AT212881B - Verfahren zur Einführung einer die Leitfähigkeitstype bestimmenden Verunreinigung in einen Siliziumkörper - Google Patents

Verfahren zur Einführung einer die Leitfähigkeitstype bestimmenden Verunreinigung in einen Siliziumkörper

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1257989B (de) * 1964-07-09 1968-01-04 Telefunken Patent Verfahren zum Herstellen eines Silizium-Halbleiterkoerpers fuer eine Sonnenzelle
DE1268117B (de) * 1961-02-20 1968-05-16 Philips Nv Verfahren zum Eindiffundieren von Bor in einen Halbleiterkoerper
DE1289196B (de) * 1961-12-13 1969-02-13 Ibm Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterkoerpers fuer Halbleiterbauelemente durch Ausdiffusion von Dotierungsmaterial

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DE1289196B (de) * 1961-12-13 1969-02-13 Ibm Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterkoerpers fuer Halbleiterbauelemente durch Ausdiffusion von Dotierungsmaterial
DE1257989B (de) * 1964-07-09 1968-01-04 Telefunken Patent Verfahren zum Herstellen eines Silizium-Halbleiterkoerpers fuer eine Sonnenzelle

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