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La présente invention concerne l'utilisation du silicium pour la fabrication de monocristaux comportant un grand nombre de jonc- tions P-N suivant le procédé décrit dans le brevet principal et en par- ticulier dans le 6me perfectionnement au brevet principal.
Ce procédé.est simple, il permet de fabriquer rapidement des monocristaux semi-conducteurs tant une, plusieurs ou un grand nom- bre de jonctions P-N ayant chacune des caractéristiques prédéterminées.
Suivant ce procédé, on fait croître un germe de cristal de semi-conducteur dans un mélange en fusion contenant le corps semi-con- ducteur, une faible quantité de corps donateur et une faible quantité de corps accepteur en proportions déterminées. Pour une certaine vi- tesse de croissance du mono-cristal, celui-ci est du type intrinsèque.
On fait varier périodiquement la température du mélange en fusion, de manière que la vitesse de cristallisation varie depuis une valeur à laquelle la partie du monocristal en formation a la conduction de type
N, jusqu'à une valeur à laquelle la partie du monocristal en formation a la conduction de type N.
Comme il est connu, une jonction P-N se forme à la limite commune entre les parties adjacentes du monocristal qui présentent la con- duction N et la conduction P.
L'application de ce procédé permet de fabriquer plusieurs jonctions P-N et le choix de leurs conditions de formation permet d'obtenir des jonctions présentant des caractéristiques prédéterminées.
C'est ainsi qu'on peut préparer au moyen du procédé décrit dans le 6e perfectionnement (N 522.097) au brevet principal, des jonctions P-N présentant des variations lentes des concentrations de corps accepteur et donateur, respectivement suivant un trajet traversant normalement lesdites jonctions, depuis une région où les porteurs de charges majoritaires ont un certain signe, jusqu'à la région voisine où les porteurs majoritaires ont le signe contraire.
On peut également préparer par ce procédé des jonctions P-N ayant des variations rapides des concentrations de corps accepteur et donateur, suivant un trajet traversant ces jonctions.
En conséquence, une application importante du procédé, objet de l'invention, est la fabrication de transistron fonctionnant en haute fréquence, puisque les premières jonctions ont les qualités des jonctions entre collecteur et base, tandis que les secondes ont les qualités des 'jonctions entre émetteur et base.
Enfin, dans le 6e perfectionnement au brevet principal, on a également décrit un mode d'application du procédé à la fabrication de monocristaux de germanium comportant plusieurs jonctions P-N. Les perfectionnements, objet de la présente invention consistent à fabriquer des monocristaux obtenus à partir d'un germe de'.cristal de silicium que l'on fait croître dans un mélange en fusion contenant une faible quantité de silicium, le corps accepteur (aluminium) et une faible quantité de corps donateur (antimoine) en porportions détermi- nées) .
Suivant une variante' préférée, les proportions relatives de corps accepteur et donateur sont deux à trois parties d'aluminium pour une d'antimoine, le mélange aluminium-antimoine étant ajouté à raison de 0,1 à 10 go de silicium.
Pour mieux faire comprendre la présente invention et ses différents avantages techniques, on va en décrire un exemple de réalisation,
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étant entendu que celui-ci n'a aucun caractère limitatif quant au mode de mise en oeuvre et aux applications qu'on peut en faire.
- La figure 1 représente une partie d'un appareil que l'on utilise pour appliquer le procédé, objet de l'invention.
- La figure 2 représente un ensemble de courbes donnant le taux de ségrégation en fonction de la vitesse de croissance du cristal pour divers corps accepteurs ou donateurs.
- La figure 3 représente un ensemble de quatre courbes montrant les variations en fonction du temps, de la puissance de chauffage du mélange en fusion, de la température de ce mélange, de la vitesse de croissance du monocristal et de la longueur de celui-ci* - La figure 4 représente un transistron jonction dont l'élément semi-conducteur est obtenu par sciage d'un monocristal préparé suivant le procédé objet de l'invention.
Les figures 1, 2, 3-et 4 sont identiques aux figures 1, 3, 5 et 7 du 6ème perfectionnement au brevet principal et leur description sera succinte.
La figure 1 représente un appareil pour la préparation des monocristaux semi-conducteurs comportant un grand nombre de jonctions P-N. On distingue un creuset de quartz 10 disposé dans un four étanche à l'air (non représenté). Un élément de chauffage par induction 11 entoure ce creuset; il est alimenté à une course de tension 12; une résistance ajustable 13 sert à régler la puissance de chauffage; un interrupteur 14 est associé en série entre la résistance 13 et l'élément de chauffage. On met dans un creuset 10 un corps semi-conduc- teur de grande pureté, puis on ajoute de fàibles quantités d'un corps accepteur et d'un corps donateur. Le mélange 15 est chauffé sous vi- de, en atmosphère réductrice ou inerte.
Un germe de cristal 16, du corps semi-conducteur contenu dans le mélange 15, est fixé dans un support à pince 17. On abaisse celui-ci de manière que l'extrémité du germe 16 soit immergée dans le mélange fondu. On imprime au support 17 un mouvement de rotation de vitesse supérieure à 20 tours par minute environ. On provoque ainsi une agitation du mélange qui a pour effet de maintenir uniforme la composition du mélange au voisinage de la surface de contact entre phases liquide et solide. Il est possible néanmoins de préparer un monocristal comportant des jonctions P-N sans rotation du cristal en formation. Le support 17 est animé d'un mouvement de translation suivant la flèche 19. La vitesse de translation doit être égale à la vitesse moyenne de croissance du cristal.
Celle-ci dépend du gradient de température suivant un trajet-sensiblement normal à la surface de contact entre phases liquide et solide et traversant celle-ci; ce gradient de température est une fonction de plusieurs variables, néanmoins il est pratiquement déterminé par la température du mélange 15 qui dépend de la puissance fournie par la source 12 à l'élément de chauffage Il. Quand le semi-conducteur, constituant l'essentiel du mélange 15, est du germanium, celui-là doit être porté à une température supérieure à 941 C., température de fusion de ce corps à l'état pur ; si le semi-conducteur est du silicium, le mélange doit être porté à une température supérieure à 1430 C., température de fusion du silicium. La vitesse moyenne de la cristallisation amorcée par le germe 16 peut être 7,5 cm/h.
Tandis que le support 17 est éloigné de la surface du mélange en fusion, un monocristal 18 se forme. Il est pratiquement impossible de mesurer le gradient de température au voisinage de la surface de contact entre phases liquide et
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solide, cependant la vitesse de cristallisation peut être facilement déterminée en observant la croissance du cristal, lorsqu'on fait varier la température du mélange. Comme il est connu, la vitesse du cristallisation est égale à 7,5 cm/h. par exemple, quand, pour une vitesse de 7,5 cm/h de translation du support 17, le diamètre du monocristal reste constant.
Conformément à l'invention, on fait varier la vitesse de croissance du cristal 18 suivant des cycles prédéterminés; pour cela, on détermine la loi de variation, en fonction du temps, de la puissance fournie à l'élément chauffant 11. De cette loi de variation, de la nature des corps accepteurs et donateurs et de leur concentration respective, dépend le changement du type de conduction dans la partie du monocristal 18 en formation.
On détermine la nature des corps accepteurs et donateurs, mélangés au semi-conducteur pur, ainsi que leurs concentrations respectives d'après les courbes du taux de ségrégation de ces corps relatif au semi-conducteur en fonction de la vitesse de cristallisation V Les courbes T = f (V ) sont caractéristiques de ces corps pour
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un semi-conducteur donné.
On sait que le taux de ségrégation d'un corps accepteur ou donateur, relatif à un semi-conducteur, est le rapport entre les concentrations de ce corps dans la partie du cristal, et la région du mélange en fusion 15 qui soit voisines de la surface de contact entre phases solide et liquide.
La figure 2 représente les courbes T = f (V) pour l'indium (In) et le gallium (Ga) ainsi que pour l'arsenic c(As) et l'antimoine (Sb) lorsque ils sont mélangés au germanium, les deux premiers étant utilisés comme corps accepteurs et les autres comme corps donateurs* Les taux de ségrégation pour le gallium et l'indium, corps du type accepteur, ont été divisés par 10 ; ces taux sont pratiquement invariables lorsque la vitesse V est comprise entre 0 et - 15 cm/ho Au contraire, Ts varie dans des proportions relativement importantes, pour l'arsenic et l'antimoine, qui sont des corps du type donateur. On constate que les valeurs de Tsont très différentes suivant la nature des corps donateurs ou accepteurs. Le tableau suivant résume les valeurs de T pour divers corps donateurs et accepteurs et plusieurs valeurs de V2c.
$Ts relatif au germanium
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<tb>
<tb> Vc <SEP> Corps <SEP> du <SEP> type <SEP> accepteur <SEP> Corps <SEP> du <SEP> type <SEP> dona-
<tb>
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¯¯¯¯¯¯¯¯¯¯¯¯¯¯¯¯¯ teur
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<tb>
<tb> In <SEP> Ga <SEP> Sb <SEP> As
<tb> 2,5 <SEP> cm/h <SEP> 0,0011 <SEP> 0,11 <SEP> 0,003 <SEP> 0,05
<tb> 7,5 <SEP> cm/h <SEP> 0,0011 <SEP> 0,11 <SEP> 0,005 <SEP> 0,07
<tb> 12,5 <SEP> cm/h <SEP> 0,0012 <SEP> 0,12 <SEP> 0,006 <SEP> 0,08
<tb>
Les variations des taux de ségrégation, relatifs au silicium, de divers corps accepteurs et donateurs, sont sensiblement inférieures à celles des taux de ségrégation relatifs au germanium.
La mesure de ces taux présente de sérieuses difficultés pour de grandes vitesses de cristallisation* Dans le cas d'une vitesse de cristallisation inférieure à 2,5 cm/h, le taux T relatif au silicium est 0,018 pour l'antimoine', 0,0016 pour l'aluminium, et 0,00027 pour l'indium.
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La variation du taux de ségrégation T relatif à un semi- conducteur en fonction de la vitesse de cristasllisation V pour un corps accepteur ou donateur donné est exprimée par la relation :
T = K + (Ka- K ) C Vi s o a o Vc
Dans cette formule, K est le rapport des concentrations du corps donateur ou accepteur dans le monocristal et dans le liquide en équilibre.
K est le rapport des concentrations du corps donateur ou accepteur dans la couche superficielle du monocristal au contact du mélange en fusion et dans ce mélange en fusion.
C est un terme qui dépend de la constante de diffusion du corps accepteur ou donateur dans le semi-conducteur.
V est la vitesse instantanée de cristallisation et c V. est un facteur caractéristique du corps accepteur ou do- nateur et de la constante de diffusion de ces corps dans le semi-con- ducteur.
Dans le 6ème perfectionnement au brevet principal, on a pré- cisé la composition de l'alliage 15 qui,est dans le creuset, lorsque le semi-conducteur est du@germanium, que le corps accepteur appartient au groupe indium-gallium et que le corps donateur appartient au'.groupe ar- senic-antimoine.
Conformément au présent perfectionnement, le semi-conducteur est du silicium, les corps accepteur et donateur peuvent être respec- tivement l'aluminium et l'antimoine. Le rapport des poids d'aluminium et d'antimoine introduits dans le mélange 15 est compris entre 2 et 3 et, de préférence, égal à 2,5. L'alliage aluminium-antimoine est ajou- té au silicium à raison de 4 mg de mélange pour 10 g de silicium. Ain- si, pour une vitesse de cristallisation de 12,5 cm/h, le monocristal a la conduction de type N, tandis que pour une vitesse de cristallisa- tion de 2,5 cm/h, le monocristal à la conduction P.
Les proportions d'aluminium, d'antimoine et de silicium men- tionnées peuvent évidemment varier entre des limites relativement larges, suivant les caractéristiques désirées des jonctions P-N . Le procédé décrit a permis d'obtenir des jonctions P-N de diverses carac- téristiques en utilisant un poids total de corps accepteur et donateur compris entre 0,1 et 10 mg pour 10 g de silicium.
Les quatre courbes de la figure 3 représentent, respective- ment, en fonction du temps : - la puissance P de chauffage du four contenant le creuset 10 (courbe A) - la température TM du mélange en fusion 15 (courbe B) - la vitesse de cristallisation Vc du monocristal (courbe C) - la longueur du monocristal (courbe D).
Cet ensemble de courbes illustre le mode de fabrication d'un monocristal de germanium comportant plusieurs jonctions P-N. Les différentes phases de cette fabrication, désignées par les lettres E, F, G, H, I et J, ont été décrites dans le 6ème perfectionnement au brevet principal.
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Dans le cas d'un cristal de silicium, les courbes de la fi- gure 3 ont la même allure générale. On peut obtenir un monocristal fournissant après sciage plusieurs éléments N-P-N dont l'épaisseur de la zône de conduction P est inférieure à 0,02 mm. Dans ce cas, le mélange 15 doit contenir 1,3 mg d'aluminium et 0,5 mg d'antimoine pour
5 g de silicium, l'amplitude des variations de la puissance de chauf- fage P est relativement grande et la fréquence de ces variations est deux cycles par minute.
Ainsi, des intervalles de croissance rapide du cristal alter- nent avec des intervalles durant lesquels le monocristal se dissout par- tiellemento (Ces derniers intervalles correspondent aux régions hachu- rées sur la figure 4c).
Par sciage du monocristal, on peut obtenir des éléments semi- conducteurs du type N-P-N, identiques à celui du transistron de la fi- gure 4. Cet élément a la forme d'une plaquette mince ayant une largeur de 6 mm et une épaisseur inférieure au millimétrée Des éléments de dimensions plus faibles peuvent être obtenus, en vue de fabriquer des transistrons fonctionnant en haute fréquence.
Le transistron de la figure 4 comporte deux zônes de conduc- tion N relativement longues et une zone de conduction P (28) qui est très mince. La liaison de cette z8ne centrale avec un conducteur de connexion 41, sans provoquer la mise en court circuit des jonctions P-N situées de part et d'autre de ladite z8ne pose un problème de fabrication délicat.
L'utilisation d'une électrode de connexion qui permet de réaliser une surface de contact relativement étendue et¯parfaitement stable avec la couche centrale permet de pallier cet inconvénient.
Le brevet que la Société demanderesse a déposé le 18 noem- bre 19539 sous le n 524.376,comme 8ème perfectionnement au brevet principal, a pour objet la réalisation de telles conne$ions.
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The present invention relates to the use of silicon for the manufacture of single crystals comprising a large number of P-N junctions according to the process described in the main patent and in particular in the 6th improvement to the main patent.
This method is simple, it allows to quickly manufacture semiconductor single crystals as well as one, several or a large number of P-N junctions each having predetermined characteristics.
According to this process, a semiconductor crystal seed is grown in a molten mixture containing the semiconductor body, a small amount of donor body and a small amount of acceptor body in specified proportions. For a certain growth rate of the mono-crystal, the latter is of the intrinsic type.
The temperature of the molten mixture is periodically varied so that the rate of crystallization varies from a value at which the part of the single crystal being formed has the type conduction.
N, up to a value at which the part of the single crystal in formation has N-type conduction.
As is known, a P-N junction forms at the common boundary between the adjacent parts of the single crystal which have the N conduction and the P conduction.
The application of this process makes it possible to manufacture several P-N junctions and the choice of their formation conditions makes it possible to obtain junctions having predetermined characteristics.
Thus it is possible to prepare by means of the process described in the 6th improvement (N 522,097) to the main patent, PN junctions exhibiting slow variations in the concentrations of acceptor and donor bodies, respectively along a path normally crossing said junctions, from a region where the majority carriers have a certain sign, to the neighboring region where the majority carriers have the opposite sign.
P-N junctions can also be prepared by this method having rapid changes in the concentrations of acceptor and donor bodies, following a path through these junctions.
Consequently, an important application of the method, object of the invention, is the manufacture of transistrons operating at high frequency, since the first junctions have the qualities of junctions between collector and base, while the second have the qualities of 'junctions between. transmitter and base.
Finally, in the 6th improvement to the main patent, a method of applying the method to the manufacture of germanium single crystals comprising several P-N junctions has also been described. The improvements which are the subject of the present invention consist in manufacturing single crystals obtained from a seed of silicon crystal which is grown in a molten mixture containing a small quantity of silicon, the acceptor body (aluminum). and a small amount of donor body (antimony) in specified proportions).
According to a preferred variant, the relative proportions of acceptor and donor body are two to three parts of aluminum to one of antimony, the aluminum-antimony mixture being added in an amount of 0.1 to 10 gb of silicon.
To better understand the present invention and its various technical advantages, we will describe an embodiment thereof,
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it being understood that this is in no way limiting as to the mode of implementation and the applications that can be made of it.
- Figure 1 shows part of an apparatus that is used to apply the method, object of the invention.
- Figure 2 shows a set of curves giving the rate of segregation as a function of the crystal growth rate for various acceptor or donor bodies.
- Figure 3 represents a set of four curves showing the variations as a function of time, of the heating power of the molten mixture, of the temperature of this mixture, of the growth rate of the single crystal and of the length of the latter * - Figure 4 shows a junction transistron whose semiconductor element is obtained by sawing a single crystal prepared according to the method of the invention.
Figures 1, 2, 3-and 4 are identical to Figures 1, 3, 5 and 7 of the 6th improvement to the main patent and their description will be brief.
FIG. 1 represents an apparatus for the preparation of semiconductor single crystals comprising a large number of P-N junctions. There is a quartz crucible 10 arranged in an airtight furnace (not shown). An induction heating element 11 surrounds this crucible; it is supplied at a voltage stroke 12; an adjustable resistor 13 serves to regulate the heating power; a switch 14 is associated in series between the resistor 13 and the heating element. A high purity semiconductor body is placed in crucible 10, followed by the addition of small amounts of an acceptor body and a donor body. The mixture is heated under vacuum, in a reducing or inert atmosphere.
A crystal seed 16, of the semiconductor body contained in the mixture 15, is fixed in a clamp support 17. The latter is lowered so that the end of the seed 16 is immersed in the molten mixture. The support 17 is imparted to a rotational movement at a speed greater than approximately 20 revolutions per minute. This causes stirring of the mixture which has the effect of maintaining uniform the composition of the mixture in the vicinity of the contact surface between liquid and solid phases. It is nevertheless possible to prepare a single crystal comprising P-N junctions without rotation of the forming crystal. The support 17 is driven in a translational movement along arrow 19. The translational speed must be equal to the average crystal growth speed.
This depends on the temperature gradient following a path substantially normal to the contact surface between liquid and solid phases and crossing the latter; this temperature gradient is a function of several variables, nevertheless it is practically determined by the temperature of the mixture 15 which depends on the power supplied by the source 12 to the heating element II. When the semiconductor, constituting the main part of the mixture 15, is germanium, this must be brought to a temperature above 941 ° C., the melting point of this body in the pure state; if the semiconductor is silicon, the mixture must be brought to a temperature above 1430 C., the melting temperature of silicon. The average rate of crystallization initiated by seed 16 can be 7.5 cm / h.
As the support 17 is moved away from the surface of the molten mixture, a single crystal 18 forms. It is practically impossible to measure the temperature gradient in the vicinity of the contact surface between liquid phases and
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solid, however the rate of crystallization can be easily determined by observing the growth of the crystal, when the temperature of the mixture is varied. As is known, the rate of crystallization is equal to 7.5 cm / h. for example, when, for a speed of 7.5 cm / h of translation of the support 17, the diameter of the single crystal remains constant.
According to the invention, the growth rate of crystal 18 is varied according to predetermined cycles; for this, one determines the law of variation, as a function of time, of the power supplied to the heating element 11. On this law of variation, the nature of the acceptor and donor bodies and their respective concentration, depends the change of the type of conduction in the part of the single crystal 18 in formation.
The nature of the acceptor and donor bodies mixed with the pure semiconductor, as well as their respective concentrations, is determined from the curves of the rate of segregation of these bodies relative to the semiconductor as a function of the crystallization rate V The curves T = f (V) are characteristic of these fields for
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a given semiconductor.
It is known that the rate of segregation of an acceptor or donor body, relative to a semiconductor, is the ratio between the concentrations of this body in the part of the crystal, and the region of the molten mixture which is close to the crystal. contact surface between solid and liquid phases.
Figure 2 shows the curves T = f (V) for indium (In) and gallium (Ga) as well as for arsenic c (As) and antimony (Sb) when they are mixed with germanium, the the first two being used as acceptor bodies and the others as donor bodies * The rates of segregation for gallium and indium, acceptor-type bodies, were divided by 10; these rates are practically invariable when the speed V is between 0 and - 15 cm / ho. On the contrary, Ts varies in relatively large proportions for arsenic and antimony, which are bodies of the donor type. It can be seen that the values of Ts are very different depending on the nature of the donor or acceptor bodies. The following table summarizes the values of T for various donor and acceptor bodies and several values of V2c.
$ Ts relative to germanium
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<tb>
<tb> Vc <SEP> Body <SEP> of <SEP> type <SEP> acceptor <SEP> Body <SEP> of <SEP> type <SEP> dona-
<tb>
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¯¯¯¯¯¯¯¯¯¯¯¯¯¯¯¯¯ ¯
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<tb>
<tb> In <SEP> Ga <SEP> Sb <SEP> As
<tb> 2.5 <SEP> cm / h <SEP> 0.0011 <SEP> 0.11 <SEP> 0.003 <SEP> 0.05
<tb> 7.5 <SEP> cm / h <SEP> 0.0011 <SEP> 0.11 <SEP> 0.005 <SEP> 0.07
<tb> 12.5 <SEP> cm / h <SEP> 0.0012 <SEP> 0.12 <SEP> 0.006 <SEP> 0.08
<tb>
The variations in the rates of segregation, relative to silicon, of various acceptor and donor bodies, are significantly less than those of the rates of segregation relative to germanium.
The measurement of these rates presents serious difficulties for high crystallization rates * In the case of a crystallization rate lower than 2.5 cm / h, the rate T relative to silicon is 0.018 for antimony ', 0, 0016 for aluminum, and 0.00027 for indium.
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The variation in the rate of segregation T relating to a semiconductor as a function of the rate of crystallization V for a given acceptor or donor body is expressed by the relation:
T = K + (Ka- K) C Vi s o a o Vc
In this formula, K is the ratio of the concentrations of the donor or acceptor body in the single crystal and in the liquid in equilibrium.
K is the ratio of the concentrations of the donor or acceptor body in the surface layer of the single crystal in contact with the molten mixture and in this molten mixture.
It is a term which depends on the diffusion constant of the acceptor or donor body in the semiconductor.
V is the instantaneous rate of crystallization and c V. is a characteristic factor of the acceptor or donor body and of the diffusion constant of these bodies in the semiconductor.
In the 6th improvement to the main patent, the composition of alloy 15 which is in the crucible when the semiconductor is germanium, the acceptor body belongs to the indium-gallium group and the donor body belongs to the arsenic-antimony group.
According to the present improvement, the semiconductor is silicon, the acceptor and donor bodies can be aluminum and antimony, respectively. The ratio of the weights of aluminum and antimony introduced into the mixture is between 2 and 3 and, preferably, equal to 2.5. The aluminum-antimony alloy is added to the silicon at the rate of 4 mg of mixture per 10 g of silicon. Thus, for a crystallization rate of 12.5 cm / h, the single crystal has the N-type conduction, while for a crystallization rate of 2.5 cm / h, the single crystal has the P conduction.
The proportions of aluminum, antimony and silicon mentioned can obviously vary between relatively wide limits, depending on the desired characteristics of the P-N junctions. The method described has made it possible to obtain P-N junctions of various characteristics using a total weight of acceptor and donor body of between 0.1 and 10 mg per 10 g of silicon.
The four curves in figure 3 represent, respectively, as a function of time: - the heating power P of the furnace containing crucible 10 (curve A) - the temperature TM of the molten mixture 15 (curve B) - the speed crystallization Vc of the single crystal (curve C) - the length of the single crystal (curve D).
This set of curves illustrates the method of manufacturing a germanium single crystal comprising several P-N junctions. The different phases of this production, designated by the letters E, F, G, H, I and J, have been described in the 6th improvement to the main patent.
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In the case of a silicon crystal, the curves of FIG. 3 have the same general appearance. One can obtain a single crystal providing after sawing several N-P-N elements whose thickness of the conduction zone P is less than 0.02 mm. In this case, the mixture should contain 1.3 mg of aluminum and 0.5 mg of antimony for
5 g of silicon, the amplitude of the variations in the heating power P is relatively large and the frequency of these variations is two cycles per minute.
Thus, intervals of rapid crystal growth alternate with intervals during which the single crystal partially dissolves (These latter intervals correspond to the hatched regions in Fig. 4c).
By sawing the single crystal, it is possible to obtain semiconductor elements of the NPN type, identical to that of the transistron of FIG. 4. This element has the shape of a thin wafer having a width of 6 mm and a thickness less than millimeter Elements of smaller dimensions can be obtained, with a view to manufacturing transistrons operating at high frequency.
The transistron of Figure 4 has two relatively long N-conduction zones and a very thin P-conduction zone (28). The connection of this central z8ne with a connection conductor 41, without causing the P-N junctions located on either side of said z8ne to be short-circuited, poses a difficult manufacturing problem.
The use of a connection electrode which makes it possible to produce a relatively large and perfectly stable contact surface with the central layer makes it possible to overcome this drawback.
The patent which the Applicant Company filed on 18 No. 19539 under No. 524,376, as an 8th improvement to the main patent, has as its object the realization of such connections.