BE1016881A3 - Matrice de moulage d'une structure alveolee et procede de fabrication de celle-ci. - Google Patents
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- 238000000465 moulding Methods 0.000 title claims abstract description 103
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 30
- 210000003850 cellular structure Anatomy 0.000 title 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 130
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 104
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 79
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 23
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract description 17
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 36
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 20
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims description 12
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 5
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Natural products C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 10
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 9
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 6
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 3
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-2h-tetrazole Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C2=NNN=N2)=C1 KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FOJLIPXLZDVWOA-UHFFFAOYSA-J [OH-].[B+3].[Na+].[OH-].[OH-].[OH-] Chemical compound [OH-].[B+3].[Na+].[OH-].[OH-].[OH-] FOJLIPXLZDVWOA-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000009760 electrical discharge machining Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009828 non-uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 229910001379 sodium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23P—METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; COMBINED OPERATIONS; UNIVERSAL MACHINE TOOLS
- B23P15/00—Making specific metal objects by operations not covered by a single other subclass or a group in this subclass
- B23P15/24—Making specific metal objects by operations not covered by a single other subclass or a group in this subclass dies
- B23P15/243—Honeycomb dies
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28B—SHAPING CLAY OR OTHER CERAMIC COMPOSITIONS; SHAPING SLAG; SHAPING MIXTURES CONTAINING CEMENTITIOUS MATERIAL, e.g. PLASTER
- B28B3/00—Producing shaped articles from the material by using presses; Presses specially adapted therefor
- B28B3/20—Producing shaped articles from the material by using presses; Presses specially adapted therefor wherein the material is extruded
- B28B3/26—Extrusion dies
- B28B3/269—For multi-channeled structures, e.g. honeycomb structures
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28B—SHAPING CLAY OR OTHER CERAMIC COMPOSITIONS; SHAPING SLAG; SHAPING MIXTURES CONTAINING CEMENTITIOUS MATERIAL, e.g. PLASTER
- B28B7/00—Moulds; Cores; Mandrels
- B28B7/34—Moulds, cores, or mandrels of special material, e.g. destructible materials
- B28B7/346—Manufacture of moulds
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/32—Carbides
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49826—Assembling or joining
- Y10T29/49861—Sizing mating parts during final positional association
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49826—Assembling or joining
- Y10T29/49885—Assembling or joining with coating before or during assembling
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Abstract
Matrice pour mouler une structure alvéolée qui est supérieure par sa résistance à l'usure et qui peut réduire la résistance à la pression pour réaliser une moulabilité sophistiquée. Selon la présente invention, une matrice 1 pour mouler une structure alvéolée comprend: un substrat de matrice 2 semblable à une plaque ayant au moins deux surfaces 8,9 dans lequel des orifices postérieurs 3 pour introduire une matière verte sont formés dans une surface 8 et fentes 4 communiquant avec les orifices postérieurs 3 sont formées dans l'autre surface 9; une sous-couche 5 disposée sur le substrat de matrice 2 de manière à recouvrir au moins une partie d'une portion constitant l'orifice supérieur 3 et la fente 4; une couche intermédiaire 6 disposée de manière à recouvrir au moins une partie de la sous-couche 5 et composée de particules de carbure de tungstène contenant un composant principal de W3C et possédant un diamètre moyen des particules de 5 um ou moins; et une couche de surface 7 qui est disposée de manière à recouvrir au moins une partie de la couche intermédiaire 6 et qui est constituée de diamant et/ou de carbone semblable à du diamant.
Description
DESCRIPTION MATRICE DE MOULAGE D'UNE STRUCTURE ALVEOLEE ET PROCEDE DE FABRICATION DE CELLE-CI La présente invention concerne une matrice de moulage d'une structure alvéolée et un procédé de fabrication d'une matrice et, en particulier, concerne une matrice de moulage d'une structure alvéolée et un procédé de fabrication de la matrice dans laquelle la résistance à l'usure est supérieure et la résistance à la pression peut être réduite pour réaliser une moulabilité sophistiquée. Description de l'état de la technique Comme procédé de fabrication d'une structure alvéolée en céramique, un procédé d'extrusion est largement répandu dans l'état de la technique en utilisant une matrice (ci-après appelée simplement matrice dans certains cas) pour mouler une structure alvéolée. La matrice comprend un substrat de matrice possédant : un orifice postérieur pour l'introduction d'argile (matière verte); et une fente d'extrusion d'argile qui communique avec l'orifice postérieur et qui présente une forme de grille ou autre. Dans cette matrice, l'orifice postérieur pour introduire l'argile est en général disposé dans une ouverture possédant une grande superficie dans une surface (surface du côté introduction de l'argile) du substrat de la matrice. La fente d'extrusion de l'argile est disposée en forme de grille ou autre possédant une petite largeur correspondant à une épaisseur de paroi de séparation de la structure alvéolée dans la surface sur un côté d'extrusion de l'article moulé opposé au côté d'introduction de l'agile du substrat de la matrice. En outre, chaque orifice postérieur est généralement disposé dans une position dans laquelle les fentes d'extrusion de l'argile en grille se croisent l'une l'autre et l'orifice postérieur communique avec la fente à l'intérieur du substrat de la matrice. Par conséquent, l'argile formée d'une matière céramique ou autre introduite à partir de l'orifice postérieur se déplace d'un orifice d'introduction de l'argile possédant un diamètre interne relativement grand dans la fente d'extrusion de l'argile possédant une petite largeur de fente et est extrudée à partir de la fente d'extrusion de l'argile pour composer un article moulé possédant une structure alvéolée. Comme matrice de ce type pour mouler la structure alvéolée, une matrice pour mouler la structure alvéolée dans laquelle un film en diamant ou film de carbone semblable au diamant a été formé sur la surface du substrat de la matrice afin d'améliorer la résistance à l'usure (voir la demande de brevet japonais déposée n[deg.] 2002-339068) a été révélée. Une autre matrice pour mouler la structure alvéolée dans laquelle une sous-couche et une couche de surface sont formées dans cet ordre sur le film de substrat et la couche de surface est composée de particules de carbure de tungstène contenant un composant principal de W3C et ayant un rayon moyen de 5 [mu]m ou moins (voir la publication internationale n[deg.] 03/039828) a été révélée. Toutefois, la matrice pour mouler la structure alvéolée décrite dans la demande de brevet japonais déposée n[deg.] 2002-339068 présente le problème que la couche (sous-couche) composant le substrat du film en diamant ou du film de carbone semblable au diamant présente une faible souplesse, cette sous-couche a une grande influence sur le lissé du film en diamant ou du film de carbone semblable au diamant formé sur cette sous-couche, cela réduit le lissé de la surface de la matrice pour mouler la structure alvéolée et la moulabilité est détériorée. En particulier, on constate une tendance à une chute de la moulabilité avec la diminution de l'épaisseur d'une paroi de séparation de la structure alvéolée formée. Dans la matrice pour mouler la structure alvéolée, décrite dans la publication internationale n[deg.] 03/039828, la résistance à la pression est réduite mais une nouvelle amélioration de la résistance à l'usure est attendue avec l'amincissement de la paroi de séparation de la structure alvéolée à fabriquer. RESUME DE L'INVENTION La présente invention a été développée compte tenu du problème décrit précédemment et un objet de celle-ci consiste à fournir une matrice pour mouler une structure alvéolée qui est supérieure sur le plan de la résistance à l'usure et dans laquelle la résistance à la pression peut être réduite pour réaliser une moulabilité sophistiquée et fournir un procédé de fabrication de la matrice. La présente invention révèle la matrice suivante pour mouler une structure alvéolée et un procédé de fabrication de la matrice. [1] une matrice pour mouler une structure alvéolée comprenant : un substrat de matrice semblable à une plaque possédant au moins deux surfaces, une surface comprenant un orifice postérieur pour introduire une matière verte, l'autre surface comprenant une fente formée de manière à communiquer avec l'orifice postérieur et dans laquelle la matière verte introduite dans l'orifice postérieur est extrudée de la fente pour former la structure alvéolée; une sous-couche disposée sur le substrat de la matrice de manière à recouvrir au moins une partie d'une portion composant l'orifice postérieur et la fente; une couche intermédiaire disposée de manière à recouvrir au moins une partie de la sous-couche et composée de particules de carbure de tungstène contenant un composant principal de W3C et ayant un diamètre moyen des particules de 5 [mu]m ou moins; et une couche de surface qui est disposée de manière à recouvrir au moins une partie de la couche intermédiaire et qui est composée de diamant et/ou de carbone semblable au diamant. [2] La matrice pour mouler la structure alvéolée selon le [1] précédent, dans laquelle la couche de surface est disposée sur le substrat de la matrice de manière à inclure une portion dans laquelle l'orifice postérieur communique avec la fente. [3] La matrice pour mouler la structure alvéolée selon les points [1] ou [2] précédents, dans laquelle l'épaisseur de la souscouche est de l'ordre de 1 à 100 [mu]m. [4] La matrice pour mouler la structure alvéolée selon l'un des points [1] à [3] précédents, dans laquelle l'épaisseur de la couche intermédiaire est de l'ordre de 0,1 à 30 [mu]m. [5] La matrice pour mouler la structure alvéolée selon l'un des points [1] à [4] précédents, dans laquelle l'épaisseur de la couche de surface est de l'ordre de 0,01 à 20 [mu]m. [6] La matrice pour mouler la structure alvéolée selon l'un des points [1] à [5] précédents, dans laquelle les particules de carbure de tungstène composant la couche intermédiaire ont un diamètre maximum des particules de 6 [mu]m ou moins. [7] La matrice pour mouler la structure alvéolée selon l'un des points [1] à [6] précédents, dans laquelle la sous-couche comprend une couche de placage sans courant. [8] La matrice pour mouler la structure alvéolée selon l'un des points [1] à [7] précédents, dans laquelle la couche intermédiaire est formée par le dépôt de vapeur chimique (DVC). [9] La matrice pour mouler la structure alvéolée selon l'un des points [1] à [8] précédents, dans laquelle la couche de surface est formée par dépôt de vapeur chimique (DVC). [10] Un procédé de fabrication d'une matrice pour mouler une structure alvéolée comprenant les étapes de : formation d'un orifice postérieur qui introduit une matière verte pour le moulage de la structure alvéolée dans une surface d'un élément semblable à une plaque possédant deux surfaces et la formation d'une fente qui communique avec l'orifice postérieur dans l'autre surface de l'élément semblable à une plaque pour obtenir un substrat de matrice dans lequel la fente est formée; la formation d'une sous-couche sur au moins une partie d'une portion dans laquelle l'orifice postérieur et la fente sont formés sur le substrat de matrice en forme de fente obtenu par un procédé comprenant le placage sans courant afin d'obtenir le substrat de matrice doté de la sous-couche; la formation d'une couche intermédiaire composée de particules de carbure de tungstène contenant un composant principal de W3C et ayant un diamètre moyen des particules de 5 [mu]m ou moins sur au moins une partie de la sous-couche du substrat de matrice obtenu doté de la sous-couche par dépôt de vapeur chimique (DVC) en utilisant un premier gaz réactif contenant de l'hexafluorure de tungstène (WF6), du benzène (C6H6) et de l'hydrogène (H2) pour obtenir le substrat de matrice doté de la couche intermédiaire; et la formation d'une couche de surface composée de carbone au diamant et/ou de carbone semblable au diamant sur au moins une partie de la couche intermédiaire du substrat de matrice obtenu doté de la couche intermédiaire par dépôt de vapeur chimique (DVC) en utilisant un deuxième gaz réactif contenant du carbure d'hydrogène pour fabriquer la matrice pour extruder la structure alvéolée. [11] Un procédé de fabrication d'une matrice pour mouler la structure alvéolée selon le point [10] précédent, dans lequel le dépôt de vapeur chimique (DVC) pour mouler la couche intermédiaire est un DVC thermique ou un DVC au plasma. [12] Un procédé de fabrication d'une matrice pour mouler la structure alvéolée selon le point [11] précédent, dans lequel la couche intermédiaire est formée par le DVC à une température de 310 à 420[deg.]C et une pression de 1 à 35 Torr. [13] Un procédé de fabrication d'une matrice pour mouler la structure alvéolée selon l'un des points [10] à [12] dans lequel le dépôt de vapeur chimique (DVC) pour mouler la couche de surface est un DVC au plasma. [14] Un procédé de fabrication de la matrice pour mouler la structure alvéolée selon le point [13] précédent, dans lequel le DVC au plasma comprend les étapes d'application d'une tension puisée au substrat de matrice doté de la couche intermédiaire. Dans la présente invention, la matrice de moulage de la structure alvéolée est supérieure par la résistance à l'usure et la résistance à la pression peut être réduite pour réaliser une moulabilité sophistiquée. Dans le procédé de fabrication de la matrice pour mouler la structure alvéolée de la présente invention, la matrice de moulage de la structure alvéolée peut être fournie et le procédé peut contribuer à une amélioration de la productivité. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES La Fig. 1 est une vue en perspective illustrant schématiquement une réalisation d'une matrice pour le moulage d'une structure alvéolée selon la présente invention; La Fig. 2(a) est une vue sectionnelle illustrant la matrice pour mouler la structure alvéolée illustrée dans la FIG. 1 dans une coupe le long de la ligne A-A et la FIG. 2(b) est une vue partiellement agrandie de la FIG. 2(a); et La Fig. 3 est une vue en perspective illustrant une structure alvéolée extrudée par la matrice pour mouler la structure alvéolée illustrée dans la FIG. 1. DESCRIPTION DE LA REALISATION PREFEREE Les réalisations d'une matrice pour mouler une structure alvéolée et un procédé de fabrication de la matrice selon la présente invention seront décrits plus en détail par référence aux figures. Cependant, la présente invention est interprétée sans être limitée à ces réalisations et la présente invention peut être adaptée de différentes manières, modifiée et améliorée en fonction des connaissances d'un homme de métier sans s'écarter de la portée de la présente invention. La FIG. 1 est une vue en perspective représentant schématiquement une réalisation d'une matrice pour mouler une structure alvéolée selon la présente invention. La FIG. 2(a) est une vue en coupe illustrant la matrice pour mouler la structure alvéolée illustrée dans la FIG. 1 dans une coupe par la ligne A-A et la FIG. 2(b) est une partie partiellement agrandie de la FIG. 2(a). La FIG. 3 est une vue en perspective illustrant une structure alvéolée extrudée par la matrice pour mouler la structure alvéolée selon la présente réalisation. Comme illustré dans les FIG. 1 , 2(a) et 2(b), selon la présente réalisation, une matrice 1 pour mouler une structure alvéolée comprend un substrat de matrice semblable à une plaque 2 possédant au moins deux surfaces 8, 9. Les orifices postérieurs 3 pour l'introduction d'une matière verte sont formés dans une surface 8 et les fentes 4 qui communiquent avec les orifices postérieurs 3 sont formées dans l'autre surface 9. La matière verte introduite dans les orifices postérieurs 3 est extrudée par les fentes 4 pour former une structure alvéolée 10 (voir FIG. 3). La matrice 1 pour mouler la structure alvéolée comprend : une sous-couche 5 disposée sur le substrat de la matrice 2 de manière à recouvrir au moins une partie d'une portion composant l'orifice postérieur 3 et la fente 4; une couche intermédiaire 6 disposée de manière à recouvrir au moins une partie de la sous-couche 5 et composée de particules de carbure de tungstène contenant un composant principal de W3C et ayant un diamètre moyen des particules de 5 [mu]m ou moins; et une couche de surface 7 qui est disposée de manière à recouvrir au moins une partie de la couche intermédiaire 6 et qui est composée de diamant et/ou de carbone semblable à du diamant. Comme décrit précédemment, la matrice 1 pour mouler la structure alvéolée réduit une résistance à la pression pour réaliser une moulabilité sophistiquée et est supérieure sur le plan de la résistance à l'usure. Comme illustré dans la FIG. 3, dans la présente réalisation, la structure alvéolée 10 extrudée par la matrice 1 (voir FIG. 1 ) pour mouler la structure alvéolée, comporte des cloisons de séparation poreuses 11 et une pluralité d'alvéoles 12 délimitées par les cloisons de séparation 11 pour constituer des canaux de fluide. Cette structure alvéolée 10 est de préférence utilisable dans un support pour un catalyseur, en utilisant une fonction de catalyseur d'un moteur à combustion interne, un boiler, un appareil de réaction chimique, un raffineur pour une pile à combustible ou autre, un filtre pour capturer les particules dans un gaz d'échappement, etc. Comme illustré dans les FIG. 1 , 2(a) et 2(b), dans le substrat de matrice 2 à utiliser dans la matrice 1 pour mouler la structure alvéolée selon la présente réalisation, il est possible de préférence d'utiliser un substrat de matrice à utiliser dans une matrice pour mouler une structure alvéolée qui est connue de l'état de la technique. Spécifiquement, un élément semblable à une plaque d'un métal, d'un alliage ou autre est utilisable de préférence et possède une épaisseur telle que les orifices postérieurs 3 sont moulés dans une surface 8 et les fentes 4 communiquant avec les orifices postérieurs 3 peuvent être formées dans l'autre surface 9. Des exemples d'un matériau du substrat de matrice 2 comprennent de préférence de l'acide inoxydable, de l'acier de matrice, etc. Les fentes 4 formées dans le substrat de la matrice 2 constituent une partie de la cloison de séparation 11 de la structure alvéolée 10 illustrée dans la FIG. 3 et présentent, par exemple, une forme de grille conformément à la forme de la cloison de séparation 11 , comme illustré dans la FIG. 1. En outre, la matière verte pour extruder la structure alvéolée 10 (voir FIG. 3) est introduite à partir d'une surface 8 par l'intermédiaire des orifices postérieurs 3 et chaque orifice postérieur est généralement formé dans une position dans laquelle les fentes 4 se croisent l'une l'autre. Par cette conception, la matière verte introduite par les orifices postérieurs 3 peut être uniformément répartie sur toutes les fentes 4 et une moulabilité sophistiquée peut être réalisée. Il faut remarquer qu'il n'existe aucune limitation particulière quant aux formes spécifiques des fentes 4 et des orifices postérieurs 3 et les formes peuvent être dûment déterminées conformément à la forme de la structure alvéolée 10 (voir FIG. 3) à extruder. II n'existe aucune limitation particulière quant au procédé de formation de fentes 4 et d'orifices postérieurs 3 et il est de préférence possible d'utiliser un procédé qui est connu de l'état de la technique, par exemple par usinage électrochimique (UEC), usinage par décharge électrique (UDE), forage ou autres. Dans ce cas, dans la matrice 1 pour mouler la structure alvéolée dans la présente réalisation, comme illustré dans les FIG. 1 , 2(a) et 2(b), la sous-couche 5, la couche intermédiaire 6 et la couche de surface 7 sont disposées dans cet ordre sur au moins une partie du substrat de matrice 2. Par conséquent, les fentes 4 et les orifices postérieurs 3 sont de préférence formés pour être plus grands de telle manière que les tailles (largeurs) de la fente 4 et de l'orifice postérieur 3 soient légèrement plus grandes que celles de la fente 4 et de l'orifice postérieur 3 possédant des formes finales dans une position dans laquelle est disposée au moins une de la sous-couche 5, de la couche intermédiaire 6 et de la couche de surface 7, c'est-à-dire, en considérant les épaisseurs de la sous-couche 5, de la couche intermédiaire 6 et de la couche de surface 7, et les positions dans lesquelles les couches doivent être disposées. Dans la présente réalisation, la sous-couche 5 composant la matrice 1 pour le moulage de la structure alvéolée contribue à l'adhérence entre le substrat de matrice 2 et la couche intermédiaire 6. Il n'y a pas de restriction spéciale quant au matériau de la sous-couche 5 mais la force de cohésion est élevée par rapport à la couche intermédiaire 6 et, par conséquent, la sous-couche est de préférence formée d'un matériau contenant au moins un métal sélectionné à partir d'un groupe composé de nickel, de cobalt et de cuivre. La sous-couche est par ailleurs formée de préférence d'un matériau contenant du nickel qui présente une force de cohésion particulièrement élevée par rapport à la couche intermédiaire 6. Cette sous-couche 5 comprend de préférence une couche de placage sans courant formée par placage sans courant. Dans le placage sans courant, une opération de moulage de la couche de placage sans courant est simple et la sous-couche peut être formée de manière peu coûteuse. Cette sous-couche 5 peut être composée d'une seule couche ou d'une pluralité de couches. Par le placage sans courant décrit précédemment, l'épaisseur de la sous-couche 5 est modifiée arbitrairement et une largeur de fente peut être approchée dans une mesure telle qu'une largeur de fente finale souhaitée puisse être obtenue par dépôt de vapeur chimique (DVC) décrit plus tard. II faut remarquer qu'une forme de R ayant un rayon de courbure préalablement déterminé peut être conférée à une intersection où les fentes se croisent l'une l'autre par ce placage sans courant. La couche intermédiaire 6, disposée de manière à couvrir au moins une partie de la sous-couche 5, est composée de particules de carbure de tungstène contenant un composant principal de W3C et un diamètre moyen des particules de 5 [mu]m ou moins. La couche peut être formée, par exemple, par dépôt de vapeur chimique (DVC), plus particulièrement par DVC thermique ou DVC au plasma. Un procédé spécifique pour former la couche intermédiaire 6 par le dépôt de vapeur chimique (DVC) sera décrit dans une réalisation d'un procédé de fabrication de la matrice pour former la structure alvéolée décrite plus loin. Il faut remarquer que le "composant principal" décrit précédemment est un composant possédant une teneur maximale (% en masse) parmi les composants contenus dans les particules de carbure de tungstène. En outre, au moins un composant sélectionné dans le groupe composé de W3C, WC et W peut être contenu dans les particules de carbure de tungstène. Les particules de carbure de tungstène peuvent être toutes particules cristallines, particules amorphes ou particules cristallines mixtes. Dans la matrice 1 pour mouler la structure alvéolée de la présente réalisation, les particules de carbure de tungstène doivent avoir un diamètre moyen des particules de 5 [mu]m ou moins. Si les diamètres des particules de carbure de tungstène diminuent, le lissé de la surface de la couche intermédiaire 6 est encore supérieur. Par conséquent, un diamètre maximum des particules de carbure de tungstène est de préférence de 6 [mu]m ou moins, particulièrement de 5 [mu]m ou moins, surtout de 1 [mu]m ou moins et, tout particulièrement, de 0,5 [mu]m ou moins. Le diamètre moyen des particules de carbure de tungstène est de préférence de 5 [mu]m ou moins, particulièrement de 3 [mu]m ou moins, surtout de 2 [mu]m ou moins et, tout particulièrement, de 0,5 [mu]m ou moins, de préférence de 0,4 [mu]m ou moins et de manière particulièrement préférée de 0,1 [mu]m ou moins. Si le lissé de la surface de la couche intermédiaire 6 est encore supérieur, le lissé de la couche de surface 7 disposée sur la couche est également renforcé, la résistance à la pression de la matrice 1 pour mouler la structure alvéolée est réduite et une moulabilité sophistiquée peut être réalisée. Il n'existe pas de restriction spéciale quant à l'épaisseur de la couche intermédiaire 6. Pour obtenir par ailleurs une souplesse et une résistance à l'usure satisfaisantes de la surface de la couche intermédiaire 6 et, par ailleurs, une adhérence satisfaisante par rapport à la sous-couche 5 et à la couche de surface 7, l'épaisseur de la couche intermédiaire 6 est de préférence de 0,1 à 30 [mu]m, particulièrement de 0,1 à 20 [mu]m, tout particulièrement de 0,1 à 15 [mu]m. En outre, la couche intermédiaire 6 peut être composée d'une couche seule ou d'une pluralité de couches. Par conséquent, l'épaisseur de la couche intermédiaire 6 peut être contrôlée par le nombre de couches mais la couche est de préférence constituée d'une seule couche en vue de la simplification des étapes de fabrication. La couche de surface 7, disposée de manière à couvrir au moins une partie de la couche intermédiaire 6, est composée de diamant et/ou de carbone semblable au diamant et peut être formée, par exemple, par dépôt de vapeur chimique (DVC), particulièrement par DVC au plasma. Comme décrit précédemment, dans la présente réalisation, la matrice 1 pour mouler la structure alvéolée est supérieure par le lissé de la surface de la couche intermédiaire 6 disposée sous la couche de surface 7, le lissé élevé de la surface de la couche intermédiaire 6 est reflété et le lissé de la couche de surface 7 est amélioré également. Par conséquent, dans la matrice 1 pour mouler la structure alvéolée de la présente réalisation, la résistance à la pression peut être réduite à un moment d'extrusion pour réaliser une moulabilité sophistiquée. En ce qui concerne une méthode spécifique pour former la couche de surface 7 par le dépôt de vapeur chimique (DVC) décrit précédemment, le procédé sera décrit dans une réalisation d'un procédé de fabrication de la matrice pour mouler la structure alvéolée décrite ci-dessous. II n'existe pas de restriction spéciale quant à l'épaisseur de la couche de surface 7. Toutefois, pour obtenir particulièrement une résistance à l'usure supérieure, une souplesse satisfaisante et une adhérence satisfaisante à la couche intermédiaire 6, l'épaisseur de la couche de surface 7 est de préférence de 0,01 à 20 [mu]m, particulièrement de 0,1 à 10 [mu]m, tout particulièrement de 0,1 à 5 [mu]m. En outre, la couche de surface 7 peut être composée d'une seule couche ou d'une pluralité de couches. Par ailleurs, dans la matrice 1 pour mouler la structure alvéolée de la présente réalisation, la couche de surface 7 est disposée de manière à couvrir au moins une partie de la portion composant les orifices postérieurs 3 et les fentes 4. La couche de surface est de préférence disposée de manière à comprendre une portion dans laquelle l'orifice postérieur 3 communique avec la fente 4 sur le substrat de la matrice 2. Une taille d'un diamètre d'ouverture de l'orifice postérieur 3 est différente de la largeur de la fente 4 dans la portion dans laquelle l'orifice postérieur 3 communique avec la fente 4. Par conséquent, la matière verte est limitée dans la réalisation de l'extrusion et une usure beaucoup plus importante est générée par rapport à une autre portion. Etant donné que la couche de surface 7 décrite précédemment est composée de diamant et/ou de carbone semblable au diamant supérieur par sa résistance à l'usure, la couche de surface 7 est disposée de manière à comprendre la portion dans laquelle une usure plus importante est générée et l'orifice postérieur 3 communique avec la fente 4 sur le substrat de la matrice 2. Par conséquent, la résistance à l'usure de la matrice 1 pour mouler la structure alvéolée peut être améliorée de manière satisfaisante. Ensuite, l'exécution du procédé de fabrication pour mouler la structure alvéolée sera décrite selon la présente invention. Dans la présente exécution, le procédé de fabrication de la matrice pour mouler la structure alvéolée est un procédé de fabrication de la matrice 1 pour mouler la structure alvéolée illustrée dans la Fig. 1. D'abord, les orifices postérieurs 3 qui introduisent la matière verte pour mouler la structure alvéolée 10 (voir Fig. 3) sont formés dans une surface 8 d'un membre semblable à une plaque possédant deux surfaces. Les fentes 4 qui communiquent avec les orifices postérieurs 3 sont formées dans l'autre surface 9 de ce membre semblable à une plaque pour obtenir un substrat de matrice (substrat de matrice 2) dans lequel les fentes sont formées. Puis, la couche inférieure 5 est formée sur au moins une partie d'une portion dans laquelle les orifices postérieurs 3 et les fentes 4 sont formés sur le substrat de matrice en forme de fente obtenu par un procédé comprenant un placage sans courant pour obtenir le substrat de matrice muni de la sous-couche. Ensuite, la couche intermédiaire 6, composée de particules de carbure de tungstène contenant un composant principal de W3C et possédant un diamètre moyen des particules de 5 [mu]m ou moins est formée sur au moins une partie de la sous-couche 5 du substrat de matrice obtenu doté de la sous-couche par dépôt de vapeur chimique (DVC) en utilisant un premier gaz réactif contenant de l'hexafluorure de tungstène (WF6), du benzène (C6H6) et de l'hydrogène (H2) pour obtenir le substrat de matrice muni de la couche intermédiaire. Puis, la couche de surface 7, composée de diamant et/ou de carbone semblable au diamant, est formée sur au moins une partie de la couche intermédiaire 6 du substrat de matrice obtenu muni de la couche intermédiaire par dépôt de vapeur chimique (DVC) en utilisant un deuxième gaz réactif contenant du carbure d'hydrogène pour fabriquer la matrice 1 de moulage de la structure alvéolée pour extruder la structure alvéolée. Par cette conception, il est possible de fabriquer la matrice 1 pour mouler la structure alvéolée qui est supérieure par sa résistance à l'usure et peut réduire la résistance à la pression afin de parvenir à une moulabilité sophistiquée. Chaque étape sera décrite ci-après plus en détail. D'abord, dans le procédé de fabrication de la matrice pour mouler la structure alvéolée dans la présente réalisation, les orifices postérieurs 3 qui introduisent la matière verte pour mouler la structure alvéolée 10 (voir FIG. 3) sont moulés dans une surface 8 du membre semblable à une plaque possédant deux surfaces 8, 9, par exemple par usinage électrochimique (UEC), usinage par décharge électrique (UDE), forage ou autre qui est connu de l'état de la technique. Les fentes 4 qui communiquent avec les orifices postérieurs 3 sont formées dans l'autre surface 9 de ce membre semblable à une plaque, par exemple par usinage électrochimique (UEC), usinage par décharge électrique (UDE), forage ou autre qui sont connus de l'état de la technique pour obtenir un substrat de matrice (substrat de matrice 2) dans lequel les fentes sont formées. En ce qui concerne ce membre semblable à une plaque, un membre semblable à une plaque d'un métal, d'un alliage ou autre est de préférence utilisé et présente une épaisseur telle que les orifices postérieurs 3 sont formés dans une surface 8 et les fentes 4 communiquant avec les orifices postérieurs 3 peuvent être formées dans l'autre surface 9. Des exemples de membre semblable à une plaque comprennent de préférence des membres semblables à une plaque formés d'acier inoxydable, d'acier de matrice, etc. Dans le procédé de fabrication de la matrice pour mouler la structure alvéolée de la présente réalisation, la sous-couche 5, la couche intermédiaire 6 et la couche de surface 7 sont disposées dans cet ordre sur au moins une partie du substrat de la matrice 2 comme dans la matrice 1 pour mouler la structure alvéolée illustrée dans la FIG. 1. Par conséquent, les fentes 4 et les orifices postérieurs 3 à former dans le membre semblable à une plaque sont de préférence formés pour être plus grands de manière que les tailles (largeurs) de la fente 4 et de l'orifice postérieur 3 soient légèrement plus grandes que celles de la fente 4 et de l'orifice postérieur 3 possédant les formes finales dans la position dans laquelle au moins une de la sous-couche 5, de la couche intermédiaire 6 et de la couche de surface 7 est disposée, c'est-à-dire en tenant compte des épaisseurs respectives de la sous-couche 5, de la couche intermédiaire 6 et de la couche de surface 7 et les positions dans lesquelles les couches doivent être disposées. Il faut remarquer qu'il n'y a aucune restriction quant à l'ordre dans lequel la fente 4 et l'orifice postérieur 3 sont formés dans le membre semblable à une plaque et soit la fente, soit l'orifice peuvent être formés en premier lieu. Ensuite, la sous-couche 5 est formée sur au moins une partie de la portion dans laquelle les orifices postérieurs 3 et les fentes 4 sont formés sur le substrat de matrice en forme de fente obtenu par un procédé comprenant un placage sans courant afin d'obtenir le substrat de matrice doté de la sous-couche. Dans le placage sans courant, une solution de placage à utiliser contient au moins un métal choisi dans un groupe composé du nickel, du cobalt et du cuivre et un agent réducteur comme l'hypophosphite de sodium et l'hydroxyde de bore-sodium. La solution est chauffée à environ 80 à 100[deg.]C et le substrat de matrice dans lequel les fentes sont formées est immergé dans la solution de placage pendant une période préalablement déterminée. Il faut remarquer que, par ce placage sans courant, l'épaisseur de la sous-couche 5 est modifiée arbitrairement et la largeur de la fente peut être rétrécie dans une mesure telle qu'une largeur de fente souhaitée finale peut être obtenue par dépôt de vapeur chimique (DVC) comme décrit plus loin. En outre, la forme de R possédant un rayon de courbure préalablement déterminé peut être conférée à l'intersection où les fentes se croisent l'une l'autre. En outre, dans cette étape comprenant le placage sans courant, on évite de préférence de mélanger la couche d'oxyde si possible. Des exemples d'un procédé pour empêcher la couche d'oxyde d'être mélangée comprennent un procédé dans lequel la sous-couche 5 est formée par placage sans courant continu. Il est également efficace d'effectuer le placage sans courant dans une atmosphère de gaz inactif. Après avoir formé une sous-couche 5 par le placage sans courant, une autre sous-couche 5 peut être formée par placage sans courant. En outre, après avoir formé la sous-couche 5 par le placage sans courant de cette manière, un nettoyage à l'acide peut être effectué par de l'acide nitrique dilué, de l'acide acétique ou autre par rapport à la surface de la sous-couche 5. Il faut remarquer que ce nettoyage à l'acide est effectué de préférence dans une atmosphère de gaz inactif afin d'éviter de former effectivement la couche d'oxyde sur la sous-couche 5. En outre, l'étape comprenant le placage sans courant est effectuée de préférence en mesurant, dans la solution de placage, la largeur de la fente 4 du substrat de matrice à fente formée sur laquelle la sous-couche 5 est formée. En variante, au lieu de mesurer directement la largeur de la fente 4, une fente possédant une largeur égale à celle du substrat de matrice à fente formée est formée dans une pièce fictive, la pièce est immergée dans la solution de placage et l'étape comprenant le placage sans courant peut être effectuée tout en mesurant la largeur de la fente dans cette pièce fictive. Ensuite, le substrat de matrice obtenu doté de la souscouche est disposé, par exemple, dans une chambre de réaction pour effectuer le dépôt de vapeur chimique (DVC) afin de former la couche intermédiaire 6 composée des particules de carbure de tungstène contenant un composant principal de W3C et ayant un diamètre moyen des particules de 5 [mu]m ou moins par dépôt de vapeur chimique (DVC) en utilisant un premier gaz réactif contenant de l'hexafluorure de tungstène (WF6), du benzène (C6H6) et de l'hydrogène (H2), spécifiquement par DVC thermique ou DVC au plasma. Les conditions du dépôt de vapeur chimique varient avec l'épaisseur ou autre de la couche intermédiaire formée 6. Par exemple, le dépôt est effectué par le DVC thermique, de préférence à une température de 310 à 420[deg.]C et une pression de 1 à 35 Torr, particulièrement à une température de 310 à 380[deg.]C et une pression de 1 à 30 Torr, tout particulièrement à une température de 340 à 360[deg.]C et à une pression de 1 à 30 Torr. Lorsque la température du dépôt de vapeur chimique (DVC) est inférieure à 310[deg.]C, la couche intermédiaire 6 mélangée avec du tungstène (W) à un ratio élevé est parfois formée et la réactivité du premier gaz réactif chute parfois. Lorsque la température du dépôt de vapeur chimique (DVC) dépasse 420[deg.]C, la couche intermédiaire 6 non uniformément mélangée avec du W2C à un rapport élevé est parfois formée en plus du W3C, le W2C ayant un diamètre des particules relativement grand. Lorsque la pression dépasse 35 Torr, une pression partielle du premier gaz réactif augmente, la réactivité augmente et la couche intermédiaire 6 non uniformément mélangée avec du W2C à un rapport élevé est parfois formé en plus du W3C, le W2C ayant un diamètre des particules relativement grand. Lorsque le dépôt de vapeur chimique (DVC) est effectué, il est préférable de procéder au dépôt de vapeur chimique (DVC) en utilisant le premier gaz réactif dans un état dans lequel une différence de pression est établie entre le côté d'une surface 8 et le côté de l'autre surface 9 du substrat de matrice constituant le substrat de matrice doté de la sous-couche. Par cette conception, le premier gaz réactif est amené de manière satisfaisante dans un espace dans lequel la fente 4 et l'orifice postérieur 3 sont formés et l'efficacité de la réaction du dépôt de vapeur chimique (DVC) peut être améliorée. En outre, des exemples d'un composant autre que le W3C comprennent de préférence au moins un des composants sélectionnés dans le groupe composé de W2C, WC et W. Il faut remarquer que les particules de carbure de tungstène peuvent être toutes particules cristallines, particules amorphes et particules cristallines mixtes. Il n'existe aucune restriction spéciale à l'épaisseur de la couche intermédiaire 6. Afin d'obtenir par ailleurs une souplesse satisfaisante et une résistance à l'usure de la surface de la couche intermédiaire et, par ailleurs, une adhérence satisfaisante par rapport à la sous-couche 5 et à la couche de surface 7, l'épaisseur de la couche intermédiaire 6 est de préférence de 0,1 à 30 [mu]m, particulièrement de 0,1 à 20 [mu]m et, tout particulièrement, de 0,1 à 15 [mu]m. Comme décrit précédemment, le premier gaz réactif contient de l'hexafluorure de tungstène (WF6), du benzène (C6H6) et de l'hydrogène (H2). Afin d'améliorer l'efficacité de la couche intermédiaire 6 formée par le dépôt de vapeur chimique (DVC), les composants sont ajustés de préférence de manière à ce que le rapport (W/C) d'un nombre de moles de l'élément tungstène (W) soit de l'ordre de 0,6 à 6 par rapport à celui de l'élément carbone (C) dans le premier gaz réactif. Ce rapport (W/C) du nombre de moles est de l'ordre de 0,6 à 5, de préférence, 0,6 à 3 en particulier. Ensuite, le substrat de matrice obtenu doté de la couche intermédiaire est disposé, par exemple, dans une chambre de réaction pour effectuer le dépôt de vapeur chimique (DVC) et la couche de surface 7, composée de diamant et/ou de carbone semblable à du diamant, est formée par le dépôt de vapeur chimique (DVC) en utilisant un deuxième gaz réactif contenant du carbure d'hydrogène, spécifiquement le DVC au plasma pour fabriquer la matrice 1 de moulage de la structure alvéolée. En outre, lorsque le DVC au plasma est effectué pour former la couche de surface 7, une tension puisée est de préférence appliquée sur le substrat de la matrice doté de la couche intermédiaire pour générer un plasma. Par cette conception, la couche de surface 7 peut être formée de manière satisfaisante sur la couche intermédiaire 6. En outre, la tension puisée est de préférence appliquée sur le substrat de la matrice doté de la couche intermédiaire sans appliquer en substance une tension de polarisation de courant continu. Lorsque la tension de polarisation de courant continu n'est pas appliquée en substance, la couche de surface 7 peut être formée de manière plus stable. Il faut remarquer que, lorsque la tension de polarisation de courant direct n'est pas appliquée en substance, une opération n'est pas effectuée pour appliquer la tension de polarisation de courant direct à partir d'une alimentation électrique capable d'appliquer la tension de polarisation de courant continu sur le substrat de matrice doté de la couche intermédiaire. Par exemple, à partir d'une autre cause, une différence de potentiel de courant continu est parfois établie entre le substrat de matrice doté de la couche intermédiaire et l'alimentation électrique. Cependant, dans ce cas, la tension de polarisation de courant continu n'est pas appliquée en substance. Lorsque la tension puisée est appliquée comme décrit précédemment, un champ électrique présente par exemple une amplitude de 20 à 300 kV/m de préférence, de 20 à 200 kV/m en particulier. Il n'existe aucune restriction spéciale quant à la largeur d'impulsion de la tension puisée et, par exemple, la largeur est de préférence de l'ordre de 1 à 50 [mu]s. Il n'existe aucune restriction spéciale quant à la période d'impulsion de la tension puisée et, par exemple, la période est de préférence de l'ordre de 100 à 10000 Hz. Comme décrit précédemment, selon le procédé de fabrication de la matrice pour mouler la structure alvéolée de la présente invention, une matrice pour mouler la structure alvéolée qui est supérieure par sa résistance à l'usure et sa moulabilité peut être produite et le procédé peut contribuer à l'amélioration de la productivité. Exemples La présente invention sera décrite plus en détail ci-après conformément aux exemples mais la présente invention n'est pas limitée aux exemples suivants. Exemple 1 Une matrice pour mouler une structure alvéolée a été fabriquée et comprend : un substrat de matrice semblable à une plaque doté d'au moins deux surfaces, une surface comprenant un orifice postérieur pour introduire une matière verte, l'autre surface comprenant une fente communiquant avec l'orifice postérieur; une sous-couche disposée sur le substrat de matrice de manière à recouvrir au moins une partie d'une portion constituant l'orifice postérieur et la fente; une couche intermédiaire disposée de manière à couvrir au moins une partie de la sous-couche et composée de particules de carbure de tungstène contenant un composant principal de W3C et possédant un diamètre moyen des particules de 5 [mu]m ou moins; et une couche de surface disposée de manière à recouvrir au moins une partie de la couche intermédiaire et composée de diamant et/ou de carbone semblable au diamant. Plus précisément, un orifice postérieur possédant un diamètre d'ouverture de 1 ,00 mm a d'abord été formé dans une surface d'un membre semblable à une plaque possédant deux surfaces et composé d'acier SUS. En outre, une fente communiquant avec l'orifice postérieur et possédant une largeur de 180 [mu]m a été formée dans l'autre surface du membre semblable à une plaque pour obtenir un substrat de matrice dans lequel les fentes ont été formées. Ensuite, une étape de placage a été réalisée pour poursuivre le placage sans courant et une sous-couche possédant une épaisseur d'environ 40 [mu]m a été formée pour obtenir le substrat de matrice doté de la sous-couche. Puis, le substrat de matrice obtenu, doté de la sous-couche, a été laissé à reposer dans une chambre de réaction pour le dépôt de vapeur chimique, un gaz réactif contenant du WF6, du C6H6et du H2(rapport molaire W/C : 0;8) a été amené, un dépôt de vapeur chimique (DVC) a été effectué à une température de traitement d'environ 350[deg.]C et une couche intermédiaire possédant une épaisseur d'environ 15 [mu]m a été formée pour obtenir le substrat de matrice doté de la couche intermédiaire. Ensuite, le substrat de matrice obtenu doté de la couche intermédiaire est resté à reposer dans une chambre de réaction pour un DVC au plasma, un gaz de C2H2a été introduit à un débit de 20 cm<3>/min et une tension puisée a été appliquée sur le substrat de matrice doté de la couche intermédiaire sans appliquer en substance une quelconque tension de polarisation de courant direct pour effectuer le DVC au plasma. En conséquence, une couche de surface possédant une épaisseur d'environ 3 [mu]m a été formée et une matrice (Exemple 1 ) pour mouler une structure alvéolée a été fabriquée. Dans l'Exemple 1 , la matrice pour mouler la structure alvéolée présentait une largeur de fente d'environ 65 [mu]m et une portion de coin, formée dans une portion dans laquelle les fentes formant la grille se croisaient l'une l'autre, avait une forme de R possédant un rayon de courbure d'environ 60 [mu]m. Dans la matrice pour mouler la structure alvéolée de l'Exemple 1 , le substrat de matrice doté de la couche intermédiaire formée avait un brillant uniforme et la couche intermédiaire a été composée de particules de tungstène possédant un diamètre des particules de 0,5 [mu]m ou moins et un diamètre moyen des particules de 0,1 [mu]m. Lorsque la couche de surface a été formée sur le substrat de matrice doté de la couche intermédiaire, la couche de surface a viré au noir. Lorsque la surface de la portion dans laquelle la couche de surface a été formée a été observée au microscope électronique, un état de surface de la couche intermédiaire a été tracé pour former la couche de surface et la couche de surface présentant une forme de surface de lissé supérieur. Lorsqu'une matière verte contenant de la cordiérite a été extrudée en utilisant la matrice pour mouler la structure alvéolée de l'Exemple 1 , il a été possible d'extruder une structure alvéolée possédant une épaisseur des parois de séparation d'environ 65 [mu]m sans générer aucun défaut de moulage ou autre. Exemple comparatif 1 Le dépôt de vapeur chimique a été effectué à une température de traitement d'environ 750[deg.] et une sous-couche de TiCN a été formée pour mouler un substrat de matrice doté de la sous-couche. Une couche de surface composée de diamant et/ou de carbone semblable au diamant et possédant une épaisseur de 3 [mu]m a été formée sur le substrat de matrice doté de la sous-couche de la même manière que dans l'Exemple 1 et une matrice (Exemple comparatif 1) pour mouler une structure alvéolée a été fabriquée. Dans la matrice pour mouler la structure alvéolée de l'Exemple comparatif 1 , une largeur d'une fente, un rayon de courbure d'une portion dans laquelle des fentes formant la grille se croisent l'une l'autre etc. ont été réglés pour être équivalents à ceux de la matrice pour mouler la structure alvéolée de l'Exemple 1. Dans la matrice pour mouler la structure alvéolée de l'Exemple comparatif 1 ; le substrat de matrice doté de la sous-couche ne présentait guère de brillant et la matrice a viré au noir après formation de la couche de surface. Lorsque la surface d'une portion dans laquelle une couche de surface a été formée a été observée au microscope électronique, la matrice complète était composée de cristaux en aiguille possédant un diamètre long de 10 [mu]m ou moins et un diamètre court de 3 [mu]m ou moins et les tailles des cristaux présentaient une distribution légèrement non-uniforme. Un état de surface de la sous-couche de TiCN a été tracé pour former la couche de surface. Une surface possédant une grande rugosité de surface a été formée comme comparée avec la matrice pour mouler la structure alvéolée de l'Exemple 1. Une déformation des fentes par une influence de la température de traitement a été confirmée. Lorsqu'une matière verte contenant de la cordiérite a été extrudée en utilisant la matrice pour mouler la structure alvéolée de l'Exemple comparatif 1 , la résistance à la pression était élevée et la moulabilité a chuté par rapport à un article moulé de l'Exemple 1. Exemple comparatif 2 Un substrat de matrice doté d'une sous-couche a été constitué de la même manière que le substrat de matrice doté de la sous-couche de l'Exemple 1. Le substrat a été laissé à reposer dans une chambre de réaction pour le dépôt de vapeur chimique et un gaz réactif contenant du WF6, du C6H6et du H2(rapport molaire W/C : 0,8) a été amené. Le dépôt de vapeur chimique a été réalisé à une température de traitement d'environ 350[deg.]C pour former, comme une couche de surface, une couche (couche intermédiaire dans l'Exemple 1 ) constituée de particules de carbure de tungstène composées principalement de W3C et possédant un diamètre moyen des particules de 0,1 [mu]m. En conséquence, une matrice (Exemple comparatif 2) pour mouler une structure alvéolée a été fabriquée. Dans la matrice pour mouler la structure alvéolée de l'Exemple comparatif 2, une largeur d'une fente, un rayon de courbure d'une portion dans laquelle les fentes formant la grille se sont croisées l'une l'autre etc. ont été réglées pour être équivalentes à celles de la matrice pour mouler la structure alvéolée de l'Exemple 1. Dans la matrice pour mouler la structure alvéolée de l'Exemple comparatif 2, lorsqu'un état de surface a été observé au microscope électronique, la couche de surface (couche intermédiaire dans l'Exemple 1 ) était composée de particules de carbure de tungstène possédant un diamètre des particules de 0,5 [mu]m ou moins et un diamètre moyen des particules de 0,1 [mu]m et avait une forme de surface supérieure en lissé. Lorsqu'une matière verte contenant de la cordiérite a été extrudée en utilisant la matrice pour mouler la structure alvéolée de l'Exemple comparatif 2, la structure alvéolée possédant une épaisseur de cloisons de séparation d'environ 65 [mu]m a été extrudée sans générer aucun défaut de moulage ou autre. Cependant, il a été découvert que la matrice pour mouler la structure alvéolée de l'Exemple comparatif 2 présentait une faible résistance à l'usure et l'usure s'est développée environ 1 ,5 fois plus vite que celle de la matrice pour mouler la structure alvéolée de l'Exemple 1. Selon la présente invention, une matrice pour mouler une structure alvéolée est supérieure par sa résistance à l'usure et peut réduire la résistance à la pression pour réaliser une moulabilité sophistiquée. Selon un procédé de fabrication d'une matrice pour mouler une structure alvéolée de la présente invention, la matrice décrite précédemment pour mouler la structure alvéolée peut être fournie et la présente invention peut contribuer à l'amélioration de la productivité.
Claims (14)
1. Matrice pour mouler une structure alvéolée comprenant : un substrat de matrice semblable à une plaque possédant au moins deux surfaces, une surface comprenant un orifice postérieur pour introduire une matière verte, l'autre surface comprenant une fente formée de manière à communiquer avec l'orifice postérieur et dans laquelle la matière verte introduite dans l'orifice postérieur est extrudée de la fente pour former la structure alvéolée; une sous-couche disposée sur le substrat de matrice de manière à recouvrir au moins une partie d'une portion constituant l'orifice postérieur et la fente; une couche intermédiaire disposée de manière à recouvrir au moins une partie de la sous-couche et composée de particules de carbure de tungstène contenant un composant principal de W3C et ayant un diamètre moyen des particules de 5 [mu]m ou moins;
et une couche de surface qui est disposée de manière à recouvrir au moins une partie de la couche intermédiaire et qui est composée de diamant et/ou de carbone semblable au diamant.
2. Matrice pour mouler la structure alvéolée selon la revendication 1 , dans laquelle la couche de surface est disposée sur le substrat de matrice de manière à inclure une portion dans laquelle l'orifice postérieur communique avec la fente.
3. Matrice pour mouler la structure alvéolée selon l'une des revendications 1 ou 2, dans laquelle l'épaisseur de la sous-couche est de l'ordre de 1 à 100 [mu]m.
4. Matrice pour mouler la structure alvéolée selon l'une des revendications 1 à 3, dans laquelle l'épaisseur de la couche intermédiaire est de l'ordre de 0,1 à 30 [mu]m.
5. Matrice pour mouler la structure alvéolée selon l'une des revendications 1 à 4, dans laquelle l'épaisseur de la couche de surface est de l'ordre de 0,1 à 30 [mu]m.
6. Matrice pour mouler la structure alvéolée selon l'une des revendications 1 à 5, dans laquelle les particules de carbure de tungstène composant la couche intermédiaire ont un diamètre moyen des particules de 6 [mu]m ou moins.
7. Matrice pour mouler la structure alvéolée selon l'une des revendications 1 à 6, dans laquelle la sous-couche comprend une couche de placage sans courant.
8. Matrice pour mouler la structure alvéolée selon l'une des revendications 1 à 7, dans laquelle la couche intermédiaire est formée par dépôt de vapeur chimique (DVC).
9. Matrice pour mouler la structure alvéolée selon l'une des revendications 1 à 8, dans laquelle la couche de surface est formée par dépôt de vapeur chimique (DVC).
10. Procédé de fabrication d'une matrice pour mouler une structure alvéolée, comprenant les étapes : de moulage d'un orifice postérieur qui introduit une matière verte pour mouler la structure alvéolée dans une surface d'un membre semblable à une plaque possédant deux surfaces, et de moulage d'une
fente qui communique avec l'orifice postérieur dans l'autre surface du membre semblable à une plaque pour obtenir un substrat de matrice dans lequel la fente est formée; de moulage d'une sous-couche sur au moins une partie d'une portion dans laquelle l'orifice postérieur et la fente sont formés sur le substrat de matrice à fente formée obtenu par un procédé comprenant le placage sans courant afin d'obtenir le substrat de matrice doté de la sous-couche;
de moulage d'une couche intermédiaire constituée de particules de carbure de tungstène contenant un composant principal de W3C et ayant un diamètre moyen des particules de 5 [mu]m ou moins sur au moins une partie de la sous-couche du substrat de matrice obtenu doté de la sous-couche par dépôt de vapeur chimique (DVC) en utilisant un premier gaz réactif contenant de l'hexafluorure de tungstène (WF6), du benzène (C6H6) et de l'hydrogène (H2) pour obtenir le substrat de matrice doté de la couche intermédiaire;
et de moulage d'une couche de surface constituée de diamant et/ou de carbone semblable à du diamant sur au moins une partie de la couche intermédiaire du substrat de matrice obtenu doté de la couche intermédiaire par dépôt de vapeur chimique (DVC) en utilisant un deuxième gaz réactif contenant du carbure d'hydrogène pour fabriquer la matrice afin d'extruder la structure alvéolée.
11. Procédé de fabrication de la matrice pour mouler la structure alvéolée selon la revendication 10, dans lequel le dépôt de vapeur chimique (DVC) pour mouler la couche intermédiaire est le DVC thermique ou le DVC au plasma.
12. Procédé de fabrication de la matrice pour mouler la structure alvéolée selon la revendication 11, dans lequel la couche
intermédiaire est formée par le DVC thermique à une température de 310 à 420[deg.]C et à une pression de 1 à 35 Torr.
13. Procédé de fabrication de la matrice pour mouler la structure alvéolée selon l'une des revendications 10 à 12 dans lequel le dépôt de vapeur chimique (DVC) pour mouler la couche de surface est le DVC au plasma.
14. Procédé de fabrication de la matrice pour mouler la structure alvéolée selon la revendication 13, dans lequel le DVC au plasma comprend les étapes : application d'une tension puisée sur le substrat de matrice doté de la couche intermédiaire.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004203394A JP4373294B2 (ja) | 2004-07-09 | 2004-07-09 | ハニカム構造体成形用口金、及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| BE1016881A3 true BE1016881A3 (fr) | 2007-09-04 |
Family
ID=35657484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| BE2005/0339A BE1016881A3 (fr) | 2004-07-09 | 2005-07-06 | Matrice de moulage d'une structure alveolee et procede de fabrication de celle-ci. |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7384258B2 (fr) |
| JP (1) | JP4373294B2 (fr) |
| CN (1) | CN1718398B (fr) |
| BE (1) | BE1016881A3 (fr) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2003039827A1 (fr) * | 2001-11-05 | 2003-05-15 | Ngk Insulators,Ltd. | Corps structural en nids d'abeille formant bague et procede de fabrication de ladite bague |
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-
2004
- 2004-07-09 JP JP2004203394A patent/JP4373294B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-07-06 BE BE2005/0339A patent/BE1016881A3/fr active
- 2005-07-06 US US11/174,657 patent/US7384258B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-07-08 CN CN2005100830817A patent/CN1718398B/zh not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20060018988A1 (en) | 2006-01-26 |
| CN1718398B (zh) | 2010-10-13 |
| JP2006021488A (ja) | 2006-01-26 |
| CN1718398A (zh) | 2006-01-11 |
| US7384258B2 (en) | 2008-06-10 |
| JP4373294B2 (ja) | 2009-11-25 |
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