ATE492030T1 - Verfahren und vorrichtung zur überwachung einer wärmebehandlung eines mikrotechnologischen substrats - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zur überwachung einer wärmebehandlung eines mikrotechnologischen substrats

Info

Publication number
ATE492030T1
ATE492030T1 AT07788866T AT07788866T ATE492030T1 AT E492030 T1 ATE492030 T1 AT E492030T1 AT 07788866 T AT07788866 T AT 07788866T AT 07788866 T AT07788866 T AT 07788866T AT E492030 T1 ATE492030 T1 AT E492030T1
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
substrate
heat treatment
monitoring
microtechnological
monitoring heat
Prior art date
Application number
AT07788866T
Other languages
English (en)
Inventor
Loic Sanchez
Original Assignee
Commissariat Energie Atomique
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Commissariat Energie Atomique filed Critical Commissariat Energie Atomique
Application granted granted Critical
Publication of ATE492030T1 publication Critical patent/ATE492030T1/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/06—Apparatus for monitoring, sorting, marking, testing or measuring
    • H10P72/0616—Monitoring of warpages, curvatures, damages, defects or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
    • H10P72/0434—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P90/00—Preparation of wafers not covered by a single main group of this subclass, e.g. wafer reinforcement
    • H10P90/19—Preparing inhomogeneous wafers
    • H10P90/1904—Preparing vertically inhomogeneous wafers
    • H10P90/1906—Preparing SOI wafers
    • H10P90/1914—Preparing SOI wafers using bonding
    • H10P90/1916—Preparing SOI wafers using bonding with separation or delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
    • H10W10/10—Isolation regions comprising dielectric materials
    • H10W10/181—Semiconductor-on-insulator [SOI] isolation regions, e.g. buried oxide regions of SOI wafers

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Waste-Gas Treatment And Other Accessory Devices For Furnaces (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
AT07788866T 2006-06-22 2007-06-11 Verfahren und vorrichtung zur überwachung einer wärmebehandlung eines mikrotechnologischen substrats ATE492030T1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0605620A FR2902926B1 (fr) 2006-06-22 2006-06-22 Procede et dispositif de suivi d'un traitement thermique d'un substrat microtechnologique.
PCT/FR2007/000961 WO2007147956A2 (fr) 2006-06-22 2007-06-11 Procédé et dispositif de suivi d'un traitement thermique d'un substrat microtechnologique

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ATE492030T1 true ATE492030T1 (de) 2011-01-15

Family

ID=37654945

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT07788866T ATE492030T1 (de) 2006-06-22 2007-06-11 Verfahren und vorrichtung zur überwachung einer wärmebehandlung eines mikrotechnologischen substrats

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7846749B2 (de)
EP (1) EP2030231B1 (de)
JP (1) JP5263789B2 (de)
AT (1) ATE492030T1 (de)
DE (1) DE602007011261D1 (de)
FR (1) FR2902926B1 (de)
WO (1) WO2007147956A2 (de)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010123691A (ja) * 2008-11-18 2010-06-03 Nikon Corp ウエハ及び半導体装置の製造方法及び装置
JP5386973B2 (ja) * 2008-12-24 2014-01-15 株式会社ニコン 基板処理装置、基板処理方法、及び、半導体装置の製造方法
FR3079658B1 (fr) 2018-03-28 2021-12-17 Soitec Silicon On Insulator Procede de detection de la fracture d'un substrat fragilise par implantation d'especes atomiques
FR3143759A1 (fr) * 2022-12-15 2024-06-21 Saint-Gobain Glass France Système de détection de casse d’un substrat dans une enceinte
FR3143758A1 (fr) * 2022-12-15 2024-06-21 Saint-Gobain Glass France Unité et Module de détection de casse d’un substrat dans une enceinte

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4916439A (en) * 1987-01-05 1990-04-10 Eac Technologies Corp. Remote display arrangement for appliances
FR2681472B1 (fr) 1991-09-18 1993-10-29 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur.
US5336998A (en) * 1992-06-22 1994-08-09 United States Pipe And Foundry Company Sensor for detecting faults in a magnetized ferrous object using hall effect elements
JPH0786365A (ja) * 1993-09-20 1995-03-31 Fujitsu Ltd ステージローディング評価方法及び装置
TW437078B (en) * 1998-02-18 2001-05-28 Canon Kk Composite member, its separation method, and preparation method of semiconductor substrate by utilization thereof
JP3809733B2 (ja) * 1998-02-25 2006-08-16 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタの剥離方法
US5909627A (en) * 1998-05-18 1999-06-01 Philips Electronics North America Corporation Process for production of thin layers of semiconductor material
JP2000121615A (ja) * 1998-10-14 2000-04-28 Sharp Corp 電子部品の製造方法及びその製造装置
JP4379943B2 (ja) * 1999-04-07 2009-12-09 株式会社デンソー 半導体基板の製造方法および半導体基板製造装置
US6387829B1 (en) * 1999-06-18 2002-05-14 Silicon Wafer Technologies, Inc. Separation process for silicon-on-insulator wafer fabrication
GB0019434D0 (en) * 2000-08-09 2000-09-27 Rolls Royce Plc A device and method for fatigue testing of materials
JP2002261146A (ja) * 2001-03-02 2002-09-13 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法および半導体製造装置
JP2003086564A (ja) * 2001-09-14 2003-03-20 Mitsubishi Electric Corp 遠心乾燥装置および半導体装置の製造方法ならびに半導体製造装置
JP2004179566A (ja) * 2002-11-29 2004-06-24 Nec Kansai Ltd 縦型熱処理装置及び同装置における異常ウェーハ検出方法
JP4136832B2 (ja) * 2003-07-15 2008-08-20 キヤノン株式会社 半導体レーザーダイオードチップの検査方法および検査装置
JP2006064464A (ja) * 2004-08-25 2006-03-09 Sharp Corp 基板割れ検出方法、基板割れ検出装置

Also Published As

Publication number Publication date
US7846749B2 (en) 2010-12-07
US20100015733A1 (en) 2010-01-21
EP2030231B1 (de) 2010-12-15
EP2030231A2 (de) 2009-03-04
DE602007011261D1 (de) 2011-01-27
WO2007147956A2 (fr) 2007-12-27
WO2007147956A3 (fr) 2008-05-02
FR2902926B1 (fr) 2008-10-24
JP5263789B2 (ja) 2013-08-14
FR2902926A1 (fr) 2007-12-28
JP2009541981A (ja) 2009-11-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ATE407607T1 (de) Vorrichtung und verfahren zum erhitzen einer flüssigkeit
EP1960798A4 (de) Vorrichtung und verfahren zum justieren einer orientierung von sonden
ATE501081T1 (de) Verfahren und vorrichtung zum reduzieren des energiekonsums einer aufzugsanlage
DE102007039939A8 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Einsparung von Diafiltrat
EP2106255A4 (de) Vorrichtung und verfahren zur wundbehandlung mit periodischem subatmosphärischem druck
DE112008003045A5 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Schlamm
DE602007009134D1 (de) Vorrichtung, verfahren und computerprogramm zum erionen
DE502007005961D1 (de) Vorrichtung zur regeneration, zur temperaturbeaufschlagung und/oder zum thermomanagement, zugehöriges einspritzventil und verfahren
DE602007000340D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Steuerung des Messvorgangs eines Konturmessgeräts
EP2397239A4 (de) Verfahren zur behandlung von materialien in einer trommelförmigen vorrichtung und vorrichtung zur durchführung des verfahrens
DE112009001869A5 (de) Verfahren und vorrichtung zur markierung von gussteilen während des urformprozesses
DE602007011261D1 (de) Verfahren und vorrichtung zur überwachung einer wärmebehandlung eines mikrotechnologischen substrats
ATE525124T1 (de) Vorrichtung und verfahren zur nasschemischen behandlung von produkten
DE502007005963D1 (de) Vorrichtung zum schneiden und koagulieren von gewebe
DE112009001603A5 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Ermittlung des Brennbraumdruckes
DE112009003125A5 (de) Verfahren und vorrichtung zum schnelltransport von glasplatten
EP4084636C0 (de) Vorrichtung zum erwärmen eines aerosolbildenden substrats mit luftvorwärmung
DE502007000050D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum überwachten transport von blechen
EP2345236A4 (de) Verfahren und vorrichtung zum steuern von broadcast-empfängern
AT504810A3 (de) Vorrichtung und verfahren zum herstellen von pastillen
DE502006006506D1 (de) Thermisches Spritzverfahren und Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens
DE602005001584D1 (de) Vorrichtung zur Temperaturregelung eines zu behandelnden Fluids
DE502005004321D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum steuern eines injektors
ATE547546T1 (de) Verfahren und vorrichtung zum spinnen einer polymermatrix in einem elektrostatischen feld
DE502007007126D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum begrenzen von stelleingriffen eines fahrzeugreglers

Legal Events

Date Code Title Description
RER Ceased as to paragraph 5 lit. 3 law introducing patent treaties