AT261942B - Elektronischer bi- oder multistabiler Schaltkreis - Google Patents

Elektronischer bi- oder multistabiler Schaltkreis

Info

Publication number
AT261942B
AT261942B AT566A AT566A AT261942B AT 261942 B AT261942 B AT 261942B AT 566 A AT566 A AT 566A AT 566 A AT566 A AT 566A AT 261942 B AT261942 B AT 261942B
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
winding
magnetization
windings
multivibrators
transistors
Prior art date
Application number
AT566A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Priority to AT566A priority Critical patent/AT261942B/de
Application granted granted Critical
Publication of AT261942B publication Critical patent/AT261942B/de

Links

Landscapes

  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)

Description


   <Desc/Clms Page number 1> 
 



  Elektronischer bi- oder multistabiler Schaltkreis 
In manchen Fällen ist es wünschenswert bzw. notwendig, mechanische Schrittschaltwerke durch bedeutend rascher ansprechende und rascher schaltende elektronische,   bi- oder   multistabile Schaltkrei- se zu ersetzen. Solche Schaltkreise werden   z. B.   in bestimmten Regelsystemen, besonders in Digital-
Analog-Konvertern und Analog-Digital-Konvertern mit Magnetspeichem benötigt. 



   Ganz allgemein tritt jedoch bei der Funktionsnachbildung mechanischer Schrittschaltwerke durch elektronische digitale Schaltungen das Problem auf, den Zustand der Schaltung, der bei einem allfälli- gen Ausfall oder bei einer Abschaltung der Versorgungsspannung geherrscht hat, bei der Wiederkehr bzw.
Wiedereinschaltung der Spannung richtig reproduzieren zu können. Ohne diese Fähigkeit ist nämlich die praktische Verwendbarkeit von elektronischen digitalen Schaltkreisen an Stelle von mechanischen
Schrittschaltwerken, die ihre Ruhestellung von selbst beibehalten, sehr beschränkt. 



   Die Erfindung betrifft einen elektronischen bi-oder multistabilen Schaltkreis mit Wiederherstellung des im Zeitpunkt einer Abschaltung der Energiezufuhr vorhandenen Schaltzustandes nach Wiederherstellung der Energiezufuhr, bei dem mindestens ein magnetisierbares Element mit rechteckförmiger Hyste-   reseschleife und mit zwei   einander entgegenwirkenden Magnetisierungswicklungen vorgesehen ist, wobei wenigstens mit Hilfe einer der Magnetisierungswicklungen eine während des Einschaltstosses zur Einnahme des wiederherzustellenden Schaltzustandes beitragende Asymmetrie des Schaltkreises herstellbar ist. 



   Es ist bereits bekannt, bei einer Einrichtung an bistabilen Halbleiterkippschaltungen einen sättigbaren
Transformator vorzusehen, der je nach Schaltzustand der Halbleiterkippschaltung in den einen oder andern Sättigungszustand übergeführt wird und der auf Grund der Hysterese eine der jeweiligen Ruhelage entsprechende Unsymmetrie bei Netzspannungsausfällen aufrecht erhält und nach Spannungswiederkehr den ursprünglichen Betriebszustand wieder herstellt. 



   Bei dieser Einrichtung kann es sich ungünstig auswirken, dass die Induktion des Transformators in der Umgebung des Remanenzpunktes eine nur geringe Abhängigkeit von der Feldstärke aufweist und daher bei Wiedereinschalten zunächst nur eine verhältnismässig kleine Induktivität zur Schaffung der erforderlichen Unsymmetrie zur Verfügung steht. 



   Auch bei verschiedenen andern bekannten bistabilen Kippstufen, bei denen mit Hilfe von Magnetkernen der ursprüngliche Betriebszustand nach Spannungswiederkehr wieder hergestellt wird, erfahren die Magnetkerne beim Wiedereinschalten der Betriebsspannung unabhängig von ihrem Magnetisierungszustand zunächst eine nur geringe Induktionsänderung, wobei die gewünschte Unsymmetrie erst im weiteren Verlauf des Einschaltvorganges voll wirksam wird. 



   Gemäss der Erfindung lässt sich der im Zeitpunkt der Abschaltung vorhandene Schaltzustand bi- oder multistabiler Schaltkreise dadurch mit besonders grosser Sicherheit wieder herstellen, dass das magnetisierbare Element nur mit Hilfe einer der Magnetisierungswicklungen im gesamten Querschnitt sättigbar und mittels der andern Wicklung nur in einem Teil des Querschnittes magnetisierbar ist, und dass wenigstens die eine, zur vollständigen Sättigung vorgesehene Magnetisierungswicklung des magnetisierbaren Elementes zur fallweisen Herstellung der Asymmetrie vorgesehen ist. 



   Ein derartiger Schaltkreis hat den Vorteil, dass er beim Wiedereinschalten mit Sicherheit vom ersten Moment an in Richtung zu der vor dem Ausschalten der Betriebsspannung vorhandenen Lage hin übergeführt werden kann. Als magnetisierbare Elemente können Magnetkerne, Magnetringe od. dgl. vorgesehen 

 <Desc/Clms Page number 2> 

 werden. 



   In weiterer Ausgestaltung der Erfindung wird der elektronische Schaltkreis derart ausgebildet, dass das magnetisierbare Element als Transfluxor ausgebildet ist, bei dem sich ein geschlossenes magneti- sches Joch an wenigstens einer Stelle in zwei Teiljoche aufteilt, und dass die eine Magnetisierungswick- lung als Blockierwicklung auf dem Joch und die andere Wicklung als Einstellwicklung auf einem der
Teiljoche angebracht ist. Durch diese Massnahmen ergibt sich der Vorteil, dass bei dem zur teilweisen
Magnetisierung des magnetisierbaren Elementes herangezogenen Strom keine besonderen Toleranzen eingehalten zu werden brauchen. 



   Es ist ferner zweckmässig, den elektronischen Schaltkreis derart auszubilden, dass die eine Magne- tisierungswicklung als Gegenkopplungsinduktivität, besonders in die Emitterleitungen von Transistoren bistabiler oder multistabiler Multivibratoren, geschaltet ist. 



   Weitere Details der Erfindung sind an Hand der angeschlossenen Zeichnungen im folgenden be- schrieben. Es zeigt die Fig. l der Zeichnungen eine typische rechteckförmige Hystereseschleife, wie sie z. B. bei sogenannten Transfluxoren auftritt, von denen einer schematisch in Fig. 2 dargestellt ist. 



   Die Fig. 3 zeigt den Aufbau eines mit Transistoren bestückten Multivibrators mit nur einem Speicher- element, wogegen die Fig. 4 die gleiche Schaltung, jedoch mit zwei in Gegentakt geschalteten Spei- cherelementen darstellt. Schliesslich ist aus der Fig. 5 der Aufbau eines Multivibrators mit vier stabilen
Zuständen zu ersehen, dem vier Speicher in der erfindungsgemässen Art zugeordnet sind. 



   Die Fig. l der Zeichnungen zeigt die Hystereseschleife eines Ferrit-Magnetkernes, der für die Impulszählung bzw. -speicherung geeignet ist. Über die Feldstärke H ist die Induktion B aufgetragen, wobei die remanenten Induktionen +Br   uns-bar   nahezu so gross wie die bei Sättigung auftretenden Induktionswerte sind. Bei remanenter Magnetisierung ist die Änderung dB/dH der Induktion nach der Feldstärke minimal (dB/dH min), wogegen im entmagnetisierten Zustand, also bei kleinen Induktionswerten   (BO),   die Änderung dB/dH (B = 0) gleich ist der Tangente an die Neukurve N im Ursprung und wesentlich grösser ist als dB/dH min. Eine Spule mit einem Magnetkern, der sich im Zustand remanenter Magnetisierung befindet, weist daher eine wesentlich kleinere Induktivität auf als eine Spule, deren Magnetkern unmagnetisiert (B = 0) ist. 



   In Fig. 2 ist ein sogenannter Transfluxor dargestellt, der im erfindungsgemässen Zusammenhang bevorzugt als Speicher verwendet wird und in Abweichung von der üblichen Ausführung nur zwei Wicklungen besitzt. Sein Kern A ist ringförmig ausgebildet, wobei allerdings die Mittelachse der inneren zylindrischen Begrenzungsfläche des Ringes etwa nach links parallel verschoben ist gegenüber der Mittelachse seiner äusseren zylindrischen Begrenzungsfläche, so dass er links eine dünnste und rechts eine dickste Zone aufweist. Die dünnste Zone ist von einer sogenannten Blockierwicklung B   umfasst ; die   dickste Zone ist von einer kreisrunden Ausnehmung a durchbrochen, durch die die zweite als Einstellwicklung E dienende Wicklung hindurchgezogen ist, die den inneren der beiden durch die Ausnehmung a gebildeten Stege des Kernes A umschlingt.

   Selbstverständlich könnte statt dessen der äussere Steg von der Einstellwicklung umschlungen sein, da es bei deren Anordnung lediglich darauf ankommt, dass mit ihrer Hilfe eine bereichsweise Änderung der Magnetisierung auf folgende Weise erzielt werden kann : 
Wenn die Blockierwicklung B in der durch die Zeichen + und-angedeuteten Weise gespeist wird, so entsteht in dem das grosse Loch des Kernes A umschliessenden Ringteil die mit   +Bj.   bezeichnete remanente Magnetisierung und die Induktivität der Blockierwicklung B ist demnach relativ gering.

   Wird danach die Einstellwicklung E in der in Fig. l mit + und-angedeuteten Weise vom Strom durchflossen, so ergibt sich eine remanente   Magnetisierung-Br im   inneren Kreis des Kernes A, die in der von der Einstellwicklung E umschlossenen Zone gegensinnig zu der von der Blokkierwicklung B hervorgerufenen Magnetisierung +Br verläuft, wodurch sich im Inneren der von der Blockierwicklung B umschlossenen Zone eine magnetisierungsfreie Zone (B = 0) ergibt, in der die durch die Neukurve N bestimmte, relativ grosse Änderung dB/dH der Induktion nach der Feldstärke wirksam ist, wodurch die Blockierwicklung B in diesem Zustand der Magnetisierung eine hohe Induktivität erhält.

   Es lässt sich also die Wirkungsweise des Transfluxors kurz in der Weise beschreiben, dass die Blockierwicklung B dann eine grosse Induktivität aufweist, wenn eine zusätzliche Magnetisierung durch die Einstellwicklung E vorliegt, hingegen eine kleine Induktivität bei der angegebenen Magnetisierungstendenz aufweist, wenn die Magnetisierung ausschliesslich von ihr selbst verursacht ist. 



   Die Wiederherstellung von Schaltzuständen   bi- oder   multistabiler Schaltkreise nach einem Netzausfall gemäss der Erfindung mit Hilfe eines Transfluxors in oben beschriebener Schaltung beruht auf der 

 <Desc/Clms Page number 3> 

 
 EMI3.1 
 

 <Desc/Clms Page number 4> 

 
Transfluxor einzustellen, in dessen Blockierwicklung Blockierstrom fliesst, der aber gross genug ist,
Transfluxoren einzustellen, deren zugehörige Transistoren gesperrt sind, so dass die Blockierwicklungen stromlos sind. Dieses Prinzip der kritischen Bemessung des Einstellstromes kann auch für die bistabilen
Elemente gemäss den Fig. 3 und 4 angewendet werden, während anderseits bei einer beabsichtigten dau- ernd asymmetrischen Bemessung der Schaltung eine Verringerung der Anzahl der verwendeten Trans- fluxoren ermöglicht wird. 



   Es können im Rahmen der Erfindung an Stelle von Transfluxoren auch alle andern Speicherelemente verwendet werden, die prinzipiell die Eigenschaft besitzen, dass sie ihren Speicherinhalt auch ohne Zufuhr von Speiseenergie behalten, z. B. die sogenannten ferroelektrischen Speicher, bei denen flache Einkristalle etwa aus Bariumtitanat mit reversibler Dielektrizitätskonstante erfindungsgemäss derart benutzt werden, dass sie bei jedem Schaltschritt umgepolt werden, ihrerseits aber einzelne Schaltglieder der elektronischen Kippkreise sinngemäss derart bedämpfen bzw. entdämpfen, dass variable SchaltungsAsymmetrien entstehen, die bei der Wiederkehr der Speisespannung die sichere Einnahme des zuletzt eingestellten Kippzustandes bewirken. Anderseits können hiezu auch Relaiseinrichtungen, z.

   B. ein polarisiertes Relais verwendet werden, dessen Kontaktzunge symmetrisch und neutral eingestellt ist und der Asymmetrierung dienende Widerstände bzw. Kondensatoren usw. hinzuschaltet oder kurzschliesst, wobei pro Relais zwei Wicklungen vorgesehen sind, von denen jede im Stromkreis eines Transistors liegt, so dass die Relaiszunge je nach dem Kippzustand des Kreises umgelegt wird und in dieser Stellung verharrt, bis ein neuerliches Umkippen des Kreises bewirkt wird. 



    PATENTANSPRÜCHE :      l.   Elektronischer bi-oder multistabiler Schaltkreis mit Wiederherstellung des im Zeitpunkt einer Abschaltung der Energiezufuhr vorhandenen Schaltzustandes nach Wiederherstellung der Energiezufuhr, bei dem mindestens ein magnetisierbares Element mit rechteckförmiger Hystereseschleife und mit zwei einander entgegenwirkenden Magnetisierungswicklungen vorgesehen ist, wobei wenigstens mit Hilfe einer 
 EMI4.1 
 ten Querschnitt sättigbar und mittels der andern Wicklung nur in einem Teil des Querschnittes magnetisierbar ist, und dass wenigstens die eine,   zur vollständigen Sättigung   vorgesehene Magnetisierungswicklung des magnetisierbaren Elementes zur fallweisen Herstellung der Asymmetrie vorgesehen ist.

Claims (1)

  1. 2. Schaltkreis nach Anspruch l, dadurch gekennzeichnet, dass das magnetisierbare Element als Transfluxor ausgebildet ist, bei dem sich eingeschlossenes magnetisches Joch an wenigstens einer Stelle in zwei Teiljoche aufteilt, und dass die eine Magnetisierungswicklung als Blockierwicklung auf dem Joch und die andere Wicklung als Einstellwicklung auf einem der Teiljoche angebracht ist.
    3. Schaltkreis nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die eine Magnetisierungswicklung als Gegenkopplungsinduktivität, besonders in die Emitterleitungen von Transistoren bistabiler oder multistabiler Multivibratoren, geschaltet ist.
    4. Schaltkreis nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die zur vollständigen Sät- tigung vorgesehenen Magnetisierungswicklungen (Blockierwicklungen) in die Emitterleitungen von Transistoren bistabiler oder multistabiler Multivibratoren und die andern Magnetisierungswicklungen (Einstellwicklungen) entweder in die Emitterleitungen der zu diesen Transistoren in Gegentakt geschalteten Transistoren oder in die zu den Multivibratoren führenden Leitungen für die Umschalteimpulse od. dgl. eingeschaltet sind. EMI4.2 sätzlich vorgesehen sind, um entweder zur komplementären Ergänzung der Wirkung des z.
    B. jeweils nur einem Transistor zugeordneten magnetisierbaren Elementes, das die fallweise und sodann überwiegende Asymmetrierung herbeiführt, eine dauernde Asymmetrierung der Multivibratoren im entgegengesetzten Sinne herzustellen oder um in Abhängigkeit von einem oder mehreren magnetisierbaren Elementen zur zur fallweisen Asymmetrierung eingeschaltet, abgeschaltet, überbrückt oder verändert zu werden.
AT566A 1966-01-03 1966-01-03 Elektronischer bi- oder multistabiler Schaltkreis AT261942B (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AT566A AT261942B (de) 1966-01-03 1966-01-03 Elektronischer bi- oder multistabiler Schaltkreis

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AT566A AT261942B (de) 1966-01-03 1966-01-03 Elektronischer bi- oder multistabiler Schaltkreis

Publications (1)

Publication Number Publication Date
AT261942B true AT261942B (de) 1968-05-27

Family

ID=3479102

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT566A AT261942B (de) 1966-01-03 1966-01-03 Elektronischer bi- oder multistabiler Schaltkreis

Country Status (1)

Country Link
AT (1) AT261942B (de)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE948998C (de) Ferromagnetischer Kern fuer ein zweidimensionales Gitter statischer, magnetischer Kippschaltelemente
DE1019346B (de) Schaltung zum Weiterleiten von gespeicherten Informationen durch Impulse
EP0182101B1 (de) Schalteinrichtung zum schnellen Schalten eletromagnetischer Verbraucher
DE1183720B (de) Bistabile Kippschaltung mit einem Magnetkern
DE1179996B (de) Transistorisierte bistabile Kippschaltung mit einem Speicherkern
DE1291371B (de) Elektronischer bi- oder multistabiler Schaltkreis
DE1068487B (de) Schieberegister auls bistabilen Magnetkernen
DE1562275C (de) Bistabile Kippschaltung, die einen bei Ausfall der Betriebspannung vorhandenen Kippzustand beibehalt
DE1188131B (de) Bistabile Kippschaltung
DE1067617B (de) Magnetische Schaltungseinheit fuer elektronische Rechner und andere Daten verarbeitende Maschinen
DE1205143B (de) Schaltungsanordnung zur Realisierung der logischen Funktion &gt;&gt;Exklusiv-Oder&lt;&lt;
AT237052B (de) Elektronische Auswahlschaltung
DE1198860B (de) Speichermatrix und Verfahren zum Speichern und Ablesen einer Imformation
DE2243188C3 (de) Schaltungsanordnung mit dauernder Speichereigenschaft für nachgeschaltete bistabile Kippschaltungen
DE1006897B (de) Speicherkreis mit einem magnetischen Kern mit zwei moeglichen stabilen Magnetisierungszustaenden
DE1562275B1 (de) Bistabile Kippschaltung,die einen bei Ausfall der Betriebsspannung vorhandenen Kippzustand beibehaelt
DE1098035B (de) Bistabile Kippschaltung mit einem Magnetkern und einem Hallgenerator
DE2246312B2 (de) Logischer Speicher
DE1129325B (de) Matrix-Speichervorrichtung
DE2316865C3 (de) Anordnung zum Umschalten eines Doppelelektromagneten
DE1065644B (de) Schieberegisterschaltung
DE1226153B (de) Schaltungsanordnung zur UEbersetzung von in Impulsform kodierten Signalen
DE1218511B (de) Reversibler Magnetkern-Ringzaehler
DE1184796B (de) Impulserzeugerschaltung nach dem Sperrschwingerprinzip
DE1268202B (de) Flip-Flop-Schaltung mit Speichereigenschaft trotz Ausfalls der Versorgungsspannung