ATE20629T1 - Indium-antimon-halbleiter mit komplexer kristalliner struktur und verfahren zu seiner herstellung. - Google Patents

Indium-antimon-halbleiter mit komplexer kristalliner struktur und verfahren zu seiner herstellung.

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ATE20629T1
ATE20629T1 AT82102605T AT82102605T ATE20629T1 AT E20629 T1 ATE20629 T1 AT E20629T1 AT 82102605 T AT82102605 T AT 82102605T AT 82102605 T AT82102605 T AT 82102605T AT E20629 T1 ATE20629 T1 AT E20629T1
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complex crystalline
antimony semiconductor
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Keiji Kuboyama
Takeki Matsui
Takeo Kimura
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Asahi Chemical Ind
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AT82102605T 1981-03-30 1982-03-27 Indium-antimon-halbleiter mit komplexer kristalliner struktur und verfahren zu seiner herstellung. ATE20629T1 (de)

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