BE513934A - - Google Patents

Info

Publication number
BE513934A
BE513934A BE513934DA BE513934A BE 513934 A BE513934 A BE 513934A BE 513934D A BE513934D A BE 513934DA BE 513934 A BE513934 A BE 513934A
Authority
BE
Belgium
Prior art keywords
elements
plates
capsules
support
deposit
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Publication of BE513934A publication Critical patent/BE513934A/fr
Priority claimed from US246827A external-priority patent/US2745044A/en
Priority claimed from US596943A external-priority patent/US2994018A/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D48/00Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
    • H10D48/30Devices controlled by electric currents or voltages
    • H10D48/32Devices controlled by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H10D48/34Bipolar devices
    • H10D48/345Bipolar transistors having ohmic electrodes on emitter-like, base-like, and collector-like regions
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D10/00Bipolar junction transistors [BJT]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/60Impurity distributions or concentrations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/80Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
    • H10D62/83Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge
    • H10D62/834Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge further characterised by the dopants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P10/00Bonding of wafers, substrates or parts of devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P32/00Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P32/00Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P32/10Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers
    • H10P32/16Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers between a solid phase and a liquid phase
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • H10P95/50Alloying conductive materials with semiconductor bodies
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W40/00Arrangements for thermal protection or thermal control
    • H10W40/60Securing means for detachable heating or cooling arrangements, e.g. clamps
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W76/00Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
    • H10W76/10Containers or parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W76/00Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
    • H10W76/10Containers or parts thereof
    • H10W76/12Containers or parts thereof characterised by their shape
    • H10W76/13Containers comprising a conductive base serving as an interconnection
    • H10W76/138Containers comprising a conductive base serving as an interconnection having another interconnection being formed by a cover plate parallel to the conductive base, e.g. sandwich type
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations

Landscapes

  • Rectifiers (AREA)

Description


   <Desc/Clms Page number 1> 
 



  PROCEDE DE PREPARATION DE DISPOSITIFS UTILISANT DES COUCHES DE TRANSITION ENTRE SEMI-CONDUCTEURS DES TYPES P et N. 



   La présente addition concerne la réalisation de dispositifs de montage et de connexions pour des systèmes comportant un ensemble d'éléments semi-conducteurs dont la fabrication est décrite dans le brevet principal. 



   Selon le brevet principal, on réalise des éléments semi-conduc- teurs comportant, dans leur masse, au moins, une couche de transition entre une zone présentant la conductibilité du type P et une zone présentant la conductibilité du type N, et   l'on   applique les produits obtenus à la réa-   lisation   de dispositifs à conductibilité unidirectionnelle utilisés comme redresseurs ou comme amplificateurs. 



   Selon la présente addition, divers montages protecteurs des éléments semi-conducteurs cités plus haut sont réalisés. Ils permettent de connecter en série un ensemble quelconque d'éléments redresseurs, les pro- tègent contre les chocs mécaniques et évitent toute élévation anormale de température. 



   L'objet de la présente invention est de réaliser des montages qui permettent de grouper en série un ensemble de plusieurs éléments semi- conducteurs comportant une couche de transition entre une zone présentant la conductibilité du type P et une zône présentant la conductibilité de type N. Ce montage permet de protéger les éléments semi-conducteurs contre les chocs mécaniques, les détériorations dues à l'humidité de l'air ou   à   d'autres atmosphères corrosives; il constitue, en outre, un radiateur effi- cace qui évite toute élévation anormale de température des dits éléments au cours du fonctionnement. 



   Enfin, selon une variante de   l'invention,   chaque élément re- dresseur est contenu dans une enveloppe hermétique qui permet le remplace- ment facile et rapide d'un élément détérioré. 

 <Desc/Clms Page number 2> 

 



   Une première réalisation de l'invention comprend un ensemble d'éléments semi-conducteurs redresseurs, ou capsules, de silicium ou de ger- manium, réalisés suivant le brevet principal, à chacun desquels sont fixés a) une plaque métallique mince de dimensions beaucoup plus grandes, qui sert de connexion, b) un dépôt d'impuretés auquel est soudé une seconde conne- xion;

   les dites capsules, leur plaque support, le dépôt d'impuretés, ainsi que les fils qui servent à connecter en série les différents éléments sont enfermés entre les deux moitiés d'une enveloppe creuse de matière isolante qui permet de supporter, d'isoler et de mettre en position convenable, chaque élément redresseur,   à'l'aide   d'un système d'encoches, de saillies et dépres- sions correspondantes pratiquées dans les deux moitiés de l'enveloppe et dans les plaques supports. Deux plaquettes de connexion qui sont fixées comme les plaques-supports d'éléments redresseurs , serventà connecter le dispositif par engagement des deux bornes dans une douille. Une substance de protection contre les atmosphères humide ou corrosive enrobe les éléments redresseurs ou remplit la cavité qui la contient. 



   Dans un premier mode de réalisation, les différents éléments sont fixés dans l'enveloppe les uns à coté des autres, de manière que les plaques soient situées dans le même plan ; selon un second mode de   réalisa-   tion, les éléments redresseurs sont fixés les uns derrière les autres, les plaques supports étant parallèles. 



   Selon une deuxième réalisation de l'invention, qui constitue une variante préférée, chaque élément redresseur est contenu dans une enve- loppe formée de deux pièces circulaires respectivement plates et concaves qui s'adaptent l'une à l'autre pour former une cavité étanche dont les deux parties sont isolées par deux rondelles de substance isolante'élastique dont l'une d'elles assure la fermeture et l'étanchéité de la dite enveloppe ou capsule, par compression entre les rebords des plaques. Les connexions de l'élément redresseur sont réalisées à l'intérieur de l'enveloppe. Les deux plaques des capsules comportent respectivement une saillie et une dépres- sion annulaires qui se correspondent, de sorte que l'on peut empiler ces capsules, leurs connexions extérieures étant assurées par le dit système de saillies et dépressions.

   Trois modes de réalisation des enveloppes ou capsules sont décrits; deux type de châssis, de construction simple et éco- nomique, permettent d'assembler les capsules et de remplacer rapidement une enveloppe défectueuse. 



   La présente invention sera mieux comprise en se reportant à la description suivante et aux dessins qui l'accompagnent, donnés à titre d'exem- ple non limitatif des moyens de réalisation de l'invention. 



   - La figure 1 est une vue en élévation et en coupe partielle d'un exemple de réalisation du dispositif à impédance uni-directionnelle se- lon l'invention. 



   - La figure 2 est une vue en coupe de la figure 1 suivant la ligne 2-2 à grande échelle. 



   - La figure 3 est une vue en coupe du dispositif de la figure 1 suivant la ligne   3-3,   à grande   échelle.   



   - La figure 4 est une vue en perspective des éléments de la figure 1 disposés dans leur ordre de montage. 



   - La figure 5 est une vue en élévation et en coupe partielle d'un premier mode de réalisation de l'invention. 



   - La figure 6 est une vue'en plan, partiellement coupée, du dispositif représenté   à   la figure 5. 



   - La figure 7 est une vue en perspective des éléments de la fi- gure 5 disposés dans leur ordre de montage. 



   - La figure 8 est une vue en élévation et en coupe d'un élément 

 <Desc/Clms Page number 3> 

 à impédance unidirectionnelle construit selon une variante préférée de l'in- vention. 



   - La figure 9 est une vue en élévation et en coupe qui repré- sente un deuxième mode de réalisation de la variante préférée de l'invention. 



   - La figure 10 est une vue en élévation et en coupe d'un autre mode de réalisation suivant la variante préférée de l'invention. 



   - La figure 11 est une vue en élévation et en coupe partielle d'un dispositif qui comprend plusieurs éléments précédemment décrits et re- présentés aux figures 8, 9 & 10. 



   - La figure 12 est une vue de profil,du   dispositif   de la figure   11.   



   - La figure 13 est une vue en plan d'un second dispositif com- prenant un ensemble d'éléments à impédance uni-directionnel décrit aux fi- gures   8,   9 & 10. 



   - La figure 14 est une vue en élévation du dispositif de la figure 13. 



   Les figures 1 à   4   représentent une première réalisation des dis- positifs   à   éléments semi-conducteurs suivant l'invention. On a représenté un ensemble d'éléments semi-conducteurs à couche de transition   P-N   réalisés sous forme de capsules 1 conformes à ceux décrits dans le brevet principal 
Un ensemble de plaques métalliques minces 2 qui servent de support et de connexion aux pastilles 1   sonten   contact électrique avec elles et leur sont fixées par soudure sur une des grandes faces de l'élément redresseur.1; des dépôts d'impuretés 3 sont également fixés à chaque élément,de préfé- rence sur la grande face opposée.

   Comme il est connu, l'élément semi-con- ducteur 1 peut être du germanium ou du silicium, il peut avoir n'importe quel type de conductibilité, les dépôts d'impuretés 3 et les plaques 2 peu- vent servir de "donneur" ou d'"accepteur", comme il est expliqué dans le brevet principal. Le dépôt 3 peut :être constitué d'indium qui est un "ac- cepteur" et la feuille 2 peut être en antimoine, qui est un   "donneur".   On peut aussi souder une feuille d'antimoine entre l'élément 1 et la plaque 2 Une couche de transition qui donne satisfaction peut être obtenue, suivant le brevet principal, en faisant diffuser, dans un élément dont le type de conductibilité est déterminé, une impureté lui conférant le type de conduc- tibilité opposé.

   Dans ce cas, une seule des pièces 2 & 3 doit constituer une impureté, l'autre pièce pouvant être faite de métal ou alliage bon con- ducteur de l'électricité. Par exemple, l'élément 1 pourra être fait d'une substance semi-conductrice, du type N, et le dépôt 3 d'un "accepteur" tel que l'indium. Une couche de transition   P-N   se formera   à   la limite de péné- tration de l'accepteur; dans ce cas, aucune impureté du type "donneur" n'est utile et la plaque mince 2 peut être faite de n'importe quelle substance bonne conductrice de l'électricité, telle qu'un alliage fernico. 



   On peut réaliser les connexions des dépôts d'impuretés 3 à l' aide de n'importe quelle substance bonne conductrice; lorsque la jonction P-N est réalisée, l'impureté peut être enlevée et remplacée par un dépôt de soudure ou tout autre moyen de connexion mais, en général, il est plus commode de laisser le dépôt d'impuretés et de l'utiliser pour réaliser la connexion. Dans ce cas,la plaque 2 et le dépôt 3 constituent les sorties du dispositif à impédance unidirectionnelle.

   Comme il a déjà été expliqué, les dépôts d'impuretés ont, de préférence, une surface de contact relative- ment faible, de l'ordre de 0,065 cm2, afin que la surface de la couche de   transition   N-P ne présente aucun risque de claquage ou de   diminution   anor- male de la résistance inverse, qui diminuerait   les'qualités   de redressement, bien que cette surface soit très grande par rapport à celle des surfaces de contact dites ponctuelles, dont le diamètre est de l'ordre de 0,0013 cm. 



  Les connexions des dépôts d'impuretés 3 peuvent être obtenues par soudure des fils conducteurs ou, de préférence, par fusion de ces fils dans les dépôts d'impuretés. Toutes les dimensions des plaques métalliques minces 2 sont très supérieures à celles des capsules 1. Ces plaques servent de 

 <Desc/Clms Page number 4> 

 connexion individuelle pour chaque élément redresseur ou capsule 1, de sup- port à ces capsules et de radiateur pour éviter l'échauffement des dits éléments. Dans ce but, ces plaques 2 sont constituées   d'une   substance aussi bonne conductrice de la chaleur que de l'électricité, et les dimen- sions de leur surface doivent être assez grandes pour que leur capacité de rayonnement calorifique évite tout échauffement anormal des éléments 1. 



  Chacune de ces plaques 2 peut comporter deux saillies 4 disposées de chaque   coté   de l'élément 1 pour permettre leur montage dans une enveloppe, comme il sera décrit ci-dessous. 



   Afin de construire un dispositif comprenant plusieurs éléments semi-conducteurs redresseurs 1, connectés en série, on utilise un support 5 dans lequel les plaques 2 sont fixées et qui sert à protéger les éléments redresseurs et leurs connexions des chocs mécaniques, des détériorations dues à l'humidité, et permettant un refroidissement convenable des capsules 1 par transmission de la chaleur à travers les plaques 3 et par rayonnement. Le support 5 est fait d'une substance isolante, de préférence en matière plas- tique, qui peut être moulée et comprend deux éléments identiques 6 & 7 qui s'adaptent l'un contre l'autre. Ces deux éléments 6 & 7 peuvent être fixés par tous moyens connus, à l'aide d'un ensemble de rivets   8,   par exemple,, qui traversent 6 & 7 suivant des trous cylindriques 9, comme on le voit sur la figure 2.

   Chaque éléments 6 & 7 comporte une cavité 10 à l'intérieur de la- quelle les capsules 1 sont contenues. 



   Le long des éléments 6 & 7, on pratique une longue encoche (com- me représenté sur La figure 4) dont on voit les bords en 11 &   12,   ou une série de petites encoches, qui permettent le montage des plaques-supports de capsules 2 et des plaques de connexion 16 dans le support 5. En outre, un ensemble de saillies ou de dépressions 13 est prévu à la surface de l'un des éléments 6 & 7. Ces saillies ou dépressions 13 s'emboitent avec les saillies 4 des plaques-supports et des bornes 16, elles permettent le posi- tionnement de ces éléments lors du montage. Des trous 14 sont pratiqués dans les extrémités 6 & 7 pour permettre l'assemblage-du support par boulons et écrous, ou son incorporation dans un équipement électrique.

   Comme on le ver- ra sur le dessin, on a réalisé un appareil relativement plat et étroit, dans lequel les éléments redresseurs ou capsules 1 et leurs supports 2 sont ré- gulièrement espacés, grâce aux saillies   4   qui s'engagent dans les dépressions ou saillies 13. Les connexions en série-des capsules 1 peuvent être obtenues à l'aide d'un ensemble de fils 15 dont une extrémité est soudée à une plaque support 2 et l'autre est fondue dans le dépôt d'impuretés 3 de la capsule sui- vante. Aux extrémités de l'appareil, le dernier fil 15 connecté à un support 2 et le premier fil 15 soudé à un dépôt d'impuretés 3 sont connectés à des bornes de connexions 16.

   Les bornes de connexions   16,   qui sont fixées dans le support 5 de la même manière que les plaques 2, comme il a déjà été dit traversent l'une des fentes limitées par les bords 11 & 12 et permettent de connecter l'appareil. 



   Il est évident que l'une des deux bornes, celle qui est connec- tée au dernier support 2(à gauche sur la figure) pourrait être supprimée, cependant on préfère l'utilisation de deux bornes 16 qui permettent de con- necter facilement l'appareil pour   l'introduction   des dites bornes dans un support ou douille. Un revêtement   17,   de résine thermoplastique, de cire ou de laque., est appliqué sur les surfaces des capsules 1 et des dépôts d' impuretés 3, pour protéger ces différents éléments des détériorations dues à une atmosphère humide ou corrosive. On protège ainsi la capsule 1 et, en particulier., les portions de la zone de transition voisine de la surface. 



  Il en résulte que la diminution de la surface de la couche de transition, par électrolyse ou par réaction chimique due à l'humidité, à une atmosphère humide ou corrosive, est évitée. 



   Le dispositif lui-même peut être assemblé au moyen des ouvertu- res 14 du support 5 qui protège et supporte les capsules 1 mises en série et connectées électriquement au moyen des bornes   16.   Durant son fonctionne- ment la chaleur produite dans les capsules est rayonnée par les plaques 2 de sorte que des courants relativement intenses peuvent circuler dans les 

 <Desc/Clms Page number 5> 

 capsules sans risquer d'échauffement dangereuxo 
Les figures   5,   6 & 7 représentent une seconde réalisation de l'invention qui permet de connecter en série un ensemble important de capsu- les 1 formées d'un élément semi-conducteur à couche de transition P N, soli- daire d'une plaque-support 2 qui sert de première connexion,

   la seconde connexion étant fournie par le   dépôt   d'impuretés 3 semblable au dispositif déjà représenté sur les figures 1à 4. 



   Les capsules 1 sont disposées les unes derrière les autres,de telle manière que les plaques 2 soient parallèles et que les axes des cap- sules soient confondus; elles sont connectées en série à l'aide d'un fil 
15 soudé d'une part, à la plaque métallique 2 d'une capsule 1 et, d'autre part, fixées de préférence par fusion, au dépôt d'impuretés 3 de la capsule suivante. Les capsules 1, les impuretés 3 qui y sont fixées, et les fils conducteurs 15 sont montés à l'intérieur d'une cavité allongée   18,   située à l'intérieur d'une enveloppe 19 qui comprend deux éléments identiques 20 & 21. Les éléments identiques 20 & 21 sont faits d'une substance isolante telle que la fibre de bois ou une matière plastique moulée. 



   Des boulons 22, qui passent à travers les ouvertures 23 percées aux extrémités de l'enveloppe 19 servent à assembler les éléments 20 & 21 ou à fixer le dispositif tout entier sur un panneau ou un appareil électri- que; des écrous   24,   vissés à l'extrémité des boulons 22, serrent l'une contre l'autre les pièces 20 & 21. Les éléments assemblés 20 & 21 de l'enveloppe 
19 définissent une cavité allongée 18 et un   ensemble*,de   fentes parallèles   24   qui sont orientées perpendiculairement au grand axe de la cavité de l'en- veloppe.

   Pour assembler le dispositif, selon la seconde réalisation de l'in- vention décrite ci-contre, on glisse l'un vers l'autre, les deux éléments 20 & 21 et on provoque simultanément l'engagement des plaques 2 dans les fentes 24 des deux éléments, de sorte que les capsules 1 et les connexions 15 étant contenues dans la cavité   18,   les saillies 4 soient, de part et d' autre de l'enveloppe 19, évitant tout mouvement de la plaque métallique 2 par rapport à l'enveloppe; en outre, aux extrémités de l'appareil, deux fen- tes parallèles aux fentes   24,   mais plus petites, sont prévues pour loger deux bornes   dè   connexion 16, qui comportent également des saillies 4, et sont connectées respectivement à la dernière plaque 2 et au premier dépôt d'impu- retés 3.

   Comme précédemment, la borne de connexion 16, à gauche sur le des- sin, qui est connectée à la dernière plaque métallique 2, peut être suppri- mée,tandis que la connexion peut se faire sur la dernière plaque métallique 2. Au moment de la fermeture de la cavité 18 par serrage des boulons 22, ladite cavité est remplie d'une substance de protection contre l'humidité, telle qu'une résine synthétique thermoplastique ou qu'une cire, 25, comme on peut le voir sur la figure 6, de façon à protéger les éléments semi- conducteurs 1, les plaques métalliques 2, les dépôts d'impuretés 3, les fils conducteurs 15 et les bornes de connexion 16.

   Ce second dispositif de mon- tage en   srie   des éléments redresseurs 1 permet la protection des dits élé- ments   centre   les chocs métalliques, les accidents dus à une atmosphère hu- mide c corrosive, et permettent le refroidissement convenable durant le fonctionnement. Un avantage spécial de cette réalisation est qu'elle permet d'assembler un grand nombre de capsules 1, sous un petit volume, grâce à la disposition adoptée. 



   Les   figures 8,   9 & 10 représentent en élévation et en coupe trois modes de réalisation d'éléments   à   conductibilité dissymétrique selon une seconde variante de   l'invention..   



   La figure 8 représente un élément à conductibilité   dissymétri-   que qui comprend une plaque servant de connexion 51 et une seconde plaque servant également de connexion 52 fixées de façon étanche et isolées l'une par rapport à l'autre, qui définissent entre elles une cavité étanche 53. 



  De préférence, les éléments 51 & 52 ont des dimensions voisines et des for- mes adaptables, ce qui permet de réaliser une fixation étanche par rapproche- ment de leurs bords 54 & 55. L'un ou les deux éléments 51 & 52 peuvent être emboutis pour donner à la cavité 53 la forme désirée, Une première rondel- le 56 de substance isolante, telle que la toile huilée, est disposée entre 

 <Desc/Clms Page number 6> 

 l'élément 52 et les bords de l'élément 51 et une seconde rondelle ou an- neau   57.,   de substance isolante et élastique telle que le caoutchouc, serrée entre la partie supérieure du bord de la rondelle 51 et la surface inté- rieure de la partie supérieure du bord enroulé 52.

   Comme on peut le voir sur le dessin,   l'anneau     57,   comprimé par le bord 55 de l'élément 52, déborde de cet élément et permet de réaliser avec la rondelle 56 un joint étanche et isolant entre les deux éléments de la cavité. A l'intérieur de la ca- vité 53 est monté un élément semi-conducteur 58 conforme à ceux décrits dans le brevet principal. 



   Cet élément semi-conducteur redresseur 58 a une couche de tran- sition P-N entre les deux surfaces 59 & 60. De préférence, les dimensions de la couche de transition sont relativement grandes et sa surface est, de préférence, d'environ 0,065 cm2, de sorte que la résistance inverse est assez élevée. De préférence, les surfaces 59 & 60 sont situées sur les faces opposées de l'élément semi-conducteur 58, bien qu'il soit possible de réaliser de telles surfaces sur des parties adjacentes de la même face de l'élément 58. 



   Sur la figure, on a représenté un dépôt 61 constitué d'une im- pureté du type "accepteur" et un dépôt 62 formé d'une impureté du type "don- neur"; les dépôts 61 & 62 font partie intégrante de l'élément semi-conduc- teur   58,   bien qu'il soit possible d'éliminer l'un ou les deux dépôts d'im- puretés lorsque la couche de transition P-N est formée. On sait que, dans le cas où l'on forme l'élément semi-conducteur à partir d'une matière semi- conductrice possédant déjà le type de semi-conductibilités N ou P, il est possible de n'utiliser qu'un seul dépôt d'impuretés, respectivement des types "accepteur" ou "donneur".

   Dans ce cas, l'élément   semi-conducteur   58 le dépôt d'impuretés 62 et l'élément 51 sont fixés ensemble par leur surfa- ce commune, qui doit assurer un bon contact électrique entre ces divers élé- ments. Dans ce but, on peut utiliser de la soudure, laquelle est constituée par le dépôt d'impuretés 62 lui-même, dans le cas décrits. L'élément 5l peut présenter une saillie centrale, en forme de cuvette 63, dans laquelle l'élément semi-conducteur 58 est convenablement fixé. La saillie extérieure 64 peut servir pour réaliser les montages décrits ci-dessus.

   De préférence, l'élément 51 est fabriqué en un métal dont le coefficient de dilatation ther- mique est adapté à celui de l'élément 58 et dont la conductibilité calorifi- que est excellente, de sorte que la soudure entre 51 & 68 ne   sé   détériorera pas aux températures élevées et que la chaleur produite dans l'élément semi- conducteur sera évacuée au cours du fonctionnement. Si le semi-conducteur est fait de germanium, la pièce 51 pourra être fabriquée en fernico. La connexion de la surface 59 à la plaque 52 pourra être réalisée par une ban- de conductrice 65 dont une extrémité est serrée contre la rondelle 56 et la plaque 52, tandis que l'autre appuie sur le dépôt d'impuretés 61.

   Le con- ducteur 15 peut être constitué d'un fil de   longueur   convenable, soudé à la surface 59, le dépôt d'impuretés 61 constituant la soudure, par exemple. 



  Il peut être aussi constitué d'un ruban élastique formant ressort qui assure par pression contre la surface 59 ou le dépôt d'impuretés 61, un contact élec-   trique.-satisfaisante   De préférence, la conductibilité du conducteur 65 et ses dimensions sont choisies pour une évacuation suffisamment rapide de la chaleur du semi-conducteur 58 vers l'élément 52 qui constitue un radiateur. 



   Comme il a été dit précédemment, l'élément 51 comprend une saillie externe   64,   de même la plaque 52 comporte une dépression centrale 66 de dimensions convenables pour s'emboîter sur la saillie 64 d'un élément semblable. On peut ainsi empiler plusieurs cavités à l'intérieur desquelles sont montés des éléments semi-conducteurs, de sorte que leurs axes soient confondus, chaque saillie   64   s'emboîtant dans la dépression 66, de telle sor- te qu'il s'établisse entre elles un bon contact électrique sur une assez gran- de surface . 



   Le dispositif à conductibilité dissymétrique décrit sur la fig. 



  8 est donc constitué par une enveloppe étanche formée des plaques 5l & 52 à l'intérieur desquelles est fixé l'élément semi-conducteur   58,   de sorte que ce dernier est protégé contre les détériorations dues à l'humidité, aux 

 <Desc/Clms Page number 7> 

 vapeurs acides, ou à toute autre atmosphère corrosive, ainsi que celles dues aux chocs mécaniques.

   Les éléments 51 & 52 constituent aussi les con- nexions électriques individuelles de chaque élément semi-conducteur 58 et servent de radiateur pour refroidir les éléments 58 durant leur fonction- nement, bien que ces derniers soient enfermés à l'intérieur des cavités 53 
La chaleur produite dans le   semi-conducteur   est transmise directement à la plaque 51 et indirectement, par l'intermédiaire du conducteur 65 à la pla- que 52, de sorte que ses deux surfaces contribuent au refroidissement ef- ficace de l'élément semi-conducteur. 



   On peut empiler commodément un ensemble de ces dispositifs à conductibilité dissymétrique,de sorte que les contacts électriques entre eux soient bons et que les dispositifs soient connectés en série. 



   La figure 9 représente un dispositif analogue à celui de la figure 8 et des chiffres identiques servent à désigner les éléments sembla- bles . 



   Dans la figure 9, la bande conductrice 65 est éliminée. La connexion de l'élément semi-conducteur à la plaque 52 est obtenue à l'aide d'une profonde dépression 66a en forme de cône dont le sommet appuie sur le dépôt 61 (comme sur la   figure),   ou sur la surface 59. L'élément 52 peut être soudé à la-surface 59 avec une soudure ordinaire, par fusion dans le dépôt d'impuretés 61, ou plus simplement l'élément 52 peut être appliqué sur la surface 59 avec une pression suffisante pour réaliser un bon contact électrique. 



   Les surfaces externes des éléments plats 51 & 52 sont modifiées par rapport à celles des éléments de la figure 8 et présentent respectivement une dépression annulaire 67 et une saillie annulaire   68.   Cette dépression 67 et la saillie 68 sont disposées de telle sorte qu'elles permettent l'em- pilage de plusieurs éléments identiques à ceux décrits sur la figure 9, les saillies 68 s'emboitent dans les dépressions 67 du dispositif précédent, tandis que dans la dépression 66a s'engage la saillie 64 du même dispositif. 



   On réalise ainsi de bons contacts électriques entre les dispo- sitifs successifs qui sont empilés le long de leur axe commun. 



   La figure 10 représente un second dispositif analogue à la fi- gure   8,   l'élément semi-conducteur 58 est fixé par soudure à la plaque 52 et la bande conductrice 65 est serrée, cette fois,entre le bord inférieur 54 de l'élément 51 et la surface supérieure de la rondelle annulaire 56 pour permettre la connexion de la surface 59 et de l'élément 51. Cet arrangement permet un refroidissement plus efficace du semi-conducteur   58,   la plaque 52 constituant un radiateur de surface rayonnante supérieure à celle de la pla- que 51; cependant, un refroidissement appréciable est obtenu à l'aide de la chaleur transmise à l'élément 51 à travers le conducteur 65. 



     Oomme   on le verra sur la figure 10, l'élément semi-conducteur ne comporte aucun dépôt d'impuretés; cependant, le conducteur 65 est connec- té à la surface 59 par l'intermédiaire d'une petite quantité de soudure 69 contenant une impureté de type P, telle que la soudure   à   l'indium. 



   Une autre caractéristique de la figure 10 est la forme de la saillie 64a qui comporte une portion évasée 70, laquelle s'adapte dans une douille annulaire. Cette douille est de forme circulaire, elle est consti- tuée d'un ensemble de pattes élastiques 71, fixées à la plaque 52. On peut donc fixer et connecter ensemble plusieurs dispositifs analogues, re- présentés sur la figure 10, par empilage suivant leur axe commun, la sail- lie 64a s'emboitant dans la douille 66a par simple pression. 



   On réalise ainsi une enveloppe étanche pour éléments à con-   ductibilité   dissymétrique qui permet de grouper, en série, rapidement, un ensemble des dits éléments. Ce mode de réalisation d'une variante de l'in- vention, permet en outre, de remplacer rapidement un élément défectueux in- clus dans un ensemble. 



   Les figures 11 & 12 représentent un dispositif à conductibilité 

 <Desc/Clms Page number 8> 

 dissymétrique qui permet de grouper un ensemble d'enveloppes étanches iden- tiques à celles décrites ci-dessus (celles du type décrit en figure   8,   par exemple), de manière que les éléments redresseurs qu'elles contiennent soient connectés en série, les enveloppes étant empilées de sorte que leur axe de symétrie soit confondu.

   Le groupement des éléments circulaires est obtenu à l'aide d'un support qui comprend essentiellement trois barres isolantes   72,   73 & 74, disposées symétriquement autour des dits éléments, maintenues dans leur position reSpective par des plaques d'extrémités 77 & 78 aux bran- ches 76 desquelles les barres 72 & 74 sont fixées par des rivets   75   Des pieds 79 rivés aux barres inférieures 72 & 73 de chaque c8té des plaques en forme d' étoiles 77 & 78 peuvent être rivés ou fixés , de   n' importe   quelle manière convenable, à un panneau   80.   



   Les plaques 77 & 78 permettent de connecter les éléments en sé- rie par contact direct entre la plaque 51 d'un élément et la plaque 52 du suivant; la plaque d'extrémité 77 comporte une saillie centrale 81 qui as- sure le contact avec le dernier élément sur la gauche du dispositif, par engagement dans la dépression 66 de sa plaque 52; la seconde plaque d'ex- trémité 78 est équipée d'une patte élastique 82 dont la pression permet d'é- tablir 1 ) le contact avec la plaque 51 du dernier élément à droite et 2 ) la mise en série correcte avec de faibles résistances de contact des éléments successifs qui sont appuyés les uns contre les autres. Les bornes de con- nexion du dispositif 83 & 84 sont fixées aux plaques 77 & 78 par les rivets 75 qui maintiennent la barre 76. 



   Le support ainsi constitué est solide, de construction simple et économique, il permet l'extraction ou l'introduction rapide et facile d'une enveloppe ou capsule, par démontage de la barre isolante 74 et simple glissement de la capsule à déplacer. 



   Les figures 13 & 14 décrivent un dispositif analogue à celui des figures 11 &   12   dans lequel les capsules ou enveloppes circulaires des élé- ments redresseurs sont disposées sur un même plan, leur centre étant aligné selon l'axe du support. On réalise ainsi un support plat de faib le   encom-   brement. Les capsules sont disposées sur une feuille de matière isolante 85; des éléments de connexion 86, élastiques de préférence, permettent à la fois de connecter les plaques 51 d'une capsule aux plaques 52 d'une autre, et de supporter lesdites capsules.

   Comme on le voit sur les figures 13 & 14, les éléments de connexion 86 comprennent un réceptacle 87 appliqué contre 85 dans lequel s'engagent - la saillie 64 de la plaque 51 d'un enveloppe d'élément redresseur, - une partie plate 88 fixée à la feuille 85 par un rivet 89 dont une tête est, de préférence, encastrée dans la face inférieure de la dite feuille,afin que le support puisse être posé sur une surface métallique sans que les éléments redresseurs soient court-circuités. 



   - un bras coudé 90, enfin, dont uneportion est parallèle à la feuille 85 et dont l'extrémité recourbée s'engage dans la dépression 66 de la plaque d'une autre enveloppe. La portion de bras 90 peut être élastique et appuyer sur la dépression 66 de manière que l'enveloppe ou capsule soit fixée et les contacts sur les plaques 51 & 52 correctement établis. On réa- lise ainsi les connexions de mise en série des éléments successifs et, si la portion de bras 90 est élastique, on peut extraire ou introduire une cap- sule dans l'appareil en écartant momentanément, de sa position normale, le- dit bras élastique. On réalise les connexions de l'appareil   lui-même   à 1' aide des éléments 86 qui peuvent être tronqués, dans ce but. Les trous 91 de la plaque 85 permettent de fixer l'appareil sur un chassis à l'aide de rivets.

Claims (1)

  1. RESUME La présente addition concerne la réalisation de dispositifs de montage et de connexions pour des systèmes comportant un ensemble d'éléments semi-conducteurs redresseurs, dont la fabrication est décrite dans le brevet <Desc/Clms Page number 9> principal.
    La présente addition est caractérisée par les points suivants A chacun des dits éléments redresseurs sont fixés : a) une plaque métallique mince,de dimensions beaucoup plus grandes, qui sert de connexions; b) un dépôt d'impuretés auquel est soudé une seconde connexion; les dites capsules, leur plaque support, le dépôt d'impuretés, ainsi que les fils qui servent à connecter en série les différents éléments sont enfermés entre les deux moitiés d'une enveloppe creuse de matière isolante qui permet de supporter, d'isoler et de mettre en position convenable chaque élément redresseur, à l'aide d'un système d'encoches, de saillies et dépressions correspondantes pratiquées dans les deux moitiés de l'enveloppe et dans les plaques supports.
    Deux plaquettes de connexion., qui sont fixées comme les plaques-supports d'éléments redresseurs, servent à connecter le dispositif par engagement des deux bornes dans une douille. Une substance de protection contre les atmosphères humide ou corrosive enrobe les éléments .redresseurs ou remplit la cavité qui la contient.
    Dans un premier mode de réalisation, les différents éléments redresseurs sont fixés dans l'enveloppe les uns à côté des autres,de maniè- re que les plaques soient situées dans le même plan; selon un second mode de réalisation les éléments redresseurs sont fixés les uns derrière les au- tres, les plaques-support étant parallèles.
    Selon une deuxième réalisation de l'invention, qui constitue une variante préférée, chaque élément redresseur est contenu dans une enve- loppe formée de deux pièces circulaires respectivement plates et concaves, qui s'adaptent l'une à l'autre pour former une cavité étanche dont les deux parties sont isolées par deux rondelles de substance isolante élastique, dont l'une d'elles assure la fermeture et l'étanchéité de la dite enveloppe ou capsule . par compression entre les rebords des plaques. Les connexions de l'élément redresseur sont réalisées à l'intérieur de l'enveloppe. Les deux plaques des capsules comportent respectivement une saillie et une dé- pression annulairesqui se correspondent, de sorte que l'on peut empiler ces capsules, leurs connexions extérieures étant assurées par le dit systè- me de saillies et dépressions.
    Trois modes de réalisation des enveloppes ou capsules sont décrites, deux types de chassis, de construction simple et économique, permettent d'assembler les capsules, et de remplacer rapidement une enveloppe défectueuse. en annexe 2 dessins.
BE513934D 1950-09-29 BE513934A (fr)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US18749050A 1950-09-29 1950-09-29
US18747850A 1950-09-29 1950-09-29
US246827A US2745044A (en) 1951-09-15 1951-09-15 Asymmetrically conductive apparatus
US748845XA 1952-10-25 1952-10-25
US596943A US2994018A (en) 1950-09-29 1956-07-10 Asymmetrically conductive device and method of making the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
BE513934A true BE513934A (fr)

Family

ID=27536028

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BE513934D BE513934A (fr) 1950-09-29

Country Status (2)

Country Link
BE (1) BE513934A (fr)
FR (1) FR63200E (fr)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998012745A1 (fr) * 1996-09-18 1998-03-26 Siemens Aktiengesellschaft Connexion electrique pour composant a semi-conducteur de puissance

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998012745A1 (fr) * 1996-09-18 1998-03-26 Siemens Aktiengesellschaft Connexion electrique pour composant a semi-conducteur de puissance
US6175148B1 (en) 1996-09-18 2001-01-16 Siemens Aktiengesellschaft Electrical connection for a power semiconductor component

Also Published As

Publication number Publication date
FR63200E (fr) 1955-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104040742B (zh) 热电元件及具备该热电元件的热电模块
CA2615239C (fr) Borne de liaison electrique pour cellule de stockage d&#39;energie electrique
FR2700416A1 (fr) Dispositif à semiconducteurs comportant un élément semiconducteur sur un élément de montage.
EP1992018A2 (fr) Procede de couplage de cellules photovoltaiques et film permettant sa mise en oeuvre
EP1586122B1 (fr) Module photovoltaique comportant des bornes de connexion avec l&#39;exterieur
FR2581249A1 (fr) Dispositif de montage d&#39;un dissipateur de chaleur pour un semi-conducteur
FR2824180A1 (fr) Module de condensateur et dispositif semi-conducteur utilisant le module de condensateur
FR2535898A3 (fr) Module de transistor de puissance
EP0037301B1 (fr) Boîtier d&#39;encapsulation pour module de puissance en circuit hybride
EP1005083B1 (fr) Composant électronique de puissance comportant des moyens de refroidissement
EP3621093A1 (fr) Bloc capacitif comprenant un dissipateur thermique
CA2352513A1 (fr) Procede de fabrication d&#39;un composant electronique de puissance, et composant electronique de puissance ainsi obtenu
FR2791915A1 (fr) Reseau de diodes laser pour le soudage, la jonction ou la deformation de pieces en matiere thermoplastique
EP0148051A1 (fr) Procédé et dispositif de connexion électrique fixé de tresses sur des plages d&#39;amenée de courant
CH639306A5 (fr) Outil de soudage.
FR2786657A1 (fr) Composant electronique de puissance comportant des moyens de refroidissement et procede de fabrication d&#39;un tel composant
EP0380896A1 (fr) Semelle de fer à repasser réalisée par assemblage de plusieurs feuilles métalliques brasées l&#39;une à l&#39;autre
EP0470899B1 (fr) Diode à électrodes et à boítier assemblés sans soudure ni sertissage et pont redresseur réalisé avec de telles diodes
FR2503526A1 (fr) Boitier et procede de montage et d&#39;interconnexion de composants semiconducteurs de moyenne puissance en boitier unique.
BE513934A (fr)
FR2620561A1 (fr) Thermistance ctp pour le montage en surface
EP1116424A1 (fr) Assemblage electronique comportant une semelle formant drain thermique
EP2438651A1 (fr) Dispositif de liaison entre un connecteur electrique et un cable electrique coaxial blinde et connecteur electrique correspondant
FR2653594A1 (fr) Boitier a traversees pour courant eleve et son procede de fabrication.
BE898061A (fr) Montage formant radiateur de chaleur pour dispositifs semiconducteurs.