|
TWI535037B
(zh)
*
|
2008-11-07 |
2016-05-21 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置和其製造方法
|
|
JP2011066375A
(ja)
|
2009-08-18 |
2011-03-31 |
Fujifilm Corp |
非晶質酸化物半導体材料、電界効果型トランジスタ及び表示装置
|
|
KR101460869B1
(ko)
|
2009-09-04 |
2014-11-11 |
가부시끼가이샤 도시바 |
박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
|
|
JP5700626B2
(ja)
*
|
2009-09-04 |
2015-04-15 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
El表示装置
|
|
KR101914026B1
(ko)
|
2009-09-24 |
2018-11-01 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
산화물 반도체막 및 반도체 장치
|
|
KR20130026404A
(ko)
*
|
2009-09-24 |
2013-03-13 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치의 제조 방법
|
|
KR20120084751A
(ko)
|
2009-10-05 |
2012-07-30 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 그 제작 방법
|
|
KR102329380B1
(ko)
|
2009-10-09 |
2021-11-22 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
|
KR101426723B1
(ko)
|
2009-10-16 |
2014-08-07 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치
|
|
KR101772639B1
(ko)
|
2009-10-16 |
2017-08-29 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
|
WO2011046025A1
(en)
|
2009-10-16 |
2011-04-21 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Logic circuit and semiconductor device
|
|
KR101591613B1
(ko)
*
|
2009-10-21 |
2016-02-03 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
|
CN104681568B
(zh)
*
|
2009-10-21 |
2017-11-21 |
株式会社半导体能源研究所 |
显示装置和包括显示装置的电子设备
|
|
CN104485336B
(zh)
*
|
2009-10-21 |
2018-01-02 |
株式会社半导体能源研究所 |
半导体器件
|
|
KR20190006091A
(ko)
*
|
2009-10-29 |
2019-01-16 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
|
KR101829074B1
(ko)
|
2009-10-29 |
2018-02-13 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
|
KR20120091243A
(ko)
*
|
2009-10-30 |
2012-08-17 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
|
EP2494597A4
(de)
|
2009-10-30 |
2015-03-18 |
Semiconductor Energy Lab |
Halbleiterbauelement
|
|
WO2011052488A1
(en)
|
2009-10-30 |
2011-05-05 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
|
KR102142450B1
(ko)
|
2009-10-30 |
2020-08-10 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 반도체 장치의 제작방법
|
|
CN106057819B
(zh)
|
2009-10-30 |
2019-03-15 |
株式会社半导体能源研究所 |
半导体装置
|
|
CN102612741B
(zh)
*
|
2009-11-06 |
2014-11-12 |
株式会社半导体能源研究所 |
半导体装置
|
|
CN104393007A
(zh)
*
|
2009-11-06 |
2015-03-04 |
株式会社半导体能源研究所 |
半导体装置
|
|
KR20120094013A
(ko)
|
2009-11-13 |
2012-08-23 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
스퍼터링 타겟 및 그 제조방법, 및 트랜지스터
|
|
WO2011058885A1
(en)
*
|
2009-11-13 |
2011-05-19 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device and electronic device including the same
|
|
JP5596963B2
(ja)
*
|
2009-11-19 |
2014-09-24 |
出光興産株式会社 |
スパッタリングターゲット及びそれを用いた薄膜トランジスタ
|
|
KR20190124813A
(ko)
*
|
2009-11-20 |
2019-11-05 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
|
EP2887395B1
(de)
*
|
2009-11-20 |
2019-05-08 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Nichtflüchtige Sperrschaltung und Logikschaltung sowie Halbleiterbauelement damit
|
|
KR101790365B1
(ko)
|
2009-11-20 |
2017-10-25 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
|
WO2011062067A1
(en)
*
|
2009-11-20 |
2011-05-26 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
|
KR102089200B1
(ko)
|
2009-11-28 |
2020-03-13 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 그 제조 방법
|
|
WO2011068106A1
(en)
*
|
2009-12-04 |
2011-06-09 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device and electronic device including the same
|
|
IN2012DN04871A
(de)
|
2009-12-11 |
2015-09-25 |
Semiconductor Energy Laoboratory Co Ltd |
|
|
WO2011070929A1
(en)
|
2009-12-11 |
2011-06-16 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and electronic device
|
|
KR101804589B1
(ko)
*
|
2009-12-11 |
2018-01-10 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 그 제조 방법
|
|
KR101813460B1
(ko)
|
2009-12-18 |
2017-12-29 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
|
CN102668377B
(zh)
|
2009-12-18 |
2015-04-08 |
株式会社半导体能源研究所 |
非易失性锁存电路和逻辑电路以及使用它们的半导体器件
|
|
WO2011077916A1
(en)
*
|
2009-12-24 |
2011-06-30 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device
|
|
KR101870119B1
(ko)
|
2009-12-25 |
2018-06-25 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
|
EP3550604A1
(de)
|
2009-12-25 |
2019-10-09 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Halbleiterbauelement
|
|
US8780629B2
(en)
*
|
2010-01-15 |
2014-07-15 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and driving method thereof
|
|
WO2011089844A1
(en)
|
2010-01-24 |
2011-07-28 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device and manufacturing method thereof
|
|
KR101822962B1
(ko)
*
|
2010-02-05 |
2018-01-31 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
|
WO2011102233A1
(en)
*
|
2010-02-19 |
2011-08-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
|
WO2011108346A1
(en)
*
|
2010-03-05 |
2011-09-09 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Manufacturing method of oxide semiconductor film and manufacturing method of transistor
|
|
WO2011114905A1
(en)
*
|
2010-03-19 |
2011-09-22 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor memory device
|
|
WO2011114868A1
(en)
*
|
2010-03-19 |
2011-09-22 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
|
JP5727832B2
(ja)
*
|
2010-03-31 |
2015-06-03 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
トランジスタ
|
|
KR101872927B1
(ko)
*
|
2010-05-21 |
2018-06-29 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
|
WO2012002186A1
(en)
|
2010-07-02 |
2012-01-05 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
|
US8422272B2
(en)
|
2010-08-06 |
2013-04-16 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and driving method thereof
|
|
JP2012064201A
(ja)
*
|
2010-08-19 |
2012-03-29 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
入出力装置及び入出力装置の駆動方法
|
|
JP2012256821A
(ja)
|
2010-09-13 |
2012-12-27 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
記憶装置
|
|
WO2012060253A1
(en)
|
2010-11-05 |
2012-05-10 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
|
JP2012164963A
(ja)
|
2010-11-26 |
2012-08-30 |
Kobe Steel Ltd |
薄膜トランジスタの半導体層用酸化物およびスパッタリングターゲット、並びに薄膜トランジスタ
|
|
JP5723262B2
(ja)
|
2010-12-02 |
2015-05-27 |
株式会社神戸製鋼所 |
薄膜トランジスタおよびスパッタリングターゲット
|
|
JP2012151453A
(ja)
|
2010-12-28 |
2012-08-09 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
半導体装置および半導体装置の駆動方法
|
|
KR102026718B1
(ko)
|
2011-01-14 |
2019-09-30 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
기억장치, 반도체 장치, 검출 방법
|
|
JP2013153118A
(ja)
|
2011-03-09 |
2013-08-08 |
Kobe Steel Ltd |
薄膜トランジスタの半導体層用酸化物、上記酸化物を備えた薄膜トランジスタの半導体層および薄膜トランジスタ
|
|
US8859330B2
(en)
*
|
2011-03-23 |
2014-10-14 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for manufacturing semiconductor device
|
|
TWI567735B
(zh)
|
2011-03-31 |
2017-01-21 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
記憶體電路,記憶體單元,及訊號處理電路
|
|
JP2012235104A
(ja)
|
2011-04-22 |
2012-11-29 |
Kobe Steel Ltd |
薄膜トランジスタ構造、ならびにその構造を備えた薄膜トランジスタおよび表示装置
|
|
WO2012163464A1
(en)
*
|
2011-06-01 |
2012-12-06 |
Merck Patent Gmbh |
Hybrid ambipolar tfts
|
|
JP5984354B2
(ja)
*
|
2011-10-07 |
2016-09-06 |
住友電気工業株式会社 |
半導体素子
|
|
JP6081171B2
(ja)
|
2011-12-09 |
2017-02-15 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
記憶装置
|
|
JP6204036B2
(ja)
|
2012-03-16 |
2017-09-27 |
株式会社神戸製鋼所 |
酸化物半導体薄膜の評価方法、及び酸化物半導体薄膜の品質管理方法
|
|
US9208849B2
(en)
|
2012-04-12 |
2015-12-08 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and method for driving semiconductor device, and electronic device
|
|
WO2013168748A1
(ja)
|
2012-05-09 |
2013-11-14 |
株式会社神戸製鋼所 |
薄膜トランジスタおよび表示装置
|
|
CN102751240B
(zh)
*
|
2012-05-18 |
2015-03-11 |
京东方科技集团股份有限公司 |
薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置
|
|
JP6068232B2
(ja)
|
2012-05-30 |
2017-01-25 |
株式会社神戸製鋼所 |
薄膜トランジスタの半導体層用酸化物、薄膜トランジスタ、表示装置およびスパッタリングターゲット
|
|
CN104335353B
(zh)
|
2012-06-06 |
2017-04-05 |
株式会社神户制钢所 |
薄膜晶体管
|
|
JP6002088B2
(ja)
|
2012-06-06 |
2016-10-05 |
株式会社神戸製鋼所 |
薄膜トランジスタ
|
|
JP6059460B2
(ja)
|
2012-07-20 |
2017-01-11 |
株式会社コベルコ科研 |
ターゲット組立体
|
|
JP2014225626A
(ja)
|
2012-08-31 |
2014-12-04 |
株式会社神戸製鋼所 |
薄膜トランジスタおよび表示装置
|
|
JP6134230B2
(ja)
|
2012-08-31 |
2017-05-24 |
株式会社神戸製鋼所 |
薄膜トランジスタおよび表示装置
|
|
JP5722293B2
(ja)
|
2012-10-19 |
2015-05-20 |
株式会社神戸製鋼所 |
薄膜トランジスタ
|
|
CN104769842B
(zh)
|
2012-11-06 |
2017-10-31 |
株式会社半导体能源研究所 |
半导体装置以及其驱动方法
|
|
JP6152348B2
(ja)
|
2013-01-11 |
2017-06-21 |
株式会社神戸製鋼所 |
酸化物半導体薄膜の評価方法及び酸化物半導体薄膜の品質管理方法
|
|
KR102112367B1
(ko)
|
2013-02-12 |
2020-05-18 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
|
US9012261B2
(en)
*
|
2013-03-13 |
2015-04-21 |
Intermolecular, Inc. |
High productivity combinatorial screening for stable metal oxide TFTs
|
|
WO2014157019A1
(en)
|
2013-03-25 |
2014-10-02 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
|
JP6516978B2
(ja)
|
2013-07-17 |
2019-05-22 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
|
JP5798669B2
(ja)
|
2013-12-03 |
2015-10-21 |
株式会社神戸製鋼所 |
酸化物半導体薄膜の評価方法、及び酸化物半導体薄膜の品質管理方法、並びに上記評価方法に用いられる評価装置
|
|
JP6442321B2
(ja)
|
2014-03-07 |
2018-12-19 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置及びその駆動方法、並びに電子機器
|
|
WO2015170220A1
(en)
|
2014-05-09 |
2015-11-12 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Memory device and electronic device
|
|
JP6283273B2
(ja)
|
2014-07-01 |
2018-02-21 |
株式会社神戸製鋼所 |
薄膜トランジスタ評価用の積層構造体の評価方法
|
|
JP5993496B2
(ja)
|
2014-07-16 |
2016-09-14 |
株式会社神戸製鋼所 |
酸化物半導体薄膜、及び前記酸化物半導体薄膜の表面に保護膜を有する積層体の品質評価方法、及び酸化物半導体薄膜の品質管理方法
|
|
CN104716196B
(zh)
*
|
2015-03-18 |
2017-08-08 |
京东方科技集团股份有限公司 |
薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置
|
|
US9773787B2
(en)
|
2015-11-03 |
2017-09-26 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device
|
|
CN105977164A
(zh)
*
|
2016-06-28 |
2016-09-28 |
京东方科技集团股份有限公司 |
一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示面板
|
|
KR102458660B1
(ko)
|
2016-08-03 |
2022-10-26 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치 및 전자 기기
|
|
US20200235100A1
(en)
*
|
2017-11-24 |
2020-07-23 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Transistor including oxide semiconductor
|