AT393121B - Verfahren zum verbinden von siliciumcarbid- formteilen - Google Patents

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Description

AT 393 121B
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Verbinden von Siliciumcarbid-Formteilen, bei dem die polierten, freies Element aufweisenden Paßflächen aufeinander gebracht und in in erster oder reduzierender Atmosphäre unter Preßdruck auf hohe Temperatur erhitzt werden.
Gemäß der Erfindung werden insbesondere Verbindungen zwischen Formteilen aus drucklosgesintertem 5 Siliciumcarbid (SSiC) und/oder heißgepreßtem Siliciumcarbid (HPSiC) hergestellt. Siliciumcarbid-Konstruktionsteile werden im wesentlichen nach drei verschiedenen Verfahren hergestellt, die zu unterschiedlichem Material führen, und zwar zu: 1) infiltriertem oder reaktionsgebundenem Siliciumcarbid (SiSiQ 10 2) drucklos gesintertem Siliciumcatbid und 3) heißgepreßtem Siliciumcarbid.
Formteile aus infiltriertem oder reaktionsgebundenem Siliciumcarbid, die durch Silicierung entsprechender Grünköiper aus Kohlenstoff oder Kohlenstoff und Siliciumcarbid erhalten werden, enthalten 5 - 30 Gew. % freies 15 Silicium, das zum Veibinden von Formteilen ausgenutzt werden kann.
So werden nach der DE-OS 3003186 Einzelteile aus SiSiC zu einem Werkstück zusammengepaßt und durch diffundierendes freies Silicium bei Temperaturen < 1300 °C unter gleichzeitiger Druckbelastung der Verbindungsfläche durch sog. Diffusionsschweißen verbunden. Gemäß EPOS 3139270 weiden geschliffene und polierte Verbindungsflächen von SiSiC-Formteilen zusammengepaßt und durch Aufheizen auf 1500 - 1800 °C 20 (d. h. oberhalb des Schmelzpunktes von Silicium) miteinander verbunden. Nach beiden Verfahren erhält man dichte, bis ca. 1400 °C mechanisch feste, temperaturwechselbeständige, korrosions- und oxidationsresistente Verbindungen mit einer ca. 1 pm schmalen Siliciumnaht, ggf. mit sehr feinen Siliciumcarbidausscheidungen.
Unabhängig von der Anwesenheit von freiem Silicium im Material lassen sich Siliciumcarbidbauteile durch Zusammenfügen mit Hilfe von kohlenstoff· bzw. kohlenstoff/siliciumcarbid-haltigen Kittmassen mit 25 organischem Binder, Verkoken desselben und Infiltration von Silicium zur Umwandlung des Kohlenstoffs in Siliciumcarbid miteinander verbinden. Unterschiedliche Varianten dieses Verfahrens sind z. B. in der US-PS 2 319 323 bzw. der DE-OS 29 22 953 beschrieben. Gemäß der DE-OS 33 11553 der Anmelderin wird dabei der Kitt bzw. Kohlenstoff nicht zwischen die Verbindungsflächen sondern in die zu diesem Zweck aufgerauhte Oberfläche derselben gebracht. Ohne irgendeinen Binder werden gemäß der US-PS 4 156 051 30 keramische Formteile miteinander verbunden, indem diese zunächst in einer ersten Stufe einzeln auf eine Dichte von mindestens 65 % des theoretischen Wertes vorgesintert, dann zusammengefügt und schließlich bis zu einer Dichte von ca. 98 % der Theorie nochmals heißgepreßt werden. Dieses Verfahren ist aufwendig, da in der zweiten Stufe nicht nur die Paßflächen belastet werden müssen.
Außerordentlich oft wurde schließlich versucht, heißgepreßtes Siliciumcarbid mit Metallen oder über 35 Metallschichten zu verbinden. Dabei wurde stets versucht, den Unterschied im thermischen Ausdehnungskoeffizienten zwischen Siliciumcarbid und Metall entweder durch gebildete Zwischenphasen (Silicide und/oder Caibide) oder mittels SiC-Metallpulver-Gemischen mit zum Metall hin stufenweise erhöhtem Metallanteil zu überbrücken. Im Bericht BMFT-FB T 79-124 wird beispielsweise über das Verbinden von heißgepreßtem SiC mittels ebenfalls zu kompakten dünnen Schichten (100 - 500 μπι) heißgepreßtem Wolfram-40 und Molybdänpulver berichtet. Charakteristisch für derartige Verbünde sind die aus der gebildeten Obergangszone in das SiC verlaufenden Risse sowie die hohe Porosität in dem heißgepreßten Material.
Aufgabe dieser Erfindung ist, drucklosgesinterte oder/und heißgepreßte Siliciumcarbid-Formteile durch eine gasdichte, korrosions- und oxidationsresistente, temperaturwechselbeständige, bis ca. 2200 °C mechanisch stabile Fügenaht dauerhaft zu verbinden. 45 Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung durch ein Verfahren der eingangs genannten Art gelöst, das dadurch gekennzeichnet ist, daß Siliciumcarbid-Formteile aus drucklos gesintertem SiC (SSiQ oder heißgepreßtem SiC (HPSiC) miteinander verbunden werden, indem auf zumindest eine dm polierten Paßflächen eine maximal 1 μπι dicke Aktivierungsschicht von wenigstens einem carbid- und/oder silicid-bildenden Element aus der Gruppe Ag, Al, Au, B, Be, Co, Cr, Cu, Fe, Mg, Mn, Mo, Nb, Ni, Pd, Pt, Ta, Ti, V, W und Zr aufgebracht wird und die 50 zusammengefügten Teile in inerter oder reduzierender Atmosphäre im Bereich von 10'* bis 10^ Pa bei Temperaturen im Bereich von 800 bis 2200 °C unter einem Preßdruck im Bereich von 1 bis 100 MPa miteinander verschweißt werden.
Bei diesem Verfahren wird auf eine oder beide der Verbindungsflächen von hoher Oberflächenqualität eine sehr dünne "aktivierende" abdeckende Schicht aus einem carbid- und/oder silicid-bildenden Material aufgebracht, die bei 55 der anschließenden Fügebehandlung unter erhöhter Temperatur- und Druckanwendung praktisch verschwindet und in der Fügefläche als solche nicht mehr nachweisbar ist Darin unterscheidet sich das erfindungsgemäße Verfahren deutlich von bekannten Verfahren, die mit fremdmaterialhaltigen Klebschichten arbeiten.
Die aktivierende Schicht aus den oben genannten Carbid- und/oder Silicidbildnem oder Mischungen bzw. Legierungen derselben wird vorzugsweise mit einer Dicke von 0,1 bis 1 μπι nach irgendeinem geeigneten 60 Verfahren auf zumindest eine Paßfläche aufgebracht, zweckmäßigerweise z. B. aufgedampft oder aufgesputtert
Die angewandte Fügetemperatur richtet rieh nach der aufgebrachten Aktivierungsschicht: für Ag, Al, Au und -2-
AT 393 121B
Mg wird sie zwischen 800 und 1200 °C gewählt; für Be, Cu, Ge und Mn zwischen 1200 und 1600 °C; für Co, Cr, Fe, Ni, Pd, Pt und V zwischen 1600 und 2000 °C und für B, Mo, Nb, Ni, Ti, V, W und Zr zwischen 2000 und 2200 °C.
Besonders bewährt haben sich Cr, Cu, Ni, Pt und/oder Pd oder Legierungen derselben als Materialien für die aktivierende Schicht, insbesondere Kupfer und Kupferlegierungen.
Die Fügebehandlung erfolgt in inerter oder reduzierender Atmosphäre insbesondere in Argon und/oder
Wasserstoff. Besonders zweckmäßig arbeitet man in Argon von 10^ bis 10^ Pa. Die Aufheizdauer beträgt etwa 1 bis 2 Stunden unter konstanter Druckbelastung bis zum Erreichen der Fügetemperatur, die je nach Aktivierungsmaterial und angewandten Druck mindestens 10 Minuten aufrechterhalten wird, woran sich eine Ofenabkühlung anschließt
Die Fügetemperatur wird insbesondere oberhalb des Schmelzpunktes des Materials der dünnen Schicht gewählt und Temperatur, Preßdruck und Behandlungszeit werden unter Berücksichtigung des Materials der aufgebrachten £ 1 pm dicken Schicht aufeinander abgestimmt Dabei ist die Dauer der Hochtemperatur· Preßdruckeinwiikung umso kürzer zu wählen, je höher die Fügetemperatur liegt In analoger Weise kann der Anpreßdruck umso niedriger eingestellt werden, je höher die Fügetemperatur vorgesehen ist Günstig erscheinen eine relativ niedrige Temperatur zusammen mit einem relativ hohen Druck bzw. eine Kombination von hoher Temperatur, relativ geringem Preßdruck und verkürzter Preßdauer.
Bevorzugt werden Temperaturen im Bereich von 1500 -1800 °C, insbesondere 1550 -1750 °C und Drucke von 15 - 45 MPa, insbesondere um 25 MPa und Fügedauem zwischen 15 und 120 min, insbesondere im Bereich von 30 bis 60 min.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand von Beispielen unter Bezugnahme auf die angefügten Zeichnungen beschrieben; es zeigen:
Figur lein Schliffbild der Naht (1000 x) und
Figur 2 und 3 den Aufteilungsplan der Körper gemäß Beispiel 2 und 3.
Beispiel 1:
Die polierte Oberfläche einer SSiC-Scheibe mit einem Durchmesser von 20 mm und einer Höhe von 3 mm wurde durch Sputtern mit einer 0,5 pm dicken Kupferschicht versehen. Eine weitere Scheibe, ebenfalls mit einer polierten Oberfläche, wurde daraufgelegt und in einer Graphitmatrize mit Gesenk und Stempel untergebracht. Diese Anordnung wurde dann unter den Druckstempel der Heißpresse eingeführt. Der Preßraum wurde mehrmals evakuiert und mit Schweißargon belüftet. Schließlich wurde ein Ar/H2*Druck von 1 KPa eingestellt und die
Probe unter einem Preßdruck von 30 MPa auf 1700 °C erhitzt. Nach einer Haltezeit von 30 min wurde die Heizung langsam heruntergeregelt (durchschnittlich 20 °C/min). Fig. 1 zeigt die Qualität des Schweißnahtbereiches nach Polieren und Ätzen. Mit einer Dicke von ca. 0,1 pm liegt die Schweißnaht im Dickenbereich der geätzten Komgrenze.
Beispiel 2:
Auf eine beidseitig polierte 3 mm dicke SSiC-Scheibe von 25 x 10 mm wurde beidseits eine ca. 03 pm dicke Palladium-Schicht analog zu einem Druckverfahren mit einer Walze aufgetragen. Nach Abdampfen des Dispergierungsmittels wurde die Scheibe zwischen die polierten Stirnflächen zweier SSiC-Quader von je 25 x 25 x 10 mm gelegt und, wie in Beispiel 1 beschrieben, heißgepreßt Aus der zusammengefügten Probe wurden nach dem in Fig. 2 gezeigten Plan Prüfkörper geschnitten und nach Schleifen und Polieren in einer 4-Punkt-Biegeprüfmaschine getestet. Die Biegefestigkeitswerte der einzelnen Proben lagen im gleichen Streubereich wie die des Ausgangsmaterials (bei 270 ± 20 MPa).
Beispiel 3:
Von einem HPSiC-Rohr mit einem Außendurchmesser von 40 mm und einem Innendurchmesser von 30 mm wurde ein 3 mm dickes planparalleles Rohrstück abgeschnitten und die polierten Schnittflächen beidseitig mit einer 0,2 pm dicken Cr/Ni-Legierung vakuumbedampft Diese "Ringscheibe" wurde dann zwischen die polierten Basisflächen von zwei 28 mm langen Rohrstücken des gleichen Materials gelegt und in analoger Weise, wie in Beispiel 1 beschrieben, bei 1800 °C und einem Preßdruck von 50 MPa heißgepreßt Das geschweißte Rohr wurde dann in einer Vakuumprüfanlage auf Dichtigkeit getestet; die Leckrate betrug 10~^ Pals’*. Danach wurde das Rohr, wie Fig. 3 zeigt, in Rohrsegmente geschnitten und daraus durch Schleifen rechtwinklige Biegestäbchen hergestellt Nach erfolgtem Polieren wurde die Biegefestigkeit der Proben gemessen. Sie betrug 500 ± 30 MPa und lag damit nur 4 % unter derjenigen von nahtfreien Proben.
Weitere Ergebnisse, die beim Verbinden von drucklos gesintertem SiC (Oberfläche geschliffen, geläppt, gereinigt im Athylacetat-Ultraschallbad) unter Verwendung dünner (<, 1 pm) Sputterschichten aus Kupfer, Kupferlegierungen oder Palladium «zielt wurden, sind in der nachfolgenden Tabelle zusammengefaßt -3-

Claims (10)

  1. AT 393 121B Versuch no. <1 Mm aus Temp. T Zeit min Preßdruck MPa Preß- Atmosphäre Pa Biegefestigkeit MPa 98 Cu 1550 60 * 15,0 4,0104 240 ±87 96 Cu 1750 60 15,0 4,0104 200 ±44 75 Cu 1750 60 24,5 2,7 103 211 ± 36 97 Cu 1750 30 15,0 4,0104 233 ±66 74 Pd 1750 60 24,5 2,7103 102 ±20 99 Cu/Si 1550 60 24,5 4,0104 149 ±19 101 Cu/Pd 1550 60 24,5 4,0 104 148 ± 32 Die Auf heizgeschwindigkeit lag bei 10 - IS °C/min. Wie die Tabelle zeigt, sind die mit Kupfer erzielten Ergebnisse besonders gut und liegen deutlich über den 20 Werten, die mit aktivierenden Si-Mengen erzielbar sind: Die Biegefestigkeit bei Zimmertemperatur erreicht bis zu 80 % der Biegefestigkeit des Grundmaterials. 25 PATENTANSPRÜCHE 30 1. Verfahren zum Verbinden von Siliciumcarbid-Formteilen, bei dem die polierten, freies Element aufweisenden Paßflächen aufeinander gebracht und in inerter oder reduzierender Atmosphäre unter Preßdruck auf hohe 35 Temperatur erhitzt werden, dadurch gekennzeichnet, daß Siliciumcarbid-Formteile aus drucldos gesintertem SiC (SSiC) oder heißgepreßtem SiC (HPSiC) miteinander verbunden werden, indem auf zumindest eine der polierten Paßflächen eine maximal 1 μπι dicke Aktivierungsschicht von wenigstens einem carbid- und/oder silicid-bildenden Element aus der Gruppe Ag, Al, Au, B, Be, Co, Cr, Cu, Fe, Mg, Mn, Mo, Nb, Ni, Pd, Pt, Ta, Ti, V, W und Zr aufgebracht wird und die zusammengefügten Teile in inerter oder reduzierender Atmosphäre im 40 Bereich von 10*1 bis 10^ Pa bei Temperaturen im Bereich von 800 bis 2200 °C unter einem Preßdruck im Bereich von 1 bis 100 MPa miteinander verschweißt werden.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf zumindest eine der Paßflächen eine 0,1 bis 1 pm dicke Aktivierungsschicht aufgebracht wird. 45
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das carbid- und/oder silicid-bildende Material aufgedampft, aufgesputtert bzw. mit der Walze aufgetragen wird.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als carbid- und/oder silicidbildendes Material 50 Cr, Cu, Ni, Pt und/oder Pd oder Legierungen derselben aufgebracht werden.
  5. 5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß für die dünne Schicht Kupfer oder Kupferlegierungen verwendet werden.
  6. 6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Fügetemperatur über der Schmelztemperatur des Materials der dünnen Schicht gewählt wird.
  7. 7. Verfahren nach Anspruch 1 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß Temperatur, Preßdruck und Behandlungszeit unter Berücksichtigung des Materials der aufgebrachten 1 Mm dicken Schicht aufeinander -4- AT 393 121B abgestimmt werden.
  8. 8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Preßdruck bei IS bis 45 MPa, insbesondere um 25 MPa, die Temperatur zwischen 1500 und 1800 °C und die Dauer der Druckeinwirkung zwischen 15 und 5 120 min., insbesondere im Bereich von 30 bis 60 min. gewählt weiden.
  9. 9. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Fügebehandlung in Argon bei einem Druck im Bereich von 10^ bis 10^ Pa durchgeführt wird.
  10. 10 Hiezu 1 Blatt Zeichnung -5-
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