ATE469199T1 - Verfahren zur charakterisierung von defekten auf silizium-oberflächen, ätzlösung für silizium- oberflächen und verfahren zur behandlung von silizium-oberflächen mit der ätzlösung - Google Patents

Verfahren zur charakterisierung von defekten auf silizium-oberflächen, ätzlösung für silizium- oberflächen und verfahren zur behandlung von silizium-oberflächen mit der ätzlösung

Info

Publication number
ATE469199T1
ATE469199T1 AT06291711T AT06291711T ATE469199T1 AT E469199 T1 ATE469199 T1 AT E469199T1 AT 06291711 T AT06291711 T AT 06291711T AT 06291711 T AT06291711 T AT 06291711T AT E469199 T1 ATE469199 T1 AT E469199T1
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
silicon surfaces
etching solution
treating
characterizing defects
silicon
Prior art date
Application number
AT06291711T
Other languages
English (en)
Inventor
Alexandra Abbadie
Original Assignee
Soitec Silicon On Insulator
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Soitec Silicon On Insulator filed Critical Soitec Silicon On Insulator
Application granted granted Critical
Publication of ATE469199T1 publication Critical patent/ATE469199T1/de

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • C09K13/08—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • G01N33/0095—Semiconductive materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Food Science & Technology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
AT06291711T 2006-10-31 2006-10-31 Verfahren zur charakterisierung von defekten auf silizium-oberflächen, ätzlösung für silizium- oberflächen und verfahren zur behandlung von silizium-oberflächen mit der ätzlösung ATE469199T1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP06291711A EP1918985B1 (de) 2006-10-31 2006-10-31 Verfahren zur Charakterisierung von Defekten auf Silizium-Oberflächen, Ätzlösung für Silizium-Oberflächen und Verfahren zur Behandlung von Silizium-Oberflächen mit der Ätzlösung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ATE469199T1 true ATE469199T1 (de) 2010-06-15

Family

ID=38055662

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT06291711T ATE469199T1 (de) 2006-10-31 2006-10-31 Verfahren zur charakterisierung von defekten auf silizium-oberflächen, ätzlösung für silizium- oberflächen und verfahren zur behandlung von silizium-oberflächen mit der ätzlösung

Country Status (9)

Country Link
US (1) US7579309B2 (de)
EP (1) EP1918985B1 (de)
JP (1) JP4762967B2 (de)
KR (1) KR100939808B1 (de)
CN (1) CN101173359B (de)
AT (1) ATE469199T1 (de)
DE (1) DE602006014551D1 (de)
SG (1) SG142223A1 (de)
TW (1) TW200819519A (de)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5017709B2 (ja) * 2006-09-07 2012-09-05 ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト シリコンウェーハのエッチング方法および半導体シリコンウェーハの製造方法
EP1926132A1 (de) * 2006-11-23 2008-05-28 S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies Chromfreie Ätzlösung für Si-Substrate und SiGe-substrate, Verfahren zum Präparieren von Defekten diese Ätzlösung verwendend und Verfahren zum Behnadeln von Si-Substraten und SiGe-Substraten
WO2009022692A1 (ja) 2007-08-16 2009-02-19 Shiro Amano マイボーム腺観察装置
EP2438140A1 (de) * 2009-06-04 2012-04-11 Merck Patent GmbH Zweikomponentiges ätzen
JP5304477B2 (ja) * 2009-06-23 2013-10-02 信越半導体株式会社 シリコンウェーハのエッチング方法
WO2012057132A1 (ja) * 2010-10-26 2012-05-03 和光純薬工業株式会社 シリコン基板の製造方法
CN102364697B (zh) * 2011-06-30 2013-07-24 常州天合光能有限公司 一种去除rie制绒后晶体硅表面的微损伤层的方法
FR2974120A1 (fr) * 2011-11-04 2012-10-19 Soitec Silicon On Insulator Solution de gravure chimique et procede de revelation de defauts utilisant cette solution
JP6645545B1 (ja) * 2018-09-03 2020-02-14 株式会社Sumco シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法
WO2021188452A1 (en) * 2020-03-16 2021-09-23 1366 Technologies, Inc. High temperature acid etch for silicon

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2619414A (en) * 1950-05-25 1952-11-25 Bell Telephone Labor Inc Surface treatment of germanium circuit elements
JP2681433B2 (ja) * 1992-09-30 1997-11-26 株式会社フロンテック エッチング剤およびこのエッチング剤を使用するシリコン半導体部材のエッチング方法、および洗浄剤およびこの洗浄剤を使用するシリコン半導体部材の洗浄方法
JPH06151801A (ja) * 1992-11-13 1994-05-31 Canon Inc 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法
TW332322B (en) * 1994-03-31 1998-05-21 Furontec Kk Manufacturing method for etchant and electronic element of conductive semiconductor
EP0854119A3 (de) 1996-12-20 1998-11-18 Hoya Corporation Ätzmittel und Ätzverfahren für Chalcogenidglas und optisches Element mit einer glatten Oberfläche
US6410436B2 (en) * 1999-03-26 2002-06-25 Canon Kabushiki Kaisha Method of cleaning porous body, and process for producing porous body, non-porous film or bonded substrate
JP3945964B2 (ja) * 2000-06-01 2007-07-18 株式会社ルネサステクノロジ 研磨剤、研磨方法及び半導体装置の製造方法
CN100515928C (zh) * 2000-12-22 2009-07-22 空气制品及化学品有限公司 包含氧化和络合化合物的组合物
JP3651440B2 (ja) * 2002-01-16 2005-05-25 信越半導体株式会社 シリコンウェーハの評価方法及びそのエッチング液
CN1711349B (zh) * 2002-11-05 2010-05-26 巴斯福股份公司 半导体表面处理和其中所用的混合物
JP3870292B2 (ja) * 2002-12-10 2007-01-17 関東化学株式会社 エッチング液組成物とそれを用いた反射板の製造方法
JP4161725B2 (ja) * 2003-01-29 2008-10-08 信越半導体株式会社 Ｓｏｉウエーハの結晶欠陥評価方法およびエッチング液
CN100425527C (zh) 2003-05-30 2008-10-15 科学与工业研究委员会 制备无害的溴化试剂的方法
WO2005001016A1 (en) * 2003-06-27 2005-01-06 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Semiconductor cleaning solution
US7176041B2 (en) * 2003-07-01 2007-02-13 Samsung Electronics Co., Ltd. PAA-based etchant, methods of using same, and resultant structures
FR2864457B1 (fr) * 2003-12-31 2006-12-08 Commissariat Energie Atomique Procede de nettoyage par voie humide d'une surface notamment en un materiau de type silicium germanium.
JP4400281B2 (ja) 2004-03-29 2010-01-20 信越半導体株式会社 シリコンウエーハの結晶欠陥評価方法
JP4517867B2 (ja) * 2005-01-31 2010-08-04 株式会社Sumco シリコンウェーハ表面形状制御用エッチング液及び該エッチング液を用いたシリコンウェーハの製造方法
EP1926132A1 (de) * 2006-11-23 2008-05-28 S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies Chromfreie Ätzlösung für Si-Substrate und SiGe-substrate, Verfahren zum Präparieren von Defekten diese Ätzlösung verwendend und Verfahren zum Behnadeln von Si-Substraten und SiGe-Substraten

Also Published As

Publication number Publication date
CN101173359B (zh) 2010-06-02
CN101173359A (zh) 2008-05-07
KR100939808B1 (ko) 2010-02-02
EP1918985A1 (de) 2008-05-07
US20080099718A1 (en) 2008-05-01
SG142223A1 (en) 2008-05-28
JP4762967B2 (ja) 2011-08-31
JP2008118138A (ja) 2008-05-22
KR20080039218A (ko) 2008-05-07
EP1918985B1 (de) 2010-05-26
DE602006014551D1 (de) 2010-07-08
US7579309B2 (en) 2009-08-25
TW200819519A (en) 2008-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112004002879A5 (de) Verfahren zur Behandlung von Substratoberflächen
ATE508472T1 (de) Verfahren und vorrichtung zur behandlung von silizium-wafern
SG142223A1 (en) Methods for characterizing defects on silicon surfaces, etching composition for silicon surfaces and process of treating silicon surfaces with the etching composition
DE502006006950D1 (de) Vorrichtung, anlage und verfahren zur oberflächenbehandlung von substraten
DE602006007808D1 (de) Vorrichtung, verfahren und verwendung zur behandlung von neuropathie mit stickoxid
EP2307929A4 (de) Verfahren und vorrichtung zur härtung von dünnschichten auf niedrigtemperatursubstraten bei hoher drehzahl
DE602005011656D1 (de) Verfahren zur behandlung von dickdarmkrebs mit botulinum neurotoxin
DE602007003296D1 (de) Siliciumwafer für Halbleiter und Verfahren zu seiner Herstellung
EP1877175A4 (de) Vorrichtung und verfahren zur herstellung von radiopharmazeutika
DE102004020497B8 (de) Verfahren zur Herstellung von Durchkontaktierungen und Halbleiterbauteil mit derartigen Durchkontaktierungen
DE602006006370D1 (de) Verfahren zur Oberflächenbehandlung von III-V-Halbleitersubstraten und Verfahren zur Herstellung von III-V-Verbindungshalbleitern
ATE555643T1 (de) Verfahren zur bildung eines strukturierten substrats
DE602008001180D1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Behandlung von Textilien
EP2049140A4 (de) Kit und verfahren zur behandlung der bandscheiben
DE112007002289A5 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Erhöhung von Leistung und Wirkungsgrad eines ORC-Kraftwerkprozesses
DE112019000537A5 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen
EP4432790A4 (de) Durchkontaktierungssubstrat, montagesubstrat und verfahren zur herstellung des durchkontaktierungssubstrats
DE112020005894A5 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement mit einzeln ansteuerbaren kontaktelementen und verfahren zur herstellung des optoelektronischen halbleiterbauelements
DE602007007161D1 (de) Mittel zur Entfernung von Wasser aus einem Substrat, Verfahren zur Wasserentfernung und Trocknungsverfahren damit
DE602006005437D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellung von Bauteilen
DE602006020384D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Auto-Negotiation der physikalischen Schicht
EP4270496A4 (de) Lichtemittierende vorrichtung, lichtemittierendes substrat und verfahren zur herstellung der lichtemittierenden vorrichtung
EP4266835A4 (de) Keramisches ritzsubstrat, keramisches substrat, verfahren zur herstellung des keramischen ritzsubstrats, verfahren zur herstellung der keramischen leiterplatte und verfahren zur herstellung
DE602006003283D1 (de) Methode zur Integration von III-V-Halbleiterbauteilen in Siliziumprozesse
EP4215650A4 (de) Indiumphosphidsubstrat, verfahren zur herstellung eines indiumphosphidsubstrats und epitaktischer halbleiterwafer

Legal Events

Date Code Title Description
RER Ceased as to paragraph 5 lit. 3 law introducing patent treaties