ATA662077A - Verfahren zum verringern der dicke von siliziumscheiben durch chemisches aetzen - Google Patents

Verfahren zum verringern der dicke von siliziumscheiben durch chemisches aetzen

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ATA662077A
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Zoltan Huszka
Zsolt Dr Nenyei
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Mikroelektronik Vallalat
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/60—Wet etching
    • H10P50/64—Wet etching of semiconductor materials
    • H10P50/642—Chemical etching
AT0662077A 1977-05-18 1977-09-14 Verfahren zum verringern der dicke von siliziumscheiben durch chemisches aetzen AT377868B (de)

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DE3728693A1 (de) * 1987-08-27 1989-03-09 Wacker Chemitronic Verfahren und vorrichtung zum aetzen von halbleiteroberflaechen

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