BE366662A - - Google Patents

Description

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  Procédé de fabrication de cellules de sélénium. 



   On a déjà proposé de préparer des cellules de sélénium dans lesquelles le sélénium est déposé sur deux électrodes de platine qui s'emboîtent l'une dans l'autre, qui sont fixées sur un sup - port de verre et dans lesquelles, pour rendre possible une bonne formation des deux électrodes à partir d'une couche de platine compacte et une bonne adhérence du sélénium au verre, on a creu- sé dans le verre, entre les deux électrodes, un sillon que l'on remplit de sélénium. Dans ce procédé connu, les sillons devaient être creusés dans le support dur en verre avec un diamant.

   Mais il s'est avéré que les sillons pratiqués devenaient trop larges et irréguliers de sorte qu'on a passé à l'emploi de supports en matières plus molles, comme l'ardoise et la stéatite non cuite, qui peuvent être gravées plus facilement que le verre et aux - quelles le sélénium adhère mieux qu'aux surfaces lisses. Mais les cellules faites avec ces supports n'ont pas non plus donné en - tière satisfaction, car l'ardoise et la stéatite ne sont pas 

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 suffisamment homogènes et contiennent au contraire souvent des points conduisant l'électricité et des occlusions plus dures. 



   On parvient cependant, grâce à la présente invention, et justement par l'emploi de supports durs en verre, qui peut être remplacé le cas échéant par du quartz, à produire de bonnes cellules en pratiquant par corrosion entre les électrodes un sillon dans lequel le sélénium entre en contact avec le support. 



  On a trouvé que c'est justement de cette manière qu'on peut fabriquer des cellules avec une couche de platine très finement subdivisée, dans lesquelles les électrodes, même après la sub - division, adhèrent fortement au support, et qu'on peut fabriquer aussi les électrodes complètement séparées les unes des autres, c'est-à-dire éviter tous les points de contact d'une électrode avec   l' autre.   Par cette opération, la surface de verre ou de quartz avec laquelle le sélénium vient en contact peut être simultanément dépolie de façon suffisante par corrosion de manière que,également, le sélénium adhère bien au support. 



   Pour la fabrication d'une cellule suivant l'invention, on peut par exemple, procéder de la façon suivante : on grave le sillon dans le support dont la surface peut être mate ou polie, puis on remplit ce sillon d'une matière qu'on peut facilement enlever, par exemple de cire, et on   revêt   le support du côté du sillon d'une couche de platine compacte, après quoi on enlève la matière de remplissage du sillon et le platine qui se trouve sur la matière de remplissage. 



   Un autre procédé avantageux est le suivant . On dépose sur la surface lisse du support de verre une couche de platine, et sur celle-ci une couche protectrice d'une matière qu'on peut facilement enlever, par exemple de la cire. On creuse ensuite dans la couche protectrice, par exemple par gravure, un sillon   correspondant   à la ligne de séparation des deux électrodes et on forme par corrosion, le long de ce sillon, un autre sillon 'dans la couche de platine et un dans le support.

   Le dépôt de la 

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 couche de platine sur le support peut être réalisé dans les deux procédés de fabrication de façon connue, par exemple par pulvérisation cathodique ; le procédé le plus avantageux con -   aiste     à   produire la couche de platine en portant à l'incan - descence une solution de platine ; il se produit alors une li - aison particulièrement intime entre le verre et le platine et la corrosion de la couche de platine peut être effectuée par le procédé de fabrication cité en deuxième lieu. 



   On a déjà proposé des cellules de sélénium dans lesquelles on a obtenu par corrosion des cannelures dans un support de verre. Dans ces cellules de sélénium bien connues, les cannelu- res sont cependant remplies de platine, de sorte qu'il n'y a pas de sillons pour le sélénium. 



   Dans les figures 1 et 2, on a représenté une cellule dans laquelle la gravure du sillon dans le support a lieu après le dépôt de la couche de platine, en coupe (fig.1) et en plan (fig. 



  2), tandis que les figures 3 à 5 représentent en trois coupes le cours de la fabrication d'une cellule, dans laquelle le sil- lon est gravé dans le support avant le dépôt de la couche de platine. Dans toutes les figures, les cellules sont à une échelle fortement agrandie. 



   Le support, qui est en verre dans le cas actuel, est dési- gné   par a   dans toutes les figures. Dans la cellule représentée sur les figures 1 et 2, on a tout d'abord (fig.1) déposé une couche de   platinée   compacte et on l'a portée à   l'incandescence.   



  Cette couche doit être ensuite divisée par une ligne en forme de méandre b    (fig.2 )   en deux parties bl et b2 qui   s' emboîtent ,   formant les électrodes de la cellule. Dans ce but, on dépose sur la couche compacte b une couche de cire±, dans laquelle on gra- ve un sillon c  correspondant à la ligne b  . Le support a, muni de la couche de platine et de la couche de cire, est ensuite plongé dans l'acide fluorhydrique, ce qui grave dans la couche de   platine b   et dans le support un sillon a  sous le sillon c  . 

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  La couche de cire c est ensuite enlevée et le support a essuyé, ce qui fait que la division de la couche de platine est effec - tuée, et que de cette manière, on évite sûrement des ponts de contacts ou des franges entre les deux électrodes. On dépose alors à la manière connue, sur les électrodes   bl   et b2 le sélénium (non représenté) qui pénètre dans le   sillon a ,   où il adhère fortement. 



   Pour la fabrication d'une cellule suivant les figures 3 à 5, on dépose d'abord sur le support a une couche de   cire d   (fig.3 ) on grave dans celle-ci un sillon d  de la forme de la   ligne en méandres .de la figure 2 ; on produit ensuite par   coulée d'un liquide corrosif dans ce sillon, un sillon a  dans le support de verre a. On enlève ensuite la   couche   de   cire d   et le sillon a  est rempli d'une bouillie de gypse   (fig.4).   



  Après séchage de cette bouillie, on dépose sur le support a une couche de   platine e   et on la porte à l'incandescence. 



  Enfin, on dissout le gypse se trouvant dans le sillon a  et on enlève le platine qui peut se trouver encore au-dessus de ce sillon, de sorte que le support de verre comporte deux électro- des comme représenté fig.2. Le sélénium est déposé à la manière connue en couche   minae f   sur les électrodes   (fig.5)   et pénètre alors dans les sillons a .

Claims (1)

1. R E V E N D I C A T I O N S.

   1. Procédé de fabrication de cellules de sélénium dans le- quel le sélénium est déposé sur deux électrodes de platine qui s'emboîtent et qui sont fixées sur un support en matière dure, telle que du verre ou du quartz, et dans lesquelles entre les deux électrodes se trouve, sur le support de verre, un sillon rempli de sélénium, caractérisé en ce que le sillon est fabriqué dans le verre par corrosion.

   2. Des modes de réalisation du procédé comme spécifié sous 1 comportant les particularités suivantes prises séparément ou en combinaison : <Desc/Clms Page number 5> a) le sillon est gravé tout d'abord dans le support puis il est rempli d'une matière qu'on peut enlever facilement, et le support est revêtu du côté du sillon d'une couche de platine compacte, après quoi la matière de remplissage est enlevée du sillon ainsi que le platine se trouvant sur la matière de rempli sage.

   b) on dépose tout d'abord sur une des rurfaces du support , une couche de platine, et sur celle-ci une couche protectrice d'une matière qu'on peut facilement enlever, après quoi, on creuse sur la couche protectrice un sillon correspondant à la ligne de séparation des deux électrodes, et on fabrique par corrosion le long de ce sillon un sillon dans la couche de platine et dans le verre. c) on porte le platine à l'incandescence sur le support. -