ATA109383A - Verfahren zum gettern von halbleiterbauelementen - Google Patents
Verfahren zum gettern von halbleiterbauelementenInfo
- Publication number
- ATA109383A ATA109383A AT0109383A AT109383A ATA109383A AT A109383 A ATA109383 A AT A109383A AT 0109383 A AT0109383 A AT 0109383A AT 109383 A AT109383 A AT 109383A AT A109383 A ATA109383 A AT A109383A
- Authority
- AT
- Austria
- Prior art keywords
- semiconductor components
- setting semiconductor
- setting
- components
- semiconductor
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P36/00—Gettering within semiconductor bodies
- H10P36/03—Gettering within semiconductor bodies within silicon bodies
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| AT0109383A AT384121B (de) | 1983-03-28 | 1983-03-28 | Verfahren zum gettern von halbleiterbauelementen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| AT0109383A AT384121B (de) | 1983-03-28 | 1983-03-28 | Verfahren zum gettern von halbleiterbauelementen |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ATA109383A true ATA109383A (de) | 1987-02-15 |
| AT384121B AT384121B (de) | 1987-10-12 |
Family
ID=3506433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| AT0109383A AT384121B (de) | 1983-03-28 | 1983-03-28 | Verfahren zum gettern von halbleiterbauelementen |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| AT (1) | AT384121B (de) |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1106879B (de) * | 1959-03-11 | 1961-05-18 | Siemens Ag | Verfahren zur Herabsetzung der Rekombination an den Oberflaechen von p-Zonen von Halbleiteranordnungen |
| GB1117359A (en) * | 1965-07-22 | 1968-06-19 | Ass Elect Ind | Improvements relating to semiconductor elements |
| US3783119A (en) * | 1969-06-18 | 1974-01-01 | Ibm | Method for passivating semiconductor material and field effect transistor formed thereby |
| US3701696A (en) * | 1969-08-20 | 1972-10-31 | Gen Electric | Process for simultaneously gettering,passivating and locating a junction within a silicon crystal |
| JPS6022497B2 (ja) * | 1974-10-26 | 1985-06-03 | ソニー株式会社 | 半導体装置 |
| US3997368A (en) * | 1975-06-24 | 1976-12-14 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Elimination of stacking faults in silicon devices: a gettering process |
| US4161744A (en) * | 1977-05-23 | 1979-07-17 | Varo Semiconductor, Inc. | Passivated semiconductor device and method of making same |
| DE2730367A1 (de) * | 1977-07-05 | 1979-01-18 | Siemens Ag | Verfahren zum passivieren von halbleiterelementen |
| US4134125A (en) * | 1977-07-20 | 1979-01-09 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Passivation of metallized semiconductor substrates |
| DE2738195A1 (de) * | 1977-08-24 | 1979-03-01 | Siemens Ag | Verfahren zur reduzierung von kristallfehlern bei der herstellung von halbleiterbauelementen und integrierten schaltkreisen in einkristallinen halbleiterscheiben |
| DD145144A1 (de) * | 1979-07-12 | 1980-11-19 | Georg Riepel | Verfahren zur herstellung von gett rfaehigen halbleiterscheiben,insbesondere siliziumschei en |
-
1983
- 1983-03-28 AT AT0109383A patent/AT384121B/de not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AT384121B (de) | 1987-10-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| AT380974B (de) | Verfahren zum gettern von halbleiterbauelementen | |
| DE3381509D1 (de) | Verfahren zum herstellen von halbleiteranordnungen. | |
| DE3481453D1 (de) | Verfahren zur platzierung von elementen. | |
| ATA143383A (de) | Verfahren und einrichtung zum herstellen von werkstuecken | |
| DE3684380D1 (de) | Verfahren zum einebnen von halbleiteranordnungen. | |
| DE3580946D1 (de) | Verfahren und system zum verstehen und belegen von schaltungsmustern. | |
| AT383149B (de) | Verfahren zum galvanischen metallisieren von gegenstaenden | |
| PT79033B (pt) | Verfahren und vorrichtung zum reinigen von wasser | |
| DE3684676D1 (de) | Verfahren zum herstellen von halbleitersubstraten. | |
| DE3481144D1 (de) | Verfahren zum identifizieren von objekten. | |
| DE3673102D1 (de) | Verfahren zum stabilisieren von organopolysiloxanen. | |
| DE3579942D1 (de) | Verfahren zum loesbarmachen von interferon. | |
| DE3578942D1 (de) | Verfahren zum haerten von gelatine. | |
| AT383613B (de) | Verfahren zum reinigen von tylosin | |
| AT380790B (de) | Verfahren zum stabilisieren von beta-lactamantibiotika | |
| AT386491B (de) | Verfahren zum aufbereiten von gebrauchten primaerzellen | |
| DE3382683D1 (de) | Verfahren zum umschmelzen von polyamiden. | |
| DE3766635D1 (de) | Verfahren zum praegen von filmen. | |
| AT375402B (de) | Verfahren zum waermebehandeln von schienen | |
| DE3481898D1 (de) | Verfahren zum regeln der profilierung. | |
| DE58902276D1 (de) | Verfahren zum freilegen von silizium-kristallen. | |
| DE3861603D1 (de) | Verfahren zum herstellen von halbleiterbauelementen. | |
| AT378005B (de) | Verfahren zum desoxidieren von metallschmelzen | |
| AT389384B (de) | Verfahren zum auswechseln von fluessigkeitsdurchstroemten elementen | |
| ATA109383A (de) | Verfahren zum gettern von halbleiterbauelementen |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RER | Ceased as to paragraph 5 lit. 3 law introducing patent treaties | ||
| ELJ | Ceased due to non-payment of the annual fee |