AT517895B1 - Verfahren und Vorrichtung zur Nivellierung, Kraftausgleichung und Kontaktabfühlung bei Halbleiterwafern - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zur Nivellierung, Kraftausgleichung und Kontaktabfühlung bei Halbleiterwafern Download PDF

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AT517895B1
AT517895B1 ATA9278/2014A AT92782014A AT517895B1 AT 517895 B1 AT517895 B1 AT 517895B1 AT 92782014 A AT92782014 A AT 92782014A AT 517895 B1 AT517895 B1 AT 517895B1
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Abstract

Vorrichtung zur Waferbondung, mit einem unteren Chuck (232) für einen ersten Wafer (20), einem oberen Chuck (222) für einen zweiten Wafer (30) in einer Anordnung gegenüber dem ersten Wafer (20), einer Prozesskammer (202) zwischen dem oberen (222) und dem unteren (232) Chuck, und einem oberen Deckel (212a), wobei außerhalb der Prozesskammer (202) auf dem oberen Deckel (212a) drei voneinander beabstandete Einstellmechanismen (110A, 110B, 110C) angeordnet sind, von denen jeder eine Komponente (130) zum Erfühlen eines Kontakts mit dem oberen Chuck (222); eine Komponente zum Einstellen (140) einer Vorbelastungskraft des oberen Chucks (222); und eine Komponente (120) zur Nivellierung des oberen Chucks (222) aufweist.

Description

Beschreibung [0001] Die Erfindung betrifft allgemein eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Halbleiterwaferbondung und insbesondere eine Vorrichtung zur Waferbondung, mit einem unteren Chuck für einen ersten Wafer, einem oberen Chuck für einen zweiten Wafer in einer Anordnung gegenüber dem ersten Wafer, einer Prozesskammer zwischen dem oberen und dem unteren Chuck, und einem oberen Deckel und ein Verfahren zur Waferbondung, wobei eine Nivellierung eines Chucks, einen Kraftausgleich und eine Substratkontaktabfühlung ermöglicht werden.
[0002] Wafer-zu-Wafer (W2W)-Bondung wird in einem weiten Bereich von Halbleiterprozessanwendungen zum Bilden von Halbleiterbauelementen angewendet. Zu Beispielen von Halbleiterprozessanwendungen, wo W2W-Bondung angewendet wird, gehören Substrat-Engineering und die Herstellung von integrierten Schaltkreisen, Packaging und Verkapselung von mikroelektromechanischen Systemen (MEMS) und das Stapeln vieler verarbeiteter Schichten (3DIntegration) von reiner Mikroelektronik. W2W-Bondung umfasst das Ausrichten von zwei oder mehr Waferflächen, ihr Inkontaktbringen und das Bilden einer starken Bindungsgrenzfläche zwischen ihnen. Die Gesamtverarbeitungsausbeute und die Herstellungskosten der auf diese Weise hergestellten Halbleiterbauelemente und letztendlich die Kosten der elektronischen Produkte, in denen sich diese Bauelemente befinden, hängen zu einem großen Teil von der Qualität der W2W-Bondung ab. Die Qualität der W2W-Bondung ist von der genauen Ausrichtung der Wafer, der Beibehaltung der Waferausrichtung an den Waferbondungsgrenzflächen und der Gleichmäßigkeit und Integrität der Bindungsfestigkeit an den Waferbondungsgrenzflächen abhängig. Insbesondere sind Nivellierung, Planarität, Distanz und Spannung zwischen den Waferflächen kritisch für die Bondqualität. Dementsprechend ist es wünschenswert, eine zuverlässige, hochpräzise und wiederholbare Positionierung der Halbleiterwaferflächen relativ zueinander in der Waferbondervorrichtung bereitzustellen.
[0003] Allgemein sieht die Erfindung somit eine Waferbondungsvorrichtung, einen unteren Chuck, einen oberen Chuck, eine Prozesskammer und drei Einstellmechanismen vor. Der untere Chuck ist dafür ausgebildet, einen ersten Wafer zu stützen, der obere Chuck ist dafür ausgebildet, einen zweiten Wafer zu stützen, wobei der zweite Wafer gegenüber dem ersten Wafer angeordnet ist. Die Prozesskammer ist zwischen dem oberen Chuck und dem unteren Chuck ausgebildet. Die drei Einstellmechanismen sind um einen oberen Deckel herum außerhalb der Prozesskammer angeordnet, und zwar mit Abstand voneinander. Jeder Einstellmechanismus weist eine Komponente zum Erfühlen eines Kontakts mit dem oberen Chuck, eine Komponente zum Einstellen der Vorbelastungskraft des oberen Chucks und eine Komponente zur Nivellierung des oberen Chucks auf.
[0004] Vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung weisen insbesondere Merkmale wie folgt auf: Jeder Einstellmechanismus umfasst des Weiteren eine Durchschubwelle, die durch den oberen Deckel reicht und ein distales Ende, das starr an einer Oberseite des oberen Chucks angebracht ist, und ein proximales Ende hat, das durch den oberen Deckel hindurch ragt. Die Durchschubwelle weist bevorzugt ein Material auf, das einen Wärmeausdehnungskoeffizienten (Coefficient of Thermal Expansion, CTE) von weniger als 2 x 106 K1 hat. Die Durchschubwelle enthält Invar-Material. Die Durchschubwelle ist thermisch vom oberen Chuck über thermische Unterbrechungspunkte isoliert.
[0005] Die Komponente zur Nivellierung des oberen Chucks enthält eine Feinmessschraube, eine Feinmessschraubenwelle, einen Schwenkarm und eine Stützplatte. Der Schwenkarm ist schwenkbar mit der Stützplatte verbunden und hat ein erstes Ende, das mit einem distalen Ende der Feinmessschraubenwelle verbunden ist, und ein zweites Ende, das mit der Durchschubwelle verbunden ist. Die Feinmessschraube hat eine Auflösung von 1 Mikrometer und ist am proximalen Ende der Feinmessschraubenwelle angebracht. Eine Drehbewegung der Feinmessschraube bewirkt eine lineare Bewegung der Feinmessschraubenwelle, und die lineare Bewegung der Feinmessschraubenwelle bewirkt eine lineare Bewegung der Durchschubwelle und stellt dadurch das Niveau des oberen Chucks ein. Die Komponente zur Nivellierung des /35
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Patentamt oberen Chucks weist des Weiteren eine Feinmessschraubenarretierklemme auf, die dafür ausgebildet ist, die Position der Feinmessschraube zu arretieren. Jeder Einstellmechanismus umfasst des Weiteren einen Sensor zum Messen der Vorbelastungskraft des oberen Chucks.
[0006] Die Komponente zum Erfühlen eines Kontakts mit dem oberen Chuck weist einen Kontaktsensor auf, der mit dem proximalen Ende der Durchschubwelle verbunden ist, wobei das Berühren der Unterseite des oberen Chucks zu einer Bewegung des oberen Chucks und der Durchschubwelle und zu einer Registrierung eines Signals durch den Kontaktsensor führt. Die Komponente zum Erfühlen eines Kontakts mit dem oberen Chuck umfasst des Weiteren eine Kontaktführung, eine Vorbelastungsfeder und eine Kugellagerschnittstelle, die zur Berührung einer die Durchschubwelle umgebenden Druckscheibe vorgesehen ist.
[0007] Die Komponente zum Einstellen der Vorbelastungskraft des oberen Chucks umfasst eine Schraube und eine Spannfeder, wobei die Spannfeder ein distales Ende, das mit der Oberseite des oberen Chucks verbunden ist, und ein proximales Ende aufweist, das mit der Schraube verbunden ist, wobei durch Drehen der Schraube die Federspannung und dadurch die Vorbelastungskraft des oberen Chucks einstellbar ist. Die Schraube weist des Weiteren einen Stopfen mit einer Schwenklageraufnahme auf, welche ein Schwenklager aufnimmt, das mit dem proximalen Ende der Spannfeder verbunden ist. Die Komponente zum Einstellen der Vorbelastungskraft des oberen Chucks weist des Weiteren vorzugsweise eine kreisrunde Klammer zum Begrenzen der Aufwärtsbewegung der Spannfeder auf.
[0008] Die Vorrichtung kann des Weiteren eine Computeranwendung umfassen, die dafür ausgebildet ist, Bilder und Positionen der drei Einstellmechanismen auf einem Display bereitzustellen und die Bewegung des oberen Chucks über die Komponente zum Erfühlen eines Kontakts zu steuern und zu führen, wobei bei Feststellen eines Kontakts mit dem oberen Chuck ein Aufleuchten der Bilder der Einstellmechanismen dort, wo der Kontakt stattfand, herbeiführbar ist.
[0009] Der untere Chuck kann ein elektrostatischer Chuck sein. Der elektrostatische Chuck weist bevorzugt eine keramische Heizvorrichtung mit integrierten Heizdrähten, einer dünnen dielektrischen Schicht auf einer Oberfläche der keramischen Heizvorrichtung und elektrischen Zwischenverbindungen auf. Die elektrischen Zwischenverbindungen weisen einen Elektrodenblock und einen Drahtleiter auf, der von einer Quetschhülse umgeben ist, wobei der Elektrodenblock an eine Unterseite der keramischen Heizvorrichtung hartgelötet und auf der Oberseite der Quetschhülse angeordnet ist, und wobei der Elektrodenblock, die Quetschhülse und der Drahtleiter innerhalb einer Randöffnung angeordnet sind, die an einem Rand der Unterseite der keramischen Heizvorrichtung ausgebildet ist.
[0010] Die Vorrichtung umfasst des Weiteren mit Vorteil eine metallische Klemmscheibe und eine Federscheibe, wobei die metallische Klemmscheibe und die Federscheibe ebenfalls innerhalb der Randöffnung angeordnet sind, und der Elektrodenblock gegen die Quetschhülse, die Quetschhülse, gegen die Klemmscheibe, und die Klemmscheibe gegen die Federscheibe drückt.
[0011] Von besonderem Vorteil ist es auch, wenn die drei Einstellmechanismen (110A, 11 OB, 110C) in einem Winkel von 120 Grad voneinander um den oberen Deckel (212a) herum angeordnet sind.
[0012] Die Erfindung in sieht gemäß einem weiteren Aspekt auch ein Verfahren zur Waferbondung mit Hilfe einer Vorrichtung gemäß der Erfindung vor, wobei das Verfahren dadurch gekennzeichnet ist, dass mittels der Computer-Stützung Bilder und Positionen der drei Einstellmechanismen (110A, 11 OB, 110C) auf einem Display anzeigbar und die Bewegung des oberen Chucks (222) über die Komponente (130) zum Erfühlen eines Kontakts Steuer- und führbar ist, und dass bei Feststellen eines Kontakts mit dem oberen Chuck (222), die Bilder der Einstellmechanismen (110A, 11 OB, 110C) dort zum Aufleuchten gebracht werden, wo der Kontakt stattfand. bereit, das Folgendes umfasst. Erstens, Bereitstellen eines unteren Chucks, der dafür ausgebildet ist, einen ersten Wafer zu stützen. Als Nächstes, Bereitstellen eines oberen
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Chucks, der dafür ausgebildet ist, einen zweiten Wafer zu stützen. Der zweite Wafer ist gegenüber dem ersten Wafer angeordnet. Als Nächstes, Bereitstellen einer Prozesskammer, die zwischen dem oberen Chuck und dem unteren Chuck ausgebildet ist. Als Nächstes, Bereitstellen dreier Einstellmechanismen, die um einen oberen Deckel herum in einem Winkel von 120 Grad voneinander angeordnet sind und außerhalb der Prozesskammer angeordnet sind. Jeder Einstellmechanismus umfasst eine Komponente zum Erfühlen eines Kontakts mit dem oberen Chuck, eine Komponente zum Einstellen der Vorbelastungskraft des oberen Chucks und eine Komponente zur Nivellierung des oberen Chucks. Das Verfahren umfasst des Weiteren das manuelle Einstellen der Vorbelastungskraft und der Nivellierung des oberen Chucks und das anschließende Führen des Kontakts mit dem oberen Chuck über eine Computeranwendung. Die Computeranwendung ist dafür ausgebildet, Bilder und Positionen der drei Einstellmechanismen auf einem Display bereitzustellen und die Bewegung des oberen Chucks über die Komponente zum Erfühlen eines Kontakts zu steuern und zu führen. Wenn ein Kontakt mit dem oberen Chuck detektiert wird, so leuchten die Bilder der Einstellmechanismen auf, wo der Kontakt stattfand.
[0013] Die elektrischen Zwischenverbindungen umfassen einen Elektrodenblock und einen Drahtleiter, der von einer Quetschhülse umgeben ist, und der Elektrodenblock ist an eine Unterseite der keramischen Heizvorrichtung hartgelötet und ist auf der Oberseite der Quetschhülse angeordnet. Der Elektrodenblock, die Quetschhülse und der Drahtleiter sind innerhalb einer Randöffnung angeordnet, die an einem Rand der Unterseite der keramischen Heizvorrichtung ausgebildet ist. Die Vorrichtung umfasst des Weiteren eine metallische Klemmscheibe und eine Federscheibe, und die metallische Klemmscheibe und die Federscheibe sind ebenfalls innerhalb der Randöffnung angeordnet. Der Elektrodenblock drückt gegen die Quetschhülse, und die Quetschhülse drückt gegen die Klemmscheibe, und die Klemmscheibe drückt gegen die Federscheibe.
[0014] Die Details einer oder mehrerer Ausführungsformen der Erfindung werden in den begleitenden Zeichnungen und der folgenden Beschreibung dargelegt. Weitere Merkmale, Aufgaben und Vorteile der Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen, den Zeichnungen und den Ansprüchen ersichtlich.
[0015] Wir wenden uns nun den Figuren zu, wo gleiche Bezugszeichen in den verschiedenen Ansichten stets gleiche Teile bezeichnen:
[0016] FIG. 1 [0017] FIG. 2 [0018] FIG. 3 [0019] FIG. 4 [0020] FIG. 5A [0021] FIG. 5B [0022] FIG. 5C [0023] FIG. 5D [0024] FIG. 6 [0025] FIG. 7 zeigt ein Querschnittsschaubild eines temporären Bondermoduls;
zeigt ein temporäres Bondermodul gemäß dieser Erfindung;
zeigt eine Querschnittansicht des temporären Waferbondermoduls von FIG. 2 senkrecht zur Beschickungsrichtung;
zeigt eine Querschnittansicht des temporären Waferbondermoduls von FIG. 2 entlang der Beschickungsrichtung;
zeigt eine Waferzentriervorrichtung mit den Vorausrichtungsarmen in der geschlossenen Position;
zeigt den Ausnehmungsfindermechanismus, der in der Waferzentriervorrichtung von FIG. 5A verwendet wird;
zeigt einen 300 mm-Wafer, wobei der Ausnehmungsfinder vollständig in die Waferausnehmung eingreift;
zeigt einen 300 mm-Wafer, wobei der Ausnehmungsfinder nicht vollständig in die Waferausnehmung eingreift;
zeigt eine Querschnittansicht des oberen Chucks des temporären Waferbondermoduls von FIG. 2;
zeigt eine perspektivische Draufsicht des temporären Waferbondermoduls von FIG. 2;
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Patentamt [0026 [0027 [0028 [0029 [0030 [0031 [0032 [0033 [0034 [0035 [0036 [0037 [0038
FIG. 8 zeigt den oberen Deckel des temporären Waferbondermoduls von FIG. 2;
FIG. 9 zeigt den oberen Chuck des temporären Waferbondermoduls von FIG. 2;
FIG. 10A zeigt die Einstellkomponenten des oberen Chucks von FIG. 9 mit fortgenommener Abdeckung und dem oberen Deckel an seinem Platz;
FIG. 10B zeigt die Einstellkomponenten des oberen Chucks von FIG. 9 mit fortgenommener Abdeckung und fortgenommenem oberen Deckel;
FIG. 11A ist eine perspektivische Ansicht der Einstellkomponenten des oberen Chucks von FIG. 9;
FIG. 11B ist eine Querschnittansicht der Einstellkomponenten von FIG. 11A;
FIG. 12 ist eine weitere perspektivische Ansicht der Einstellkomponenten von FIG. 11A;
FIG. 13 ist eine detaillierte Querschnittansicht der Spannungseinstellkomponente, der Chuck-Lokalisierungskomponente und der Kontaktsensorkomponente;
FIG. 14 ist eine detaillierte Querschnittansicht der Nivellierungseinstellkomponente und der Kontaktsensorkomponente;
FIG. 15 ist eine detaillierte Querschnittansicht der Ausrichtungskomponente für den oberen Chuck;
FIG. 16 ist eine detaillierte Querschnittansicht der Spannungseinstellkomponente; FIG. 17 ist ein Bildschirmfoto der Wafereinstellanwendung;
FIG. 18A ist eine seitliche Querschnittansicht durch die Verbindung zwischen der unteren Heizvorrichtung und dem elektrostatischen Chuck des temporären Bondermoduls von FIG. 2;
FIG. 18B
FIG. 19A ist eine Draufsicht des Bereichs A der unteren Heizvorrichtung und dem elektrostatischen Chuck des temporären Bondermoduls von FIG. 17; ist eine vergrößerte Ansicht von Bereich A von FIG. 18B;
FIG. 19B ist eine vergrößerte seitliche Querschnittansicht von Bereich A von FIG. 18B;
FIG. 20 ist eine Querschnittansicht von Bereich A von FIG. 18B; und
FIG. 21 ist eine auseinandergezogene Ansicht von Bereich A von FIG. 18B.
[0039 [0040 [0041 [0042 [0043 [0044] Gemäß FIG. 1 bis FIG. 6 weist eine Vorrichtung 210 zur Waferbondung, nämlich ein temporäres Waferbondungsmodul 210, ein Gehäuse 212 mit einem oberen Deckel 212a, einer Beschickungstür 211, einer oberen Blockanordnung 220 und einer gegenüberliegenden unteren Blockanordnung 230 auf. Die obere Blockanordnung 220 und die untere Blockanordnung 230 sind beweglich mit vier Z-Führungspfeilern 242 verbunden. Eine Teleskopvorhangdichtung 235 ist zwischen den Blockanordnungen 220, 230 angeordnet. Eine temporäre Bondungskammer 202 ist zwischen der oberen Blockanordnung 220, der unteren Blockanordnung 230 und der Teleskopvorhangdichtung 235 ausgebildet. Die Vorhangdichtung 235 isoliert viele der Prozesskomponenten, die sich außerhalb des temporären Bondungskammerbereichs, nämlich der Prozesskammer 202 befinden, von Temperatur, Druck, Vakuum und Atmosphäre der Prozesskammer 202. Zu den Komponenten außerhalb der Prozesskammer 202 gehören unter anderem Führungspfeiler 242, Z-Achsenantrieb 243, Beleuchtungsquellen, mechanische Vorausrichtungsarme 460a, 460b und Waferzentrierbacken 461a, 461b. In dieser Ausführungsform umfasst die Kammer 210 außerdem drei Einstellmechanismen 110A, 11 OB, 110C, die außerhalb des Bondungskammerbereichs 202 angeordnet sind und von außerhalb des oberen Deckels 212a zugänglich sind. Die Einstellmechanismen 110A, 11 OB, 110C umfassen Komponenten, die zum Erfühlen des Substratkontakts, zum Einstellen der abwärts gerichteten Vorbelastung des Chucks 222 und zum Nivellieren eines oberen Chucks 222 verwendet werden, wie dies
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Patentamt unten noch beschrieben wird.
[0045] Wie aus FIG. 3 ersichtlich, weist die untere Blockanordnung 230 (s. Fig. 2) eine Heizplatte, d.h. den unteren Chuck 232, der den Wafer 20 (Fig. 1) stützt, eine Isolierschicht 236, einen wassergekühlten Stützflansch 237, eine Transferstiftstufe 238, Transferstifte 240 und einen ZAchsenblock 239 auf. Die Heizplatte ist eine Keramikplatte und enthält Widerstands-Heizelemente sowie eine integrierte Luftkühlung 234. Die Heizelemente sind so angeordnet, dass zwei verschiedene Heizzonen gebildet werden. Eine erste Heizzone, mit Heizelementen 233B, ist dafür ausgebildet, einen 200 mm-Wafer oder die Mittenregion eines 300 mm-Wafers zu erwärmen, und eine zweite Heizzone mit Heizelementen 233A, ist dafür ausgebildet, den Umfangsrand eines 300 mm-Wafers zu erwärmen. Die Heizzone 233A wird unabhängig von der Heizzone 233B gesteuert, um eine thermische Gleichmäßigkeit in der gesamten Bindungsgrenzfläche zwischen zwei gestapelten Wafern zu erreichen und thermische Verluste an den Rändern des Waferstapels zu mindern. Der untere Chuck 232, d.h. die Heizplatte, hat außerdem zwei verschiedene Vakuumzonen zum Halten von Wafern von 200 mm bzw. 300 mm. Der wassergekühlte thermische Isolier-Stützflansch 237 ist von der Heizplatte durch die Isolierschicht 236 getrennt. Die Transferstiftstufe 238 ist unter der unteren Blockanordnung 230 angeordnet und wird beweglich an den vier Pfeilern 242 gestützt. Die Transferstiftstufe 238 stützt Transferstifte 240, die so angeordnet sind, dass sie Wafer von unterschiedlicher Größe anheben und absenken können. In einem Beispiel sind die Transferstifte 240 so angeordnet, dass sie 200 mm- und 300 mm-Wafer anheben und absenken können. Die Transferstifte 240 sind gerade Schäfte und haben in einigen Ausführungsformen eine Vakuumabzugsöffnung, die sich durch ihre Mitte erstreckt. Ein durch die Transferstiftöffnungen hergestelltes Vakuum hält die gestützten Wafer 20 an ihrem Platz auf den Transferstiften 240 während der Bewegung und verhindert eine Fehlausrichtung der Wafer 20. Der Z-Achsenblock 239 weist einen Z-Achsen-Präzisionsantrieb 243 mit Kugelumlaufspindel, einem Linearnockendesign, einer Linearcodiererrückmeldung 244 zur Submikrometerpositionssteuerung und einem Servomotor 246 mit einem Getriebe auf, wie dies in FIG. 4 gezeigt ist.
[0046] Gemäß FIG. 6 weist die obere Blockanordnung 220 einen oberen keramischen Chuck 222, eine obere statische Kammerwand 221, gegen die der Vorhang 235 mit einem Dichtungselement 235a abdichtet, eine 200 mm-Membranschicht 224a und eine 300 mm- Membranschicht 224b auf. Die Membranschichten 224a, 224b sind zwischen dem oberen Chuck 222 und der oberen Gehäusewand 213 mit Klemmen 215a bzw. 215b festgeklemmt und bilden zwei separate Vakuumzonen 223a, 223b, die dafür ausgelegt sind, 200 mm- bzw. 300 mm-Wafer zu halten. Die Membranschichten 224a, 224b bestehen aus elastomerem Material oder Metallbälgen. Der obere keramische Chuck 222 ist extrem flach und dünn. Er hat eine geringe Masse und ist halb-biegsam, um die gestapelten Wafer 20, 30 mit einem gleichmäßigen Druck zu beaufschlagen. Der obere Chuck 222 wird geringfügig mit den drei Einstellmechanismen 110A, 11 OB, 110C vorbelastet. Die Einstellmechanismen 110A, 11 OB, 110C sind kreisförmig in Abständen von 120 Grad angeordnet und werden dafür verwendet, die Vorbelastungskraft des oberen Chucks 222 einzustellen, den Kontakt oder das Verbinden der Substrate zu detektieren und die Höhe des oberen Chucks 222 relativ zum unteren Chuck 232 einzustellen. Der obere Chuck 222 wird zunächst nivelliert, während er mit dem unteren Chuck 232 in Kontakt steht, so dass er parallel zum unteren Chuck 232 liegt.
[0047] Das Laden und Vorausrichten der Wafer wird mit einer mechanischen Zentriervorrichtung 460 ermöglicht, die in FIG. 5A gezeigt ist. Die Zentriervorrichtung 460 hat zwei drehbare Vorausrichtungsarme 460A, 460B und einen sich linear bewegenden Ausrichtungsarm 460C, der in FIG. 5A in der geschlossenen Position gezeigt ist. An den Enden jedes Arms 460A, 460B gibt es mechanische Backen 461A, 461B. Die mechanischen Backen 461A, 461B haben verjüngte Flächen, die dem gekrümmten Rand des 300 mm-Wafers bzw. 200 mm-Wafers entsprechen. Der sich linear bewegende Arm 460C hat einen Backen 461C mit einer verjüngten gekrümmten Innenfläche, die ebenfalls dem gekrümmten Rand von kreisrunden Wafern entspricht. Der Backen 461C umfasst außerdem einen Ausnehmungsfindermechanismus, der die Ausnehmung 469 lokalisiert, die an dem gekrümmten Rand des kreisrunden Wafers ausgebil5/35
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Patentamt det ist. Das Verdrehen der Arme 460A, 460B in Richtung der Mitte 465 des Chucks 464 und das lineare Bewegen des Arms 460C in Richtung der Mitte 465 des Chucks 464 bringt die verjüngten Flächen der mechanischen Backen 461A, 461B und die verjüngten gekrümmten Innenfläche der Backen 461C in Kontakt mit dem Außenumfangsrand des Wafers und zentriert den Wafer im Chuck 464. Die drei Arme 460A, 460B, 460C sind in Winkelabständen von 120 Grad um den Chuck 464 herum angeordnet. In einer weiteren Ausführungsform weist die Zentriervorrichtung 460 drei drehbare Vorausrichtungsarme auf, und an den Enden jedes Arms befinden sich mechanische Backen. Ein Drehen der Arme in Richtung der Mitte des Chucks 464 bringt die verjüngten Flächen der mechanischen Backen in Kontakt mit dem Außenumfangsrand des Wafers und zentriert den Wafer im Chuck 464.
[0048] Gemäß FIG. 5B weist der Ausnehmungsfindermechanismus 470 einen Ausnehmungsfinder 472, einen Positionssensor 476, eine schwimmende Gelenkverbindung 477, Rollennasenschlitten 478, eine Bewegungsnockenplatte 479, ein Dienstschleifenabteil 480, einen Kolben oder Motor 474 und vordere Platten 488. Die vorderen Platten 488 stützen die Rollennasenschlitten 478 auf. Der Ausnehmungsfinder 472 umfasst eine längliche Komponente 473a und eine dreieckige Komponente 473b. Die längliche Komponente 473a bildet teilweise die Basis der dreieckigen Komponente 473b. Die längliche Komponente 473a hat außerdem drei Vorsprünge 472a, 472b, 472c, die sich von der Vorderseite der Komponente 473a erstrecken und so geformt sind, dass sie der Form der Waferausnehmung 469 oder eines flachen Strukturelements am Waferumfangsrand entsprechen. Für den Fall eines Wafers mit einem flachen Strukturelement am Waferumfangsrand befinden sich seitliche Vorsprünge 472a und 472c ein kleines Stück vor dem mittigen Vorsprung 472b und werden dafür verwendet, das flache Strukturelement des Substrats zu lokalisieren. Der Ausnehmungsfinder 472 wird durch einen Kolben oder Motor 474 nach vorn angetrieben, und die relative Distanz 486 zwischen der Rückseite 487 der Komponente 473a und der Vorderseite 488a der vorderen Platte 488 wird mit dem Positionssensor 476 gemessen, wie dies in FIG. 5C gezeigt ist. In einem Beispiel ist der Positionssensor 476 ein lineares Potentiometer. Die schwimmende Gelenkverbindung 477 verbindet die Vorderseite des Positionssensors 476 mit der Rückseite der Komponente 473a. Der Rollennasenschlitten 478 umfasst Rollen 478a, 478b, die entlang des Umfangsrandes des Wafers 20 rollen, wie in dies FIG. 5C und FIG. 5D gezeigt ist. Die relative Distanz 486 wird von der Vorderseite 488a der vorderen Platte 488 aus gemessen, um Wafer mit verschiedenen Größen (d. h. 200 mm- und 300 mm-Wafer) zu ermöglichen, da die Ausnehmungseingriffnahmepositionen für verschiedene Wafergrößen nicht die gleichen sind. In einem Beispiel, wenn eine vollständige Eingriffnahme zwischen dem Vorsprung 472b und der Ausnehmung 469 in einem 300 mmWafer vorliegt, beträgt die Distanz 486 6,77 mm, wie dies in FIG. 5C gezeigt ist. Wenn kein vollständiger Eingriff zwischen dem Vorsprung 472b und der Ausnehmung 469 besteht, so ist die Distanz 486 kleiner (d. h. 6,02 mm), wie dies in FIG. 5D gezeigt ist. Diese Distanzmessung wird verwendet, um zu bestätigen, ob ein vollständiger Eingriff zwischen dem Ausnehmungsfinder 472 und der Ausnehmung 469 im Wafer 20 besteht oder nicht.
[0049] Es wird nun auf FIG. 7 bis FIG. 16 bezuggenommen. Die Kammer 210 umfasst einen oberen Deckel 212a, der abnehmbar an der Oberseite der Kammer 210 mit Schrauben angebracht ist. Wie dies oben angesprochen wurde, sind drei Einstellmechanismen 110A, 11 OB, 110C außerhalb des Prozesskammerbereichs 202 angeordnet und von außerhalb des oberen Deckels 212a zugänglich. Jeder Einstellmechanismen 110A, 110B, 110C hat eine abnehmbare Abdeckung und Komponenten, die zum Erfühlen eines Kontakts 130, zum Einstellen der Spannung 140 und der Nivellierung 120 des oberen Chucks 222 verwendet werden. In der Darstellung von FIG. 10A ist die Abdeckung abgenommen, und die Einstellelemente 122, 132, 142 der drei Komponenten 120, 130 bzw. 140 liegen frei, so dass sie von oben her bedient werden können, um Nivellierung, Kontakt und Spannung des oberen Chucks 222 einzustellen. Alle Einstellungen können vorgenommen werden, während die Kammer 210 Vakuum oder atmosphärischen Druck hat.
[0050] Gemäß FIG. 10B bis FIG. 12 weist der Einstellmechanismus 110A eine Nivellierungseinstellkomponente 120, eine Kontakterfassungskomponente 130 und eine Spannungseinstell6/35
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Patentamt komponente 140 auf. Wie in FIG. 11B gezeigt, erlaubt es das Durchschubdesign 150 durch die Komponentenvakuumdichtungsabdeckung 114, dass die entsprechenden Einstellelemente und Sensoren 122, 132, 142 außerhalb der Prozesskammer 202 angeordnet werden können. Jeder Einstellmechanismus weist außerdem eine Kraftmessdose 160 zum genauen Messen der Vorbelastungskraft des Chucks 222 auf, wie in FIG. 11A gezeigt. In FIG. 11B ist außerdem der Chuck-Ausrichtungsstift 240 gezeigt, der über ein verbessertes reibungsarmes Lager geführt wird.
[0051] Wie in FIG. 12 und FIG. 14 gezeigt, weist die Nivellierungskomponente 120 eine Nivellierungseinstell-Feinmessschraube 122, eine Feinmessschraubenwelle 126 und eine Feinmessschrauben-Arretierklemme 124 auf. Die Feinmessschraube 122 hat eine Auflösung von 1 Mikrometer, und die Arretierklemme 124 wird dafür verwendet, die Position der Feinmessschraube 122 zu arretieren, nachdem sie auf ein gewünschtes Niveau eingestellt wurde. Die Feinmessschraubenwelle 126 reicht durch eine Öffnung in einer Stützplatte 115 und hat ein distales Ende 126a, das ein Ende 116a eines Schwenkarms 116 berührt. Der Schwenkarm 116 ist über einen Schwenkpunkt 118 an der Stützplatte 115 angelenkt. Am Ende 116a befindet sich außerdem die Kraftmessdose 160, die zum genauen Messen der Vorbelastungskraft des Chucks verwendet wird. Das gegenüberliegende Ende 116b des Schwenkarms 116 ist mit einer Durchschubwelle 138 des Kontaktsensors 132 verbunden. Die Durchschubwelle 138 reicht durch eine Öffnung, die am Ende 116b des Schwenkarms ausgebildet ist. Die Kontakterfassungskomponente 130 umfasst einen Kontaktsensor 132, der über ein 24 V-Signal betrieben wird, das durch ein Kabel 134 und Erde 136 bereitgestellt wird. Der Kontaktsensor 132 ist mit der Durchschubwelle 138 verbunden, die von einem Balg 137 umgeben ist. Die Kontakterfassungskomponente 130 umfasst außerdem eine Kontaktführung und eine Vorbelastungsfeder 135 und eine Kugellagerschnittstelle 133. Die Kugellagerschnittstelle 133 berührt eine Druckscheibe 131, welche die Durchschubwelle 138 umgibt und durch das Schwenkarmende 116b gestützt wird. Das distale Ende 138a der Durchschubwelle 138 ist starr an der Oberseite des oberen Chucks 222 angebracht. Die Durchschubwelle 138 besteht aus einem Material mit niedrigem Wärmeausdehnungskoeffizienten. In einem Beispiel besteht die Durchschubwelle 138 aus Invar. Eine thermische Isolierung zwischen dem oberen Chuck 222 und der Durchschubwelle 138 wird über thermische Unterbrechungspunkte 166 bereitgestellt.
[0052] Das Drehen der Feinmessschraube 122 im Uhrzeigersinn bewegt die Feinmessschraubenwelle 126 abwärts in Richtung 127a. Wie vorstehend erwähnt, ist das distale Ende 126a der Feinmessschraubenwelle 126 mit dem Ende 116a des Schwenkarms 116 verbunden, der um den Schwenkpunkt 118 schwenkt. Die Abwärtsverstellung der Feinmessschraubenwelle 126 entlang der Richtung 127a bewegt wie erwähnt das distale Ende 116a des Schwenkarms 116 abwärts und das Ende 116b aufwärts. Da das proximale Ende 116b des Schwenkarms 116 mit der Durchschubwelle 138 verbunden ist, bewegt die Aufwärtsbewegung des Endes 116b die Durchschubwelle 138 aufwärts in Richtung 139a. Dieses Bewegen der Feinmessschraube 122 entgegen dem Uhrzeigersinn bewegt die Feinmessschraubenwelle 126 aufwärts in Richtung 127b. Dieses Bewegen der Feinmessschraubenwelle 126 aufwärts in Richtung 127b bewegt das distale Ende 116a des Schwenkarms 116 aufwärts und das proximale Ende 116b abwärts. Die Abwärtsbewegung des proximalen Endes 116b bewegt die Durchschubwelle 138 abwärts in Richtung 139b. Wenn der obere Chuck 222 und das distale Ende 138a der Durchschubwelle 138, das starr am oberen Chuck 222 angebracht ist, durch den sich annähernden unteren Chuck 232, gegebenenfalls mit einem Substrat aufwärts bewegt werden, so gibt der Kontaktsensor 132 ein Signal.
[0053] Gemäß FIG. 15 wird jeder Chuck-Ausrichtstift 240 über ein hochentwickeltes reibungsarmes Lager geführt. Das reibungsarme Lager umfasst einen Basisblock 172, der eine Kugellagerbuchse 170, ein Kugellagergehäuse 171 und eine sich bewegende Führungswelle 174 umgibt. Die Ausrichtstifte 240 weisen außerdem Chuck-Halteelemente 176 auf, welche die oberen Chuck-Lokalisierungsblöcke 179 berühren. Jeder Stift 240 weist außerdem eine Führungsstiftöffnung 177 auf.
[0054] Wie in FIG. 16 ersichtlich weist die Spannungseinstellkomponente 140 eine Schraube
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142 auf, die gedreht wird, um die Aufwärtsspannung des Chucks 222 einzustellen, indem eine Spannfeder 144 in Richtung 145 auseinandergezogen oder zusammengeschoben wird. Die Schraube 142 hat einen Stopfen 148, der innerhalb der Durchgangsöffnung 142b gehalten wird und eine Schwenklageraufnahme 149 aufweist. Diese Schwenklageraufnahme 149 hält ein Schwenklager 147, das einen Haken am distalen Ende 147a hat, der einen Bogen am proximalen Ende 144b der Feder 144 erfasst. Das distale Ende 144a der Feder 144 hat einen Haken, der mit einem Haken an einem Federanker 141a in Eingriff kommt, der in dem oberen ChuckLokalisierungsblock 141 angeordnet ist. Die Schraube 142 hat ein Außengewinde 142a, das so angeordnet und ausgebildet ist, dass es mit einem Innengewinde 152a in Eingriff kommt, das an den Innenwänden der Durchschuböffnung 158 ausgebildet ist, die in dem Basisblock 152 und in der Dichtungsabdeckung 114 ausgebildet ist. Eine Aufwärtsbewegung der Spannfeder 144 wird durch kreisrunde Klammern 146 beschränkt.
[0055] Während des Betriebes werden Nivellierung, Spannung und Positionierung des oberen Chucks 222 durch die Nivellierungs-, Spannungs- und Kontaktkomponenten der drei Einstellmechanismen 110A, 11 OB, 110C gesteuert. In einer Ausführungsform werden die Nivellierungsund Spannungskomponenten manuell durch Drehen der Feinmessschraube 122 bzw. der Schraube 142 eingestellt, und der Kontakt wird über eine Computeranwendung 50 geführt. Wie aus FIG. 17 ersichtlich ist, weist ein Bildschirm 51 der Computeranwendung 50 ein Bild 52 der drei Kontaktsensoren A, B, C in dem entsprechenden Einstellmechanismus 110A, 11 OB, 110C, ihrer Position 54, des Durchschnittswertes 56 und des Delta-Wertes 57 auf. Der obere Chuck 222 wird so eingestellt, dass er sich auf eine Höhe bewegt, die im Blockbereich 58 eingestellt ist, und dann wird der Kontakt über die Kontaktsensoren in den Einstellmechanismen 110A, 110B, 110C geführt. Wenn die zwei Wafer 20, 30 einander berühren, so bewegt sich der obere Chuck 222 aufwärts, wodurch sich der Sensor 132 von der Erde 136 trennt, und somit registriert der Kontaktsensor 132 ein Signal. Wenn der Sensor 132 ein Signal registriert, so leuchtet das Bild 52 des entsprechenden Sensors A, B, C auf dem Bildschirm 51 auf. Die Geschwindigkeit der Bewegung verlangsamt sich ab einer vom Nutzer definierten Distanz vor der erwarteten Kontaktposition des oberen Chucks 222. In dem Beispiel von FIG. 17 wird der obere Chuck 222 so eingestellt, dass er sich zu einer Kontaktposition 59 von 13400 Mikrometern bewegt. Die Dicke 62 des Zwei-Wafer-Stapels, einschließlich des Klebstoffs, beträgt 1700 Mikrometer. Das Subtrahieren der Dicke des zwei Wafer-Stapels von der Kontaktposition führt zu einer Endposition 61 von 11700 Mikrometern. Die Computeranwendung 50 weist die Steuereinheit an, zu einer konfigurierbaren „Annäherungs“-Position zu gehen, und dann verwendet sie eine konfigurierbare Bewegung mit geringerer Geschwindigkeit, bis ein Kontakt durch die Sensoren A, B und C detektiert wird. Die Kontaktposition für jeden Sensor A, B, C wird in Spalten 54, der Durchschnitt in Spalte 56 und das Delta in Spalte 57 angezeigt. In anderen Ausführungsformen werden die Nivellierungs- und Spannungskomponenten ebenfalls über die Computeranwendung 50 eingestellt.
[0056] In der Ausführungsform gemäß FIG. 18A bis FIG. 21 umfasst die untere Blockanordnung 230 einen elektrostatischen unteren Heizvorrichtungs-Chuck. Der elektrostatische Chuck hält den Wafer 20 in einer sicheren arretierten Position und verhindert eine versehentliche Waferbewegung aufgrund von Vibrationen, Wärmeausdehnung oder Gas, das in die Kammer strömt. Der elektrostatische Chuck bildet eine keramische Heizvorrichtung 232 mit integrierten Heizdrähten und einer dünnen dielektrischen Schicht 270 auf der Oberseite. Elektrischer Strom wird dem elektrostatischen Chuck über elektrische Zwischenverbindungen 260 eingespeist. In der gezeigten Ausführungsform umfassen die elektrischen Zwischenverbindungen 260 einen Elektrodenblock 262 und einen Drahtleiter 263, der von einer Quetschhülse 264 umgeben ist. Der Elektrodenblock 262 ist an die Unterseite der keramischen Heizvorrichtung hartgelötet und ist auf der Oberseite der Quetschhülse 264 und des Drahtleiters 263 angeordnet. Der Block 262, die Hülse 264 und der Drahtleiter 263 sind in einer Öffnung 267 untergebracht, die an den Rändern und unterhalb der unteren Chuckfläche ausgebildet ist, wie dies in FIG. 19B gezeigt ist. Der Block 262 drückt gegen den Drahtleiter 263, und der Drahtleiter 263 drückt gegen eine metallische Klemmscheibe 265, die an der Unterseite der Öffnung angeordnet ist. Die metallische Klemmscheibe 265 drückt gegen eine Federscheibe, hier eine Wellenfederscheibe 266.
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Patentamt [0057] Es sind verschiedene Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben worden. Ungeachtet dessen versteht es sich, dass verschiedene Modifizierungen vorgenommen werden können, ohne vom Wesen der Erfindung abzuweichen.
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Claims (20)

  1. Patentansprüche
    1. Vorrichtung zur Waferbondung, mit einem unteren Chuck (232) für einen ersten Wafer (20), einem oberen Chuck (222) für einen zweiten Wafer (30) in einer Anordnung gegenüber dem ersten Wafer (20), einer Prozesskammer (202) zwischen dem oberen (222) und dem unteren (232) Chuck, und einem oberen Deckel (212a), dadurch gekennzeichnet, dass außerhalb der Prozesskammer (202) auf dem oberen Deckel (212a) drei voneinander beabstandete Einstellmechanismen (110A, 11 OB, 110C) angeordnet sind, von denen jeder eine Komponente (130) zum Erfühlen eines Kontakts mit dem oberen Chuck (222); eine Komponente zum Einstellen (140) einer Vorbelastungskraft des oberen Chucks (222); und eine Komponente (120) zur Nivellierung des oberen Chucks (222) aufweist.
  2. 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass jeder Einstellmechanismus (110A, 11 OB, 110C) des Weiteren eine Durchschubwelle (138) aufweist, die durch den oberen Deckel (212a) reicht und ein distales Ende, das starr an einer Oberseite des oberen Chucks (222) angebracht ist, und ein proximales Ende hat, das durch den oberen Deckel (212a) hindurch ragt.
  3. 3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Durchschubwelle (138) ein Material aufweist, das einen Wärmeausdehnungskoeffizienten (CTE-Coefficient of Thermal Expansion) von weniger als 2 x 106 K1 hat.
  4. 4. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Durchschubwelle (138) Invar-Material enthält.
  5. 5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Durchschubwelle (138) thermisch vom oberen Chuck (222) über thermische Unterbrechungspunkte isoliert ist.
  6. 6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Komponente (120) zur Nivellierung des oberen Chucks (222) eine Feinmessschraube (122), eine Feinmessschraubenwelle (126), einen Schwenkarm (116) und eine Stützplatte (115) enthält, wobei der Schwenkarm (116) schwenkbar mit der Stützplatte (115) verbunden ist und ein erstes Ende (116a) , das mit einem distalen Ende (126a) der Feinmessschraubenwelle (126) verbunden ist, und ein zweites Ende (116b) hat, das mit der Durchschubwelle (138) verbunden ist, wobei die Feinmessschraube (122) eine Auflösung von mindestens 1 Mikrometer hat und am proximalen Ende der Feinmessschraubenwelle (126) angebracht ist, und wobei eine bei einer Drehbewegung der Feinmessschraube (122) erfolgende lineare Bewegung der Feinmessschraubenwelle (126) einer linearen Bewegung der Durchschubwelle (138) entspricht, durch die das Niveau des oberen Chucks (222) einstellbar ist.
  7. 7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Komponente (120) zur Nivellierung des oberen Chucks (222) des Weiteren eine Feinmessschraubenarretierklemme (124) zum Arretieren der Position der Feinmessschraube (122) aufweist.
  8. 8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass jeder Einstellmechanismus (110A, 11 OB, 110C) des Weiteren einen Sensor (160) zum Messen der Vorbelastungskraft des oberen Chucks (222) aufweist.
  9. 9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Komponente (130) zum Erfühlen eines Kontakts mit dem oberen Chuck (222) einen Kontaktsensor (132) aufweist, der mit dem proximalen Ende der Durchschubwelle verbunden ist, wobei das Berühren der Unterseite des oberen Chucks (222) zu einer Bewegung des oberen Chucks (222) und der Durchschubwelle (138) und zu einer Registrierung eines Signals durch den Kontaktsensor führt.
  10. 10. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Komponente (130) zum Erfühlen eines Kontakts mit dem oberen Chuck (222) des Weiteren eine Kontaktführung,
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    Patentamt eine Vorbelastungsfeder (135) sowie eine zur Berührung einer die Durchschubwelle umgebenden Druckscheibe (131) vorgesehene Kugellagerschnittstelle (133) aufweist.
  11. 11. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Komponente (140) zum Einstellen der Vorbelastungskraft des oberen Chucks (222) eine Schraube (142) und eine Spannfeder (144) umfasst, wobei die Spannfeder (144) ein distales Ende (144a), das mit der Oberseite des oberen Chucks (222) verbunden ist, und ein proximales Ende (144b) aufweist, das mit der Schraube (142) verbunden ist, und wobei durch Drehen der Schraube (142) die Federspannung und dadurch die Vorbelastungskraft des oberen Chucks (222) einstellbar ist.
  12. 12. Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Schraube (142) des Weiteren einen Stopfen (148) mit einer Schwenklageraufnahme (149) ausweist, welche ein Schwenklager (147) aufnimmt, das mit dem proximalen Ende (144b) der Spannfeder (144) verbunden ist.
  13. 13. Vorrichtung nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Komponente (140) zum Einstellen der Vorbelastungskraft des oberen Chucks (222) des Weiteren eine kreisrunde Klammer (146) zum Begrenzen der Aufwärtsbewegung der Spannfeder (144) aufweist.
  14. 14. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass mittels Computer (50) Bilderund Positionen der drei Einstellmechanismen (110A, 11 OB, 110C) auf einem Display (51) anzeigbar und die Bewegung des oberen Chucks (222) über die Komponente (130) zum Erfühlen eines Kontakts steuerbar und führbar ist, wobei bei Feststellen eines Kontakts mit dem oberen Chuck (222) ein Aufleuchten der Bilder der Einstellmechanismen (110A, 110B, 110C) dort, wo der Kontakt stattfand, herbeiführbar ist.
  15. 15. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass der untere Chuck (232) ein elektrostatischer Chuck ist.
  16. 16. Vorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass der elektrostatische Chuck (232) eine keramische Heizvorrichtung (232) mit integrierten Heizdrähten (233) , einer dünnen dielektrischen Schicht (270) auf einer Oberfläche der keramischen Heizvorrichtung und elektrischen Zwischenverbindungen (260) aufweist.
  17. 17. Vorrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrischen Zwischenverbindungen (260) einen Elektrodenblock (262) und einen Drahtleiter (263) aufweisen, der von einer Guetschhülse (264) umgeben ist, wobei der Elektrodenblock (262) an eine Unterseite der keramischen Heizvorrichtung (232) hartgelötet und auf der Oberseite der Quetschhülse (264) angeordnet ist, und wobei der Elektrodenblock (262), die Quetschhülse (264) und der Drahtleiter (263) innerhalb einer Randöffnung (267) angeordnet sind, die an einem Rand der Unterseite der keramischen Heizvorrichtung (232) ausgebildet ist.
  18. 18. Vorrichtung nach Anspruch 17, weiters gekennzeichnet durch eine metallische Klemmscheibe (265) und eine Federscheibe (266), wobei die metallische Klemmscheibe (265) und die Federscheibe (266) ebenfalls innerhalb der Randöffnung (267) angeordnet sind und der Elektrodenblock (262) gegen die Quetschhülse (264), die Quetschhülse (264) gegen die Klemmscheibe (265) und die Klemmscheibe (265) gegen die Federscheibe (266) drückt.
  19. 19. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass die drei Einstellmechanismen (110A, 11 OB, 110C) in einem Winkel von 120 Grad voneinander auf dem oberen Deckel (212a) angeordnet sind.
  20. 20. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorbelastungskraft und die Nivellierung des oberen Chucks (222) händisch einstellbar sind, der Kontakt mit dem oberen Chuck (222) hingegen Computer-gestützt führbar ist.
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