BE445828A - - Google Patents

Description

  PROCEDE DE FABRICATION-D'UN SYSTEME A CONDUCTIBILITEASYMETRIQUE AVEC LE 'SELENIUM, COMME CONDUCTEUR PARTIEL.

  
La présente invention concerne un procédé de fabrication .

  
d'un système, à conductibilité asymétrique, en particulier un redresseur du type se.9 utilisant le-sélénium comme conducteur 

  
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de ce genre ne peut même pas être utilisé dans cette gamme. Cela est particulièrement désagréable lorsqu'on veut utiliser des redresseurs du type sec en combinaison avec des appareils de mesure de précision. Le problème ayant servi de base à l'invention consiste donc à améliorer un tel système à conducteur partiel de manière que la caractéristique tensioncourant soit relevée dans la gamme des faibles tensions, et par conséquent, qu'on puisse l'utiliser à des fins de mesure des intensités de perméabilité préférentielle.

  
Par conséquent, après que la surface superficielle du sélénium appliqué sur une électrode porteuse a subi, la modification cristalline lui conférant une conductibilité modé-

  
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transformer le sélénium de la manière connue à une température d'environ 2120 C pour lui faire subir la modification cristalline lui donnant-une bonne conductibilité. Le progrès réalisé de cette manière va maintenant être expliqué dans ce qui- suit à l'aide des résultats donnés par des essais de mesure : 

  
Avec un redresseur au sélénium de fabrication courante,

  
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nise l'invention, en utilisant le tellure, pour les mêmes valeurs de tension, présente dans le sens du passage, des intensités de courant de 115 à 315}LA et dans le sens de l'ar-

  
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favorables, on obtient une intensité huit fois plus forte dans le sens de la conductibilité préférentielle.

  
On arrive donc ainsi à pouvoir construire, à l'aide de redresseurs de ce, genre-, des instruments de- redressement pré.sentant une diminution.notable de, la chute de tension avec . gamme élargie de mesure vers les valeurs 'faibles de tension, alors que jusqu'à ce jour,, l'inconvénient principal de-ces éléments redresseurs, était de ne pouvoir être utilisables dans la gamme des très basses tensions.. 

  
La construction d'un système à conductibilité asymétri-

  
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de du dessin annexé : . 

  
Sur l'électrode-porteuse 1,, qui peut- consister par exem.ple en.métal léger avec surface bonne conductrice, se trouve  une couche de sélénium 2 rapportée sur l'électrode porteuse soit par fusion, soit par vaporisation dans le vide. Cette .

  
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de fusion bas. En cas,de. besoin, on peut.faire suivre l'ap-  plication de la contre-électrode d'un traitement thermique  ultérieur en soumettant l'ensemble du système à une tempéra*

  
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Claims (1)

1. <EMI ID=8.1>

   L'invention vise un procédé de fabrication d'un système à conductibilité asymétrique utilisant le sélénium comme conducteur partiel, et employant unbtraitement formant une cou'che d'arrêt entre la phase de cristallisation et la phase de formation du sélénium, et caractérisé en ce qu'on vaporise, à la température ambiante et dans.le vide, sur la surface de. sélénium ayant subi une modification cristalline de conducti-

   <EMI ID=9.1>