AT243862B - Schaltungsanordnung zur Begrenzung des Wirkungsbereiches einer Frequenzregulierung bei Oszillatoren - Google Patents

Schaltungsanordnung zur Begrenzung des Wirkungsbereiches einer Frequenzregulierung bei Oszillatoren

Info

Publication number
AT243862B
AT243862B AT670764A AT670764A AT243862B AT 243862 B AT243862 B AT 243862B AT 670764 A AT670764 A AT 670764A AT 670764 A AT670764 A AT 670764A AT 243862 B AT243862 B AT 243862B
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
transistor
voltage
circuit arrangement
potential
resistor
Prior art date
Application number
AT670764A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Siemens Ag Albis
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag Albis filed Critical Siemens Ag Albis
Application granted granted Critical
Publication of AT243862B publication Critical patent/AT243862B/de

Links

Landscapes

  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Description


   <Desc/Clms Page number 1> 
 



  Schaltungsanordnung zur Begrenzung des Wirkungsbereiches einer Frequenzregulierung bei Oszillatoren 
 EMI1.1 
 

 <Desc/Clms Page number 2> 

 sind drei unterschiedliche Ausführungsformen in den Fig.   2-4   dargestellt. 



   In Fig. 2 wird die Fehlerspannung aus dem Verstärker 6 dem Eingang E zugeführt. Am Ausgang A wird die begrenzte Fehlerspannung abgenommen. Zwischen dem Eingang E und dem positiven Pol einer Spannungsquelle liegt ein erster Spannungsteiler   R2 - R3.   Der gemeinsame Punkt dieser Widerstände   R2 - R3 ist auf den Emitter eines Transistors Tl geftihrtund über eine Diode   G2 mit einem Spannungsteiler   R7 - R8 zwischen dem positiven Pol der Spannungsquelle und Masse verbunden.   Zwischen dem Eingang E   und dem positiven Pol der Spannungsquelle liegt ein zweiter Spannungsteiler R5 - R6,   der an   die Basis des Transistors Tl geführt und über die Diode Gl mit dem Spannungsteiler R7 - R8     verbunden ist.

   Der Kollektor des Transistors Tl ist mit der Basis eines Transistors   T2 verbunden und erhält das negative Potential über einen Widerstand R4 vom negativen Pol der Spannungsquelle. Zwischen dem Eingang E und dem Kollektor des Transistors T2 liegt ein Widerstand R1. Der Emitter dieses Transistors T2 ist an Masse geschaltet. Der Ausgang A ist mit dem Kollektor des Transistors T2 verbunden. 
 EMI2.1 
 Eingang E wird der Transistor Tl gesperrt. 



   In einem angenommenen Beispiel seien diese Grenzspannungen +3 und -3 V, die positive Quellenspannung +20 V, der Widerstand R7 1   k#   und der Widerstand R8 2   k.   Am Spannungsteilerabgriff liegt ein Potential von +6, 6V. Steigt das Potential am Eingang E über +3V, so wird das Basispotential über den Spannungsteiler R5 - R6 mit den Werten 10 kQ und 33   M   auf +7 V angehoben. Das Emitterpotential steigt wegen des Spannungsabfalles an der Diode G2 von +6,6 V auf +7 V, wodurch der Transistor Tl sperrt. Sinkt hingegen das Potential am Eingang E unter-3 V, so wird das Emitterpotential über den Spannungsteiler   R2 - R3   mit den Werten 20   kss   und 30   kfa   auf +6, 2 V abgesenkt.

   Durch die Wirkung der Diode G1 bleibt das Basispotential auf +6, 2 V, womit der Transistor   Tl   ebenfalls gesperrt ist. 



   Beisperrendem Transistor T1 wird das Basispotential des Transistors T2 negativ und der Transistor T2 leitet. Durch den leitenden Transistor T2 wird der Ausgang A mit Masse verbunden. 



     Bei leitendem Transistor Tl ist die Basis des Transistors   T2 positiv, wodurch dieser Transistor 
 EMI2.2 
 
Eingang Eist tiber den Schutzwiderstand R1 mit dem AusgangFig. 2. Die Steuerung des Transistors T3 erfolgt durch einen Differenzverstärker, gebildet aus den Transistoren   Tl   und T2. Beide Transistoren Tl und T2 werden basisseitig über Spannungsteiler   R2 - R3   und   R5 - R6   gesteuert. Diese Spannungsteiler sind derart dimensioniert, dass innerhalb der Grenzspannungen der Transistor Tl leitet und der Transistor T2 sperrt. Wird das Potential am Eingang 
 EMI2.3 
 negativer als die untere Grenzspannung, so wird das Potential an der Basis des Transistorswodurch der Transistor T2 leitet. Der leitende Transistor T2 bewirkt, dass das Emitterpotential   kleiner wird.

   Das Potential an der Basis des Transistors Tl wird durch die Diode   G2 festgehalten, und durch das kleinere Emitterpotential sperrt der Transistor Tl. 



   Steigt das Potential am Eingang E über die obere Grenzspannung, so steigt das Basispotential am Transistor Tl. Das Potential an der Basis des Transistors T2 wird über die Diode G1 auf einem 
 EMI2.4 
    den Spannungsteiler R7 - RB gegebenen Wert festgehalten und damit die Emitterspannung begrenzt.in     der Weise, dass beim Über- und Unterschreiten der Grenzspannungen der Ausgang   A auf Masse kurzgeschlossen wird. 



   In einzelnen Fällen ist dieses Kurzschliessen unerwünscht. Selbstverständlich kann der Schalttransistor auch in der Weise angeschlossen werden, dass die Verbindung zwischen Eingang und Ausgang unterbrochen ist. 



   In Fig. 4 ist eine derartige Schaltungsanordnung unter Verwendung der Schaltungsanordnung gemäss Fig. 2 gezeigt. Der Unterschied in der Wirkungsweise liegt darin, dass gemäss Fig. 4 der Transistor Tl infolge der Bemessung der Spannungsteiler   R2 - R3   und   R5 - R6   innerhalb der Grenzspannungen gesperrt ist. Die Dioden G1 und G2 sind umgekehrt gepolt als diejenigen in der Fig. 2. Der Schalttransistor T2 arbeitet in gleicher Weise wie bei der Anordnung gemäss Fig. 2. Bei unterbrochener Leitung zwischen 

 <Desc/Clms Page number 3> 

 dem Eingang E und dem Ausgang A ist der Ausgang über den Widerstand R10 auf Massepotential geschaltet. 



   Fig. 5 zeigt ein erstes Anwendungsbeispiel der Erfindung mit der Schaltungsanordnung gemäss Fig. 3. 



  Die Reflektorspannung für das Klystron K wird einem Wechselstromnetz über einen Gleichrichter mit einem Transformator W und einer Gleichrichterschaltung B mit dem Ladekondensator    C   entnommen. Mit einer Entladungslampe S wird nach dem Widerstand R12 die gleichgerichtete Spannung aus dem Gleichrichter B stabilisiert.   Der Widerstand Rll ist ein Potentiometer, von dem der abge-   
 EMI3.1 
 
Teil mit dem Kondensatorzugeführt. Es hat sich gezeigt, dass,   wenn die RegelspÅannung einen Wert von + 2 bis l 3 V erreicht,   der Hohlraumresonator bei 10 GHz um etwa 5 MHz von der Modusmitte verstimmt ist. Eine Regulierung durch Verändern der Reflektorspannung ist bei einer derartigen Verstimmung bekanntlich nicht zulässig.

   Beim 
 EMI3.2 
 durch die Spannungsteiler R2 -R3 und R5 - R6 eingestellten Spannung wird der Tran-sistor T3 leitend und legt den positiven Pol des Gleichrichters B auf Masse. Der Klystronoszillator schwingt damit auf einer Frequenz, die durch den Hohlraumresonator und durch die am Widerstand Rll abgegriffene Spannung festgelegt wurde. 



     Wird der Hohlraum nachgestimmt, so wird der Transistor   T3 erst wieder gesperrt, wenn am Eingang E die Regelspannung zwischen die Grenzen zu liegen kommt. Damit wird automatisch das Klystron auf die Modusmitte abgestimmt, und erst dann setzt die Regelung der Reflektorspannung wieder ein. 



   Selbstverständlich könnte durch den Transistor T3 an Stelle des Kurzschliessens eine Nachlaufsteuerung eingeschaltet werden, die nun den Hohlraum und den Widerstand Rll mit der Regelspannung auf Fehlerspannung 0 V abstimmt. 



   In Fig. 6 ist die Anwendung der Schaltungsanordnung gemäss Fig. 3 in einem LC-Oszillator dargestellt. 



  Der Oszillatorschwingkreis besteht aus der Spule L und dem Kondensator C5. Die Regelung ist über die Kondensatoren C3 und C4 an den Schwingkreis angekoppelt. Parallel zum Kondensator C5 liegt eine Kapazitätsdiode C6. Mit dem Spannungsteiler, bestehend aus dem Widerstand R13 und der Zenerdiode Z, ist die Kapazitätsdiode C6 über den Widerstand R14 negativ vorgespannt. Die Regelspannung vom Eingang E wird über die Widerstände Rl und R15 der Kapazitätsdiode C6 zugeführt. Bei   Über- und   Unterschreiten der Grenzspannungen wird die Regelspannung mit dem Transistor T3 auf Masse kurzgeschlossen. 



   Wenn angenommen wird, der Schwingkreis mit der Spule L und dem Kondensator C5 sei der Oszillatorschwingkreis eines Radioempfängers für Ultrakurzwellen (UKW), so wirkt die Schaltungsanordnung wie eine Abschaltautomatik. Die Regelung wird erst eingeschaltet, wenn der Schwingkreis auf die Mitte des Bereiches abgestimmt ist. Die Grenzspannungen können auf den Kanalabstand eingestellt werden,   d. h.   die Regelung wirkt bis zu einer   Frequenzänderung   von   300 kHz.   



    PATENTANSPRÜCHE :    
1. Schaltungsanordnung zur Begrenzung des Wirkungsbereiches einer Frequenzregulierung bei Oszillatoren, wobei eine zur Frequenzabweichung proportionale Regelspannung erzeugt wird, die ausserhalb des festgelegten Wirkungsbereiches abgeschaltet wird, gekennzeichnet durch einen Transistor (T1), dessen Basis-und Emittervorspannungen in an sich   bekannterWeisedurchDioden (G1, G2)   begrenzt werden, dem die Regelspannung über Spannungsteiler (R2,   R3,   R5, R6) der Basis und dem Emitter zugeführt wird, wobei die Spannungsteiler derart dimensioniert sind, dass bei Unterschreiten der negativen Bereichgrenze die Emitterspannung gleich gross wie die Basisvorspannung und bei Überschreiten der positiven Bereichgrenze die Basisspannung gleich gross wie die Emittervorspannung wird,

   und dass-der Kollektorstrom einen elektronischen Schalter (T2) steuert, der die Regelspannung ausserhalb der Grenzen abschaltet (Fig. 2).

Claims (1)

  1. 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der elektronische Schalter (T2) die Regelspannung unterbricht und dass der Regeleingang über einen Widerstand (R10) auf Massepotential festgehalten wird (Fig. 4).
    3. SchaltungsanordnungnachAnspruchl, dadurch gekennzeichnet, dassan Stelle des einen Transistors ein Differenzverstärker (Tl, T2) verwendet ist, bei dem die Regelspannung an die Basis jedes <Desc/Clms Page number 4> transistors geführt und das Emitterpotential über einen Widerstand (R9) aus einer positiven Spannungsquelle bezogen wird (Fig. 3).
AT670764A 1963-12-20 1964-08-04 Schaltungsanordnung zur Begrenzung des Wirkungsbereiches einer Frequenzregulierung bei Oszillatoren AT243862B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH243862X 1963-12-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
AT243862B true AT243862B (de) 1965-12-10

Family

ID=4463859

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT670764A AT243862B (de) 1963-12-20 1964-08-04 Schaltungsanordnung zur Begrenzung des Wirkungsbereiches einer Frequenzregulierung bei Oszillatoren

Country Status (1)

Country Link
AT (1) AT243862B (de)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1791025A1 (de) Steuerbare,elektrische Impedanz
DE743025C (de) Schaltungsanordnung zur Regelung des UEbertragungsmasses mit Hilfe gesteuerter, nichtlinearer Regelwiderstaende
AT243862B (de) Schaltungsanordnung zur Begrenzung des Wirkungsbereiches einer Frequenzregulierung bei Oszillatoren
DE2623398C2 (de) Sinusoszillator mit veränderbarer Frequenz aus einer Transistor-Verstärkerschaltung
DE1231312B (de) Schaltungsanordnung zur Begrenzung des Wirkungsbereiches einer Frequenzregulierung bei Oszillatoren
DE1274676B (de) Oszillatorschaltung mit einem Transistor
DE2358695C2 (de) Automatischer Frequenznachstimmkreis
DE1762025B1 (de) Schaltungsanordnung mit erweitertem Synchronisierbereich zur Synchronisierung eines Oszillators mit einer Wechselspannung
DE2038435A1 (de) Oszillator
DE953270C (de) Oszillatorschaltung mit Transistor
DE632327C (de) Roehrenschaltung unter Verwendung einer Roehre mit mehreren Gittern
DE2003656A1 (de) Transistoroszillator fuer einen grossen Frequenzbereich mit konstanter Amplitude
DE654205C (de) Schwingungserzeuger zur Erzeugung mehrerer kristallstabilisierter Frequenzen
AT240908B (de) Schaltungsanordnung zur Änderung der Oszillatorfrequenz bei UHF-Tunern
AT243853B (de) Schaltungsanordnung zur Frequenzteilung und Frequenzvervielfachung
AT147743B (de) Schaltung zur Erzeugung eines Dreieckstromes oder einer Dreieckspannung.
AT143001B (de) Überlagerungsempfangsschaltung mit einer zum Gleichrichten der empfangenen Schwingungen und gleichzeitig zur Erzeugung der örtlichen Schwingungen dienenden Mehrgitterröhre.
DE909840C (de) Anordnung zur Erzeugung von Wechselspannungen mit einstellbarer, von der jeweiligen Frequenz moeglichst unabhaengiger, gegenseitiger Phasenverschiebung
AT154242B (de) Radioempfangschaltung mit Kathodenstrahlanzeiger.
DE696188C (de) Schaltungsanordnung fuer selbsttaetigen Fadingausgleich
DE2051135A1 (de) Transistorisierter Sinus-Oszillator
AT230955B (de) Transistorzeitbasis für Niederfrequenz-Oszillographen
DE895937C (de) Phasendrehgeraet
DE2303988C3 (de) Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer hohen Gleichspannung aus einer niedrigen Gleichspannung
AT157221B (de) Einrichtung zur Regelung der Bandbreite eines Bandfilters in Empfängern.