AT501111A1

AT501111A1 - Verfahren und vorrichtung zur änderung des polarisationszustandes von licht

Info

Publication number: AT501111A1
Application number: AT0207404A
Authority: AT
Inventors: Yuri S Dr Didosyan
Original assignee: Univ Wien Tech; Etech Ag
Priority date: 2004-12-09
Filing date: 2004-12-09
Publication date: 2006-06-15
Also published as: JP2008523423A; CN101076753A; US20080165408A1; AT501111B8; EP1820057A1; AT501111B1; WO2006060831A1

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Änderung des Polarisationszustandes von Licht mit einem magnetisch einachsigen Kristall, der zunächst eine bestimmte Multidomänen-Struktur aufweist, wobei Licht durch vorgegebene Bereiche des Kristalls hindurchtritt, und an den Kristall (1) ein Magnetfeldimpuls mit einer Magnetfeldstärke (Hl) angelegt wird, bei der der Kristall (1) in einen reversiblen Monodomänen-Zustand übergeht, sowie eine Vorrichtung zur Durchführung eines derartigen Verfahrens mit einem magneto-optischen Rotator gebildet aus einem magnetisch einachsigen Kristall, der zunächst eine bestimmte Multidomänen-Struktur aufweist, und zumindest einer Vorrichtung zur Erzeugung von und Beaufschlagung des Kristalls mit Magnetfeldimpulsen, umfassend eine steuerbare Quelle für Magnetfeldimpulse und eine Steuerschaltung für die Magnetfeldquelle. Gegenstände der Erfindung sind also Methoden und Vorrichtungen zur Änderung der Polarisation von Lichtstrahlen und in der Folge zur Änderung der Richtung, der Intensität u. dgl. mehr dieser Lichtstrahlen, wie sie in optischen Kommunikationssystemen, Informationsverarbeitung, Displays etc. zur Anwendung kommen.

Von den zahlreiche Arten von optischen Schaltern, sind zur Zeit mikroelektromechanische Systeme (MEMS) am meisten in Verwendung. Ein wichtiger Vorteil von MEMS ist, dass diese zu den sogenannten „latching Systemen" gehören, das heißt, dass sie energielose stabile Schaltzustände haben und Energie nur zum Schalten benötigen, während elektrooptische Systeme - mit vergleichsweise viel kürzere Schaltzeiten - permanente Energieversorgung brauchen, zumindest in einem Zustand. Ihre Schaltzeiten sind jedoch ziemlich lang -ca. 1 ms.

Mit magneto-optischen Systemen eröffnet sich die Möglichkeit, kurze Schaltzeit und geringen insertion loss mit der sogenannten „latching" Funktionsweise (siehe oben) zu kombinieren. In der AT 408.700 B wird ein multistabiler Polarisationsrotator beschrieben. Stabile Zustände bei diesem Rotator werden durch Inhomogenitäten auf den Oberflächen von orthoferritischen Plättchen, die die Domänenwände (DWs) in vorgegebenen Lagen halten, gewährleistet. Übergänge zwischen diesen stabilen Zuständen kommen durch Verschiebung der Domänenwände zwischen diesen Lagen zustande und finden ohne Erzeugung von neuen Domänen statt. Die für diese Übergange benötigte Dauer beträgt ca. 100 ns, das heißt, dass sie um etliche 1000 Male schneller sind als für andere optische Schalter der „latching" Art. Die Apertur des Schalters ist aber wesentlich eingeschränkt.

In der AT 411.852 sind ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Änderung des Polarisationszustandes von Licht mit einem magnetisch einachsigen Kristall, geoffenbart, wobei der Kristall zunächst eine bestimmte Multidomänen-Struktur aufweist, die unter der Einwirkung eines äußeren Magnetfeldes in einen Monodomänen-Zustand mit einer der Richtung des angelegten Magnetfeldes entsprechenden Domänenausrichtung übergeht. Dabei wird an

·· ···· ·· ··· ·· den Kristall ein Magnetfeldimpuls mit einer Magnetfeldstärke angelegt, bei der der Kristall nach dem Ende des Impulses nicht im Monodomänen-Zustand verbleibt, sondern in einen definierten, von der Richtung des angelegten Magnetfeldes bestimmten Multidomänen-Zustand zurückkehrt, vorzugsweise in einen Zustand mit drei Domänen. Nun beträgt die Höhe der äußeren, bislang zur Änderung des Polarisierungszustandes des Lichts genutzten Domänen eines beispielsweise 1,2 mm hohen Yttrium-Orthoferrits 300 bis 350 pm. Auf vielen Gebieten, beispielsweise faseroptischen Anwendungen, werden aber größere Aperturen im Bereich von 500 bis 600 pm gebraucht. Die Apertur ist dabei definiert durch die Zone, in welcher durch die angelegten Magnetfeldimpulse die Polarität der Magnetisierung wechselt und welche daher zur Beeinflussung des den Kristall durchsetzenden Lichts genutzt werden kann.

Die Verwendung von höheren Orthofenit-Kristallen führt aber nicht zur Vergrößerung der Dimensionen der Domänen, sondern zu einer Vergrößerung der Anzahl an Domänen im Kristall. Schon bei einem 1,2 mm hohen Kristall würde die zentrale Domäne die gewünschte Apertur aufweisen. Die Verwendung war aber bislang aufgrund folgender Nachteile nicht möglich. Bei Anlegen von Magnetfeldimpulsen wechselnder Polarität zur reversiblen Magnetisierung des Kristalls zu Monodomänen-Zuständen beginnt der Wechsel der Polarität des zentralen Bereichs des Kristalls erst nach Ende des Impulses und dauert einige Mikrosekunden. Bei Anlegen von Magnetfeldimpulsen mit gleicher Polarität wie die äußeren Domänen beginnt der Wechsel der Polarität der zentralen Domäne zwar gleichzeitig mit dem Beginn des Impulses, doch geht die Magnetisierung nach dessen Ende langsam wieder auf den ursprünglichen Wert zurück.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Verbesserung der eingangs genannten Verfahren und der Vorrichtung im Sinn einer Vergrößerung der nutzbaren Apertur und Erzielung möglichst geringer Schalt- und Ansprechzeiten.

Zur Lösung dieser Aufgabe ist das Verfahren dadurch gekennzeichnet, daß der an den Kristall angelegte Magnetfeldimpuls mit der Magnetfeldstärke nach Übergang des Kristalls in den reversiblen Monodomänen-Zustand zu einem Halte-Magnetfeld mit niedrigerer Magnetfeldstärke zurückgenommen wird. Damit kann nach dem schnellen Schalten durch den starken Magnetfeldimpuls das Zurückwechseln der zentralen Domäne in die ursprüngliche Magnetisierung verhindert werden, und das mit einem wesentlich geringeren Energieeinsatz als beispielsweise bei anderen elektro-optischen Systemen. Somit kann der Bereich des Kristalls als Apertur herangezogen werden, welcher im Multidomänen-Zustand der antiparallel zum angelegten Magnetfeldimpuls magnetisierten Domäne entspricht, welche Domäne die gewünschte Höhe von ca. 500 pm, allenfalls auch etwas mehr, aufweist. ♦ ··· ···· ···· • to · ··· · J ·

Gemäß einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen^aß das Halte-Magnetfeld durch Veränderung der Magnetfeldstärke des angelegten Impulses einge-. stellt wird. Bei dieser Variante kann einfach die Magnetfeldstärke variiert werdeh. Auch der Aufbau der Vorrichtung kann sehr einfach gehalten werden.

Eine alternative Ausführungsform der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß der Kristall permanent einem Halte-Magnetfeld mit gleicher Polarität wie der Magnetfeldimpuls beaufschlagt wird. Dabei kann bei nur geringfügig höherem Aufwand bezüglich des Aufbaus der Vorrichtung die Schaltung für die Erzeugung der Magnetfeldimpulse einfacher gehalten werden, da prinzipiell nur ein Ein- und Ausschalten vorgesehen sein muß.

Vorteilhafterweise beträgt die Magnetfeldstärke des Halte-Magnetfeldes maximal ein Drittel der Magnetfeldstärke des Magnetfeldimpulses, vorzugsweise maximal 10% dieser Magnetfeldstärke, welches Verhältnis unmittelbar die Energieeinsparung gegenüber elektrooptischen Verfahren und Vorrichtungen beeinflusst.

Eine weitere Verbesserung bezüglich der Schaltzeiten, die mit dem erfindungsgemäßen Verfahren erreicht werden können, kann dadurch erzielt werden, daß durch Anlegen eines dem ersten Magnetfeldimpuls entgegengesetzten zweiten Magnetfeldimpulses an zu- | . i x mindest einen Bereich des Kristalls, welcher mittels des ersten Magnetfeldimpulses reversibel umpolärisiert wurde und einer Domäne großer Höhe entspricht, die ursprüngliche Polarisierung in diesem Bereich wieder hergestellt wird. Damit wird die Rückpolarisierung des Kristalls in den Multidomänen-Zustand nach Ende des Magnetfeldimpulses, der den Monodomänen-Zustand im Kristall hervorruft, beschleunigt. Aufgrund der rein lokalen Beaufschlagung des wieder in die ursprüngliche magnetische Orientierung zurückzuführenden Bereiches des Kristalls - der der(den) umpolarisierten Domäne(n) des Multidomänen-Zustandes entspricht -kann dieser Vorteil mit relativ geringem Energie- und Apparate-Aufwand erzielt werden.

Ein weiteres vorteilhaftes Ausführungsbeispiel der Erfindung sieht vor, daß die Domänenwände durch im Kristall erzeugte Inhomogenitäten in vorgegebenen Positionen gehalten werden.

Gemäß dem Merkmal einer weiteren erfindungsgemäßen Variante werden die Lichtstrahlen durch solche Bereiche des Kristalls geleitet, in welchen sich durch Anlegen des äußeren Magnetfeldimpulses die gleiche Polarität wie jene des Magnetfeldimpulses einstellt. Dieser Bereich des Kristalls ist die zentrale, die Magnetisierung wechselnde Domäne mit einer Höhe von ca. 500 pm, so daß die Anwendungsmöglichkeiten des erfindungsgemäßen Verfahrens und der Vorrichtung erweitert werden, beispielsweise auch auf faseroptische Anwendungen.

Die eingangs beschriebene Vorrichtung zur Änderung des Polarisationszustandes von Licht ist zur Lösung der gestellten Aufgabe erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet, daß • · · ··· ··· · ' · ····· · ·· • · · · · ···· ·· ···· ·· ··· ·· · die Vorrichtung zur Erzeugung von Magnetfeldimpulsen von zumindest zwei unterschiedlichen Magnetfeldstärken ausgelegt ist. Damit kann die Vorrichtung schnelle Schaltzeiten und gleichzeitig eine große Apertur für die Veränderung des Polarisierungszustandes des Lichts erreichen, welche durch das Wechseln der magnetischen Polarisierung der größeren Domä-ne(n) des Kristalls, im meist vorliegenden Fall der zentralen Domäne, durch Anlegen des starken Magnetfeldimpulses hervorgerufen wird. Das Zurückwechseln dieses Bereichs des Kristalls in die Ursprüngliche Magnetisierung und daher die Rückkehr des Kristalls in den Mul-tidomänen-Zustand kann durch das Halte-Magnetfeld verhindert werden, so daß die größere^) Domäne(n) für das Durchleiten des Lichts genutzt werden kann(können).

Eine vorteilhafte Ausführuhgsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung zumindest eine steuerbare Magnetfeldquelle umfasst, deren Steuereinrichtung zumindest zwei Schaltzustände aufweist, die die Magnetfeldquelle zur Erzeugung Von Magnetfeldimpulsen von unterschiedlichere Magnetfeldstärke ansteuert. Als steuerbare Magnetfeldquelle kann bei^einfacher Ausführung der Vorrichtung eine einzelne, den Kristall umgebende Magnetspule vorgesehen sein, wobei eine Steuereinrichtung dafür ebenfalls einfach zu realisieren ist.

Wenn gemäß einer weiteren Ausführungsform die Vorrichtung zumindest eine steuerbare Magnetfeldquelle mit zumindest zwei Schaltzuständen und eine permanente Magnetfeldquelle aufweist, wobei die steuerbare Magnetfeldquelle in einem Schaltzustand Magnetfeldimpulse mit wesentlich höherer Magnetfeldstärke liefert als die Magnetfeldstärke der permanenten Magnetfeldquelle, kann die Steuereinrichtung noch einfacher sein und kann sich auf Ein- und Ausschalten der steuerbaren Magnetfeldquelle beschränken. Die permanente Magnetfeldquelle kann einfachst durch einen allenfalls auf oder neben dem Kristall montierten Permanentmagneten realisiert sein.

Um die Rückpolarisierung des Kristalls in den Multidomänen-Zustand nach Ende des Magnetfeldimpulses für den Monodomänen-Zustand zu beschleunigen und damit auch hier die Schaitzeiten zu verbessern, ist erfindungsgemäß eine Ausführungsform vorgesehen, bei der zwei steuerbare Magnetfeldquellen vorgesehen sind, wobei eine erste Magnetfeldquelle den gesamten Kristall mit Magnetfeldimpulsen mit zumindest zwei Magnetfeldstärken und gleicher Polarität beaufschlagt und eine weitere Magnetfeldquelle lediglich zumindest einen Bereich des Kristalls mit Magnetfeldimpulsen entgegengesetzter Orientierung beaufschlagt, welcher Bereich der durch die Magnetfeldimpulse ersten Magnetfeldquelle umpolarisierten Domäne größerer Höhe entspricht. Aufgrund der rein lokalen Beaufschlagung des - im meist vorliegenden Anfangszustand des Kristalls mit drei magnetischen Domänen zentralen - Bereich des Kristalls, welcher der(den) Domäne(n) mit wechselnder Polarität entspricht, kann dieser Vorteil mit relativ geringem Energie- und Apparate-Aufwand erzielt werden. ·· ·· ·· ··♦· ···· ···· ••••· · ·ς· • · · ··· ··· · · • •••· · · · ··· · · · · · · ·» ···· ·· ··· ·· ·

Gemäß einer vorteilhaften Ausführungsform der Vorrichtung ist vorgesehen, daß der Kristall Inhomogenitäten aufweist, welche die Domänen in vorgegebenen Positionen fixieren, welche Inhomogenitäten sich vorzugsweise auf den Seitenflächen des Kristalls befinden.

Weitere Merkmale und Vorteile des erfindungsgemäßen Verfahrens sowie der entsprechenden Vorrichtung werden in der nachfolgenden Beschreibung sowie den beigefügten Zeichnungen näher erläutert.

Der in den Zeichnungsfiguren dargestellte Kristall 1 der erfindungsgemäßen Vorrichtung besteht beispielsweise Yttrium Orthoferrit oder einem ähnlichen magnetisch einachsigem Material. Er ist senkrecht zur optischen Achse für eihe vorgegebene Wellenlänge geschnitten. Für Yttrium Orthoferrit liegen dje optischen Achsen in der kristallographischen bc-Ebene und schließen für Lichtwellenlängen von 1,3 pm mit der c-Achse Winkel von 47 Grad ein. Die für eine Drehung der Polarisationsebene um 45° notwendige Dicke für die genannten Wellenlänge ist 1,1 mm, die Höhe des Kristalls 1 beträgt 1,2 mm.

Ohne äußeres Magnetfeld liegt der Kristall 1 anfänglich in einem Zustand mit drei magnetischen Domänen 3, 4, 5 vor. In einem solchem Kristall 1 sind die Domänenwände 2 der aneinander angrenzenden und jeweils in entgegengesetztem Sinn magnetisierten Domänen 3, 4, 5 senkrecht zur Richtung der kristallographischen a-Achse ausgerichtet, siehe Fig. la. Die Höhe der oberen und unteren Domäne 3, 4, welche im gezeigten Beispiel der Fig. la positiv magnetisiert sind, beträgt ca. 300 bis 350 pm, die mittlere Domäne ist dagegen negativ magnetisiert und weist eine Höhe von ca. 500 pm auf, allenfalls auch etwas mehr.

Bei Anlegen eines Magnetfeldimpulses von negativer Polarität mit einer Magnetfeldstärke Hl mittels einer den gesamten Kristall 1 umgebenden Spule 6 wird der Kristall 1 bis in den reversiblen Monodomänen-Zustand magnetisiert, der in Fig. lb dargestellt ist. Die Spule 6 ist in Fig. la und lb nur schematisch dargestellt und ist tatsächlich höher bzw. dicker als der Kristall 1. Beispielsweise wird für einen Kristall 1 mit einer Höhe von 1,2 mm die Spule eine Höhe von ca. 1,5 mm aufweisen.

Nach Erreichen des Monodomänen-Zustandes durch den Kristall 1 aufgrund des angelegten Magnetfeldimpulses wird dieser jedoch nicht vollständig beendet, sondern dessen anfängliche Magnetfeldstärke Hl lediglich auf eine ebenfalls durch die Spule 6 erzeugte Hal-te-Magnetfeldstärke H2 zurückgenommen, die maximal ein Drittel der Magnetfeldstärke Hl beträgt. Meist wird mit Halte-Magnetfeldstärken H2 von maximal 10% der Magnetfeldstärke Hl das Auslangen gefunden. Durch dieses Halte-Magnetfeld H2 wird der Monodomänen-Zustand der Fig. lb mit sehr geringem Energieverbrauch aufrechterhalten und das Ummagnetisieren der zentralen Domäne 5 in die ursprüngliche Orientierung (Fig. la) verhindert.

Die Verminderung der Magnetfeldstärke auf Null durch Beendigung der Stromzufuhr zur Spule 6 erlaubt dann dem Kristall die Rückkehr in den Multidomänen-Zustand der Fig. la ····· · +Ä" • · · ··♦ ··· · W · ····· · · · ··· ·· ···· ·· ···· ·· ··· ·· · mit positiver Magnetisierung der zentralen Domäne 5. Dieser Zustand kann wieder ohne äußere Energiezufuhr aufrecht erhalten werden. Der Übergang zurück in diesen Zustand erfolgt ohne äußere Energiezufuhr allerdings sehr langsam, im Mikrosekundenbereich. Um diese Rückkehr zur Verbesserung der Schaltzeiten der Vorrichtung zu beschleunigen, kann lokal an der zentralen Domäne 5 ein lokaler positiver Magnetfeldimpuls Hloc angelegt werden, der nur die schneller Ummagnetisierung der zentralen Domäne auf positiven Sinn bewirkt. Das kann beispielsweise durch eine zweite, die zentrale Domäne 5 umgebende bzw. auf der zentralen Domäne 5 aufliegende Magnetspule 7 realisiert sein, was noch den zusätzlichen Vorteil hat, daß außerhalb der Spule 7 die negativ magnetisierten Domänen 3, 4 nicht negativ beeinflusst werden.

Ein auf den gesamten Kristall 1 wirkender positiver Magnetfeldimpuls hingegen würde entweder - bei entsprechender Magnetfeldstärke - eine dauerhafte Ummagnetisierung des gesamten Kristalls auf positiv bewirken, so daß für nachfolgende Ummagnetisierungen jedesmal die sehr hohen Koerzitivkräfte überwunden werden müssen.

Das Halte-Magnetfeld H2 kann anstelle durch die Spule 6 allenfalls auch durch einen Permanentmagneten am oder neben dem Kristall 1 erzeugt werden, wobei dann die Magnetfeldquelle zur Erzeugung des Magnetfeldimpulses mit der Magnetfeldstärke Hl ganz abgeschaltet werden und der Kristall 1 ganz ohne externe Energieversorgung im ummagnetisier-ten Zustand der Fig. lb gehalten werden kann. Für die örtliche Stabilisierung der Domänen 3, 4, 5 kann man wieder Inhomogenitäten (Nichtuniformitäten) 8 am Kristall 1 verwenden. Diese Inhomogenitäten 8, beispielsweise Ritzen, Kratzern od. dgl., werden auf den Oberflächen des Kristalls 1 angebracht, eventuell der bzw. den Seitenflächen des Kristalls 1, wie in Fig. 2 gezeigt ist. Die Richtung der Ritzen bzw. Kratzer 8 ist senkrecht zur kristallographischen a-Achse und parallel zu den Ebenen der Wände 2 der Domänen 3, 4, 5.

Werden nun Lichtstrahlen durch die zentrale Domäne 5 gelenkt, so wird sich die Polarisationen des Lichts in Abhängigkeit vom Sinn der Magnetisierung - und damit schnell schaltbar - verändern.

Patentansprüche:

Claims

♦ · ·· ·· ···· ···· ···· • · · · · · *7 · • · · ··· ··· · / · ····· · · · ·· ···· ·· ··· ·· Patentansprüche; 1. Verfahren zur Änderung des Polarisationszustandes von Licht mit einem magnetisch einachsigen Kristall, der zunächst eine bestimmte Multidomänen-Strujctur aufweist, wobei Licht durch vorgegebene Bereiche des Kristalls hindurchtritt, und an den Kristall (1) ein Magnetfeldimpuls mit einer Magnetfeldstärke (Hl) angelegt wird, bei der der Kristall (1) in einen reversiblen Monodomänen-Zustand übergeht, dadurch gekennzeichnet, daß der an den Kristall (1) angelegte Magnetfeldimpuls mit der Magnetfeldstärke (Hl) nach Übergang des Kristalls (1) in den reversiblen Monodomä-nen-Zustand zu einem Halte-Magnetfeld mit niedrigerer Magnetfeldstärke (H2) zurückgenommen wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Halte-Magnetfeld (H2) durch Veränderung der Magnetfeldstärke des angelegten Impulses eingestellt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kristall (1) permanent mit einem Halte-Magnetfeld (H2) mit gleicher Polarität wie der Magnetfeldimpuls (Hl) beaufschlagt wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Magnetfeldstärke (H2) des Halte-Magnetfeldes maximal ein Drittel der Magnetfeldstärke (Hl) des Magnetfeldimpulses beträgt, vorzugsweise maximal 10% dieser Magnetfeldstärke (Hl).
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurqji gekennzeichnet, daß durch Anlegen eines dem ersten Magnetfeldimpuls entgegengesetzten zweiten Magnetfeldimpulses an zumindest einen Bereich des Kristalls (1), welcher mittels des ersten Magnetfeldimpulses reversibel umpolarisiert wurde und einer Domäne (5) großer Höhe entspricht, die ursprüngliche Polarisierung in diesem Bereich wieder hergestellt wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Domänenwände (2) durch im Kristall (1) erzeugte Inhomogenitäten (6) in vorgegebenen Positionen gehalten werden. ·· ·*8 . • · ·· • · · · · • · · ··· • · · · · • · · · · ·· ···· ·· ···· ···· ··· ··· • · · · ··· ·· ·
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Lichtstrahlen durch solche Bereiche des Kristalls (1) geleitet werden, in welchen sich durch Anlegen des äußeren Magnetfeldimpulses mit der Magnetfeldstärke (Hl) die gleiche Polarität wie jene des Magnetfeldimpulses einstellt
8. Vorrichtung zur Änderung des Polarisationszustandes von Licht nach dem Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, mit einem magneto-optischen Rotator gebildet aus einem magnetisch einachsigen Kristall (1), der zunächst eine bestimmte Multido-mänen-Struktur aufweist, und zumindest einer Vorrichtung zur Erzeugung von und Beaufschlagung des Kristalls (1) mit Magnetfeldimpulsen, umfassend eine steuerbare Quelle für Magnetfeldimpulse und eine Steuerschaltung für die Magnetfeldquelle, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung zur Erzeugung von Magnetfeldimpulsen von zumindest zwei unterschiedlichen Magnetfeldstärken (Hl, H2) ausgelegt ist.
9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung zumindest eine steuerbare Magnetfeldquelle umfasst, deren Steuereinrichtung zumindest zwei Schaltzustände aufweist, die die Magnetfeldquelle zur Erzeugung von Magnetfeldimpulsen von unterschiedlichere Magnetfeldstärke (Hl, H2) ansteuert.
10. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung zumindest eine steuerbare Magnetfeldquelle mit zumindest zwei Schaltzuständen und eine permanente Magnetfeldquelle aufweist, wobei die steuerbare Magnetfeldquelle in einem Schaltzustand Magnetfeldimpulse mit wesentlich höherer Magnetfeldstärke (Hl) liefert als die Magnetfeldstärke (H2) der permanenten Magnetfeldquelle.
11. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 8 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß zwei steuerbare Magnetfeldqueilen vorgesehen sind, wobei eine erste Magnetfeldquelle den gesamten Kristall (1) mit Magnetfeldimpulsen mit zumindest zwei Magnetfeldstärken (Hl, H2) und gleicher Polarität beaufschlagt und eine weitere Magnetfeldquelle lediglich einen Bereich des Kristalls (1) mit Magnetfeldimpulsen entgegengesetzter Orientierung beaufschlagt, welcher Bereich der durch die Magnetfeldimpulse der ersten Magnetfeldquelle umpolarisierten Domäne (5) größerer Höhe entspricht. ···· ·»»· ···« • ·η * ··· · y ·
12. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 8 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Kristall (1) Inhomogenitäten (8) aufweist, welche die Domänen (3, 4, 5) in vorgegebenen Positionen fixieren, welche Inhomogenitäten (8) sich vorzugsweise auf den Seitenflächen des Kristalls (1) befinden. Wien, am 9. Dezember 2004 Technische Universität Wien in Wien (AT) ETeCH AG in Solothurn (CH) vertreten durch:

fSnwalt Patentanwälte KLEIN, PINTER & LAMINGER Prinz Eugen-Straße/70, A-MMO Wie