ATE85729T1 - Verfahren zur herstellung einer kalten kathode, einer vorrichtung zur feldemission und eine nach diesem verfahren hergestellte feldemissionseinrichtung. - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer kalten kathode, einer vorrichtung zur feldemission und eine nach diesem verfahren hergestellte feldemissionseinrichtung.

Info

Publication number
ATE85729T1
ATE85729T1 AT89306659T AT89306659T ATE85729T1 AT E85729 T1 ATE85729 T1 AT E85729T1 AT 89306659 T AT89306659 T AT 89306659T AT 89306659 T AT89306659 T AT 89306659T AT E85729 T1 ATE85729 T1 AT E85729T1
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
field emission
emission device
layer
cold cathode
electron emissive
Prior art date
Application number
AT89306659T
Other languages
English (en)
Inventor
James Lance Sander Wales
Original Assignee
Emi Plc Thorn
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Emi Plc Thorn filed Critical Emi Plc Thorn
Application granted granted Critical
Publication of ATE85729T1 publication Critical patent/ATE85729T1/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H01J1/304—Field-emissive cathodes
    • H01J1/3042—Field-emissive cathodes microengineered, e.g. Spindt-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
    • H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/30—Cold cathodes
    • H01J2201/304—Field emission cathodes
    • H01J2201/30403—Field emission cathodes characterised by the emitter shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
  • Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
AT89306659T 1988-07-13 1989-06-30 Verfahren zur herstellung einer kalten kathode, einer vorrichtung zur feldemission und eine nach diesem verfahren hergestellte feldemissionseinrichtung. ATE85729T1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB888816689A GB8816689D0 (en) 1988-07-13 1988-07-13 Method of manufacturing cold cathode field emission device & field emission device manufactured by method
EP89306659A EP0351110B1 (de) 1988-07-13 1989-06-30 Verfahren zur Herstellung einer kalten Kathode, einer Vorrichtung zur Feldemission und eine nach diesem Verfahren hergestellte Feldemissionseinrichtung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ATE85729T1 true ATE85729T1 (de) 1993-02-15

Family

ID=10640387

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT89306659T ATE85729T1 (de) 1988-07-13 1989-06-30 Verfahren zur herstellung einer kalten kathode, einer vorrichtung zur feldemission und eine nach diesem verfahren hergestellte feldemissionseinrichtung.

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4969850A (de)
EP (1) EP0351110B1 (de)
JP (1) JP2806978B2 (de)
AT (1) ATE85729T1 (de)
CA (1) CA1305999C (de)
DE (1) DE68904831T2 (de)
GB (1) GB8816689D0 (de)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5019003A (en) * 1989-09-29 1991-05-28 Motorola, Inc. Field emission device having preformed emitters
US5202602A (en) * 1990-11-01 1993-04-13 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Metal-glass composite field-emitting arrays
GB9216647D0 (en) * 1992-08-05 1992-09-16 Isis Innovation Cold cathodes
FR2705830B1 (fr) * 1993-05-27 1995-06-30 Commissariat Energie Atomique Procédé de fabrication de dispositifs d'affichage à micropointes, utilisant la lithographie par ions lourds.
US5559389A (en) * 1993-09-08 1996-09-24 Silicon Video Corporation Electron-emitting devices having variously constituted electron-emissive elements, including cones or pedestals
US7025892B1 (en) 1993-09-08 2006-04-11 Candescent Technologies Corporation Method for creating gated filament structures for field emission displays
US5462467A (en) * 1993-09-08 1995-10-31 Silicon Video Corporation Fabrication of filamentary field-emission device, including self-aligned gate
US5564959A (en) * 1993-09-08 1996-10-15 Silicon Video Corporation Use of charged-particle tracks in fabricating gated electron-emitting devices
DE4416597B4 (de) * 1994-05-11 2006-03-02 Nawotec Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung der Bildpunkt-Strahlungsquellen für flache Farb-Bildschirme
WO1997006549A1 (en) * 1995-08-04 1997-02-20 Printable Field Emmitters Limited Field electron emission materials and devices
CH690144A5 (de) * 1995-12-22 2000-05-15 Alusuisse Lonza Services Ag Strukturierte Oberfläche mit spitzenförmigen Elementen.
DE19602595A1 (de) * 1996-01-25 1997-07-31 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung von Feldemissionsspitzen
US6525461B1 (en) 1997-10-30 2003-02-25 Canon Kabushiki Kaisha Narrow titanium-containing wire, process for producing narrow titanium-containing wire, structure, and electron-emitting device
JPH11246300A (ja) * 1997-10-30 1999-09-14 Canon Inc チタンナノ細線、チタンナノ細線の製造方法、構造体及び電子放出素子
FR2786026A1 (fr) * 1998-11-17 2000-05-19 Commissariat Energie Atomique Procede de formation de reliefs sur un substrat au moyen d'un masque de gravure ou de depot
EP1061554A1 (de) * 1999-06-15 2000-12-20 Iljin Nanotech Co., Ltd. Weisslichtquelle mit Kohlenstoffnanoröhren und Verfahren zur Herstellung
JP2001052652A (ja) * 1999-06-18 2001-02-23 Cheol Jin Lee 白色光源及びその製造方法
DE19931328A1 (de) * 1999-07-01 2001-01-11 Codixx Ag Flächige Elektronen-Feldemissionsquelle und Verfahren zu deren Herstellung
US6649824B1 (en) 1999-09-22 2003-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion device and method of production thereof
EP1444718A4 (de) * 2001-11-13 2005-11-23 Nanosciences Corp Photokathode
EP1377133A1 (de) * 2002-06-18 2004-01-02 Alcan Technology & Management Ltd. Beleuchtungelement mit lumineszierender Oberfläche und Gebrauch davon
US7494326B2 (en) * 2003-12-31 2009-02-24 Honeywell International Inc. Micro ion pump
JP5099836B2 (ja) * 2008-01-30 2012-12-19 株式会社高松メッキ 電子銃の製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3466485A (en) * 1967-09-21 1969-09-09 Bell Telephone Labor Inc Cold cathode emitter having a mosaic of closely spaced needles
NL6914205A (de) * 1969-09-18 1971-03-22
US3720856A (en) * 1970-07-29 1973-03-13 Westinghouse Electric Corp Binary material field emitter structure
US3671798A (en) * 1970-12-11 1972-06-20 Nasa Method and apparatus for limiting field-emission current
US3783325A (en) * 1971-10-21 1974-01-01 Us Army Field effect electron gun having at least a million emitting fibers per square centimeter
US3745402A (en) * 1971-12-17 1973-07-10 J Shelton Field effect electron emitter
US3746905A (en) * 1971-12-21 1973-07-17 Us Army High vacuum, field effect electron tube
JPS5325632B2 (de) * 1973-03-22 1978-07-27
US3982147A (en) * 1975-03-07 1976-09-21 Charles Redman Electric device for processing signals in three dimensions
US4163918A (en) * 1977-12-27 1979-08-07 Joe Shelton Electron beam forming device
DE2951287C2 (de) * 1979-12-20 1987-01-02 Gesellschaft für Schwerionenforschung mbH, 6100 Darmstadt Verfahren zur Herstellung von mit einer Vielzahl von feinsten Spitzen versehenen Oberflächen
DE3316027C2 (de) * 1983-05-03 1987-01-22 Dornier System Gmbh, 7990 Friedrichshafen Photodetektor und Verfahren zu seiner Herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
DE68904831D1 (de) 1993-03-25
JP2806978B2 (ja) 1998-09-30
DE68904831T2 (de) 1993-08-19
CA1305999C (en) 1992-08-04
EP0351110A1 (de) 1990-01-17
GB8816689D0 (en) 1988-08-17
US4969850A (en) 1990-11-13
JPH02270247A (ja) 1990-11-05
EP0351110B1 (de) 1993-02-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ATE85729T1 (de) Verfahren zur herstellung einer kalten kathode, einer vorrichtung zur feldemission und eine nach diesem verfahren hergestellte feldemissionseinrichtung.
DE68913419D1 (de) Herstellungsverfahren von feldemissions-elektronenquellen und anwendung zur herstellung von emitter-matrizen.
DE3862071D1 (de) Kathode fuer elektrolyse und verfahren zur herstellung derselben.
DE69909727D1 (de) Verfahren zur Herstellung von Strukturen mit einer koplanaren Oberfläche
DE69014396D1 (de) Verfahren zur Herstellung von permeationsbeständigen Silikonelastomer enthaltenden Mehrschichtstrukturen sowie dadurch hergestellte Artikel.
DE69307464D1 (de) Verfahren zur Herstellung verstärkter, zusammengesetzter Verbundstrukturen, und nach diesem Verfahren hergestellte Verbundstruktur
DE69211093D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltung mit selbstjustierten Kontakten zwischen eng beabstandeten Strukturen
DE69001857D1 (de) Material und verfahren zur herstellung von cordieritstrukturen mit geringer waermeausdehnung.
DE69015216D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung.
ATE81062T1 (de) Verfahren und arbeitsmittel zur herstellung mit rippen versehener verstaerkter gegenstaende.
DE3776460D1 (de) Verfahren zur herstellung von bicmos-strukturen von hoher leistungsfaehigkeit mit polysilizium-emittern und transistorbasen aus siliziden.
DE3777603D1 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung mit einem halbleitersubstrat, das feldoxidzonen an seiner oberflaeche enthaelt.
DE69023558D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung.
DE69926361D1 (de) Verfahren zur herstellung einer antennenstruktur und eine nach diesem verfahrenhergestellte antennenstruktur
DE69027960D1 (de) Elektronen emittierendes Element und Verfahren zur Herstellung desselben
DE69016955D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung.
DE3870842D1 (de) Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelementes mit mindestens einem bipolaren heterouebergangstransistor.
DE69033602D1 (de) Verfahren zur Herstellung von Isolationsstrukturen mit variabler Breite
DE68915510D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer schnellen Diode und nach diesem Verfahren erhaltene schnelle Diode.
DE3864184D1 (de) Verfahren zur herstellung von gemusterten metallschablonen und metallschablone mit dafuer geeigneter deckschicht.
DE69120981D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleitervorrichtung beinhaltend die Ausbildung einer ersten Kontaktelektrode, welche gekapselt und mit Distanzstück versehen ist und einer zweiten Kontaktelektrode, die automatisch zur ersten justiert ist
DE3577778D1 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung und nach diesem verfahren hergestellte anordnung.
DE69019200D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einer Mesa-Struktur.
DE68901117D1 (de) Verfahren zur herstellung von gebaeuden.
ATE128699T1 (de) Verfahren zur herstellung von supraleitern und deren vorläufern.

Legal Events

Date Code Title Description
RER Ceased as to paragraph 5 lit. 3 law introducing patent treaties