ATE505569T1 - Verfahren zur herstellung einer struktur mit wenigstens einer lagegenauen zone von einem oder mehreren halbleiter-nanokristallen - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer struktur mit wenigstens einer lagegenauen zone von einem oder mehreren halbleiter-nanokristallen

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ATE505569T1
ATE505569T1 AT05106613T AT05106613T ATE505569T1 AT E505569 T1 ATE505569 T1 AT E505569T1 AT 05106613 T AT05106613 T AT 05106613T AT 05106613 T AT05106613 T AT 05106613T AT E505569 T1 ATE505569 T1 AT E505569T1
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zone
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semiconductor nanocrystals
film
positional zone
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AT05106613T
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Maud Vinet
Jean-Charles Barbe
Pierre Mur
Crecy Francois De
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Commissariat Energie Atomique
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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