BE415724A - - Google Patents
Info
- Publication number
- BE415724A BE415724A BE415724DA BE415724A BE 415724 A BE415724 A BE 415724A BE 415724D A BE415724D A BE 415724DA BE 415724 A BE415724 A BE 415724A
- Authority
- BE
- Belgium
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- rectifier
- barrier layer
- contact
- Prior art date
Links
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 5
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 5
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229940112669 cuprous oxide Drugs 0.000 claims description 3
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 2
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 2
- 239000011343 solid material Substances 0.000 claims description 2
- PGWMQVQLSMAHHO-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenesilver Chemical compound [Ag]=S PGWMQVQLSMAHHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 claims 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims 1
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052946 acanthite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- FSJWWSXPIWGYKC-UHFFFAOYSA-M silver;silver;sulfanide Chemical compound [SH-].[Ag].[Ag+] FSJWWSXPIWGYKC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 229910000634 wood's metal Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
Description
<Desc/Clms Page number 1> Redresseur sec. La présente invention a pour objet un redresseur sec dont chaque cellule comporte deux électrodes en matières à pouvoirs émissifs différents, séparées l'une de l'autre par une mince couche intermédiaire en une matière solide non- conductrice. Cette couche d'arrêt peut être constituée, par exemple par une résine artificielle appliquée directement sur l'une des électrodes, l'autre électrode étant ensuite appliquée sur la couche d'arrêt. Un redresseur de ce genre peut présenter l'inconvé- <Desc/Clms Page number 2> nient suivant. L'une des électrodes (l'anode) doit avoir seulement un très faible pouvoir émissif; c'est pourquoi on la constitue le plus souvent par un conducteur imparfait. Toutefois, comme l'indique leur nom, les conducteurs impar- faits présentent une haute résistance spécifique, de sorte que la charge admissible par unité de surface du redresseur est relativement faible. La charge est limitée par la chute de tension par cellule et par la production de chaleur, ces deux facteurs étant subordonnés entre autres à la résistance de la matière constituant les électrodes. On a proposé alors d'ajouter au conducteur imparfait des moyens permettant d'augmenter sa conductivité. Il est ainsi possible d'augmenter la charge spécifique d'un redres- seur, mais en revanche le rendement est altéré du fait que par suite de la conductivité accrue le conducteur imparfait émet davantage dans l'alternance négative. La cellule re- dresseuse laisse donc passer le courant très bien pendant une alternante, mais n'arrête plus le courant suffisamment dans l'autre alternance. Suivant l'invention, dans le but de conserver quand même l'avantage d'une conductivité accrue du conducteur imparfait tout en évitant l'inconvénient de l'émission accrue, la surface de contact du conducteur imparfait avec la couche d'arrêt est revêtue d'une couche ayant une résis- tance spécifique sensiblement supérieure à celle de l'élec- trode à conductivité imparfaite. L'avantage d'une telle couche ressort de ce qui suit : Une électrode à conductivité imparfaite dont la conductivité est accrue peut être utilisée, ce qui permet @ <Desc/Clms Page number 3> d'augmenter la charge spécifique. Cependant du fait de la présence de la couche de contact, l'Emission opposée est sensiblement diminuée. La description ci-après le fera bien comprendre : La chute de tension d'un redresseur conforme à l'invention est représentée sur la figure. Le conducteur imparfait est désigné par 1, 2 désigne la couche de contact à haute résistance,3 désigne la couche d'arrêt et 4 dési- gne l'électrode opposée (cathode). La tension ne présente aucune chute à travers l'électrode conductrice 4. Par contre, c'est dans la couche d'arrêt 3 que se produit à peu près toute la chute de la tension appliquée aux électrodes. Si la couche 3 est suffi- samment mince, il se produit donc une très haute intensité de champ électrique par l'effet de laquelle les électrons sont attirés de 4 à 1. La chute de potentiel dans la couche de contact 2 est moins rapide que dans la couche 3, parce que la résistan- ce de cette dernière est plus grande (isolant). Lorsque dans la phase d'arrêt 4 est positif par rap- port à 1, il se produit une faible émission, parce que les électrons de 1 ne sont pas attirés vers un point de potentiel plus élevé, l'intensité du champ qui existe dans la couche 2 étant trop faible à cet effet. Cette couche n'émettra pas non plus, de son coté, des électrons dans la direction de la couche d'arrêt, étant donné qu'elle est constituée par une matière mauvaise conductrice qui, il va de soi, ne contient que peu ou pas d'électrons libres. Bien qu'il soit possible de prévoir la conductivité de l'électrode à conductivité imparfaite relativement élevée, <Desc/Clms Page number 4> l'émission opposée ne devient pas excessive, de sorte qu'un rendement favorable du redresseur est assuré. Pour constituer la couche de contact on utilise, de préférence, une matière contenant au moins un des constituants de l'électrode à conductivité imparfaite. On donnera ci-dessous un exemple de la constitu- tion de la couche de contact d'un redresseur conforme à l'invention représenté sur la figure. Une petite plaque 1 en oxyde cuivreux (Cu2O) munie d'une quantité supplémentaire d'oxygène suffisante pour jouer convenablement le rôle d'un conducteur imparfait dans un redresseur sec, est débarrassée superficiellement en totali- té ou en partie de l'oxygène supplémentaire, par exemple, par une réduction très prudente à l'aide d'hydrogène ou par bombardement électronique ou ionique. Il se produit ainsi à la surface une mince couche 2 dont l'épaisseur est comprise entre 10-6 et 10-5 cm et dont la résistance spécifique est sensiblement supérieure à celle de la plaque 1 elle-même. On applique sur cette couche, qui constitue donc la couche de contact,une couche d'arrêt 3 en polystyrène, en immer- geant l'électrode électronégative formée par la plaque 1 revêtue de la couche 2 dans une solution de polystyrène dis- sous dans une matière se vaporisant rapidement, telle que le benzène, puis en la retirant lentement du bain. Le dissol- vant de la solution adhérant à l'électrode se vaporise, tan- dis que le polystyrène reste en place sous la forme d'une couche dense ayant les propriétés diélectriques et mécani- ques particulièrement favorables. L'épaisseur de la couche d' arrêt est subordonnée à la tension à appliquer aux électro- des du redresseur et conditionnée par la vitesse à laquelle <Desc/Clms Page number 5> l'électrode est retirée du bain et par la concentration de la solution utilisée et elle varie en général entre les valeurs 0,1 et 10. Pour constituer l'électrode opposée, on appli- que sur la couche d'arrêt une couche de métal 4 (alliage à point de fusion bas contenant entre autres du cadmium et du bismuth,par exemple le métal de Wood.) Un autre exemple qui peut être mis en pratique avantageusement est le suivant : On utilise pour la constitution de l'électrode électronégative une petite plaque en sulfure d'argent (Ag2S). Par un traitement superficiel de l'électrode par de la vapeur de soufre, la surface est munie d'une couche dont la résistance spécifique est supérieure à celle du conducteur imparfait à l'intérieur. On applique sur la couche de contact ainsi obtenue la couche d'arrêt, par exemple par précipita- tion d'une mince couche d'un oxyde inorganique, tel que le quartz (SiO2). la magnésie (MgO) ou l'oxyde de béryllium (BeO) à partir de la phase de vapeur. On peut citer encore l'exemple suivant: Pour constituer l'électrode électronégative on uti- lise du sélénium dont la conductivité est .accrue par l'addi- tion de composés métalliques isolants, tels que l'oxyde d'aluminium (Al2O3). En enlevant par vaporisation une mince couche de la surface du sélénium on y obtient une mince couche du composé métallique ajouté qui joue le rôle de couche de contact à haute résistance spécifique. Cette dernière est revêtue d'une manière connue d'une couche d'arrêt. L'action favorable d'un système d'électrodes de ce genre est due au fait que la résistance totale de l'électro- de électronégative et de la couche de contact est inférieure à celle d'une électrode électronégative pour laquelle on ne <Desc/Clms Page number 6> s'est pas servi de moyens permettant d'accroître la conducti- vité.
Claims (1)
- RESUME.@ Cette invention concerne : 1 ) Un redresseur sec dont chaque cellule comporte deux électrodes en matières à pouvoirs émissifs différents séparées l'une de l'autre par une mince couche intermédiaire en une matière solide non conductrice et dont la particulari- té essentielle consiste en ce que la couche de contact entre la couche d'arrêt, et la couche à pouvoir émissif inférieur (conducteur imparfait) présente une résistance spécifique su- périeure à celle de la couche imparfaitement conductrice, ce redresseur pouvant présenter en outre la particularité que la couche de contact est constituée par une matière contenant au moins un des constituants de l'électrode imparfaitement conductrice.2 ) Un procédé de fabrication d'un redresseur du genre spéeifié sous 1 consistant à faire l'électrode à conduc- tivité imparfaite en oxyde cuivreux avec une quantité supplé- mentaire d'oxygène, puis à écarter cet oxygène de la surface de l'électrode par réduction ou par bombardement électronique ou ionique et à appliquer une couche d'arrêt sur la couche à haute résistance spécifique ainsi obtenue, ce procédé pouvant présenter en outre les particularités suivantes, séparément ou en combinaison. a. l'électrode imparfaitement conductrice est faite en sulfure d'argent qui, par précipitation de vapeur de sou- fre, est munie superficiellement d'une couche à résistance <Desc/Clms Page number 7> spécifique élevée, cette couche de contact étant ensuite revêtue d'une couche d'arrêt, de préférence en polystyrène. b.l'électrode imparfaitement conductrice est faite en sélénium auquel on ajoute des composés métalliques iso- lants pour ensuite former superficiellement, par vaporisa- tion du sélénium, une couche de contact à haute résistance spé- cifique, après quoi on applique sur cette couche de contact une couche d'arrêt, de préférence en polystyrène.
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| BE415724A true BE415724A (fr) |
Family
ID=78799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| BE415724D BE415724A (fr) |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| BE (1) | BE415724A (fr) |
-
0
- BE BE415724D patent/BE415724A/fr unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9263601B2 (en) | Enhanced adhesion of seed layer for solar cell conductive contact | |
| DE69734131T2 (de) | Zweischichtige elektroneninjektionselektrode zur verwendung in einer elektrolumineszenzvorrichtung | |
| TW588389B (en) | Quantum device | |
| FR2467046A1 (fr) | Electrode en forme de fil pour le decoupage d'une piece metallique par etincelage erosif | |
| RU2457584C2 (ru) | Органическое светоизлучающее устройство с анодированной металлизацией | |
| WO2009144086A1 (fr) | Substrat en verre portant une electrode | |
| WO2007138527A2 (fr) | Électrode réfléchissante pour dispositif luminescent à semi-conducteurs | |
| CA2732559C (fr) | Elaboration de couche d'oxyde transparente et conductrice pour utilisation dans une structure photovoltaique | |
| CN1206881C (zh) | 用于有机场致发光设备的无机电极及其制造方法 | |
| FR2462011A1 (fr) | Procede pour ameliorer les contacts d'interrupteurs, contact obtenu par ce procede et interrupteur s'y rapportant | |
| BE415724A (fr) | ||
| KR101047941B1 (ko) | Ci(g)s 태양전지 후면 전극의 제조방법 | |
| JP2001048509A (ja) | Cntとcnt集合体、電界放出型冷陰極電子放出素子とその製造方法、および該電子放出素子を用いた表示装置 | |
| FR2517921A1 (fr) | Dispositif electroluminescent et son procede d'obtention | |
| JP4842289B2 (ja) | ホール注入電極と該電極を用いた有機el素子 | |
| CH619074A5 (fr) | ||
| WO2014013183A1 (fr) | Electrode supportee transparente pour oled | |
| WO2010001014A2 (fr) | Cellule photovoltaïque et substrat de cellule photovoltaïque | |
| EP2525377A1 (fr) | Collecteur de courant et procédé de sa fabrication | |
| WO2017064384A1 (fr) | Procede de fabrication d'une cellule photovoltaique a heterojonction | |
| CH633739A5 (en) | Electrode in the form of a wire for cutting a metal workpiece by electrical discharge (spark erosion) | |
| EP3258510B1 (fr) | Procédé de fabrication d'un contact électrique sur une structure | |
| JP4312326B2 (ja) | 電子放出装置 | |
| Hashida et al. | Carbon-nanotube cathode modified by femtosecond laser ablation | |
| EP2430676B1 (fr) | Procédé de fabrication de contacts électriques sur des semi-conducteurs organiques |