BE382410A - - Google Patents

Info

Publication number
BE382410A
BE382410A BE382410DA BE382410A BE 382410 A BE382410 A BE 382410A BE 382410D A BE382410D A BE 382410DA BE 382410 A BE382410 A BE 382410A
Authority
BE
Belgium
Prior art keywords
electrode
photoelectric
layer
contact member
substance
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
Publication of BE382410A publication Critical patent/BE382410A/fr

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J40/00—Photoelectric discharge tubes not involving the ionisation of a gas

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)

Description


   <Desc/Clms Page number 1> 
 



  Appareil   photoélectrique..   



   Dans une demande de brevet   antérieure,,   la demande- resse a déjà proposé un appareil photoélectrique nouveau comportant une électrode consistant, au moins en partie, en une substance photoélectrique et séparée par une couche consistant en une ou plusieurs substances solides isolantes, d'une autre électrode en matière conductrice de l'électricité. 



  Quand l'électrode photoélectrique, qui avantageusement peut consister en un ou plusieurs métaux alcalins ou alcalino- terreux, est exposée à la lumière, il se produit entre les deux électrodes une différence de potentiel qui dépend de l'intensité de l'irradiation et qui, lorsque les électrodes sont liées à un circuit extérieur, peut produire un courant 

 <Desc/Clms Page number 2> 

 dans ce circuit. Ce courant passe alors par la couche de sé- paration qui peut consister en un composé chimique du métal constituant une des électrodes. 



   La demanderesse a trouvé, en outre, que dans   beaumup   de cas la couche de séparation peut consister en une ou plu- sieurs substances solides demi-conductrices de l'électricité. 



   Par *substance photoélectrique" on doit entendre ci-après une substance qui, exposée dans le vide à une radia- tion,est susceptible d'émettre des électrons qui, sortant de la substance, entrent dans la chambre à vide. 



   La présente invention a pour but de perfectionner un appareil photoélectrique de ce genre. 



   Conformément à l'invention, l'appareil est muni d'un organe de contact pour l'électrode photoélectrique, tel que les points de contact entre cet organe et l'électrode photoélectrique soient répartis sur la surface de cette élec- trode. L'organe de contact peut avantageusement être consti- tué par un treillis métallique. Il est également possible de constituer l'organe de contact par une couche métallique ayant une épaisseur assez faible pour être transparente aux rayons actifs vis-à-vis de l'électrode photoélectrique. 



   L'invention et les avantages qu'on peut obtenir avec le mode de construction décrit ci-dessus, seront mieux   @   compris par la description de quelques appareils photoélec- triques et des phénomènes observés dans ces appareils. Pour   l'intelligence   de ce qui va suivre on peut se référer aux des- sins annexés dont les figures 1 et 2 représentent un appareil photoélectrique du genre décrit au début du présent mémoire. 



  Lecontact entre l'électrode photoélectrique de cet appareil 

 <Desc/Clms Page number 3> 

 etol'organe de contact n'est pas réparti sur la surface de cette électrode, mais est limité à   un   seul endroit. 



   Les figures 3 et 4 représentent un appareil analogue dans lequel, conformément à l'invention, le contact de l'or- gane de contact avec l'électrode photoélectrique est réparti sur la surface de celle-ci. 



   L'appareil représenté sur les figures 1 et 2 com- porte une ampoule 1, en verre, à laquelle est scellé un pied 
2 supportant les électrodes de l'appareil. Une de ces électro- des est constituée par une plaquette 3 de zirconium fixée au support 4 relié au fil conducteur 5. La plaquette 3 de zirco- nium est recouverte d'une mince couche 6 d'oxyde de zirco- nium obtenu, par exemple, par oxydation superficielle de la plaquette de zirconium. La couche d'oxyde de zirconium est revêtue d'une couche 9 de césium. Après avoir fait le vide à l'intérieur de l'ampoule, ce qui peut être effectué à l'aide d'une pompe à vide qui peut être raccordée au queusot 
7, on introduit dans l'ampoule une certaine quantité de cé- sium, par exemple en distillant celui-ci d'un réservoir qui peut être raccordé au tube 8.

   Le césium se déposant sur la couche d'oxyde de zirconium, forme l'électrode photoélectrique 
9 qui est reliée à l'organe de contact 10 sortant du tube en passant par l'embase tubulaire et relié au fil conducteur 11. 



   Quand la couche photoélectrique 9 est exposée à l'ac- tion des rayons émis par la source lumineuse 12, il se pro- duit entre les électrodes 3 et 9 une différence de potentiel qui fait passer un courant à travers l'appareil lorsque les fils 5 et 11 sont reliés l'un à l'autre. La valeur de la différence de potentiel dépend de l'intensité de l'irradiation.      

 <Desc/Clms Page number 4> 

 



   On a trouvé que la polarité de la différence de potentiel produite et, par conséquent, le sens du courant provoqué par cette tension, dépendent de l'endroit de l'é- lectrode 9 qui est exposé à l'action des rayons. 



   La demanderesse a trouvé que si l'électrode de l'ap- pareil décrit n'est exposée à l'action d'un faisceau lumineux que sur une surface très faible, par exemple de quelques mil-   limètres   carrés, on peut constater dans l'appareil différents sens du courant. 



   Si le faisceau lumineux frappe la partie A de la couche 9 de césium de l'électrode (fig. 2), il se produit entre les êlectrodes 3 et 9 une différence de potentiel telle qu'après que les fils 5 et 11 ont été reliés à un galvanomè- tre, un courant électronique passe de l'électrode photoélec- trique 9, par le ressort de contact 10, le galvanomètre et le support 4 vers l'électrode 3. 



   Si le faisceau lumineux frappe la partie B de la couche de substance photoélectrique, on observe pour la même intensité d'irradiation un courant électronique plus fort s'é- coulant en sens opposé. Si le césium se trouvant dans la zone . de démarcation entre les régions A et B est exposé à l'action des rayons, on n'observe pas de différence de potentiel ni de courant électrique. 



   La demanderesse a choisi alors un autre mode de construction de l'organe de contact de l'électrode   photoélec-   trique. Elle a réparti le contact de cet organe sur la   surfa-   ce de l'électrode photoélectrique de sorte que, lorsque cette électrode est exposée à l'action des rayons, il se produit au voisinage de   tous   les points de contact l'effet se produi- sant dans l'appareil représenté sur les figs. 1 et 2, dans le   @   

 <Desc/Clms Page number 5> 

 cas d'une irradiation de la région B. Les tensions engendrées dans les différentes parties de l'électrode photoélectrique. possèdent, par conséquent, la même polarité de sorte que le courant passant par l'appareil atteint une valeur aussi gran- de que possible.

   Dans le cas d'une irradiation de toute la surface de l'appareil représenté sur les figs. 1 et 2, le courant total consiste, par contre, en une différence de deux courants s'écoulant en sens opposés. 



   Un appareil amélioré conformément à l'invention est représenté sur les Figs. 3 et 4 du dessin annexé. 



   Cet appareil comporte également une électrode 3 de zirconium séparée de l'électrode 9 de césium par une couche 6 d'oxyde de zirconium. Avant le césium, on applique sur la couche 6 d'oxyde de zirconium un treillis métallique 13 qui est relié au conducteur de courant 14. Ensuite, on introduit dans l'ampoule une carène quantité de césium qui se dépose sur la couche 6 d'oxyde de ziconium et sur le treillis 13. Ce treillis (indiqué sur la figure 4 en pointillés) constitue l'organe de contact de l'électrode photoélectrique   9. Du   fait que les points de contact sont répartis sur toute la surface de cette électrode, on obtient l'avantage décrit ci-dessus que, pour une exposition déterminée de l'électrode 9, il se produit un courant relativement fort. 



   Il est évident que l'organe de contact peut aussi être construit d'autre manière. Il peut être avantageux, par exemple, de constituer cet organe par une plaquette mince et conductrice de l'électricité. Après avoir recouvert la couche de séparation d'une couche de la substance photoélectrique, on peut appliquer sur cette substance, par exemple une couchemince de platine, de sorte qu'il y ait contact en chaque point de 

 <Desc/Clms Page number 6> 

 l'électrode photoélectrique. Cette couche de platine peut être obtenue par la volatilisation d'un fil de platine dis- posé à l'intérieur de l'appareil par exemple, en face de l'électrode photoélectrique.

   Dans la production de cette couche   métallique,   on doit veiller à ce que l'épaisseur de celle-ci soit assez faible pour que les rayons qui doivent atteindre l'électrode photo-électrique passent à travers cette couche métallique et ne soient pas interceptés par cette dernière. 



   Il est évident que les électrodes et la couche de séparation de l'appareil peuvent également consister en d'autres substances que celles mentionnées ci-dessus. On paut obtenir de bons résultats, par exemple, avec une électrode photoélectrique de baryum appliquée sur de l'oxyde de baryum qui, comme on le sait, est une substance isolante. Pour   la .   fabrication d'un tel appareil, on peut constituer l'autre électrode, par exemple, par une plaquette de nickel sur   laqùel-   le est précipitée une couche mince de baryum. En admettant de l'oxygène on peut transformer cette couche en oxyde de baryum. Après avoir retiré l'oxygène en excès, on peut in- troduire dans l'ampoule de l'appareil une nouvelle quantité de baryum de sorte que sur la couche d'oxyde de baryum se for- me l'électrode photoélectrique. 



   Si l'on veut que la couche de séparation consiste   en unesubstance   demi- conductrice de   l'électricité,   on peut utiliser, par   exemple;   des   iodures-   Si dans ce cas l'élec- trode 3 est constituée par une plaquette d'argent, la surfa- ce de cette plaquette peut être exposée à l'action de vapeur d'iode, de façon qu'il se produise une pellicule   d'iodure   d'argent qui est une substance demi-conductrice. Cette couche   d'iodure   d'argent peut ensuite être revêtue d'une substance 

 <Desc/Clms Page number 7> 

 photoélectrique telle que le baryum. 



   La couche intermédiaire peut aussi consister en oxyde de cuivre qu'on peut produire, par exemple, par oxyda- tion d'une électrode de cuivre et qu'on peut revêtir de la substance photoélectrique, par exemple de césium. Comme on le   sait,   l'oxyde de cuivre est une substance demi-conductrice de l'électricité.

Claims (1)

  1. - RESUME - L'invention concerne un appareil photoélectrique comportant une électrode photoélectrique séparée par une couche consistant essentiellement en une ou plusieurs subs- tances isolantes ou demi-conductrices, d'une autre électrode conductrice de l'électricité, l'électrode photoélectrique étant munie d'un organe de contact tel que les points de con- tact entre cet organe et l'électrode photoélectrique soient répartis sur la surface de cette électrode; cet appareil peut présenter en outre les particularités suivantes, sépa- rément ou en combinaison: a) l'organe de contact est constitué par un treillis métallique. b) l'organe de contact est constitué par une couche métallique transparente aux rayons'actifs vis-à-vis de l'élec- trode photoélectrique.
BE382410D BE382410A (fr)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
BE382410A true BE382410A (fr)

Family

ID=51799

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BE382410D BE382410A (fr)

Country Status (1)

Country Link
BE (1) BE382410A (fr)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1464088B1 (fr) Dispositif électroluminescent
EP0186225B1 (fr) Capteur d&#39;images pour caméra fonctionnant en mode &#34;jour-nuit&#34;
FR2675306A1 (fr) Structure de cathode froide a film mince et dispositif utilisant cette cathode.
EP0341121A1 (fr) Détecteur d&#39;images radiologiques
EP0352152A1 (fr) Procédé de fabrication d&#39;un scintillateur et scintillateur ainsi obtenu
FR2516307A1 (fr) Dispositif semiconducteur pour l&#39;emission d&#39;electrons et dispositif muni d&#39;un tel dispositif semiconducteur
EP0191697B1 (fr) Procédé de réalisation d&#39;un détecteur photoélectrique du type photorésistance de grande sensibilité
FR2462029A1 (fr) Procede pour renforcer les proprietes electroniques d&#39;un film de silicium amorphe hydrogene non dope et/ou du type n
FR2497400A1 (fr) Tube electronique comprenant un ecran photoelectrique
FR2502292A1 (fr) Cellule d&#39;electrochimiluminescence
EP3227925B1 (fr) Fil textile photovoltaïque
EP0376830A1 (fr) Procédé de réalisation d&#39;un écran plat à matrice active et d&#39;une RAM, utilisant des composants MIM
BE379382A (fr)
BE383674A (fr)
JP2009260044A (ja) 表示装置
CN112885907B (zh) 一种与半导体Si集成的人工神经元及其应用
BE379381A (fr)
BE551745A (fr)
BE384333A (fr)
KR102248433B1 (ko) 피에조-포토트로닉스 소자 및 그 제조방법
US2095782A (en) Polarized layer in copper-oxide photovoltaic cell
BE372440A (fr)
BE522427A (fr)
BE382835A (fr)
JP2017162908A (ja) 放射線検出器およびその製造方法