AT284214B - Schaltungsanordnung für einen hochfrequent gesteuerten vollelektronischen Durchschaltepunkt in Fernmelde-, insbesondere Fernsprechanlagen - Google Patents

Description

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  Schaltungsanordnung für einen hochfrequent gesteuerten vollelektronischen Durchschaltepunkt in Fernmelde-, insbesondere Fernsprechanlagen 
Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung für einen hochfrequent gesteuerten vollelektronischen Durchschaltepunkt in Fernmelde-, insbesondere Fernsprechanlagen, nach Patent Nr. 249762. 



   Im Stammpatent wird eine Schaltungsanordnung für einen hochfrequent gesteuerten vollelektronischen Durchschaltepunkt in Fernmelde-, insbesondere Fernsprechanlagen aufgezeigt, bei der für jeden Durchschaltepunkt ein Stromwandler vorgesehen ist, der mit einer Wicklung an einer   HF-Spannungsquelle   liegt, und in jeder zu schaltenden Ader ein über den Stromwandler mittels Hochfrequenz steuerbarer Transistor angeordnet ist, und beiderseits des Durchschaltepunktes die Ausbreitung der Hochfrequenz in den Schaltkreis verhindernde Kondensatoren und bzw. oder reaktive Netzwerke vorgesehen sind, wobei gegebenenfalls jeder Stromwandler mit einer kurzschliessbaren Dämpfungswicklung versehen ist, so dass die Auswahl des Durchschaltepunktes mittels der bei wechselstrommässigem Kurzschluss die übertragung des Steuerstromes unterdrückenden Dämpfungswicklung möglich ist.

   



   Die hochfrequent gesteuerten vollelektronischen Durchschaltepunkte gemäss dem Stammpatent Nr. 249762 haben den Nachteil, dass ihre Einfügungsdämpfung durch die intermittierende Durchschaltung für manche Anwendungsbereiche, insbesondere für mehrstufige Durchschalteanordnungen nicht ausreichend klein ist. 



   Es ist Aufgabe der Erfindung, einen hochfrequent gesteuerten vollelektronischen Durchschaltepunkt in Fernmelde-, insbesondere Fernsprechanlagen nach dem Patent Nr. 249762 anzugeben, der diesen Nachteil vermeidet. Dies wird dadurch erreicht, dass zur Verminderung der Einfügungsdämpfung für jeden Durchschaltepunkt ein weiterer, dem ersten Transistor parallelgeschalteter Transistor vorgesehen ist, wobei die Steuerspannung dem Steuerkreis desselben mit umgekehrter Polarität zugeführt ist, so dass ein Eingangssignal an einer Belastung bei einer zweiadrigen, über zugeordnete Durchschaltepunkte durchgeschalteten Verbindung mit ungeänderter Kurvenform und nur mit einer geringfügigen Dämpfung auftritt. 



   Die geringe Hochfrequenz-Restwelligkeit ermöglicht die Steuerung verschiedener in Serie gesteuerter Durchschaltepunkte durch durchschaltepunkteigene Hochfrequenz-Oszillatoren, wobei die Ansteuerwicklung des   Hochfrequenz-Stromwandlers   Bestandteil der Oszillatorschaltung durch die geringe Restwelligkeit, die durch die Kondensatoren noch weiter unterdrückt wird, ist die Gefahr störender Mischfrequenz beseitigt. 



   Der Vorteil der durchschaltepunkteigenen Oszillatoren liegt in der Einsparung eines leistungsfähigen Hochfrequenzgenerators und im Wegfall der teuren und störungsverursachenden Hochfrequenz-Leitungen zu den einzelnen Durchschaltepunkten. 

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   Bei Verwendung von sehr hohen Frequenzen als Ansteuerstrom für den Durchschaltepunkt können die Stromwandler als gedruckte Induktivitäten ausgeführt werden, so dass der Aufbau in Dünnfilmtechnik möglich ist. 



   Die Erfindung wird nun an Hand der Zeichnungen erläutert :
In Fig. l ist der Stand der Technik gemäss dem Stammpatent dargestellt und in Fig. 2 die erfindungsgemässe Schaltungsanordnung. 



   Fig. l zeigt einen zweiadrigen Durchschaltepunkt gemäss dem Stammpatent Nr. 249762. Das Signal   s (t)   soll über die beiden   Schalttransistoren--T1, T2--   des Durchschaltepunktes auf den Lastwiderstand gelangen. 



   In erster Näherung ergeben sich folgende Bedingungen :
Jede positive Halbwelle des   Steuerstromes--jhf--steuert   die Transistoren--T1, T2-- in den Sättigungsbereich ; der Durchschaltepunkt ist leitend. Jede negative Halbwelle bedeutet eine Unterbrechung des Leitzustandes der   Schalttransistoren--T1, T2--.   Dementsprechend ist das Signal Sl (t) an der Last--rim Rhythmus des   Ansteuerstromes--jhf--zerhackt.   Daraus folgt eine hohe Einfügungsdämpfung von   zirka -7dB.   



   Eine Verminderung der Einfügungsdämpfung kann durch höhere Steuerenergie erzielt werden. In diesem Fall führt die im Übertrager gespeicherte Energie zu einer Verlängerung der Leitphase, s. sll (t), 
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 Koppelpunkt in mehrstufigen Koppelanordnungen als noch zu gross anzusehen. 



   Fig. 2 zeigt einen zweiadrigen erfindungsgemässen Durchschaltepunkt. Das am Eingang des Koppelpunktes liegende Signal s (t) wird über die Transistoren-Tl und T2 bzw. T3 und   Tuin   zwei Teilsignale s (tl) und s (t2) zerlegt, wobei der Zeitparameter tl der positiven und t2 der negativen Halbwelle des   Steuerstromes--Jhf--entspricht.   Ausgangsseitig werden die beiden Teilsignale s (tl) und s (t2) zu dem Signal sl (t) zusammengesetzt, wobei die Summe s (tl) +   s (t2) = sl (t)   im wesentlichen den Wert   s (t)   ergibt. 



   Da bei dem erfindungsgemässen Durchschaltepunkt beide Halbwellen der Steuerspannung ausgenutzt werden, ist die erzielbare Einfügungsdämpfung, die nur durch den Sättigungswiderstand der einzelnen Schalttransistoren gegeben ist, auch bei kleiner Steuerleistung ausreichend klein.

Claims (1)

1. PATENTANSPRUCH : Schaltungsanordnung für einen hochfrequent gesteuerten vollelektronischen Durchschaltepunkt in Fernmelde-, insbesondere Fernsprechanlagen nach Patent Nr. 249762, d a d u r c h g e k e n n- zeichnet, dass zur Verminderung der Einfügungsdämpfung für jeden Durchschaltepunkt ein weiterer, dem ersten Transistor parallelgeschalteter Transistor vorgesehen ist, wobei die Steuerspannung dem Steuerkreis desselben mit umgekehrter Polarität zugeführt ist, so dass ein Eingangssignal an einer Belastung bei einer zweiadrigen, über zugeordnete Durchschaltepunkte durchgeschalteten Verbindung mit ungeänderter Kurvenform und nur mit einer geringfügigen Dämpfung auftritt.