WO2024062808A1 - 配線基板 - Google Patents

Abstract

ガラス基板上に設けられた配線層と、このガラス基板に設けられたＴＧＶとの間での断線を生じ難くする。配線基板（１）は、第１及び第２面（Ｓ１，Ｓ２）を有し、貫通孔が設けられたガラス基板（１０）と、第１面と向き合った第１銅層（２４）と、それらの間に介在した耐弗酸金属層（２１）とを含み、貫通孔の第１面側の開口を覆った第１導体層（２０）であって、ガラス基板側の面は貫通孔の位置に凹部を有し、各凹部の開口の輪郭は、これに対応した貫通孔の第１面側の開口より大きく且つこれを取り囲んだ第１導体層と、貫通孔の側壁、凹部の内面、及び第２面のうち貫通孔の第２面側の開口を取り囲んだ領域を被覆した密着層（７２）と、密着層上に設けられたシード層（７３）と、シード層上に設けられた第２銅層（７４）とを含んだ第２導体層（７０）とを備え、密着層の厚さＴ１とシード層の厚さＴ２との合計Ｔ１＋Ｔ２は、耐弗酸金属層の厚さＴ３以上である。

Description

配線基板

　本発明は、配線基板に関する。

　従来から、例えば、大規模集積回路（ＬＳＩ）の実装技術として、シリコン貫通電極（ＴＳＶ）を用いた実装技術が知られている。ＴＳＶが設けられたシリコン基板、即ち、シリコンインターポーザは、配線のデザインルールが互いに異なる集積回路（ＩＣ）チップ及びプリント基板のように、端子間距離が異なる部品を中継する配線基板である。

　シリコンインターポーザでは、半導体であるシリコンを貫通電極から電気的に絶縁する必要がある。具体的には、貫通孔を形成した後に、シリコン基板へ絶縁処理を行う必要がある。また、シリコン基板は、それ自体が高価である。それ故、シリコンインターポーザには、製造コストが高いという問題がある。そこで、安価で大面積のガラス基板にガラス貫通電極（ＴＧＶ）等を形成し、これを個片化することにより得られるガラスインターポーザが注目されている。

　ＴＧＶ技術においては、ガラス基板へ貫通孔を形成する必要がある。ガラス基板には、様々な方法で貫通孔を形成することができる。

　例えば、特許文献１に記載されているように、パルス発振ＹＡＧレーザを使用したレーザ光照射によって、ガラス基板へ貫通孔を形成する技術が知られている。

　特許文献２には、感光性ガラス基板に微細な孔を形成する方法が記載されている。この方法では、先ず、フォトマスクを介して感光性ガラス基板へ紫外線を照射して、感光性ガラス基板に潜像を形成する。次に、感光性ガラス基板を加熱処理して、潜像が形成された部分で結晶化を生じさせる。次いで、潜像を形成した部分の中央に、潜像よりも小さな穴をレーザ光照射により形成する。その後、弗酸を用いてエッチングを行い、結晶化させた部分を選択的にエッチングする。このようにして、レーザ光照射によって形成した孔よりも大きな孔を生じさせる。

　特許文献３には、同軸上に配置され、板ガラスを間に挟んで向き合った一対のコアドリルによって、板ガラスへ穿孔する方法が記載されている。

　特許文献４には、ガラス基板への貫通孔の形成とガラス基板の薄板化とをエッチングによって同時に行う方法が記載されている。この方法では、先ず、ガラス基板へレーザ光を照射して、改質部を生じさせる。次に、ガラス基板の一方の面を弗酸でエッチングして、ガラス基板を薄板化するとともに、改質部を除去して貫通孔を形成する。

　ガラスインターポーザには、インダクタやコンデンサを設けることもできる。特許文献５には、インダクタとコンデンサとを組み合わせたＬＣフィルタを内蔵したガラスコア配線基板が記載されている。この配線基板において、コンデンサは、ガラスコア基板の厚さ方向へ、金属層、誘電体層及び金属層を重ねた、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ／Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ／Ｍｅｔａｌ）と呼ばれる構造を有している。また、この配線基板において、インダクタは、螺旋軸がガラスコア基板の主面に対して平行であり、ガラスコア基板に設けられた二列の貫通孔を通って螺旋状に伸びた構造を有している。

特開２０００－６１６６７号公報 特開２００１－１０５３９８号公報 特開昭５４－１２６２１５号公報 国際公開第２０１９／２３５６１７号 特開２０２１－１６６２５７号公報

　本発明は、ガラス基板上に設けられた配線層と、このガラス基板に設けられたＴＧＶとの間での断線を生じ難くし得る技術を提供することを目的とする。

　本発明の一側面によると、第１面とその裏面である第２面とを有し、前記第１面から前記第２面まで各々が伸びた１以上の第１貫通孔が設けられたガラス基板と、前記第１面と向き合った第１銅層と、前記第１銅層と前記ガラス基板との間に介在した耐弗酸金属層とを含み、前記１以上の第１貫通孔の前記第１面側の開口を覆った第１導体層であって、前記ガラス基板側の面は前記１以上の第１貫通孔の位置に凹部を有し、前記凹部の各々の開口の輪郭は、これに対応した前記第１貫通孔の前記第１面側の前記開口より大きく且つこれを取り囲んだ第１導体層と、前記１以上の第１貫通孔の側壁、前記凹部の内面、及び前記第２面のうち前記１以上の第１貫通孔の前記第２面側の開口を取り囲んだ領域を被覆した密着層と、前記密着層上に設けられたシード層と、前記シード層上に設けられた第２銅層とを含んだ第２導体層とを備え、前記密着層の厚さＴ１と前記シード層の厚さＴ２との合計Ｔ１＋Ｔ２は、前記耐弗酸金属層の厚さＴ３と等しいか又はそれよりも大きい配線基板が提供される。

　本発明の他の側面によると、前記耐弗酸金属層には前記１以上の第１貫通孔の位置に１以上の第２貫通孔がそれぞれ設けられ、前記１以上の第２貫通孔は、前記第１導体層の前記ガラス基板側の前記面に前記凹部を形成している上記側面に係る配線基板が提供される。

　本発明の更に他の側面によると、前記厚さＴ１は、前記厚さＴ３と等しいか又はそれよりも大きい上記側面の何れかに係る配線基板が提供される。

　本発明の更に他の側面によると、前記厚さＴ２は、前記厚さＴ１と前記厚さＴ３との合計Ｔ１＋Ｔ３と等しいか又はそれよりも大きい上記側面の何れかに係る配線基板が提供される。

　本発明の更に他の側面によると、前記厚さＴ２は０．５μｍ以下である上記側面の何れかに係る配線基板が提供される。

　本発明の更に他の側面によると、前記厚さＴ１は１０ｎｍ乃至０．５μｍの範囲内にあり、前記厚さＴ２は１００ｎｍ乃至０．５μｍの範囲内にあり、前記厚さＴ３は１０ｎｍ乃至０．５μｍの範囲内にある上記側面の何れかに係る配線基板が提供される。

　本発明の更に他の側面によると、前記第１導体層上に設けられた誘電体層と、前記誘電体層上に設けられた上部電極とを更に備え、前記第１導体層のうち前記上部電極と向き合った部分は下部電極であり、前記上部電極と前記誘電体層と前記下部電極とはコンデンサを構成している上記側面の何れかに係る配線基板が提供される。

　本発明の更に他の側面によると、前記下部電極は、前記１以上の第１貫通孔の少なくとも１つの前記第１面側の前記開口を覆っている上記側面に係る配線基板が提供される。

　本発明の更に他の側面によると、前記１以上の第１貫通孔は複数の第１貫通孔であり、前記第１導体層の一部と前記第２導体層の一部とはソレノイドコイルを構成している上記側面の何れかに係る配線基板が提供される。

　本発明の更に他の側面によると、前記第１導体層上に設けられた誘電体層と、前記誘電体層上に設けられた上部電極とを更に備え、前記第１導体層のうち前記上部電極と向き合った部分は下部電極であり、前記上部電極と前記誘電体層と前記下部電極とはコンデンサを構成し、前記１以上の第１貫通孔は複数の第１貫通孔であり、前記第１導体層の一部と前記第２導体層の一部とはソレノイドコイルを構成し、前記コンデンサと前記ソレノイドコイルとはＬＣフィルタを構成している上記側面の何れかに係る配線基板が提供される。

　なお、ＬＣフィルタは、ＬＣ周波数フィルタとも呼ばれる。ＬＣフィルタは、インダクタ（Ｌ）とコンデンサ（Ｃ）とを組み合わせた構造を有している。ＬＣフィルタは、共振現象を利用して、特定の周波数に関して電気信号を回路に流し、他の周波数に関しては遮断するものであって、バンドパスフィルタ、ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、又はダイプレクサとしての機能を有しているものである。

　本発明の更に他の側面によると、前記耐弗酸金属層は、クロム、ニッケル及びニッケルクロム合金からなる群より得られる材料からなる上記側面の何れかに係る配線基板が提供される。

　本発明の更に他の側面によると、前記密着層は、チタン、クロム及びニッケルからなる群より選ばれる１以上の材料又はその酸化物からなり、前記シード層は銅からなる上記側面の何れかに係る配線基板が提供される。

　本発明の更に他の側面によると、インターポーザである上記側面の何れかに係る配線基板が提供される。

　本発明の更に他の側面によると、上記側面の何れかに係る配線基板と、前記配線基板に実装された機能デバイスとを備えたパッケージ化デバイスが提供される。

　ここで、「機能デバイス」は、電力及び電気信号の少なくとも一方が供給されることにより動作するデバイス、外部からの刺激により電力及び電気信号の少なくとも一方を出力するデバイス、又は、電力及び電気信号の少なくとも一方が供給されることにより動作し且つ外部からの刺激により電力及び電気信号の少なくとも一方を出力するデバイスである。機能デバイスは、例えば、半導体チップや、ガラス基板などの半導体以外の材料からなる基板上に回路や素子が形成されたチップのように、チップの形態にある。機能デバイスは、例えば、ＬＳＩ、メモリ、撮像素子、発光素子、及びＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）の１以上を含むことができる。ＭＥＭＳは、例えば、圧力センサ、加速度センサ、ジャイロセンサ、傾斜センサ、マイクロフォン、及び音響センサの１以上である。一例によれば、機能デバイスは、ＬＳＩを含んだ半導体チップである。

　本発明の更に他の側面によると、第１面とその裏面である第２面とを有しているガラス基板を準備することと、前記ガラス基板へレーザ光を照射して、前記ガラス基板に１以上の改質部を形成することと、前記第１面上に、前記第１面と向き合った第１銅層と、前記第１銅層と前記ガラス基板との間に介在した耐弗酸金属層とを含んだ第１導体層を、前記１以上の改質部を覆うように形成することと、弗化水素を含んだエッチング液で前記第２面をエッチングして、前記第２面を後退させるとともに、前記１以上の改質部の位置に１以上の第１貫通孔をそれぞれ形成することと、前記耐弗酸金属層のうち前記１以上の第１貫通孔内で露出した部分をウェットエッチングに供して、前記第１導体層の前記ガラス基板側の面に凹部を形成することと、前記１以上の第１貫通孔の側壁、前記凹部の内面、及び前記第２面を被覆した密着層を形成することと、前記密着層上にシード層を形成することと、前記シード層上に第２銅層を形成することとを含み、前記密着層と前記シード層と前記耐弗酸金属層とは、前記密着層の厚さＴ１と前記シード層の厚さＴ２との合計Ｔ１＋Ｔ２が、前記耐弗酸金属層の厚さＴ３と等しいか又はそれよりも大きくなるように形成する配線基板の製造方法が提供される。

　本発明の更に他の側面によると、前記ガラス基板への前記レーザ光の照射に先立ち、前記ガラス基板を第１支持体に、前記第２面が前記第１支持体と向き合うに支持させることと、前記第１導体層を形成した後であって、前記１以上の第１貫通孔を形成する前に、前記ガラス基板から前記第１支持体を除去することとを更に含んだ上記側面に係る配線基板の製造方法が提供される。

　本発明の更に他の側面によると、前記耐弗酸金属層への前記ウェットエッチングは、前記耐弗酸金属層に１以上の第２貫通孔が形成されるように行う上記側面の何れかに係る配線基板の製造方法が提供される。

　本発明の更に他の側面によると、前記第１導体層を形成した後であって、前記１以上の第１貫通孔を形成する前に、前記ガラス基板と前記第１導体層とを含んだ複合体を第２支持体に、前記第１導体層が前記第２支持体と向き合うように支持させることを更に含んだ上記側面の何れかに係る配線基板の製造方法が提供される。

　本発明によれば、ガラス基板上に設けられた配線層と、このガラス基板に設けられたＴＧＶとの間での断線を生じ難くし得る技術が提供される。

図１は、本発明の第１実施形態に係る配線基板の断面図である。 図２は、図１に示す配線基板の一部を拡大して示す断面図である。 図３は、図１に示す配線基板の製造方法における一工程を示す断面図である。 図４は、図１に示す配線基板の製造方法における他の工程を示す断面図である。 図５は、図１に示す配線基板の製造方法における更に他の工程を示す断面図である。 図６は、図１に示す配線基板の製造方法における更に他の工程を示す断面図である。 図７は、図１に示す配線基板の製造方法における更に他の工程を示す断面図である。 図８は、図１に示す配線基板の製造方法における更に他の工程を示す断面図である。 図９は、図１に示す配線基板の製造方法における更に他の工程を示す断面図である。 図１０は、図１に示す配線基板の製造方法における更に他の工程を示す断面図である。 図１１は、図１に示す配線基板の製造方法における更に他の工程を示す断面図である。 図１２は、図１に示す配線基板を使用して製造可能なパッケージ化デバイスの一例を示す断面図である。 図１３は、比較例に係る配線基板の一部を示す断面図である。 図１４は、第１変形例に係る配線基板のガラス基板に設けられた貫通孔を示す断面図である。 図１５は、第２変形例に係る配線基板のガラス基板に設けられた貫通孔を示す断面図である。 図１６は、第３変形例に係る配線基板の一部を示す斜視図である。 図１７は、第４変形例に係る配線基板の一部を示す断面図である。 図１８は、第５変形例に係る配線基板の一部を示す断面図である。 図１９は、第６変形例に係る配線基板の一部を示す断面図である。 図２０は、本発明の第２実施形態に係る配線基板の製造方法における一工程を示す断面図である。 図２１は、本発明の第２実施形態に係る配線基板の製造方法における他の工程を示す断面図である。 図２２は、本発明の第３実施形態に係る配線基板の製造方法における一工程を示す断面図である。 図２３は、本発明の第３実施形態に係る配線基板の製造方法における他の工程を示す断面図である。 図２４は、本発明の第４実施形態に係る配線基板の製造方法における一工程を示す断面図である。 図２５は、本発明の第４実施形態に係る配線基板の製造方法における他の工程を示す断面図である。

　以下に、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。以下に説明する実施形態は、上記側面の何れかをより具体化したものである。以下に記載する事項は、単独で又は複数を組み合わせて、上記側面の各々に組み入れることができる。

　また、以下に示す実施形態は、本発明の技術的思想を具体化するための構成を例示するものであって、本発明の技術的思想は、下記の構成部材の材質、形状、及び構造等によって限定されるものではない。本発明の技術的思想には、請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。

　なお、同様又は類似した機能を有する要素については、以下で参照する図面において同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。また、図面は模式的なものであり、或る方向の寸法と別の方向の寸法との関係、及び、或る部材の寸法と他の部材の寸法との関係等は、現実のものとは異なり得る。

　＜１＞第１実施形態
　＜１．１＞配線基板
　図１は、本発明の第１実施形態に係る配線基板の断面図である。図２は、図１に示す配線基板の一部を拡大して示す断面図である。

　図１に示す配線基板１は、ガラスコア配線基板である。一例によれば、配線基板１は、インターポーザとして使用する配線基板、即ち、ガラスインターポーザである。

　配線基板１は、ガラス基板１０と、第１導体層２０と、誘電体層３１と、上部電極３２と、層間絶縁膜４０と、導体層５０と、絶縁層６０と、第２導体層７０と、層間絶縁膜８０と、導体層９０と、絶縁層１００とを含んでいる。

　ガラス基板１０は、第１面Ｓ１と、その裏面である第２面Ｓ２とを有している。第１面Ｓ１と第２面Ｓ２とは、互いに対して平行である。

　ガラス基板１０には、第１面Ｓ１から第２面Ｓ２まで各々が伸びた１以上の第１貫通孔、ここでは、複数の第１貫通孔が設けられている。第１貫通孔の各々は、第２面Ｓ２から第１面Ｓ１へ向けて先細りしている。

　第１導体層２０は、第１面Ｓ１上に設けられた導体パターンである。この導体パターンは、ランド部と、配線部と、後述するコンデンサ３０の下部電極とを含んでいる。第１導体層２０は、第１配線層である。

　第１導体層２０は、多層構造を有している。具体的には、第１導体層２０は、第１面Ｓ１と向き合った第１銅層２４と、第１銅層２４とガラス基板１０との間に介在した耐弗酸金属層２１とを含んでいる。第１導体層２０は、図２に示すように、耐弗酸金属層２１と第１銅層２４との間に介在した密着層２２と、密着層２２と第１銅層２４との間に介在したシード層２３とを更に含んでいる。

　第１導体層２０は、第１貫通孔の第１面Ｓ１側の開口を覆っている。第１導体層２０のガラス基板１０側の面は、第１貫通孔の位置に凹部を有している。ここでは、耐弗酸金属層２１には、第１貫通孔の位置に第２貫通孔がそれぞれ設けられている。これら第２貫通孔は、第１導体層２０のガラス基板１０側の面に、上記の凹部を形成している。

　第１導体層２０の上記面に設けられた凹部の各々の開口（以下、第１開口ということがある）の輪郭は、これに対応した第１貫通孔の第１面Ｓ１側の開口（以下、第２開口ということがある）より大きく且つこれを取り囲んでいる。即ち、配線基板１の厚さ方向に対して垂直な平面への第１開口の正射影の輪郭は、この平面への第２開口の正射影より大きく且つこれを取り囲んでいる。上記平面への第１開口の正射影の輪郭から、この平面への第２開口の正射影までの距離、即ち、後述するサイドエッチングによって生じるアンダーカット部の幅は、一例によれば１μｍ乃至１０μｍの範囲内にあり、他の例によれば０．１μｍ乃至５μｍの範囲内にある。

　耐弗酸金属層２１は、ガラス基板１０と比較して、弗酸によるエッチングに対する耐性に優れた金属材料からなる。耐弗酸金属層２１は、例えば、耐弗酸金属層は、クロム、ニッケル及びニッケルクロム合金からなる群より得られる材料からなる。耐弗酸金属層２１の厚さＴ３は、１０ｎｍ乃至５００ｎｍの範囲内にあることが好ましく、０．０２μｍ乃至０．０８μｍの範囲内にあることがより好ましい。

　密着層２２及びシード層２３は、耐弗酸金属層２１上にこの順に積層されている。密着層２２及びシード層２３には、それぞれ、後述する密着層７２及びシード層７３について例示する材料を使用することができる。密着層７２及びシード層７３は、第１銅層２４を電解めっきによって形成する場合に設ける。密着層７２は省略してもよい。また、第１銅層２４を無電解めっきやスパッタリングなどの他の方法を利用して形成する場合、密着層２２及びシード層２３の双方を省略してもよい。

　誘電体層３１及び上部電極３２は、第１導体層２０の一部の上に、この順に積層されている。第１導体層２０のうち上部電極３２と向き合った部分は、下部電極である。上部電極３２と誘電体層３１と下部電極とは、コンデンサ３０を、具体的にはＭＩＭコンデンサを構成している。

　図１に示す例では、下部電極は、第１貫通孔の第１面Ｓ１側の開口を覆っている。下部電極は、第１貫通孔から離間させてもよいが、第１貫通孔の第１面Ｓ１側の開口を覆うように設けた場合、配線に起因した電気抵抗を小さくすることや、配線長の短縮が可能になる。

　なお、ここでは、第１面Ｓ１と向き合うようにコンデンサ３０を設置しているが、コンデンサは、第２面Ｓ２側に設置してもよい。或いは、第１面Ｓ１と向き合うようにコンデンサ３０を設置するとともに、第２面Ｓ２側に他のコンデンサを更に設置してもよい。コンデンサ３０は省略することができる。

　層間絶縁膜４０は、第１面Ｓ１を被覆するとともに、第１導体層２０、誘電体層３１及び上部電極３２を埋め込んでいる。層間絶縁膜４０には、第１導体層２０が含むランド部の位置及び上部電極３２の位置に、貫通孔が設けられている。一例によれば、層間絶縁膜４０は、絶縁樹脂層である。

　導体層５０は、層間絶縁膜４０上に設けられた導体パターンである。この導体パターンは、層間絶縁膜４０の主面に設けられたパッド部と、層間絶縁膜４０に設けられた貫通孔の側壁を被覆したビア部とを含んでいる。パッド部は、外部接続端子である。ビア部の各々は、第１導体層２０が含むランド部又は上部電極３２をパッド部へ接続している。

　導体層５０は、シード層５３と銅層５４とを含んでいる。シード層５３及び銅層５４は、層間絶縁膜４０上に、この順に積層されている。導体層５０は、層間絶縁膜４０とシード層５３との間に密着層を更に含むことができる。導体層５０が含む密着層及びシード層５３には、それぞれ、後述する密着層７２及びシード層７３について例示する材料を使用することができる。シード層５３は省略してもよい。

　絶縁層６０は、層間絶縁膜４０を少なくとも部分的に被覆するとともに、導体層５０を埋め込んでいる。絶縁層６０には、導体層５０が含むパッド部の位置に貫通孔が設けられている。絶縁層６０は、例えば、ソルダーレジストからなる。

　第２導体層７０は、ガラス基板１０の第２面Ｓ２を被覆した部分と、ガラス基板１０に設けられた第１貫通孔の側壁を被覆した部分と、第１導体層２０に設けられた凹部の内面を被覆した部分とを含んだ導体パターンである。この導体パターンは、ランド部と配線部とビア部とを含んでいる。第２導体層７０のうち第２面Ｓ２を被覆した部分は、第２配線層であって、ランド部と配線部とを含んでいる。ビア部は、第２導体層７０のうち、ガラス基板１０に設けられた第１貫通孔の側壁を被覆した部分と、第１導体層２０に設けられた凹部の内面を被覆した部分とからなる。

　第２導体層７０は、多層構造を有している。具体的には、第２導体層７０は、図２に示すように、密着層７２とシード層７３と第２銅層７４とを含んでいる。密着層７２、シード層７３及び第２銅層７４は、ガラス基板１０上に、この順に積層されている。

　密着層７２は、ガラス基板１０に設けられた第１貫通孔の側壁、第１導体層２０に設けられた凹部の内面、及び第２面Ｓ２のうち第１貫通孔の第２面Ｓ２側の開口を取り囲んだ領域を被覆している。密着層７２は、これら面に対してコンフォーマルである。

　密着層７２は、シード層７３のガラス基板１０に対する密着性を高める。密着層７２は、チタン、クロム及びニッケルからなる群より選ばれる１以上の材料又はその酸化物からなることが好ましく、チタン又はチタン酸化物からなることがより好ましい。密着層７２の厚さＴ１は、１０ｎｍ乃至０．５μｍの範囲内にあることが好ましく、２０ｎｍ乃至０．０８μｍの範囲内にあることがより好ましい。ここで、密着層７２の厚さＴ１は、密着層７２のうち第２面Ｓ２上に設けられた部分の厚さである。

　密着層７２の厚さＴ１とシード層７３の厚さＴ２との合計Ｔ１＋Ｔ２を大きくするうえでは、厚さＴ１を大きくすることが有利である。但し、厚さＴ１を大きくすると、第１導体層２０と第２導体層７０との接続抵抗が大きくなる。

　シード層７３は、密着層７２上に設けられている。シード層７３は、密着層７２に対してコンフォーマルである。シード層７３は、電解めっきにおいて給電層としての役割を果たす。シード層７３は、例えば、銅からなる。シード層７３の厚さＴ２は、１００ｎｍ乃至０．５μｍの範囲内にあることが好ましく、２００ｎｍ乃至０．４μｍの範囲内にあることがより好ましい。ここで、シード層７３の厚さＴ２は、シード層７３のうち第２面Ｓ２上に設けられた部分の厚さである。

　給電層としての役割を考慮した場合、シード層７３は厚いことが好ましい。厚さＴ２を大きくすると、但し、セミアディティブ法で第２導体層７０を形成する場合、連続膜として形成したシード層７３等の不要部を全面エッチングによって除去するのに伴い、第２銅層７４の表面領域も除去される。それ故、厚さＴ２を大きくすると、第２導体層７０が含む配線の形状精度や寸法精度が低下する。

　第２銅層７４は、シード層７３上に設けられている。第２銅層７４は、シード層７３に対してコンフォーマルである。第２銅層７４の厚さは、例えば、２μｍ乃至１０μｍの範囲内にある。

　密着層７２の厚さＴ１とシード層７３の厚さＴ２との合計Ｔ１＋Ｔ２は、耐弗酸金属層２１の厚さＴ３と等しいか又はそれよりも大きい。即ち、厚さＴ１乃至Ｔ３は、以下の不等式（１）に示す関係を満たす。
　　Ｔ３≦Ｔ１＋Ｔ２　…（１）
　合計Ｔ１＋Ｔ２は、厚さＴ３よりも大きいことが好ましく、厚さＴ３の２倍以上であることがより好ましく、厚さＴ３の６倍以上であることが更に好ましい。厚さＴ２及びＴ３は、以下の不等式（１）に示す関係を満たしていてもよい。
　　Ｔ３≦Ｔ１　…（２）
　後述するように、厚さＴ１乃至Ｔ３が上記関係を満たしている場合、シード層７３は、第１導体層２０に設けられた凹部の底面と第１貫通孔の側壁との間で、アンダーカットに起因した不連続部を生じ難い。それ故、第２銅層７４を形成するための電解めっきにおいて、第１導体層２０に設けられた凹部内での銅の堆積が不十分になり難い。

　合計Ｔ１＋Ｔ２は、厚さＴ３の２０倍以下であることが好ましく、厚さＴ３の８倍以下であることがより好ましい。セミアディティブ法で第２導体層７０を形成する場合、連続膜として形成した密着層７２及びシード層７３等の不要部を全面エッチングによって除去する。合計Ｔ１＋Ｔ２を大きくすると、これら不要部の除去に要する時間が長くなる。

　厚さＴ２は、厚さＴ１と厚さＴ３との合計Ｔ１＋Ｔ３と等しいか又はそれよりも大きいことが好ましい。即ち、厚さＴ１乃至Ｔ３は、以下の不等式（３）に示す関係を満たしていることが好ましい。
　　Ｔ１＋Ｔ３≦Ｔ２　…（３）
　厚さＴ１乃至Ｔ３が上記の関係を満たしている場合、シード層７３は、耐弗酸金属層２１及び密着層７２と比較してより厚い。このような構成を採用した場合、シード層７３は、第２銅層７４を形成するための電解めっきの際に、給電層として特に優れた性能を発揮し得る。

　層間絶縁膜８０は、第２面Ｓ２を被覆するとともに、第２導体層７０を埋め込んでいる。層間絶縁膜８０には、第２導体層７０が含むランド部の位置に、貫通孔が設けられている。一例によれば、層間絶縁膜４０は、絶縁樹脂層である。

　導体層９０は、層間絶縁膜８０上に設けられた導体パターンである。この導体パターンは、層間絶縁膜８０の主面に設けられたパッド部と、層間絶縁膜８０に設けられた貫通孔の側壁を被覆したビア部とを含んでいる。パッド部は、外部接続端子である。ビア部の各々は、第２導体層７０が含むランド部をパッド部へ接続している。

　導体層９０は、シード層９３と銅層９４とを含んでいる。シード層９３及び銅層９４は、層間絶縁膜８０上に、この順に積層されている。導体層９０は、層間絶縁膜８０とシード層９３との間に密着層を更に含むことができる。導体層９０が含む密着層及びシード層９３には、それぞれ、密着層７２及びシード層７３について例示した材料を使用することができる。シード層９３は省略してもよい。

　絶縁層１００は、層間絶縁膜８０を少なくとも部分的に被覆するとともに、導体層９０を埋め込んでいる。絶縁層１００には、導体層９０が含むパッド部の位置に貫通孔が設けられている。絶縁層１００は、例えば、ソルダーレジストからなる。

　＜１．２＞配線基板の製造方法
　上記の配線基板１は、例えば、以下の方法により製造することができる。
　図３乃至図１１は、図１に示す配線基板の製造方法を示す断面図である。

　＜１．２．１＞第１工程
　この方法では、先ず、第１面Ｓ１とその裏面である第２面Ｓ２とを有しているガラス基板１０を準備する。例えば、厚さ５００μｍの無アルカリガラス板の表面から、超音波洗浄などで汚染物を除去して、ガラス基板１０を得る。なお、この段階のガラス基板１０は、配線基板１が含むガラス基板１０と比較してより厚い。また、この段階のガラス基板１０は、後述するパッケージ化デバイスが含むガラス基板１０と比較して、厚さ方向に対して垂直な方向の寸法がより大きな大判のガラス基板である。

　＜１．２．２＞第２工程
　次に、第１面Ｓ１から第２面Ｓ２へ向けてガラス基板１０へレーザ光を照射して、図３に示すように、ガラス基板１０に１以上の改質部１１を形成する。改質部１１は、例えば、レーザ光照射によって加熱されることにより、レーザ光未照射部との間で結晶性等に相違を生じた部分である。改質部１１は、第１貫通孔に対応した位置に形成する。改質部１１は、第１面Ｓ１から第２面Ｓ２へ向けて、例えば、ガラス基板１０の厚さ方向へ伸びている。レーザ光量は、第１面Ｓ１から伸びた改質部１１が第２面Ｓ２まで到達しないように調整することが望ましい。

　ここで用いるレーザ光の波長は、５３５ｎｍ以下である。レーザ光の好ましい波長は、３５５ｎｍ以上５３５ｎｍ以下である。レーザ光の波長を３５５ｎｍ未満とすると、十分なレーザ出力を得ることが難しく、安定的なレーザ改質が難しくなるおそれがある。一方、レーザ光の波長を５３５ｎｍより大きくすると、照射スポットが大きくなり、小範囲のレーザ改質が難しくなる。また、熱の影響により、マイクロクラックが発生し、ガラス基板１０が割れやすくなる。

　パルスレーザを用いる場合、レーザパルス幅はピコ秒からフェムト秒の範囲内にあることが望ましい。レーザパルス幅がナノ秒以上になると、１パルス当たりのエネルギー量の制御が困難となり、マイクロクラックが発生して、ガラス基板１０が割れやすくなる。

　レーザパルスのエネルギーは、ガラスの組成や、どのようなレーザ改質を生じさせるかに応じて好ましい値が選択され、５μＪ以上１５０μＪ以下の範囲内にあることが好ましい。レーザパルスのエネルギーを増加させることで、それに比例するように改質部１１の長さを大きくすることが可能となる。

　＜１．２．３＞第３工程
　次に、第１面Ｓ１上に、第１面Ｓ１と向き合った第１銅層２４と、第１銅層２４とガラス基板１０との間に介在した耐弗酸金属層２１とを含んだ第１導体層２０を、改質部１１を覆うように形成する。

　例えば、先ず、図４に示すように、第１面Ｓ１上に、耐弗酸金属層２１及びシード層２３をこの順に形成する。ここでは、耐弗酸金属層２１及びシード層２３の各々は、連続膜として形成する。耐弗酸金属層２１は、例えば、スパッタリングにより形成する。シード層２３は、例えば、スパッタリング又は無電解めっきにより形成する。シード層２３を形成するのに先立ち、耐弗酸金属層２１上に、図２に示す密着層２２を形成してもよい。密着層２２は、例えば、スパッタリング又は無電解めっきにより、連続膜として形成する。密着層２２を形成すると、耐弗酸金属層２１とシード層２３との間の密着性が向上する。

　次に、シード層２３上に、絶縁体からなり、第１銅層２４に対応した位置で開口したマスクパターンを形成する。マスクパターンは、例えば、シード層２３上にフォトレジスト層を設け、このフォトレジスト層へのパターン露光及び現像を行うことにより形成する。一例によれば、昭和電工マテリアルズ社製のドライフォトレジストであるＲＤ１２２５をシード層２３へラミネートし、このドライフォトレジストへのパターン露光及び現像を順次行うことにより、樹脂からなるマスクパターンを得る。

　続いて、シード層２３を給電層として用いた電解銅めっきを行う。これにより、マスクパターンの開口部の位置でシード層２３上に銅を堆積させて、図５に示す第１銅層２４を得る。

　その後、マスクパターンを除去する。例えば、ドライフィルムレジストを溶解剥離する。次いで、第１銅層２４とガラス基板１０とを含んだ複合体の第１銅層２４側の面全体を、シード層２３の露出部が除去されるまでエッチングする。また、シード層２３と耐弗酸金属層２１との間に密着層２２が存在している場合には、この複合体の第１銅層２４側の面全体を、密着層２２のうち、シード層２３の露出部を除去することによって露出した部分も除去されるまで更にエッチングする。

　以上のようにして、図５に示す第１導体層２０を得る。なお、第１導体層２０は、上記の通り、ランド部と配線部と下部電極とを含んでいる。

　＜１．２．４＞第４工程
　次に、第１導体層２０が含む下部電極上に、誘電体層３１及び上部電極３２をこの順に形成して、図５に示すコンデンサ３０を得る。上部電極３２は、例えば、第１導体層２０が含むシード層２３及び第１銅層２４について上述したのと同様の方法により形成することができる。そのような上部電極３２は、シード層と銅層とを含んだ多層構造を有している。

　＜１．２．５＞第５工程
　次に、コンデンサ３０とガラス基板１０とを含んだ複合体のコンデンサ３０側の面に、絶縁樹脂層を設ける。一例によれば、味の素ファインテクノ社製の絶縁樹脂フィルムであるＡＢＦ－ＧＸＴ３１（３２．５μｍ厚）を上記の面へラミネートし、これをプリキュアする。次いで、レーザ加工によって絶縁樹脂層にブラインドビアを形成する。その後、デスミア処理を実施して、レーザ加工によって発生した残渣を除去する。以上のようにして、図６に示す層間絶縁膜４０を得る。

　次いで、スパッタリング又は無電解めっきにより、シード層５３を形成する。ここでは、シード層５３は、層間絶縁膜４０の上面、これに設けられた貫通孔の側壁、及び、第１導体層２０及び上部電極３２のうちこれら貫通孔の位置で露出した部分を被覆するように形成する。

　次に、シード層５３上に、絶縁体からなり、銅層５４に対応した位置で開口したマスクパターンを形成する。マスクパターンは、例えば、シード層５３上にフォトレジスト層を設け、このフォトレジスト層へのパターン露光及び現像を行うことにより形成する。一例によれば、昭和電工マテリアルズ社製のドライフィルムレジストであるＲＤ１２２５をシード層５３へラミネートし、このドライフィルムレジストへのパターン露光及び現像を順次行うことにより、樹脂からなるマスクパターンを得る。

　続いて、シード層５３を給電層として用いた電解銅めっきを行う。これにより、マスクパターンの開口部の位置でシード層５３上に銅を堆積させて、図６に示す銅層５４を得る。

　その後、マスクパターンを除去する。例えば、ドライフィルムレジストを溶解剥離する。次いで、銅層５４とガラス基板１０とを含んだ複合体の銅層５４側の面全体を、シード層５３の露出部が除去されるまでエッチングする。以上のようにして、導体層５０を得る。

　次いで、層間絶縁膜４０上に、図６に示す絶縁層６０を設ける。例えば、層間絶縁膜４０上にソルダーレジストを設け、フォトリソグラフィ法などを用いてこれをパターニングする。以上のようにして、図６の構造を得る。

　＜１．２．６＞第６工程
　次に、図７に示すように、ガラス基板１０と絶縁層６０とを含んだ複合体を、第２支持体１４１に、絶縁層６０が第２支持体１４１と向き合うように支持させる。ここでは、仮貼り用の接着剤１４２を介して、第２支持体１４１を上記複合体へ貼り合わせる。第２支持体１４１は、次工程でのガラス基板１０の薄板化に伴うその破損を生じ難くし、ガラス基板１０を含んだ複合体の取り扱いを容易にする。

　接着剤１４２としては、例えば、日東電工社製のリバアルファ（登録商標）を使用する。第２支持体１４１としては、例えば、薄板状のガラスキャリアを使用する。第２支持体１４１は、ガラス製ではなくてもよく、金属製や樹脂製などでもよい。

　第２支持体１４１の厚さは、ガラス基板１０の薄板化後の搬送性を鑑み、０．７ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内にあることが望ましい。第２支持体１４１の厚さは、ガラス基板１０の厚さに応じて適宜設定して構わない。

　＜１．２．７＞第７工程
　次に、第２支持体１４１に支持させた上記複合体の第２面Ｓ２を、弗化水素を含んだエッチング液でエッチングして、図８に示すように、第２面Ｓ２を後退させるとともに、改質部１１の位置に第１貫通孔１２をそれぞれ形成する。第２面Ｓ２をエッチングすると、ガラス基板１０は薄くなり、改質部１１が露出する。ガラス基板１０のうち、改質部１１は、他の部分と比較して、エッチングレートが高い。従って、このエッチングによって、ガラス基板１０の薄板化と第１貫通孔１２の形成とを同時に達成できる。

　なお、このエッチングにおいて、耐弗酸金属層２１は、エッチングストッパ膜としての役割を果たす。また、上記のエッチングによって得られる第１貫通孔１２は、図８では、第２面Ｓ２側の径（又は断面積）が第１面Ｓ１側の径（又は断面積）よりも大きい円錐台形状を有している。

　ガラス基板１０のエッチング量は、配線基板１の厚さに応じて適宜設定して構わない。例えば、エッチング前のガラス基板１０の厚さが４００μｍである場合、そのエッチング量は１００μｍ以上３５０μｍ以下の範囲内とすることが望ましい。薄板化後のガラス基板１０の厚さは、５０μｍ以上３００μｍ以下の範囲内とすることが好ましい。

　弗化水素を含んだエッチング液は、例えば、弗化水素水溶液である。エッチング液は、硝酸、塩酸及び硫酸からなる群から選ばれる１種以上の無機酸を更に含むことができる。

　エッチング液の弗化水素濃度は、例えば１.０質量％以上６.０質量％以下の範囲内にあり、好ましくは２.０質量％以上５.０質量％以下の範囲内にある。無機酸濃度は、例えば１.０質量％以上２０.０質量％以下の範囲内にあり、好ましくは３.０質量％以上１６.０質量％以下の範囲内にある。各成分の濃度を上記範囲内に設定したエッチング液を使用して、１．０μｍ／ｍｉｎ以下のエッチングレートでエッチングを行うことが望ましい。エッチングの際のエッチング液の温度は、１０℃以上４０℃以下の範囲内とすることが望ましい。

　＜１．２．８＞第８工程
　次に、耐弗酸金属層２１のうち第１貫通孔１２内で露出した部分をウェットエッチングに供して、図９に示すように、第１導体層２０のガラス基板１０側の面に凹部を形成する。ここでは、耐弗酸金属層２１への上記ウェットエッチングは、耐弗酸金属層２１に第２貫通孔が形成されるように行う。

　このウェットエッチングに使用するエッチング液は、耐弗酸金属層２１の露出部を除去できるものであれば、どのようなものを用いてもよい。このエッチング液としては、クロムエッチング液が好適に用いられる。

　一例によれば、上記のエッチング液として、フェリシアン化カリウム及び水酸化カリウムを含有した日本化学産業社製のアルカリ性クロムエッチング溶液を用いる。そして、このエッチング液を使用して、温度４０℃で１．５分に亘るウェットエッチングを行う。このようなウェットエッチングによると、耐弗酸金属層２１以外の部材、例えば、ガラス基板１０、第１銅層２４及び層間絶縁膜４０へダメージを与えることなく、耐弗酸金属層２１の露出部のみを除去することができる。

　ここで、上記の通り、第１貫通孔１２は、第２面Ｓ２側の径（又は断面積）が第１面Ｓ１側の径（又は断面積）よりも大きい円錐台形状を有している。このような形状は、第１貫通孔１２の内部と外部との間でのエッチング液の循環を促進し、効率的なエッチングを可能にする。

　このウェットエッチングに先立って、例えば、ＣＦ_４ガス、酸素ガス、アルゴンガス、又は水素ガスを用いたプラズマ処理や超音波洗浄を実施して、耐弗酸金属層２１の露出部のエッチング液に対する濡れ性を向上させておくことが好ましい。プラズマ処理と超音波洗浄との双方を実施することがより好ましい。この場合、濡れ性向上効果は更に高まる。

　＜１．２．９＞第９工程
　その後、図２に示す密着層７２を形成する。ここでは、密着層７２は、第１貫通孔１２の側壁、第１導体層２０に形成した凹部の内面、及び第２面Ｓ２を被覆した連続膜として形成する。密着層７２は、例えば、スパッタリング又は無電解めっきにより、連続膜として形成する。後述するアンダーカット部へ金属を堆積させるうえでは、密着層７２は無電解めっきにより形成することが好ましい。

　次いで、密着層７２上に、図１０に示すシード層７３を形成する。シード層７３は、例えば、スパッタリング又は無電解めっきにより、連続膜として形成する。アンダーカット部へ金属を堆積させるうえでは、シード層７３は無電解めっきにより形成することが好ましい。

　密着層７２及びシード層７３は、密着層７２の厚さＴ１とシード層７３の厚さＴ２と耐弗酸金属層の厚さＴ３とが、上述した関係を満たすように形成する。

　＜１．２．１０＞第１０工程
　次に、図１０に示すように、シード層７３上に第２銅層７４を形成する。
　例えば、先ず、シード層７３上に、絶縁体からなり、第２銅層７４に対応した位置で開口したマスクパターンを形成する。マスクパターンは、例えば、シード層７３上にフォトレジスト層を設け、このフォトレジスト層へのパターン露光及び現像を行うことにより形成する。一例によれば、昭和電工マテリアルズ社製のドライフォトレジストであるＲＤ１２２５をシード層７３へラミネートし、このドライフォトレジストへのパターン露光及び現像を順次行うことにより、樹脂からなるマスクパターンを得る。

　続いて、シード層７３を給電層として用いた電解銅めっきを行う。これにより、マスクパターンの開口部の位置でシード層７３上に銅を堆積させて、図１０に示す第２銅層７４を得る。

　その後、マスクパターンを除去する。例えば、ドライフィルムレジストを溶解剥離する。次いで、第２銅層７４とガラス基板１０とを含んだ複合体の第２銅層７４側の面全体をエッチングして、シード層７３の露出部を除去する。続いて、上記複合体の第２銅層７４側の面全体を、密着層７２のうち、シード層７３の露出部を除去することによって露出した部分が除去されるまで更にエッチングする。

　以上のようにして、図１０に示す第２導体層７０を得る。なお、第２導体層７０は、上記の通り、ランド部と配線部とを含んでいる。

　＜１．２．１１＞第１１工程
　次いで、第２導体層７０及びガラス基板１０を含んだ複合体の第２導体層７０側の面に対して、第５工程と同様の処理を実施して、図１１に示す、層間絶縁膜８０、導体層９０及び絶縁層１００を設ける。

　＜１．２．１２＞第１２工程
　その後、ガラス基板１０、第１導体層２０及び第２導体層７０等を含んだ複合体から、第２支持体１４１と接着剤１４２とを除去する。以上のようにして、図１に示す配線基板１を得る。

　＜１．３＞パッケージ化デバイス
　上記の配線基板１は、パッケージ化デバイスの製造に使用することができる。
　図１２は、図１に示す配線基板を使用して製造可能なパッケージ化デバイスの一例を示す断面図である。図１２に示すパッケージ化デバイスは、例えば、ＬＣフィルタを搭載した高周波デバイスである。図１２に示すパッケージ化デバイスは、配線基板１と、機能デバイス２と、チップ部品３と、接合用導体４及び５とを含んでいる。

　配線基板１は、図１等を参照しながら説明した配線基板を個片化したものである。配線基板１は、接合用導体４及び５の少なくとも一方を更に含むことができる。

　接合用導体４及び５は、ここでは、はんだボールである。接合用導体４は、導体層５０が含むパッド部上に設けられている。接合用導体４は、機能デバイス２を配線基板１へ接合している。接合用導体５は、導体層９０が含むパッド部上に設けられている。接合用導体５は、パッケージ化デバイスを、他の配線基板、例えばマザーボードへ接合することを可能とする。

　機能デバイス２は、上記の通り、電力及び電気信号の少なくとも一方が供給されることにより動作するデバイス、外部からの刺激により電力及び電気信号の少なくとも一方を出力するデバイス、又は、電力及び電気信号の少なくとも一方が供給されることにより動作し且つ外部からの刺激により電力及び電気信号の少なくとも一方を出力するデバイスである。機能デバイス２は、例えば、半導体チップや、ガラス基板などの半導体以外の材料からなる基板上に回路や素子が形成されたチップのように、チップの形態にある。機能デバイス２は、例えば、ＬＳＩ、メモリ、撮像素子、発光素子、及びＭＥＭＳの１以上を含むことができる。ＭＥＭＳは、例えば、圧力センサ、加速度センサ、ジャイロセンサ、傾斜センサ、マイクロフォン、及び音響センサの１以上である。一例によれば、機能デバイスは、ＬＳＩを含んだ半導体チップである。

　機能デバイス２は、配線基板１へ実装されている。ここでは、機能デバイス２は、フリップチップボンディングによって、配線基板１へ実装されている。機能デバイス２は、他の表面実装技術によって、配線基板１へ実装されていてもよい。パッケージ化デバイスは、２以上の機能デバイス２を含んでいてもよい。

　チップ部品３は、チップ抵抗、チップコンデンサ及びチップインダクタなどの、表面実装が可能な受動部品である。チップ部品３は、配線基板１へ実装されている。ここでは、チップ部品３は、ダイボンディング及びワイヤボンディングによって、配線基板１へ実装されている。チップ部品３は、他の表面実装技術によって、配線基板１へ実装されていてもよい。パッケージ化デバイスは、２以上のチップ部品３を含んでいてもよい。チップ部品３は、省略してもよい。ここでは、一例として、チップ部品３は、チップインダクタであり、コンデンサ３０とともにＬＣフィルタを構成していることとする。

　＜１．４＞効果
　上述した技術は、例えば、以下に記載する効果を奏する。

　＜１．４．１＞ハンドリング性
　上述した製造方法によると、ガラス基板１０の破損を生じ難く、優れたハンドリング性を実現し得る。これについて、以下に説明する。

　ガラス基板に貫通孔を形成すると、その機械的強度が低下する可能性がある。また、厚さが小さなガラス基板、例えば、厚さが３００μｍ以下であるガラス基板は、回路など導電部を形成するための搬送時などに割れを生じ易く、取扱いが困難である。

　上述した方法では、第１面Ｓ１へ第１導体層２０等を形成する際には、ガラス基板１０は相対的に厚いため、その破損は生じ難い。また、ガラス基板１０と第１導体層２０とを含んだ複合体は、ガラス基板１０の薄板化及び第１貫通孔１２の形成を行った後でも、高い強度を有している。それ故、その後の工程においても、ガラス基板１０の破損は生じ難い。そして、第２支持体１４１は、ガラス基板１０の破損を更に生じ難くする。また、第２支持体１４１を取り除く前に第２導体層７０等を形成することにより、複合体の強度は高められているので、この複合体から第２支持体１４１を取り除いた後であっても、ガラス基板１０の破損は生じ難い。従って、上述した製造方法によると、ガラス基板１０の破損を生じ難く、その取扱いが容易である。

　＜１．４．２＞生産性
　また、上述した製造方法によると、以下に説明するように、高い生産性を達成可能である。

　ＴＳＶ技術においては、ドライエッチングを応用したＢｏｓｃｈプロセスなどの手法が、シリコン基板に貫通孔を形成する方法として確立されている。しかしながら、ドライエッチングによるガラス基板への貫通孔の形成は、長時間を要し、実用的であるとは言い難い。

　上述した製造方法では、ガラス基板１０を薄板化するためのウェットエッチングによって、第１貫通孔１２の形成も行う。そして、第１貫通孔１２は、レーザ光照射で生じさせた改質部１１の位置に形成する。ガラス基板１０のうち、改質部１１は、他の部分と比較して高いエッチングレートでエッチングすることができる。従って、上述した製造方法によると、高い生産性を達成可能である。

　＜１．４．３＞電気特性
　更に、上述した方法により得られる配線基板１は、ガラス基板１０上に設けられた配線層と、このガラス基板に設けられたＴＧＶとの接続部の電気特性に優れている。

　図１３は、比較例に係る配線基板の一部を示す断面図である。
　図１乃至図１１を参照しながら説明した方法では、第７工程において、弗化水素を含んだエッチング液を使用したエッチングを行うことにより、ガラス基板１０に第１貫通孔１２を形成する。このエッチング直後の構造は、図１３に示すように、第１貫通孔１２内であって、耐弗酸金属層２１上に、ガラス基板１０のエッチング残渣１０ＥＲ（ガラス残渣ともいう）を有している可能性がある。図１３に示すように、エッチング残渣１０ＥＲを除去することなしに第２導体層７０を形成した場合、エッチング残渣１０ＥＲは、第１導体層２０と第２導体層７０との電気的接続を阻害する。

　上記の方法では、第７工程に続く第８工程において、耐弗酸金属層２１のうち第１貫通孔１２の位置で露出した部分を、ウェットエッチングによって除去する。ウェットエッチングは等方性エッチングであるため、このエッチングを行うと、耐弗酸金属層２１のうちエッチング残渣１０ＥＲの真下に位置した部分も、サイドエッチングによって除去される。それ故、このエッチングを行うとエッチング残渣１０ＥＲも除去される。また、一般に、耐弗酸金属層２１の材料は、銅などと比較して、電気抵抗率がより大きい。それ故、耐弗酸金属層２１のうち第１貫通孔１２の位置で露出した部分を除去すると、第１導体層２０と第２導体層７０との接続抵抗を小さくすることができる。

　更に、上記の方法では、耐弗酸金属層２１のうち第１貫通孔１２の位置で露出した部分は、等方性エッチングであるウェットエッチングによって除去する。それ故、図２に示すように、耐弗酸金属層２１は、第１貫通孔１２の第１面Ｓ１側の開口に対応した部分のみが除去される訳でなく、サイドエッチングにより上記開口の周囲の部分も除去される。即ち、耐弗酸金属層２１にはアンダーカット部を生じる。このアンダーカット部は、第１導体層２０と第２導体層７０との接触面積を増大させる。

　従って、上述した方法により得られる配線基板１は、ガラス基板１０上に設けられた配線層と、このガラス基板に設けられたＴＧＶとの接続部の電気特性に優れている。

　＜１．４．４＞接続信頼性
　また、上述した方法により得られる配線基板１は、ガラス基板１０上に設けられた配線層と、このガラス基板に設けられたＴＧＶとの間の接続信頼性に優れている。

　図１３に示すエッチング残渣１０ＥＲは、耐弗酸金属層２１と第２導体層７０との密着性を低下させ、それ故、第１導体層２０と第２導体層７０との接続信頼性を低下させ得る。上記の方法では、第７工程に続く第８工程において、耐弗酸金属層２１のうち第１貫通孔１２の位置で露出した部分を、ウェットエッチングによって除去する。耐弗酸金属層２１のうち第１貫通孔１２の位置で露出した部分を除去すると、この部分の上に位置したエッチング残渣１０ＥＲも除去される。

　また、上記の配線基板１では、第１導体層２０と第２導体層７０との接続部に応力が集中する。それ故、接続信頼性には、この接続部での断線が大きな影響を及ぼす。

　この配線基板１では、耐弗酸金属層２１がアンダーカット部を有しており、第２導体層７０はアンダーカット部を少なくとも部分的に埋め込んでいる。第２導体層７０のうちアンダーカット部を埋め込んだ部分は、シード層７３と第２銅層７４との複合層のうち第１貫通孔１２内に位置した部分に、これを第１導体層２０から引き離す方向の力が加えられた場合に、第１貫通孔１２内に位置した上記部分の移動を生じ難くする。

　従って、上述した方法により得られる配線基板１は、ガラス基板１０上に設けられた配線層と、このガラス基板に設けられたＴＧＶとの間の接続信頼性に優れている。

　＜１．４．５＞歩留まり
　更に、上述した方法によると、ガラス基板１０上に設けられた配線層と、このガラス基板に設けられたＴＧＶとの間での断線を生じ難くすることができ、それ故、高い歩留まりを達成することができる。これについて、以下に説明する。

　上記の通り、第８工程において行うウェットエッチングにより、図２に示すように、耐弗酸金属層２１にアンダーカット部を生じる。密着層７２及びシード層７３を形成する第９工程において、アンダーカット部には、第１貫通孔１２の側壁や、第１導体層２０に形成した凹部の底面のうち第１貫通孔１２の第１面Ｓ１側の開口に対応した領域と比較して、密着層７２の材料及びシード層７３の材料は堆積し難い。それ故、密着層７２の厚さＴ１とシード層７３の厚さＴ２との合計Ｔ１＋Ｔ２が、耐弗酸金属層２１の厚さＴ３と比較してより小さい場合、アンダーカット部の近傍に不連続部を有するシード層７３が形成される可能性がある。例えば、第１貫通孔１２の第１面Ｓ１側の開口を取り囲んだ環状の不連続部を有するシード層７３が形成される可能性がある。

　そのような不連続部をシード層７３が有している場合、第１０工程において行う電解銅めっきにおいて、シード層７３のうち、その環状の不連続部によって囲まれた部分へ給電することができない。その結果、第１導体層２０に形成した凹部の位置で、第２銅層７４とシード層７３のうち環状不連続部によって囲まれた部分との間にボイドを生じ得る。即ち、ガラス基板１０上に設けられた配線層と、このガラス基板に設けられたＴＧＶとの間での断線を生じる。

　図１乃至図１１を参照しながら説明した方法では、密着層７２の厚さＴ１とシード層７３の厚さＴ２との合計Ｔ１＋Ｔ２を、耐弗酸金属層２１の厚さＴ３と等しくするか又はこれよりも大きくする。この関係を満たすように密着層７２及びシード層７３を形成すると、シード層７３に上記の不連続部が生じるのを確実に防止することができる。それ故、上記のボイドの発生を防止できる。従って、ガラス基板１０上に設けられた配線層と、このガラス基板に設けられたＴＧＶとの間での断線を生じ難くすることができ、高い歩留まりを達成することができる。

　また、この方法では、厚さＴ１は、好ましくは、厚さＴ３と等しくするか又はそれよりも大きくする。この関係を満たすように密着層７２を形成すると、シード層７３に上記の不連続部が生じるのを更に確実に防止することができる。

　また、この方法では、厚さＴ２は、好ましくは、厚さＴ１と厚さＴ３との合計Ｔ１＋Ｔ３と等しいか又はそれよりも大きくする。第２銅層７４を形成するための電解めっきの際に、シード層７３のうち第１貫通孔１２内に位置した部分への給電が不十分であると、第１貫通孔１２内での銅の堆積が不十分になり、これに起因して、ガラス基板１０上に設けられた配線層と、このガラス基板に設けられたＴＧＶとの間での断線を生じる可能性がある。上記の関係を満たすように密着層７２及びシード層７３を形成すると、給電不足に起因した上記の断線を生じ難くすることができる。

　＜１．５＞変形例
　上述した配線基板１及びパッケージ化デバイスには、様々な変形が可能である。

　＜１．５．１＞第１貫通孔
　図１４は、第１変形例に係る配線基板のガラス基板に設けられた貫通孔を示す断面図である。図１５は、第２変形例に係る配線基板のガラス基板に設けられた貫通孔を示す断面図である。第１及び第２変形例に係る配線基板は、第１貫通孔１２に図１４及び図１５の構造をそれぞれ採用したこと以外は、上記の配線基板１と同様である。

　上述した配線基板１において、ガラス基板１０に設けられた第１貫通孔１２は、第２面Ｓ２から第１面Ｓ１へ向けて先細りしている。即ち、第１貫通孔１２は順テーパ状である。第１貫通孔１２は、図１４及び図１５に示すように、第２面Ｓ２から第１面Ｓ１へ向けて先細りした順テーパ状部と、第１面Ｓ１から第２面Ｓ２へ向けて先細りした逆テーパ状部とを含んでいてもよい。

　ここでは、順テーパ状部は、第２面Ｓ２から第１面Ｓ１へ向けて伸びるとともに、第２面Ｓ２から第１面Ｓ１へ向けて縮径している。また、逆テーパ状部は、第１面Ｓ１から第２面Ｓ２へ向けて伸びるとともに、第１面Ｓ１から第２面Ｓ２へ向けて拡径している。

　図１４の構造では、第１貫通孔１２が径の極小値を有する位置は、第１面Ｓ１からの距離が、ガラス基板１０の厚さＴの０．４倍乃至０．６倍の範囲内にある。図１５の構造では、第１貫通孔１２が径の極小値を有する位置は、第１面Ｓ１からの距離が、ガラス基板１０の厚さＴの０．２倍以下である。

　図１４及び図１５に示す構造では、第１貫通孔１２が径の極小値を有する位置（又は、第１面Ｓ１に対して平行な断面の面積が極小値を有する位置）は、第１面Ｓ１から離間している。それ故、第１貫通孔１２に図１４又は図１５の構造を採用した場合、図２の構造を採用した場合と比較して、第１導体層２０と第２導体層７０との接続部に加わる応力を小さくすることができ、従って、ガラス基板１０上に設けられた配線層と、このガラス基板に設けられたＴＧＶとの間の接続信頼性を更に向上させることができる。

　＜１．５．２＞インダクタ
　上記のパッケージ化デバイスは、インダクタをチップ部品３として含んでいる。上記の通り、インダクタとコンデンサ３０とを組み合わせて、ＬＣフィルタを構成することができる。

　インダクタは、配線基板１に内蔵させてもよい。インダクタを配線基板１に内蔵させた場合、例えば、配線長の短縮、これに伴う電気特性及び伝送特性の向上、又は、パッケージ化デバイスの小型化若しくは低背化が可能である。

　配線基板１に内蔵させるインダクタは、例えば、スパイラルコイルである。配線基板１は、第１導体層２０の一部をスパイラルコイルとして含んでいてもよく、第２導体層７０の一部をスパイラルコイルとして含んでいてもよい。或いは、配線基板１は、第１導体層２０の一部をスパイラルコイルとして含み、第２導体層７０の一部を他のスパイラルコイルとして含んでいてもよい。

　配線基板１は、インダクタとして、以下に説明するソレノイドコイルを内蔵していてもよい。

　図１６は、第３変形例に係る配線基板の一部を示す斜視図である。図１６には、配線基板１が内蔵し得るインダクタの一例として、ソレノイドコイル１１０を描いている。第３変形例に係る配線基板は、ソレノイドコイル１１０を含んでいること以外は、上記の配線基板１と同様である。

　ソレノイドコイル１１０は、第１導体層２０の一部と第２導体層７０の一部とによって構成されている。具体的には、ソレノイドコイル１１０は、第１導体路２０Ａと、第２導体路７０Ａと、第３導体路７０Ｂとを含んでいる。

　第１導体路２０Ａの各々は、第１導体層２０の一部である。第１導体路２０Ａは、第１面Ｓ１に対して平行な第１方向へ伸びた形状を有し、第１面Ｓ１に対して平行であり且つ第１方向に対して交差する第２方向へ一定のピッチで配列している。各第１導体路２０Ａは、第１端と第２端とを有している。ガラス基板１０には、第１端の位置と第２端の位置とに、第１貫通孔１２が設けられている。

　第２導体路７０Ａの各々は、第２導体層７０のうち、第２面Ｓ２上に位置した部分の一部である。第２導体路７０Ａは、第２面Ｓ２に対して平行であり且つ第１及び第２方向に対して交差する第３方向へ伸びた形状を有し、第２方向へ一定のピッチで配列している。各第２導体路７０Ａは、或る第１導体路２０Ａの第１端と向き合った第３端と、先の第１導体路２０Ａと隣り合った第１導体路２０Ａの第２端と向き合った第３端とを有している。

　第３導体路７０Ｂの各々は、第２導体層７０のうち、第１貫通孔１２内に位置した部分の一部である。第３導体路７０Ｂは、各第２導体路７０Ａの第３端及び第４端を、それぞれ、或る第１導体路２０Ａの第１端と、これと隣り合った第１導体路２０Ａの第２端とへ接続している。

　ソレノイドコイル１１０は、第１導体路２０Ａ、第３導体路７０Ｂ、第２導体路７０Ａ及び第３導体路７０Ｂをこの順に各々が含んだ複数のセグメントを直列に連ねた構造を有している。また、ソレノイドコイル１１０の螺旋軸は、上記の第２方向に対して平行である。ソレノイドコイル１１０は、コンデンサ３０と組み合わせて、ＬＣフィルタを構成し得る。

　上記の通り、図１３を参照しながら説明した構造では、第１導体層２０と第２導体層７０との接続抵抗が大きい。それ故、第１導体路２０Ａと第３導体路７０Ｂとの接続部が図１３を参照しながら説明した構造を有している場合、第１導体路２０Ａと第３導体路７０Ｂとの接続抵抗が大きい。従って、この場合、電気特性及び伝送特性、特には高周波帯域における伝送特性に優れたＬＣフィルタを実現することは難しい。

　これに対し、上述したソレノイドコイル１１０では、第１導体路２０Ａと第３導体路７０Ｂとの接続部は、図２を参照しながら説明した構造を有している。図２の構造では、第１導体層２０と第２導体層７０との接続抵抗が小さい。それ故、ソレノイドコイル１１０では、第１導体路２０Ａと第３導体路７０Ｂとの接続抵抗が小さい。従って、このソレノイドコイル１１０は、コンデンサ３０と組み合わせた場合に、電気特性及び伝送特性に優れたＬＣフィルタを実現し得る。

　ソレノイドコイル１１０は、第１導体層２０の一部と第２導体層７０の一部とによって構成されている。同様の構造を有するソレノイドコイルは、第１導体層２０の一部と導体層５０の一部とによって構成することができ、第２導体層７０の一部と導体層９０の一部とによって構成することもできる。

　＜１．５．３＞厚さＴ１乃至Ｔ３
　図１７は、第４変形例に係る配線基板の一部を示す断面図である。第４変形例に係る配線基板は、厚さＴ１乃至Ｔ３が後述する関係を満たしていること以外は、上記の配線基板１と同様である。

　図１乃至図１１を参照しながら説明した方法では、第１０工程において、第２銅層７４を形成し、次いで、これとガラス基板１０とを含んだ複合体の第２銅層７４側の面全体をエッチングして、シード層７３の露出部を除去する。このエッチングを行うと、第２銅層７４の表面領域も除去される。その結果、第２銅層７４のうち配線を構成する部分の厚さだけでなく、この部分の幅も減少する。それ故、第２銅層７４を厚く形成すると、第２導体層７０が含む配線の形状及び寸法精度が低下する。

　図２の構造では、密着層７２の厚さＴ１は、耐弗酸金属層２１の厚さＴ３と比較してより小さい。それ故、シード層７３は、密着層７２の厚さＴ１とシード層７３の厚さＴ２との合計Ｔ１＋Ｔ２が厚さＴ３以上になるように厚く形成する必要がある。

　これに対し、図１７の構造では、厚さＴ１は、耐弗酸金属層２１の厚さＴ３と比較してより大きい。密着層７２の厚さＴ１を、耐弗酸金属層２１の厚さＴ３と等しくするか又はこれよりも大きくすると、シード層７３の厚さＴ２を大きくすることなしに、密着層７２の厚さＴ１とシード層７３の厚さＴ２との合計Ｔ１＋Ｔ２を、耐弗酸金属層２１の厚さＴ３と等しくするか又はそれよりも大きくすることができる。即ち、第２導体層７０が含む配線の形状及び寸法精度が低下を抑制でき、それ故、これらに起因した電気特性の低下を抑制することができる。

　＜１．５．４＞銅層
　図１８は、第５変形例に係る配線基板の一部を示す断面図である。第５変形例に係る配線基板は、第２銅層７４に後述する構造を採用したこと以外は、上記の配線基板１と同様である。

　図２の構造では、第１貫通孔１２の位置で、第２銅層７４はシード層７３に対してコンフォーマルである。これに対し、図１８の構造では、側壁に密着層７２及びシード層７３が形成された第１貫通孔１２の全体を、第２銅層７４が埋め込んでいる。即ち、前者の構造はコンフォーマル形態であり、後者の構造はフィルド形態である。

　各ビアにおいて銅層には、コンフォーマル形態及びフィルド形態の何れを採用しても構わない。但し、フィルド形態を採用した場合、コンフォーマル形態を採用した場合と比較して、ガラス基板１０上に設けられた配線層と、このガラス基板に設けられたＴＧＶとの接続部の電気特性や伝送特性を向上させることができる。

　＜１．５．５＞耐弗酸金属層
　図１９は、第６変形例に係る配線基板の一部を示す断面図である。第６変形例に係る配線基板は、第１導体層２０に以下の構造を採用したこと以外は、上記の配線基板１と同様である。

　図２の構造では、第１貫通孔１２の位置で耐弗酸金属層２１に第２貫通孔を形成することにより、第１貫通孔１２の位置で第１導体層２０に凹部を形成している。これに対し、図１９の構造では、耐弗酸金属層２１は、第１貫通孔１２の位置に凹部を有している。この凹部が、第１導体層２０の凹部を構成している。

　図１３を参照しながら説明したエッチング残渣１０ＥＲを除去できれば、第１貫通孔１２の位置における耐弗酸金属層２１のエッチングは、耐弗酸金属層２１に貫通孔を生じる前に終了してもよい。図１９の構造を採用した場合、エッチング残渣１０ＥＲを確実に除去するには、耐弗酸金属層２１に設ける凹部の平均深さＤは、耐弗酸金属層２１のうち凹部を設けない部分の厚さＴ３の５０％以上とすることが好ましい。ここで、耐弗酸金属層２１に設ける凹部の平均深さＤは、第１貫通孔１２の中点を通る位置で割断した際の断面を電子顕微鏡で観察した時の、第１貫通孔１２の両側の第１面Ｓ１の端部を線で結び、その直上に位置する耐弗酸金属層２１の凹部との距離を凹部の深さとし、第１貫通孔１２の両側の第１面Ｓ１の端部間において、測定間隔を均等にして、最低１０点測定した値の平均によって得られる値である。

　また、耐弗酸金属層２１のうち第１貫通孔１２に対応した部分を完全には除去しない場合、耐弗酸金属層２１のうち第１貫通孔１２の位置に残留した部分は、上記の電気特性や伝送特性を低下させ得る。電気特性や伝送特性の観点では、平均深さＤは厚さＴ３の７０％以上とすることが好ましい。
耐弗酸金属層２１に貫通孔を生じる前にエッチングを終了した場合、エッチングに要する時間を短縮することができる。この効果を考慮した場合、平均深さＤは厚さＴ３の９０％以下とすることが好ましい。

　＜１．５．６＞他の変形例
　上記の配線基板１及びパッケージ化デバイスには、更に他の変形も可能である。
　例えば、図１の配線基板１は、第１面Ｓ１上に、層間絶縁膜４０と導体層５０との積層体を１つのみ含んでいる。第１面Ｓ１上には、この積層体を２以上積層してもよい。或いは、この積層体は、省略してもよい。

　同様に、図１の配線基板１は、第２面Ｓ２上に、層間絶縁膜８０と導体層９０との積層体を１つのみ含んでいる。第２面Ｓ２上には、この積層体を２以上積層してもよい。或いは、この積層体は、省略してもよい。

　＜２＞第２実施形態
　本発明の第２実施形態は、配線基板を以下の方法により製造すること以外は、第１実施形態と同様である。

　＜２．１＞配線基板の製造方法
　図２０は、本発明の第２実施形態に係る配線基板の製造方法における一工程を示す断面図である。図２１は、本発明の第２実施形態に係る配線基板の製造方法における他の工程を示す断面図である。

　第２実施形態に係る製造方法は、以下に説明するように、第１及び第２工程の代わりに第１３及び第１４工程を実施し、第６工程と第７工程との間に第１５工程を実施すること以外は、図１乃至図１１を参照しながら説明した製造方法と同様である。

　＜２．１．１＞第１３工程
　この方法では、先ず、第１面Ｓ１とその裏面である第２面Ｓ２とを有しているガラス基板１０を準備する。ガラス基板１０は、第１工程で使用するものよりも厚さが小さいものであることが好ましい。例えば、厚さ１３０μｍの無アルカリガラス板の表面から、超音波洗浄などで汚染物を除去して、ガラス基板１０を得る。なお、この段階のガラス基板１０は、パッケージ化デバイスが含むガラス基板１０と比較して、厚さ方向に垂直な方向の寸法がより大きな大判のガラス基板である。

　次に、図２０に示すように、第２面Ｓ２に、仮貼り用の接着剤１５２を介して第１支持体１５１を貼り合わせる。第１支持体１５１としては、例えば、薄板状のガラスキャリアを使用する。第１支持体１５１は、ガラス製ではなくてもよく、金属製や樹脂製などでもよい。第１支持体１５１の厚さは、ガラス基板１０の搬送性を鑑み、０．７ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内にあることが望ましい。第１支持体１５１の厚さは、ガラス基板１０の厚さに応じて適宜設定して構わない。

　＜２．１．２＞第１４工程
　次に、第１面Ｓ１から第２面Ｓ２へ向けてガラス基板１０へレーザ光を照射して、図２０に示すように、ガラス基板１０に１以上の改質部１１を形成する。改質部１１は、第１貫通孔に対応した位置に形成する。改質部１１は、第１面Ｓ１から第２面Ｓ２へ向けて、例えば、ガラス基板１０の厚さ方向へ伸びている。レーザ光量は、第１面Ｓ１から伸びた改質部１１が第２面Ｓ２まで到達するが、第１支持体１５１の第２面Ｓ２と向き合った面の裏面までは到達しないように調整することが望ましい。

　＜２．１．３＞第３乃至第６工程
　次いで、第１支持体１５１に支持させたガラス基板１０に対して、第３乃至６工程を順次実施する。これにより、図２１に示す構造を得る。

　＜２．１．４＞第１５工程
　その後、ガラス基板１０、第１導体層２０及び第２支持体１４１等を含んだ複合体から、第１支持体１５１と接着剤１５２とを除去する。

　＜２．１．５＞第７乃至第１２工程
　更に、ガラス基板１０及び第１導体層２０等を含んだ複合体に対して、第７乃至第１２工程を順次実施する。これにより、図１に示す配線基板１を得る。

　＜２．２＞効果
　第２実施形態は、第１実施形態と同様の効果を奏する。
　また、第２実施形態では、改質部１１を、第１面Ｓ１から伸び、第２面Ｓ２まで到達するように形成する。それ故、ガラス基板１０における改質部１１の長さにばらつきがない。従って、第２実施形態によれば、第１実施形態と比較して、第１貫通孔１２の径のばらつきを小さくすることが容易であり、より高い加工精度を達成できる。

　＜２．３＞変形例
　上記の製造方法、この製造方法によって得られる配線基板、及びこの配線基板を含んだパッケージ化デバイスには、例えば、第１実施形態において説明したのと同様の変形が可能である。

　＜３＞第３実施形態
　本発明の第３実施形態は、配線基板を以下の方法により製造すること以外は、第１実施形態と同様である。

　＜３．１＞配線基板の製造方法
　図２２は、本発明の第３実施形態に係る配線基板の製造方法における一工程を示す断面図である。図２３は、本発明の第３実施形態に係る配線基板の製造方法における他の工程を示す断面図である。

　第３実施形態に係る製造方法は、以下に説明するように、第２工程を省略し、第６工程と第７工程との間に第１６工程を実施すること以外は、図１乃至図１１を参照しながら説明した製造方法と同様である。

　＜３．１．１＞第１及び第３乃至第６工程
　先ず、第１工程を実施し、次いで、第２工程を実施することなしに、第３工程を実施する。第３工程では、先ず、図２２の構造を得る。図２２の構造は、改質部１１が設けられていないこと以外は、図４の構造と同様である。その後、第３工程における残りの処理を実施し、更に、第４乃至第６工程をこの順に実施する。以上のようにして、図２３の構造を得る。

　＜３．１．２＞第１６工程
　次に、第２面Ｓ２から第１面Ｓ１へ向けてガラス基板１０へレーザ光を照射して、図７に示すように、ガラス基板１０に１以上の改質部１１を形成する。改質部１１は、第１貫通孔に対応した位置に形成する。改質部１１は、第１面Ｓ１から第２面Ｓ２へ向けて、例えば、ガラス基板１０の厚さ方向へ伸びている。レーザ光量は、第１面Ｓ１から伸びた改質部１１が第２面Ｓ２まで到達しないように調整することが望ましい。レーザ光の照射条件は、例えば、第２工程と同様とすることができる。

　＜３．１．３＞第７乃至第１２工程
　更に、ガラス基板１０及び第１導体層２０等を含んだ複合体に対して、第７乃至第１２工程を順次実施する。これにより、図１に示す配線基板１を得る。

　＜３．２＞効果
　第３実施形態は、第１実施形態と同様の効果を奏する。

　＜３．３＞変形例
　上記の製造方法、この製造方法によって得られる配線基板、及びこの配線基板を含んだパッケージ化デバイスには、例えば、第１実施形態において説明したのと同様の変形が可能である。

　＜４＞第４実施形態
　本発明の第４実施形態は、配線基板を以下の方法により製造すること以外は、第１実施形態と同様である。

　＜４．１＞配線基板の製造方法
　図２４は、本発明の第４実施形態に係る配線基板の製造方法における一工程を示す断面図である。図２５は、本発明の第４実施形態に係る配線基板の製造方法における他の工程を示す断面図である。

　第４実施形態に係る製造方法は、以下に説明するように、第１工程の代わりに第１３工程を実施し、第２工程を省略し、第６工程と第７工程との間に第１７及び第１５工程をこの順に実施すること以外は、図１乃至図１１を参照しながら説明した製造方法と同様である。

　＜４．１．１＞第１３及び第３乃至第６工程
　先ず、第１工程の代わりに第１３工程を実施し、次いで、第２工程を実施することなしに、第３工程を実施する。第３工程では、先ず、図２４の構造を得る。図２４の構造は、改質部１１が設けられておらず、第１面Ｓ１に耐弗酸金属層２１及びシード層２３がこの順に形成されていること以外は、図２０の構造と同様である。その後、第３工程における残りの処理を実施し、更に、第４乃至第６工程をこの順に実施する。以上のようにして、図２５の構造を得る。

　＜４．１．２＞第１７工程
　次に、第２面Ｓ２から第１面Ｓ１へ向けてガラス基板１０へレーザ光を照射して、図２１に示すように、ガラス基板１０に１以上の改質部１１を形成する。改質部１１は、第１貫通孔に対応した位置に形成する。改質部１１は、第１面Ｓ１から第２面Ｓ２へ向けて、例えば、ガラス基板１０の厚さ方向へ伸びている。レーザ光量は、第１面Ｓ１から伸びた改質部１１が第２面Ｓ２まで到達しないように調整することが望ましい。レーザ光の照射条件は、例えば、第２工程と同様とすることができる。

　＜４．１．３＞第１５及び第７乃至第１２工程
　次いで、第１５工程を実施して、ガラス基板１０、第１導体層２０及び第２支持体１４１等を含んだ複合体から、第１支持体１５１と接着剤１５２とを除去する。　
　その後、ガラス基板１０及び第１導体層２０等を含んだ複合体に対して、第７乃至第１２工程を順次実施する。これにより、図１に示す配線基板１を得る。

　＜４．２＞効果
　第４実施形態は、第１及び第２実施形態と同様の効果を奏する。

　＜４．３＞変形例
　上記の製造方法、この製造方法によって得られる配線基板、及びこの配線基板を含んだパッケージ化デバイスには、例えば、第１実施形態において説明したのと同様の変形が可能である。

　以下に、本発明に関連して行った試験について記載する。

　＜試験１＞
　図２の構造、図１９の構造、及び図１３の構造の各々について、第１導体層２０が含む配線層と第２導体層７０が含む配線層との間の電気抵抗値と、貫通電極の長さとの関係を調べた。各層の厚さは、これら構造間で互いに等しくした。密着層７２の厚さＴ１とシード層７３の厚さＴ２との合計Ｔ１＋Ｔ２は、耐弗酸金属層２１の厚さＴ３と比較してより大きくした。また、図１９の構造については、耐弗酸金属層２１に設ける凹部の平均深さＤを、耐弗酸金属層２１のうち凹部を設けない部分の厚さＴ３の４０％とした場合の上記関係を調べるとともに、平均深さＤを厚さＴ３の７０％とした場合の上記関係を調べた。以下の表１に結果を示す。

　表１において、「エッチング率」は、厚さＴ３に対する平均深さＤの比を表している。即ち、エッチング率が１００％である構造は図２の構造であり、エッチング率が０％である構造は図１３の構造であり、エッチング率が４０％又は７０％である構造は図１９の構造である。また、「抵抗低減率」は、エッチング率が０％の場合の電気抵抗値に対する電気抵抗値の低減率である。

　表１に示すように、貫通電極の長さに関わらず、エッチング率を大きくするのに応じて、抵抗低減効果が高くなった。また、貫通電極の長さが短いほど、エッチング率の増大に伴う抵抗低減効果が高かった。

　＜試験２＞
　図１６のソレノイドコイル１１０を内蔵し、コンデンサ３０とソレノイドコイル１１０とがＬＣフィルタを構成したこと以外は図１に示す配線基板１と同様の構造を有する配線基板について、コンデンサ３０及びソレノイドコイル１１０のＱ値と、ＬＣフィルタの共振周波数のＳパラメータＳ２１とを調べた。ここでは、貫通電極の長さ、即ち、第１貫通孔１２の長さは１００μｍとした。また、上記のエッチング率を７５％、５０％及び０％としたこと以外は、上記と同様の配線基板についても、コンデンサ３０及びソレノイドコイル１１０のＱ値と、ＬＣフィルタの共振周波数のＳパラメータＳ２１とを調べた。以下の表２に結果を示す。

　表２において、「Ｑ値増加率」は、エッチング率が０％の場合のＱ値に対するＱ値の増加率である。また、「Ｓ２１値低減率」は、エッチング率が０％の場合のＳ２１値に対するＳ２１値の低減率である。

　表２に示すように、エッチング率を大きくするのに応じてコンデンサ３０及びソレノイドコイル１１０のＱ値は大きくなり、エッチング率の増大に伴うＱ値向上効果は、エッチング率が大きいほど高かった。また、ＬＣフィルタのＳ２１値は、エッチング率を大きくするのに応じて低下しており、エッチング率の増大に伴うフィルタ特性向上効果は、エッチング率が大きいほど高かった。

　＜試験３＞
　図１及び図２を参照しながら説明した配線基板１を５０個製造した（エッチング率１００％）。これら配線基板１について、ガラス基板１０上に設けられた配線層と貫通電極との間の接続信頼性を調べた。具体的には、配線基板１の各々を熱冷衝撃試験機に取り付けて、－４０℃から＋１２５℃まで配線基板の雰囲気温度を変動させるサイクルを１０００回繰り返した。その後、上記配線層と貫通電極との間の導通確認を行った。上記配線層と貫通電極との間の導通は、第１導体層２０が含む配線層と第２導体層７０が含む配線層との間の電気抵抗をテスターで測定することにより行った。

　また、図２の構造の代わりに図１９の構造を採用したこと以外は上記と同様の配線基板を５０個製造した。ここでは、上記のエッチング率は７０％とした。これらについても、上記と同様の方法により、ガラス基板１０上に設けられた配線層と貫通電極との間の接続信頼性を調べた。

　更に、図２の構造の代わりに図１３の構造を採用したこと以外は上記と同様の配線基板を５０個製造した（エッチング率０％）。これらについても、上記と同様の方法により、ガラス基板１０上に設けられた配線層と貫通電極との間の接続信頼性を調べた。

　その結果、図１３の構造を採用した配線基板（エッチング率０％）では、３０％の頻度で導通不良を生じた。これに対し、図１９の構造を採用した配線基板（エッチング率７％０）では、導通不良の頻度は３％以下であった。また、図２の構造を採用した配線基板（エッチング率１００％）では、導通不良の頻度は１％以下であった。

　＜試験４＞
　（例１）
　図１及び図２を参照しながら説明した配線基板１を５０個製造した（エッチング率１００％）。ここでは、密着層７２の厚さＴ１は６０ｎｍとし、シード層７３の厚さＴ２は３００ｎｍとし、耐弗酸金属層２１の厚さＴ３は５０ｎｍとした。これら配線基板１について、ガラス基板１０上に設けられた配線層と貫通電極との間の導通確認を行った。上記配線層と貫通電極との間の導通は、第１導体層２０が含む配線層と第２導体層７０が含む配線層との間の電気抵抗をテスターで測定することにより行った。

　（例２）
　厚さＴ３を１００ｎｍへ変更したこと以外は、例１において製造したのと同様の配線基板１を５０個製造した。これら配線基板１についても、例１と同様の方法により、ガラス基板１０上に設けられた配線層と貫通電極との間の導通確認を行った。

　（例３）
　厚さＴ２を１００ｎｍへ変更し、厚さＴ３を５０ｎｍへ変更したこと以外は、例１において製造したのと同様の配線基板１を５０個製造した。これら配線基板１についても、例１と同様の方法により、ガラス基板１０上に設けられた配線層と貫通電極との間の導通確認を行った。

　（例４）
　厚さＴ２を１００ｎｍへ変更し、厚さＴ３を１００ｎｍへ変更したこと以外は、例１において製造したのと同様の配線基板１を５０個製造した。これら配線基板１についても、例１と同様の方法により、ガラス基板１０上に設けられた配線層と貫通電極との間の導通確認を行った。

　（比較例）
　厚さＴ２を１００ｎｍへ変更し、厚さＴ３を２００ｎｍへ変更したこと以外は、例１において製造したのと同様の配線基板を５０個製造した。これら配線基板についても、例１と同様の方法により、ガラス基板１０上に設けられた配線層と貫通電極との間の導通確認を行った。

　（結果）
　以下の表３に結果を示す。

　表３において、「Ｙ」は不等式に示す関係を満たしていることを表し、「Ｎ」は不等式に示す関係を満たしていないことを表している。また、「合格率」は、配線基板の総数（５０個）に占める、導通不良を全く生じなかった配線基板の数の割合を表している。

　表３に示すように、厚さＴ１と厚さＴ２との合計Ｔ１＋Ｔ２が、厚さＴ３と等しいか又はそれよりも大きい場合、合計Ｔ１＋Ｔ２が厚さＴ３よりも小さい場合と比較して、遥かに高い合格率を達成できた。そして、厚さＴ１と厚さＴ３との合計Ｔ１＋Ｔ３と比較して厚さＴ２をより大きくした場合、１００％の合格率を達成できた。

　１…配線基板、２…機能デバイス、３…チップ部品、４…接合用導体、５…接合用導体、１０…ガラス基板、１０ＥＲ…エッチング残渣、１１…改質部、１２…第１貫通孔、２０…第１導体層、２０Ａ…第１導体路、２１…耐弗酸金属層、２２…密着層、２３…シード層、２４…第１銅層、３０…コンデンサ、３１…誘電体層、３２…上部電極、４０…層間絶縁膜、５０…導体層、５３…シード層、５４…銅層、６０…絶縁層、７０…第２導体層、７０Ａ…第２導体路、７０Ｂ…第３導体路、７２…密着層、７３…シード層、７４…第２銅層、８０…層間絶縁膜、９０…導体層、９３…シード層、９４…銅層、１００…絶縁層、１１０…ソレノイドコイル、１４１…第２支持体、１４２…接着剤、１５１…第１支持体、１５２…接着剤、Ｓ１…第１面、Ｓ２…第２面、ＵＣ…アンダーカット。

Claims (14)

1. 　第１面とその裏面である第２面とを有し、前記第１面から前記第２面まで各々が伸びた１以上の第１貫通孔が設けられたガラス基板と、
   　前記第１面と向き合った第１銅層と、前記第１銅層と前記ガラス基板との間に介在した耐弗酸金属層とを含み、前記１以上の第１貫通孔の前記第１面側の開口を覆った第１導体層であって、前記ガラス基板側の面は前記１以上の第１貫通孔の位置に凹部を有し、前記凹部の各々の開口の輪郭は、これに対応した前記第１貫通孔の前記第１面側の前記開口より大きく且つこれを取り囲んだ第１導体層と、
   　前記１以上の第１貫通孔の側壁、前記凹部の内面、及び前記第２面のうち前記１以上の第１貫通孔の前記第２面側の開口を取り囲んだ領域を被覆した密着層と、前記密着層上に設けられたシード層と、前記シード層上に設けられた第２銅層とを含んだ第２導体層とを備え、
   　前記密着層の厚さＴ１と前記シード層の厚さＴ２との合計Ｔ１＋Ｔ２は、前記耐弗酸金属層の厚さＴ３と等しいか又はそれよりも大きい配線基板。
2. 　前記耐弗酸金属層には前記１以上の第１貫通孔の位置に１以上の第２貫通孔がそれぞれ設けられ、前記１以上の第２貫通孔は、前記第１導体層の前記ガラス基板側の前記面に前記凹部を形成している請求項１に記載の配線基板。
3. 　前記厚さＴ１は、前記厚さＴ３と等しいか又はそれよりも大きい請求項１又は２に記載の配線基板。
4. 　前記厚さＴ２は、前記厚さＴ１と前記厚さＴ３との合計Ｔ１＋Ｔ３と等しいか又はそれよりも大きい請求項１乃至３の何れか１項に記載の配線基板。
5. 　前記厚さＴ２は０．５μｍ以下である請求項１乃至４の何れか１項に記載の配線基板。
6. 　前記厚さＴ１は１０ｎｍ乃至０．５μｍの範囲内にあり、前記厚さＴ２は１００ｎｍ乃至０．５μｍの範囲内にあり、前記厚さＴ３は１０ｎｍ乃至０．５μｍの範囲内にある請求項１乃至５の何れか１項に記載の配線基板。
7. 　前記第１導体層上に設けられた誘電体層と、前記誘電体層上に設けられた上部電極とを更に備え、前記第１導体層のうち前記上部電極と向き合った部分は下部電極であり、前記上部電極と前記誘電体層と前記下部電極とはコンデンサを構成している請求項１乃至６の何れか１項に記載の配線基板。
8. 　前記下部電極は、前記１以上の第１貫通孔の少なくとも１つの前記第１面側の前記開口を覆っている請求項７に記載の配線基板。
9. 　前記第１導体層上に設けられた誘電体層と、前記誘電体層上に設けられた上部電極とを更に備え、前記第１導体層のうち前記上部電極と向き合った部分は下部電極であり、前記上部電極と前記誘電体層と前記下部電極とはコンデンサを構成し、
   　前記１以上の第１貫通孔は複数の第１貫通孔であり、前記第１導体層の一部と前記第２導体層の一部とはソレノイドコイルを構成し、
   　前記コンデンサと前記ソレノイドコイルとはＬＣフィルタを構成している請求項１乃至６の何れか１項に記載の配線基板。
10. 　インターポーザである請求項１乃至９の何れか１項に記載の配線基板。
11. 　第１面とその裏面である第２面とを有しているガラス基板を準備することと、
    　前記ガラス基板へレーザ光を照射して、前記ガラス基板に１以上の改質部を形成することと、
    　前記第１面上に、前記第１面と向き合った第１銅層と、前記第１銅層と前記ガラス基板との間に介在した耐弗酸金属層とを含んだ第１導体層を、前記１以上の改質部を覆うように形成することと、
    　弗化水素を含んだエッチング液で前記第２面をエッチングして、前記第２面を後退させるとともに、前記１以上の改質部の位置に１以上の第１貫通孔をそれぞれ形成することと、
    　前記耐弗酸金属層のうち前記１以上の第１貫通孔内で露出した部分をウェットエッチングに供して、前記第１導体層の前記ガラス基板側の面に凹部を形成することと、
    　前記１以上の第１貫通孔の側壁、前記凹部の内面、及び前記第２面を被覆した密着層を形成することと、
    　前記密着層上にシード層を形成することと、
    　前記シード層上に第２銅層を形成することと
    を含み、
    　前記密着層と前記シード層と前記耐弗酸金属層とは、前記密着層の厚さＴ１と前記シード層の厚さＴ２との合計Ｔ１＋Ｔ２が、前記耐弗酸金属層の厚さＴ３と等しいか又はそれよりも大きくなるように形成する配線基板の製造方法。
12. 　前記ガラス基板への前記レーザ光の照射に先立ち、前記ガラス基板を第１支持体に、前記第２面が前記第１支持体と向き合うように支持させることと、
    　前記第１導体層を形成した後であって、前記１以上の第１貫通孔を形成する前に、前記ガラス基板から前記第１支持体を除去することと
    を更に含んだ請求項１１に記載の配線基板の製造方法。
13. 　前記耐弗酸金属層への前記ウェットエッチングは、前記耐弗酸金属層に１以上の第２貫通孔が形成されるように行う請求項１１又は１２に記載の配線基板の製造方法。
14. 　前記第１導体層を形成した後であって、前記１以上の第１貫通孔を形成する前に、前記ガラス基板と前記第１導体層とを含んだ複合体を、第２支持体に、前記第１導体層が前記第２支持体と向き合うように支持させることを更に含んだ請求項１１乃至１３の何れか１項に記載の配線基板の製造方法。

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