ATE492030T1 - Verfahren und vorrichtung zur überwachung einer wärmebehandlung eines mikrotechnologischen substrats - Google Patents
Verfahren und vorrichtung zur überwachung einer wärmebehandlung eines mikrotechnologischen substratsInfo
- Publication number
- ATE492030T1 ATE492030T1 AT07788866T AT07788866T ATE492030T1 AT E492030 T1 ATE492030 T1 AT E492030T1 AT 07788866 T AT07788866 T AT 07788866T AT 07788866 T AT07788866 T AT 07788866T AT E492030 T1 ATE492030 T1 AT E492030T1
- Authority
- AT
- Austria
- Prior art keywords
- substrate
- heat treatment
- monitoring
- microtechnological
- monitoring heat
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/06—Apparatus for monitoring, sorting, marking, testing or measuring
- H10P72/0616—Monitoring of warpages, curvatures, damages, defects or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
- H10P72/0434—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P90/00—Preparation of wafers not covered by a single main group of this subclass, e.g. wafer reinforcement
- H10P90/19—Preparing inhomogeneous wafers
- H10P90/1904—Preparing vertically inhomogeneous wafers
- H10P90/1906—Preparing SOI wafers
- H10P90/1914—Preparing SOI wafers using bonding
- H10P90/1916—Preparing SOI wafers using bonding with separation or delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
- H10W10/10—Isolation regions comprising dielectric materials
- H10W10/181—Semiconductor-on-insulator [SOI] isolation regions, e.g. buried oxide regions of SOI wafers
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Waste-Gas Treatment And Other Accessory Devices For Furnaces (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR0605620A FR2902926B1 (fr) | 2006-06-22 | 2006-06-22 | Procede et dispositif de suivi d'un traitement thermique d'un substrat microtechnologique. |
| PCT/FR2007/000961 WO2007147956A2 (fr) | 2006-06-22 | 2007-06-11 | Procédé et dispositif de suivi d'un traitement thermique d'un substrat microtechnologique |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ATE492030T1 true ATE492030T1 (de) | 2011-01-15 |
Family
ID=37654945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| AT07788866T ATE492030T1 (de) | 2006-06-22 | 2007-06-11 | Verfahren und vorrichtung zur überwachung einer wärmebehandlung eines mikrotechnologischen substrats |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7846749B2 (de) |
| EP (1) | EP2030231B1 (de) |
| JP (1) | JP5263789B2 (de) |
| AT (1) | ATE492030T1 (de) |
| DE (1) | DE602007011261D1 (de) |
| FR (1) | FR2902926B1 (de) |
| WO (1) | WO2007147956A2 (de) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010123691A (ja) * | 2008-11-18 | 2010-06-03 | Nikon Corp | ウエハ及び半導体装置の製造方法及び装置 |
| JP5386973B2 (ja) * | 2008-12-24 | 2014-01-15 | 株式会社ニコン | 基板処理装置、基板処理方法、及び、半導体装置の製造方法 |
| FR3079658B1 (fr) | 2018-03-28 | 2021-12-17 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de detection de la fracture d'un substrat fragilise par implantation d'especes atomiques |
| FR3143759A1 (fr) * | 2022-12-15 | 2024-06-21 | Saint-Gobain Glass France | Système de détection de casse d’un substrat dans une enceinte |
| FR3143758A1 (fr) * | 2022-12-15 | 2024-06-21 | Saint-Gobain Glass France | Unité et Module de détection de casse d’un substrat dans une enceinte |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4916439A (en) * | 1987-01-05 | 1990-04-10 | Eac Technologies Corp. | Remote display arrangement for appliances |
| FR2681472B1 (fr) | 1991-09-18 | 1993-10-29 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur. |
| US5336998A (en) * | 1992-06-22 | 1994-08-09 | United States Pipe And Foundry Company | Sensor for detecting faults in a magnetized ferrous object using hall effect elements |
| JPH0786365A (ja) * | 1993-09-20 | 1995-03-31 | Fujitsu Ltd | ステージローディング評価方法及び装置 |
| MY118019A (en) * | 1998-02-18 | 2004-08-30 | Canon Kk | Composite member, its separation method, and preparation method of semiconductor substrate by utilization thereof |
| JP3809733B2 (ja) * | 1998-02-25 | 2006-08-16 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜トランジスタの剥離方法 |
| US5909627A (en) * | 1998-05-18 | 1999-06-01 | Philips Electronics North America Corporation | Process for production of thin layers of semiconductor material |
| JP2000121615A (ja) * | 1998-10-14 | 2000-04-28 | Sharp Corp | 電子部品の製造方法及びその製造装置 |
| JP4379943B2 (ja) * | 1999-04-07 | 2009-12-09 | 株式会社デンソー | 半導体基板の製造方法および半導体基板製造装置 |
| US6387829B1 (en) * | 1999-06-18 | 2002-05-14 | Silicon Wafer Technologies, Inc. | Separation process for silicon-on-insulator wafer fabrication |
| GB0019434D0 (en) * | 2000-08-09 | 2000-09-27 | Rolls Royce Plc | A device and method for fatigue testing of materials |
| JP2002261146A (ja) * | 2001-03-02 | 2002-09-13 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法および半導体製造装置 |
| JP2003086564A (ja) * | 2001-09-14 | 2003-03-20 | Mitsubishi Electric Corp | 遠心乾燥装置および半導体装置の製造方法ならびに半導体製造装置 |
| JP2004179566A (ja) * | 2002-11-29 | 2004-06-24 | Nec Kansai Ltd | 縦型熱処理装置及び同装置における異常ウェーハ検出方法 |
| JP4136832B2 (ja) * | 2003-07-15 | 2008-08-20 | キヤノン株式会社 | 半導体レーザーダイオードチップの検査方法および検査装置 |
| JP2006064464A (ja) * | 2004-08-25 | 2006-03-09 | Sharp Corp | 基板割れ検出方法、基板割れ検出装置 |
-
2006
- 2006-06-22 FR FR0605620A patent/FR2902926B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-06-11 DE DE602007011261T patent/DE602007011261D1/de active Active
- 2007-06-11 AT AT07788866T patent/ATE492030T1/de not_active IP Right Cessation
- 2007-06-11 WO PCT/FR2007/000961 patent/WO2007147956A2/fr not_active Ceased
- 2007-06-11 EP EP07788866A patent/EP2030231B1/de not_active Not-in-force
- 2007-06-11 US US12/305,822 patent/US7846749B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-06-11 JP JP2009515907A patent/JP5263789B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2030231B1 (de) | 2010-12-15 |
| JP5263789B2 (ja) | 2013-08-14 |
| US7846749B2 (en) | 2010-12-07 |
| WO2007147956A2 (fr) | 2007-12-27 |
| EP2030231A2 (de) | 2009-03-04 |
| US20100015733A1 (en) | 2010-01-21 |
| FR2902926B1 (fr) | 2008-10-24 |
| FR2902926A1 (fr) | 2007-12-28 |
| DE602007011261D1 (de) | 2011-01-27 |
| WO2007147956A3 (fr) | 2008-05-02 |
| JP2009541981A (ja) | 2009-11-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1987298A4 (de) | Vorrichtung und verfahren zum heizen und/oder kühlen | |
| ATE407607T1 (de) | Vorrichtung und verfahren zum erhitzen einer flüssigkeit | |
| EP1960798A4 (de) | Vorrichtung und verfahren zum justieren einer orientierung von sonden | |
| EP2307929A4 (de) | Verfahren und vorrichtung zur härtung von dünnschichten auf niedrigtemperatursubstraten bei hoher drehzahl | |
| ATE501081T1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum reduzieren des energiekonsums einer aufzugsanlage | |
| DE102007039939A8 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Einsparung von Diafiltrat | |
| EP2106255A4 (de) | Vorrichtung und verfahren zur wundbehandlung mit periodischem subatmosphärischem druck | |
| DE112008003045A5 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Schlamm | |
| EP2322672A4 (de) | Heizvorrichtung und heizverfahren | |
| DE502007005961D1 (de) | Vorrichtung zur regeneration, zur temperaturbeaufschlagung und/oder zum thermomanagement, zugehöriges einspritzventil und verfahren | |
| DE602007009134D1 (de) | Vorrichtung, verfahren und computerprogramm zum erionen | |
| DE602007000340D1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Steuerung des Messvorgangs eines Konturmessgeräts | |
| EP2397239A4 (de) | Verfahren zur behandlung von materialien in einer trommelförmigen vorrichtung und vorrichtung zur durchführung des verfahrens | |
| ATE492030T1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur überwachung einer wärmebehandlung eines mikrotechnologischen substrats | |
| DE112009001603A5 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Ermittlung des Brennbraumdruckes | |
| DE602006004899D1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Kalibrierung der Abgabe von thermischer Energie bei einem Plasmagerät zur Behandlung von Gewebeoberflächen | |
| ATE525124T1 (de) | Vorrichtung und verfahren zur nasschemischen behandlung von produkten | |
| DE112010003139A5 (de) | Verfahren zur dynamischen regelung zumindest einer einheit umfassend mindestens einen brenner sowie vorrichtung zur durchführung des verfahrens | |
| DE602006004829D1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Wärmeisolation | |
| DE102007024902B8 (de) | Vorrichtung mit Membranstruktur zur Detektion von Wärmestrahlung, Verfahren zum Herstellen und Verwendung der Vorrichtung | |
| DE502007000050D1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum überwachten transport von blechen | |
| AT504810A3 (de) | Vorrichtung und verfahren zum herstellen von pastillen | |
| DE502006006506D1 (de) | Thermisches Spritzverfahren und Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens | |
| EP2345236A4 (de) | Verfahren und vorrichtung zum steuern von broadcast-empfängern | |
| EP2114526A4 (de) | Vorrichtung und verfahren zum nachweis eines myokardinfarkts und zur behandlung des myokardinfarkts mit therapeutischem licht |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RER | Ceased as to paragraph 5 lit. 3 law introducing patent treaties |