AT247938B - Druckabhängige Halbleiteranordnung - Google Patents

Description

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  Druckabhängige Halbleiteranordnung 
Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung, insbesondere vom Planartyp, mit wenigstens einem pn-Übergang, auf die mittels einer harten Spitze ein Druck ausgeübt wird, wobei im Falle eines Wech- seldrucks die Spitze mit einem konstanten Vordruck beaufschlagt ist. 



   Anordnungen dieser Art sind beispielsweise durch den Aufsatz "Highly Sensitive Microphone Uses
Transistor as Base" in Bell Lab. Rec. Dezember   1962.,   S. 418 und 419, bekanntgeworden. 



   Durch die Erfindung wird gezeigt, wie bei Anordnungen dieser Art eine besonders hohe Empfindlichkeit bei einfachem konstruktivem Aufbau erzielt werden kann. Die erfindungsgemässe Halbleiteranordnung ist dadurch gekennzeichnet, dass ein Block aus Halbleitermaterial einerseits die eine Zone eines an einer Stelle des Blocks liegenden pn-Gleichrichters bildet, auf den die Spitze einwirkt, und der Block anderseits die Kollektorzone eines an einer andern Stelle des Blocks liegenden Transistors bildet, wobei die andere Zone des Gleichrichters mit der Basiszone des Transistors leitend verbunden ist. 



   Durch   die Verwendung eines besonderen pn-Überganges, der   nur für die Umsetzung von Druckschwankungen in Stromschwankungen vorgesehen ist, und dessen konstruktiver und elektrischer Kombination mit einem Transistor wird die Dimensionierung des pn-Überganges insofern erleichtert, als man dabei allein die optimale Druckempfindlichkeit zu berücksichtigen hat, ohne Rücksicht auf einen wünschenswerten Verstärkungseffekt nehmen zu müssen, der nämlich von dem separaten Transistor aufgebracht wird. Dieser ist jedoch den Druckschwankungen nicht ausgesetzt und braucht infolgedessen auf diese keine Rücksicht zu nehmen.

   Darüber hinaus bildet die erfindungsgemässe Anordnung ein kompaktes Bauelement, das sich noch dadurch besonders auszeichnet, dass es einen reinen Zweipol bildet, welcher mit der Emitterund der Kollektorelektrode seines Transistors direkt in einem Stromkreis mit der Wirkung eines steuerbaren Widerstandes eingefügt werden kann, wogegen bekannterweise Transistoren sonst mit einem zusätzlichen von aussen zugeführten Basisstrom betrieben werden müssen und infolgedessen also einen   Dreipcl   darstellen. 



   In den Zeichnungen sind Ausführungsbeispiele der Erfindung dargestellt. Es zeigen Fig.   l   eine Anordnung, bei welcher die Spitze etwa in der Mitte des pn-Gleichrichters aufliegt, Fig. 2 das dazugehöri-   ge Schaltbild und Fig. 3 ein Diagramm, aus   dem die Wirkungsweise der Schaltung hervorgeht, Fig. 4 zeigt eine Anordnung, bei der die Spitze am pn-Übergang des Gleichrichters aufliegt und Fig. 5 eine Anordnung, bei welcher die Basiszone des Transistors gleichzeitig die eine Zone des Gleichrichters bildet. 



   Bei der Anordnung gemäss   Fig. 1   ist auf eine Trägerplatte 1 mit der Elektrode 2 ein Block 3 aus Halbleitermaterial befestigt, hier vom n-Typ. Dieser Block 3 bildet sowohl die eine Zone eines pn-Gleichrichters, dessen p-leitende Zone mit 4 bezeichnet ist, als auch die Kollektorzone eines npn-Transistors, dessen p-leitende Basiszone mit 5 und dessen n-leitende Emitterzone mit 6 be- 
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