BE1008480A3 - Procede de traitement d'un substrat de germanium avant le depot d'arseniure de gallium. - Google Patents
Procede de traitement d'un substrat de germanium avant le depot d'arseniure de gallium. Download PDFInfo
- Publication number
- BE1008480A3 BE1008480A3 BE9400678A BE9400678A BE1008480A3 BE 1008480 A3 BE1008480 A3 BE 1008480A3 BE 9400678 A BE9400678 A BE 9400678A BE 9400678 A BE9400678 A BE 9400678A BE 1008480 A3 BE1008480 A3 BE 1008480A3
- Authority
- BE
- Belgium
- Prior art keywords
- deposition
- gallium arsenide
- pickling
- carried out
- substrate
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/127—The active layers comprising only Group III-V materials, e.g. GaAs or InP
- H10F71/1276—The active layers comprising only Group III-V materials, e.g. GaAs or InP comprising growth substrates not made of Group III-V materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/29—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by the substrates
- H10P14/2901—Materials
- H10P14/2902—Materials being Group IVA materials
- H10P14/2905—Silicon, silicon germanium or germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3414—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being group IIIA-VIA materials
- H10P14/3421—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/36—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by treatments done before the formation of the materials
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Procédé de traitement d'un substrat de germanium avant le dépôt d'arséniure de gallium, selon lequel la surface sur laquelle le dépôt sera effectué, est polie, caractérisé en ce que cette surface est ensuite décapée.
Description
<Desc/Clms Page number 1> Procédé de traitement d'un substrat de germanium avant le dépôt d'arséniure de gallium. L'invention concerne un procédé de traitement d'un substrat de germanium avant le dépôt d'arséniure de gallium, selon lequel la surface sur laquelle le dépôt sera effectué, est polie. De tels substrats, couverts d'un dépôt d'arséniure de gallium sont utilisés dans la fabrication de cellules solaires. Le dépôt d'arséniure de gallium est effectué par des techniques de film minces, comme le dépôt moléculaire chimique par vapeurs (ce qu'on appelle"molecular chemical vapour deposition"ou MOCVD) ou le dépôt moléculaire physique par vapeurs (ce qu'on appelle"molecular physical vapour deposition"ou MOPVD). Ces substrats de germanium couverts d'arséniure de gallium ont un rendement élevé. Il a été trouvé que ce rendement dépend du traitement de la surface du substrat et peut encore être amélioré. L'invention a pour but de procurer un procédé de traitement du substrat de germanium permettant d'obtenir, par un dépôt d'arséniure de gallium sur ce substrat, une cellule ayant un rendement plus élevé qu'avec les substrats de germanium uniquement polis. Ce but est atteint par le fait que la surface susdite du substrat de germanium est ensuite décapée. <Desc/Clms Page number 2> D'une manière surprenante, ce décapage améliore le rendement. La raison exacte n'en est pas encore connue avec certitude, mais il est supposé que l'amélioration résulte de l'enlèvement des oxydes sur la surface du germanium et le fait que cette surface est rendue hydrophobe. Un décapant efficace permettant d'obtenir un rendement très élevé est une solution aqueuse d'un mélange de fluorure d'amonium (NH4F) et d'acide fluorhydrique (HF). Dans une forme de réalisation particulière de l'invention, entre le décapage et le dépôt de l'arséniure de gallium, le contact du substrat avec de l'oxygène est évité. Tous les traitements ultérieurs au décapage, comme par exemple le rinçage, le lavage éventuelle avec ultrason et ultrasons surfactant non-ioniques, le séchage et éventuellement l'emballage, se font de préférence en l'absence pratiquement complète d'oxygène, par exemple sous un atmosphère neutre tel qu'un atmosphère d'azote. D'autres particularités et avantages de l'invention ressortiront de la description d'un procédé de traitement d'un substrat de germanium avant le dépôt d'arséniure de gallium, selon l'invention, donnée ci-après à titre d'exemple non-limitatif. En vue de la fabrication d'une cellule solaire formée par un dépôt d'arséniure de gallium sur un substrat de germanium, à rendement élevé, la surface du substrat est polie et ensuite décapée, avant le dépôt. Ce décapage améliore la morphologie de la surface du substrat et de l'arséniure de gallium y déposé subséquement. <Desc/Clms Page number 3> Le décapage est efficacement effectué avec une solution aqueuse de 2 à 20% d'un mélange de fluorure d'amonium (NH. F) et d'acide fluorhydrique (HF), à basse température ou à température ambiante. Il est supposé que l'amélioration du rendement de la cellule solaire résulte de l'enlèvement des oxydes et/ou du caractère hydrophobe obtenu suite au décapage. Il a en tout cas été constaté que l'influence positive du décapage sur le caractère hydrophobe est réduite, si la surface du substrat est en contact avec de l'oxygéne, par exemple avec de l'air ou de l'eau. Par conséquent, tout le traitement ultérieur au décapage doit se faire en absence presque complète d'oxygène, par exemple en maintenant les substrats sous un atmosphère neutre, tel que sous de l'azote, à l'intérieur d'un réacteur. Ces traitements ultérieurs comprennent le rinçage et éventuellement le lavage ultrason et ultrasons surfactant non-ioniques, et le séchage et, si le dépôt de la couche d'arséniure de gallium ne se fait pas sur place, aussi l'emballage et le transport. Le décapage peut en effet être effectué, ou bien par le fabricant du substrat de germanium, ou bien par le fabricant de la cellule solaire qui effectue le dépôt de l'arséniure de gallium. Ce dépôt d'arséniure de gallium sur le substrat décapé se fait également sous atmosphère contrôlée, par des techniques connues de film minces, comme par le dépôt moléculaire par vapeur chimique ou physique. Il est évident que l'invention n'est nullement limitée aux formes de réalisation décrites ci-devant et que bien des modifications peuvent y être apportées sans sortir du cadre <Desc/Clms Page number 4> de l'invention telle que définie dans les revendications suivantes.
Claims (6)
1. - Procédé de traitement d'un substrat de germanium avant le dépôt d'arséniure de gallium, selon lequel la surface sur laquelle le dépôt sera effectué, est polie, caractérisé en ce que cette surface est ensuite décapée.
2.-Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que le décapage est effectué avec une solution aqueuse d'un mélange de fluorure d'amonium (NH F) et d'acide fluorhydrique (HF).
3.-Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que le décapage est effectué avec une solution de 2 à 20 % du mélange de fluorure d'amonium et d'acide fluorhydrique.
4.-Procédé selon l'une ou l'autre des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'après le décapage le substrat est rincé, éventuellement lavé et séché.
5.-Procédé selon l'une ou l'autre des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'entre le décapage et le dépôt de l'arséniure de gallium, le contact du substrat avec de l'oxygène est évité.
6.-Procédé selon les revendications 4 et 5, caractérisé en ce que tous les traitements ultérieurs au décapage, comme le rinçage avec éventuellement un lavage avec ultrasons surfactant non-ioniques et le séchage et éventuellement l'emballage, se font en l'absence pratiquement complète d'oxygène.
<Desc/Clms Page number 6>
7.-Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que les traitements ultérieurs se font dans un réacteur sous atmosphère pratiquement neutre.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| BE9400678A BE1008480A3 (fr) | 1994-07-18 | 1994-07-18 | Procede de traitement d'un substrat de germanium avant le depot d'arseniure de gallium. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| BE9400678A BE1008480A3 (fr) | 1994-07-18 | 1994-07-18 | Procede de traitement d'un substrat de germanium avant le depot d'arseniure de gallium. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| BE1008480A3 true BE1008480A3 (fr) | 1996-05-07 |
Family
ID=3888264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| BE9400678A BE1008480A3 (fr) | 1994-07-18 | 1994-07-18 | Procede de traitement d'un substrat de germanium avant le depot d'arseniure de gallium. |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| BE (1) | BE1008480A3 (fr) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110011838A1 (en) * | 2009-07-16 | 2011-01-20 | Shu-Ling Kuo | Method for fabricating semicoductor wafers applicable to integrated circuit manufacture |
| WO2012027987A1 (fr) * | 2010-09-01 | 2012-03-08 | 北京大学 | Procédé de traitement de surface pour pièce à base de germanium |
-
1994
- 1994-07-18 BE BE9400678A patent/BE1008480A3/fr not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (4)
| Title |
|---|
| J.C. CHEN ET AL.: "Effects of metalorganic chemical vapor deposition growth conditions on the GaAs/Ge solar cell properties", APPLIED PHYSICS LETTERS., vol. 58, no. 20, 20 May 1991 (1991-05-20), NEW YORK US, pages 2282 - 2284 * |
| K. MIZUGUCHI ET AL.: "MOCVD GaAs growth on Ge (100) substrate", PROCEEDINGS OF THE 12TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON GALLIUM ARSENIDE AND RELATED COMPOUNDS, 23 September 1985 (1985-09-23), KARUIZAWA, JAPAN, pages 139 - 144 * |
| S.P. TOBIN ET AL.: "High efficiency GaAs/Ge monolithic tandem solar cells", 20TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE, 26 September 1988 (1988-09-26), LAS VEGAS, USA, pages 405 - 410 * |
| S.P. TOBIN ET AL.: "MOCVD growth of AlGaAs and GaAs on Ge substrates for high efficiency tandem cell applications", 18TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE, 21 October 1985 (1985-10-21), LAS VEGAS, USA, pages 134 - 139 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110011838A1 (en) * | 2009-07-16 | 2011-01-20 | Shu-Ling Kuo | Method for fabricating semicoductor wafers applicable to integrated circuit manufacture |
| WO2012027987A1 (fr) * | 2010-09-01 | 2012-03-08 | 北京大学 | Procédé de traitement de surface pour pièce à base de germanium |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7261835B2 (en) | Acid blend for removing etch residue | |
| US6783695B1 (en) | Acid blend for removing etch residue | |
| KR960013138B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼상의 콘텍트 홀내의 자연산화막의 제거방법 | |
| EP0575244B1 (fr) | Procédé de traitement de substrats à base d'aluminium en vue de leur anodisation, bain mis en oeuvre dans ce procédé et concentré pour préparer le bain | |
| CN101965642B (zh) | 具有锥体结构的硅表面的制备方法 | |
| BE1008480A3 (fr) | Procede de traitement d'un substrat de germanium avant le depot d'arseniure de gallium. | |
| JPH085655B2 (ja) | 多結晶シリコンの洗浄方法 | |
| JP3916526B2 (ja) | シリコン基板のエッチング方法 | |
| CZ291335B6 (cs) | Způsob sušení povrchu substrátu | |
| JP2003031548A (ja) | 基板表面の処理方法 | |
| KR20050001332A (ko) | 반도체 웨이퍼의 습식 화학적 표면 처리 방법 | |
| TWI304439B (en) | Solution for removal residue of post dry etch | |
| KR0165730B1 (ko) | 산함유 유체로 반도체를 처리하는 방법 | |
| KR19980026265A (ko) | 반도체 웨이퍼 재생을 위한 식각액 조성물 | |
| JP2001526460A (ja) | 電子部品製造の湿式加工法 | |
| JPH07211688A (ja) | 化合物半導体基板の製造方法 | |
| US6063205A (en) | Use of H2 O2 solution as a method of post lap cleaning | |
| CN114507863B (zh) | 一种钛材的表面处理方法及高温贮氢钛材 | |
| CN112980599A (zh) | 一种碳化硅单晶清洗剂及其应用 | |
| CN113659017B (zh) | 一种砷化镓晶片及其制备方法 | |
| CN110211864A (zh) | 一种硅基底的清洗方法 | |
| CN1347013A (zh) | 光电及半导体制造过程中聚亚醯胺膜层的剥除方法 | |
| BE893614A (fr) | Concentres et solutions sans fluorure et procedes pour le nettoyage a basse temperature de l'aluminium | |
| CN121034946A (zh) | 一种肖特基二极管势垒区接触界面的清洗方法 | |
| CN118127642A (zh) | 碱性蚀刻制绒溶液的添加剂及包含其的制绒液 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RE | Patent lapsed |
Owner name: S.A. ENERGIES NOUVELLES ET ENVIRONNEMENT E.N.E. Effective date: 19980731 |