ATE191991T1 - Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung mittels eines verfahren zur reformierung einer isolationsschicht die bei niederiger temperatur durch cvd hergestellt ist - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung mittels eines verfahren zur reformierung einer isolationsschicht die bei niederiger temperatur durch cvd hergestellt ist

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ATE191991T1
ATE191991T1 AT92109549T AT92109549T ATE191991T1 AT E191991 T1 ATE191991 T1 AT E191991T1 AT 92109549 T AT92109549 T AT 92109549T AT 92109549 T AT92109549 T AT 92109549T AT E191991 T1 ATE191991 T1 AT E191991T1
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AT
Austria
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reforming
cvd
producing
semiconductor device
insulating layer
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AT92109549T
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Maeda Kazuo
Tokumasu Noburo
Nishimoto Yuko
Original Assignee
Semiconductor Process Lab Co
Alcan Tech Co Inc
Canon Sales Co Inc
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