前記エネルギビームによって異なる位置に連続的に形成された溶融池に関する形状情報を取得することと、
　前記形状情報に基づいて前記加工装置を制御することと
　を含む加工方法。
［付記１１７］
　物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工すること、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成することと、
　前記溶融池画像に基づいて、前記エネルギビームによって異なる位置に連続的に形成された溶融池の中心位置情報を取得することと、
　前記中心位置情報に基づいて前記加工装置を制御することと
　を含む加工方法。
［付記１１８］
　加工装置を用いて、物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工することと、
　多重露光を行って前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成することと、
　前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成することと、
　前記溶融池画像情報に基づいて前記溶融池領域のサイズが目標サイズとなるように前記加工装置を制御することと、
　前記物体の加工条件に基づいて、前記多重露光の条件を変更することと
　を含む加工方法。
［付記１１９］
　加工ヘッドを備える加工装置を用いて、物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工することと、
　前記加工ヘッドに対する前記エネルギビームの照射位置を変更することと、
　前記加工ヘッドに備え付けられた撮像装置を用いて前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成することと、
　前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成することと、
　前記溶融池画像情報に基づいて前記溶融池領域のサイズが目標サイズとなるように前記加工装置を制御することと
　を含み、
　前記溶融池画像情報を生成することは、前記撮像装置による多重露光に基づいて前記溶融池画像情報を生成することを含む
　加工方法。
［付記１２０］
　加工装置を用いて、物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成することと、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成することと、
　前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成することと、
　前記溶融池画像情報に基づいて前記加工装置を制御することと、
　前記物体の加工条件に基づいて、前記溶融池を撮像するための撮像条件を変更することと
　を含み、
　前記溶融池画像情報を生成することは、複数の前記溶融池画像に基づいて前記溶融池画像情報を生成することを含む
　加工方法。
［付記１２１］
　加工ヘッドを備える加工装置を用いて、物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成することで前記物体を加工することと、
　前記加工ヘッドに対する前記エネルギビームの照射位置を変更することと、
　前記加工ヘッドに備え付けられた撮像装置を用いて前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成することと、
　前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成することと、
　前記溶融池画像情報に基づいて前記加工装置を制御することと
　を含む加工方法。
［付記１２２］
　加工装置を用いて、物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成することで前記物体を加工することと、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成することと、
　前記溶融池画像の信号値と所定の閾値との比較結果に基づいて前記加工装置を制御することと、
　前記物体の加工条件に基づいて、前記所定の閾値を変更することと
　を含む加工方法。
［付記１２３］
　加工装置を用いて、物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成することで前記物体を加工することと、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成することと、
　前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成することと、
　前記溶融池画像情報に基づいて前記溶融池領域のサイズが目標サイズとなるように前記加工装置を制御することと、
　前記物体の加工条件に基づいて、前記目標サイズを変更することと
　を含む加工方法。
［付記１２４］
　物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成することで前記物体を加工することと、
　前記溶融池を含む領域を複数回撮像することで、複数の画像を生成することと、
　前記複数の画像の画素ごとの信号値の加算結果に基づいて、前記画像内の溶融池領域と、前記溶融池以外の発光及び反射光の少なくとも一方を含む非溶融池領域との少なくとも一方を検出することと
　を含む加工方法。
［付記１２５］
　物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成することで前記物体を加工することと、
　前記溶融池を含む領域を多重露光することと、
　多重露光の結果と所定の閾値との比較結果に基づいて、前記多重露光によって生成される画像内の溶融池領域と、前記溶融池以外の発光及び反射光の少なくとも一方が写り込む非溶融池領域との少なくとも一方を検出する制御装置と
　を備える加工方法。
［付記１２６］
　加工装置を用いて、物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成することで前記物体を加工することと、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成することと、
　前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成することと、
　前記溶融池画像情報に基づいて前記加工装置を制御することと、
　前記エネルギビームのウォブル条件に関連付けて、前記溶融池の目標サイズに関する情報を記録する記録装置から、前記溶融池の目標サイズに関する情報を取得することと
　を含み、
　前記加工装置を制御することは、前記記録装置から取得した溶融池の目標サイズに基づいて、前記加工装置を制御することを含む
　加工方法。
［付記１２７］
　物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成することで前記物体を加工すること、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成することと、
　前記溶融池画像に基づいて、前記エネルギビームによって異なる位置に連続的に形成された溶融池に関する形状情報を取得することと、
　前記形状情報に基づいて前記加工装置を制御することと
　を含む加工方法。
［付記１２８］
　物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成することで前記物体を加工すること、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成することと、
　前記溶融池画像に基づいて、前記エネルギビームによって異なる位置に連続的に形成された溶融池の中心位置情報を取得することと、
　前記中心位置情報に基づいて前記加工装置を制御することと
　を含む加工方法。
［付記１２９］
　物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成することで前記物体を加工することと、
　多重露光を行って前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成することと、
　前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成することと、
　前記溶融池画像情報に基づいて前記加工装置を制御することと、
　前記物体の加工条件に基づいて、前記多重露光の条件を変更することと
　を含む加工方法。
［付記１３０］
　加工ヘッドを備える加工装置を用いて、物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成することで前記物体を加工することと、
　前記加工ヘッドに対する前記エネルギビームの照射位置を変更することと、
　前記加工ヘッドに備え付けられた撮像装置を用いて前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成することと、
　前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成することと、
　前記溶融池画像情報に基づいて前記加工装置を制御することと
　を含み、
　前記溶融池画像情報を生成することは、前記撮像装置による多重露光に基づいて前記溶融池画像情報を生成することを含む
　加工方法。
［付記１３１］
　加工装置を用いて、物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成し、目標軌跡に沿って前記物体上に造形物を形成することと、
　前記溶融池を撮像することで複数の溶融池画像を生成することと、
　前記複数の溶融池画像に基づいて前記加工装置を制御することと
　を含み、
　前記目標軌跡に沿って前記物体上に造形物を形成することは、前記エネルギビームの照射位置を前記物体の表面上で、前記目標軌跡と交差する走査方向に沿って移動させることを含む
　加工方法。
［付記１３２］
　物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成することと、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成することと、
　を含み、
　前記溶融池を撮像することは、第１時刻に第１位置に出現する溶融池を撮像すること、及び、前記第１時刻とは異なる第２時刻に前記第１位置とは異なる第２位置に出現する溶融池を撮像することを含む
　加工方法。

　上述の各実施形態の構成要件の少なくとも一部は、上述の各実施形態の構成要件の少なくとも他の一部と適宜組み合わせることができる。上述の各実施形態の構成要件のうちの一部が用いられなくてもよい。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態で引用した全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。

　本発明は、上述した実施例に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う加工システム及び加工方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

　ＳＹＳ　加工システム
　２　加工ユニット
　２１　加工ヘッド
　２１１　照射光学系
　２１４６、２１５６　ガルバノミラー
　２１６２　ｆθレンズ
　２１２　材料ノズル
　２２　ヘッド駆動系
　３　ステージユニット
　３１　ステージ
　３２　ステージ駆動系
　８　撮像ユニット
　Ｗ　ワーク
　ＭＳ　造形面
　ＥＬ　加工光
　ＥＡ　目標照射領域
　ＢＳＡ　加工単位領域
　ＭＰ　溶融池
　ＭＰＡ　溶融池領域
　ＮＰＡ　非溶融池領域
　ＭＰＩ　溶融池画像情報
　ＩＭＧ　溶融池画像
　ＩＭＧ＿Ｃ　加算画像

Claims

　物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工する加工装置と、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、
　前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成し、前記溶融池画像情報に基づいて溶融池領域のサイズが目標サイズとなるように前記加工装置を制御する制御装置と
　を備え、
　前記溶融池画像情報は、前記撮像装置によって撮像された複数の前記溶融池画像に基づいて生成され、
　前記制御装置は、前記加工装置による前記物体の加工条件に基づいて、前記撮像装置が前記溶融池を撮像するための撮像条件を変更する
　加工システム。
　前記加工装置は、前記エネルギビームを照射するための照射光学系と、前記物体と前記照射光学系との位置関係を変更可能な位置変更装置とを含み、
　前記照射光学系は、前記エネルギビームを偏向することで、前記物体の表面上での前記エネルギビームの照射位置を、前記物体の表面上で移動させることが可能な偏向光学系を含む
　請求項１に記載の加工システム。
　前記制御装置は、パス情報に基づいて、目標軌跡に沿って前記物体上に造形物が形成されるように前記位置変更装置を制御し、且つ、前記エネルギビームの照射位置が前記物体の表面上で、前記目標軌跡と交差する走査方向に沿って周期的に移動するように、前記偏向光学系を制御する
　請求項２に記載の加工システム。
　前記複数の溶融池画像は、第１位置に形成された溶融池を示す画像及び前記偏向光学系によって前記第１位置とは異なる第２位置に形成された溶融池を示す画像を含む
　請求項２又は３に記載の加工システム。
　前記制御装置は、前記偏向光学系を制御する制御信号に基づいて、前記撮像条件を変更する
　請求項２から４のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記制御装置は、前記照射位置の移動の速度に基づいて、前記溶融池を撮像する撮像周期を変更する動作、前記エネルギビームの偏向の周期に基づいて、前記溶融池を撮像する撮像周期を変更する動作、前記エネルギビームの偏向の速度に基づいて、前記溶融池を撮像する撮像周期を変更する動作、前記照射位置の移動の速度に基づいて、前記溶融池を撮像する撮像レートを変更する動作、前記エネルギビームの偏向の周期に基づいて、前記溶融池を撮像する撮像レートを変更する動作、及び、前記エネルギビームの偏向の速度に基づいて、前記溶融池を撮像する撮像レートを変更する動作の少なくとも一つを行う
　請求項２から５のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記制御装置は、前記照射位置の移動の速度が速くなるほど、前記溶融池を撮像する撮像周期を短くする動作、前記エネルギビームの偏向の周期が短くなるほど、前記溶融池を撮像する撮像周期を短くする動作、前記エネルギビームの偏向の速度が速くなるほど、前記溶融池を撮像する撮像周期を短くする動作、前記照射位置の移動の速度が速くなるほど、前記溶融池を撮像する撮像レートを高くする動作、前記エネルギビームの偏向の周期が短くなるほど、前記溶融池を撮像する撮像レートを高くする動作、及び、前記エネルギビームの偏向の速度が速くなるほど、前記溶融池を撮像する撮像レートを高くする動作の少なくとも一つを行う
　請求項２から６のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記溶融池画像情報は、前記撮像装置によって撮像された前記複数の溶融池画像を加算することによって生成され、
　前記制御装置は、前記照射位置の移動の速度に基づいて、加算する前記溶融池画像の数を変更する動作、前記エネルギビームの偏向の周期に基づいて、加算する前記溶融池画像の数を変更する動作、及び、前記エネルギビームの偏向の速度に基づいて、加算する前記溶融池画像の数を変更する動作の少なくとも一つを行う
　請求項２から６のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記溶融池画像情報は、前記撮像装置によって撮像された前記複数の溶融池画像を加算することによって生成され、
　前記制御装置は、前記照射位置の移動の速度が速くなるほど、加算する前記溶融池画像の数を大きくする動作、前記エネルギビームの偏向の周期が短くなるほど、加算する前記溶融池画像の数を大きくする動作、及び、前記エネルギビームの偏向の速度が速くなるほど、加算する前記溶融池画像の数を大きくする動作の少なくとも一つを行う
　請求項２から８のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記撮像条件は、前記撮像装置が前記溶融池を撮像するタイミングに関する条件を含む
　請求項１から９のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記撮像条件は、前記撮像装置が前記溶融池を撮像するための露光時間に関する条件を含む
　請求項１から１０のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記撮像条件は、前記撮像装置が前記溶融池を撮像する撮像周期又は撮像レートに関する条件を含む
　請求項１から１１のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記制御装置は、前記エネルギビームの強度又は密度が高いほど、前記溶融池を撮像する露光時間が短くなるように前記撮像装置を制御する
　請求項１から１２のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記溶融池画像情報は、前記撮像装置によって撮像された前記複数の溶融池画像を加算することによって生成され、
　前記制御装置は、前記露光時間が短いほど加算する前記溶融池画像の数を大きくする
　請求項１３に記載の加工システム。
　前記エネルギビームは、第１エネルギビームであり、
　前記偏向光学系は、第１偏向光学系であり、
　前記第１エネルギビームとは異なる第２エネルギビームを偏向することで、前記物体の表面上での前記第２エネルギビームの照射位置を、前記物体の表面上で移動させることが可能な第２偏向光学系を更に備える
　請求項２から９のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記加工条件は、前記第１エネルギビームの照射位置の移動の速度、周期、及び、ストロークの少なくとも一つと、前記第２エネルギビームの照射位置の移動の速度、周期、及び、ストロークの少なくとも一つとを含む
　請求項１５に記載の加工システム。
　前記加工条件は、前記エネルギビームに関するビーム条件を含む
　請求項１から１６のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記加工装置は、前記物体上での前記エネルギビームの照射位置を移動可能な照射位置移動装置を備え、
　前記加工条件は、前記照射位置の移動態様に関する移動態様条件を含む
　請求項１から１７のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記制御装置は、前記加工装置が第１の加工条件に基づいて前記物体を加工する場合には、前記撮像装置が第１の撮像条件に基づいて前記溶融池を撮像し、前記加工装置が前記第１の加工条件とは異なる第２の加工条件に基づいて前記物体を加工する場合には、前記撮像装置が前記第１の撮像条件とは異なる第２の撮像条件に基づいて前記溶融池を撮像するように、前記撮像条件を変更する
　請求項１から１８のいずれか一項に記載の加工システム。
　物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工する加工ヘッドと、前記加工ヘッドに対する前記エネルギビームの照射位置を変更可能な位置変更装置とを備えた加工装置と、
　前記加工ヘッドに備え付けられ、前記加工装置によって形成された前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、
　前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成し、前記溶融池画像情報に基づいて前記溶融池領域のサイズが目標サイズとなるように前記加工装置を制御する制御装置と
　を備え、
　前記溶融池画像情報は、前記撮像装置によって撮像された複数の前記溶融池画像に基づいて生成される
　加工システム。
　前記位置変更装置は第１位置変更装置であって、
　前記加工装置は、前記物体と前記加工ヘッドとの位置関係を変更可能な第２位置変更装置を更に備え、
　前記第１位置変更装置は、前記エネルギビームを偏向することで、前記物体の表面上での前記エネルギビームの照射位置を、前記物体の表面上で移動させることが可能な偏向光学系を含む
　請求項２０に記載の加工システム。
　前記制御装置は、パス情報に基づいて、目標軌跡に沿って前記物体上に造形物が形成されるように前記第２位置変更装置を制御し、且つ、前記エネルギビームの照射位置が前記物体の表面上で、前記目標軌跡と交差する走査方向に沿って周期的に移動するように、前記偏向光学系を制御する
　請求項２１に記載の加工システム。
　前記複数の溶融池画像は、第１位置に形成された溶融池を示す画像及び前記偏向光学系によって前記第１位置とは異なる第２位置に形成された溶融池を示す画像を含む
　請求項２１又は２２に記載の加工システム。
　前記制御装置は、前記照射位置の移動の速度が速くなるほど、前記溶融池を撮像する撮像周期を短くする動作、前記エネルギビームの偏向の周期が短くなるほど、前記溶融池を撮像する撮像周期を短くする動作、前記エネルギビームの偏向の速度が速くなるほど、前記溶融池を撮像する撮像周期を短くする動作、前記照射位置の移動の速度が速くなるほど、前記溶融池を撮像する撮像レートを高くする動作、前記エネルギビームの偏向の周期が短くなるほど、前記溶融池を撮像する撮像レートを高くする動作、及び、前記エネルギビームの偏向の速度が速くなるほど、前記溶融池を撮像する撮像レートを高くする動作の少なくとも一つを行う
　請求項２１から２３のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記溶融池画像情報は、前記撮像装置によって撮像された複数の前記溶融池画像を加算することによって生成され、
　前記制御装置は、前記照射位置の移動の速度が速くなるほど、加算する前記溶融池画像の数を大きくする動作、前記エネルギビームの偏向の周期が短くなるほど、加算する前記溶融池画像の数を大きくする動作、及び、前記エネルギビームの偏向の速度が速くなるほど、加算する前記溶融池画像の数を大きくする動作の少なくとも一つを行う
　請求項２１から２４のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記制御装置は、前記撮像装置が前記溶融池を撮像するための撮像条件を変更し、
　前記撮像条件は、前記撮像装置が前記溶融池を撮像するタイミングに関する条件を含む
　請求項２０から２５のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記制御装置は、前記撮像装置が前記溶融池を撮像するための撮像条件を変更し、
　前記撮像条件は、前記撮像装置が前記溶融池を撮像するための露光時間に関する条件を含む
　請求項２０から２６のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記制御装置は、前記撮像装置が前記溶融池を撮像するための撮像条件を変更し、
　前記撮像条件は、前記撮像装置が前記溶融池を撮像する撮像周期又は撮像レートに関する条件を含む
　請求項２０から２７のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記制御装置は、前記エネルギビームの強度又は密度が高いほど、前記溶融池を撮像する露光時間が短くなるように前記撮像装置を制御する
　請求項２０から２８のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記溶融池画像情報は、前記撮像装置によって撮像された前記複数の溶融池画像を加算することによって生成され、
　前記制御装置は、前記露光時間が短いほど加算する前記溶融池画像の数を大きくする
　請求項２９に記載の加工システム。
　前記制御装置は、前記加工装置が第１の加工条件に基づいて前記物体を加工する場合には、前記撮像装置が第１の撮像条件に基づいて前記溶融池を撮像し、前記加工装置が前記第１の加工条件とは異なる第２の加工条件に基づいて前記物体を加工する場合には、前記撮像装置が前記第１の撮像条件とは異なる第２の撮像条件に基づいて前記溶融池を撮像するように、前記撮像装置が前記溶融池を撮像するための撮像条件を変更する
　請求項２０から３０のいずれか一項に記載の加工システム。
　物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工する加工装置と、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、
　前記溶融池画像の信号値と所定の閾値との比較結果に基づいて前記溶融池画像内の溶融池領域のサイズを算出し、前記溶融池領域のサイズが目標サイズとなるように前記加工装置を制御する制御装置と
　を備え、
　前記制御装置は、前記加工装置による前記物体の加工条件に基づいて、前記所定の閾値を変更する
　加工システム。
　前記加工装置は、前記エネルギビームを照射するための照射光学系と、前記物体と前記照射光学系との位置関係を変更可能な位置変更装置とを含み、
　前記照射光学系は、前記エネルギビームを偏向することで、前記物体の表面上での前記エネルギビームの照射位置を、前記物体の表面上で移動させることが可能な偏向光学系を含む
　請求項３２に記載の加工システム。
　前記制御装置は、パス情報に基づいて、目標軌跡に沿って前記物体上に造形物が形成されるように前記位置変更装置を制御し、且つ、前記エネルギビームの照射位置が前記物体の表面上で、前記目標軌跡と交差する走査方向に沿って周期的に移動するように、前記偏向光学系を制御する
　請求項３３に記載の加工システム。
　前記撮像装置は、複数の前記溶融池画像を生成し、
　前記制御装置は、複数の前記溶融池画像を加算した加算結果と所定の閾値との比較結果に基づいて、前記溶融池画像内の溶融池領域のサイズを算出し、
　前記複数の前記溶融池画像は、第１位置に形成された溶融池を示す画像及び前記偏向光学系によって前記第１位置とは異なる第２位置に形成された溶融池を示す画像を含む
　請求項３３又は３４に記載の加工システム。
　前記制御装置は、前記照射位置の移動の速度が速くなるほど、前記閾値を小さくする動作、前記エネルギビームの偏向の周期が短くなるほど、前記閾値を小さくする動作、及び、前記エネルギビームの偏向の速度が速くなるほど、前記閾値を小さくする動作の少なくとも一つを行う
　請求項３３から３５のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記制御装置は、前記エネルギビームの強度及び密度の少なくとも一方が高いほど、前記閾値を大きくする
　請求項３２から３６のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記信号値は、前記溶融池画像の輝度に関する値である
　請求項３２から３７のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記溶融池領域のサイズは、前記信号値が前記所定の閾値よりも大きい画素数に基づいて算出される
　請求項３２から３８のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記加工条件は、前記エネルギビームに関するビーム条件を含む
　請求項３２から３９のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記加工条件は、前記偏向光学系による前記エネルギビームの照射位置の移動態様に関する移動態様条件を含む
　請求項３３から３６のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記制御装置は、前記加工装置が第１の加工条件に基づいて前記物体を加工する場合には、前記制御装置が、前記信号値と前記所定の閾値としての第１の閾値とを比較することで、前記溶融池領域のサイズを算出し、前記加工装置が前記第１の加工条件とは異なる第２の加工条件に基づいて前記物体を加工する場合には、前記制御装置が、前記信号値と前記第１の輝度閾値とは異なり且つ前記所定の閾値としての第２の閾値とを比較することで、前記溶融池領域のサイズを算出するように、前記所定の閾値を変更する
　請求項３２から４１のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記撮像装置は、前記溶融池を複数回連続して撮像することで、時系列データとしての複数の前記溶融池画像を生成し、
　前記制御装置は、前記複数の溶融池画像のうちの連続する所定の枚数の前記溶融池画像の前記信号値を画素の単位で加算し、前記信号値の加算結果と前記所定の閾値とを比較することで、前記溶融池領域のサイズを算出する
　請求項３２から４２のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記制御装置は、前記加工条件に基づいて、前記所定の枚数を変更する
　請求項４３に記載の加工システム。
　前記制御装置は、前記加工装置が第１の加工条件に基づいて前記物体を加工する場合には、前記制御装置が、第１の枚数の前記溶融池画像の信号値を画素の単位で加算し、前記加工装置が前記第１の加工条件とは異なる第２の加工条件に基づいて前記物体を加工する場合には、前記制御装置が、前記第１の枚数とは異なる第２の枚数の前記溶融池画像の信号値を画素の単位で加算するように、前記所定の枚数を変更する
　請求項４４に記載の加工システム。
　物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工する加工装置と、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、
　前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成し、前記溶融池画像情報に基づいて前記溶融池領域のサイズが目標サイズとなるように前記加工装置を制御する制御装置と
　を備え、
　前記制御装置は、前記加工装置による前記物体の加工条件に基づいて、前記目標サイズを変更する
　加工システム。
　前記加工装置は、前記エネルギビームを照射するための照射光学系と、前記物体と前記照射光学系との位置関係を変更可能な位置変更装置とを含み、
　前記照射光学系は、前記エネルギビームを偏向することで、前記物体の表面上での前記エネルギビームの照射位置を、前記物体の表面上で移動させることが可能な偏向光学系を含む
　請求項４６に記載の加工システム。
　前記制御装置は、パス情報に基づいて、目標軌跡に沿って前記物体上に造形物が形成されるように前記位置変更装置を制御し、且つ、前記エネルギビームの照射位置が前記物体の表面上で、前記目標軌跡と交差する走査方向に沿って周期的に移動するように、前記偏向光学系を制御する
　請求項４７に記載の加工システム。
　前記加工条件は、前記エネルギビームに関するビーム条件を含む
　請求項４６から４８のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記制御装置は、前記エネルギビームの強度又は密度が高いほど、前記目標サイズを大きくする
　請求項４９に記載の加工システム。
　前記加工装置は、前記物体上での前記エネルギビームの照射位置を移動可能な照射位置移動装置を備え、
　前記加工条件は、前記偏向光学系による前記エネルギビームの照射位置の移動態様に関する移動態様条件を含む
　請求項４６から５０のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記加工条件は、前記エネルギビームの照射位置の移動のストロークを含み、
　前記制御装置は、前記ストロークが大きいほど、前記目標サイズを大きくする
　請求項４６から５１のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記制御装置は、前記加工装置が第１の加工条件に基づいて前記物体を加工する場合には、前記制御装置が、前記溶融池領域のサイズが前記目標サイズとしての第１のサイズとなるように前記加工装置を制御し、前記加工装置が前記第１の加工条件とは異なる第２の加工条件に基づいて前記物体を加工する場合には、前記溶融池領域のサイズが前記第１のサイズとは異なり且つ前記目標サイズとしての第２のサイズとなるように、前記目標サイズを変更する
　請求項４６から５２のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記制御装置は、前記溶融池領域のサイズが前記目標サイズとなるように前記加工装置を制御することで、前記物体上に所望サイズの造形物を造形するように、前記目標サイズを変更する
　請求項４６から５３のいずれか一項に記載の加工システム。
　物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工する加工装置と、
　前記溶融池を含む領域を複数回撮像することで、複数の画像を生成可能な撮像装置と、
　前記複数の画像の画素ごとの信号値を加算し、前記画素ごとの加算結果と所定の閾値との比較結果に基づいて、前記画像内の溶融池領域と、前記溶融池以外の発光及び反射光の少なくとも一方が写り込んでいる非溶融池領域との少なくとも一方を検出する制御装置と
　を備える加工システム。
　前記非溶融池領域には、前記溶融池において溶融している溶融物が飛散することで生成されるスパッタ、前記溶融池において溶融している溶融物が蒸発することで生成されるヒューム、前記物体の表面の膜に前記エネルギビームが照射されることによる発光、及び、前記溶融池に供給される前に前記エネルギビームによって溶融した前記造形材料のうちの少なくとも一つが写り込んでいる
　請求項５５のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記加工装置は、前記エネルギビームを照射するための照射光学系と、前記物体と前記照射光学系との位置関係を変更可能な位置変更装置とを含み、
　前記照射光学系は、前記エネルギビームを偏向することで、前記物体の表面上での前記エネルギビームの照射位置を、前記物体の表面上で移動させることが可能な偏向光学系を含む
　請求項５５又は５６に記載の加工システム。
　前記制御装置は、パス情報に基づいて、目標軌跡に沿って前記物体上に造形物が形成されるように前記位置変更装置を制御し、且つ、前記エネルギビームの照射位置が前記物体の表面上で、前記目標軌跡と交差する走査方向に沿って周期的に移動するように、前記偏向光学系を制御する
　請求項５７に記載の加工システム。
　前記信号値は、前記画像の輝度値である
　請求項５４から５８のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記制御装置は、前記閾値よりも高い信号値の加算結果に対応する画素を含む領域を、前記溶融池領域として検出し、前記輝度閾値よりも低い輝度値の加算結果に対応する画素を含む領域を、前記非溶融池領域として検出する
　請求項５４から５９のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記撮像装置は、時系列データとして前記複数の画像を生成可能である、
　請求項５５から６０のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記撮像装置は、前記溶融池を連続して撮像することで、前記複数の画像を生成する
　請求項５５から６１のいずれか一項に記載の加工システム。
　物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工する加工装置と、
　前記溶融池を含む領域の多重露光が可能な撮像装置と、
　前記撮像装置による多重露光の結果と所定の閾値とを比較することで、前記多重露光によって生成された画像内の溶融池領域と、前記溶融池以外の発光及び反射光の少なくとも一方が写り込んでいる非溶融池領域との少なくとも一方を検出する制御装置と
　を備える加工システム。
　前記非溶融池領域には、前記溶融池において溶融している溶融物が飛散することで生成されるスパッタ、前記溶融池において溶融している溶融物が蒸発することで生成されるヒューム、前記物体の表面の膜に前記エネルギビームが照射されることによる発光、及び、前記溶融池に供給される前に前記エネルギビームによって溶融した前記造形材料のうちの少なくとも一つが写り込んでいる
　請求項６３のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記加工装置は、前記エネルギビームを照射するための照射光学系と、前記物体と前記照射光学系との位置関係を変更可能な位置変更装置とを含み、
　前記照射光学系は、前記エネルギビームを偏向することで、前記物体の表面上での前記エネルギビームの照射位置を、前記物体の表面上で移動させることが可能な偏向光学系を含む
　請求項６３又は６４に記載の加工システム。
　前記制御装置は、パス情報に基づいて、目標軌跡に沿って前記物体上に造形物が形成されるように前記位置変更装置を制御し、且つ、前記エネルギビームの照射位置が前記物体の表面上で、前記目標軌跡と交差する走査方向に沿って周期的に移動するように、前記偏向光学系を制御する
　請求項６５に記載の加工システム。
　前記多重露光の結果は、前記画像の輝度値を含む
　請求項６３から６６のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記制御装置は、前記閾値よりも高い多重露光の結果に対応する画素を含む領域を、前記溶融池領域として検出し、前記閾値よりも低い多重露光の結果に対応する画素を含む領域を、前記非溶融池領域として検出する
　請求項６３から６７のいずれか一項に記載の加工システム。
　物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工する加工装置と、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、
　前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成し、前記溶融池画像情報に基づいて溶融池領域のサイズが目標サイズとなるように前記加工装置を制御する制御装置と、
　前記エネルギビームのウォブル条件に関連付けて、前記溶融池の目標サイズに関する情報を記録する記録装置と
　を備え、
　前記制御装置は、前記記録装置から取得した溶融池の目標サイズに基づいて、前記加工装置を制御する
　加工システム。
　前記加工装置は、前記エネルギビームを照射するための照射光学系と、前記物体と前記照射光学系との位置関係を変更可能な位置変更装置とを含み、
　前記照射光学系は、前記エネルギビームを偏向することで、前記物体の表面上での前記エネルギビームの照射位置を、前記物体の表面上で移動させることが可能な偏向光学系を含む
　請求項６９に記載の加工システム。
　前記制御装置は、パス情報に基づいて、目標軌跡に沿って前記物体上に造形物が形成されるように前記位置変更装置を制御し、且つ、前記エネルギビームの照射位置が前記物体の表面上で、前記目標軌跡と交差する走査方向に沿って周期的に移動するように、前記偏向光学系を制御する
　請求項７０に記載の加工システム。
　物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工する加工装置と、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、
　制御装置と
　を備え、
　前記制御装置は、前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて、前記エネルギビームによって異なる位置に連続的に形成された溶融池に関する形状情報を取得可能であり、前記形状情報に基づいて前記加工装置を制御する
　加工システム。
　前記加工装置は、前記エネルギビームを照射するための照射光学系と、前記物体と前記照射光学系との位置関係を変更可能な位置変更装置とを含み、
　前記照射光学系は、前記エネルギビームを偏向することで、前記物体の表面上での前記エネルギビームの照射位置を、前記物体の表面上で移動させることが可能な偏向光学系を含む
　請求項７２に記載の加工システム。
　前記制御装置は、パス情報に基づいて、目標軌跡に沿って前記物体上に造形物が形成されるように前記位置変更装置を制御し、且つ、前記エネルギビームの照射位置が前記物体の表面上で、前記目標軌跡と交差する走査方向に沿って周期的に移動するように、前記偏向光学系を制御する
　請求項７３に記載の加工システム。
　物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工する加工装置と、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、
　制御装置と
　を備え、
　前記制御装置は、前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて、前記エネルギビームによって異なる位置に連続的に形成された溶融池の中心位置情報を取得可能であり、前記中心位置情報に基づいて前記加工装置を制御する
　加工システム。
　前記加工装置は、前記エネルギビームを照射するための照射光学系と、前記物体と前記照射光学系との位置関係を変更可能な位置変更装置とを含み、
　前記照射光学系は、前記エネルギビームを偏向することで、前記物体の表面上での前記エネルギビームの照射位置を、前記物体の表面上で移動させることが可能な偏向光学系を含む
　請求項７５に記載の加工システム。
　前記制御装置は、パス情報に基づいて、目標軌跡に沿って前記物体上に造形物が形成されるように前記位置変更装置を制御し、且つ、前記エネルギビームの照射位置が前記物体の表面上で、前記目標軌跡と交差する走査方向に沿って周期的に移動するように、前記偏向光学系を制御する
　請求項７６に記載の加工システム。
　前記パス情報は、ライン幅情報を含み、
　前記制御装置は、前記ライン幅情報に基づいて造形されるラインの幅の内側において前記エネルギビームの照射位置が周期的に移動するように、前記偏向光学系を制御する
　請求項３、２２、３４、４８、５８、６４、７０、７３又は７６に記載の加工システム。
　前記制御装置は、前記偏向光学系が、前記目標軌跡と交差する方向の造形物の幅を示す目標幅の内側で前記エネルギビームの照射位置を周期的に移動させるように、前記偏向光学系を制御する
　請求項２から４、２１から２３、３３から３５、４７から４８、５７から５８、６５から６６、７０から７１、７３から７４及び７６から７８のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記撮像装置は、前記ラインの幅の内側で周期的に移動する前記エネルギビームによって形成された溶融池が撮像範囲に収まるように、前記溶融池を撮像可能である
　請求項７８に記載の加工システム。
　前記撮像装置は、前記目標幅の内側で周期的に移動する前記エネルギビームによって形成された溶融池が撮像範囲に収まるように、前記溶融池を撮像可能である
　請求項７９に記載の加工システム。
　前記溶融池画像情報は、前記撮像装置の撮像範囲内で異なる位置に形成された溶融池を撮像した複数の前記溶融池画像に基づいて生成される
　請求項１から３１、４６から５４及び６９から７１のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記制御装置は、前記エネルギビームを周期的に移動させるウォブリング動作を実行させるよう前記偏向光学系を制御する
　請求項２１から２３、３３から３５、４７から４８、５７から５８、６５から６６、７０から７１、７３から７４及び７６から８１のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記偏向光学系は、ガルバノミラーを含む
　請求項２１から２３、３３から３５、４７から４８、５７から５８、６５から６６、７０から７１、７３から７４、７６から８１及び８３のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記溶融池画像情報は、前記溶融池を示す画像の画素数に関する情報を含む
　請求項１から３１、４５から５４、６９から７１及び８２のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記複数の溶融池画像は、溶融池の位置がそれぞれ異なる複数の溶融池を撮像した画像である
　請求項１から３１及び４３のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記複数の画像は、溶融池の位置がそれぞれ異なる複数の溶融池を撮像した画像である
　請求項５５から６２のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記溶融池は、前記エネルギビームの照射方向と交差する面内で移動可能である
　請求項１から８７のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記溶融池は、前記エネルギビームの照射方向と交差する軸上で往復移動可能である
　請求項１から８８のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記加工条件は、前記エネルギビームの照射位置の移動に関する条件である
　請求項１から１９及び３２から５４のいずれか一項に記載の加工システム。
　前記加工条件は、前記エネルギビームの照射位置の移動の速度、周期、及び、ストロークの少なくとも一つを含む
　請求項１から１９、３２から５４及び９０のいずれか一項に記載の加工システム。
　物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工する加工装置と、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、
　前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成し、前記溶融池画像情報に基づいて前記溶融池領域のサイズが目標サイズとなるように前記加工装置を制御する制御装置と
　を備え、
　前記溶融池画像情報は、前記撮像装置による多重露光によって生成された前記溶融池画像に基づいて生成され、
　前記制御装置は、前記加工装置による前記物体の加工条件に基づいて、前記撮像装置による前記多重露光の条件を変更する
　加工システム。
　物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成すると共に、前記溶融池に造形材料を供給することで前記物体を加工する加工ヘッドと、前記加工ヘッドに対する前記エネルギビームの照射位置を変更可能な位置変更装置とを備えた加工装置と、
　前記加工ヘッドに備え付けられ、前記加工装置によって形成された前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、
　前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成し、前記溶融池画像情報に基づいて前記溶融池領域のサイズが目標サイズとなるように前記加工装置を制御する制御装置と
　を備え、
　前記溶融池画像情報は、前記撮像装置による多重露光に基づいて生成される
　加工システム。
　物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成する加工装置と、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、
　前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成し、前記溶融池画像情報に基づいて前記加工装置を制御する制御装置と
　を備え、
　前記溶融池画像情報は、前記撮像装置によって撮像された複数の前記溶融池画像に基づいて生成され、
　前記制御装置は、前記加工装置による前記物体の加工条件に基づいて、前記撮像装置が前記溶融池を撮像するための撮像条件を変更する
　加工システム。
　物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成することで前記物体を加工する加工ヘッドと、前記加工ヘッドに対する前記エネルギビームの照射位置を変更可能な位置変更装置とを備えた加工装置と、
　前記加工ヘッドに備え付けられ、前記加工装置によって形成された前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、
　前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成し、前記溶融池画像情報に基づいて前記加工装置を制御する制御装置と
　を備える加工システム。
　物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成することで前記物体を加工する加工装置と、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、
　前記溶融池画像の信号値と所定の閾値との比較結果に基づいて前記加工装置を制御する制御装置と
　を備え、
　前記制御装置は、前記加工装置による前記物体の加工条件に基づいて、前記所定の閾値を変更する
　加工システム。
　物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成することで前記物体を加工する加工装置と、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、
　前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成し、前記溶融池画像情報に基づいて前記溶融池領域のサイズが目標サイズとなるように前記加工装置を制御する制御装置と
　を備え、
　前記制御装置は、前記加工装置による前記物体の加工条件に基づいて、前記目標サイズを変更する
　加工システム。
　物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成することで前記物体を加工する加工装置と、
　前記溶融池を含む領域を複数回撮像することで、複数の画像を生成可能な撮像装置と、
　前記複数の画像の画素ごとの信号値の加算結果に基づいて、前記画像内の溶融池領域と、前記溶融池以外の発光及び反射光の少なくとも一方を含む非溶融池領域との少なくとも一方を検出する制御装置と
　を備える加工システム。
　物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成することで前記物体を加工する加工装置と、
　前記溶融池を含む領域を多重露光可能な撮像装置と、
　前記撮像装置による多重露光の結果と所定の閾値との比較結果に基づいて、前記多重露光によって生成された画像内の溶融池領域と、前記溶融池以外の発光及び反射光の少なくとも一方が写り込む非溶融池領域との少なくとも一方を検出する制御装置と
　を備える加工システム。
　物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成することで前記物体を加工する加工装置と、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、
　前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成し、前記溶融池画像情報に基づいて前記加工装置を制御する制御装置と、
　前記エネルギビームのウォブル条件に関連付けて、前記溶融池の目標サイズに関する情報を記録する記録装置と
　を備え、
　前記制御装置は、前記記録装置から取得した溶融池の目標サイズに基づいて、前記加工装置を制御する
　加工システム。
　物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成することで前記物体を加工する加工装置と、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、
　制御装置と
　を備え、
　前記制御装置は、前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて、前記エネルギビームによって異なる位置に連続的に形成された溶融池に関する形状情報を取得可能であり、前記形状情報に基づいて前記加工装置を制御する
　加工システム。
　物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成することで前記物体を加工する加工装置と、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、
　制御装置と
　を備え、
　前記制御装置は、前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて、前記エネルギビームによって異なる位置に連続的に形成された溶融池の中心位置情報を取得可能であり、前記中心位置情報に基づいて前記加工装置を制御する
　加工システム。
　物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成することで前記物体を加工する加工装置と、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、
　前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成し、前記溶融池画像情報に基づいて前記加工装置を制御する制御装置と
　を備え、
　前記溶融池画像情報は、前記撮像装置による多重露光によって生成された前記溶融池画像に基づいて生成され、
　前記制御装置は、前記加工装置による前記物体の加工条件に基づいて、前記撮像装置による前記多重露光の条件を変更する
　加工システム。
　物体にエネルギビームを照射して前記物体に溶融池を形成することで前記物体を加工する加工ヘッドと、前記加工ヘッドに対する前記エネルギビームの照射位置を変更可能な位置変更装置とを備えた加工装置と、
　前記加工ヘッドに備え付けられ、前記加工装置によって形成された前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、
　前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて溶融池画像情報を生成し、前記溶融池画像情報に基づいて前記加工装置を制御する制御装置と
　を備え、
　前記溶融池画像情報は、前記撮像装置による多重露光に基づいて生成される
　加工システム。
　物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成し、目標軌跡に沿って前記物体上に造形物を形成する加工装置と、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、
　前記撮像装置によって生成された前記溶融池画像に基づいて前記加工装置を制御する制御装置と
　を備え、
　前記目標軌跡に沿って前記物体上に造形物を形成することは、前記エネルギビームの照射位置を前記物体の表面上で、前記目標軌跡と交差する走査方向に沿って移動させることを含み、
　前記制御装置は、前記撮像装置によって撮像された複数の前記溶融池画像に基づいて前記加工装置を制御する
　加工システム。
　前記照射位置の前記走査方向に沿った移動は、周期的な移動を含む
　請求項１０５に記載の加工システム。
　前記目標軌跡に沿って前記物体上に造形物を形成することは、前記エネルギビームの照射位置を前記物体の表面上で、前記目標軌跡に沿った方向に周期的に移動させることを含む
　請求項１０５又は１０６に記載の加工システム。
　物体にエネルギビームを照射することで前記物体に溶融池を形成する加工装置と、
　前記溶融池を撮像することで溶融池画像を生成可能な撮像装置と、
　を備え、
　前記撮像装置は第１時刻に第１位置に出現する溶融池及び前記第１時刻とは異なる第２時刻に前記第１位置とは異なる第２位置に出現する溶融池を撮像可能である
　加工システム。