AT500171A1 - Verfahren zur herstellung eines diamantbeschichteten bauteils - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 75
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 61
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 61
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 48
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 42
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 claims description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 27
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 25
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000005422 blasting Methods 0.000 claims description 13
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 13
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 13
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 13
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical group [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical group [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 8
- 239000010431 corundum Substances 0.000 claims description 8
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000035784 germination Effects 0.000 claims description 6
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims description 6
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims description 5
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 claims description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 claims 2
- -1 and / or si fi ce Substances 0.000 claims 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 26
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 2
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- INZDTEICWPZYJM-UHFFFAOYSA-N 1-(chloromethyl)-4-[4-(chloromethyl)phenyl]benzene Chemical compound C1=CC(CCl)=CC=C1C1=CC=C(CCl)C=C1 INZDTEICWPZYJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N Hydrogen atom Chemical compound [H] YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035508 accumulation Effects 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- UFGZSIPAQKLCGR-UHFFFAOYSA-N chromium carbide Chemical compound [Cr]#C[Cr]C#[Cr] UFGZSIPAQKLCGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001868 cobalt Chemical class 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- RHDUVDHGVHBHCL-UHFFFAOYSA-N niobium tantalum Chemical compound [Nb].[Ta] RHDUVDHGVHBHCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910003470 tongbaite Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
•Patentanwälte
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines diamantbeschichteten Bauteils, insbesondere eines Zerspanungswerkzeuges, welches ein mit der Diamantschicht zu versehendes Hartmetallsubstrat aufweist, wobei eine Oberflächenregion der zu beschichtenden Oberfläche des Hartmetallsubstrats vor der Diamantbeschichtung vorbehandelt wird und diese Vorbehandlung einen nasschemischen Ätzprozess zur Entfernung von Bindermaterial des Hartmetallsubstrats aus der Oberflächenregion des Hartmetallsubstrats umfasst.
In den letzten Jahren haben sich Bauteile, insbesondere Werkzeuge, mit künstlichen Diamantschichten zur spanenden bzw. spanlosen Umformung zu bearbeitender Werkstoffe in der Werkzeugindustrie zur Steigerung der Performance etabliert. Generell werden polykristalline Diamantschichten mit grob- oder nanokristalliner Struktur mittels CVD (Chemical vapour deposi-tion)-Verfahren aus der Gasphase aus atomarem Wasserstoff und einem Kohlenstoffprecursor (teilweise mit geringer Beimengung eines weiteren Gases) abgeschieden. Üblicherweise werden für die Abscheidung der CVD-Diamantschichten Heißdraht- bzw. Mikrowellenplasmaverfahren angewandt. Die Schichtdicken der CVD-Diamantdünnfilme liegen im Bereich von typischerweise 1-30 pm.
Beispielsweise geht die Herstellung von Diamantschichten aus folgenden Veröffentlichungen hervor: EP 0 297 845 und US 5,378,285 (Plasmaverfahren), US 6,383,288 und JP 2092895 (Hot Filament-Verfahren), EP 0 297 845 A1 und US 6,200,652 (Hybrid-Verfahren). Ein Verfahren zur Herstellung von Diamantschichten geht auch aus der AT 399 726 B hervor (bei den in dieser Schrift genannten Bedingungen werden Diamantschichten gebildet, obwohl in dieser Schrift von diamantartigen Kohlenstoffschichten die Rede ist).
Von Diamantschichten zu unterscheiden sind dagegen diamantartige Kohlenstoffschichten. Herstellung und Eigenschaften von diamantartigen Kohlenstoffschichten sind beispielsweise behandelt in: „Development and Status of Diamondlike Carbon“, Alfred Grill und Bernard S. Meyerson in „Synthetic Diamond: Emerging CVD Science and Technology“, Karl E. Spear and John P. Dismukes, John Wiley & Sons, Inc. 1994. Diamantartige Kohlenstoffschichten bestehen im Gegensatz zu polykristallinen Diamantschichten aus im wesentlichen amorphem Kohlenstoff, wobei diese Schichten eine relativ große Härte aufweisen (daher auch die Bezeichnung „diamantartig“).
Als Substratmaterialien, insbesondere für Hochleistungswerkzeuge zur spanenden Bearbeitung (z.B. rotierende Bohr- oder Fräswerkzeuge, Wendeschneidplatten, etc.) bzw. zur spanlosen Umformung, werden üblicherweise Hartmetallmaterialien eingesetzt, welche für eine Performancesteigerung mit einer geeigneten Vorbehandlung präpariert, und anschließend mit den oben erwähnten CVD-Verfahren mit Diamant beschichtet werden. Diese Substratmaterialien bestehen aus Karbiden (z.B. Wolframkarbid) mit Korngrößen von üblicherweise 0,3 pm (Ultrafeinstkornsorten) bis 2 pm (Grobkornsorten), welchen teilweise geringe Mengen an Zusatzkarbiden (z.B. Titankarbid, Tantalniobkarbid, Chromkarbid, Vanadiumkarbid) zugesetzt werden können und die in einer metallischen Matrix, typischerweise Kobalt und/oder Nickel- und/oder Eisen eingebettet sind. Beispielsweise werden z.B. Werkzeuge für zerspanende Bearbeitungsvorgänge aus Wolframkarbid mit 3- 15% Gewichts% Kobaltbindermaterial (WC/Co) angefertigt. Die Oberflächengüte von diversen Flächen auf Werkzeugen richtet sich nach Anwendungsfall. Meist ist die Oberfläche des Hartmetallsubstrats geschliffen, evtl, zusätzlich poliert. Manchmal wird auch die gesinterte Oberfläche (ohne Schleif- und Polierschicht) eingesetzt.
Signifikant für ein optimales Preis-Leistungsverhältnis von diamantbeschichteten Werkzeugen für die zerspanende Industrie im Vergleich zu unbeschichteten Werkzeugen ist eine ausreichende Haftung der Diamantschicht auf dem Substrat. Kommt es zu frühzeitigen Schichtabplat-zungen während des Einsatzes des beschichteten Werkzeuges, überwiegen die Kosten für die Fertigung des beschichteten Werkzeuges - höhere Maschinenrüst- und Einstellkosten, Stillstandszeiten von Maschinen und evtl. Verlust des bearbeiteten Bauteils - gegenüber dem Vorteil der prinzipiell höheren Standzeit eines diamantbeschichteten Werkzeuges.
Es ist bekannt, die Oberflächenregion des zu beschichtenden Hartmetallsubstrats in mehreren Verfahrensschritten vorzubehandeln, um eine ausreichende Haftung der Diamantschicht auf dem Substrat zu erzielen. Bei dieser herkömmlichen Vorbehandlung wird in einem ersten Schritt eine Strahlung der Oberfläche mit einem Strahlmittel bzw. Strahlpulver durchgeführt, wobei hier eine Nassstrahlung, bei welcher das Strahlpulver in Wasser suspendiert ist, oder eine Trockenstrahlung durchgeführt werden. Als Strahlmittel bzw. Strahlpulver wird z.B. Edelkorund mit einer Körnung von 1 bis 50 pm eingesetzt. Eine solche Strahlung wird auch als "Mikrostrahlung" bezeichnet. Auch eine Strahlung der Oberfläche mit Wasser allein mit einem sehr hohen Strahldruck (bis zu ca. 105 MPa) wurde bereits vorgeschlagen (H.K. Tönshoff et al., Sur-face and Coating Technology 108-109 (1998) 543-550). Durch eine solche Strahlung wird die Oberfläche von Rückständen gereinigt und auch eine oberflächliche Ansammlung von Bindermaterial, beispielsweise Kobalt, zu welcher es beim Schleif- bzw. Polierprozess üblicherweise kommt, wird entfernt.
Nach einer Reinigung der Werkzeuge erfolgt eine chemische Aufrauung der Oberfläche (damit wird eine Verbesserung der mechanischen Verzahnung der Diamantschicht auf den WC-
Kristalliten erzielt) und eine nasschemische Entfernung des oberflächennahen Kobaltbindermaterials. Dieser Vorbehandlungsschritt kann durch einen ein- bzw. zweistufigen nasschemischen Ätzprozess erfolgen (siehe z.B. F. Deuerler et al., Diamond and Related Materials 5 (1996) 1478-1489).
Es ist auch möglich, das Bindermaterial, beispielsweise Kobalt, an der Oberfläche elektrochemisch zu entfernen (Elektrolyt: z.B. 10% NaOH) und Kobalt in tiefer gelegenen Oberflächenregionen bzw. die WxCyCoz-Phasen werden durch einen zweiten nasschemischen Ätzprozess mit z.B. HCI:H202 (3%):H20 = 1:1:2 entfernt. Details hierzu gehen aus dem US-Patent US 5,650,059 A hervor.
Durch den nasschemischen Ätzprozess und gegebenenfalls vorausgehenden elektrochemischen Ätzprozess ist die Oberflächenregion an Bindermaterial verarmt und das Gefüge aus der Hartstoffphase, beispielsweise Wolframkarbid (WC) bleibt zurück. Die typischen Werte für die Tiefe dieser Kobaltverarmungszone liegen im Bereich von 1 -15 pm und dieser Wert richtet sich primär nach verwendeten Ätzlösungen, deren Konzentrationen und der Ätzdauer. Das ver-sprödete Wolframkarbidgefüge bildet nun die Auflage für die Diamantschicht. Wichtig ist das richtige Ausmaß der Verarmung des Bindermaterials in der Oberflächenregion. Durch eine zu niedrige Verarmungszone besteht die Gefahr, dass sich im Anfangsstadium der Diamantbeschichtung ein graphitischer Interlayer bildet, welcher die Schichthaftung wesentlich reduziert. Eine zu starke Verarmung an Bindermaterial führt zu einer zu starken Versprödung des Hartmetalls in der Oberflächenregion, wodurch frühzeitige Schichtabplatzungen bzw. Hartmetallausbrüche mit weitergehenden Schichtabplatzungen hervorgerufen werden, insbesondere bei Schneidkanten.
Es folgt eine Bekeimung der Substratoberfläche mit Diamantpulver (typischerweise mittels einer Suspension aus Diamantpulver und einem Lösungsmittel z. B. Ethanol im Ultraschallbad). Dadurch werden extrem feine Diamantkeime auf der Oberfläche gesetzt, wodurch man ein homogenes und beschleunigtes Anfangswachstum der Diamantschicht bei der Beschichtung erhält (siehe z.B. Kasper 0. Schweitz et al., Diamond and Related Materials 5 (1996) 206-210 oder R.C. Mendes de Barros et al., Diamond and Related Materials 5 (1996) 1323-1332).
Anschließend wird das Bauteil mit üblichen Diamantbeschichtungsverfahren (CVD-Heißdraht-bzw. Mikrowellenplasmaverfahren) mit nano- und/oder grobkörnigem Diamant beschichtet. Die Schichtdicken werden ja nach Anwendungsfall ausgewählt und bewegen sich typischenweise in der Größenordnung von 1 - 30 pm.
Obwohl durch eine solche herkömmliche Vorbehandlung, welche einen nasschemischen Ätzprozess des Hartmetallsubstrats umfasst, zu vergleichsweise gut haftenden Diamantschichten \.·\.*4..··..· : ·..· führt, wäre eine weitere Verbesserung der Haftung der Diamantschicht wünschenswert.
Daneben sind auch nicht gattungsgemäße Vorbehandlungen bekannt geworden, bei denen eine chemische Entfernung des Bindermaterials in der Oberflächenregion vermieden wird. Beispielsweise wurde die Aufbringung einer geeigneten Zwischensicht auf das Substrat vorgeschlagen, welche als Diffusionssperre für das Bindermaterial bei Beschichtungstemperaturen von ca. 700 bis 1000° Celsius fungiert (siehe z.B. US 4,707,384 A). Erhöhte Adhäsion der Diamantschicht wird auch z.B. im europäischen Patent EP 384 011 beschrieben, in der die Wolframkarbid-Kobaltoberfläche im Vorfeld der Beschichtung in Sauerstoff-(plus evtl. Wasserstoff)-Atmosphäre (Plasma) dekarbiturisiert, diese wiederum karbiturisiert und anschließend mit einer Hartstoffschicht (Diamant) beschichtet wird (siehe dazu auch US 6,268,045 A).
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren der eingangs genannten Art derart zu verbessern, dass die Haftung der Diamantschicht auf dem Substrat maßgeblich erhöht wird. Erfindungsgemäß gelingt dies durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1.
Durch die Strahlung der Oberfläche des Hartmetallsubstrats nach dem nasschemischen Ätzprozess zur Entfernung von Bindermaterial aus einer Oberflächenregion des Hartmetallsubstrats können durch die Ätzung gelockerte und damit ungenügend haftende Körner der Hartstoffphase (beispielsweise Wolframkarbid) von der versprödeten Oberflächenregion entfernt werden und die mechanische Verzahnung der Diamantschicht erfolgt somit auf einer stabileren Gefügeunterlage. Für die Strahlung kann ein Strahlmedium, welches ein Strahlmittel bzw. Strahlpulver, insbesondere Korund oder Siliziumkarbid, enthält, eingesetzt werden. Das Strahlmittel kann beispielsweise eine Körnung im Bereich 1 -150 pm aufweisen und der Strahldruck kann z.B. 0,5 bis 5 bar betragen. Die Strahldauer richtet sich nach der Größe der Substratoberfläche und liegt im Sekunden- bis Minutenbereich. Neben einer Nassstrahlung, bei der das Strahlpulver in einer Flüssigkeit, insbesondere Wasser suspendiert ist, kann auch eine Trockenstrahlung durchgeführt werden. Derartige Nass- oder Trockenstrahlungen mit einem Strahlpulver der angegebenen Körnung werden auch als Mikrostrahlungen bezeichnet.
Denkbar und möglich wäre auch eine Strahlung der geätzten Oberfläche ohne Verwendung von Strahlpulver, sondern nur mit Flüssigkeit, insbesondere Wasser, wobei der Strahldruck z.B. im Bereich zwischen 10 und 105 MPa liegt. Eine solche Strahlung ist beispielsweise aus jenem Stand der Technik bekannt, wie er in der Beschreibungseinleitung im Zusammenhang mit der Strahlung beschrieben worden ist, die als erster Vorbehandlungsschritt vor der Durchführung eines nasschemischen Ätzprozesses eingesetzt wird.
Vorteilhafterweise wird nach der Strahlung, insbesondere wenn ein Strahlpulver eingesetzt worden ist, ein Reinigungsschritt, vorzugsweise mittels Ultraschall-Reinigung durchgeführt. Eine mögliche Reinigungsvariante zur Entfernung von auf der Oberfläche nach der Strahlung zurückgebliebenem Strahlmittel besteht darin, das Substrat zunächst kurzzeitig unter fließendem Wasser zu reinigen, in der Folge eine Reinigung für fünf Minuten im Ultraschallbad mit deioni-siertem Wasser, in der Folge eine Reinigung im Ultraschallbad für fünf Minuten mit Aceton und in der Folge eine Reinigung im Ultraschallbad für fünf Minuten mit Ethanol durchzuführen.
Nach der dem nasschemischen Ätzprozess folgenden Strahlung der Oberfläche und gegebenenfalls anschließenden Reinigungsschritt kann in herkömmlicher Weise eine Bekeimung der zu beschichtenden Substratoberfläche erfolgen. Typischerweise erfolgt die Bekeimung im Ultraschallbad mit einer Suspension aus Diamantpulver mit Körnungen von einigen nm bis pm und einem Lösungsmittel z. B. Ethanol. Der Bekeimungsschritt kann entsprechend dem in der Beschreibungseinleitung hierzu genanntem Stand der Technik erfolgen.
Eine Ausführungsvariante der Erfindung besteht darin, eine Bekeimung der Oberfläche mit der dem nasschemischen Ätzprozess folgenden Strahlung zu kombinieren. Hierzu kann dem Strahlmedium Diamantpulver zugegeben werden. Es kann hierbei eine Nass- oder Trockenstrahlung (d.h. mit oder ohne Flüssigkeit) durchgeführt werden. Vorzugsweise wird das Diamantpulver dem Strahlpulver beigemengt. Die Menge des dem Strahlmedium zugegebenen Diamantpulvers richtet sich nach der Strahlungsdauer der Oberfläche. Die Parameter der Strahlung (Strahldruck und -dauer usw.) können den bereits angegebenen Werten entsprechen.
Im Anschluss kann die gestrahlte Oberfläche wiederum gereinigt werden (z.B. analog zum bereits erwähnten Reinigungsverfahren im Anschluss an die Strahlung), um lose Diamantpartikel bzw. das Strahlpulver zu entfernen.
Das Diamantbeschichtungsverfahren kann in der in der Beschreibungseinleitung beschriebenen Weise erfolgen.
Ebenso kann der nasschemische Ätzprozess in der in der Beschreibungseinleitung bereits beschriebenen Art und Weise erfolgen, wobei der nasschemische Ätzprozess beispielsweise ein-oder zweistufig sein kann und dem nasschemischen Ätzprozess auch ein elektrochemischer Ätzprozess vorausgehen kann.
Vor dem nasschemischen Ätzprozess bzw. dem evtl, vorausgehenden elektrochemischen Ätzprozess kann in herkömmlicher Weise eine erste Strahlung der Oberfläche des Hartmetallsub- ‘er strats durchgeführt werden, um die Oberfläche von Rückständen zu reinigen und/oder um Anlagerungen von Bindermitteln an der Oberfläche zu entfernen.
Es folgt die Beschreibung eines Ausführungsbeispiels der Erfindung anhand eines zu beschichtenden Bauteils, welches ein Hartmetallsubstrat der Wolframkarbid/Kobalt-Sorte aufweist: 1. Die Oberfläche des geschliffenen und evtl, auch polierten Substrats wird gestrahlt, um die Oberfläche von Rückständen zu reinigen und Kobaltansammlungen an der Oberfläche zu entfernen, welche andernfalls eine ungleichmäßige nasschemische Ätzung hervorrufen können. Die Mikrostrahlung erfolgt als Nass- oder Trockenstrahlung mit einem Strahlpulver, z.B. Edelkorund mit einer Körnung im Bereich 1 bis 50 pm. Auch die bereits beschriebene Strahlung nur mit Wasser ist denkbar und möglich. 2. Es folgt ein ein- oder zweistufiger nasschemischer Ätzprozess, um oberflächennahes Kobaltbindermaterial zu entfernen und die Oberfläche chemisch aufzurauen. Ein vorausgehender elektrochemischer Ätzprozess ist, wie bereits beschrieben, ebenfalls denkbar und möglich. 3. Es folgt eine erfindungsgemäße weitere Strahlung der geätzten Substratoberfläche mittels einer Nass- und/oder Trockenmikrostrahlung, beispielsweise mit Korund oder Siliziumkarbid. Dadurch werden durch die Ätzung gelockerte und damit ungenügend haftende Wolframkarbid-Körner von der versprödeten Oberflächenregion entfernt und eine stabilere Woframkar-bid-Gefügeunterlage erhalten. Die Strahlung kann mit den bereits genannten Parametern durchgeführt werden. Anstelle einer Mikrostrahlung unter Verwendung eines Strahlpulvers wäre auch, wie beschrieben, eine Strahlung nur mit Wasser denkbar und möglich. 4. Es folgt ein Reinigungsschritt, zur Entfernung von auf der Oberfläche nach der Strahlung zurückgebliebenem Strahlmittel, der in der bereits beschriebenen Form durchgeführt werden kann. 5. Es folgt die Bekeimung der nach den obigen Schritten präparierten Substratoberfläche mit Diamantpulver in herkömmlicher Art und Weise. Alternativ wäre auch, wie beschrieben, eine Kombination der Bekeimung mit der Strahlung gemäß Punkt 3 denkbar und möglich, wobei in der Folge wiederum ein Reinigungsschritt durchgeführt wird. 6. Anschließend wird das Substrat diamantbeschichtet.
Unterschiedliche Modifikationen der beschriebenen Ausführungsbeispiele sind denkbar und möglich, ohne den Bereich der Erfindung zu verlassen.
Claims (14)
- Patentansprüche: 1. Verfahren zur Herstellung eines diamantbeschichteten Bauteils, insbesondere eines Zerspanungswerkzeuges, welches ein mit der Diamantschicht zu versehendes Hartmetallsubstrat aufweist, wobei eine Oberflächenregion der zu beschichtenden Oberfläche des Hartmetallsubstrats vor der Diamantbeschichtung vorbehandelt wird und diese Vorbehandlung einen nasschemischen Ätzprozess zur Entfernung von Bindermaterial des Hartmetallsubstrats aus der Oberflächenregion des Hartmetallsubstrats umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem nasschemischen Ätzprozess eine Strahlung der zu beschichtenden Oberfläche des Hartmetallsubstrats mit einem Strahlmedium erfolgt, welches eine Flüssigkeit, vorzugsweise Wasser, und/oder ein Strahlpulver, vorzugsweise Korund oder Siliziumkarbid, enthält oder hiervon gebildet wird.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass nach der dem nasschemischen Ätzprozess folgenden Strahlung der zu beschichtenden Oberfläche des Hartmetallsubstrats eine Diamantbekeimung der zu beschichtenden Oberfläche des Hartmetallsubstrats durchgeführt wird.
- 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der dem nasschemischen Ätzprozess folgenden Strahlung und der Diamantbekeimung ein Reinigungsschritt der Oberfläche durchgeführt wird, welche vorzugsweise eine Ultraschall-Reinigung umfasst.
- 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Strahlenmedium zur mit der Strahlung gleichzeitigen Diamantbekeimung der zu beschichtenden Oberfläche des Substrats Diamantpulver enthält.
- 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass nach der Be-keimung ein Reinigungsschritt der zu beschichtenden Oberfläche durchgeführt wird, der vorzugsweise eine Ultraschall-Reinigung umfasst.
- 6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem nasschemischen Ätzprozess ebenfalls eine Strahlung der Oberfläche des Hartmetallsubstrats mit einem Strahlmedium durchgeführt wird, welches eine Flüssigkeit, vorzugsweiseWasser, und/oder ein Strahlpulver, vorzugsweise Korund oder Siliziumkarbid, enthält oder hiervon gebildet wird.
- 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass der nasschemische Ätzprozess ein- oder zweistufig ist.
- 8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass dem nasschemischen Ätzprozess ein elektrochemischer Ätzprozess vorausgeht.
- 9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der aufgebrachten Diamantschicht 1 - 30 pm beträgt.
- 10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Diamantschicht polykristallin ist.
- 11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Bindermaterial des Hartmetallsubstrats Kobalt und/oder Eisen und/oder Nickel ist bzw. enthält.
- 12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Hartstoffphase des Hartmetallsubstrats Wolframkarbid und/oder Titankarbid und/oder Tantalkarbid ist bzw. enthält.
- 13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die dem nasschemischen Ätzprozess folgende Strahlung unter Verwendung eines Strahlpulvers als Nass- oder Trockenstrahlung mit einem Strahldruck im Bereich von 0,5 bis 5 bar durchgeführt wird.14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die dem nasschemischen Ätzprozess folgende Strahlung nur mit Flüssigkeit, vorzugsweise Wasser, mit einem Strahldruck im Bereich zwischen 10 und 105 MPa durchgeführt wird.«Patentanwälte Dipl.^rij.Ftefbeft'Hefel Mag. Dr. Ralf Hofmann 6800 FeldkirchVerfahren zur Herstellung eines diamantbeschichteten Bail Utens, insbesondere eines 2. 3. 4. 5. 6. Zerspanungswerkzeuges, welches ein mit der Diamantschicht zu versehendes Hartmetallsubstrat aufweist, wobei eine Oberflächenregion der zu beschichtenden Oberfläche des Hartmetallsubstrats vor der Diamantbeschichtung vorbehandelt wird und diese Vorbehandlung einen nasschemischen Ätzprozess zur Entfernung von Bindermaterial des Hartmetallsubstrats aus der Oberflächenregion des Hartmetallsubstrats umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem nasschemischen Ätzprozess eine Strahlung der zu beschichtenden Oberfläche des Hartmetallsubstrats mit einem Strahlmedium erfolgt, welches eine Flüssigkeit, vorzugsweise Wasser, und/oder ein Strahlpulver, vorzugsweise Korund oder Siliziumkarbid, enthält oder hiervon gebildet wird. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass nach der dem nasschemischen Ätzprozess folgenden Strahlung der zu beschichtenden Oberfläche des Hartmetallsubstrats in an sich bekannter Weise eine Diamantbekeimung der zu beschichtenden Oberfläche des Hartmetallsubstrats durchgeführt wird. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der dem nasschemischen Ätzprozess folgenden Strahlung und der Diamantbekeimung ein an sich bekannter Reinigungsschritt der Oberfläche durchgeführt wird, welche vorzugsweise eine Ultraschall-Reinigung umfasst. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Strahlenmedium zur mit der Strahlung gleichzeitigen Diamantbekeimung der zu beschichtenden Oberfläche des Substrats Diamantpulver enthält. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass nach der Be-keimung ein Reinigungsschritt der zu beschichtenden Oberfläche durchgeführt wird, der vorzugsweise eine Ultraschall-Reinigung umfasst. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass wie an sich bekannt vor dem nasschemischen Ätzprozess ebenfalls eine Strahlung der Oberfläche des Hartmetallsubstrats mit einem Strahlmedium durchgeführt wird, welches eine Flüssigkeit, NACHGEREICHT HE 17925 33/eb···· · · · · · · vorzugsweise Wasser, und/oder Sin Sfrahfpulväf, vöfzucJSweise Korund oder Siliziumkarbid, enthält oder hiervon gebildet wird. 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass der nasschemische Ätzprozess in an sich bekannter Weise ein- oder zweistufig ist. 8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass dem nasschemischen Ätzprozess ein elektrochemischer Ätzprozess vorausgeht. 9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der aufgebrachten Diamantschicht 1 - 30 pm beträgt. 10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Diamantschicht polykristallin ist. 11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Bindermaterial des Hartmetallsubstrats wie an sich bekannt Kobalt und/oder Eisen und/oder Nickel ist bzw. enthält. 12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Hartstoffphase des Hartmetallsubstrats wie an sich bekannt Wolframkarbid und/oder Titankarbid und/oder Tantalkarbid ist bzw. enthält. 13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die dem nasschemischen Ätzprozess folgende Strahlung unter Verwendung eines Strahlpulvers als Nass- oder Trockenstrahlung mit einem Strahldruck im Bereich von 0,5 bis 5 bar durchgeführt wird.
- 14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die dem nasschemischen Ätzprozess folgende Strahlung nur mit Flüssigkeit, vorzugsweise Wasser, mit einem Strahldruck im Bereich zwischen 10 und 105 MPa durchgeführt wird. Feldkirch, am 17. Aug. 2005 Die Vertreter:/alte jert Hefel Hofmann 050722 NACHGEREICHT
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| AT14252003A AT500171B8 (de) | 2003-09-10 | 2003-09-10 | Verfahren zur herstellung eines diamantbeschichteten bauteils |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| AT14252003A AT500171B8 (de) | 2003-09-10 | 2003-09-10 | Verfahren zur herstellung eines diamantbeschichteten bauteils |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| AT500171A1 true AT500171A1 (de) | 2005-11-15 |
| AT500171B1 AT500171B1 (de) | 2006-05-15 |
| AT500171B8 AT500171B8 (de) | 2007-02-15 |
Family
ID=35468612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| AT14252003A AT500171B8 (de) | 2003-09-10 | 2003-09-10 | Verfahren zur herstellung eines diamantbeschichteten bauteils |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| AT (1) | AT500171B8 (de) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2003
- 2003-09-10 AT AT14252003A patent/AT500171B8/de not_active IP Right Cessation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AT500171B1 (de) | 2006-05-15 |
| AT500171B8 (de) | 2007-02-15 |
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